Solucionario de Ciencia e Ingenieria de Los Materiales

Ciencia
e
Ingeniera
Materiales
de los
J.M. Montes
F.G. Cuevas
J. Cintas
Solucionario de Ciencia e Ingeniera de los Materiales

J.M. Montes, F.G. Cuevas y J. Cintas
Gerente Editorial
Mara Jos Lpez Raso
Equipo Tcnico Editorial
Alicia Cervio Gonzlez
Paola Paz Otero
Editora de Adquisiciones
Carmen Lara Carmona
Produccin
Nacho Cabal Ramos
Diseo de cubierta
Ediciones Nobel
Preimpresin
Montytexto
COPYRIGHT 2014 Ediciones Paraninfo, SA
1. edicin, 2014
C/ Velzquez 31, 3. D / 28001 Madrid, ESPAA
Telfono: 902 995 240 / Fax: 914 456 218
clientes@paraninfo.es / www.paraninfo.es
ISBN: 978-84-283-3492-1
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()
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dispuesto en el artculo 270 del
Cdigo Penal vigente, podrn
ser castigados con penas de multa y privacin de libertad quienes reprodujeren o p
lagiaren, en
todo o en parte, una obra literaria, artstica o cientfica fijada en
cualquier tipo de soporte sin la
preceptiva autorizacin. Ninguna
parte de esta publicacin, incluido el diseo de la cubierta, puede ser reproducida,
almacenada
o transmitida de ninguna forma,
ni por ningn medio, sea este
electrnico, qumico, mecnico,
electro-ptico, grabacin, fotocopia o cualquier otro, sin la previa autorizacin escr
ita por parte
de la Editorial.
ndice
ndice
Prefacio
Bloque 1
La escala atmica de los materiales.
Orden y desorden
2. Estructura ntima de los materiales...................
2
3. La escala atmica de los materiales
metlicos...............................................................
cermicos..............................................................
polimricos........................................................... 42
7. Imperfecciones cristalinas...................................
51
Bloque 2
La escala microscpica
de los materiales.
Transformaciones de fases
y microestructura
Ediciones Paraninfo
8. T
ransformaciones de fases.
Aspectos generales............................................ 66
9. T
ransformaciones de fases.
Sistemas multicomponentes............................. 78
10. Diagramas de equilibrio....................................
11. Determinacin de diagramas
de equilibrio.......................................................
12. Diagramas de equilibrio de inters
tecnolgico.........................................................
Bloque 3
La escala macroscpica
de los materiales.
Propiedades macroscpicas
13. Propiedades mecnicas de los materiales.
Elasticidad...........................................................
Plasticidad...........................................................
Termofluencia y viscoelasticidad...................... 158
Fallo mecnico...................................................
17. Propiedades elctricas de los materiales.
Bandas y conductores........................................
176
Semiconductores................................................
Aislantes..............................................................
205
20. Propiedades magnticas de los materiales.....
217
21. Propiedades pticas de los materiales............ 228
22. Propiedades trmicas de los materiales..........
236
84
106
115
142
148
165
190
12
27
23. Propiedades qumicas de los materiales..........

III
250
Prlogo
Prefacio
A menudo la tarea de resolver problemas es entendida por los
alumnos como algo superfluo y tedioso. En el fondo de este
sentimiento est la creencia de que estudiando nicamente la
parte terica puede alcanzarse una comprensin profunda de
una materia.
Nada ms lejos de la realidad. Si bien el estudio de los
fundamentos tericos resulta imprescindible, no es menos
cierto que la realizacin de ejercicios y problemas constituye
el pilar bsico sobre el que afianzar dichos conocimientos,
a la vez que abre un sinfn de posibilidades para matizar lo
aprendido, aplicndolo a diversas situaciones. Es ms, estamos convencidos de que di
fcilmente la parte terica de
cualquier materia puede llegar a comprenderse en toda su
magnitud sin la realizacin de problemas o ejercicios, capaces de desentraar las di
stintas facetas escondidas en frases
sueltas, en palabras aisladas, que solo entonces adquieren su
verdadero significado.
Ediciones Paraninfo
Es por esta razn que en la redaccin del libro de texto
Ciencia e Ingeniera de los Materiales no hemos escatimado espacio para la inclusin d
e un buen nmero de ejercicios resueltos. Por la misma razn, deseamos que tambin
est disponible para el docente la resolucin de la extensa
coleccin de problemas propuestos al final de cada captulo,
y por ello nos hemos embarcado en la tarea de esta nueva
publicacin.
Hemos intentado hacer una resolucin detallada de los
problemas, sin dar saltos al vaco, aunque ello hubiera sido
posible teniendo en cuenta que el material de este libro est
destinado a nuestros colegas profesores. Hemos preferido resolverlos con todo lu
jo de detalles, tal y como el docente suele explicrselos a sus alumnos. Y en esa
tarea consideramos
imprescindible una serie de puntos que hemos tenido muy
presentes a la hora de redactar este documento, y que deberan grabarse a fuego en
la mente de los alumnos. Esta especie de liturgia nos indica que para resolver
correctamente un
problema conviene: (1) leer reflexivamente el enunciado, (2)
trazar mentalmente el camino a seguir para la resolucin, (3)
tratar de encontrar las expresiones matemticas de partida,
(4) operar algebraicamente (o a veces, hacer uso del clculo
infinitesimal o integral) con las expresiones de partida para
llegar a una expresin final, (5) sustituir los valores numricos proporcionados por
el enunciado en dicha expresin
final, incluyendo en los clculos las unidades de las distintas
magnitudes, y (6) continuar hasta completar la resolucin
del problema y lograr el valor o expresin pedido.
Somos conscientes que, a menudo, este ritual es sorteado
por los alumnos, que demuestran tener mucha prisa por sustituir los valores numri
cos que proporciona el enunciado del
problema, lo que les lleva a veces a largusimas operaciones
con la calculadora, y a la imposibilidad de revisar rpidamente la correccin de un
resultado parcial o final. Del mismo
modo, durante la preparacin de los exmenes, es bastante
extendida la prctica de resolucin mental de los problemas, dejando siempre para un m
omento que nunca llega la
conclusin de la resolucin. No debe olvidarse que, en muchos casos, el inters de cie

rtos problemas no es ms que la
familiarizacin con los rdenes de magnitud de ciertas variables habituales, como co
ncentraciones atmicas, densidades,
mdulos y resistencias mecnicas, resistividades elctricas,
etc. Por ello, la mencionada prctica de resolucin mental
debe considerarse bastante perniciosa y desaconsejable.
Finalmente, aunque hemos sido cuidadosos y hemos dedicado un buen nmero de horas
a la caza de errores, estamos completamente seguros que debe haberse deslizado
una legin de erratas. Les agradecemos de antemano que nos
las hagan llegar, a travs de la Editorial o directamente a los
autores por medio de correo electrnico.
Esperamos, estimados colegas, que este material sea de
su agrado y contribuya a la clarificacin de algunos aspectos
oscuros de esta bella materia.
Que lo disfruten.
Los autores
V
La escala atmica
de los materiales
Orden y desorden
BLOQUE
1
Captulo 2
Estructura ntima de los materiales
Captulo 2
2.1. Empleando la expresin de Pauling, calcule el porcentaje de carcter inico en el
FH y en
el LiH.
Datos:
(H) = 2.2,
(F) = 3.98 y (Li) = 0.98.
De acuerdo a la ecuacin propuesta por Pauling:
ci (HF)
ci (LiH)
100
100
1
1
exp
exp
0.25
0.25
(3.98
(2.2
2.2)2
0.98)2
54.71 %
31.07 %
2.2. Escriba en notacin de ndices de Miller todas las direcciones de la familia de

direcciones
1 0 1 en el sistema cbico.
Esta familia es la formada por las diagonales de las caras de la celdilla cbica.
Como existen 2 diagonales por cada cara del cubo, hay 12 direcciones posibles. E
liminando las duplicidades asociadas
a diagonales en caras paralelas, quedaran solo 6 direcciones. A saber,
101
[1 0 1], [ 1 0 1], [1 1 0], [ 1 1 0], [0 1 1], [0 1 1]
2.3. Para una celdilla unidad cbica, trace las siguientes direcciones cristalogrfi
cas expresadas por sus ndices de Miller:
a) [1 1 0] b) [1 1 1] c) [0 1 3] d) [0 2 1] e) [1 1 2]
Ediciones Paraninfo
2.4. Determine los ndices de Miller de las siguientes direcciones de una celdilla
unidad cbica.
2
La escala atmica de los materiales

(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
Punto inicial: (0, 0, 1/2)
Punto final: (1, 0, 0)
Bloque 1
Vector director = punto final punto inicial = (1, 0, 1/2)
ndices de Miller [2 0 1]
Punto inicial: (0, 0, 0)
Vector director = (1, 1, 1)

ndices de Miller [ 1 1 0]

Punto final: (1/2, 0, 1)
Vector director = (1/2, 0, 1/2)

Vector director = (0, 1, 1/3)
2.5. Dibuje en celdillas cbicas los siguientes planos cristalogrficos:

a) (1 1 1) b) (1 1 0) c) (2 2 2) d) (1 1 2) e) (1 0 0) f) (2 2 1) g) (3 2 2).
Ediciones Paraninfo
Para dibujar un plano a partir de los ndices de Miller hay que calcular el invers
o de cada ndice;
estos inversos representan los puntos de corte con los ejes.
3
Captulo 2
2.6. Determine los ndices de Miller de los siguientes planos de una celdilla cbica
.
Plano A
Trasladando el origen de coordenadas, los puntos de corte con los ejes de refere
ncia seran:
(,1, 1/2)
inversos: (0, 1, 2) A
(0 1 2)
Plano B
De nuevo es necesario trasladar el origen de coordenadas. Los puntos de corte co
n los ejes
coordenados sern ahora:
(1/2, 1/2, 1) inversos: (2, 2, 1)
B
(2 2 1)
Plano C
Prolongamos el plano hasta que corte a los ejes coordenados. Los puntos de corte
resultan ser:
(2, 2/3, 1) inversos: (1/2, 3/2, 1)
Finalmente, multiplicando por 2 para obtener nmeros enteros, se obtienen los ndice
s de Miller del plano C
(1 3 2)
Los puntos de corte sern ahora:
(, 1/2, ) inversos: (0, 2, 0), por lo que el plano D
4
Ediciones Paraninfo
Plano D
(0 2 0)

