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Fundamentos de
Electrnica Industrial:
Un enfoque Prctico
Fundamentos de
Electrnica Industrial:
Un enfoque Prctico
David Lara Alabazares

Gerardo Romero Galvn
Jos Guadalupe Rivera Martnez
Efran Jaime Ang
Queda rigurosamente prohibida, sin la autorizacin escrita de los titulares del <<Copyright>>, bajo las sanciones establecidas en las leyes, la reproduccin parcial o total de esta obra por cualquier medio o procedimiento, comprendiendo la reprografa y el tratamiento informtico.
Fundamentos de Electrnica Industrial: Un enfoque Prctico
2011, David Lara Alabazares, Gerardo Romero Galvn, Jos Guadalupe Rivera Martnez y Efran Jaime
Ang
D.R. 2011 por Innovacin Editorial Lagares de Mxico, S.A. de C.V.
Av. lamo Plateado No. 1402 Fracc. Los lamos Naucalpan, Estado de Mxico C.P. 53230 Telfono: (55)
5240-1295 al 98
email: editor@lagares.com.mx
Diseo de Portada: Enrique Ibarra Vicente
Cuidado Editorial: Rosaura Rodrguez Aguilera
ISBN: 978-607-410-165-2
Primera edicin octubre, 2011
IMPRESO EN MXICO / PRINTED IN MEXICO
DEDICATORIA
Cuesta mucho educar a un hombre pero cuesta mucho mas no educarlo
Nosotros los Autores dedicamos esta obra terminada en restitucin de la atencin que por ella
nos ha robado a nuestras familias, en especial, a nuestras comprensivas esposas:
Rosa, Irma, Martha Elia y Mirna
La ltima etapa de la razn es reconocer que hay una innitud de cosas que la sobrepasan
AGRADECIMIENTOS
A la Universidad Autnoma de Tamaulipas, dirigida por el C. Rector M.E.S. Jose Ma. Leal Gutirrez, por el
apoyo en la realizacin de esta obra.
A los departamentos de las carreras de Ingeniera en Electrnica, Ingeniera en Sistemas de Produccin y
Posgrado e Investigacin de la Unidad Acadmica Multidisciplinaria Reynosa Rodhe, a cargo del C. Jaime
Arredondo Lucio, por los espacios brindados.
Al Programa de Mejoramiento del Profesorado, PROMEP-UAT, encabezada por la Dra. Teresa Guzmn
Acua, por el estimulo al personal docente que conlleva a emprender da a da nuevos retos.
A los profesores M.C. Mario Prez Acosta y M.C. Francisco Ceballos Soto del Instituto Tecnolgico Superior
de Misantla Veracruz, por las sugerencias y observaciones durante la realizacin de las practicas.
Al equipo de Innovacin Editorial Lagares, por sus aportes para mejorar la presentacin de esta obra.
NDICE
Presentacin ........................................................................................................................................13
Captulo 1
Introduccin a la Electrnica de Potencia
1.1 I ntroduccin .............................................................................................................................15
1.2 Dispositivos semiconductores de potencia .............................................................................16
1.3 Tipos de circuitos electrnicos de potencia .............................................................................17
Captulo 2
Teora de operacin del diodo semiconductor
2.1 El tomo...................................................................................................................................19
2.2 Clasicacin de los materiales segn su conductividad elctrica ...........................................20
2.3 Corriente en un semiconductor ...............................................................................................20
2.4 Dopado de semiconductores ..................................................................................................21
2.5 La unin P-N: Estructura del diodo semiconductor ..............................................................22
Captulo 3
Diodo semiconductor y sus circuitos
3.1 I ntroduccin .............................................................................................................................25
3.2 Caractersticas tcnicas de los diodos......................................................................................26
3.3 Circuitos con el diodo recticador ..........................................................................................27
3.4 Conexin en serie y en paralelo de diodos recticadores........................................................32
Captulo 4
El Transistor BJT
4.2 Teora de operacin ................................................................................................................36
4.3 Polarizacin del transistor ......................................................................................................36
4.4 Modos de operacin ...............................................................................................................38
4.5 Amplicadores .........................................................................................................................39
4.6. El transistor como interruptor .................................................................................................43
Captulo 5
Tiristores
5.1. Introduccin ...........................................................................................................................45
5.2. El Diodo de 4 Capas ..............................................................................................................47
5.3 El Recticador Controlado De Silicio (SCR) ..........................................................................48
5.4 El Triac ....................................................................................................................................56
Captulo 6
Recticadores Trifsicos
6.1 Recticador trifsico de media onda (semionda) ....................................................................59
6.2 Recticador trifsico de onda completa ..................................................................................62
Captulo 7
Circuitos Integrados
7.1 Amplicadores O peracionales .................................................................................................69
7.2 Circuitos Temporizadores .......................................................................................................78
7.3 O ptoacopladores ......................................................................................................................82
Captulo 8
Circuitos Lgicos
8.1 I ntroduccin .............................................................................................................................85
8.2 Operaciones del algebra Booleana. .........................................................................................85
8.3 Circuitos integrados TTL ........................................................................................................89
8.4 Funciones Booleanas o lgicas ...............................................................................................91
Captulo 9
Prcticas de Electrnica de Potencia
9.1 Caractersticas del diodo semiconductor .................................................................................93
9.2. Circuitos Recticadores........................................................................................................100
9.3. Transistor como interruptor ..................................................................................................106
9.4 Tiristores ................................................................................................................................114
Captulo 10
Proyectos de Electrnica de Potencia
10.1. Luces de emergencia ..........................................................................................................121
10.2 Control de intensidad de corriente ......................................................................................126
10.3. Recticador Trifsico S emicontrolado ...............................................................................131
Bibliografa .......................................................................................................................................137
PRESENTACIN
Este libro de texto introduce al alumno de nivel superior al estudio de la electrnica industrial tambin conocida
como electrnica de potencia. Esta rea de la ingeniera se relaciona con la ingeniera elctrica, la electrnica
y la teora de control para la conversin de energa en sistemas elctricos industriales.
Esta obra est estructurada en diez captulos, de los cuales los ocho abordan los fundamentos de los dispositivos electrnicos de potencia y circuitos integrados ms comunes.
En el primer captulo se dene la electrnica industrial y se da una clasicacin de los principales dispositivos
de conmutacin as como sus principales circuitos electrnicos. Los captulos dos y tres abordan el diodo semiconductor. Se estudian los materiales semiconductores del tipo P y N que constituyen al diodo semiconductor,
se muestran los tipos de polarizaciones, y los circuitos recticadores de media onda y onda completa.
El captulo cuatro estudia el principio de operacin del transistor BJT en sus dos diferentes tipos: el NPN y
el PNP. Se analizan sus polarizaciones y modos de operacin, tanto como amplicador como su funcin de
interruptor. El captulo cinco trata sobre los tiristores SCR y TRIACs, analizando sus polarizaciones, modos
de encendido y apagado, as como sus aplicaciones. El captulo seis es una extensin del estudio de los diodos
desde el punto de vista polifsico. El captulo siete presenta tres tipos de dispositivos electrnicos que se
combinan con los dispositivos electrnicos de potencia para el accionamiento de cargas elctricas: a) amplicadores operacionales, los cuales forman una gama amplia de circuitos electrnicos anlogos para el control,
b) los circuitos temporizadores y b) los optoacopladores, los cuales se utilizan para acoplar en forma aislada
los circuitos de control de baja potencia con los elementos actuadores de alta potencia. El captulo ocho es una
introduccin al estudio de circuitos lgicos y sus aplicaciones simples.
Este libro pretende ser un apoyo didctico en la enseanza de la electrnica industrial ya que los dos
ltimos captulos llevan al alumno a validar en forma prctica los conocimientos adquiridos a lo largo del
texto. Adems, al nal de cada captulo, se presentan una serie de preguntas de evaluacin.
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CAPTULO 1
INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA
DE POTENCIA
David Lara Alabazares y Jos G. Rivera Martnez
1.1 INTRODUCCIN
Desde la aparicin de las primeras mquinas elctricas, tales como los motores, ha existido la necesidad de
controlar la potencia elctrica de estos dispositivos; en un principio esto se haca de forma manual, posteriormente las mquinas elctricas se controlaban mediante relevadores y contactores. Con el avance de la electrnica
de estado slido, se ha revolucionado la forma de controlar la conversin de energa y el control de motores.
El campo que estudia estos sistemas se conoce como electrnica de industrial o electrnica de potencia y
es la aplicacin de la electrnica de estado slido para la conversin de la energa elctrica. El principio de la
electrnica de potencia es la conmutacin de los dispositivos de estado slido o semiconductores de potencia.
La electrnica de potencia es una combinacin de las siguientes ramas de la ingeniera:
Ingeniera elctrica
Ingeniera de control
Ingeniera electrnica
Estudia las mquinas elctricas tales como motores y transformadores, as

como todo tipo de cargas elctricas industriales que se desean controlar.
Estudia las caractersticas de lazo cerrado del sistema para lograr una
estabilizacin en rgimen permanente.
Se encarga de los dispositivos de estado slido para efectuar el control y la
conversin de la energa.
La electrnica industrial ha alcanzado un lugar importante en la tecnologa moderna y se utiliza ampliamente en sistemas de alta potencia, por ejemplo, controles de iluminacin, sistemas de calefaccin, fuentes
de alimentacin, sistemas de propulsin de vehculos, etc. Una aplicacin industrial comn es el control de
arranque, paro y velocidad de motores, tal como se muestra en el diagrama a bloques de la gura 1.1. La mquina elctrica puede ser cualquier tipo de motor, la salida representa por lo general la velocidad del motor; el
controlador toma la informacin de la salida y en base a una referencia enva una seal de entrada al dispositivo
de potencia para regular la tensin de entrada al sistema elctrico. El dispositivo de potencia se conoce como
elemento nal de control y puede ser un transistor de potencia o algn tipo de tiristor. El algoritmo que ejecuta el
controlador para regular la tensin aplicada al motor se conoce como ley de control.
15
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA INDUSTRIAL: UN ENFOQUE PRCTICO
Figura 1.1. Aplicacin de la electrnica de potencia en el control de motores
1.2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Existen seis tipos principales de dispositivos semiconductores de potencia: a) diodos de potencia, b) tiristores,
c) Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBTs), d) Transistores de unin bipolares de potencia (BJTs),
e) Transistores de efecto de campo de potencia (MOSFET) y f) Transistores de induccin estticos (SIT).
El diodo de potencia tiene dos terminales llamadas nodo y ctodo, conduce cuando el voltaje de su nodo
es ms alto que el de su ctodo. La cada de voltaje directa de un diodo de potencia es muy baja. Cuando el
voltaje del ctodo es ms alto que el voltaje del nodo, entonces el diodo est en modo de bloqueo. Existen
tres tipos de diodos de potencia: a) de propsito general, b) de alta velocidad o recuperacin rpida, los cuales
tienen un tiempo de recuperacin inversa que vara entre 0.1 y 5 s, y c) el diodo Schottky, el cual tiene muy
bajo voltaje en conduccin y un tiempo de recuperacin muy pequeo, tpicamente en el orden de nanosegundos.
El tiristor, adems del ctodo y nodo, tiene una tercera terminal llamada compuerta. Si se aplica una
pequea cantidad de corriente desde la compuerta hacia el ctodo y el tiristor esta polarizado directamente, entonces ste conduce. Una vez que el tiristor est en un modo conduccin la compuerta no tiene ningn control
y el tiristor contina conduciendo; a menos que el potencial en el nodo sea igual o menor que el potencial del
ctodo. Cuando el tiristor est en un modo de conduccin la cada de potencial en directa es muy pequea. Los
tiristores pueden subdividirse en ocho tipos:
a) Tiristor de conmutacin forzada
e) Tiristor de induccin esttico (SITH)
b) Tiristor conmutado por lnea
f) Tiristor desactivado con asistencia de compuerta

(GATT)
g) Recticador controlado de silicio foto activado
(LASCR)
h) Tiristores activados por MOS (MCT)
c) Tiristor desactivado por compuerta (GTO)

d) Tiristor de conduccin inversa (RCT)
Los transistores bipolares de alta potencia tienen tres terminales: base, emisor y colector. Los hay de
del tipo NPN y del tipo PNP. Por lo general se operan en forma de interruptor en la conguracin de emisor
comn. En la conguracin NPN para activar el transistor, la base debe de estar a un potencial mayor que el
del emisor, y la corriente de base debe ser sucientemente grande para que el transistor entre a la regin de saturacin. Adems, el colector debe tener un potencial mayor al del emisor. El transistor en conduccin presenta
una cada en directa muy baja (de 0.5 a 1.5V). Si la corriente de base se retira el transistor pasa al estado de
corte, o modo de no conduccin.
16
CAPTULO 1
INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA
El transistor de efecto de campo de metal xido semiconductor (MOSFET), es un dispositivo unipolar
que consta de tres terminales denominadas fuente, drenaje y compuerta. Opera como un dispositivo controlado
por voltaje, ya sea con corriente de electrones (canal N) o con corriente de huecos (canal P). Se utilizan en
convertidores de potencia de alta velocidad y estn disponibles en un rango de baja potencia (1000V, 50A), y
baja frecuencia.
Los transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) son transistores de potencia controlados por voltaje. Por naturaleza, son ms rpidos que los BJT, pero an no tan rpidos como los MOSFET. Sin embargo
ofrecen caractersticas de excitacin y de salida superiores a los BJT. Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas corrientes (1200V, 400A) y frecuencias de hasta 20kHz.
Los transistores de induccin estticos (SIT) son dispositivos de alta potencia a muy alta frecuencia. Son en
s, la versin en estado slido del tubo de vaco trodo, y son similares a un JFET. Tienen una alta capacidad de
potencia con bajo ruido y baja distorsin a altas frecuencias. Este dispositivo presenta un tiempo de activacin
y desactivacin muy corto.
1.3 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRNICOS DE POTENCIA

En la mayora de las aplicaciones industriales, la potencia elctrica debe convertirse de una forma a otra, es
decir se debe cambiar su forma ya sea de corriente alterna a corriente directa o viceversa, se debe regular su
intensidad, o cambiar su nivel de voltaje de un valor inicial a un valor nal. Los semiconductores de potencia
permiten el diseo de circuitos elctricos para estos propsitos gracias a sus caractersticas de interrupcin. Por
lo tanto los circuitos electrnicos de potencia se conocen tambin como convertidores de potencia estticos, y
se pueden considerar como un arreglo de conmutacin. En general, los circuitos electrnicos se pueden clasicar
en seis tipos y sus caractersticas principales se presentan en la siguiente tabla.
Tabla 1.1 Tipos de circuitos electrnicos de potencia
Tipo
Descripcin
Recticadores
Este circuito convierte el voltaje de CA a voltaje de CD, usando diodos. Los hay de
media onda y onda completa, as como monofsicos o trifsicos.
Convertidor ca-cd Usando tiristores el valor promedio del voltaje de salida se obtiene controlando el
tiempo de conduccin. Se conocen tambin como recticadores controlados y los
hay del tipo monofsico y trifsico.
Convertidor ca-ca Este circuito por lo regular usa TRIACs para regular el voltaje alterno de salida a
partir de una fuente de CA. Su principio de operacin es el mismo que el recticador
controlado y tambin se conocen como controladores de voltaje de CA.
Convertidor cd-cd Estos circuitos por lo regular usan transistores para regular un voltaje de salida de
CD. Esto lo logra recortando en periodos el voltaje de CD, y variando el ancho de
pulso del voltaje recortado, es decir variando el ciclo de trabajo.
Convertidor cd-ca Estos circuitos tambin se conocen como inversores. A partir de una fuente de CD,
tal como una batera, proporcionan una seal de corriente alterna. El principio de operacin
es semejante al pulsador de CD, slo que en este el ciclo de trabajo es constante, y
la seal de salida es por lo regular del tipo senoidal.
Interruptores Est- Estos circuitos operan como un interruptor ideal y segn el tipo de voltaje, utilizan
ticos
diferentes dispositivos electrnicos.
En la tabla 1.2 se muestran las seales de entrada y de salida para cada uno de los circuitos electrnicos de
potencia descritos anteriormente.
17

Tabla 1.2 Circuitos electrnicos de potencia
Seal de entrada
Circuito (dispositivo)
Rectificador (diodo)
Convertidor CA-CD (scr)
Convertidor CA-CA (triac)
Convertidor CD-CD (transistor BJT)
Convertidor CD-CA
(transistor FET)
Interruptor
(transistores o tiristores)
18
Seal de salida
CAPTULO 2
TEORA DE OPERACIN DEL DIODO SEMICONDUCTOR
David Lara Alabazares y Mauricio E. Carrillo Ortiz
2.1 EL TOMO
La materia puede estar formada ya sea por sustancias simples llamadas elementos, o sustancias compuestas
llamadas molculas, las cuales son la combinacin qumica de elementos. Se conocen hasta ahora 109 elementos y
cada uno posee caractersticas fsicas y qumicas nicas. Los elementos estn constituidos de tomos, los cuales
son las partculas ms pequeas que retienen dichas caractersticas.
Segn Bohr, los tomos tienen un ncleo (formado por protones y neutrones) y partculas llamadas electrones
orbitando alrededor de ste, tal como se muestra en la gura siguiente.
Figura 2.1 Modelo atmico de Bohr.
Cada una de estas partculas posee un tipo de carga elctrica expresada en Coulombs tal como se indica
en la tabla siguiente.
Tabla 2.1 Partculas y sus cargas
Partcula
Protn
Neutrn
Electrn
Tipo de carga
Positiva
Neutra
Negativa
Valor en Coulombs
1.602 x 10-19
0
-1.602 x 10-19
Los elementos estn clasicados en la tabla peridica segn su nmero atmico el cual se dene como el nmero de electrones que es igual al nmero de protones; ya que cada tomo es elctricamente neutro. Los tomos
se mueven en orbitas, donde cada una posee un nivel de energa especco que mantiene a los electrones ligados
al ncleo. Segn su energa las orbitas se designan en capas y el nmero mximo de electrones Ne, en cada
capa n, se calcula como:
Ne = 2n2
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Conforme aumenta el nmero de capas, los electrones que orbitan en la de orden superior tendrn ms
energa, sin embargo, estos estn dbilmente enlazados al tomo debido a que segn la ley de Coulomb la fuerza
elctrica de atraccin hacia el ncleo disminuir debido a que la distancia se incrementa. Los electrones que
estn en la ltima capa se conocen como electrones de valencia y la capa se denomina banda de valencia. Si
se aplica energa suciente los electrones de valencia pueden desprenderse de la capa externa y escapar de la
inuencia del tomo. Se dice entonces que tomo pierde electrones o se ioniza positivamente. Entonces, un in
es un tomo con carga elctrica ya sea positiva o negativa.
2.2 CLASIFICACIN DE LOS MATERIALES SEGN SU CONDUCTIVIDAD ELCTRICA

Los electrones de valencia denen las propiedades elctricas de los materiales, y estos se clasican en tres
grupos:
Aislantes: Son los materiales que no conducen corriente elctrica en condiciones normales. En estos materiales
los electrones de valencia estn fuertemente ligados al ncleo del tomo. El hule, plstico y el vidrio son ejemplos
de aislantes.
Conductores: Permiten el paso de la corriente elctrica con facilidad. Los materiales conductores son los metales
tales como el oro, la plata y el cobre. Los mejores metales conductores son los que tienen un solo electrn de
valencia.
Semiconductores: Estos materiales en su estado puro, conocido como intrnseco, presentan las propiedades
de los conductores y aislantes. Estos elementos tienen cuatro electrones de valencia tales como el carbn, el
silicio y el germanio.
Cuando el electrn escapa de la banda de valencia, este pasa a una banda de energa conocida como banda de conduccin; a la diferencia entre la banda de conduccin y la banda de valencia se le conoce como banda prohibida.
Esta banda es diferente para cada tipo de material, tal como se ilustra en forma simplicada en la gura 2.2.
Figura 2.2 Bandas de energa para cada tipo de material.
2.3 CORRIENTE EN UN SEMICONDUCTOR

Los semiconductores tales como el silicio y el germanio tienen cuatro electrones de valencia, y en su forma
pura estn unidos mediante enlaces covalente formando cristales; es decir, cada tomo se une a cuatro
tomos adyacentes compartiendo un electrn con cada uno de los tomos vecinos, de esta forma completa sus ocho
electrones de valencia hacindolo estable, tal como se muestra en la gura 2.3-a.
El cristal de silicio intrnseco a temperatura de 0K conserva su estructura covalente. Sin embargo a temperatura ambiente hay suciente energa como para que algunos electrones salten a la banda de conduccin,
generando una pequea corriente; estos electrones se conocen como electrones de conduccin. Los electrones de
20
CAPTULO 2
conduccin al saltar de la banda de valencia dejan un espacio llamado hueco, y por cada electrn que salta a la
banda de conduccin se forma un par electrn-hueco, tal como se muestra en la gura 2.3-b.
Figura 2.3. a) Enlaces covalentes en el cristal de silicio,

b) Formacin de huecos cuando el electrn sale de la banda de valencia.
Si un electrn al perder energa es atrapado nuevamente en un hueco, se dice que ocurre una recombinacin
Cuando se aplica un potencial a un cristal de silicio los electrones de conduccin son atrados a la terminal
positiva, formndose de esta forma una corriente de electrn. Por otro lado, los electrones de valencia que siguen ligados a los tomos pueden saltar a los huecos cercanos, dejando de esta forma otro hueco, el cual ser
ocupado por otro electrn de valencia. Este fenmeno da la apariencia de que los huecos circulan en direccin
opuesta a la que circulan los electrones y es ejemplicado en la gura 2.4
Figura 2.4. Corriente de electrones y corriente de huecos.
2.4 DOPADO DE SEMICONDUCTORES

Las caractersticas de los materiales semiconductores pueden alterarse de modo considerable mediante la adicin de ciertos tomos de impurezas en el material semiconductor relativamente puro. La cantidad de impureza es tan pequea como 1 PPM, pero suciente como para alterar la estructura de las bandas de conduccin
y alterar as las propiedades de conduccin del material. Un material que se ha sometido a este proceso de
impuricacin se denomina material extrnseco, y al proceso de impuricacin se le conoce como dopado del
semiconductor. Existen dos tipos de materiales extrnsecos de importancia para la fabricacin de dispositivos
semiconductores:
21

a) El tipo N, con exceso de electrones
b) El tipo P, con exceso de huecos.
Material tipo N: Este tipo de material se forma agregando tomos de impureza pentavalentes tales como el
arsnico (As), fsforo (P), bismuto (Bi) y antimonio (Sb) al silicio; de tal forma que cada tomo pentavalente
se enlaza a cuatro tomos de silicio adyacentes en forma covalente utilizando solo cuatro electrones de valencia, quedando libre un electrn el cual se convierte en electrn de conduccin, el cual no deja hueco en la
banda de valencia del material semiconductor, tal como se muestra en la gura 2.5-a.
En el material tipo N, los tomos de impureza se conocen como tomos donadores ya que ceden un electrn
de conduccin a la estructura. Los electrones producidos por los tomos pentavalentes se conocen como portadores mayoritarios de corriente. Sin embargo tambin se generan huecos debido a los electrones que saltan por
efecto de la temperatura, estos huecos se conocen como portadores minoritarios.
Material tipo P: Este material se forma impuricando un cristal semiconductor puro de germanio o silicio
con tomos de impureza que tengan tres electrones de valencia, tal como el boro (B), el galio (Ga) y el indio (In).
Los tres electrones de valencia de los tomos de impureza se utilizan en la red cristalina para formar los enlaces
covalentes con cuatro tomos adyacentes del material semiconductor, y como se necesitan cuatro electrones
queda un hueco por cada tomo trivalente, tal como se muestra en la gura 2.5-b. En el material tipo P, los
tomos de impureza se conocen como tomos receptores ya que pueden tomar un electrn de conduccin para
completar los cuatro enlaces covalentes. Los huecos producidos por el dopaje se conocen como portadores
mayoritarios y al igual que en el material tipo N, existen desprendimiento de electrones debido al calor, estos
electrones ahora pasan a ser portadores minoritarios.
Figura 2.5. a) Material tipo N con impureza de Sb,

b) Material tipo P con impureza de B.
2.5 LA UNIN P-N: ESTRUCTURA DEL DIODO SEMICONDUCTOR

