Prologue Ps

Elektronische Bauelemente
R. Gromann
A. Frey
Grundlagen.........................................................................................................................................................................4
Widerstnde .......................................................................................................................................................................8
Kondensatoren.................................................................................................................................................................24
Spulen und Transformatoren ..........................................................................................................................................37
Lineare Netzwerke ...........................................................................................................................................................47
Halbleiter ..........................................................................................................................................................................54
Dioden...............................................................................................................................................................................60
Bipolar-Transistoren (BJT) .............................................................................................................................................86
Feldeffekt-Transistoren (FET) .......................................................................................................................................107
Transistoranwendungen ...............................................................................................................................................122
Inhalt:
0
Grundlagen............................................................ 4
2.3.4
Doppelschicht-Kondensatoren ...............33
2.3.5
Einsatzbereiche ......................................34
0.1
Ideale Netzwerkelemente .................................. 4
2.4
Anwendungen ..................................................35
0.2
Differentialgleichung und bertragungsfunktion 4
2.5
Simulation ........................................................35
0.3
Nherungen ...................................................... 5
0.4
Bodediagramm .................................................. 6
0.5
Komplexe Spannungsteiler ............................... 7
1
1.1
1.2
1.3
1.4
Kapazitt spezieller Anordnungen ...................36

Spulen und Transformatoren .............................37
3.1
Physikalische Grundlagen................................37
Widerstnde .......................................................... 8
3.1.1
Induktion .................................................37
Physikalische Grundlagen ................................. 8
3.1.2
Magnetischer Kreis .................................38

Scherung ................................................39
Transformator .........................................40
1.1.1
Energiezustnde ...................................... 8
3.1.3
1.1.2
Elektronen und Lcher in Halbleitern ....... 9
3.1.4
1.1.3
Dotierung von Halbleitern ...................... 10
3.2
Elektrischer Strom ........................................... 11
Frequenzabhngigkeit......................................42
3.2.1
Ersatzschaltbild ......................................42
3.2.2
Gte........................................................42
1.2.1
Teilchenstrme ...................................... 11
1.2.2
Driftstrom und elektrischer Widerstand .. 11
1.2.3
Driftstrom im Halbleiter .......................... 12
3.3.1
SMD-Spulen ...........................................43
1.2.4
Thermisches Rauschen ......................... 13
3.3.2
Kerntypen ...............................................43
1.2.5
Stromrauschen ...................................... 14
3.4
Anwendungen ..................................................44
Herstellungstoleranz: Normreihen ................... 15
3.5
Simulation ........................................................45
Temperatureinfluss.......................................... 16
3.6
Induktivitt spezieller Anordnungen .................46
3.3
Technologie .....................................................43
Lineare Netzwerke ...............................................47
1.4.1
Widerstandsnderung ............................ 16
1.4.2
Eigenerwrmung bei Gleichstrom .......... 17
4.1
Problemstellungen ...........................................47
1.4.3
Lastminderungskurve (derating) ............ 18
4.2
Zweitore ...........................................................48
Temperaturnderungen ......................... 18
4.3
Zweitor-Matrizen ..............................................49
Frequenzeinfluss ............................................. 19
4.4
Umrechnung von Zweitormatrizen ...................50
1.4.4
1.5
2.6
3
1.5.1
Parasitre Elemente .............................. 19
4.5
Passive Zweitore ..............................................51
1.5.2
Skineffekt ............................................... 20
4.6
Kettenschaltung ...............................................52
1.6
Gesamttoleranz ............................................... 21
4.7
Simulation ........................................................53
1.7
Technologie ..................................................... 21
5.1
Generation und Rekombination .......................54
1.7.2
Massewiderstnde ................................. 22
5.2
Fermi-Verteilung ..............................................55
1.7.3
Drahtwiderstnde................................... 22
5.3
Ladungstrgerdichten ......................................56
1.7.4
Kenngren ........................................... 23
5.4
Diffusionsstrom ................................................58
1.7.5
Bauformen ............................................. 23
Kondensatoren.................................................... 24
2.1
2.2
2.3
Halbleiter ..............................................................54
Schichtwiderstnde ................................ 21
1.7.1
Dioden ..................................................................60
6.1
Physikalische Grundlagen ............................... 24

2.1.1
Elektrische Polarisation ......................... 24
2.1.2
Strom im Kondensator ........................... 25
Frequenzeinfluss ............................................. 26
6.2
Abrupter pn-bergang .....................................60

6.1.1
Thermodynamisches Gleichgewicht .......60
6.1.2
Spannung in Sperrrichtung .....................62
6.1.3
Spannung in Flussrichtung .....................63
Grosignal-Beschreibung ................................65
2.2.1
Parasitre Elemente .............................. 26
6.2.1
Statische Diodenkennlinie ......................65
2.2.2
Gte ....................................................... 27
6.2.2
Arbeitspunkt ...........................................66
2.2.3
Impulsbelastbarkeit ................................ 28
6.2.3
Lineare Nherung (Knickkennlinie).........67
2.2.4
Nachlade-Effekt ..................................... 28
6.2.4
Durchbruchmechanismen.......................68
Technologie ..................................................... 29
6.2.4.1
Thermischer Durchbruch ..... 68
2.3.1
Keramische Kondensatoren................... 29
6.2.4.2
Zener-Effekt ......................... 68
2.3.2
Folienkondensatoren ............................. 30
6.2.4.3
Lawinen-Durchbruch ........... 69
2.3.3
Elektrolytkondensatoren (Elko) .............. 31
Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey
V3.3
Durchbruch-Kennlinie .......... 69
7.12
Nichtlinearitt .................................................104
Kleinsignal-Verhalten ...................................... 70
7.13
Rauschen .......................................................105
7.14
Simulationsmodell ..........................................106
6.2.4.4
6.3
6.3.1
Sperrschichtkapazitt ............................ 70
6.3.2
Diffusionskapazitt................................. 71
6.3.3
Feldeffekt-Transistoren (FET)...........................107
8.1
Kleinsignal-Ersatzschaltbild ................... 72
MOS-FET .......................................................107
6.4
Kennzeichnung von Dioden ............................ 73
8.1.1
Inversionskanal.....................................107
6.5
Temperaturverhalten ....................................... 74
8.1.2
Kanalstrom ...........................................108
Temperaturabhngigkeit der Kennlinie .. 74
8.1.3
Substratsteuerung ................................110
6.5.2
Erwrmung bei konstanter Leistung ...... 74
8.1.4
Abweichungen von idealer Kennlinie ....111
6.5.3
Erwrmung bei gepulster Leistung ........ 75
8.1.5
Verarmung und Anreicherung ..............112
6.5.1
6.6
Schaltbetrieb ................................................... 76
8.2
Sperrschicht-FET ...........................................113
6.7
Spezielle Dioden ............................................. 77
8.3
Arbeitspunkteinstellung ..................................115
8.4
Temperatureinfluss ........................................116
6.7.1
LED ........................................................ 77
6.7.2
Fotodiode ............................................... 78
6.7.3
Schottky-Diode ...................................... 79
6.8
Anwendungen ................................................. 80
8.4.1
Kennlinie...............................................116
8.4.2
Wrmeableitung ...................................116
8.5
Kleinsignalmodell ...........................................117
6.8.1
Gleichrichter........................................... 80
8.6
Nichtlinearitt .................................................119
6.8.2
Begrenzung von Spannungsspitzen ...... 81
8.7
Rauschen .......................................................120
6.8.3
Begrenzung einer Eingangsspannung ... 81
8.8
Simulation ......................................................121
6.8.4
Spannungsstabilisierung ........................ 81
8.8.1
6.8.5
Abstimmung von Schwingkreisen .......... 82
8.8.2
6.9
Simulationsmodell der Diode ........................... 83
6.10
Nichtlinearitt................................................... 84
MOSFET ..............................................121
JFET .....................................................121
Transistoranwendungen ...................................122
9.1
Leistungsverstrker........................................122
Rauschen ........................................................ 85
9.1.1
Emitterschaltung mit RE (BJT) ..............122
Bipolar-Transistoren (BJT) ................................ 86
9.1.2
Emitterschaltung ohne RE (BJT) ...........124
Verstrkerbetrieb ............................................. 86
9.1.3
Frequenzabhngigkeit ..........................126
7.2
Sttigungsbetrieb ............................................ 89
9.1.4
Source-Schaltung (FET) .......................128
7.3
Inversbetrieb ................................................... 89
7.4
Kennlinien ....................................................... 90
6.11
7
7.1
7.4.1
9.2
Eingangskennlinie.................................. 90
Stromverstrker .............................................129
9.2.1
Kollektorschaltung (BJT) ......................129
9.2.2
Drain-Schaltung (FET)..........................130
Ausgangskennlinienfeld ......................... 91
9.3
7.5
Kennzeichnung von BJT ................................. 92
9.4
Vergleich der Grundschaltungen ....................131
7.6
Arbeitspunkteinstellung ................................... 93
9.5
BJT-Schalter ..................................................132
7.4.2
Basisschaltung (BJT) .....................................131
Ausgangskreis ....................................... 93
9.5.1
Arbeitsbereiche.....................................132
7.6.2
Basis-Spannungsteiler ........................... 95
9.5.2
Schaltzeiten ..........................................133
7.6.3
Basis-Vorwiderstand .............................. 96
9.5.3
Verlustleistung ......................................134
9.5.4
Schalterarten ........................................135
7.6.1
7.7
Grosignalmodell ............................................ 97
7.8
Kleinsignalmodell ............................................ 98
9.6
FET-Schalter ..................................................136
7.8.1
ESB fr niedrige Frequenzen................. 98
9.6.1
Schaltverhalten .....................................136
7.8.2
ESB fr hhere Frequenzen .................. 99
9.6.2
CMOS-Inverter .....................................136
7.9
PNP-Transistor .............................................. 101
9.7
Zweitor-Matrizen ............................................137
7.10
Grenzfrequenzen........................................... 102
9.7.1
7.11
Temperaturverhalten ..................................... 103
9.7.2
7.11.1
Kennlinien ............................................ 103
7.11.2
Leistung ............................................... 104
V3.3
9.8
Transistor-Parameter............................137
Kombination von Zweitoren ..................138
Vergleich BJT mit FET ...................................140
0 Grundlagen
0.1 Ideale Netzwerkelemente
Widerstand
u(t)
Kondensator
u(t)
i(t)
i(t)
Induktivitt (Spule)
u(t)
Element
i(t)
SinusWechselgren
Impedanz
/
1/
Ohmsches
Gesetz
0.2 Differentialgleichung und bertragungsfunktion

Jedes System kann durch Differentialgleichungen beschrieben werden:
R
Masche:
ia = 0
ue
i
ua
(+ Anfangsbedingung
Fr komplexe Schwingungen
bertragungsfunktion:
'(
')
*# ! +
V3.3
!"#$
vereinfacht sich
0 gegeben)
%&
%"
,
4
0.3 Nherungen
Vernachlssigen:
Gro Klein Gro

1
- 0,0001
1
Achtung:
Subtrahiert man zwei fast gleich groe Zahlen, bleibt nur ein
kleiner Rest, der nicht vorher vernachlssigt werden darf.
(1 0,0001) 1 = -0,0001
(1 0,0001) 1 1 1 = 0
Beispiele fr kleine x:
1
- . 1 ,
*102
Beispiele fr groe x:
1
- . - ,
*102
. 2 ,
. 0 ,
genau
richtig aber zu ungenau
. , - 0
-4
-5 . -0
. 1 , - 0
-4
-5 . -5
0#2
0#2
Anwendung: bertragungsfunktion RC-Glied

,
wenn
1 dann ist ,
. 6
1/
*
*#
V3.3
1 ;<
(Grenzfrequenz)
0.4 Bodediagramm
Betrag und Phase der bertragungsfunktion in Abhngigkeit von der Frequenz;
der Betrag wird meist in dB angegeben (10 lg|,| 20 lg|,|):
Beispiel fr
0,1
0 dB
-20 dB
0,01 -40 dB
0,01
0,1
10 RC 100
0,1
10 RC 100
*# ! +
Daraus lsst sich fr

eine Sinusschwingung
am Eingang ablesen,
welche Amplitude und
Phasenverschiebung
am Ausgang auftritt.
-45
-90
0,01
Beispiel: R = 2 k, C = 1 F, f = 160 Hz RC =
|H| =
, B(H) =
t/ms
0
1
10
6,25
-1
V3.3
0.5 Komplexe Spannungsteiler
RC-Hochpass
,
CD
1
2E
CD
F
1F
1
2E
|H|
0,1
0,1
0,01
0,1
90
,
1
f/fg 10
1
CD
1
1
2E
0,01
0,1
90
-90
-90
Serienschwingkreis
Hochpass
RC-Tiefpass
|H|
Serienschwingkreis
Tiefpass
|H|
0,1
0,1
f/fg 10 ,
CD
-90
-180
0,01
0,1
0
-90
1F
2E
f/fg 10
f/fg 10
|H|
0,01
0,1
0
-180
V3.3
1 Widerstnde
1.1 Physikalische Grundlagen
1.1.1 Energiezustnde
Leitungsbnder: ermglichen freie
Bewegung der Elektronen im Kristall
(mssen nicht besetzt sein)
Valenzband: hchstes, fr T0
vollstndig besetztes Band (kann auch
Leitungsband sein)
Si
Si
Si
W
Leitungsband
Wechsel zwischen Bndern durch

Ste oder Fotonen
Nichtleiter:
Wg
Bandlcke Wg 1 eV sehr gro
auch fr groes T (fast) keine freien

Valenz- Ladungstrger
band
x
W
Leitungsband
Halbleiter:
-
Bandlcke Wg kann durch Energiezufuhr

berwunden werden
Wg
Valenzband
fr steigendes T mehr freie Ladungstrger
x
Leiter:
Leitungsband
Valenzband und Leitungsband berlappen sich
Valenzband
auch bei T0 freie Ladungstrger
x
Materialdaten:
Wg [eV]
Si
1,1
Ge
0,67
GaAs
1,4
InSb
0,18
GaP
2,3
1eV = 1,610-19 J: Energie der Ladung e, die mit 1 V beschleunigt wird

Fotonenenergie: Rot 1,8 eV; Grn 2,4 eV; Violett 3 eV
V3.3
1.1.2 Elektronen und Lcher in Halbleitern
Leitungsband
Leitungsband
+
+
Valenzband
Valenzband
neu erzeugtes Leitungselektron

hinterlsst Fehlstelle (e+) im
Valenzband
Spannung: nicht nur Leitungselektron

bewegt sich, auch Valenzelektronen
rcken jeweils zum Nachbarn
Loch (e+) wandert zum Minuspol
in undotierten Halbleitern gibt es genauso viele Lcher wie Elektronen:

GH
IH
GJ
ni: Eigenleitungs-Trgerdichte
n0: Elektronendichte
p0: Lcherdichte
Materialdaten: Eigenleitungs-Trgerdichte, Atomdichte

Halbleiter
Si
Ge
GaAs
InSb
ni (T = 300 K) [cm-3]
1,51010
2,51013
1,8106
1016
Atomdichte [cm-3]
5,01022
4,41022
2,21022
1,51022
8 !
GaP
2,51022
ni steigt mit der Temperatur (mehr thermische Energie mehr e-/e+-Paare)
V3.3
1.1.3 Dotierung von Halbleitern
Donatoren (n-Dotierungsdichte ND): 5 Valenzelektronen; z.B. Arsen (As)
Strendes e- wird leicht zum Leitungselektron. Atomrumpf ist einfach positiv
geladen (kein Loch! Wird nicht von Nachbar-Valenzelektronen ausgeglichen)
Si
Si
Si
Si
Si
Si
As+
Si
e-
Si
As
Si
Si
bei Raumtemperatur fast alle Dotieratome ionisiert

GH IH
GJ0 gilt auch in dotierten Halbleitern
GH . LM
(unabhngig von T)
IH . GJ0 /LM
Akteptoren (p-Dotierungsdichte NA): 3 Valenzelektronen; z.B. Bor (B)

Ein e- fehlt im Gitter und wird aus der Umgebung geraubt dort entsteht ein
Loch e+. Der Atomrumpf wird einfach negativ. Das ist kein Leitungselektron!
Si
Si
Si
Si
Si
Si
B-
Si
e+
Si
Si
p0 NA (unabhngig von T)
Dotierungsdichten [in cm-3]:
Si
GH . GJ0 /LN
1013 (schwach) 1016 (mittel) 1019 (stark)
V3.3
10
1.2 Elektrischer Strom

1.2.1 Teilchenstrme
Jedes bewegte elektrisch geladene Teilchen erzeugt einen Strom. Man definiert
die Stromdichte j [A/m] als bewegte Ladungsdichte:
OP
F G PQ
; : Ladungsdichte [As/m]
n: Elektronendichte [1/m]
p: Lcherdichte
[1/m]
I PR
Strom stellt einen geschlossenen

Kreis dar. Bewegt sich ein Elektron in
einem Leiter (Kristall) mit Querschnitt
A, dann erzeugen sich ndernde
elektrische Felder an jeder Stelle des
Leiters denselben Strom I = jA.
In
+
Ip
1.2.2 Driftstrom und elektrischer Widerstand

Spannung U an einem (Halb-)Leiter mit Lnge d und Querschnitt A
elektrisches Feld E = U/d beschleunigt Elektronen, aber
Ste bremsen konstante mittlere Geschwindigkeit P ~ V
P%WJX"
FYQ V
n: Beweglichkeit der Elektronen
In Kupfer ist n = 44 cm/Vs. Fr bliche Spannungen ergibt sich fr vdrift die

Grenordnung von einigen mm/s.
Aus vdrift ergibt sich die Driftstromdichte
%WJX"
G YQ V ;
Z[\[]
^_*/`
und daraus der Strom
%WJX"
V3.3
b .
'
: spez. Leitfhigkeit
: spez. Widerstand
11
O
Der Widerstand des Metalls ist U/I und damit

Materialdaten:
Werkstoff
Aluminium
Eisen
Gold
Grafit (Kohle)
[ mm/m] Werkstoff
0,027
0,089
0,020
8,000
G YQ b
[ mm/m]
Konstantan
0,500
Kupfer
0,016
Zinn (Ltzinn) 0,104
1.2.3 Driftstrom im Halbleiter

Im Feld driften Elektronen und Lcher.
MWJX"
Daraus ergibt sich die Driftstromdichte

mit
eG Q
I R g :
MWJX"
G YQ V
cV
G Q
Elektrischer Widerstand eines Quaders

mit Querschnitt A und Lnge d:
: Beweglichkeit der Ladungstrger
Si
Ge
n [cm/Vs]
1350
3900
p [cm/Vs]
480
1900
GaAs
8500
450
Ladungstrger in Halbleitern
sind beweglicher
schneller als in Metallen
I R
I YR V

b
InSb
80000
1250
1

c b
GaP
300
150
T = 300 K
v [cm/s]
GaAs (e-)
10
vmax 107 cm/s ab E 104 V/cm

fr beliebige Ladungstrger!
So starke Felder treten aber
nur an pn-bergngen auf.
6
10
Ge (e-)
Ge (e+)
5
10
2
10
V3.3
Si (e+)
Si (e-)
10
10
E
[V/cm]
12
1.2.4 Thermisches Rauschen
Freie Elektronen haben in jeder Raumrichtung im Mittel die thermische Energie
j 0
1
P"i
kl
; k = 1,3810-23 J/K: Boltzmann-Konstante
2
2
Infolgedessen bewegen sie sich mit der mittleren Geschwindigkeit
h"i
P"i
mkl/j 107 cm/s
; me: Elektronenmasse im Kristall

me = 0,2 1,1 m0 ; m0 = 9,110-31 kg
Elektronen erleiden stndig Ste an Kristallfehlern und untereinander. Dabei tauschen sie Energie und Impuls aus, so dass
eine statistische Verteilung von Geschwindigkeiten vorliegt.
Ohne uere Einflsse ist der Mittelwert gleich Null.
Mit der Bewegung verbunden ist Strom, der im Mittel ebenfalls