Bloque 1
2.7. Usando celdillas unitarias cbicas, represente el plano (1 1 2) y la direccin
[1 1 2] y muestre grficamente que el mencionado plano contiene a la direccin [1 1
1 ].
Para el plano (1 1 2), los cortes con los ejes estarn en: 1, 1, . Representando
grficamente se puede intuir que el vector [1 1 1] es paralelo al plano.
Matemticamente puede demostrarse sabiendo que un vector perpendicular al plano (1
1 2) es el [1 1 2] y que el producto escalar de dos vectores perpendiculares es
nulo. De este modo, es fcil comprobar si [1 1 2] y [1 1 1] son
perpendiculares sin ms que efectuar el producto escalar. A saber,
[11 2]
[11 1]
1 1 1 1
2
( 1)
2
2
0
2.8. Calcule el ngulo formado por las direcciones [2 0 1 ] y [1 0 1] en un sistem
a cbico.
Las direcciones en un sistema cbico pueden tratarse directamente como vectores, s
iendo vlidas
todas las operaciones aplicables a estos ltimos. Llamemos:
a
[2 0 1]
[10 1]
El producto escalar de dos vectores viene dado por a

que:
a
2
| a |
| b |
cos
, por lo
b
1
arccos
arccos
| a | | b |
4
0 1 1
1
71.56
10
2.9. Indique los ndices de Miller de la direccin perpendicular a [123] y [ 1 10] e
n un sistema
cbico.
Dado que las direcciones se pueden tratar como vectores (recurdese que los ndices
de una direccin no son ms que las componentes de su vector director), basta calcul
ar su producto vectorial y
reducir el resultado a los menores enteros posibles.
i
[123]
1
[1 10]
j k
2 3
(0
3)i
3i
3 j
1 0
(0
3k
3) j
(1
2)k
Ediciones Paraninfo
Reduciendo a los enteros menores, nos queda: ( 111)
5
Captulo 2
2.10. Establezca, tanto grfica como analticamente, los ndices de Miller de la inter
seccin
entre los planos (111) y (1 1 0) en un cristal cbico.
Grficamente:
En primer lugar, dibujaremos el plano (111) y el plano (1 10). Para el primer pl
ano, los puntos de
corte son x = 1, y = 1, z = 1. Para el segundo, los puntos de corte con los ejes
coordenados son:
x = 1, y = 1, z =
.
Trasladamos paralelamente el plano hasta que quede dentro de la celdilla, para q
ue pueda interceptar al plano (111).
La interseccin de los dos planos ser una recta, cuyos ndices se calculan como sigue
:
Punto final = (0, 0, 1)
Punto inicial = (1/2, 1/2, 0)
vector director = 1/2 i 1/2 j + k

Los ndices de Miller de la recta interseccin sern, pues, [ 112]
Analticamente:
La recta de interseccin entre dos planos viene determinada por el producto vector
ial de los vectores normales de ambos planos. Adems, como la celdilla es de tipo
cbico, se cumple que el vector
normal a un plano dado tiene los mismos ndices que dicho plano. Estos es,
[h k l]
(h k l)
Por tanto:
(111) n1 = [111]
n1
n2
[111]
[1 1 0]
i
j
1 1
1 1
(1 10) n2 = [1 10]
k
1
0
(0
1)i
(0
1) j
Ediciones Paraninfo
( 1
1)k
2k
[11 2 ]
Esta direccin es la misma que la calculada grficamente, solo cambia el sentido, pero
el sentido
es una propiedad de los vectores, no de las direcciones cristalogrficas.
6

Bloque 1
2.11. Compruebe, analtica y grficamente, si, en un sistema cbico, la direccin [11 1
] est
contenida en el plano definido por las direcciones [ 1 10] y [20 1 ].
Analticamente:
El vector normal al plano vendr dado por el producto vectorial de [ 110] y [2 0 1
].
i
[110]
2
[20 1]
j k
1 0 ( 1
0 1
0)i
(1
0) j
(0
2)k
2k
[1 1 2]
[1 1 2]
La direccin [11 1] estar contenida en el plano si forma 90 con el vector normal de

dicho
plano; es decir, cuando su producto escalar sea nulo. Como:
[11 1][1 1 2] = 1 + 1 2 = 0
esto quiere decir que [11 1] est contenida en el plano que forman las direcciones
[ 110] y [20 1
].
Grficamente:
Para determinar cul es el plano, se dibujan las direcciones de modo que estn conte
nidas en
una misma celdilla. (Se trasladan paralelamente las rectas hasta que estn conteni
das en la
misma celdilla.)
Los ndices de Miller del plano sern:
Cortes con los ejes: 1, 1, 1/2
Inversos: 1, 1, 2
ndices: (1 1 2)
La recta A se traslada paralelamente hasta la celdilla superior, resultando A.
De nuevo, trasladamos A paralelamente a s misma (resultando A) y
se comprueba que est contenida en el plano (112).
Como comprobacin adicional calculamos los ndices de la direccin
A:
Punto inicial = (0, 0, )
Punto final = (, , 0)
Ediciones Paraninfo
vector director = 1/2 i +1/2 j 1/2 k

Los ndices de A sern, por tanto, [1 1 1]
Captulo 2
2.12. En una celdilla tetragonal, dibuje el plano (0 1 2) y la direccin [1 1 2].
Para dibujar un vector en una celdilla tetragonal se opera como si la celdilla
fuese cbica y, antes de realizar su representacin grfica, se multiplica cada trmino
por los parmetros reticulares.
Vector director: (1, 1, 2)
Direccin [1 1 2]
Multiplicamos por los parmetros (a, a, 2c)
Para dibujar el plano, los puntos de corte con los ejes coordenados se obtienen
a partir de los
inversos de cada uno de los ndices, (, 1, ), y multiplicndolos luego por los parmetro
s reticulares, (, a, c/2).
2.13. Designe la direccin y plano de la siguiente celdilla ortorrmbica.
Direccin:
Plano:
Trasladando el plano para evitar el corte con el origen de
coordenadas:
El plano corta a los ejes XYZ en: x = a, y = b, z =
Calculando los inversos queda: (1/a, 1/b, 0)
Ediciones Paraninfo
Multiplicando por los parmetros reticulares, los ndices de
Miller del plano quedan (1 10)
8

Bloque 1
2.14. Calcule el ngulo formado por las direcciones [110] y [221] en un sistema or
torrmbico
cuyos parmetros cristalinos son: a = 0.3 nm, b = 0.4 nm y c = 0.7 nm.
Para calcular la direccin en un sistema ortormbico deben multiplicarse los ndices d
e Miller por
los parmetros reticulares a, b y c, y as obtener el vector director.
a
(0.3, 0.4, 0)
b
(2
0.3, 2
0.4, 0.7)
(0.6, 0.8, 0.7)
a
0.3
0.6
arccos
0.4
0.8
0.7
arccos
2
2
2
2
2
| a | |b |
0.3
0.4
0.6
0.8
0.7
34.99
2.15. Determine, en una celdilla ortorrmbica (a = 4 nm, b = 8 nm, c = 10 nm), el n
gulo entre
la direccin [110] y el plano (110).
El ngulo entre una direccin y un plano no es ms que el ngulo entre la direccin y el v
ector normal al plano.
Para calcular el vector normal al plano, basta realizar el producto vectorial de
dos direcciones
contenidas en el plano. Por ejemplo: [0 0 1] y [ 11 0].
Teniendo en cuenta que a = 4 nm, b = 8 nm y c = 10 nm
Ediciones Paraninfo
i
j k
0 0
4 8 0
10
(0
80)i
(0
40) j
(0
0) k
80i
40 j
Dividiendo 80 entre 4, y 40 entre 8 (para tener en cuenta que a = 4 nm y b = 8 n

m), se obtiene:
9
Captulo 2
n
[20 5 0]
[4 1 0]
El ngulo formado por las direcciones [1 1 0] y [4 1 0], sin olvidar considerar qu

e a = 4 nm y b =
8 nm, sera el ngulo entre los vectores a
(4, 8, 0) y b
(16, 8, 0) , de modo que:
a
b
(4, 8, 0)
(16, 8, 0)
64
64
0
arccos
arccos
arccos
36.87
42
82
162
| a |
| b |
80
320
82
2.16. (Avanzado) Represente las direcciones [ 2110 ] y [ 1121 ] y los planos ( 1

210 ) y ( 2111 ) en
una celdilla hexagonal.
Plano ( 1210 ):
Al igual que en otros tipos
enados vienen dados por los
Puntos de corte: a1 = 1, a2
Plano ( 2111 ):
Puntos de corte: a1 = , a2
de celdillas, los puntos de corte con los ejes coord

inversos de los ndices de Miller del plano:
= 1/2, a3 = 1, a4 = 0
= 1, a3 = 1, a4 = 1
2.17. Para una celdilla ortorrmbica centrada en las bases, con b =1.5a y c = 3a,
calcule expresiones (en funcin de a cuando sea necesario) para:
a) Su volumen.
b) El nmero de tomos por celdilla.
c) La concentracin atmica.
En una celdilla ortorrmbica centrada en las bases:
b) n
8
18
3
X ] n
V 2 (4.5a
) 0.44a 3
c) [
10
12
2 2
Ediciones Paraninfo
a) V
1.5a
3a
4.5a 3

Bloque 1
2.18. En relacin a las redes de Bravais, hay cuatro redes ortorrmbicas y solo dos
de tipo
tetragonal. Explique los motivos de esta diferencia.
Ediciones Paraninfo
Puede comprobarse que la red tetragonal centrada en las bases resultara equivalen
te a una red tetragonal simple, sin ms que considerar, en la cara superior por ej
emplo, los tomos de una arista y
los de los centros de las bases de las dos celdillas que comparten dicha arista.
Con ellos se formara
una red tetragonal simple.
Del mismo modo, la red tetragonal centrada en las caras resultara equivalente a u
na red tetragonal centrada en el interior.
Para el caso de las redes ortorrmbicas, el hecho de que los parmetros de red sean
diferentes
entre ellos hace que lo anterior no se cumpla, definindose por tanto las 4 redes.
11
Captulo 3
La escala atmica de los materiales metlicos
Captulo 3
3.1. El wolframio es uno de los elementos qumicos ms densos ( = 19.25 g/cm3). Sabie
n o
que sus tomos se isponen segn una estructura CCI y que su masa atmica es 183.84 g/
mol,
calcule el ra io atmico el wolframio.
Dato: NA = 6.0221023.
La densidad terica se calcula como:
Mc
Vc
183.84 g
N A tomos
19.25 g cm3
a3
2 tomos
de donde se desprende que
a 3 3.172 10 23 cm3 , y de aqu que a
3.165 10 8 cm
0.3165 nm .
Dado que la estructura es CCI el contacto entre tomos se produce a lo largo de la
diagonal del
cubo, se tendr que 3a
4r . Por tanto:
r (W)
3a
0.137 nm
4
3.2. Determine el tipo de estructura cristalina del Au sabiendo que su densidad
es de 19.30
g/cm3, su masa atmica 196.97 g/mol y su parmetro de red a = 0.40782 nm.
Dato: NA = 6.0221023.
La densidad del Au puede calcularse segn:
Mc
Vc
196.97 g
N A tomos
19.30 g cm3
7
3
(0.40782
10 cm)
x tomos
Despejando se obtiene, finalmente, que x = 4.00. As pues, cada celdilla contiene
4 tomos.
Dado que ms del 90 % de los materiales metlicos tienen estructuras del tipo CCI, C
CC o HC,
y que de estas estructuras solo la CCC tiene 4 tomos/celdilla, puede concluirse q
ue (con los datos
de que se dispone en el problema) el Au debera tener estructura CCC.
Conocido r, podemos calcular los parmetros reticulares a y c:
12
Ediciones Paraninfo
3.3. El Zn cristaliza segn una estructura HC. Suponiendo esta estructura perfecta
y sabiendo
que su radio atmico es r (Zn) = 0.138 nm, estime la densidad del Zn.
Datos: M (Zn) = 65.38 g/mol y NA = 6.0221023.