Como ya se vio en la seccin precedente, el material semiconductor tipo P tiene huecos debido a la valencia
trivalente del tomo de impureza, y el material N tiene electrones de conduccin debido a la valencia pentavalente del tomo de impureza. En ambos casos la carga elctrica en el material es neutra debido a que el nmero
de electrones y protones es el mismo en la estructura cristalina. Si un trozo de silicio intrnseco es dopado de
tal forma que una parte sea del tipo N y otra parte del tipo P, se forma la unin P-N en el lmite entre las dos regiones. Este tipo de material resultante se le conoce como el diodo. La unin P-N es una regin de iones negativos y positivos descubiertos que recibe el nombre de regin de vaciamiento o regin de empobrecimiento. El
trmino empobrecimiento se reere al hecho de que la regin cercana de la unin P-N se queda sin portadores
de carga (tanto electrones como huecos) debido a la difusin y recombinacin en la unin. En el diodo existen
tres tipos de comportamiento segn la polarizacin aplicada y cada uno de estos se describen a continuacin.
22
CAPTULO 2
2.5.1 SIN POLARIZACIN APLICADA
En el momento que se forma la unin los electrones y los huecos en la regin de la unin se combinan, dando
como resultado una carencia de portadores en la regin cercana a la unin. Los portadores minoritarios del material tipo N cercanos a la unin P-N pasarn directamente al material tipo P, de la misma forma los portadores
minoritarios del material tipo P pasarn directamente al material tipo N. Lo anterior crea una capa de cargas
positivas (iones pentavalentes) cerca de la unin en el material N y una capa de cargas negativas (iones trivalentes) cerca de la unin en el material P. Estas dos capas de cargas positivas y negativas forman la regin de
empobrecimiento, la cual se muestra en la gura 2.6.
Ahora los portadores mayoritarios en el material N deben superar las fuerzas de atraccin de sus iones
positivos, as como la fuerza de repulsin de iones negativos en el material P, para poder brincar a la regin
neutra del material P. Sin embargo, como hay una gran cantidad de portadores mayoritarios, una pequea
cantidad con suciente energa pasaran la regin de empobrecimiento, de igual forma los portadores mayoritarios del material P pasaran al material N. Este efecto provoca que la regin de empobrecimiento crezca un
poco ms, hasta que se llega a un equilibrio debido al aumento de la regin y los portadores mayoritarios ya
no puedan brincar de un lado a otro.
En la zona de empobrecimiento se forma una barrera de potencial (tambin conocida como potencial de barrera), y representa la diferencia de potencial debido al campo elctrico expresada en volts. Esta diferencia
de potencial es el voltaje aplicado entre la unin P-N para que los electrones puedan uir.
En el silicio este potencial es aproximadamente 0.7V y en el germanio es 0.3V a 25C.
Figura 2.6. Unin P-N sin polarizacin.
2.5.2 POLARIZACIN INVERSA

En esta polarizacin se aplica un voltaje en la unin P-N conectando la terminal positiva de la fuente al material tipo
N y terminal negativa al material tipo P, tal como se muestra en la gura 2.7. En esta condicin los electrones
del material N sern atrados por la terminal positiva de la batera y los huecos del material P sern movidos
hacia la terminal negativa de la batera. En consecuencia, habr ms iones positivos en la regin de empobrecimiento del lado del material N y ms iones negativos del lado del material P, lo que da como resultado un
ensanchamiento de la regin de empobrecimiento. Entonces, el ujo de portadores mayoritarios ser nulo a
travs del diodo. Sin embargo, slo los portadores minoritarios circularn formando una corriente de saturacin inversa del orden de microamperios.
23
Figura 2.7. Unin P-N con polarizacin inversa.
2.5.3 POLARIZACIN DIRECTA

En esta polarizacin la terminal positiva de la fuente se conecta al material tipo P y la terminal negativa se
conecta al material tipo N, tal como se muestra en la gura 2.7. En esta condicin los electrones del material
N son repelidos por la terminal negativa, de igual forma los huecos en el material P son repelidos. Por lo tanto,
la regin de empobrecimiento se adelgaza considerablemente y los portadores mayoritarios de ambos lados, saltan
de un material al otro, lo que ocasiona un efecto de circulacin de electrones de la terminal negativa a la positiva de la batera. Lo que equivale a una circulacin de huecos de la terminal positiva a la negativa de la
batera. Se dice entonces que el diodo est en conduccin.
Por conveniencia y facilidad de notacin la polarizacin directa asocia la terminal POSITIVA con el material
P y la terminal NEGATIVA con la terminal N, y el sentido de circulacin de la corriente se toma de MS a
MENOS, tal como se hace en circuitos elctricos.
Figura 2.8. Unin P-N con polarizacin directa.
24
CAPTULO 3
DIODO SEMICONDUCTOR Y SUS CIRCUITOS
David Lara Alabazares, Gerardo Romero Galvn y David T. Vargas Requena
3.1 INTRODUCCIN
En este captulo se presenta el dispositivo de potencia que permite la conversin de corriente alterna (CA) a
corriente continua (CC) o directa (CD). Este dispositivo es el diodo semiconductor y se usa en un circuito
recticador. Entonces, se dar una descripcin del diodo recticador o simplemente el diodo. El diodo conduce en modo unidireccional y se comporta como un interruptor que se cierra automticamente cuando en su
terminal llamada nodo se aplica una tensin positiva con respecto a la otra terminal llamada ctodo; en este
caso se dice que el diodo est en polarizacin directa. Por otro lado, el diodo se comporta como un interruptor
que se abre automticamente cuando la tensin aplicada al nodo es ms negativa que la tensin aplicada al
ctodo; en este caso el diodo esta en polarizacin inversa. En la gura 3.1 se muestra el smbolo esquemtico
del diodo y sus circuitos equivalentes para cada caso de polarizacin. Los diodos que se utilizan para la fabricacin de convertidores de C.A. a. C.C. son de silicio, aunque tambin existen diodos fabricados de germanio.
Al estudiar los recticadores de potencia, debido a las grandes magnitudes de corriente y voltaje que manejan
se hacen las siguientes consideraciones:
Existe una corriente nula en la fase de polarizacin inversa

Hay una resistencia interna del diodo (Rd) constante durante la conduccin directa
Por lo cual las caractersticas voltamperomtricas ms aproximadas son las que se indican en la gura 3.1.
Nota: Estas no son las caractersticas reales de un diodo, solo son las consideraciones para simplicar el
estudio de recticadores de potencia.
Smbolo del diodo
A
Curva voltaje-corriente
I
Circuito equivalente
+
V
Figura 3.1. Esquemtico del diodo semiconductor y curva de voltaje-corriente del diodo ideal.
25
3.2 CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS DIODOS

Las caractersticas tcnicas de los diodos pueden ser clasicadas como sigue:
1.
2.
3.
Caractersticas elctricas estticas y dinmicas

Caractersticas trmicas estticas y dinmicas
Caractersticas geomtricas y mecnicas
Los fabricantes generalmente dan cada una de estas caractersticas para una serie de diodos as como sus
valores limites de operacin, a continuacin se mencionan las caractersticas ms comunes.
Tabla 3.1 Caractersticas de los diodos
Smbolo
Description
Unidades
IF
Average Rectied Forward Current
Corriente en directa recticada
IFM
Max Peak Forward Current
Mximo pico de corriente directa
IF(AV)
Forward Average Max current
Mxima corriente media
IFRM
IFSM
IR
Peak Repetitive Forward Current
Mxima corriente de pico en el transitorio

repetitiva
Non Repetitive Peak Forward Surge Mxima corriente de pico transitoria no
Current
deseable
Reverse current
Corriente inversa
A
A
A
IRM
Max Peak reverse current
Mxima corriente inversa
VF
Forward voltage
Voltaje en directa
Forward max voltage
Peak repetitive reverse voltage
Mximo voltaje en directa (mxima tensin

en las cabezas de la unin en estado de
conduccin)
Mxima tensin inversa repetitiva
Reverse Recovery Time
Tiempo de recuperacin inversa
Max I2t for fusing
VFM
VRRM
trr
V
V
S
Tj
Operation Junction Temperature
Integral del cuadrado de I FSM en un

intervalo de 10mS
Mxima temperatura de la unin
Rj-c
Thermal resistance union to case
Res. trmica unin-encapsulado
C/W
Zj-c
Thermal impedance union to case
Impedancia trmica
C/W
I2t
26
Description
A2s
C
CAPTULO 3
3.3 CIRCUITOS CON EL DIODO RECTIFICADOR

A continuacin se presentan los circuitos recticadores ms comunes y el procedimiento de clculo de las
principales variables elctricas. Pero antes de presentar dichos circuitos se darn algunas deniciones
Corriente media: Prcticamente, se dene como el valor medio de la suma de los valores instantneos de
corriente, en un periodo de tiempo T. Por lo tanto, una corriente alterna que tenga la mitad de sus valores instantneos positivos y la otra mitad negativos, tendr un valor medio igual a cero. Sin embargo, algunas veces
interesa el valor medio de la mitad de una seal senoidal o sea medio periodo (T/2), el cual se puede obtener
a travs de la formula siguiente:
Imed = 0.6371max
(3.1)
Corriente ecaz: Teniendo en cuenta el efecto trmico de una corriente alterna se puede denir la corriente
ecaz como una corriente alterna de intensidad de un ampere que al circular por una determinada resistencia
hmica produce la misma cantidad de calor que si pasara una corriente continua de un ampere.
3.3.1 RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

El circuito ms simple que puede examinarse con una seal variable en el tiempo se muestra en la gura 3.2,
y se utilizar el modelo del diodo ideal.
vi = V p sin t
vi
Vp
T
2
T
1 ciclo
vi
vo
Figura 3.2 Recticador de media onda.
Al circuito se le aplica una seal senoidal cuyo ciclo completo est denido por el periodo T, tal como se
muestra en la gura 3.2. El valor promedio (la suma algebraica de las reas sobre y debajo del eje del tiempo)
es cero. Sin embargo, el circuito recticador de media onda, generar una forma de onda vo que tendr un valor
promedio cuyo valor no es cero. Durante el semiciclo positivo denido por 0 t T/2, el potencial en el nodo
es mayor que en el ctodo, es decir el voltaje de entrada vi ocasiona que diodo se polarice directamente. Por lo
tanto, el diodo se comporta como un corto circuito, conectando la salida directamente con la entrada, tal como
se muestra en la siguiente gura.
27
vi
vo
vi
+
R
v o = vi
Figura 3.3. Polarizacin directa durante el primer semiciclo
Durante el semiciclo negativo denido por T/2 t T, el potencial en el nodo es menor que en el ctodo,
es decir, esta vez el voltaje de entrada vi ocasiona que diodo se polarice inversamente. Por lo tanto, el diodo
pasa a un estado de corte, con un equivalente en circuito abierto. Por lo tanto el voltaje en la salida ser 0V,
ya que no hay trayectoria para el ujo de corriente, tal como se muestra en la gura 3.4.
vi
+
R
vo
vi
+
R
vo = 0V
Figura 3.4. Regin de no conduccin durante el segundo semiciclo.
La forma de onda de la salida completa se muestra en la gura 3.5, donde el valor promedio de la salida es
vav = 0.318vmax
(3.2)
El proceso de separacin de una mitad de la seal para establecer un nivel de CD recibe por lo tanto el
nombre de recticacin de media onda. El trmino recticacin proviene del uso del trmino recticador para
diodos que se emplean en fuentes de poder para el proceso de conversin CA-CD.
vi
Vmax
Vcd = 0V
vo
Vcd = 0.318Vmax
T
Figura 3.5. Seal recticada de media onda
28
CAPTULO 3
3.3.2 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON DERIVACIN CENTRAL
Este tipo de recticador de onda completa utiliza dos diodos conectados al secundario de un transformador
con derivacin central, tal como se muestra en la gura 3.6. El voltaje de entrada se aplica al primario y se
acopla magnticamente al secundario. Debido a que existe una derivacin central simtrica, el voltaje del secundario se divide en dos. La mitad del voltaje secundario aparece entre la derivacin central y cada extremo
del devanado secundario.
vent
D1
Secundario
Primario
vsec
2
vp
RL
vsec
2
D2
T1
Figura 3.6. Circuito recticador de onda completa con derivacin central.
Durante el semiciclo positivo del voltaje de entrada el extremo del secundario conectado a D1 tiene un
mayor potencial con respecto a la derivacin central, mientras que el otro extremo tiene un menor potencial;
en consecuencia las polaridades de los diodos del secundario son diferentes, tal como se muestra en la gura
3.7. En esta condicin el diodo D1 esta polarizado directamente, mientras que el diodo D2, esta polarizado inversamente. Por lo tanto, la nica trayectoria de corriente ser a travs del diodo D1 y el resistor de carga RL,
tal como se indica en la gura 3.7.
Primario
Secundario
+
vent
vp
D1
i
RL
T1
D2
Figura 3.7. Operacin del circuito recticador durante el semiciclo positivo.
En el semiciclo negativo del voltaje de entrada el extremo del secundario conectado a D2 tiene un mayor
potencial con respecto a la derivacin central, mientras que el extremo conectado a D1 tiene un menor potencial. Esta condicin polariza inversamente al diodo D1 y directamente al diodo D2 y la trayectoria de la
corriente es a travs del diodo D2 y la resistencia de carga RL, tal como se muestra en la gura 3.8.
29

Primario
D1
Secundario
-
vent
RL
vp
D2
T1
Figura 3.8. Operacin del circuito recticador durante el semiciclo negativo.
Como la corriente de salida circula en la misma direccin a travs de la carga para ambos semiciclos de
la entrada, el voltaje de salida desarrollado a travs del resistor de carga es un voltaje de CD de onda completa
recticado mostrado en la gura 3.9.
Figura 3.9. Operacin de un recticador con derivacin central
Nota: Se debe considerar la cada de potencial en los diodos, la cual es de 0.7V para los diodos de silicio
y 0.3V para los diodos de germanio; en el primer caso el voltaje de salida est dado como:
vsal = vsec /2 - 0.7

(3.3)
30
CAPTULO 3
3.3.3 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO PUENTE
El recticador tipo puente es un arreglo de cuatro diodos conectados al secundario sin derivacin central de un
transformador, tal como se ilustra en la gura 3.10. Considerando que las polaridades del primario y del secundario son las mismas, entonces durante el semiciclo positivo de entrada los diodos D1 y D2 estn polarizados
directamente y conducen corriente en la direccin mostrada y el voltaje a travs de RL es idntico al semiciclo
positivo de entrada. Durante ese semiciclo, los diodos D3 y D4 estn polarizados inversamente y su estado es en
corte o abiertos. Cuando el semiciclo de entrada es negativo, como se muestra en la gura 3.11, los diodos D3
y D4 estn polarizados directamente y conducen corriente en la misma direccin a travs de RL que durante el
semiciclo positivo. Durante el semiciclo negativo, D1 y D2 estn polarizados inversamente. El voltaje de salida
resultante durante todo el ciclo ser por lo tanto una onda recticada completa.
Primario
Secundario
vent
D1
D3
vp
D2
RL
D4
Figura 3.10. Operacin del circuito recticador tipo puente durante el semiciclo positivo.
Primario
Secundario
vent
vp
i
D1
D3
D2
RL
D4
Figura 3.11. Operacin del circuito recticador tipo puente durante el semiciclo negativo.
Nota: Se debe considerar la cada de potencial en los diodos, la cual es de 0.7V para los diodos de silicio
y 0.3V para los diodos de germanio; en el primer caso el voltaje de salida est dado como:
vsal = vsec - 1.4
(3.4)
Por otro lado en ambos caso la corriente en la resistencia uye en el mismo sentido, por lo tanto el extremo
de la resistencia que est conectada a la unin de ctodos es el positivo y el extremo que est conectado a la
unin de nodos es el negativo.
31
3.4 CONEXIN EN SERIE Y EN PARALELO DE DIODOS RECTIFICADORES

Ocurre con frecuencia que la potencia suministrada por un elemento recticador no es suciente, dadas las
necesidades del equipo o sistema. En este caso se recurre a conectar dos o ms elementos recticadores en serie
o en paralelo, segn se desee una mayor tensin o intensidad de corriente respectivamente.
Anteriormente se utilizaban elementos recticadores de elevada potencia, como el recticador de vapor
de mercurio, los cuales han sido sustituidos por elementos de materiales semiconductores que tienen un menor
costo y necesitan menor mantenimiento. Sin embargo, en la actualidad las tensiones y corrientes que pueden
suministrar estos dispositivos semiconductores son relativamente pequeas; si los comparamos con sus antecesores, veremos que estos elementos individualmente no pueden ser empleados para sustituir a los tubos de
vaco. Por lo tanto, se recurre a conectar varios de ellos en serie o en paralelo, segn las necesidades.
Como principio bsico podemos decir que si las necesidades del consumidor vienen expresadas por una
tensin muy elevada, la conexin de los diodos recticadores se realizar en serie. Si por el contrario, las necesidades de la instalacin consumidora exigen una intensidad de corriente elevada, la conexin que se efectuar
entre los diodos recticadores ser en paralelo. Ocurre sin embargo, tanto en la conexin en serie como en la
conexin en paralelo, que aunque los diodos recticadores conectados sean todos originalmente idnticos, sus
caractersticas presentan ciertas variaciones de unos con respecto a otros, debido a las tolerancias constructivas.
Ello provoca que en uno de los elementos conectados aparezcan tensiones o corrientes superiores a los lmites
admitidos por el elemento, con lo que este va rpidamente a la destruccin.
Si para obtener una tensin elevada se conecta un grupo de diodos en serie ocurre que al pasar los diodos
del estado de conduccin al de bloqueo, no todos ellos dejan de conducir corriente al mismo tiempo, sino que
lo hacen con pequeas diferencias de tiempo; por causa de ste fenmeno, el elemento que primero impide el
paso de la corriente se encuentra con que por unos instantes se aplica en el toda la tensin inversa a recticar,
tensin para la cual el no est dimensionado. Esto puede observarse la gura 3.12, en ella se han representado
las caractersticas IR = f(VR) de los cuatro diodos; como se ve debido a las tolerancias constructivas, las tensiones
inversas no coinciden plenamente, para una misma intensidad inversa; en efecto el elemento D4 soporta una
tensin inversa -VD4 mucho mayor que los restantes.
El fenmeno se representa tan solo por unos instantes brevsimos, al cabo de los cuales la corriente inversa
se hace tan pequea que prcticamente la tensin se reparte por igual en todos los diodos. Sin embargo estos
instantes pueden ser sucientes para destruir el diodo. Para solucionar este problema se recurre a conectar en
paralelo con cada diodo una red de equilibrio cuya misin es la de distribuir equitativamente la tensin entre
ellos; esta red se forma, generalmente, por una resistencia y un condensador en derivacin, tal como se muestra
en la gura 3.13.
VD 4
VD3
VD 2
D1
VD1
VR
D2
VR
D3
D4
I
D4
D3
D2
D1
Figura 3.12 Curvas caractersticas del voltaje inverso vs corriente de cuatro diodos en serie.
32
CAPTULO 3
VD1
D1
VD 2
VRMtot VD 3
R1(1+b)
C1
D2
R2(1+b)
C2
D3
R3(1+b)
C3
I RM
VDn
Dn
I sh
Rn(1+b)
Cn
Figura 3.13 Diodos conectados en serie con resistencias de equilibrio.
Las resistencias de equilibrio, en paralelo con los diodos conectados en serie, contribuyen a distribuir la
tensin a lo largo de toda la cadena de n diodos en condiciones estticas de polarizacin inversa. El valor de
dichas resistencias se determina de la siguiente manera:
Supngase en primer lugar que todos los diodos presentan su mxima corriente de fuga excepto la del
diodo D1, el cual posee una resistencia de fuga innita. Esta condicin puede llevarse a un mayor grado suponiendo que en paralelo con D1 se ha conectado una resistencia cuyo valor corresponde al lmite superior de
la tolerancia, es decir una resistencia de valor R(1+b), en donde b es la tolerancia propia de la resistencia, y en
paralelo con los dems diodos unas resistencias R(1-b).
Por razones de conveniencia representaremos por a la relacin entre la mnima resistencia de fuga del
diodo y el valor nominal de la resistencia en paralelo con ste, es decir
a = RD min
R
(3.5)
Por lo tanto la resistencia en paralelo Rp entre la mnima resistencia de fuga de cualquier diodo y una
resistencia en paralelo de valor R(1-b), est dada por:
(RD min) (R (1 - b))

= Rp
RD min + R (1 - b)
(3.6)
Pero como RDmin = Ra, tenemos:
Ra (R (1 - b))
= Rp
Ra + R (1 - b)
(3.7)
Entonces a partir de la corriente de fuga total y el voltaje inverso que debe soportar cada diodo, se puede
determinar la resistencia Rp y a partir de esta se calcula el valor nominal de la resistencia R que deber conectarse
en paralelo con cada diodo.
33

La conexin en paralelo de diodos se utiliza para aumentar la capacidad de conduccin de corriente, y la
corriente de cada diodo est en funcin del voltaje en directa aplicado. Sin embargo para una mejor reparticin
de corriente en estado permanente se conecta una resistencia en serie con cada diodo, tal como se muestra en
la gura 3.14.
Vent
D1
D2
Dn
R1
R2
Rn
Figura 3.14 Diodos conectados en paralelo con resistencias para una mejor distribucin de corriente.
34
CAPTULO 4
EL TRANSISTOR BJT
David Lara Alabazares y Luis A. Garca Garza
Como ya se ha visto, el diodo es un dispositivo de una unin PN y este conduce en un solo sentido. El dispositivo que se estudiar en este captulo es el transistor, el cual est formado de dos uniones PN de las dos
siguientes maneras posibles:
1.
2.
Una capa de semiconductor tipo N entre dos capas tipo P en forma de emparedado dando como resultado el transistor PNP.
Una capa de semiconductor tipo P entre dos capas de semiconductor tipo N en forma de emparedado,
originando el transistor NPN.
Por lo tanto, El BJT (transistor de unin bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas
por dos uniones PN. Las tres regiones se llaman emisor, base y colector. En la gura 4-1 (a) y (b) se muestran
representaciones fsicas de los dos tipos de BJT.
El trmino bipolar se reere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de corriente en
la estructura de transistor.
Figura 4.1 El transistor BJT
La unin PN que forma la regin entre la base y el emisor se llama unin base-emisor. La unin PN que
forma la regin entre la base y el colector se le llama unin base-colector. Cada regin tiene un conductor conectado. Estos conductores se designan por las letras E, B y C que representan el emisor, la base y el colector,
respectivamente. La regin de la base est ligeramente dopada y es muy delgada en comparacin con las regiones del emisor, excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada.
El transistor fue inventado en 1948 por Shockley, Bardeen y Brattain, de los laboratorios Bell, y desde
entonces ha revolucionado por completo el campo de la electrnica y muchos campos anes.
35
4.2 TEORA DE OPERACIN

Para entender la operacin de un transistor, analizaremos el interior de la estructura NPN cuando se polariza
tal como se muestra en la gura 4.2. El emisor constituido de material tipo N est excesivamente dopado, por
lo tanto, tiene una densidad muy alta de los electrones en su banda de conduccin. La unin BE est polarizada
en directa y por lo tanto los electrones libres del emisor se difunden con facilidad a travs de la unin hacia la
regin de la base de tipo P muy delgada y levemente dopada. La base tiene una baja densidad de huecos, los
cuales son los portadores mayoritarios, representados por los crculos blancos positivos.
Por un lado, de los electrones que entran a la base, una pequea parte se recombinan con huecos, generando una corriente de huecos dirigida hacia el emisor. Estos electrones nalmente abandonan la base hacia la
terminal de esta, formando una pequea corriente conocida como corriente de base. Por otro lado, la mayora
de los electrones libres que entraron a la base no se recombinan con huecos porque es muy delgada. Estos electrones son atrados hacia el colector de la unin BC, que tiene una polarizacin en inversa, debido al voltaje de
alimentacin positivo aplicado al colector.
Por lo tanto, se produce un ujo de electrones libres que se desplazan a travs del colector hacia la batera
y de la batera hacia el emisor. Este ujo junto con la corriente de base, forman la corriente de emisor. La corriente de emisor es ligeramente ms grande que la corriente de colector debido a la pequea corriente de base
que se produce en la unin BE polarizada en directa.
Figura 4.2 Operacin del transistor BJT
4.3 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Considrese un transistor tpico de unin NPN polarizado, como se muestra en la gura 4.3. La seccin inferior llamada emisor se hace con un semiconductor tipo N muy contaminado de impurezas. La seccin central,
denominada base, est formada por una capa muy delgada de semiconductor tipo P ligeramente contaminada.
36
CAPTULO 4
EL TRANSISTOR BJT
La seccin superior, denominada colector est hecha de material semiconductor tipo N medianamente contaminado. Por lo tanto el emisor y la base forman una unin NP, y la base y el colector una PN.
Ic
C
+
-
+
E
Ib
Tipo N
Colector
Tipo P
Base
Tipo N
Emisor
Ie
Figura 4.3 Transistor NPN y su smbolo
La unin emisor-base NP en la gura 4.3, est polarizada directamente y permite que los electrones uyan
con facilidad de la regin N al lado P. La regin de la base es muy delgada y contiene relativamente pocos
huecos permitiendo que la mayor parte de los electrones se difundan hacia el colector, pero algunos de los
electrones son atrapados en los huecos de la base. Si estos no se retiran de la base, la carga negativa de los electrones atrapados repeler a los electrones del emisor y la corriente cesar rpidamente del emisor al colector.
Al desplazar o dejar los electrones de la base el transistor puede emplearse como un interruptor.
Cuando los electrones se retiran de la base se produce una corriente de electrones que proviene de aquella.
La corriente del emisor Ie se divide en la corriente de la base Ib y la corriente del colector Ic, es decir:
Ie = Ib+Ic
La razn de la corriente del colector a la corriente del emisor se llama
a = Ic /Ie
(4.1)
(alfa)
(4.2)
El fabricante suministra este nmero como especicacin para cada transistor. Puesto que del 95 al 99%
de los electrones del emisor viajan a travs de la base y llegan al colector sin ser atrapados, el valor de se
da entre 0.95 y 0.99. Si se conoce puede calcularse la relacin de la corriente muy pequea de la base a la
corriente del emisor. Si se emplea la ecuacin (4.1) puede determinar la corriente de base en funcin de las
corrientes de colector y emisor como sigue:
Ib = Ie - Ic
(4.3)
de la ecuacin (4.2) se deduce que Ic = Ie que al sustituir en (4.3) da

