Informe de Electrnica II

Investigacin MESFETs
Christian Fabricio Tenicota Toapanta
Cdigo: 435
Escuela Superior Politcnica de Chimborazo
christian07-07@hotmail.com

Abstract- In this investigation we detail each and every one of

the characteristics of MESFET's addition to describing the
structure and mode of operation. It also took into account the
analysis of how the current expressions are modified when taking
into account other effects such as parasitic resistances or gate
current through the Schottky contact.

I. INTRODUCCIN
Los transistores de efecto campo de unin (JFET) fueron
primero propuestos por Schockley en 1952 y su
funcionamiento se basa en el control del paso de la corriente
por el campo aplicado a la puerta, constituida por una o
varias uniones p-n polarizadas en inverso. Los transistores de
efecto de campo de unin metal-semiconductor (MESFET),
propuestos en 1966, tienen un funcionamiento muy similar al
JFET, pero en los MESFET su control de flujo de corriente
se realiza por una unin metal-semiconductor de tipo
Schottky. Finalmente existen otro tipo de transistores
denominados genricamente MOSFET (metal-oxidosemiconductor), de desarrollo ms reciente, en los que el
conductor de la corriente a travs del semiconductor se
realiza mediante un contacto separado del semiconductor por
una capa aislante (normalmente, oxido de silicio), este tipo de
transistores de utiliza preferentemente en la electrnica
digital. 1
II. OBJETIVOS
A. Objetivo general:
Describir la estructura del MESFET y su modo de
operacin.
B. Objetivo especfico:
Conocer las ecuaciones
MESFETs.

que

gobiernan

los

dopado tipo P. Encima de este semiconductor hay otra capa

conductora tipo N (canal) en la que se conectan tres
terminales: los contactos hmicos de fuente y drenador y un
contacto Schottky que acta como puerta. Se pueden
encontrar tambin canales tipo P, sin embargo, son menos
frecuentes puesto que la movilidad de los huecos es inferior a
la de los electrones. Entre fuente y drenador se har circular
una corriente mediante una tensin aplicada entre estos
terminales. Esta corriente se puede controlar a su vez
mediante una tensin aplicada al terminal de puerta. El
control de esta corriente se realiza gracias a la variacin de la
zona de carga espacial que aparece en el canal debajo de la
puerta. Esta regin de vaciamiento aumenta con el
incremento de tensin aplicada entre puerta y fuente, VGS. 2

Figura 1. Estructura de un MESFET y detalle de la modificacin de la

zona de carga espacial para distintas tensiones aplicadas entre los
contactos de puerta y fuente.

Puede ocurrir que al ir aumentando esta tensin se agote

por completo el canal, anulndose la corriente entre drenador
y fuente para tensiones superiores. A la tensin VGS que
agota el canal se le conoce con el nombre de tensin umbral
Vt, al igual que se defini en el MOSFET. Para calcularla
basta con igualar el espesor de la zona de carga espacial h,
que viene dado por:

III. MARCO TERICO

Estructura del MESFET

El transistor de efecto campo basado en materiales
compuestos ms importante es el transistor de efecto campo
metal semiconductor (MESFET). El MESFET de GaAs
(Figura 1) consta de un sustrato semiaislante o ligeramente

W.R. Curtice. A MESFET model for use in the design of GaAs integrated
circuits, IEEE Trans. MTT, vol. MTT-29, pp. 448-456, May 1980.

Ecuacin 1.0

Con el espesor del canal a (Figura 2). Despejando de esa

igualdad la tensin umbral se obtiene:

W. Shockley. "A unipolar field effect transistor", PROC. IRE, vol. 40, pp.
1365-1376, November 1952.

Ecuacin 1.2

todos los transistores de efecto campo. El primero que us

este mtodo fue Shockley en su trabajo de 1952 Un
transistor de efecto campo unipolar.

Donde ND es la concentracin de impurezas donadoras.

Se suele definir tambin la tensin de agotamiento o pinchoff, Vp, como:
Ecuacin 1.3

La unin metal semiconductor est polarizada en inverso

para aislar el terminal de puerta de los otros terminales. Al
modificar la zona de carga espacial con variaciones de la
tensin VGS aparecen efectos capacitivos entre la puerta y el
canal, comportamiento anlogo al resto de los transistores de
efecto campo.

Figura 3 Variacin del espesor del canal a-h en un MESFET por efecto de
la tensin VDS.

La resistencia de ese elemento de canal se puede escribir

como:
Ecuacin 1.7

Con lo que la cada de potencial en este pequeo

segmento ser:
Ecuacin 1.8
Figura 2. Definicin del espesor del canal h en un MESFET.

Integrando esta ecuacin entre 0 y L se obtiene la relacin

entre la corriente que circula por el canal con las tensiones
aplicadas entre los terminales del transistor:

Principio de operacin.
La conductancia que presentara el canal tipo N sin tener
en cuenta la zona de carga espacial sera:

Ecuacin 1.4

Donde L es la longitud del canal y W su profundidad. La

conductividad real de este canal incluyendo los efectos de la
zona de carga espacial sera:

Ecuacin 1.5

Cuando la zona de carga espacial ocupe todo el canal la

conductividad se har nula. Cuando, adems de aplicar una
tensin a la puerta, la tensin VDS es distinta de cero la
diferencia de potencial entre puerta y un punto x del canal
variar a lo largo del mismo. Se debe dividir el canal en
elementos de longitud dx, cada uno de los cuales presentar
un espesor (a-h(x)) y una conductividad diferentes entre s
(Figura 3). El espesor de la zona de carga espacial en un
punto x es:

Ecuacin 1.6

Donde V(x) es el potencial del canal en ese punto referido

al terminal de fuente. Este procedimiento se conoce como
aproximacin de canal gradual, y es el que se ha venido
usando para calcular la caracterstica corriente tensin en

Ecuacin 1.9

IV. CONCLUSIONES

Para escoger un dispositivo de potencia es imperativo

tener en claro con que valores de voltajes y de
corrientes se va a trabajar.
Es muy importante conocer los parmetros de
funcionamiento de los dispositivos MESFETs ya q
nos ayuda a comprender mejor su funcionamiento.

REFERENCIAS
[1] W.R. Curtice. A MESFET model for use in the design
of GaAs integrated circuits, IEEE Trans. MTT, vol. MTT29, pp. 448-456, May 1980.
[2] W. Shockley. "A unipolar field effect transistor", PROC.
IRE, vol. 40, pp. 1365-1376, November 1952.