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Alumno: Cristobal de Jess Flores Iiguez

11310127
Profesor: Eduardo Herrera Gonzales
Tema: Apuntes de todo el semestre de
electrnica de potencia
Materia: Electrnica de potencia
Fecha de entrega : 02/12/14

Notas de clase del semestre Electrnica de


potencia
1.- Historia de la electrnica:
Avances e inventos relevantes en la historia
(Cronologa)
1800 - Alessandro Volta, fsico italiano, anuncia en
la Royal Society de Londres el resultado de sus
experimentos (desde 1786) generando electricidad
mediante metales diferentes separados por un
conductor hmedo. Volta apila 30 discos metlicos
separados cada uno por un pao humedecido en
agua salada, obteniendo electricidad. A tal
dispositivo se le llam "pila voltaica", de all se
origina el nombre de las "Pilas". En honor de
Alessandro Volta, la unidad de medida del potencial
elctrico se denomina Voltio.
1820 - El fsico y qumico dans, Hans C. Oersted
descubre que alrededor de un conductor por el que
circulaba una corriente elctrica se forma un campo
magntico.
1820 - Poco despus del descubrimiento de
Oersted, el cientfico francs Andr Marie Ampere
logr formular y demostrar experimentalmente, la
ley que explica en trminos matemticos la
interaccin entre magnetismo y electricidad. En su
memoria fue nombrada la unidad de intensidad de
corriente elctrica: el Amperio
1821 - Michael Faraday, fsico y qumico britnico,
basado en los descubrimientos de Oersted,
construye los primeros aparatos para producir lo

que l llam "Rotacin Electromagntica", naca as


el motor elctrico
1825 - El inventor britnico William Sturgeon crea
un dispositivo que iba a contribuir
significativamente a la fundacin de las
comunicaciones electrnicas: el electroimn.
1827 - El profesor alemn Georg Simn Ohm
publica el resultado de sus experimentos que
demuestran la relacin entre Voltaje, Corriente y
Resistencia. Conocida hoy como Ley de Ohm. Su
trascendencia fue menospreciada por sus colegas
de la poca y solo reconocida dos dcadas despus.
1827 - El fsico alemn Gustav Kirchoff expone dos
reglas, con respecto a la distribucin de corriente en
un circuito elctrico con derivaciones, llamadas
Leyes de Kirchoff.
1831 - Michael Faraday, diez aos despus de su
"motor elctrico", descubre un efecto inverso al
descubierto por Oersted. Un campo magntico en
movimiento sobre un conductor induce en este una
corriente elctrica. Crea la Ley de Induccin
Magntica y base de los generadores elctricos.
Tambin descubre que en electricidad esttica, la
carga elctrica se acumula en la superficie exterior
del conductor elctrico cargado. Este efecto se
emplea en el dispositivo denominado jaula de
Faraday y en los capacitores. En reconocimiento a
sus importantes descubrimientos, la unidad de
capacidad elctrica se denomina Faradio.
1837 - Despus de varios aos desarrollando la
idea, Samuel M. Morce patenta un dispositivo que
permite trasmitir mensajes a grandes distancias a

travs de dos cables, usando un cdigo de puntos y


rayas (el famoso alfabeto Morse). Naca el Telgrafo.
1846 - El Ing. Alemn Ernst Werner M. von Siemens,
desarrolla el telgrafo de aguja y presin y un
sistema de aislamiento de cables elctricos a base
de ltex, lo que permiti, la fabricacin y tendido de
cables submarinos, fundando la compaa Siemens
AG. Por estas y otras contribuciones tecnolgicas en
1888 fue ascendido a la nobleza.
1861 - El fsico ingles James Clerk Maxwell
desarrolla el concepto de onda electromagntica,
que permite una descripcin matemtica adecuada
de la interaccin entre electricidad y magnetismo.
Predijo que era posible propagar ondas por el
espacio libre utilizando descargas elctricas.
1875 - William Crookes, fsico y qumico britnico,
investigando el comportamiento de las cargas
elctricas, usando un tubo de vidrio con electrodos y
alto voltaje descubre la existencia de los rayos
catdicos. Su dispositivo que se llam "Tubo de
Crookes" y sera el precursor de los tubos de rayos
catdicos o cinescopios de hoy en da.
1876 - Graham Bell y su asistente Thomas A.
Watson, realizaron la primera transmisin de la voz
humana a travs de cables. Naca as, el telfono.
1877 - Thomas Alva Edison inventa el primer
aparato que permita grabar en un cilindro de cera,
voz y sonidos para luego reproducirlos, lo llam:
Fongrafo.
1878 - Thomas Alva Edison construy la primera
lmpara incandescente con filamentos de bamb
carbonizado