Ib = Ie - Ie
(4.4)
37

Factorizando se obtiene una expresin para la corriente de la base del transistor:
Ib = Ie (1- )
(4.5)
En el transistor PNP el material N se encuentra entre las dos regiones de material tipo P. Debido a esta inversin de las posiciones de los dos tipos de material, los portadores de corriente primaria en este transistor son
huecos en lugar de electrones. Puesto que los huecos son realmente cargas positivas, necesariamente tienen que
invertirse las polarizaciones. Para que la polarizacin del emisor sea directa el voltaje del emisor debe ser positivo con respecto a la base, y para que la unin del colector este en polarizacin inversa, el colector debe ser
negativo con respecto a la base. La polarizacin para un transistor PNP se muestra en la gura 4.4. El cambio
en las polarizaciones no afecta la forma en que las uniones operan, pues esta solo acomoda el reacomodo de
los materiales y sus propiedades. En funcionamiento, una parte de los huecos uyen de la unin del emisor a
la base y la mayor parte hacia el colector.
Ic
C
Ib
Tipo P
Colector
Tipo N
Base
Tipo P
Emisor
Ie
Figura 4.4. Transistor PNP y su smbolo
4.4 MODOS DE OPERACIN

El transistor tiene varios modos de funcionamiento segn la forma en que se aplique el voltaje entre sus terminales. Sin embargo estos modos se pueden agrupar en dos grupos: a) como amplicador y b) como interruptor.
El primer modo se describe en forma simplicada en la gura 4.5, en donde lo que se quiere de un dispositivo de amplicacin es que sea capaz de recibir una seal variable con un voltaje o corriente caracterstica
de pequea magnitud y que entregue una seal que vare en forma similar con un voltaje o corriente mucho
mayor. El transistor depende de la forma en que la corriente se distribuye entre sus capas para controlar la amplicacin del voltaje, corriente o potencia a la salida de un circuito con respecto a su entrada. Para funcionar
como amplicador el transistor opera en una regin conocida como regin lineal.
Figura 4.5 Accin amplicadora
38
CAPTULO 4
EL TRANSISTOR BJT
En el modo de interruptor, el transistor opera en dos regiones extremas llamadas corte y saturacin, de este
modo, por un lado, aplicando un exceso de corriente en la compuerta, se puede hacer que el transistor conduzca
su mxima corriente. Por otro lado, al retirar la corriente de la compuerta, el ujo de corriente entre el colector
emisor, se reduce a un valor muy pequeo que se puede considerar como apagado. La gura 4.6 bosqueja el
modo de operacin como interruptor.
Figura 4.6 Accin interruptora
A continuacin se presentarn las tres conguraciones principales en que el transistor se conecta para
operar como amplicador, de una manera simplicada. Posteriormente se profundizar en el estudio del transistor como interruptor, ya que este modo de operacin es ampliamente usado en la electrnica de potencia.
4.5 AMPLIFICADORES
Normalmente los circuitos amplicadores de seal de ca tienen dos terminales a la entrada y dos a la salida.
Debido a que el transistor es un dispositivo con tres terminales, uno de estas terminales es comn a la etapa
de entrada y a la de salida. Cualquiera de las tres terminales puede seleccionarse como terminal comn. Por lo
tanto, existen tres circuitos bsicos amplicadores con transistores:
a) Circuito amplicador de base comn
b) Circuito amplicador de emisor comn
c) Circuito amplicador de colector comn
A continuacin se describen cada uno de estos.
4.5.1 CIRCUITO AMPLIFICADOR DE BASE COMN

La gura 4.7 muestra el circuito base comn con un transistor del tipo NPN. Como se mencion anteriormente
la corriente del emisor y la corriente del colector son casi iguales. Cuando el transistor se usa en esta circuito,
la razn de la corriente de salida a la de entrada, llamada ganancia de corriente, , es aproximadamente 0.95 a
0.99. En este caso la corriente del colector se considera como la corriente de salida y la corriente del emisor
como la corriente de entrada.
39

E
Ie
Ic
Entrada
Ib
VEE
-
RL
VCC
Salida
Figura 4.7 Circuito amplicador de base comn, con transistor NPN
En general, el voltaje en la regin con polarizacin directa (unin base-emisor) es bajo. Esta regin presenta poca resistencia y se requiere poco voltaje para enviar una corriente relativamente alta a travs de ella. La
segunda regin (base-colector) dado a que tiene polarizacin inversa presenta una resistencia mucho mayor al
paso de la corriente. Puesto que el voltaje es el producto de la corriente por la resistencia, el voltaje resultante
debe ser alto. La razn de la resistencia de salida a la resistencia de entrada en un transistor tpico suele ser muy
alta. Una resistencia de entrada tpica puede ser 500 , y una de salida puede ser tan grande como 500 k . Esto
da como resultado una razn, R_sal/R_ent =1000
La gura 4.8, muestra el circuito base comn usando el transistor PNP.
E
Ie
Ic
Entrada
Ib
VEE
-
RL
VCC
-
Salida
Figura 4.8 Circuito amplicador de base comn, con transistor PNP
El factor de amplicacin de voltaje Av para un transistor se dene como la razn del voltaje de salida al
voltaje de entrada.
Av = v sal
v ent
Factor de amplicacin de voltaje.
(4.6)
Esta razn es conocida como ganancia de voltaje.

Asociado a un incremento en voltaje hay un incremento de potencia. Recurdese que la potencia disipada
por un componente del circuito es igual al voltaje a travs de dicho componente multiplicado por la corriente
que pasa a travs de ella. En cualquier caso, la ganancia de potencia G est dada por:
G=
potencia de sal
= V Ic
potencia de ent V I e
sal
ent
Pero ya que
= Ic Ie , puede escribirse
G = a v sal = aA v
v ent
40
(4.7)
Ganancia de potencia.
(4.8)
CAPTULO 4
EL TRANSISTOR BJT
4.5.2 CIRCUITO AMPLIFICADOR DE EMISOR COMN
La gura 4.9-a muestra el circuito emisor comn con un transistor del tipo NPN, y la gura 4.9-b muestra el
mismo circuito usando el transistor PNP.
RL
a)
Entrada
V BB
Ic
Ib
Ib
VCC
B
E
RL
b)
Salida
Ie
Entrada
V BB
Salida
Ic
VCC
Ie
Figura 4.9 Circuito amplicador de emisor comn con transistor: a) NPN y b) PNP
En este circuito la entrada es a travs del emisor de la base y la salida est en los terminales del emisor y
el colector, a travs de la resistencia de carga RL. La unin del emisor-base presenta una polarizacin directa y
la unin del colector-emisor tiene polarizacin inversa. Si la polarizacin de la unin del emisor-base se incrementa, la corriente que uye a travs de la unin de colector tambin lo har como resultado del aumento de la
corriente a travs de la unin del emisor. Sin embrago, la corriente de la base retendr su valor usual bajo. Esta
corriente baja de la base es tambin la corriente que uye en el circuito de entrada, por lo que en esta conguracin se consigue una ganancia de corriente considerable en el circuito de salida (circuito colector) sobre la
corriente en el circuito de entrada (base). La corriente de la base est dada por Ib = Ie (1 - ) y la corriente del
colector es Ic = Ie. A partir de estas relaciones se puede obtener una expresin para la ganancia de corriente o
factor de amplicacin de corriente, Ai
aI e
Ai = I sal =
= a
I ent (1 - a) I e 1 - a
(4.9)
Se usa un smbolo especial para denotar la ganancia de corriente de la expresin anterior. En consecuencia, para un transistor del que se conoce a la ganancia de corriente puede encontrarse de
b=
a
1-a
(4.10)
Esta tambin se conoce como la ganancia de corriente base-colector.

Para determinar la ganancia de voltaje deben considerarse las resistencias reales de entrada y salida. Como
en el caso del circuito de base comn, la resistencia de entrada se da a travs de la unin del emisor polarizado
en la direccin de conduccin o directa y es muy baja. La resistencia de salida es alta pero no tanto como en
el circuito de base comn. El resultado es una ganancia de voltaje casi tan grande como en el circuito de base
comn. La ganancia de potencia depende de los productos de la ganancia de corriente y la ganancia de voltaje,
mientras la ganancia de voltaje es ligeramente menor, la ganancia de corriente es muchsimo mayor y la ganancia de potencia tambin lo es.
41

El circuito de emisor comn presenta otra caracterstica muy importante. Cuando la seal de entrada hace
que el potencial de base sea ms negativo, incrementando la polarizacin directa de la unin de emisor, el
potencial del colector varia en direccin opuesta y se hace ms positivo. Como resultado, el circuito de emisor
comn tiene la propiedad de cambiar en ngulo de fase de la seal por 180 y acta como inversor de seal.
4.5.3 CIRCUITO AMPLIFICADOR DE COLECTOR COMN

La gura 4.10-a muestra el circuito amplicador colector comn con un transistor del tipo NPN, y la gura
4.10-b muestra el mismo circuito usando el transistor PNP.
RL
a)
Ib
Entrada
V BB
Salida
Ie
Ic
Ib
VEE
RL
b)
Entrada
V BB
Salida
Ie
VEE
B
C
Ic
Figura 4.10 Circuito amplicador de colector comn con transistor: a) NPN y b) PNP
Al considerar los mismos parmetros que para los otros dos circuitos, se tiene que la corriente de entrada,
es la corriente de base y la corriente da salida es la corriente del emisor. En consecuencia, la ganancia de corriente es
Ie
A i = I sal =
I ent I e (1 - a)
(4.11)
Por lo tanto la ganancia de corriente en el circuito amplicador de colector comn es:
Ai =
I
1-a
(4.12)
En este caso el voltaje de base es mayor que el voltaje de salida y la ganancia neta es menor que 1, la
menor para los 3 arreglos. En relacin con esto la resistencia de entrada es alta y la salida es baja. Finalmente,
debido a la muy baja ganancia de voltaje, la ganancia de potencia tambin resulta ser la ms baja de las 3 conguraciones. En la tabla 4-1 se compara las diferentes ganancias caractersticas de los 3 circuitos.
42
CAPTULO 4
EL TRANSISTOR BJT
Tabla 4.1. Comparacin de los tres circuitos amplicadores
Emisor Comn
(alta)
Colector Comn
Ganancia de corriente
Base Comn
(baja)
Ganancia de voltaje
Ganancia de potencia
Mxima
Moderada
Alta
Mxima
Baja
Mnima
I
1 - a (mxima)
Nota 1: El transistor requiere de una fuente de voltaje para su polarizacin antes que una seal pueda aplicarse para su amplicacin u otro tipo de operacin.
Nota 2: La corriente debe ser baja ya que los transistores pueden daarse fcilmente a altas temperaturas.
Los fabricantes de transistores publican las hojas de datos y las gracas de las caractersticas de los transistores. Estos documentos son tiles en el diseo de circuitos y para vericar que ninguno de los parmetros
importantes vaya a excederse y destruir el transistor u otros elementos sensibles del circuito.
4.6. EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Cuando el transistor sale de la regin activa, en un extremo entra en la regin de corte, mientras que en otro
extremo entra en la regin de saturacin. Estos dos modos extremos de operacin son muy tiles si el transistor
ha de usarse como interruptor, tal como en circuitos lgicos digitales. Para que un transistor funcione como
un interruptor abierto o cerrado es necesario que circule o no circule corriente entre el colector y el emisor. En
ambos casos se intercalan dos resistencias que tienen como misin limitar la cantidad de corriente que circula
por la base y el colector, y que se llaman Rb, resistencia de base y Rc, resistencia de carga.
Zona de corte: Si Rb es muy grande, Ib = 0, es decir no circula corriente por la base, entonces no hay
corriente entre colector y emisor. Por lo tanto el transistor se comporta como un circuito abierto.
RL
C
Rb
Ib
B
E
El transistor se comporta
como interruptor abierto
Ic
VCC
RL
Ie
Rb Es muy grande y la
corriente Ib es casi cero
Figura 4.11 Transistor en zona de corte
Zona activa: Si Rb disminuye, Ib aumenta y permite pasar corriente entre colector y emisor. La relacin
que existe entre la intensidad del colector y la intensidad de la base es Ic = Ib, donde es la ganancia de corriente, donde un valor tpico es aproximadamente 100.
43
Ic
RL
I c = I b
Rb
VCC
Ib
RL
Ie
Rb permite una Ib
Figura 4.12 Transistor en zona activa
Zona de saturacin: Si aumentamos progresivamente el valor de intensidad en la base, llega un momento

en el que la intensidad del colector no sigue aumentando. El transistor se comporta entonces como un interruptor cerrado.
RL
C
Rb
Ib
El transistor se comporta
como interruptor cerrado
Ic
B
E
VCC
RL
Ie
Rb Es muy baja
Figura 4.13 Transistor en zona activa.
En la prctica, se selecciona Rb lo sucientemente grande para permitir la corriente de base mnima necesaria para que el transistor entre en saturacin. Para que el transistor entre en corte, el voltaje aplicado a la
Rb se hace cero o se deja de aplicar.
44
CAPTULO 5
TIRISTORES
David Lara Alabazares y Gerardo Romero Galvn
5.1. INTRODUCCIN
En este captulo se estudiarn los dispositivos de potencia denominados tiristores. Con el nombre de tiristor
se dene una familia de semiconductores cuya accin biestable depende de la accin regenerativa debida a
la estructura P-N-P-N. Por accin biestable se dene el comportamiento de encendido-apagado que muestran
estos dispositivos, es decir, a diferencia del transistor, los tiristores no operan en la regin lineal.
El transistor y el tiristor pertenecen a la misma familia de semiconductores; sin embargo, el tiristor presenta ciertas ventajas, y esto lo hace ms adecuado si se compara con el transistor:
a) El transistor es un dispositivo de tres capas mientras que el tiristor tiene cuatro.
b) Los tiristores presentan un alto ndice de corriente y voltaje.
c) El transistor requiere que se aplique corriente constante en su base para conducir, mientras que el
tiristor solo requiere un pulso de corriente en su compuerta.
d) Los tiristores ayudan a reducir los costos en el diseo de sistemas electrnicos de potencia.
Los principales dispositivos pertenecientes a la familia de los tiristores se mencionan a continuacin y sus
smbolos se muestran en la tabla 5.1.
El diodo de 4 capas
El SCR son los Tiristores ms conocidos y son dispositivos unidireccionales de tres terminales.
Los TRIAC son Tiristores de tres terminales pero bidireccionales debido a que incorpora dos tiristores
dentro de un solo dispositivo.
Los DIAC son bidireccionales y tienen dos terminales.
Los PUT Transistores de una sola unin programable, (Programmable, Unijunction Transistor) son
unidireccionales y tienen tres terminales.
Los SCS (Silicon Controlled Switch) es un tetrodo que tiene dos electrodos de control con conduccin unidireccional.
Los SBS (Silicon Bilateral Switch) es una versin bidireccional del SCS.
Los tiristores pueden tener dos, tres o cuatro terminales; en algunos casos su comportamiento es unidireccional, en otros es bidireccional.
45

Tabla 5.1 Tiristores
Nombre del dispositivo
Smbolo
IA
Diodo Shockley
Diodo de cuatro capas

SCR
Silicon Controlled Rectifier
(Rectificador controlado de silicio)
Curva caracterstica
K
VA
IA
K
VA+
LASCR
Light Activated Silicon Controlled
Rectifier
(SCR activado por luz)
IA
A
MT2
SCS
Silicon Controlled Switch
(Interruptor controlado de silicio)
MT1
V
TRIAC
Triode for Alternating Current
(Trodo para corriente alterna)
Bidirectional thriode thyristor
LAPUT
Light Activated PUT
(PUT activado por luz)
VA+
DIAC
Diode for Alternating Current
(Diodo para corriente alterna)
Bidirectional diode thyristor
PUT
Programmable Unijunction Transistor
(Transistor mono-unin programable)
MT2
MT1
G
IA
K
A
G
VA
IA
VA+
A/G
IA
K
VA+
K/G
LAS
Light Activated Switch
(Interruptor activado por luz)
46
IA
SUS
Silicon Unilateral Switch
(Interruptor unilateral de silicio)
SBS
Silicon Bilateral Switch
(Interruptor bilateral de silicio )
VA+
IA
VA+
K
G
Vs
IA
VA
CAPTULO 5
TIRISTORES
5.2. EL DIODO DE 4 CAPAS

El diodo tiristor de 4 capas, conocido como diodo Shockley, es un dispositivo construido de 4 capas de material semiconductor. A diferencia del diodo que tiene una unin PN y del transistor BJT que tiene dos uniones,
el diodo Shockley tiene tres uniones y cuatro capas PNPN. La construccin bsica de un diodo de cuatro capas
y su smbolo esquemtico se muestra en la gura 5.1. La estructura PNPN es equivalente a un circuito formado
de dos transistores conectados en complemento, un transistor Q1 PNP formado por las uniones 1 y 2, y un
transistor Q2 NPN formado por las uniones 2 y 3. Las dos capas de en medio estn compartidas por ambos
transistores equivalentes. La unin base-emisor de Q1 corresponde a la unin1, la unin base-emisor de Q2
corresponde a la unin 3 y las uniones base colector tanto de Q1 como de Q2 corresponde a la unin 2.
Al aplicar polarizacin directa, las uniones base emisor de Q1 y Q2 (uniones 1 y 3) se polarizan en directa
y la unin base-colector de ambos (unin 2) en inversa, las corrientes para esta conguracin se muestran en la
gura 5.1-c. A niveles de polarizacin bajos existe muy poca corriente en el nodo, y por tanto se encuentra en
el estado apagado o en la regin de bloqueo indirecta. La curva de la corriente del diodo de cuatro capas con
respecto al voltaje se muestra en la gura 5.2.
R
nodo (A)
I e1 = I A
Tipo P
Tipo N
A
Tipo P
Tipo N
a)
Union 1
Q1
Union 2
I c 2 = I b1
I c1 = I b 2
Q2
Union 3
I K = I e2
K
Ctodo (K)
c)
b)
Figura 5.1 Diodo de 4 capas: a) Smbolo, b) construccin y c) Circuito equivalente con transistores
1 / RH
IA
Punto de
mantenimiento
IH
VRSH
IS
Regin de bloqueo
en directa (apagado)
VH
Ruptura por
avalancha
Regin de conduccn
en directa (encendido)
Regin de bloqueo
en inversa (apagado)
VBR (F )
I RSH
V AK
Figura 5.2 Curva caracterstica de un diodo de 4 capas
47

Voltaje de ruptura en directa VBR(F): Es el voltaje, en cual el diodo empieza a conducir en polarizacin
directa. La regin comprendida desde VAK = 0 hasta VAK = VBR(F) es la regin de bloqueo en directa. En esta
regin el dispositivo tiene una muy alta resistencia en directa (idealmente una abertura) y se encuentra en el
estado apagado. Conforme VAK se incrementa de 0, la corriente IA, se incrementa gradualmente, hasta llegar a
un punto donde IA = IS, la corriente de conmutacin. En este punto VAK =VBR(F) y las estructuras internas de los
transistores se saturan, provocando una cada de voltaje en directa, VAK, repentinamente se reduce a un valor
bajo y el diodo entra a la regin de conduccin en directa. Se dice que el dispositivo se encuentra en el estado
encendido y acta como interruptor cerrado. Cuando la corriente en el nodo se reduce de nuevo por debajo
del valor de retencin, IH, el dispositivo se apaga.
Corriente de retencin IH: Es el valor de corriente mnima hasta el cual el diodo conduce. Cuando IA se
reduce por debajo de a IH, el dispositivo regresa de inmediato al estado apagado y entra a la regin de bloqueo
en directa.
Corriente de Conmutacin IS: El valor de la corriente en el nodo, en el punto donde el dispositivo
cambia de la regin de bloqueo en directa (apagado) a la regin de conduccin en directa (encendido). Este
valor de corriente siempre es menor que la corriente de retencin IH.
5.2.1 UNA APLICACIN: OSCILADOR DE RELAJACIN.

El circuito de la gura 5.3 es un oscilador de relajacin y opera en la forma descrita a continuacin. Cuando se
cierra el interruptor en el instante t = 0, el capacitor se carga a travs de la resistencia R hasta que el voltaje es
igual al voltaje de ruptura en directa del diodo de 4 capas. En este punto el diodo conduce y el capacitor se descarga de inmediato a travs del diodo; la descarga continua hasta que la corriente a travs del diodo se reduce
por debajo del valor de retencin. En este punto, el diodo regresa al estado apagado (abierto) y el capacitor
comienza a cargarse de nuevo. El resultado de esta accin es una forma de onda de voltaje en las terminales
del capacitor C, tal como se muestra en la gura 5.3.
R
t =0
V
SW
V BR (F )
C
VC
t =0
Figura 5.3 Oscilador de relajacin con un diodo de 4 capas
5.3 EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Al igual que el diodo de 4 capas, un recticador controlado de silicio, (sillicon-controller rectier), denominado como SCR, es un dispositivo PNPN de 4 capas con 3 terminales: nodo, (A) ctodo (K) y compuerta (G).
La estructura bsica del SCR y su smbolo se muestran en las guras 5.4-a y b, respectivamente. La estructura
interna del SCR es semejante al diodo de cuatro capas, es decir con una conguracin de dos transistores, pero
ahora la compuerta corresponde a la base del transistor Q2, tal como se muestra en la gura 5.4-c.
48
CAPTULO 5
TIRISTORES
nodo (A)
A
Tipo P
Union 1
Tipo N
Compuerta
(G)
Union 2
Tipo P
Q2
Tipo N
Q1
Union 3
K
Ctodo (K)
a)
c)
b)
Figura 5.4 Recticador controlado de Silicio: a) Smbolo, b) Construccin, y c) Circuito equivalente
5.3.1 ENCENDIDO DEL SCR.

