Vous êtes sur la page 1sur 116

REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR


ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE ABOU-BAKR BELKAID - TLEMCEN
ECOLE DOCTORALE
RENOUVELABLES
FACULTEENERGIES
DES SCIENCES
DEPARTEMENT DE PHYSIQUE

UNITE DE RECHERECHE DES MATERIAUX ET ENERGIES RENOUVELABLES


EC

ECOLE DOCTORALE
ENERGIES RENOUVELABLES
UNITE DE RECHERECHE DES MATERIAUX ET ENERGIES RENOUVELABLES

Mmoire de Magister
Prsent par :

YESREF Djamel

Sur le thme :

Optimisation dune cellule solaire


base du silicium polycristallin en couche mince
dpos sur un substrat en cramique

Soutenue le 04 juillet 2013, devant le jury compos de :


Prsident

: CHERMITI Ali

Professeur (U.A.B. Tlemcen)

Encadreur

: BENYOUCEF Boumediene

Professeur (U.A.B. Tlemcen)

Examinateur : GHELLAI Nacra


: KHEROUS Abdelghani

Professeur (U.A.B. Tlemcen)


MCA

(U.A.B. Tlemcen)

Remerciements
Je remercie ALLAH le Tout-puissant de mavoir donner le courage, la volont et la patience
de mener terme ce prsent travail.
Ce travail a t ralis dans lUnit de Recherche des Matriaux et des Energies
Renouvelables (URMER) de la facult des sciences. Je tiens remercier mon directeur de thse,
Monsieur Boumediene BENYOUCEF, Professeur lUniversit Abou Bekr Belkad- Tlemcen, pour
mavoir fait encourager prendre ce thme dtude, je lui exprime particulirement toutes mes
reconnaissances pour ses conseils et ses encouragements apports dans mes dmarches et pour
mavoir fait bnficier de ces comptences scientifiques, ses qualits humaines et sa constante
disponibilit.
Merci aussi tous ceux qui ont particip de prs ou de loin ces travaux en m'aidant
ponctuellement ou de manire plus continue, en commenant par :
Monsieur CHERMITI Ali, Professeur lUniversit Abou-bekr Belkad- Tlemcen, pour mavoir
accept de prsider le Jury de ce travail.
Mme GHELLAI Nacra, Professeur lUniversit Abou-Bekr Belkad-Tlemcen et monsieur
KHEROUS Abdelghani, MCA lUniversit Abou BekrBelkad-Tlemcen qui mont fait lhonneur
daccepter sans hsiter faire partie du jury.
Je remercie le docteur ZERGA Abdelatif, lun de mes professeurs de premire anne
post-graduation, pour ses aides au cours de lanne thorique et aprs, surtout dans le domaine
photovoltaque.
Je souhaite maintenant remercier Lensemble du personnel dirigeant de lURMER sans
oublier les tudiants.
Je pense galement lanimation du secrtariat. Merci pour toutes les facilits et les
arrangements administratifs.
Pour finir, je remercie plus particulirement ma petite famille, mes trs chers frres et mes
surs, tous mes enseignants et tous mes amis et tout le personnel de la DDW14.
Le dernier mot sera pour mes parents, tout mon respect et affection en tmoignage de leur
soutien, sacrifice, patience, ainsi que pour leurs conseils et orientations dans ma vie. Merci du fond
du cur !

Table des matires


Introduction gnrale

01

Chapitre I : Gnralits sur la cellule photovoltaque


I-1. Introduction...
I-2. Notions prliminaires sur le rayonnement solaire............
I-2-1. Le soleil
I-2-2. La constante solaire et lair masse.
I-2-3. Rpartition spectrale du rayonnement solaire. ..

I-3. Principe de fonctionnement dune cellule photovoltaque


I-3-1. Brve histoire des photopiles.
I-3-2. Conversion photovoltaque ...........
I-3-3. Fonctionnement de la cellule solaire .
I-3-4. Caractristiques lectriques de la cellule photovoltaque..
I-3-5. Les diffrents paramtres de la cellule photovoltaque..
I-3-6. Modlisation lectrique de la cellule photovoltaque.
I-3-7. Facteurs limitant le rendement...........
I-3-8. Technologies pour la rduction des pertes.
I-3-9. Rendement quantique et rponse spectrale........
I-3-10. Le silicium et les couches minces

I-4. Conclusion............

04
04
04
06
07
08
08
09
15
16
17
19
20
23
26
28
34

Chapitre II : Filires et matriaux pour la conversion photovoltaque


II-1. Introduction.....
II-2. Filire haute temprature.
II-3. Problme lis la filire haute temprature............
II-3-1. Adhsion de la couche de silicium au substrat.
II-3-2. Contamination des couches par les impurets du substrat............
II-3-3. Confinement optique de la lumire incidente............
II-3-4. Cot du substrat.

II-4. Proprits du silicium polycristallin ...


II-4-1. Gnralits.
II-4-2. Les dfauts cristallins dans le silicium..
II-4-2-1. Interaction des impurets et dfauts.
II-4-2-2. Dfauts natifs.
II-4-2-3. Impurets non mtalliques (oxygne et carbone)......
II-4-2-4. Impurets mtalliques et leurs complexes
II-4-2-5. Activit lectrique des dfauts tendus.

II-5. Effet des joints de grains sur les performances des cellules solaires...
II-6. Proprits optiques..........
II-7. Mcanismes de recombinaison et dure de vie des porteurs
minoritaires dans le silicium polycristallin..
A) Dure de vie des porteurs minoritaires.............
B) Vitesse de recombinaison aux joints des grains
C) Longueur de diffusion des porteurs minoritaires..

II-7. Conclusion...

35
36
39
39
39
39
40
40
40
41
41
43
44
44
45
45
47
48
48
53
54
56

Chapitre III : Procdes de dpts du silicium polycristallin en


couches minces sur substrat tranger
III-1. Introduction
III-2. Llaboration dune cellule photovoltaque en couches minces
III-3. Techniques de dpt de silicium sur substrat tranger...
III-4. Principe du dpt chimique en phase vapeur "CVD "...
III-4-1. CVD dpt chimique en phase gazeuse..
III-4-2. Diffrents type de racteur CVD.
III-4-3. Sources chimiques pour un dpt de silicium.

III-5. Dpt CVD assist par lampes halognes (RT-CVD)...


III-5-1. Le procd RT-CVD...........
III-5-2. Prsentation du racteur RT-CVD...
III-5-3. Morphologie de la section transversale des couches Si-poly/mullite.

III-6. Le substrat de mullite.........


III-6-1. Le choix du substrat tranger..
III-6-2. La mullite............
III-6-2-1. Proprits de la mullite.....................
III-6-2-2. laboration de la mullite.

III-7. Architecture dune cellule solaire en couche mince dpose sur un


substrat tranger...
III-8. Conclusion..

57
57
58
59
59
61
63
64
64
64
66
67
67
68
69
71
72
73

Chapitre IV : Simulation des cellules solaires base de Silicium


polycristallin en couche mince dpos sur un substrat cramique
IV-1. Introduction
IV-2. Optimisation des cellules solaires conventionnelles..
IV-3. Logiciel de simulation : PC1D............
IV-3-1. Aperu du logiciel............
IV-3-2. Lenvironnement de PC1D...
IV-3-3. Le fonctionnement du PC1D

IV-4. Structure simule et paramtres.............


IV-4-1. Structure simule.............
IV-4-2. Paramtres de la structure simule..

IV-5. Exploitation des rsultats de la simulation.


1)- Influence de lpaisseur sur le rendement, Icc et Vco ...
2)- Influence de lmetteur
3)- Influence de la base.
4)- Influence du BSF.
5)- Influence de passivation..
6)- Caractristique I(V).
7)- Rponse spectrale

IV-6. Conclusion.............
Conclusion Gnrale..

74
75
75
75
76
78
79
79
80
81
82
83
86
89
92
95
95
97
98

Introduction gnrale

----------------------

Introduction gnrale
Lnergie est le moteur de toute activit humaine, le pilier de lconomie moderne. Ses sources se
sont diversifies au cours du temps afin de satisfaire les besoins de plus en plus levs de lindustrie et
des consommateurs. Les pays dvelopps sont passs du bois au charbon, du ptrole aux gaz (des
hydrocarbures), lhydrolectricit puis au nuclaire. Cependant, les rserves de combustibles fossiles
sont limites. Les inventaires (rapport entre les rserves prouves ce jour et la production actuelle)
sont estims environ 40 ans pour le ptrole, 65 ans pour le gaz et 220 ans pour le charbon [1].
Il y a quelques annes seulement, lnergie paraissait abondante et peu chre. Le prix du ptrole est
mme tomb 10 $ le baril la fin de lanne 1998. Dix ans plus tard en 2008, son prix dpassait les
140 $ sonnant le glas de lnergie bon march [2]. La future gestion de lnergie est dsormais une
question dactualit majeure pour de multiples raisons. Tout dabord, la question dmographique ainsi
que lvolution rapide des pays en vois de dveloppement posent le problmatique des besoins long
terme en matire nergtique des prvisionnistes, la consommation de lnergie primaire commercial
devrait doubler dici 2030, puis tripler aux horizons de 2050 [3].
Face limportante demande en besoins nergtiques mondiaux, plusieurs formes dnergies
renouvelables ont vu le jour ces dernires annes, parmi lesquelles lnergie photovoltaque.
Actuellement, deux principales filires permettent llaboration des modules et des cellules
photovoltaques: la filire du silicium massif et la filire des matriaux en couches minces. Le march de
lnergie solaire a connu une importante croissance durant les dernires annes et les prvisions
confirment cette tendance pour les prochaines annes. Fin 2012, le march atteint les 45000 MWc. en
2014, il devrait atteindre 65000 MWc dont 25% de couche mince (Figure 1). Pour faire face cette
croissance, la recherche dans le domaine soriente sur deux axes essentiels, qui peuvent sembler
opposs : augmenter le rendement des cellules, tout en diminuant les cots de production.
Toutefois, la contribution de cette forme dnergie au bilan nergtique mondial reste ngligeable en
raison du prix lev de llectricit produite, qui est en partie lie au cot de fabrication des modules
photovoltaques. Ce handicap qui freine le dveloppement du march du photovoltaque a amen de
nombreuses quipes de recherche mettre en place de nouvelles solutions, parmi lesquelles la
ralisation de cellules photovoltaques en couches minces.
Pour rduire le cot du matriau de base de faon trs significative, il est ncessaire de diminuer
lpaisseur des couches actives. En effet, des considrations thoriques ont montr quil tait possible
dobtenir des rendements de conversion levs tout en rduisant lpaisseur du matriau.
1

Figure 1 : Capacit de production jusquen 2014 pour le silicium (c-Si)


et les couches minces (TF modules) 4 .

Plusieurs filires de cellules photovoltaques en couches minces ont t dveloppes. Parmi cellesci, les cellules base du silicium amorphe (a-Si), Tellurure de Cadmium(CdTe) et dislniure dindium
cuivre(CIGS). Particulirement, les cellules photovoltaques base de couches minces de silicium
cristallin, de par sa stabilit chimique dans le temps et son rendement thorique lev, savre tre une
solution prometteuse qui fait lobjet de nombreux travaux de recherche.
Une alternative moyen terme pourrait venir des cellules solaires en couches minces base de
silicium amorphe (centaine de nm) ou polycristallin (2-20 m). Lavantage de ces structures est li la
trs faible quantit de silicium utilis, les couches tant en effet dposes par PECVD ou par pitaxie
haute temprature sur des substrats trangers moins coteux de type cramique ou verre 5 6 . Les
techniques de dpts de films minces (pc-Si) haute temprature ncessitent l'utilisation de substrat
cramique [7], qui tolre les tempratures les plus leves, jusqu' les tempratures de fusion de silicium
(1410C) et quil doive avoir un coefficient dexpansion thermique proche de celui du silicium, et un
faible cot pour une utilisation chelle industrielle. Ainsi, le choix dun substrat tranger doit donc
tenir compte de la possibilit dutiliser le substrat comme rflecteur arrire. Parmi les matriaux
cramiques adapts ces critres, il ya la mullite. Ce matriau pc-Si sur mullite est destin des
applications photovoltaques.

Objectifs et structure de mmoire


2

Lobjectif principal de notre sujet de travail est laboration dun modle pour la simulation
numrique et loptimisation du fonctionnement des cellules photovoltaques base de silicium
polycristallin en couche mince dpos sur un substrat en cramique (la mullite).
Nous verrons que la rduction de lpaisseur des plaquettes de silicium peut avoir une possibilit
daugmentation du rendement de conversion.
Ce travail sera dvelopp suivant quatre chapitres :
Chap.1, Prsente quelques notions sur le rayonnement solaire et son application dans le domaine
photovoltaque, nous avons ensuite expliqu le fonctionnement des cellules photovoltaques et leurs
caractristiques principales ainsi que les diffrents facteurs influenant le rendement de conversion.
Nous exposons galement les technologies utilises pour rduire les pertes. Puis nous nous
intressons l'utilisation du matriau silicium et ses principales formes utilises dans le domaine
photovoltaque.
Chap.2, Dans un premier temps nous aborderons dune part les principales voies technologiques
exploites pour la ralisation de cellules base de silicium en couche mince par une approche haute
temprature et dautre part nous prsenterons les diffrents dfauts de structure prsents dans le
silicium polycristallin (impurets introduites et leurs influences sur les proprits du matriau). Dans
un seconde temps nous exposerons les divers mcanismes de recombinaison des porteurs
minoritaires.
Chap.3, Prsente une tude de dpt et de caractrisation des couches minces de silicium
polycristallin dposes en phase vapeur chimique par recuit thermique rapide (RT-CVD).Par la
suite nous exposerons les aspects lis la technologie dlaboration des cellules solaires en couches
minces, les diffrentes tapes dans le processus de fabrication des cellules (procds de dpt, le
choix de substrat et larchitecture de la cellule).
Chap.4, est consacr la simulation numrique laide du logiciel PC1D pour permettre en
vidence les paramtres prpondrants pour lobtention de rendement lev dune cellule
photovoltaque base du silicium pollycristallin dpos sur un substrat cramique (mullite).
Enfin, nous conclurons ce modeste travail par une synthse des travaux raliss et des perspectives
damlioration.

Chapitre I
--------------Gnralits sur la cellule
photovoltaque
------------------------------------

I-1. Introduction
Ce chapitre introduit le cadre dans lequel s'inscrit ce travail : le domaine photovoltaque. Aprs
une brve prsentation de l'lment nergtique essentiel que constitue le rayonnement solaire,
nous aborderons le principe de fonctionnement d'une cellule photovoltaque, ses caractristiques,
son architecture et ses limitations. Puis nous nous intresserons l'utilisation du matriau silicium
dans le domaine photovoltaque.

I-2. Notions prliminaires sur le rayonnement solaire


I-2-1. Le soleil :

a- Caractristiques gnrales
Le Soleil est une petite toile, une boule de gaz, dont le diamtre est de 1 391 000 km, et qui est
place 150 000 000 km de nous. Cette distance est si grande que sa lumire nous parvient 8
minutes aprs avoir tait mise. N'oublions pas quelle voyage la vitesse de 300 000 km/s, c'est-dire qu'elle fait 7 fois le tour de la Terre en 1 seconde.
Quant son volume, il pourrait contenir 1 300 000 Terre. Sa masse est de 330 000 fois celle
de la Terre (1,99.1030 kg ou 2 milliards de milliards de milliards de tonnes). Il reprsente 99,867 %
de la masse totale du systme solaire, c'est--dire que lensemble de toutes les plantes et comtes
ne reprsente que le millime du Soleil. Notre Soleil est donc une norme boule de gaz compose
de 70% d'hydrogne et de 28% d'hlium, les 2% restants reprsentent la plupart des autres atomes
prsents dans l'univers. Il ne faut pas oublier non plus que les toiles sont les usines qui crent tous
les matriaux existant dans l'univers, partir de l'hydrogne. Plus de 60 lments chimiques furent
identifis, tel OH (radical hydroxyle), CH (radical mthylique) et aussi du titane, du plomb, du
mercure, du chlore, du silicium, cuivre, calcium, indium, antimoine, zirconium, rhodium, etc... 8 .
La couche externe du Soleil, dnomme photosphre, celle qui est visible de la Terre, une
temprature considrablement plus faible qui dcrot vers lextrieur, jusqu un palier denviron
5 800 K.

b- Son nergie : Energie humainement inpuisable


L'nergie dgage par le Soleil (3.86e33 ergs/seconde, ou 386 milliards de milliards de mgawatts)
est produite par fusion nuclaire. Chaque seconde au cur du Soleil, environ 700 millions de
tonnes d'hydrogne sont converties en 695 millions de tonnes d'hlium et 5 millions de tonnes
d'nergie sous forme de rayons gamma.Sur le plan nergtique un racteur de centrale nuclaire
produit typiquement 1.000 MW. Le Soleil fournit donc une puissance quivalente celle de 4.1017
racteurs nuclaires, un chiffre difficilement imaginable et vritablement astronomique.
Lnergie mise par le Soleil est dabord sous la forme de rayonnements lectromagntiques dont
lensemble forme le rayonnement solaire, qui constitue la seule source externe notable dnergie
pour latmosphre. Ce rayonnement solaire se propage la vitesse de la lumire c ; il lui faut donc,
en moyenne, 499 secondes, soit 8 minutes et 19 secondes, pour atteindre notre atmosphre. Notre
il peroit une partie seulement du rayonnement solaire, celle situe dans le domaine dit visible, de
longueurs donde comprises entre 0,40 et 0,70

m 9.

Figure I-1:Reprsentation des spectres solaires AM0 et AM1.5 et des


diffrentes molcules provoquant les principales attnuations

I-2-2. La constante solaire et lair masse


Le soleil dcharge continuellement une norme quantit d'nergie radiante dans le systme solaire,
la terre intercepte une toute petite partie de lnergie solaire rayonne dans lespace. Une moyenne
de 1367 watts atteint chaque mtre carr du bord externe de l'atmosphre terrestre (pour une
distance moyenne Terre-soleil de 150 Millions de km), cest ce que lon appelle la constante solaire
gale 1367W/m. La part d'nergie reue sur la surface de la terre dpend de l'paisseur de
latmosphre traverser. Celle-ci est caractrise par le nombre de masse d'air AM.
Le rayonnement qui atteint le niveau de la mer midi dans un ciel clair est de 1000 W/m 2 et
est dcrit en tant que rayonnement de la masse d'air "1" (ou AM1). Lorsque le soleil se dplace plus
bas dans le ciel, la lumire traverse une plus grande paisseur d'air, perdant plus d'nergie. Puisque
le soleil n'est au znith que durant peu de temps, la masse d'air est donc plus grande en
permanence et l'nergie disponible est donc infrieure 1000 W/m2.
Les scientifiques ont donn un nom au spectre standard de la lumire du soleil sur la surface de la
terre : AM1.5G ou AM1.5D.Le nombre "1.5" indique que le parcours de la lumire dans
l'atmosphre est 1.5 fois suprieur au parcours le plus court du soleil, c'est--dire lorsquil est au
znith (correspondant une inclinaison du soleil de 45 par rapport au znith).
Le G reprsente le rayonnement "global" incluant rayonnement direct et rayonnement diffus et
la lettre D tient compte seulement du rayonnement direct 10 .

Figure I-2Dfinition de lair masse.

I-2-3. Rpartition spectrale du rayonnement solaire


La densit spectrale dclairement nergtique du rayonnement solaire hors de latmosphre est
reprsente sur la figure I-1. (Elle est exprime en W.m-2 m-1). La rpartition de cet clairement
nergtique dans les divers domaines de longueur donde est rsume dans le tableau I.1. On peut
noter que le rayonnement ultraviolet (UV) reprsente, tous types confondus, plus de 8 % du total
en termes dnergie.
Il est intressant de noter que, du point de vue de lmission de rayonnement, le Soleil et la surface
terrestre se comportent de faon similaire un corps noir.

Rgion spectrale

Longueurs donde
( m)

Infrarouge
Visible
UV-A
UV-B
UV-C

Eclairement
nergtique (W.m-2)

695
559
86
21
6

0.70
0.40 0.70
0.32 0.40
0.28 0.32
0.28

Pourcentage
(%)

50.8
40.9
6.3
1.5
0.4

Tableau I.1Lclairement du rayonnement solaire de latmosphre dans les


divers domaines de longueur donde

La traverse de latmosphre

induit une attnuation non ngligeable de lnergie incidente.

