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Design Radio Frquence


3A Microlectronique

VDD

RL

RL

vIF

Mi1

Mi2

Mi3

I0
+ iRF
2
Mt1

I0
iRF
2
Mt2

vLO

vRF

I0

Design RF J.M. Dutertre 2007

Mi4

Design RF

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3A Micro

Design RF

3A Micro

Design Radio Frquence.


I.

Introduction.

Les systmes Radio Frquence (RF) sont dune grande complexit. Cette complexit est lie
en partie au grand nombre de transistors contenus dans ces circuits (jusqu plusieurs
millions) mais galement lensemble des concepts techniques mis en uvre.
Larchitecture "classique" dun systme RF (cf. figure I.1) peut se dcomposer sommairement
entre une partie RF et une partie bande de base (Base Band ou BB en anglo-amricain1).

Antenne

Partie
RF

Partie
Bande de
Base

Fig. I.1 Traitement analogique.


La partie RF (ou Front End RF) traite des signaux analogiques (et ce mme si la modulation
utilise est dite numrique) des frquences leves, leur spectre nest pas centr sur zro ;
par opposition avec la bande de base qui traite des signaux BF (basse frquence) ayant un
spectre centr sur, ou proche de, lorigine. La bande de frquence RF stend de quelques
centaines de kHz quelques GHz.
Si la partie bande de base est la plus complexe en terme de nombre de transistors, cest
cependant la partie RF la plus difficile concevoir. Cette dernire fait en effet appel des
domaines dtudes multidisciplinaires (thorie du signal, approche systme, design,
technologie de fabrication, etc.) ; les choix de design rsultent le plus souvent de compromis
entre des contraintes plus ou moins antagonistes (bruit, puissance, consommation, gain,
linarit, etc.) pour lesquels il nexiste pas de critres de choix totalement objectifs.
Enfin, les outils de CAO sont peu faciles utiliser et pas toujours bien adapts. Ils doivent
prendre en compte les problmes de non linarits, de translation de frquence, de variation
des modles dans le temps, etc. Ainsi, lanalyse frquentielle classique de type AC propose
par Spice, qui utilise des modles linariss autour dun point de polarisation et invariants
dans le temps, nest elle pas adapte ltude des systmes RF. Des outils spcifiques de
simulation RF ont t dvelopps tels que Spectre RF pour Cadence et Harmonic Balance
pour Agilent ADS.
1

Les termes techniques de ce cours sont le plus souvent donns en langue anglaise, selon la terminologie
rencontre dans les notes techniques, et les publications et la littrature scientifiques.
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Choix du format de transmission : analogique / numrique ?


Architecture analogique (approche historique) : un metteur rcepteur RF comporte un
metteur (ou transmitter) aussi appel chane Tx (cf. figure I.2). Trs schmatiquement, le
signal issu dun micro est modul et translat la frquence dune porteuse RF, puis amplifi
avant dattaquer lantenne.

Modulation

PA

Micro.
Ampli. de puissance
PA : Power Amplifier

porteuse RF
(100aine Hz  2,5 GHz)

Fig. I.2 Emetteur RF analogique.


Il comporte galement un rcepteur (ou receiver) parfois appel chane Rx (cf. figure I.3).
downconverter
LNA

Dmodulation

translation vers les


frquences basses

Ampli. faible bruit


LNA : Low Noise Amplifier

ampli.
audio
H. P.

porteuse

Fig. I.3 Rcepteur RF analogique.


Le signal RF capt par lantenne est amplifi par un amplificateur faible bruit, translat vers la
bande de base par le "downconverter", puis dmodul et amplifi avant dattaquer un haut
parleur.
La contraction de "transmitter"et de "receiver" donne le terme "transceiver" utilis pour
dsigner un metteur rcepteur.
Larchitecture des transceiver analogiques comporte peu de composants, ils sont
"relativement simples" concevoir.

Architecture numrique :

CAN

Compression

Codage Entrelacement

upconverter
CNA

translation vers la
frquence RF

Numrisation
de la voix

Partie numrique

porteuse RF

Fig I.4 Emetteur RF numrique.


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PA

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Un transceiver RF numrique transmet un signal RF analogique modul numriquement. Il


est contitu dune partie mettrice (cf. Fig. I.4) et dune partie rceptrice (cf. Fig. I.5). Elles
comportent toutes deux une partie numrique importante.

LNA

downconverter

Dmodulation

CAN

Dcodage

porteuse

ampli.
audio

CNA

Dcompression

H. P.

Partie numrique

Fig. I.5 Rcepteur RF numrique.


A premire vue larchitecture dun transceiver RF numrique semble bien plus complexe,
cest effectivement le cas.
Cependant les techniques de traitement numrique du signal misent en uvre (codage,
entrelacement, compression, etc.) permettent de minimiser les erreurs de transmission (elles
sont mesures par le BER ou Bit Error Rate, c'est--dire le taux derreur binaire) et de rduire
la bande passante de la transmission en rduisant le dbit des informations transmettre (le
bit rate). Hors, le spectre de frquence disponible est limit, do lintrt den limiter la
partie dvolue chacun des utilisateurs (ce que permet lapproche numrique).
Le design dun transceiver numrique est conceptuellement plus complexe, cependant, les
avantages cits prcdemment (parmi dautres) on fait que lapproche numrique sest
impose.

Objectifs de cours.
Ce cours est ddi une premire approche (rapide) de la conception des front end RF
numriques.
La partie II est ddie la prsentation des concepts de base ncessaires leur tude.
Enfin, la partie III prsente deux blocs lmentaires des front end RF : lamplificateur faible
bruit et le mixer.

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II.

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Concepts de base du design RF.

Ces concepts sont principalement lis ltude des non linarits et du bruit.
II.1. Dfinitions Approximation polynomiale.
Dfinition 1 : Un systme est linaire si sa sortie peut tre donne sous la forme dune
combinaison linaire de rponses des entres simples.
C'est--dire si ayant

x1 (t ) syst

. y1 (t )
x 2 (t ) syst

. y 2 (t )

on a

a.x1 (t ) + b.x 2 (t ) syst

. a. y1 (t ) + b. y 2 (t )

quelles que soient les constantes relles a et b.


Dfinition 2 : Un systme est invariant dans le temps si ayant x(t ) syst

. y (t )

. y (t ) et ceci quel que soit rel.


alors on a x(t ) syst

Dfinition 3 : Un systme est sans mmoire si sa sortie ne dpend pas des entres
prcdentes.
Dans le cadre de ce cours, les systmes RF considrs sont sans mmoire, variants dans le
temps et non linaires (jusqu lordre 3). Leur sortie est modlise par une fonction
x(t ) syst

. y (t ) = a1 .x(t ) + a 2 .x 2 (t ) + a3 .x 3 (t )

polynomiale dordre 3 :

A noter que les coefficients ai=1, 2, 3 dpendent gnralement du temps.

II.2. Les effets non linaires.


a La distorsion harmonique.
Un signal sinusodal appliqu en entre dun systme non linaire produit en sortie des
harmoniques multiples de la frquence dentre (en plus dune composante continue et du
fondamental), cf. figure II.1.
fondamental

systme

H2
fondamental

DC

non linaire

H3

f (MHz)

2f

Fig. II.1 Distorsion harmonique.