1882 - El inventor francs, Lucien H. Gaulard


patenta un dispositivo que llam generador
secundario y que sera una versin primitiva de lo
que hoy llamamos transformador.
1882 - Nikola Tesla investigador estadounidense de
origen croata, experimentando con alto voltaje y
corriente alterna polifsica, inventa el alternador y
el primer motor elctrico de induccin.
1883 - Thomas Alva Edison, tratando de mejorar su
lmpara incandescente descubre que al calentar un
metal este emite cargas elctricas. Lo llam "efecto
Edison", posteriormente conocido como emisin
termoinica. Cre un dispositivo en el cual, dentro
de un tubo de vidrio al vaco, la carga elctrica
emitida por una superficie metlica caliente
(llamada ctodo) es recogida por otra superficie fra
(llamada nodo).
1884 - Paul Nipkow patenta un artefacto explorador
de imgenes, que llam "Disco de Nipkow" y que
permitira luego convertir imgenes en seales
elctricas.
1887 - El estadounidense de origen alemn Emile
Berliner, inventa un sistema de grabacin que poda
sacar muchas copias de la grabacin original.
Berliner sustituy el cilndrico del fongrafo de
Edison, por un disco plano y patent entonces su
"gramfono", fundando su propia compaa para
fabricarlo masivamente.
1887 - Heinrich Hertz, fsico alemn, corrobora la
prediccin de James Clerk Maxwell creando el primer
transmisor de radio, generando radiofrecuencias.
Desarroll tambin un sistema para medir la

velocidad (frecuencia) de las ondas de radio. En su


honor la unidad de medida de frecuencia se
denomin Hertz (o Hertzio).
1888 - El ingeniero ingls Oberlin Smith ide y
public, los principios bsicos para grabar sonido en
un soporte magntico.
1897 - El fsico ingls J. J. Thomson descubre la
existencia de una partcula elctricamente cargada,
el electrn. En el ao de 1906 Thomson recibi el
Premio Nobel de Fsica por su descubrimiento.
1897 - Ferdinand Braun, cientfico Alemn,
perfecciona el TRC o Tubo de Rayos Catdicos
agregando al Tubo de Crookes una superficie de
fsforo que se iluminaba al recibir los rayos
catdicos. Desarrolla el primer osciloscopio.
1897 - Guillermo Marconi ingeniero elctrico
italiano, introduce en el Reino Unido la primer
patente de la Radio.
1898 - El dans Valdemar Poulsen desarroll y
patent el telegrfono, una grabadora de sonido
que emplea alambre de acero como soporte
magntico.
1899 - J.J. Thomson establece que las cargas que se
liberaban al calentar una superficie metlica son
electrones.
1901 - Guillermo Marconi, logra la primera
transmisin telegrfica inalmbrica a travs del
Atlntico
1903 - El fsico britnico John Ambrose Fleming
encuentra una aplicacin prctica de la vlvula
termoinica de efecto Edison, que posteriormente

de denominara: "Diodo", al usarlo como detector


de ondas electromagnticas.
John Ambrose Fleming es considerado "el padre de
la electrnica"
1906 - El fsico estadounidense Lee de Forest
agrega un nuevo electrodo en forma de rejilla entre
el ctodo y el nodo del tubo al vaco. Este electrodo
permite regular el paso de electrones. Nace as el
Triodo, primer dispositivo amplificador electrnico.
1913 - El fsico estadounidense Edwin Howard
Armstrong desarrolla el primer circuito oscilador
basado en un Triodo.
1920, 23 de Febrero - se trasmite el primer
programa pblico de radio en Inglaterra.
1924 - El escocs John Logie Baird, usando el disco
explorador de imagen de Nipkow, logra trasmitir
imgenes por ondas de radio. Naca la Televisin
electromecnica
1928 - El ingeniero alemn Fritz Pfleumer patent la
primera cinta magntica, constituida por una
delgada capa de hierro magnetizable sobre una
cinta de papel. Aos despus, la patente fue
revocada, pues el principio bsico ya haba sido
patentado por el dans Valdemar Poulsen en 1898
1929 - Se realizan las primeras emisiones pblicas
de televisin, por la BBC en Inglaterra
1930 - Se perfeccionan los tubos electrnicos de
vaco, nacen el Tetrodo y Pentodo con ms
elementos entre el ctodo y el nodo.
1932 - La empresa alemana A.E.G. realiza los
primeros ensayos para la construccin de

grabadoras de cinta. La firma IG Fabenindustrie


propone como soporte una cinta plstica: el acetato
de celulosa.
1933 - Edwin Howard Armstrong inventa un nuevo
tipo modulacin de seal: la FM (frecuencia
modulada).
1935 - El Magnetfono hizo su aparicin pblica en
la Exposicin Radiotcnica de Berln. Y cinco aos
despus H.J. von Braunmuhl y W. Weber introdujeron
la premagnetizacin de alta frecuencia, que permiti
una gran mejora en la grabacin del sonido.
1936 - El ingeniero austriaco Paul Eisler mientras
trabajaba en Inglaterra, creo el primer circuito
impreso como parte de un receptor de radio.
1946 - Percy Spencer, ingeniero de la Raytheon
Corporation, descubre los efectos de las microondas
sobre los alimentos. Inventa el Horno de
Microondas.
1947 - Un equipo de ingenieros y cientficos
encabezados por los doctores John W. Mauchly y J.
Prester Eckert en la Universidad de Pennsylvania,
Estados Unidos, crean: ENIAC (Electronic Numerical
Integrator and Computer), primera computadora
digital electrnica. Fue una mquina experimental.
No era programable como las computadoras
actuales. Era un enorme aparato que ocupa todo el
stano en la Universidad de Pennsylvania. Tena
18,000 tubos electrnicos, consuma varios KW y
pesaba algunas toneladas. Realizaba hasta cinco mil
sumas por segundo.