Null ergibt, aber zeitlich statistische Schwankungen zeigt: Rausch-Wechselstrom.
Der Effektivwert dieses Rauschstroms ist
"i
XX
"i
XX
n4kl
"i QqJr
XX
R: Widerstandswert
m4kl
f: Bandbreite der Schaltung;

begrenzt z.B. durch
Tiefpassfilter (RC-Glied)
Das thermische Rauschen ist unabhngig vom (Drift-)Strom, der durch den
Widerstand fliet.
Zerlegt man die gesamte Rauschleistung in einzelne Frequenzen (FourierAnalyse), dann sind die Amplituden bei allen Frequenzen etwa gleich gro.
Jede Schaltung hat aber nur eine begrenzte Bandbreite (unerwnschte RCGlieder):
Filterwirkung
der Schaltung
Fourier{Pnoise}
R
f
f = fg
V3.3
CD
0s +
13
1.2.5 Stromrauschen
Der Widerstandswert R(t) = R0 + Rstat(t) ist nicht konstant, sondern schwankt
zufllige. Die Gre der Schwankungen hngt von der Herstellungstechnologie
und Qualitt ab.
Die Widerstandsschwankungen fhren zu Rauschstrmen i1/f und Rauschspannungen u1/f nur dann, wenn durch den Widerstand ein Strom I fliet bzw. die
Spannung U = RI anliegt ( Stromrauschen):
*/X
*/X
r" "
*/X
r" "
r" "
Datenblatt-Angabe meist
&t/u
als
in V/V
'
(statt R/R)
Zerlegt man das Stromrauschen in einzelne Frequenzen (Fourier-Transformation),

dann nehmen die Amplituden mit steigender Frequenz ab. Das Stromrauschen
von Widerstnden gehrt damit zur Familie des 1/f-Rauschens.
Spektrum von unoise oder inoise
Stromrauschen
(1/f-Rauschen)
berwiegt
Ab ca. 20 kHz ist Stromrauschen vernachlssigbar

und wird vom thermischen
Rauschen berdeckt.
thermisches Rauschen
berwiegt
Es ist vor allem bei AudioAnwendungen strend.

f
20 kHz
Die Leistungen des thermischen Rauschens und des Stromrauschens addieren

sich. Wegen P ~ U und P ~ I gilt
Ersatzschaltbild:
D r
QqJr
D r
QqJr
0
"iwxyz)
0
"i_QqJr
0
*/X ;
ges
unoise
0
*/X
rauschender
Widerstand
V3.3
R
rauschfrei
14
1.3 Herstellungstoleranz: Normreihen

Die Industrie fertigt Bauelemente in abgestuften Nennwerten. DIN 41426
und DIN IEC62 definieren Normreihen, bei denen das Verhltnis zweier
benachbarter Nennwerte stets gleich ist. Reale Bauelemente haben nicht
den exakten Nennwert, sondern liegen in einem Toleranzband.
Eine Normreihe E{k} liefert fr jede Zehnerpotenz k verschiedene Werte, die sich
nach der Formel
|
k {3, 6, 12, 24, 48, 96, 192}
e 10g
}
berechnen und ungefhr die Toleranz .
i = 0, 1, k-1
*H 1 *
0
besitzen (so kommt es zu
fast keinen berschneidungen). Die genauen Werte sind

E6
E12
(20 %) (10 %)
1,0
1,0
E24
E48
E96
(5 %)
(2 %)
(1%)
1,0
1,00
1,00
1,02
1,05
1,07
1,10
1,13
1,15
1,18
1,21
1,24
1,27
1,30
1,33
1,37
1,40
1,43
1,47
1,50
1,54
1,58
1,62
1,65
1,69
1,74
1,78
1,82
1,87
1,91
1,96
2,00
2,05
2,10
1,05
1,1
1,10
1,15
1,2
1,2
1,21
1,27
1,3
1,33
1,40
1,5
1,5
1,5
1,47
1,54
1,6
1,62
1,69
1,8
1,8
1,78
1,87
2,0
1,96
2,05
E6
E12
(20 %) (10 %)
2,2
2,2
E24
E48
E96
(5 %)
(2 %)
(1%)
2,2
2,15
2,15
2,21
2,26
2,32
2,37
2,43
2,49
2,55
2,61
2,67
2,74
2,80
2,87
2,94
3,01
3,09
3,16
3,24
3,32
3,40
3,48
3,57
3,65
3,74
3,83
3,92
4,02
4,12
4,22
4,32
4,42
4,53
2,26
2,4
2,37
2,49
2,61
2,7
2,7
2,74
2,87
3,0
3,01
3,16
3,3
3,3
3,3
3,32
3,48
3,9
3,6
3,65
3,9
3,83
4,02
4,3
4,22
4,42
E6
E12
(20 %) (10 %)
4,7
4,7
E24
E48
E96
(5 %)
(2 %)
(1%)
4,7
4,64
4,64
4,75
4,87
4,99
5,11
5,23
5,36
5,49
5,62
5,76
5,90
6,04
6,19
6,34
6,49
6,65
6,81
6,98
7,15
7,32
7,50
7,68
7,87
8,06
8,25
8,45
8,66
8,87
9,09
9,31
9,53
9,76
4,87
5,1
5,11
5,36
5,6
5,6
5,62
5,90
6,2
6,19
6,49
6,8
6,8
6,8
6,81
7,15
7,5
7,50
7,87
8,2
8,2
8,25
8,66
9,1
9,09
9,53
Bei den Reihen E6 bis E24 werden die Werte durch 3 Farbringe oder Zahlen
angegeben. Die beiden ersten stehen fr gltige Ziffern, die letzte Zahl fr eine
Zehnerpotenz (z.B. 102 = 10102 = 1 k).
V3.3
15
1.4 Temperatureinfluss
1.4.1 Widerstandsnderung
*
Qw # R
hngt wesentlich davon ab, wie gro die Dichten n und p der
freien Ladungstrger und deren Beweglichkeiten sind.

sinkt mit steigender Temperatur (mehr Ste, weniger Beweglichkeit).
Bei Metallen ndert sich die Elektronendichte mit der Temperatur kaum, bei
Halbleitern steigt sie exponentiell an (s. Kap. Dioden).
Bei Metallen steigt deshalb der Widerstand mit der Temperatur an, bei undotierten
Halbleitern wird er i.A. kleiner.
Innerhalb begrenzter Temperaturbereiche 0 T kann man die nderung

linear nhern und einen Temperaturkoeffizienten definieren (auch TCR =
temperature coefficient of resistance):
l
/

l
H e1
F H g
Bei industriell gefertigten Widerstnden gilt der Nennwiderstand R0 meist bei

0 25 C. Da klein ist, wird es oft in ppm/K angegeben (= 10-6 /K).
Materialdaten:
Werkstoff
[ppm/K]
Aluminium
4300
Eisen
6500
Gold
4000
Grafit (Kohle)
-200 Grafit hat Halbleitereigenschaften!
Konstantan
10
Kupfer
4300
Silizium
-75 000
Zinn (Ltzinn)
4600
Die Geometrienderung (d, A) muss ebenfalls bercksichtigt werden! Sie liegt

aber meist im Bereich weniger ppm/K und ist zu vernachlssigen.
V3.3
16
Im Widerstand wird die elektrische Leistung
/
umgesetzt.
Dabei fhren Ste der Elektronen mit dem Kristallgitter zur Erwrmung auf die
Temperatur T = Tamb + T (ambient = Umgebung).
1.4.2 Eigenerwrmung bei Gleichstrom
T ergibt sich aus dem thermischen Widerstand l/

Datenblatt), auch Wrmebergangswiderstand:
l
"i
"i
[K/W] (Angabe im
Der Widerstand gibt Pel als Wrmeleistung Pamb

an die Umgebung ab, wenn T konstant ist muss
Pel = Pamb gelten.
Pel = U I
Pamb = Pel
In Datenblttern ist die maximal erlaubte Temperatur Tmax spezifiziert.
Analogie: Wrmeleitung funktioniert wie Stromfluss in elektrischen Schaltungen

Wrmeausbreitung
elektrische Analogie
Leistung
Strom
Temperatur
Tamb
Spannung
Masse
Wrmequelle
(Verlustleistung)
Stromquelle
Wrmebergang
Widerstand
T
Pel
Rth
Tamb
V3.3
17
1.4.3 Lastminderungskurve (derating)
In Datenblttern ist die maximale Verlustleistung (Nennleistung) Pmax bzw. Pnenn
spezifiziert. Hufig geht man von Tamb = Tnenn = 70 C aus.
Die Nennleistung erwrmt das Bauelement auf die maximale Temperatur Tmax:
l
Bei Umgebungstemperaturen
Tamb > 70 C muss die maximale
Leistung Pmax reduziert werden,
damit Tmax nie berschritten wird
Lastminderungskurve:
lQ
QQ
"i
Pnenn
QQ
Pmax
Tamb
Tnenn
Tmax
1.4.4 Temperaturnderungen
Elektrische Leistung ist oft gepulst. Die Bauteil-Temperatur folgt verzgert. Die
Temperaturnderung hngt von der Wrmeausbreitungs-Zeitkonstanten ab:
Tper
P
t
P
T
t
T
t
Fr groe kann man

fr kleine gilt
lQ
lQ
QQ
QQ
V3.3
"i
"i
l
l
2
2
lR
lR
fordern
( Q
( Q
QQ ),
QQ ).
18
1.5 Frequenzeinfluss
1.5.1 Parasitre Elemente
Zuleitungen und stromfhrende Widerstandsschichten besitzen eine Induktivitt,
zwischen verschiedenen Bestandteilen des Widerstands entsteht eine kapazitive
Kopplung. Einen realen Widerstand kann man deshalb mit einem Ersatzschaltbild
(ESB) aus idealen Elementen annhern:
C
Der komplexe Widerstand ist

1
R
L
Fr groe Widerstnde kann L/R vernachlssigt werden, es wirkt vor allem die
kapazitive Kopplung. Bei kleinen Widerstnden wirkt die Induktivitt wesentlich
strker und RC kann vernachlssigt werden:
R gro:
R klein:
Impedanzverlauf von SMD-Widerstnden;

C 10 40 fF, L fH nH
Quelle:
Vishay
V3.3
19
1.5.2 Skineffekt
Wechselstrom bewirkt im Inneren von Leitern durch Induktion einen entgegen
gerichteten Strom Stromdichte nimmt nach innen ab, Wechselstrom fliet vor
allem nahe der Oberflche.
Die mittlere Eindringtiefe ist
2O
Y
O: spez. Widerstand [j],

H W
(magnetische Permeabilitt)
H 4E 101 /bj
W . 1 (Metalle auer Fe, Ni, Cr)
Schichtleiter
Draht
Dadurch reduziert sich der

effektiv genutzte Querschnitt und
der Widerstand steigt.
Die untere Grenzfrequenz fr den

Skineffekt ergibt sich aus
Abmessung D 2 zu
CrJQ
4O
EY0
fskin
D (Kupfer)
50 Hz
19 mm
1 kHz
4,2 mm
1 MHz
130 m
1 GHz
4 m
Runder Draht zeigt schon bei niedrigen Frequenzen Skineffekt,

dnne Schichten ( 4 m) erst im GHz-Bereich.
Nherungsweise gilt folgende Tabelle fr den Widerstand R(f):
Frequenz
C
0
CrJQ
CrJQ
0,02
V3.3
4
C
CrJQ
4
1
4
CrJQ
25
1
C
n
2 CrJQ
25
CrJQ
1
C
n
2 CrJQ
20
1.6 Gesamttoleranz
Der relative Fehler = R/R setzt sich aus den einzelnen relativen Fehlern
zusammen. Die gesamte Ungenauigkeit des Widerstands besteht aus
D
XW
Fertigungstoleranz
Temperaturfehler
Frequenzfehler
(Skineffekt, parasitr)
Die genauen Werte mit Vorzeichen sind meist nicht bekannt.

D r 2
Der maximale Fehler ergibt sich zu

ist aber sehr unwahrscheinlich.
Der mittlere Fehler ist
| |
| |
|XW | ,
0
0
0 XW
v
1.7 Technologie
1.7.1 Schichtwiderstnde
Schichtwiderstnde bestehen aus einer Widerstandsschicht auf einem
keramischen Trger. Kohleschichten oder Metallschichten werden im
Dnnschichtverfahren hergestellt (Dicke 10 nm 40 m), Metallglasuren
(CERMET = ceramic metal) als Dickschicht (20 30 m).
Abgleich auf den passenden Wert erfolgt meist durch Lasertrimmen, also
Wegbrennen einzelner Formen (dadurch hohe Genauigkeit).
Schichtwiderstnde lassen sich gut miniaturisieren und sind fr Hochfrequenz
geeignet; sie sind am weitesten verbreitet.
Schutzlack
Widerstandsschicht
(Dnnschicht)
Kontaktierung
Keramiktrger
Quelle: Vishay
Mander-Trimmung
V3.3
21
1.7.2 Massewiderstnde
Sie bestehen aus einem massiven Verbundwerkstoff (carbon composition).
Dadurch sind sie stark belastbar. Da sie nicht getrimmt werden, haben sie eine
hohe Fertigungstoleranz (10 % oder 20 %)
Quelle: Vishay
Massewiderstnde sind meist bedrahtet (kein SMD). Sie sind teurer in der
Herstellung als Schichtwiderstnde.
1.7.3 Drahtwiderstnde
Auf eine Keramikrhre wird Widerstandsdraht gewickelt, bis der gewnschte Wert
erreicht ist. Drahtwiderstnde vertragen Oberflchentemperaturen bis 450 C .
Durch die Wicklung haben sie groe parasitre Kapazitten und Induktivitten
und sind nicht fr hohe Frequenzen geeignet. Sie werden meist in der
Energietechnik verwendet.
Anschlussdraht
Schutzlack
Quelle: Vishay
Widerstandsdraht
auf Keramiktrger
V3.3
22
1.7.4 Kenngren
Quelle: Vishay
1.7.5 Bauformen
axial bedrahtet (leaded):
Gehusebezeichnung DDLL
DD: Durchmesser in mm
LL: Lnge in mm
SMD chip:
Gehusebezeichnung LLBB
LL: Lnge in 1/100 inch (0,254 mm)
BB: Breite in 1/100 inch
Hhe immer 0,51 mm (= 0,02 inch)
momentan kleinste Bauform: 01005
V3.3
23
2 Kondensatoren
2.1.1 Elektrische Polarisation
Der Kondensator besteht aus zwei Metallflchen A in geringem Abstand d,
zwischen denen ein isolierender Bereich liegt, das Dielektrikum. Legt man eine
Spannung U an, entsteht zwischen den Flchen ein elektrisches Feld E = U/d,
und es werden Ladungen Q = EA gespeichert (+Q auf der einen Flche, -Q auf
der anderen).
Man definiert die Kapazitt als
Die Kapazitt ist hoch, wenn viel Ladung mit wenig Aufwand (Spannung)
gespeichert werden kann.
In Materie knnen durch das Feld elektrische Dipole entstehen oder vorhandene,
aber zufllig gerichtete Dipole sich parallel ausrichten (Polarisation). Durch diese
Dipole kann die gleiche Ladungsmenge mit weniger Spannung als im Vakuum
gehalten werden. Es erhht sich praktisch die Dielektrizittskonstante = 0r
(0 = 8,85 pF/m; Vakuum: r = 1, Materie: r 15 000).
Das Umorientieren der Dipole kostet mechanische Arbeit, ist also mit Verlusten
verbunden.
Bei zu hoher Spannung kommt es zu einem Durchschlag (Funkenentladung). Die
Durchschlagspannung hngt vom Dielektrikum und dem Abstand d ab.
Material:
r
Luft
1
Kunststoff
2,5
V3.3
Platine
3,6
Wasser
82
24
I ist ein geschlossener Kreis, aber

durch das Dielektrikum flieen
keine Ladungen. Hier wird der
Strom durch die nderung des
elektrischen Felds fortgesetzt.
Verndert man die Spannung am

Kondensator, dann ndert sich die
Ladung auf den Platten. Damit ist
ein Strom
/
durch die
Zuleitungen verbunden.
++
+
-+
+++
+
2.1.2 Strom im Kondensator
Zwischen Feld und Plattenladung besteht der Zusammenhang
Hier wurde /
der Frequenz ab.
Vb
bV
0 angenommen; tatschlich hngt auch von U und von
Der Strom zwischen den Kondensatorplatten, der nur auf Feldnderungen basiert,
heit Verschiebungsstrom, im Gegensatz zum Teilchenstrom durch die
Zuleitungen.
Das Dielektrikum ist zwar ein Nichtleiter, besitzt aber immer eine geringe Leitfhigkeit. Deshalb bewegen sich einige Elektronen durch das Dielektrikum und
bewirken einen kleinen Teilchenstrom parallel zum Verschiebungsstrom.
Aus
folgt auch der bekannte Zusammenhang
%
%"
%'
%"
Datenbltter geben meistens die maximalen Werte fr Strom (Inenn, Irated) und
Spannung (Unenn, Urated)an
V3.3
25
2.2 Frequenzeinfluss
2.2.1 Parasitre Elemente
Der reale Kondensator besitzt im Kern eine ideale Kapazitt. Die geringe
Leitfhigkeit des Dielektrikums beschreibt man durch einen parallelen
Isolationswiderstand Ris (M G). Ris wird nur fr die Selbstentladung des
Kondensators ber Stunden, Tage oder Wochen bercksichtigt.
Beim Umpolarisieren des Dielektrikums bei Wechselspannung entstehen
Verluste, die man mit einem ohmschen Widerstand beschreiben kann, der vom
Verschiebungsstrom durchflossen wird. Der Widerstand wird mit ESR (effective
serial resistance) bezeichnet und hngt von der Frequenz ab.
Ris
ESR
Gesamtimpedanz (ohne Ris):
Zuleitungen und die gefaltete

Anordnung der Metallflchen
bewirken eine Induktivitt und
die Erhhung des ESR.
!+
Durch die Induktivitt kommt es zur Serienresonanz bei der Frequenz

CW
2E
Der komplexe Widerstand des Kondensators besteht dann nur noch aus ESR.
ideales C
ideales L
Oberhalb von fres

verhlt sich der
Kondensator wie
eine Spule mit
Induktivitt L!
ESR
Quelle: Epcos
V3.3
26
2.2.2 Gte
Fr Wechselstrom unterhalb der Resonanzfrequenz mssen nur C und ESR
bercksichtigt werden. Man definiert die Gte Q (quality) des Kondensators als
1/
V
I rated
ESR
U rated
Der Kondensator ist also gut, wenn der (gewnschte) Blindwiderstand

|-1/C| wesentlich grer als der (unerwnschte) Verlustwiderstand ESR ist. Die
Gte ist frequenzabhngig!
ESR
Hufig wird statt der Gte auch ein

Verlustwinkel (dissipation factor)
tan angegeben. Er entstammt dem
Zeigerdiagramm fr den komplexen
Widerstand und ist
tan
V
1/
Verlustleistung:
0
W " %
-1
C
0
W " %
t
#
V3.3
0
W " %
0
W " %
*/
!+
*#-
27
Wegen
/ fhren schnelle nderungen der Spannung u(t) zu einem
hohen Kondensatorstrom, der entsprechend Wrme verbreitet (im Modell
Wirkleistung in ESR). Im Datenblatt wird daher eine obere Grenze fr du/dt bzw.
direkt fr Wechselstrme (ripple current, pulse load) spezifiziert.
2.2.3 Impulsbelastbarkeit
Probleme bereiten z.B.

