ELECTRONII N SOLIDE

un izolator. Un cmp electric extern nu poate transfera energie

electronilor fiindc acetia nu au stri de energie superioar
libere. Adevrul este c exist stri libere cu energie mai mare,
dar acestea se gsesc n banda de conducie, aflat peste
banda interzis, la o deprtare energetic prea mare fa de
energia care o poate da electronilor un cmp electric uzual.
E n e rg ie

Se gsete experimental i mecanica cuantic demonstreaz c

ntr-un atom electronii au o energie bine definit, nivelele de
energie. Pe un nivel de energie de tip "s" pot "ncpea" doar 2
electroni cu momente cinetice proprii opuse ("spini" opui),
implicit momentele magnetice.
Cnd mai muli atomi, de exemlu N, sunt aezai unii lng
alii, ntr-o reea cristalin ordonat, nivelele de energie ale
atomilor se lrgesc i devin benzi de energie. Acest fenomen
este o consecin a relaiilor de nedeterminare Heisenberg.
Fiindc un electron st doar un interval de timp finit "t" lng
un atom anume, energia sa va avea o nedeterminare "E" cu
att mai mare cu ct intervalul de timp este mai mic. Domeniile
de energii interzise din atom devin ntr-un solid benzi de
energie interzis, iar nivelele de energie din atom devin benzi
de energie permis. ntr-o astfel de band de energie de tip "s"
"ncap" 2N electroni (N fiind numrul atomilor din cristal).
Dac atomul are doar un electron de valen pe acest nivel "s",
atunci n cristal vor fi doar N electroni ce ocup doar jumtate
din strile din banda de valen. Materialul va fi un metal ce
va conduce bine curentul electric, fiindc electronii pot prelua
energie de la un cmp electric aplicat din exterior i trece pe
nivele de energie superioare, acestea fiind libere.
Dac atomul are doi electroni de valen pe nivelul "s", banda
de valen va fi ocupat n ntregime, materialul cristalin va fi

ATO M
n iv e l
gol

M ETAL
banda
g o a la

ATO M
n iv e l
gol

IZ O L A T O R
banda de
c o n d u c tie
g o a la

banda
in te rz is a

n iv e l
sem i
ocupat

n iv e l
ocupat
banda
s e m io c u p a ta

banda de
v a le n ta
p lin a

n materialele solide un nivel de energie atomic devine band

de energie.
La zero grade Kelvin un semiconductor este izolator din punct
de vedere electric deoarece electronii se afl n banda de
valen care este complet plin. Un cmp electric extern uzual
nu ar putea modifica energia electronilor fiindc acetia ar avea
nevoie de-o energie cel puin egal cu lrgimea benzii interzise
de energie, aflat ntre banda de valen i cea de conducie.
La temperatura camerei, din cauza agitaiei termice, o parte
foarte mic a electronilor din banda de valen sunt excitai n
banda de conducie. n acest fel apar purttori de sarcin
electric negativ mobili n banda de conducie electronic,
electronii, i purttori de sarcin pozitiv mobili n banda de
valen, golurile. Sub aciunea unui cmp electric extern aceti
purttori de sarcin mobili se pot mica, genernd un curent

electric. Pn la urm mrimea ce condiioneaz apartenena

unei substane la categoria materialelor semiconductoare este
mrimea zonei interzise de energie, izolatorii fiind cu zone
interzise peste 4eV. (1eV=1,61019C1V = 1,61019 J)
E n e rg ie

Banda
de
c o n d u c tie

e le c t r o n i

E n e r g ie
F
F e rm i

Ocuparea strilor din band se face de ctre electroni conform

funciei de distribuie Fermi-Dirac:
f(E)=1/(e(E F) / (kT) + 1)

Banda
de
v a le n ta

P ro b a b ilita te

p o z it ie

Din cauza agitaiei termice electroni din banda de valen sunt

excitai n banda de conducie.
Proprieti semiconductoare prezint elementele chimice din
grupele III, IV, V i VI ca B, Si, Ge, Se, Te. Pe lng
semiconductorii elementari sunt larg folosii compuii binari,
cu formula chimic AB, unde A este un element trivalent, iar B
este pentavalent, compui III-V (ca InSb i GaAs) sau A este
un element un element bivalent iar B este hexavalent, compui
II-VI ca ZnS, ZnO i CdS sau compui IV-IV precum carbura
de siliciu, SiC.
Semiconductor

Si

Ge

Se Te

InSb

Zona interzis (eV) 1,15 0,67 0,8 0,33 0,23

Semiconductor

InP

GaP

PbS

CdS

1,29

2,32

0,34

2,5

Cu2O TiO2 ZnO SnO2 ZnSb GaAs SiC

Zona interzis (eV) 2,17

3,03

3,2

3,5

0,56

(1)

care ne spune care este probabilitatea de ocupare a nivelului

cu energia "E", la temperatura "T" (n grade Kelvin, K). "F"
este energia nivelului Fermi (practic media aritmetic a
energiei ultimului nivel ocupat cu primul nivel liber, riguros
energia pentru care probabilitatea de ocupare este 1/2), iar k
eate constanta lui Boltzmann k=1,381023 J/K.

banda
in te rz is a

g o lu r i

Funcia de distribuie Fermi-Dirac

1,40

SiO2
~8

E n e rg ie F e rm i

0 ,5

E n e rg ie

0
n iv e le
o c u p a te

kBT

n iv e le
lib e re

Funcia de distribuie Fermi-Dirac.