El SCR no solamente conducir cuando el nodo sea positivo con respecto al ctodo; se requiere, adems, que
en la compuerta se aplique un pulso de voltaje para iniciar la conduccin. Sin embargo, una vez iniciada la
circulacin de corriente no es necesario mantener el voltaje en la compuerta. Entonces, si la corriente en la
compuerta iG = 0, entonces el SCR se comporta como un diodo Shockley de 4 capas en el estado de apagado, y
el dispositivo es equivalente a un interruptor abierto tal como se indica en la siguiente gura:
VCC
RL
A
vG = 0 G
iG = 0
RL
A
Q1=Apagado
Q2=apagado
K
Figura 5.5 Recticador controlado de Silicio en estado de apagado.
En el momento que se aplica un pulso de disparo positivo de corriente a la compuerta, los dos transistores
se encienden, esto es debido a que Ib2 enciende al transistor Q2 haciendo que se produzca una corriente Ic2 =
Ib1 por lo que Q1 se enciende. Por lo tanto se produce una corriente IA, y el dispositivo es equivalente a un interruptor cerrado, tal como se muestra en la gura 5.6
49

VCC
RL
A
IA
Ib2
G
iG
RL
IA
Q1=Encendido
I b1
Q2=Encendido
K
IK
Figura 5.6 Recticador controlado de Silicio en estado de encendido al aplicar un pulso.
La corriente en el colector de Q1 proporciona una corriente adicional en la base para Q2, de tal forma que
Q2 permanece en conduccin una vez que el pulso de disparo se retira de la compuerta. En otras palabras Q2
mantiene la conduccin en saturacin de Q1 al proporcionar una Ib1; a su vez Q1 mantiene la conduccin en
saturacin de Q2 al proporcionar Ib2. De este modo, el dispositivo permanece encendido (interruptor cerrado)
con una muy baja resistencia entre el nodo y el ctodo, y el SCR sigue comportndose como un interruptor
cerrado,
VCC
RL
A
IA
Ib2
G
iG
IA
A
Q1=Encendido
RL
A
I b1
Q2=Encendido
K
IK
Figura 5.7 SCR permanece encendido al retirar el pulso en la compuerta.
Otra forma de encender el SCR es mediante el incremento del voltaje entre el nodo y el ctodo, siendo no
necesario activar la compuerta. Este voltaje debe ser mayor al voltaje de ruptura en directa VBR (F) tal como
se muestra en la curva de la gura 5.8. El voltaje de ruptura en directa se reduce a medida que IG se incrementa
por encima de 0V, como lo muestran el conjunto de curvas de la gura 5.8, en donde las corrientes de compuerta son IG2 > IG1 > IG0, es decir IG alcanza un valor al cual en SCR enciende a un voltaje muy bajo entre el
nodo y el ctodo. Por lo tanto, la corriente en la compuerta controla el valor del voltaje de ruptura en directa,
VBR(F), requerido para que el SCR encienda. Los voltajes entre el nodo y el ctodo superiores al VBR(F) no
daan el SCR si se limita la corriente. Sin embargo, esta forma de encendido no proporciona un control estable
del dispositivo, por lo que es preferible encenderlo solo con un pulso en la compuerta.
50
CAPTULO 5
TIRISTORES
IF
Regin de conduccn
VBR (R )
VR
IH0
I H1
IG2
I G1
Regin de bloqueo
IH2
Regin de bloqueo
en inversa
IG0
VBR (F 2)
VBR (F 1)
VBR (F 0)
VF
Regin de
avalancha en
inversa
IR
Figura 5.8 Curvas caractersticas del SCR
5.3.2 APAGADO DEL SCR

Existen dos mtodos bsicos para apagar un SCR: interrupcin de la corriente en el nodo y conmutacin
forzada. La corriente en el nodo puede ser interrumpida mediante una conguracin de conmutacin momentnea en serie o en paralelo mediante interruptores tal como se muestra en la gura 5.9-a. El interruptor en serie
normalmente cerrado (NC), al abrirse corta la corriente en el nodo. El interruptor en paralelo normalmente
abierto (NA), al cerrarse desva gran parte de la corriente total, reduciendo la corriente en el nodo a un valor
menor que su corriente de sostenimiento Ih. El efecto en ambos casos es el apagado del SCR.
El mtodo de conmutacin forzada bsicamente requiere obligar momentneamente a la corriente que
circula a travs del SCR a que lo haga en la direccin opuesta a la conduccin en directa, de modo que la
corriente neta en directa se reduzca por debajo del valor de retencin. Un circuito tpico se muestra en la gura
5.9-b, el cual consta de un capacitor con una resistencia en serie conectados en paralelo con la carga. En el
borne positivo del capacitor se conecta un SCR auxiliar cuyo ctodo coincida con el ctodo del SCR principal.
En tanto el SCR principal est conduciendo, el SCR auxiliar est abierto y Cc se carga al voltaje de alimentacin
por conducto de la resistencia. Para apagar el SCR, se aplica un pulso de apagado al SCR auxiliar, lo cual
provoca que el voltaje almacenado en el capacitor se aplique al SCR polarizndolo en forma inversa, por lo
tanto la corriente iC uye en la direccin opuesta a la corriente en directa IF, tal como se muestra en la gura
5.9-b, la corriente resultante es por lo tanto menor que la corriente de retencin IH. El tiempo tpico que el
SCR permanece apagado vara desde unos cuantos microsegundos hasta cerca de 30 microsegundos.
51

VCC
VCC
VCC
RL
RL
IF
Interruptor
en serie
NC
Pulso de
encendido
iG
RL
-
Pulso de
encendido
iG
RC
Interruptor
en paralelo
NA
Pulso de
encendido
a) Corte de Corriente
iG
CC
iC
K
SCR
auxiliar
G
Pulso de
apagado
b) Conmutacin del voltaje
Figura 5.9 Mtodos de apagado del SCR
5.3.3 CARACTERSTICAS Y VALORES NOMINALES DE UN SCR

Corriente en directa promedio, IF(prom). Este es la corriente mxima en forma continua en el nodo (cd) que
el dispositivo puede soportar en el estado de conduccin en condiciones especcas.
Voltaje de ruptura en directa, VBR(F). Este es el voltaje al cual el SCR entra a la regin de conduccin
en directa. El valor de VBR(F) es mximo cuando IG=0 y se designan VBR(F). Cuando se incrementa la
corriente en la compuerta, VBR(F) se reduce y se designa VBR(F1) , VBR(F2), ,VBR(FN) para los incrementos graduales de la corriente en la compuerta IG1, IG2,, IGN.
Voltaje de ruptura en inversa, VBR(R). Este parmetro especica el valor de voltaje en inversa del ctodo
al nodo al cual el dispositivo irrumpe en la regin de avalancha y comienza a conducir en exceso (igual que
en un diodo de unin pn).
Regin de conduccin en directa. Esta regin corresponde a la condicin encendido del SCR en que la corriente uye del nodo al ctodo gracias a la muy baja resistencia (corto aproximado) del SCR.
Regiones en bloqueo en directa y en inversa. Estas regiones corresponden a la condicin apagado del SCR
en que la corriente que uye del nodo al ctodo es bloqueada por el circuito abierto efectivo del SCR.
En la tabla 5.2 se describen los datos que generalmente proporciona el fabricante para los SCRs.
IT
IT(AV)
IT(RMS)
ITRM
ITSM
52
Tabla 5.2. Especicaciones del SCR

Corriente
On state continous direct current
Mxima corriente continua (sin componente alternada)
Average On State current
Mxima corriente media (en funcin de la temperatura)
On state root mean square current Mxima corriente ecaz para una forma especca de la
funcin
Repetetive Max Current
Mxima corriente instantnea comprendida en un pico de
corriente repetitiva.
Surge Max Current
Mxima corriente de pico en transitorios no repetitivos en
funciones de duracin especcas
CAPTULO 5
TIRISTORES
I2t
Max Fuse current

Holding Current
IH
VFGM
VFGN
VRGM
IFGM
PGM
PG
Compuerta
Forward Gate Max Voltage
Mxima tensin directa de compuerta con el nodo positivo
con respecto al ctodo.
Forward Gate Max Voltage with Mxima tensin directa de compuerta con el nodo negativo
negative anode
con respecto al ctodo.
Reverse Gate Max Voltage
Mxima tensin inversa de compuerta
Forward Gate Max Current
Mxima corriente de compuerta
Gate Max Power
Mxima potencia instantnea de compuerta
Gate Mean Power
Gate rt igger current
IGT
VRM
VRWM
VRRM
VRSM
VDM
Reverse Continous Max Voltage

Reverse Working Max Voltage
Repetitive Max Voltage
Reverse Surge Max Voltage
Direct Continous Max Voltaje
Mximo valor medio de la potencia aplicado a la compuerta

Corriente de disparo de compuerta. Es la corriente en la
compuerta necesaria para cambiar el SCR de la regin de
bloqueo en directa a la regin de conduccin en directa, en
condiciones especcas.
Voltaje
Mxima tensin inversa continua
Mxima tensin inversa instantnea de trabajo que puede ser
aplicada peridicamente por un tiempo indenido.
Mxima tensin inversa instantnea repetitiva
Mxima tensin inversa no repetitiva
Mxima tensin directa continua
Direct Working Max Voltaje
Mxima tensin directa instantnea de trabajo.

(Son vlidas para la misma condicin VRWM )
Direct Repetitive Max Voltaje
Mxima tensin directa instantnea repetitiva.

(Vlida para la misma condicin dada para VRRM)
Direct Surge Max Voltaje
Tiene la misma especicacin de la VRSM
VDWM
VDRM
VDSM
Corriente
Corriente de fusible (Es la integral del cuadrado del valor
ecaz por tiempos menores de 8.33mseg)
Corriente de retencin: Es el valor de la corriente en el nodo
por debajo del cual el SCR cambia de la regin de conduccin
a la regin de bloqueo en directa. El valor se incrementa con
valores decrecientes de IG y es mximo con IG = 0.
5.3.4 CARACTERSTICAS DE ENTRADA

En la gura 5.10 se muestra el SCR conectado a una carga Z. El SCR se activa aplicando una corriente de
compuerta iG, la cual produce un voltaje entre la compuerta y el ctodo. La graca a la derecha de la gura nos
muestra la relacin que existe entre VGK e iG. Sin embargo, en realidad esta curva es terica ya que en los SCR
se presenta un fenmeno de dispersin en su construccin. Esto signica que si en determinado lote de fabri-
53

cacin de SCRs se hace un sondeo en varios componentes supuestamente iguales, sus caractersticas elctricas
no son iguales, es decir dieren ligeramente uno con respecto al otro.
IA
iG
VGK
PG
V AK
VGK
iG
Figura 5.10 Caractersticas a la Entrada
Para resolver este problema en los SCR, los constructores dan valores en las caractersticas de entrada tal
como se muestra en la grca de la gura siguiente:
VGK
b
D
REGIMEN
IMPULSIVO
VGT
VGN
REGIMEN
CONTINUO
PGT
PG TG
PG
PG
Instantanea
I GT
iG
Figura 5.11: Curvas de caractersticas lmites de una familia de SCRs
En las tablas 5.2 y 5.3 se denen cada aspecto de la curva anterior. En general las zonas vienen inuenciadas por la temperatura, si la temperatura aumenta la zona de conduccin decrece favoreciendo el paso de
OFF a ON de un SCR. Por la razn anterior es mejor trabajar en la zona impulsiva mandando seales grandes
olvidndonos de las variaciones trmicas; ya que si se trabaja en los lmites de C y B es ms fcil que falle
que si se trabaja en la zona D que tiene de por medio la zona C.
Tabla 5.2. Zonas de operacin del SCR
Zona
A
B
C
D
54
Descripcin
Estado seguro en OFF de SCRs similares
Zona incierta en la que algunos SCRs similares se encienden ON y otros no OFF
Zona segura pasando de OFF a ON para todos los SCRs
Zona segura pasando de OFF a ON para todos los SCRs y solamente pueden trabajar con
valores impulsivos.
CAPTULO 5
TIRISTORES
Tabla 5.3. Caractersticas lmites del SCR
Descripcin
Es la descripcin para la resistencia ms baja de compuerta
Es la caracterstica para la resistencia ms alta de compuerta
Valor del voltaje de compuerta abajo del cual todos los SCRs no conducen OFF
Caracterstica
Curva a
Curva b
VGN
Gate No Trigger Voltage
Valor del voltaje de compuerta arriba del cual todos los SCRs conducen ON
VGT
Gate Trigger Voltage
El valor de la corriente de compuerta del cual todos los valores mayores a este
IGT
hacen que todos los SCRs vayan a ON
Gate Trigger Current
Representa el valor mximo de potencia media que puede soportar la unin
Hiprbola PG
compuerta-ctodo
Representa el mximo valor de potencia instantnea que puede soportar la unin
Hiprbola PG instantnea
compuerta-ctodo
La potencia aplicada a la compuerta puede calcularse de la siguiente manera: En la gura 5.15 se muestran
dos pulsos aplicados a la compuerta con una duracin TG1 y TG2.
PGK
PG1
PG 2
PG
TG1
TG 2
t
T = 16.6ms
Figura 5.12: Periodo de una tensin senoidal de 60Hz.
Si se conoce el valor de PG, entonces se pueden establecer la siguiente relacin:

PG1 TG1
PG T
(5.1)
De donde la potencia para el pulso con duracin TG1 se determina por la siguiente desigualdad
(5.2)
De la misma manera para el pulso TG2
(5.3)
Como ya dijimos un SCR puede ser controlado en su compuerta con seales continuas o impulsivas.
55
5.4 EL TRIAC
Bsicamente, se puede pensar en un triac simplemente como dos SCR conectados en paralelo y en direccin
opuesta con una terminal comn, la compuerta. A diferencia del SCR el triac puede conducir corriente en una
u otra direccin cuando es activado, segn la polaridad del voltaje a travs de sus terminales MT1 y MT2. la
gura 5.13 muestra la construccin bsica y el smbolo esquemtico de un triac.
MT2
n
p
MT2
G
n
p
MT1
MT1
Figura 5.13 El Triac
La curva de caracterstica se muestra en la gura 5.14, en la cual se observa que el potencial de ruptura
se reduce a medida que se incrementa la corriente en la compuerta exactamente como con el SCR. Como
con otros tiristores, el triac deja de conducir cuando la corriente en el nodo se reduce por debajo del valor
especicado de la corriente de retencin IH. La nica forma de apagar el triac es reducir la corriente a nivel
sucientemente bajo.
La gura 5.15 muestra el Triac siendo disparado en ambas direccin de conduccin. A la izquierda, la terminal MT2 esta polarizada positiva con respecto a MT1, por lo que el triac conduce como se muestra cuando
es disparado por un pulso positivo en la terminal compuerta. El circuito equivalente muestra que Q1 y Q2
conducen cuando se aplican un pulso de disparo positivo. A la derecha la terminal MT1 esta polarizada positiva
con respecto a MT2, por lo que el triac conduce como se muestra. En este caso, Q3 y Q4 conducen como se
indica al aplicar un pulso de disparo positivo.
IA
Regin de conduccn
IH0
I H1
IG2
IG0
I G1
Regin de bloqueo
IH2
VA
IG0
VBR (F 2) VBR (F 1)
I G1 I G 0
VBR (F 0)
IA
Figura 5.14 Curva caracterstica del Triac
56
VA
CAPTULO 5
TIRISTORES
MT1
MT2
MT1
MT2
MT2
MT2
Q3
Q1
Q3
Q1
Q4
Q2
Q4
Q2
MT1
MT1
Fig. 5.15. Circuito Equivalente del Triac
El TRIAC es un tiristor bidireccional con tres electrodos, la funcin que realiza este componente puede ser
obtenida conectando dos SCR in anti paralelo, tal como se muestra en la siguiente gura:
SCR1
MT1
K
SCR2
MT2
Fig. 5.16. Circuito Equivalente del Triac usando dos SCRs en antiparalelo
Por lo cual esto se realiza para valores de corriente o tensiones mayores de aquellas que pueden soportar
el TRIAC, incluyendo los picos transitorios tal como se puede apreciar en la gura 5.17.
VT
VDSM
VDWM
VDRM
IL IH
VRWM
VRSM
VRRM
Fig. 5.17. Voltaje aplicado a la conguracin de dos SCRs en antiparalelo
57
CAPTULO 6
RECTIFICADORES TRIFSICOS
David Lara Alabazares y Gerardo Romero Galvn
En un sistema esttico para la regulacin de motores de corriente continua, el elemento principal lo constituye
el recticador, formado por un conjunto de diodos y de tiristores que suministran al inducido y al inductor del
motor una corriente continua a partir de una red de corriente alterna. La tensin suministrada que se regula con
los tiristores regula a su vez la velocidad o par del motor.
El sistema ms sencillo para accionar un motor de corriente continua a partir de una red de corriente alterna consiste en un diodo que alimenta al inducido, el devanado de excitacin se alimenta independientemente
o bien se usan imanes permanentes. Este sistema no regula la tensin aplicada al inducido, la relacin par-velocidad esta ja a las caractersticas del motor y la potencia que puede suministrar es baja. Para alimentar motores de corriente continua de mayor potencia, es preferible usar sistemas trifsicos. Por lo tanto los circuitos
recticadores trifsicos dan un mayor nmero de pulsaciones por ciclo de la frecuencia de lnea, aumentando
el tiempo en que la corriente circula por el motor, la relacin entre los valores medio y ecaz, y evitando el
sobrecalentamiento del inducido.
Los diodos y los tiristores empleados en los circuitos de recticacin son de funcionamiento francamente
no lineal. Para analizar circuitos en los que intervengan estos elementos se precisa de circuitos modelos y de
tcnicas para su manejo en las operaciones repetitivas que tienen lugar.
6.1 RECTIFICADOR TRIFSICO DE MEDIA ONDA (SEMIONDA)

El circuito recticador trifsico ms sencillo es el de media onda, representado en la gura 6-1. Este recticador consiste de tres diodos conectados a una carga resistiva comn R. El circuito est conectado a la red
mediante un sistema de transformacin Delta-Estrella. La corriente que uye a travs del embobinado del
secundario es unidireccional y contiene una componente de CD. Slo el embobinado del secundario lleva corriente en un instante determinado, por lo tanto la corriente de carga retorna por el neutro N de la red trifsica
de suministro. El primario se conecta en delta ya que la primera armnica que se presentara ser la tercera, es
decir se reduce la componente armnica.
Vl1
Delta/Estrella
Vf1
Y
Vl 2
Vl 3
Vf 2
Vf 3
D1
D2
D3
io
+
vo
-
Figura 6-1. Circuito recticador trifsico de media onda
59

En la gura 6-2, pueden apreciarse las tres tensiones trifsicas vf1 = van, vf2 = vbn y vf3 = vcn, as como la
tensin resultante en la resistencia.
V f (t )
Vf1
Vf 2
Vf 3
D1
D2
D3
D1
D3
D2
Vo
Io
30
120
Vo (t ) / I o (t )
150
2
4
Figura 6.2. Formas de onda del circuito recticador trifsico de media onda
Cada uno de los tres diodos conduce la corriente durante 120 elctricos, y sus tres ctodos estn conectados a un punto comn de la carga, mientras que los nodos se conectan cada uno a cada una de las fases. Cada
diodo conduce nicamente cuando esta polarizado directamente y no conduce cuando esta polarizado en inverso, de tal forma que en cualquier instante, el diodo que est conectado a la fase de mayor tensin instantnea
es el que conduce, mientras que los otros dos diodos quedan polarizados inversamente, ya que las tensiones
estn referenciadas al comn de los ctodos. Como puede verse en la gura la tensin de salida toma la forma
de los valores mximos instantneos de las tres tensiones. Lo anterior se resume como sigue:
Cuando D1 conduce vf1 es ms positivo que vf2 y vf3
La tensin a la salida vo en la carga es una tensin continua de valor medio dado por
Vo = 3
2r
a2
Vf max sen (~t) d (~t
a1
donde a1 =
r
6
= 30, a2 =
5r
6
(6.1)
= 150 y 120 = 2r/3
Entonces, resolviendo la integral denida y evaluando los lmites de integracin se tiene:
Vo = 3 Vf max 6- cos (~t) @

2r
5r
6
r
6
& Vo = 3 Vf max ; 3 + 3 E
2r
2
2
Lo cual resulta
Vo = Vcd = 3 3 Vf max
2r
60
(6.2)
CAPTULO 6
El resultado anterior se puede extender para sistemas polifsicos de N fases, entonces el voltaje de salida
se resuelve como:
Vcd =
2
2rN
r/N
Vf max cos (~t) d (~t) = Vf max Nr sen (r/N)

(6.3)
Por otro lado el voltaje de fase mximo en funcin del voltaje ecaz est dado por Vf max =
entonces, el valor medio de la carga est dado por:
Vo = 3 6 Vfef = 1.17Vfef
2r
2 Vfef
(6.4)
La corriente est dada en funcin de la resistencia de carga y circula en un solo diodo a la vez tal como se
muestra en la siguiente gura
ON
Vf1
Vf2
Vf3
OFF
OFF
Figura 6-3. Solo un diodo permanece activado
Por lo tanto, la corriente se obtiene aplicando la ley de Ohm

Io = Vo /R
(6.5)
Como la IfAV ocurre en todo el periodo 2 tenemos que:

IfAV = Io /3
(6.6)
Por otro lado la mxima tensin inversa est dada como VRRM = 3 Vf max y la corriente de diodo est dada
por IDef = Ifef, entonces:
IDef =
1
2r
a2
a1
(I f max sen (~t)) 2 d (~t)
(6.7)
Aplicando la identidad trigonomtrica
IDef = I f max
1
2r
a2
a1
(1 - cos2 (~t))
d (~t)
2
61

Evaluando los lmites
IDef = I f max
1 ~t - 1 sen (2~t) 5r/6 I

B r/6 2
4
2r 8 2
fmax
Si la corriente est dada por
Io =
Vo
R
4r + 3 3
= 0.485I f max
6r
(6.8)
3 3
y el voltaje como Vo = 2r Vf max , entonces
V
Io = 3 3 Vf max = 0.83 fm = 0.83I f max
2rRo
R
Entonces:
IDef =
0.49
0.83
Io = 0.58Io
(6.9)
La potencia de salida est dada por Po = Vo Io y la potencia de entrada est por P = 3Vf If, entonces:
P = 3 yo x0.58Io = 1.5Vo Io
1.17
La eciencia del circuito es la relacin de la potencia de salida entre la potencia de entrada:
h = Po & h = Vo Io & h% = 66.7%

P
1.5Vo Io
Existen numerosos circuitos recticadores trifsicos que utilizan diodos y tiristores. En los que utilizan
diodos, la tensin en la carga es directamente proporcional a la tensin de la red de corriente alterna, mientras
que si se utilizan tiristores puede regularse la tensin de salida independientemente de la red. El circuito recticador ms conveniente se selecciona de acuerdo a las necesidades propias de la aplicacin y del precio. Se
debe considerar que el precio de los diodos y tiristores aumente proporcionalmente a sus corrientes y voltajes
nominales.
6.2 RECTIFICADOR TRIFSICO DE ONDA COMPLETA

Este recticador, tambin conocido como recticador tipo puente, consiste de seis diodos conectados en pares
de puentes, conectados al secundario del transformador trifsico que tiene una conguracin delta-estrella, tal
como se ilustra en la gura 6.4.
D1
ON
D2
D3
OFF
OFF
D4
D5
D6
OFF
ON
OFF
Figura 6.4. Recticador de onda completa
62
CAPTULO 6
Estos recticadores trabajan a 6 tensiones que son, las tres cclicas directas VAB, - VBC, - VCA y las tres
cclicas indirectas VBA, - VCB, - VAC. En la gura siguiente se muestran las cclicas para las fases A y B.
VAB
VBA
Figura 6.5. Tensiones en las fases A y B
Para que exista una circulacin de corriente por la carga R se deben de encontrar dos diodos en estado de
encendido, y existen seis posibles maneras de que se efectu la circulacin de corriente:
D1 Y D5 EN ON I SALE POR A Y ENTRA POR B VAB MS POSITIVO QUE: VBC - VCA-VBA- VCB
- VAC
D1 Y D6 EN ON I SALE POR A Y ENTRA POR C VAC MS POSITIVO QUE LOS OTROS

VOLTAJES
D2 Y D6 EN ON I SALE POR B Y ENTRA POR C VBC EL MS POSITIVO
D2 Y D4 EN ON I SALE POR B Y ENTRA POR A VBA EL MS POSITIVO
D3 Y D4 EN ON I SALE POR C Y ENTRA POR A VCA EL MS POSITIVO
D3 Y D5 EN ON I SALE POR C Y ENTRA POR B VCB EL MS POSITIVO
Lo anterior se representa en la siguiente tabla:
VOLTAJE MAS +
DIODO + EN ON
DIODO - EN ON
VAC
VAB
D1
D5
D1
D6
VBC
D2
D6
VBA
D2
D4
VCA
D3
D4
....
VCB
D3
D5
D1
D5
Como se podr ver en la gura siguiente cada voltaje es ms positivo 60 y cada diodo conduce para dos
fases sucesivas por lo cual conduce 120.
63
t
t
t
Figura 6.6. Voltaje recticado por cada diodo
La corriente en cada fase del secundario del transformador sigue la secuencia que se muestra en la gura
siguiente:
64
CAPTULO 6
IA
I D4
240
60
120
300
360
180
I D1
IB
I D5
I D2
IC
I D6
I D3
I D3
Figura 6.7. Corriente a la salida del transformador.
Por lo tanto cada diodo conduce para una fase tal como se aprecia en la siguiente gura:
/3
2
3
Figura 6.8. Conduccin de cada diodo por fase
El voltaje de lnea mximo se dene en funcin del voltaje de fase como 3 Vf max = VL max , entonces el
voltaje de cd se calcula tomando en cuenta los lmites de integracin denidos en la gura 6.8.
Vcd =
1
r/3
1
3
2
3
VL max sin (~t) d (~t)
(6.10)
Resolviendo y evaluando la integral se tiene
Vcd = VL max 6- cos (~t) @

r/ 3
2
3
1
3
r
r
= 3 8 1 + 1 BVL max
r 2 2
65

Por lo tanto,
Vcd = Vo = r3 VL max = 0.95VL max
(6.11)
o bien
Vo = 0.95 3 Vf max = 1.654Vf max
(6.12)
Por otro lado Vcd = r 2 Vef = 1.35Vef y la corriente de lnea depende directamente del voltaje de lnea
y del valor de la resistencia de carga, entonces
3
IL max = VL max
R
La corriente de c.d. en funcin de la corriente de lnea se dene como
Icd
3
I fav =
en promedio es
Icd = r3 IL max y la corriente de fase
, ya que el diodo permanece encendido 120.
Ahora calcularemos la corriente ecaz en el diodo, en la gura 6.9 se muestra la secuencia de encendido
en un ciclo para el diodo D1, de 0 a 60, el diodo permanece apagado (ID1 = 0), as como de 180 a 360 por
lo cual se hace el clculo entre 60 y 120 lo que corresponde al clculo del rea 1, pero como son dos reas
debemos multiplicar la integral por dos.
IDef =
2
2r
1
3
3
2
(ID max sin (~t)) 2 d (~t)
Resolviendo y evaluando se tiene:
IDef = ID max
1 + 3
6
4r
Por lo tanto
IDef = 0.552IDmax
I D1
1
60
1'
120 180
Figura 6.9. Corriente ecaz del diodo
66
CAPTULO 6
En funcin de la corriente de c.d se tiene:
IDef = 0.552 r Icd = 0.578Icd