Kurzschluss-Entladung (ber Schraubendreher!)
Ein- und Ausschalten
Schwingungen hoher Frequenz, insb. Rechteck-Wechselspannung
Spannungsspitzen von Induktivitten (Motoren).
2.2.4 Nachlade-Effekt
Nicht nur die Metallflchen, auch das Dielektrikum kann Ladungen speichern, die
es nur langsam wieder abgibt (dielektrische Absorption).
Nach einem Kurzschluss (U = 0) sind
innerhalb einiger Sekunden vom
Dielektrikum her wieder einige
Ladungen vorhanden und es ist U > 0
(Nachlade-Effekt).
U, Q
Kurzschluss
Nachladeeffekt
t
Bei Folienkondensatoren ist die Nachlade-Spannung kleiner 1 % der

ursprnglichen Gleichspannung,
bei Keramikkondensatoren in der Grenordnung 1 %,
bei Aluminium-Elkos 10-15%.
C
Ersatzschaltbild
des Nachladeeffekts:
CDA
RDA
Nachladeeffekt
V3.3
28
2.3 Technologie
Industriell gefertigte Kondensatoren sollen ein mglichst geringes Volumen bei
einer gegebenen Kapazitt C = A/d besitzen. Dazu kann man und die Flche
A erhhen und die Dicke d reduzieren.
Siehe Rahmenspezifikation DIN EN 60384.
2.3.1 Keramische Kondensatoren

Nutzen als Dielektrikum eine Keramik mit hohem bis sehr hohem .
Schichtdicken ab 1 m.
miniaturisierbar (SMD), billig
Einteilung in Klassen:
Bereich
r
Temperaturabhngigkeit
Frequenzabhngigkeit
Spannungsabhngigkeit
Toleranz
Werte
Anwendungen
Klasse 1
6 200
typ. 20 40
klein (typ. 30 ppm/K)
linear
keine
keine
1 % (E96/E24)
20 % (E6)
bis 100 nF
Schwingkreise,
Filter
Klasse 2
200 14000
gro,
nichtlinear
ja
ja
-20 % / +50 %,
-20 % / +80% (E3, E6)
bis 33 F
Kopplung,
HF-Kurzschluss
Keramisches Dielektrikum
MLCC (multi-layer
ceramic capacitor):
Kontaktierung
Bauform fr SMD chip

am weitesten verbreitet
Metallisierung
Energietechnik:
Keramik fast beliebig formbar,

hohe Durchschlagspannung erreichbar ( 100 kV)
V3.3
29
2.3.2 Folienkondensatoren
Dielektrikum besteht aus Kunststofffolie oder Papier
Aufbau aus zwei metallisierten oder mit Metallfolien belegten Kunststofffolien,
seltener Papierfolien
Schichtdicken ab 1 m
r gering ( 3) und leicht frequenzabhngig
Nennkapazitt gemessen bei 1 kHz
groes Volumen (kein SMD)
durchschlagsfest und hohe Impulsstrme mglich
Selbstheilung bei lokalen Durchschlgen:
Metall verdampft, Folie quillt auf Kurzschluss beseitigt sich von selbst
sehr geringer ESR
Isolationswiderstand Ris hher als bei Keramikkondensatoren
geeignet fr die Energietechnik
Quelle: Wikipedia/Kondensator(Elektrotechnik)
V3.3
30
2.3.3 Elektrolytkondensatoren (Elko)
Oxidschicht
(Dielektrikum)
Dielektrikum entsteht als dnne Oxidschicht auf

rauer Metalloberflche (Aluminium oder Tantal)
durch elektro-chemische Reaktion
Oxidschicht sehr dnn (ab 10 nm) und
raue Oberflche gro
Elektrolyt
(sehr guter
Leiter)
+
hohe Kapazitt pro Volumen

Wegen der rauen Oberflche ergibt sich eine
hohe Toleranz (typisch 20 %)!
Metallplatten
! Bei falscher Polung bildet die zweite Elektrode

ebenfalls eine Oxidschicht; dabei entstehen Hitze und
Gas, die den Elko zerstren (und nicht nur ihn )
Polung: oxidierte Metallschicht an +,

Elektrolyt und reine Metallschicht an -
Kurzzeitige Umpolung (Wechselspannung; < 1 Sekunde) schadet nicht.
bipolare Elkos: Zweite Elektrode ist bereits oxidiert.

Dadurch entstehen 2 Kondensatoren in Reihe, die
Kapazitt halbiert sich!
Aufbau: durch Wicklung hohe parasitre Induktivitt

niedrige Resonanzfrequenz (typ. 100 kHz 1 MHz)
Die Oxidschicht baut sich bei Lagerung ohne Spannung teilweise ab. Im Betrieb
unter Spannung wird die Schicht wiederhergestellt, es fliet deshalb zeitweise ein
Strom (leakage current, A mA).
V3.3
31
Al
Aluminium-Elkos:
meist mit flssigem Elektrolyt
sehr billig, daher am weitesten verbreitet
Lebensdauer ist begrenzt, da das Elektrolyt
mit der Zeit verdunstet.
Angabe im Datenblatt: Brauchbarkeitsdauer
(load life)
Al2O3
Papier getrnkt
mit Elektrolyt
wegen eingeschrnkter Sicherheit (Brauchbarkeit): KEIN Einsatz in

sicherheitsrelevanten Produkten (Militr, Weltraum)
Quelle: wikipedia/Kondensator(Elektrotechnik)
Tantal-Elkos:
meist mit festem Elektrolyt (Braunstein = MnO2
oder Polymer), daher keine Einschrnkung der
Brauchbarkeit
teurer als Al-Elkos, aber Einsatz in
sicherheitsrelevanten Produkten erlaubt
Quelle: wikipedia
V3.3
32
2.3.4 Doppelschicht-Kondensatoren
auch EDLC = electrochemical double layer caps, supercaps, ultracaps, goldcaps
Zwischen einem (Metall-)Leiter und
einer leitenden Flssigkeit (Elektrolyt)
fliet bei kleinen Spannungen kein
Strom, sondern es bilden sich an der
Grenzflche Ladungstrgerschichten.
Der Abstand dieser Schichten betrgt
nur eine Molekldicke (< 1nm).
Dadurch entsteht eine enorm groe
Kapazitt.
Quelle: Wikipedia/Elektrochemische Doppelschicht
Vorteile:
hohe Kapazittsdichte einige 1000 F bei blicher Baugre
kleiner ESR geringe Erwrmung
hohe Lade- und Entladestrme mglich
Nachteile:
geringe Nennspannung (wenige V)
hohe Selbstentladung (relativ kleines Ris)
Anwendung:
Energiespeicher, Batterieersatz
V3.3
33
2.3.5 Einsatzbereiche
Eigenschaft
Keramik-K.
Klasse 1:
Folien-K.
6200
Elko
3
Klasse 2: 20014000
Schichtdicke
8,4
28
1 m
1 m
0,01 m
ja
selten
ja
gut bis sehr gut
sehr gut
gut
0,1 pF F
pF F
0,1 F F
bei Klasse 1 sehr gut
gut
mig
mittel
klein
mittel
SMD
durchschlagsfest
impulsstromfest
Wertebereich
Toleranzen
Al:
Ta:
ESR
Quelle: Wikipedia/Kondensator(Elektrotechnik)
V3.3
34
2.4 Anwendungen
Wechselstrom-Kopplung/
Trennen von Gleich- und
Wechselspannung:
subern von Versorgungsspannungen/ Kurzschluss von

Wechselspannungen:
CK
VCC
+
u~(t)
u~(t)
IC
U0
U0
Energiespeicher: Ersatz von Batterien/Akkus;

Vorteil: hohe Strme mglich; Nachteil: U ~ Ladung sinkt schnell
Filter und Oszillatoren
Gleichrichter siehe Dioden!
2.5 Simulation
In LTspice existieren die Elemente CAP
und POLCAP. Sie unterscheiden sich nur im
Aussehen im Schematic Capture; in der
Netzliste erscheinen identisch als C.
Neben der Kapazitt kann man auch die
Werte der parasitren Elemente eingeben:
Fr nichtlineare Kondensatoren gibt man

als Wert eine Formel fr die Ladung in
Abhngigkeit von der Spannung (als
Variable x) an.
Die Kapazitt ergibt sich dann als
V3.3
35
2.6 Kapazitt spezieller Anordnungen

Leiterbahn gegen Masseflche:
/ H W
Platine
( r)
Leiterbahn
l
h
Masseflche
Leiterbahn
Platine
( r)
Zwei Leiterbahnen:
/ . 0,75 H W
freie Leitung gegen Erde:

2E H W
/
4
ln
l
d
h
Koaxial-Kabel:
2E H W
ln
Doppelleitung (geschirmt):
E H W
/
2 0 F 0
ln
0 0
Doppelleitung (ungeschirmt, D):

E H W
/
2
ln
D
a
V3.3
36
3 Spulen und Transformatoren

3.1.1 Induktion
Jeder Strom (Teilchen- und Verschiebungsstrom) erzeugt ein Magnetfeld H und
eine magnetische Flussdichte B = H um sich herum. Die Permeabilitt ist
materialabhngig: H W , H 4E 101 /bj; r = 1 150 000
,
/
,
L /
,
b: mgn. Fluss
I
Weglnge l m
B
S N
S N
S N
S N
S N
B, H
Ui
Wickelt man den Leiter um einen Kern mit hohem

r, dann werden die magnetischen Felder fast nur
im Kern gefhrt.
ndert sich die magnetische Flussdichte dB/dt, dann wird im Leiter die Spannung
L
induziert (A: Querschnittsflche des Kerns). Mit

b
L
L b
%
%"
%
%"
%"
folgt
AL: Induktivittsfaktor; nur

abhngig von Kernmaterial
und geometrie;
auch: magnetischer Leitwert Gm
Auch im Inneren des Kerns werden Spannungen induziert. Wenn das Kernmaterial elektrisch leitet, entstehen Wirbelstrme (eddy current); der Kern
erwrmt sich (Verluste).
Um das zu verhindern, gibt es verschiedene Techniken (s. unten).
V3.3
37
3.1.2 Magnetischer Kreis
Um komplexere magnetische Anordnungen zu verstehen, kann man eine
Analogie zu elektrischen Netzwerken verwenden:
magnetischer Kreis
elektrische Analogie
NI
Quelle U
Strom I
BA (mgn. Fluss)
Widerstand
1/
I2
Rm1
I1
U1
N2
N1
Rm2
Rm3
In diesem Modell fehlt die Induktionsspannung

beeinflusst!
Der magnetische Widerstand
U2
JQ%
FLb, die den Strom I
ergibt sich als Quotient der
magnetischen Spannung NI und des magnetisches Flusses = BA. Es gilt:
Fr eine Spule L ist
V3.3
L/ .
1
b
38
3.1.3 Scherung
Der Zusammenhang zwischen H (als Folge eines Stroms I) und B (als Ursache
der Induktionsspannung) ist i.A. nichtlinear, so dass (und damit L) nicht
konstant ist. Ein sinusfrmiger Strom hat dann eine nicht-sinusfrmige Induktionsspannung zur Folge. Auerdem ist temperaturabhngig.
BS B
BR
BS B
Neukurve
HC
BR
HC
hartmagnetisches Material
(Dauermagnet, Speicher)
weichmagnetisches Material
(Spulen, Transformatoren)
Hufig fgt man einen Luftspalt in den magnetischen Kreis ein, der wie ein
magnetischer Serienwiderstand wirkt:
I
Rm
RS
D r
D r
D r
H W b
XX
H b
H XX b

H b
r wird auf eff verkleinert,

aber dafr sind Nichtlinearitt
und Temperaturabhngigkeit
ebenfalls deutlich reduziert.
Die Luftspalt-Technik wird auch Scherung genannt, weil die H-B-Kennlinie

geschert aussieht.
V3.3
39
3.1.4 Transformator
B1
I1
B2
I2
U1
U2
L1
L2
T-Ersatzschaltbild:
I1
R1
M-Ersatzschaltbild:
L1
L2
R2
I2
R1
I1
L1h
R2
I2
I
U1
N1
N2
U2
RFe
0
U1
L1
*
U2
L2
Das T-Ersatzschaltbild entsteht, wenn man den Strom I2 durch die Spule L2
ersetzt gegen einen zustzlichen Stromanteil durch L1. Das Magnetfeld im Kern
muss dabei gleich bleiben. Durch L1h (beschreibt den Kern) fliet dann der
theoretische Strom
*
0 /.
Gestrichene Gren:
Streuung
Kopplungsfaktor k
Gegeninduktivitt
Hauptinduktivitt
^0
^*
*i
^0 , 0
c*
* , ^0
*i ,
*^
c0
m 1 F c* 1 F c0
km
^0
0 , 0
*i
cJ 1
Kerne sind meist symmetrisch aufgebaut AL-primr = AL-sekundr

Induktivitten
L*0 b ,
V3.3
L00 b
t
-
t--
40
Nherungen:
keine Streuung (k = 1; L1h = L1)
keine ohmschen Verluste (R1 = 0, R2 = 0)
und sekundrseitig
Leerlauf (I2 = 0, Last
I1
d.h.
U2
ZL
=ZL
(gro)
I2
I
U1
L1h
Kurzschluss (U2 = 0, Last

I1
I2
I
U1
U2
L1h
0 d.h.
ZL
=ZL
(klein)
*i )
tatschlich
0
0
't
'-
(I gro evtl. Scherung ntig)
*i )
. F *
tatschlich
fr
0^
F
F
0 : 0
't
hier ist I 0 Scherung nicht ntig. Dieser Fall heit idealer bertrager.
Energiebertragung:
Magnetfeld im Kern sehr klein

( *i gro . 0 0 F *
H-B-Kennlinie linear auch ohne Luftspalt
Trafos arbeiten mit Induktion dB/dt 0.

Dass das Magnetfeld bei Energiebertragung
selber klein ist, strt nicht, solange |dB/dt|
gro ist.
V3.3
41
3.2 Frequenzabhngigkeit
ESR
3.2.1 Ersatzschaltbild
Auch Induktivitten haben parasitre Elemente:
RCu
RK
Die Wicklung aus (Kupfer-)Draht besitzt einen

ohmschen Widerstand RCu (Datenblatt: DC
resistance), auf den auerdem der Skineffekt
wirken kann. Den Skineffekt kann man
reduzieren, indem man statt eines massiven
Drahtes ein Geflecht aus isolierten, dnneren
Drhten (HF-Litze) verwendet.
Cp
Verluste des Kerns (Ummagnetisierung,

Wirbelstrme) beschreibt der Widerstand RK.
Die einzelnen Wicklungen stren sich
gegenseitig durch elektrische Felder, d.h. sie
besitzen eine Kapazitt Cp.
Spulen haben wie Kondensatoren eine
Resonanzfrequenz, oberhalb derer sie sich
wie Kapazitten Cp verhalten.
CW
2Em
3.2.2 Gte
Bei Induktivitten definiert man eine Gte als
+&
ESR
Alternativ gibt es den Verlustwinkel tan = 1/Q, der dem Zeigerdiagramm

entstammt.
V3.3
42
3.3 Technologie
3.3.1 SMD-Spulen
Kernmaterial
Gte
Resonanzfrequenz
Werte
Keramik, Ferrit
20
GHz (nH) MHz (H)
1 nH 10 mH
3.3.2 Kerntypen
Um Wirbelstrme zu verhindern gibt es verschiedene Techniken/Werkstoffe:
mehrlagige (laminierte) Bleche
(Dynamoblech = Fe-Si-Legierung)
untereinander durch Oxidschichten
isoliert
Ferrite (Metalloxide): nichtleitend
Um bestehende Signal- oder Versorgungsleitungen von HFStrungen zu befreien, verwendet man Dmpfungsperlen,
durch die die Leitung gefdelt wird.
Spartransformator:
L2 ist ein Teil von L1
I1
U1
I2
U2
V3.3
43
3.4 Anwendungen
Drossel (choke) (zum Subern von Gleichspannung):
VCC
GND
Balun:
balanced
(symm. Ausgang)
unbalanced
(geerdeter Eingang)
balun
out+
in
out-
GND
Filter: geringe Toleranz und hohe Resonanzfrequenz erwnscht
Trafo, z.B. fr Hochspannungsleitung:

Lastwiderstnde wirken auf der Primrseite um den Faktor verndert
RQ
=N1/N2
N1
RL
N2
RL
V3.3
44
3.5 Simulation
Das Bauteil IND stellt in LTspice Induktivitten dar; in der Netzliste heit es L.
Fr IND kann man zustzlich

zur Induktivitt L auch die
parasitren Elemente
angeben:
Um nichtlineare Spulen darzustellen, modelliert man die H-B-Kennlinie und gibt

dazu die geometrischen Eigenschaften des Kern an:
Koerzitivkraft
Remanenz
Sttigungs-Flussdichte
Querschnitt
Feldlinienlnge
Luftspaltlnge
Windungszahl
HC
BR
BS
A
LM
LG
N
A/m
T
T
m
m
m
---
Eine induktive Kopplung zwischen Spulen ( Transformator) erreicht man mit

dem Element K. Es ist eine
reine Textanweisung, kein
Symbol, und arbeitet nur mit
linearen Spulen:
Nichtlineare Transformatoren stellt man z.B. durch das T-Ersatzschaltbild dar; den
nachgeschalteten idealen bertrager modelliert man mit gesteuerten Quellen.
V3.3
45
3.6 Induktivitt spezieller Anordnungen

dnner Draht, grobe Nherung:
Leiterbahn
Streifenleiter/Leiterbahn:
H
2
/ .
ln
2E
d
Leiterbahn
10 G,/j
l
h
Masseflche
D
d
a
D
Leiterbahn mit Masseflche:

H
4
/ .
ln
2E
Koaxialkabel:
H
/ .
ln
2E
0,25
Doppeldrahtleitung:
H
2
/ . ln
E
0,25
Printspule rechteckig:
/ . 1,17 H L
0,5
2,75
(N = 3)
V3.3
46
4 Lineare Netzwerke
4.1 Problemstellungen
Belasteter Spannungsteiler:
I1
Z1
U1
I2
0
U2
Z2
t #-
nur dann, wenn I2 = 0.
Was geschieht bei I2 0?
Belastete Quelle mit Innenwiderstand:

UQ
Wie stark belastet eine Schaltung die

Quelle mit Innenwiderstand?
RQ
Schaltung
UE
Welches UE ergibt sich?
Belastbarkeit einer Schaltung:
Schaltung
UA
Wie unterscheidet sich UA im Leerlauf

von der Belastung mit RL?
RL
V3.3
47
4.2 Zweitore
I1
Schaltungen mit zwei Klemmenpaaren nennt

man Zweitore. Im Inneren knnen sich beliebig
komplizierte lineare Schaltungen aus R, L, C,
Trafos und linearen Verstrkern befinden.
I2
U1
U2
Zweitor
I1
I2
Zur Beschreibung eines Zweitors gengen aber

die externen Gren U1, U2, I1 und I2. Mit ihnen stellt man Gleichungen auf, in
denen je zwei Gren durch die beiden anderen Gren und konstante Faktoren
ausgedrckt werden.
Die Gleichungen entsprechen zwei gesteuerten Quellen mit Innenwiderstnden:
*
*
0
**
*0
0*
**
0*
00
*0
00
y11
U1
y12U2
y21U1
y22
I1
I2
Eingangs- Rckleitwert wirkung
U2
Ver- Ausgangsstrkung leitwert
Die vier Konstanten lassen sich hier durch Kurzschluss am Eingang (U1 = 0) bzw.
Ausgang (U2 = 0) bestimmen. Beispiel Spannungsteiler:
**
0*
* '- _H
1/
0
* '- _H
F1/
U1
Z1
U1
Z1
Leitwertmatrix:
*0
I1
Z2
I2
Z2
1/ *
F1/ *
00
F1/ *
1/ * 0
1/
0 't_H
F1/
0
Z1
U2
Z2
0 't _H
* 0
I1
I2
Z1
Z2
U2
alle yik haben die Einheit eines Leitwerts [S = 1/]

y21 und y12 entsprechen Verstrkungen von gesteuerten Quellen, obwohl die
tatschliche Schaltung keine Quellen besitzt.
V3.3
48
4.3 Zweitor-Matrizen
Je nachdem, welche Gren durch die anderen ausgedrckt werden, definiert
man weitere Matrix-Darstellungen:
Typ
Gleichungen
*
(Impedanzmatrix)
Y = Z-1
(Leitwertmatrix)
H
(Hybridmatrix)
-1
G= H
(inv. Hybridmatrix)
A
(Kettenmatrix)
-1
B=A
(inv. Kettenmatrix)
**
0*
**
0*
**
0*
**
**
0*
*0
*0
00
00
0*
00
*0
00
*0
z12I2
z21I1
z22
y11
I1
y12U2
y21U1
y22
h11
h12U2
h21I1
h22
I2
U2
U1
g11
I1
I2
U2
U1
I1
I2
U2
U1
*0
00
z11
I1
*0
0*
**
00
Quellendarstellung
g12I2
g21U1
g22 I
2
U2
U1
I1
U1
I2
U2
Jedes Element bedeutet eine bestimmte Eigenschaft, z.B. ist

g21:
z11:
g22:
h21:
Spannungsverstrkung U2/U1 bei Leerlauf am Ausgang(I2 = 0) oder

Eingangswiderstand U1/I1 bei Leerlauf am Ausgang oder
Ausgangswiderstand U2/I2 bei Kurzschluss am Eingang oder
Stromverstrkung I2/I1 bei Kurzschluss am Ausgang
Jede Darstellung erleichtert eine bestimmte Kombination von Zweitoren.
V3.3
49
Determinante: det
V3.3
1 00
*0 F1
1 **
0* 1
1 1
** 0*
det
00
F*0
det
*0
F*0
**
Fdet
**
1 det
00 F0*
1
00
det F0*
aus Z
1 F**
*0 det
1 F00
0* F det
1 det
00 F0*
1 1
** 0*
1
00
F
0*
det
aus Y
F00
F1
F**
*0
F*0
det
F*0
**
1 F det ,
0* F00
1
1
*0 F00
*0
F**
det ,
F**
F1
F*0
**
F*0
det ,
00
F
det ,
0*
1 1
** 0*
1 det ,
00 F0*
aus H
00
F1
00
det
F*0
**
*0
F*0
det
1 F det
*0 **
1 1
0* **
1
00
det F0*
1 det
00 F0*
1 1
** 0*
aus G
det b
00
F*0
**
Fdet b
*0
Fdet b
0*
Fdet b
**
1
00
det b F0*
1 0*
** 1
1 *0
00 1
1 00
*0 F1
1 **
0* 1
aus A
00
det F0*
1 F0*
00 det
1 F*0
** F det
1 F**
*0 det
1 F00
0* F det
aus B
F*0
**
F1
F*0
F0*
F00
F1
F**
4.4 Umrechnung von Zweitormatrizen
j** j00 F j*0 j0*
50
4.5 Passive Zweitore

Z1
Z2
Z3
1
Z3
Z1
Y
A
* 4
0 4
-Schaltung
T-Schaltung
Z
Z2
* 0 4
4
*
F4
0 4 1
0 * 0
F4
0 4
4
Beispiel: Bestimmung der G-Matrix eines Querwiderstands

Schaltungstyp:
Z1 = Z2 = 0; Z3 = R
Z-Matrix:
G aus Z:
, det
tt 0*
F*0
det
Die G-Matrix entspricht den Gleichungen
1
*
0
't
1/
1
F1
und
*.
Beispiel: A-Matrix eines RC-Tiefpasses

Schaltungstyp:
A-Matrix:
T
Z1 = R,
Z2 = 0,
1
Y3 = jC
V3.3
51
4.6 Kettenschaltung
Die Matrizen A und B eignen sich zur leichten Berechnung von hintereinander
geschalteten Zweitoren (Reihenschaltung oder Kettenschaltung).
Beispiel mit zwei Spannungsteilern (RC-Tiefpass):
I1
I2
U1
I3
U2
A1
bD
U3
b*
b* b0
A2
Spannungsverstrkung bei Leerlauf am Ausgang:

Eingangswiderstand bei Leerlauf am Ausgang:
Ausgangswiderstand bei Kurzschluss am Eingang:
0*
**
00
2
*
tt
tt
-t
|
't _H
'
ttt
Ein Zweitor mit Last ZL am Ausgang sollte in ein erweitertes Zweitor mit Leerlauf
am Ausgang umgerechnet werden, entweder indem ZL als Teil der Schaltung
betrachtet wird oder durch Kettenschaltung des ursprnglichen Zweitors und ZL:
ZL
**
0*
*0
1
00 1/
**
0*
t-
--
*0
00
V3.3
52
4.7 Simulation
In SPICE stehen gesteuerte Quellen E, F, G, H zur Verfgung:
spannungsgesteuert
stromgesteuert
Spannungsquelle
Stromquelle
Ein steuernder Strom muss durch eine Spannungsquelle flieen (in den Bildern
oben: V1). Die steuernde Spannung wird direkt auf Eingangspins der Quelle
geschaltet.
Mit BV und BI stehen Quellen zur Verfgung, die Spannung oder Strom gem
einer Formel erzeugen, so dass sich beliebige, nichtlineare Bauelemente
modellieren lassen:
Die Stromquelle BI kann auch einen nichtlinearen Widerstand realisieren, wenn

als steuernde Spannung die eigenen Ausgangspins verwendet werden.
V3.3
53
5 Halbleiter
5.1 Generation und Rekombination
Durch Gitterschwingungen oder Fotonen kann ein Elektron-Loch-Paar entstehen
(Generation Erhhung von n und p).
Die freien Ladungstrger bewegen sich wegen ihrer kinetischen (Wrme-)Energie
mit der mittleren Geschwindigkeit P"i mkl/j 107 cm/s. Sie erleiden Ste
( Energieverlust) an Kristallfehlern, Gitterschwingungen oder anderen freien
Ladungstrgern.
Nach der mittleren Ladungstrger-Lebensdauer (Grenordnung ns)

rekombinieren sie mit anderen Ladungstrgern. Die Rekombination findet im
mittleren Abstand L (Diffusionslnge, Grenordnung 10..50 m) vom Ort der
Generation statt. Die Ladungstrgerdichten n und p verringern sich.
Diffusionslnge Ln
+
Rekombination
Generation
Die Bewegung eines Ladungstrgers an irgendeiner Stelle eines geschlossenen

Leiterkreises stellt einen Strom (durch den gesamten Kreis) dar!
Zufllige Bewegungen fhren zu thermischem Rauschen.
Wenn Generation und Rekombination sich die Waage halten spricht man vom
thermodynamischen Gleichgewicht. Im undotierten Halbleiter ist dann
GH
IH
GH IH
GJ
V3.3
GJ0
54
5.2 Fermi-Verteilung
Die tatschlichen Geschwindigkeiten (Energien) der Ladungstrger sind
statistisch verteilt (Fermi-Verteilung). Man kann nur Aussagen ber die
Wahrscheinlichkeit machen, dass ein Ladungstrger gerade mindestens die
Energie W besitzt:
I h
Besetzungswahrscheinlichkeit
fr Elektronen der Energie W:
Zimmertemperatur: kT = 0,026 eV
= 4,1610-21 J (= Wrmeenergie)
I h
Besetzungswahrscheinlichkeit
fr Lcher:
1
h F h
exp
kl
1 F I h
h F h
exp
kl
h F h
1 exp
kl
W
T gro
T gro
WF
WF
p - (W)
0,5
p + (W)
0,5
Nherungen:
Leitungsband: W WF kT
I h . exp F
h F h
kl
V3.3
Valenzband: W WF kT
I h . exp
h F h
kl
55
5.3 Ladungstrgerdichten
x 67%
Mglichkeiten x Wahrscheinlichkeit
freie Pltze
Anzahl
Ladungstrgerzahl
im undotierten Halbleiter (Achtung: p(W) nicht mastblich):
W
n0 = ni
p - (W)
WL
WL
WG/2
WM
WF
WG/2
WV
WF
p + (W)
WV
p0 = ni
0,5
Ladungstrgerdichte
Wo liegt WF der Fermi-Verteilung? Wegen n0 = p0 = ni muss WF in der Mitte der

Bandlcke liegen (h . h
h h /2. (Gilt nicht exakt, weil Anzahl der
Pltze im Valenz- und Leitungsband nicht genau gleich sind)
Die meisten Ladungstrger befinden sich an einer Bandkante:
Elektronen verlieren meist Energie (fallen tiefer)
Leitungselektronen finden sich zumeist an der unteren Leitungsbandkante
Lcher finden sich zumeist an der oberen Valenzbandkante
V3.3
56
n-Dotierung (Donatorendichte ND): WF verschiebt sich um WF
n0 steigt um Faktor exp(WF/kT)
p0 fllt um Faktor exp(WF/kT)
p(WD) 0 alle Dotieratome ionisiert
weiterhin gilt GH IH
GQH . LM GJ
IQH . GJ0 /LM GJ
p - (W)
WL
WD
GJ0
n0
(Majorittstrger)
WL
WF
WM
WF
WF
p + (W)
WV
(Minorittstrger)
WV
p0
GQH
GJ exp
0,5
LM h
p-Dotierung (Akzeptorendichte NA):

p (WA) 0 alle Dotieratome ionisiert
Ladungstrgerdichte
kl ln
Q
h F kl ln
Q
IRH . LN GJ
GRH . GJ0 /LN GJ
W
n0
WL
(Minorittstrger)
WL
p - (W)
WM
WA
WV
WF
WF
WF
WV
p + (W)
0,5
V3.3
p0
(Majorittstrger)
Ladungstrgerdichte
57
5.4 Diffusionsstrom
N=
Wegen zuflliger Bewegung

(thermische Energie):
Ausgleich zwischen hoher
und niedriger Teilchendichte
Stromdichte
MJXX ~ F 2
x
MJXX,Q
Diffusionsstrom fr Elektronen:
MJXX,Q
Als Teilchenstrom gilt auch:
Zusammen ergibt sich die Differentialgleichung

Q
mit der Lsung
G -
G
-
PMJXX,Q G
G* exp F
n(x)
F Q F
F G PMJXX,Q
G
PZ\]
MJXX,Q w
mit G* G -
G
-
Werden Elektronen bei x = 0 eingespeist

(konstante Dichte n1) dann nimmt die
Trgerdichte n durch Diffusion und
Rekombination mit dem Abstand x
exponentiell ab.
n1
x
Ln
MJXX,Q
proportional zu n(x) und nimmt

auch exponentiell ab. Strom ist
aber in einem geschlossenen
Kreis immer konstant. Der
fehlende Stromanteil besteht hier
aus Lchern, die bei jeder
Rekombination nachrcken
mssen.
Der Diffusionsstrom ist dann

Fb PMJXX,Q G -
MJXX,Q
Iges = const
Idiff
Irekomb
V3.3
58
zur Diffusionsgeschwindigkeit:
Wegen Rekombination diffundieren Ladungstrger nicht unbeschrnkt,
sondern im Mittel nur whrend der Minorittstrger-Lebensdauer n bzw. p
und fr die durchschnittliche Diffusionslnge Ln bzw. Lp (Grenordnung
m).
Die mittlere Diffusionsgeschwindigkeit der Elektronen ist
PMJXX,Q
vDiff 105 cm/s liegt deutlich unter vsat 107 cm/s, weil Diffusion keine
gerichtete Bewegung ist.
Fr die Diffusionskonstanten gilt (ohne Beweis):
Q
0
Q
P%JXX
kl
YQ
Ohne Nachschub wren die Ladungstrger in kurzer Zeit gleichmig ber

das Volumen verteilt. Der Diffusionsstrom wre dann Null (
weiterhin thermische Bewegung vorherrscht (Rauschen).
0), auch wenn
Bei konstantem Nachschub ( n(x=0) = n1 = const ) stellt sich rumlich die

exponentielle Verteilung G G* exp F-/ Q ein. Im Mittel erreichen die
Elektronen dann tatschlich die Entfernung Ln von der Einspeisestelle, wie
oben angenommen.
Fr einen Lcher-Diffusionsstrom und nachrckende Elektronen gelten

entsprechende Formeln.
V3.3
59
6 Dioden
6.1 Abrupter pn-bergang
6.1.1 Thermodynamisches Gleichgewicht
Annhern eines p-dotierten an einen n-dotierten Kristall:
Diffusion
WL
n
WL
WFn
WFp
WV
WV
Diffusion
+ +
n
-
Raumladungszone
(RLZ)
Diffusion von Majorittstrgern ins gegenberliegende Gebiet
Kontaktstelle:
+ +
E-Feld vom n-Gebiet ins p-Gebiet

behindert Majorittstrgerdiffusion,
beschleunigt Minorittstrger
(Driftstrom)
thermisches Gleichgewicht wenn
Diffusion und Drift sich ausgleichen
E-Feld bewirkt Spannung und Energiedifferenz ber der RLZ

Bandabsenkung
dort Rekombination
Zone ohne freie Ladungstrger
(Raumladungszone = RLZ)
V3.3
60
pn-bergang im thermodynamischen Gleichgewicht:
Leitungsband
-
Diffusion
Drift
- - - - - - - - - - - -
WF
Valenzband
+ + + + + + + +
+ + + +
Drift
+ +
Diffusion
Fermi-Niveau WF ist berall gleich: nur wenige Majorittstrger knnen ber die
RLZ diffundieren, genau so viele Minorittstrger driften zurck.
Bandabsenkung zwischen p- und n-Gebiet:
h hR F hQ hR F hQ hR F hQ
n-Gebiet:
p-Gebiet:
GQH
GRH
GQH

GRH
exp
GJ exp
1w
GJ exp
LM
Qy-
h F hQ F eh F hR g
exp
kl
kl
Diffusionsspannung: h
%JXX
LM LN
h
GJ0
%JXX
LM LN
ln
GJ0
V3.3
LM
LN
GJ0
LM LN
kl ln 0
GJ
kl/
Temperaturspannung
300 K: UT = 26 mV
61
6.1.2 Spannung in Sperrrichtung
n
-
- +
-
U sperr
+
RLZ wird breiter

E-Feld wird strker
Bandabsenkung um eUsperr grer
Majorittstrger knnen nicht mehr
ber RLZ diffundieren
+ +
+ +
Leitungsband
-
Drift
- - - - -
WF
e. U sperr
+ + + + + + + +
Valenzband + + + +
- - - - - - - -
+ +
Drift
Minorittstrger driften vom E-Feld

gezogen durch die RLZ
an den Rndern sind die
Minorittstrgerdichten 0
np0
RLZ
p(x)
nachrckende e+ aus n-Gebiet:

kleiner Sperrstrom
r
%JXX,Q
%JXX,R
b GJ0
Ln
x-
Nachschub durch Diffusion aus den pund n-Gebieten Diffusionsstrom

nachrckende e- aus p-Gebiet:
pn0
n(x)
Q
Q LN
Mw
w
GRH
IQH
Lp
b
b
Mw
w
Qy-
Qy-
L
R
M
Is hngt (nherungsweise) nicht von der Sperrspannung ab!