Pentru semiconductori energia "EF" fiind mare (>0,1eV)
comparativ cu energia termic kT (~25 meV la 27C) se poate
neglija termenul unitate de la numitor fa de exponenial, iar
funcia de distribuie devine o funcie de distribuie clasic
Boltzmann:
fe(E)=e(E F) / (k T)

(2)

Densitatea electronilor, "n", numrul de electroni din unitatea

de volum aflai n banda de conducie a semiconductorului, va
fi obinut nmulind densitatea efectiv de stri din banda de
conducie, Nc, cu probabilitatea de ocupare (2):
n = Nce(F Ec) / (kT)
unde:

(3)

Nc = 2(2m'ekBT)3/2 /h3

(4)

- h = 6,62621034 Js, constanta lui Planck;

- Ec fundul benzii de conducie, nivelul din banda de
conducie cu cea mai mic energie;

Relaiile (3) i (7) sunt de baz n descrierea comportrii unui

semiconductor. Ele sunt aplicabile oricrui semiconductor.
Dac se face produsul concentraiilor purttorilor de sarcin
pozitiv i negativ se obine legea aciunii maselor:

- m'e masa efectiv a electronului din banda de conducie,

de multe ori mult diferit de masa electronului liber din
cauza interaciunii electronului cu reeaua cristalin.
Funcia de distribuie a golurilor, fh(E), probabilitatea de
neocupare a unui nivel de energie din banda de valen a
semiconductorului, se obine scznd din 1 (gradul maxim de
ocupare a unui nivel electronic) funcia de distribuie a
electronilor, fe(E):
fh(E) = 1fe(E) = 1 1/(e(EF) / (kT) + 1) =>
fh(E)= e(EF) / (kT)/(e(EF) / kT+1)

(5)

Fiindc energia EF(<0,1 eV) este mult mai mare n valoare

absolut dect enegia termic kT(~0,025 eV, la 300K), se poate
neglija termenul exponenial de la numitor fa de unitate, iar
funcia de distibuie a golurilor n banda de valen devine:
fh(E) = e(EF) / (kT)

(6)

Numrul golurilor din banda de valen din unitatea de volum a

semiconductorului "p", concentraia golurilor, se obine atunci
ca:
(Ev F) / (kT)

(7)

Nv = 2(2m'gkBT)3/2 /h3

(8)

p = Nve

- m'g masa efectiv a golului din banda de valen, de multe

ori mult diferit de masa electronului liber din cauza
interaciunii electronului cu reeaua cristalin.

unde:
este densitatea efectiv de stri din banda de valen;
- Ev vrful benzii de valen, nivelul din banda de valen cu
cea mai mare energie;

np = NcNve(Ev Ec) / ( kT) = NcNveE / (kT) = ni2(T)

(9)

Din lege se vede c produsul concentraiilor nu depinde de

poziia nivelului Fermi, care nu mai apare n relaie, ci doar de
mrimea zonei interzise E=EcEv i de temperatur. Aceast
relaie este valabil atunci cnd semiconductorul se gsete n
condiii de echilibru. Legea aciunii maselor este un criteriu
care ne spune dac materialul semiconductor se gsete sau nu
n condiii de echilibru.
Poziia nivelului Fermi se determin din condiia de conservare
a numrului de particule. Dac semiconductorul se impurific
cu atomi donori, crete numrul de electroni liberi n material,
iar nivelul Fermi se deplaseaz ctre banda de conducie.
Creterea de K ori a numrului de electroni va implica scderea
de K ori a numrului de goluri conform legii aciunii maselor.
Semiconductori puri Termistorul
Pentru semiconductori intrinseci, fr impuriti, concentraia
electronilor liberi este aceeai cu a golurilor, fiindc electronii
din banda de conducie se obin prin transferul lor din banda de
valen. Folosind legea aciunii maselor (9) obinem:
n = p = ni = (NcNv)1/2 eE / (2kT)

(10)

unde ni poart numele de concentraie intrinsec de purttori,

fiind o proprietate de material dependent de temperatur.
innd cont de formula conducitvitii electrice:

 = nq2e /me + pq2g /mg

i de relaia (10) se gsete c:
= oeE /(2kT)

(12)

sau pentru rezistivitatea electric:

= oeE /(2kT)

R(T)=ReB/T

(14)

unde constanta B se poate exprima prin intermediul valorilor

rezistenei electrice la dou temperaturi diferite:
T1 T2
R
ln 1
T2 T1
R2

(15)

de obicei 25C (298K) i 85C (358K), concret:

B =1780ln(R25/R85), [B]SI =K

B =E /(2k)

(17)

adic mrimea zonei interzise a materialului semiconductor

este direct legat de B, unde k este constanta Boltzmann
(1,381023 J/oK = 8,62105 eV/oK).
Coeficientul de temperatur al rezistenei electrice a unui
termistor se exprim de obicei n procente pe grad (%/C) i se
definete prin analogie cu materialele metalice ca:

(18)

R1 = 1600 la temperatura t1 = 37,8 C i

R2 = 155,8 la temperatura t2 = 104,4 C.
Transformm temperaturile din grade Celsius n grade Kelvin:
T1 = t1 + 273,15 = 310,95 K, T2 = t2 +273,15=377,55 K
i aplicm formula pentru "B":
B=[310,95377,55/(377,55-310,95)] ln(1600/155,8)= 4106,7 K
Acum putem calcula mrimea zonei interzise:
E = 2kB = 28,62105 4106,7= 0,708 eV (electron-Volt)
Exemplul 2.
tiind constanta de material a termistorului, B, se poate afla
rezistena R", la temperatura T", n funcie de rezistena R' la o
temperatur absolut iniial T' cu relaia:

(16)

Unitatea de msur pentru mrimea B este gradul Kelvin.

Mrimea B este o constant de material, lucru care se poate
vedea prin compararea relaiilor (13) i (14) de unde se deduce:

[]SI = C1.

Exemplul 1.
Calculm constanta de material a unui termistor "B" tiind
rezistena lui la 2 temperaturi:

(13)

Acest comportament al rezistivitii electrice n funcie de

temperatur se ntlnete la termistori, dispozitive electronice
cu dou terminale care-i modific puternic rezistena electric
cu temperatura. Ei uzual sunt folosii la msurarea temperaturii.
Expresia rezistenei lor electrice n funcie de temperatur este:

B =[T1T2/(T2T1)]ln(R1/R2), B =

= (1/R) dR/dT = B/T2

(11)

ln(R"/R') = B(1/T" 1/T')

sau:

R" = R' eB(1/T"1/T')

Exemplul 3.
Folosind relaia (18) putem determina variaia de rezisten
(dR) dac tim variaia de temperatur (dT):
=B/T2.

dR= R dT = BR dT/T2.