1947, 16 de diciembre - Fue creado el primer


transistor, por William Shockley, John Bardeen, y
William Brattain en los laboratorios Bell
1950 - Salen al mercado los primeros magnetfonos
comerciales, eran de cinta en carrete abierto.
1951 - Los doctores Mauchly y Eckert fundan la
compaa Universal Computer (Univac), que
produce la primera computadora comercial: UNIVAC
I.
1955 - SONY lanza al mercado el primer receptor de
radio totalmente transistorizado el TR-55
1958 - El ingeniero Jack Kilby de la compaa
norteamericana Texas Instruments, cre el primer
circuito completo integrado en una pastilla de silicio,
lo llam "circuito integrado". Casi simultneamente
el ing. Robert Noyce de Fairchil Semiconductor
desarrolla un dispositivo similar al que llam:
"circuito unitario". A ambos se los reconoce como
los creadores de los circuitos integrados.
1962, 10 de Julio - Fue lanzado el Telstar 1 primer
satlite de comunicaciones de uso comercial.
1962 - Nick Holonyak, ingeniero de General Electric
desarrolla el primer LED (Light Emitting Diode o
Diodo Emisor de Luz) que emita en el espectro
visible.
1962 - Sony lanza al mercado mundial el primer
televisor de 5 pulgadas, completamente
transistorizado.
1963 - Philips presentara el popular Compact
Cassette. Otros fabricantes haban desarrollado
diversos tipos de cartuchos de cinta magntica,

pero ninguno de ellos alcanzo la difusin mundial de


este, por su bajo costo, tamao y practicidad.
1965 - Gordon Moore, trabajando en Fairchild
Semiconductor (tres aos despus fundara Intel),
predijo que la integracin de circuitos crecera a un
ritmo que duplicara el nmero de transistores por
chip cada dos aos. Esta prediccin se ha cumplido
hasta la fecha y se le conoce como: "Ley de Moore"
1968 - Fairchild Semiconductor produce el primer
circuito integrado regulador de voltaje lineal el
uA723. Poco tiempo despus lanza al mercado la
serie 7800 que incluye los populares 7805 (de 5V),
etc.
1971 - Ted Hoff, Federico Faggin de Intel y
Masatoshi Shima de Busicom (ZiLOG) disean el
primer microprocesador, el Intel 4004
1975 - JVC lanza al mercado el sistema de
grabacin de audio y video analgico para uso
domestico: VHS (Video Home System)
1976 - Sony lanza al mercado el sistema de
grabacin de audio y video analgico: Betamax.
1979 - Philips y Grundig de Alemania desarrollan el
Video 2000 (Video Cassette compacto, o VCC) para
competir con VHS de JVC y Betamax de Sony.
1982, 17 de agosto - La empresa Philips fabrica el
primer Compact Disc en Hannover (Alemania),
desarrollado en forma conjunta por Philips y Sony.
1988 - Se integra el MPEG (Moving Picture Experts
Group o Grupo de Expertos de Imgenes en
Movimiento), para desarrollar estndares de

codificacin de audio y video (MPEG-1, MPEG-2, ...


MP3, etc).
1995 - Un consorcio de empresas entre las que
destacan Philips, Sony, Toshiba, Time-Warner,
Matsushita Electric, Hitachi, IBM, Mitsubishi Electric,
Pioneer, Thomson y JVC, lanzan la primer versin del
estndar DVD.
2.- Teora de semiconductores:
Un semiconductor es un elemento material cuya
conductividad elctrica puede considerarse situada
entre las de un aislante y la de un conductor,
considerados en orden creciente
Los semiconductores ms conocidos son el siliceo
(Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como
veremos ms adelante, el comportamiento del
siliceo es ms estable que el germanio frente a
todas las perturbaciones exteriores que puden
variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el
elemento semiconductor ms utilizado en la
fabricacin de los componentes electrnicos de
estado solido. A l nos referiremos normalmente,
teniendo en cuenta que el proceso del germanio es
absolutamente similar.
Como todos los dems, el tomo de silicio tiene
tantas cargas positivas en el ncleo, como
electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso
del silicio este nmero es de 14). El inters del
semiconductor se centra en su capacidad de dar
lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que
haya un movimiento de electrones. Como es de
todos conocidos, un electrn se siente ms ligado al
ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos.

Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de


atraccin por parte del ncleo y pueden ser
liberados de la misma, son los electrones que se
encuentran en las rbitas exteriores. Estos
electrones pueden, segn lo dicho anteriormente,
quedar libres al inyectarles una pequea energa. En
estos recaer nuestra atencin y es as que en vez
de utilizar el modelo completo del tomo de silicio
(figura 1), utilizaremos la representacin
simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de
nuestro inters.

3.- Diodos:
Componente electrnico que permite el paso de la
corriente en un solo sentido. La flecha de la
representacin simblica muestra la direccin en la
que fluye la corriente.

(Smbolo electrnico del diodo).


Es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se
puede encontrar prcticamente en cualquier circuito
electrnico.