Lattnuation est due aux phnomnes dabsorption par les molcules de latmosphre (H20, H2,
CO2, O3 POURlessentiel). La dpendance des mcanismes dattnuation vis--vis de la Longueur
donde sexplique le dficit solaire au sol (AM1, 5) par rapport celui mesur hors atmosphre
(AM0). (cf. figure I1).
Lattnuation est galement fonction des conditions climatiques, de la saison, ou de latitude du
point dobservation 11 .

I-3. Principe de fonctionnement dune cellule photovoltaque


I-3-1. Brve histoire des photopiles
Le physicien franais Antoine Becquerel (1788-1878) dcrivit le premier l'effet photovoltaque. IL
dcouvrit un photocourant lorsque des lectrodes de platine, recouvertes avec du bromure dargent
ou du chlorure dargent, taient illumines dans une solution aqueuse. De manire, plus rigoureuse
cest un effet photo lectrochimique [12]. Smith et Adam firent les premiers tats de
photoconductivit respectivement en 1873 et 1876 dans le slnium [13-14] et Albert Einstein en
expliqua les mcanismes en 1912. La premire cellule photovoltaque (ou photopile)a t dveloppe aux
tats-Unis en 1954 par les chercheurs des laboratoires Bell (Chapin, Pearson et Prince), qui ont
dcouvert que la photosensibilit du silicium pouvait tre augmente en ajoutant des "impurets".
C'est une technique appele le "dopage" qui est utilise pour tous les semi-conducteurs. Mais en
dpit de l'intrt des scientifiques au cours des annes, ce n'est que lors de la course vers l'espace
que les cellules ont quitt les laboratoires. En effet, les photopiles reprsentent la solution idale
pour satisfaire les besoins en lectricit bord des satellites, ainsi que dans tout site isol [10]. Cette
premire cellule tait base de silicium et dveloppait un rendement de 6%. Depuis, un rendement
de 24% a t atteint pour une cellule en silicium cristallin [15].
Par la suite, le dveloppement des techniques utilises dans l'industrie des semi-conducteurs
(redresseurs et transistors) a permis d'amliorer la qualit des matriaux utiliss, des mthodes de
fabrication et de l'organisation des piles photovoltaques. Cette recherche est encourage par la
naissance de l'industrie spatiale qui cherche des solutions nouvelles pour alimenter ses satellites.
Quelques annes plus tard, en 1973-1974, en pleine crise ptrolire, on se prcipite sur toutes
les possibilits de remplacer le ptrole et les nergies fossiles. Parmi les nergies renouvelables
envisages, la production directe d'lectricit parl'effet photovoltaque est en bonne place. On
disposait, en effet, de photopiles base de silicium monocristallin d'assez bon rendement, hrites
des applications spatiales, mais ces photopiles taient vraiment trop chres pour tre
conomiquement utilises sur terre. Ce n'est que depuis le deuxime choc ptrolier au dbut des
annes 80 qu'un intrt vritable s'est rapidement manifest travers le monde pour les
applications nergtiques terrestres des photopiles. La baisse constante du prix de l'nergie qui a
suivi cette priode de crise a ralenti les dveloppements, mais comme nous allons le voir, mme si
on est encore loin d'une source comptitive d'nergie de remplacement, rien ne peut plus arrter
les progrs de cette filire [16][17].

I-3-2. Conversion photovoltaque


Pour obtenir une conversion photovoltaque efficace, les matriaux choisis doivent satisfaire les
conditions suivantes :
En premier lieu, ils doivent absorber les photons issus du rayonnement solaire incident.
Des charges libres doivent tre cres lintrieur de ces matriaux.
Ces charges doivent ensuite rejoindre les lectrodes ce qui suppose des mobilits de porteurs
suffisamment leves associes une collection de charges efficace.
Le silicium constitue un matriau photovoltaque performant : il prsente des proprits optiques
et lectriques spcifiques pour assurer la conversion photovoltaque [18].

I-3-2-A Proprits optiques


Lorsque le flux solaire pntre dans un semi-conducteur inorganique, une partie de ce
rayonnement est rflchie, une autre est absorbe et une dernire transmise composante traverse la
couche de matriau sans tre absorbe (nous les prsenterons dans la figure ci-dessous).

Ff
Figure I-3. Les trois vnements optiques dun rayon lumineux

La rflexion
Pour une incidence quasi normale sur une surface de sparation entre deux milieux 1 et 2, le
coefficient de rflexion, ou la fraction de lintensit lumineuse rflchie, est donn par la formule
de Fresnel. Si le premier milieu est le vide :

n
n

n tant lindice de rfraction et

1
1

2
r

I.1

la constante dilectrique relative

Figure I-4. Taux de rflexion.


Pour tous les semi-conducteurs inorganiques, n varie entre 3 et 4, de sorte quenviron 30 % du
rayonnement incident est rflchi. Plus la diffrence des indices de rfraction est leve de part et
dautre dune surface, plus elle est rflchissante. Par exemple, le silicium brut, dun indice de
rfraction de 3,75, au contact direct avec lair (dun indice de rfraction de 1) rflchit 33 % de la
lumire incidente, pourcentage trop lev pour assurer un rendement acceptable de la conversion
photovoltaque.
Le phnomne de la rflexion est lun des problmes qui impose la meilleure conversion
dnergie. Gnralement, la lumire se perd en deux formes, soit par rflexion, soit par
transmission. Dans une structure photovoltaque, les trois niveaux suivants de la rflexion sont
responsables des pertes optiques 19 .
1) Rflexion par les contacts ohmiques.
2) Rflexion par la surface avant du semi-conducteur.
3) Rflexion par la couche arrire (BSR).
10

La figure (I-5) illustre ces trois niveaux de rflexion.

Figure I-5. Les trois niveaux de la Rflexion

Labsorption
Labsorption de la lumire par le matriau solaire tant sans doute le mcanisme principal du
phnomne de la gnration, la majorit des semi-conducteurs de base des cellules solaire
absorbe convenablement le spectre visible. En effet, en utilise toujours les semi-conducteurs
ayant un coefficient dabsorption lev.
A chaque photon, on associe une nergie Eph= h ou

est la frquence associe la longueur

donde du photon ( =c/ , avec c la clrit de la lumire dans le vide). Pour passer de lnergie
du photon Eph la longueur donde, on utilise la relation suivante ou est en m :
E ph ( eV )

1.24
I.2
( m)

Les photons incidents sont absorbs par le silicium en fonction de leur longueur donde et ce
phnomne est dcrit par la loi de Lambert.
I

I 0 exp(

( )

z ) I.3

4 k

I.4

Avec I0 : Intensit lumineuse incidente


I : Intensit lumineuse transmise
z : Profondeur (cm)

: Coefficient dabsorption dpendant de la longueur donde


k : Coefficient dextinction du matriau (cm-1)
11

Les photons de basse longueur donde et donc plus nergtiques (Ultra-Violet) seront absorbs
dans les premiers micromtres de la cellule tandis que les photons de plus grandes longueur
donde (Infra-Rouge) peuvent atteindre la face arrire et tre rflchis par cette dernire 20 .

Figure I.6 : Coefficient d'absorption du silicium en fonction


de la longueur d'onde 21 .

Dans un semi-conducteur, la structure des bandes de conduction et de valence dfinissent un gap


plus faible que dans le cas des isolants : de 0.3 2 ou 3 eV. Si le minimum de la bande de
conduction concide avec le maximum de celle de valence, le gap est dit direct, les transitions sont
donc directes et radiatives. Dans le cas du silicium, le gap est indirect : les transitions
lectroniques entre les extrema des bandes sont obliques, donc non radiatives puisquelles
impliquent un changement du vecteur donde de llectron. Les lectrons du sommet de la bande
de valence peuvent toutefois tre directement excits vers le minimum relatif central de la bande
de conduction grce un photon de plus grande nergie ; pour que la transition seffectue dans le
gap indirecte, il faut quun phonon soit au pralable absorb (ou mis) par llectron, afin que le
vecteur donde de ce dernier corresponde au maximum de la bande de valence, pour absorber un
photon (Figure I-7). Notons que la valeur du gap indirect du silicium est de 1.12 eV 300K (ce
qui correspond une longueur donde de 1107 nm), mais celle du premier gap direct vaut 3.4 eV
(soit 365 nm).

12

Figure I.7: Transitions inter-bandes dlectrons dans un semi-conducteur :


(a) dans le cas dun semi-conducteur gap direct,
(b) dans le cas dun semi-conducteur un gap indirect 22 .

On dfinit le taux de gnration de paires lectrons-trous G cres dans un cristal une distance
x de la surface par la relation:
G ( x)

( ) N 0 exp

( ) x I.5

Avec a : Coefficient dabsorption, la longueur donde


N 0 : Nombre de photons incidents

Ce modle de gnration considre une dcroissance exponentielle de labsorption avec


lpaisseur du film.

Transmission
Selon lpaisseur du matriau, la transmission de la lumire est plus ou moins importante : les
cellules au silicium cristallin forte paisseur (0,2 m) ne transmettent pas de lumire,
contrairement aux dispositifs en couche mince de type silicium amorphe (paisseur < 1 m)
travers lesquels la transmission nest pas ngligeable. Pour diminuer cette transmission, il est
possible dappliquer, larrire dun matriau rugueux , une lectrode prsentant une proprit
de rflexion adapte (comme laluminium) qui pige la lumire dans le matriau par diffusion de
la lumire rflchie sur laluminium.

13

I-3-2-B Proprits lectriques


Photoconductivit

Figure I.8 Reprsentation dun atome de silicium et ses quatre


lectrons de valence sur la couche priphrique.

Caractrise par la prsence de quatre lectrons sur sa couche priphrique (fig. I.8), le silicium
prsente toutes les proprits lectriques dun semi-conducteur permettant de convertir la lumire
absorbe en lectricit. Ce transfert dnergie des photons aux charges lectriques sappelle la
photoconductivit : il sexplique par la proprit que prsente le silicium contenir quatre lectrons
relativement mobiles dots dune faible nergie de liaison.
Dans lobscurit, les lectrons sont peu mobiles ; la lumire, les photons absorbs par le silicium
apportent une telle nergie que la mobilit des lectrons du matriau sen trouve fortement accrue,
ce qui se traduit par une augmentation de la conductivit du matriau.

Collecte des charges


Le principe dune cellule photovoltaque est dexploiter ce dplacement dlectrons pour le
convertir en un courant lectrique utilisable. Pour cela, on attire les lectrons hors du matriau via
une lectrode de collecte relie un circuit lectrique extrieur.

I-3-3. Fonctionnement de la cellule solaire


14

Leffet photovoltaqueutilis dans les cellules solaires permet de convertir directement lnergie
lumineuse des rayons solaires en lectricit par le biais de la production et du transport dans un
matriau semi-conducteur de charges lectriques positives et ngatives sous leffet de la lumire. Ce
matriau comporte deux parties, lune prsentant un excs dlectronset lautre un dficit en
lectrons, dites respectivement dope de type n et dope de type p. Lorsque la premire est mise en
contact avec la seconde, une jonction p-n se cre. Au niveau de cette jonction, les lectrons
mobiles de la couche n se combinent aux trous de la couche p .Le potentiel de jonction
dplace llectron mobile vers la couche n et le trou vers la couche p . Une cathode en forme
de grille capte les lectrons mobiles sur la face suprieure de la couche n . Les trous migrent vers
une anode compacte dispose sur la face infrieure de la couche p . Si les lectrodes sont relies
un circuit extrieur, un courant peut circuler.

Figure I.09Principe de fonctionnement dune cellule photovoltaque

Comme la longueur de diffusion des lectrons photognrs (Ln) est suprieure celle des trous
photognrs (Lp), on exploite prfrentiellement la base de type P. Elle est faiblement dope
(1015 1016 at.cm-3) afin de limiter les recombinaisons.La zone de type N, appele metteur est
fortement dope, elle assure lexistence dun champ lectrique suffisant dans la ZCE (cot p) et
minimise la rsistance srie au niveau du contact mtallique.

15

Fig. I-10.Structure dune cellule photovoltaque ( gauche)

et son diagramme de bande ( droite).


I-3-4.Caractristiques lectriques de la cellule photovoltaque
Sous clairement, les photons incidents vont gnrer des paires lectrons-trou dont le
comportement va diffrer selon la zone dabsorption :
Dans la zone de charge despace (ZCE) engendr par la jonction p-n, les paires lectron-trou
crer sans dissocies par le champ lectrique. Les lectrons sont acclrs puis injects dans la
zone n (metteur) et les trous dans la zone p (base). Un photocourant de gnration est cr.
Dans les zones de base et dmetteur, les porteurs minoritaires gnrs (trous dans lmetteur
et llectron dans la base) vont diffuser vers la ZCE. Sils atteignent cette dernire avant de se
recombiner, ils sont injects dans la zone n pour les lectrons et dans la zone p pour les trous et
deviennent majoritaires. Un photocourant de diffusion est cr.
Cest deux contributions sajoutent pour donner le photocourant de porteurs minoritaires
rsultant Iph. Il est proportionnel lintensit lumineuse.
Sous obscurit, le courant dans une telle structure de type jonction p-n est appel courant
dobscurit et a la forme suivante :
I obs

I S exp

qV
nkT

1 I.6

Avec : q = charge lmentaire =1.6.10-19 C


V= tension aux bornes de la jonction (V)
K = constante de Boltzmann =1.38.10-23 J.K-1
T = temprature (K)
IS = courant de saturation inverse de la jonction p-n
n = coefficient didalit de la jonction
16

Ce courant dobscurit correspond au courant de diode (Id), il rsulte de la polarisation de la


jonction.
Le courant dlivr sur une charge par une cellule photovoltaque claire scrit alors :
I (V )

I ph

I obs (V ) I.7

Soit :
I (V )

I ph

I S exp

qV
nkT

1 I.8

Ainsi, dans une cellule photovoltaque deux courants sopposent : le courant dclairement et le
courant dobscurit.

I-3-5.Les diffrents paramtres de la cellule photovoltaque


La caractristique sous clairement de la cellule PV (figure I-11) permet de dterminer le courant
en court-circuit Icc, la tension en circuit ouvert Voc, le rendement et le facteur de forme FF.

Figure I-11.Caractristique I(V) dune cellule solaire sous obscurit et sous clairement.

A partir de la caractristique I(V) sous clairement de la cellule photovoltaque, on dduit les


diffrents paramtres lectriques propre de la cellule sont les suivants :
17

Icc : courant de court-circuit (obtenu pour V=0)


Vco : tension en circuit ouvert (obtenu pour I=0)
Elle reprsente la tension aux bornes de la cellule, elle est donne par la relation :

kT
I
ln cc
q
IS

Vco

1 I.9

Im : courant correspondant la puissance maximale fournie.


Vm : tension correspondante la puissance maximale fournie.
Le point de fonctionnement est impos par la rsistance de charge et non par la cellule elle
mme. Un choix judicieux de la rsistance de charge permettra donc dobtenir la puissance
maximale, soit : Pm

Vm .I m

- On dfinit les deux autres paramtres suivants :


FF

: Facteur de forme : il dtermine la qualit lectrique de la cellule.

FF

Vm .I m
I.10
Vco .I cc

Dans le cas dune cellule idale le facteur de forme FF ne peut pas tre suprieur 0.89 du fait de
la relation exponentielle liant courant et tension.

: Rendement de conversion:
Le rendement de conversion dune cellule solaire

est reprsent comme le rapport entre la

puissance maximale fournie Pmax et la puissance solaire incidente Pi

Pmax
PS
i

Avec Pi

Vm .I m
Pi S

FF .Vco .I cc I.11
PS
i

Puissance totale dclairement exprime en watt/cm2 reue par unit de surface,

S : Surface de la cellule.

I-3-6.Modlisation lectrique de la cellule photovoltaque


18

Lanalogie entre le fonctionnement de la cellule photovoltaque sous clairement et celui dun


gnrateur de courant, produisant un courant Iph auquel se soustrait le courant de la diode en
polarisation directe, nest quune reprsentation simplifie du fonctionnement rel de la cellule.
Pour tenir compte des diffrentes limitations de la cellule photovoltaque, on introduit le modle
deux diodes reprsent sur la figure suivante (fig I.12)

Figure I-12 : Modle deux diodes d'une cellule sous clairement


Les diffrents paramtres de ce modle sont :
Le gnrateur de courant
Il dlivre le courant Iph correspondant au courant photognr.
La rsistance srie Rs
Elle prend en compte la rsistivit propre aux contacts entre les diffrentes rgions constitutives
de la cellule, savoir lmetteur, la base et les contacts mtalliques.
La rsistance srie Rp
galement connue sous le nom de rsistance de court-circuit. Elle traduit lexistence de shunts
travers lmetteur.
La diode d1
Modlise la diffusion des porteurs dans la base et lmetteur. Son influence sera dautant plus
grande que le matriau prsentera une bonne longueur de diffusion.
La diode d2 :
Modlise la gnration/recombinaison des porteurs dans la zone de charge despace.

Lquation du courant devient :


19

I1

I2

Ip

I ph I.12

Le courant au sein de la cellule photovoltaque est donc donn par la relation[11]:


I

I S 1 exp

q V

IRS

n1kT

I S 2 exp

La premire diode (facteur didalit

q V

IRS

n2 kT

IRS
RP

I ph I.13

) correspond au courant de diffusion dans la base et

lmetteur. I S 1 est le courant de saturation de ce phnomne. I S 2 est le courant de


gnration/recombinaison dans la zone de charge despace.
seconde diode (

est le facteur didalit de la

2).

I-3-7.Facteurs limitant le rendement


En pratique, la conversion dnergie lumineuse en nergie lectrique nest pas totale.
Diffrentes pertes viennent influencer le rendement dune cellule. Ces pertes peuvent tre
classes en deux catgories : les pertes dues la nature du matriau et les pertes dues la
technologie utilise.

Pertes engendres par lutilisation du silicium :


a) Pertes par les photons de longueur donde suprieure au gap :
Tous les photons possdant une longueur donde suprieure a celle associe au gap du semiconducteur (

) ne peuvent gnrer de paire lectron/trou et sont donc perdus. Les

mcanismes dabsorption assiste par phonons permettent nanmoins de repousser la limite


inferieure de lnergie correspondant au gap du matriau (1.052 eVau lieu de 1.124 eVdans le cas
dune absorption assiste par un phonon dans le silicium [23]). Sous un clairement AM1.5, ces
pertes sont values 23.5%dans le cas du silicium [24].

b) Pertes dues lnergie excdentaire des photons


20

Les photons possdant une nergie suprieure au gap absorb gnrent une seule paire
lectron/trou. Lexcs dnergie, suprieur la largeur de la bande interdite, est principalement
dissip sous forme de chaleur (thermalisation Figure .14). Sous un clairement de AM1.5, ces
pertes sont values 33% de la puissance totale dans le cas du silicium[24].

c) Facteur de tension

Cest le rapport de la tension maximale dveloppe par la cellule ( v0C ) par la tension de gap

Eg
.
q

La tension aux bornes dune cellule nest quune fraction de la tension de gap a cause notamment
de la chute de potentiel au niveau des contacts et de la jonction. Les meilleures valeurs obtenues
de v0C sont de lordre de 700 mV, pour les cellules haut rendement.

d) Facteur de forme FF

Les quations courant-tension est rgie par les quations de Boltzmann sous forme
exponentielle exp qV kT . La courbe (V)ne peut donc avoir une forme rectangulaire et,
mme dans le cas dune cellule idale, le facteur de forme ne peut dpasser 0.89 [25]. Ce terme
dpend galement de la qualit de la jonction p-n de la rsistance srie et parallle [26].

Pertes technologiques :

a)Rflexion la surface de la cellule


Le coefficient de rflexion R du semi-conducteur nest pas nul, une partie du flux incident est
rflchie et donc perdue. Le coefficient de rflexion est voisin de 40% pour le silicium
monocristallin poli optique. Une texturisation et une couche antireflet permettent de rduire ce
coefficient en dessous de 5 % [27].

21

Figure I.13: Courbe de lirradiance solaire en fonction de la longueur donde 24


Le gap du silicium est situ une longueur donde de 1107 nm.
la partie A correspond aux pertes optiques des photons ayant une
nergie infrieure au gap du silicium. La partie B est la zone des pertes
lies la thermalisation des lectrons issus de photons nergtique.

b) taux dombrage de la surface active de la cellule.