(19)

sau variaia de temperatur (dT) dac tim variaia de rezisten

(dR):
dT=dR/(R)= T2 dR/(BR)

(20)

Pentru urmtoarele valori numerice, apropiate de ceea ce s-a

msurat n laborator:

B=3000K, T=300K (27C), R=10k, dR=0,01 k (scdere a

lui R) => cretere a lui T
dT = 30020,01 /(300010) = 0,03 K (sau C)

tiind concentraia atomic a donorilor putem calcula numrul

atomilor donori din unitatea de volum:
Nd =cN= 4,971018 atomi P/cm3
n siliciu pur la 27C concentraia intrinsec de purttori de
sarcin liberi este:

Semiconductori dopai
Introducerea de atomi strini n materialul semiconductor
poart numele de dopare. ntr-un semiconductor elementar ca
siliciul (Si) ce are 4 electroni de valen, atomii cu 5 electroni
de valen, ca fosforul (P), introduc n banda de conducie
electroni i de aceea se numesc atomi donori sau simplu
donori. Atomii cu 3 electroni de valen, ca aluminiul (Al),
capteaz electroni din banda de valen i de aceea se numesc
atomi acceptori, sau scurt acceptori.
Nivelele de energie ale donorilor se afl n banda interzis a
semiconductorului, imediat sub fundul benzii de conducie, la
~0,05eV. Nivelele de energie ale acceptorilor se afl n banda
interzis a semiconductorului, imediat deasupra vrfului benzii
de valen, la ~0,05eV.
Influena impuritilor asupra semiconductorului.
Gradul de impurificare a unui semiconductor este dat de
concentraia atomic a impuritilor, adic de raportul dintre
numrul atomilor strini i numrul atomilor gazd. Astfel o
concentraie c=0,01% atomice de P (100ppm, pri pe milion)
n siliciu, nseamn c avem un atom de fosfor la fiecare
10.000 de atomi de siliciu. Fiindc siliciul are masa molar MSi
=28,09 g/mol (la care corespund numrul lui Avogadro NA=
61023 atomi Si/mol) i densitatea d=2,33 g/cm3, rezult n
unitatea de volum un numr de atomi de Si:
N=NAd / M = 4,971022 atomi Si/cm3

n = p = ni =1,451010 cm3
iar numrul total de purttori va fi:
n + p = 2,91010 cm3.
Fiindc fiecare atom donor de P aduce n banda de conducie a
Si un electron, rezult c numrul electronilor de conducie, n,
va fi practic egal cu numrul atomilor donori Nd. Numrul de
goluri din banda de valen va fi dat de legea aciunii maselor:
p = ni2/Nd = 42,3 goluri/cm3 !
Din acest salcul rezult c numrul electronilor liberi din Si
dopat este cu 17 ordine de mrime mai mare dect cel al
golurilor, iar numrul total de purttori n cristalul impurificat
este de 108 ori (100 de milioane de ori) mai mare dect cel din
materialul pur. Practic i conductivitatea cristalului impurificat
este de 108 ori mai mare dect conductivitatea electric a
cristalului pur.
Echilibrul electric n semiconductorii cu impuriti.
ntr-un semiconductor exist patru clase de particule ncrcate
cu sarcini electrice :
=> particule cu sarcin pozitiv:
- goluri mobile, cu densitatea p, aflate n banda de valen;
- ioni donori fici, cu densitatea Nd+ i nivele de energie Ed n
banda interzis, aproape de fundul benzii de conducie;
=> particule cu sarcin negativ:

- electroni mobili, de densitate n, aflai n banda de conducie;

- ioni acceptori fici, de densitate N i nivele de energie Ea

n banda interzis, aproape de vrful benzii de valen.
Simbolurile n, p, Nd i Na reprezint concentraia volumic a
respectivei particule ncrcate cu sarcina elementar "q" cu
semnul corespunztor. Densitatea local de sarcin se poate
scrie ca:
= q(p n + Nd+ Na)

(21)

O consecin a neutralitii electrice i a conservrii sarcinii

electrice, este c densitatea local de sarcin trebuie s fie zero,
de unde:
+

n p = Nd N

(22)

La temperaturi normale de funcionare (n jurul temperaturii

camerei) atomi donori sau cei acceptori sunt complet ionizai.
Din acest motiv la semiconductorii de tip n, impurificai cu
atomi donori, avem:
n=Nd

p= ni /Nd

n>>p

(23)

iar la semiconductorii de tip p, impurificai cu atomi acceptori,

avem:
p=Na

n= ni2/Na

p>>n

(24)

O consecin a faptului c densitatea de purttori de sarcin

liberi este practic dat de concentraia impuritilor este aceea
c rezistivitatea sau conductivitatea semiconductorului dopat
nu depinde de temperatur spre deosebire de semiconductorul
pur unde depinde puternic de temperatur.

JONCIUNEA P-N
Alipind un material semiconductor de tip p cu unul tip n, apare
fenomenul de difuzie, a golurilor din regiunea p n regiunea n
i electronilor din regiunea n n regiunea p. Difuzia e generat
de agitaia termic i de existena unei variaii a concentraiei
cu poziia n zona de contact (gradient de concentraie). Dac
n partea stng avem o concentraie mai mare de electroni
dect n partea dreapt, atunci o suprafa normal pe direcie
va fi traversat de mai muli electroni dinspre stnga dect
dinspre dreapta. Fluxul net de electroni prin unitatea de
suprafa va fi:
flux de electroni = nvn = Dnn/x

