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TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Modul
IGBT-Module

F3L75R12W1H3_B27

VCES = 1200V
IC nom = 75A / ICRM = 150A
TypischeAnwendungen
3-Level-Applikationen
SolarAnwendungen

TypicalApplications
3-level-applications
Solarapplications

ElektrischeEigenschaften
HighSpeedIGBTH3
NiederinduktivesDesign
NiedrigeSchaltverluste
NiedrigesVCEsat

ElectricalFeatures
HighspeedIGBTH3
Lowinductivedesign
Lowswitchinglosses
LowVCEsat

MechanischeEigenschaften
3kVAC1minIsolationsfestigkeit
Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
KompaktesDesign
PressFITVerbindungstechnik
Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern

MechanicalFeatures
3kVAC1mininsulation
Al2O3substratewithlowthermalresistance
Compactdesign
PressFITcontacttechnology
Rugged mounting due to integrated mounting
clamps

ModuleLabelCode
BarcodeCode128

DMX-Code

preparedby:CM

dateofpublication:2016-04-04

approvedby:AKDA

revision:V3.2

ContentoftheCode

Digit

ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)

1-5
6-11
12-19
20-21
22-23

ULapproved(E83335)
1

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module

F3L75R12W1H3_B27

IGBT,T1-T4/IGBT,T1-T4
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage

Tvj = 25C

ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent

VCES

1200

 V

ICN

75

 A

Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent

TC = 100C, Tvj max = 175C


TC = 25C, Tvj max = 175C

IC nom

IC

30
45

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent

tP = 1 ms

ICRM

150

 A

Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation

TC = 25C, Tvj max = 175C

Ptot

275

 W

VGES

+/-20

 V

Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage

min.

IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

VCE sat

A
A

typ.

max.

1,45
1,55
1,60

1,70

V
V
V

5,80

6,50

Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage

IC = 2,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C

Gateladung
Gatecharge

VGE = -15 V ... +15 V

QG

0,57

InternerGatewiderstand
Internalgateresistor

Tvj = 25C

RGint

0,0

Eingangskapazitt
Inputcapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cies

4,40

nF

Rckwirkungskapazitt
Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cres

0,235

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent

VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C

ICES

1,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C

IGES

100

nA

VGEth

Einschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload

IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 6,8

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload

IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 6,8

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Abschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload

IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 6,8

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload

IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 6,8

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse

IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
Tvj = 25C
VGE = 15 V, di/dt = 2600 A/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C
RGon = 6,8
Tvj = 150C

AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse

5,00

0,03
0,03
0,03

s
s
s

0,01
0,012
0,012

s
s
s

0,25
0,32
0,34

s
s
s

0,025
0,04
0,045

s
s
s

Eon

0,40
0,60
0,70

mJ
mJ
mJ

IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
Tvj = 25C
VGE = 15 V, du/dt = 2400 V/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C
RGoff = 6,8
Tvj = 150C

Eoff

1,05
1,60
1,75

mJ
mJ
mJ

Kurzschluverhalten
SCdata

VGE 15 V, VCC = 800 V


VCEmax = VCES -LsCE di/dt

ISC

270

Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

preparedby:CM

dateofpublication:2016-04-04

approvedby:AKDA

revision:V3.2

tP 10 s, Tvj = 150C

td on

tr

td off

tf

RthJC

0,500 0,550 K/W

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module

F3L75R12W1H3_B27

Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)

RthCH

TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions

Tvj op

0,450
-40

K/W
150

Diode,D1/D4/Diode,D1/D4
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage

VRRM 

Tvj = 25C

Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent

tP = 1 ms

Grenzlastintegral
It-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C


VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C

1200

 V

IF

30

 A

IFRM

50

 A

It

90,0
75,0

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

As
As

typ.

max.
2,40

VF

1,85
1,90
1,90

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

IRM

72,0
80,0
82,0

A
A
A

IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/s (Tvj=150C)


VR = 400 V
VGE = -15 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Qr

2,35
2,85
3,70

C
C
C

IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/s (Tvj=150C)


VR = 400 V
VGE = -15 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Erec

0,80
1,30
1,35

mJ
mJ
mJ

RthJC

0,950 1,05 K/W

Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)