V3.3
62
6.1.3 Spannung in Flussrichtung
RLZ wird dnner
E-Feld wird schwcher
Bandabsenkung um eUF kleiner
UF
n
-
wegen Fermi-Verteilung knnen

exponentiell mehr Majorittstrger
ber die RLZ diffundieren; dort
erhhen sie die Dichte der
+ +
+ +
+ +
+ +
Minorittstrger (Faktor exp

'
'
Leitungsband
Diffusion
- -
Drift
- - - - - - - - - - -
e.UF
WF
+ + + + + + + +
Valenzband + + + +
Drift
+
+ +
+
Diffusion
Minorittstrgerdichten am Rand der RLZ:

GR
IQ
GRH exp
IQH exp
/kl
/kl
n(x)
Die berschuss-Ladungstrger
diffundieren tiefer in die n- und pGebiete und rekombinieren
RLZ
np0
Diffusionsstrom
xProf. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey
p(x)
V3.3
Ln
Lp
pn0
x
63
Lcher:
I -
IQH exp
MJXX,R
MJXX,R
Elektronen:
MJXX,Q
'
b R F
Mw
w
Qy-
Qy-
R
2
Qy-
exp
'
'
F b R F I
*
exp
'
'
exp
'
'
Die Diffusionsstrme nehmen exponentiell mit dem Abstand zur RLZ ab, werden
dafr ergnzt durch den zunehmenden Strom nachrckender Majorittstrger.
Der Wert des Diffusionsstroms am Rand der RLZ bleibt so erhalten.
Der Gesamtstrom setzt sich zusammen aus:

- Elektronendiffusionsstrom
- Lcherdiffusionsstrom
- auerdem driften weiterhin Minorittstrger ber die RLZ
Is in Sperrrichtung
Gesamtstrom:
MJXX,R
MJXX,Q
b GJ0
ideal:
Mw
exp ' F 1
exp F 1 ;
'
'
'
300
26 j
Wenn Ladungstrger in der RLZ rekombinieren, verringert sich der Strom. Den
Verlust beschreibt der Idealittsfaktor (auch Emissionskoeffizient) N:
r
exp
V3.3
F 1
N = 1..2: Idealittsfaktor
Si: N 2
Ge: N 1
LED: N = 27
64
6.2 Grosignal-Beschreibung
Zerlegung von zeitabhngigen Signalen

(Strmen und Spannungen) in
Gleichanteil (=Grosignal) und

Kleinsignal mit Mittelwert 0:
Sinn:
nichtlineare Zusammenhnge
nur frs Grosignal
(konstant; nur einmal zu berechnen)
Kleinsignal wird linear genhert.
6.2.1 Statische Diodenkennlinie

Die Diode enthlt zustzlich zum pn-bergang ohmsche Widerstnde in den pund n-Gebieten (serieller Bahnwiderstand RS, typ. 0,1 3 ).
RS
60
ln
I/mA
Ge
50
Si
Ge: IS = A,
N1
40
30
Si:
20
IS = nA,
N2
10
-30
-20
U/V
-10
0,2 0,4 0,6 0,8
2
4
-I/A
V3.3
65
6.2.2 Arbeitspunkt
Der Arbeitspunkt (AP) ist die Kombination aus Gleichstrom durch und
Gleichspannung an der Diode.
Der Arbeitspunkt wird mit einer Spannungsquelle und einem Widerstand zur
Strombegrenzung eingestellt:
An der Diode gilt:
UR
Am Widerstand ist
U0
exp
F 1
Das sind 2 Gleichungen fr die 2 Unbekannten UAP und IAP.
U0
R
Grafisch kann man dieses Gleichungssystem

lsen, indem man im gleichen Diagramm die
beiden Funktionen fr den Strom I darstellt;
Schnittpunkt ist der AP.
Die zweite (lineare) Gleichung entspricht der
Arbeitsgeraden.
IAP
U
UAP U0
V3.3
66
6.2.3 Lineare Nherung (Knickkennlinie)
Lineare Nherung fr I IS:
Entspricht einem Widerstand rD
in Reihe zu einer Spannungsquelle US
US
rD
Ersatzparameter aus Diodenkennlinie:

60
I/mA
Tangente im Arbeitspunkt (AP)
50
Steigung /
1/M
(differentieller Leitwert)
40
30
Schnittpunkt auf U-Achse: US

(Schwellenspannung)
20
10
U/V
0
US
Bestimmung aus der Diodengleichung:

1
M,J%
(mit Bahnwiderstand:
M,W
Praktischer Nutzen:
'
exp
)
FL
1
L
Vereinfachte Schaltungsberechnung
Grundlage fr Kleinsignalersatzschaltbild
V3.3
67
6.2.4 Durchbruchmechanismen
Bei hohen elektrischen Feldstrken knnen auch in Sperrpolung groe Strme
flieen. Nur beim thermischen Durchbruch wird der Halbleiter zerstrt.
6.2.4.1Thermischer Durchbruch
Der Sperrstrom r ~GJ0 steigt mit der Temperatur. Falls der Sperrstrom selbst die
Temperatur des pn-bergangs erhht, verstrkt sich die Erwrmung bis zur
Selbstzerstrung.
Der thermische Durchbruch tritt i.a. nur auf bei
Halbleitern mit geringem Bandabstand hohem Sperrstrom (z.B. Ge)
hohen Umgebungstemperaturen
6.2.4.2Zener-Effekt
Bei hoher Sperrspannung existieren fr Valenzelektronen des p-Gebietes freie
Pltze im n-Gebiet auf dem gleichen Energieniveau. In hoch dotierten Dioden wird
die RLZ so schmal, dass Elektronen hindurch tunneln knnen.
Leitungsband
Valenzband
p-Gebiet
n-Gebiet
V3.3
68
6.2.4.3Lawinen-Durchbruch
In normal dotierten Halbleitern
knnen schnelle Ladungstrger
durch Ste die Generation von
weiteren Elektron/Loch-Paaren
bewirken. Wenn diese durch das
hohe elektrische Feld ebenfalls
stark beschleunigt werden, tritt
eine ganze Lawine von
Ladungstrgern auf.
p-Gebiet
RLZ
n-Gebiet
6.2.4.4Durchbruch-Kennlinie
berschreitet die Sperrspannung den Wert UBR, dann gilt fr den Strom
F
' #'
'
mit
U < 0:
UBR :
IBR :
NBR :
Diodenspannung (nur pn-bergang)

Durchbruch-Kniespannung
Durchbruch-Kniestrom
Durchbruch-Idealittsfaktor
Allerdings dominiert auch hier bei greren Strmen der Bahnwiderstand RS, so
dass man den Kennlinienverlauf durch eine Knickkennlinie nhern kann:
-UBR
I/mA
U/V
-IBR
~ 1/RS
V3.3
69
6.3 Kleinsignal-Verhalten
6.3.1 Sperrschichtkapazitt
Breite der RLZ hngt von der
angelegten Spannung U ab:
(Flussrichtung U > 0,
Sperrrichtung U < 0)
F g
e MJXX
1
1
LN LM
dRLZ verteilt sich aufs
p- und n-Gebiet:
Die RLZ wirkt wie ein Kondensator:

p-Gebiet
n-Gebiet
Q- = NA.dp
H W
fr abrupten
pn-bergang
Sperrschichtkapazitt
Q + = N D .d n
CS
Mit steigender Sperrspannung

wird cs kleiner:
U
UDiff
allgemein gilt:
r ~ e
%JXX
F g
mit m: Gradationsexponent (auch Kapazittskoeffizient)
Gradationsexponenten verschiedener Dotierungsprofile:

NA
NA
NA
x
ND
abrupt
m = 0,5
x
ND
linear
V3.3
x
ND
hyperabrupt
(Kapazittsdiode)
m = 0,20,3
70
6.3.2 Diffusionskapazitt
In Flussrichtung sind die neutralen Bereiche von Minorittstrgern
berschwemmt, mit UF erhhen sich auch die Ladungsdichten:
n(x)
Annahme: ND NA n p
p(x)
GRH exp
G -
RLZ
np0
pn0
x
-x
bG - -
b GRH exp
b GRH exp
exp F
exp F
Daraus kann man eine differentielle Kapazitt ableiten, die Diffusionskapazitt:

M
1
L
Sie kann auch durch den Strom ausgedrckt werden:

.
MJXX,Q
bG -
0 PQ
1
L
b GRH exp
Q M
Q
Q
Dabei wurden der differentielle Leitwert gD und die Minorittstrger-Lebensdauer

n eingesetzt.
Beim Abschalten der ueren Spannung U mssen die Ladungen, die in cD
gespeichert sind, abgebaut werden (s. Schaltverhalten).
V3.3
71
6.3.3 Kleinsignal-Ersatzschaltbild
Bei der Betrachtung von kleinen nderungen um den AP herum kann man ein
linearisiertes Schaltbild erstellen, in dem nur noch die Wechselgren kleiner
Amplitude vorkommen.
Nichtlineare Parameter wie differentieller Widerstand oder Diffusionskapazitt sind
(einmal) fr den AP zu berechnen.
Auerdem kann man Konstant-Spannungsquellen durch Kurzschlsse und
Konstant-Stromquellen durch Unterbrechungen ersetzen:
U = const.
u = 0
U+u
I+i
I = const.
i = 0
Fr die Diode ergibt sich als Ersatzschaltbild

(ESB) der differentielle Widerstand rD parallel
zu den Kapazitten cS und cD, dazu kommt
der serielle Bahnwiderstand RS (m ):
RS
rD
Sperrrichtung: rD sehr gro und cD cS;

Flussrichtung: rD klein
und cD cS.
cS
cD
AP
U +u
AP
I +i
RS
cS
AP
R I +R i
U0+u0
rD
R i
cD
u0
Fr kleine Frequenzen ( r M M ) knnen die Kapazitten vernachlssigt

werden und von der Diode bleibt nur rD (und evtl. RS) brig.
V3.3
72
6.4 Kennzeichnung von Dioden

n
Schaltzeichen:
K
Kathode
Typenbezeichnung:
A: Germanium
B: Silizium
C: GaAs
A
Anode
XXX 123
A:
B:
P:
Q:
Y:
Z:
Signaldiode
Kapazittsdiode
Fotohalbleiter
LED
Leistungsdiode
Zener-Diode
Typenbezeichnung USA: 1N 1234
z.B. BAS 16
V3.3
z.B. 1N 4002
73
6.5 Temperaturverhalten
6.5.1 Temperaturabhngigkeit der Kennlinie
Kennliniengleichung:
,l
l exp F 1
'
'
0
~ GJ ~l
exp F
U0
R
T0+T
T0
Ein eingestellter Arbeitspunkt verschiebt

sich deshalb auch, er muss aber weiterhin
auf der Arbeitsgeraden liegen.
IAP
U
UAP U0
UR
I
U0
6.5.2 Erwrmung bei konstanter Leistung

In der Diode, genauer am pn-bergang, wird elektrische Leistung P = UI
umgewandelt in Wrme. Die Wrme verteilt sich von der Sperrschicht zum
Gehuse, auf einen evtl. vorhandenen Khlkrper und die Umgebung
(Platine/Luft).
Die Sperrschicht heizt sich deshalb am strksten auf, das Gehuse und
Khlkrper deutlich weniger und die Umgebung (im Idealfall) gar nicht.
Umgebung
(ambient)
Tjunction
Tcase
Tsink
Tambient
Khlkrper
(heat sink)
Gehuse
(case)
Rth,JC
Rth,CS
Rth,SA
Sperrschicht
(junction)
V3.3
74
6.5.3 Erwrmung bei gepulster Leistung
Wechselt die Verlustleistung, dann folgt die Temperatur verzgert. Bei schnellem
Wechsel stellt sich ein fast konstanter Mittelwert ein.
Die Temperatur ist nherungsweise konstant l . "i nur dann, wenn die
Zeitkonstante th grer als die Periodendauer der Wechselleistung ist.
Andernfalls erreicht die Temperatur zeitweise hhere Werte l 2

was bereits zur Zerstrung des Halbleiters fhren kann! (Wichtig bei
Gleichrichterdioden)
"i ,
Datenblattangaben:
Duty-Cycle
)yw
) yx )
max. Gleichstrom IFDC

max. Impuls-Amplitude IFmax
V3.3
75
6.6 Schaltbetrieb
Beim Betrieb in Flussrichtung finden sich an den Rndern der RLZ berschssige
Ladungen (Minorittstrger; siehe Diffusionskapazitt).
Wird die Spannung an der Diode umgepolt (Ausschaltvorgang; A), werden diese
Ladungen vom elektrischen Feld ber die RLZ gezogen und erzeugen einen
groen Strom IRmax in Sperrrichtung. Fr die Dauer tS ist dieser Strom konstant
und sinkt dann ab (auf 10 % nach tfr). Wenn die Ladungen abgebaut sind,
reduziert sich der Strom auf den sehr kleinen Sperrstrom IS.
Beim Einschalten (B) wird die Sperrschichtkapazitt vergrert, deshalb fliet
zunchst ein hherer Strom als aus der Kennlinie zu erwarten wre.
Die Reverse-Recovery-Zeit tRR ist die Dauer, in der der Ausschaltstrom auf 10 %
gesunken ist:
XW
UF
U0
UR
A
IF
i
ts tfr
I Rmax
r
tff
t
tRR=tS+tfr
In grober Nherung gilt:
V3.3
76
6.7 Spezielle Dioden

6.7.1 LED
Fast alle Ladungstrger befinden sich an einer Bandkante (minimale Energie). Bei
Rekombination wird deshalb ziemlich genau die Energie WG (Bandabstand) frei.
Alle Ladungstrger haben einen bestimmten Impuls p = mev. Bei direkten

Halbleitern haben e- und e+ den gleichen Impuls, bei indirekten sind sie
verschieden. Nur bei direkten Halbleitern kann eine Rekombination ein Foton
erzeugen, bei indirekten werden Energie und Impuls ans Kristallgitter abgegeben
(Fotonen haben keinen Impuls).
W
W
Ge
Si
GaN
GaAs
Impuls
Farbe
Infrarot
Rot-Orange-Gelb
Grn
Blau-UV
Impuls
Material
AlGaAs
GaAsP
GaP
InGaN
Impuls
Impuls
Spannung bei
I 20 mA
2V
1,6 2 V
2,5 V
3,5 V
Linse
LED-Kristall
Anode
(lang)
V3.3
Kathode
(kurz)
77
6.7.2 Fotodiode
Aufbau:
hf >> Wg
Kontakt
(Anode)
hf > Wg
p
(RLZ)
die Ladungstrger werden durch das

Feld der RLZ auseinandergezogen
Fotostrom
+
n
Fotonen mit hf Wg erzeugen ein

Elektron-Loch-Paar (Generation)
indirekte Halbleiter (Si, Ge): Fotonen

mit hf = Wg generieren kein e-/e+-Paar
(fehlender Impuls), erst fr hf > Wg
gibt es direkte bergnge
Kontakt (Kathode)
ID
UD
-U0
EV=0
EV1
EV2
Solarzelle
Fotodiode
EV3
-U0/R
Fotodiode: Betrieb in Sperrrichtung
Solarzelle: Betrieb als Quelle
ID<0
ID<0
UD<0
UD>0
U0
V3.3
78
6.7.3 Schottky-Diode
Elektronen sind in vielen Metallen fester gebunden als in Halbleitern FermiEnergie von Metallen ist meist kleiner als von Halbleitern, v.a. n-dotierten:
Metall
n-Halbleiter
Diffusion
WFme
Metall
n-Halbleiter
WFn
p - (W)
WF
p - (W)
x
Beim Metall-Halbleiter-Kontakt wechseln daher e- vom Halbleiter ins Metall

RLZ (im Halbleiter) und Bandverbiegung wie bei pn-Diode
Gleiche Fermienergie WFn = WFme = WF
Spannungs-Strom-Charakteristik wie bei der Diode:
Spannung in Flussrichtung: WFn > WFme Elektronen diffundieren vom
Halbleiter ins Metall groer Strom
Spannung in Sperrrichtung: WFn < WFme Diffusion stoppt kleiner
Reststrom (e- aus Metall, die Lcher auffllen)
Unterschiede zur pn-Diode:
Symbol:
Flussstrom wird nicht von Minorittstrgern gebildet

keine Diffusionsladung / Diffusionskapazitt (nur Sperrschichtkapazitt)
hohe Grenzfrequenz (10 100 GHz)
Schwellenspannung der Schottky-Diode: US 0,3 V
hherer Sperrstrom bei Schottky-Dioden
Bei sehr hoher Dotierung wird die RLZ so schmal, dass auch in Sperrrichtung efast ungehindert flieen knnen (Tunnel-Effekt). Dann entsteht ein einfacher
ohmscher Kontakt, keine Schottky-Diode.
V3.3
79
6.8 Anwendungen
6.8.1 Gleichrichter
U, URL
Einweggleichrichter:
t
RL
U
U, URL
Spitzengleichrichter:
RL
U
IDiode
t
Brckengleichrichter:
~
U, UA
U
UA
~
V3.3
80
6.8.2 Begrenzung von Spannungsspitzen
ffnet
bei t1
Beim Ausschalten induktiver Lasten (Spulen)

entstehen hohe Spannungen entsprechend
IL
R
RF
, z. B. 1
Gefahr von berschlgen!
UL
Durch eine parallelgeschaltete Diode (Freilaufdiode) kann der Spulenstrom sich

langsam abbauen, so dass UL deutlich reduziert wird.
6.8.3 Begrenzung einer Eingangsspannung

Schutz eines IC-Eingangs:
U0
IC
UE
Begrenzung von UE auf
(US: Schwellenspannung der Diode)
6.8.4 Spannungsstabilisierung
I
In Zener-Dioden (Z-Dioden) nutzt man den

Zenereffekt oder den Lawineneffekt, um die
Spannung an einer Stelle des Netzwerks auf
genau die Durchbruchspannung UZ einzustellen.
UZ = 3 V .. 75 V
UZ
Z-Dioden werden also immer im Sperrbereich

betrieben.
RV
U
UZ
RL
V3.3
81
6.8.5 Abstimmung von Schwingkreisen
Die Sperrschichtkapazitt cS hngt von der Sperrspannung ab. Schwingkreise
kann man durch eine konstante Steuerspannung auf eine bestimmte Frequenz
einstellen.
Ust
LK
CK
cS
CrR
WW
2Em
Ua
ua
In Kapazittsdioden (Varicap) verwendet man hyperabrupte Dotierungsprofile,

um eine gewnschte Spannungs-Kapazitts-Charakteristik zu erhalten.
r"
r"
MJXX
UDiff: Diffusionsspannung
m:
Gradationsexponent; m = 0,2 .. 0,5
V3.3
82
6.9 Simulationsmodell der Diode

Jede Diode verfgt in SPICE ber eine Modellbeschreibung der Form
.model mydiode d( param1=wert1
param2=wert2 )
Eine Auswahl verfgbarer Parameter findet sich in der folgenden Tabelle:
Parameter
(Skript)
SPICE
Bezeichnung
IS
Sperrsttigungsstrom
Idealittsfaktor
BV
Durchbruchspannung
IBV
MJXX
Werte fr
BAS16
2,8
nA
1,87
50
Durchbruchstrom (bei UBr)
100
RS
Bahnwiderstand
1,35
CJO
Sperrschichtkapazitt
0,6
pF
VJ
Diffusionsspannung
0,2
Gradationsexponent
0,1
TT
1,5
ns
hD
Minorittstrger-Lebensdauer
(Transitzeit)
EG
Bandabstand
1,16
eV
Das vollstndige SPICE-Diodenmodell beschreibt noch eine Vielzahl weiterer

Effekte:
V3.3
83
6.10 Nichtlinearitt
Der Diodenstrom hngt nichtlinear von der Diodenspannung ab; das fhrt dazu,
dass Signale verzerrt werden.
U0 : Einstellung des Arbeitspunkts
cos 2EC*
u(t)
I
R
U0+u(t)
: ideale Sinusform
Wechselanteile von Diodenstrom und

Spannung am Lastwiderstand sind aber
nicht ideal sinusfrmig.
Das fhrt im Fourier-Spektrum zu Oberwellen:

FFT(URL)
V(U0)
V(URL)
2.0V
1.0V
f
0V
0s
1.0ms
2.0ms
3.0ms
f1
2f1 3f1
Gewnscht/ideal ist nur die Grundschwingung.
V3.3
84
6.11 Rauschen
Die Diode erzeugt zwei Arten von Rauschen (noise):
Thermisches Rauschen in den neutralen Zonen (Bahnwiderstand)
Q
m4kl
Stromrauschen (auch Schrotrauschen) im pn-
I(t)
bergang (wegen statistischer Schwankungen

der Ladungstrgerzahl, die die RLZ berquert)
Q
m2 C
In beiden Fllen ist f die Bandbreite, die die Schaltung bertrgt.