3
Para calcular la Ief en la fase del transformador se hace la consideracin de 4 reas, tal como se muestra
para la fase A en la gura 6.8, entonces
I fef =
4
2r
1
3
3
2
(IF max sin (~t)) 2 d (~t)
Resolviendo y evaluando se tiene:
I fef = IF max
1+ 3
3
2r
Por lo tanto
Ifef = 0.78IFmax
En trminos de la corriente de c.d.
I fef = r 0.78Icd = 0.817Icd

3
Para el clculo de eciencia se tiene:
h = Pcd = Vcd Icd =

P
3 VL IL
Vcd Icd
= 1
1.04
V
cd
3
0.817Icd
1.35
En valor porcentual se tiene que
%h = 95.4%
La cual es mayor que para el caso del recticador trifsico de media onda.
67
CAPTULO 7
CIRCUITOS INTEGRADOS
David Lara Alabazares y Efran Jaime Ang
En este captulo se estudiarn tres circuitos integrados importantes utilizados en electrnica de potencia. El
primero es el amplicador operacional, el cual es un circuito integrado que gracias a su versatilidad permite
realizar diversos circuitos electrnicos para el control de la conmutacin de dispositivos de potencia. Ejemplos
de estos circuitos son los comparadores, amplicadores y sumadores. El segundo es el integrado temporizador
555, el cual permite generar pulsos y circuitos temporizadores. Por ltimo se estudiarn en forma breve los
optoacopladores que permiten acoplar la parte de baja potencia de un sistema de control con la parte de alta
potencia de una forma segura, ya que el acoplamiento se realiza mediante circuitos pticos.
7.1 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

7.1.1 INTRODUCCIN
Un amplicador operacional, u Op-Amp, es un circuito del tipo amplicador diferencial con una ganancia muy
alta, con una elevada impedancia de entrada y una impedancia de salida baja. La aplicaciones tpicas del amplicador operacional son proporcionar cambios de amplitud y polaridad de voltaje, en circuitos osciladores,
circuitos de ltrado, circuitos de instrumentacin, y convertidores anlogos a digital. Un Op-Amp contiene
tres etapas principales: a) La entrada, la intermedia y la salida, para lograr una ganancia de voltaje muy alta.
La gura 7.1-a muestra el smbolo de un Op-Amp bsico con dos entradas y una salida. La entrada 1 se conoce como entrada no inversora y la entrada 2 como entrada inversora. La gura 7.1-b muestra las terminales
del encapsulado mostrado en la gura 7.1-c, que corresponde ya sea al Op-Amp LM741 o TL081.
Figura 7.1 Amplicador operacional
69

7.1.2 CONFIGURACIN DE UNA SOLA TERMINAL.
La operacin con la entrada en una sola terminal resulta cuando la seal de entrada se conecta a una terminal
de entrada, mientras la otra terminal de entrada se conecta a la tierra, tal como se muestra en la gura 7.2. Si la
seal se aplica a la terminal de entrada con un signo ms (con la terminal de entrada con signo menos a tierra),
se obtiene como resultado una salida que tiene la misma polaridad que la de la seal aplicada a la entada. Si
la seal se aplica a la terminal de entrada con un signo menos, se obtiene una seal de salida opuesta en fase
con la seal aplicada a la entrada. Estos dos casos se muestran en las guras 7.2-a y 7.2-b, respectivamente.
+Vcc
+
vi
vo
a)
-Vcc
vi
+Vcc
+
vo
vi
-Vcc
b)
Figura 7.2 Operacin en una sola terminal: a) No inversor, b) Inversor.
7.1.3 CONFIGURACIN DE DOS TERMINALES (DIFERENCIAL)

En el modo diferencial, se aplican seales en cada terminal de entrada, por lo que se convierte en una operacin
de dos terminales. La gura 7.3-a muestra como una entrada vi = vd , es aplicada entre las dos terminales de
entrada, por lo que ninguna terminal de entrada se conecta a tierra; la salida resultante amplicada est en fase
con la seal aplicada entre las terminales inversora y no inversora. Una conguracin equivalente se muestra
en la gura 7.3.b, en la que se aplican dos seales separadas a las terminales de entrada: v1 a la entrada no inversora y v2 a la entrada inversora, dando como resultado la seal diferencial vd = v1-v2.
70
CAPTULO 7
+Vcc
+
vi = vd
vo
a)
-Vcc
vd
vo
+Vcc
v1
vd = v1 v2
v2
vo
-Vcc
b)
Figura 7.3. Conguracin de dos terminales
7.1.4 MODELOS DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL: IDEAL Y PRCTICO

Un amplicador operacional es un amplicador que posee una ganancia muy alta, una impedancia de entrada
muy alta (por lo general de unos cuantos megaohms) y una baja impedancia de salida (menos de 100 ). El
circuito bsico se construye con un amplicador diferencial que tiene dos entradas (ms y menos) y al menos
una salida, tal como se mostr en la gura 7.1
Las caractersticas del amplicador operacional ideal son las siguientes:
Ganancia de voltaje innita, Av = .

Ancho de banda innito.
Impedancia de entrada innita, Zent = , en lazo abierto.
Impedancia de salida cero, Zsal = 0.
Las caractersticas anteriores solo sirven para el anlisis de circuitos tomando el modelo ideal del amplicador. Sin embargo en la prctica el voltaje de salida est limitado por el voltaje de la fuente, el ancho de banda
de la calidad del dispositivo, y las impedancias de entrada y salida est en funcin de los voltajes de entrada y
corrientes de salida que el circuito soporta, por lo tanto las caractersticas del amplicador operacional prctico
son:
Alta ganancia de voltaje.

Ancho de banda alta.
Alta impedancia de entrada.
Baja impedancia de salida.
En la gura 7.4 se muestran las representaciones de estos modelos del amplicador operacional. En el
modelo ideal (gura 7.4-a), la impedancia de entrada innita se representa como un abierto, mientras que
la impedancia cero de salida es un corto, y la ganancia innita multiplica el voltaje de entrada para dar el
voltaje de salida. En la gura 7.4-b, se incluyen los smbolos de las impedancias de entrada y salida.
71

+Vcc
+Vcc
vent
Z ent = A v
v ent
vsal
vent
Z sal = 0
Z ent Av vent
Av =
vsal
Z sal
-Vcc
-Vcc
a) Amplificador operacional ideal
a) Amplificador operacional prctico
Figura 7.4 Modelos del amplicador operacional
7.1.5 AMPLIFICADOR INVERSOR

En la gura 7.5 se muestra la conexin de uno de los circuitos bsicos que se pueden realizar usando un OpAmp. Este circuito proporciona una operacin como un multiplicador de ganancia constante. Una seal de
entrada vi, se aplica a travs de la resistencia de entrada Ri, a la terminal de entrada inversora. El voltaje de
salida se conecta de regreso a la misma terminal de entrada de signo menos a travs de una resistencia de retroalimentacin Rf. La entrada no inversora est conectada a tierra. Debido a que la seal vi est aplicada a la
terminal de entrada inversora, la salida resultante estar opuesta en fase con la seal de entrada.
If
I ent
vent
Rf
+Vcc
Ri
Ii
vsal
+
-Vcc
RL
Figura 7.5 Amplicador inversor
Para establecer la relacin que existe entre el voltaje de salida y el voltaje de entrada en funcin de las
resistencias asociadas al circuito se deben tomar en cuenta las siguientes consideraciones:
El voltaje de entrada diferencial vd, es virtualmente cero, es decir el voltaje en la entrada inversora esta a
nivel de tierra virtual.
La corriente de entrada a la terminal inversora es prcticamente cero, Ii = 0
Entonces, como no hay corriente en la entrada inversora, la corriente a travs de Ri es igual al de Rf, es
decir:
Ient = If
72
(7.1)
CAPTULO 7
Por otro lado el voltaje a travs de Ri es igual al voltaje de entrada, entonces
Ient = vent /Ri
(7.2)
y el voltaje de salida es igual al voltaje de Rf pero con signo opuesto, por lo tanto
I f =- vsal /R f
(7.3)
Como la corriente a travs de las resistencias es la misma se tiene que
vent /Ri =- vsal /R f
(7.4)
Por lo que la relacin entre la saluda y la entrada es la siguiente:
vsal /vent =- R f /Ri
(7.5)
La ecuacin anterior muestra que la relacin de la salida total al voltaje de entrada, Av depende nicamente
de los valores de las resistencias Ri y Rf. Entonces, la ganancia se puede denir como:
Av = vsal /vent
(7.6)
Si Rf = Ri, la ganancia es unitaria, es decir:

Av =- R f /R1 =- 1
(7.7)
Por lo que el circuito proporciona una ganancia de voltaje unitaria con una inversin de fase de 180.
7.1.6 AMPLIFICADOR NO INVERSOR

En la gura 7.6-a se muestra el circuito amplicador no inversor con Op-Amp, el cual un multiplicador de ganancia constante. Para determinar la relacin entre el voltaje de entrada y el voltaje de salida de este circuito, se
usar la representacin equivalente que se muestra en la gura 7.6-b. En esta aproximacin el voltaje a travs
de Ri es vent, debido a que vd = 0. Por otro lado como la corriente de entrada es cero, el voltaje de Ri debe ser
igual al voltaje de salida a travs de un divisor de voltaje en Ri y Rf, por lo que
R
v =
v
R +R
1
ent
sal
(7.8)
lo que da como resultado
Ri + R f
Rf
vsal
vent = Ri = 1 + Ri
(7.9)
73
+Vcc
+
vsal
vent
vd 0
vent
Ri
-Vcc
Ri
a)
Rf
Rf
vsal
b)
Figura 7.6. Amplicador No Inversor
SEGUIDOR UNITARIO
Si en el circuito amplicador no inversor Ri se hace innita y Rf se hace cero, se obtiene el circuito seguidor
unitario, que se muestra en la gura 7.7, el cual proporciona una ganancia unitaria (1) sin inversin de polaridad o de fase. A partir del circuito equivalente est claro que
v
0
v = 1+ 3 = 1
sal
(7.10)
ent
Por lo tanto:
vsal = vent
(7.11)
Por lo tanto, la salida es de la misma polaridad y magnitud que la entrada. El circuito opera como un circuito emisor seguidor o seguidor de fuente, a excepcin de que la ganancia es exactamente unitaria.
+Vcc
vent
-Vcc
vsal
Figura 7.7 Seguidor Unitario
7.1.7 AMPLIFICADOR SUMADOR

El circuito con amplicador operacional ms utilizado es el circuito del amplicador sumador que se muestra
en la gura 7.8, el cual puede manejar dos o ms seales de entrada. El amplicador sumador proporciona
un medio de sumar algebraicamente ms de dos voltajes, multiplicado cada uno por un factor de ganancia
constante, y sumando cada trmino con la representacin equivalente mostrada en la gura 7.8-b, Al aplicar el
principio de superposicin, cada entrada suma un voltaje a la salida con su respectiva ganancia. Si se usan mas
74
CAPTULO 7
entradas, cada una aade un componente adicional a la salida. Entonces, el voltaje de salida puede calcularse
en trminos de las entradas con la siguiente expresin:
vsal =- ( RR v1 +
f
Rf
R2
v2 +
Rf
R3
v3 + ... +
Rf
Rn
vn)
(7.12)
Rf
R1
+Vcc
R2
v1
R3
v2
Rn
v3
vsal
+
-Vcc
RL
vn
Figura 7.8 Amplicador Sumador
7.1.8 INTEGRADOR
Al utilizar en el lazo de retroalimentacin un condensador en lugar de una resistencia se obtiene un circuito
llamado integrador, como el que se muestra en la gura 7.9. Para obtener una expresin que relacione el voltaje
entre la entrada y la salida, se debe considerar por un lado que el voltaje diferencial es casi cero, por lo tanto
existe una tierra virtual, signica que podemos considerar el voltaje en la unin de R y XC como si fuera tierra;
por otro lado la corriente que pasa a tierra en este punto es cero. La impedancia capacitiva puede ser expresada
como:
Xc =
1
j~C
1
sC
(7.13)
donde j es la variable compleja, = 2 f, es la frecuencia angular expresada en radianes, C es la capacitancia del capacitor y s = j
es la notacin en trminos de la transformada de Laplace.
La corriente que pasa por Ri en un instante dado es la misma que pasa por el capacitor, es decir:
Ient = If
(7.14)
entonces se tiene que:

vent
R
vsal
XC
(7.15)
Resolviendo para Vsal Vent , se obtiene:
75

vsal
vent
-1
=- XR =- sCR
C
(7.16)
Aplicando la transformada inversa de Laplace, la expresin anterior puede reescribirse en el dominio del
tiempo como:
vsal (t) =- RC1
#v
ent
(t) dt
(7.17)
If
I ent
+Vcc
Ri
vent
Ii
vsal
+
-Vcc
Figura 7.9 Amplicador Integrador
La ecuacin (7.17) indica que la salida es la integral de la entrada, invertida y con una atenuacin (o ganancia) 1 RC. Este circuito permite, en conjunto con sumadores, resolver ecuaciones diferenciales. Esto es
aplicable a sistemas de control electrnico sistemas fsicos.
Recordando los cursos de clculo, la integracin representa una sumatoria, y es en s la suma del rea bajo
una forma de onda o curva a lo largo de un intervalo de tiempo. Por otro lado, varias funciones se pueden sumar
para formar una sola funcin. Por lo tanto, se puede aplicar ms de una entrada al integrador y la operacin
resultante est dada por:
vsal (t) =-8 R1C

1
# v (t) dt +
1
1
R2 C
# v (t) dt +
2
1
R3 C
# v (t) dt + ... +
3
1
Rn C
# v (t) dt B
n
(7.18)
7.1.9 DIFERENCIADOR
En la gura 7.10 se indica in circuito diferenciador con amplicador operacional, en el cual la seal de salida
es proporcional a la velocidad de cambio en la seal de entrada. Este circuito al igual que el integrador se aplica
para controlar electrnicamente sistemas fsicos.
Para determinar la relacin del voltaje de salida con respecto al voltaje de salida, se toman las mismas
consideraciones que en caso del integrador, por lo tanto:
Ient = If
La corriente de entrada es la corriente que uye a travs del capacitor y est dada por:
76
(7.19)
CAPTULO 7
Ient = IC = C
dvc
dv
C ent
dt = dt
(7.20)
y la corriente en la resistencia de retroalimentacin se calcula como:
v
I f =R
sal
(7.21)
Al igualar las corrientes se tiene:
dvent
v
dt =- R f
sal
(7.22)
Por lo tanto el voltaje de salida con respecto al voltaje de entrada se escribe como:
dv
v =- R C
dt
ent
sal
(7.23)
donde el factor de escala es RC.
If
Rf
I ent
vent
+Vcc
Ii
vsal
+
-Vcc
Figura 7.10 Circuito diferenciador
7.1.10 COMPARADOR DE VOLTAJE

Como ya se ha visto, el amplicador operacional es utilizado normalmente con conexin de componentes
externos que proporcionan realimentacin negativa la cual sirve para reducir la ganancia de voltaje; cuando se
utilizan componentes externos se denomina ganancia de voltaje en lazo cerrado.
Un amplicador operacional rara vez se utiliza en lazo abierto porque su ganancia es tan alta que diculta
el balance del voltaje de salida entre los puntos de saturacin positivo y negativo. Sin embargo una aplicacin
en la cual se utiliza en lazo abierto es en el comparador de voltaje. Un comparador de voltaje (tambin llamado
comparador) hace lo que su nombre implica. Compara un voltaje con otro voltaje, indicando mediante su salida
cual de ellos es mayor. La gura 7.11-a muestra un ejemplo de comparador de voltaje, en el cual la entrada inversora est conectada a tierra y la seal de entrada est conectada a la entrada no inversora. El circuito hace la
comparacin entre vent y tierra (0V). Si vent es mayor que 0V, lo cual signica que es positivo, la salida pasara a
saturacin positiva, casi +Vcc. Si vent es menor que 0V, lo cual signica que es negativo, la salida pasara a saturacin negativa, casi -Vcc. Un comparador de voltaje con las seales de entrada invertidas se muestra en la g.
77

7.11-b. Si vent es mayor que 0 V, la salida pasara a -Vcc. Si vent es menor que 0V, la salida pasara a +Vcc. Las
formas de onda de las respectivas salidas se muestran en la gura 7.11-c, cuando la entrada es del tipo senoidal.
+Vcc
RB1
a)
RB 2
vent
-Vcc
vsal1
vent
b)
vsal1
vent
+Vcc
+Vcc
-Vcc
RB1
vsal 2
RB 2
vsal 2
-Vcc
+Vcc
t
-Vcc
c)
Figura 7.11 Circuito comparador
El comparador de voltaje es aplicado en muchos circuitos industriales que deben monitorear constantemente algunas seales de voltaje variables e indicar cuando estos voltajes son mayores o menores que alguna
referencia de voltaje.
7.2 CIRCUITOS TEMPORIZADORES

7.2.1 INTRODUCCIN
En aplicaciones como los osciladores, los generadores de pulsos, los generadores de rampas o seales cuadradas, las alarmas contra y los monitores de voltaje se requiere de un circuito que produzca intervalos de
temporizacin. El circuito integrado temporizador ms popular es el LM555 y al igual que los amplicadores
operacionales de propsito general, el 555 es conable, fcil de usar en diversas aplicaciones y econmico. El
temporizador 555 puede trabajar con fuentes de alimentacin que van de + 5 a + 18V, lo que lo hace compatible
tanto con circuitos TTL (lgica transistor transistor) como con circuitos de amplicadores operacionales. El
circuito temporizador 555 puede operar en los dos modos indicados en la tabla 7.1 y representados grcamente en la gura 7.12.
78
CAPTULO 7
Tabla 7.1. Modos de operacin del temporizador 555
Multibrivador Astable
Multibrivador Monoestable
El voltaje de salida pasa de estado alto a estado El voltaje de sala permanece en bajos hasta que
bajo repetidamente. El tiempo del estado en alto se aplica un pulso negativo a la entrada; este pulso
se determina mediante un arreglo RC que se co- tiene una duracin determinada por un circuito
necta al IC 555. El valor del voltaje de salida en RC que se conecta externamente al IC. Cuando el
alto es aproximadamente Vcc y el nivel de salida tiempo de temporizacin termina, la salida regresa
en bajo es aproximadamente 0V.
nuevamente a nivel bajo.
vsal
ASTABLE
nivel alto
vsal
nivel alto
vent
vent
MONOESTABLE
vsal
Pulso de disparo negativo
vsal
Pulso de
Salida
Figura 7.12 Modos de operacin del temporizador 555
7.2.2 TERMINALES DEL 555

La presentacin ms popular del encapsulado del temporizador 555 es el DIP que cuenta con ocho terminales
tal como se muestra en la gura 7.13. La alimentacin del circuito es a travs de la terminal 8, a la cual se le
puede aplicar un voltaje que puede tener un valor entre +5 y 18V, lo que lo hace compatible con fuentes TTL o
fuentes para circuitos integrados lineales. La tierra es la terminal 1, y est indicada normalmente con un punto
en la parte superior del encapsulado. A continuacin se describen las terminales restantes.
Figura 7.13 Terminales del temporizador 555
79

Terminal 3, Salida (Output): Puede suministrar o disparar corriente, la salida puede ser una resistencia conectada a Vcc; en este caso si la salida est en alto la resistencia estar desactivada, si la salida est en bajo
la resistencia estar activada. Si la resistencia se conecta a tierra en un extremo y el otro a la salida del 555
entonces, estar activa si la salida est en alto y desactivada si la salida est en bajo.
Terminal 4, Reinicio (Reset): Al conectar a nivel bajo esta terminal se desactiva el 555, anulando las seales
de comando en la entrada de disparo. Esta terminal debe estar conectada a Vcc si no se utiliza.
Terminal 7, Descarga (Discharge): A travs de esta terminal se descarga el capacitor de temporizacin externa durante el tiempo en el cual la salida este en nivel bajo. Cuando las salidas esta en nivel alto, la terminal
funciona como un circuito abierto y permite al capacitor cargarse a una velocidad determinada por las resistencias asociadas al circuito.
Terminal 5, Voltaje de control (Control voltage): Mediante un capacitor (0.01microF) conectado a esta terminal se pueden ltrar los ruidos generados por la fuente. Adems esta terminal permite modicar el nivel de
los voltajes de disparo y de umbral mediante una resistencia.
Terminales de disparo y umbral (Trigger, threshold): Estas denen el modo de operacin del temporizador
7.2.3 OPERACIN ASTABLE

En la gura 7.14 se muestra el circuito multivibrador astable con el temporizador 555 conectado como multivibrador astable. El capacitor C se carga mediante los resistores externos RA y RB hasta el valor de la alimentacin
VCC. Cuando el voltaje en el capacitor alcanza el valor de 3 VCC , el cual corresponde al voltaje de umbral en la
terminal 6, un comparador dispara un circuito de ip-op (internos del 555) provocando un cambio de estado
a nivel bajo en la salida. Entonces el capacitor se descarga a travs de la terminal 7 mediante la resistencia RB y
1
cuando alcanza un valor por debajo de 3 VCC el ip-op se dispara de nuevo, ocasionando que la salida se vaya
de nuevo a nivel alto y que el capacitor se vuelva a cargar.
1
VCC
RA
TEMPORIZADOR
555
RB
2
SALIDA
Figura 7.14 Multivibrador astable con el temporizador 555
80
CAPTULO 7
El intervalo de tiempo en alto se calcula en funcin de los resistores y el capacitor mediante la siguiente
frmula:
talto = 0.695(RA + RB)C
(7.24)
La salida est en nivel bajo durante el intervalo en el que C se descarga del valor
cula con la expresin:
tbajo = 0.695RB C
VCC a
VCC y se cal(7.25)
El periodo total de oscilacin se calcula como: T = talto + tbajo, y por lo tanto la frecuencia de oscilacin
libre est dada por:
f=
1
T
1.44
(RA + 2RB) C
(7.26)
7.2.8 OSCILADOR MONOESTABLE.

