UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERA ELECTRICA Y ELECTRONICA

INFORME DE LABORATORIO
TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR AC
CURSO: LABORATORIO DE COMPONENTES Y DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS
PROFESOR: SANCHEZ HERNANDEZ, JAIME ELOY
INTEGRANTES Y CODIGO:
ALIAGA PAUCAR LUIS ENRIQUE
ALVARIO COSAR JHYMER JOSUE
RIVAS MAZA LUIS
L

2016-A
TRANSISTOR COMO APMPLIFICADOR AC

1423115025
1029210075
1423125222

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CICLO 2016 - A
I.

OBJETIVOS

Determinar las caractersticas de los componentes a

utilizar mediante el manual de reemplazos, as como los
anlisis de ohmmiaje a travs del ohmmetro.
Montaje del circuito amplificador.
Anlisis de seccin contina as como de corriente.
Determinar el punto Q o punto de trabajo del transistor.
Determinar el voltaje colector-emisor.
Amplificacin del osciloscopio y del generador de seales
para determinar la ganancia de tensin.
Graficas de las seales obtenidas.
II.
III.

RELACION DE MATERIALES, EQUIPOS E INSTRUMENTOS

Transistor BC548-BC547
Potenciometro de 50 k
Resistencias de 2,2 K - 3,3 k - 6,8 k
Condensadores electrolticos
1. (02) condensadores de 1F (50 VCD)
2. (01) condensador de 22 F(25-50 VCD)
Multmetro digital
Miliampermetro DC
Osciloscopio de doble trazo (analgico)
Fuente DC variable
Terminales
Manual de reemplazos
Board

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I.

FUNDAMENTO TEORICO

Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en contraposicin. Fsicamente, el

transistor est constituido por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y
colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados NPN y PNP:

Transistores Bipolares npn y pnp

El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora ms fuertemente dopada con
donadores de electrones, siendo su ancho intermedio entre el de la base y el colector. Su
funcin es la de emitir electrones a la base. La base es la zona ms estrecha y se encuentra
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dbilmente dopada con aceptores de electrones. El colector es la zona ms ancha, y se
encuentra dopado con donadores de electrones en cantidad intermedia entre el emisor y la
base.
Condiciones de funcionamiento
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo
B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa.
En esta situacin gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen
atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil dopado, y llegar al colector.
El transistor posee tres zonas de funcionamiento:
1. Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y es transistor
se comporta como una pequea resistencia. En esta zona un aumento adicionar de
la corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, sta depende
exclusivamente de la tensin entre emisor y colector. El transistor se asemeja en su
circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de
corriente, determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la corriente
de base corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi
independiente de la tensin entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el
diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar
polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a
mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de
colector es prcticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su
circuito C-E como un interruptor abierto.

Aplicaciones
1. Amplificador: La seal entra por la base y sale por el colector.
2. Oscilar: Genera o produce una determinada seal.
3. Conversor - mezclador: Mezcla dos seales y entrega una tercera.

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II.

DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA
Anlisis de los componentes a usar

1) Resistencia Rc

Valor terico = 5.6 k

Valor prctico =5.32 k

2) Resistencia Rb

Valor terico = 3.3 k

Valor prctico = 3.123 k

3) Potencimetro Re

Valor terico = 2.2 k

Valor prctico =2 k

4) Potencimetro P1

Valor terico = 50 k
Valor prctico = 49.8 k

5) Medir terminales

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6) Determinacin de caractersticas del transistor.

Voltaje de colector - base = 0.669V

Voltaje del emisor - base = 0.672V
Uso del manual

TRANSISTOR
BC548

REEMPLAZO
ECG-123AP

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Caractersticas del diodo en el manual:

Smbolo :

Forma fsica

Funcin : Audiofrecuencia(AF) , radiofrecuencia(RF) y excitador( Driver).

Material : SILICIO (Si)

Tipo : Transistor NPN.

Voltaje de colector base : 75 v.

Voltaje de colector emisor : 40 v.

Voltaje de emisor base : 6 v.

Corriente mxima del colector: 6 A.

Frecuencia : 300MHz.

Aumento de corriente: 200 typ.

Mxima potencia del dispositivo: 500 Watt. ( T =25 C).

7) Pruebas del transistor.

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El terminal que marca mayor voltaje es el emisor.

El terminal que marca menor voltaje es el colector.
El terminal que no se mueve es la base.

8) Montaje de circuito y diagrama.

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El voltaje colector emisor debe ser la mitad de la tensin de la fuente

V FUENTE (V)

VCE (V)

VB (V)

VE (V)

VC (V)

IB (mA)

IE (mA

IC (mA

12.36

6,35

2.29

1.664

0.001

0.79

0.791

Calibrar el osciloscopio y conectar con el generador

GENERADOR DE
SEAL
OSCILOSCOPIO

ONDA SENO

F= 1.5 KHZ

ATENUADOR
0 DB

CH1 20 mv / Div

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Conexin de los 2 condensadores electroliticos de 1mf en el circuito.

GENERADOR
OSCILOSCOPIO
AMPLIFICADOR AC

ONDA SENO
CH1
CH2
VCE = 6.35 V

1500 HZ
20 mv / Div
5 v/Div

0 dB
Vpp = 60mv
Vpp = 7v

Montaje del circuito

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Seal del CH1 (Entrada vpp 60 mv)

PONER FOTO DE LAS 2 SEALES

NICK TU TIENES LA FOTO,,,,,SIN LO
TIENES DIBUJENLO

Calculo de la ganacia
V
A V = OUT
V
AV =

7V
=116.16
60 mV

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III.

CONCLUSIONES

IV.

BIBLIOGRAFIA

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