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TRANSISTORS bipolaires, MOS et effet de champ

Deux transistors sont principalement utiliss en lectronique : le transistor bipolaire et le transistor


MOS. Dans une proportion moindre, on trouvera galement des transistors effet de champ.
On rencontrera ces composants dans les circuits intgrs, dont ils sont souvent lunique constituant
(291 millions de transistors MOS de 65 nm dans le processeur Core 2 duo ), mais galement sous
forme dite discrtes (un transistor par botier) comme le montre la figure suivante :

La taille dpend de la puissance que peut dissiper le composant, avec de gauche droite un botier
TO92, TO3, TO220 (MOS et bipolaire uniquement) et TO3 (bipolaire uniquement)

1. Transistor bipolaire
Cest le premier apparu. Il existe deux types de transistors bipolaires : type NPN et type PNP. Nous ne
nous intresserons dans un premier temps qu'au transistor NPN.

1.1

Structure

Un transistor bipolaire est un composant fabriqu partir d'un monocristal de semi-conducteur


compos de deux rgions dopes N spares par une rgion dope P. Dans une premire approche
on peut donc voir ce composant comme deux diodes montes en opposition (attention deux diodes ne
pourront jamais faire un transistor, les jonctions PN devant se trouver dans le mme cristal) Le
transistor se symbolise comme l'indique la figure ci-dessous.
collecteur
base

metteur

collecteur
base

metteur

collecteur
base

metteur

Le terme bipolaire est d au fait que le passage du courant lectrique dans le transistor vient de la
circulation de charges positives et de charges ngatives (contrairement un matriau conducteur
lectrique, comme le cuivre, o seuls le dplacement des lectrons cre le courant).

1.2

Premires caractristiques

Les trois pattes du transistor peuvent tre vues comme deux circuits :
un circuit d'entre base metteur
un circuit de sortie collecteur metteur
Si on regarde la structure du transistor, on s'aperoit que le circuit base metteur est en fait une diode,
qui prsente donc la mme caractristique que n'importe quelle diode :

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IB

0,6V
V

BE

Cette courbe est habituellement entoure des autres caractristiques du transistor, ce qui explique
l'orientation choisie pour les axes.
A premire vue, aucun courant ne peut circuler dans le circuit collecteur metteur (deux diodes en
opposition).

1.3

Effet transistor

Considrons le schma ci-dessous

IC

RC
C
RB

VBB

IB

B
V

BE

VCE

VCC

Si on ouvre le circuit de base, le courant IB est nul, il n'y a pas de courant collecteur IC.
Si on ferme ce circuit et on augmente IB (en augmentant VBB ou en diminuant RB) on s'aperoit qu'il
circule un courant IC fonction de IB dans un rapport constant (environ 100 300 suivant les types de
transistors) :
IC = IB
tant le gain du transistor
C'est ce qu'on appelle l'effet transistor dont l'explication relve de la physique du semi-conducteur, ce
qui n'est pas notre propos ici.

IC
(mA)

IB
(A)

Si l'alimentation VCC est constante, la tension VCE dcrot lorsque IC augmente, car la loi des mailles
nous donne :
V VCE
IC = CC
RC
Le transistor se comporte en quelque sorte entre les points C et E comme une rsistance qui
s'ajusterait automatiquement pour faire passer un courant IC vrifiant toujours la relation IC = IB ,
jusqu' ce que cela ne soit plus possible.
En effet, lorsqu'un courant IC circule dans le transistor, la tension VCE ne peut descendre en dessous
d'une certaine valeur VCEsat, environ 0,2 V pour un transistor de faible puissance. Aussi, si on
continue augmenter IB, on atteint une valeur maximale de IC :
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VCC 0, 2
RC
On dit alors que le transistor est satur. Cette saturation que l'on peut voir en pointill sur la courbe
est due aux limitations du circuit extrieur, ce qui explique que sur les caractristiques donnes par le
constructeur cette partie de la courbe n'existe pas.
IC max =

On a l'habitude de reprsenter l'invariance du courant de collecteur (pour un courant de base fix) en


fonction de la tension collecteur metteur par la caractristique ci-aprs.

IC
(mA)

IB3 > IB2


IB2 > IB1

IB1
0

VCE
(V)

On peut noter sur cette caractristique :


- une zone o les courbes sont (presque) horizontale (on note tout de mme une lgre
dpendance ct collecteur entre courant et tension), le transistor fonctionnant alors en
rgime linaire ( IC = IB ) ;
- une zone o les courbes sont pentues, la tension VCE ayant atteint sa limite minimale, note
VCESAT, Pour assurer encore la relation prcdente, il faudrait augmenter VCC pour
augmenter VCE. Le transistor est alors satur et on a IC IB
Les trois caractristiques que nous venons de voir sont habituellement reprsentes ensemble sur la
mme figure.

1.4

Applications

On utilise le transistor dans deux rgimes de fonctionnement :


1.4.1

Rgime linaire

On se sert de la proprit IC = IB pour amplifier des signaux.