Le dpt des contacts mtalliques ncessaires pour collecter les charges photognres entrane
une zone dombrage Smtal /s sur la surface expose de la cellule en face avant qui est
perdue pour la conversion photovoltaque. Dans le cas des cellules contacts arrires (ou
RCC pour Rear Contact Cell), le taux dombrage est nul.

c) rendement dabsorption.
Lpaisseur finie des cellules peut limiter labsorption de certains photons. Dans le cas du silicium,
du fait de son gap indirect, les photons infrarouges sont particulirement exposs ce
problme.Des techniques de pigeage par rflexion sur la face arrire peuvent augmenter de
maniresignificative labsorption, particulirement dans le cas des cellules minces.

d) rendement de collecte.
Le rendement de collecte correspond au rapport entre le nombre de porteurs de charge
effectivement collects et le nombre total de charges photognrs. Ce terme prend en compte
les recombinaisons lectrons-trous en volume et en surface de la cellule. Il dpend directement de
la dure de vie des porteurs minoritaires (temps moyen entre la gnration et la recombinaison
dun
L

porteur)

et

donc

de

leur

longueur

de

diffusion

via

la

relation

D avec D coefficient de diffusion. Pour le silicium multicristallin, L est de lordre de la

centaine de m pour les lectrons.


22

I-3-8.Technologies pour la rduction des pertes


Comme nous lavons vu prcdemment le fonctionnement des cellules photovoltaques est bas
sur trois mcanismes : labsorption des photons, la conversion de lnergie optique en nergie
lectrique et la collecte de cette nergie sur un circuit extrieur. Chacun de ces mcanismes
engendrent des pertes et la partie suivante prsente les principaux composants utiliss ce jour
pour amliorer le rendement de conversion.
Ces composants sont utiliss dans de nombreuses structures de cellules et nous les prsenterons
sur la structure la plus commune, la cellule photovoltaque avec contacts sur les deux faces F.I-14.

FIGURE I.14: Structure dune cellule photovoltaque en silicium (daprs [28]).

Lmetteur et la base :Lmetteur (dopage type N) est ralis par dopage en surface dun
substrat de silicium de type P. La partie dope P du substrat (cest--dire la majeure partie de
celui-ci sauf la surface) constitue la base. Linterface de ces deux zones est celle dune jonction
PN qui permet de dissocier les paires lectron-trou cres. Lpaisseur totale de la cellule est
actuellement proche de 200 m. Les trous photognrs ayant une longueur de diffusion (Lp)
plus faible que celle des lectrons(Ln), on ralise en pratique un metteur de faible paisseur(0,20,3 m) mais fortement dop ( 1020cm-3) et une base de plus grande paisseur faiblement dope
1015 1016 cm-3).
Le fort dopage de lmetteur permet de limiter la rsistance du contact mtal-semi-conducteur
(cr par la connexion entre les contacts mtalliques et lmetteur) et de crer un champ
lectrique suffisant au niveau de la ZCE.

23

La texturisation de la surface:La rflexion est lorigine de pertes importantes pour la


cellule. La texturisation est utilise pour diminuer la rflectivit de la surface de la cellule. Cette
opration vise dvelopper en surface un relief micromtrique, gnralement de forme
pyramidale. Le relief cr permet daugmenter la surface et induit des rflexions multiples sur les
facettes des pyramides. La texturisation assure ainsi le pigeage dun maximum de lumire
rduisant les pertes lies la rflectivit.
Diffrents procds sont utiliss pour raliser la texturisation : attaques chimiques de la surface
(KOH, NaOH, acides), texturisation mcanique, plasma ou laser. Ces mthodes peuvent faire
passer la rflectivit effective de 40 % moins de 10 %.

Les contacts face avant et face arrire:Les contacts constituent la structure de


collecte qui rcupre et envoie les porteurs photognrs vers le circuit externe. Pour assurer
efficacement ce rle, les contacts doivent tre ohmiques. De mauvais contacts, cest dire
entranant une forte rsistance srie, auront essentiellement une rpercussion sur le facteur de
forme de la cellule et sur le courant rcupr.

La couche antireflet:La texturisation de la surface de la cellule permet de limiter les


rflexions face avant. Pour rduire encore la rflexion, une couche antireflet (CAR) est ajoute.
Lindice et lpaisseur de cette couche sont ajusts pour obtenir une lame quart donde, lobjectif
tant de minimiser le coefficient de rflexion de la cellule en crant des interfrences
destructives 28 .

BSF :Le champ lectrique arrire (BSF : Back Surface Field) consiste crer une barrire de
potentiel (par exemple, jonction p+-p) sur la face arrire de la cellule pour assurer une passivation.
La barrire de potentiel induite par la diffrence de niveau de dopage entre la base et le BSF tend
confiner les porteurs minoritaires dans la base. Ceux-ci sont donc tenus lcart de la face
arrire qui est caractrise par une vitesse de recombinaison trs leve.

La passivation :Sur les surfaces de la cellule, le rseau cristallin sinterrompt brutalement.


Certaines liaisons lectroniques du silicium sont pendantes et deviennent des centres de
recombinaisons pour les porteurs de charges. A cesliaisons sajoutent les impurets prsentes
dans le rseau cristallin et les dfauts du cristal (dislocations. . ..). La passivation consiste
amliorer la qualit lectronique en surface et en volume en neutralisant les sites actifs, sources de

24

recombinaisons. Les deux mcanismes de passivation de la surface qui permettent de rduire les
recombinaisons sont les suivants :

1. Passivation par neutralisation des dfauts dinterface


Cest une passivation chimique des dfauts de linterface par un matriau ayant une affinit
chimique forte avec le substrat (SiN, SiO2 thermique). Les atomes de ce matriau comblent les
liaisons pendantes et induisent une diminution de la valeur de Dit (densit dtats dinterface).

2. Passivation par effet de champ


La prsence de charges dans certains matriaux dposs (comme dans le nitrure de silicium
dpos par plasma) entrane lexistence dun potentiel de surface et dune courbure de bande au

sein du silicium (on note

la densit de charges fixes). Cette courbure rduit la concentration

dun des deux types de porteurs en surface et limite le taux de recombinaison entre eux. La
passivation par effet de champ peut galement tre mise en place laide dun dopage
supplmentaire. Cest ce qui est fait habituellement sur la face arrire des cellules : la barrire de
potentiel induite par la diffrence de niveau de dopage entre la base et la face arrire tend
confiner les porteurs minoritaires dans la base et les loigner du bord du cristal. Ce dopage est
gnralement ralis grce aux contacts arrire base daluminium qui viennent former un alliage
avec le silicium lors de leur recuit. Dans ce cas, il se forme une zone dope P+ sur lensemble de
la face arrire de la cellule (on parle de BSF ou champ de surface arrire).
Une bonne passivation impose davoir de faibles valeurs de Dit et de grandes valeurs de Q f.
La passivation en volume se fait essentiellement par diffusion dhydrogne : soit par
hydrognation du substrat soit par un recuit haute temprature dune couche hydrogne dpose
au pralable (SiNx : H).

Leffet getter
Leffet getter ou gettering est un moyen complmentaire lhydrognation pour la passivation
en volume. Le principe du gettering est de rduire limpact des impurets mtalliques en les
25

liminant du substrat ou en les isolant vers des rgions lectriquement inactives. On distingue
deux types deffet getter : intrinsque et extrinsque.
Leffet getter intrinsque a lieu dans le cas o la dsactivation du dfaut se fait sans intervention
dlment extrieur au matriau. Par exemple, loxygne qui estune impuret recombinante
lorsquil se trouve en grande quantit dans le silicium peut prcipiter en SiO2 [29]. Le SiO2 est un
complexe non recombinant qui va pouvoir jouer le rle de site de gettering.
Leffet getter extrinsque consiste introduire dlibrment des sites de pigeage sur une ou
plusieurs faces du substrat. Ceci peut tre effectu en appliquant une contrainte, en
endommageant la surface ou en dposant un matriau dont le coefficient dexpansion thermique
est diffrent de celui du silicium. De nombreux paramtres influent sur lefficacit de leffet getter
tel que la temprature, la dure du traitement thermique ou encore la contrainte induite au
matriau. Notons que chaque technique deffet getter aura des rsultats sur un type particulier
dimpurets et que la combinaison de plusieurs mthodes sera, en gnral, plus efficace quun
unique traitement [30]. Dans le cas des cellules photovoltaques en silicium multicristallin, les
impurets comme loxygne et les lments mtalliques diffusion rapide (Fe, Cu, Ni, Cr)
peuvent tre extraits efficacement du volume par le processus de gettering extrinsque pendant la
diffusion de lmetteur depuis le verre de phosphore (P2O5) et/ou pendant le procd dalliage de
laluminium et du silicium utilis pour la formation du champ de surface arrire [31]. La
combinaison simultane des effets getter du phosphore et de laluminium conduit une synergie
positive, les rsultats tant meilleurs que la simple addition des deux traitements.

I-3-9.Rendement quantique et rponse spectrale


Les paramtres lectriques de la cellule photovoltaque obtenus avec une caractrisation I(V)
nous renseignent sur les performances globales de celle-ci sans indiquer prcisment leurs
origines. La rponse spectrale, et plus particulirement le rendement quantique externe permet de
dterminer la rponse de la cellule en fonction de la longueur donde et permet de localiser dans
la cellule les sources qui limitent (ou non) ses performances.
Le rendement quantique externe (ou EQE pour External Quantum Efficiency) est le rapport du
nombre de porteurs collects sur le nombre de photons incidents dune nergie donne.
Le coefficient dabsorption du silicium varie avec la longueur donde du rayonnement. Les
photons de faible longueur donde sont absorbs prs de la surface (dans lmetteur) alors que
ceux de longueur donde plus leve sont majoritairement absorbs au cur de la cellule (dans la
base). Il est donc possible daccder au comportement et lefficacit de chaque rgion de la
cellule. Plusieurs facteurs sont responsables de la diminution du rendement quantique externe :
26

citons les phnomnes de recombinaison aussi bienen surface quen volume et la rflexion de la
face avant ainsi que la longueur de diffusion des porteurs.La figure I.15 dtaille les principaux
facteurs de pertes selon la longueur donde considre.
Le rendement quantique externe tient compte des pertes optiques comme la rflexion (R) ou la
transmission travers la cellule. Le rendement quantique externe peut tre corrig des pertes
optiques lies la rflexion de la cellule en ngligeant labsorption de la couche antireflet : on
obtient alors le rendement quantique interne (IQE) quitient compte des caractristiques propres
de la cellule (longueur de diffusion, recombinaisons en surface et en volume) :

IQE

EQE
I.14
1 R

Figure I.15: Rendement quantique externe dune cellule photovoltaque[32].

Le rendement quantique est dtermin laide de la rponse spectrale (SR pour Spectral
Response) de la cellule. Celle-ci correspond au rapport de lintensit

) gnre par la cellule sur

la puissance incidente Pinc ) :

SR

I( )
Pinc ( )

I( )
I.15
( )S

O ( ) est le flux lumineux incident (en W.m-2) et S est la surface de la cellule (en m2). Cest en
gnral cette grandeur qui est mesure et qui permet de calculer le rendement quantique, en
prenant en compte lnergie des photons :
27

SR

q
EQE I.16
hc

I-3-10.Le silicium et les couches minces


Dans un premier temps, nous allons donner un aperu de l'utilisation et des diffrentes formes du
silicium employes dans le domaine photovoltaque. Puis, dans un second temps, nous
reviendrons sur la filire silicium en couches minces dans les paragraphes suivantes (Chap. III).

I.3.10.1- L'utilisation du silicium dans le domaine photovoltaque


Aujourd'hui, plus de 99% des quipements photovoltaques utilisent le silicium comme matriau
de base. Ce dernier se prsente sous diffrentes formes (Fig. I-16), les plus rpandues tant le
silicium monocristallin, le silicium multicristallin et le silicium amorphe.

Figure I.16. Parts de march des diffrentes technologies photovoltaques


Utilises (source Photon International) 4

Le silicium est le plus abondant sur terre aprs loxygne (27,6%), il nexiste pas dans la nature
ltat libre. On le trouve principalement, sous forme de dioxyde, dans la silice et dans les silicates
(feldspaths, kaolinite par exemple). Son nom vient du latin silex caillou. Antoine Lavoisier
avait souponn son existence en 1787, mais il ne fut isol, dans un tat de puret suffisant pour
entreprendre son tude, quen 1823 par Jns Jacob Berzelius. 33 .
28

I.3.10.2 La silice : matire premire d'une cellule photovoltaque


La silice est un compos chimique nomm aussi dioxyde de silicium, de formule chimique SiO 2,
elle se prsente sous la forme d'un minral dur. Dans la nature, on la trouve en grande quantit
dans :
Les roches sdimentaires dtritiques (sables, grs),
Les roches mtamorphiques, (schistes, gneiss, quartzites) (Les roches mtamorphiques sont formes
par la recristallisation (et gnralement la dformation) de roches sdimentaires ou de roches
magmatiques sous l'action de la temprature et de la pression qui croissent avec la profondeur
dans la crote terrestre ou au contact d'autres roches.
Les roches magmatiques.
L'extraction de la silice s'effectue dans des carrires de silice.

1- Extraction du silicium partir de la silice


Le silicium (Si) est donc extrait de la silice (SiO2) grce la raction chimique simplifie suivante :

SiO2 + 2 C

Si + CO

Cette raction se ralise dans un four arc car elle ncessite de faire fondre la silice. La
temprature du four peut atteindre 3000 C. La puissance du four peut aller jusqu 30 MW, afin
denclencher les ractions chimiques. En ralit, la raction de rduction de la silice en silicium
rsulte d'un grand nombre de ractions chimiques intermdiaires.
Aprs cette opration, le silicium est obtenu sous forme liquide. Sa puret est de 98 %. Il faut le
purifier encore de plusieurs ordres de grandeur afin d'obtenir un matriau adquate pour les
applications photovoltaques.

29

Figure I.17Four a silicium

2-Purification du silicium :
Il s'agit, en partant du silicium mtallurgique, de faire une purification chimique. De nombreux
procds ont t dvelopps par les diffrents producteurs mondiaux de silicium. Au final, le
procd de purification aboutit l'obtention de lingots de silicium purifis 99.99 % :

3- Obtention des lingots de silicium


Une fois l'tape de purification termine, vient l'tape de cristallisation du silicium liquide. Le
produit issu de cette tape est un lingot de silicium l'tat solide. Il existe deux grandes mthodes
de cristallisation. La premire permet d'obtenir du silicium polycristallin (compos de plusieurs
cristaux). La deuxime permet d'obtenir du silicium monocristallin (compos d'un seul cristal).

Le silicium polycristallin :
Le silicium liquide est mis dans un creuset en graphite. La technique est simple et peu
nergivore.Le silicium polycristallin est obtenu par coulage en lingotire dans laquelle s'opre un
refroidissement lent, de l'ordre de quelques dizaines d'heures.On obtient au final des lingots
cubique. Cette forme est recherche afin d'optimiser l'espace lorsque les plaquettes (obtenues par
dcoupage en lamelles des lingots de silicium) seront places en srie sur un module
photovoltaque.

30

Figure I.18 Mise en forme des lingots de silicium multicristallin

Figure I.19 Plaque de silicium polycristallin

Le silicium polycristallin prsente une couleur grise. Il est constitu d'une mosaque de cristaux
monocristallins de silicium, d'orientation et de tailles diffrentes .

Le silicium monocristallin
Une des mthodes pour fabriquer du silicium monocristallin est la mthode dite de Czochralski.
Le silicium est plac dans un creuset de quartz et maintenu liquide l'aide d'lments chauffants.
Lorsque la surface est la temprature limite de solidification, on y plonge un germe
monocristallin. Le silicium se solidifie sur ce germe selon la mme orientation cristallographique.
On tire lentement le germe vers le haut, avec un mouvement de rotation, tout en contrlant
minutieusement la temprature et la vitesse.

31

Figure I.20 La mthode dCzochralski


Le silicium monocristallin ainsi obtenu, sous forme de lingots circulaires, est constitu d'un seul
type de cristal et prsente une couleur uniforme grise. Le silicium monocristallin, plus labor que
le silicium polycristallin, prsente un rendement (conversion de l'nergie lumineuse en nergie
lectrique) suprieure. Sa production demande cependant une plus grande dpense nergtique.

Figure I.21 Tirage des lingots


L'queutage consiste liminer les extrmits du lingot soit mal cristallises soit riches en
impurets. Les extrmits sont ensuite refondues pour le dpart d'un nouveau cycle de
production.

32

Lors du tirage, le diamtre du lingot varie lgrement ce qui constitue des ondulations sa
surface. Pour obtenir des plaquettes de mme diamtre un polissage cylindrique est ncessaire.

4. Obtention des wafers photovoltaques


Les lingots cylindriques (silicium monocristallin) ou paralllpipdiques (silicium polycristallin) de
silicium obtenus l'issue de l'tape de solidification sont ensuite scis en fines plaques de 200
micromtres d'paisseur qui sont appeles wafers (en anglais, "wafer" signifie "galette"). La
coupe des lingots est effectue par une scie fil.
Compte-tenu de la faible paisseur des tranches dcoupes (300 m), le principal problme du
sciage est la perte de dcoupe. Afin de minimiser ces pertes, la solution technique retenue est la
scie fil. En effet, la perte de dcoupe (kerf) typique des scies fil est de 200 m 240 m, ce
qui reprsente 55% de perte enmoins par rapport aux scies diamtre intrieur (perte de dcoupe
de 310 m 350 m).
Avec une scie fil, il faut donc 570 m de silicium pour produire une tranche de 350 m. L'tape
du sciage reprsente un lment dterminant dans le cot de la production des cellules
photovoltaques 34 35 .

Figure I.22 scie fil

I.3.10.3 Linfluence de la taille de grains du silicium sur le rendement

33

Figure I-23. Rendement de conversion de cellules photovoltaques silicium


en couches minces en fonction de la taille des grains (daprs 5)
Cependant, la structure granulaire limite le rendement comme le montre la figure I-23. La taille
de grain du polysilicium joue un rle dominant dans la dtermination des proprits lectriques et
photovoltaques du silicium. Les joints de grainagissent en tant que piges et centres de
recombinaison. Si la taille de grain est petite, les porteurs rencontrent un plus grand nombre de
joints de grains. Sachant que le joint de grains se comporte souvent comme pige pour les
lectrons, la rsistance augmente, ce qui conduit un lger chauffement de la cellule solaire 36 .

I-4. Conclusion
Ce chapitre nous a permis d'aborder le fonctionnement et les caractristiques d'une cellule
photovoltaque, ainsi que les contraintes relatives aux proprits du matriau constitutif des
cellules pour assurer un bon rendement de conversion. La prsentation des diffrentes filires
d'utilisation du silicium dans l'industrie photovoltaque permet de saisir le potentiel offert par
l'utilisation des couches minces : conomie de matriau pour un rendement convenable.
Le but de ce travail est de faire la simulation dune cellule photovoltaque en couches minces
base de silicium polycristallin dpos sur un substrat conomique (cramique) et de justifier la
rduction du matriau utilis.

34

Chapitre II
--------------Filires et matriaux pour
la conversion photovoltaque
-------------------------------------

II.1 Introduction
Pour la ralisation des cellules solaires en couche mince base de silicium, deux vois
technologiques sont exploites. La premire voie concerne lpitaxie de la couche mince silicium sur
substrat cristallin, la deuxime voie concerne le dpt direct du silicium sur un substrat non silicium
(Figure II.1). Un compromis entre la qualit du matriau est le cot de sa fabrication doit tre trouv.
Dans un premier temps, la recherche s'est oriente vers la fabrication de cellules photovoltaques bases
sur du silicium microcristallin ( c-Si), avec une taille de grains g <1 m, labor sur verre les
rendements de conversion obtenus sont voisins de 10%. Dans un second temps, les tudes se sont
diriges vers l'utilisation de silicium polycristallin (poly-Si) larges grains dpos sur des substrats
rsistants haute temprature (graphite ou cramique). Les rendements de conversion sont alors de
l'ordre de 15% (16,6% par exemple pour le procd silicon Film dvelopp par la socit Astropower
[37]). Ces substrats permettent en effet une plus haute temprature de dpt donc une plus grande taille
des grains.
En particulier le silicium polycristallin dpos sur un substrat adapt par une approche haute
temprature apparait tre le matriau le moins couteux laborer. Ce matriau est un semiconducteur
dont les proprits sont trs facilement altres par les impurets (mtalliques) et les dfauts
cristallographiques (dislocations, joints de grains, etc.) [38].
De ce fait, ce deuxime chapitre dans un premier temps prsente l'ensemble des axes de recherche
et un tat de lart entrepris dans la voie haute temprature pour la ralisation des couches minces
Si-poly et de mettre en vidence les nombreuses difficults que rencontre actuellement cette filire.
Dans un seconde temps nous prsenterons les diffrents dfauts et impurets prsents dans la matrice
du silicium polycristallin. Enfin nous dcrirons les principaux phnomnes de recombinaisons des
porteurs au sein du matriau en se focalisant sur les recombinaisons volumiques et surfaciques.

