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UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

Tcnicas Digitales y Analgicas

Informe Prctica # 2
Transistor Bipolar
Clara Lizeth Rojas Rincon,
Leonardo Andrs Dueas Tamayo
Resumen: Este informe contiene el estudio y anlisis del
II.
ELEMENTOS USADOS EN LA
transistor 2N2222A que tiene una estructura NPN teniendo
PRCTICA
aplicaciones en un circuito aplicaciones de amplificacin y de
Fuente DC
conmutacin, as por lo tanto conocer de fondo las
Multmetro digital
caractersticas que necesitemos a futuro para la utilizacin de
Generador de seales
este tipo de transistores en nuestra vida ingenieril.
Osciloscopio
Protoboard
I.
INTRODUCCIN
Transistor NPN 2N2222A
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que
III.
MARCO TERICO
cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. Para ser utilizado como amplificador, el punto de
trabajo debe situarse aproximadamente en el centro de la recta Smbolos y tipos de transistores bipolares:
de carga debido a que si se desplaza a la zona de saturacin la
intensidad de colector se hace mxima y deja de responder a
los incrementos de intensidad de base y si se desplaza a la
zona de corte la intensidad de colector se hace cero y el
transistor no conduce. Entre el corte y la saturacin, el
transistor funciona como amplificador, ya que, a cada
intensidad de base (del orden de microamperios) corresponde
una intensidad de colector amplificada (del orden de
miliamperios). Si en la entrada del circuito provocamos
mediante una seal exterior un aumento de intensidad de base,
se produce un aumento de intensidad de colector y lo mismo si
disminuye. Las seales aplicadas a la base se ven as reflejadas Estructura interna de un transistor bipolar:
en el colector, pero amplificadas desde el orden de
microamperios al orden de miliamperios. Si la intensidad de
base rebasa el punto de saturacin la intensidad de colector no
puede seguirla y la seal de salida se ve recortada. Si la
intensidad de base se anula tambin lo hace la de colector,
recortando la seal de salida por el otro extremo. Es
importante pues, que la polarizacin determine el punto de
trabajo en la zona media de la recta de carga para evitar as
recortes en la seal de salida. Aun as, la amplitud mxima de
la seal de entrada quedar limitada por los puntos de corte y El transistor tiene dos formas principales de operacin: como
saturacin, si no queremos recortes en la salida.
un interruptor o como una resistencia variable.

Este trabajo es entregado el da 25 del mes de octubre del ao 2016.

Rojas, Clara estudiante de la Universidad Industrial de Santander, Colombia,
de
ingeniera
elctrica
con
cdigo,
2124609
(email:clararojasrincon@gmail.com).
Dueas, Leonardo Andrs estudiante de la Universidad Industrial de
Santander, Colombia, de ingeniera electrnica con cdigo 2093051 (e-mail:
Leonardo-andres@protonmail.ch).

TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Es exactamente igual que la de un dispositivo mecnico: o
deja pasar la corriente, la corta. La diferencia est en que
mientras en el primero es necesario que haya algn tipo de
control mecnico, en el transistor bipolar la seal de control es
electrnica.

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TABLA DE LOS DATOS EXPERIMENTALES DEL

TRANSISTOR A UNA TESION EN VRB=1.99[v]

TRANSISTOR COMO RESISTENCIA VARIABLE

Puede ajustar su resistencia entre colector y emisor, con la
diferencia de que la seal de mando no es mecnica, sino
elctrica a travs de la base. Con una pequea seal aplicada
en la base puede gobernarse el BJT, con lo que aparece un
concepto nuevo: la amplificacin de seales. Esta funcin es
la base de la electrnica analgica, aquella en la que se
procesan seales de tensin respetando su forma de onda
temporal.

Vbb=2,5 Vrb=1,9 Ib1=0,0000

7
9
2018
Vce
Vrc
Ic
0,101
2,18 0,00217565
0,199
3,45 0,00344311
0,301
3,54 0,00353293
0,407
3,55 0,00354291
0,507
3,55 0,00354291
0,6
3,56 0,00355289
0,709
3,57 0,00356287
0,809
3,57 0,00356287
0,89
3,57 0,00356287
1,064
3,58 0,00357285
2
3,61 0,00360279
3
3,65 0,00364271
4,01
3,68 0,00367265
4,99
3,68 0,00367265
TABLA DE LOS DATOS EXPERIMENTALES DEL
TRANSISTOR A UNA TESION EN VRB=4.01[v]
.

IV.

DESARROLLO DEL CONTENIDO

Para el anlisis de la prctica se utilizaron los datos tomados

en el laboratorio (ANEXO No. 1).
CARACTERIZACIN DEL TRANSISTOR
TRANSISTOR 2N2222A
Rb
98,6 K
Rc
1.002 K
Hfe
195
Mediante la prueba de continuidad en los terminales de los
diodos se hizo la verificacin de que la corriente fluyera en un
solo sentido.