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3f

f (MHz)

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Avec

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x(t ) = A. cos(t )

le signal dentre, on obtient en sortie (cf. approximation

y (t ) = a1 . A. cos(t ) + a 2 . A 2 . cos 2 (t ) + a3 . A 3 . cos 3 (t )

polynomiale) :

cos 2 (t ) =

et d'aprs

1 + cos(2t )
2

1
cos 3 (t ) = .[3 cos(t ) + cos(3t )]
4
On trouve

y (t ) =

3a A3
a A3
a2 A2
a A2
+ a1 A + 3 cos(t ) + 2 cos(2t ) + 3 cos(3t )
23
4
244244
12
3 1444244
3
1444
424444
3 1
DC
harmonique d 'ordre 2
harmonique d 'ordre 3
fondamenta l

H2

H3

On constate (en gnralisant au-del de lordre 3) que les harmoniques dordre pair
proviennent des coefficients ai avec i pair, ils disparaissent pour les systmes ayant une
caractristique de transfert impaire, par exemple pour une paire diffrentielle (cf. figure II.2).

vout
a2 = a4 = = a2i = 0

vin

Fig. II.2 Systme symtrie impaire.


On constate galement que pour une amplitude A faible les harmoniques dordre n sont
proportionnelles An.

b Compression de gain.
En gnral le calcul du gain en rgime petits signaux (A faible) est effectu en ngligeant les
harmoniques. Ainsi si on considre que tous les termes en An << a1A le gain est a1.
Cependant si lamplitude A augmente on sort de la zone linaire. Et les effets non linaires se
font sentir, en particulier le terme

3a 3 A3
pour le fondamental (on considre un systme
4

symtrie impaire).
Le gain G du fondamental scrit alors :
G = a1 +

3
a3 A 2
4

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Se pose alors la question du signe de a3. Hors, on constate que dans la plupart des cas le gain
tend diminuer pour les amplitudes croissantes do a3 < 0.
Ainsi, le gain est une fonction dcroissante de lamplitude A du signal dentre (car a3 < 0).
On dfinit le point de compression -1 dB comme tant le point de fonctionnement du
systme pour lequel le gain petits signaux est diminu de 1 dB par rapport un systme idal
parfaitement linaire.
La figure II.3 est lillustration graphique de la dtermination du point de compression
-1 dB :
systme idal

systme rel

1 dB

1 dB

20log(Aout)

20log(a1)

1 dB

A-1 dB

20log(A)

point de compression -1 dB

Fig. II.3 Point de compression -1 dB.


On note Aout lamplitude du signal de sortie.
Pour un systme idal (sans distorsion ni compression) on a
Aout = a1 . A
soit

20 log( Aout ) = 20 log(a1 ) + 20 log( A)

Ce qui correspond bien au trac dune droite de pente unitaire pour le cas idal dans une
reprsentation log - log.
Le comportement du systme rel, au fur et mesure que A augmente, sloigne du cas idal
du fait de lapparition du phnomne de compression de gain.
On a alors Aout = a1 . A +

3
a3 .A3
4

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Le calcul du point de compression se dduit de la figure II.3 :


20 log a1 +

3
a3 A21dB + 1dB = 20 log a1
4

A1dB = 0,145

soit

a1
a3

c Dsensibilisation (Desensitization and blocking).


Un signal parasite peut conduire une saturation du rcepteur et ainsi entraner une rduction
de sa sensibilit.
Dans le cas des circuits a3 < 0, en prsence dun signal "utile" avec une amplitude faible et
dun signal interfrant damplitude plus leve :
x(t ) = A1 cos(1t ) + A2 cos( 2t )
14243 14243
signal utile

On exprime

interfrence

3
3

y (t ) = a1 A1 + a3 A13 + a 3 A1 A22 cos(1t ) + ...


4
2

avec A1 << A2
on a alors

y (t ) a1 + a3 A22 A1 cos(1t ) + ...


2 44
1442
3
fonction dcroissante A2

Une valeur leve de A2 peut donc conduire une chute du gain importante, voire mme
son annulation, dans ce dernier cas le signal utile est dit bloqu.

d Modulation croise (cross modulation).


On appelle modulation croise le transfert de la modulation dun signal dinterfrence vers le
signal utile.
Dans le cas o lamplitude du signal utile est largement infrieure lamplitude du signal
dinterfrence (A1 << A2) et o le signal interfrant est modul, par exemple en amplitude, tel
quil scrive A2 [1 + m. cos( m t )]cos( 2 t )

m2 m2

3
On obtient y (t ) = a1 + a 3 A22 1 +
+
cos(2 m t ) + 2m cos( m t ) A1 cos(1t ) + ....
2
2
2

Le signal en sortie est modul en amplitude aux frquences m et 2m.

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e Intermodulation.
On parle dintermodulation lorsque le systme engendre des signaux des frquences non
harmoniques (en sus des harmoniques).
Par exemple, dans le cas dun signal dentre "deux tons" aux frquences f1 et f2, on obtient en
sortie dun systme non linaire les harmoniques de f1 et f2 et des termes dintermodulation
aux frquences m.f1 n.f2 (m,n 2).
Lexistence des termes dintermodulation (IM) est problmatique lorsquils sont proches des
fondamentaux f1 et f2, car il est alors difficile de les liminer par filtrage.

Pour

x(t ) = A1 . cos(1t ) + A2 . cos( 2 t )

y (t ) = a1 .[A1 . cos(1t ) + A2 . cos( 2 t )] + a 2 .[ A1 . cos(1t ) + A2 . cos( 2 t )] + a3 .[ ... ]


2

en dveloppant les termes de cette expression on obtient les fondamentaux


f1

3
3

2
2
a1 + a 3 A1 + a3 A2 . A1 cos(1t )
4
2

et f2

3
3

2
2
a1 + a 3 A2 + a3 A1 . A2 cos( 2 t )
4
2

les harmoniques de f1 et f2 non dtaills ici et diffrents termes dintermodulation aux


frquences f1 f2 ; 2f1 f2 ; 2f2 f1 ; etc.
Parmi ceux-ci, ce sont les termes dIM dordre 3 aux frquences
2f1 - f2 :

3
a 3 A12 A2 cos[(21 2 )t ]
4

et 2f2 - f1 :

3
a 3 A22 A1 cos[(2 2 1 )t ]
4

qui nous intressent.

Ils sont en effet les plus significatifs du fait de leur proximit avec les fondamentaux, comme
lillustre la figure II.4 dans le cas o f1 et f2 ont le mme ordre de grandeur.
systme

f
f1

non
linaire

f2

IM3

IM3

f
2f1-f2 f1

f2 2f2-f1

Fig. II.4 Positionnement des termes dIM3 proches des fondamentaux.

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Pour un signal de test tel que A1 = A2 = A, on dfinit le taux de distorsion dIM3 comme le
quotient de lamplitude des termes dIM3 prcdents par lamplitude du fondamental.

Par exemple, pour

a1A = 100 mVpp

(Vpp = tension pic pic ou "peak to peak")

3
a3 A3 = 10 mVpp
4

et

le taux de distorsion dIM3 sera de -20 dBc2.