35

II.2 Filire haute temprature


Pour les applications photovoltaques ont peut distinguer entre deux familles de technique de
dpt de silicium selon que la temprature maximale de procd utilis permet lemploi dun substrat
de verre ou pas [39]. La temprature maximale supporte par le substrat de verre se situe aux alentours
de 600C. Ce qui permet la distinction entre la voix basse temprature et la voix haute
temprature :

Approche basse temprature

Approche haute temprature

600C

600C T

1410C

Par ailleurs, la ralisation des couches minces en silicium polycristallin sur substrats, avec une taille
du grain importante, ncessite des tempratures assez leves. De ce fait, la voie haute temprature
reste privilgie et elle fait l'objet jusqu' ce jour de plusieurs travaux de recherche. La figure II-1 illustre
l'ensemble des axes de recherche et de dveloppement entrepris dans la voie haute temprature pour la
ralisation des couches minces pc-Si.

36

Cellules photovoltaques

Silicium massif (75%)

Couches minces (25%)

- Pertes de matire,
- Nombre dtapes lev,
- Cot du matriau de dpart.

CiGS
CdTe

- Faible paisseur (5 50 m),


- Rduction du nombre dtapes,
- Dpt sur de grandes surfaces.

Silicium
cristallin

Silicium amorphe

Organiques

Transfert sur substrat

Dpt sur substrat


tranger

Mono-Si

pc-Si
Voie haute
temprature
T

Voie basse
temprature

600C

600C

(procd, substrat) adapts

RT-CVD sur mullite

Autres

Figure II-1. Diffrents axes technologiques de la voie "haute temprature" dvelopps


pour la ralisation des couches minces de silicium polycristallin sur substrats.

37

Le but cest de raliser une couche mince de silicium avec des grains les plus grandes possible. Plus la
temprature de dpt est leve, plus la taille de grain ou la cristallinit augmente. Donc on est obligs
de choisir un substrat qui tolre les tempratures les plus leves, jusqu' la temprature de fusion de
silicium (1410C).
Les principaux rsultats photovoltaques obtenus dans la voie haute temprature sont regroups dans le
tableau II-1 pour diffrents types de procds et structures.

Institution

Substrat

Procd

Grains ( m)

(%)

ISE/ASE

Graphite

CVD+ZMR

1-3

9.3

CZ-Si

CVD+ZMR

1-20

16

Mo

CVD+ZMR

1-3

12.8

Graphite

CVD 10000C

1-5

1.4

SiO2

CVD 10500C

0.4

2.8

Cramique

Non cit en
rfrence

100

14.9

(Germany)
Mitsubishi
(Japon)
Motorola
(Japon)
Methodist
Univ. (USA)
Phase (FRA)
IMEC(BEL)
Astropower
(USA)

Tableau II-1. Etat de l'art de la voie technologique haute temprature pour les cellules photovoltaques en silicium
polycristallin en couche mince ("ND" non disponible) 40

38

II-3. Problme lis la filire haute temprature


Dans lapproche haute temprature, et travers les tapes et procds retenus pour llaboration
des cellules en couches minces, plusieurs difficults rencontre cette filire lis notamment aux
interactions entre le substrat et la couche de silicium polycristallin 41 , parmi les :

II-3-1. Adhsion de la couche de silicium au substrat


Lune des contraintes majeures de ce type de procd est la ncessit dutiliser des substrats adapts
aux tempratures de dpt. Ceux-ci devront de plus avoir une bonne rsistance aux chocs thermiques,
un coefficient dexpansion thermique suffisamment proche du silicium afin dviter les contraintes
mcaniques qui interviennent dans la couche durant la phase de refroidissement, et qui conduisent sa
fissuration. Ces critres limitent le choix vers un substrat de type cramique (lalumine, mullite, silice,
graphite ou le carbure de silicium SiC), haut point de fusion dont le cot est gnralement lev.

II-3-2. Contamination des couches par les impurets du substrat


La deuxime source de problmes pour les procds haute temprature concerne la contamination
de la couche mince de silicium par les impurets du substrat durant ltape de dpt. Ce phnomne a
t observ aussi bien pour des dpts sur des substrats de type carbure [42] que pour des dpts sur
des substrats de type cramique [39]. Actuellement, il est possible dattnuer cette contamination par la
ralisation dune barrire de diffusion, gnralement de la silice ou du nitrure de silicium, qui permet de
rduire de deux trois ordres de grandeur la concentration des impurets diffuses vers la couche de
silicium. Nanmoins, ces barrires de diffusion, coteuses et dans certains cas relativement compliques
laborer, ne sont plus actives des tempratures suprieures 1000C.

II-3-3. Confinement optique de la lumire incidente


La rduction de lpaisseur des couches quelques dizaines de microns ncessite le confinement
optique de la lumire incidente. Ceci est ralis par le dpt dune couche antireflet sur la face avant de
la cellule et lutilisation dun substrat rflecteur en face arrire. Parmi les diffrents matriaux rsistants
aux hautes tempratures, seuls lalumine ou la mullite blanche ont la particularit de rflchir la lumire
de faon diffuse, ce qui favorise son pigeage dans la couche mince de silicium.

39

II-3-4. Cot du substrat


En plus des critres physico chimiques, prsents ci-dessus, les couches minces doivent tre
ralises sur des substrats de faible cot et disponibles sur le march. Diffrents substrats rpondant
ces deux critres sont actuellement utiliss, haute temprature, certains substrats comme lalumine, le
graphite ou la mullite sont bon march mais provoquent une contamination des couches dposes.
Lensemble des lments prsents ci-dessus montrent ainsi que la ralisation des cellules en couches
minces devra se faire selon un compromis entre la qualit du matriau dpos et le prix final de la
cellule.

II-4 Proprits du silicium polycristallin


II-4-1 Gnralits
Le silicium polycristallin est un matriau solide constitu de cristallites (grains) spares les unes
des autres par des joints de grain (figure II-2). A lintrieur de chaque cristallite, les atomes sont rangs
de faon priodique et similaire celle du silicium monocristallin.

Figure II-2.Vue gnrale du silicium polycristallin

La taille de grains est un paramtre trs important du silicium polycristallin. La modlisation des
proprits de transport et de recombinaison dans le silicium polycristallin suppose gnralement que
tous les grains ont la mme taille d. cette dimension appele taille de grains permet dune faon globale
de diffrencier diffrents types de silicium poly cristallin :
40

Silicium

Monocristallin Multicristallin Polycristallin Nanocristallin Polymorphe amorphe

Notation Mono-Si
d

mc-Si

pc-Si

nc-Si

0.5-30mm

0.5-100 m

10-200 nm

-morph Si
10-500A

a-Si
-

+a-Si

Les tailles de grains dans le cas du dpt CVD haute temprature sur substrat tranger sont de lordre
de 0.1 20 m.

II-4-2. Les dfauts cristallins dans le silicium


II-4-2-1. Interaction des impurets et dfauts
La densit de dfauts cristallins conditionne la qualit du silicium, et par suite ses proprits
photovoltaques. On peut regrouper les dfauts cristallins dans quatre grands ensembles :
- Dfauts ponctuels : ils se prsentent comme un cart localis la priodicit de la matrice cristalline.
Les dfauts ponctuels peuvent par exemple tre des atomes d'impurets, des lacunes ou des
interstitiels. Ces dfauts sont susceptibles de s'associer pour former des dfauts ponctuels complexes
(paire de lacunes par exemple).
- Dfauts linaires ou dislocations: elles apparaissent lors d'une croissance du matriau hors des
conditions d'quilibre. Sous les conditions d'quilibre, seuls des dfauts ponctuels sont en effet
mme d'tre crs.
- Dfauts plans: ces dfauts sont soit des fautes d'empilement, soit des joints de grains dans le cas
d'un matriau polycristallin.
- Dfauts volumiques: prcipits et vides constituent les principaux dfauts volumiques. Sur la fig. II-3.
sont regroups les diffrents dfauts cristallins.

41

Figure II-3. Les diffrents dfauts cristallins prsents dans une matrice cristalline [43]

La difficult de comprhension des proprits et des mcanismes de formation de chaque dfaut


vient du fait que le silicium multicristallin avec sa structure complique, dans laquelle les dfauts natifs,
les dopants, les impurets, et les dfauts de structure ragissent entre eux et sinfluencent mutuellement.
Ces interactions complexes sont donnes sur la figure II-4.
Lidentification des dfauts dans le silicium multicristallin reste invitable pour ltude des cellules
solaires. Ces dfauts qui contrlent les proprits lectriques du matriau peuvent tre associs des
dfauts de structures (comme les joints de grains, dislocations dfauts dempilement et des micros
prcipits) ou des impurets. Donc, il est important de trouver non seulement les dfauts
lectriquement actifs et dominants mais aussi de comprendre leurs natures chimiques et identifier les
facteurs qui affectent leur formation et leurs proprits de recombinaisons [44], [45].

42

Dfauts dorigine
Lacunes, auto-interstitiels

Dopants :

Impurets
- Oxygne

- Phosphore
- Bore

pc-Si

- Carbone
- Nitrogne
- Mtaux de
transition

Dfauts de structure
Dislocations, Lacunes, fautes
Figure II-4. Reprsentation des diffrents types de dfauts dans le silicium polycristallin [46]

II-4-2-2. Dfauts natifs


Les plus communment types de dfauts cristallin sont les dfauts ponctuels natifs (lacunes, autointerstitiels et leurs complexes). Lorigine de ces dfauts a t un thme important des recherches dans
le pass, ces dfauts sont forms via les interactions des lacunes et les autos interstitiels avec loxygne,
et que leur formation est dtermine par les conditions dlaboration du matriau [47].

II-4-2-3. Impurets non mtalliques (oxygne et carbone)


Le carbone et loxygne agissent indirectement sur les proprits photolectriques du matriau en
se prcipitant dans les zones trs disloques ou en sassociant dautres impurets [48]. Loxygne est
introduit dans le silicium du creuset en quartz. Une grande fraction de l'oxygne interstitiel incorpor au
cristal prcipite durant le refroidissement du lingot ou durant les traitements thermiques ultrieurs des
43

chantillons. Les tudes rcentes ont montr que loxygne et le carbone sont en fait les principales
impurets dans le silicium multicristallin. Les concentrations de loxygne sont peu prs comparables
ceux dans le silicium monocristallin, alors que les concentrations du carbone sont assez fortes dans le
silicium multicristallin. En plus loxygne et le carbone peuvent prcipits au niveau des joints de grains
et des dislocations et ainsi chang leurs comportements lectriques. Ces impurets peuvent aussi avoir
un impact sur les recombinaisons en volume et sur les proprits de la jonction PN.

II-4-2-4. Impurets mtalliques et leurs complexes


Le silicium polycristallin est caractris par une signifiante concentration dimpurets mtalliques
due la mauvaise qualit du silicium utilis comme matriau de base pour llaboration du matriau.
Une contamination par les impurets mtalliques rencontres durant les traitements hautes
tempratures est aussi possible. Elles existent sous diffrents dtats de charge, occupant la fois des
sites substitutionnels et interstitiels dans le rseau cristallin [49]. Ces dfauts sont caractriss par un
grand coefficient de diffusion et peuvent facilement diffuss a travers lchantillon et atteindre la zone
de charge despace dans des concentrations assez forte qui peuvent atteindre 1014cm-3 et ainsi produire
des niveaux profonds. Les impurets mtalliques peuvent agir comme centre de recombinaison puissant
o peuvent prcipits au niveau des dfauts cristallographiques. Ainsi si les dfauts sont prsents prs
de la jonction, ceci rsulte en une forte dgradation de la tension Voc de la cellule. Il est alors
absolument ncessaire dliminer ou de dplacer ces impurets mtalliques des rgions actives du
composant et les rendre lectriquement inactifs.
La cration intentionnelle de sites de pigeages pour piger ces impurets est communment
appeler effet getter ou le gettering. Le dveloppement des techniques de gettering efficaces repose sur la
comprhension des proprits physiques fondamentales des mtaux de transitions. Certaines
techniques employant une diffusion laluminium Al ou au phosphore P et sont classifies comme
mcanisme de gettering extrinsque et qui largement utilis durant le processus de fabrication des
cellules solaires [50].
Dans la suite de ce chapitre nous nous concentrons sur la comprhension de lactivit lectrique des
dfauts cristallins et leur impact sur les performances des cellules solaires.

44

II-4-2-5. Activit lectrique des dfauts tendus


Comme mentionner auparavant, le silicium polycristallin est caractris par plusieurs dfauts
tendus. Ainsi, lutilisation du silicium polycristallin pour la fabrication des cellules solaire ncessite une
tude soigneuse de ces dfauts avec une considration de leurs proprits structurale et lectrique. Les
plus communment types de dfauts tendus dans le silicium polycristallin sont les dislocations et les
joints de grains dont les proprits sont associs leur interactions avec une varit dautres formes de
dfauts, en particulier avec les impurets qui sgrgent au niveau de ces derniers et changer leurs
comportement lectrique [51].

II-5. Effet des joints de grains sur les performances des cellules solaires
Le joint de grains est dfini comme la limite entre deux grains monocristallins voisins ayant chacun
une orientation cristallographique bien dfinie. Par ailleurs, les joints de grain ont une structure trs
complexe. Ils sont forms d'un amas d'atomes dsordonns et dcals par rapport aux rseaux
cristallins des grains adjacents. En outre, ils peuvent contenir un nombre important de dfauts qui
affectent considrablement le transport des porteurs et la diffusion des dopants dans le silicium
polycristallin.
En gnral, les dfauts localiss dans les joints de grain sont de deux types : Intrinsques et
extrinsques 38 . Les dfauts intrinsques se prsentent sous la forme de liaisons pendantes ou de
queues de bandes. En effet, par exemple, pendant le dpt chimique en phase vapeur de la couche
polycristalline, une rupture de la priodicit du rseau cristallin se produit et engendre des liaisons
interatomiques non satisfaites, appeles liaisons pendantes. Ces liaisons constituent des piges pour
les porteurs de charges et elles introduisent des niveaux profonds dans la bande interdite du silicium
polycristallin, avec une distribution des tats d'interface UM (figure II-5).

45

Figure II.5 Distribution des tats d'interface en forme de U introduite par


les dfauts intrinsques localiss aux joints des grains.

Par ailleurs, des contraintes se prsentent la surface latrale des grains et provoquent une
distorsion des liaisons inter-atomiques. Ceci rduit la largeur de la bande interdite en introduisant des
tats piges localiss au voisinage de chacune des bandes de conduction et de valence [52]. Ces tats
d'interface sont appels queues de bande. Leurs distributions notes UT, additionnes la distribution
des tats des liaisons pendantes donne une distribution des tats d'interface introduits par les dfauts
intrinsques NS(E) en forme de U localise aux joints des grains (figure II-5).
En revanche, les dfauts extrinsques sont lis la prcipitation des impurets intentionnelles
(dopants) ou non intentionnelles (chimiques et organiques) dans les joints de grain. L'interaction des
tats introduits la fois par les dfauts extrinsques et intrinsques donne lieu un phnomne de
sgrgation des dopants [53]. Ceci signifie que la quantit effective des dopants en volume est rduite.
De plus, la partie perdue est lectriquement inactive et elle ne contribue plus la conduction.
Les joints de grains agissent comme des piges pour les porteurs minoritaires et comme une
barrire de potentiel pour les majoritaires, ce qui constitue la pire des combinaisons car ainsi ils
diminuent le photo-courant, augmentent le courant dobscurit ainsi que la rsistance srie. Il semblerait
donc que les matriaux polycristallins soient inutilisables pour la conversion photovoltaque. En fait il
nen est rien, car tout dpend de la taille des grains, de leur orientation, de la profondeur de la jonction
et de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires. [54] [55].

46

II-6 Proprits optiques


La prsence de dfauts cristallins tels que les joints de grain ou les dislocations introduit une
absorption plus importante dans le silicium polycristallin que dans le mono-Si. Cette proprit est
illustre sur la figure II-6.

Figure II-6. Influence des dfauts cristallins sur les proprits dabsorption dans le
Silicium. La taille de graindu poly-Si est d 30-50 nm[56].

Les spectres dabsorption de la fig. I-1 prsentent une zone dabsorption bande bande (h
une troite rgion exponentielle (1.05 h

1.2 eV) et un coude dabsorption h

1.2 eV),

1.05 eV sous le

gap. Dans la zone centrale, le gap mesur dans le silicium poly-Si est infrieur au gap au mono-Si
(EG=1.2 eV) en raison de la prsence de queues de bandes en fonction exponentielle au niveau des
joints de grains. Dans ce poly-Si petits grains, le gap mesur correspond ainsi celui au joint de grain
(EG=1 eV). La passivation des tats de queue de bande par introduction dhydrogne atomique permet
de remonter sensiblement le gap. Labsorption sous le gap (h

1.05 eV) est due la prsence de

liaisons pendantes (aux joints de grains, ou dislocations) et galement sensible une passivation par
lhydrogne .Finalement, au-dessus de 1.25 h eV, Le dsordre cristallin au niveau des joints de grains
permet de transitions optiques qui sont interdit dans le cristal et labsorption est alors gouverne par
celle au joint de grain.

47

Dans le silicium polycristallin labsorption de la lumire pourra tre distingue selon deux domaines de
longueurs dondes :
- Pour h

1.3 eV ( 950 nm), labsorption sera gale celle dans le mono-Si,

- Pour 1.1

1.2 eV (

1000 nm 1300 nm), les queues de bande pourront donner lieu une

absorption plus leves que dans le mono-Si. Dans cette gamme de longueur donde, labsorption par
les porteurs libres peut galement contribuer augmenter labsorption de faon significative.

II-7. Mcanismes de recombinaison et dure de vie des porteurs minoritaires


dans le silicium polycristallin
Les proprits de transport des porteurs minoritaires savoir la dure de vie, la vitesse de
recombinaison en surface et la longueur de diffusion jouent un rle important dans la dtermination
des performances de cellules photovoltaques. Dans le cas du silicium polycristallin, ces proprits
dpendent non seulement de la qualit cristalline, de la puret et des dimensions du grain, du dopage
mais aussi et surtout de l'activit lectrique des joints de grain.

A) Dure de vie des porteurs minoritaires


Le dopage du silicium (p ou n) tant en gnral suprieur au taux de photognration (rgime de
basse injection), les porteurs minoritaires (lectrons dans un matriau de type p et trous dans un
matriau de type n) sont mtastables et nexisteront en moyenne que pour un temps gal la dure de
vie . Elle correspond au temps moyen entre la cration dune paire lectron-trou et sa recombinaison.
Les principaux mcanismes de recombinaison des porteurs de charge libres dans les
semiconducteurs sont : (i) les mcanismes de recombinaison via les centres profonds (ou
recombinaison Shockley-Read-Hall, SRH) introduits par les dfauts cristallins (ponctuels, linaires, 2D
et 3D) et les atomes impurets (en insertion ou en substitution), (ii) les recombinaisons radiatives ou
bande bande et (iii) les recombinaisons Auger (figure II-7). Dans les semiconducteurs gap indirects
comme le silicium cristallin les recombinaisons sont, principalement, de type SRH et Auger.

48

A ces trois mcanismes de recombinaison, on peut ajouter les recombinaisons de type SRH la surface
ou, tout simplement, recombinaisons en surface par opposition aux recombinaisons (SRH, radiatives et
Auger) qui ont lieu dans le volume. A chaque mcanisme de recombinaison des porteurs de taux UR est
associe une dure de vie par la relation [57,58] :
n

UR

II.1

Avec

n : concentration de porteurs en excs. La neutralit lectrique du matriau tant conserve,

on a :

n= p.

FigureII-7. Schmas reprsentant les diffrents mcanismes de recombinaison au sein du silicium


a) Recombinaison SRH ; b) Recombinaison Auger, lexcs dnergie peut tre transfr
un lectron (1) ou un trou (2) ;c) Recombinaison radiative.