Constan de la unin de dos tipos de material


semiconductor, uno tipo N y otro tipo P, separados
por una juntura llamada barrera o unin.
Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms
utilizada) y de germanio. Esta barrera o unin es de
0.3 voltios en el germanio y de 0.6 voltios
aproximadamente en el diodo de silicio.
El diodo se puede hacer funcionar de 2 maneras
diferentes:
Polarizacin directa:
Cuando la corriente circula en sentido directo, es
decir del nodo A al ctodo K, siguiendo la ruta de la
flecha (la del diodo). En este caso la corriente
atraviesa el diodo con mucha facilidad
comportndose prcticamente como un corto
circuito. El diodo conduce.
En el caso ideal, el diodo se comporta como un
cortocircuito cuando est polarizado en directa y
como un circuito abierto cuando est polarizado en
inversa. Las curvas caractersticas corriente-tensin
real e ideal se muestran a continuacin:

El comportamiento real del diodo se puede observar


en la ecuacin del diodo siguiente:

Donde:

4.- Convertidor de CA a CD monofsico de media


onda

La salida de seal de este rectificador como su


nombre lo dices es de media onda, por lo que corta
los semi-ciclos positivos o negativos segn como se
conecte el diodo, ya que este bloquea la seal
cuando se encuentra polarizado a la inversa.

Ecuaciones generales de este rectificador:


Vmed=

Vrms=

Vmaximo

Vmaximo
2

Eficacia=

Potenica DC
Potenica AC

Factor de forma ( F . F )=

Porcentaje de ondulacion= (F . F)2 1

5.- Convertidor monofsico de onda completa


Como habrs observado, con el rectificador anterior
(media onda) la tensin de alimentacin valdr 0 V
durante la mitad del tiempo, es decir, siempre que
se presente el semiperiodo negativo. Para solucionar
este problema podemos disponer de un puente de
diodos, en el que se rectifique por un lado el
semiperiodo positivo y por otro el semiperiodo
negativo, de forma que la carga siempre est
alimentada. La imagen inferior te muestra el circuito
rectificador:

Habrs observado que la carga siempre recibe


positivo por el mismo sitio, independientemente de

que sea el semiperiodo positivo o negativo el que se


produce en la secuencia de funcionamiento. Esto
significa que la tensin aplicada sobre la resistencia
ser como la indicada en la imagen:

De forma similar a lo que ocurra con el rectificador


de media onda, los valores de tensin y de
intensidad que obtendremos sern:

La eficiencia de este rectificador es de 0.810416 por


lo que es bastante eficaz y su factor de forma es de
1.110 adems su porcentaje de armnicas es de
0.48.
6.- Rectificador trifsico de onda
Consisten en conectar un diodo a la salida de cada
arrollamiento, que se unirn en un punto comn que
despus alimentar a la resistencia o carga del

circuito. El retorno de la corriente se realiza a travs


de la lnea de neutro. La imagen inferior nos aclara
esta explicacin.

Es evidente que el arrollamiento secundario est


dispuesto en estrella y que de la unin comn de las
tres bobinas se saca la lnea de neutro. Adems, tal
y como indica la imagen, cada bobina tendr, con
respecto a neutro, las tensiones V1, V2 y
V3respectivamente, que se producirn desfasadas
120.

Las tensiones V1, V2 y V3 estn representadas en la


grfica, por las ondas roja, verde y azul. Pero en
realidad, al haber colocado un diodo a cada salida,
el semiciclo negativo de cada onda quedar

suprimido, es decir, que la tensin que le llegue a la


carga ser la lnea ondulada de color gris

Analizando la imagen podemos observar que cada


bobina alimentar la carga durante 1/3 del periodo y
cada diodo estar conduciendo durante tanto
tiempo como la corriente de su bobina sea superior
que la de las dems. La lnea de trazos de la imagen
representa la duracin de un ciclo, tal y como puede
observarse. Como la corriente de alimentacin de la
carga la aportan tres bobinas en cada ciclo, esta
ser ms continua.
Ecuaciones generales del rectificador:
VLn=

Vrms
i

Donde i es el nmero de fases del rectificador, en


este caso es 3, por ser trifsico.
VlineaMaximo=

Vmedio=

2Vrms
3

3 3 Vmaximo
2

Vrms=Vmaximo0.8406

El factor de forma es de 1.016 y el porcentaje de


armnicas es de 0.1827 y la eficiencia del
rectificador es bastante elevada en comparacin a
los anteriores, es de 96.76 por ciento.
Para rectificadores de i-fases de media onda las
ecuaciones generales son:
Vrms=Vm

1 i
2
+
sen
2 4
i

( )

Vmed= Vmsen

()

Donde i es el nmero de fases.


6.- Convertidor CA-CD trifsico de onda completa:
Si ahora disponemos de un puente hexadiodo, de
manera que podamos rectificar el semiperiodo
negativo, que antes quedaba anulado, la tensin
producida ser an ms continua que en los casos
anteriores.

Podemos observar como ahora, nuestro


transformador, tiene a la salida de cada bobina dos
diodos, de manera que se rectificar la onda
completa. Para aclarar ms an el funcionamiento,
vamos a representar las bobinas R, S y T desfasadas
en el espacio 120, pues constructivamente es

como se encuentran. Imaginemos que la produccin


de corriente comienza en la bobina R-S (onda roja),
siendo el semiperiodo positivo el que se produce a
la salida de R. La corriente por tanto circular hasta
D1 que, por ser positiva, lo atravesar hasta la carga
R y retornar por D5 hasta la bobina S. 180
despus, se producir el semiperiodo negativo, por
lo que al haber cambiado el sentido de la corriente,
el positivo estar a la salida de la bobina S,
atravesar el diodo D2 en direccin a la carga,
retornando por D4 hasta la bobina R.