Un exemple thorique de schma est donn par la figure ci-dessous, pour un amplificateur pour petits
signaux alternatifs :
Vcc

Rb

Rc
C2

entre du signal
alternatif
C1

C
E

sortie du signal
amplifi

Le transistor tant un lment non linaire (voir les caractristiques), il est ncessaire de le polariser
dans un point de fonctionnement autour duquel les caractristiques seront des droites. Cest le rle de
Rb et Rc.
Le signal amplifier est ensuite appliqu par lintermdiaire dun condensateur C1 qui vite que la
polarisation ne perturbe le gnrateur dattaque (limpdance du condensateur est nulle en HF et
infinie en BF). Le condensateur C2 joue le mme rle en sortie.
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Le schma prcdent ne permet pas une stabilisation thermique du montage : les variations de
temprature et les dispersions de caractristique entre les diffrents chantillons dune mme
rfrence de transistor, conduiraient un emballement thermique et la destruction du transistor (la
dmonstration de cette caractristique sort du propos de cet expos).
Aussi utilise t-on gnralement le montage suivant pour raliser un amplificateur petits signaux
transistor bipolaire :
Vcc

Rb

Rc
C2

entre du signal
alternatif

sortie du signal
amplifi

C
E

C1
Rp

Re
CE

1.4.2

Rgime de commutation

Le transistor est alors considr comme un interrupteur entre les bornes C et E, command par le
courant de base.
Lorsque le courant de base est nul, l'interrupteur est ouvert, lorsque IB a une valeur suffisante pour
saturer le transistor, celui-ci peut tre vu ct collecteur metteur comme un interrupteur ferm avec
une tension VCESAT presque nulle (0,2 V) ces bornes.

C
B
IB= 0

I CMAX

B
IB = 0

Ce mode de fonctionnement permet de commander ct collecteur une puissance plus importante


que celle qui est envoye ct base.
Le courant de collecteur est fix par la charge que lon souhaite alimenter et on dtermine le courant
de base pour vrifier la relation : IC IB .
Un courant de base grand conduira une bonne saturation et une tension VCE faible (le transistor
ressemblera alors un interrupteur ferm parfait). Cependant louverture de cet interrupteur (le
blocage du transistor) sera lente.
Un compromis est donc trouver entre vitesse et saturation.
Le schma ci-aprs propose un exemple dalimentation dun relais par une porte logique : celle-ci est
incapable de fournir le courant ncessaire la bobine du relais, le courant de sortie de la porte va
donc, travers la rsistance R1, attaquer la base du transistor, provoquant la saturation de ce dernier
(si R1 est suffisamment faible) et lalimentation du relais.

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VCC

D1

1N4148

R1
1

2
2N2222
1

10k

La diode D1, dite diode de roue libre, permet lvacuation de lnergie stocke dans la bobine du
relais, lors du blocage du transistor, en assurant la continuit du courant lors de cette phase.

1.5

Transistor PNP

Il s'agit d'un transistor ayant le mme fonctionnement que le NPN, mais avec des courants et tensions
de sens oppos au NPN. La figure ci-aprs donne le symbole et le mode de fonctionnement en
commutation de ce composant.

C
B

I B= 0

I B= 0
E

I CMAX

Transistor MOS (Mtal Oxyde Semiconductor)

Mis au point beaucoup plus tard le transistor MOS est fabriqu galement partir d'un monocristal de
semi-conducteur, mais avec des dopages de densit et de rpartitions diffrentes. Il existe deux types
de transistor MOS : canal N et canal P.

2.1

Symboles

De nombreux symboles ont t utiliss pour reprsenter le transistor. Pour une meilleure
communication il est conseill de n'utiliser que ceux prsents ici.

canal N

Drain

Grille

canal P

Grille

Source

2.2

Drain

Source

Fonctionnement

La principale diffrence avec le transistor bipolaire se situe au niveau du circuit de commande (grille
source) : celui-ci prsente une impdance d'entre quasiment infinie. Ce transistor est donc
command en tension par VGS contrairement au bipolaire qui l'tait en courant par le courant de base.
Le principal avantage du transistor MOS est donc de pouvoir maintenir un tat donn sans avoir
fournir de puissance (courant d'entre nul).
Ce composant est surtout utilis en commutation que ce soit pour l'lectronique de puissance ou pour
la ralisation de circuit numrique.
Le transistor MOS canal N se commande avec une tension grille source positive (VGS >0) qui
provoque la circulation d'un courant dans le sens drain source.(ID >0) Le transistor MOS canal P se
commande avec une tension VGS ngative et le courant circule de la source vers le drain : ID ngatif.
Lorsque la tension VGS est nulle le courant de drain l'est aussi.
En commutation, on peut donc voir ces transistors de la manire suivante :
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I DMAX

VGS= 0

G
S

VGS> 0

canal N

I DMAX
D
G

VGS= 0

D
G

VGS< 0

canal P
On notera que la flche sur le symbole de chaque transistor est de sens oppose la circulation du
courant (celle-ci reprsente en fait une diode interne inhrente la structure du transistor).
Remarque : le transistor MOS que nous venons de voir est un transistor dit enrichissement. Il existe
un transistor MOS dit appauvrissement. Il est beaucoup moins utilis.
Bas sur le mme principe de fonctionnement, il existe galement un transistor dit "Transistor Effet
de Champ jonction" ou T.E.C. soit J.F.E.T. en anglais (Jonction Field Effect Transistor). Ce
composant est essentiellement utilis en analogique comme porte commande (transmission ou non
de l'information suivant la commande) ou dans les premiers tages des amplificateurs o son faible
niveau de bruit est trs apprci.

