Reactivos de Dipositivos 2012

ELECTRNICA-ICE-ESIME-ZACATENCO-IPN
REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS
INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA EN COMUNICACIONES Y ELECTRONICA
UNIDAD PROFESIONAL ADOLFO LOPEZ MATEOS
COL. LINDAVISTA MEXICO, DF.
ACADEMIA:
ELECTRNICA
ASIGNATURA:
DISPOSITIVOS
REACTIVOS
PARA
DIPOSITIVOS
ELABOR:
ELIZABETH ARVALO GONZLEZ
SEMESTRE EN QUE SE IMPARTE:

QUINTO
PROGRAMA DE ESTUDIOS:
2004
FECHA DE ELABORACION:
ENERO-FEBRERO DEL 2012
PERIODO DE APLICACIN:
2 2009/2010 (ENE-JUN/2010), 1 2010/2011 (AGO-DIC/2010), 2 2010/2011 (ENE-JUN/2011), 1
2011/2012 (AGO-DIC/2011), 2 2012 (ENE-JUN/2012), 1 2013 (AGO-DIC/2012)
Elizabeth Arvalo Gonzlez -2012
NDICE
UNIDAD
I
II
III
NOMBRE DE LA UNIDAD
Pg.
Conceptos generales de las componentes electrnicas.
Bibliografa
Dispositivos de estado slido de dos terminales (diodos)
Bibliografa
12
Dispositivos de estado slido de tres terminales
13
(transistores)
IV
Bibliografa
17
Dispositivos de estado slido, utilizados como
18
interruptores controlados.
Bibliografa
21
Reactivos para apoyar a los alumnos en sus estudios en la evaluacin terica de la materia de
Dispositivos.
Unidad I Conceptos generales de las componentes electrnicas.
OBJETIVO
El alumno distinguir las caractersticas generales de los componentes electrnicos (dispositivos), sus
principales representaciones grficas en el plano X-Y, sus propiedades elctricas, su clasificacin de
acuerdo al nmero de terminales, los procesos de fabricacin, los tipos de encapsulados y su
ejemplificacin como bloques funcionales de acuerdo al proceso matemtico que puede efectuar a la
seal elctrica que se le aplique.
Cmo se clasifican las componentes electrnicas?

Respuesta:
En componentes electrnicas discretas e integradas.
Identifica los dispositivos elctricos y electrnicos del siguiente circuito colocando el nmero que
le corresponde de acuerdo a la respuesta:
Respuesta:
1. Capacitores electrolticos
2. Potencimetro.
3. Transistor bipolar.
4. Diodos rectificadores.
5. Diodo emisor de luz.
6. Regulador de voltaje LM7XXX
7. Resistores.
8 Capacitor cermico de disco.
Identificar la simbologa de los dispositivos electrnicos y elctricos en el siguiente diagrama

electrnico que se muestra. Relacionando el nmero de la respuesta con el dispositivo:
Respuesta:
1. Puente de diodos de de 8A.
2. Capacitor electroltico de 4700F, 100F ambos a125V y de 3.3F a 100V.
3. Diodo Zener de 15V, 30V y 13V.
4. Resistores de 27K, 1K, 10K, 6K8, 8K2, 5K6K, 100K, 9K1, 0.22, 47, 470 y
180K.
5. Capacitor cermico 47nF
6. Potencimetros de 3K, y 5K.
7. Transistor (BJT) PNP: BC327 y BD242A.
8. Transistor (BJT) NPN 2SD110 2SD388 2SD711 2N3055
9. Diodo emisor de luz (LED)
10 Transformador a 5A.
11. Circuito integrado LM723.
12. Tierra elctrica punto de referencia del circuito.
13. Push button NA
14. Diodos de conmutacin 1N4148.
4
Cules son las caractersticas generales de los dispositivos de estado slido?:

Respuesta:
1. Construidos con materiales semiconductores, tipo P y N.
2. Respuesta exponencial.
3. Dispositivos pasivos, es decir, consumen energa elctrica para poder realizar su trabajo.
4. Su funcionamiento depende de la polarizacin (directa e indirecta).
5. Pueden tener dos (como los diodos), tres (como los transistores) ms terminales (como los
circuitos integrados).
6. Existen dispositivos de estado slido de propsito general, de respuesta rpida, de
conmutacin, de potencia, entre otros.
Cules son los tipos de encapsulados?