(1)

unde:
Dn = kBT/m = nkBT/q coeficient de difuzie [m2/s]
timpul dintre dou ciocniri
= q/m mobilitate [m2/(Vs)]
Variaia concentraiei de impuriti se face pe distane mici
(sub 107 m) pentru a se produce o jonciune p-n, altminteri
este doar un semiconductor obinuit la care se modific lent
tipul de conducie.
Electronii ce difuzeaz n regiunea p se recombin cu golurile,
astfel regiunea p din apropierea jonciunii se ncarc negativ
din cauza atomilor acceptori (ioni negativi) a cror sarcin nu
mai este compensat de golurile pozitive mobile. Fenomenul
este similar pentru regiunea n din apropierea jonciunii, unde
difuzeaz golurile, i care se ncarc pozitiv din cauza atomilor
donori (ioni pozitivi) ce rmn necompensai.
Se formeaz lng jonciune un strat de sarcin spaial fix,
negativ n regiunea p, pozitiv n regiunea n, numit strat de
baraj (figura 1a). n exteriorul stratului de baraj materialul este
neutru electric la nivel local. Fiindc jonciunea n ansamblu
este neutr electric, conservarea sarcinii electrice impune ca

sarcina negativ din stnga jonciunii s fie egal cu sarcina

pozitiv din dreapta ei, ca n figura 1b:

devin egale, adic s se stabileasc un echilibru termodinamic

ntre regiunile p i n, ca n figura 2:

qSxpNa = qSxnNd

qVb = FnFp

xp /Nd = xn /Na = xb /(Na+Nd)

(2)

unde nivelele Fermi sunt:

xb = xp+xn fiind grosimea stratului de baraj.

(a )

(4a)

Fn = Ec kBTln(Nc/Nd)

(4b)

N
-x P

-x P

qN

xN

-q N

EC
FN

xN

(b )

d e n s ita te a
d e s a r c in a
s p a tia la
x

V
P

g o lu r i

D if u z ie

-x P

x
xN
c a m p u l e le c tr ic

-x P
-E

e le c tr o n i

lip s a g o lu r i

p o t e n tia lu l
xN

lip s a e le c t r o n i

-x P

Banda
de
c o n d u c tie

(c )

(d )

Fp = Ev + kBTln(Nv/Na)
P

(3)

m ax

Figura 1. Fenomene electrostatice n jonciunea PN.

ncrcarea cu electricitate a celor dou zone creaz o diferen
de potenial "Vb" ntre zona n i zona p, figura 1c, numit
potenial de difuzie sau potenial de barier. Acest potenial de
barier modific energia potenial a electronilor n aa fel ca
nivelele lor Fermi din materialele semiconductoare p i n s

Banda
de
v a le n ta

xN

Figura 2. Structura benzilor de energie la jonciunea

nepolarizat.
Putem rescrie relaia (3) ca:
qVb = EcEv + kBTln[NaNd /(NcNv)]

(5)

unde innd seama de concentraia intrinsec a purttorilor:

np = ni2 = NcNv eE/(kT),

E = EcEv

(6)

obinem relaia cea mai compact pentru potenialul de difuzie:

Vb = (kBT/q) ln(NdNa/ni2)

(7)

La atingerea valorii de echilibru pentru potenialul de difuzie,

fluxul de electroni deplasai prin difuzie din stratul n n stratul
p este egalat de fluxul de electroni deplasai de cmpul electric

al stratului de sarcin spaial din stratul p n stratul n. Pentru

goluri fenomenul este similar.
Aplicnd legea lui Gauss pentru distribuia de sarcin din
stratul de baraj, obinem cmpul electric n semiconductor:
qNa(x+xp )/
E(x) = qNd(xxn )/
0

pentru x(xp, 0)
pentru x(0, xn)
n rest

(8)

xb(U) = [(2/q)(1/Na+1/Nd)(Vb U)]1/2

Cmpul electric este nul n afara stratului de baraj (densitate de

sarcin electric zero) i variaz liniar cu poziia n stratul de
baraj, ca n figura 1d. Intensitatea maxim a cmpului electric
este la zona de contact ntre cele dou domenii n x=0:
Emax = qNaxp/ = qNdxn/

(9)

Potenialul se obine integrnd relaia (8) cu semnul schimbat:

0
qNa(x+xp)2/(2)
V(x) = VbqNd(xxn)2/(2)
Vb

x<xp
x(xp,0)
x(0,xn)
x>xn

(10)

unde condiiile la limit sunt V(xn)=Vb i V(xp)=0.

Pentru x=0, V(x) trebuie s fie funcie continu, deci:
V(0) = qNa xp2/(2) = qNd xn2/(2) + Vb

(11)

de unde:
Vb = q(Na xp2 + Nd xn2)/(2)

Privind jonciunea p-n ca pe un condensator plan, putem evalua

capacitatea stratului de baraj sau capacitatea de barier:
Cb = S/xb

(16)

folosind relaia (15) gsim capacitatea pe unitatea de suprafa

(S=1m2):
1/Cb2 = 2(1/Na+1/Nd)(Vb U) /(q)

(17)

Aceast dependen liniar a lui 1/C2 este caracteristic

jonciunilor p-n abrupte, la care variaia concentraiei
dopanilor este de tip treapt ca n figura 1, pentru alte tipuri de
variaie a concentraiei se obin alte corelaii ntre capacitatea
stratului de baraj i tensiune (vezi "Jonciunea liniar gradat").
Relaia (16) este valabil pentru orice distribuie de impuriti
i ea permite aflarea distribuiei impuritilor n jonciune:
N(xb) = 2/ [q d(1/C2)/dU]

(18)

Caracteristica curent-tensiune
(13)

Aceast relaie (13) ne permite s exprimm lrgimea stratului

de baraj:
xb = [(2/q)(1/Na+1/Nd)Vb]1/2

(15)

(12)

care cu ajutorul relaiilor din (2) devine:

Vb = qNaNd xb2/ [2(Na+Nd)]

O diferen de potenial U aplicat din exterior modific

bariera de potenial Vb, fcnd-o mai mare pentru tensiuni
inverse (U<0), plusul pe zona n i minusul pe zona p, sau mai
mic pentru tensiuni directe (U>0), plusul pe zona p i minusul
pe zona n. n mod corespunztor se va modifica i lrgimea
stratului de baraj, aceasta mrindu-se pentru tensiuni inverse i
micorndu-se pentru tensiuni directe:

(14)