3 Transistor effet de champ (TEC ou FET)


On trouvera aussi la dnomination anglo-saxonne FET (Field Effect Transistor) ou encore J FET
(Jonction FET).
A linstar du transistor MOS, ce transistor est comprend trois lectrodes :
- - une grille G de commande (lquivalent de la base dun transistor bipolaire) ;
- - deux lectrodes de puissance dites drain D est source S (respectivement lquivalent sur
le transistor bipolaire du collecteur et de lmetteur).
Comme pour le transistor bipolaire, le circuit de commande grille source est compos dune diode,
mais celle-ci sera polarise ltat bloqu. Ce transistor nabsorbe donc pas (ou peu) de courant du
ct de la commande.

2
2

Deux types de transistors existent, le canal N et le canal P, sachant que comme pour les transistors
bipolaires et MOS, on passe de lun lautre en inversant le signe des grandeurs.
Sur les symboles, la flche indique le sens passant de la jonction grille source.
Canal P
Canal N

Ltude se limitera au canal N, cest le plus utilis.

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3.1

Caractristique dun TEC canal N


ID
VGS OFF

IDSS

VGS 1
VGS 2
VGS 3
VGS 4
-VGS

VGS OFF

VDS

VP

La tension VGS est ngative, et pour une valeur infrieure VGSOFF (environ 3 V) le courant de
drain est nul.
Pour une tension VGS nulle le courant de drain est maximal et vaut IDSS (classiquement 20 mA).
La caractristique ID en fonction de VDS dpend de VGS. Pour une faible valeur de VDS, le
comportement est rsistif (avec possibilit de fonctionner avec des valeurs ngatives non
reprsentes sur la courbe). Passe la valeur VDS=VP dite de pincement (classiquement 3 V), le
courant reste pratiquement constant (zone dutilisation en amplification).

3.2

Applications

On trouvera classiquement 4 utilisations.


3.2.1

Gnrateur de courant

Si la tension VGS est nulle, le courant IDSS circule dans le drain.


ID

IDSS

-VGS

VGS OFF

Une rsistance en srie avec la source diminue le courant de drain en augmentant la valeur absolue
de la tension grille source. Le point de fonctionnement se situe alors sur lintersection de la
caractristique de la rsistance et du transistor.
ID
=RSID D
VV
GS
GS= - Rs.I

IDSS

Rs

-VGS
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VGS OFF

0
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3.2.2

Amplificateur

Pour polariser la grille ngativement on utilise une rsistance de source (voir le montage en
gnrateur de courant) ; la rsistance Rg de grille vite de court-circuiter le signal dentre.
Le montage peut tre utilis en source commune (figure suivante), grille commune ou drain commun.
VCC
Rd

sortie

3
2

entre

Rg

Rs

Par rapport un transistor bipolaire mont en amplificateur, on obtient les caractristiques suivantes :
forte impdance dentre (jonction GS en inverse) ;
faible bruit (utilisation pour les premiers tages dune chane damplification) ;
mauvaise linarit ( viter dans les derniers tages dune chane damplification).
3.2.3

Rsistance commande

Contrairement au transistor bipolaire dont la tension VCE se prsente, lorsquelle est faible, comme
une force contre-lectromotrice (pratiquement indpendante du courant), faible niveau, lorsque VDS
est infrieure la valeur de pincement, le circuit drain source un comportement rsistif, dont la
valeur peut tre commande par VGS.
On trouvera donc quelques applications comme rsistance commande, par exemple pour contrler la
frquence de coupure dun filtre (mthode aujourdhui obsolte) ou contrler lamplitude de la tension
de sortie dun oscillateur (qui dpend du gain dun amplificateur donc gnralement dune rsistance).
3.2.4

Commutateur analogique

Lorsque la tension VGS est nulle, la rsistance du circuit drain source est minimale et note R DS ON .
Cette valeur tant faible (ordre de grandeur 80 ), le transistor est parfois utilis comme commutateur
analogique, comme dans le montage suivant.
entre /sortie

entre /sortie
1

Rgs

D1

commande

Lorsque la tension de commande est positive (suprieure au maximum de lentre), la diode est
bloque, la tension VGS est nulle, la porte est passante.
Lorsque la tension de commande est suffisamment ngative pour rendre la diode passante et imposer
une tension VGS infrieure VGSOFF, la porte est bloque, le signal ne passe pas.

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