Esta secuencia la repetimos para las bobinas S-T


(onda verde), actuando D2 y D6 para el semiperiodo
positivo y D3 y D5 para el semiperiodo negativo; y
para las bobinas T-R (onda azul), en cuyo caso la
secuencia ser D3 y D4 para la semionda positiva y
D1y D6 para la semionda negativa.
Ya slo queda hacer un matiz, y es que el desfase
entre el semiperiodo positivo y negativo es de 180,
mientras que el desfase entre arrollamientos es de

120, por lo que antes de que el semiciclo de una de


las bobinas haya finalizado, se estar produciendo la
siguiente onda en otro arrollamiento. Esto queda de
manifiesto si en la representacin senoidal de un
transformador trifsico, se solapan los semiciclos
positivos y negativos.

Puede apreciarse como ahora el aporte de tensin


es cada 1/6 del periodo, resultando una tensin an
ms continua que en los casos anteriores. Si
depuramos las partes de la onda que no afectan a la
alimentacin de la carga, resultar una seal como
la que muestra la imagen inferior:

Ecuaciones generales:

Vrms=Vm

3 5 3
+
2 4

Factor de forma es de 1.00088 y la eficacia es


elevada, es de 0.9982 y por ltimo el porcentaje de
armnicas es de 0.04196, por lo que se caracteriza
este convertidor por ser bastante eficiente y
adems con un bajo contenido de armnicas.
7.- SCR
El SCR (Silicon Controled Rectifier / Rectificador
controlado de silicio) es un
dispositivo semiconductor de 4 capas que
funciona como un conmutador casi ideal.

Analizando los diagramas:


A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo
Funcionamiento bsico:
El siguiente grfico muestra un circuito equivalente
del SCR para comprender su funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de
Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes:
IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa
que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que
a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2),
este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo
mismos que IB1 en la base de Q1, y Este proceso

regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2


causando el encendido del SCR.
Los parmetros del SCR son:
VRDM:
Mximo voljaje inverso
de
cebado
(VG
=
0)
VFOM:
Mximo
voltaje
directo
sin
cebado
(VG
=
0)
IF:
Mxima
corriente
directa
permitida.
PG:
Mxima
disipacin
de potencia entre
compuerta
y
ctodo.
- VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
- IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
dv/dt:
Mxima
variacin
de
voltaje
sin
producir
cebado.
- di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.
Nota: dv/dt, di/dt: Ver parmetros del SCR en SCR en corriente continua

Formas de onda del SCR:


Los trminos populares para describir la operacin
de un SCR son ngulo de conduccin y ngulo de
retardo de disparo. El ngulo de conduccin es el
numero de grados de un ciclo de ca durante los
cuales el SCR esta encendido. El ngulo de retardo
de disparo es el numero de grados de un ciclo de ca
que transcurren antes de que el SCR sea encendido.
Por supuesto, estos trminos estn basados en la
nocin de que el tiempo total del ciclo es igual a 360
grados.
En la figura 3 se muestran las formas de onda de un
circuito de control con SCR para un ngulo de
retardo de disparo. Al momento que el ciclo de ca
inicia su parte positiva, el SCR esta apagado. Por
tanto tiene un voltaje instantneo a travs de sus
terminales de nodo y ctodo igual al voltaje de la
fuente. Esto es exactamente lo que se vera si se
colocara un interruptor abierto en un circuito en
lugar del SCR. Dado que el SCR interrumpe en su
totalidad el suministro de voltaje, el voltaje a travs

de la carga (VLD) es cero durante este lapso. La


extrema derecha de las ondas ilustran estos hechos.
Mas a la derecha en los ejes horizontales, se
muestra el voltaje de nodo a ctodo (VAK) cayendo
a cero despus de aproximadamente un tercio del
semiciclo positivo. Esto es el punto de 60.
Cuando VAK cae a cero, el SCR se ha "disparado", o
encendido. Por tanto, el ngulo de retardo de
disparo es de 60. Durante los siguientes 120 el
SCR se comporta como un interruptor cerrado sin
voltaje aplicado a sus terminales. El ngulo de
conducci6n es de 120. El ngulo de retardo de
disparo y el ngulo de conducci6n siempre suman
180.

Caractersticas de la compuerta del SCR.


Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente
aplicado a la compuerta. Esta corriente de
compuerta (IG) fluye por la unin entre la compuerta
y el ctodo, y sale del SCR por la terminal del
ctodo. La cantidad de corriente de compuerta
necesaria para disparar un SCR en particular se
simboliza por IGT. Para dispararse, la mayora de los
SCR requieren una corriente de compuerta entre 0.1

y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una


unin pn estndar entre la compuerta y el ctodo, el
voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser
ligeramente mayor a 0.6 V. En la figura 4 se
muestran las condiciones que deben existir en la
compuerta para que un SCR se dispare.

Una vez que un SCR ha sido disparado, no es


necesario continuar el flujo de corriente de
compuerta. Mientras la corriente continu fluyendo
a travs de las terminales principales, de nodo a
ctodo, el SCR permanecer en ON. Cuando la
corriente de nodo a ctodo (IAK) caiga por debajo
de un valor mnimo, llamado corriente de
retencin, simbolizada IHO el SCR se apagara. Esto
normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de
ca pasa por cero a su regin negativa. Para la
mayora de los SCR de tamao mediano, la IHO es
alrededor de 10 mA.