Respuesta:
Existen 2 clasificaciones generales para lo encapsulados, segn contengan circuitos

integrados componentes discretos, encapsulados IC y encapsulados discretos
respectivamente.
Tipos de Encapsulados
CI
De insercin
DIP
SIP
PGA
Montaje Superficial
SOP
TSOP
QFP
SOJ
QFJ
QFN
TCP
BGALGA
Discretos
De insercin
Montaje Superficial
SP-8
SC-59
TO-252
SST
SC-62
TO-263
TO-3
SC-70
HVSON
TO-92
SC-74
HWSON
TO-126
SC-75
XSOF
Isolated TO-220
SC-84
SOP8
TO-220AB
SC-88
TSSOP
TO-251
SC-89
MLP
SC-95
EFLIP
7 Dar algunos ejemplos de dispositivos de estado slido de dos, de tres y ms terminales.

Respuesta:
1. Ejemplos de dispositivos de estado slido de dos terminales: Diodo rectificador, Diodo Zener,
Diodo Tnel, Diodo Varactor, Diodo de conmutacin, entre otros.
2. Ejemplos de dispositivos de estado slido de tres terminales: Transistor bipolar (BJT), JFET,
MOSFET, SCR, TRIAC, entre otros.
3. Ejemplo de dispositivos de estado slido de ms de terminales: CI555, CI556, CI174, 74LS00,
74LS02, 74LS04, MOC3031, HC4007, MCT2, MC14544B, entre otros.
8 Explicar qu es un diagrama a bloques.
Respuesta:
Es una representacin grfica y abreviada de la relacin de causa y efecto entre la entrada y la
salida de un sistema fsico.
9 Para qu sirve un diagrama a bloques?
Repuesta:
Proporciona un mtodo til y conveniente para caracterizar las relaciones funcionales ente
diversos componentes de un sistema de control. Los componentes del sistema se llaman de
manera alterna elementos del sistema. La forma ms simple de representar un diagrama a
bloques es con un solo bloque, con una entrada y una salida.
10 Cules son las caractersticas generales del diodo en polarizacin directa e inversa?
Respuesta
1. Polarizacin directa: VD pequeo; ID mayo a cero, resistencia interna del diodo pequea.
2. Polarizacin inversa: VD menor igual a cero; ID aproximadamente a cero, resistencia interna
del diodo muy grande.

11 Cmo se representa la grfica de un diodo?, e indicar en que parte de la grfica conduce el
diodo.
Respuesta.
Grfica caracterstica de un diodo.

En el primer cuadrante de la grfica al estar polarizado directamente el diodo conduce, mientras
que en el tercer cuadrante al estar polarizado inversamente el diodo deja de conducir.
12 Dibujar el diagrama a bloques de una fuente de voltaje lineal no regulada (eliminador).
Respuesta:
13 Dibujar el diagrama a bloques de una fuente conmutada.

Respuesta:
BIBLIOGRAFA
Floyd, Thomas L., Dispositivos Electrnicos, Ed. LIMUSA, S.A. de C.V. Grupo NORIEGA
EDITORES, Balderas 95, Mxico, D.F., 1994.
Garca B. Margarita, Dispositivos Electrnicos, TOMO I, IPN, 1995.
Malvino, Albert, Principios de Electrnica, Mc Graw Hill, Espaa, 2007.
Unidad II Dispositivos de estado slido de dos terminales (diodos)
OBJETIVO
El alumno analizar y verificar las caractersticas, limitaciones, comportamientos elctricos y
modelos equivalentes, de los principales dispositivos de estado slido de dos terminales (diodos), as
como, su aplicacin en el procesamiento de seales elctricas en circuitos electrnicos tpicos, como
(rectificadores, limitadores recortadores de voltaje, sujetadores cambiadores de nivel, dobladores,
triplicadores, regulador, voltaje de referencia, indicadores luminosos). Considerando smbolos,
caractersticas elctricas, circuitos equivalentes, y hojas de especificaciones del fabricante de cada
dispositivo.
Analizar la grfica y calcular la resistencia dinmica y la potencia

mxima, tomando en cuenta los valores de la grfica. Cada divisin
en el eje Y equivale a 5mA, mientras que cada divisin en el eje X
equivale a 1V.
Sol: rZ=27.69 y PZ=210mW
R1
Calcular la potencia que disipa un LED rojo, si su

resistencia interna es de 5, y su voltaje de unin es de
1.8V.
390 Ohm LED

Vs
15V
_
Sol: PLED=49.42mW
R2
120 Ohm
Analizar el circuito y calcular la carga, para que esta disipe una

potencia de 500mW, si el transformador tiene una relacin de 6:1.
Dibujar la seal de la carga indicando el valor de la amplitud y el
periodo. Tambin calcular el valor del capacitor que est conectado
en paralelo con la carga, para tener un rizo de 100mV.
Qu pasara si el D1 se abriera? Explica.
Se tendra la respuesta de un circuito rectificador de media
onda.
1N4001
N2
RL
N1
N3
1N4001
Sol: RL=165 y C=7207.07 F
Disear el circuito para que un diodo emisor de luz, trabaje

adecuadamente, de acuerdo a los siguientes datos: ILED=50mA a
VLED=3.3V
E = 9V
Sol: R=114
Analizar y calcular VO y PO del circuito mostrado. Tambin dibujar la

curva de salida y la funcin de transferencia.
1k
D (Si )
Vz = 5.1 V Vo
20Senwt
VO= 5.1V; y Po=72.42mW; semiciclo positivo.