La recombinaison peut se drouler selon plusieurs mcanismes note U i on a:

UR =

U i do

eff

RSH

rad

Auger

II.2

Dans le cas de silicium polycristallin, il est commode de prendre en compte la recombinaison dans le
grain (caractris par une dure de vie
dure de vie

jg

), la recombinaison aux joints de grain (caractris par une

), et la recombinaison en surface (

).
49

1- Dans le grain : assimil du silicium monocristallin, les principaux mcanismes de


recombinaison sont: la recombinaison Shockeley-Read-Hall (
exemple, la recombinaison radiative bande bande (

rad

SRH

) lie des impurets mtallique par

) et la recombinaison Auger (

Auger

) 59 . Dans le

cas ou ces mcanismes sont indpendantes entre eux, la dure de vie totale (ou effective) dans le grain
suppos homogne est dfinie par l'quation suivante :

RSH

Crad N C Aug ( N ) 2

II.3

Les valeurs pour le coefficient de recombinaison radiative Crad sont de lordre de 1.10-14 cm3s-1. Les
valeurs pour les coefficients Auger C Auger sont de l'ordre de 1,8.10-31 cm6s-1 pour un silicium de type n
et de l'ordre de 9,9.10-32 cm6s-1 pour un silicium de type p 60 .
Dans le cas du silicium monocristallin, les recombinaisons radiatives sont ngligeables cause du gap
indirect du silicium. En revanche, les recombinaisons Auger n'interviennent qu'aux forts niveaux de
dopage (N>1017cm-3) cause du changement important du taux de transitions inter-bandes (figure II-7).

Figure II-7. Influence du dopage sur les dures de vie Auger et SRH
dans le volume du silicium monocristallin [61]

50

Aux faibles niveaux de dopage (<1016cm-3), la dure de vie est limite par la recombinaison RSH (par
piges) et elle varie linairement avec l'inverse du niveau de dopage 61 . En revanche, la recombinaison
Auger prdomine aux forts niveaux de dopage (N>1017cm-3) et elle rduit rapidement la dure de vie.
En effet, comme lillustre la figure II-10, le mcanisme de recombinaison Auger est proportionnel au
carr du dopage et il intervient surtout dans les zones fortement dopes de la cellule photovoltaque
comme lmetteur (n+) ou la zone de champ de surface arrire (p+).
2- Dans les joints de grains et en surface: La prsence des dfauts localiss dans les joints des
grains introduisent des niveaux piges ET situs dans la bande interdite du silicium. Ces dfauts peuvent
jouer le rle de piges lectrons (ou trous) qui pigent momentanment les lectrons (les trous)
avant de les renvoyer vers la bande de conduction (la bande de valence) ce qui influence la conductivit
du semiconducteur. Par consquent, les joints des grains ou les surfaces recombinantes sont considrs
comme une interface vers laquelle les porteurs minoritaires diffusent et se recombinent, ce qui fait
intervenir le coefficient de diffusion dans le grain D n ainsi que la gomtrie du grain (en particulier la
taille de grain d).
D'aprs le modle du filament rectangulaire introduit par Shockley [62], la dure de vie effective
eff

mesure est compose de deux dures de vie, l'une en volume

supposant que

et l'autre en surface

les recombinaisons dans le grain et au joint de grain

S.

En

sont dcouples alors

l'expression de cette dure de vie est donne par l'quation suivante :

eff

2 Dn b02

II.4

O b0 est un coefficient qui satisfait l'quation suivante:

b0 .GS
b .GS
tan 0
2
2

51

S jg .GS
4 Dn

II.5

Dans le cas du silicium polycristallin, la surface recombinante considre est le joint de grain
puisque la largeur du grain est trs infrieure sa hauteur. Dans lhypothse o ( S jg .GS <<4Dn), nous
avons b02 Sjg/GS.Dn do lexpression:

1
eff

1
g

avec

jg

jg

GS
2S jg

GS
2 C NT vth

II.6

Daprs cette expression, la dure de vie dans le silicium polycristallin est proportionnelle la taille de
grain, et inversement proportionnelle la densit dtats ioniss aux joints des grains NT. La figure II-8
illustre linfluence considrable de la taille de grains sur la dure de vie effective dans le silicium
polycristallin, d'aprs le modle de Ghosh [63].

Taille de grains GS ( m)
Figure II-8. Influence de la taille de grains sur la dure de vie effective
dans le silicium polycristallin (Daprs ghosh).
Daprs ces donnes, dans du silicium polycristallin dont la taille de grain est inferieur 10 m, la dure
de vie est infrieure 5ns. Ces faibles valeurs ainsi que leur dpendance linaire avec d traduisent le fait
que la dure de vie est entirement contrle par la recombinaison aux joints de grains. La relation
empirique dduite par Ghosh est donne par :

eff

=5.10-6d, avec

eff

en s et d en m. On peut ainsi

dduire une vitesse de recombinaison Sjg effective moyenne gale Sjg=105cm /s, qui correspondrait au
silicium polycristallin avec des joints de grains non passivs.
52

B) Vitesse de recombinaison aux joints des grains


La vitesse de recombinaison au niveau du joint de grain, S jg est donne par :

S jg

US
p

(silicium de type n)

S jg

US
n

(silicium de type p)

Le calcul de la vitesse de recombinaison au joint de grain ncessite la connaissance dtaille de la


distribution de NS(E) et il est souvent compliqu. En gnral, il est approch par lexpression suivante :

S jg

vth NT

II.7

est la section efficace de capture (cm), vth est la vitesse thermique et NT est la densit dtats

dinterface effectivement actifs.


Dans cette expression, la vitesse de recombinaison est directement proportionnelle la densit des tats
dinterface ioniss. Sa valeur maximale est fixe par la vitesse thermique des porteurs:

vth

3KT
m*

1
2

107 cm / s 25C.

Le modle de Card prvoit que la vitesse de recombinaison aux joints de grains augmente de faon
monotone avec NT, avec le niveau dinjection et avec le dopage de base. Par ailleurs, en considrant
dans le cas du rgime stationnaire que les courants de recombinaison aux joints des grains et dans les
grains sont gaux, le modle de D. P. Bhatt prvoit un maximum de la vitesse de recombinaison aux
joints des grains en fonction du dopage, pour une taille de grain donne. Ceci est illustr sur la Fig. II-9.

53

Figure II-9. Vitesse de recombinaison aux joints de grain en fonction


du dopage pour diffrentes tailles de grain 64 .

Daprs ce modle, la vitesse de recombinaison est dautant plus leve que le grain est petit.
Lactivit recombinante des joints des grains atteint un maximum en fonction du niveau de dopage.
Afin dviter cette recombinaison trs nfaste, nous devons choisir selon la taille de grains, un dopage
soit plus faible soit plus lev que celui o se situe le maximum.
C)- Longueur de diffusion des porteurs minoritaires
La longueur de diffusion des porteurs minoritaires (Lp dans un matriau de type n et Ln dans un
matriau de type p) peut tre vue comme la distance moyenne quun porteur excdentaire peut
parcourir avant quil ne soit perdu par recombinaison et elle est exprime dans le cas du silicium de
type p par :

Ln

O Dn est le coefficient de diffusion et

Dn

II.8

est la dure de vie.

La longueur de diffusion Ln est gnralement compare lpaisseur de la cellule photovoltaque : Les


porteurs photognres suffisamment proche de la zone de collecte seront collectes tandis que ceux
gnrs au-del seront perdus. On voit la ncessit dune longueur de diffusion Ln leve. Cependant,
lefficacit de collecte peut tre facilite par la diminution de lpaisseur de la cellule. Un atout
54

supplmentaire des cellules en couches minces est donc permettre caractris par une faible longueur
de diffusion Ln, ce qui offre une tolrance plus leve vis vis de la qualit du matriau. La longueur de
diffusion est inhrente la dure de vie des porteurs minoritaires et elle varie sur plusieurs ordres de
grandeur.
La figure II-10 montre la variation de la longueur de diffusion en fonction du dopage, dans du silicium
polycristallin caractris par une taille de grain GS=5 m et une dure de vie

=10 ns.

Concentration de dopage NA (cm-3)


Figure II-10. Variation de la longueur de diffusion en fonction
du niveau de dopage (Daprs Edminston [65]).

Par rapport la longueur de diffusion dans le silicium monocristallin, linfluence de la


recombinaison aux joints des grains dans le silicium polycristallin se traduit par un minimum aux
alentours de 4.1016cm-3 (qui correspond au pic de la vitesse de recombinaison en fonction du dopage).
Pour des dopages plus levs, la longueur de diffusion (NA>1019cm-3) est dgrade par effet Auger.
Il semble donc que loptimum en fonction du dopage se situe autour de 2.1017 cm-3 1018cm-3,
c'est--dire un dopage suffisamment lev pour viter le pic de recombinaison aux joints de grains, mais
dans une gamme ou leffet Auger nest pas trop influent. Pour ces raisons, le dpt de silicium doit tre
ralis avec un niveau de dopage de cet ordre. Dautres paramtres tels que la taille de grain, la puret
de silicium et la passivation des tats dinterface permettront damliorer la longueur de diffusion, qui
est un paramtre crucial dans le dispositif photovoltaque 39 .

55

II-8. Conclusion
La ralisation de cellules photovoltaques base de silicium polycristallin en couche mince est
gnralement obtenue soit par transfert dune couche mince sur substrat cristallin la quelle en suite est
transfre vers un support soit par dpt direct du silicium sur un substrat adapt au procd de dpt
utilis. Pour les applications photovoltaques, un compromis entre la qualit du matriau est le cot de
sa fabrication doit tre trouv. Dans ce contexte, le procd de dpt haute temprature correspond
lobjectif de rduction des couts de production. En particulier, la recherche est oriente vers le silicium
polycristallin, car il prsente lavantage dun cot de revient relativement bas, en plus dune grande
facilit de dpt en couches minces.
Ce matriau gnralement un petit ou moyen grain de lordre de (0.1-2 m) caractris par la
prsence de dfauts cristallographiques comme les joints de grains et les dislocations. De plus, il
contient souvent des impurets mtalliques dont lactivit lectrique constitue la deuxime principale
source de recombinaison dues au pigeage des porteurs, affecte la conductivit du matriau et donc le
transport de charges. Ces centres de recombinaison sont gnralement rduits par extraction des
impurets mtalliques par effet getter, puis par passivation des dfauts de structure par hydrognation.
Par consquent, les exigences sur la qualit cristallographique devraient tre moins rigoureuses et
permettent l'utilisation des procds de dpt simples, rapides et moins coteux, tel que l'pitaxie en
phase liquide (LPE) ou le dpt chimique en phase vapeur (CVD).
Pour cela, le chapitre suivant sera consacr au procd de dpt de pc-Si sur un substrat tranger par
les techniques de CVD.

56

Chapitre III
---------------Procdes de dpts du silicium
polycristallin en couches minces
sur substrat tranger
-----------------------------------------

III-1 Introduction
Lamlioration de la vitesse de croissance et de la taille des grains des couches dposes peut
tre obtenue par une lvation de la temprature des valeurs comprises entre 600C et 1410C
[66]. Dans cette approche, il est ncessaire de choisir des substrats adapts, selon les critres que
sont la vitesse de dpt (ou le cot), la puret du silicium dpos et la taille des grains. Cette
dernire se compte en microns mtres (0.1 100 m).
Les substrats utiliss doivent alors avoir une bonne rsistance aux tempratures de dpt, un
coefficient dexpansion thermique proche de celui du silicium afin dviter les tensions
mcaniques dans la couche lors du refroidissement et enfin un faible cot pour une utilisation
chelle industrielle. Ces contraintes limitent ce choix des substrats de silicium ou des substrats
de type cramique comme la mullite, la silice, lalumine, le graphite ou encore le carbure de
silicium.

III-2 Llaboration dune cellule photovoltaque en couches minces


Comme le montre la figure III-1, llaboration dune cellule photovoltaque en couches
minces passe par une tape de dpt sur un substrat, la ralisation de la jonction n-p (dopage de
la couche dpose), le dpt dune couche antireflet et enfin la ralisation de contacts mtalliques.
Selon la nature du substrat et la temprature de dpt utilises, des tapes intermdiaires sont
retenues comme la recristallisation des couches de silicium afin daugmenter la taille des grains, la
passivation des dfauts cristallins, ou encore le dpt dune barrire de diffusion pour prvenir la
contamination des couches dposes par les constituants du substrat

Recristallisation-

Dpt dune

Passivation

couche anti-reflet

Dpt de la couche

Ralisation de la

Ralisation de

mince de silicium

jonction n-p

contacts mtalliques

Figure III-1 : Etapes retenues pour la ralisation d'une cellule


photovoltaque en couches minces 41

57

III-3. Techniques de dpt de silicium sur substrat tranger


Llaboration de couches minces de silicium consiste en la ralisation directe du dpt sur un
substrat. Ce dpt peut tre obtenu partir dune source de silicium solide, liquide ou gazeuse.
Dans la voie haute temprature, deux techniques sont en comptition, la croissance par pitaxie
en phase liquide (EPL) dont le principal inconvnient est l'utilisation d'un substrat cristallin, et les
dpts chimiques en phase vapeur (CVD) qui peuvent tre effectus sur une large varit de
substrat. Nous allons donns dans la suite plus dinformation sur le principe de la CVD et le
Racteur RT CVD qui est extrmement utile la ralisation de structure multicouches.

III-3-1. Techniques de dpt en phase liquide


Lune des mthodes les plus utilise pour llaboration de couches minces de silicium en
phase liquide est la mthode dpitaxie en phase liquide (EPL). Dans cette technique, un substrat
de silicium est plong dans un bain mtallique liquide satur en silicium dont la temprature est
progressivement abaisse une vitesse de 10C.h-1 50C.h-1[67], [68]. Durant labaissement de la
temprature une sursaturation de la solution a lieu provoquant le dpt du silicium sur le substrat.
Le dopage des couches peut tre ralis par introduction dlments dopants dans le bain fondu.
Les couches obtenues sont dposes une vitesse de croissance qui atteint actuellement
4 m.mn-1[69], et ont gnralement une paisseur comprise entre 20 m et 30 m. Le rendement
de conversion de ces couches est nanmoins limit 10% cause de la faible taille des grains et
des phnomnes de recombinaison des porteurs de charge aux joints de grains [41].

III-3-2. Techniques de dpt en phase gazeuse


Pour les applications photovoltaques, Lun des problmes majeurs, pour la fabrication des
cellules solaires, est la possibilit d'obtenir des matriaux en couches minces de bonne qualit,
faible cot et en grande surface. Pour avoir des chantillons faible cot, il faut travailler
temprature modre avec un appareillage simple, le dpt chimique en phase vapeur CVD
(Chemical Vapor Deposition) obit ces critres. Il permet aussi d'avoir une bonne qualit
cristalline, car les cristallites obtenues sont bien formes et de grandes dimensions [70].

58

III-4. Principe du dpt chimique en phase vapeur "CVD"


Pour les applications photovoltaques, le dpt direct en phase gazeuse par des techniques
CVD semble tre le mieux adapt car il offre la possibilit davoir de grandes vitesses de dpt
(>1 m. min-1) et un matriau caractris par un haut rendement de conversion.

III-4-1. CVD dpt chimique en phase gazeuse


Le dpt chimique en phase gazeuse (CVD) est une tape cl dans la fabrication des
composants semi-conducteurs. Il consiste former une couche solide (cristalline ou amorphe)
la surface d'un substrat par dcomposition et/ou ractions chimiques en phase gazeuse des
ractifs (espces chimiques). En gnral, l'quipement ncessaire pour un dpt CVD se
compose de trois parties principales, comme il est montr sur la figure III-2.

Figure III-2. Principales parties d'un quipement de dpt CVD

Le systme de manipulation des gaz est utilis afin de contrler les dbits des gaz (quantits
des ractifs) transports au racteur et ncessaires au dpt. Il doit alimenter le racteur en
prcurseurs volatils "purs" et contenant les constituants du film dposer seulement. Par ailleurs,
le racteur est plus difficile dans sa conception et il doit permettre le transport, la dcomposition,
les ractions en phase gazeuse des prcurseurs et favoriser la diffusion la surface du substrat
pour assurer une formation adquate du film. Enfin, les produits secondaires des ractions sont
dgags par le systme d'chappement (pompe mcanique, soufflerie,). Parfois, il est impratif
de traiter les effluents pour conserver un environnement propre.

59

En pratique, la partie la plus importante du dpt est effectue au niveau du racteur o se


fait la croissance de la couche suivant plusieurs tapes physico-chimiques.
Ces tapes sont illustres sur la figure III-3 et peuvent tre rsumes successivement comme suit:
1. transport de masse des gaz de l'entre du racteur jusqu'au voisinage de la zone de dpt
2. ractions des gaz en phase gazeuse donnant lieu la formation des prcurseurs et produits
secondaires
3. transport de masse des prcurseurs vers la surface
4. adsorption des prcurseurs la surface du substrat
5. diffusion des espces la surface vers les sites prfrentiels de croissance
6. incorporation des constituants du film dans la couche croissante
7. dsorption des produits volatils forms lors de la raction et diffusion des produits
secondaires hors de la zone de dpt
8. transport de masse de ces produits vers la sortie du racteur.

Figure III-3. Schma descriptif d'un dpt en phase vapeur chimique 71 .


Toutes ces tapes se prsentent au cours d'un dpt CVD de faon squentielle et le taux de
dposition est dtermin principalement par l'tape la plus lente. De ce fait, chaque tape du
dpt doit tre rigoureusement contrle afin d'obtenir une couche "reproductible" d'paisseur
uniforme, de composition homogne et de qualits physicochimiques dsires. Par ailleurs, un tel
contrle ncessite des notions approfondies de thermodynamique, de transfert thermique, de
chimie cintique, de diffusion et d'hydrodynamique, responsables de la ralisation de chacune des
tapes cites[40].
60

III-4-2. Diffrents type de racteur CVD


Parmi les diffrents types de racteur CVD utiliss pour les applications photovoltaques :
A) Le Racteur LPCVD : (Low pressure chemical vapour deposition) permet la ralisation de
cellules photovoltaques en silicium cristallin basse pression [72]. Le dpt est ralis une
temprature de 1000C et une pression de 1mbar avec une vitesse de croissance comprise entre
1 et 4 m.min-1. La couche obtenue a une paisseur variant entre 1 et 10 m.
B) Le Racteur (HWCVD : Le dpt chimique en phase vapeur par filament chaud permet,
partir dun mlange de silane et dhydrogne, la ralisation de couches minces de silicium
intrinsques et dopes [73], [74]. Le filament, gnralement en tungstne ou en tantale, est port
une temprature comprise entre 1300C et 1900C. Il permet la dissociation du mlange gazeux
et lobtention dune couche mince de silicium sur un substrat, dont la temprature est
gnralement infrieure 500C. Le silicium est dpos une vitesse de lordre de 100 nm.min -1
[75], et est de type micro cristallin avec des grains dune taille de lordre de 30 nm. Lpaisseur
des dpts est gnralement de lordre de 1,5 m. Il est galement possible deffectuer le dopage
des couches par addition de B2H6 ou PH3 au mlange gazeux.
C) Le Racteur (PECVD): Les couches de silicium microcristallin peuvent galement tre
obtenues par CVD (plasma enhanced chemical vapour deposition) partir dun mlange de silane
SiH4 fortement dilu dans de lhydrogne. A de basses tempratures, cette technique permet
llaboration de couches de silicium polymorphe hydrogn de quelques nanomtres dpaisseur
sur des substrats de verre, feuilles de polymre ou dacier inoxydable, avec une vitesse de dpt
de lordre de 6 nm.min-1 15 nm.min-1. Avec llvation de la temprature du substrat autour de
450C, il est possible dobtenir des couches microcristallines [76]. Cette technique est galement
utilise pour la ralisation de cellules tandem constitues de silicium amorphe hydrogn et de
silicium microcristallin qui atteignent actuellement des rendements de conversion compris entre
10% et 12% [77].
D) Le Racteur (VHF-PECVD) : Afin daugmenter les vitesses de dpt, certaines quipes de
recherche ont dveloppes des installations utilisant des lectrodes haute frquence VHFPECVD [78] (Very High Frequency PECVD) pour le dpt de silicium microcristallin.
Lexcitation haute frquence permet dobtenir une plus forte dissociation de lhydrogne et du
61

silane, ncessaire une vitesse de dpt leve. Cette technique a permis llaboration de couches
microcristallines caractrises par des tailles de grains de lordre de 10 nm avec une vitesse de
dpt de lordre de 65 nm.min-1[79].
F) Le Racteur (RT-CVD): La technique de dpt dveloppe au Laboratoire Phase de
Strasbourg permet en revanche de faire crotre des couches de silicium pression atmosphrique
par recuit thermique en phase gazeuse (RTCVD) 38 40 . Les couches sont dposes sur un
substrat tranger peu coteux (mullite, alumine,).
Le plus important vient du fait que la raction est dclenche par le changement de temprature
du substrat, et non par le flux de gaz, ce qui rduit le bilan thermique et les risques de
contamination de la couche. De plus, les vitesses de croissance peuvent atteindre 10 m/min
1200 C, soit deux minutes pour dposer une couche. Nous allons donner ci-dessous, plus
dinformations sur ce racteur.
Le tableau ci-dessous regroupe les caractristiques des diffrents procds de dpt de couches
minces sur substrat ainsi que les proprits des dpts obtenus.
Technique
HWCVD

Nature du
substrat
Verre, Polymres

Temprature
du substrat
500C

Vitesse de
dpt
100 nm.min-1

Epaisseur
des couches
1.5 m

Taille des
grains
30 nm

PECVD

Verre, Polymres

500C

15 nm.min-1

0.8-1 m

5 nm

VHD-PECVD

Verre, Polymres

500C

65 nm.min-1

0.8-1 m

10 nm

Silicium

900C

5 m.min-1

20-30 m

1-10 m

600-1000C

1-4 m.min-1

1-10 m

LPE
LPCVD
RTCVD

Cramique
(mullite, SiO2...)

