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Radiocommunications

Amplificateurs RF
de puissance
Jol Redoutey - 2009

Caractristiques dun amplificateur


RF de puissance
Puissance de sortie

linarit
gain en puissance
rendement

Puissance et modulation

Continuous wave (CW)


ou modulation de frquence (FM)

Puissance

Modulation damplitude

Puissance moyenne Pavg


Puissance crte:
Peak Enveloppe Power PEP
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Point de compression -1 dB
Les amplificateurs sont sujets au phnomne de saturation
de la puissance de sortie pour de fortes puissances d'entre.
Le point de compression 1dB caractrise la limite du
fonctionnement linaire de lamplificateur en fonctionnement
monoporteuse (un seul signal RF).
P sortie (dBm)
1dB

P out -1dB

P entre (dBm)
P in -1dB
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Non linarit
e(t)

Amplificateur non
linaire

S(t)

On peut approximer la caractristique de transfert de


lamplificateur non linaire par un polynme du n me
degr
S(t) = K1e(t) + K2e(t) + K3e3(t) + . +Knen(t)
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Distorsion harmonique
e(t)= Acos t
S(t) = K1e(t) + K2e(t) + K3e3(t) + . +Knen(t)
S(t) = K1Acos t + K2A cos t + K3A3 cos3 t .
Cosa = (1+cos2a)/2

Cos3a = (3cosa + cos3a)/4

S(t) = k1Acos
t + (k2A/2)[cos2
t+1] + (k3A3/4)[3cos
t + cos3
t ]
En dveloppant on fait apparatre des termes de la forme
K(A) cos (n
t) o n est un entier [ 1, 2, 3, ]. Ce sont les
harmoniques du signal dentre.
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Spectre entre-sortie
Entre
frquence

Sortie

2f

3f

4f

5f

frquence

Ncessit dun filtrage passe bas


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Distorsion dintermodulation
e(t)=x(t) + y(t) = Acos 1t + Bcos 2t
S(t) = K1e(t) + K2e(t) + K3e3(t) + . +Knen(t)
S(t) = K1Acos 1t + K1B cos 2t
+ K2Acos 1t + 2K2ABcos 1t .cos 2t + K2Bcos
2t
+ K3A3 cos3 1t + 3K3A2Bcos2 1t . cos 2t
+ K3B3 cos3 2t + 3K3AB2cos 1t . cos2 2t + .
En dveloppant on fait apparatre des produits dintermodulation
de la forme k(A,B) cos (m 1t n 2t) o m et n sont deux
entiers [ 1, 2, 3, ]
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Distorsion dintermodulation
f1 + f2
f1 f2

in

out

A cause de la non linarit de lamplificateur, le spectre de


sortie comprend un grand nombre de raies dont les
frquences sont:
n.f1 m.f2

avec (m, n) entiers positifs

Les frquences issues du battement entre les frquences f1 et f2


sont appeles produits d'intermodulation d'ordre (n+m)
Les produits dintermodulation dordre impair sont les plus
gnants, notamment ceux du troisime ordre.
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Produits dintermodulation
du troisime ordre (IM3)
Si f1 et f2 sont proches, leurs produits dintermodulation
du troisime ordre 2f1-f2 et 2f2-f1 tombent souvent dans
la bande utile, ce qui rend leur limination difficile.
Exemple: GSM 890 915 MHz au pas de 200kHz
f1=900MHz , f2=901MHz
2f1-f2 = 899MHz
2f2-f1=902MHz

IM3

IM3

frquence

2f1-f2

f1

f2

2f2-f1

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Amplitude des produits


dintermodulation
S(t) = K1Acos 1t + K1B cos 2t
+ K2Acos 1t + 2 K2ABcos 1t .cos 2t + K2Bcos
2t
+ K3A3 cos3 1t + 3K3A2Bcos2 1t . cos 2t
+ K3B3 cos3 2t + 3K3AB2cos 1t . cos2 2t + .
En dveloppant:
S(t) = (K1A +K3(0,75A3 + 1,5AB) cos 1t + Premier ordre
(K1B +K3(0,75B3 + 1,5BA) cos 2t +
..
+ 0,75K3AB cos(2
1 - 2 )t
Troisime ordre
2 - 1 )t
+ 0,75K3AB cos(2
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Puissance des produits


dintermodulation
S(t) = (K1A +K3(0,75A3 + 1,5AB) cos 1t +
(K1B +K3(0,75B3 + 1,5BA) cos 2t +
..
+ 0,75K3AB cos(2 1 - 2 )t
+ 0,75K3AB cos(2 2 - 1 )t
Dans la plupart des cas K3<0

Supposons que A=B

Lamplitude des produits dintermodulation du troisime ordre


0,75K3A3 crot comme le cube de lamplitude A du signal utile.
Dans une reprsentation logarithmique puissance entre sortie,
une augmentation de 1dB de la puissance dentre se traduit par
une augmentation de 3 dB de la puissance des produits
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dintermodulation du troisime ordre

Point dinterception du
troisime ordre IP3
Lamplitude des raies
dintermodulation dordre 3
crot 3 fois plus vite que le
signal utile

Le point dinterception
du troisime ordre IP3
caractrise la linarit
du dispositif.
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Amplificateur transistor
Vcc

Icc

RFC

Circuit d'adaptation

RL

Signal et polarisation

Linductance RFC (Radio Frequency Choke) prsente une impdance trs


grande la frquence de travail. Elle se comporte comme un gnrateur de courant.
La sortie du transistor peut tre modlise par un gnrateur de Thvenin
dimpdance Zs. Ladaptation dimpdance avec la charge est ralise par un circuit
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passif.