RthCH

0,850

TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions

Tvj op

Durchlassspannung
Forwardvoltage

IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Rckstromspitze
Peakreverserecoverycurrent

IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/s (Tvj=150C)


VR = 400 V
VGE = -15 V

Sperrverzgerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

preparedby:CM

dateofpublication:2016-04-04

approvedby:AKDA

revision:V3.2
3

-40

V
V
V

K/W
150

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module

F3L75R12W1H3_B27

IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage

Tvj = 25C

VCES

650

 V

Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent

TC = 80C, Tvj max = 175C


TC = 25C, Tvj max = 175C

IC nom

IC

30
45

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent

tP = 1 ms

ICRM

60

 A

Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation

TC = 25C, Tvj max = 175C

Ptot

150

 W

VGES

+/-20

 V

Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage

min.

IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

VCE sat

A
A

typ.

max.

1,55
1,70
1,80

2,00

V
V
V

5,80

6,50

Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage

IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C

Gateladung
Gatecharge

VGE = -15 V ... +15 V

QG

0,30

InternerGatewiderstand
Internalgateresistor

Tvj = 25C

RGint

0,0

Eingangskapazitt
Inputcapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cies

1,65

nF

Rckwirkungskapazitt
Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cres

0,051

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent

VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C

ICES

1,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C

IGES

100

nA

VGEth

Einschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload

IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 10

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload

IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 10

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Abschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload

IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 10

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload

IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 10

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse

IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
Tvj = 25C
VGE = 15 V, di/dt = 2600 A/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C
RGon = 10
Tvj = 150C

AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse

4,90

0,022
0,025
0,025

s
s
s

0,01
0,012
0,012

s
s
s

0,16
0,18
0,185

s
s
s

0,025
0,037
0,04

s
s
s

Eon

0,34
0,50
0,53

mJ
mJ
mJ

IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
Tvj = 25C
VGE = 15 V, du/dt = 4700 V/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C
RGoff = 10
Tvj = 150C

Eoff

0,85
1,15
1,20

mJ
mJ
mJ

Kurzschluverhalten
SCdata

VGE 15 V, VCC = 360 V


VCEmax = VCES -LsCE di/dt

ISC

210
150

A
A

Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

tP 8 s, Tvj = 25C
tP 6 s, Tvj = 150C

td on

tr

td off

tf

RthJC

0,900 1,00 K/W

Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)

RthCH

0,850

TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions

Tvj op

preparedby:CM

dateofpublication:2016-04-04

approvedby:AKDA

revision:V3.2
4

-40

K/W
150

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module

F3L75R12W1H3_B27

Diode,D2/D3/Diode,D2/D3
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage

Tvj = 25C

Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent

tP = 1 ms

Grenzlastintegral
It-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C


VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C

VRRM 

650

 V

IF

30

 A

IFRM

60

 A

It

130
115

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

As
As

typ.

max.
1,65

VF

1,45
1,35
1,30

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

IRM

42,0
48,0
50,0

A
A
A

IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/s (Tvj=150C)


VR = 400 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Qr

1,80
2,40
2,60

C
C
C

AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy

IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/s (Tvj=150C)


VR = 400 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Erec

0,45
0,65
0,73

mJ
mJ
mJ

Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

RthJC

1,00

1,20 K/W

Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)

RthCH

0,700

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions

Tvj op

Durchlassspannung
Forwardvoltage

IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Rckstromspitze
Peakreverserecoverycurrent

IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/s (Tvj=150C)


VR = 400 V

Sperrverzgerungsladung
Recoveredcharge

-40

150

V
V
V

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Nennwiderstand
Ratedresistance

TNTC = 25C

AbweichungvonR100
DeviationofR100

TNTC = 100C, R100 = 493

Verlustleistung
Powerdissipation

TNTC = 25C

B-Wert
B-value

R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]

B25/50

3375

B-Wert
B-value

R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]

B25/80

3411

B-Wert
B-value

R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]