Dup cum s-a vzut mai nainte, n jonciune circul 4 cureni

de purttori de sarcin mobili, 2 de difuzie, cauzai de diferena
de concentraie a purttorilor de sarcin i 2 de drift, cauzai de
cmpul electric. Fr tensiune electric aplicat din exterior
fluxul de electroni deplasai prin difuzie din stratul n n stratul

p este egalat de fluxul de electroni deplasai de cmpul electric

al stratului de sarcin spaial din stratul p n stratul n. Pentru
goluri fenomenul este similar.
Curent de

Cauza

Sensul

electroni

difuzia

N P

electroni

cmpul electric

P N

goluri

difuzia

P N

goluri

cmpul electric

N P

un flux suplimentar de goluri s difuzeze dinspre regiunea p

spre cea n, unde se recombin progresiv cu electronii pe o
distan de ordinul de mrime al lungimii de difuzie. Similar un
flux suplimentar de electroni se va mica din regiunea n ctre
regiunea p. Fenomenul de pompare a purttorilor minoritari
ntr-un semiconductor (goluri spre regiunea n, electroni ctre
regiunea p) se numete injecie de purttori. Majoritatea
dispozitivelor semiconductoare opereaz pe principiul injeciei
de purttori.
C o n c e n tr a tie p u r ta to r i

1 0 16

d ifu z ie g o lu r i

10

P
E

Banda
de
c o n d u c tie

F
E

1 0 1 0 p 'n

n 'p

e le c tr o n i

V b-U

g o lu r i

-x

Banda
de
v a le n ta
N

D if u z ie

108

14

1 0 12

d ifu z ie e le c tr o n i

10

xp

p o z itie

Figura 4. Aplicnd tensiune direct pe jonciune se injecteaz

purttori minoritari.
x

Figura 3. Tensiunea direct micoreaz bariera de potenial, iar

difuzia purttorilor este mai intens.
Aplicnd din exterior o tensiune direct U, pozitiv pe zona p
i negativ pe zona n, se modific acest echilibru. Deoarece
rezistena electric a jonciunii p-n este mult mai mare dect
restul semiconductorului, se consider c ntreaga diferen de
potenial se regsete pe regiunea stratului de baraj. Tensiunea
direct reduce nlimea barierei de potential Vb i determin

Pentru a revedea cum se comport purttorii de sarcin n

jonciune, inem cont c avem pentru purttorii majoritari i
minoritari urmtoarele relaii:
regiunea N

nn=Nd

pn = ni2/Nd

(19a)

regiunea P

pp=Na

np = ni2/Na

(19b)

Rescriem ecuaia de echilibru termodinamic (7) folosind

relaiile (19):
np = nneqVb/ (kT)

(20a)

pn = ppeqVb/ (kT)

Tensiunea direct U, aplicat din exterior, micoreaz bariera

de potenial, iar relaia (20) se poate rescrie ca:
n'p = nneq(VbU)/ (kT) = npeqU/(kT)
q(Vb U)/(kT)

p'n = ppe

-schimbarea de concentraie cu 1011 cm3

(20b)

= pne

qU/(kT)

(21a)
(21b)

Mrimile cu (') reprezint noile concentraii ale purttorilor n

situaia aplicrii diferenei exterioare de potenial.
Concentraiile sunt valabile n punctele xp i xn de la marginea
stratului de baraj, adic acolo unde semiconductorul este deja
neutru din punct de vedere electric. Relaia (21) arat c pentru
tensiuni directe pe jonciune (U>0) cresc concentraiile
purttorilor minoritari la marginile regiunii de sarcin spaial.
Concentraiile de purttori n exces vor fi:
pn(xn) = p'n(xn) pn= pn(eqU/(kT) 1) (22a)
np(xp)= n'p(xp) np= np(eqU/(kT) 1)

(22b)

Fiindc neutralitatea electric se conserv n exteriorul regiunii

de sarcin spaial, modificarea concentraiilor purttorilor
minoritari i majoritari trebuie s fie aceeai. Cu alte cuvinte,
concentraia de goluri n exces trebuie s fie egal cu
concentraia de electroni n exces, astfel ca neutralitatea
electric s se menin n exteriorul stratului de baraj.
La echilibru concentraia purttorilor minoritari este cu multe
ordine de mrime mai mic dect concentraia purttorilor
majoritari, astfel c schimbri egale ca mrime ale
concentraiilor vor afecta mult mai mult concentraia
purttorilor minoritari dect concentraia purttorilor
majoritari.
Exemplu:
-concentraia iniial a purttorilor majoritari 1015 cm3
-concentraia iniial a purttorilor minoritari 105 cm3

-schimbarea concentraiei purttorilor majoritari cu 0,01%

-schimbarea concentraiei purttorilor minoritari de 106 ori!!
Rezult c exist un domeniu de valori ale tensiunilor pe
jonciune pentru care concentraiile purttorilor majoritari la
marginile regiunii de sarcin spaial rmn practic
neschimbate, dei concentraiile de purttori minoritari pot s fi
crescut cu mai multe ordine de mrime. Acesta este numit
domeniu de nivel mic de injecie.
n regiunea neutr concentraia purttorilor minoritari n exces
scade cu poziia dup o lege exponenial:
pn(x) = pn + (p'n pn) e(x xn) / Lp

(23)

de unde curentul de difuzie va fi n x = xn:

jp = qDp(p/x) = qDp(p'n pn)/Lp

(24)

jp = (qpnDp/Lp) (eqU/(kT) 1)

(25)

sau:
n stratul de baraj densitatea purttorilor de sarcin este foarte
mic, doar cea corespunztoare curenilor, generat doar de
curenii de purttori minoritari i din aceast cauz fenomenul
de recombinare electron-gol este extrem de redus. Drept
consecin n zona stratului de baraj densitatea de curent nu se
modific, iar curentul total va fi atunci suma curenilor de
goluri i electroni:
j = jp(xn)+jn(xp) = jo(eqU/(kT) 1)

(26)

jo = q(Dppn/Lp + Dnnp/Ln)

(27)

cu notaia:
nmulind cu suprafaa se obine forma cea mai des folosit,
cea pentru curent:

I = Io(eqU/(kT) 1)

(28)

APLICAII ALE DIODELOR

Circuite de protecie
Circuitul din figura 6 protejeaz consumatorul RS fa de
conectarea invers la sursa de alimentare. La conectare invers,
din cauza rezistenei foarte mari a diodei la polarizare invers,
prin rezistena de sarcin nu va trece curent electric.