Le phnomne dintermodulation peut se relever trs gnant en RF. Si on considre le cas de
la figure II.5 ou deux signaux dinterfrence sont situs proximit du canal utile de
rception, on constate quun terme dIM3 est susceptible dapparatre en sortie du LNA en
tant situ dans le canal et donc de dgrader la qualit de la rception..
interfrences

canal
utile

IM3

LNA

Fig. II.5 Illustration du caractre gnant en RF de lIM3.

Linter modulation dordre 3 est caractrise par le point dinterception dordre 3 ou "third
order interception point" : lIP3.
Il est gnralement dfini pour un signal de test deux tons (f1 et f2) tel que A1 = A2 = A et
damplitude suffisamment faible pour que le gain du fondamental soit peu prs gal a1.
Lamplitude du signal de sortie la frquence f1 (idem pour f2) est :
a1 A +
et 2f1 - f2 :

3
3
9
a3 A 3 + a 3 A 3 = a1 A + a 3 A 3 a1 A
4
2
4

(en supposant a1 A >>

9
a3 A3 )
4

3
a3 A3
4

Ainsi, la croissance des fondamentaux est proportionnelle A et celles des IM3 est
proportionnelle au cube de A, c'est--dire trois fois plus rapide en chelle log, comme illustr
figure II.6).

La lettre "c" comme "carrier", la porteuse en anglais, porte en indice des dcibels signifie que ce taux est
calcul par rapport lamplitude de la porteuse prise comme rfrence.
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3
Amplitude du
20 log a3 A3 terme dIM3
4
exprime en dB

log

20log(a1A)
Amplitude du
fondamental
exprime en dB

OIP3

1 dB

Output IP3

1 dB

20log(A)

IIP3

3 dB

Input IP3

1 dB

Fig. II.6 Trac de lIP3 dun systme non linaire.


LIP3 correspond au point pour lequel les amplitudes du fondamental et de lIM3 sont gales.
On dfinit lIIP3 (Input IP3) comme tant lamplitude du signal dentre correspondant
lIP3 et lOIP3 (Output IP3) comme tant lamplitude correspondante en sortie du
fondamental et de lIM3. Un rcepteur sera plutt caractris par son IIP3 et un metteur par
son OIP3 (OIP3 = a1.IIP3).
LIP3 permet de comparer la linarit de diffrents circuits. Plus grande est lIP3, meilleur est
la linarit.

En notant AIP3 lamplitude correspondant lIIP3, on trouve :


a1 AIP 3 =

D'o

AIP 3 =

3
a3 AIP3 3
4

4 a1
.
= IIP3
3 a3

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Attention : dans la pratique lapproximation a1 A >>

9
a 3 A 3 ne tient plus. La dtermination de
4

lIP3 est faite partir de mesures pour A faible, puis par extrapolation en prolongeant les
droites.

LIP3 est un point purement thorique, qui nexiste pas en pratique ; le point de compression
-1dB tant atteins au pralable.

On peut galement calculer lIIP3 par la mesure de la puissance des fondamentaux et des IM3
pour une seule puissance du signal dentre comme illustr figure II.7.
puissance du
terme dIM3
log
puissance du
fondamental
1 dB/dB

OIP3 dBm

P dB

P dB

P
2

dB

f
2f1-f2 f1

f2 2f2-f1

3 dB

Pin dBm IIP3 dBm

1 dB

Fig. II.7 Mesure de lIP3.

Les puissances tant exprimes en dBm3 on trouve graphiquement :


IIP3 dBm =

P
2

dB

+ Pin

dBm

Le dBm est une unit de mesure de puissance, elle est dfinit en annexe p44.

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log

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Mise en cascade dtages non linaires.


Dans les systmes RF on rencontre plusieurs tages non linaires associs en srie, do
lintrt de pouvoir dterminer une IP3 globale.
On considre le circuit de principe de la figure II.8.

y1(t)

x(t)
AIP3, 1

y2(t)
AIP3, 2

AIP3 ?
Fig. II.8 Circuit de principe.
Connaissant les IP3 des deux circuits non linaires, on cherche dterminer lIP3 globale. En
crivant leur approximation polynomiale :
y1 (t ) = a1 .x(t ) + a 2 .x 2 (t ) + a 3 .x 3 (t )
y 2 (t ) = b1 . y1 (t ) + b2 . y12 (t ) + b3 . y13 (t )
on trouve
do

AIP 3 =

y 2 (t ) = a1b1 .x(t ) + (a 3b1 + 2a1 a 2 b2 + a13 b3 )x 3 (t ) + ...


a1b1
4
3 a 3b3 + 2a1 a 2 b2 + a13b3

En considrant un pire cas :

(cf. dfinition prcdente de lIP3)

a 3b1 + 2a1 a 2 b2 + a13 b3 = a3 b1 + 2a1 a 2 b2 + a13b3

et aprs inversion et lvation au carr


3
1
3 a3 b1 + 2a1 a 2 b2 + a1 b3
= .
a1b1
AIP2 3 4

on a

1
1
= 2 +
2
AIP 3 AIP 3, 1

3a2b2
2b1
123

a12
AIP2 3, 2

terme provenant des 2 nd ordres


gnralement en dehors des bandes
de frquence des tages nglig

soit

1
1
a12
=
+
+
AIP2 3 AIP2 3, 1 AIP2 3, 2

a12b12
+ ...
AIP2 3, 3
14243
gnralisation n tages

Bien souvent, le gain des tages est suprieur un, ainsi le facteur le plus critique pour la
linarit de lensemble est la non linarit des derniers tages.
On retiendra que la dgradation globale de lIP3 apporte par un tage dans une chane est
magnifie par le gain de ltage prcdent.
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II.3. Le bruit.
On appellera bruit tout signal alatoire ou dterministe napportant aucune information et qui
perturbe la transmission du signal utile.

On distingue :
-

le bruit dinterfrence (bruit extrieur) : perturbations lectromagntiques, 50 Hz, etc.,

et le bruit intrinsque : propre au circuit considr et ses composants.

Les rappels de cette partie ne concernent que le bruit intrinsque.

But : la finalit des tudes de bruit prsentes est de permettre la dtermination du niveau
minimal pour quun signal soit dtect.

a Modlisation du bruit.
Soit le signal constant bruit u(t), de valeur moyenne U, reprsent au cours du temps (cf.
Fig. II.9) :
u(t)

Fig.II.9 Bruit.

La valeur instantane du bruit est :

u n = u (t ) U

Le bruit a une valeur moyenne nulle. Aussi pour le caractriser considre-t-on sa valeur
quadratique moyenne, qui est non nulle.

Le bruit alatoire, ou statistique, ne se rsume pas un signal sinusodal de frquence unique.


On peut lapprhender comme un ensemble de signaux sinusodaux dont les frquences

On utilisera lindice n comme noise (le bruit en anglais) pour dsigner le bruit.

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couvrent toute une bande de frquence. La puissance moyenne de bruit dpend alors de la
largeur de la bande de frquence considre.