1000-1250C

4-10 m.min-1

4-50 m

0-15 m

Projection par
plasma thermique

Cramique :
mullite

1410C

100 m.min-1

100 m-1mm

100-250 m

Tableau III-1. Caractristiques des diffrentes techniques de dpt de couches minces de silicium cristallin 41

62

III-4-3. Sources chimiques pour un dpt de silicium


Il existe diffrents sources chimiques (prcurseurs) utilises principalement dans le dpt de
silicium par CVD qui peut tre du SiCl4, SiHCl3, du SiH2Cl2 et du SiH4.
1)

partir du Ttrachlorosilane, SiCl4, la raction est :

SiCl4gaz + 2H2 gaz Si sol + 4HCl gaz


Elle s'effectue en gnral autour de 1250C, ce qui entrane durant l'pitaxie une redistribution
importante des dopants.

2) partir de Trichlorosilane, SiHCl3, la raction est

SiHCl3 gaz + H2 gaz Si sol + 3HCl gaz


Elle s'effectue en gnral autour de 1100C, c'est la mthode industrielle la plus utilise
actuellement.

3) partir de la pyrolyse du Dichlorosilane, SiH2Cl2, la raction est :

SiH2 Cl2 gaz Si sol + 2HCl gaz


Cette raction permet d'obtenir une bonne qualit du cristal avec une vitesse de dpt
relativement leve. L'ensemble des trois mthodes ci-dessus prsente l'inconvnient de produire
de l'acide chlorhydrique qui peut attaquer le silicium en cours de croissance. Par contre, on peut
jouer sur la pression partielle de ce compos pour contrler la croissance.
4) partir du Silane, SiH4 :
La raction de pyrolyse du silane est une raction irrversible :

SiH4 gaz Si sol + 2H2 gaz


Cette raction s'effectue 1000C sans composs chlors. Cette technique permet de raliser des
jonctions abruptes puisque la temprature n'est pas trs leve, mais le silane est un produit
coteux et dangereux (il s'enflamme instantanment l'air libre) et la vitesse de dpt est faible.
63

III-5. Dpt CVD assist par lampes halognes (RT-CVD)


III-5-1. Le procd RT-CVD
Pour raliser le dpt de silicium en couches minces en vue dapplications photovoltaques,
plusieurs mthodes existent, lun des procds les plus connus est le dpt chimique en phase
gazeuse (ou Chemical Vapour dposition) CVD assist par lampes halognes comme source de
chaleur. Il est communment appel Rapid Thermal chemical (RT-CVD). Le procd RT-CVD
emprunt son nom une technique introduite la fin des annes 60 par IBM : le procd RTP,
ou procd thermique rapide (PTR). Son principe est bas sur le transfert de chaleur d'une source
de radiation vers le substrat en une trs courte dure de temps, ce qui rduit son bilan thermique
et produit des vitesses de monte et de descente en temprature considrables (200C/s) 80 .

III-5-2. Prsentation du racteur RT-CVD 39 40


Le racteur horizontal parois froides JetLight 100 conu et dvelopp par la socit
Jiplec (France) a tait utilis au cours de plusieurs expriences ralises au Laboratoire Phase. La
figure III-4 montre les photographies de la chambre du racteur ( gauche) et de l'quipement
entier ( droite).Un schma en coupe verticale du racteur est reprsent sur la figure III-5. La
chambre de raction est section rectangulaire (19cm x 7cm) et d'une longueur de 50cm. Ses
parois sont en acier inoxydable 316L lectro-poli et refroidies par circulation d'eau. L'entre et la
sortie des gaz se font de part et d'autre du racteur dans le sens longitudinal. La partie infrieure
de la chambre est monte sur un vrin et constitue une ouverture d'accs pour le chargement et le
dchargement des substrats.

Figure III-4. Photographies du racteur RT-CVD du Laboratoire Phase


64

Il permet de dposer une couche trs mince sur un substrat tranger peu coteux (mullite,
alumine,) par dcomposition pyrolytique du SiHCl3 dilu dans de lhydrogne. Durant la phase
de dpt, la surface du substrat est chauffe une temprature comprise entre 1000C et 1250C
grce une douzaine de lampes halognes filament de tungstne. Dans ce cas, la raction de
dpt est dclenche par la temprature du substrat et non par le flux de gaz. Le dopage des
couches au bore est ralis par introduction de trichloroborane BCl3 dans le mlange gazeux. Les
couches sont obtenues des vitesses de croissance comprise entre 4 m.min-1 et 10 m.min-1, et
sont caractrises par des paisseurs qui varient entre 4 m et 50 m et des tailles de grains
comprises entre 0,5 m et 15 m.

Figure III-5. Schma du racteur RT-CVD du Laboratoire PHASE (JetLight100, Jiplec)


PPM : Pompe palettes
V1, 2 : Vannes lectro-pneumatiques

65

III-5-3. Morphologie de la section transversale des couches Si-poly/mullite


La figure III-6 montre des images de la section transversale des couches minces de silicium
polycristallin dposes sur des substrats de mullite.

Figure III-6.Vue extrieure a) dune couche mince de silicium polycristallin dpose


sur un substrat de mullite 1050C b) section transversale 81

Le matriau rsultant, dpos des vitesses de 4-5 m/min, est du silicium polycristallin
petits grains (quelques micromtres) dont il faut amliorer les proprits structurales
(taille des grains, grains colonnaires, dislocations ) et lectroniques (mobilit et dure de vie
des porteurs ). Augmenter la taille des grains permettrait de rduire la densit des joints de
grains et en consquence d'amliorer la collecte et donc le rendement. Parmi les alternatives pour
aboutir des tailles de grains importantes, plusieurs mthodes sont explores : le dpt CVD sur
surface visqueuse (CVD-OGL), la cristallisation en phase liquide (ZMR) et la cristallisation
induite par aluminium (AIC) du silicium amorphe 82 .

66

III-6. Le substrat de mullite


III-6-1. Le choix du substrat tranger
Llaboration de couches minces hautes tempratures a pour avantages laugmentation de
la vitesse de croissance et de la taille des grains du matriau, mais ncessite lemploi de substrats
adapts aux tempratures de travail. Le choix de ce substrat doit satisfaire un grand nombre de
critres que sont :
- Une rsistance aux tempratures de dpt, RT-CVD (900-1200C)
- Une rsistance leve aux chocs thermique,
- Un coefficient dexpansion thermique proche de celui du silicium afin dviter les fissures et
le dcollement dans la couche lors du refroidissement,
- Un confinement efficace de la lumire dans la couche mince de silicium (substrat non
absorbant et servant de rflecteur arrire),
- Un faible cot pour une utilisation chelle industrielle (rapide et peu couteux).
Ces contraintes limitent ce choix des substrats de silicium ou des substrats de type cramique
comme la mullite, la silice, lalumine, le graphite ou encore le carbure de silicium.
Le tableau-2- regroupe les principales proprits des substrats les plus frquemment utiliss par la
voie haute temprature :
Si

Al2O3

Mullite

C graphite

SiC

T maximale (0C)

1410

1500

1700

1400

2000

Coefficient dexpansion

3.9

8.5

3.5

4.7

-----

30

-----

120

-6 0 -1

Thermique (10

C )

Conductivit thermique

Proprits optiques

Prix

Absorbe

Transparent :

Transparent :

Absorbe

Absorbe

la lumire

rflecteur

rflecteur

la lumire

la lumire

Incidente

arrire

arrire

Incidente

Incidente

lev

Faible

faible

faible

lev

Tableau III-2. Proprits des diffrents matriaux hautes tempratures retenus comme substrat 41

67

Le choix dun substrat tranger doit tenir en compte la possibilit dutiliser le substrat
comme rflecteur arrire. La famille cramique des carbures (graphite, carbure de silicium SiC,
etc..) est gnralement absorbant et donc dfavorable dun point de vue confinement optique.
Par opposition les cramiques riches en oxygnes (Alumine, Mullite) ont la particularit de
rflchir la lumire de faon diffuse, ce qui est trs favorable pour le pigeage de la lumire dans
la couche mince de silicium. Par ailleurs, la mullite (3Al2O3-2SiO2) est prfrable lalumine
(Al2O3) en raison de son coefficient de dilatation proche de celui du silicium 58 , ainsi, les
mullites offrent une rflectivit de la lumire d'incidente environ de 80-90% et donc la possibilit
pour agir en tant que bon rflecteur arrire 81 .
-

Ce rflecteur arrire peut reflter des photons l'intrieur de la cellule. Ainsi, ils
prolongent leur trajet, facilitant leur absorption, tout en diminuant la vitesse de
recombinaison en surface des porteurs minoritaires dans la rgion de base. La rflectivit
interne devrait tre aussi leve que possible permettant un bon pigeage des photons.

A partir de ces diffrents critres, le choix du substrat le mieux adapt sest port sur la mullite,
nous prsentons maintenant les caractristiques de la mullite en gnral.

III-6-2. La mullite
La mullite tire son nom de lile de Mull, en Ecosse, o ce minral existe ltat naturel sous
forme de dpts forms par le contact dargiles avec un magma volcanique, haute temprature.
Elle a t identifie pour la premire fois par Bowen en 1924[83]. Sa composition chimique a t
dtermine initialement comme tant 3Al2O3-2SiO2 [84].
La mullite est un matriau trs important la fois dans le domaine des cramiques
traditionnelles et dans celui des matriaux avancs car cest le seul compos stable du systme
silico-alumineux. Du fait de ses proprits thermomcaniques leves, elle permet des
applications comme matriau de structure dans le domaine des hautes tempratures. La mullite
est aussi un trs bon isolant lectrique et possde galement des potentialits de dveloppement
comme substrat lectronique. Les substrats cramiques jouent un rle trs important dans les
performances leves des produits lectroniques.

68

III-6-2-1. Proprits de la mullite


a)Proprits morphologiques
Les substrats de mullite gnralement utiliss, ont une forme carre ou rctangulaire, avec des
dimensions variant entre 1cm et 7cm de cot et des paisseurs variables entre 300 m et 1.2mm.
Dun point de vue macroscopique, les cramiques sont des matriaux homognes, mais au niveau
microscopique, elles sont formes de grains de tailles variables de 0.1 100 m agglomrs entre
eux et spars par des joints de grains ou des vides (Figure III.7)

Figure III-7. Microscopie lectronique de surfaces des mullites [38].

b) Proprits mcanique
La mullite est un matriau rfractaire trs attractif de part ses proprits physiques et
mcaniques dont le tableau III.3 prsente un aperu [85]. On notera quelle possde, en outre,
une bonne stabilit thermique, une rsistance leve aux chocs thermiques, une forte rsistance
aux agents chimiques, aux atmosphres oxydantes et labrasion ainsi quune rsistivit lectrique
leve. Les principales proprits mcaniques de la mullite :
Proprits
Densit

3.03

Module dYoung

130 GPa

Coefficient dexpansion thermique

4.5-5.6.10-6/C

Conductivit thermique

4.0-6.0W/m.K (100-1400C)

Temprature maximale

1725C ( lair)

Tableau III-3. : Proprits physiques et mcaniques typiques de la mullite [85].


69

c) Proprits optiques
Un confinement optique efficace de la lumire dans la couche mince de silicium est essentiel
car il doit permettre de rduire sensiblement lpaisseur du film silicium, sans perdre en
rendement dabsorption. Les mesures optiques de rflectivit R

et de transmission T des

substrats de mullite permettent de dduire labsorption A=1-R-T (daprs la loi de conservation).


La figure III-8 prsente des mesures effectues sur deux chantillons dpaisseur 340 m et
930 m.

Figure III-8. Coefficient de rflexion R. transmission T et absorption A des cramiques


mullite pour diffrentes paisseurs : mise en vidence de la rflexion diffuse de la mullite[38].

Dans le domaine UV, la mullite (comme lallumine) est caractrise par une forte

absorption. Cependant, ces longueurs donde seront absorbes dans la couche de 5-15 m de
silicium, bien avant davoir atteint le substrat [23].
-

Dans le domaine visible-proche IR, la mullite nabsorbe pas la lumire. En effet la

rflectivit des substrats de mullite peut atteindre des valeurs leves jusqu' 80%, selon la
puret, la densit ainsi que lpaisseur du substrat. (Laugmentation de lpaisseur se traduit
par une rflectivit plus importante).
La dpendance du coefficient de rflexion en fonction de lpaisseur, clairement mise en
vidence par ces mesures, dmontre le caractre diffus de la rflexion dans ce type de substrat.
Cette proprit de diffusion est lie au trajet compliqu de rfraction et de diffusion de la lumire
aux grains et joints de grains lintrieur de la cramique [86].

70

Les proprits optiques naturelles offertes par le substrat de mullite, sont trs intressantes du
point de vue applications photovoltaque en permettant un confinement optique dans la couche
silicium. En effet, le substrat sert de rflecteur arrire en rflchissant les rayons lumineux dans
toutes les directions (et non pas dune faon spculaire seulement).figure III-9

Figure III-9. Reprsentation schma du trajet des rayons


Lumineux dans les chantillons Si/mullite

III-6-2-2.laboration de la mullite
Les procds et matires premires utiliss pour llaboration de la mullite sont multiples
(mlanges doxydes, dhydroxydes, voie sol-gel). Parmi ces diverses mthodes 87 :

- laboration de la mullite partir de Largile et lalumine suivant la raction :


(Al2O3,2SiO2,2H2O) + 2Al2O3

(3Al2O3,2SiO2) + 2H2O

- laboration de mullite partir dalumine et de silice suivant la raction :


3Al2O3 + 2SiO2

(3Al2O3, 2SiO2)

- laboration de mullite partir de cyanite ou de sillimanite suivant la raction :


3(SiO2,Al2O3)

(3Al2O3,2SiO2) + SiO2

71

- Voie sol-gel pour llaboration de mullite:


Cest lune des seules voies qui permette sans doute dobtenir de la mullite ltat pur. La
mthode la plus simple, consiste faire ragir de la silice collodale avec un gel dhydroxyde
daluminium :

2SiO2 + 6Al(OH)3

(3Al2O3,2SiO2) + 9H2O

- laboration de mullite partir de laluminium mtallique


- laboration de mullite partir de dchets).

III-7. Architecture dune cellule solaire en couche mince dpose sur un


substrat tranger
Larchitecture de la cellule photovoltaque, cest dire sa gomtrie et la disposition des
contacts lectriques n et p, dpend de la nature du substrat utilis : quil soit conducteur ou
isolant. Dans le cas o le substrat est lectriquement conducteur (exemple du graphite),
llaboration de la cellule se fera selon un procd classique (contacts sur chacune des faces) avec
la ralisation dune jonction n-p par diffusion thermique de phosphore, la passivation des dfauts
cristallographiques, le dpt dune couche antireflet (TiO 2), la mtallisation de la face arrire et
enfin la mise en place dune grille de collecte sur la face avant Figure III-8.

Figure III-8. Structure classique d'une cellule photovoltaque sur substrat conducteur

72

Par ailleurs, lutilisation de substrats isolants (alumine, mullite ) exige une certaine architecture
des contacts lors de la ralisation de photopiles. Plusieurs types de structures de cellules sont
raliss : Structure contacts interdigits (IDC) (fig. III-10) Structure msa (MC)(fig. III-11), et
structure htrojonction (HTJ).Contrairement aux structures MC et IDC pour lesquelles la
rgion metteur est forme par diffusion du phosphore partir de source solide formant en
mme temps la structure TREBLE, pour la structure HJT la rgion de lmetteur est assure par
une double couche de silicium amorphe intrinsque puis fortement dop n.

Figure III-10. Structure d'une cellule P.V


sur substrat isolant : Cellule contacts interdigits

Figure III-11. Structure d'une cellule P.V


sur substrat isolant : Cellule msa.

III-8. Conclusion
Pour les applications photovoltaques, et afin de pallier au problme de cot qui freine le
dveloppement classique des photopiles, plusieurs solutions on t dveloppes notamment dans
les cellules en couches minces. Le dpt directe de silicium polycristallin par un procd haute
temprature en phase vapeur chimique par recuit thermique rapide RT-CVD sur substrat
tranger correspond le mieux aux exigences de bas cot dune filire couche mince comptitive.
Dans cette approche, il est ncessaire de choisir des substrats adapts aux tempratures
retenues pour le procd comme les substrats de type cramique particulirement la mullite. Ces
substrats jouent un rle trs important sur les performances photovoltaques, car ils prsentent
une bonne tenue mcanique, une rsistance la temprature et une bonne rflectivit de la
lumire et par consquent un bon confinement optique lintrieur de la couche silicium.
Dans le chapitre suivant, nous nous attacherons optimiser larchitecture, la gomtrie et les
profils de dopage des cellules photovoltaques base pc-Si en couches minces dpos sur un
substrat en cramique (mullite), nous avons utilis la simulation effectue avec le simulateur
PC1D.

73

Chapitre IV
---------------Simulation des cellules solaires
base de Silicium polycristallin
en couche mince dpos sur un
substrat cramique

-----------------------------------

IV-1 Introduction

La filire silicium en couche mince de lindustrie photovoltaque privilgie la diminution


de lpaisseur des cellules dans un but de la rduction du cot de la matire. Cependant cette
diminution saccompagne dune dgradation des performances des cellules par la recombinaison
des porteurs en face arrire.
La rduction de lpaisseur des cellules doit donc tre accompagner par un pigeage efficace
de la lumire dans la couche mince, de la limitation de la vitesse de recombinaison des porteurs
au niveau du contact de la base. Le pigeage peut tre obtenu par le recours combin aux couches
antireflet, la texturation des interfaces ou un rflecteur en face arrire. Ce dernier point pu
tre rsolu par un choix appropri du substrat trs rflchissant.
Dans ce chapitre, nous allons prsenter le calcul du rendement dune cellule photovoltaque
par la simulation laide du logiciel PC1D, ainsi que leffet des diffrents paramtres physiques et
technologiques sur les performances photovoltaques des cellules solaires en couches minces
base du silicium polycristallin dpos sur un substrat en cramique (mullite).

74

IV-2. Optimisation des cellules solaires conventionnelles


Quelque soit la structure dune cellule solaire, une optimisation de ses paramtres est
ncessaire pour avoir un bon rendement. Habituellement, les paramtres optimiser sont
lpaisseur de la cellule, les niveaux et les profils de dopage, et le confinement optique. Les valeurs
des paramtres optimaux dpendent, bien sr, de la structure de la cellule solaire, de la qualit du
matriau du substrat (dur de vie, mobilit, longueur de diffusion), de la vitesse de recombinaison
en surface (faces avant et arrire), etc. L'optimisation da la cellule solaire comprend donc
l'tude de l'influence de ces paramtres sur le rendement afin dobtenir une structure conduisant
au rendement maximum.
La simulation prsente ainsi les avantages suivants :
- elle permet dviter la fabrication de plusieurs prototypes de cellules avec des paramtres
diffrents ;
- elle est indpendante de la technologie utilise (on peut donc faire varier largement les
paramtres) ;
- on peut sparer linfluence de chaque zone de la cellule dans le cas de paramtres
interdpendants (par exemple: mobilit, longueur de diffusion et dure de vie).
Les logiciels les plus utiliss pour la simulation numrique sont PC1D ; ISE ; TCHAD ; Silvaco.
Dans notre cas, nous avons utilis le simulateur de dispositifs, le PC1D.

