Universidad Politcnica Salesiana 01/06/2013 Ortega Cajamarca Edison Mauricio

eortegac@est.ups.edu.ec
Laboratorio de Analgica I (G12)

PRACTICA 6
POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BJT
Resumen Los transistores tienen como funcin
principal la amplificacin de seales, para lograr este
cometido deben ser polarizados adecuadamente mediante la
aplicacin de voltajes DC en sus uniones B-E y B-C. Esto se
consigue a travs de circuitos de polarizacin, los cuales
garantizan que el transistor se encuentre ubicado en un punto
sobre su "recta de carga" y en su zona activa.
ndice de Trminosbjt, disear, comprobar,
polarizacin, transistor,

I. INTRODUCCIN
En esta prctica tenemos que disear, calcular y comprobar
el funcionamiento de los circuitos de polarizacin del
transistor BJT obteniendo las grficas de las rectas de carga y
puntos de trabajo, tomando tres NPN y tres PNP.
En el presente artculo est estructurado como sigue:
Seccin II Marco Terico, Seccin III Herramientas y
materiales, Seccin IV Desarrollo de la prctica, Seccin V
Anlisis de resultados, Seccin VI Conclusiones, Seccin VII
Referencias.

II.

MARCO TERICO

Transistor
El transistor es un dispositivo electrnico
semiconductor que cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se
encuentran prcticamente en todos los aparatos
electrnicos de uso diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lmparas fluorescentes,

Figura 1. El transistor
Fuente: Los Autores

El transistor bipolar BJT

Formado por dos uniones PN con tres zonas cada una
conectada a los terminales, C es el colector, la zona
central es la base y E es el emisor.
Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene
dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre
la base y el colector. El emisor y la base forman uno de
los diodos, mientras que el colector y la base forman el
otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor"
(el de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el
de la derecha en este caso).
Tipos de Transistor
NPN
Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los
cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de
carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares
usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad
del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos"
en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes
y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de
material semiconductor dopado P (la "base") entre dos
capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es
amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la
terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo est
en funcionamiento activo.
PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP
con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP,
debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en
la mayora de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de

material semiconductor dopado N entre dos capas de

Universidad Politcnica Salesiana 01/06/2013

material dopado P. Los transistores PNP son

comnmente operados con el colector a masa y el emisor
conectado al terminal positivo de la fuente de
alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una
pequea corriente circulando desde la base permite que
una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia
el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del
emisor y apunta en la direccin en la que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

Hemos de conocer el comportamiento del transistor

trabajando con una determinada resistencia de carga y
averiguar el punto de funcionamiento del mismo. Para
ello, trazamos la recta de carga del transistor en las
curvas de colector para poder determinar los puntos de
funcionamiento.
Para determinar la corriente que circula por el colector
(emisor comn), podemos aplicar la ley de Ohm entre
los extremos de la resistencia de carga RL. La tensin
aplicada a esta resistencia se corresponder con la
tensin total aplicada por la fuente VCC menos la cada
de tensin que se produce entre el colector y el emisor
VCE. De esta forma obtendremos la siguiente expresin,
que se corresponder con la ecuacin de la recta de
carga:

Para dibujar esta recta sobre la curva caracterstica, lo

primero que hay que hacer es encontrar sus extremos.
Para VCE=0

Figura 2. Transistor BJT

Fuente: Los Autores
Caractersticas V BE I B
Mediante esta curva podemos determinar los efectos
que producen las variaciones de la tensin de
polarizacin VBE sobre la corriente de base IB. Estas
grficas reciben el nombre de curvas caractersticas de
transferencia. Las curvas que se obtienen son muy
similares a la de un diodo cuando se polariza
directamente.

Recta de carga del transistor

Para IC=0

Llevando estos valores a la curva caracterstica de

colector, obtendremos la recta de carga para una
determinada resistencia de carga RL y una fuente VCC.
A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes
fundamentales: puntos de corte, punto de saturacin,
punto de trabajo.

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IV. PROCEDIMIENTO
1.

Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de

los siguientes circuitos de polarizacin del transistor
BJT obteniendo las grficas de las rectas de carga y
puntos de trabajo.
a. Circuito con dos fuentes de alimentacin.
b. Circuito con una fuente de alimentacin.
c. Circuito con divisor de tensin.
d. Circuito con auto polarizacin.
e. Circuito con resistencia al emisor.
f. Disear un Circuito que tenga la capacidad
de Moverse desde hasta de la recta de
carga

a. Circuito con dos fuentes de alimentacin NPN

Punto de corte
El punto de corte es donde la lnea de carga corta a la
curva correspondiente a la corriente de base igual a cero
(IB=0).
Punto de saturacin
El punto de saturacin aparece donde la lnea de carga
corta a la intensidad de base de saturacin. En este
punto, la corriente de colector es la mxima que se
puede dar para la operacin de transistor, dentro de los
lmites de la recta de carga. Haciendo una aproximacin,
se puede decir que el punto de saturacin aparece en la
interseccin de la recta de carga con el eje vertical, es
decir, cuando:

VEE

VCC
5V

15V

R1
68k

Q1
2N3904

VEE

VCC
5V

Punto de trabajo
El punto de trabajo es aqul donde el transistor trabaja
de una forma normal y que, normalmente, se encuentra
entre la zona de corte de saturacin. Para determinar el
punto de trabajo (Q) de transistor para una determinada
corriente de base (IB), se busca el punto de interseccin
de la recta de carga con la curva correspondiente a dicha
corriente de base.