C u re n t

T e n s iu n e

Figura 5. Caracteristica curent-tensiune a jonciunii PN.

De o parte i de alta a stratului de baraj pe o distan egal cu
lungimea de difuzie, curenii de difuzie ai purttorilor
minoritari sunt nlocuii cu curenii de cmp ai purttorilor
majoritari. Dei cmpul electric este mai mic n exteriorul
stratului de baraj, concentraia purttorilor majoritari fiind
foarte mare, curentul de cmp este dominant n cazul
purttorilor majoritari, iar recombinarea electron-gol este mare.
Pentru tensiuni inverse, U negativ, termenul exponenial devine
rapid foarte mic fa de unitate (U<4kBT/q) i curentul invers
este independent de U:
Iinv = Io

(29)

Pentru tensiuni directe mai mari dect 0,1V (4kT/q), termenul

exponenial este mult mai mare dect unitatea i curentul va fi:
Idirect = Io eqU/(kT)

+
T re c e c u re n t

N u tre c e c u re n t

Figura 6. Circuit de protecie la tensiuni inverse (dioda

"antiprost").
Dou diode plasate antiparalel ca n figura 7, limiteaz valoarea
maxim a tensiunii ce poate aprea la bornele instrumentului
de msur la valoarea tensiunii lor de deschidere. Sub aceast
tensiune rezistena lor este foarte mare comparativ cu cea a
instrumentului, iar peste aceast tensiune rezistena lor este
mult mai mic dect cea a instrumentului i curentul va trece
preponderent prin dioda deschis, protejnd aparatul. De obicei
se folosesc diode cu Ge care au tensiunea de deschidere 0,2V.
In s tru m e n t d e m a s u ra

(30)

Cnd conteaz curentul de recombinare, relaia (28) devine:

I = Io(eqU/(2kT) 1)

(31)

iar pentru cazuri intermediare, unde 1 m 2, avem relaia:

I = Io (eqU / (mkT) 1)

(32)

Figura 7. Circuit cu diode pentru protejarea la supratensiuni.

Circuite de redresare a curentului alternativ

Cu o diod se poate transforma curentul alternativ n curent
continuu. Fr condensatorul electrolitic CE, curentul este de
fapt pulsant, cu condensator, pulsaiile sunt mult mai mici.
Valoarea capacitii condensatorului electrolitic trebuie s fie
suficient de mare ca s suporte consumul pe timpul ct prin
diod nu trece curent.
U

C E

Tranzistorul cu Efect de Cmp tip Metal-Oxid-Semiconductor

(TEC-MOS, n englez MOSFET, Field Effect Tranzistor) este
un dispozitiv semiconductor cu 3 terminale:
- Sursa

electrodul de unde pleac sarcinile electrice,

- Drena
electrice,

electrodul ctre care se ndreapt sarcinile

- Poarta
electrodul care comand comportarea
dispozitivului.

t
S

TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP

D re n a

t
BS170

IR F
830

Figura 8. Redresarea monoalternan.

Folosind 4 diode legate n punte se utilizeaz ambele alternane
pentru alimentarea consumatorului cu tensiune continu.
Pulsaiile tensiunii sunt mai mici i mai uor de eliminat cu
ajutorul unui condensator electrolitic.
U

P u n te
U ~

C E

Figura 9. Redresarea bialternan.

S u rs a
G r ila

G
S
P o a r ta ( G r ila )

S u rs a
S
G D
D re n a

Figura 1. Tranzistori cu efect de cmp (capsule).

t

D re n a

Poarta este un film metalic izolat de semiconductor printr-un

strat de oxid de siliciu. Cnd se aplic o tensiune ntre poart i
surs ("+" pe poart i "" pe surs pentru MOSFET cu canal
N) se creaz ca ntr-un condensator plan un cmp electric.
Cmpul electric creat atrage lng suprafa electroni.
Pn la o anumit tensiune de prag VP sarcinile de lng
suprafa nu sunt suficiente pentru crearea unui canal
conductor ntre surs i dren. Peste valoarea de prag cmpul
reuete s aduc suficiente sarcini electrice lng suprafa i
conductana (inversul rezistenei electrice) canalului dintre
surs i dren crete.

Curentul ID dintre surs i dren va fi cu att mai mare cu ct

va fi mai mare tensiunea aplicat porii UGS i tensiunea
aplicat ntre dren i surs UDS (dac UGS >> UDS cu "+" pe
dren i "" pe surs):
ID = (UGS VP)UDSK

Dac UDS > UGS curentul prin canal nu mai crete din cauza
ngustrii canalului lng dren datorit cmpului invers ce
apare ntre poart i dren. Curentul de saturaie are valoarea
limit:

V P = 1 ,5 V

GS

40

=U

D re n a

DS

G S

=6V

G S

=4V

G S

=2V

t ip N

t ip N

C a n a l tip N
S u b s tr a t in tr in s e c s a u tip P

Figura 2. Structura unui tranzistor cu efect de cmp tip MOS

Dimensiuni tipice:
Suprafaa total de siliciu
Adncimea zonelor sursei i drenei
Distana dintre surs i dren (L)
Grosimea oxidului

ID = (UGS VP)2K/2
60

F ilm
m e ta lic
O x id

unde K este o constant ce depinde de detaliile constructive ale

TEC.

ID (m A )
U

G r ila

S u rs a

=> 150 2 (10 x 15)

=> 5 -10
=> 10 -20
=> 0,1

Figura 3. Curentul drenei n funcie de tensiunea grilei i cea a

drenei

n continuare discutm despre TEC-MOS cu canal indus de tip

n. Fr polarizarea porii (fr tensiune pe poart) nu avem
practic conducie ntre surs i dren deoarece acestea apar ca
dou jonciuni p-n legate n opoziie astfel c indiferent de
polaritatea tensiunii aplicate ntre surs i dren una din
jonciuni va fi polarizat invers, bolcnd calea de conducie
ntre surs i dren prin semiconductorul intrinsec.

