Semicondutores

Semicondutores usados em electrnica so materiais cristalinos

(silcio, germnio, glio) a que so acrescentadas impurezas doadoras ou
aceitadoras , aps a colocao de impurezas o material semicondutor
classificado como semicondutor tipo N ou tipo P. A juno de materiais P
e N possibilitam o fabrico de componentes semicondutores, o dodo e
a clula solar so constitudos por duas junes uma N e outra P, ou
o transstor constitudo por trs junes duas N e uma P, ou duas P e uma
N. A base de todos os circuitos integrados o material semicondutor.
Na natureza o material semicondutor tem uma concentrao de
portadores negativos e positivos igual, designam-se por semicondutores
intrnsecos. Ao serem adicionadas impurezas designam-se
por semicondutores extrnsecos ou dopados.

Estrutura Cristalina dos Semicondutores

Quando os tomos se unem para formar as molculas de uma
substncia, a distribuio desses tomos no espao pode ou no ser feita
organizada e definidamente. As substncias cujos tomos se agrupam
formando uma estrutura ordenada so denominadas substncias
cristalinas, e a disposio de seus tomos formam a chamada estrutura
cristalina. O Germnio e o Silcio possuem uma estrutura cristalina
cbica, conforme mostrado na figura.

Electres e Lacunas
Na prtica, a estrutura cristalina s conseguida quando o cristal de
Silcio submetido temperatura de zero graus absolutos (ou -273C). A
essa temperatura, todas as ligaes covalentes esto completas e,
consequentemente, o material comporta-se como isolante porque, no

havendo electres livres, no ser possvel estabelecer uma corrente

elctrica atravs do cristal.
Quando este mesmo cristal de Silcio submetido temperatura
ambiente normal (20C, por exemplo), a energia trmica (calor) provoca
o rompimento de algumas ligaes covalentes, fazendo com que os
electres que abandonam as ligaes rompidas passem a se movimentar
livremente no interior do cristal, tornando-se electres livres.

Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um

electro de valncia (e), passa existir uma regio com carga positiva +1,
uma vez que o tomo de Silcio era neutro e um electro o abandonou.
Essa regio positiva que, em outras palavras, uma ligao covalente
incompleta, recebe o nome de LACUNA, sendo conhecida tambm
como BURACO, CAVIDADE ou VAZIO.
Em sntese, medida que a temperatura aumenta, surgem os
"portadores livres de carga elctrica" (electres e lacunas) no interior do
cristal, tornando-o capaz de conduzir corrente elctrica quando
submetido a uma diferena de potencial. Isso explica o que A
resistividade dos semicondutores diminui com a elevao de
temperatura.
Sempre que uma ligao covalente rompida, surgem,
simultaneamente, um electro e uma lacuna, podendo, entretanto, um
electro preencher o lugar de uma lacuna, completando a ligao
covalente (processo da RECOMBINAO). Como tanto os electres
como as lacunas aparecem e desaparecem aos pares, dizemos ento que,
num cristal semicondutor puro, o nmero de electres livres sempre
igual ao nmero de lacunas. A uma certa temperatura, o nmero de pares
electro-lacuna muito maior num cristal de Germnio puro que num
cristal de Silcio pois, como j foi visto, a resistividade do Germnio

bem menor que a resistividade do silcio.

Ligaes Covalentes
Cada tomo de Silcio une-se a outros quatro tomos vizinhos, por
meio de ligaes covalentes, e cada um dos quatro electres de valncia
de um tomo compartilhado com um electro do tomo vizinho, de
modo que dois tomos adjacentes partilham os dois electres.

Dopagem de Semicondutores
Ao processo de adio de impurezas doadoras ou aceitadoras atribu-se o
nome de Dopagem Semicondutores . O exemplo seguinte exemplifica a
dopagem de silcio com fsforo e boro.

Dopagem Silcio
Semicondutores Positivos (de tipo P)
Quando ao silcio de adiciona um elemento do Grupo III como o
Alumnio, Glio, Boro, que tm 3 electres de valncia, produz-se uma
corrente onde faltam tantos electres como tomos do elemento
adicionado, formado desta forma um semicondutor do tipo P.

Semicondutores Negativos (de tipo N)

Se, em vez de adicionarmos com um elemento o grupo III, adicionarmos
elementos do grupo V, como o fosforo, arsnio ou antimnio que tm 5
electres de valncia, produz-se uma rede com electres em excesso
movendo-se em direco contrria ao campo submetido.

Movimento dos electres e das lacunas

Quando o cristal submetido a uma diferena de potencial (ou tenso
elctrica), a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electro, mas
em sentido contrrio,uma vez que possui carga elctrica . Para
compreender melhor esse movimento das lacunas, consideremos alguns
tomos de um cristal semicondutor (Silcio ou Germnio), supondo que
esteja ligado aos plos de uma pilha. Se no tomo 1 for rompida uma
ligao covalente, aparecer um electro, que ser rapidamente atrado
pelo plo positivo (+) da pilha seca, ficando no lugar desse tomo uma
lacuna.

Um electro de qualquer ligao covalente do tomo 2 poder preencher

a lacuna deixada pelo primeiro electro do tomo.

Entretanto, quando o electro abandona a ligao covalente do tomo 2,

surgir uma nova lacuna que, por sua vez, poder ser preenchida por
qualquer electro de uma ligao covalente do tomo 3. e assim
sucessivamente.