Sortie

Caractristique de transfert
dun transistor
Point de repos

saturation

Linaire

Entre

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Classe de fonctionnement

Sortie

Dpend de la position du point de repos

Classe A

Classe C
Classe AB
Entre

Classe B
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Comparaison entre classes


Courant collecteur du transistor en fonction de la classe de fonctionnement

IC

IC

IC

C
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Principe du Push-Pull

TR1

TR2

Q1

Vin

VCC

RL

Q2

Alternances positives : Q1 conduit, Q2 bloqu


Alternances ngatives : Q1 bloqu, Q2 conduit
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Distorsion de raccordement
Push-pull

Classe B

Classe AB

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Amplificateur RF push-pull

Transistor RF de puissance
Transformateur de sortie

Transformateur driver
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Amplificateur classe A
Vcc

Icc

RFC

Circuit d'adaptation

RL

Signal et polarisation

Trs bonne linarit, grand gain


Puissance consomme constante
Rendement thorique : 50% la puissance maximale
Rendement rel trs faible rserv aux faibles puissances
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Amplificateur classe C
Vcc

Icc

RFC

Circuit d'adaptation

RL

Signal

Non linaire, ncessite une puissance dattaque plus leve


Trs bon rendement (85% thorique en classe C)
Ncessite un bon filtrage des harmoniques
Utilisation: ampli FM, source RF de puissance
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Push-Pull classe AB
TR1

TR2

Q1

Vin

VCC

RL

Q2

Classe AB : courant de repos 10% courant max


Bonne linarit, gain lev
Bon rendement : 78% thorique
Faible consommation vide
Suppression des harmoniques paires (structure symtrique)

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Constitution dun transistor


RF de puissance

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Transistor bipolaire RF

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Exemple
On dsire raliser un amplificateur de puissance dlivrant 40W la
frquence de 50 MHz l'aide d'un transistor MRF497.
Le constructeur indique que l'impdance de sortie de ce transistor
50MHz est :
ZO = 1,67 - j0,14
On se propose de calculer un circuit d'adaptation en L permettant
d'adapter la sortie du transistor une antenne d'impdance 50 la
frquence considre.
Faire un schma faisant apparatre le schma quivalent du
gnrateur (transistor), le schma du circuit d'adaptation en L, la charge
(antenne considre comme purement rsistive).
En remarquant que la ractance de sortie du transistor peut tre
intgre au rseau d'adaptation, on montre que le problme se ramne
l'adaptation entre la rsistance de sortie du transistor et la rsistance de
l'antenne. Dans ces conditions, calculer le facteur de surtension Q du
circuit d'adaptation et donner une estimation de la bande passante -3dB.
Calculer la valeur des ractances du rseau d'adaptation en tenant
compte de la ractance de sortie du transistor.
Calculer la valeur des lments du rseau (inductance et capacit)
et faire un schma dans les deux cas possibles.
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Impdance de sortie du MRF497

ZO = 1,67 - j0,14
f = 50MHz

-j0,14
1,67

Rseau en L

50

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Mthode de calcul du rseau en L


1 dterminer le sens du rseau: la branche shunt du ct
de la rsistance la plus forte
2 calculer le rapport de transformation n
n = R forte / R faible n>1
3 calculer le facteur de qualit du circuit
4 calculer la valeur des ractances Xs et Xp
5 calculer la valeur des lments (inductance et capacit)
6 - choisir la solution passe haut ou passe bas selon
lapplication

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Calcul des ractances


-j0,14

1,67

Xs

Xp

50

Rseau en L

n = 50/1,67=29,9
QS = QP = n 1 = 28,9 = 5,38

BP=F/Q = 50/5,38 = 9,3 MHz


Xs = Qs Rs = 5,38x1,67 = 8,98
Xp = Rp/Qp = 50/5,38 = 9,29

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Calcul des lments


Solution 1: passe bas
Rs

L1

1,67-j0,14

Xs1

Solution 2: passe haut


Rs

C2

1,67-j0,14

Xs2

Rp
C1

50MHz

50

L2

50MHz

Xp1

Rp
50

Xp2

Xs1 = 8,98
Xp1 = -9,29

Xs2 = -8,98
Xp2 = 9,29

Intgration de la ractance de Z0
Xs1 = 8,98+0,14=9,12
L1= Xs1/2f =29,1nH
C1=1/2fXp = 343pF

Xs2 = -8,98+0,14=-8,84
C2=1/2fXs2 = 360pF
L2= Xp1/2f = 29,6nH
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Schma du circuit de sortie


+12,5V

Suppression
Suppression
courant
courantcontinu
continu

DCOUPLAGE

RFC
LIAISON

L
Q1
Polarisation + signal

MRF497

RL
50

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