On dfinit la densit spectrale de bruit (Power Spectral Density PSD), Sx(f), une
frquence f dun signal bruit x(t) comme la puissance moyenne de bruit porte par x(t) dans
une bande de frquence de un Hertz autour de f.

Unit : V2/Hz.

Attention : parfois on manipule des V / Hz , il sagit alors de la

de Sx(f).

Densit spectrale de tension de bruit :

u n2
Su ( f ) =
f

en V2/Hz

Densit spectrale de courant de bruit :

in2
Si ( f ) =
f

en A2/Hz

NB : on manipule la densit spectrale de bruit sous la forme dune puissance de bruit


normalise, correspondant la puissance de bruit dissipe par une rsistance de 1 dans une
bande de frquence de 1Hz.

b Les sources de bruit.


On considre trois sources de bruit internes aux circuits :
-

le bruit thermique,

le bruit de grenaille (shot noise),

le bruit en 1 / f (flicker noise).

Le bruit thermique : d lagitation thermique des lectrons dans les rsistances. Cest un
bruit blanc (indpendant de la frquence) qui dpend de R et de T.
Il est modlis par une source de tension de bruit en srie (Fig. II.10) :
Sv ( f )

4kTR

Non bruite

R
bruyante

Bruit blanc

v = S v ( f ).f
2
n

Fig. II.10 Modlisation du bruit thermique.


tel que S v ( f ) = 4kTR (f 0).

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On crira v n2 = 4kTR la tension de bruit (bien quil sagisse rigoureusement du carr de la


tension de bruit) en considrant f = 1Hz.
Pour une rsistance de 1 k on a 4kTR = 4.1,38.10 23.300.1k = 4 nV / Hz (ou encore
1 nV / Hz pour 50).

Attention : le bruit thermique ne concerne que les rsistances relles (ce qui exclu les
rsistances des modles quivalents).
Le choix de la polarit de la source de tension na pas dimportance.

Le bruit de grenaille : li au passage des lectrons travers les jonctions PN. Cest un bruit
blanc.
Densit spectrale de courant de bruit :

S i ( f ) = 2qI

(A2/Hz)

q : charge de llectron
I : courant moyen dans la jonction.

Le bruit en 1/f (ou bruit de scintillement) : li aux dfauts cristallins et aux contaminations
du semi-conducteur. Il tient son nom du fait quil est inversement proportionnel la
frquence ; cest donc un bruit basse frquence.
Il est parfois nglig en RF, mais il faut se mfier des simplifications trop htives car il peut
tre ramen aux frquences utiles par les effets de translation de frquence (en particulier lors
des repliements frquentiels).

Bruit dans les transistors bipolaires :


-

bruit thermique
2
unb

Rb
2
u nb
= 4kTRb

Re

u ne2 = 4kTRe

une2

Fig. II.11 Bruit thermique dans les transistors bipolaires.


Rb et Re sont les rsistances daccs la base et lmetteur.
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bruit de grenaille

inc2
2
inb

2
inb
= 2qI b

inc2 = 2qI c

Fig. II.12 Bruit de grenaille dans les transistors bipolaires.

Bruit dans les MOS :


-

bruit thermique li la rsistance du canal (MOS en saturation) :

2
in2 = 4kT g m
3

in2

Fig. II.13 Bruit thermique du canal.


Attention le facteur 2/3 est empirique, il peut varier en fonction des technologies.

bruit en 1 / f : modlis par une source de tension en srie avec la grille et tel que
v n2 =

K
1
.
C oxWL f

(V2/Hz)

avec K : constante dpendante du process.


Quand on augmente le produit W.L (la surface du MOS) la tension de bruit
v n2 diminue. Pour les applications faible bruit, on utilise souvent des transistors MOS
de grande surface.

Principe de superposition.
Le bruit total la sortie dun circuit est la somme des bruits produits en sortie par chaque
source interne de bruit, en considrant que les sources de bruit sont indpendantes (i.e.
statistiquement non corrles) :
n

2
tot

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= u 2j
j =1

18

Design RF

3A Micro

La valeur quadratique moyenne du bruit total la sortie dun circuit est calcule en
additionnant la contribution de chaque source considre individuellement.

R1

un21

2
utot
= u n21 + u n22 +

R1 + R2

2u n1.u n 2
1
424
3

=0
pour des sources indpendantes
2
utot

R2

= un21 + un22

2
n2

= 4kT ( R1 + R2 )

Fig. II.14 Illustration du principe de superposition.

Bruit dans les circuits bruit ramen en entre.


un2
Circuit
sans
bruit

Circuit
2
n

bruyant

Fig. II.15 Bruit ramen en entre.


Reprsentation par deux sources de bruit (le plus souvent corrles) lentre :
u n2

correspond au bruit lorsque lon court-circuite les entres,

in2

correspond au bruit lorsque les entres sont en circuit ouvert.

Exemple :
VDD
VDD
L1
L1

vin
Zin

vout

u n2

vout

vin

2
nD

in2

NMOS

(a)

(b)

Fig. II.16 Exemple.


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19

Design RF

3A Micro

2
inD
= g m2 u n2

vin en CC :

u n2 =

vin en CO :

2
inD
8kT
=
2
g m 3g m

2
g m2 Z in in2 = inD
2

avec Zin impdance dentre du montage


in2 =

8kT
3 g m Z in

Les deux sources de bruit sont corrles.


Pour Zin leve in2 0 , le bruit peut alors tre reprsent par la seule source de tension de
bruit. En RF, on a frquemment Zin 50 reprsentation utilisant les deux sources.

Filtrage du bruit.
Syst. linaire

Sin ( f )

S out ( f ) = Sin ( f ). H ( f )

H(f)

Sin ( f )

H( f )

S out ( f )

Bruit blanc
f

Fig. II.17 Filtrage du bruit.

c. Figure de bruit Facteur de bruit.

(Noise Figure : NF)

Du fait de son bruit interne, le bruit en sortie dun amplificateur, par exemple, est suprieur au
bruit en entre multipli par son gain en puissance.
On dfinit la figure de bruit (NF) dun circuit par :

NF =

SNRin
SNRout

SNRin
ou parfois : NF = 10 log
SNR

out

La NF permet de caractriser la dgradation dun signal traversant un systme donn.


Pour un circuit idal NF = 1
Pour un circuit rel

NF > 1.

Dfinition alternative :
NF =

valeur quadratique moyenne du bruit en sortie du systme rel


valeur quadratique moyenne du bruit en sortie du systme suppos idal

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20

Design RF

3A Micro

Figure de bruit dune chane de quadriples :


On note Avi les gains en tension et Api les gains en puissance.
Rs

Av1, Ap1

Av2, Ap2

NF1

NF2

vin
Q1

Q2

Fig. II.18 Figure de bruit dune chane de quadriples.


Soit

u ne2 la puissance de bruit disponible en entre de Q1,


2
u nis
1 la puissance de bruit intrinsque Q1 et disponible en sortie de Q1,
2
u nis
2 la puissance de bruit intrinsque Q2 et disponible en sortie de Q2.