Circuito equivalente con transistores:

La corriente de colector Ic de un tiristor se relaciona


en general con la corriente de emisor Ie y la
corriente de fuga de la unin Colector-Base ICBO ,
como:

La ganancia de corriente de base comn se define


como =IC/IE. Para el transistor Q1, la corriente del
emisor es la corriente del nodo IA y la corriente del
colector IC1 se puede determinar a partir de:

Donde la ganancia 1 es la ganancia de corriente


ICBO1
Es la corriente de fuga para Q1, en forma similar
para Q2 , la corriente del colector IC2 es:

(Tomado del libro de Electrnica de potencia de


Rashid 2 edicin)

Estructura bsica:

- V ac V BD comienza a conducir manifestando un


efecto de resistencia negativa.

- V AC = V DRM <V BD El SCR est directamente


polarizado pero no conduce.
-Posee un comportamiento dual o semiconductor, es
decir biestable.
-

V AC V DRM

esta polarizado en directa y conduce.

Cuando un SCR se le aplica una tensin de nodo a


ctodo que iguale o exceda a la tensin de
subruptura empezar a conducir manifestando un
comportamiento de resistencia negativo, es decir:
disminuir la tensin a travs del SCR pero se
incrementara la corriente a travs del mismo, el
punto mnimo se denomina de mantenimiento o de
sostenimiento y son las coordenadas de voltaje y
corriente requeridos para continuar su conduccin
en tiempo indefinido, si se llega a disminuir una de
las dos coordenadas o ambas el SCR dejara de

conducir y volver a su conduccin inicial de no


conduccin.
El voltaje mximo inverso repetitivo (VRRM) es la
mxima tensin inversa que se puede aplicar entre
las terminales nodo-ctodo sin que el SCR se
destruya, es decir define las propiedades
rectificadoras del dispositivo, y nunca debe
excederse por que el SCR se destruir
irreversiblemente.

Aplicando L.V.K

I E =I C 1 + I C 2 + I CB0
I C 1=1 I E
I C 2=2 I E
I E =1 I E +1 I E + I CB 0
I E =I E ( 1 +2 ) + I CB0
I CB 0=I E I E ( 1 +2)
I CB 0=[1( 1+2 ) ] I E
I E=

I CB0
[1( 1+2 ) ]

Si ( 1+2 0 ;

I E I CB 0

(No conduce)

Si ( 1+2 1 ;

I E high value

(Conduce)

Circuito de Compuerta SCR


5vVg10V
Igt=gate trigger curient
Vgt= gate trigger voltaje
L.V.K.
Vg=

V Rg +Vgt

V Rg =I g+ R g
Vg

PRG =2 I 2

Rg =

V gV
I

Rg

Circuito de Carga del SCR


Cuando nosotros apliquemos una corriente de
compuerta el SCR se conmutara del estado de

bloqueo al estado de conduccin, una vez en el


estado de conduccin este permanecer en dicho
estado permanente de conduccin, razn por la cual
hay que retirar o dejar de aplicar la corriente de
compuerta I . Bajo esta condicin de conduccin el
SCR proporcionara potencia a la carga.
PRL =I 2T

R L=V L I L =

(VsV T )
RL

L.V.K.
V S =V L +V T

V L =V SV T

En electrnica de potencia existen dos tipos de


conmutacin de SCRs
1 Forzada: Se usan elementos o dispositivos
electrnicos o elctricos de manera extraa o
externa para activarlo o dispararlo y bloquearlo
o extinguirlo.
2 Natural.
Conmutacin o bloqueo por corriente de thyristor de
mantenimiento
1 Suponiendo que Vs< V BO ; sw cerrado, e
el SCR no conducir y no proporcionara
potencia a la carga.

I =0

2 Suponiendo que apliquemos I gtor >0 de disparo a


la compuerta (terminal gate), el SCR se dispara
y conduce proporcionando potencia a la carga
en tiempo indeterminando o rgimen
permanente.

V SV

V L I T =
2

P =I R L

Si abrimos un comando (Sw) disminuimos el


valor minimo de la corriente de mantenimiento, el
SCR deja de conducir y por tanto no proporciona
potencia a la carga, cerrando el Sw volveremos a la
condicin inicial, si hacemos I =0 el SCR se
conmuta de conduccin o bloqueo.
3

1 Suponiendo que V S <V B 0 ; sw abierto, I =0 el


SCR no conducir y no proporciona potencia a
la carga.
2 Es igual, con sw abierto.
3 Si cerramos el conmutador (sw)
disminuiremos el valor mnimo de voltaje (
vt
de thyristor, el SCR deja de conducir y
por tanto no proporciona potencia a la carga.
Abriendo el sw volvemos a la condicin
inicial, si hacemos V T =0 el SCR se conmuta
de conduccin o bloqueo.