Bloque 1
a = 2r = 2(0.138 nm) = 0.276 nm
c = 1.63a = (1.63)(0.276 nm) = 0.450 nm
El volumen de la celdilla corresponde al de un prisma hexagonal de arista a y al
tura c. Este volumen se calcula multiplicando el rea de la base por la altura c.
Es fcil demostrar que el rea de la
base es igual a 3 3a 2 2 , por lo que el volumen de la celdilla resulta ser Vc
3
3a 2 c 2 .
Con todo ello, la densidad terica se calcular como:
Mc
Vc
65.38 g
6 (65.38 g)
N A tomos
NA
7.31 g cm3
2
2
7
7
3 3a c 2
3 3
(0.276 10 cm)
(0.450
10 cm) 2
6 tomos
3.4. En algunos materiales HC, la relacin c/a no es igual a 1.63. Sabiendo que, p
ara el Cd,
c/a = 1.89, su masa atmica 112.41 g/mol y el radio de sus tomos r (Cd) = 0.149 nm,
calcule su
densidad terica.
La densidad terica la calculamos mediante la expresin:
donde
Vc
Mc
Vc
3 3 2
ac
2
Teniendo en cuenta que c
3
3
V
12 3 1.89
r
39.28
(0.149 10 7 cm)
1.300 10 22 m3
1.89a y a
2r , resulta que
c
Sustituyendo:
Mc
Vc
112.41 g
N A tomos
8.62 g cm3
22
3
(1.300 10 cm )
2
12
tomos
En el caso del Cd, la anmala relacin c/a es responsable de su baja densidad, tenie
ndo en cuenta su
masa atmica.
3.5. Calcule la fraccin de empaquetamiento para una estructura CCC y para una HC
(perfectamente regular).
Ediciones Paraninfo
Para la estructura CCC:
13
Captulo 3
En esta estructura, los tomos estn en contacto a lo largo de
la diagonal de la cara del cubo
2 a
4 r .
La fraccin de empaquetamiento volumtrico se calcula como:
fV
4
34
r 3
volumen ocupado
34
r 3
2 32
0.7405
74.05 %
3
volumen de la celdilla
4 3
a3
4r 2
Para la estructura HC, la arista de la base, a, satisface que a

la fraccin de empaquetamiento volumtrico resulta ser:
2r , por lo que
fV
6
43
r 3
6
43
r 3
volumen ocupado
2
0.7405
74.05%
volumen de la celdilla 3 3 2
6
3 3
2 4
ac
2r
(2r )
2
2
6
3.6. Determine la concentracin atmica lineal a lo largo de la direccin [111] para e
l caso de
estructuras CCI y CCC suponiendo en ambos casos que el parmetro de red vale a = 0
.3 nm.
Para la estructura CCI:

[ X ][111]
n tomos (1
12 ) tomos
longitud
3a
2 tomos
3.85 tomos nm
3 (0.3 nm)
Ediciones Paraninfo
Para la estructura CCC:
14

[ X ][111]
n tomos (2
12 ) tomos
longitud
3a
Bloque 1
1 tomo
1.93 tomos nm
3 (0.3 nm)
3.7. La Ag presenta estructura cristalina CCC y un radio atmico de 0.144 nm, seale
cul
ser la concentracin atmica superficial en los planos (0 1 0), (1 1 0) y (1 1 1).
Al ser CCC
2 a
4 r
4r
2.
Sustituyendo el valor del radio que proporciona el enunciado, obtenemos que a =
0.407 nm.
Concentracin atmica superficial en (0 1 0)
Solo la parte rellena de cada tomo est contenida en la cara de la celdilla.
X
(010)
n tomos (1
2 tomos
14 ) tomos
12.074 tomos nm 2
superficie
a2
(0.407 nm) 2
Concentracin atmica superficial en (1 1 0)
X
(110)
n tomos (4
14 ) tomos
superficie
2 a2
1 tomo
4.269 tomos nm 2
2 (0.407 nm)2
Ediciones Paraninfo
Concentracin atmica superficial en el (1 1 1)

15
Captulo 3
h
Superficie del tringulo
2
12
base
altura
12
12
a 2
a 2
= [ X ](111)
[X] 111
n tomos (3
12
16 ) tomos
superficie
3 a2 4
2 tomos
27.88 tomos nm 2
3 (0.407 nm)2 4
Este es el plano ms compacto de la estructura cristalina CCC.
3.8. Sabiendo que, en el Pt (estructura CCC), la concentracin atmica lineal es de
2.543 tomos/nm en la direccin [1 0 0], calcule el espaciado interplanar entre los
planos:
(1 1 1),
(2 2 2),
( 1 3 1) y
(0 21).
[Pt][100]
n tomos (2
12 ) tomos
2.543 tomos nm
longitud
a
Despejando: a = 0.393 nm
a)
b)
c)
d)
a
=
1
a
=
2
2
a
=
2
(
d
d
d
d
(111) =
222
=
1 31 =
( 021) =
0.2270 nm
1 1
0.1135 nm
22
22
0.1185 nm
1)
a
( 2) 2
32
1
1
12
= 0.1757 nm
Ediciones Paraninfo
Recuerde que, como se indic en el Captulo 2, pueden emplearse estas expresiones pa
ra calcular la distancia entre planos siempre y cuando los ndices de Miller estn r
educidos a los enteros
ms pequeos, como sucede en este caso.
16

Bloque 1
3.9. Un cristal metlico (con estructura de mxima fraccin de empaquetamiento) crece
en la
direccin perpendicular a los planos ms densos a la velocidad de 1 mm/da.
a) Calcule cuntos planos se forman por segundo suponiendo que el radio de los tomo
s es r =
1.42 .
b) Si el cristal fuera CCC y los tomos se depositaran, segn la direccin [1 0 0], al
mismo ritmo de planos por segundo que en el apartado anterior, indique cul sera l
a velocidad de crecimiento del material expresada en mm/da.
a) En un cristal metlico las estructuras de mxima fraccin de empaquetamiento volumtr
ico son
dos: CCC y HC.
La velocidad de crecimiento, v, puede expresarse en mm/s del siguiente modo:
1 mm
1 da
v
1.15 10 5 mm/s
da (24 h) (3600 s h)
Como se nos pide calcular la velocidad de crecimiento expresada en planos/s, habr q
ue calcular el nmero de planos que hay en 1 mm, para lo que se necesita la distan
cia entre dos planos
consecutivos.
Si se supone una estructura CCC:
El plano de mayor densidad en esta estructura es (1 1 1), y la direccin
al plano
anterior es la
[1 1 1]. De este modo
a
4r
4.016
10
7 mm
2
d
6.956
10 7 mm
La distribucin atmica que veramos en la direccin que marcan las

flechas sera la que se muestra en la figura:
d 3 2.319 10 7 mm. Tambin
La distancia entre los planos es
puede calcularse la distancia del origen al plano (1 1 1) mediante la
expresin:
d
a
h2
k 2
l 2
(4.016 10 7 mm)
2.319 10 7 mm
12 12
12
Si se supone una estructura HC:

Ediciones Paraninfo
En estructuras HC los planos de mxima compacidad son los basales: (0 0 1) en nota
cin de
Miller, o (0 0 0 1) en notacin de Miller Bravais. Los clculos sern ahora:
17
Captulo 3
2
a
(a 2)2
m 2
3a 2
a 2
h 2
(2 3 m)2 h
2r 2 3
2.319 10 7 mm
As pues, en cualquiera de los dos casos (CCC o HC), la velocidad de crecimiento s
er:
v
1.15
10 5
mm
1 plano
50 planos s
s 2.319 10 7 mm
b)
La distribucin que observaramos desde la direccin marcada por las flechas rojas sera
:
a 2 2.008 10 7 mm .
La distancia entre planos es
Tambin: d
a
2
2
0 0
a
4
a
2
Luego la velocidad de crecimiento ser de:
Ediciones Paraninfo
planos (24 h)
v
50
0.867 mm da
s
(3600 s h) 2.008 10 7 mm
1 da
1 plano
18

Bloque 1
3.10. La mayor parte de los materiales metlicos se dilatan al ser calentados. El
Fe sufre una
transformacin alotrpica a 912 C y pasa de estructura CCI a CCC. Compruebe si, en es
ta
transformacin, el Fe se dilata o se contrae.
Datos: r (FeCCI) = 0.126 nm y r (FeCCC) = 0.129 nm.
Para el FeCCI:
4r
2 2 3 3 3 3
]
3
La concentracin atmica ser de [FeCCI
a3
43 r 3
32r 3
2 t. / celdilla
a
Para el FeCCC:
4r
4 4 2 2
2
]
2
La concentracin atmica ser de [FeCCC
3
3 3
3
a
4
r
8
r
4 t. / celdilla
a
Dividiendo ambas concentraciones, obtenemos la relacin:
3 3
[FeCCI ] 32r 3 3 3
8 r 3 3 3
0.92
1
[FeCCC ]
2
2 32r 3 4 2
8 r3
Dado que el cociente obtenido es menor que la unidad, ello quiere decir que la c
oncentracin
atmica del FeCCC es mayor que la del FeCCI, por tanto, en el paso de FeCCI a FeCC
C se produce una
contraccin.
3.11. El hierro es un metal que presenta dos transformaciones alotrpicas. En una

de ellas, a
la temperatura de 912 C, cambia de estructura CCI a CCC, siendo sus parmetros de r
ed
0.290 nm y 0.365 nm, respectivamente.
a) Explique cul de las dos estructuras posee mayor densidad.
b) Calcule el radio atmico del tomo mayor que puede insertarse en el Fe (CCC) a la
temperatura de 912 C sin llegar a deformarla.
c) Establezca el nmero de tomos de C por celdilla unidad en un acero cuando la sol
ubilidad
del C es mxima en el Fe (CCC), que es un 2.11 % en masa.
Datos: M (Fe) = 55.85 g/mol y M (C) = 12.01 g/mol.
Ediciones Paraninfo
a) Las respectivas densidades tericas se calculan como:
(FeCCI )
(2 tomos)
(55.85 g/mol)
(1 mol / 6.022
1023 tomos)
7.60 g / cm3
3
7
(0.290 10 cm)
(FeCCC )
(4 tomos )
(55.85 g/mol)
(1 mol / 6.022 1023 tomos )
7.63 g / cm3
(0.365 10 7 cm)3
Por lo tanto:
19
(Fe CCI )
(Fe CCC )
Captulo 3
b) El radio atmico del tomo mayor que pueda insertarse en dicha celdilla (CCC) sin
deformarla
ser el correspondiente a un intersticio octadrico:
r (Fe
CCC )
2a
4
a
2
2r (FeCCC )
2rat
rat
(0.365 nm)
0.1290 nm
4
(0.365 nm)
0.0535 nm
2
2 (0.1290 nm)
c) La masa de una celdilla de FeCCC completamente pura ser:

M Fe
4 tomos
55.85 g
3.710 10 22 g
N A tomos
Para una solucin slida de FeCCC con un 2.11 % C, 3.71010-22 g es la masa del Fe que
corresponde al 97.89 % del total (el 2.11 % restante ser de C). La masa promedio
de C por celdilla unidadad debera ser:
mC
(2.11%)
3.710
10 22
7.997 10 24 g
97.89 %
Por consiguiente, el nmero de tomos de C por celdilla unidad ser:
NC
7.997 10 24
N tomos C
g
A
0.401 tomos C/celdilla
celdilla
12.01 g
3.12. Se tienen dos materiales con distinta estructura cristalina: Fe (CCI) y Al
(CCC). Se sabe
que:
En una arista de la celdilla del Fe, la longitud no ocupada por los tomos es 0.38
9 .
La concentracin atmica superficial del plano ms denso del Fe es 1.187 veces la del
plano ms denso del Al.
Conocidos estos datos:
a) Determine los radios atmicos de ambos elementos.
b) Calcule las densidades de ambos elementos.
c) Indique la densidad de una solucin slida formada por un 90 % de Fe y un 10 % de
Al
(porcentaje en masa).
Datos: M (Fe) = 55.85 g/mol y M (Al) = 26.98 g/mol.
aFe
2 rFe
0.389
1.257
4r
rFe
aFe
Fe
3
20
Ediciones Paraninfo
a) Para el FeCCI

Bloque 1
Mxima concentracin superficial:
FeCCI
plano {110}
1 4 14
3
[Fe]
2
2aFe
8 2 rFe2
AlCCC
plano {111}
[Al]
3
1
12
16
1 2a
rAl2
2
3
3a 2
2
Como [Fe]
1.187
[Al]
3
1
1.187
rAl 1.429
2
8 2rFe
2 3rAl2
b) Las densidades tericas sern:
Mc
Fe
Vc
Mc
Al
Vc
(2 tomos)
55.85 g mol
6.022 1023 tomos mol
7.58 g cm3
3
4
(1.257
10 8 cm)
(4 tomos)
26.98 g mol
6.022 1023 tomos mol
2.71 g cm3
3
4
(1.429
10 8 cm)
c) Densidad de una solucin slida 90Fe-10Al (SSS)

N A tomos
1 cm3
nFe
VFe
(90 g Fe)
(90 g Fe)
7.58 g
55.85 g
En 100 g de SSS
En 100 g de SSS
3
(10 g Al)
N A tomos
(10 g Al)
1 cm
nAl
VAl
26.98 g
2.71 g
En una SSS se mantiene constante la concentracin atmica (igual a la del disolvente
). As:
Ediciones Paraninfo
nFe
[SSS]
VFe
[Fe]
As pues, qu volumen ocuparn

21
nFe
nAl
tomos en la solucin SSS?
Captulo 3
VSSS
nAl
nFe
nFe
nAl
V
nFe
[SSS]
Fe
14.6 cm3
De este modo, la densidad de la solucin slida ser:
SSS
M SSS
100 g
6.847 g cm3
VSSS 14.6 cm3
3.13. A una determinada presin y temperatura, el Fe tiene una densidad de 7.63 g/
cm3.
a) Calcule el nmero de coordinacin del Fe en esas condiciones.
b) Si se alea una pieza de 25 g de Fe con 3 g de Ni y 0.25 g de C, averige cul ser
la densidad
de la solucin slida obtenida, en las mismas condiciones de presin y temperatura.
Datos: r (Fe) = 1.291 , M (Fe) = 55.85 g/mol, M (Ni) = 58.69 g/mol, M (C) = 12.01
g/mol y
NA = 6.0221023.
a) Sabemos que el Fe puede presentar estructura CCI o CCC, por lo que comprobamo
s para ambas
estructuras:
Supongamos estructura CCI:
(4r )2
4r 4
2a 2
a 2
1.291
3
3
2.98
La densidad terica:
Mc
Vc
55.85 g
1 mol
1 mol N A tomos
7.01 g cm3
7.63 g cm3
(2.98 10 8 cm)3
(2 tomos)
Supongamos estructura CCC:
(4r )2
a 2
a 2
a
4r
2
3.65
por lo que la densidad terica:
Mc
Vc
55.85 g
1mol
1mol N A tomos
7.63 g cm3
(3.65 10 8 cm)3
(2 tomos)
b) Pieza de 25 g de Fe + 3 g de Ni + 0.25 g de C.
El enunciado nos revela que el resultado es una solucin slida, y sabemos que:
El Ni forma con el Fe una S.S.S.
El C forma con el Fe una S.S.I.
22
Ediciones Paraninfo
Se tiene, pues, que la estructura cristalina adoptada es CCC, por lo que
el nmero de coordinacin es 12.

Bloque 1
Considerando que:
El parmetro de red de la aleacin puede suponerse aproximadamente igual al del Fe p

uro.
Masa total de la aleacin M aleacin
25 g
3 g
0.25 g
28.25 g
Para el clculo del volumen ocupado por la aleacin: el Ni, al ser sustitucional, ap
orta un
aumento de volumen, mientras que el C, al ser intersticial, no modifica el volum
en.
Calculemos, primeramente, el nmero de tomos de Fe y Ni, y la suma de ambos:
1 mol N A tomos
2.696
1023 tomos Fe
55.85 g
1 mol
23
N
N Fe N Ni
1 mol N A tomos
23
3g
0.308
N Ni
3.003
10 tomos
10 tomos Ni
58.69 g
1 mol
25 g
N Fe
En una estructura CCC hay 4 tomos/celdilla, as que, el volumen de la celdilla de l
a aleacin se
calcular como:
a3
24
3
3
8
(7.508
tomos
4
10 )
(3.65
10 cm)
3.65 cm
Valeacin
3.003
1023 tomos
Por lo tanto, la densidad de la nueva aleacin queda:

M aleacin 28.25 g
7.739 g cm3
Valeacin 3.65 cm3
(Note que en la masa de la aleacin estamos incluyendo tambin la masa aportada por
los tomos de
C, que no han sido tenidos en cuenta, en cambio, para el clculo del volumen de la
aleacin.)
3.14. Establezca el porcentaje en masa de Al que debe aadirse al Cu para consegui
r una solucin slida que contenga 3.351021 tomos de Al por cm3.
Datos: M (Al) = 26.98 g/mol, M (Cu) = 63.55 g/mol, Estructura cristalina (Cu) =
CCC, a = 3.61
y NA = 6.0221023.
La concentracin del cobre puro (CCC):
4 tomos 1 celdilla
4 tomos
8.50 1022 tomos cm3
3
8
a3
3.61 10 cm
Cu
celdilla
El Al y el Cu forman una SSS, con lo cual, aproximadamente, debe cumplirse que:
Cu
SSS
8.50
1022 tomos cm3
Ediciones Paraninfo
El enunciado nos dice que la concentracin de tomos de Al en la SSS es de:
Al
SSS
3.35
23
1021 tomos cm3
Captulo 3
As, la concentracin de tomos de Cu en la SSS se calcular como:
8.16 1022 tomos Cu
Cu SSS
SSS
Al SSS
cm3
Calculemos ahora la masa de Cu y Sn que habr en 1 cm3:
mCu
(8.16 1022 tomos )
(63.55 g)
8.61 g de Cu
N A tomos
mSn
(3.35 1021 tomos )
(26.98 g)
0.15 g de Sn
N A tomos
As pues, el porcentaje en masa de Al ser:
F
(0.15 g)
100 1.71 % Al
0.15 g
8.61 g
3.15. Se sabe que la mxima solubilidad del Cu en Al a la temperatura de 548.2 C es
de un
5.65 % en masa. Al bajar la temperatura a 500 C, dicha solubilidad disminuye y pa
sa a ser de
un 4 % en masa. Determine si permiten los clculos tericos llegar a la misma conclu
sin que
estos resultados experimentales y, en caso contrario, indiquen en cunto difieren.
Datos: M (Al) = 26.98 g/mol y M (Cu) = 63.55 g/mol.
Los clculos tericos permiten calcular la solubilidad a diferentes temperaturas a p
artir de la ecuacin:
RT
2 x
x
1
ln
1 x
donde x representa la solubilidad en fraccin molar y una constante. Despejando se
obtiene:
RT
x
ln
(2 x
1)
Para conocer el valor de debe convertirse la fraccin en masa a fraccin molar, por
ejemplo a
la temperatura de 548.2 C, y luego sustituir en la expresin de . Un vez conocido el
valor de la
constante podr obtenerse el valor de x para la temperatura menor, 500 C, que podr c
ompararse
con el valor experimental del enunciado.
El nmero de moles de Cu y Al:
1 mol
8.89 10 2 moles Cu
63.55 g
nAl
(100
5.65) g
24
1 mol
3.497 moles Al
26.98 g
Ediciones Paraninfo
nCu
5.65 g

Bloque 1
Por tanto la fraccin molar de soluto resulta:
x
8.89 10 2 moles
2.479 10 2
(8.89 10 2
3.497 ) moles
Sustituyendo valores en la expresin de , obtenemos:
que:
(8.31 J
ln
mol 1 )
(821.35 K)
2.479
10 2
26371.91 J
mol 1
2
2
(2
2.479 10
1)
1
2.479 10
Tal y como se muestra en el Ejercicio resuelto 3.5, para una solucin diluida, se
comprueba
1
RT
ln
x
x exp
RT
Por lo que para la menor de las temperaturas, 773 K:
(26371.91 J)
x500C
exp
1.65 10 2
1
1
(8.31
J
K
mol
)
(773.15
K)
lo que pasado a porcentaje en masa:

%Cu 500C
x500 C
3.8 %
x500 C
M(Cu)
M(Cu)
(1
x500 C )
M(Al)
Por tanto, el valor calculado experimentalmente difiere del terico en un 0.2 %.