Bruit en sortie :
2
2
2
u nout
= u ne2 AP1 AP 2 + u nis
1 AP 2 + u nis 2 (en considrant quil y a adaptation dimpdance

entre les tages)


NFtot =

NF1 =

2
u nout

u ne2 AP1 AP 2

2
u ne2 AP1 + u nis
1

u ne2 AP1

NF2 = 1 +

NFtot =

2
u nis
1

u ne2 AP1

2
u nis
2

u ne2 AP 2

2
2
u ne2 AP1 AP2 + u nis
1 AP 2 + u nis2

u ne2 AP1 AP 2

NFtot = 1 +

2
u nis
1

u ne2 AP1
142
43
NF1

Do

= 1+

NFtot = NF1 +

2
u nis
2

u 2 AP1 AP 2
1ne42
43
NF2 1
AP1

NF2 1 NF3 1
+
+ ...
AP1
AP1 AP 2
14243
gnralisation

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21

Formule de Friis

Design RF

3A Micro

La contribution au bruit total de chaque tage dcrot quand le gain en puissance de ltage
prcdent augmente. Les premiers tages sont les plus sensibles vis--vis du bruit.
Cest la raison pour laquelle on trouve les LNA en tte des chanes de rception des front end
RF.

Figure de bruit dun circuit passif.


Si on dfinit la perte de puissance dun circuit passif par : L =

Pin
Pout

On dmontre quun attnuateur un facteur de bruit correspondant son attnuation : NF = L.


Un attnuateur augmente la NF de ltage suivant.
Exemple :
Rs

Filtre

LNA

vin
NFtot = NF filtre +

NFLNA 1
1
L

NFtot = L + (NFLNA 1).L


NFtot = L.NFLNA

Fig. II.19 Dgradation de la NF due un filtre.


d Sensibilit et dynamique dentre.

Sensibilit dun rcepteur RF.


Cest le niveau minimal du signal dentre dtectable (i.e. pour un rapport signal sur bruit
donn).
A partir de lexpression de la figure de bruit du rcepteur :

NF =
et en crivant

SNRin
SNRout

SNRin =

Psignal
PRS

Avec Psignal puissance du signal dentre


PRS

puissance de bruit de la rsistance de la source


(toutes les deux exprime par unit de frquence)

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22

Design RF

3A Micro

Psignal = PRS .NF .SNRout

on trouve

En notant B la largeur de bande du canal considr


Psig , total = PRS .B.NF .SNRout

on obtient

une expression de la sensibilit exprime comme tant la puissance minimale du signal


dentre permettant dobtenir un SNRout donn.

Pin , min

Ou encore :

dBm

= PRS

dBm / Hz

+ 10 log B + NF

dB

+ SNRout , min

dB

Si on considre quil y a adaptation dimpdance entre la source et lentre du rcepteur


(RS = Rin) :

PRS =

soit en dBm/Hz

4kTRS 1
.
= kT
4
Rin

PRS

dBm / Hz

PRS

dBm / Hz

kT
= 10 log

0,001

avec k = 1,38.10-23 J.K-1

= 174 dBm / Hz temprature ambiante.

La sensibilit dun rcepteur RF adapt en dBm est :

Pin , min

dBm

= 174 dBm / Hz + 10 log B + NF dB + SNRout , min


144444
42444444
3

dB

Bruit de fond
Noise floor : F

Dynamique dentre.
Cest le rapport entre la puissance maximum "supportable" du signal dentre et la puissance
minimale "exploitable" du signal dentre.

Maximum supportable.
La notion de maximum supportable est difficile dfinir. Pour se faire, on la dfini par
rapport aux non linarits, elle correspond au niveau maximal de puissance en entre dun
signal deux tons pour lequel les produits dIM3 ramens en entre atteignent le bruit de fond.

La figure II.20 rappelle lun des principes de mesure de lIIP3 :

P dB

IIP3 dBm =

f
2f1-f2 f1

f2 2f2-f1

Fig. II.20 Mesure de lIIP3.


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23

P dB
+ Pin
2

dBm

Design RF

3A Micro

Soit mathmatiquement PIIP 3 = Pin +


tel que

Pout PIM , out


2

Pout = Pin + G

G gain en puissance

PIM , out = PIM , in + G

PIM , in puissance dIM3 ramene en entre

Attention, PIM , in na pas de ralit physique (les termes dIM3 sont seulement prsents en
sortie).
PIIP 3 = Pin +
Pin =

Pin + G (PIM , in + G )
2

= Pin +

Pin PIM , in
2

2 PIIP 3 + PIM , in
3

Le niveau de lentre pour lequel lIM3 ramene en entre atteint le bruit de fond est :
Pin , max =

2 PIIP 3 + F
3

F = -174 dBm/Hz + 10logB + NF

Minimum exploitable.
Cest la sensibilit dun rcepteur RF qui donne son niveau de puissance minimum
exploitable.
Pin , min = F +SNRout , min
On en dduit lexpression de la dynamique (en dB) appele SFDR (Spurious Free Dynamic
Range) :
SFDR =

2 PIIP 3 + F
(F + SNRout , min )
3

SFDR =

2
(PIIP 3 F ) SNRout , min
3

Exemple : Calculer la dynamique dun rcepteur tel que NF = 9 dB, PIIP3 = -15 dBm, B = 200
kHz et SNRout, min = 12 dB. Exprimer prcisment Pin, min et Pin, max.
SFDR = 53 dB.

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24

Design RF

III.

3A Micro

Elments de base de la partie RF dun metteur rcepteur.

Parmi tous les blocs fonctionnels constitutifs des front end RF (Power Amplifier, oscillateur,
PLL, etc.) les parties III.1 et III.2 dcrivent le fonctionnement des LNA et des mixers.

III.1. Amplificateur faible bruit ( Low Noise Amplifier - LNA).


Les amplificateurs faible bruit sont situs en tte des chanes de rception des front end RF.
Leur rle est de raliser une premire amplification du signal issu de lantenne (ce signal tant
gnralement de faible puissance) en ajoutant un minimum de bruit. Le paragraphe consacr
ltude de la figure de bruit dune chane de quadriples a permis den souligner limportance
(II.3.B Formule de Friis).

a. Caractristiques dun LNA.


Ce premier paragraphe permet dexplorer les principales caractristiques dun LNA en partant
dun cahier des charges typique.
Exemple :

NF

2 dB

IIP3

-10 dBm

Gain

15 dB

Impdance dE/S

50

Facteur de rflexion en E/S -15 dB


Isolation inverse

20 dB

Facteur de stabilit

>1

Lobjectif est de mesurer leur impact sur le fonctionnement du LNA et sur celui du rcepteur
dans son ensemble.

Un LNA est gnralement associ un duplexeur plac aprs lantenne et introduisant une
attnuation en puissance, par exemple 2 dB :

NFtot = L.NFLNA = 4 dB

Facteur sensible (cf. formule de Friis).


sensibilit ?

(en prenant SNRout, min = 8 dB et B = 200 kHz)

Pin, min = F + SNRout, min


Pin, min = -174 + 10logB + NFtot + SNRout, min
Pin, min = -109 dBm

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25

Design RF

3A Micro

Rapport entre la NF et le dimensionnement :


Exemple :

vn2, rb

Rs

rb

in2 = 2qI C

vin

Fig. III.1 Bruit li au transistor dentre dun LNA.