VO= 0V; y Po=0W; semiciclo negativo.
6
Calcular el voltaje de entrada del circuito si la carga es de 560 y

esta disipa una potencia de 250mw, Dibujar la seal de la carga
indicando el valor de la amplitud y el periodo. Calcular el capacitor
que est conectado en paralelo con la carga, para tener un rizo de
50mV.
Qu pasara si el D2 se pusiera en corto? Explica.
1N4001
N2
RL
N1
N3
1N4001
Sol: Vi=17.8859Vp; y C=5531.522 F

7
Analizar el circuito rectificador de onda completa con puente de

diodos y calcular el valor del capacitor, para un rizo de 100mV, si el
transformador con derivacin central, presenta un voltaje en el
secundario de 12Vrms; para alimentar una carga que disipa 250mW.
Qu pasa si uno de los diodos se abre? Explica
D1
D3
RL
D2
D4
Sol: C=3029.009F
El circuito rectificador de onda completa se comporta como un
circuito rectificador de onda.
8
Analizar y determinar el voltaje pico inverso del diodo, la potencia y

el perodo de salida del rectificador de media onda, si el voltaje del
primario del transformador es de 127 Vrms, con una relacin 5:1 y
una carga de 560. Dibuje las grficas del secundario y de la
carga, as como la grfica de la funcin de transferencia. En todas
las grficas deben estar expresados los valores y las unidades
correspondientes.
D
N1
N2
RL
Sol: VPI=36.62Vp; Po=224.448mW; y TO=16.66ms

Analizar el circuito, y calcular el voltaje de salida (VO) y dibujar la
grfica de salida, as como la grfica de la funcin de transferencia.
Si el voltaje de la fuente es una seal senoidal con una amplitud de
10V.
Sol: El circuito es un sujetador positivo con VO=-0.7V a
VO=19.3Vp
C = 10 u F o 1 u F
+
+
+
CH1
Vs
CH2
Analizar el circuito, y calcular el VO y dibujar la grfica de salida, as

como la grfica de la funcin de transferencia.
C=1 uF
+ Vo
D (Si)
10
Sol: de VO= 1.7V a VO=21.3Vp
Vs = 12 Vp sent
E=2V
--
Analizar el circuito y calcular el voltaje de salida; dibujar la grfica,

si el voltaje del Zener es de 3.9V y el diodo es de germanio.
Explicar el funcionamiento del circuito e indicar que tipo de circuito
es.
Analizar el circuito y calcular el voltaje de entrada mnimo necesario

para establecer la regulacin del Zener y la potencia que ste
disipara, si dicho diodo presenta una resistencia interna de 10,
una corriente nominal de 1mA y un voltaje de ruptura Zener de
3.3V.
Vo
20Senwt
Sol: VO=3.9V y VO=0V, y se trata de un circuito recortador.
11
1k
560
Vi
100
Sol: Vimn=22.406V
R = 1 Kohm
12 Analizar el circuito y calcular el voltaje de salida (VO) del circuito

mostrado. Dibujar la curva de salida y la funcin de transferencia del
circuito.
D (Si )
Vo
Vs = 20 Vp
500 KHz
Vz = 5.1 V
Sol: VO=20Vp y VO=-5.8V

Analizar el circuito y calcular VO del circuito mostrado. Dibuja Si los
diodos Zener ambos son de 5.1V, y la fuente de alimentacin Vs
entrega una seal senoidal con una amplitud de 20Vp a una
frecuencia de 100Hz, y una R1 de 1K.
R1
+
13
Vs
Z1
Z2
Sol: VO=5.8V y VO=-5.8V

14
En un circuito regulador con diodo Zener, por el cual circula una

corriente de 5mA, con una fuente de alimentacin de 15V que
alimenta a una resistencia limitadora y a una carga, ambas de
330. Calcular el voltaje del Zener.
RS
15 V
RL
Sol: VZ=6.675V
10
15
Analizar el circuito y determinar la Izmx y la potencia que disipara

un Zener de 9.1V, con una fuente de alimentacin que vara desde
0V a 20V, si la resistencia limitadora es igual la resistencia de carga
mnima, con un valor de 270, y resistencia de carga mxima de
10K.
RS
E
RL
Sol: IZmx=40.36663mA y PZ=367.3336mW