Vbb=4,6 Vrb=4,0 Ib2=0.00004

5
1
0669
Vce
Vrc
Ic
0,101
4,97 0,00496008
0,203
7,11 0,00709581
0,308
7,32 0,00730539
0,399
7,34 0,00732535
0,507
7,35 0,00733533
0,599
7,37 0,00735529
0,7
7,38 0,00736527
0,798
7,39 0,00737525
0,903
7,4 0,00738523
1,008
7,42 0,00740519
2,03
7,53 0,00751497
3
7,62 0,00760479
4,04
7,71 0,00769461

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4,99

7,77

0,00775449

TABLA DE LOS DATOS EXPERIMENTALES DEL

TRANSISTOR A UNA TESION EN VRB=0.503[v]

Vbb=1,1 Vrb=0,5 Ib3=0,00000

13
03
5101
Vce
Vrc
Ic
0,103
0,696 0,00069461
0,205
0,889 0,00088723
0,298
0,897 0,00089521
0,401
0,901
0,0008992
0,506
0,903
0,0009012
0,605
0,904
0,0009022
0,701
0,906 0,00090419
0,8
0,909 0,00090719
0,907
0,91 0,00090818
1,016
0,911 0,00090918
2
0,919 0,00091717
3
0,926 0,00092415
4
0,933 0,00093114
5
0,938 0,00093613

CURVA DE Ic PARA UN VALOR DE Ib 1 CON UN Vce VARIABLE

0
0
0
0

Ic [A] 0
0
0
0
0

Vce[v]

CURVA DE Ic PARA UN VALOR DE Ib 2 CON UN Vce VARIABLE

0.01
0.01
0.01

CIRCUITO PARA EL ANALISIS DEL TRANSISTOR

2N2222A
Diagrama del circuito realizado en el laboratorio para el
anlisis del transistor.

0.01
0.01

Ic[A]

0
0
0
0
0

Vce[v]

CURVAS CARACTERISTICAS DEL COLECTOR

Es posible generar un conjunto de curvas que muestre como
varia Ic contra Vce para varios valores de Ib,
experimentalmente se obtuvieron las siguientes:

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CURVA DE Ic PARA UN VALOR DE Ib 3 CON UN Vce Variable

0
0
0
0
0

Ic[A] 0
0
0
0
0
0

Vce[v]

18
175,5656
18
176,0601
69
176,5547
2
176,5547
2
176,5547
2
177,0492
71
178,5329
24
180,5111
28
181,9947
81
181,9947
81

05
180,3666
02
180,8573
96
181,1027
92
181,3481
89
181,5935
86
182,0843
79
184,7837
43
186,9923
14
189,2008
85
190,6732
65

74
17,66707
71
17,68664
2
17,72577
17
17,78446
64
17,80403
12
17,82359
61
17,98011
5
18,11706
91
18,25402
32
18,35184
76

Como estos valores suelen llamarse hfe nos damos cuenta que
oscilan en valores cercanos a 195 que es el valor que
obtuvimos en la caracterizacin.
Usando otros valores de Ib se pueden obtener ms curvas:

Donde podemos concluir que cuando Vce alcanza

aproximadamente 0.7[v], la unin base-colector llega a
polarizarse en inversa e Ic alcanza su valor completo,
determinado por la relacin Ic= Ib siendo la ganancia de
corriente del transistor el cual debe tener valores cercanos a
hfe. En este punto, los valores de Ic se mantienen casi
constantes mientras que Vce continua creciendo.

FAMINLIA DE CURVAS DE COLECTOR

0.01
0.01
0.01
0.01
Ib 1

0.01

Ic[A]
Sabiendo esto podemos hallar :

cd Ib1
107,8121
26
170,6201
08
175,0710
67
175,5656

cd Ib2
121,9621
79
174,4770
8
179,6304
12
180,1212

cd Ib3
13,61714
92
17,39316
9
17,54968
79
17,62794

Ib 2

Ib 3

0
0
0
0

Vce[v]
Constituyendo una familia de curvas del colector para el
transistor 2N2222A; siendo Ib3 < Ib1< Ib 2

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Podemos observar que existe una regin de saturacin donde

crece Ib e Ic y Vce permanece constante.
Por otra parte para observar las aplicaciones de un transistor
ms experimentalmente se envi un pulso cuadrado en el
circuito mostrado:

En dos situaciones distintas:

1. Con :
Tiempo de encendido de th=10s
Tiempo de apagado de tl=90s
Periodo T=100s
Ciclo til=10%
Obteniendo las siguientes graficas en el osciloscopio:

2. Con:
Tiempo de encendido de th=1s
Tiempo de apagado de tl=9s
Periodo T=10s
Ciclo til=10%
Obteniendo las siguientes graficas en el osciloscopio:

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Cuando
se
tienen
frecuencias
elevadas se deben tener en cuenta los
tiempos de conexin y desconexin,
que son los que invierte el transistor
en pasar de corte a saturacin y
viceversa respectivamente

ANEXO No. 1

Cuando la onda cuadrada est en 0 [v] el transistor est en

corte y no hay corriente en el colector, si tuviramos por
ejemplo un led en este circuito esto implicara que no emita
luz, cuando la onda cuadrada pasa a su nivel ms alto el
transistor se satura lo que implicara en el caso hipottico del
led que este se polariza en directa y la corriente del colector
hara que este encendiera. En conclusin teniendo tiempos de
conexin que seran las dos ltimas graficas de cada caso y de
desconexin que seran las dos primeras.

V.

CONCLUSIONES

Es importante reconocer desde el

inicio del laboratorio en el transistor
quien es la base, el transistor y quien
es el emisor
Un transistor se puede utilizar como
interruptor de c.c cuando trabaja
exclusivamente en corte y saturacin.
Un circuito trabajando en forma de
conmutacin se puede emplear para
conectar y desconecta la tensin a
una carga o para una salida que sirva
como entrada a otro circuito

VI.

BIBLIOGRAFA

FLOYD L. Thomas. Dispositivos electrnicos.3ra

edicin.Mexico.pags174-194.

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http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_bipolar.htm
https://electronicavm.files.wordpress.com/2011/02/transistoren-conmutacic3b3n.pdf