Tranzistorul cu efect de cmp tip MOS (Metal-OxidSemiconductor) are o structur ca cea din figura 4. Doi
electrozi, sursa i drena, realizai pe dou insule tip n, ntr-un
substrat intrinsec (sau slab p), sunt separai pe o distan L de
un canal a crui conductivitate este modulat de al treilea
electrod , poarta (grila, gate), un film metalic separat de
semiconductor printr-un strat izolator ( de obicei bioxid de
siliciu).

Cnd poarta este pozitiv fa de substrat, cmpul electric

generat prin stratul de oxid va atrage electroni sub stratul de
oxid. Cnd sarcinile electrice atrase sunt n cantitate suficient
constituie o cale de rezisten mic pentru curentul electronic
dintre surs i dren. Se creaz astfel un canal conductor pentru
curentul dintre surs i dren. Acest canal este indus de ctre
electrodul poart, iar conductana lui depinde de diferena de
potenial dintre poart i surs.

20
U

GS(V )

DS

(V )

12

Relaia curent-tensiune pentru TEC (FET)

S EdS = v (/) dV

Densitatea de curent prin canal este dat de legea lui Ohm:

Eoxid S = (qS/) n dx

J(y) = Ey

(1)

unde este conductivitatea electric a semiconductorului n

zona canalului, conductivitate de tip n:
= qn

(2)

cu n densitatea de electroni, q saracina elementar,

mobilitatea electronilor. Curentul printr-o seciune a canalului
l obinem integrnd (1) dup x i z pe suprafaa canalului. Se
ine seama c mrimile integrate nu depind de z, integrarea
reducndu-se la o simpl multiplicare cu , limea canalului,
iar dependen de x are doar concentraia electronilor n:
I(y) = qEy ndx
dy

(3)

c a m p e le c tr ic

o x id

c u re n t

canal

Eoxid = (q/) n dx

(4)

Acest rezultat ne permite s rescriem relaia (3) ca:

I(y) = EyEoxid

(5)

Cmpul electric pe direcia Oy este creat de diferena de

potenial ntre surs i dren VDS i putem s-l scriem ca
gradient al potenialului:
Ey = dV/dy

(6)

Cmpul electric din oxid, pe direcia Ox, este creat de diferena

de potenial dintre gril i surs , VGS, lng surs. Potenialul
la suprafaa semiconductorului se schimb atunci cnd ne
deplasm pe direcia Oy de la surs la dren. Cnd trece curent
prin canal apare cderea de tensiune rezistiv pe direcia Oy
din canal V(y). Aceasta modific diferena de potenial dintre
gril i semiconductor de-a lungul canalului. Calculm cmpul
din oxid, pe direcia Ox, ca la un condensator plan cu w,
grosimea stratului de oxid, ca distan dintre armturi:
Eoxid = [UGS V(y)]/w

s e m ic o n d u c to r

x
L

C a m p u l e le c t r ic d in o x id

= lu n g im e c a n a l

Figura 4. Curentul sursei i cmpul electric al grilei n canalul

tranzistorului
Aplicm teorema lui Gauss pe o suprafa paralelipipedic de
grosime dy. Avem flux al cmpului electric doar pe suprafaa
din oxid, pe lateral cmpul este paralel cu suprafeele, iar
suprafaa de jos e suficient de adnc plasat n semiconductor
pentru a avea cmpul zero:

(7)

P o a r ta ( s tr a t m e t a lic )
O x id

S u rs a
C a m p u l e le c t r ic d in c a n a l

D re n a
S t r a t d e in v e r s iu n e

Figura 5. Influena curentului din canal asupra cmpului

electric din oxid
Introducnd relaiile (6) i (7) n expresia curentului (5) avem:

I(y) = [(UGS V)/w] dV/dy

(8)

sau separnd variabilele V i y:

I(y)dy = (/w) (UGS V)dV

(9)

i integnd dup y de la 0 la L, lungimea canalului, iar dup V

de la 0 la UDS, tensiunea drenei, obinem:
IDdy = (/w) (UGS V)dV

(10)

innd seama de faptul c pe direcia Oy curentul I(y) nu se

modific, el fiind egal chiar cu curentul de dren ID, avem:
relaia de baz a funcionrii tranzistorului, valabil pn la
tensiuni UDS egale cu UGS.
Pentru tensiuni surs-dren UDS mult mai mici dect tensiunea
gril-surs UGS se poate neglija termenul ptratic VDS din
paranteza din relaia (11) avnd:
(12)

sau conductana canalului tranzistorului este:

gDS = ID /UDS = UGS / (w L)

(13)

liniar dependent de tensiunea aplicat grilei UGS.

C a m p u l e le c t r ic d in o x id

P o a r ta ( s tr a t m e t a lic )
O x id

S u rs a
S t r a t d e in v e r s iu n e

Folosind (11) valoarea curentului pentru UDS UGS este:

ID = UGS2 / (2 w L)

(14)

Dependena curentului de potenialul porii VGS este ptratic.

ID = (UGSUDS U2DS /2) / (w L)(11)

ID = UGSUDS / (w L)

Pentru tensiuni surs-dren UDS mai mari dect tensiunea grilsurs UGS se formeaz o mic regiune de srcire la captul
dinspre dren al canalului. Din cauza cmpului electric intens
care apare aici (implicit cderii mari de tensiune) curentul
comandat din surs pentru UGS = UDS va rmne n continuare
constant la creterea tensiunii VDS peste valoarea VGS.