16
Analizar el circuito y determinar el valor de la RLmin necesaria para

que el Zener de 10V regule, con una corriente nominal de 2mA,
cuya resistencia limitadora es de 390 y la fuente de alimentacin
es de 25V.
RS
25 V
RL
Sol: RLmn=274.26
17
Analizar el circuito y determinar el valor del resistor limitador en el

circuito regulador con diodo Zener de 5.1V a una corriente nominal
de 1mA, si se desea alimentar una carga de 150, y la fuente de
alimentacin tiene una variacin del 20% de su valor que es de
20V. Tambin calcular la potencia de disipacin del Zener.
RS
20 V
RL
Sol: RS=302.777 y PZ=144.953mW

18
Analizar el circuito y determinar los voltajes de entrada mnimo y

mximo que pueden regularse por el diodo Zener, si la IZK es de
1mA, 15mA de corriente de Zener mxima, el voltaje del Zener es
de 5.6V y una rZ de 10, para una carga infinita y una resistencia
limitadora de 560.
RS
Z Vo
Sol: Emn=6.17V y Emx=14.15V
19
Analizar el circuito y calcular las corrientes de carga mnima y

mxima para las cuales el diodo Zener se mantenga en regulacin.
Calcular la resistencia de carga mnima para que el Zener regule,
considerando VZ=9.1V, RS= 330, IZK=3mA e IZmx=90mA, con una
rZ=10, si la fuente de alimentacin es de 24V.
RS
24 V
RL
Sol: Para RLmx=, ILmn=0A e IZmx=43.824mA

RLmin=202.62, ILmx=45.06mA e IZmn=3mA
20
Un diodo Zener de 8.2V a 25oC, tiene un coeficiente en temperatura

positivo de 0.062%, calcular la variacin del voltaje a una
temperatura de 75oC.
Sol: VZ=0.542V, VZ(75oC)=8.4542V
11
21
Analizar el circuito y calcular el valor de la resistencia de carga para

que el diodo Zener regule, si Vi es igual 20V con una variacin de
20%, con VZ de 9.1v @ 5mA y RS de 100.
100
RLmn
20V
9.1V
Sol: RLmn=142.1875
12
BIBLIOGRAFA
13
Unidad III Dispositivos de estado slido de tres terminales (transistores)
OBJETIVOS
El alumno analizar y comprobar las caractersticas, limitaciones, comportamientos elctricos y
modelos equivalentes, de los dispositivos de estado slido de tres terminales conocidos como
transistores, as como, su aplicacin en circuitos electrnicos de polarizacin con Transistores
bipolares y Transistores de efecto de campo (considerando smbolos, caractersticas elctricas,
circuitos equivalentes, y hojas de especificaciones del fabricante).
Circuitos de polarizacin con transistores bipolares y transistores de efecto de campo.
Analizar el circuito y calcular los voltajes y corrientes en cada

uno de los dispositivos y uniones del transistor, si este es de
silicio y tiene una =0.99, calcular la potencia que disipa el
transistor.
10 V
3.3 Kohm
Sol. VRC=8.0336V, VCE=1.9664V,

VR1=VCB=0.845V,VR2=VBE=0.7V, IRC=8.0336mA, I1=256.05A,
I2=179.4872A, IB=76.56A, IC=7.7776A y PT=15.3475mW
1 Kohm
3.9 Kohm
Vcc= 15 V
Analizar el circuito y calcular: VCB, VCE, VE, VB, VC, IB, IC, I1, I2,
e IE, para una beta de 45 y con el potencimetro en 0 de su
valor.
Con base en los resultados escribir en que regin se
encuentra trabajando el transistor, e indicar la configuracin
del transistor, as como las caractersticas de esta.
1k
R1
2.2 K
TIP 41
RE
100
Z
5.1 V
Sol. VCE=-31.743V, VC=-28.04V, VCB=31.743V,VB=5.1V,

VBE=0.7V, VE=4.4V, IC=43.0435mA, I1=4.5mA, I2=3.5435mA,
IB=956.522A, IE=44mA
3
10 k
Analizar el circuito y calcular el voltaje de entrada, las

corrientes y potencias de disipacin en cada uno de los
dispositivos, considerando = 0.99 y un VCE= 3V para un
transistor de silicio.
Sol: VS=3.54V, IB=76.77A, IC= 7.6mA, IE=7.677mA,
VRB=2.073V,
VRC=6.232V,
VCB=2.3V,
PRB=159.14W,
PRC=47.36mW, PRE=5.894mW, PT22.8mW
Vcc = 10V
RC = 820
RB =27 K
T1
Vs
RE = 100
14
Vcc=+5V
Analizar el circuito y calcular los resistores para que el

