ANAIS DO CONGRESSO DE INICIAO CIENTFICA DO INATEL - INCITEL 2012

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Transformadores de /4 empregados em
divisores e combinadores de sinais para
associao de amplificadores de RF.
Lucas Cndido Ribeiro

C. N. M. Marins

Instituto Nacional de Telecomunicaes - Inatel

lucascr@gee.inatel.br

Instituto Nacional de Telecomunicaes - Inatel

carlosn@inatel.br

Abstract This paper show the techniques to impedance

transformers for broadband dividers / combiners to associate RF
amplifiers. The study will present the Binomial and Chebyshev
techniques and a new project proposal for transformers with
multiple sections.
Keywords - /4 Transformers, Binomial tranformer,
Chebyshev transformer, signal combiners and splitters, RF
amplifiers.
Resumo O objetivo do trabalho estudar as configuraes e
tcnicas de projeto dos transformadores de impedncia utilizados
em divisores/combinadores para operao em banda larga, no
intuito de associar amplificadores de RF. O estudo apresentar as
tcnicas mais empregadas e uma nova proposta de projeto para
transformadores com mltiplas sees.
Palavras chave Transformadores de /4, transformador
Binomial, transformador de Chebyshev, combinadores e divisores
de sinais, amplificadores de RF.

I. INTRODUO
Os amplificadores de grandes sinais de RF (Rdio
Freqncia) possuem vrios circuitos eletrnicos acessrios,
mas em sua grande maioria para adaptao de impedncia e
diviso/combinao de potncia. So estes circuitos que
garantem o bom desempenho da estrutura em termos de
parmetros fundamentais, tais como: largura de faixa,
casamento de impedncia, isolao entre portas e entre clulas
de amplificao e outros. No diagrama em blocos da figura 1
apresentada a estrutura bsica de um amplificador.
G
T

D
S

G
Entrada

D
G

Sada

D
S



O desafio atender as necessidades impostas pelos sistemas

com bandas cada vez maiores, como os sistemas de TV, as
redes HFC (Hybrid Fiber and Coaxial) e as tecnologias de
comunicao sem fio para acesso em banda larga que podem
empregar rdios cognitivos.
Os transformadores de impedncia na faixa de UHF e no
incio da faixa de SHF empregados no circuito de entrada e
sada dos amplificadores utilizam, na maioria dos casos,
circuitos compostos por capacitores cermicos e indutores
construdos em microlinha, no intuito de reduzir a ocupao de
rea no layout final e garantir a repetio de desempenho na
produo em escala.
Os projetos destas estruturas esto cada vez mais complexos
em funo das operaes com larguras de faixa cada vez
maiores, exigindo o uso de softwares de projeto e simulao.
Quanto aos divisores/combinadores de sinais empregados
para combinao de amplificadores, tanto na entrada como
sada, as estruturas utilizadas so as estruturas clssicas
baseadas em configurao em estrela, clulas de Wilkison,
acopladores direcionais de 3(dB), hbridas de 90, acopladores
de linha secundria, anel hbrido, dentre outros.
A configurao em estrela a mais simples para
implementar um combinador/divisor de sinais com qualquer
nmero de portas.
Esta configurao constituda basicamente de um
transformador de impedncia que adapta a transio de uma
porta com impedncia caracterstica Z0 com um ponto p de
impedncia Zp, cujo valor varia de acordo com o nmero de
portas (m) a serem dividas ou combinadas pela estrutura. A
figura (2) apresenta a estrutura do transformador de mltiplas
sees de /4 e a equao (1) apresenta o valor da impedncia
Zp.

G
D
D Divisor; T Transformador de Impedncia; C Combinador

Fig. 1. Diagrama em Blocos de um Amplificador.

Manuscrito recebido em 18 de maro de 2012; revisado em 26 de maro
de 2012. L. C. Ribeiro e C. N. M. Marins pertencem ao Instituto Nacional de
Telecomunicaes - Inatel. Av. Joo de Camargo, 510 - Santa Rita do
Sapuca - MG - Brasil - 37540-000.

Fig. 2. Estrutura do transformador de impedncia com

mltiplas sees de /4.

Zp =

Z0
m

(1)

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Os transformadores com mltiplas sees de /4 so

normalmente construdos com a configurao Binomial ou
Chebyshev. Este trabalho apresenta uma nova proposta de
projeto. Para o projeto do transformador, o ponto p com
impedncia Zp funciona como a carga ZL para o gerador de
sinais.
II. ESTUDO DOS TRANSFORMADORES DE IMPEDNCIA

Z n +1 = Z n e2 n
Em que

(9)

n encontrado com a funo de Chebyshev

expandida.
A figura 4 apresenta as curvas dos transformadores
Binomial e de Chebyshev para 5 sees.

Os transformadores mais clssicos empregados em um

grande nmero de projetos so denominados Binomial e de
Chebyshev. Estes transformadores so construdos com linha
de transmisso e o projeto destas estruturas se baseia na teoria
de pequenas reflexes utilizando transformadores de N sees
de /4, como apresentado na equao (2).
N

( ) = n e 2 j n

(2)

n=0

Fig. 4. Curvas dos transformadores para 5 sees.

Enquanto o transformador Binomial oferece menor ripple

na banda passante, o transformador de Chebyshev apresenta
maior seletividade.
Fig. 3. Transformador de impedncia com N sees de /4.
A. Transformador Binomial.
Aplicando a funo Binomial na equao (1) tem-se para
projeto o e as impedncias dos trechos de transformao.
N

( ) = A Cn e 2 j n

(3)

III. TRANSFORMADOR COM IMPEDNCIAS CARACTERSTICAS

DAS SEES DETERMINADAS ATRAVS DE MDIA GEOMTRICA
A figura (5) apresenta um transformador com mltiplas
sees de /4 que ser empregada para descrever a tcnica de
projeto baseada na determinao de impedncias
caractersticas atravs de mdias geomtricas.

n=0

Cn =

N!
n! ( N n )!