D re n a
C a n a l s a tu ra t

Figura 6. Gtuirea canalului pentru tensiuni de dren mai mari

dect potenialul grilei

Explicaia fizic a formrii canalului

ntr-o structur metal (poart) - izolator (oxid) - semiconductor
siliciu (tip p ), structur MIS sau MOS, aplicnd pe stratul
metalic al grilei o tensiune negativ fa de semiconductor
(aflat la potenialul sursei), cmpul electric creat va atrage
goluri la suprafa. Se creaz la suprafa un strat de acumulare
a golurilor (purttori majoritari) lng interfaa oxid - siliciu
care determin i curbarea benzilor ca n figura . Jonciunile de
la surs i de la dren sunt mai puternic polarizate invers, deci
nu va circula curent ntre surs i dren.
Dac pe poart se aplic o tensiune pozitiv mic, n
semiconductor se induce o sarcin negativ determinat de
cmpul electric care respinge golurile din apropierea suprafeei,
lsnd n urma lor o regiune golit cu sarcin spaial format
din ionii acceptori necompensai (qNA). Se creaz la suprafa
un strat srcit care determin i curbarea benzilor ca n figura
7, nivelul Fermi ndeprtndu-se de banda de valen. Sarcina
pe unitatea de suprafa va fi sarcina coninut n regiunea
golit mprit la suprafaa regiunii:
Qs = qNASxp /S = qNAxp
iar potenialul n regiunea de sarcin spaial va fi:

(15)

Vs(x) = V0(1x/xp)2

(16)

undeV0 este potenialul la suprafaa semiconductorului. n

interiorul semiconductorului, adic pentru x > xp, potenialul
este zero cum rezult i din relaia (16) pentru x=xp .
O x id
M e ta l
V
V

mare parte a sarcinii negative suplimentare induse n

semiconductor const n sarcina datorat electronilor de
conducie din stratul de inversiune foarte subire de tip n.
Un criteriu pentru realizarea inversiunii puternice este ca n
stratul de la suprafa concentraia electronilor n s egaleze
concentraia golurilor din substrat:
n = NA

S e m ic o n d u c to r

O X

ceea ce nseamn c la suprafa nivelul Fermi F a ajuns lng

banda de conducie Ec la fel de aproape pe ct este lng banda
de valen Ev n volumul semiconductorului:

x Pm ax

Ec (sup) F = F Ev (vol)

Figura 7. Variaia potenialului prin stratul de oxid i

semiconductor

V0 = qNAxp2 /(2)

E = Ec Ev

F = Ev + kBTln (Nv /NA)

qV0t = E 2kBTln(Nv /NA)

S-a considerat c regiunea n are o concentraie ND >>NA

(jonciune asimetric), iar = r o este permitivitatea electric
a semiconductorului. Din acest potenial se poate determina
grosimea maxim a stratului de sarcin spaial (srcit):
(18)

i sarcina spaial corespunztoare unitii de suprafa:

1/2

(22)

gsim:
(17)

xp max = [2V0 / (qNA)]1/2

(21)

tiind c:

Folosind rezultatele de la jonciunea p-n, legtura dintre

diferena intern de potenial i caracteristicile stratului de
sarcin spaial avem:

Qs = qNAxp max = (2qV0NA)

(20)

unde V0t reprezint potenialul la suprafaa semiconductorului

peste care apare conducia n canalul dintre surs i dren, sub
care dispare conducia n canal.
Pe grila tranzistorului trebuie aplicat o tensiune VT astfel ca
dup cderea de tensiune pe condensatorul reprezentat de
stratul de oxid de la suprafa s rmn la suprafaa
semiconductorului potenialul V0t:
VT = Voxid + V0t

(19)

Mrind potenialul pozitiv al porii crete grosimea regiunii

golite, crescnd i variaia total a potenialului n siliciu,
reprezentat de curbarea benzilor de energie. Cnd nivelul
Fermi ajunge aproape de banda de conduie concentraia
electronilor lng interfa crete foarte rapid. Astfel cea mai

(23)

unde:
Voxid = Qs / Coxid
iar capacitatea stratului de oxid este:
Coxid = oxid S / w

Diferena de potenial ntre gril i surs la care apare

conducia n canal VT se numete tensiune de tranziie.
Precizrile fcute pn aici modific relaiile de funcionare ale
MOSFET prin aceea c n loc de VG n aceste relaii trebuie s
apar diferena UGVT. Tensiunea de tranziie depinde major
de tehnologia de fabricaie i de materialele folosite (de
exemplu diferena dintre poziia nivelului Fermi n metalul
porii i n semiconductor). Pentru circuitele integrate CMOS
seria 4000 tensiunea de tranziie este de circa 1,5 V.
Valori tipice: woxid = 100 = 0,01 m;
xp max= 1 m;
NA= 1015 cm-3 ;
E = 1,1eV ;
r (SiO2) = 3,9;
Fp Ev = 0,2eV.

BS170
IRF830
BUK455-60
IRF740
BUZ11

UTEC = RDS Ibec = 0,05 4A=0,2V

Puterea disipat va avea valoarea
=> P=UTEC Ibec = 0,8W
destul de mic pentru a nu fi necesar radiator pentru tranzistor.

Pre
Pmax RDSmin
0,83W/ <5
74W/ 1,5
125W/ 0,04
125W/ 0,55
75W/ 0,05

Dioda descarc condensatorul prin bec i TEC la ntreruperea

alimentrii. Fiinc rezistena dren - surs este 0,05, cderea
de tensiune pe tranzistor va fi:

0,5DM
3DM
3DM
4DM
2,5DM

APLICAIE "Comutator pentru becuri cu halogen"

Becul cu halogen d o lumin plcut cu un randament bun. Ca
orice bec cu filament n momentul conectrii absoarbe un
curent de circa 10 ori mai mare dect curentul nominal, ceea ce
determin scurtarea timpului de via. Fiindc becurile cu
halogen sunt scumpe, mai ales cele speciale pentru automobile,
este util un circuit care s le mreasc timpul de via.
Circiutul prezentat aici se bazeaz pe faptul c dac tensiunea
pe poart crete treptat i curentul dren-surs prin tranzistorul

100kO hm

Caracteristici
UDSmax IDmax
60V/ 0,5A/
500V/ 4,5A/
60V/ 41A/
400V/ 10A/
50V/ 30A/

= RC = 100 k 10 F = 1s.

+12V

R 1
D io d a
1N 4148

P o a rta
R 2
1M O hm

Tranzistor

cu efect de cmp va crete tot treptat. Timpul de cretere este

stabilit de rezistena R1 i condensatorul C:

B ec 50W
D re n a
T ra n z is to r
B U Z 11
S u rsa

10 F
-0 V

Figura 8.