No en todas las aplicaciones se necesita una onda repetitiva continua, y en muchas aplicaciones solo se necesita
un nivel de voltaje determinado durante cierto tiempo. Para estas aplicaciones el multivibrador monoestable, o
de un disparo es el circuito recomendable. En la gura 7.15 se muestra este circuito.
Al aplicar un pulso negativo a la terminal 2, la salida se eleva y la terminal 7 elimina el cortocircuito del
capacitor C, entonces el voltaje de C crece con una constante de tiempo determinada por RA y por C. Cuando el
voltaje del capacitor alcanza el valor de VCC, el comparador interno del temporizador provoca que la salida
cambie de un nivel alto a uno bajo.
El tiempo en alto de la salida se determina mediante la siguiente frmula:
Talto = 1.1RA C
(7.27)
Figura 7.15 Oscilador Monoestable
81
7.3 OPTOACOPLADORES
Un optoacoplador combina en un solo encapsulado un dispositivo semiconductor formado por un fotoemisor, y
un fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se trasmite la luz. El encapsulado que por lo general es
de tipo DIP. La seal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del fotoreceptor. Los optoacopladores son capaces de convertir una seal elctrica en una seal luminosa modulada y volver a convertirla en
una seal elctrica. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento elctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida.
Compuera o base
del dispositivo de
potencia
Seal de entrada
OPTOACOPLADOR
haz luminoso
Circuito de
baja
potencia
Fotoreceptor
Fotoemisor
Dispositivo
de potencia
ALTA
POTENCIA
CARGA
Aislamiento
ptico
Figura 7.16 Operacin de un optoacoplador
En la gura 7.15 se muestra en forma conceptual la operacin de un optoacoplador. Normalmente la salida del circuito de baja potencia enva una seal al fotoemisor del optoacoplador, el fotoemisor emite un haz
de luz infrarroja que es captada por el fotoreceptor. La seal luminosa es semejante a la seal elctrica, por lo
tanto el fotoreceptor reproducir a su salida la seal elctrica aplicada al fotoemisor; entonces esta seal servir
para activar la compuerta o base del dispositivo de potencia, el cual a su vez conmutar para controlar la carga
conectada a un sistema de alta potencia.
Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores. Cuando aparece una tensin sobre las
terminales del diodo IRED, este emite un haz de rayos infrarrojo que transmite a travs de una pequea guaondas de plstico o cristal hacia el fotoreceptor. La energa luminosa que incide sobre el fotoreceptor hace que
este genere una tensin elctrica a su salida. Este responde a las seales de entrada, que podran ser pulsos de
tensin.
Un parmetro clave en Optoacopladores es la CTR (relacin de transferencia de corriente). La CTR es una
indicacin del grado en que una seal es acoplada ecientemente desde la entrada hasta la salida y se expresa
como la relacin de un cambio de la corriente en el LED al cambio correspondiente de la corriente en el fotodiodo o fototransistor. Normalmente se expresa como un porcentaje.
Se utilizan Optoacopladores para aislar secciones de un circuito que son incompatibles en trminos de niveles de voltaje o corrientes requeridas. Por ejemplo, se utilizan para proteger pacientes hospitalizados contra
choques elctricos cuando estn conectados a instrumentos de monitoreo u a otros dispositivos. Tambin se
utilizan para aislar circuitos de sealizacin o de control de baja corriente de circuitos de suministro de potencia ruidosos, o de circuitos de maquinas y motores de alta intensidad de corriente.
En la tabla siguiente se mencionan los tipos ms comunes de optoacopladores
82
CAPTULO 7
Tipo
Fototransistor
Fotodarlington
Tabla 7.2 Tipos de optoacopladores

Descripcin
Esquemtico
Los nmeros comerciales son el
4N25, 4N26, 4N27, y 4N28 es un
encapsulado de 6 terminales. Sus
principales parmetros son los siguientes:
IF (corriente en directa )= 100mA
en el emisor.
VCEO (voltaje colector-emisor)=
30V
VCBO (voltaje colector-base)= 70V 1-Anodo, 2-Catodo, 3-NC,
4-Emisor, 5-Colector, 6-Base
4N29, 4N30 4N31 4N32 y 4N33
es un encapsulado de 6 terminales.
Sus principales parmetros son los
siguientes:
IF (corriente en directa )= 80mA en
el emisor.
VCEO (voltaje colector-emisor)=
30V
VCBO (voltaje colector-base) = 30V
FotoSCR

4N39, y 4N40 es un encapsulado
de 6 terminales. Sus principales
parmetros son los siguientes:
el emisor.
Soporta un voltaje inverso a su salida de 400V.
FotoTRIAC

MOC3030, MOC3031, MOC3032
y MOC3033 es un encapsulado de
6 terminales. Sus principales parmetros son los siguientes:
el emisor.
Soporta un voltaje inverso a su salida de 250V.
1-Anodo, 2-Catodo, 3-NC, 4-T1
5-NC, 6-T2
83
CAPTULO 8
CIRCUITOS LGICOS
Efran Jaime Ang, David Lara Alabazares y Jaime A. Arredondo Lucio
8.1 INTRODUCCIN
Uno de los elementos que constituyen un sistema elctrico de potencia es el control automtico. Este controlador puede ser del tipo analgico o digital. Los sistemas analgicos poco a poco han sido desplazados por los
sistemas digitales, ya que estos ltimos presentan una gran versatilidad en su implementacin.
Los sistemas digitales estn constituidos por computadoras o microcomputadoras para su operacin. Las
computadoras digitales son mquinas capaces de almacenar en su memoria una gran cantidad de datos e instrucciones, y para la representacin de estos datos e instrucciones estas mquinas utilizan el sistema numrico
binario. Por esta razn en este captulo se estudiarn los fundamentos de sistemas binarios y lgica combinacional para entender la forma en que operan stos sistemas.
El sistema numrico binario como su nombre lo indica, contiene solamente dos elementos. Este sistema
para representar cualquier nmero, utiliza solamente los dgitos 0 y 1, que reciben el nombre de BIT, del trmino
Ingls BInary digiT.
El algebra booleana es la tcnica matemtica usada para resolver problemas de naturaleza lgica, es decir
que esta algebra es la mejor herramienta conocida para el anlisis y diseo de sistemas lgicos, entre los cuales
se encuentran, las computadoras electrnicas digitales que han llegado a ocupar un lugar preponderante debido, a la gran ayuda y uso que brindan a la sociedad.
El algebra booleana fue creada por el gran matemtico ingles George Boole (1815-1864), pero el primero
en aplicar la obra de Boole al anlisis y diseo de circuitos se debe al norteamericano Claude Shannon quien
con esto fortaleci y facilit el diseo de circuitos digitales.
8.2 OPERACIONES DEL ALGEBRA BOOLEANA.

Una variable booleana es un trmino que sirve para representar magnitudes lgicas, es decir que puede tomar
solo dos valores diferentes falso y verdadero, que pueden ser representado como 0 y 1 ; respectivamente.
Existen tres operaciones bsicas en el algebra booleana, dos de dichas operaciones actan sobre dos variables
y la otra est denida sobre una variable.Para representar una operacin lgica de forma clara y completa se
usa un grco denominado tabla de verdad, que consiste en una tabla cuyas columnas de la parte izquierda representan todas las combinaciones posibles que pueden tomar las variables de entrada. En la columna derecha
se indica el valor que toman las salidas para cada combinacin de las entradas.
Operacin lgica AND: La operacin lgica AND entre dos variables booleanas A y B, se escribe como
A $ B = AB = A / B y su denicin se muestra en la siguiente tabla de verdad:
85

A
AB
1.
De la tabla se puede observar, que para que el resultado de la operacin AND sea uno, es necesario que
ambos valores de las variable A y B sean 1.
Operacin lgica OR: La operacin lgica OR entre dos variables booleanas A y B, se escribe A + B = A 0 B
y su denicin se muestra en la siguiente tabla de verdad:
A
A+B
1.
De la tabla se puede observar, que la operacin OR tomar el valor de uno, cuando cualquiera de las variables
de entrada (A o B), o ambas contengan el valor de uno.
Operacin lgica NOT o complemento: La operacin lgica NOT est denida tal como se muestra en la
siguiente tabla y acta sobre una variable de entrada solamente, su representacin es la siguiente: A=
A
De la tabla podemos observar que la operacin lgica NOT, tiene como funcin cambiar el valor de la
entrada de un estado lgico al otro en el sistema numrico binario, es decir que la operacin NOT equivale
a la operacin de complemento
Nota: En el sistema numrico binario existen 2 tipos de complementos el complementos a 2 o a la base
y el complementos a 1 o base menos 1, el tipo de complementos que realiza la compuerta NOT corresponde
a complementos a 1, el cual cambia la entrada, es decir si la entrada es 1 lo cambia a 0 , si la entrada es 0 lo
cambia a 1.
COMPUERTAS LOGICAS BASICAS: Para implementar una operacin lgica bsica se pueden utilizar
diferentes elementos ya sea elctricos, mecnicos, hidrulicos o una combinacin de ellos, para esto se pens
en utilizar una simbologa que represente grcamente la operacin lgica y que sea independiente de los elementos fsicos que se desean usar.
Los smbolos utilizados en este documento para representar a las operaciones lgicas son tomados del
estndar ANSI/IEEE 91-1984 que ha sido adoptado por la industria privada y la militar. A continuacin se
describen los smbolos para las operaciones lgicas bsicas.
86
CAPTULO 8
CIRCUITOS LGICOS
OPERACIN AND: El smbolo utilizado para esta operacin es:
A B
En este caso la compuerta tiene dos entradas (A y B), pero puede ser implementado con ms de dos entradas
OPERACIN OR: El smbolo utilizado para esta operacin es
A+ B
Al igual que operador AND ste smbolo puede tener ms de dos entradas
OPERACIN NOT o COMPLEMENTO: El smbolo utilizado para esta operacin es:
Como se menciono anteriormente este smbolo solo acta sobre un operando o variable de entrada.
OPERACIONES LOGICAS ESPECIALES: Las anteriores compuertas son llamados operadores bsicos,
pero se han estado desarrollando diferentes compuertas especiales que se construyen a partir de una combinacin
de estos operadores bsicos, las cuales tienen ciertas propiedades o ventajas en el costo y su utilizacin. Estas
compuertas especiales corresponden a las operaciones NO-AND (llamada NAND), NO-OR (llamada NOR) y
O-EX (llamada EXOR). Las cuales se describen a continuacin
OPERACIN
NAND: corresponde a la
negacin de la operacin
AND
NOR: corresponde a la
negacin de la operacin OR
Tabla 8.1 Operadores lgicos especiales

TABLA DE VERDAD
A
A$B
0
0
1
1
0
1
0
1
1
1
1
0
A+B
0
0
1
1
0
1
0
1
1
0
0
0
SMBOLO
A B
A+ B
87

XOR, es muy similar a
la operacin OR, dando
como resultado 1 cuando las
entradas son diferentes
XNOR,
es muy similar
a la operacin OR, dando
como resultado 1 cuando las
entradas son iguales
A5B
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
A5B
0
0
1
1
0
1
0
1
1
0
0
1
A B
B
A
A B
Estas compuertas tienen una gran propiedad que la llamaremos propiedad universal o universalidad, el
signicado de esta propiedad puede interpretarse como la utilizacin de las compuertas especiales para la implementacin de las compuertas bsicas AND, OR y NOT, las siguientes guras ilustran esta propiedad.
Tabla 8.2 Equivalencia entre compuertas
Compuerta NAND implementando una
operacin NOT
Compuerta NOR implementando una

operacin NOT
A B
Compuertas NAND implementando una

operacin AND
A B
B
A
A
A+ B = A B
Compuertas NOR implementando una

operacin AND
A
Compuertas NAND implementando una
operacin OR
88
B
A
A B = A+ B
CAPTULO 8
CIRCUITOS LGICOS
Compuerta NOR implementando una

operacin OR
A
B
A+ B
8.3 CIRCUITOS INTEGRADOS TTL

Dentro de los circuitos integrados (CI) se habla de la clasicacin en familias, es decir, un cierto componente
encapsulado de una cierta manera y hecho con una cierta tecnologa. Existen diferentes tecnologas de construccin de los CI como TTL, CMOS, ECL, MOSFET, etc., cada una con sus ventajas y desventajas, adems
de los numerosos factores como costo, dispersin de potencia, velocidad de operacin e inmunidad al ruido
que determinan su seleccin y uso.
Una de las tecnologas que impacta por sus ventajas y que proporciona un mejor rendimiento en sus factores,
corresponde a la Lgica de conexin llamada Transistor-Transistor (TTL), esta tecnologa es tambin llamada
familia lgica TTL, la cual implementa en la construccin de los circuitos integrados Transistores bipolares
en sus entradas y salida.
La familia de CI TTL, es identicada por los fabricantes en su serie comercial con la designacin 74XXX
y 54XXX en su grado o construccin para uso militar la cual opera bajo una temperatura mayor, entre otras
diferencias. Dentro de la serie comercial o 74, los CI se clasican en los siguientes tipos:
74 serie estndar.
74LS Schottky de baja potencia.
74S Schottky.
74H Alta potencia.
74L baja potencia.
Dentro de estos diversos tipos, la serie LS es la ms comn, ya que proporciona una gran mejora en sus
factores de velocidad y la baja dispersin de potencia. Adems de su designacin como la serie numrica y su
tipo, los CI TTL incorporan: al fabricante, su tipo de funcin y su empaquetado, la siguiente graca resume
todas sus designaciones de la familia TTL.
Serie 74 comercial
SN 74 LS 00 N
Tipo
Fabricante
SN Texas Instrument
MC Motorola
DM National
P
Intel
AM Advanced Micro Devices
Empaquetado
J Cermica
W Simple
N Plstico
Funcin
H Alta Potencia
And
LS Schottky Baja Potencia
Or
S Schottky Alta Velocidad
Not
L Baja Potencia
89
Circuito integrado AND, cuenta con

SN74LS08N cuatro operadores de dos entradas cada
uno.
Circuito integrado OR, cuenta con

uno.
Circuito integrado NOT, cuenta con

SN74LS04N seis operadores de una entrada cada
uno.
Circuito integrado NAND, cuenta con

uno.
Circuito integrado NOR, cuenta con

uno.
90
CAPTULO 8
CIRCUITOS LGICOS
Circuito integrado XOR, cuenta con

uno.
8.4 FUNCIONES BOOLEANAS O LGICAS

Una funcin booleana de una o ms variables, no es ms que una relacin lgica entre dichas variables, es
decir una funcin matemtica que sus variables solamente pueden tomar los valores de 0 o 1 y que estn unidas
por los operadores lgicos AND, OR y NOT. A continuacin se muestran algunos ejemplos de funciones
booleanas
f(a,b)= a + a.b + ab
g(x,y,z)= xyz + yz + xz
TERMINOS DE UNA FUNCION BOOLEANA: Un trmino de una funcin booleana est compuesto de
una o ms variables booleanas, unidas por el operador AND, estas variables pueden aparecer en su forma
normal o complementada, por ejemplo:
(a.b.c) es un trmino de tres variables (a, b, c) unidas por el operador AND (.) con a y b en su forma
complementada y c en su forma normal.
(x.y) es el termino de dos variables (x,y) unidas por el operador AND(.), con ambas variables en su
forma normal.
FORMAS CANONICAS DE FUNCIONES BOOLEANAS: Todas las expresiones booleanas, independientemente de su forma, pueden convertirse en cualquiera de su forma cannica llamadas minitrminos o suma
de productos y maxitrminos o producto de sumas.
MINITERMINOS O SUMA DE PRODUCTOS: Un minitrmino, es un trmino que contiene todas las variables
del dominio de la funcin booleana unidas por el operador AND (.), ejemplo de 2 minitrmino (a.b.c) y
(a.b.c) de la funcin booleana f (a, b, c).
MAXITERMINO O PRODUCTO DE SUMAS: Un maxitrmino, es un trmino que contiene todas las variables
del dominio de la funcin unidas por el operador OR (+), ejemplo de 2 maxitrminos (a+ b+ c) y ( a + b + c)
de la funcin booleana f (a, b, c).
DOMINIO DE UNA FUNCION BOOLEANA: El dominio de una funcin booleana, corresponde al conjunto
de variables (o sus complementos) contenidos en una funcin. Por ejemplo el dominio de la funcin f(a,b,c)=
ac+abc es el conjunto de las variables (a,b,c).
91

REPRESENTACION DE FUNCIONES BOOLEANAS: Existen distintas formas de representar una funcin
lgica o booleana, entre las que podemos destacar las siguientes:
Algebraica
Por tabla de verdad
Numrica
Grca
El uso de una u otra, depender de las necesidades concretas en cada caso, en nuestro caso se mostrara la
algebraica y la graca por su utilidad dejando el resto para las siguientes practicas.
LA REPRESENTACION ALGEBRAICA: Esta forma de representacin de una funcin booleana se utiliza
cuando se desea manipular, simplicar o probar la equivalencia de dos funciones booleanas, para esto es necesario utilizar los teoremas o reglas bsicas del algebra booleana.
TEOREMAS O REGLAS BASICAS DEL ALGEBRA BOOLEANA: Existen un gran nmero de teoremas en
el algebra booleana, pero solamente pocas de ellas son de gran utilidad para la simplicacin de funciones, a
continuacin tenemos las principales:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
A+0=A
A+ A= A
A1=A
A A= A
A+1=1
A0=0
A + A = 1
A A = 0
A = A
A + AB = A
A + AB = A + B
(A + B)(A + C) = A + BC
A(B + C) = AB + AC
Todos estos teoremas al inicio de su utilizacin parecen ser complicados, pero su prueba o demostracin
que se har a continuacin facilitara su comprensin y uso.
Teorema 1. A + 0 = A esto quiere decir que un operador booleano OR de 2 entradas, que tiene una entrada
con la variable A( 0 o 1) y la otra siempre 0 tiene como resultado el mismo valor de A.
92
Primera entrada
Segunda entrada
Resultado
variable A
0
1
siempre 0
0
0
o salida
0
1
Igual
CAPTULO 9
PRCTICAS DE ELECTRNICA DE POTENCIA
David Lara Alabazares, Jos G. Rivera Martnez y Othn Coronado Gutirrez
En este captulo se presenta un grupo de cuatro prcticas de laboratorio que le permitirn al lector complementar, en forma experimental, los fundamentos tericos de los primeros cinco captulos de esta obra. Estas
prcticas estn estructuradas de tal forma que permiten el ensamble de los circuitos propuestos de una forma
fcil y sencilla, siguiendo el enfoque de la ingeniera de mtodos para su realizacin.
La seccin 9.1 corresponde a la primera prctica asociada con la unidad 2, cuyo principal objetivo es identicar las caractersticas del diodo semiconductor en sus polarizaciones, adems de obtener las curvas de operacin de ste. Luego en la seccin 9.2 se da la prctica 2 asociada a la unidad 3, y permite visualizar los tres
diferentes tipos de recticadores monofsicos ms comunes que se realizan con los diodos semiconductores.
Posteriormente la seccin 9.3 permite ver la aplicacin de un transistor del tipo NPN como interruptor para
activar cargas de mayor corriente. Finalmente en la seccin 9.4, se aplican dos de los tiristores ms comunes,
el TRIAC y el SCR. Estos dispositivos se usan para controlar el ngulo de disparo.
Los materiales utilizados para estos experimentos son de fcil adquisicin y de bajo costo, procurando
reutilizar el material de una prctica a otra. As mismo, el equipo de laboratorio que se utiliza es comn en la
mayora de las instituciones educativas de nivel superior, en las que se imparten carreras anes a la ingeniera
elctrica o electrnica.
9.1 CARACTERSTICAS DEL DIODO SEMICONDUCTOR

9.1.1 OBJETIVOS
1.
2.
3.
Identicar las terminales del diodo semiconductor para probar su resistencia en polarizacin directa e
inversa usando un hmetro.
Obtener las curvas de voltaje y corriente del diodo semiconductor.
Observar la operacin del diodo semiconductor en ambas polarizaciones.
9.1.2 MATERIAL Y EQUIPO

Equipo y herramienta
1 Fuente de voltaje variable de 0-30V doble con un juego de puntas.
2 Multmetros
1 Pinza de corte
1 pinza de punta.
2 juegos de puntas del tipo caimn
93

Protoboard
Material
1 Foco de 6V con bayoneta
4 Diodos 1N4001
Resistencia de 1K
9.1.3. MARCO TERICO

El diodo semiconductor permite que la corriente uya a travs de l en una sola direccin. El diodo est constituido por dos tipos de materiales semiconductores, tipo P y tipo N, por lo tanto al diodo se le conoce como
unin PN. La terminal conectada al material P se le conoce como nodo y la terminal conectada a la terminal
N se le conoce como ctodo. En polarizacin directa el nodo se conecta al positivo de la fuente de voltaje,
mientras que el nodo al negativo. Un diodo semiconductor tiene baja resistencia en polarizacin directa y
muy alta resistencia en polarizacin inversa. El diodo se utiliza en electrnica en varios circuitos, tales como
el recticador, detector, jador, limitador e interruptor lgico. Los diodos se fabrican para soportar una gama
de corriente segn la aplicacin. Esta puede ser desde unos cuantos miliamperios hasta cientos de amperios.
En la gura 9.1 se muestra la curva caracterstica de un diodo, en la cual se puede ver que con poco voltaje en
polarizacin directa se produce un gran ujo de corriente y de forma contraria, se necesita un voltaje elevado
para producir un ujo de corriente en polarizacin inversa.
Figura 9.1. Curva del diodo semiconductor
9.1.4. PROCEDIMIENTO
9.1.4.1. Identicacin del diodo semiconductor
a). Consulte la hoja de datos del diodo semiconductor, la cual puede encontrarse fcilmente en internet
en un buscador solo introduzca 1N4001 y arrojar el vnculo a las hojas de datos, por ejemplo:
http://www.fairchildsemi.com/ds/1N%2F1N4001.pdf.
b) Examine los diodos e identique segn la hoja de datos el ctodo y el nodo. Adems usando etiquetas se clasicar cada uno de los diodos, denominndolos como D1, D2, D3 y D4.
94
CAPTULO 9
c). Ahora se medir la resistencia de los 4 diodos tanto en polarizacin directa como en inversa. Para
esto se usar el multmetro en funcin de hmetro. En esta prueba, si el diodo est en buen estado este
presentar una baja resistencia en directa y una alta resistencia en inversa. Conecte la punta comn
o negativa del multmetro (color negra) al extremo del ctodo del diodo y la punta positiva (roja) al
nodo. Mida la resistencia de cada uno de los diodos y registre los valores en la columna de la tabla
9.1. Ahora invierta las conexiones del diodo y mida la resistencia (use el rango ms alto del hmetro),
registrando los valores en la tabla 9.1.
Tabla 9.1 Valores de resistencia de los diodos en ambas polarizaciones
Diodo
Resistencia en directa (Ohms)
Resistencia en inversa (Ohms)
D1
D2
D3
D4
9.1.4.2. Visualizacin del funcionamiento del diodo
a) Ajuste la fuente de voltaje a 6 volts en el canal 1.
Nota: La fuente que se usar es del tipo dual y opera en los modos de independiente, serie o paralelo. Se
usara en el modo independiente. Los controles para congurar estn en el centro del panel frontal y deben estar
fuera los dos. Las puntas se conectan como se muestra en la gura 9.2.
Para otro modelo de fuente ver el manual de usuario de la fuente.
Figura 9.2. Ajuste de la fuente a 6V
b) Ahora se conectar en diodo a un foco de 6V tal como se muestra en el esquemtico de la gura 9.3, para
esto inserte un diodo en el protoboard y conecte el foco al diodo, tal como se muestra en la foto.
Figura 9.3. Conexin del diodo con el foco
95

c) Conecte la terminal positiva de la fuente al nodo del diodo y la terminal negativa al extremo del foco que
no est conectado al ctodo y observe lo que ocurre. Ahora invierta las terminales de la fuente.
Qu ocurre?, ____________________; explique porque se comporta el diodo de esta manera.
__________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
d) Complete la descripcin de la gura 9.4
Figura 9.4-a, Diodo en:
Figura 9.4-b Diodo en:
9.1.4.3. Obtencin de la curva del diodo

a) Preliminares: En la siguiente tabla se describe la simbologa usada en esta seccin.
Smbolo
Descripcin
El multmetro en funcin de voltmetro, indica que

se conecta en paralelo con el dispositivo al que se
desea medir el voltaje.
El multmetro en funcin de ampermetro, indicando
que se conecta en serie con el circuito al que se desea
medir la corriente.
Fuente ajustable, indica que la fuente se har variar

mediante sus controles o perillas de ajuste. El extremo de la raya ms grande es la terminal positiva.
96
CAPTULO 9
b) Conecte el diodo a la fuente tal como se indica en el esquemtico de la gura 9.5. La fuente se ir ajustando
gradualmente desde 0.1 V hasta 1V con pasos de 0.1V, tal como se indica en la tabla 9.2, (No exceda el voltaje
de 1.0V). Registre los valores de voltaje y corriente del diodo que indican los instrumentos.
V
Figura 9.5. Medicin de voltajes y corrientes en polarizacin directa del diodo
d) Congure la fuente en operacin serie (si tiene duda pregunte al instructor) y realice las conexiones de
polarizacin inversa indicadas en el diagrama de la gura 9.6. El voltaje que se aplicar es de 5V y se ir incrementando con pasos de 5V hasta 50V, tal como lo indica la tabla 9.2.
V
Figura 9.6. Medicin de voltajes y corrientes en polarizacin inversa del diodo

Tabla 9.2. Valores de voltajes y corrientes en directa e inversa
V
VD
ID
V
VI
II
0.1
0.2
10
0.3
Valores en directa
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
15
Valores de polarizacin inversa

20
25
30
35
40
45
50
97

e) Con los datos obtenidos trace la curva de operacin del diodo, en la gura 9.7.
ID
VI
VD
II
Figura 9.7 Curva caracterstica del diodo
f) Se agregar ahora una resistencia en serie con el diodo para ambas polarizaciones, tal como se indica en
los siguientes diagramas. Se aplicara voltaje en polarizacin directa desde 0.2V hasta 2V aumentando gradualmente en pasos de 0.2V. El voltaje en polarizacin inversa ser desde 5 hasta 50V en pasos de 5V. Ambos
valores se indican en la tabla 9.3. Registe el voltaje en el diodo y la corriente del circuito para cada valor que
se indica en las tablas y trace la curva en la gura 9.9 con los datos obtenidos.
V
1K
1K
Figura 9.8. Medicin de voltajes y corrientes en ambas polarizaciones con resistencia de carga
98
CAPTULO 9
V
VD
ID
V
VI
II
Tabla 9.3. Valores de voltajes y corrientes en directa e inversa con resistencia de carga
Valores en directa
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
10
15
Valores de polarizacin inversa

20
25
30
35
40
45
50
ID
VI
VD
II
Figura 9.9. Curva caracterstica del diodo con resistencia de carga
9.1.5 PREGUNTAS DE EVALUACIN

1. Cmo se identica el ctodo del diodo?
2. Qu representa la echa en el smbolo del diodo?
3. Si el diodo est en buen estado cmo es su resistencia en directa?, y en inversa?.
4. Cmo polariza un diodo en directa?
5. Qu voltaje aparece en el diodo cuando se polariza en directa?
6. Qu concluye de esta prctica?
99
9.2. CIRCUITOS RECTIFICADORES