A = 2n

(4)

Z L Z0
Z L + Z0

(5)

1 + A Cn
1 A Cn

(6)

Z n +1 = Z n

B. Transformador Chebyshev
Aplicando a funo de Chebyshev na equao (1) tem-se
para projeto o e as impedncias dos trechos de
transformao.

( ) = A e j N TN (sec m cos )

1
ln (Z L Z 0 )
sec m = cosh cosh 1

2m
N

Onde m critrio de projeto. Considera-se

A = m .

(7)

Fig. 5. Transformador de impedncia com N sees.

Este trabalho traz uma proposta de transformador que opera

com os mesmos princpios dos transformadores nas
concepes Binomiais e Chebychev. A diferena se encontra
na forma de obteno das impedncias das sees de /4, que
nesta proposta feita atravs de mdias geomtricas. Esta
proposta oferece como vantagem a facilidade de projeto com
desempenho intermedirio se comparado com as duas tcnicas
j discutidas. Na estrutura proposta tem-se N sees de linhas
de /4, associadas em cascata para prover a adaptao de
impedncia de um dado gerador (Zg) para carga (ZL).
A impedncia de cada ponto que representa a juno entre
dois segmentos de /4 dada pela equao (9).

Z = Z g r

(9)

(8)
representa a posio de cada impedncia intermediria de
cada juno das N sees do transformador;
r razo de crescimento da impedncia intermediria,
calculada atravs da equao (10).

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r=

ZL
Zg

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(10)

A impedncia caracterstica de cada transformador de /4

pode ser calculada atravs da mdia geomtrica entre as
impedncias intermediarias ou atravs da equao (11).

Z 0 _ = Z g2 r (2. 1)

(11)

representa a posio da impedncia caracterstica para

cada seo (1 < < N).
Depois de calcular a impedncia caracterstica de cada
transformador de /4, a largura de faixa pode ser analisada
atravs da perda por insero entre entrada e sada e a perda
por retorno de entrada. A largura de faixa do transformador
pode ser analisada a partir de uma referncia para os valores
de perda por retorno de entrada. Neste trabalho o valor
mximo de referncia de perda por retorno de entrada ser de 20dB (S11 -20dB).

Fig. 6. S21 (Perda por insero para N=3).

IV. ANALISE COMPARATIVA

O mtodo de anlise comparativa entre os trs modelos
baseado em simulao usando o software ADS (Advanced
Design System - Agilent Technologies). Os transformadores
so comparados sempre na mesma freqncia central de
operao e com o mesmo nmero de elementos com
comprimento de onda de /4. Para oferecer uma maior gama
de comparaes, as simulaes foram realizadas assumindo-se
N com valores iguais a 3, 4 e 5.

Fig.7. S11 (Perda por Retorno para N=3).

A. Transformador baseado em mdias geomtricas X

Transformador Binomial
1) Anlise comparativa para N=3
O Transformador Binomial com N=3 oferece uma largura
de faixa de aproximadamente 0,8GHz, enquanto o novo
modelo proposto oferece uma largura de faixa de 1,04GHz.
Comparando os dois valores percebe-se um incremento de
banda de 30%. Este valor bastante significativo para sistemas
de RF que operam em faixa larga. Os resultados podem ser
analisados atravs das figuras (6) e (7).

Fig.8. S21 (Perda por insero para N=4).

2) Anlise comparativa para N=4 e N=5

Foram realizadas simulaes com vrias dimenses de
transformadores, com N variando entre 3 e 10. No entanto,
neste trabalho sero apresentadas apenas mais um conjunto de
medidas que empregam N=4, pois desta forma j possvel
confirmar a eficincia do modelo proposto com relao a
largura de faixa. Com N=4 as figuras (8) e (9) apresentam,
respectivamente, larguras de faixa de 0,86GHz e 1,2GHz para
o modelo Binomial e para o modelo proposto. Esta condio
representa um incremento de 39,5% na largura de faixa.

Fig.9. S11 (Perda por Retorno para N=4).

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B. Transformador baseado em mdias geomtricas X

Transformador de Chebyshev.
Para esta condio so apresentadas as simulaes para
transformadores com N=4. Nas figuras (10) e (11) possvel
verificar que as larguras de faixa so de 1,3GHz e 1,19GHz
para o transformador de Chebyshev e para o modelo proposto
respectivamente. Estes resultados demonstram que o
transformador de Chebyshev oferece uma largura de faixa de
9,3% maior do que o modelo proposto, mas com ripple mais
acentuado dentro da banda passante.

Fig. 10. S21 (Perda por insero para N=4).

Fig. 11. S11 (Perda por Retorno para N=4).

VI. CONCLUSO
Comparando o modelo proposto com os modelos clssicos
de transformadores, pode-se concluir que o mesmo oferece
maior eficincia espectral que o transformador Binomial e
menor ripple que transformador de Chebyshev, com uma
pequena reduo de banda. Em contra partida o roteiro de
projeto muito mais simples. Pela praticidade de projeto e
pelo bom desempenho na largura de faixa, o modelo proposto
se apresenta como soluo muito interessante para uso em
sistemas de RF de banda larga.

REFERNCIAS
[1] Ribeiro, J. A. J.; Engenharia de Microondas, Ed. rica, 2010.
[2] Collin, R.; Foundations for Microwave Engineering; 2nd Ed.; McGrawHill; 1994.
[3] Radmanesh, M.M., Radio Frequency and Microwave Eletronics, Ed.
Prentice Hall, Inc. 2001.