IV-3. Logiciel de simulation : PC1D


IV-3-1. Aperu du logiciel
Le programme PC1D (personnel computer one-dimensionnel) a t labor par Paul A.
Basaure durant ses travaux de recherche la facult dingnierie lectrique luniversit dIowa, et
fut rendu public, pour la premire fois, aprs lavoir annonc la 18me confrence sur le
photovoltaque IEEE PVSC (dcembre 1985).
Le PC1D est lun des programmes qui a t labor pour modliser et exploiter les composants
semi-conducteurs, notamment les composants photovoltaques. Il est capable de rsoudre les
quations couples non linaires qui gouvernent les phnomnes physiques du dispositif tudi.
A laide du PC1D, la comprhension des cellules solaires et leurs phnomnes physiques internes
tels que le mouvement des porteurs minoritaires la recombinaison et la photognration, devient
aise. Les rsultats de la simulation, sont trs proches des rsultats exprimentaux, donc cest un
gain de temps et dargent.
75

IV-3-2. Lenvironnement de PC1D


La fentre du logiciel PC1D est prsenter sur la Figure IV.1, ce logiciel se divise en quatre
parties, les trois premires sont pour la programmation ; o il faut introduire les paramtres du
dispositif, des rgions et de lexcitation. La quatrime partie concerne les rsultats de la
simulation.

Figure IV-1. Fentre du logiciel PC1D utilis en simulation numrique


Elle contient toutes les donnes ncessaires pour faire une simulation des cellules solaires.
Beaucoup damliorations ont t apportes sur cette interface, cette page nous permet de bien
simuler une cellule solaire. La structure technologique de la cellule tudier est prsente dans
cette interface. Cette dernire peut comprendre jusqu 5 couches empiles. Chaque couche est
prise en charge par le simulateur travers la fiche suivante :

76

Epaisseur de la couche
Type de matriau utilis
Mobilit des porteurs
Constante dilectrique du matriau
Energie du gap
Concentration intrinsque
Indice de rfraction
Coefficient dabsorption
Dopage de la couche
Diffusion avant (paisseur et dopage)
Diffusion arrire (paisseur et dopage)
Recombinaison en volume (dure de vie des porteurs)
Vitesse de recombinaison lavant de la couche
Vitesse de recombinaison larrire de la couche

77

IV-3-3. Le fonctionnement du PC1D


Aprs lintroduction de toutes les donnes ncessaires au matriau tudi, ainsi que la
configuration de la cellule solaire, le simulateur permet dobtenir des rsultats.
Le fonctionnement du PC1D ncessite plusieurs critres respecter :
1- Le choix des gammes de valeurs des diffrents paramtres nest pas alatoire, elles doivent
tre ralisables par la technologie.
2- Pour des considrations numriques, les valeurs introduire, doivent tre comprises dans
des intervalles biens dtermins.
3- Pour une convergence rapide, il est indispensable de minimiser au maximum la taille des
lments finis, et choisir un nombre adquat des itrations.
4- Le bon choix des paramtres numriques.
5- Une initialisation convenable des diffrents paramtres de la simulation.
Ces critres sont ncessaires dans chaque simulation, mais ils ne sont pas suffisants.
Plusieurs fichiers externes sont aussi obligatoires pour excuter le programme, nous citons,
titre dexemple, la slection des fichiers caractrisant chaque matriau, tels que celui du coefficient
dabsorption (*.abs), et celui de lindice de rfraction (*.inr).
Le choix des fichiers dexcitation (*.exc) sont aussi ncessaires avant lexcution, ces fichiers
spcifient ltude faire, soit en obscurit (dark-iv-exc.), ou bien sous illumination, dans le dernier
cas on trouve deux fichiers (one-sun.exc, scan-qe.exc).
La slection du fichier (one-sun.sxc) permet le calcul des caractristiques (I-V, P-V) on
obtient galement le rendement

et le facteur de forme FF.

Le fichier (scanqe.exc) permet le calcul de la rponse spectrale.


Ils existent plusieurs spectres solaires standards, chacun deux spcifie lendroit de ltude, par
exemple, dans les tudes spatiales on choisi le spectre AM0, lair masse AM1.5 pour les
applications terrestres.
Le PC1D utilise trois spectres diffrents (am0.spc, am1.5g.spc, am1.5.spc).

78

IV-4. Structure simule et paramtres


IV-4-1. Structure simule
La structure de la cellule utilise pour la simulation est de type n+-p-p+ de surface 1 cm2
avec une texturisation la surface avant. Le substrat t pris en compte par un coefficient de
rflexion interne 80% (diffus).
Pour simuler linfluence des diffrents paramtres, nous avons tout dabord dfini une
cellule solaire de rfrence (conventionnelle) avec un ensemble des paramtres fixes, puis nous
avons fait varier les paramtres un par un (les autres restant fixes) afin danalyser leur influence
sur les caractristiques de la cellule solaire.
La figure IV-1 reprsente la structure et les paramtres de la cellule de rfrence utilise pendant
la simulation :

0.6 m

n+

Ns=2.1020cm-3 SF=2.104m/s

NA=1.1017cm-3

p+

N =1019cm-3
R=80%

=0.2 ( s)

29 m

SB=106m/s

4 m

Substrat

79

Figure IV-2. Structure et paramtres de la cellule de rfrence simule.

IV-4-2. Paramtres de la structure simule


Les paramtres de la cellule de rfrence sont donns dans le tableau IV-1

Emetteur n+

Valeur

Dopage

Ns= 2.1020 (cm-3)

Epaisseur

XJ = 0.6 ( m)

Base P
Dopage

NA=1.1017 (cm-3)

Epaisseur

Xe=29 ( m)

Dure de vie des minoritaires

=0.2 ( s)

BSF P+
Dopage

CBSF =1.1019 (cm-3)

Epaisseur

XBSF =4 ( m)

Passivation
Vitesse de recombinaison face avant

SF = 2.104 (m/s)

Vitesse de recombinaison face arrire

Sb=106(m /s)

Couche anti reflet CAR SiN


d= 75n.m

Epaisseur
Indice de rfraction

80

=2.03

Texturisation face avant


Angle

54.74

Depth

3( m)

Rflectivit arrire
Coefficient de rflexion interne (substrat) 80%
Tableau IV-1. Paramtre de la cellule de rfrence

IV-5. Exploitation des rsultats de la simulation


A partir de la cellule de rfrence dcrite plus haut, nous avons tous dabord fait varier
lpaisseur de la cellule, ainsi que la profondeur et le dopage de lmetteur et du BSF et ainsi que
le dopage de la base et la dure de vie. Puis nous avons analys linfluence de la vitesse de
recombinaison sur les faces avant et arrire pour dterminer les meilleurs paramtres gomtrique
de la cellule. Lensemble des variations est rsum dans le tableau IV-2.

Paramtre

Valeur minimale

81

Valeur maximale

paisseur de la cellule

0.1 m

paisseur de lmetteur

100 m
m

dopage de lmetteur

1019 cm-3

2.1021 cm-3

dopage da la base

1015 cm-3

5.1017 cm-3

dure de vie des minoritaires

0.001 s

0.2 s

dopage du BSF

1018 cm-3

5.1019 cm-3

paisseur du BSF

vitesse de recombinaison face avant

10 cm/s

107 cm/s

vitesse de recombinaison face arrire

10 cm/s

107 cm/s

Tableau IV-2. Paramtres variables pendant la simulation

1)- Influence de lpaisseur sur le rendement, Icc et Vco :


Pour tudier linfluence de lpaisseur de la cellule sur le rendement, nous avons varie cette
dernire tout en fixant les autres paramtres. Daprs les rsultats obtenus, nous pouvons
conclure que lpaisseur de la cellule est un facteur important pour labsorption des photons.
Aprs cette procdure nous avons obtenu les rsultats suivants :

82

14,0

13,0
12,5
12,0
11,5
11,0
0

20

40

60

80

100

Epaisseur Xe( m)

28
27
26

Icc(mA)

Rendement(%)

13,5

25
24
23
22
0

20

40

60

80

Epaisseur X e ( m)

83

100

614

612

VCO(mV)

610

608

606

604

602
0

20

40

60

80

100

Epaisseur Xe ( m)

Figure IV-3. Evolution du rendement, du courant de court-circuit et de la tension


de circuit ouvert en fonction de lpaisseur de la cellule Xe.

Dans la figure IV-1., nous avons report linfluence de lpaisseur de la base. On remarque
que dans lintervalle [5 ,20 m] il ya une augmentation du rendement, et lorsque lpaisseur de la
cellule dpasse 20 m on remarque quil ya une diminution du rendement.
Nous remarquons aussi que le courant de court-circuit, sa variation est peu affaiblie par
laugmentation de lpaisseur de la base, notamment pour les paisseurs suprieures 20 m. Le
courant Icc au-del de 20 m devient presque constant. Ceci peut sexpliquer par le fait que cette
paisseur est suffisante pour exploiter une large gamme du spectre solaire permettant datteindre
un rendement de 13.8%.

2)- Influence de lmetteur


Aprs avoir optimis lpaisseur de la cellule offrant le rendement de conversion
photovoltaque optimal, on essaye doptimiser ceux de lmetteur, lpaisseur et le dopage.
Nous avons vari lpaisseur de lmetteur entre [0.1-1.0] m et le dopage des donneurs dans la
gamme, suivante [1.1019-2.1021] cm-3.
Les effets de ces paramtres dans ces gammes de valeurs sont observs dans les rsultats
suivants :

Effet de lpaisseur
84

Dans la figure IV-1., le rendement photovoltaque prend la mme allure que le courant I cc, il
dcroit rapidement dans le sens positif de lpaisseur de lmetteur, cela est du au rendement
lev obtenu par rapport aux autres paisseurs plus grandes. Donc Le rendement en fonction de
la profondeur de jonction (figure III-5) est caractrise par sa diminution a cause de
laugmentation de la recombinaison avant darriver a la zone de charge despace.

14,5

Rendement (%)

14,0

13,5

13,0

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

0,8

1,0

P rfondeu r de jonction X j( m )

29,0
28,5
28,0

ICC (mA)

27,5
27,0
26,5
26,0
25,5
0,0

0,2

0,4

0,6

profondeur de jonction XJ( m)

Figure IV-4. Evolution du rendement et du courant de court-circuit


en fonction de lpaisseur de lmetteur.

Effet du dopage
85

Nous remarquons que le courant de court circuit varie trs peu en fonction du dopage de
lmetteur, par contre la variation du rendement et de la tension du circuit ouvert est
remarquable.
Dans lintervalle [1019, 1.1020] cm-3, le rendement a une valeur presque constante. Au del de
2.1020cm-3 llvation du niveau de dopage de lmetteur diminue la hauteur de la barrire de
potentiel. Une croissance du dopage de lmetteur conduit une dgradation des performances.
De cette figure nous constatons que le rendement prend sa valeur optimale pour un dopage de
lmetteur de ND=1.1020cm-3 et une paisseur de XE=0,1 m, cette paisseur permet aux porteurs
gnrs prs de la surface et qui navait pas une longueur de diffusion suffisante dtre collecter
la surface.

15

Rendement(%)

14

13

12

11

10
1E19

1E20

1E21
-3

Concentration NS(cm )

86

30

ICC(mA)

29

28

27

26
1E19

1E20

-3

1E21

Concentration N S (cm )

615

610

VCO(mV)

605

600

595

590
1E19

1E20

-3

1E 21

Concentration N s (cm )

Figure IV-5. Evolution du rendement, du courant de court-circuit et de la


tension du circuit ouvert en fonction du dopage de lmetteur.

3) Influence de la base
Effet du dopage
On remarque que le rendement en fonction du dopage de la base est faible avant quil atteint
son maximum 5.1016 cm-3, ce qui est due un effet considrable du fort dopage (excs des
recombinaisons). Aprs, il commence diminuer.

87

14,6
14,4
14,2

Rendement(%)

14,0
13,8
13,6
13,4
13,2
13,0
12,8
12,6
1 E15

1E 16

D opage de la base (cm

-3

1E1 7

32

31

ICC(mA)

30

29

28

27

26

1E15

1E16

Dopage de la base N(cm

-3

1E17

640
620
600

VCO(mV)

580
560
540
520
500
1E 15

1E 16

D opage de la base (cm

-3

1E17

Figure IV-6. Evolution du rendement, du courant de court-circuit


en fonction du dopage de lpaisseur de lmetteur.

88

Effet de la dure de vie des minoritaires


Daprs les rsultats obtenus, on peut dduire que les trois paramtres de la cellule (le
rendement, le courant de court-circuit et la tension de circuit ouvert) dpendent fortement de la
longueur de diffusion ou autrement dit, de la dure de vie. Dans la courbe du rendement en
fonction de la dure de vie des porteurs minoritaires, on remarque quil y a une augmentation du
rendement avec laugmentation de qui est due llimination des recombinaisons en volume.
Le profile du rendement de conversion photovoltaque en fonction des paramtres de la base
est montr dans la figure (IV-5). Le meilleur rendement fourni ( =14.3%) pour les diffrentes
valeurs de dopage de la base et la dure de vie qui est obtenu avec un dopage de NA=5. 1016 cm-3
et une dure de vie =0.2 s

16
14

Rendement(%)

12
10
8
6
4
2
1E-3

0,01

0,1

D ure de vie ( s)

89

30
28
26

ICC(mA)

24
22
20
18
16
14
12
1E-3

0,0 1

0,1

Dure de vie ( s)

650

600

CO

V (mV)

550

500

450

400
1 E -3

0 ,0 1

D u r e d e v ie ( s )

0 ,1

Figure IV-7. Evolution du rendement, du courant de court-circuit et de


la tension de circuit ouvert en fonction de la dure de vie.

4) Influence du BSF
Habituellement le BSF, dans les cellules solaires est ralis par formation dun alliage entre le
silicium et laluminium par exemple par Recuit Thermique Rapide (RTA) du contact p-Si/Al. La
couche BSF (Back Surface Field), a pour rle la cration dun champ lectrique retarder en face
arrire, qui permet dabaisser la valeur effective de la vitesse de recombinaison et par consquent
damliorer les caractristiques lectriques de la cellule.

90

Variation de la concentration du BSF

14,6

Rendement(%)

14,4

14,2

14,0

13,8

13,6

13,4
1E18

1E19

C oncentration BSF (cm

-3

1E20

2 9 ,5

2 9 ,0

ICC(mA)

2 8 ,5

2 8 ,0

2 7 ,5

2 7 ,0
1 E 18

1E 1 9

C o n c e n tra tio n B S F (c m

-3

1 E 20

6 20

VCO(mV)

6 15

6 10

6 05

6 00
1E 1 8

1 E 19

C o n c e n tra tio n B S F (c m

-3

1E20

Figure IV-8. Evolution du rendement, du courant de court-circuit et de


la tension de circuit ouvert en fonction de la concentration du BSF.
91

On remarque que laugmentation du niveau de dopage du BSF donne une amlioration


importante de toutes les caractristiques de la cellule solaire jusqua atteindre une valeur constante
pour 5.1019 cm-3 qui reprsente sa valeur optimale.
Comme pour lmetteur, la recombinaison dans le BSF est trs faible tant donn son
dplacement sur la face arrire de la cellule. De plus, un BSF fortement dop permet de rduire la
recombinaison au niveau du contact mtal semi conducteur.

Variation de lpaisseur du BSF


Lpaisseur de BSF doit tre importante pour assurer une rduction de la recombinaison sur
le contact au substrat, on remarque que le rendement en fonction de lpaisseur de BSF arrive
son maximum quand il devient proche de 4 m.

14,6

Rendement(%)

14,5

14,4

14,3

14,2

14,1
0

Epaisseur BSF (um)

30

28

ICC(mA)

26

24

22

20
0

Epaisseur BSF (um)

92

6 20

VCO(mV)

6 15

6 10

6 05

6 00
1

E p a is s e u r B S F (u m )

Figure IV-9 : Evolution du rendement, du courant de court-circuit


et de la tension de circuit ouvert en fonction de lpaisseur du BSF.

5) Influence de passivation
Pour examiner linfluence de la recombinaison sur les faces avant et arrire de la cellule, nous
avons fait varier ces deux paramtres sparment. Les rsultats de la simulation sont prsents sur
les figures ci-dessous.

Variation de Sf
1 5 ,0

Rendement(%)

1 4 ,5

1 4 ,0

1 3 ,5

1 3 ,0

1 2 ,5
10

100

10 0 0

1 0 0 00

S f(cm /s )

93

100000

1 0 0 0 00 0

1E7

30

28

ICC(mA)

26

24

22

20
10

100

1000

10000

100000

1000000

1E7

SF(cm/s)

620
610

VCO(mV)

600
590
580
570
560
10

100

1000

10000

100000

1000000

1E7

S F (cm/s)

Figure IV-10. Evolution du rendement, du courant de court-circuit et de la tension

de circuit ouvert en fonction de la vitesse de recombinaison face avant.

Variation du Sb
16

Rendement(%)

15

14

13

12
1

10

100

1000

10000

Sb (cm /s)

94

100000

1000000

1E7

30

28

ICC (mA)

26

24

22

20
10

1 00

10 00

10 00 0

10 00 00

1 00 000 0

1E 7

S b (cm /s )

VCO(mV)

620

618

616
10

100

1000

10000

100000

1000000

1E7

S b (cm/s)

Figure IV-11. Evolution du rendement, du courant de court-circuit et de la tension


de circuit ouvert en fonction de vitesse de recombinaison face arrire.

On constate que la vitesse de recombinaison en surface est un paramtre trs influant du


rendement des cellules solaires. La grande vitesse de recombinaison en face avant peut dgrader
compltement le rendement. Par contre, si la vitesse de recombinaison est inferieure
1000 cm/s, elle na pas dinfluence importante sur les caractristiques de la cellule. On remarque
aussi que le courant de court-circuit reste constant quelque soit la recombinaison en surface.
Nous constatons aussi que pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison la jonction, la
phototension est maximale. La phototension dcroit avec laugmentation de la vitesse de
recombinaison.

95

6)-Caractristique I(V)
La cellule solaire simule est base de silicium polycristallin en couche mince dpose sur un
substrat tranger est dpaisseur 20 m dope 1017 cm-3, avec une face avant (face claire)
texture en pyramides inverses. Le BSF est dpaisseur 4 m dop 5.1019 cm-3.
Le substrat t pris en compte par un coefficient de rflexion de 80%.
Les rsultats obtenus sont :

P max = 14.9mW

ICC = 29.4 mA

VCO = 619.5 mV

= 14.9%.

0,01

I=f(v)
I=f(p)

Courant I(A)

0,00

-0,01

-0,02

-0,03
-0,2

0,0

0,2

Tension (V)

0,4

0,6

Figure IV-12. La caractristique I(V) de la cellule solaire

7)-Rponse spectrale
La zone p/p+ engendre un champ lectrique interne et joue un rle important dans le
fonctionnement des cellules solaires. En effet, elle a quatre effets sur les performances des
cellules solaires :
Repousser les lectrons vers la jonction n+-p et amliorer le rendement de collecte des porteurs.
Motiver le pigeage des porteurs minoritaires.
Diminuer les recombinaisons en surfaces arrire des porteurs minoritaires.
Augmenter labsorption optique dune partie du spectre solaire incident.
96

Rendement quantique interne


Rendement quantique externe
Reflectance

100

R(%)

80

60

40

20

0
400

600

800

1000

1200

Longueur d'onde (nm)

Figure IV-13. La rponse spectrale de la cellule solaire avec


RQI le rendement quantique interne et R le coefficient de rflexion.

La figure IV-13 reprsente le rendement quantique interne. La rponse spectrale est obtenue en
utilisant lexpression suivante :

RS

q.(1 R)
h.v.RQI

Laugmentation significative de la rponse spectrale dans le domaine de longueur donde


> 700nm est lie la lumire rflchie par le substrat considr comme un rflecteur arrire puis
absorbe dans la zone ou les porteurs sont collects.
On observe dans le proche IR (1200nm) que la rflectivit peut atteindre des valeurs leves
jusqu' 80%

proviennent dune absorption par le silicium polycristallin, combine au

confinement optique induit par ce rflecteur arrire.

