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Transistores FET
Figura1. Polarizacin
de divisor de voltaje
V GS (off )=0.5 V
Rs =
V G V GS 5V 0.25 V
=
=9.5 K
I DSQ
0.5 mA
V DD V DSQV RS 10 V 0.8 V 4.75 V
=
=8.9 K
I DSQ
0.5 mA
R D=
RTH V CC
V TH
R 1=
1 M 10 V
=2.150 M
4.65 V
Fundamentos de Electrnica
UPIITA IPN
R 2=
R 2=
R TH
V TH
1
V CC
1M
=1.87 M
4.65 V
1
10 V
Fundamentos de Electrnica
Transistores FET
UPIITA IPN
Transistores FET
POLARIZACIN 2
a) Arme el circuito que se muestra en la figura 2.
b) Conecte la terminal G a tierra.
c) Ajuste la fuente de alimentacin a 0 Volts, incremente el voltaje
de entrada en intervalos de 0.5 Volts, hasta llegar a 5 Volts;
posteriormente vare el incremento a intervalos de 2 Volts hasta
alcanzar 10 Volts.
d) Medir el valor de IDSS, para cada uno de los incrementos.
e) Trazar la curva experimental de transferencia del FET con los
valores obtenidos.
Figura 3. Configuracin
De auto polarizacin.
Vc
c
0
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
6
8
10
Vgs
(mV)
156
166
175
180
190
189
195
197
199
205
215
225
135
Ids (uA)
121
131
140
135
140
140
150
153
153
159
155
162
170
Fundamentos de Electrnica
UPIITA IPN
Transistores FET
POLARIZACIN 3
a) Arme el circuito que se muestra en la figura 3.
b) Ajuste las fuentes VDD y VGG a 0 Volts.
c) Partiendo de 0 Volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un
valor de -0.25 Volts en las terminales G y S. (V GS = -0.25
Volts).
d) Partiendo de 0 Volts, ajuste la fuente VDD hasta obtener
valores de VDS de 0 a 10 Volts en intervalos de 1 Volt cada
uno.
e) Medir la corriente ID para cada incremento de VDS.
f) Calcular tericamente la corriente ID para cada incremento
de VDS.
g) Partiendo de 0 Volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un
valor de -0.5 Volts en las terminales G y S (V GS = -0.5
Volts).
h) Graficar la curva de transferencia y localizar el punto Q de trabajo en la grfica.
Tabla 2. Mediciones de VDS contra ID
VDD(V) VDS(V) ID(uA)
1
0,88
3,2
2
1,8
3,8
3
2,31
4,32
4
3,79
4,39
5
4,8
5,5
6
5,8
6,2
7
6,6
6,2
8
7,54
7,62
9
8,6
8,7
10
9,38
9,3
Fundamentos de Electrnica
UPIITA IPN
Transistores FET
Despejamos
V GSQ
0.25+ 33 K I D
I D =( 1mA ) 1+
0.5
De la cual resulta:
Para hallar
V DSQ
I D =22.61 A
simplemente se sustituye en la ecuacin de la malla de
salida:
V DSQ =V DD I DSQ (R S + R D)
V DSQ =10 V 22.61 A (33 K +10 K )
V DSQ =10 V 22.61 A ( 43 K )=9.027 V
Fundamentos de Electrnica
UPIITA IPN
Fundamentos de Electrnica
Transistores FET
UPIITA IPN
Transistores FET
VDS
52.18
196.27
389.3
580
771
VR
26.19
53.60
62.06
65.69
68.40
ID
385
788
913
966
1000
RDS
1.169
Realizar la grfica ente ID contra VDS, donde muestre el comportamiento entre dichas
variables.
Con los datos obtenidos, calcular la resistencia hmica para VGS = 0V, mediante las
V DS 5V DS 1
R
=
DS
operaciones siguientes
I D5I D1 ,
Repetir el procedimiento para
VGS = -0.2 V
VGS = -0.4 V
VGS = -0.6 V
VGS = -0.8 V
En base a los resultados obtenidos, determine el intervalo en el que vari R DS a medida que
cambia VGS.
VDD
0.1
0.3
0.5
0.7
VDS(mV)
94.60
288
496
691
Fundamentos de Electrnica
VR(mV)
5.53
7.47
8.53
9.45
ID( A )
81.3
109
125
139
RDS( K )
11.705
UPIITA IPN
Transistores FET
0.9
887
10.13
149
VDD
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
VDS(mV)
105.7
303
512.29
709.5
907.1
VR(mV)
0
0
0
0
0
ID( A )
0
0
0
0
0
RDS( K )
Infinita
VDD
VDS(mV)
VR(mV)
ID( A )
RDS( K )
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
105.77
303
513
710
907
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Infinita
VDD
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
VDS(mV)
105.83
303.1
513.1
710.1
907.4
VR(mV)
0
0
0
0
0
ID( A )
0
0
0
0
0
RDS( K )
Infinita
Figura 5. Curva Vds contra Ids (voltajes en mV y corrientes en micro Ampers), para
Vgs=0V
Fundamentos de Electrnica
UPIITA IPN
Transistores FET
Figura 5. Curva Vds contra Ids (voltajes en mV y corrientes en micro Ampers), para
Vgs= -2V
El intervalo en el que cambia
R DS es de 1.169 K
Fundamentos de Electrnica
a infinito.
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