Daprs g m = I C VT : in2 = 2qg mVT = 2kTg m
On donne :
NF =

bruit total rapport en entre


4kTRS

On va modliser le bruit du transistor bipolaire par une rsistance quivalente en entre :

Rs

Req

vin
Fig. III.2 Modlisation du bruit par une rsistance ramene en entre.
v n2 = v n2, rb +

1 2
.in
g m2

v n2 = v n2, rb +

1
.2kTg m
g m2

v n2 = 4kTrb + 2kT .

1
gm

1
v n2 = 4kT rb +
2g m

V
= 4kT rb + T
IC

14224
3

Req = rb +

Req

v n2, tot = v n2, Rs + v n2

V
v n2, tot = 4kT RS + rb + T
2I C

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26

VT
2I C

Design RF

Do NF =

3A Micro

4kT (RS + Req )

NF = 1 +

4kTRS

Req
RS

Application avec RS = 50 et sans duplexeur :

Req

2 = 10 log1 +
RS

Req = 29.

Ce qui impose dutiliser un transistor bipolaire de grande taille polaris un courant lev.
Dynamique : les valeurs de la NF et de lIIP3 fixent la dynamique (SFDR)
SFDR =

2
(PIIP 3 F ) SNRout , min
3

SFDR =

2
( 10dBm + 174 10 log B NF ) 8
3

SFDR = 64 dB
Gain.
Filtre
rjecteur
dimage

LNA

L 4 5dB

RF

LO

IF
NF = 10dB
IP3 = 5 dBm

Fig. III.3 Exemple de chane Rx.


Choix du gain du LNA de faon limiter lIP3 globale une valeur acceptable (cf. fin du
cours) : GLNA = 15 20 dB.
Adaptation dimpdance5.
On favorise le transfert de puissance.
La qualit de ladaptation est mesure par le facteur de rflexion en entre ("return loss").
Coefficient de rflexion :

Z in R0
Z in + R0

R
2 R0 + R

R0 impdance de sortie de la source.

En crivant Zin = R0 + R

Voir le points de cours Adaptation dimpdance en puissance http://www.ecole.ensicaen.fr/~dutertre/documents/power_matching.pdf


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27

Design RF

3A Micro

Pour avoir un de -15 dB et en considrant R < 0 (pire cas correspondant la variation

15 = 20 log
2 R0 + R

maximale de ) :

15

R
= 10 20
2 R0 + R

R = -15
Dans la pratique on fixera une valeur plus faible afin de tenir compte des variations de
temprature et de procd.
Isolation inverse.
Elle caractrise la propagation du signal de loscillateur local du mixeur vers lantenne.
Stabilit.
Point capital considrer afin dviter loscillation du LNA cre par la prsence de
rtroactions de la sortie vers lentre du LNA. Cest un point difficile tudier (fonction des
impdances dE/S, de la frquence, de la temprature, etc.).
La facteur de stabilit K permet de caractriser la stabilit dun systme :
1 + S11 S 22
2

K=

avec = S11S22 S12S21

2 S 21 . S12

Dans le cas K > 1 et < 1 le circuit est inconditionnellement stable.

Daprs lexpression de K on amliore la stabilit en diminuant S12, c'est--dire en


augmentant lisolation de la sortie vers lentre du LNA.

a1

a2

Systme
b1

b2

b1 = S11a1 + S12 a2
b2 = S 21a1 + S 22 a2

Fig. III.4 Rappels sur les paramtres S.

La capacit C (base collecteur) du modle petits signaux du transistor bipolaire est


lorigine de la rtroaction de la sortie vers lentre aux frquences leves.
Deux approches permettent dy remdier :
-

par neutralisation du chemin capacitif (cf. Fig. III.5) :

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28

Design RF

3A Micro

VCC
ZLoad
L1
C

C1

vout

vin

Fig. III.5 Neutralisation du chemin inductif.


De telle sorte que L1 et C rsonnent la frquence considre f0 ("utile"). Cette solution est
adapte une rception en bande troite.

L1
Z L1 // C = j
1 2L C
1

= 0 =

1
L1C

Z L1 // C

montage cascode : suppression du feedback :


VCC
ZLoad

vout
Vpol

vin

Fig. III.6 LNA cascod.


Au prix dune dgradation de la NF (on ajoute un transistor et donc du bruit).

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29

Design RF

3A Micro

III.2. Mixer (downconverter translation vers les frquences basses).


Le rle dun mixer dans une chane de rception est de ramener le signal utile de la bande de
frquence RF vers la bande de base (en une, ou deux tapes, en passant alors par une bande de
frquence intermdiaire, en fonction de larchitecture retenue).
La translation de frquence est obtenue en multipliant deux signaux.

a. Principe.

La figure III.7 donne le symbole utilis pour reprsenter un mixer.

RF

IF

LO
Fig. III.7 Symbole du mixer.
Un mixer possde deux entres :
- le port RF : signal utile translater provenant du LNA (+filtre),
- le port LO : signal provenant de loscillateur local (LO Local Oscillator),
on rcupre en sortie sur :
-

le port IF la frquence intermdiaire (IF Intermediate Frequency),

le rsultat de la multiplication des entres ( une constante multiplicative prs k).

Pour

v RF = ARF . cos( RF t )

et

v LO = ALO . cos( LO t )

on obtient
v IF = kARF ALO . cos( RF t ) cos( RF t )
v IF

kARF ALO

=
.cos ( RF + LO )t + cos ( RF LO )t
14243
243
2
14

somme

difference

Le spectre du signal de sortie (IF) du mixer comprend deux composantes aux frquences
somme, fRF + fLO, et diffrence, fRF - fLO, des frquences RF et LO.
Dans le cas dune chane de rception, cest la frquence rsultant de la soustraction qui est la
frquence utile (translation vers la bande de base).
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30

Design RF

3A Micro

La figure III.8 illustre lexemple prcdent pour un cas simple (RF : 11 MHz et LO : 10
MHz) :
LO RF

port IF

mixer

Disparition
LO et RF

10 11

f (MHz)

10 11

21

f (MHz)

Fig. III.8 Illustration frquentielle du fonctionnement dun mixer idal.


La sortie du mixer comporte deux raies aux frquences 1 MHz et 21 MHz.

Frquence image.
En prolongeant lexemple de la figure III.8, lon met en vidence lexistence dune frquence
image.
En effet, il est possible dcrire la diffrence des pulsations de deux faons : RF - LO ou LO
- RF.
Ainsi, il existe deux pulsations possibles pour le signal RF donnant une mme pulsation
intermdiaire IF = |RF1 - LO |=|LO - RF2 |
telles que :

RF1 = LO + IF
RF2 = LO - IF

Comme illustr figure III.9, les frquences RF1 11 MHz et RF2 9MHz gnrent la mme
rponse IF 1 MHz.

IF

RF2 LO RF1

9 10 11

Filtrage

f (MHz)

Fig. III.9 Frquence image.


Un signal parasite situ la frquence image (RF2), cre en sortie du mixer une composante
la mme frquence intermdiaire (IF) que le signal utile (RF1). Une solution pour limiter ce
phnomne consiste couper la frquence image par filtrage (cf. pointills sur la figure III.9,
voir galement la figure III.3) en entre du mixer.