3.16. Calcule la densidad de una solucin slida (96Cu-4Al en
ue el
parmetro de red de la solucin slida es el mismo que el del
e produce variacin.
Datos: M (Cu) = 63.55 g/mol, M (Al) = 26.98 g/mol, estructura
CCC,
a = 3.61 , estructura cristalina (Al) = CCC, a = 4.05 y NA
masa) suponiendo (a) q

disolvente, y (b) que s s
cristalina (Cu) =
= 6.0221023.
a) Si se supone que el parmetro de red de la solucin slida sustitucional no vara:

N tomos
N Cu
96 g
A
9.097 1023 tomos Cu
63.55 g
23
N
N Cu
N A tomos
22
N Al
4 g
8.928
N Al
9.99 10 tomos
10 tomos Al
26.98 g
Ediciones Paraninfo
Teniendo en cuenta que cada celdilla CCC posee 4 tomos, entonces el nmero de celdi
llas ser:
N celdillas
1 celdilla
(9.99 1023 tomos)
4 tomos
25
2.497
1023 celdillas
Captulo 3
Y el volumen ocupado por la SSS:
3
VSSS
N celdillas
Vc (2.497 10 23 ) (3.61 10 8 cm)
11.75 cm 3
Y la densidad terica:
M SSS
100 g
8.51 g cm3
VSSS 11.75 cm3
b) Podemos calcular el parmetro de red de la SSS siguiendo la ley de Vegard. Para
ello necesitamos la fraccin de soluto, x, que se calcula como:
x
(8.93
8.9
23
(8.93
22
1022 tomos Al)

10 2
10 tomos Al)
(9.097
10 tomos Cu)
Por tanto, el parmetro de red de la SSS:

aSSS x
a Al
(1 x)aCu
(8.9 10 2 )
(4.05 nm)
(1 8.9 10 2 ) (3.61 nm) 3.649 nm
El volumen ocupado por la SSS ser entonces:
VSSS N celdillas Vceld (2.497 1023 )
(3.649 10 8 cm)3 12.13 cm3
Y la densidad terica:
M SSS
(100 g)
8.24 g cm3
VSSS (12.13 cm3 )
Ediciones Paraninfo
26

Bloque 1
Captulo 4
La escala atmica de los materiales cermicos
4.1. Para un cristal de CaO, de estructura cristalina tipo NaCl, calcule la conc
entracin atmica lineal de iones calcio e iones oxgeno en la direccin [1 1 1].
Datos: r (Ca2+) = 0.099 nm y r (O=) = 0.140 nm.
(No olvide que las posiciones de los iones Ca 2
y O 2
son
intercambiables.)
El parmetro reticular se calcula como:
a = 2( rCa 2
rO 2 ) = 0.478 nm
[111]
diagonal del cubo, con longitud L = 3 a = 0.828 nm
Nmero de iones Ca 2 = 1
Nmero de iones O 2
= 1
1
Densidad lineal iones Ca 2 =
1.208 iones nm
0.828
Densidad lineal iones O 2
=
1
1.208 iones nm
0.828
4.2. Determine la densidad terica y el factor de empaquetamiento del MgO.
Datos: r (Mg2+) = 0.065 nm, r (O2-) = 0.140 nm, M (Mg) = 24.31 g/mol, M (O) = 16
.00 g/mol y
NA = 6.0221023.
Lo primero es deducir el tipo de estructura del MgO:
Ediciones Paraninfo
r (Mg 2 ) 0.065
0.464
coordinacin octadrica.
r (O 2 )
0.14
Coordinacin octadrica: cada catin Mg2 se rodea de 6 aniones
O2 formando un octaedro.
Como adems las valencias del Mg y O son las mismas, en la
celdilla unidad habr un catin Mg2 por cada anin O2 . Esta estructura es la del tipo N
aCl. En este tipo de estructura, el contacto
se produce a lo largo de las aristas del cubo, por lo tanto:
27
Captulo 4
0.41 nm
a 2
r (Mg 2
r (O 2
La densidad terica:
16.00
16.00
24.31
24.31
4
4
4
g 4
g
NA
NA
NA
NA
Mc
3.88 g
cm 3
(0.41 10 7 cm)3
Vc
a3
Y el factor de empaquetamiento volumtrico es:
4
4
2 3
2 3
Vocupado 4
r (Mg )
r (O )
fV
Vc
a3
4
4
3
(0.065 10 7 cm)3
(0.140 10 7 cm)3
0.733
(0.41 10 7 cm)3
4.3. Calcule la densidad terica y la fraccin de empaquetamiento del CsBr.
Datos: r (Cs+) = 0.169 nm, r (Br-) = 0.195 nm, M (Cs) = 132.91 g/mol, M (Br) = 7
9.90 g/mol y
NA = 6.0221023.
Lo primero es deducir el tipo de estructura del CsBr.
r (Cs ) 0.169
0.867
Coordinacin cbica: cada Cs+ se rodea de 8 Br
r (Br
) 0.195
Como adems las valencias de los dos iones son las mismas, en la celdilla unidad h
abr un catin Cs+ por cada anin Br . Esta estructura es la del tipo CsCl, donde el c
ontacto se produce a lo
largo de la diagonal del cubo:
3a 2
r (Cs
)
r (Br
)
2
r (Cs
r (Br
(0.169 nm)
r (0.195 nm)
a
0.420 nm
3
3
Por lo que, la densidad terica:
132.91
74.904
1
1
132.91
74.904 g
1
g
NA
NA
Mc
NA
4.647 g
cm 3
3
7
3
(0.420 10 cm)
Vc
a
Ediciones Paraninfo
Y el factor de empaquetamiento volumtrico resulta ser:
28

Bloque 1
4
4
r (Cs
)3 r (Br
(0.169 10 7 cm)3
)3
r (0.195 10 7 cm)3
3
3
fV
0.69
(0.420
a3
10 7 cm)3
4.4. La variedad esfalerita del sulfuro de zinc es un slido cristalino de simetra

cbica cuya
estructura puede representarse por un conjunto de iones S= situados en las posic
iones correspondientes a una red CCC, mientras que los iones Zn2+ ocupan la mita
d de los intersticios de
menor tamao. Calcule:
a) La densidad terica de la esfalerita.
b) La concentracin atmica lineal de iones azufre e iones zinc en la direccin [1 1 1
].
Datos: r (S=) = 0.184 nm, r (Zn2+) = 0.074 nm, M (S) = 32.06 g/mol y M (Zn) = 65
.38 g/mol.
a)
Como el Zn2+ est en el centro del cubo pequeo:
D
r (S2 )
r (Zn 2
2
Y como D 3a ,
2 D
r (S2
r (Zn 2 )
a
D
3
1.032 nm
3
0.596 nm
Y la densidad terica se puede calcular como:
2
2+
M c 4
M(S )
M(Zn ) N A 4
(32.02 g)
3.06 g cm3
Vc
a3
(0.596 10 7 cm)3
(65.38 g)
N A
1.032 nm
Ediciones Paraninfo
b) [1 1 1] = diagonal del cubo
29
Captulo 4
N iones de S22
12 1 ion S2
go de la direccin [1 1 1] ser:
. Por lo tanto, la concentracin de iones S2- a lo la
[S2 ] 111
N iones S2
1 ion
0.969 iones nm
longitud
D 1.032 nm
N iones de Zn2+
12
1 ion Zn 2
[ Zn] 111
N iones Zn 2
1 ion
0.969 iones nm
longitud
D 1.032 nm
4.5. Se tiene un hipottico compuesto inico de tipo AX, con densidad 4.61 g/cm3 y e
structura
cristalina de tipo ZnS (esfarelita). Seale:
a) Los radios inicos de los iones A+ y X- que forman el compuesto sabiendo que el
volumen
ocupado por los aniones es quince veces superior al ocupado por los cationes.
b) La fraccin de empaquetamiento superficial en un plano del tipo 1 1 0 .
c) La fraccin de empaquetamiento lineal de los aniones y de los cationes en la di
reccin 110
Datos: M (A) = 60 g/mol, M (X) = 25 g/mol y NA = 6.0221023
a) La densidad terica:
Mc
Vc
4
M( A)
M( X )
4
(4
60 g/mol
NA
NA
4.61 g cm3
(6.022 1023 )
a3
a 3
25 g/mol)
Despejando a:
3
a
4
(60 g/mol
4.97 10 8 cm
4.97
(6.022 1023 )
25 g/mol)
(4.61 g/cm3 )
Segn el enunciado
Van 15
Como
4 3
4 3
ran 15
r
ran
3
3 cat
3 a
Vcat
3 15
rcat
rcat
ran
de donde
y
30
ran
2.47
(0.62 )
1.53
Ediciones Paraninfo
3a
3 (4.97
rcat
10 8 cm)
6.20 10 9 cm
0.62
4 3.47
13.88
2.47
rcat
rcat
2.47
rcat

Bloque 1
b)
2
(2 tomos )
ran2
2
rea ocupada
rcat
f (110)
rea rectngulo
2 a2
1.53
0.62
2
2
2
(4.97 ) 2
0.49
c)
f cat
[110]
f an[110]
4rcat
2a
4ran
2a
4
(0.62 )
0.35
2 (4.97 )
2.47
f cat
0.87
4.6. Calcule la concentracin atmica del ZnS (wurtzita).

Datos: r (Zn2+) = 0.074 nm y r (S2-) = 0.184 nm.
Ediciones Paraninfo
Sabiendo que la coordinacin en la wurtzita es tetradrica, supongamos un cubo con u
n ion de Zn
en el centro y cuatro de S en cuatro de sus vrtices en contacto con el Zn, entonc
es, la longitud del
cubo, l, puede calcularse como:
l
3 l 2
r (Zn 2 )
r (O2
2
3
r (Zn 2
0.298 nm
31
r (O2
Captulo 4
Adems, la diagonal de la cara del cubo ser la distancia entre los iones de S, que
ser el valor
a de la celdilla de la wurtzita:
a
2 l 0.421 nm
Falta ahora por calcular la altura c de la celdilla, para lo cual calculamos la
distancia de uno de
los tomos de S al plano formado por los otros 3 (que formaran un plano del tipo ( )
en el
mencionado cubo), siendo esta distancia D = c/2
D
a
2a c
4a
c
0.973 nm
2
3
3
1/ 4
1/ 4
1/ 4
La concentracin atmica de iones S2- o Zn2+, resulta:

S2
Zn 2
6 iones 6 iones
6 iones
13.40 iones nm3
2
Vc
3 3 a c 3 3
(0.421 nm) 2
2
2
(0.973 nm)
4.7. La celdilla unidad del Al2O3 tiene simetra hexagonal con parmetros de red a =
0.4759
nm y c = 1.2989 nm. Si la densidad del material es 3.99 g/cm3, indique su fraccin
de empaquetamiento volumtrica.
Datos: r (Al3+) = 0.050 nm, r (O2-) = 0.140 nm, M (Al) = 26.98 g/mol, M (O) = 16
.00 g/mol y
NA = 6.0221023.
a) Al2O3, relacin Al3+/O2- = 2/3.
Tomaremos como base de clculo 1 unidad de Al2O3.