Die Bandbreite wird begrenzt durch Filter oder die Grenzfrequenz
des Bauelements (parasitre Elemente):
C CD 1/ 2E M M
Das Kleinsignal-ESB kann man mit den
Rauschquellen ergnzen:
Un
RS
In
rD
cS
cD
Das Rauschen kann man beschreiben durch das Verhltnis einer gewnschten
Signalleistung zur Rauschleistung (SNR = signal-to-noise ratio)
L
10 lg
V3.3
rJDQ

W &r i Q
85
7 Bipolar-Transistoren (BJT)
(BJT = bipolar junction transistor)
7.1 Verstrkerbetrieb
Emitter
Basis
Kollektor
Emitter
Basis
Kollektor
UBE
UCB
+
UEB
UBC
Bnderschema des npn-Transistors:

E
B
W
Diffusion
Drift
e.UBE
WF
e.UCB
Diffusion
x
RLZ (BE)
Lcher:
RLZ (BC)
diffundieren von der Basis in den Emitter

normaler Lcherstrom der BE-Diode
Elektronen: knnen massiv vom Emitter in die Basis diffundieren

werden von der BC-RLZ abgesaugt
groer Strom (deutlich grer als normaler Diodenstrom)
V3.3
86
Minorittstrgerdichten im npn-Transistor:
E (n+)
B (p)
RLZ
C (n)
RLZ
pE(x),
nB(x),
pC(x)
B0
E0
Lp
dB
Emitter
thermodyn.
Gleichgewicht
Rand BE-RLZ
Rand BC-RLZ
Gradient
e-:
e+:
pC0
%JXX,Q
%JXX,R
IH
I -
IH exp
I -
b Q
. b Q
b R
Basis
GJ0

LM,
Qy-
Qy-
Qy-
,
,
GH exp
G -
GH exp
G -
G *
exp
exp
exp
'
'
1'
'
exp
'
exp
'
R
LN, LM,
R Q
V3.3
'
'
'
I+H exp
I+ -
'
I+ -
.0
0 F G -
F exp
GJ0
LM,+
I+H
'
Kollektor
GJ0
LN,
GH
Lp
'
.0
.0
%JXX,Q
%JXX,R
87
Stromverstrkung B:
E (n+)
B (p)
C (n)
IE
IC
IB
UBE
UCB
+
ideal:
real:
GJ0
b Q
exp
LN,
.
GJ0
b R
exp
LM,
%JXX,Q
%JXX,R
exp
'
exp
Q LM,
R LN,
'
'
'
B unabhngig von UCB, weil exp F + / . 0

Steuerung von IC nur durch IB bzw. durch UBE
UCB ndert Breite der BC-RLZ, ndert also auch dB
ndert damit auch B (Basisweiten-Modulation)
dB(0)
BCRLZ
% H
*#
(UAF: Early-Spannung)
dB(UCB)
V3.3
Q LM, R
0
R
N,
Z[[[[[\[[[[[]
: qQr" Q"
88
7.2 Sttigungsbetrieb
Wenn sowohl die BE-Diode als auch die BC-Diode leitet (UCB < 0), werden
Minorittstrger aus der Basis nicht mehr abgesaugt. Die Basis ist gesttigt mit
Minorittstrgern ( Sttigungsbetrieb). Die Trgerdichte in der Basis verluft
dann flacher:
UBE>0
UCB<0
E
GH exp
nB(x)
BCRLZ
GH exp
B0
dB
Damit sinkt auch der Elektronenstrom Idiff,n, fr UCB = -UBE wird Idiff,n = 0.
%JXX.Q
exp
F exp F
7.3 Inversbetrieb
Wegen des symmetrischen Aufbaus verstrkt der BJT auch, wenn die BC-Diode
leitet und die BE-Diode sperrt (UCB < 0, UBE 0). Der Strom IC ist dann negativ
(fliet aus dem Kollektor heraus), IB bleibt positiv (fliet weiterhin in die Basis
hinein, dann aber Richtung Kollektor: IBC).
Wegen ND,C ND,E ist die Rckwrts-Stromverstrkung
wesentlich geringer als B.
Emitter
Basis
Kollektor
UEB
allerdings
Mw ,
M , %
UBC
+
V3.3
89
7.4 Kennlinien
Eingang
Den Transistor kann man als

(nichtlineares) Zweitor ansehen.
Meist liegt der Emitter gemeinsam
an Eingang und Ausgang.
Beachte:
Ausgang
7.4.1 Eingangskennlinie
Der Zusammenhang zwischen UBE und IB ist annhernd unabhngig von UCB und
damit auch unabhngig von UCE = UCB + UBE, der Ausgang hat fast keine
Rckwirkung auf den Eingang.
Der Basisstrom besteht hauptschlich aus dem Lcher-Diffusionsstrom Idiff,p und
wie bei allen Dioden dem kleinen Sttigungs-Driftstrom IBS. Es ergibt sich die
bliche Diodengleichung, wobei meist der Idealittsfaktor N 1 ist, weil die Basis
zu kurz fr Rekombinationen ist:
%JXX,R F
exp
IB
Die Kennlinie zeigt die fr Dioden

typische starke Temperaturabhngigkeit.
F 1
mit
NM Qy-
T0+T
T0
UBE
V3.3
90
7.4.2 Ausgangskennlinienfeld
In jeder Betriebsart gilt:
%JXX,Q
+ exp
F exp
Fr die Kennlinie ist es blich, mit der Spannung UCE = UCB+UBE zu arbeiten:
+
+ exp
1 F exp
Bercksichtigt man noch, dass im Verstrkerbetrieb (UCE > UBE)

+
H 1
'
'
+ ,
gilt, ergibt sich insgesamt
H 1
80
'
'
1 F exp
1'
'
IC [mA]
T = const.
Sttigungsgrenze
125 A
60
Sttigungsbetrieb
100 A
Verstrkerbetrieb
40
75 A
IB
50 A
20
25 A
0
0
IB<0
UCE [V]
Inversbetrieb
IC
Wegen der Basisweitenmodulation sind die

Kennlinien geneigt. Sie schneiden sich bei UAF.
V3.3
-UAF
UCE
91
7.5 Kennzeichnung von BJT

C
B
npn
Schaltbild:
E
pnp
(Pfeil in Richtung pn-bergang)
Bauformen:
Kleinsignal-Transistoren
Leistungstransistoren
Typenbezeichnung:
XXX 123 X
(BJT + FET)
A: Germanium
B: Silizium
C: GaAs
C:
D:
F:
L:
P:
S:
U:
Kleinsignal
Leistung
Hochfrequenz
HF + Leistung
Fototransistor
Schalten
Schalten + Leistung
Typenbezeichnung USA:
2 N XXXX
V3.3
z.B. BC 550C
nur einige:
A: B 200
B: B 300
C: B 500
92
7.6 Arbeitspunkteinstellung
7.6.1 Ausgangskreis
Am BJT sind innerhalb gewisser Grenzen beliebige Spannungen UCE und
Strme IC mglich. Durch die Vorgabe eines Basisstroms wird die Auswahl auf
eine einzelne Kennlinie des Ausgangskennlinienfelds beschrnkt.
Durch die uere Beschaltung ergibt sich dann ein eindeutiger Arbeitspunkt (AP).
Ausgangsmasche:
RC
IC
IB
+ U0
N
+
UCE
-
N
+
N
+
N
+
RE
IC
U0
RC+RE
IB
AP
IC
UCE
AP
UCE
V3.3
U0
93
Die Wahl der mglichen AP wird eingeschrnkt durch:
1.
2.
2
+
2
+
3.
(bei berschreiten berlastung der Kontaktierung oder Elektromigration)

(Lawinendurchbruch der BC-Diode oder dB 0)
+
+ 2
(bei berschreiten Zerstrung durch Hitze)
4. Zweiter Durchbruch (lokale berhitzung)
Das Gebiet, das brig bleibt, heit safe operating area (SOAR):
IC
1
3
SOAR
2
UCE
V3.3
94
7.6.2 Basis-Spannungsteiler
Der fr den AP bentigte Basisstrom IB kann mit dem Spannungsteiler R1/R2
erzeugt werden. Vorgehensweise (gegeben + , , N , +N ; . + ):
N
1. aus
R2
IC
IR1
IB
IR2
UBE
UR2
+ U0
0 ;
N
+
3. sinnvolle Wahl von

z.B. 0 10 N
RE IC
4. obere Eingangsmasche:
*
RE
. 0,75 V
2. untere Eingangsmasche:
RC
R1
(Eingangskennlinie); oder grob
0/
*/
N
,
Nachteil Basis-Spannungsteiler:
relativ hoher Strom IR2 belastet die Quelle
2 Widerstnde bentigt
Vorteil:
geringe Abhngigkeit von Transistorkennwerten
(gnstig bei Serienproduktion oder Ersatz durch anderen BJT)
Achtung: Die Spannungsteilerformel gilt NICHT,

0
t# -
, wegen der Stromentnahme von
V3.3
N
.
95
7.6.3 Basis-Vorwiderstand
Der Basisstrom IB kann auch mit einem einzigen Widerstand RB eingestellt werden
N
aus Eingangskennlinie):
(mit
Eingangsmasche:
H
RC
RB
IC
IB
UBE
+ U0
RE
RE IC
N
+
N
+
Nachteil Basis-Vorwiderstand:
N
~ 1/ ;
nderung des Basisstroms durch Temperatur verschiebt AP,
hngt stark vom Transistor ab (ungnstig fr Massenproduktion)
Vorteil:
nur ein Widerstand
geringere Belastung der Quelle (RB R1 + R2 bei Spannungsteiler)
V3.3
96
7.7 Grosignalmodell
Der Transistorstrom IC lsst sich zerlegen in zwei Diodenstrme:
+
+ exp
F exp
exp
F1 F
exp
F1
Im Verstrkerbetrieb ist + (IB in Richtung Emitter), im Inversbetrieb gilt

F + (IB in Richtung Kollektor). Man kann alle Betriebsflle vereinen zu
+
Durch Vergleich mit der obigen Formel erhlt man ein Modell mit zwei Dioden und
einer gesteuerten Transfer-Stromquelle IT (Gummel-Poon-Modell), wie es auch
PSPICE verwendet:
n
E
IT = B IBE - BR IBC
RES
IBE
RCS
IBC
RBS
Im Modell sind auch die Bahnwiderstnde zu erkennen. Achtung: die beiden

Dioden sind nicht identisch!
Das Grosignalmodell wird verwendet, um den Arbeitspunkt (Gleichstrme und
Gleichspannungen) zu bestimmen. Die eigentlichen Signale sind reine
Wechselgren und werden im Kleinsignalmodell bercksichtigt.
V3.3
97
7.8 Kleinsignalmodell
7.8.1 ESB fr niedrige Frequenzen
Das Kleinsignalmodell stellt eine linearisierte Beschreibung dar, die in der
Umgebung des Arbeitspunktes (Verstrkerbetrieb!) gltig ist. Je grer die
Amplitude der Wechselsignale, umso grer wird der entstehende Fehler.
Eingang, BE-Diode:
Diodengleichung:
exp
'
'
IB
F 1
AP
Die Kennlinie wird im AP linearisiert:
IB
UBE
AP
UBE
Ausgang, Stromquelle:
Der Transferstrom . +
wird vom Basisstrom gesteuert. iT wird
deshalb als Stromquelle modelliert.
IC
AP
iC
uCE
iT ist nicht ideal, sondern hngt

schwach von UCE ab. Die
-UAF
Abhngigkeit kann man mit
einem Innenwiderstand modellieren.
N
+
N
+
iB
Ersatzschaltbild:
mit
UCE
'
uBE
'
gBE
iT
gCE
(bertragungssteilheit, formal
ein Leitwert)
V3.3
98
7.8.2 ESB fr hhere Frequenzen
Diffusionskapazitt der Basis:
In der Basis finden sich berschuss-Minorittstrger (Elektronen bei npn), die bei
einer Spannungsnderung uBE auf- oder abgebaut werden mssen:
b
*
GH exp
'
'
BCRLZ
Mit dem Kollektorstrom

+
b Q GH exp
'
'
Qn
kann man auch schreiben

Q
*
0
Mw
B0
dB
B ist die Basis-Transitzeit.
Wie bei der Diode definieren wir eine (differentielle) Diffusionskapazitt
1 0
2 Q
N
+
Sperrschichtkapazitt:
1 0

2 Q
Die RLZ der BC-Diode bildet eine Sperrschichtkapazitt +
H W
Es gilt + (vgl. Dioden, Diffusionskapazitt Sperrschichtkapazitt)
V3.3
99
Daraus kann man nun das Ersatzschaltbild nach Giacoletto zusammenbauen:
RBS
B
iB
cBC
RCS
C
uBE
gBE
cBE
iT
gCE
RES
E
Symbol
Element
iT
gBE
Formel
gesteuerte
Stromquelle
Eingangsleitwert
gCE
Quellenleitwert
cBE
cBC
Diffusionskapazitt
Sperrschichtkap.
RBS
RCS
RES
Bahnwiderstnde
Kommentar
.
N
+
1
.
N
+
N
+
meist
vernachlssigbar
nur bei hohen
Frequenzen
meist
vernachlssigbar
Der Transferstrom iT wird nur von dem Teil des Basisstroms gesteuert, der durch
gBE fliet. Der Rest des Basisstroms baut die berschuss-Minorittstrger auf und
ab (Laden/Entladen der Diffusionskapazitt cBE und Sperrschichtkapazitt cBC).
Die Wechselstromverstrkung ist daher frequenzabhngig:
Die bertragungssteilheit
&
(formal ein Leitwert) ist frequenzunabhngig.
V3.3
100
7.9 PNP-Transistor
UEB
Transferstrom besteht aus Lchern
IE
im Vergleich zu NPN sind alle

Spannungen und Strme invertiert
wegen p < n sind pnp-Transistoren

langsamer und verstrken weniger als
npn-Transistoren mit gleichen
technologischen Parametern
(Dotierung, Gre etc.).
IB
C
Grosignalmodell:
IT = B IBE - BR IBC
IC
Kleinsignalmodell:
UEC
C
gBE
uEB
IBE
IBC
iB
B
Sie werden deshalb nur zum Schalten oder in

Komplementr-Verstrkern (pnp + npnTransistorpaar) eingesetzt.
Iout
Inpn
t
npn
UCE
+UB
UE
gCE
iT
2UB
Ipnp
Iout , Uout
t
-UB
V3.3
101
7.10 Grenzfrequenzen
Basierend auf der Wechselstromverstrkung
definiert man zwei Grenzfrequenzen des BJT:

||
B
B/ 2
(Mastab
doppeltlog.)
C : | |
C : | |
(ab hier macht sich die Frequenzabhngigkeit bemerkbar)
2EC
fT
1 C
2E
(ab hier verstrkt der BJT gar nicht mehr; Transitfrequenz)
| |.
2EC
1 C
2E
1
2E
Die Ursache der Transitfrequenz ist also die Basis-Transitzeit B

(Zeitspanne, in der die Elektronen die Basis durchqueren).
Schaltungen mit Gegenkopplung besitzen noch mehr

Grenzfrequenzen; siehe Emitterschaltung!
V3.3
102
7.11 Temperaturverhalten
7.11.1
Kennlinien
Sowohl der Basisstrom IB als auch der Kollektorstrom IC sind proportional zum
Quadrat der temperaturabhngigen Eigenleitungsdichte ni (vgl. Diode).
Wie sich bei einer Temperaturnderung der Arbeitspunkt verschiebt, hngt von
der ueren Beschaltung ab:
IB
1. Aus der Eingangskennlinie mit
Arbeitsgerade kann man die
N
nderung von
bzw. N ablesen.
UBE
2. Mit dem neuen N sucht man nun im

Ausgangskennlinienfeld die passende
Kennlinie + , + .
3. Wiederum mit Hilfe einer Arbeitsgeraden
N
und +N .
findet man die neuen Werte von +
IC
UCE
Ist ein Emitterwiderstand RE vorhanden, dann ist die Eingangs-Arbeitsgerade von

N
+ abhngig. In diesem Fall kann man nur iterativ zu einer Lsung kommen,
indem man die Schritte 1.-3. mehrfach wiederholt, um zu besseren Ergebnissen
zu kommen.
V3.3
103
7.11.2
Leistung
Im Transistor wird Leistung umgesetzt in Wrme. Anders als bei der Diode ist hier
aber zwischen Gleich- und Wechselleistung zu unterscheiden:
N
N
Die Gleichleistung ergibt sich zu _
+ + . Strom und Spannung haben
gleiche Orientierung, deshalb wird Leistung verbraucht und erwrmt den BJT.
Die Wechselleistung ~
+ 0 wird abgegeben (an den Lastwiderstand)
und verringert deshalb die Gesamtleistung D r _ ~ .
IC>0
uCE<0
UCE>0
iT>0
Die Erwrmung wird wieder ber den thermischen Widerstand bestimmt:

l
"i
Die Erwrmung T ist nur dann konstant, wenn die Wechselsignale schneller sind
als die Wrmezeitkonstante
"i "i .
7.12 Nichtlinearitt
Wie die Diode ist der BJT ein nichtlineares Bauelement; grere Auslenkungen
aus dem Arbeitspunkt fhren zu Verzerrungen.
Das gilt vor allem bei Spannungssteuerung durch uBE.
Die Steuerung durch eingeprgtes iB hingegen ist fast linear!
IC
IC
UBE
IB
V3.3
104
7.13 Rauschen
Auch beim BJT zeigen die ohmschen Bahnwiderstnde thermisches Rauschen,
und an den beiden pn-bergngen entsteht Schrotrauschen (Stromrauschen).
Das Rauschen der Bahnwiderstnde kann meist vernachlssigt werden, evtl. mit
Ausnahme von RBS, weil die Rauschspannung verstrkt wird.
Es ergibt sich damit ein erweitertes Kleinsignal-ESB:
Un
RBS
cBC
B
gBE
IBE,n
cBE
iT
gCE
ICE,n
m4kl
v2
,Q
+,Q
v2
N
+
Auch hier wird die Bandbreite f begrenzt entweder durch uere Beschaltung
(Filter) oder durch parasitre Elemente, d.h. die Grenzfrequenz f des BJT.
Zur Beschreibung des Rauschens in Zweitoren dient die Rauschzahl F (in dB).
Sie beschreibt, um wie viele dB sich das SNR am Ausgang verschlechtert:
L
JQD QD
V3.3
F L
N&rD QD
105
7.14 Simulationsmodell
SPICE verwendet ein erweitertes
Gummel-Poon-Modell zur Beschreibung von BJT. Es enthlt auch
die Wechselsignal-Komponenten,
z.B. Sperrschichtkapazitt, BasisTransitzeit ( Diffusionskapazitt)
sowie Rauschquellen.
Eine Auswahl der verfgbaren

Parameter findet sich in der
folgenden Tabelle:
Parameter
(Skript)
SPICE
ICS
IS
B
BR
UAF
RBS
cBC
B
WG
BF
BR
VAF
RB
CJC
TF
EG
Bezeichnung
Werte fr
BC550C
Sperrstrom der TransferStromquelle IT

Stromverstrkung
Rckwrts-Stromverstrkung
Early-Spannung
Basis-Bahnwiderstand
Sperrschichtkapazitt BC-Diode
Basis-Transitzeit
Bandabstand
7,05 fA
493
2,9
23,9
10
5,5
420
1,11
pF
ps
eV
Mit den Anweisungen

.model mybjt npn(param=wert )
oder
.model mybjt pnp(param=wert )

kann man SPICE diese und weitere Parameter mitteilen.
V3.3
106
8 Feldeffekt-Transistoren (FET)
8.1 MOS-FET
8.1.1 Inversionskanal
Beispiel n-Kanal-MOSFET: Auf p-dotiertem Substrat befinden sich zwei n-Zonen:
Source und Drain. Dazwischen liegt isoliert die Gate-Elektrode. Durch eine
positive Spannung UGS > Uth > 0 (Uth: Einsatzspannung) werden Leitungselektronen aus dem p-Gebiet bis zur Isolationsschicht angezogen und bilden
dort einen n-leitenden Kanal im p-Gebiet (Inversionskanal).
Gate (G)
UGS > Uth > 0
SiO2
Drain
(D)
Source
(S)
Inversionskanal
L
W
Substrat = Bulk (B)
Zwischen p- und n-Gebieten bildet sich eine Raumladungszone (RLZ) aus.