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31

Design RF

3A Micro

Le principe de fonctionnement du mixer prsent prcdemment correspond celui dun


multiplieur analogique. Dans la pratique, de tels mixers seraient trop complexes raliser et
trop bruyants pour atteindre le niveau de bruit exig ; les mixers utiliss dans les chanes
dmission - rception RF utilisent plus simplement la multiplication du signal RF par une
forme donde carre la frquence LO au moyen dinterrupteurs. On distingue les mixers
passifs et actifs.

Mixer passif.
La figure III.10 prsente larchitecture simplifie dun mixer passif.

vRF

vIF

vLO

RL

Fig. III.10 Schma conceptuel dun mixer passif.


Lorsque linterrupteur (un NMOS, par exemple) command par le signal LO est ferm on a
vIF = vRF
et lorsquil est ouvert
vIF = 0
ce qui correspond la multiplication du signal RF par une forme donde carre de frquence
fLO dont le dveloppement en srie de Fourier, f(t), est donn figure III.11.
1

f (t ) =

1 2

+
sin n cos(nLO t )
2 n=1 n
2

Fig. III.11 Dveloppement en srie de Fourier dun signal carr de pulsation LO.
Soit

vIF = k. vRF . f(t)

vRF , vIF , vLO


Filtrage

LO

La figure III.12 donne les spectres des signaux RF, LO et IF.

LO

RF

n=1

IF

IF

n=1

n=0

n=0

IF
IF

n=1

n=3

10 11

19

n=3

21

Fig. III.12 Spectres RF, LO et IF.

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32

LO

30

f (MHz)

Design RF

3A Micro

Le signal IF comporte des composantes aux frquences fRF et n.fLO fRF (n impair).
Pour n = 1, on obtient bien un terme du signal IF la frquence fRF fLO soit 1 MHz. Un
filtrage en sortie du mixer permet de slectionner la frquence utile.

Un mixer passif introduit une attnuation (k < 1) lors de la translation du signal RF vers la
frquence utile. Do lintrt du recours un mixer actif dans les chanes Rx et Tx pour
fournir du gain et permettre de limiter les effets du bruit des tages aval (cf. formule de Friis).

b. Mixer actif.
La figure III.13 donne une topologie classique de mixer actif transistors MOS.
VDD

R
vIF

Mn2

Mn3

vLO

Mn1

vRF
Fig. III.13 Mixer actif transistors MOS.
On y trouve une partie comprenant deux interrupteurs Mn2 et Mn3 commands par le signal
LO et permettant de raliser proprement parler la translation de frquence sur le modle
expos dans le cas du mixer passif ; et galement, un tage constitu de Mn1,mont en source
commune, et permettant dapporter un gain (transconductance).

En notant iRF la composante petits signaux du courant de drain de Mn1, et gm la


transconductance de Mn1:
Pour vLO >0, Mn2 est passant et Mn3 est bloqu do
vIF = - R.iRF = - R.gm. vRF
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33

Design RF

3A Micro

Pour vLO <0, Mn2 est bloqu et Mn3 est passant do


vIF = R.iRF = R.gm. vRF
Soit
vIF = R.gm. vRF
Ce qui correspond la multiplication du signal RF par une forme donde carre prenant
alternativement les valeurs +1 et -1 au rythme de la LO. On obtient un phnomne de
translation de frquence similaire celui prsent dans le cas des mixers passifs, le gain est
apport par le facteur Rgm.
Pour un mixer prcd dun LNA avec un gain de lordre dune quinzaine de dB, le cahier des
charges suivant permet dobtenir un bruit et des non linarits acceptables :
NF

12 dB

IIP3

+ 5 dBm

Gain

10 dB

Zin

50

Isolation

10 20 dB

Gain de conversion.
On dfinit le gain de conversion en tension, Av, comme le rapport entre la tension efficace du
signal IF et la tension efficace du signal RF.
Attention : Les deux signaux RF et IF sont centrs autour de frquences diffrentes. On parle
alors de gain de conversion.
Les translations de frquences apportent de nouvelles difficults au niveau de la simulation,
de nouveaux outils de simulation plus volus que les analyses spice usuelles ont t
dveloppes (spectre RF par Cadence, par exemple).

On dfinit de faon similaire le gain de conversion en puissance :


AP =

PIF reue par la charge


PRF delivre par la source

Attention : on ne vrifie AP = Av2 que si limpdance dentre et limpdance de charge du


mixer sont gales limpdance de la source.

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34

Design RF

3A Micro

Figure de bruit dun mixer :


La dtermination de la figure de bruit dun mixer prsente une difficult lie au phnomne de
translation de frquence et larchitecture systme retenue (chane Rx htrodyne ou
homodyne). Une tude au niveau des spectres pour un mixer idal sans bruit et de gain
unitaire (cf. figure III.14) permet de prciser lutilisation de cette notion.
Rs

RF

vin

IF

LO

Fig. III.14 Schma dtude pour le calcul de la NF.

Architecture htrodyne (plusieurs frquences) :

Dans une architecture htrodyne, le signal RF est translat vers la bande de base en deux
tapes. La premire tape consiste en une premire translation vers une frquence
intermdiaire situe entre la bande de base et la frquence RF (cest lapproche historique,
do le nom de IF donne usuellement la sortie dun mixer). La figure III.15 illustre la
translation du bruit thermique de la bande utile et de la bande image vers la bande IF.
bande
du
signal

bande
image

port RF :
bruit
thermique
LO

port IF :
IF

Fig. III.15 Translation du bruit pour une architecture htrodyne.

On rcupre effectivement le bruit thermique de la bande de frquence du signal et galement


celui de la bande image. Do la relation suivante :

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35

Design RF

3A Micro

SNRout =

1
SNRin
2

qui conduit

NF =

SNRin
=2
SNRout

Ainsi un mixer idal a une figure de bruit de 3 dB pour une architecture htrodyne.
On parle alors de figure de bruit Single Side Band (SSB), le signal utile provient dun seul
ct de la frquence de loscillateur local.

Architecture homodyne (une seule frquence) :

Dans ce cas le signal RF est ramen directement en bande de base sans passer par une
frquence intermdiaire, comme illustr figure III.16.
bande
du
signal
bruit
thermique

port RF :

LO

port IF :
(bande de base)

Fig. III.16 Translation du bruit pour une architecture homodyne.


On parle dans ce cas de figure de bruit Double Side Band (DSB), le spectre du signal RF est
rparti des deux cts de LO.
NFDSB = 0 dB
Attention on a nglig le bruit aux frquences 3fRF, 5fRF, etc. qui est lui aussi ramen du fait
des harmoniques du LO.

Isolation.
Il est ncessaire de sassurer dune bonne isolation entre chacune des paires de ports du mixer.
LO RF

LO RF

"fuites" vers le LNA voire lantenne

RF LO

interfrences avec loscillateur local

LO IF

Problme de dsensibilisation des tages suivants.

RF IF

distorsion dordre pair.