Redes de proteccin o montajes de gatillo o


compuerta

El propsito de colocar una bobina o inductancia en


paralelo con las terminales gatillo ctodo es el de
disminuir la sensibilidad de la terminal compuerta

del SCR y que este se dispare o active de forma no


deseada es decir se derivan a tierra las cargas
electroestticas que la activen. Se pudieran generar
fuerzas contraelectromotrices (contrafem) es decir
tensin inversa entre las terminales gatillo-ctodo
que eventualmente podrn daar a las mismas
terminales.
+++++

Reactancia Capacitiva:
Wo

2=

1
LC

W o =1/ LC

2 f o=

W o L=

1
WoC

W o C=2 f

a
LC

f o=1/2 LC

El propsito de colocar un par de elementos LC en


paralelo con las terminales G-C es el de disparar a
una determinada frecuencia de resonancia, definida
por la ecuacin:
f o=1/ 2 LC

Y depender de los elementos L,C.


Sin embargo, como un efecto secundario las
oscilaciones mximas de f o haran mas positiva la
terminal ctodo, pudiendo bloquear al SCR y cortar

su conduccin; y las incursiones negativas de la


seal resonante hacen ms negativo al ctodo
reforzando en este instante su estado de
conduccin, de tal manera que el SCR opera o
funcionara de manera inestable.
Para evitar lo anterior se colocara una resistencia en
paralelo con el circuito tanque LC y de esta manera
disipar la energa resonante, y obtener una
respuesta subamortiguada.
+++++
El propsito de colocar diodos rectificadores y
diodos zener apilados en serie con la terminal
compuerta es el de adecuar altos voltajes de gatillo
a valores menores, sin embargo como un aspecto
secundario se disminuye la sensibilidad de la
compuerta, y por tanto el SCR se comportara ms
lento cuando se conmute de estado de no
conduccin o bloqueo hacia el estado de
conduccin.
El propsito de colocar un capacitor en serie con la
terminal compuerta, es el de poder activarlo a
cualquier frecuencia, donde su reactancia capacitiva
Depender de la frecuencia que este controlando a
la compuerta del SCR. Los de baja potencia manejan
voltajes hasta 60 v, sin embargo los de potencia
media pueden manejar varias centenas de volt,
normalmente hasta 800 v, y los de alta potencia
pueden manejar centenas de volt hasta kilo-volt por
ejemplo hasta 7.5kv.

Cuando el fabricante no especifique alguno de los


voltajes V DRM o V RRM supngase del mismo valor
pero con polaridad contraria.
Este parmetro se define como la mxima corriente
instantnea aplicada entre las terminales A-C
durante un semiciclo a una carga de naturaleza
inductiva, esta corriente instantnea no deber ser
mayor a 8.35 ms, o ser repetitiva durante un
semiciclo de conduccin, por el SCR se destruir.
Existen 2 criterios segn el fabricante para
establecer su valor:}
a

I TSM 10 I TRMS

8 I TRMS I TSM 20 I TRMS

Convertidor de C.A. a C.D. monofsico de


onda controlado

Problema: dado un convertidor de C.A. a C.D.


monofsico de onda controlado, escribir las
expresiones o ecuaciones que definan al valor
medio y al valor Rms o eficaz.
V

med=

1
V ( wt ) dwt
T 0 o

med =

1
2

(0 ) dwt+ V max sen wt dwt + (0 ) dwt


0

wt
V max
(cos cos )
2
V
V med= max
2

cos =

Problema: se ha diseado un circuito de C.A a C.D.


monofsico de onda controlado, sabiendo que el
suministro de voltaje alterno es de 420 Vrms y a su
vez el ngulo de disparo que activa al SCR es a /4
rad, si el voltaje de lnea es de 60 HZ, a una carga
de R L DE 8. Calcular :
a Voltaje, corriente y potencia mximos de carga
b . Voltaje, corriente y potencia promedio o de
C.D. de carga.
c Voltaje, corriente y potencia rms o de alterna a
travez de la carga.

d Calcular la eficiencia del convertidor, el factor


de forma, y el % de ondulacin o de armnicas
de dicho convertidor, antes referido.
e Nota: compara el anlisis del presente
convertidor a un convertidor de monofsico
no controlado.
a)

V max = 2V rms = 2 ( 420 v ) =593.97 v


V max 593.97 V
=
=72.25 A
RL
8

I max=

Pmax =

b)

2
max

V
RL

V med =

592.97

=44.1KW

V max
593.93 v
( 1+cos )=
2
2

I med=

V med 161.39
=
=20.17 A
RL
8

PDC =

V 2 med (161.39)
=
RL
8

(1+cos45)=161.39v

c)

V rms =

=3.255 KW

V max
sen 2
1 +
2

= 283.17v

I rms =

V rms 283.17 V
=
=35.39 A
RL
8

PCA =

V 2 rms ( 283.17V )
=
=10.023 KW
RL
8

d) =
FF=

P DC 3.255 KW
=
=0.3247 O 32.47
PCA 10.023 KW

V rms 283.17 V
=
=1.75
V DC 161.37 V

2
2
FCO= FF 1= (1.75) 1=1.44 o 144

Convertidor de C.A a C.D. monofsico de onda


completa controlado

a) Va puente semiconductores
b) Con derivacin central
c) Puente hibrido semiconductores (controlado/ no
controlado)
V o ( wt ) =0 0 wt <
V max senwt wt
<wt <( +)

1
V med = V max sen wt dwt

wt
V max
(cos cos )

V
V med = max

cos =

V med =

Si

V max
(1+ cos )

=0

V med =

2V max

Los semiconductores se disparan inicialmente en


cada semiciclo o funcionan como diodos.