Vocupado
3
34
0.050
10 7 cm
3 43
0.140
10 7 cm
3.553 10 23 cm3
Vtotal
m
2
26.98 N A g
(3.99 g
cm 3 )
4.243
16.00 N A g
10 23 cm3
De modo que la fraccin de empaquetamiento volumtrico resulta ser:

fV
Volumen ocupado
0.837
Volumen total
Puede tambin resolverse utilizando cualquier otra base de clculo, por ejemplo, una
celdilla
unidad:
3 2
3
a c
3 (0.4759 10 7 cm) 2
7.64 10 22 cm 3
2
2
(1.2989
10 7 cm)
Para conocer el Vocupado hay que conocer el nmero de iones Al3+ y O2- que hay en
cada celdilla.
Partimos del dato de la densidad.
32
Ediciones Paraninfo
Vtotal
3

3.99
Bloque 1
36 Al3
Al2O3
g 7.64 10 22 cm3 1 mol Al2 O3 N A unidades
18
cm3
1 celdilla
101.96 g
1 mol
celdilla
54O2
Luego, finalmente:
fV
36
43
(0.050 10 7 cm)3
0.837
8.37%
(7.64 10 22 cm 3 )
54
43
(0.140 10 7 cm)3
4.8. Sabiendo que la densidad terica del diamante es de 3.54 g/cm3 y la masa mola
r del C es
12.01 g/mol, calcule:
a) El radio atmico del C.
b) La fraccin de empaquetamiento volumtrica del diamante.
c) La fraccin de empaquetamiento superficial en el plano (1 1 0) del diamante, as
como la
fraccin de empaquetamiento lineal en la direccin [1 1 0].
Dato: NA = 6.0221023.
a) Sabiendo que en la estructura cristalina del diamante hay 8 tomos de C por cel
dilla unidad, entonces, la masa de una celdilla:
Mc
8 tomos
12.01 g
96.06
g
N A tomos
NA
Y sabiendo, adems, que para esta estructura se cumple que 8r
la celdilla
resulta:
8r
3
3 a , el volumen de
V
a
c
3
Y, con todo, la densidad terica:
3
M c (96.06 / N A ) g
3.54 g / cm3
3
Vc
8 r 3
de donde, despejando, obtenemos que:

r = 7.710 9 m = 0.77
b) La fraccin de empaquetamiento volumtrica:
fV
Vocupado
Vc
3
1
8 43
8 4
0.34
r 3
32 4
32
3
83
3
82
8 3 r3
Ediciones Paraninfo
c) El plano (110)
33
Captulo 4
A ocupado
f (110)
A
plano
L ocupada
f
11 0
L plano
4 r 2
2
2 8r 3
4r
2a
12
0.42
2 82
4r
3
2
0.61
8r 3 2
4.9. Determine la densidad terica del CaF2 (fluorita).

Datos: r (Ca2+) = 0.099 nm, r (F-) = 0.133 nm, coordinacin cbica, M (Ca) = 40.08 g
/mol y
M (F) = 19.00 g/mol
Comprobemos el tipo de estructura cristalina facilitado en el enunciado:
rCa 2 (0.099 nm)
0.744
rF
(0.133 nm)
De acuerdo con la Tabla 4.1, el valor est por encima del valor lmite terico 0.732,
por lo que la
coordinacin debe ser cbica. Cada catin Ca2+ se encontrar rodeado de 8 aniones F- for
mando un
cubo.
Ahora bien, la valencia del Ca es 2+, mientras que la del F es 1-, por lo que pa
ra asegurar la
neutralidad elctrica, en cada celdilla de CaF2 deber haber el doble de aniones que
de cationes. El
nico modo de tener en cuenta ambos requisitos es que la celdilla unidad est formad
a por una estructura CCC para los cationes y todos los intersticios tetradricos o
cupados por los aniones.
El contacto se produce a travs de las diagonales del cubo con iones F- y Ca2+, lu
ego:
3 a
4
r (F
)
r (Ca 2
)
Y despejando:
a 0.536 nm
Entonces, la densidad terica:
Mc
Vc
19.00
40.08
M(F )
M(Ca 2 )
8
g
4
g
4
NA
NA
NA
NA
3.28 g
cm 3
(0.536 10 7 cm)3
a3
4.10. Calcule la densidad terica de la perovskita (CaTiO3) y de la espinela (MgAl
2O4).
Datos: r (Ca2+) = 0.099 nm, r (O=) = 0.140 nm, r (Ti4+) = 0.068 nm, M (Ca) = 40.
01 g/mol, M (O) =
16.00 g/mol, M (Ti) = 47.86 g/mol, r (Al3+) = 0.050 nm, r (Mg2+) = 0.065 nm, M (
Al) = 26.98
g/mol, M (Mg) = 24.31 g/mol y NA = 6.0221023.
34
Ediciones Paraninfo

Bloque 1
El volumen de la celdilla de la perovskita (CaTiO3) puede estimarse considerando
que es cbica
(esta es la principal aproximacin) y que se produce contacto entre los iones de C
a2+ y O2 a lo largo de la diagonal de la cara del cubo:
2a
2
r (Ca 2
)
r (O 2
)
de donde, despejando a:
2
a
r (Ca 2
r (O2 )
(0.099 nm)
(0.140 nm)
0.338 nm
2
2
Por tanto, la densidad terica resulta:
1 iones Ca 2
40.01 g 1 iones Ti 4+ 47.86 g 3 t. O 16.00 g
Mc
celdilla
N A iones
celdilla
N A t. celdilla N A iones
perovskita
5.84 g cm3
8
3
(3.38
Vc
10 cm)
Ediciones Paraninfo
Para la espinela (MgAl2O4), el clculo del volumen de la celdilla resulta bastante
complejo.
Puede resolverse considerando el tetraedro formado por los iones Mg2+ con otro i
on Mg en el centro, si bien este ltimo se encuentra a su vez rodeado tetradricamen
te por cuatro iones O2. Por
tanto:
de donde
35
Captulo 4
2
2
8
a 2
r (Mg 2 )
r (O2 )
r (Mg )
r (O )
a
0.947 nm
4
3
3
Y por tanto la densidad resulta:
8 iones Mg 2+ 24.31g 16 iones Al3+ 26.98 g 32 iones O 2
16.00 g
celdilla
N A iones
celdilla
N A iones
celdilla
N A iones
Mc
espinela
2.23 g cm3
8
3
Vc
(9.47
10 cm)
Clculos ms exactos del parmetro de red conducen a un valor 0.808 nm, y este, a su v
ez, a una
densidad de 3.58 g/cm3.
4.11. Con objeto de fabricar piezas cermicas, se mezclan 60 kg de mullita (3Al2O32
SiO2), 15
kg de caolinita (Al2O32SiO22H2O) y 10 kg de slice (SiO2). Tras haberle dado forma a
las
piezas, estas son calentadas a 1800 C para sinterizarlas (unir las partculas de lo
s diferentes
materiales y as conseguir un material rgido y resistente).
a) Calcule la composicin de las piezas (porcentaje de Al2O3 y SiO2) tras la sinte
rizacin.
b) Suponga que, como resultado del proceso, se forma una solucin slida con una est
ructura
cristalina tipo NaCl donde los iones oxgeno ocupan la totalidad de los nudos prop
ios de una
red CCC y los cationes se sitan en los intersticios octadricos. Seale qu fraccin de s
itios
catinicos queda vacante.
Datos: M (Al) = 26.98 g/mol, M (Si) = 28.09 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol y M (H) =
1.01 g/mol.
a) Mullita: en 1 mol de mullita hay 3 moles de Al2O3 y 2 moles de SiO2. Por tant
o,
m(Al2 O3 ) 60 kg mullita
m(SiO 2 )
60 kg mullita
1 mol mullita 3 moles Al2 O3 101.96
10 3 kg
43.08 kg
426.06 10 3 kg 1 mol mullita 1 mol Al2 O3
2 moles SiO 2 60.09
10 3 kg
16.92 kg
426.06
10 3 kg 1 mol mullita 1 mol SiO 2
1 mol mullita
Caolinita: en un mol de caolinita hay 1 mol de Al2O3, 2 moles de SiO2 y 2 moles

de H2O.
m(Al 2 O3 ) 15 kg caolinita
1 mol caolinita 1 mol Al2 O3
101.96
10 3 kg
5.92 kg
3
258.14
10 kg 1 mol caolinita 1 mol Al2 O3
m(SiO 2 )
15 kg caolinita
2 mol SiO 2
1 mol caolinita
60.09
10 3 kg
6.98 kg
3
258.14
10 kg 1 mol caolinita
1 mol SiO 2
m(H 2 O)
15 kg caolinita
2 mol H 2 O
1 mol caolinita
18.02
10 3 kg
2.09 kg
3
258.14
10 kg 1 mol caolinita 1 mol H 2 O
Durante la sinterizacin, el H2O se evapora, por lo que la masa total de la cermica
ser:
36
Ediciones Paraninfo
Slice: 10 kg de SiO2.

