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Transistor Bipolar - comportamento no-linear

n p (0 ) = n p 0 e

V BE
VT

n p (WB ) = n p 0 e

V BC
VT

Se a variao de eltrons-buraco pequena na base a variao da concentrao constante


J n = qDn

I C = AqDn

definindo I s =

n p ( 0)
WB

dn p ( x)

IC =

dx

J n = qDn

AqDn n p 0

AqDn ni2 AqDn ni2


=
WB N D
QB

WB

V BE
VT

n p ( 0)
WB

V BE

AqDn ni2 VT
e
IC =
WB N D

valores ttpicos de 10-14 a 10-16 A

QB concentrao de dopante por unidade de rea de emissor, Dn dopagem uniforme.


1

Corrente de base

Portadores injetados ( lacunas) da base para emisssor

I B1 =

qAD p

I B1 = qA

onde p nE (0) = p nE 0 e

p nE (0)

Lp

D p p nE 0
Lp

V BE
VT

I B1 = qA

V BE
VT

D pn2
i

Lp ND

V BE
VT

Recombinao de portadores ( eltrons ) na base


Qe = qA

n p ( 0) W B

I B2 =

Qe

= qA

n p ( 0) W B

2 n

V BE

n p0 WB
I
=
qA
e VT
B
2 n

I B 2 = qA

n 2 WB
i

2 n N A

V BE
VT

Portanto,

D p n 2 n 2 WB

i
+ i
I B = I B1 + I B 2 I B = qA
L
N
p D 2 n N A

V BE
VT
e

Relao entre corrente de base e de coletor

IC e

F =

V BE
VT

IB e

1
D p WB N A
+
2 b Dn Dn L p N D
WB2

V BE
VT

F =

IC
IB

ND

W B , N
A

F CI 50 500
transistores laterais 10 100

Corrente de emissor

I
I
I E = IC + I B = IC + C = C

F =

F
1+ F

Considerando a expresso com os parmetros fsicos:

F =

onde

F =

1
T
D p WB N A
1+
+
2 b Dn Dn L p N D
WB2

1
W B2
1+
2 b Dn

fator de transporte na base

1
eficincia de injeo de emissor
D p WB N A
1+
Dn L p N D

Modelo equivalente do transistor para a regio ativa

Valores tpicos de VBE : 0,6 - 0,7 V.


Variao tpica de VBE com a temperatura de -2mV/oC

Efeito Early

I C
VCE

IC =

V
qAD n n i2
exp BE
QB
VT

I dQB
I C
= C
QB dVCE
VCE

Para uma dopagem de base uniforme QB =WBNA :


I dW B
I C
= C
WB dVCE
VCE

VA =

IC
I C
VCE

dWB
variaes pequenas para junes polarizadas reversamente cte
dVCE
transistores de base estreita tem IC com grande dependncia de VCE

onde VA tenso de Early

IC = I S e

V BE
VT

V
1 + CE
VA

Utiliza-se VBE cte.

Regio de saturao
Juno base-emissor e juno base-coletor polarizadas diretamente
VCE 0,05-0,3V

dependncia da corrente de coletor com VCE

Aumento da corrente de base beta forado < F

carga acumulada + injeo de lacuna para dentro do coletor


-

Quanto menor for feito forado com relao a F mais saturado est o transistor

- inclinao de IC-VCE na regio de saturao determinada principalmente pela


resistncia srie da regio neutra de coletor.

Modelo mais preciso se utilizar resistores em srie com a fonte VCE(SAT)


- valores tpicos 20 -500 dependendo do processo.

Modelo EBERS-MOLL

- Superposio da contribuio np1(x) e np2(x)

V BE

V
Uma corrente resulta de np1(x) I ES = I ES e T 1

IES corrente de saturao da juno base-emissor.

VBC

A corrente resultante de np1(x) I CR = I CS e T 1

IES corrente de saturao da juno base-coletor.

Assim,

V BC

V BE

I C = F I ES e T 1 I CS e T 1

V BC

V BE

I E = I ES e T 1 + R I CS e T 1

R razo entre IE/IC quando o transistor estiver operando invertido ( Juno BE polarizada
reversamente e juno BC polarizada diretamente). Valores entre 0,5-0,8.
Assim, o ganho de corrente reverso R ser:

R =

R
1R

valores entre 1 e 5

Considerando:

V BE

I F = I ES e T 1

V BC

V
I R = I CS e T 1

Tem-se:
IC = F I F I R
I C = I F + R I R
I B = (1 F ) I F + (1 + R ) I R

Considerando a identidade IS =FIES e se pode demonstrar que:

FIES =RICS = IS condio de reciprocidade

V BC

V BE

V
IS V
I C = I S e T 1
e T 1

V BC

V BE

IS
VT
1 + I S e T 1
IE =
e
F

Tenso de ruptura no transistor

Configurao base-comum.

F =

IC
> 1 para VCB > 60 V
IE

neglignciando as correntes de fuga


I C = F I E M

I C = F I E

1
V
1 CB
BVCBO

Configurao emissor-comum
Anlise mais sutil lacunas gerados so varridas para a base.
I B = ( I C + I E ) I C =

M F
IB
1 M F

onde para IC para MF =1


resolvendo para VCB VCE, se tem:
8

F
V
1 CEO
BVCBO

=1

BVCEO

BVCEO
n

juno plana sem efeito de bordas

Valores medidos so menores para junes reais:


Para valores tpicos F=100 e n=4 tem-se:
medido BVCEO 0,5 BVBCO
calculado BVCEO 0,3 BVBCO
O valor de F a ser utilizado para o clculo acima o de pico

Ruptura da juno base-emisstor


- menor devido a dopagem maior de emissor
- valores tpicos de 6 a 8 V pode ser utilzado como diodo zener.
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Dependncia de F com as condies de operaes

Variao com a temperatura +7000ppm/OC


Regio I - em baixas correntes F
Regio II - mdias correntes F cte
Regio III - altas correntes F

Gummel plot.
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Elementos parasitas

Resistncia de coletor - limita a potncia do transistor e a frequncia de


operao.

Resistncia de emissor - predomina a resistncia de contato ( da ordem de 1).


Reduz a tenso vista pela juno base-emissor.

Resistncia de base - muito importante, principalmente em pequenos sinais.

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Modelo Ebers-Moll esttico.

V BE

I CC = I S e T 1

V BC

I EC = I S e T 1

I CT = I CC I EC

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