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Transistores FET

Prctica con un transistor FET


POLARIZACIN 1
1. Determine los valores de las resistencias del siguiente
esquema que muestre la polarizacin del transistor, de tal
manera que el punto de operacin est a la mitad de la
grfica de transferencia.
2. Grafique la curva de transferencia, modificando los valores
de VGS e IDS (variando los valores en 0.1, 0.2, etc.). As como
tambin de forma analtica.
3. Recuerde que tipo de polarizacin es.
I DSS=1 mA

Figura1. Polarizacin
de divisor de voltaje

V GS (off )=0.5 V

Rs =

V G V GS 5V 0.25 V
=
=9.5 K
I DSQ
0.5 mA
V DD V DSQV RS 10 V 0.8 V 4.75 V
=
=8.9 K
I DSQ
0.5 mA

R D=

En la mitad de la curva de transferencia, V GSQ =0.25 V y I DSQ =0.5 mA .


Dela malla de entrada tenemos que:
V GS=V TH I S R s
V TH =4.9 V 0.25 V =4.65 V
R1=

RTH V CC
V TH

R 1=

1 M 10 V
=2.150 M
4.65 V

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R 2=

R 2=

R TH
V TH
1
V CC

1M
=1.87 M
4.65 V
1
10 V

Figura 2. Curva de Transferencia.

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POLARIZACIN 2
a) Arme el circuito que se muestra en la figura 2.
b) Conecte la terminal G a tierra.
c) Ajuste la fuente de alimentacin a 0 Volts, incremente el voltaje
de entrada en intervalos de 0.5 Volts, hasta llegar a 5 Volts;
posteriormente vare el incremento a intervalos de 2 Volts hasta
alcanzar 10 Volts.
d) Medir el valor de IDSS, para cada uno de los incrementos.
e) Trazar la curva experimental de transferencia del FET con los
valores obtenidos.
Figura 3. Configuracin
De auto polarizacin.

Vc
c
0
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
6
8
10

Vgs
(mV)
156
166
175
180
190
189
195
197
199
205
215
225
135

Ids (uA)
121
131
140
135
140
140
150
153
153
159
155
162
170

f) Determine el voltaje de estrechamiento VP utilizando la curva de transferencia del FET.


g)
Taba1 Mediciones de Vgs contra Ids

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POLARIZACIN 3
a) Arme el circuito que se muestra en la figura 3.
b) Ajuste las fuentes VDD y VGG a 0 Volts.
c) Partiendo de 0 Volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un
valor de -0.25 Volts en las terminales G y S. (V GS = -0.25
Volts).
d) Partiendo de 0 Volts, ajuste la fuente VDD hasta obtener
valores de VDS de 0 a 10 Volts en intervalos de 1 Volt cada
uno.
e) Medir la corriente ID para cada incremento de VDS.
f) Calcular tericamente la corriente ID para cada incremento
de VDS.
g) Partiendo de 0 Volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un
valor de -0.5 Volts en las terminales G y S (V GS = -0.5
Volts).
h) Graficar la curva de transferencia y localizar el punto Q de trabajo en la grfica.
Tabla 2. Mediciones de VDS contra ID
VDD(V) VDS(V) ID(uA)
1
0,88
3,2
2
1,8
3,8
3
2,31
4,32
4
3,79
4,39
5
4,8
5,5
6
5,8
6,2
7
6,6
6,2
8
7,54
7,62
9
8,6
8,7
10
9,38
9,3

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Figura 4. Grafica de VDS contra ID para la polarizacin 3.


CALCULOS
V G +V GSQ +V RS=0
V
I D =( 1mA ) 1+ GSQ
0.5

Despejamos

V GSQ

de la primera ecuacin y la sustituimos en la segunda,

resulta la siguiente ecuacin cuadrtica:

0.25+ 33 K I D
I D =( 1mA ) 1+
0.5

De la cual resulta:
Para hallar

V DSQ

I D =22.61 A
simplemente se sustituye en la ecuacin de la malla de

salida:

V DSQ =V DD I DSQ (R S + R D)
V DSQ =10 V 22.61 A (33 K +10 K )
V DSQ =10 V 22.61 A ( 43 K )=9.027 V
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Operacin en la regin hmica


A continuacin se observar el comportamiento del FET en la regin
hmica. Se medir la resistencia hmica que presenta el FET en esta
regin, y adems se controlar su valor mediante el voltaje de la
compuerta VGS. La importancia de esta aplicacin radica en que es la
base para el diseo de resistencias variables controladas por tensin.
Ajuste el voltaje de la compuerta a vero Volts, VGS = 0V.
Ajuste el voltaje VDD y para cada valor obtenido, medir el voltaje entre
D y S, as como tambin el voltaje entre la resistencia del drenador
como se indica en la tabla. A partir de la medicin de voltaje de la
resistencia calcule la corriente de resistencia ID.
VDD
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9

VDS
52.18
196.27
389.3
580
771

VR
26.19
53.60
62.06
65.69
68.40

ID
385
788
913
966
1000

RDS
1.169

Realizar la grfica ente ID contra VDS, donde muestre el comportamiento entre dichas
variables.
Con los datos obtenidos, calcular la resistencia hmica para VGS = 0V, mediante las
V DS 5V DS 1
R
=
DS
operaciones siguientes
I D5I D1 ,
Repetir el procedimiento para
VGS = -0.2 V
VGS = -0.4 V
VGS = -0.6 V
VGS = -0.8 V
En base a los resultados obtenidos, determine el intervalo en el que vari R DS a medida que
cambia VGS.
VDD
0.1
0.3
0.5
0.7

VDS(mV)
94.60
288
496
691

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VR(mV)
5.53
7.47
8.53
9.45

ID( A )
81.3
109
125
139

RDS( K )
11.705

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0.9

887

10.13

149

VDD
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9

VDS(mV)
105.7
303
512.29
709.5
907.1

VR(mV)
0
0
0
0
0

ID( A )
0
0
0
0
0

RDS( K )
Infinita

VDD

VDS(mV)

VR(mV)

ID( A )

RDS( K )

0.1
0.3
0.5
0.7
0.9

105.77
303
513
710
907

0
0
0
0
0

0
0
0
0
0

Infinita

VDD
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9

VDS(mV)
105.83
303.1
513.1
710.1
907.4

VR(mV)
0
0
0
0
0

ID( A )
0
0
0
0
0

RDS( K )
Infinita

Figura 5. Curva Vds contra Ids (voltajes en mV y corrientes en micro Ampers), para
Vgs=0V
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Figura 5. Curva Vds contra Ids (voltajes en mV y corrientes en micro Ampers), para
Vgs= -2V
El intervalo en el que cambia

R DS es de 1.169 K

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a infinito.

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