B25/100

3433

R25
R/R

5,00
-5

P25

AngabengemgltigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

preparedby:CM

dateofpublication:2016-04-04

approvedby:AKDA

revision:V3.2
5

k
5

20,0

mW

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module

F3L75R12W1H3_B27

Modul/Module
Isolations-Prfspannung
Isolationtestvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

InnereIsolation
Internalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)

AI2O3

Kriechstrecke
Creepagedistance

Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

11,5
6,3

 mm

Luftstrecke
Clearance

Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

10,0
5,0

 mm

> 200

VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex

VISOL 

CTI

min.
Modulstreuinduktivitt
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip

TC=25C,proSchalter/perswitch

Lagertemperatur
Storagetemperature

nH

RCC'+EE'
RAA'+CC'

5,00
6,00

Anpresskraft fr mech. Bef. pro Feder


mountig force per clamp

40

Gewicht
Weight

dateofpublication:2016-04-04

approvedby:AKDA

revision:V3.2
6

max.

30

-40

preparedby:CM

typ.

LsCE

Tstg

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.

 kV

3,0

24

125

80

N
g

TechnischeInformation/TechnicalInformation

F3L75R12W1H3_B27

IGBT-Modul
IGBT-Module

AusgangskennlinieIGBT,T1-T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V

AusgangskennlinienfeldIGBT,T1-T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150C

60

60

50

50

40

40

IC [A]

IC [A]

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

30

30

20

20

10

10

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V

0,0

0,5

1,0

VCE [V]
bertragungscharakteristikIGBT,T1-T4(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T1-T4(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V

2,5

3,0

50

60

3,0
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

50

2,5

40

2,0

E [mJ]

IC [A]

2,0

SchaltverlusteIGBT,T1-T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1-T4(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=15V,RGon=6.8,RGoff=6.8,VCE=400V

60

30

1,0

10

0,5

0,0

10

VGE [V]
preparedby:CM

dateofpublication:2016-04-04

approvedby:AKDA

revision:V3.2
7

Eon, Tvj = 125C


Eoff, Tvj = 125C
Eon, Tvj = 150C
Eoff, Tvj = 150C

1,5

20

1,5
VCE [V]

10

20

30
IC [A]

40

TechnischeInformation/TechnicalInformation

F3L75R12W1H3_B27

IGBT-Modul
IGBT-Module

SchaltverlusteIGBT,T1-T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1-T4(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=15V,IC=30A,VCE=400V

TransienterWrmewiderstandIGBT,T1-T4
transientthermalimpedanceIGBT,T1-T4
ZthJH=f(t)

4,0

10
Eon, Tvj = 125C
Eoff, Tvj = 125C
Eon, Tvj = 150C
Eoff, Tvj = 150C

ZthJH : IGBT

ZthJH [K/W]

E [mJ]

3,0

2,0

1,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,032 0,062 0,312 0,543
i[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2

0,0

10

20

30
40
RG []

50

60

0,1
0,001

70

SichererRckwrts-ArbeitsbereichIGBT,T1-T4(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1-T4(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=15V,RGoff=6.8,Tvj=150C

0,01

0,1
t [s]

10

DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)
IF=f(VF)

70

50
IC, Modul
IC, Chip

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

45

60
40
50

35
30
IF [A]

IC [A]

40

30

25
20
15

20

10
10
5
0

200

400

600
800
VCE [V]

1000

1200

1400

preparedby:CM

dateofpublication:2016-04-04

approvedby:AKDA

revision:V3.2
8

0,0

0,5

1,0

1,5
VF [V]

2,0

2,5

3,0

TechnischeInformation/TechnicalInformation

F3L75R12W1H3_B27

IGBT-Modul
IGBT-Module

SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(IF)
RGon=10,VCE=400V

SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=400V

2,0

1,6
Erec, Tvj = 125C
Erec, Tvj = 150C

1,8

Erec, Tvj = 125C


Erec, Tvj = 150C

1,4

1,6
1,2
1,4
1,0
E [mJ]

E [mJ]

1,2
1,0
0,8

0,8
0,6

0,6
0,4
0,4
0,2

0,2
0,0

0,0

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
IF [A]

TransienterWrmewiderstandDiode,D1/D4
transientthermalimpedanceDiode,D1/D4
ZthJH=f(t)

