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Les amplificateurs hyperfrquences linaires

Les amplificateurs hyperfrquences linaires


L'amplificateur hyper-frquences est un quadriple qui permet davoir un gain
entre la grandeur inject son entre et celle qui est rcupre sa sortie.

1. Structure gnrale dun amplificateur micro-onde


La structure dun amplificateur micro-onde est donne par la figure 1:

Circuit
dalimentation

Lentre

Cellule
dadaptation

Composant
actif

Cellule
dadaptation

La sortie

Figure 1 : la structure dun amplificateur micro-onde


Lamplificateur peut tre dcompos en trois parties:
Composant actif :
La partie active peut tre compose par un ou plusieurs transistors selon les
caractristiques voulues. Le transistor est llment cl car cest lui qui assure
lamplification, et dtermine plusieurs caractristiques de lamplificateur comme le
gain, le facteur de bruit, etc. De bonnes performances ncessitent un bon choix de
transistor.
Critres de choix de transistor:

La gamme de frquence dutilisation

Le gain

Le Facteur de bruit

La puissance maximale de sortie

D'autres caractristiques peuvent s'y ajouter, comme les valeurs maximales de


courant et de tension, le taux dintgration, le cot, etc.

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Circuit dalimentation :
Le transistor ncessite une alimentation pour son fonctionnement, elle est assure
par le circuit dalimentation. Cest un circuit qui permet de fixer le point de
fonctionnement de transistor, mais il faut sparer lalimentation et le rgime
hyperfrquence, pour viter les interactions entre le signal DC et le signal RF.
Cellules dadaptation :
Loptimisation de transfert dnergie de la source vers le transistor et du transistor
vers la charge, ncessite dinsrer des rseaux dadaptation non dissipatifs en entre
et en sortie du transistor. Ces rseaux sont souvent constitus de tronons de lignes
en srie ou en parallle (stubs) ou de cellules LC avec des composants localiss selon
la frquence de fonctionnement et la bande passante du circuit.

2. Lamplificateur faible bruit LNA : Low Noise Amplifier


2.1. Le bruit thermique
Il y a plusieurs types de bruit, mais le plus important dans les circuits est le bruit
thermique. Cest un bruit intrinsque aux systmes. Le bruit thermique est le rsultat de
l'agitation des lectrons des conducteurs (rsistances) sous l'action de la temprature et
est proportionnelle la temprature. La puissance de bruit note N (Watts) dans la
bande F est donne comme suit:

Avec :

k = 1,38 10-23 J/K

T temprature du conducteur en degrs Kelvin.

F la bande passante en Hertz.

2.2. Le Facteur de bruit


Si le gain en puissance du circuit est G et la puissance Pe applique l'entre
d'un circuit linaire, alors la puissance de sortie est :
Ps = G Pe

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Si on applique cette fois un bruit de puissance Ne l'entre, on obtient la sortie
un signal de bruit dont la puissance est Ns tel que

. Cet excs de bruit est

apport par le circuit.


On appelle facteur de bruit du circuit le facteur F dfini [10] par :

Avec :
Le facteur de bruit F s'exprime gnralement en dB :
2.1.3. Formule de FRIIS
Soit un systme de n quadriples Q1, Q2,. Qn monts en cascade. Pour un
quadriple Qn, on note le facteur de bruit par

et le gain par Gn. Alors le facteur de

bruit de systme scrit [10] :

Le facteur de bruit du systme dpend principalement du gain du premier tage.


On suppose que le systme est un rcepteur a n tages en cascade, et on veut que
le facteur de bruit soit le minimum possible; pour cela il suffit que :

Le gain du premier quadriple soit >1, donc le premier tage doit tre un
amplificateur.

F1 soit le minimum possible.

Le facteur de bruit dun rcepteur tend vers celui de lamplificateur dentre.


Donc le premier tage dun rcepteur doit tre un amplificateur faible bruit LNA.
Les amplificateurs faible bruit sont utiliss dans les systmes de communication
pour amplifier les signaux reus, qui tendent tre trs faibles.
Un LNA est capable damplifier le signal par rapport au bruit dans une certaine
marge de frquence ce qui augmente le rapport de signal sur bruit du systme de
communication.