transistor trabaje en el regin de saturacin, el cual tiene
VCEsat=0.25V, una ICsat de 25mA, un factor de ganancia en
corriente de 110 y el VI es igual al VCC. Considerando un LED
de rojo de 1.5V.
RC
RB
BC 547A Vo
Sol: RB=18K y RC=120
Vi
Vcc = + 5 V
Analizar el circuito y calcular los valores de VCE, IC e IB

considerando RB=18K y RC=120 del circuito, el cual tiene,
un factor de ganancia en corriente de 110 y el VI es igual al
VCC. Considerando un LED de rojo de 1.5V.
RC
LED
Sol: IB=238.89A, IC=26.278mA y VCE=0.347V
RB
Vi
Analizar el circuito y calcular los resistores para el circuito

considerando VE de 2V, VCE=5V e IC=12 mA, para un factor
de corriente de 180.
BC547A
Vo
+ Vcc = 12V
RC
R1
Sol: R1=68K, R2=47K, RC=390, y RE=150

BC548B
RE
R2
Analizar el circuito y calcular: VCB, VCE, VE, VB, VC, IB, IC, I1, I2,
e IE, para un factor de corriente de 180. Considerando
R1=68K, R2=47K, RC=390, y RE=150.
+ Vcc = 12V
RC
R1
Sol. VCE=4.55V, VC=6.63V, VCB=3.85V, VB=4.9V, VBE=0.7V,

VE=2.08V,
IC=13.775mA,
I1=1.12mA,
I2=1.043mA,
IB=76.626A, IE=13.851mA.
BC548B
RE
R2
Analizar el circuito y calcular RB, RE y RC para el circuito

bsico de polarizacin con transistor bipolar, con, VCC=15V,
IC=10mA, VBE=0.7V, VCE=5V, y una =200. Considere VE=2V.
RB
RC
VCC
Sol: RB=246K, RC=800, y RE=199

RE
15
Analizar el circuito y calcular R1, R2, RE y RC para el circuito

del transistor bipolar de silicio a baja potencia con, VCC=15V,
IC=20mA, VCE=5V, IR1= (1/10) IC y una =180. Considere
VE=2V.
Sol: R1=1.8K, R2=1.5K, RC=330, y RE=100
10
Analizar el circuito y calcular voltajes y corrientes; para un

transistor de silicio con =180 y un VCC=15V.
Analizar el circuito y disear el circuito para una IC2=30mA y

un VCE2=1.5V, si 1=110 y 2=45; y el diodo emisor de luz
tiene un voltaje de 3.3V.
Sol. IB1=6.006A, IE1=IB2=666.667A, RB=1.2654M
RC=140.
En valor comercial RB=1.2M y RC=120.
12
Para un JFET con polarizacin mediante divisor de voltaje,

analizar el circuito y calcular: voltajes y corrientes del circuito,
dado un VGS= -1.1v, R1=10M, R2=2.2M, RD=820,
RS=390 y un VDD=9 V.
Sol: VG=1.62V, VS=2.72V, ID=6.97mA, VDS=0.5663V y
VD=3.2863V
13
VCC
RE
R2
Sol.
IB=126.324A,
IE=22.865mA,
IC=22.7384mA,
I1=2.11mA, I2=1.983mA, IRC=24.8473mA, VCE=4.498V,
VC=6.7845V,
VCB=VR1=3.798V,
VB=VR2=2.9865V,
y
VE=2.2865V.
11
RC
R1
330
1.8 K
VCC
RC
RB
9V
BC 547
TIP41
10 M
820
9V
2.2 M
Analizar y calcular el circuito de polarizacin con IDSS=6mA,

VGSOFF=-4V, VDD=12, considerando las condiciones del punto
medio.
390
VDD
RD
Sol: RS=390, RD=1.8K y RG=1M
T1
RG
100
1.5K
RS
16
14
Analizar el circuito y calcular VD, VS, VDS, VGSQ, VG gm e IDQ,

mediante el mtodo grafico. Considerando RS=390,
RD=1.8K y RG=1M
VDD
RD
Sol: VD=6.42V, VS=1.2V, VDS=7.62V, VGSQ=-1.2V, VG=0V e

IDQ=3.1mA y gm=2.1mS
T1
RS
RG
15
Analizar y disear el circuito para IDSS=8mA, VGSoff=-5V y un

VGS de 1V
VD D=12.5V
R2
R1
VD =5V
Sol: R3=1M, R2=11.5M y R1=651.04

R3
16
Con base en el mtodo analtico, analizar el circuito y

calcular: VDS, ID, VS, VGS, y VG, considerando VD de 6V.
3.9 M
820
12 V
Sol: VDS=3.585V, ID=7.38mA, VS=2.415V, VGS=0.03554V, y