Bloque 1
M TOTAL
60 kg
15 kg
10 kg
2.1 kg 82.9 kg
Por tanto, la composicin de la cermica ser:
% Al2 O3
42.82 kg
5.92 kg
100 58.79 %
82.9 kg
% SiO 2
41.21 %
100
58.79
b) La masa de Al2O3 contenida es igual a (82.9 kg)

el nmero de moles Al2O3 de ser de:
n(Al2 O3 ) 48.73 103 g
1 mol
0.478 moles
101.96 g
58.79 %
48.73 kg , por lo que
2 0.478 moles Al y 3 0.478 moles O
Por otro lado, la masa de SiO2 contenida ser igual a (82.9 kg)
por lo que el
nmero de moles que esto representa se calcula como:
n(SiO2 ) 34.16 103 g
1 mol SiO2
0.569 moles
60.09 g
41.21%
34.16 kg ,
0.569 moles Si y 2 0.569 moles O
Por todo la cual, el nmero de moles de cationes (Al + Si) = 20.478 + 0.569 = 1.525
Y el nmero de moles de aniones (O2-) = 30.478 + 20.569 = 2.572.
El porcentaje de sitios catinicos vacantes, sabido que en la estructura del NaCl
el nmero de
cationes debe ser igual al de aniones, se calcular como:
Sitios totales Sitios ocupados 2.572
1.525
100 40.71 %
Sitios totales
2.572
4.12. Una forma cristalina cbica de slice (SiO2) presenta un parmetro de red a = 0.
700 nm y
una densidad de 2.32 g/cm3:
a) Determine cuntos iones Si4+ y O= hay por celdilla unidad.
b) Indique cul ser la fraccin de empaquetamiento.
Datos: r (Si4+) = 0.041 nm, r (O2-) = 0.140 nm, M (Si) = 28.09 g/mol, M (O) = 16
.00 g/mol y
NA = 6.0221023.
a) El volumen de una celdilla unidad es:
Vc
a3
(0.700
10 7 cm)3
3.43 10 22 cm 3
Y como la densidad
es
2.32 g
cm 3 , la masa de una celdilla unidad sera de:
Ediciones Paraninfo
3.43
Mc
2.32 g
7.958
10 22 cm3
10 22 g
cm3
La masa molar de una unidad-frmula de SiO2 es:
37
Captulo 4
M(SiO2 )
M(Si)
M(O)
(28.09 g
mol 1 )
(16.00 g
mol 1 )
60.09 g
El nmero de grupos SiO2 por celdilla unidad, n:

n
Mc
(7.958
10 22 g)
7.98
8
M(SiO 2 ) (60.09 g mol)
1 mol N A
Luego, en cada celdilla habr 8 cationes Si4+ y 16 aniones O=.

b) Suponiendo que los iones son completamente esfricos y conocidos el valor de lo
s radios atmicos, calculamos el volumen ocupado:
Vocupado 8
4
4
)3
r (Si 4
r (O
3
3
)3
16
4
3
4
3
8 r (Si 4
)3
16 r (O
)3
8
(4.1 10 9 cm)3
16
(1.4
10 8 cm)3
1.86 10 22 cm3
Sustituyendo en la primera expresin se obtiene el valor del factor de empaquetami

ento:
fV
Vocupado (1.86
10 22 cm 3 )
0.5423
(3.43
10 22 cm3 )
Vc
4.13. El vidrio sdico (69 % SiO2 y 31 % Na2O, ambos en masa) se obtiene de arena
(slice) y
Na2O.
a) Suponiendo que se emplea CaCO3 en lugar de Na2O, establezca qu porcentaje en m
asa
debera utilizarse para que hiciera un efecto equivalente al del 31 % de Na2O.
mo
b) Con independencia de factores econmicos, explique por qu no se utiliza como mat

erial de
partida un silicato sdico (SiO4Na4), en vez de la mezcla de SiO2 y Na2O.
Datos: M (Si) = 28.09 g/mol, M (Na) = 22.99 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol, M (C) =
12.01 g/mol y
M (Ca) = 40.08 g/mol.
a) El Na2O es un modificador que se aade para reducir la viscosidad y poder traba
jar el vidrio a
menor temperatura.
Las masas molares de las respectivas unidades frmulas:
M(SiO 2 ) (28.09 g/mol)
g/mol) 60.09 g/mol

M(Na 2 O)
2
(22.99 g/mol)
(16.00
1
(16.00 g/mol)
61.98 g/mol
Partimos de 100 g de vidrio sdico (69 g de SiO2 y 31 g de Na2O). El nmero de tomos

de Si y de
O se calcula como:
1 mol 6.022 1023 grupos SiO 2
1 t. Si
6.915
1023 t. Si
60.09 g
1 mol
1 grupo SiO 2
N (O)
6.915
1023 t. Si
38
2 t. O
13.83
1023 t. O
1 t. Si
Ediciones Paraninfo
69 g SiO 2
N (SiO 2 )

Bloque 1
Por otro lado, el nmero de tomos de Na y de O se calcula como:
N (NaO 2 )
31 g Na 2 O
1 mol 6.022
2 t. Na
1023 grupos Na 2 O
6.024
1023 t. Na
61.98 g
1 mol
1 grupo Na 2 O
N (O)
6.024
1023 t. Na
1t. O
3.012
1023 t. O
2 t. Na
Ahora procederemos con el CaCO 3 . Hay que tener en cuenta que CaCO 3
CO 2 CaO .
Las
masas moleculares de las respectivas unidades-frmulas involucradas son:
M (CaO) = 56.08 g/mol
M (CaCO3) = 100.09 g/mol
Para obtener el efecto equivalente, necesitamos una masa x de CaO, tal que propo
rcione
3.0111023 tomos de O:
x g CaO
1 mol 6.022
3.011
56.08 g
1 mol
1023 t.
1023 t. O
x 28.04 g CaO
Por otro lado,

m(CaO)
28.04 g
En definitiva,
1 mol CaCO3 1 mol CaO
100.09 g
50.045 g
1 mol CaO
56.08 g 1 mol CaCO3
69 g SiO 2
y
42.04 % CaCO 3
50.045 g CaCO3
57.96 % SiO 2
b) SiO 4 Na 4
SiO 2
2Na 2 O
Ediciones Paraninfo
En el SiO4Na4 el cociente entre los tomos de oxgeno y los de silicio es igual a 4.
Se corre as
riesgo de desvitrificacin, que se produce para valores de este cociente.
4.14. Desea fabricarse un vidrio que se compone de SiO2 y de un modificador. Se
dispone de
dos modificadores distintos: PbO y Y2O3. En el vidrio que quiere fabricarse, la
fraccin de
oxgenos que quede no compartida debe ser de un 30 %. Si el precio del PbO es 2/3
del de
Y2O3.
a) Seale cul sera el modificador ms rentable.
b) Indique cul de los modificadores hara ms probable la cristalizacin del vidrio. Co
n el
modificador seleccionado en el apartado anterior, argumente si llegar a cristaliz
ar el vidrio
obtenido.
c) Si la densidad del vidrio de SiO2 puro es de 2.2 g/cm 3 y la introduccin de cu
alquiera de los
modificadores incrementa el volumen final en un 10 %, calcule la densidad del vi
drio obtenido
empleando el modificador seleccionado en el apartado a).
Datos: M (Si) = 28.09 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol y M (Y) = 88.91 g/mol.
39
Captulo 4
El enunciado nos impone la condicin:
f
N O ( nc )
0.3
N O ( tot )
Las masas molares de las respectivas unidades-frmulas:
M (SiO2) = (28.09 g/mol) + (216.00 g/mol) = 60.09 g/mol
M (PbO) = (207.2 g/mol) + (16.00 g/mol) = 223.2 g/mol
M (Y2O3) = 2(88.91 g/mol) + 3(16.00 g/mol) = 225.82 g/mol
a) Vidrio 1: SiO2 + PbO
Supongamos que tenemos n1 moles de SiO 2 y n2 moles de PbO. Como cada ion Pb2+ c
onlleva dos
oxgenos no compartidos:
El nmero de moles de oxgenos no compartidos nO ( nc )
2 ( nPb 2 )
2 n2
Por otro lado, el nmero de moles de oxgeno ser igual a: nO (
2 n1
n2
tot )
Por tanto:
f
2n2
0.3
2 n1
2 n2
n2
0.6 n1
0.3n2
1.7 n2
0.6n1
n2
0.35n1
Vidrio 2: SiO2+ Y2O3

Supongamos que tenemos n 1 moles de SiO2 (los mismos que antes) y n3 moles de Y2
O3.
Ahora cada ion Y3+ provoca la aparicin de 3 oxgenos no compartidos:
3nY
3 (2n3 )
6n3
As pues, el nmero de moles de oxgenos no compartidos: nO( nc )
3
As pues, en este caso, f resulta ser:
40
Ediciones Paraninfo
Por otro lado, el nmero total de oxgenos ser igual a: nO(tot ) 2n1
3n3

f
Bloque 1
6n3
0.3
6n3
2n1 3n3
0.6n1
0.9n3
5.1n3
0.6n1
n3
0.12n1
El precio por mol de cada modificador ser:

(2 / 3) x 223.2 g
P(PbO)
148.8
x / mol
g
1 mol
x 225.8 g
P Y2 O3
225.8
x / mol
g 1 mol
Por tanto, el coste de los modificadores sera, en funcin de n1:
Coste PbO
0.35
n1 (148.8
x ) 51.8 x
n1
Coste
Y2 O3
0.12
n1
(225.8 x )
27.1
x
n1
ms rentable
Coste PbO
Coste
Y2 O3
b) Calculemos en ambos casos la relacin f = n(O)/n(Si)

2n1 0.35n1
2.35
2.5
n1
2n1 3
0.12n1
f2
2.36
n1
2.5
f1
El vidrio obtenido no desvitrificar (no cristalizar) y la tendencia de ambos a des
vitrificar (cristalizar) ser similar.
c)
(SiO2 pura) = 2.2 g/cm 3
Suponiendo 1 mol de SiO2, tendr aadido 0.12 moles de Y2O3, en masas esto represent
a:
m SiO2
60.09 g
M vidrio (60.09 g)
m Y2 O3
0.12
225.8 g
27.1 g
(27.1 g)
87.19 g
El volumen que ocupar el vidrio puede calcularse a partir de su densidad (

= 2.2 g/cm 3 ),
teniendo en cuenta que debe incrementarse en un 10%:
(SiO2)
(60.09 g)
V
vidrio
1 cm3
1.1 30.05 cm 3
2.2 g
Luego, su densidad ser:
M vidrio
87.19 g
2.90 g cm 3
3
Vvidrio
30.05 cm
Ediciones Paraninfo
vidrio
41
Captulo 6
La escala atmica de los materiales polimricos
Captulo 6
6.1. Para la fabricacin de PP, se mezclan cantidades iguales (en masa) de dicho p
olmero con
tres grados de polimerizacin distintos. Si el grado de polimerizacin del segundo g
rupo es 1.5
veces el del primero, y el del tercero, el doble que el del primero, y la masa m
olecular promedio en masa resulta MM = 378 002 g/mol, calcule el grado de polime
rizacin de los tres grupos
de PP empleados.
Datos: M (C) = 12.01 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol y M (H) = 1.01 g/mol.
El PP (polipropileno) responde a la frmula
C 3 H 6 n . Si n es el grado de polimer
izacin y m la
masa de un mero, la masa molecular promedio (incluyendo la cabeza y la cola) ven
dr entonces
dada por:
M M n
m
2
M(H) n
3
M(C) 6
M(H)
2
M(H)
La masa molecular de cada partida resulta (en funcin de su grado de polimerizacin)
ser:
M1 n
3 12.01
6 1.01
2.02
42.09
n
2.02
M 2 (1.5
63.135
M3
(2
n)
n
12.01
1.01
2.02
2.02
n)
12.01
1.01
2.02
84.18
2.02
Puesto que el enunciado nos dice que la mezcla se ha obtenido mezclando cantidad
es de masa
iguales de cada uno de los polmeros, entonces, los factores de ponderacin msicos se
rn los tres
iguales a 1/3. Con esto, la masa molecular promedio en masa resultar:
M M 378 002 g / mol
1
1
1
(42.09 n
2.02)
3
3
3
1
378 002
(189.405 n
6.06)
3
(63.135 n
de donde, despejando, obtenemos n

r grupo,
para el segundo, n2
1.5
5987
8980 , y para el tercero, n2
2
11974 .
Masa molecular cadenas (g/mol)
2.02)
(84.18 n
2.02)
5987 que es el grado de polimerizacin del prime
5987
2 000 9 000
11 000 14 000
19 000 22 000
42 000 48 000
63 000 72 000
42
Cantidad aadida (g)
10
3
9
8
5
Ediciones Paraninfo
6.2. Un poliacrilonitrilo (PAN) se ha fabricado mediante mezcla de cantidades co
nocidas de
diferentes PAN, de los cuales se conocen, adems, los intervalos de masas de las c
adenas que
los conforman (vea la tabla adjunta). Determine el ndice de polidispersin del mate
rial obtenido.