97

IV-6. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons tudi linfluence des paramtres dune cellule solaire base du
silicium polycristallin en couche mince dpos sur un substrat en cramique sur son rendement,
laide du simulateur PC1D dont la structure de cette cellule est n+-p-p+.
Le but de cette tude a t doptimiser les paramtres gomtriques et les dopages de la
cellule afin dobtenir un rendement maximum. Nous avons trouvs que le rendement de la cellule
tudie varie de faon monotone avec ces paramtres.
Dans le tableau suivant nous avons prsents les paramtres tudis par la simulation et qui
peuvent donner un bon rendement :
Texturisation

angle

54.74

Depth

3 m

Couche antireflet

Indice

2.03

paisseur

75 nm

Epaisseur de la base

20 m

Epaisseur de lmetteur

0.1 m

Dopage de lmetteur (Erfc)

1020 cm-3

Dopage de la base

1017 cm-3

Dure de vie des porteurs minoritaires

0.2 s

Epaisseur du BSF

4 m

Dopage du BSF

5.1019 cm-3

Vitesse de la recombinaison face avant

1000 cm/s

Vitesse de la recombinaison face arrire

10000 cm/s

Substrat-Coefficient de rflexion (diffus)

80%

TableauIV-3. Bilan des paramtres optimiss dune cellule solaire


base de pc-Si en couche mince dpos sur un substrat cramique.
Les meilleures performances sont :

Pmax= 14.9mW

ICC = 29.4 mA

VCO = 619.5 Mv
98

= 14.9%

Conclusion Gnrale :
La progression rapide de la demande nergtique mondiale favorise le dveloppement de
lnergie photovoltaque. Cependant, celle-ci doit relever deux dfis : le faible cot et le haut
rendement. Deux principales filires permettent llaboration des modules et des cellules
photovoltaques : La filire du silicium massif et la filire des matriaux en couches minces.
Actuellement, 80% de la production mondiale de modules photovoltaques se fait partir de
plaques de silicium cristallin de 12 cm de cot scies dans des lingots de silicium. Cette opration
de sciage engendre une perte de matire qui est de lordre de 50 %. Par ailleurs, llaboration des
lingots de silicium ncessite actuellement lutilisation dune charge issue de lindustrie
lectronique. Afin de pallier ces deux principaux verrous technologiques, divers travaux de
recherche sont actuellement en cours et concernent llaboration de cellules photovoltaques en
couches minces.
Les performances des cellules solaires couches minces sont nettement amliores depuis
quelques annes. Le silicium polycristallin est un matriau de plus en plus impliqu dans leur
fabrication car il prsente lavantage dun cot de revient relativement bas, en plus dune grande
facilit de dpt en couches minces. La taille de grain du polysilicium joue un rle dominant dans
la dtermination des proprits lectriques et photovoltaques du silicium. Les joints de grain
agissent en tant que piges et centres de recombinaison. Pour rduire la densit de ces joints et
amliorer le rendement, il faut augmenter la taille de grains qui peut tre obtenue par une
lvation de la temprature des valeurs comprises entre 600C et 1410C.
Les techniques de dpts de films minces haute temprature ncessitent l'utilisation de
substrat cramique, qui tolre les tempratures les plus leves, jusqu' les tempratures de
fusion de silicium (1410C) et quil doive avoir un coefficient dexpansion thermique proche de
celui du silicium, et un faible cot pour une utilisation chelle industrielle. Ces contraintes
limitent ce choix des substrats comme la mullite, la silice, lalumine, le graphite ou encore le
carbure de silicium. Par ailleurs, le principal handicap du silicium cristallin est sa faible capacit
dabsorption de la lumire. Afin de rduire lpaisseur de la couche mince silicium sans perdre en
efficacit dabsorption, il devient ncessaire de piger efficacement la lumire dans la couche
mince. Le choix dun substrat tranger doit donc tenir compte de la possibilit dutiliser le
substrat comme rflecteur arrire. Seuls lalumine ou la mullite parmi les substrats de type
cramique qui ont la particularit de rflchir la lumire.
98

Cependant, la mullite possde un coefficient de dilatation trs proche de celui du silicium


par apport lalumine et offre une rflectivit importante de la lumire incidente environ de
80%. Pour ces raisons, le matriau pc-Si sur mullite est destin des applications photovoltaques
et qui pouvant tre labor par plusieurs procdes de dpts conomique rapide et peu couteux.
Donc pour parvenir cet objectif, la simulation laide du logiciel PC1D a t choisie pour
connatre la valeur de variation influenant sur le rendement de la cellule par diffrents
paramtres comme linfluence de la base, lmetteur, le BSF et leffet de passivation en surface.
Aprs la simulation, les rsultats obtenues montre quune

paisseur de 20 m du matriau

photovoltaque pc-Si est suffisante pour raliser une cellule solaire et permettant datteindre un
rendement de 14.9%. Ce rsultat justifie compltement la diminution de lpaisseur de la cellule.
Ce travail offre quelques perspectives que nous prsentons ci-aprs :
-

Envisager une ralisation par un procd exprimental haute temprature dune cellule
solaire base du silicium polycristallin dpose sur un substrat de mullite, puis faire une
comparaison avec les rsultats obtenus de la simulation.

Faire des simulations en utilisant des autres logiciels.

Faire une tude thorique et exprimentale sur divers matriaux de types cramiques
destins aux applications photovoltaques (Allumine, Graphite, carbure de silicium )

Amliorer le confinement optique des cellules solaires (matriaux photovoltaques et


substrats).

Amliorer le rendement.

99

REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES
[1] http://www-fusion-magnetique.cea.fr/energies/energie02.htm
[2] FAVENNEC J-P., Gopolitique de lnergie : besoins, ressources, changes
mondiaux, TECHNIP, IFP Publications, 2007 284 p.
[3] M.A Green, solar cells, Prentice Hall, Englewood Cliffs (1982).
[4] Ernst & Young, Etude du dveloppement de lnergie solaire en RhoneAlpes, Axenne,- dcembre 2010
[5] R.B. Bergmann, Crystalline-Si thin film solar cells: a review, Apply.Phys.A,
187-194 (1999)
[6] A.Aberle, Crystalline silicon thin film solar cells: where are we where to go
from here EMRS conference, strasbourg, june 2002.
[7] Mazel, Frdricv, Dveloppement de substrats cramiques pour cellules
[8] cboulay.free.fr/astro/sommaire/astronomie/univers/galaxie/etoile/
systeme_ photovoltaques solaire/soleil/page_soleil.htm.
[9] Pierre Bessemoulin(1) et Jean Oliviri(2), Le rayonnement solaire et sa
composante ultraviolette
[10] B. Flche - D. Delagnes, Energie solaire photovoltaique.doc /juin 07
[11] Sbastien QUOIZOLA, Epitaxie en phase vapeur de Silicium sur Silicium
msoporeux pour report sur Substrats conomiques et application
photovoltaque bas cot Ingnieur INSA 2003
[12] A.E. Becquerel, Compte rendu acadmique de sciences 9(1839)145 & 561.
[13] W. Smith, Nature 7 (1873) 303.
[14] W.G. Adams, R.E. Day, Proc. R. Soc. London 25 (1876) 113.
[15] M.A. Green, K. Emery, D.L. King, S. Igari, W. Warta, Prog. Photovolt. : Res.
Appl. 11(2003) 1.
16 http://www.wissenschaft_publi_bulletinlectronique/archives/68/4639.ml
Histoire des Photopiles nkreich.de/franais/3.1
17] Alain RICAUD, Llectricit photovoltaque, document de synthse 2009.
18 www.editionsdumoniteur.com Complment technique, Les principes de
lnergie solaire photovoltaque, Mars/Avril 2008
19] BENAICHE Mouna, Etude des matriaux semi-conducteurs III-V
Application la conversion photovoltaque Mmoire de Magister,
UNIVERSITE COLONEL HADJ LAKHDAR BATNA, 2007

20

21
22
23

24
25
26

[27]

[28]

[29]

[30]

[31]

[32]

Yannick Veschetti, Modlisation, caractrisation et ralisation de


nouvelles structures photovoltaques sur substrat de silicium mince ,
2005
MATHIEU H., Physique des semi-conducteurs et des composants
lectroniques, Paris : Masson, p. 580, 1996.
Honsberg C., Bowden. Photovoltaics : Devices, Systems and Applications
[CDROM]. Sydney : University of New South Wales, 1998.
GREEN M.A. Silicon solar cells : Advanced Principles and Practice. Sydney,
Australia : centre for photovoltaic devices and systems, UNSW, 366p.,
1995.
RICAUD A. Photopiles solaires. Lausanne, Suisse : Presse polytechniques et
universitaires romandes, 1997, 332p.
SZLUFCIK J. et al. Low-cost industrial technologies of crystalline silicon
solar cells. Proc. Of the IEEE, 1997, Vol. 85, N0.5, pp. 711-729
KAMINSKI A. Etude des tapes technologiques critiques dans la
production des cellules solaires en silicium multicristallin , Thse, INSA de
lyon, 1997, 165p.
PAPET P., Nouveaux concepts pour la ralisation de cellules
photovoltaques contacts interdigits sur substrats minces en silicium
cristallin , Thse EEA. Lyon : INL - INSA de Lyon, 2007, 157 p.
Julien DUPUIS, Elaboration et caractrisation de couches de SiOxNy : H et
SiNx:H ralises par mthode PECVD : application la face arrire des
cellules photovoltaques en silicium 2009-ISAL-0085 Anne 2009.
LELIEVRE J.-F., Elaboration de SiNx:H par PECVD : optimisation des
proprits optiques, passivantes et structurales pour applications
photovoltaques , Thse EEA, Lyon : INL - INSA de Lyon, 2007, 197 p.
LLGEN P., Surface and volume recombination in silicon solar cells ,
Thse, Utrecht, Pays-Bas : Universiteit Utrecht, Faculteit Natuur en
Sterrenkunde, 152 p, 1995,
DUERINCKX F. et SZULFCIK J., Defect passivation of industrial
multicrystalline solar cells based on PECVD silicon nitride, Solar Energy
Materials & Solar Cells vol.72 (2002), pp. 231-246.
HONSBERG C. et BOWDEN S., Photovoltaics : Devices, Systems and
Applications [CDROM]. Sydney, Australia : University of New South Wales,
1998.

33 Silicium : de lge de pierre aux nanotechnologies, Livre groupe.com.


pdf /60071- Silicium.html
34 CECIL Miquel Systme P.V fabrication et impact- Juillet 2009
35 CECIL Miquel, Document 634234564258437500, 2009
[36] N. BELOUCIF, F. MANSOUR, Modlisation de leffet de la passivation
arrire et frontale pour loptimisation du rendement dune cellule solaire
base de silicium polycristallin Universit Mentouri, Constantine, Algrie,
2009.
[37] Barnett A. M., Ford D. H., Checchis J. C. et al. Very large area Silicon Film
solar cells. Proc. of the 14th European PV Solar Energy Conference,
Barcelona, Spain, 1997, pp. 999-1002.
[38] S. Bourdais Etude du Dpt et des Proprits Physiques du Silicium
Polycristallin obtenu par le procd RTCVD sur Substrats de Mullite.
Application aux Cellules Photovoltaques en Couches Minces , Thse de
l'universit Louis Pasteur de Strasbourg (2000).
[39] J. H. Werner, R. B. Bergmann, R. Brendel. The challenge of crystalline
thin film solar cells Adv. Sol. State. Phys. Vol.34 (1994)
40] Abdellatif ZERGA, Caractrisation, Modlisation et Simulation
Numrique des cellules photovoltaques base de silicium polycristallin
en couche mince dpose par "RT-CVD" Universit Abou Bakr BELKAD
Tlemcen, 2005.
[41] Malek BENMANSOUR, Dveloppement, Contrle et Modlisation dun
procd de projection de poudres de silicium par plasma RF
Application aux couches minces photovoltaques, Thse, PARIS, 2003
[42] C.Hebling, S.Reber, K.Schmidt, R.Ludemann, F.Lutz Proceeding 26me
IEEE PVSC, p.1451, Anaheim, CA, USA 1997
[43] H. Fll, "Defects in Crystals" [en ligne]. Disponible sur :
http://www.tf.uni-kiel.de/matwis,634
[44] V.G. POPOV, Solar cells based on multocrystalline silicon, semiconductors
physics, quantum electronics & optoelectronics, Vol.3(4), 479-488 ,2000
[45] H.J. MOLLER, C. FUNKE, et al, Multicrystalline silicon for solar cells, Thin
Solid Films 487, 179 187,2005
[46] Zohra BENMOHAMED, Caractrisation et analyses des cellules solaires
base de silicium multicristallin, Thse de doctorat, UNIVERSITE MENTOURI
DE CONSTANTINE, 2009.

47] S. ENRICHETTA, Recombination mechanisms in crystalline silicon: bulk


and surface contributions , international journal of photoenergy Vol. 1 ,1-9,
1999.
[48] G.MATHIAN, H.AMZIL, Dependance electronic properties of polysilicon
grain size intragrain defects , solide sta. Elect. Vol.26, 131-141, 1983
[49] J.P. D E V I L LE, J. QUESADA, et al, incorporation, diffusion et segregation
dimpuretes dans le s i li cium polycristallin, journal de physique ,
Colloque C l, supplment au no 10, T. 43, Cl-193, 1982
[50] S. PONCE-ALCA NTARA_, C. DEL CAN IZO, et al,Adaptation of
monocrystalline solar cell process to multicrystalline materials, Solar
Energy Materials & Solar Cells Vol87, 411421, 2005
51] H. J. MOLLER, et all, oxygen and lattice distorsions in multicrystalline
silicon, Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 72, 403-416,2002
[52] Y.S. Tsuo, J.B. Milstein and T. Surek Grain Boundary Structures and
Properties in Polycrystalline Silicon Published in Grain Boundaries in
Semi conductors Elsevier Science Publishing Company, p155 (1982)
[53] J.H. Rose and R. Gronsky Scanning Transmission Electron Microscope
Microanalytical Study of Phosphorus Segregation at Grain Boundaries in
Thin Film Silicon Applied Physics Letters, Vol. 41(10), p.993 (1982)
54] J. OUALID, H. AMZIL, et al, proprietes electroniques des joints de grains
dans le silicium polycristallin, journal de physique, colloque cl, supplment
au n10, T. 43, cl-313, 1982
[55] A.ROCHER, origine structurale et chimique de lactivation des joints de
grains dans le silicium, revue phy. appl.Vol. 22,591-595, 1987
[56] W. B. Jackson, N. M. Johnson, D. K. Biegelsen, density of gap states of
silicon grain boundaries determined by optical absorption JAP Vol.43
N2(1983) p.195
[57] Kerr M. J., Surface, emitter and bulk recombination in silicon and
development of silicon nitride passivated solar cells, Thse de Doctorat,
Australian National University, 2002.
58] SAYAD Yassine, Interaction Laser-Semiconducteur : Contribution
ltude de la technique LBIC - application au silicium photovoltaque .
Thse de doctorat, UNIVERSITE MENTOURI DE CONSTANTINE, 2009.
[59] D. K. Schroder, carrier lifetimes in silicon IEEE Trans. On Electron.
Devices Vol.44 N1 p.160 (1997).

[60] A. Zerga, F. Dujardin, B. Benyoucef and J-P. Charles A New Coefficients


of the Minority Carrier Lifetime and Bandgap Narrowing Models in the
Transparent Emitter of the Thin Film Silicon Solar Cells Active and Passive
Electronic Components, Vol.24(3), p.141 (2003).
[61] A. Acedevo Limits of the Maximum Efficiency of Silicon Solar Cells Effects due to Auger Generation and to Deep Levels Revista Mexicana de
Fisica, Vol42-3 (1996).
[62 D. K. Schroder Carrier Lifetimes in Silicon IEEE Transactions on
Electronic Devices, Vol.44, N1, p.160 (1997)
[63 A. K. Ghosh, C. Fishman and T. Feng Theory of the Electrical and
Photovoltaic Properties of Polycrystalline Silicon Journal of Applied
Physics.
[64] D. P. Joshi and D. P. Bhatt Grain Boundary Barrier Heights and
Recombination Velocities in Polysilicon Under Optical Illumination Solar
Energy Materials, Vol.22, p.137 (1991)
[65] S. A. Edminston, A. B. Sprool, M. A. Green, S. R. wenham, Modelling of
thin-film crystalline Silicon Parallel Multijonction Solar cells, dessis progr.
Photovolt. Vol.3 p.333 (1995)
66] S.Reber, W.Wettling, Appl. Phys. A, Vol.69, pp.215-220, 1999
[67] A. Fave, B. Semmanche, S. Berger, P. Kleimann, F. Mazel, J. M.
Olchowik, A. Laugier 16th European photovoltaic solar energy
conference, p. 1140-1143, Glasgow, Mai 2000
[68] T.H.Wang, T.F.Ciszek Journal of Crystal Growth, Vol.174, pp.176-181, 1997
[69] J.Hotzel, K.Peter, G.Willeke, E.Bucher 14th European Photovoltaic Solar
Energy Conf., p.1421, UK, 1997
[70] Malika MADANI, Ralisation des couches antireflet dans les cellules
solaires couches minces, Mmoire de magister, universit de tlemcen,
2006
[71] M.L. Hitchman and K. F. Jensen Chemical Vapor Deposition: Principles
and Applications Academic Press Ltd (1993).
[72] R. Rogel, K. Kission, T. Mohammed-Brahim, M. Sarret, O. Bonnaud, J.P.
Kleider Proc. 2nd Conf. and Exh on Photovoltaic Solar Energy vienna, pp
1701 1704 1998.
[73] C. Niikura, R. Brenot, J. Guillet, J. E. Bouree, J. P. Kleider, and C.
Longeaud Solar-Energy-Materials-and-Solar-Cells, Vol.66, pp.421-429,
2001.

[74] T.Kaneko, K.Onisawa, M.Wakagi, Y.Kita, T.Minemura


J. Appl. Phys, 32, p.4907, 1993
[75] H.Brummack, R.Bruggemann, H.Nwanka, A.Hiezenberger,
M.B.Schubert 26th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. P.679, 1997
[76] J.P. Kleider, C. Longeaud, M. Gauthier, M. Meaudre, R. Meaudre, R.
Butt, S. Vignoli, P. Roca i Cabarrocas Appl. Phys. Lett., 75, p. 3351, 1999
[77] H.Keppner, J.Meier, P.Torres, D.Fischer, A.Shah Appl. Phys. A., Vol.69, pp.
169-177, 1999
[78] H.N.Wanka, M.Bschubert, A.Hierzenberger, V.Baumung, 14th Europ.
Photovoltaic Solar Energy Conf. P.1003, 1997
[79] P.Torres, J.Meier, U.Kroll, H.Keppner, A.Shah, U.Malang
26th IEEE Photovoltaic Specialists Conf, pp. 711, 1997
[80] R. P. S. Thakur and R. Singh Thermal budget consideration in rapid
isothermal processing, Applied Physics Letters Vol. 64 N3, p.327 (1994)
[81] A. Slaoui, E. Pihan, A. Focsa Thin-film silicon solar cells on mullite
substrates , INESS Strasbourg France, 2005.
[82] A. Slaoui, A. Focsa, A. Zerga, E. Pihan, O. Tuzun. Matriaux et cellules
sur silicium polycristallin en couches minces , INESS Rapport d'activit
p.57 61
[83] L. Bowen et J.W. Greig, The System: Al2O3-SiO2, J. Am. Ceram. Soc., 1924,
7, 238-254, ibid., p. 410
[84] W. E. Cameron, Exsolution in "stoichiometric" mullite, Nature, 264, 736738, 1976.
[85] The Azo Journal of Materials Online,
http:/www.azom.com/Details.asp?ArticleID=925.
[86] H. Shneider, M. Schmucker, K. Ikeda, W. A. Kaysser. "Optically
translucent mullite ceramics" J. Am. Ceram. Soc. Vol. 76 N11(1993) p.2912
[87] Ahmed ESHARGHAWI, laboration de matriaux poreux base de
mullite par procd SHS, Thse, universit de limoges, 2009.



.n+-p-p+ ( Mullite)
PC1D
.BSF
.20m( %14<)

.
. (mullite) :

Rsum
Ce travail constitue une contribution l'tude dune cellule solaire base du silicium polycristallin en
couche mince dpos sur un substrat en cramique (mullite) dont la structure de cette cellule est de type
n+-p-p+.
La simulation par le logiciel PC1D a t choisie pour connatre la valeur de variation influenant sur le
rendement par diffrents paramtres comme linfluence de lmetteur, la base, le BSF et leffet de
passivation en surface.
Aprs la simulation, les rsultats montrent quil est possible datteindre un rendement convenable
( 14%) avec un film de 20um dpaisseur.
Ce rsultat justifie la diminution de lpaisseur de la couche silicium, ainsi le rle qui jouent ces
substrats sur les performances photovoltaque, permettant un confinement optique favorable dans la
couche active.
Mots cls : cellule solaire, couche mince, silicium polycristallin, substrat, mullite, rendement,
confinement optique.

Abstrat
This work is a contribution to the study of solar cell polycrystalline silicon thin film deposited on a
ceramic substrate (mullite), the structure of this cell is of type n+-p-p+.
The simulation software PC1D was chosen to determine the value of variation influencing the
performance parameters such as the influence of the emitter, the base, the BSF and the effect of
surface passivation.
After the simulation, the results show that it is possible to achieve an adequate return( 14%) with a
film thickness of 20 um.
This result justifies the decrease in the thickness of the silicon layer, and the role played by these
substrates photovoltaic performance, allowing a favorable optical confinement in the active layer.
Keywords: solar cell, thin film, polycrystalline silicon, substrate, mullite, performance, optical
confinement.