VG=2.45V
330
1M
17
Analizar el circuito y calcular voltajes y corrientes del circuito

e indicar de qu transistor se trata y en qu regin est
trabajando. Si VDS es de 5V.
10 M
9V
Sol: ID=0.784mA, VS=2.588V, VGS=-0.965V, VD=7.588V y

VG=1.623V
18
Analizar el circuito y calcular voltajes y corrientes empleando

en mtodo analtico, e indica en que regin se encuentra
trabajando el dispositivo semiconductor y de que dispositivo
se trata. Considerando un voltaje de drenador de 5V, una
IDon=1mA para una VGSumb de 1.5V, y una K=5.42mA/V2
Sol: ID=4.892mA,
VDS=7.989V
VS=0V,
VGS=2.45V,
VG=2.45V
1.8 K
2.2 M
R1
3M9
3.3 K
RD
820
12V
R2
1M
17
19
Analizar el circuito y calcular los valores de los resistores del

circuito, para un VGS de 5V y una ID de 5mA.
RD
RG
12V
Sol: RD=1.4K, y RG=1M
20
Analizar el circuito y calcular voltajes y corrientes en cada

dispositivos del circuito considerando que el transistor tiene
un VD=5V, un VDon de 1.5V y una y una K=5.42mA/V2
Sol: VG=VR2=VGS=0.923V, ID= 1.804mA,
VDS=4.96V, I1=923.1nA e I2=936nA
VRD=7.04V,
R1
12M
RD
3K9
12 V
R2
1M
BIBLIOGRAFIA
Garca B. Margarita, Dispositivos Electrnicos, TOMO II, IPN, 1995.
18
Unidad IV Dispositivos de estado slido, utilizados como interruptores controlados.
OBJETIVOS
El alumno analizar y comprobar las caractersticas, limitaciones, comportamientos elctricos y
modelos equivalentes, de los principales dispositivos de estado slido utilizados en el procesamiento
conmutado de las seales elctricas, as como, su aplicacin en circuitos electrnicos como
Interruptor elctrico y electrnico, con SCR, TRIAC y Optoacopladores. Considerando smbolos,
caractersticas elctricas, circuitos equivalentes, y hojas de especificaciones del fabricante, de cada
dispositivo.
Calcular el valor de las resistencias para un ngulo de

conduccin de 1350 y 900, empleando un SCR con IGT=
60A, VGT=0.6V, VBR=400V, con diodo de silicio,
RL=50. Siendo el diodo de silicio.
R1
RL
120 Vrms
a 60 Hz
R2
D
Sol. R1=4.00976M, R2=866.036K
Calcular el valor de las resistencias, considerando que el

SCR, tiene un VGT de 1.2V, IGT de 200A, y un VBR de
200V, para una conduccin que se encuentre entre 5 y
90. Considerando el diodo de silicio.
Lmpara
R1
120Vca
60Hz
Sol. R1=906.053K, R2=4.6341M
R2
D (Si)
Calcular las resistencias del circuito de la figura y el

ngulo de conduccin. Si las caractersticas del SCR
son: VGT=3V, VDRM=VBR=400V, IGT=200A, IH=5mA,
PG=1.3W y el diodo es de silicio. Describir el
funcionamiento del circuito.
Sol.
R1=705.27K,
cmx=175.9450
R2=359.94K;
Cmn=900
P1
RL=20
100Vrms
60Hz
R1
D1
19
Calcular las resistencias del circuito, para que tenga un

ngulo de conduccin de 90 0 170 0 . Si las
caractersticas del SCR son: VGT=3V, VDRM=200V,
IGT=200A, IH=5mA, PG=1.3W y el diodo es de silicio
R1
60Hz
Sol. R1=784.9743K, R2=1.566M
D1
Analizar el circuito y calcular R1 y R2 para un ngulo de

disparo de 90 y de 10, considerando una IGT de 15mA y
VDRM de 330V un VGT de 2V.
R1
Rcarga
R2
120Vca
Sol: VSCR=169.71Vp, Vdmx=169.71V, IGmn=7.28591mA,

