UNIVERSIDAD TECNOLGICA ISRAEL

CARRERA: INGENIERA ELECTRNICA

MATERIA: ELECTRNICA II

TEMA: JFET ORGANIZADOR GRFICO

NOMBRE: FRANKLIN CRUZ

NIVEL: SPTIMO B

FECHA DE ENTREGA: 18-10-2016

Transistor de Efecto
de Campo FET

Es un transistor que se basa en el campo elctrico para controlar la forma y la conductividad de un canal que
transporta un solo tipo de portador de carga, hecho de un material semiconductor, por lo que tambin suele ser
conocido como transistor unipolar

TRANSISTOR DE EFECTO
DE CAMPO DE UNIN JFET

Es un transistor de tres
terminales que puede ser usado
como interruptor
electrnicamente controlado,
amplificador o resistencia
controlada por voltaje.

TRANSISTOR DE EFECTO
DE CAMPO
SEMICONDUCTOR DE
XIDO METLICO MOSFET

Es un transistor utilizado para

amplificar o conmutar seales
electrnicas. Usado en
microelectrnica.

TRANSISTOR DE EFECTO
DE
CAMPO
SEMICONDUCTOR
METLICO - MESFET

Es muy similar a un JFET en

construccin y terminologa. La
diferencia es que en lugar de utilizar
una unin pn para la compuerta,
utiliza una union Schottky (metal semiconductor)

JFET

CARACTERSTICAS

Dispositivo de tres
terminales
DRENAJE (D)
FUENTE (S)
COMPUERTA (G)

Son ms estables a cambios de

Temperatura comparado con
un BJT

DOS TIPOS

CANAL TIPO N

CANAL TIPO P
Son controlados por
VOLTAJE
Son ms pequeos
comparados con un BJT
Tiene ALTA
IMPEDANCIA

JFET

CARACTERSTICAS
INTERNAS

CARACTERSTICAS DE
TRANSFERENCIA

La corriente mxima se define como IDSS y

ocurre cuando VGS = 0 V y VDS = |Vp|

Las caractersticas de transferencia definidas por la

ecuacin de Shockley no se ven afectadas por la red
en la cual se emplea el dispositivo.

Para los voltajes de la compuerta a la fuente

VGS menores que (ms negativos que) el nivel
de estrangulamiento, la corriente de drenaje es
de 0 A (ID = 0 A)

Para todos los niveles de VGS entre 0 V y el

nivel de estrangulamiento, la corriente ID
oscilar entre IDSS y 0 A

Cuando VGS = 0V , ID = IDSS

Cuando VGS = Vp , ID = 0 mA

JFET

ECUACIN DE
SHOCKLEY

MTODO
ABREVIADO

Se obtiene la curva de transferencia

con los valores de IDSS y Vp.

Se pueden determinar ms puntos, pero con solo

usar 4 puntos se puede trazar la curva de
transferencia con un nivel de precisin adecuado
Utilizando la tabla de abajo:

Se definen los lmites de la curva en

ambos ejes y solo requiere localizar
algunos puntos intermedios.
VGS = 0V , ID = IDSS
VGS = Vp , ID = 0 mA

JFET

VALORES
NOMINALES

REGIN DE OPERACIN

Los voltajes mximos entre terminales

especficas, los niveles de corriente
mximos y el nivel de disipacin de
potencia mximo del dispositivo.

La hoja de especificaciones y la curva

definida por los niveles de estrangulamiento
en cada nivel de VGS definen la regin de
operacin

Los niveles mximos especificados para

VDS y VDG no deben ser excedidos en
cualquier punto del diseo

La regin hmica define los valores

mnimos permisibles de VDS en cada
nivel de VGS y VDSmx especifica el
valor mximo para este parmetro

La potencia se la define como

PD = VSD * ID

La corriente de saturacin IDSS es

la corriente de drenaje mxima

El nivel de disipacin de potencia

mximo define la curva trazada

BIBLIOGRAFA

Boylestad, R., Nashelsky, L. (2009). Transistores de Efecto de Campo. Electrnica:

Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos (pp. 368 - 384). Mxico: PEARSON
EDUCACIN