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3. Stabilit d'un amplificateur transistor


Lors du fonctionnement d'un amplificateur, le transistor peut renvoyer plus de
puissance que celle qui lui est fournie. Par consquence celui-ci se met en
oscillations. Ceci, ce traduit mathmatiquement par le fait que le module du
coefficient de rflexion l'entre ou la sortie du transistor peut dpasser l'unit. On
dit que le transistor nest pas stable. Donc avant de commencer la conception dun
amplificateur, il faut vrifier la stabilit la frquence de travail.
Un quadriple est dit Inconditionnellement Stable, sil est stable quelles que
soient les charges passives places lentre et la sortie.
Un quadriple est Conditionnellement Stable, sil existe des charges passives
lentre et la sortie qui le rendent stable.
Il doit cependant rester au moins une possibilit en entre et en sortie permettant
dadapter le quadriple avec des charges passives.
Soit un quadriple charg par une impdance
source de tension

, son entre est connecte une

avec une impdance interne

. Le circuit est reprsent la

Figure 2.
Ze

Zs

Zg
Vg

Zch

Quadriple

ch

Figure 2 : Quadriple charg, et aliment par une source de tension.

La matrice de dispersion de ce quadriple est donne par :


(

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Pour que ce quadriple soit stable il faut que:
{

| |
| |

On a :
{
Do :

Les conditions ncessaires et suffisantes pour la stabilit sont :


{
| |
Avec :
est le dterminant de la matrice S du quadriple.

est le facteur de ROLLET, on lappelle aussi facteur de stabilit.


| |

|
|

Si les conditions sont vrifies, on dit que ce quadriple est inconditionnellement


stable. En plus, on peut adapter simultanment lentre et la sortie.
Si une de ces conditions nest pas vrifier, le transistor peut tre stable pour
certaines valeurs de

et

, on dit quil est conditionnellement stable.

Pour trouver les valeurs des impdances qui assurent une configuration stable, on
utilise la mthode graphique.
Les relations (1) et (2) se traduisent dans l'abaque de Smith par des cercles, on les
appelle cercles de stabilits.
La position du centre Cg et le rayon Rg du cercle de stabilit de la source sont
donnes par :
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| |

|
|

| |

La position du centre Cch et le rayon Rch du cercle de stabilit de la charge sont


donns par les expressions suivantes :
|
|

| |

| |

Un exemple du trac des deux cercles de stabilit sur labaque de Smith est donn
par la figure3.2.

Figure 3.2 : Exemple du trac des cercles de stabilit sur labaque de Smith.

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Les rayons des cercles donns par les quations [

et

] correspondent

une valeur du coefficient de rflexion qui est gale lunit. Ils reprsentent la
frontire entre la rgion stable et la rgion instable pour la source et pour la charge. Il
reste trouver si la rgion stable est lintrieur ou lextrieur

des cercles.

Le centre de labaque est dans la rgion stable pour la charge, si |

, sinon

il est dans la rgion instable.


De mme, le centre de labaque est dans la rgion stable pour la source, si
|

, sinon il est dans la rgion instable [10].

4. Gain en puissance d'un tage amplificateur


Les amplificateurs micro-ondes sont caractriss par le gain en puissance, trs
souvent exprim en dB. Un amplificateur hyperfrquence peut tre schmatis par la
mise en cascade de trois tages : le rseau dadaptation de lentre Q1, le transistor
dfini par sa matrice dispersion S et le rseau dadaptions de la sortie Q2,
(Figure3.3).

Zg

| |

Zch

Vg
g

ch

Figure 3.3 : Schma dun amplificateur hyperfrquence

Le transfert de puissance depuis la source vers la charge passe par ces trois tages.
Pour que le maximum de puissance soit transmis de la source vers le transistor, il
faut que lentre soit adapte (

), alors Pe= Pg. Sinon, le transfert sera partiel et

une partie de puissance sera rflchie vers la source.


Pour que le maximum de puissance soit transmis du transistor vers la charge, il
faut que la sortie soit adapte (

s ),

dans ce cas : Pch= Ps.

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Le gain en puissance dun amplificateur dpend donc de:

Le gain intrinsque du transistor.

Ladaptation en entre.

Ladaptation en sortie.

Pour cela, on dfinit diffrents gains en puissance pour ltage amplificateur.