Vdmn=29.47V,
IGmx=13.6605mA,
R1=12.28K,
R2=10.63K.
6
Del ejercicio anterior si se elige R1 de 12K, en que

valor de estar el ngulo de conduccin y de disparo.
Tambin calcular el Vd y la IG y el ngulo de disparo.
SW1
R1
Rcarga
12K
120Vca
R2
Sol: IGmx=13.976mA, Vdmn=22.528V, disparo=7.6282,

conduccin=172.372.
RL=20
P1
100Vrms
SW1
Respuesta
Proponer un circuito con transistor bipolar que controle la

corriente en la compuerta de un SCR.
20V
R1
RE
Rcarga
120Vca
R2
T2
R3
Repuesta
Proponer un circuito que controle la intensidad de

iluminacin, que emplee dispositivos tiristores.
L=100mH
Lmpara
R1=100K
DIAC
R2=15K
TRIAC
120Vca
a 60Hz
C1=0.1uF
a 250V
Proponer un circuito que permita controlar los ngulos de

conduccin y de disparo, as como los tiempos de
conduccin y de disparo, en un SCR.
C1=0.1uF
a 200V
Repuesta
20
R1
1K
Rcarga
330
R2=5K
Vi
12VpSent
SCR
R3
100
10
Analizar el circuito para verificar el funcionamiento,

tomando en cuenta que en el optoacoplador se tiene un
VCE de 10V, para un a IF de 10mA, e ICmx de 100mA,
mientras que el diodo emisor se tiene una IFmx=100mA,
IFtyp=10mA, para un VFtyp=1.18V.
R1 = 2.2 K
R2=100
4N26
Vi = 24V
5V
Sol: IFi=10.375mA, IC=10.375mA, VCE=3.963V

Analizar el circuito de la fig. 2, considerando en el emisor
del optoacoplador VF de 1.18V; mientras que para el
detector se tiene VCEsat de 0.3V, y el SCR presenta un
VDRM de 400V, IGTtyp de 60A y un VGTtyp de 0.6V.
1K
1N4004
4N26
11
Analizar el circuito, para verificar el funcionamiento,

considerando en el emisor del optoacoplador (4N26):
VFtyp de 1.15V para una IFtyp de 10mA, y una IFmx de
60mA; mientras que para el detector se tiene una ICmx de
150mA y una de 500; y para el 2N3904 una beta
mnima de 60.
1k
470
5V
2N3904
150
optoacoplador abierto
RL
1K
24V,5A
Explicar el funcionamiento del circuito. Calcular: voltajes,

corrientes del diodo emisor de luz, del transistor y del
Zener, as como . Si el diodo emisor de luz tiene un
voltaje tpico de VF=1.2V, una IFMx=80mA, mientras que
el fototransistor presenta un punto de operacin de
voltaje entre colector y emisor de 0.4V, para una
IF=10mA, y una ICMx=100mA. El transistor es de silicio y
tiene una ganancia en corriente de 40.
470
15 K
Sol: IFI= 8.191mA, IRE1IC1=20.5mA, VCE1=1.925V,

IB2=158.33mA,
IC1=20.5mA,
IC2=9.4998mA,
VCE2=0.5351V,
13
SW
1k
Sol: IFi=9.795mA, V120K=8.1V, I120K=67.7A, V82K= 0.6V,

I82K=7.32A, V18K=8.7V, I18K=483.3A, IE=560.83A,
IG=60.183A Y Vd=-1.22V
12
9V
C106
0V 5V
0V a 5V
24V
4N37
10K
Sol: Para VI=5V; IFI= 2.8mA, VCE1sat= 0.4V, IC1=4.75mA,

VCE2= 1.1V, por lo que VRL=22.4V.
Para Para VI=0V; IFI= 0mA, VCE1corte= VZ-VBEO2, IC1=0mA,
VCE2= VZ, por lo que VRL=24V-VZ.
21
14
Analizar y explicar el funcionamiento del circuito.

R1
El circuito permite acoplar un voltaje de CC externo a la

entrada del dispositivo digital (compuerta), mediante el
optoacoplador 4N33. El circuito convierte un voltaje de
entrada de 12VCD en un nivel alto de 5V y uno nivel bajo
de aproximadamente 0V. Este circuito se puede emplear
para monitorear una batera de automvil.
Cuando de aplica la seal de 12VCD, circula una corriente
IF a travs de la resistencia R1, se energiza el LED y el
fotodarlington conduce. Como resultado, circulara una
corriente de colector IC a travs del resistor R2. Esta
corriente
causa
una
cada
de
voltaje
de
aproximadamente 5V que es interpretada por la entrada
de la compuerta inversora como un nivel alto 1 lgico.
Cuando se retira la seal de entrada, no circula corriente
a travs del LED y el fotodarlington no conduce. Como
consecuencia, la entrada de la compuerta inversora
queda puesta a tierra y recibe un nivel bajo de
aproximadamente 0V.
Los valores de R1 y R2 deben elegirse de modo que la
corriente de entrada IF y de salida IC no excedan los
valores mximos especificados por el fabricante. Siendo
para el optoacoplador 4N33 IFmx de 80mA e ICmx de
100mA.
15
5V
10K
LED
Respuesta:
4N33
R2
470
TTL o CMOS
Analizar y explicar el funcionamiento del circuito.