Die SiO2-Isolationsschicht stellt zusammen mit der Gate-Elektrode und dem
Inversionskanal einen Kondensator dar mit einer Kapazitt
H J
J -
Die im Kanal gespeicherte Ladungsmenge ist
"i
Uth ist die Einsatzspannung (threshold), die ntig ist, damit sich ein Kanal bildet.
Uth hngt von der p-Dotierung und Randeffekten der SiO2-Schicht ab.
V3.3
107
8.1.2 Kanalstrom
Eine Spannung UDS zwischen Drain und Source setzt Qch in Bewegung mit der
/P ist diese
Geschwindigkeit P Q M / . Nach der mittleren Zeit i
Ladungsmenge quer durch den Kanal gewandert und stellt damit einen
|!" |
Kanalstrom
#!"
dar. Qch wird von der Quelle UGS laufend ersetzt.
UGS > Uth > 0
Die Spannung zwischen Gate

und Kanal hat nur an der
Source-Seite den Wert UGS.
UDS
Sie verringert sich zur DrainSeite hin, wo nur noch

UGS UDS wirkt. Damit
befinden sich dort auch
weniger Ladungen im Kanal
als auf der Source-Seite.
D
+
RLZ
L
Die Kanalladung ergibt sich

aus dem Durchschnitt der
Spannungen
Damit knnen Kanalladung und Kanalstrom angegeben werden:
0/
e F
"i g
"i
F
M
"i
"i

ID ist eine Funktion von UDS, deshalb nennt man diesen Arbeitsbereich
Widerstandsbereich. Der Kanalwiderstand wird von UGS gesteuert und ist fr
kleines UDS ungefhr
i
M
M
1
F
V3.3
"i
wenn
"i
108
UGS > Uth > 0 U >U -U
DS
GS th
S
D
+
UDS
UDSP=UGS-Uth
RLZ
Kanalabschnrung
v = vsat
ID ist an jeder Stelle des Kanals gleich

gro, wird aber zur Drain-Seite von
weniger Elektronen getragen
(geringere Kanaldicke), die sich zum
Ausgleich schneller bewegen mssen.
Die obere Grenze der Geschwindigkeit
ist Pr " . 10 j/, bei der die
Kanaldicke fast 0 ist (Abschnrung,
pinch-off). Das ist bei
M
"i
der Fall. (UDSP: Abschnrspannung).

Fr UDS > UDSP verschiebt sich der Abschnrpunkt um L L in den Kanal
hinein.
Am nicht abgeschnrten Bereich der Lnge
Spannung M
F "i an. Hier gilt:
1
i,W r" F
2
F .
W r"
Die Laufzeit der e in diesem Bereich ist
i,W r"
W r"
Q V
liegt die
daraus folgt der Strom

M
i,W r"
i,W r"
0
M
"i
ID ist vllig unabhngig von UDS. Der FET arbeitet in diesem Bereich
(Sttigungsbereich) als Stromquelle, die nur von UGS gesteuert wird. Im
Gegensatz zum BJT fliet kein Steuerstrom.
Im abgeschnrten Bereich wird der Kanal nicht mehr durch die Gatespannung
aufrechterhalten, sondern wird erzwungen durch den Strom, der im nicht
abgeschnrten Kanalteil entsteht und weiterflieen muss. Es liegt die Spannung
UDS-UDSP an, die aber nichts bewirkt, da sich die e bereits mit vsat bewegen.
V3.3
109
Ideale Kennlinie:
Widerstandsbereich
w +%&
Sttigungsbereich
w +%&
M
F
0
'&
0
"i
"i
UGS
ID
Sttigungsbereich
ID
25
Sttigung:
UDS > UGS-Uth
20
UDS
Widerstands
bereich
25
ID
20
15
15
10
10
UGS
Uth
0
UGS
UDS
Im Widerstandsbereich hat jeder ID-Kennlinienast unterschiedliche Steigung!
8.1.3 Substratsteuerung
Das Substrat (bulk, body) kann ber einen eigenen Anschluss (B) verfgen. Durch
eine Sperrspannung UBS zwischen Bulk und Source (beim n-Kanal MOSFET mit
p-Substrat negativ) wird die RLZ erweitert und der Kanal damit verkleinert.
Effektiv ndert sich die Einsatzspannung Uth um ein
wobei eine transistorabhngige Konstante ist.
"i ~m
F ,
Wo dieser Effekt nicht gezielt genutzt wird, ist das Substrat mit Source
kurzgeschlossen (UBS = 0).
V3.3
110
8.1.4 Abweichungen von idealer Kennlinie
Kanallngenmodulation (vgl. Basisweitenmodulation beim BJT)
Durch die Spannung UDS > UDSP (Sttigung) verschiebt sich der Abschnrpunkt in
den Kanal um die kleine Lnge L, deren Wert von UDS abhngt.
Wegen
M ~1/
F ndert sich also ID auch im Sttigungsbereich mit UDS.
Nherungsweise kann man im Sttigungsbereich annehmen

M
Der Kanallngen-Modulationsparameter (Einheit 1/V) spielt

die gleiche Rolle wie beim BJT
die Early-Spannung ( 1/UAF).
Die Kennlinien sind im
Sttigungsbereich leicht geneigt;
alle verlngerten Kennlinien
treffen sich bei M F1/,.
"i
'
( )*+
ID
-1/
UDS
Kurzkanal (L unter 1 m):

UDS fhrt zu hoher Feldstrke E = UDS/L, so dass sich auch im nicht
abgeschnrten Kanalteil die e mit Pr " . 10 j/ bewegen.
die Kanallaufzeit
/Pr
"
ist konstant Sttigungsstrom ist

F i
i
"i
und hngt nicht mehr quadratisch, sondern nur noch linear von (UGS-Uth) ab.
Drain-Reststrom
Auch fr UGS = 0 bewirkt eine Kanalspannung UDS einen sehr kleinen Reststrom
IDSS (Datenblatt: cutoff current), nmlich den Sperrstrom der Substrat-Drain-Diode
(n-Kanal) bzw. Substrat-Source-Diode (p-Kanal).
Wichtig fr Schalteranwendungen!
V3.3
111
8.1.5 Verarmung und Anreicherung
Durch positiveres UGS wird der n-Kanal erweitert (Anreicherungsbetrieb,
enhancement); ein p-Kanal wird durch negativeres UGS erweitert.
Da bei UGS = 0 kein Kanal vorhanden ist, ist dieser MOSFET selbstsperrend.
D
B
n-Kanal
selbstsperrend
(Anreicherungstyp,
enhancement)
S
UGS
ID
ID
Uth
UGS
Uth
p-Kanal
selbstsperrend
(Anreicherungstyp,
enhancement)
D
B
UDS
ID
UGS
UDS
UGS
0
ID
Indem der Bereich des Kanals (schwach) dotiert wird, kann die Einsatzspannung
Uth eingestellt werden.
Bei n-Dotierung (auf p-Substrat) kann bereits bei UGS 0 ein n-Kanal vorliegen,
der mit negativem UGS kleiner wird. In diesem Fall liegt ein selbstleitender
MOSFET vor, der im Verarmungsbetrieb (depletion) arbeitet. Entsprechend fr
n-Substrat (p-Kanal).
Der Drain-Reststrom ist
D
B
0 0
D
B
p-Kanal
selbstleitend
(Verarmungstyp,
depletion)
0 Uth
ID
UDS
UGS
UGS
IDSS
IDSS
UGS
UDS
UGS
0
n-Kanal
selbstleitend
(Verarmungstyp,
depletion)
ID
Uth
ID
V3.3
ID
112
8.2 Sperrschicht-FET
JFET = Junction FET:
UGS < 0
Drain
Source
Gate
+
RLZ
RLZ
Gate und Kanal sind nur

durch zwei RLZ getrennt.
Die Breite des Kanals kann
durch eine Sperrspannung
UGS < 0 verkleinert werden.
Kanal
UGS < 0
UDS > 0
Drain
Source
Gate
+
RLZ
n
RLZ
p
UGS < 0
UDS > UDSP
Drain
Source
Gate
+
n
p
Abschnrung
V3.3
Mit der Spannung UDS fliet

ein Kanalstrom ID. Der
Kanal schnrt sich zur
Drain-Seite ein, weil dort
die grere Sperrspannung
UGS-UDS herrscht. Die
Elektronen dort flieen
schneller.
Fr UDS > UGS-Uth = UDSP

(Abschnrspannung) hat
der Kanal an der Drainseite nur noch minimale
Dicke.
Die Elektronen bewegen
sich mit Pr " 10 j/
und ID bleibt annhernd
konstant.
113
Auch beim JFET unterscheidet man den Widerstandsbereich (UDS < UDSP), in
dem ID = f(UDS) ist und der Kanalwiderstand von UGS gesteuert wird, und dem
Sttigungsbereich, wo ID konstant ist (von UGS gesteuerte Stromquelle).
Die Kennliniengleichungen sind:

Widerstandsbereich:
Sttigungsbereich:
F * m
1F
/ "i
%JXX
* m
%JXX
, IDSS ist wieder ID(UGS = 0)
Da zwischen Gate und Kanal immer eine RLZ liegen muss, arbeitet der JFET
nur im Verarmungsbetrieb. Es fliet ein sehr geringer Gatestrom, der Sperrstrom
der Gate-Kanal-Diode (pn-bergang).
D
D
n-Kanal JFET
p-Kanal JFET
IDSS
Uth
ID
UGS
UDS
UGS
0
ID
ID
Uth
UDS
UGS
UGS
IDSS
ID
JFET werden heute seltener verwendet, da die MOSFET-Technologie sehr

ausgereift ist. Ein Vorteil des JFET bei hheren Frequenzen ist die kleine GateKapazitt (die RLZ-Dicke ist grer als die Oxiddicke des MOSFET).
V3.3
114
8.3 Arbeitspunkteinstellung
Die Spannung am Gate wird mit einem Spannungsteiler eingestellt. Da kein GateStrom fliet, wird der Spannungsteiler nicht belastet (anders als beim BJT).
U0
RD
IDRS
ID
R1
ID
U0
RS+RD
UDS
UR2
IDRS
UGS
R2
1. whle
AP
IDAP
RS
N N
M , M und
UDS
UAP
DS
U0
RS (U0 gegeben).
2. aus Eingangskennlinie folgt
3. aus Maschengleichung:
folgt
t# -
whle R1 oder R2 frei (Grenordnung M) und berechne anderen Widerstand

4. aus Maschengleichung:
folgt RD
Bei selbstleitenden Typen, auch JFET, gengt ein einzelner Widerstand vom Gate
nach Masse, um
F M zu bewirken.
ID
RD
U0
0V
UGS<0
R2
RS
V3.3
115
8.4 Temperatureinfluss
8.4.1 Kennlinie
temperaturabhngige Parameter:
+%&
0
"i
Beweglichkeit n der Ladungstrger im Kanal ( fr T, damit auch ID)

Einsatzspannung Uth (|Uth| fr T, damit ID)
bei groem UGS dominiert n

(Strom ID sinkt mit T),
ID
ID
fr ein bestimmtes UGS ist ID vllig

unabhngig von der Temperatur,
Uth
UDS bei UGS Uth dominiert Uth-Effekt

(Strom ID steigt mit T).
UGS
8.4.2 Wrmeableitung
Da die Temperatur im Kanal einen bestimmten Wert nicht berschreiten darf, ist
die maximale Verlustleistung begrenzt, abhngig von der Wrmeableitung ber
den thermischen Widerstand Rth.
Im Datenblatt finden sich Angaben zur Lastminderung (derating) und zu gepulster
Leistung (vgl. Diode und BJT).
V3.3
116
8.5 Kleinsignalmodell
Fr niedrige Frequenzen stellt der FET nur eine gesteuerte Stromquelle dar,
wobei das Gate vollkommen isoliert ist. Der Strom ergibt linearisiert
'%&
Wegen der Kanallngenmodulation ist die Stromquelle nicht ideal, sondern

hat einen Innenleitwert gDS.
cGD
RGG
RDD
iT
G
uGS
cGS
cDS
Fr hhere Frequenzen mssen

die parasitren Kapazitten
bercksichtigt werden.
gDS
RSS
S
Die Bahnwiderstnde RGG, RDD und RSS werden selten bentigt.
M .
'&
liest man als Steigung
der ID(UDS)-Kennlinie im
'%&
ist die Steigung der
ID(UGS)-Kennlinie im
Arbeitspunkt ab
Arbeitspunkt
V3.3
117
Im Datenblatt sind die Kapazitten hufig nach der Zweitor-Leitwert-Darstellung
angegeben:
Zweitorleitwerte: -
i
u
G
S
./0
D
S
G
S
i
u
D
S
Jrr
Jrr F Wrr
qrr
qrr F Wrr
Wrr
i
u
G
S
ESB
D
S
Wrr
Bei welcher Frequenz sich die Kapazitten bemerkbar machen, hngt von der
ueren Beschaltung ab.
Bei einer Eingangsspannungsquelle mit Innenwiderstand entsteht uGS durch
komplexe Spannungsteilung. Bei einem hohen Innenwiderstand macht sich
cGS (und evtl. cGD und cDS) bereits bei niedrigen Frequenzen bemerkbar.
RQ
iG
cGD
uQ
iT
uGS
cGS
cDS
gDS
S
1/ Jrr
1/ Jrr
Jrr
Da das Gate isoliert ist, fliet kein Gleichstrom hinein. Wechselstrom iG kann aber
ber cGS und cGD flieen,
Jrr
. Fr Wechselstrme kann man wie beim
BJT eine Stromverstrkung angeben:

Jrr
Bei der Transitfrequenz fT ist || = 1, daraus folgt

C
V3.3
Jrr
2EJrr
118
Bei der Messung der Zweitor-Leitwerte (Kapazitten) darf der Kurzschluss nur fr
den Wechselanteil und nicht den Arbeitspunkt gelten, deshalb ein groer
Kondensator zwischen D und S!
U0
uDS=0
RQ
uQ
UDS>0
Arbeitspunkt!
8.6 Nichtlinearitt
Die Verzerrungen bei Spannungssteuerung sind beim FET geringer, weil der
Zusammenhang zwischen ID und UGS quadratisch ist, beim BJT zwischen IC und
UBE exponentiell.
Die Exponentialfunktion hat viele Oberwellen, so entstehen beim BJT mehr
strende Frequenzanteile.
V3.3
119
8.7 Rauschen
Rauschquellen sind:
thermisches Rauschen des Kanals:
n4kl
M,Q
2
C
3
Der Leitwert des Kanals geht nur zu 2/3 ein!
Bahnwiderstnde, von denen evtl. RGG relevant ist (Verstrkung)

m4kl
1/f-Rauschen des Kanals (vernachlssigbar ber 1 kHz)

cGD
G
RGG
D
iT
Un
cGS
IDS,n
cDS
gDS
S
f ist wieder die Bandbreite der Schaltung (bis zu einer 3dB-Grenzfrequenz) oder
die Bandbreite des Transistors.
Auch beim FET ist im Datenblatt meist eine Rauschzahl F (dB) angegeben.
V3.3
120
8.8 Simulation
8.8.1 MOSFET
LTspice verfgt ber n- und p-Kanal-MOSFET-Elemente mit und ohne
Substratanschluss (NMOS/PMOS bzw. NMOS4/PMOS4).
Jedem Element muss ein Modell zugeordnet werden:
.model myfet nmos()
oder
.model myfet pmos()
Darin knnen mit LEVEL verschiedene Modelle gewhlt werden; es stehen u.a.
folgende Parameter zur Verfgung:
Parameter
(Skript)
RGG
L, W
cGS/W,
cGD/W,
Uth
Q
dSiO2
n
SPICE
Bezeichnung
RG
L, W
CGSO,
CGDO
VTO
Gate-Bahnwiderstand
Kanallnge- und breite
KP
Konstante fr ID
LAMBDA
TOX
UO
PHI
Kanallngen-Modulationsparameter
Gate-Oxiddicke
Beweglichkeit (im Kanal)
Potential fr Substrat-Steuerung
parasitre Kapazitten pro Kanalbreite

Einsatzspannung
Einheit
m
F/m
V
A/V
1/V
m
cm/Vs
V
8.8.2 JFET
Es stehen p- und n-JFET bereit (PJF, NJF). Modellparameter sind u.a.:
Parameter
(Skript)
Uth
cGS, cGD
IS
SPICE
VTO
LAMBDA
CGS,
CGD
IS
Bezeichnung
Einheit
Einsatzspannung
Kanallngen-Modulationsparameter
V
1/V
parasitre Kapazitten
F/m
Gate-Sperrstrom
V3.3
121
9 Transistoranwendungen
9.1 Leistungsverstrker
9.1.1 Emitterschaltung mit RE (BJT)
Der Emitter ist hier gemeinsamer
Anschlusspunkt fr Eingang und
Ausgang.
R1
Die Kondensatoren sind so gro,

dass sie fr alle betrachteten
Wechselsignale Kurzschlsse
darstellen. Auch die Spannung U0
ist fr Wechselsignale ein
Kurzschluss.
R2
Fr groe B ist
P'
RL
uA
RE
1
&
W # #*
+
R C RL
, so dass
. F
iT
iB
R1||R2
1 . und
RE
B r
BE
Die Ausgangsspannung betrgt
gCE
Im WS-ESB liegen die Widerstnde

R1/R2 sowie RC/RL parallel.
+ U0
uBE
uE
uE
uA
iB
Als Lastwiderstand kann auch RC

dienen, der aber zustzlich zu
Wechselsignalen auch vom APGleichstrom +N durchflossen wird.
Durch RE fliet
so dass
RC
nherungsweise unabhngig vom Transistor wird. Wegen gCE kann die

Spannungsverstrkung aber nicht beliebig gro gemacht werden.
V3.3
122
Fr die Quelle uE stellt der Transistor einen Widerstand
dar; der gesamte Eingangswiderstand betrgt
)z
* 0
* 0
Den Ausgangswiderstand bestimmen wir wie bei einer Ersatzquelle ber