9.2.1. OBJETIVOS
1. Realizar circuitos recticadores con diodos y medir sus principales voltajes.
2. Visualizar las formas de onda de cada uno de estos circuitos y as establecer sus diferencias.
9.2.2. MATERIAL Y EQUIPO

1. Osciloscopio
1 Multmetro
1 Pinza de corte.
1 Pinza de punta.
Protoboard
1 Foco de 6V
con bayoneta
4 Diodos 1N4001
Resistencia de 1K
Cable con
clavija
9.2.3. MARCO TERICO

Un recticador convierte la corriente alterna en corriente directa pulsante con una frecuencia de ondulacin de
salida igual a la de entrada si el circuito es de media onda; si el circuito es de onda completa la frecuencia ser
el doble. Los circuitos recticadores encuentran su aplicacin en las fuentes reguladas de voltaje de C.D, tales
como cargadores de bateras de telfonos celulares, computadoras porttiles, etc.
En el recticador de media onda el diodo conduce durante el semiciclo positivo. En el recticador de onda
completa durante un semiciclo existe conduccin por el circuito formado por el o los diodos polarizados en
forma directa; de la misma forma ocurre para el semiciclo negativo.
La salida del recticador puede ltrarse para despus pasar a un circuito regulador y establecer un nivel
jo. En el recticador de media onda aun con el ltrado existe un rizo y en las aplicaciones que requieran un
pequeo rizado y una componente continua intensa, el recticador de media onda resulta inadecuado a causa
de su factor de rizado un tanto elevado y dbil componente continua. En tales casos tiene un mejor funcionamiento el recticador de onda completa.
9.2.4.1. Recticador de media onda
Conecte los componentes tal como se indica en el diagrama esquemtico de la gura 9.10.
100
CAPTULO 9
D1
Secundario
Primario
1N4001
RL = 2.2 K
120VAC
T1
Figura 9.10. Recticador de media onda
a) Primeramente conecte la clavija al primario del transformador, procurando hacer un buen amarre del cable
sin maltratarlo y aislar correctamente para evitar un corto circuito o bien el contacto con los conductores. La
gura 9.11 muestra la forma en que deben conectarse los cables.
Figura 9.11. Conexin de la clavija al transformador
De igual forma conectar alambres delgados en las tres terminales del secundario, para poderlas insertar en
el protoboard. Mida el voltaje en el secundario con el multmetro en la funcin de voltmetro de AC.
Cul es la lectura de extremos a extremos? _____________
Cul es la lectura del central a extremo1? _____________
Cul es la lectura del central a extremo2? _____________
b) Conecte en el protoboard el diodo, la resistencia y las terminales del secundario del transformador tal como
se indica en la gura 9.12-a.
c) Se observara la forma de onda a la entrada y la salida del circuito recticador, para esto se debe congurar
el osciloscopio a 5V/divisin y una base de tiempo de 5ms/divisin. La punta del canal 1 del osciloscopio va
conectada al nodo del diodo y la del canal 2 se puede conectar ya sea al ctodo del diodo o a la terminal de la
resistencia conectada al ctodo. La tierra o comn del osciloscopio va en la terminal de la resistencia que est
conectada al secundario del transformador. La gura 9.12-b muestra la ayuda visual de las conexiones.
101
a)
b)
Figura 9.12. Recticador de media onda y conexiones de prueba
d) Las formas de onda que aparecen en la pantalla son como las que se muestran en la gura 9.13
Figura 9.13. Formas de onda a la entrada y salida del recticador de media onda
En base a las formas de onda visualizadas en el osciloscopio obtenga las siguientes mediciones
Voltaje mnimo
Voltaje mximo
Frecuencia
Entrada
Salida
9.2.4.2. Recticador de onda completa con derivacin central
a) El esquemtico se muestra en la gura 9.14, el cual consiste de dos diodos, donde el nodo de cada diodo se
conecta a un extremo del secundario, y los ctodos se conectan a un extremo de la resistencia y el otro extremo
de la resistencia se conecta a la derivacin central del transformador.
102
CAPTULO 9
D1
RL = 2.2 K
120VAC
D2
T
Figura 9.14. Recticador de onda completa con derivacin central
b) El montaje sugerido se muestra en la gura 9.15, en la cual para una mejor visualizacin no aparece el transformador pero se indican las conexiones.
Figura 9.15. Montaje del recticador de onda completa con derivacin central
c) Se proceder ahora a visualizar el comportamiento de la seal aplicada a la entrada y a la salida del recticador, como sigue:
Coloque el comn o tierra del canal 1 en la terminal de la resistencia conectada al central del transformador.
La punta del canal 1 va en la terminal de la resistencia conectada a los ctodos.
La punta del canal 2 va en el nodo del diodo 1.
La punta del canal 3 va en el nodo del diodo 2.
Las formas de onda que se deben visualizar se muestran en la gura 9.16.
103
Figura 9.16. Formas de onda del recticador de onda completa con derivacin central
A partir de las grcas de las formas de onda mida lo que se pide en la siguiente tabla.
Canal 1
Canal 2
Canal 3
Voltaje Mximo
Frecuencia
9.2.4.3. Recticador de onda completa tipo puente
El esquemtico de este circuito se muestra en la gura 9.17, el cual consiste ahora de cuatro diodos y una resistencia de carga, la cual tiene una terminal conectada a la unin de ctodos de los diodos D1 y D4, y la otra
terminal a la unin de nodos de los diodos D2 y D2. Un extremo del secundario se conecta a la unin nodoctodo de los diodos D1 y D3, y el otro extremo a la unin ctodo-nodo de los diodos D2 y D4.
Primario
Secundario
D3
D1
RL = 2.2 K
vp
120VAC
D2
D4
Figura 9.17. Recticador de onda completa tipo puente
El montaje de este circuito se muestra en la gura 9.18
104
CAPTULO 9
Figura 9.18. Montaje del recticador de onda completa tipo puente
Para visualizar las formas de onda mostradas en la gura se procede como sigue:
Conecte el negativo o comn del canal 1 a la unin de nodos de los diodos D3 y D2.
Conecte la punta del canal 1 a la unin de ctodos de los diodos D1 y D4.
Conecte la punta del canal 2 a la unin nodo-ctodo de los diodos D1 y D3.
Conecte la punta del canal 3 a la unin ctodo-nodo de los diodos D2 y D4.
En la pantalla del osciloscopio aparecern las formas de onda semejantes a la de la gura 9.19.
Figura 9.19. Formas de onda del recticador de onda completa con derivacin central
9.2.5. PREGUNTAS
1. Para qu es necesario usar un circuito recticador?
2. Qu semiciclo de la seal de AC pasa por el recticador de media onda?
3. Tienen la misma frecuencia de salida los tres recticadores?
4. Cunto voltaje se cae en cada uno de los recticadores?
5. A partir de los voltajes mximos ledos, obtenga los valores RMS y Promedio de las salidas
105
9.3. TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

9.3.1. OBJETIVOS
1.
2.
Validar la operacin del transistor como un dispositivo de conmutacin.

Aplicar el transistor como interruptor para accionar cargas pequeas tales como un foco de 6V, un
motor de DC de 6V y un Relevador.

1 Osciloscopio con dos sondas
1 Generador de seal con su cable de conexin
1 Multmetro
1 Fuente de CD ajustable
1 Pinza de corte.
1 Pinza de punta.
Material
Protoboard
1Transistor 2N2222
1 Relevador (Relay)
Resistencia de 2.2K
Motor de CD
1 Foco de 6V
1 Foco de 120V con base.
Cable con clavija
Actividad Previa a la prctica:

a)
Consulte la hoja de datos del transistor:

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/philips/2N2222.pdf
b) Investigar el principio de funcionamiento de un motor de DC con imn permanente.
c) Investigar el principio de operacin de un relevador (Relay).
9.3.3. MARCO TERICO

Un transistor NPN funciona como un interruptor para la carga conectada al colector si se hace pasar rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte el transistor se comporta como un interruptor abierto y en
106
CAPTULO 9
saturacin como un interruptor cerrado. Las especicaciones requeridas para calcular un circuito de transistor
como interruptor son: a) el voltaje del circuito que se va a encender y b) la corriente que requiere con ese voltaje.
El voltaje Vcc se hace igual al voltaje nominal del circuito y la corriente corresponde a la corriente de saturacin Ic-sat. Se calcula la corriente de saturacin mnima,
Ibsat_ min = Ic_sat

b
luego la resistencia de base mnima:
Rb_ max = Von /Ibsat_ min

donde Von es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito debe usar una Rb por
lo menos 4 veces menor que Rb_max. Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en Rb de apagado Von que haga
que el circuito entre en corte.
En la siguiente gura se muestran algunos ejemplos del transistor como interruptor
VCC
VCC
Carga
Carga
Rb
Voff = 0
Rb
C
E
Circuito apagado
Von = VCC
Rb
Voff = Vcc
Rb
C
Von = 0
Carga
Circuito encendido
Circuito apagado
Circuito encendido
b) Transistor PNP
VCC
VCC
Carga
a) Transistor NPN
Rb
VCC
VCC
VCC
E
Rb
Vb1
Rb1
Rb 2
Vb 2
c) Circuitos para accionamiento

de relevador
d) Circuitos para inversin de giro

de un motor de CD (puente H)
Vb1
Vb 2
VCC
Giro derecha
Giro izquierda
VCC
0
Figura 9.20 Circuitos del transistor como interruptor
La principal aplicacin de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados lgicos, donde los
niveles lgicos son obtenidos en los estados de corte y saturacin. Otra aplicacin que tienen es para activar
y desactivar rels, en este caso como la carga es inductiva (bobina del rel) al pasar el transistor de saturacin
a corte se presenta una corriente contra electro motriz patada inductiva que al ser repetitiva quema el transistor, por lo tanto se debe hacer una proteccin con un diodo (diodo volante).
107

9.3.4.1. Activacin de una carga resistiva (foco)
a) Se realizar el circuito de la gura 9.21, para demostrar la operacin del transistor como interruptor. Usando
el transistor NPN 2N2222 se controlar el encendido y apagado de la lmpara de 6V. La seal de control se obtendr a partir de un generador de seales, aplicando una onda cuadrada tipo TTL a 4Hz a la base del transistor.
VCC
Lampara
6V
1K
Transistor
2N2222
B
Generador:
Seal cuadrada
4Hz
Figura 9.21. Diagrama esquemtico del transistor como interruptor para controlar un foco.
b) A partir de la hoja de datos identique las terminales del transistor, as como sus caractersticas.
c) Se inserta el transistor 2N2222 en protoboard, de manera que el colector entre en la posicin G14, la base
en la posicin H15 y el emisor en la posicin G16, tal como se muestra en la gura 9.22.
d) Se conecta ahora la resistencia de 1Kohm a la base en la posicin J9 y la posicin J15. La terminal negativa
se conecta de la fuente se conecta al emisor mediante un caimn y un alambre (el lado alambre conectado a la
fuente debe estar lo suciente pelado ya que se conectaran tres caimanes a este). Una de las terminales del foco
se conecta al colector mediante un alambre insertado en la posicin F14 y la otra se puede enganchar directamente al caimn positivo de la fuente, tal como se muestra en la gura siguiente:
Figura 9.22. Transistor 2N2222 y su montaje en el protoboard para controlar el foco mediante el transistor.
e) Ajuste la fuente a 6V, y oprima el botn de salida. Qu sucede?_________________________
108
CAPTULO 9
Figura 9.23. Ajuste de fuente.
f) Ajuste el generador de funciones a 4Hz, y conecte el negativo al negativo de la fuente, y la seal a la resistencia
de base mediante un alambre insertado en la posicin F9. Qu observa? _______________________________
_______________________________________________________________________________________
Figura 9.24. Generador y conexiones en el circuito
h) conecte ahora el canal 1 del osciloscopio en la terminal de la resistencia conectada al generador, y el negativo del canal 1 al negativo de la fuente, observara la siguiente forma de onda mostrada en la gura 9.25, la
cual guarda una relacin con el encendido y apagado de los focos. Cmo es esta relacin? (intente bajando
la frecuencia).
Figura 9.25. Forma de onda en el osciloscopio correspondiente al encendido y apagado del foco.
109

9.3.4.2. Control de velocidad de un motor
a) En esta seccin se usar una variante del transistor como interruptor usado para regular la intensidad de
corriente aplicada a un motor de CD. El principio consiste en variar la duracin del tiempo en alto de la seal
aplicada a la entrada; de esta forma el valor promedio de la corriente en encendido vara en proporcin del
ancho de pulso aplicado a la base del transistor. El esquemtico de este circuito se muestra en la gura 9.26.
VCC
Ancho de pulso
Motor DC
12V
1K
Transistor
2N2222
B
E
Generador:
Seal cuadrada
20Hz
Figura 9.26. Diagrama esquemtico del transistor como interruptor para controlar un motor.
b) Como se puede apreciar el circuito es idntico al anterior, por lo tanto solo se necesita reemplazar el motor
por la lmpara, respetando las polaridades indicadas en la placa del motor, tal como se muestra en la gura
auxiliar 9.27. (Recuerde que los negativos de la fuente, generador y osciloscopio, deben estar conectados los
tres al mismo punto).
c) La fuente debe ajustarse a 12V y el generador a una frecuencia de 20Hz. Adems con el control del panel
frontal DUTY, (indicado encerrado en el crculo en la gura 9.28) se har variar el ancho de pulso de la onda
aplicada. Para esto simplemente jale el botn y gire hacia donde sea necesario para aumentar o disminuir el
ancho de pulso.
d) Al variar el ancho de pulso visualizar en el osciloscopio como la forma de onda se modica, adems vera
como vara la velocidad del motor, tal como se muestra en la gura 9.29.
Indique en la tabla siguiente que tan rpida es velocidad del motor, segn el ancho de pulso de la onda
cuadrada, (ver gura 9.30 para una mejor apreciacin)
Ancho de pulso
Velocidad del Motor
110
Delgado
Mediano
Largo
CAPTULO 9
Figura 9.27. Montaje del Motor de Cd
Figura 9.28. Ajustes del generador
Figura 9.29. Variacin del ancho de pulso
Figura 9.30 correspondencia con el giro del motor con el ancho de pulso
111

9.3.4.3. Activacin de un Relevador (Relay).
En la gura 9.31 se muestra el diagrama esquemtico del circuito para controlar una carga mediante un relevador. La carga a controlar es un foco de 110V convencional, el cual est conectado a los contactos normalmente abiertos del relevador. Estos contactos se cierran al energizarse la bobina (electroimn) del relevador, lo
cual provoca que el foco encienda.
a) De acuerdo al diagrama este circuito es semejante a los dos anteriores, y solo se necesita conectar la bobina
del relevador entre el colector y la alimentacin de la fuente.
VCC
Relay
NC
NA
Foco
110V
1K
Transistor
2N2222
B
Generador:
Seal cuadrada
4Hz
110V
AC
Figura 9.31. Diagrama esquemtico del circuito para accionar un relevador mediante transistor
b) Primeramente conecte el relevador, sin conectar el foco; en la gura 9.32 se muestran las terminales del
relevador y su montaje en el circuito.
Figura 9.32. Relevador y su montaje en el circuito
c) Ajuste la fuente a 12V y el generador a una frecuencia de 4Hz, con el control del ancho de pulso (DUTY)
adentro. Active la salida a la fuente y escuchar un tic tac repetitivo debido al mecanismo de los contactores
del relevador, (semejante cuando se activan las direccionales de un automvil).
d) Desactive la salida de la fuente, para conectar ahora el foco al relevador:
112
Una terminal del foco va conectada a un polo del cable de la clavija.

La otra terminal del foco va conectada a la terminal 4 del relevador, (puede usar una punta tipo
caimn)
CAPTULO 9
La terminal 6 del relevador va conectada al otro polo del cable de la clavija.
La gura siguiente muestra este montaje. NO OLVIDE USAR CINTA DE AISLAR.
Figura 9.33. Relevador y su montaje junto con el foco en el circuito
d) Active nuevamente la salida de la fuente y CONECTE el foco a la toma de 110V con precaucin.
Observar como el foco enciende y apaga, tal como en los anuncios luminosos.
Figura 9.34. Apagado y encendido del foco debido a la seal de control del generador
9.3.5. PREGUNTAS
1. Cules son los dos tipos de transistores segn sus capas internas?
2. Cules son las dos principales aplicaciones de los transistores?
3. Qu se necesita para que el transistor opere como interruptor?
4. Si se consideraran como amplicadores los circuitos realizados a qu tipo corresponden?
113
9.4 TIRISTORES
9.4.1. OBJETIVO
Visualizar el funcionamiento de los tiristores ms comunes: el SCR y TRIAC, implementando un circuito
recticador que permita controlar el ngulo de disparo usando un SCR y en un circuito convertidor CA-CA
usando un TRIAC

1 Osciloscopio con una sonda
1 Pinzas de corte y de punta.
Material
114
Protoboard
Cable con clavija
1 Capacitor de 0.22 F
Resistencias: de 4.7K, 1K,

1.8K, 120
SCR C106B
1 Resistencia de 220 ,
5W.
1 Diodo 1N4001
1 Potencimetro de 10K
TRIAC 1N6071A
1 Transformador
CAPTULO 9
Actividad Previa a la prctica:
a)
Buscar la hoja tcnica del SCR en la siguiente direccin

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet2/f/0x25l6410895a2ge4fdzlkwipy.pdf.
b) Buscar la hoja tcnica del TRIAC en la siguiente direccin
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet2/5/0qk1k6oc02kyzqy3gjdzc9laf2cy.pdf
c) Buscar la conguracin de un potencimetro
9.4.3. MARCO TERICO

Un SCR es un dispositivo tiristor de cuatro capas, el cual conduce solamente cuando esta polarizado en directa
y se aplica un pulso de corriente a su compuerta, quedando encendido hasta que se retire la corriente que circula entre el nodo y el ctodo o bien quitando o polarizndolo en inversa. Al aplicar nuevamente un voltaje en
directa el SCR quedar listo para que se le aplique de nuevo un disparo a su compuerta.
El TRIAC es un dispositivo equivalente al SCR, de hecho est constituido de dos SCRs conectados en
paralelo y contrapuestos, por lo tanto se diferencia del SCR en que este puede conducir en ambos sentidos
cuando esta activado.
9.4.3.1. Control de potencia de media onda con SCR.
Una aplicacin comn de los SCR se encuentra en el control de potencia que varan en intensidad luminosa de
lmparas, calentadores elctricos y motores elctricos. En la gura 9.35 se muestra un circuito de control de
fase de resistencia variable de media onda; se aplican 120 volts al primario de un transformador que da entre
las terminales del secundario 24V. La resistencia RL representa la resistencia de la carga (por ejemplo, un elemento calefactor o el lamento de una lmpara). El resistor R1 limita la corriente hacia la compuerta del SCR
y el potencimetro R2 ajusta el ngulo o nivel de disparo para el SCR.
9.4.3.2. Control de potencia de onda completa con TRIAC.
Un circuito de disparo sencillo de onda completa para el TRIAC se muestra en la gura 9.38. La corriente de
compuerta se aplica mediante las resistencias R1, R2 y R3. El capacitor C se carga a travs de R1 y R2 durante la
parte del ngulo de retardo de cada medio ciclo. Durante un medio ciclo positivo, T2 es positivo con respecto
a T1 y C se carga positivo en su placa superior. Cuando el voltaje en C se acumula hasta un valor lo sucientemente grande para suministrar suciente corriente de compuerta (IGT ) a travs de R3 para disparar el Triac,
ste se dispara.
Durante un medio ciclo negativo, C se carga negativo en su placa superior. Nuevamente cuando el voltaje
a travs del capacitor es lo bastante grande para suministrar corriente suciente de compuerta en la direccin
inversa a travs de R3 para disparar al triac, ste se dispara.
La carga del capacitor C se establece por medio de la resistencia R2. Entonces, Si R2 grande, la velocidad
de carga es lenta, produciendo un retardo de disparo largo y una corriente de cargo promedio pequea. Para
R2 pequea, la velocidad de carga es rpida, el ngulo de retardo de disparo es pequeo y la corriente de carga
es alta.
115

9.4.4.1. Control de potencia de media onda con SCR.
a) El diagrama esquemtico del circuito a realizar se muestra en la gura 9.35
RL = 1Kohm
R1=4.7Kohm
R2=Potenciometro
Secundario
Primario
RL
R1
D1
120V-AC
R2
T1
Figura 9.35. Diagrama esquemtico del circuito de control de potencia de media onda con SCR.
b) Ensamble los componentes que aparecen en la gura 9.36-a, de la siguiente manera:
Conecte un alambre de la lnea comn azul del protoboard al borne negro y un alambre del comn
rojo opuesto a otro borne, ya sea el verde o el rojo. Esto para facilitar la conexin con el transformador
posteriormente.
Inserte primeramente el SCR procurando que su ctodo, nodo y compuerta queden insertados en las
posiciones H13, H14 y H15 del protoboard respectivamente.
Conecte un alambre entre la posicin I13 y el comn azul, para conectar el ctodo al negativo del
circuito.
Conecte un alambre entre la posicin F14 y D14.
Inserte la resistencia de 1K entre la posicin C14 y el comn rojo o positivo del circuito.
Inserte el diodo que va a la compuerta del SCR, con su ctodo en la posicin F15 y su nodo en la
posicin C15.
c) Ensamble los componentes que aparecen en la gura 9.36-b y c, de la siguiente manera:
116
Conecte los siguientes alambres entre las posiciones a) B15 y C33, c) E25 y C31 y C33 y comn
negativo o azul.
Inserte en potencimetro en las posiciones B31, B33 y B35
CAPTULO 9
a)
b)
c)
Figura 9.36. Montajes parciales del circuito de control de potencia de media onda con SCR
d) Usando las puntas tipo caimn conecte el transformador (el cual debe tener conectada previamente la clavija
bien aislada) a los bornes de tierra y positivo y conecte el transformador al contacto de AC.
e) Conecte el comn del osciloscopio a la terminal de la resistencia de 1K insertada en la posicin C14 y la
punta a la terminal conectada al positivo. Apreciar al variar el potencimetro que la media onda recticada,
varia su forma como se muestra en la siguiente gura.
Figura 9.37. Forma de onda del control de potencia de media onda
117

9.4.4.2. Control de potencia de onda completa con el TRIAC.
a) El diagrama esquemtico del circuito a realizar se muestra en la gura 9.38
Secundario
Primario
RL = 220ohm
R1=1.8Kohm
R2=Potenciometro
R3=330ohm
RL
R1
T2
120V-AC
R2
R3
T1
T1
Figura 9.38: Diagrama esquemtico del circuito de control de potencia de onda completa con TRIAC.
b) Ensamble los componentes que aparecen en la gura 9.39-a, de la siguiente manera:
Conecte un alambre de la lnea comn azul del protoboard al borne negro y un alambre del comn
rojo opuesto a otro borne, ya sea el verde o el rojo. Esto para facilitar la conexin con el transformador
posteriormente.
Inserte primeramente el TRIAC procurando que sus terminales T2-ctodo, T1-nodo y compuerta
queden insertadas en las posiciones H10, H11 y H12 respectivamente.
Inserte los siguientes alambres:
Posicin J10 a Tierra
Posicin J12 a J29
Posicin F16 a E25
Posicin D25 a D27
Posicin C29 a C35
Posicin J35 a Tierra
Inserte los siguientes componentes:
Resistencia de 220Ohms entre posicin F11 y Positivo
Resistencia de 1.8K entre posiciones G11 y G16
Resistencia de 120Ohms E29 y G29
Capacitor con el negativo en la posicin F35 y positivo en la posicin E35.
c) Visualice la seal en la resistencia de 220Ohm colocando el negativo de la sonda a la terminal que est conectada al TRIAC, y el positivo de la sonda a la terminal conectada a la lnea de positivo, tal como se muestra
en la gura 9.39-b
d) Al variar el potencimetro observar como cambia la forma de onda de la seal senoidal completa, tal como
si se cortara una porcin de esta, tal como se muestra en la gura 9.40.
118
CAPTULO 9
a)
b)
Figura 9.39 a) Montajes completo del circuito de control de potencia de onda completa con TRIAC, b) puntos de
medicin de la seal
Figura 9.40. Formas de onda de la salida del circuito de control de potencia de onda completa
9.4.5. PREGUNTAS
1. Explique cmo se est activando el SCR en esta prctica.
2. Porque el TRIAC conduce en los dos sentidos
3. Qu se necesita para apagar el SCR?
4. Mencione alguna aplicacin que se le puede dar a cada uno de estos circuitos.
5. Mencione sus conclusiones
119
CAPTULO 10
PROYECTOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA
David Lara Alabazares, Jos G. Rivera Martnez, Othn Coronado Gutirrez
En este captulo, al igual que en el anterior, se presentan proyectos para elaborar sistemas electrnicos de potencia con aplicaciones ms realistas. Estos proyectos llevan al alumno a un paso ms avanzado en la electrnica industrial. En este captulo no se da de forma muy detallada la forma de elaborar los circuitos propuestos,
esto con la nalidad de que el alumno tome el reto de proponer su propia forma de construccin en base a lo
aprendido en las prcticas del captulo anterior.
10.1. LUCES DE EMERGENCIA