R2
470

15V
R2
470

R1
68k
+
+
-

U1

0.063m

0.011

U2

Q1
2N3904

9.720

+
-

0.011

U3

III. EQUIPOS Y MATERIALES

Baceta
Resistencias
Multisim 12.0
Transistores 2N3904 y 2N3906
Multmetro digital

VCE=VCC

ICmax=

DC 1e-009Ohm
VCC
15
=
=31.91 mA
RC 470
DC 1e-009Ohm

VEEVBE 50.7
=
=63.23 A
RB+ ( +1) 68 K

Fuente de voltaje
Potencimetro

IB=

Conectores tipo bananas

IC=( 160 ) ( 63.23 A )=10.11 mA

DC 1e-009Ohm
DC 10MOhm

U4

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4
R1

IE=IC+ IB=10.17 mA
VCC + ICRC +VCE=0

R2
22k

VCE=VCCICRC =154.75=10.24
b.

1M
Key=A
100 %

Circuito con una fuente de alimentacin NPN

Q2

VEE
12V

R3
22k

R2
330
R1
100 %

U1

1M
Key=A

1.839m

0.011m

VEE
12V

U2
+

2N3906

Q1
2N3904

R1
+
-

10.649

1M
Key=A
100 %

DC 1e-009Ohm
+

R2
22k

VBE=0.7

IB=

VCCVBE 120.7
=
RB
1M

IB=0.0113 mA

U1
+

-0.469m

VCE=VCCRCIC
VCE=12330(1.86 mA)
VCE=10.60 V
c. Circuito con divisor de tensin PNP

Q2
A

DC 1e-009Ohm
R3
22k

2N3906

+
-

-11.164

VEE

IC=165 ( 11.3 uA ) =1.86 mA

VCC 12
Imax=
=
=0.012 mA
RC 1 M

-0.082

DC 10MOhm

12V

U3 polarizacin PNP
d. Circuito con auto
HFE = 204
VCE = 8V
VCC = 12V
IB = 33uA
Calculos:
IC = IB * HFE = 33uA *173 = 5.28mA

VCE = IB *RB + VBE

4V = 33u* RB + 0.7V
RC =(4V 0.7V)/33uA= 100K
VCC = IC * RC + VCE
12V = 5.28mA * RC + 4V
RC =(12V - 4V)/5.28mA= 1.5K

Universidad Politcnica Salesiana 01/06/2013

5
R2

1.5k

R1
1M
Key=A
100 %

IB =(12V 0.7V) /220 + 100K= 112.7uA

IC = IB *HFE = 112.7uA *173 = 18.032mA
IE = IB + IC = 112.7_A + 18.032mA = 18.4327mA
VCC = IC * RC + VCE + IE * RE
12V = 18.032mA *RC + 4V + 18.4327mA *220
RC =(12V - 4V-18.4327mA *220) /18.032mA
Rc= 218.766

Q2

f.
2N3906

Circuito con la capacidad de moverse

desde 1/4 hasta 3/4 de la recta de carga.

VEE
12V
R2
1.5k

R1
1M
Key=A
100 %

+
-

U3
+

-7.105u

-1.989m A

Q2
A

+
-

-8.289

2N3906
VEE
12V

e. Circuito con resistencia en el

emisor

Datos iniciales:
Q =1/4;3/4
HFE = 173
VCE = 3V hasta 9V
VCC = 12V
RC = 1K
RE = 220
Calculos con Vce = 3V
IC =(VR/R)=(9V/1k)= 9mA
B =(IC/IB)
IB =(IC /B)=(9mA/186)= 48.3uA
RB1 =(12V -0.7V)/48.30uA= 233.954K
U1

Calculos para Vce = 9V

U2

DC 10MOhm
DC 1e-009Ohm

IC =(VR/R)=(3V/1k)= 3mA
IB =IC/B=(3mA/186)=
16.12uA
DC 1e-009Ohm
P1 =(12V -0.7V) /16.12uA= 701.863K

HFE = 173
VCE = 4V
VCC = 12V
RB = 100K
RE = 220
VCC = IB * RE + VD + IB * RB
12V = IB(220 + 100K) + 0.7V

V. ANLISIS DE RESULTADOS
Circuito fuentes estabilizadas con Zener
Valores medidos
+11.9V
-11.85V

Valores calculados
+12V
-12V

Universidad Politcnica Salesiana 01/06/2013

+5.3V
-5.1V

+5V
-5V

Circuito fuentes estabilizadas con circuitos integrados

Valores medidos
+11.8V
-11.9V
+5.2V
-5.1V

Valores calculados
+12V
-12V
+5V
-5V

VI. CONCLUSIONES

Los reguladores de voltaje se emplean para

mantener una salida de voltaje predeterminada y
estable, sin ser causa de alteracin de la entrada
de la fuente y la carga que usa esta regulacin.
Las resistencias de carga no deben tener mucha
diferencia con respecto a las calculadas, ya que
puede variar mucho los voltajes y corrientes al
momento de las mediciones, esto es aplicado
con mejor precisin para la fuente de voltaje
regulable.

Al haber terminado la prctica se pudo

comprobar que en la mayora de los datos que se
obtuvieron en lo clculos tienen una aceptable
coincidencia con los datos medidos.
Tambin se debe tener en cuenta que en las
ondas de salida que no quedaban completamente
continua se debe revisar el valor de los
condensadores, como las sondas ya que puede
introducirse ruido.
Lo valores de las simulaciones con las
mediciones tendrn diferencia ya que en las
simulaciones son valores exactos mientras en la
prctica no son valores exactos como el margen
de error que existe en las resistencias

VII.
1
2
3

BIBLIOGRAFA

Torres Portero, M., Circuitos con Diodos, Paraninfo,

1994, ISBN: 84-283-1565-5.
Irwin, J. David, Anlisis bsico de circuitos en
ingeniera, 1997, ISBN: 968-880-816-4.
Introduccin al anlisis de circuitos de
Boylestad Dcima Edicin.