5V
Respuesta:
Entrada
TTL o CMOS
LE D
El circuito sirve para interfazar una salida digital a cargas

de CA de baja potencia utilizando un optoacoplador
MOC3010. El fototriac acta como un interruptor en serie
con la lmpara, conectndola a la red de 120VCA cuando
la salida de la compuerta inversora es de nivel bajo (0V)
y desconectndola cuando es de nivel alto (5V).
El fototriac se dispara (entra en conduccin) cuando la
corriente a travs del LED (IF) supera un cierto umbral
denominado IFT. Para el MOC3010, la IFmx es de 50mA e
IFTmx de 8mA. Tpicamente la IFT es de 8mA e IF de
10mA.
R
1k
120Vca
a 10W
Lmpara
MOC3010
Vlnea
120Vca
a 60Hz
Fusible
BIBLIOGRAFIA
22
Garca B. Margarita, Dispositivos Electrnicos, TOMO II, IPN, 1995.
CEKIST S.A. Cursos prcticos de electrnica digital.
Almendarez A. Domingo, Curso de Electrnica II, IPN, Mxico, D.F., 1998.
23

Reactivos de Dipositivos 2012

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REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

SEMESTRE EN QUE SE IMPARTE:

REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS

Conceptos generales de las componentes electrnicas.

Dispositivos de estado slido de dos terminales (diodos)

Dispositivos de estado slido de tres terminales

Dispositivos de estado slido, utilizados como

Elizabeth Arvalo Gonzlez -2012

REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS

Cmo se clasifican las componentes electrnicas?

Identificar la simbologa de los dispositivos electrnicos y elctricos en el siguiente diagrama

Elizabeth Arvalo Gonzlez -2012

REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS

Cules son las caractersticas generales de los dispositivos de estado slido?:

Elizabeth Arvalo Gonzlez -2012

REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS

Cules son los tipos de encapsulados?

Existen 2 clasificaciones generales para lo encapsulados, segn contengan circuitos

7 Dar algunos ejemplos de dispositivos de estado slido de dos, de tres y ms terminales.

REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS

del diodo muy grande.

Grfica caracterstica de un diodo.

Elizabeth Arvalo Gonzlez -2012

REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS

13 Dibujar el diagrama a bloques de una fuente conmutada.

Garca B. Margarita, Dispositivos Electrnicos, TOMO I, IPN, 1995.

Malvino, Albert, Principios de Electrnica, Mc Graw Hill, Espaa, 2007.

Elizabeth Arvalo Gonzlez -2012

REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS

Unidad II Dispositivos de estado slido de dos terminales (diodos)

Analizar la grfica y calcular la resistencia dinmica y la potencia

Calcular la potencia que disipa un LED rojo, si su

390 Ohm LED

Analizar el circuito y calcular la carga, para que esta disipe una

Sol: RL=165 y C=7207.07 F

Elizabeth Arvalo Gonzlez -2012

REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS

Disear el circuito para que un diodo emisor de luz, trabaje

Analizar y calcular VO y PO del circuito mostrado. Tambin dibujar la

VO= 5.1V; y Po=72.42mW; semiciclo positivo.

Calcular el voltaje de entrada del circuito si la carga es de 560 y

Sol: Vi=17.8859Vp; y C=5531.522 F

Analizar el circuito rectificador de onda completa con puente de

Analizar y determinar el voltaje pico inverso del diodo, la potencia y

Sol: VPI=36.62Vp; Po=224.448mW; y TO=16.66ms

Elizabeth Arvalo Gonzlez -2012

Analizar el circuito, y calcular el VO y dibujar la grfica de salida, as

REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS

Sol: de VO= 1.7V a VO=21.3Vp

Analizar el circuito y calcular el voltaje de salida; dibujar la grfica,

Analizar el circuito y calcular el voltaje de entrada mnimo necesario

Sol: VO=3.9V y VO=0V, y se trata de un circuito recortador.

12 Analizar el circuito y calcular el voltaje de salida (VO) del circuito

Sol: VO=20Vp y VO=-5.8V

Sol: VO=5.8V y VO=-5.8V

En un circuito regulador con diodo Zener, por el cual circula una

Elizabeth Arvalo Gonzlez -2012

REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS

Analizar el circuito y determinar la Izmx y la potencia que disipara

Sol: IZmx=40.36663mA y PZ=367.3336mW

Analizar el circuito y determinar el valor de la RLmin necesaria para

Analizar el circuito y determinar el valor del resistor limitador en el