Leerlaufspannung N und Kurzschlussstrom N 0 :

V3.3
123
9.1.2 Emitterschaltung ohne RE (BJT)
Parallel zum Emitterwiderstand befindet
sich ein Kondensator, der alle
betrachteten Wechselsignale ber RE
kurz schliet.
RC
R1
uA
iB
uE
uBE
R2
RE
B
uE
Im WS-ESB liegen die Widerstnde

R1/R2 sowie RC/RL parallel, und der
Emitter liegt direkt auf Masse.
+ U0
RL
gBE
gCE
R1||R2
RC
iT
uA
RL
Vernachlssigt man gCE, dann gilt

fr die Ausgangsspannung
N
WechselstromArbeitsgerade
~ 1/(RC||RL)
IC
+ ||
GleichstromArbeitsgerade
~ 1/(RC+RE)
iT
Im Ausgangskennlinienfeld
entspricht dieser Zusammenhang
der Wechselstrom-Arbeitsgeraden.
uA
UCE
(Die Gleichstrom-Arbeitsgerade gilt nur noch fr langsame nderungen)
V3.3
124
Mit
P'
ergibt sich die Wechselstrom-Verstrkung
+ ||
+ ||
Fr die Quelle uE stellt der Transistor einen Widerstand
dar; der gesamte Eingangswiderstand betrgt
* 0
)z
Der Ausgangswiderstand bestimmt sich wie bei der Emitterschaltung mit

Gegenkopplung und ergibt wieder
N
Im Vergleich zur Emitterschaltung mit Gegenkopplung ergibt sich hier:

eine grere WS-Verstrkung vU
ein kleinerer Eingangswiderstand
der gleiche Ausgangswiderstand
V3.3
125
9.1.3 Frequenzabhngigkeit
U0
In realen Schaltungen ist die
RB
RC
Eingangsspannung uE nicht ideal

CK
(Innenwiderstand RQ) und die

Koppelkapazitten (CK, CE) sind
RQ
endlich.
v3
4
f
f2
f3
f4
CK
Hochpass CK/re:
f < f1:
1/
1/
RQ
uE
rBE
re
Grenzfrequenz
C* . 1/ 2E
RC
uQ ~
RE
RB
uA
f1 < f < f2: gegengekoppelte Emitterschaltung
f3 < f < f4: Emitterschaltung ohne Gegenkopplung
Ab C0 .
0s
CE
Die Spannungsverstrkung
P'
N / ist frequenzabhngig, weil der Innenwiderstand RQ der Quelle mit
CK, CE und den Transistorkapazitten cBE und cBC
Spannungsteiler bildet.
v2
f1
RE
RQ rBE BRE RB;

cBC cBE CK)
vU (doppeltlog.)
uE
uQ ~
(Annahmen:
uA
CK
wird CE immer wirksamer, ab C4 .
Gegenkopplung zu vernachlssigen.
V3.3
P0 . F
P4 . F
*
0s+ /
ist die WS-
126
4 : Die Verstrkung vU sinkt ab f4 f (Transistorgrenzfrequenz). Dafr ist der
Miller-Effekt verantwortlich, der die kleine Kapazitt cBC am Eingang eines
Spannungsverstrkers enorm vergrert erscheinen lsst:
N
C
iE
v
uE
uA
iE
uE
uA
(1-v)C
1FP
Bei einem Spannungsverstrker erscheint eine Querkapazitt um den Faktor

1-v vergrert am Eingang. Da die Emitterschaltung als Spannungsverstrker
arbeitet, wirkt die kleine Sperrschichtkapazitt cBC vergrert.
Am Eingang liegt dann die effektive Kapazitt
uQ ~
RQ
uE
ceff
XX
rBE
RC
uA
RQ und ceff bilden einen

Spannungsteiler (Tiefpass)
mit der Grenzfrequenz
C; .
V3.3
0s 1 )uu
127
9.1.4 Source-Schaltung (FET)
Das quivalent zur Emitterschaltung; fast alle Formeln knnen einfach bertragen
werden ( , / ).
Source ist hier gemeinsamer Anschlusspunkt (Masse) fr Eingangs- und
Ausgangskreis.
U0
RD
R1
uE
R2
G
uE
uA
uGS
RS
cGD
gDS
cGS
R1||R2
RL
iT
RD
uA
RL
M ||
P'
Belastung der Quelle ue mit:

N
Ausgangswiderstand:
)z
M ||
* 0
Frequenzabhngigkeit: Wie bei der Emitter-Schaltung wird durch den MillerEffekt die Wirkung von cGD auf den Eingang um 1vU vergrert. Die
Grenzfrequenz der Verstrkung betrgt (mit Quellen-Innenwiderstand RQ):
C;
2E
e1
untere Grenzfrequenz f1: da der Eingangswiderstand des FET , wirken nur

noch R1/R2:
1
C*
2E * 0
geeignet zur Verstrkung hochohmiger und niederohmiger Spannungen
bertragungssteilheit (transconductance) S beim FET typisch 10 mS
(kleiner als beim BJT)
V3.3
128
9.2 Stromverstrker
9.2.1 Kollektorschaltung (BJT)
R1
Der Kollektor ist hier gemeinsamer

Anschlusspunkt fr Eingangs- und
Ausgangskreis (Masse); das erkennt
man allerdings erst im WS-ESB:
+ U0
iB
uE
Da der Kollektor an U0 liegt, befindet

er sich wechselspannungsmig auf
Masse.
uA
uBE
R2
RE
RL
gCE
Anders als bei der

Emitterschaltung hat hier uA bzw.
RL direkten Einfluss auf den
Eingangskreis (auf iB):
uE
#* J
rBE
iB
iT
RE
uA
R1||R2
Z[
[\[
[]
RL
Verstrkung, Eingangswiderstand und Ausgangswiderstand sind dann:

P'
D
* 0
* 0
V3.3
P'
. 1
1
129
9.2.2 Drain-Schaltung (FET)
Drain ist gemeinsamer Anschluss von Eingangs- und Ausgangskreis
(vgl. Kollektor-Schaltung):
U0
gDS
R1
uE
uA
uE
RS
RL
Belastung der Quelle ue mit:

Ausgangswiderstand:
RS
R1||R2
P'
iT
uA
uGS
R2
G u
GS
)z
RL
* 0
.1
wegen vU 1 gibt es keinen Miller-Effekt, die Grenzfrequenz der Kollektor-/

Drain-Schaltung liegt wesentlich hher als bei der Emitter-/Source-Schaltung
Einsatz als Spannungsfolger = Impedanzwandler (kleines rA)
V3.3
130
9.3 Basisschaltung (BJT)

uA
iE
Im WS-ESB liegt die Basis auf Masse.

Wegen iT -iE ist die Stromverstrkung
etwa 1; die Spannungsverstrkung ist
P'
+
F
F
F
RC
Der Eingangswiderstand ist
uE
RL
R1
U0
R2
gCE
iE
uE
Wegen der hohen Grenzfrequenz (kein

Miller-Effekt) und des geringen Eingangswiderstands wird die Basisschaltung in
Hochfrequenz-Verstrkern eingesetzt (kleine
Antennenwiderstnde).
iT
iB
uA
rBE
RC RL
Eine Gate-Schaltung beim FET gibt es; sie ist aber weniger interessant, weil der
hohe Eingangswiderstand des FET nicht zur Geltung kommt.
9.4 Vergleich der Grundschaltungen

Emitter-/
Sourceschaltung
Kollektor-/ Drainschaltung
Basisschaltung
Spannungsverstrkung
gro
gro
Stromverstrkung
gro
gro
Eingangswiderstand
mittel
sehr gro
sehr klein
Ausgangswiderstand
mittel
sehr klein
mittel
Grenzfrequenz
mittel
hoch
hoch
Spannungsverstrker
Spannungsfolger
(Impedanzwandler)
HF-Verstrker
Einsatz
V3.3
131
9.5 BJT-Schalter
9.5.1 Arbeitsbereiche
UCB=0
IC
U0
RC
IC
R1
Ust
UCB
IB
UCE
UCE
1
0,7 V
AP 1 :
Fr eine Steuerspannung Ust 0 ist IB 0 und damit IC 0:

(IC = IC,rest: Sperrstrom der BC-Diode)
BJT sperrt (Off-Zustand)
AP 2 :
Fr einen bestimmten Wert von IB = IBAP2 ist UCE = UBE UCB = 0

(Sttigung, + r " )
BJT leitet (On-Zustand)
AP 3 :
bei noch hherem IB = IBAP3 wird UCE minimal, UCB < 0 (BC-Diode leitet)
BJT ist bersteuert (On-Zustand)
Der AP3 hat einen kleineren Wrmeverlust PV = UCEIC als AP2!

bersteuerungsfaktor :
Verhltnis der Basisstrme bei

maximaler bersteuerung (AP3) und
an der Sttigungsgrenze (AP2)
V3.3
N4
N0
132
9.5.2 Schaltzeiten
Durch Lade- und Entladevorgnge der Sperrschicht- und Diffusionskapazitt
treten beim Schalten Verzgerungen auf:
Ust
beim bergang zum On-Zustand:

(1)
schneller Anstieg von UBE

(Aufladen von cBE)
(2)
berhhung von IB beim Umladen

der Sperrschichtkapazitten
(3)
UBE
t
danach Anstieg von IC

0
beim bergang zum Off-Zustand:

(4)
(5)
IB
Entladen der Diffusionskapazitt

(negativer IB -IBS)
Basis frei von Ladungen:

IC beginnt zu fallen
tein lsst sich durch bersteuerung
I
90% C
> 1 beschleunigen
dabei wird aber die Basis gesttigt

mit Ladungstrgern
10%
0
td tr
(Diffusionskapazitt)
ts
tein
taus verlngert sich durch
tf
taus
Diffusionsladung
Optimierung der Schaltzeiten durch
Basiskondensator C1 parallel zu R1:
U0
Einstellung AP2 (=1) durch Widerstnde R1, RC
RC
C1
erhhter Basisstrom bei Einschaltflanke (>1)
schnelleres Ausschalten aus AP2 heraus

V3.3
Ust
R1
UCE
IB
133
9.5.3 Verlustleistung
Im On-Zustand (AP2, AP3) liegt noch eine kleine Spannung UCE am Ausgang an
(Grenordnung 0,1 V), die zusammen mit dem hohen Strom IC eine Verlustleistung erzeugt und den BJT erwrmt:
"i
Im Off-Zustand liegt praktisch die gesamte Betriebsspannung U0 am Ausgang

an und es fliet ein sehr geringer Reststrom IC,rest der Grenordnung nA A
(Sperrstrom der BC-Diode; collector cut-off current). Die entstehende Verlustleistung ist meist zu vernachlssigen.
Beim Umschalten kann der Arbeitspunkt whrend tein und taus den Bereich
maximaler Verlustleistung berschreiten. Die mittlere Verlustleitung bereitet nur
bei hohen Schaltfrequenzen (niedrigen Schaltperioden T) Probleme:
JQ
JQ
&r
&r
l
+W r"
2
+
lqQ
ohmsche Last:
Arbeitsgerade wird linear durchlaufen JQ
induktive Last:
Strom ndert sich nur langsam, Spannung schnell

JQ . 0, &r .
&r .
'
(3
0
(3
0
kapazitive Last: Strom ndert sich schnell, Spannung langsam

JQ .
IC
'
2
, &r
+
IC
.0
IC
Pmax
UCE
ohmsch
UCE
induktiv
V3.3
UCE
kapazitiv
134
9.5.4 Schalterarten
Der BJT arbeitet im Schaltbetrieb als umschaltbarer Widerstand
r"
0:
qQ
+ r "
2
+
r"
0:
qXX
+,W r"
der als Teil eines Spannungsteilers eine beliebige (wechselnde)

Eingangsspannung Ue schalten kann. Zwei Anordnungen sind denkbar:
Kurzschlussschalter:
R
Ue
Ust
Ue
Ua
R1
Ua
Ron
Roff
Ust
Serienschalter:
Ron Roff
Ue
Ust
Ua
R1
Ue
Ust
V3.3
Ua
R
135
9.6 FET-Schalter
9.6.1 Schaltverhalten
ID
Auch beim FET kommt es

zu Verzgerungen:
Ust
U0
RL
Ust
UGS ist kleiner als Uth

(FET sperrt)
UGS entsteht durch
Laden/Entladen von ciss
0
UGS
UGS > Uth, Source-Schaltung

Miller-Effekt setzt ein
Lade-Zeitkonstante von UGS
vergrert sich
1
2
ID ist maximal, Miller-Effekt endet

UGS nhert sich schnell USt
90%
ID
10%
0
td tr
Vergleich mit BJT-Schalter:

FET arbeitet schneller (cGS < cBE)
FET-Eingang verbraucht keine Leistung
ts
tf
taus
tein
9.6.2 CMOS-Inverter
Digitaler Schalter, bei dem sich ein p-Kanalund ein n-Kanal-MOSFET so ergnzen
(CMOS = complementary MOS), dass weder
bei Ue = 0 noch bei Ue = U0 Strom fliet.
Verlustleistung entsteht nur beim Umladen
der Gate-Kapazitten.
V3.3
U0
UE
UA
136
9.7 Zweitor-Matrizen
9.7.1 Transistor-Parameter
Aus dem ESB fr niedrige Frequenzen kann man die Parameter der Y- und der HMatrix direkt ablesen. Die brigen Matrizen lassen sich daraus berechnen.
Fr einen BJT ergibt sich
iB
iC
C
*0
, weil
Typ
uBE
uCE
gBE
iT
gCE
0, da es (fast) keine Rckwirkung des Ausgangs auf den Eingang gibt
0*
Gleichungen
*
**
0*
**
0*
**
0*
**
**
0*
0*
*0
*0
00
BJT
00
*0
00
*0
00

F +
*0
00
F
+
+
+
1
F
F
7
6
+
1
F
F
FET
F M
0 0
0
4F
M
4F
M 5
1
F 5
B = A-1 existiert nicht, weil die beiden Gleichungen fr U1 und I1 nicht unabhngig
sind, deshalb kann man nicht eindeutig nach U2 und I2 auflsen
V3.3
137
9.7.2 Kombination von Zweitoren
Die Kombination von Zweitoren, insbesondere die Rckkopplung, lsst sich durch
Matrizen leicht beschreiben:
Reihenschaltung
Parallelschaltung
Beispiel
Gesamtmatrix
Kombination
Reihenparallelschaltung
,*
,0
Parallelreihenschaltung
Kettenschaltung
b* b0
0 *
V3.3
138
Beispiel: Emitterschaltung mit Gegenkopplung ber Emitterwiderstand
R1
RC
uA
+ U0
uE
uE
RL R2
RE

F +
Z-Matrix des BJT:
Z-Matrix von RE:
D r
Gesamt-Z-Matrix:
D r
Gesamt-Y-Matrix:
RC
RE
.
F +
W
RE rCE

F +
+
+
, det
F
+
F
W
W #
RL
0
0
Y-Matrix von R1, R2, RC (-Schaltung mit Y3 = 0):
Schaltung Y-Matrix:
Eingangsleitwert
Ausgangsleitwert
*0+
**
00
Spannungsverstrkung
P'
&
&
<
J _H
V3.3
0
*
0*
=-t
=--
139
9.8 Vergleich BJT mit FET

Vorteile des FET:
bei niedrigen Frequenzen stromlose Steuerung
krzere Schaltzeiten, da keine Diffusionskapazitt
geringe Durchgangsverluste bzw. Spannungsabfall als Schalter
hhere Integrationsdichte, niedrigere Maskenzahl geringere Kosten
Nachteile des FET:

kleinere bertragungssteilheit S
kleinere maximale Stromdichte
MOSFET empfindlich gegen statische Aufladung
Die Entscheidung, ob ein BJT oder FET verwendet wird, fllt aber meist durch
Detailvergleich.
Die Bezeichnungen von Transistoren unterscheiden nicht nach FET oder BJT,
sondern nur nach Aufgaben (Schalter, HF, Kleinsignal, ) und so sollte man sich
bei der Auswahl eines Transistortypen an die tatschlichen Anforderungen und an
die Datenbltter halten.
V3.3
140

Prologue Ps

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Elektronische Bauelemente

Spulen und Transformatoren ..........................................................................................................................................37

Lineare Netzwerke ...........................................................................................................................................................47

Bipolar-Transistoren (BJT) .............................................................................................................................................86

Feldeffekt-Transistoren (FET) .......................................................................................................................................107

Ideale Netzwerkelemente .................................. 4

Differentialgleichung und bertragungsfunktion 4

Komplexe Spannungsteiler ............................... 7

Kapazitt spezieller Anordnungen ...................36

Physikalische Grundlagen ................................. 8

Magnetischer Kreis .................................38

Elektronen und Lcher in Halbleitern ....... 9

Dotierung von Halbleitern ...................... 10

Elektrischer Strom ........................................... 11

Driftstrom und elektrischer Widerstand .. 11

Driftstrom im Halbleiter .......................... 12

Thermisches Rauschen ......................... 13

Herstellungstoleranz: Normreihen ................... 15

Induktivitt spezieller Anordnungen .................46

Lineare Netzwerke ...............................................47

Eigenerwrmung bei Gleichstrom .......... 17

Lastminderungskurve (derating) ............ 18

Umrechnung von Zweitormatrizen ...................50

Parasitre Elemente .............................. 19

Passive Zweitore ..............................................51

Generation und Rekombination .......................54

Physikalische Grundlagen ............................... 24

Elektrische Polarisation ......................... 24

Strom im Kondensator ........................... 25

Abrupter pn-bergang .....................................60

Thermodynamisches Gleichgewicht .......60

Spannung in Sperrrichtung .....................62

Spannung in Flussrichtung .....................63

Parasitre Elemente .............................. 26

Statische Diodenkennlinie ......................65

Lineare Nherung (Knickkennlinie).........67

Thermischer Durchbruch ..... 68

Elektrolytkondensatoren (Elko) .............. 31

Prof. Dr.-Ing. Gromann, Prof. Dr.-Ing. Frey

Kennzeichnung von Dioden ............................ 73

Temperaturabhngigkeit der Kennlinie .. 74

Erwrmung bei konstanter Leistung ...... 74

Abweichungen von idealer Kennlinie ....111

Erwrmung bei gepulster Leistung ........ 75

Verarmung und Anreicherung ..............112

Spezielle Dioden ............................................. 77

Begrenzung von Spannungsspitzen ...... 81

Begrenzung einer Eingangsspannung ... 81

Abstimmung von Schwingkreisen .......... 82

Simulationsmodell der Diode ........................... 83

Emitterschaltung mit RE (BJT) ..............122

Bipolar-Transistoren (BJT) ................................ 86

Emitterschaltung ohne RE (BJT) ...........124

Source-Schaltung (FET) .......................128

Kollektorschaltung (BJT) ......................129

Kennzeichnung von BJT ................................. 92

Vergleich der Grundschaltungen ....................131

Basisschaltung (BJT) .....................................131

ESB fr niedrige Frequenzen................. 98

ESB fr hhere Frequenzen .................. 99

PNP-Transistor .............................................. 101

Temperaturverhalten ..................................... 103

Kennlinien ............................................ 103