10

20

30

40

50 60
RG []

70

80

90

100

AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V

10

60
ZthJH: Diode

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

54
48
42

IC [A]

ZthJH [K/W]

36
1

30
24
18
12

i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,15
0,323 0,739 0,588
i[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2

0,1
0,001

0,01

0,1
t [s]

6
0

10

preparedby:CM

dateofpublication:2016-04-04

approvedby:AKDA

revision:V3.2
9

0,0

0,5

1,0

1,5
VCE [V]

2,0

2,5

3,0

TechnischeInformation/TechnicalInformation

F3L75R12W1H3_B27

IGBT-Modul
IGBT-Module

AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150C

bertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V

60

60
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V

54

48

42

42

36

36
IC [A]

IC [A]

48

30

30

24

24

18

18

12

12

0,0

0,5

1,0

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

54

1,5

2,0

2,5 3,0
VCE [V]

3,5

4,0

4,5

5,0

SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=15V,RGon=10,RGoff=10,VCE=400V

8
9
VGE [V]

10

11

12

SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=15V,IC=30A,VCE=400V

2,5

4,0
Eon, Tvj = 125C
Eoff, Tvj = 125C
Eon, Tvj = 150C
Eoff, Tvj = 150C

Eon, Tvj = 125C


Eoff, Tvj = 125C
Eon, Tvj = 150C
Eoff, Tvj = 150C

3,5

2,0
3,0
2,5
E [mJ]

E [mJ]

1,5

1,0

2,0
1,5
1,0

0,5
0,5
0,0

10

20

30
IC [A]

40

50

0,0

60

preparedby:CM

dateofpublication:2016-04-04

approvedby:AKDA

revision:V3.2
10

10

20

30

40

50 60
RG []

70

80

90

100

TechnischeInformation/TechnicalInformation

F3L75R12W1H3_B27

IGBT-Modul
IGBT-Module

TransienterWrmewiderstandIGBT,T2/T3
transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3
ZthJH=f(t)

SichererRckwrts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=15V,RGoff=10,Tvj=150C

10

70
ZthJH: IGBT

IC, Modul
IC, Chip

60

40
IC [A]

ZthJH [K/W]

50

30

20

10

i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,142 0,309 0,719 0,58
i[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2

0,1
0,001

0,01

0,1
t [s]

10

DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)
IF=f(VF)

100

200

300
400
VCE [V]

500

600

700

SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(IF)
RGon=6.8,VCE=400V

60

1,00
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

55

Erec, Tvj = 125C


Erec, Tvj = 150C

0,90

50

0,80

45
0,70

40

0,60
E [mJ]

IF [A]

35
30
25

0,50
0,40

20

0,30

15
0,20

10

0,10

5
0

0,0

0,5

1,0
VF [V]

1,5

0,00

2,0

preparedby:CM

dateofpublication:2016-04-04

approvedby:AKDA

revision:V3.2
11

10

20

30
IF [A]

40

50

60

TechnischeInformation/TechnicalInformation

F3L75R12W1H3_B27

IGBT-Modul
IGBT-Module

SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=400V

TransienterWrmewiderstandDiode,D2/D3
transientthermalimpedanceDiode,D2/D3
ZthJH=f(t)

0,90

10
Erec, Tvj = 125C
Erec, Tvj = 150C

0,80

ZthJH: Diode

0,70

ZthJH [K/W]

E [mJ]

0,60
0,50
0,40

0,30
0,20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,25
0,3
0,5 0,65
i[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2

0,10
0,00

10

20

30
RG []

40

50

0,1
0,001

60

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp

R[]

10000

1000

100

20

40

60

80
100
TNTC [C]

120

140

160

preparedby:CM

dateofpublication:2016-04-04

approvedby:AKDA

revision:V3.2
12

0,01

0,1
t [s]

10

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module

F3L75R12W1H3_B27

Schaltplan/Circuitdiagram

Gehuseabmessungen/Packageoutlines

Infineon

preparedby:CM

dateofpublication:2016-04-04

approvedby:AKDA

revision:V3.2
13

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module

F3L75R12W1H3_B27

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