4.1. Gain de transfert en puissance


On dfinit le gain de transfert en puissance GT, par le rapport entre la puissance
dlivre la charge sur la puissance fournit par la source [10].

| |
|

4.2. Gain en puissance disponible


On dfinit le gain puissance disponible GA, par le rapport entre la puissance
fournie par le transistor et la puissance fournie par la source [10].

| |
|

s|

4.3. Gain de damplification en puissance


On dfinit le gain damplification en puissance Gp, par le rapport entre la
puissance fournie par le transistor et la puissance dlivrer au transistor [10].

|
|

|
|

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5. Conception des amplificateurs gain lev


Pour obtenir le maximum du gain, il faut avoir une adaptation simultane de
lentre et de la sortie.
Cas de la stabilit inconditionnelle
Dans ce cas ladaptation simultane est possible, alors le coefficient de rflexion
de la source est gal au coefficient de rflexion ladaptation :

O :
|

| |

Lorsque le coefficient de rflexion de la charge est gal au coefficient de rflexion


ladaptation, on a :
|

O :
|

| |

Et le gain de transfert en puissance est :


|

|(

Cas de la stabilit inconditionnelle


Dans ce cas ladaptation simultane de lentre et de la sortie nest pas possible.
Lquation (3.15) montre que le gain damplification en puissance GP est
indpendant de lentre, il ne dpend que du transistor et de la charge. Donc il est
possible de faire un choix de la valeur de GP en slectionnant la bonne valeur de la
charge, puis il suffit dadapter lentre.

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, en fonction de Gp sur labaque de Smith donne des cercles gain

Le trac de

GP constant. Le centre CP et le rayon RP du cercler sont donns par les expressions


suivantes :
|
|

{
Avec :

| |
|

| | |

Figure 3.3 : Cercles gain constant

Pour la conception de lamplificateur, on suit les tapes suivantes :


1.

On commence par tracer les cercles de stabilit pour lentre et pour la sortie.

2. Aprs avoir choisi la valeur de Gp sur labaque dans la rgion de stabilit pour
la charge, on aura directement la valeur du coefficient de rflexion
correspondant

3. La relation (3.4) permet de calculer


(3.2). Il faut cependant que

en fonction de

, et on obtient

de

soit situ dans la rgion stable pour lentre,

sinon il faut changer la valeur de

et refaire les tapes.

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Cette mthode permet de choisir nimporte quelle valeur pour le gain et pas
forcement le maximum.
Aprs avoir trouv

, il faut maintenant concevoir le quadriple

dadaptation lentre, et le quadriple dadaptation de la sortie.

6. Conception des amplificateurs faible bruit


Le facteur de bruit dun transistor est donn par lexpression :
|

| (

| | )

Avec :
: Le minimum de facteur de bruit du transistor.
: La rsistance de bruit quivalente pour le transistor.
: Coefficient de rflexion optimal de la source.
Ces paramtres sont propres au transistor et dpendent de la polarisation. Pour que
le facteur de bruit dun transistor soit minimal

, il faut que :

Le facteur de bruit ne dpend que de lentre, donc pour raliser un amplificateur


faible bruit on doit satisfaire la condition

, ce qui permet de calculer

la

lexpression (3.5).
Si le coefficient de rflexion

est situ dans la zone instable, il est

impossible dopter pour une configuration avec un minimum de bruit.


Sur labaque de Smith, le coefficient de rflexion de la source

en fonction de

donne des cercles de bruit constant dont le positon du centre CN et la valeur du


rayon RN sont donne par les expressions (3.23) et (3.24) :

{
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Avec :
|
(

|
| | )

Le trac des cercles de bruit constant permet de choisir

dans la rgion de

stabilit de telle faon avoir le niveau de bruit souhait (Figure 3.4).

SP32.SP.Sopt
SP32.CirclesNoise

m1
indep(m1)= 51
SP32.CirclesNoise=0.446 / -114.92
ns figure=0.874700
impedance = Z0 * (0.508 - j0.514)

m1

cir_pts (0.000 to 51.000)


freq (32.24GHz to 32.24GHz)

Figure 3.4 : Cercles facteur de bruit constant, le point m1 correspond

Parfois, il est prfrable de tracer les cercles bruit constant et les cercles gain
constant sur le mme abaque, pour pouvoir faire un compromis entre le gain et le
bruit.

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