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3A Micro

Deux architectures classiques de mixer actif :


Topologie la plus simple (cf. exemple prcdent Fig. III.13) : "Single Balanced" bien adapt
un signal RF non diffrentiel (single ended sur un fil).
-

problme disolation LO IF, Mn2 et Mn3 oprant en paire diffrentielle qui


amplifie le signal issu de LO,

plus sensible au bruit gnr par loscillateur local,

moins bruyant pour une puissance donne.

Cellule de Gilbert : "Double balanced", adapt aux signaux RF diffrentiels (ou non),
architecture prsente figure III.17.
VDD

RL

RL

vIF

Mi1

Mi2

Mi3

I0
+ iRF
2
Mt1

I0
iRF
2
Mt2

Mi4

interrupteurs

vLO

transconductance
gain

vRF

I0

Fig. III.17 Cellule de Gilbert.


On retrouve ltage comportant les interrupteurs (transistors Mi1, Mi2, Mi3 et Mi4)
commands par le port LO et ltage fournissant le gain (ici une paire diffrentielle constitue
des transistors Mt1 et Mt2).

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Si lon supprimait ltage comportant les interrupteurs, lon aurait :

v IF = 2 RL i RF
Le rle de ltage comportant les interrupteurs est de raliser la translation de frquence
proprement parler en multipliant le rsultat prcdent par une forme donde carre prenant
alternativement les valeurs +1 et -1 au rythme de la LO.
Pour vLO >0, Mi1 et Mi3 sont passant, et Mi2 et Mi4 sont bloqus, do

v IF = 2 RL i RF
Pour vLO <0, Mi2 et Mi4 sont passant, et Mi1 et Mi3 sont bloqus, do

v IF = 2 RL i RF
Ainsi on a

v IF = 2 RL i RF
Cette architecture permet une meilleur isolation LO IF : les deux paires diffrentielles
Mi1 Mi2 et Mi3 Mi4 additionnent le signal LO amplifi en opposition de phase
permettant ainsi lannulation du premier ordre.

Les deux topologies prcdentes permettent davoir une sortie IF diffrentielle ou non (une
sortie diffrentielle tant synonyme dun gain plus lev et dune meilleure isolation
RF IF).

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c. Mixer transistors bipolaires.


La figure III.18 prsente un exemple de mixer transistors bipolaires avec dgnrescence
dmetteur de Q1 de faon obtenir une meilleure linarit.
VCC

RC

RC
vIF
Q2

Q3

vLO

vRF

Q1

RE

Fig. III.18 Mixer avec dgnrescence dmetteur.


Augmentation de la linarit, du bruit, de limpdance dentre et diminution du gain.

La figure III.19 propose une variante avec Q1 mont en base commune pour diminuer
limpdance dentre (objectif 50).

RS

vRF

RE

Q1

Vpolarisation

Fig. III.19 Entre monte en base commune.


Lon va sattacher calculer les gains de conversions de cette architecture. La figure III.20
donne les schmas quivalents petits signaux utiliss.
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ic1

g m1vbe
g m1vbe

vbe

B
RS
re

re

RE
E

vbe

vRF
E

(a)

(b)

Fig. III.20 Modles petits signaux.


re =

1
g m1

g m1

1
= 50
g m1

R in = R E +

Calcul du gain de conversion (BF) en considrant un fonctionnement de Q2 et Q3 en


interrupteurs idaux.
ic1 = g m1vbe

vbe = v RF

re
re + RE + RS

ic1 = g m1

re
v RF
re + RE + RS

ic1 =

avec re =

1
g m1

v RF
RE + RS + 1

g m1

Avec LO signal rectangulaire prenant alternativement les valeurs +1 et -1 la pulsation LO.

v IF (t ) =

v RF (t ).RC
R E + RS + 1

.
g m1

cos( LO t ) en considrant le fondamental du DSF de la LO.

Ce qui revient dans le domaine frquentiel une translation de LO et une division de


lamplitude par deux. En ne considrant que la partie translation vers les frquences basses :
VIF ( ) =

VRF ( LO ) 2 RC
.

R E + RS + 1
g m1

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Pour le calcul du gain de conversion en tension, on considre la tension au point A


(Av = VIF/VA) :
2 RC

RE + RS + 1 g
RC
m1

AV =
= .
R + 1
R + R + 1
RE + 1
E
E

g m1
S
g
g
m1
m1

Dans le cas ou il y a adaptation dimpdance : R S = RE +

AV =

On a

1
g m1

2 RC
.
RS

Gain de conversion en puissance.

Puissance moyenne dlivre la charge par le port IF :

PIF =
PIF =

VIF2 , rms
2 RC

(2RC impdance diffrentielle de charge)

2
2
VRF
, rms .RC .4
2

R + R + 1
2
S

E
g
m1

2
2VRF
RC2
1
=
2
2 RC
2
1
R
+
R
+
S
E
g m1

Puissance disponible en entre :


2
VRF
Pin =
4 RS

Do

AP =

(dans lhypothse o ladaptation dimpdance est ralise)

8 RS RC
2R
PIF
=
= 2C
2
Pin
2 RS
RS + R E + 1 g
m1

en prenant R S = RE +

1
g m1

On constate AP AV2, lgalit nest vrifie que dans le cas ou la rsistance diffrentielle de
charge 2RC est gale la rsistance de source RS.
Dans la vraie vie les gains de conversion sont moins levs que calcul prcdemment du fait
de la prsence de capacits parasites, etc.

Comportement non linaire.

La principale source de distorsion provient de la conversion de la tension dentre en courant


ralise par Q1, RS et RE.

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Pour avoir un IIP3 lev, la rsistance RE doit tre importante (compromis trouver vis--vis
du bruit, de la linarit et de la puissance dissipe).
La deuxime source de non linarits est lie au caractre non idal des commutations de Q2
et Q3.

d. Mixer en technologie CMOS.


Architecture similaire celle des BJT.
Lutilisation de MOS pose des problmes de commutation plus marqus au niveau du port LO
(la commutation des MOS tant moins rapide).

Mixers critiques dans les designs RF.


Compromis : linarit puissance
NF puissance
Mixers plus bruyants que les LNA
Les mixers ont un impact plus important concernant les linarits dun front-end Rx que les
LNA.

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3A Micro

Bibliographie.
Ce cours doit beaucoup au livre
"RF Microelectronics" de Mr Behzad Razavi.

"The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits", Thomas H. Lee.

"Introduction to RF simulation and its application", Ken Kundert, www.designers-guide.org.


http://www.ek.isy.liu.se/courses/tsek26
http://www.circuitsage.com
http://www.rfcafe.com

"Digital Modulation in Communications Systems An Introduction", Application Note 1298,


Agilent Technologies.

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Annexe :
dBm (dB milliwatt).

Le dcibel a t introduit pour mesurer des rapports de puissance :

dB = 10 log

P2
P1

Il peut galement servir reprer un niveau de puissance pourvu que lon fixe par convention
le niveau correspondant 0 dB.

Dfinition : en RF, par convention, une puissance de 0 dBm correspond un signal sinusodal
transfrant une puissance de 1 mW une charge de 50.

P
P dBm = 10 log W
1 mW

= 10 log P
mW

Une table de conversion entre la puissance donne en dBm, la tension efficace (rms) et la
puissance en units usuelles (W, mW, W, etc.) est donne page suivante.

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