10.1.1. OBJETIVOS
Identicar los componentes para la elaboracin de fuentes de alimentacin, con el n de elaborar un sistema
capaz de mantener la energa elctrica en c.d. para un foco de una lmpara de emergencia en caso de corte de
corriente elctrica de lnea.
10.1.2 Material y Equipo
1 juego de puntas tipo caimn
1 pinza de corte
1 pinza de punta
Protoboard
Transformador de 6V
Batera recargable de 6V
Foco de 6V
Resistencia 33 -5W
1 Resistencia de 1K
1 Resistencia de 150
1 SCR C106B
3 Diodos 1N4001
121
Capacitor de 220 F
10.1.3 MARCO TERICO: FUENTES DE ALIMENTACIN Y SISTEMAS ININTERRUMPIDOS DE POTENCIA

10.1.3.1 Componentes de una fuente de alimentacin
La funcin de una fuente de alimentacin es convertir la tensin alterna en una tensin continua y lo ms estable posible, para ello se usan los siguientes componentes:
1.
2.
3.
4.
Transformador de entrada.
Recticador a diodos.
Filtro para el rizado.
Regulador.
Estos componentes se consideran como etapas de la fuente de alimentacin y generalmente se representan

a bloques tal como se muestra en la siguiente gura:
Figura 10.1 Etapas de una fuente de alimentacin
10.1.3.2 Transformador de entrada

El transformador es un dispositivo que convierte energa elctrica alterna de un cierto nivel de voltaje, en
energa elctrica alterna de otro nivel de voltaje, por medio de la accin de un campo magntico. Est constituido por dos o ms bobinas de alambre, generalmente aisladas elctricamente entre s y arrolladas alrededor
de un mismo ncleo de material ferromagntico. En la gura 10.2 se muestra el smbolo de un transformador.
Ip
Is
Vp
Vs
Np
Ns
Figura 10.2 Smbolo de un transformador con ncleo de hierro
122
CAPTULO 10
La nica conexin entre las bobinas la constituye el ujo magntico comn que se establece en el ncleo.
Uno de los devanados del transformador se conecta a una fuente de potencia CA, el segundo (y a veces el
tercero) devanado entrega potencia elctrica a las cargas. Al arrollamiento que se conecta a la fuente suele
llamrsele devanado primario o devanado de entrada, y al arrollamiento que se conecta a la carga se le designa
devanado secundario o devanado de salida. Si llegase a existir un tercer arrollamiento en el transformador, a
ste se le denomina devanado terciario.
La relacin entre el voltaje Vp (t) aplicado al primario del transformador, y el voltaje inducido en el secundario, Vs (t) es:
Vp (t)
Np
=
=a
Vs (t)
Ns
donde a se dene como la relacin de espiras del transformador y la relacin entre la corriente del primario, Ip (t) y del secundario, Is (t) del transformador es:
Ip (t)
=1
Is (t)
a
10.1.3.3 Recticador a diodos
Como se explico en la unidad 3, el recticador es el que se encarga de convertir la tensin alterna que sale del
transformador en tensin continua; para ello se utilizan diodos. Recordando, un diodo conduce cuando la tensin de su nodo es mayor que la de su ctodo. Es como un interruptor que se abre y se cierra segn la tensin
de sus terminales. El recticador se conecta despus del transformador, por lo tanto le entra tensin alterna y
tendr que sacar tensin continua, es decir, un polo positivo y otro negativo
Figura 10.3 funcin del circuito recticador
10.1.3.4. Filtro
La tensin en la carga que se obtiene de un recticador es en forma de pulsos. En un ciclo de salida completo,
la tensin en la carga aumenta de cero a un valor de pico, para caer despus de nuevo a cero. Esta no es la clase
de tensin continua que precisan la mayor parte de circuitos electrnicos. Lo que se necesita es una tensin
constante, similar a la que produce una batera. Para obtener este tipo de tensin recticada en la carga es necesario emplear un ltro. El tipo ms comn de ltro es el capacitivo a la entrada de la carga, tal como el que
se muestra en la siguiente gura:
123

Secundario
Primario
D1
1N4001
T1
RL
Figura 10.4. Filtro capacitivo
Durante el tiempo en que el voltaje en el diodo de salida sube de cero al voltaje mximo, el capacitor
tambin se carga a este nivel mximo. Cuando el voltaje decrece a cero, el capacitor tiende a descargarse a
travs de la resistencia de carga; sin embargo, la velocidad de descarga del capacitor depende del valor de la
resistencia de carga y de la capacitancia misma, lo cual es ms lento que el tiempo en que el diodo permanece
apagado, por lo tanto el voltaje a la salida es como el que se muestra en la gura 10.5.
Figura 10.5. Voltaje de c.d ltrado
10.1.3.5. Regulador
Un regulador o estabilizador es un circuito que se encarga de reducir el rizado y de proporcionar una tensin
de salida de la tensin exacta que se desea.
10.1.3.6. Sistema ininterrumpido de potencia
Un sistema ininterrumpido de potencia, en esencia es una fuente de alimentacin la cual, durante el tiempo
que hay suministro de energa de lnea, utiliza un circuito de carga para almacenar energa elctrica en una
batera; si el suministro de energa se interrumpe, esta energa acumulada es utilizada ya sea en forma de c.d,
o bien en forma de c.a. Para el primer caso, la energa se toma directamente de la batera mediante un circuito
de conmutacin, para el segundo caso, la corriente directa pasa a un circuito llamado inversor para convertirla
a corriente alterna.
124
CAPTULO 10
10.1.4 CIRCUITO A REALIZAR
El circuito a realizar es el que se muestra en la gura 10.6, el cual consiste de un recticador de onda completa,
que a su salida tiene un ltro capacitivo para brindar un voltaje de c.d. un poco superior de 6V a la lmpara.
A la salida del recticador est conectado de igual forma el circuito de carga de la batera, el cual consiste del
lazo formado por el diodo DC y RC.
El circuito de conmutacin est formado por el SCR, el capacitor Cd y las resistencias Rd y RG. Cuando
hay voltaje de lnea el SCR esta polarizado en forma inversa debido a que el voltaje aplicado a su ctodo es
ligeramente superior al voltaje aplicado al nodo (borne positivo de la batera), y el voltaje de compuerta es
negativo con respecto al voltaje en el ctodo, debido a la carga del capacitor Cd. Por lo tanto el SCR permanece
apagado y no puede circular corriente hacia la lmpara a travs del SCR.
Cuando no hay voltaje de lnea el capacitor Cd se descarga totalmente, el SCR se polariza directamente y
se establece un voltaje positivo en la compuerta determinado por el divisor de voltaje de las resistencias Rd y
RG. Entonces la fuente de alimentacin es la batera y el SCR se activa permitiendo que circule corriente hacia
la lmpara.
De esta forma se asegura que la lmpara siempre estar encendida an cuando no haya corriente de lnea.
Lazo de carga
Transformador de
120/12 con derivacin
D1
DC
SCR C106
C F = 220 F
Filtro
120VAC
T1
D2
RC = 33
Cd
100F
Lampara
6V
Circuito de
conmutacin
RG = 1K
Rd = 150
Batera 6V
Figura 10.6. Circuito para luz de emergencia con una sola fuente utilizando SCR.
10.1.5. MONTAJE
En la siguiente gura se muestra el montaje sugerido del circuito para luz de emergencia. A la izquierda se
muestran las conexiones del transformador, la lmpara y la batera entre el lazo de carga y tierra. A la derecha
se muestra el circuito de conmutacin. Observe que en este montaje no se est utilizando el capacitor de ltrado, esto debido a que la carga que se utiliza es puramente resistiva puede prescindirse de este capacitor.
125
Figura 10.7. Montaje del circuito para luces de emergencia.
10.2 CONTROL DE INTENSIDAD DE CORRIENTE

10.2.1 OBJETIVOS
Controlar la intensidad de corriente de una carga resistiva mediante la variacin del ngulo de disparo de dos
SCRs en antiparalelo o bien utilizando un TRIAC.
10.2.2 Material y Equipo
1
1
1
2
fuente de CD ajustable
Osciloscopio con cuatro sondas
Pinzas de corte y de punta.
juegos de puntas del tipo caimn
Material
126
Protoboard
1 foco de 25 watts con

base y clavija
1 Capacitor de 0.47 F, 2
capacitores de 0.01 F, 1
capacitor de 0.1
Resistencias: 7 de 10 k, 1
GH
G HN
G H
2.2 k, 1 de 39 k, 2 de 2.7 k,
G H
1 transistor 2N2222
4 diodos
Optoacoplador MOC
3011
1 Potencimetro de 10K
CAPTULO 10
TRIAC 1N6071A
3 Amp. Op. TL081
1 temporizador LM555
Transformador de 12 V
con clavija
10.2.3. MARCO TERICO

El control del ngulo de disparo de SCRS tiene una amplia aplicacin en el control de intensidad de corriente
de cargas elctricas, tales como calefactores, sistemas de iluminacin incandescente, mquinas de soldar, por
mencionar algunas.
El pulso que se aplica a la compuerta del tiristor para controlar el ngulo de disparo debe estar sincronizado con la seal de la lnea de corriente alterna, por lo tanto se utiliza un circuito sincronizador conocido
como detector de cruces por cero. Este circuito consiste de un recticador de onda completa, cuya salida se
compara con un voltaje cercano a cero. Como resultado se obtienen pulsos cada vez que la seal pasa o cruza
el cero.
Los pulsos del detector de cruce por cero se usan para generar una seal tipo rampa, la cual se compara
con el nivel de intensidad de corriente que se desea, es decir, se obtiene una modulacin de ancho de pulso en
funcin del nivel de intensidad. Esta seal se aplica a un circuito generador de pulsos los cuales se usan para
activar las compuertas de los SCR o TRIAC mediante un optoacoplador.
En la gura 10.8 se muestra el diagrama a bloques del circuito, y cada una de las partes se estudi en el
captulo 7, donde el detector de cruces por cero es en s un comparador, y el generador de rampa es un circuito
integrador.
Figura 10.8. Diagrama a bloques del control de intensidad de corriente
10.2.4. DIAGRAMA DEL CIRCUITO

En la gura siguiente se muestra el esquemtico de los primeros tres bloques
127

F2
F1
+V
Generador de rampa
T1
D1
D2
10K
D4
+V
10K
741
+
2N2222
4.7K
-V
D3
F3
0.47microF
2.2K
Comparador
+V
330
+V
39K
Detector de cruces por cero
F4
741
-V
741
0.1microF
-V
-V
10K
+V
Figura 10.9. Diagrama esquemtico de los tres primeros bloques.
La primer parte a realizar por lo tanto es el recticador de onda completa para obtener la onda senoidal
recticada tal como la que se muestra en la gura 10.10 y corresponde al punto F1 en el diagrama
Figura 10.10. Forma de onda del punto F1 (salida del recticador)
La segunda parte a ensamblar es el comparador del detector de cruce por cero, el cual tiene como salida la
forma de onda correspondiente al punto F2, tal como se muestra en la grca correspondiente al canal dos en
la gura 10.11. Esta forma de onda son los pulsos cuando la seal recticada vale cero.
128
CAPTULO 10
Figura 10.11. Forma de onda del punto F2 (salida del detector de cruces por cero)
El integrador lo constituye el segundo amplicador operacional, el transistor 2N2222, el capacitor de

0.47 F entre su emisor y colector y la resistencia de 39K conectada a la entrada inversora del amplicador
operacional. Este integrador dar a su salida una seal tipo diente de sierra, debido a que cada medio ciclo se
reinicia a cero ya que cada pulso del detector de cruce por cero se aplica a la base del transistor. La forma de
onda de la salida es la que se muestra en la gura 10.12 correspondiente al punto F3 del diagrama esquemtico.
Figura 10.12. Forma de onda del punto F3 (salida del generador de rampa)
Como ya se mencion, la salida del generador de rampa se compara con el nivel de referencia correspondiente a la intensidad de corriente deseada. En este circuito este nivel de referencia se logra mediante un
potencimetro; en una aplicacin de control este nivel la proporciona el circuito controlador.
La forma de onda de la salida del comparador es la que se muestra en la gura 10.13 correspondiente al
punto F4 del diagrama esquemtico
129
Figura 10.13. Forma de onda del punto F4 (salida del comparador)
La segunda parte del circuito se muestra en el esquemtico de la gura 10.14, en el cual se puede observar
el circuito generador de pulsos, el optoacoplador y el tiristor que en este caso corresponde a un TRIAC.
En la gura 10.15 se muestran las formas de onda de la salida del generador de pulso. Estos pulsos en las
pantallas estn intercalados con la rampa y corresponde a tres niveles de intensidad: a) alta, b) mediana y c)
baja.
+V
Optoacoplador
10K
2.7K
2
10K
100
3
TRIAC
555
4
0.01F
FOCO
120V AC
1K
5
1
0.1F
MOC3030
Generador de pulsos
Figura 10.14. Generador de pulsos, optoacoplador y dispositivo de potencia del control de intensidad
130
CAPTULO 10
a)
b)
c)
Figura 10.15 Formas de onda a la salida del generador de pulsos
10.3. RECTIFICADOR TRIFSICO SEMICONTROLADO

10.3. 1 INTRODUCCIN
Los recticadores trifsicos tienen una gran aplicacin a nivel industrial debido a que son empleados para
alimentar diversidad de equipo que opera con alimentacin trifsica. Existen una diversidad de recticadores
trifsicos tales como media onda, onda completa, semicontrolado y totalmente controlado.
En este caso se tratar el recticador trifsico semicontrolado. Este recticador puede operarse solamente
en el modo recticador y son inadecuados para aplicaciones que requieren frenado regenerativo. Sin embargo,
son econmicos y ofrecen una reduccin substancial en el contenido de armnicos con factor mejorado de
potencia.
De una manera general, el circuito de recticacin trifsica semicontrolada est compuesta por tres etapas,
la primera de ellas es una etapa de conversin de grados a voltios (en la cual es generada una rampa), la segunda es la sincronizacin de pulsos y nalmente la etapa de potencia que es el circuito puente mixto (SCRs
y diodos). A continuacin se dar una explicacin de cada una de estas etapas.
131

10.3.2. CONVERTIDORES DE GRADOS A VOLTIOS PARA EL SINCRONIZADOR TRIFSICO
Para explicar esta etapa nos auxiliaremos con la gura 10.16 que representa nuestro recticador as como la
tensin trifsica que lo alimenta. En ella podemos observar que cada fase de tensin polariza un solo tiristor: Va
polariza a Ta, Vb polariza a Tb y Vc polariza a Tc. Como sabemos, los tiristores deben estar polarizados directamente cuando se hagan conducir y esto slo sucede despus de 30 del inicio de cada onda de tensin senoidal
de cada fase, como lo muestra la graca de tensiones de la gura 1. Esto signica que no debemos disparar
los SCRs antes de los 30 elctricos en relacin a su fase, porque se encuentran polarizados inversamente. Un
razonamiento parecido nos lleva a que ninguno de estos tiristores debe ser encendido despus de los 210 con
respecto a su fase.
Estos anlisis nos llevan a la necesidad de tener un circuito convertidor de grados a voltios desde 30 a
210 elctricos correspondientes a la fase de cada tiristor.
Rerindonos nuevamente a la gura 10.16, nos damos cuenta que la onda de tensin de la fase A cruza a
la fase C exactamente a los 30 (se hace ms positiva) y la vuelve a cruzar (se hace ms negativa) exactamente
a los 210. Es por ello que estas dos fases son las entradas de uno de los comparadores del circuito grados a
voltios, especcamente el convertidor de la fase A. Con un anlisis semejante, encontramos que el convertidor
de la fase B debe comparar tensiones de las fases A y B, y que el comparador de la fase C debe tener como
entradas a comparar las tensiones de las fases B y C. Esto se representa en la gura 10.17
Ta
A1
A3
Tc
VA
G2
G3
Dc
VC
0.5
Vo
Da
-0.5
Db
a)
VB
+
Voltaje
A2
Tb
G1
b)
-1
2
3
4
5
Angulo de Fase en Radianes
Figura 10.16. Recticador puente mixto: a) circuito b) Tensin de entrada
Convertidor
de grados a
volts
A
B
Convertidor
de grados a
volts
B
C
Convertidor
de grados a
volts
Figura 10.17. Representacin a bloques de los convertidores de grados a voltios del sincronizador trifsico
Ahora bien, para que los integradores generen el diente de sierra durante estos 180 (de 30 a 210) es
necesario que los transistores permanezcan en corte, y debido a que los tiristores se encuentran inversamente
polarizados durante los prximos 180, los transistores deben permanecer cerrados para que los integradores no generen el diente de sierra.
Analizando nuevamente la grca de tensiones de la gura 10.16 notamos que cada uno de los comparadores de estos circuitos convertidores se saturan en un sentido durante 180 de la tensin alterna, y hacia el
otro sentido al principio y durante los prximos 180. As pues, podemos deducir que la salida de estos comparadores es la adecuada para conmutar correctamente (en el momento preciso) a los transistores para generar
132
CAPTULO 10
y no generar el diente de sierra, y de esta forma se implementa el circuito convertidor de grados a voltios y su
conguracin se muestra en la gura 10.18.
D1
R1
A
C
Q1
C1
+
-V
Vs
R2
Figura 10.18. Convertidor de grados a voltios fase A
Los otros dos convertidores son exactamente idnticos en cuanto a conguracin se reere, nicamente
cambian las entradas de los mismos. Esto se muestra en la gura 10.20, en la que se representa a los dos comparadores de los convertidores de grados a voltios de las fases B y C respectivamente.
Fase B
Fase C
Figura 10.19 Comparadores de entrada de los convertidores para las otras dos fases
10.3.3. SINCRONIZADOR TRIFSICO COMPLETO

Si la rampa del diente de sierra que se tiene a la salida de estos convertidores la comparamos con un voltaje de
referencia de CD obtendremos el circuito sincronizador de pulsos de disparo. Pero hay que tomar en consideracin el hecho de que estos generadores sincronizadores de pulsos de disparo van a trabajar en conjunto uno
para cada fase, debiendo producir cada uno de ellos un pulso desfasado 120 uno con respecto a otro para el
cebado apropiado de los tiristores. Este hecho hace inadecuada la salida del o los comparadores de salida del
circuito sincronizador para el encendido de los SCRs del recticador trifsico porque, para ngulos de disparo
menores de 60 se ceban dos tiristores a la vez. Esto es debido a la duracin del diente de sierra, 180 y el
desfasamiento que llevan entre si, 120, estas tres ondas.
Por lo tanto se requiere, despus del comparador nal del circuito sincronizador, un circuito que genere
un pulso con una duracin menor o equivalente a 120 y que se pueda controlar con las transiciones del mismo
comparador. Este circuito es el oscilador monoestable, y el circuito completo del generador sincronizador trifsico de pulsos de disparo se muestra a bloques en la gura 10.20.
133

Va
+Vcc
15K
2.7K
2.7K
+
-Vcc
Vc
0.47 F
-Vcc
2.7K
+Vcc
+Vcc
15K
-Vcc
2.7K
0.01F
7
6
2
+
Vref
2.7K
10K
-Vcc
10K
0.1F
4
3
555
5
1
0.01F
Figura 10.20 Diagrama a bloques del generador sincronizador
Por otra parte, el circuito mostrado en la gura 10.20 es funcional si las tensiones de entrada A, B,
y C, correspondientes a las tres fases, son menores que el voltaje de la fuente que alimenta al circuito. Por
lo tanto, es necesario aislar los circuitos de potencia y control por medio de un transformador trifsico o tres
transformadores simples de baja potencia y reductores, tal como se ve en la gura 10.20 que muestra el
diagrama completo del circuito generador sincronizador de los pulsos de disparo del SCR de la fase A. Note
que nicamente se ha dibujado un solo circuito sincronizador porque los otros dos correspondientes a las fases
B y C son exactamente iguales excepto por sus conexiones.
A
Convertidor
de grados a
volts
(de 30 a 210)
Convertidor
de grados a
volts
(de 30 a 210)
B
C
Convertidor
de grados a
volts
(de 30 a 210)
Oscilador
Monoestable
Oscilador
Monoestable
Oscilador
Monoestable
Vref
Figura 10.21 Circuito generador sincronizador de pulso para la fase A.
Hasta aqu tenemos un circuito completo que sincroniza y genera el pulso de disparo para cada uno de
los SCRs del recticador trifsico. Pero se requiere que este circuito est aislado del de potencia, es decir no
es posible mandar el pulso del oscilador monoestable directamente a los SCRs dado a la naturaleza del alto
voltaje. Este problema se resuelve con la ayuda de los opto-acopladores. En este caso se utiliza el MOC3011
en cual tiene a su salida un opto TRIAC y presenta la ventaja de que no utiliza fuente de polarizacin externa.
Esta conexin se muestra en la siguiente gura.
134
CAPTULO 10
100
555
A1
1K
G1
Figura 10.22 Acoplamiento no conductivo de los pulsos de disparo.
10.3.4. ETAPA DE POTENCIA

Esta etapa consiste de un circuito puente mixto formado por tres SCRs y tres diodos, el cual fue presentado en
la gura 1. El circuito completo se muestra a continuacin.
Va
+Vcc
15K
2.7K
2.7K
+
-Vcc
0.47 F
-Vcc
2.7K
+Vcc
+Vcc
-Vcc
Vb
+Vcc
15K
2.7K
2.7K
+Vcc
1K
5
4
0.1F
+Vcc
+Vcc
15K
G1
0.01F
2.7K
2.7K
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Figura 10.23. Recticador trifsico Semicontrolado
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138
Esta obra se termin de imprimir en octubre de 2011

en Ultradigital Press, S.A. de C.V.
Cacama No. 84 Col. Santa Isabel Industrial
C.P. 09820, Mxico, D.F.

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Fundamentos de

David Lara Alabazares

IMPRESO EN MXICO / PRINTED IN MEXICO

Rosa, Irma, Martha Elia y Mirna

Estudia las mquinas elctricas tales como motores y transformadores, as

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA INDUSTRIAL: UN ENFOQUE PRCTICO

Figura 1.1. Aplicacin de la electrnica de potencia en el control de motores

1.2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

e) Tiristor de induccin esttico (SITH)

b) Tiristor conmutado por lnea

f) Tiristor desactivado con asistencia de compuerta

c) Tiristor desactivado por compuerta (GTO)

1.3 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRNICOS DE POTENCIA

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA INDUSTRIAL: UN ENFOQUE PRCTICO

Convertidor CA-CD (scr)

Convertidor CA-CA (triac)

Convertidor CD-CD (transistor BJT)

Figura 2.1 Modelo atmico de Bohr.

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA INDUSTRIAL: UN ENFOQUE PRCTICO

2.2 CLASIFICACIN DE LOS MATERIALES SEGN SU CONDUCTIVIDAD ELCTRICA

Figura 2.2 Bandas de energa para cada tipo de material.

2.3 CORRIENTE EN UN SEMICONDUCTOR

Figura 2.3. a) Enlaces covalentes en el cristal de silicio,

Figura 2.4. Corriente de electrones y corriente de huecos.

2.4 DOPADO DE SEMICONDUCTORES

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA INDUSTRIAL: UN ENFOQUE PRCTICO

Figura 2.5. a) Material tipo N con impureza de Sb,

2.5 LA UNIN P-N: ESTRUCTURA DEL DIODO SEMICONDUCTOR

Figura 2.6. Unin P-N sin polarizacin.

2.5.2 POLARIZACIN INVERSA

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA INDUSTRIAL: UN ENFOQUE PRCTICO

Figura 2.7. Unin P-N con polarizacin inversa.

2.5.3 POLARIZACIN DIRECTA

Figura 2.8. Unin P-N con polarizacin directa.

Existe una corriente nula en la fase de polarizacin inversa

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA INDUSTRIAL: UN ENFOQUE PRCTICO

3.2 CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS DIODOS

Caractersticas elctricas estticas y dinmicas

Average Rectied Forward Current

Corriente en directa recticada

Max Peak Forward Current

Mximo pico de corriente directa

Forward Average Max current

Mxima corriente media

Peak Repetitive Forward Current

Mxima corriente de pico en el transitorio

Max Peak reverse current

Mxima corriente inversa

Forward max voltage

Peak repetitive reverse voltage

Mximo voltaje en directa (mxima tensin

Reverse Recovery Time

Tiempo de recuperacin inversa

Max I2t for fusing

Operation Junction Temperature

Integral del cuadrado de I FSM en un

Thermal resistance union to case

Res. trmica unin-encapsulado

Thermal impedance union to case

3.3 CIRCUITOS CON EL DIODO RECTIFICADOR

3.3.1 RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

Figura 3.2 Recticador de media onda.

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA INDUSTRIAL: UN ENFOQUE PRCTICO