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Cellules photovoltaques htrojonction

de Silicium avec cristallin de type n :


Caractrisations et Modlisations
Wilfried Favre

Directeur de thse : Jean-Paul Kleider


Financement : ADEME et SUPELEC
Dbut de thse : Octobre 2008

Pourquoi cette thse ? Dans quel contexte ?


Contexte conomique
Explosion du march mondial de lnergie photovoltaque
Recherche de la diminution des cots de production pour un
rendement de conversion toujours plus lev

Intrts scientifiques
Etudier les proprits lectroniques des matriaux utiliss pour la
fabrication des cellules
Dvelopper de nouvelles mthodes de caractrisation
Concevoir et amliorer des outils de simulation pour ces structures
Participation plusieurs projets nationaux et 1 projet europen
Ecole Energie & Recherche 2010 - Roscoff - Wilfried Favre

Quest-ce quune htrojonction (p)a-Si:H/(n)c-Si ?


Fabrication et proprits
Cration de la jonction par dpt de Silicium amorphe hydrogn (a-Si:H)
dop p sur un substrat de Silicium cristallin (c-Si) dop n.
Les deux matriaux pourtant majoritairement composs de Silicium ont des
gaps diffrents.
En clairant la structure dans le visible, des paires lectron/trou sont cres
(surtout dans le c-Si), spares par le champ interne puis collectes
lavant et larrire.
Intrieur dun racteur plasma

Performances et intrt de la filire


Rendements de 23% dj atteints
Alliance entre les filires c-Si et les technologies
couches minces (300m c-Si, qques nm a-Si:H)
Jonction forme basse temprature (<250C)
ARCAM install au LPICM, Ecole Polytechnique

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Exemple dune cellule htrojonctions avec (n) c-Si


Mtallisations
srigraphies
ITO
p a-Si:H
i pm-Si:H

DHJ

n c-Si
BSF n a-Si:H
Aluminium
vapor

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Diagramme des bandes


Exemple dun niveau de rfrence familier : le niveau du vide Evac (rgle de laffinit lectronique*)

Evac
q1

Rajustement du
q2
niveau
du vide
EC2

EC1

EF2

Eg1

Eg2

EF1

EV2

EV1

(n) c-Si

(p) a-Si:H
* R.L. Anderson, Solid-State Electron. 5 (1962) 341
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Diagramme des bandes


q1
EC1

Evac

EC
q2

Eg1

EC2
EF1

EF2

EV1

EV

(p) a-Si:H
Forte inversion
EC (1,2) q 2 1
de trous
(n) c-Si
EV (1,2) E g (1,2) EC

Eg2
EV2

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Mesures optiques
Banc de photoluminescence, rgime dc, ac + cartographie
( Rmy Chouffot, Christelle Pareige, Aurore Brzard-Oudot, Christophe Longeaud, Alexis Poizat )

Dtection
synchrone
Alimentation
laser

Monochromateur +
capteur optique

Diode laser
Platines (x,y,z) avec
support chantillon
Spectre de photoluminescence dun
chantillon (i)a-Si:H/(n)c-Si

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Cartographie de photoluminescence

Couches (i+p) a-Si:H symtriques sur (n) c-Si

Couches (i+n) a-Si:H symtriques sur (n) mc-Si

Intrt de la cartographie : dterminer lhomognit des dpts et des substrats


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Banc de cartographie de rponse spectrale


(Aurore Brzard-Oudot, Christophe Longeaud, Alexis Poizat,)

1
0.9

Rendement quantique

0.8
0.7
0.6

EQE

0.5
0.4
0.3
0.2

Photographie de la cellule mc-Si


place sur le banc de test.

0.1
0
400

500
600
800
900
1000
1100
Cartographie
du 700
photocourant
gnr
par
Longueur d'onde (nm)
une source lumineuse = 900nm.

Trac du rendement quantique externe de la cellule.

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Mesures lectriques
Gomtrie dun chantillon pour des mesures de conductance planaire
lectrodes
coplanaires

lectrodes
coplanaires

1 2 3
n+ a-Si:H

1
2 3
p+ a-Si:H

Substrat (verre ou p c-Si)

Substrat (verre ou n c-Si)

Porte substrat

Porte substrat

Mesure du courant continu lobscurit, IDC, en fonction de la tension


(applique entre les lectrodes 1 et 2 ou 2 et 3), VDC, et de la
temprature.
IDC varie linairement avec VDC. Conductance se note G=IDC/VDC
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Rsultats exprimentaux obtenus sur (n) a-Si:H/(p) c-Si

Tracs dArrhenius de la conductance pour 100 nm de a-Si:H


-3

10

G (S)

10-4

E =0.018 0.003 eV
a

10-5

604123: 100 nm (n) a-Si:H

c-Si FZ
c-Si CZ

10-6

glass

10-7

Ea=0.17 0.03 eV

10-8

(a)

-9

10

La conductance obtenue sur


les chantillons avec substrat
cristallin est plus leve de
plusieurs ordres de grandeur
que sur substrat de verre, et
avec une nergie dactivation
plus faible.

4
5
-1
1000/T (K )

Pour les chantillons sur


verre, lnergie dactivation
mesure (0.17 eV) et la
conductivit 300K (0.02 S
cm-1) sont typiques du
silicium amorphe dop n+

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Discussion des chemins de conduction possibles

Ga-Si:H

Gint
Gc-Si

(n) a-Si:H

3
(p) c-Si
2

Chemin 1: Il peut tre exclu (conductance faible sur verre)


Chemin 2: Mme chose (deux diodes qui sopposent)
La conductance leve mesure sur c-Si vient du chemin 3 : linterface Gint
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(n) a-Si:H

Concentration
leve
dlectrons

(p) c-Si
EC

qVd

qVd c-Si

a-Si:H

a-Si:H

EC

Egc-Si
EF

c-Si

Eg

EV

a-Si:H

EV

Ns

d c Si

Ns G
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n (x )dx
0

L
qhn
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Calcul de la dpendence en T de Ns et comparaison avec lexprience

1013
12

10

11

-2

N (cm )

10

1010
E

109

0
0.1
0.2
0.3
0.4

10

107

0.22 eV
0.09 eV
0.016 eV
0.004 eV
0.002 eV

Ns from exp. T-2.42, Ea =0.07 eV


Ns from exp. ~T0 , Ea=0.018 eV

10

4
5
-1
1000/T (K )

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7
15

Dtermination de EC

Activation Energy, Ea (eV)

100

10-1

EC =
0.150.04 eV

-2

10

10-3

0.1
0.2
0.3
0.4
Conduction Band Offset, EC (eV)

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Rsultats obtenus sur (p) a-Si:H/(n) c-Si


10

10

-4

On trouve aussi
une conduction
leve linterface

-6

G(S)

9012904
9012904, Tann=250C

10

80729-G
80729-G, T

-8

ann

903242
903242, T

ann

10

-10

10

-12

10

-14

=250C

=250C

EV = 0.45 0.10 eV

903242-G
903242-G, Tann=250C

-1

1000/T (K )

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Simulation 1D dune htrostructure avec AFORS-HET


Outil de calcul numrique pour la rsolution
des quations du transport lectronique
dans un matriau semiconducteur

Dfinition de la structure

Dveloppement et amlioration
de certains modules du logiciel
en collaboration avec le
Helmholtz-Zentrum Berlin (HZB)

Entre des paramtres de chaque couche

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Choix des mesures


simuler
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Et encore un MERCI tous ceux


qui ont aid la mise en place et au
perfectionnement de ces diffrents
bancs de mesures.

suivre...
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