1
V ef =V rms = (V max sen wt ) dwt

2 wt
1cos dwt

2
V max

2
V ef =
2 wt dwt

1
dwt 2 cos

V
V ef = max
2

V ef =

V ef =

V ef =

Si

V max
2

1
1
( )+ sen 2 wt

V max

1
1
( )+ ( sen 2 sen 2 )

[
[

]
]

V max
sen 2
1 +

2
2

=0

V ef =

V max
2

Si =0
los SCR se comportan como diodos de
potencia.
Problema: Dedzcase las expresiones para un
convertidor de C.A a C.D monofsico de onda
completa en el cual los tiristores en forma lgica
secuencial han sido disparados con un ngulo de
retardo , las ecuaciones a encontrar son:

wt=

PDC =

ngulo de atraso

2
av

V
V
=
RL

2
max

sen 2
V 2max 1 +
(1+cos )

2
=
2
2 RL

RL

V max
sen 2
1 +

2
V
2
P AC =
=
RL
RL
2
ef

(
2

Vmax ( 1+cos )
2 R L

sen 2
2
V max (1 +
)

2
2 RL

sen 2
Vmax 2 1 +

2
2 RL

FF=

)=

2(1+cos )2
sen 2
2 1 +

) (

Vmax
sen 2
sen 2
1 +
1 +

Vrms
2

2
=
=
Vav
Vmax
2(1+cos )

FCO= FF 2 1=

sen 2
2 1 +

2
1
2 ( 1+ cos )2

Problema: Un contenedor de C.A a C.D monofsico


controlado es energizado con una tensin de lnea
de 440 Vrms, a una frecuencia de lnea de 60 Hz,
dicho convertidor a base de puente de diodos los
tyiristores o SCRs son controlados secuencial y
lgicamente con un ngulo de retardo de 135
elctricos o rad, aplicados a una carga de 32.
Calcular:
a Voltaje, corriente y potencia mxima a travez
de la carga,

b Voltaje corriente y potencia promedio o de C.D.


de carga.
c Voltaje, corriente y potencia de laterna o rms de
carga.
d El valor de la frecuencia del convertidor, el FF,
el FCO, para dicho angulo de retraso( rad) y
resistencia de carga de 32.

a)

V max = 2V rms = 2(449V )=622.25 V

I max=

V max 622.25 v
=
=
Rl
32

Pmax =

b)
I

=58.0129V

V av 2 58.01 V
=
=105.17 W
RL
132

V rms =

I RMS=

PCA =

v max
622.24 v
( 1+ cos )=
( 1+cos 135 )

V av 58.01 V
=
=1.8129 A
RL
32

PDC =

c)

( 622.25 v )2
=12.0996 KW
32

V AV =

av=

19.44A

V max
2

Vrms 2 132.6
=
=4.14 A
RL
32

Vrms2 132.62
=
=594.6 W
RL
32
=

3
3
sen 2
sen 2 622.25
4
4
1 +
=
1
+
=132.6V

2
2

PDC 105.17 W
=
=0.19 o 19
P AC 549.6 W

F . F .=

V rms 132.6 V
=
=2.28
V av 58.01 V

F . C . O.= F . F 21= 2.282 1=2.05 o 205

Convertidor de corriente de CA a CD trifsico


de media onda no controlado / controlado
Normalmente cuando es requerida en un sistema
potencias en el orden de KW, se hace necesario el
uso de corriente alterna trifsica y generalmente
polifsica; las ecuaciones de tensin para cada fase,
cada una de ellas estar defesada 120 elctricos
de conduccin o (

2
3

).

Un convertidor referido trifsico de media onda se


puede observar que los semiconductores conduzcan
para cada fase respectiva con la caracterstica de
que la terminal ctodo de cada uno de ellos es
conectado al extremo de una carga comn Rl, por lo
tanto cada fase suministrara el tercio de la corriente
RMS a la carga comn Rl; cuando esta presente la
fase uno el semiconductor respectivo suministrara
corriente a la carga mientras que los
semiconductores 2 y 3 quedan inversamente
polarizados, para concluir la conduccin de la fase
uno conducir la fase dos, estn polarizados

inversamente los semiconductores de la fase una y


tres, y por lo tanto suministrando potencia a Rl, al
concluir la fase 2 esta suministrara potencia a Rl y
de forma similar no conducir las fases 1 y 2, y as
sucesivamente en una secuencia 1, 2, 3, 1, 2,, es
decir, cada fase conducir cada semiciclo de 120
de conduccin.
Problema: Dedzcanse los valores de las
ecuaciones de voltaje medio y RMS para ambos
casos de un convertidor trifsico de media onda
controlado y no controlado.
V AV =

1
2
3

5
+
6

V max senwtdwt

+
6

La observacin de un convertidor de media onda no


controlado trifsico se le denomina de 4 hilos o
lneas porque consta de 3 lneas o vivos y un neutro.
Fuentes de consulta:
Electrnica de potencia, circuitos, dispositivos y
aplicaciones segunda edicin, autor: Muhammad H.
Rashid, editorial pentice hall.
http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/omar/O
mar.html
http://educativa.catedu.es/44700165/aula/archivos/r
epositorio//3000/3079/html/432_rectificador_trifsico_
de_onda_completa.html