Bloque 1
La masa total de PAN obtenida es de 10
3
9
8
5
35 g .
Como solo conocemos los intervalos de masa de las cadenas de cada PAN, tendremos
que trabajar con los puntos intermedios de dichos intervalos:
Masa molecular cadenas
(g/mol)
5 500
12 500
20 500
45 000
67 500
Cantidad aadida
(g)
10
3
9
8
5
La masa molecular promedio msica ser:
10
3
9
8
M M
5500 g mol 1
12500 g mol 1
35
35
35
35
5
1
1
67 500 g
mol
27 842.85 g
mol
35
20500 g
mol 1
45000 g
mol 1
Para calcular la masa molecular promedio en nmero, hemos de calcular inicialmente

los moles
que hay en cada uno de los PAN empleados para la mezcla.
Masa molecular cadenas
(g/mol)
5 500
Cantidad aadida
(g)
10
Moles aadidos
10 5500
1.81 10 3
12 500
3
3 12500
0.24 10 3
20 500
9
9 20500
4.39 10 4
45 000
8
8 45000
1.77 10 4
67 500
5
5 67500
7.41 10 5
La masa molecular promedio numrica resultar:
M
N
1.81 10 3
0.24 10 3
4.39 10 4
1
1
5500
g
mol
12500
g
mol
20500 g
27.4 10 4
27.4 10 4
27.4 10 4
1.77 10 4
7.41 10 5
1
45000
g
mol
mol 1
67 500 g
27.4 10 4
27.4 10 4
mol 1
12 744.81 g
mol
Con todo, el ndice de polidispersin del polmero resultante es

Ediciones Paraninfo
M M 27842.85
2.18
M N 12 744.81
43
Captulo 6
6.3. El PET es un polmero que se obtiene mediante un proceso de polimerizacin entr
e el cido tereftlico (
) y el 1, 2-etanodiol (
).
a) Escoja de entre las siguientes, la unidad estructural del PET.
b) Indique qu mtodo de polimerizacin se ha producido.
a) La primera de las propuestas no es vlida porque ha desaparecido un grupo CH2 d
el 1,2etanodiol.
La tercera propuesta tampoco es correcta, porque se han eliminado los grupos OH d
e cada extremo del cido tereftlico, el grupo OH de uno de los extremos del 1,2-etan
odiol, y un tomo de
H del otro extremo, cosa imposible.
En la segunda propuesta, la correcta, se produce la polimerizacin a partir de la
combinacin de
los grupos OH extremos del cido tereftlico y del 1,2-etanodiol. De esta combinacin s
urgen dos
molculas de H2O, producindose la unin a travs de tomos de O.
b) Las caractersticas descritas en el apartado anterior para justificar la valide
z de la segunda propuesta son las de la polimerizacin por condensacin.
6.4. El nailon-6,6 es un polmero formado por condensacin, cuyo nombre deriva de lo
s 6
tomos de C que tienen cada uno de los monmeros que lo conforman:
Calcule qu masas de cada uno de los monmeros ser neceario combinar para conseguir 1
5
kg de nailon-6,6.
Datos: M (C) = 12.01 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol, M (N) = 14.01 g/mol y M (H) = 1
.01 g/mol.
Ediciones Paraninfo
La polimerizacin por condensacin se llevar a cabo del siguiente modo:
44

Bloque 1
De este modo, combinando 1 mol de 1,6-hexanomdiamina, y 1 mol de cido hexadiico, s
e obtienen 2 moles de H2O. Las respectivas masas molares son:
M(c. hex)
16
M(H) 2
M(N)
6
M(C) 116.24 g
mol 1
M(1, 6- hex) 10
M(H) 4
M(O)
6
M(C) 146.16 g
mol 1
M(H 2 O) 2
M(H)
1
M(O) 18.02 g
mol 1
En la reaccin que tienen lugar:
n mol(1, 6- hex) n mol(c. hex)
2 n mol(H 2O)
n mol(nailon-6, 6)
En trminos de masas:
n
(146.16 g
mol 1 )
(116.24 g
mol 1 )
(18.02 g
mol
1 )
(15000g)
226.36
n 15000
n 66.27 moles
Por tanto, las masas a mezclar para conseguir 15 kg de nailon-6,6 son:
m1,6 hex
n (146.16 g
9686.02 g
1
mc.hex
n (116.24 g
7703.22 g
mol 1 )
mol )
15000g nailon
2388.37 g H2 O
6.5. Una poliamida tiene la siguiente unidad mrica:

a) Escriba los monmeros a partir de los cuales se obtiene.
b) Comente si considera que la interaccin entre las cadenas de esta poliamida sern
ms o
menos intensas que las que se producen en otra poliamida, el nailon-6,6.
Ediciones Paraninfo
a) Las poliamidas se forman a partir de la reaccin de una diamina y un cido carboxl
ico, de modo
que, para que se establezca su unin, la diamina pierde un H y el cido dicarboxlico
pierde un grupo OH. Este grupo OH se combina con el H dando H2O.
Teniendo esto en cuenta, y observando la estructura de la poliamida problema, lo
s monmeros
que la componen han de ser:
b) La interaccin entre las cadenas de la poliamida se producir preferentemente ent
re tomos de H
y O, entre los que se establecen puentes de hidrgeno. Si consideramos nicamente la
interaccin
entre dos cadenas, estos puentes de hidrgeno se crean a intervalos regulares, cad
a 6 tomos de las
cadenas principales.
45
Captulo 6
Expresado de otro modo:
En el nailon-6,6 tambin se establecen puentes de hidrgenos entre las cadenas. La e
structura
de esta poliamida no permite que los puentes se creen ms que a intervalos de 14 to
mos de las cadenas principales, por lo que la interaccin ser menos intensa.
6.6. Considere los dos polmeros siguientes: PVC sindiotctico y un copolmero de tefln
injertado con poliestireno isotctico (el estireno es el fenileteno y el tefln es
el politetrafluoroetileno).
a) Escriba su configuracin o frmula estructural.
b) Indique razonadamente cul de los dos polmeros es menos cristalino.
Ediciones Paraninfo
a)
46

Bloque 1
El copolmero de tefln injertado con poliestireno isotctico podra representarse como:
b) El copolmero de tefln-poliestireno debe ser menos cristalino, ya que la estruct
ura ramificada y
los grupos fenol, que son muy voluminosos, no favorecen la cristalinidad.
6.7. Conocida la densidad de un PE cristalino, 0.998 g/cm3, y del mismo en estad
o amorfo,
0.870 g/cm3, calcule la densidad de una muestra de PE con un 75 % de cristalinid
ad.
El grado de cristalinidad, X, de una muestra se define como:
X 100
c
c
a
a
donde
c es la densidad de las regiones cristalinas,
ones totalmente
amorfas.
Sustituyendo los datos del problema:
(0.998 g cm 3 )
(0.870 g cm 3 )
75
100
(0.998g cm 3 )
(0.870 g cm3 )
y despejando el valor de
se obtiene que
Ediciones Paraninfo
= 0.963 g/cm3
47
a es la densidad de las regi
Captulo 6
6.8. Controlando la ramificacin de las cadenas del PE, puede conseguirse PE de al
ta y de baja densidad, denominados respectivamente PE-HD y PE-LD. El diferente g
rado de ramificacin de sus cadenas determinar la densidad y el grado de cristalini
dad del PE. Sabiendo que
la densidad de un PE-LD es de
PE-LD = 0.917 g/cm3 y la de un PE-HD es
PE HD =
0.955 g/cm3.
a) Determine cul de las dos variedades piensa que tendr las cadenas ms ramificadas.
b) Estime el porcentaje de cristalinidad de ambos materiales.
Datos: c = 0.998 g/cm3 y a = 0.870 g/cm3.
a) Lgicamente, cuanto mayor sea la ramificacin de las cadenas, menor ser el grado d
e compacidad que puede alcanzarse, con lo cual se obtendr un material menos denso
. En consecuencia, debe
ser el PE-LD el que sea ms ramificado.
b) Sabiendo que el grado de cristalinidad se expresa como:
X 100
c
c
a
a
Para el PE-LD, resultara ser de:

X PE -LD
(0.998 g
cm
3 )
(0.917 g
cm 3 )
(0.87 g
cm 3 )
100
39.96 %
(0.917 g
cm
3 )
(0.998 g
cm 3 )
(0.87 g
cm 3 )
Y para el PE-HD:
(0.998 g
cm 3 )
X HDPE
(0.955 g
cm 3 )
(0.87 g
cm 3 )
(0.998 g
cm 3 )
(0.87 g
cm 3 )
100
69.39 %
(0.955 g
cm
3 )
6.9. El PE es el material ms comnmente empleado para fabricar papel film de uso en

cocina.
Se conoce que, en un rollo de 30 m de longitud, 30 cm de ancho y 12.15 m de espes
or, el nmero aproximado de tomos de H es 91024. Seale el tipo de PE que se ha emplea
do.
Datos: M (C) = 12.01 g/mol, M (H) = 1.01 g/mol y NA = 6.0221023.
Podremos determinar el tipo de PE empleado a partir del clculo de su densidad.
V (30 m)
(0.3 m)
(12.15 10 6 m) 10.93 10 5 m3
En el PE, hay aproximadamente, el doble de tomos de H que de C, por lo que la mas
a del rollo
de film ser:
48
9 1024
12.01 g
1.01 g
tomos
9 1024 tomos
2
N A tomos
N A tomos
9
g
NA
1024
12.01
1.01 g
104.84 g
Ediciones Paraninfo
mC2 H 4
mC
mH

Bloque 1
La densidad del polmero empleado ser, pues,
m
V
104.84 g
959.19 103 g m
10.93 10 5 m 3
3 0.959 g
cm
C H
2
4
Este valor de densidad es muy cercano al del polietileno de alta densidad (vea e
l problema anterior), por lo que el material del film ha de ser PE-HD.
6.10. El poli-cis-isopreno es una goma natural polimerizada a partir del isopren
o (metil-1,3butadieno). Considere una goma de poli-cis-isopreno que ha ganado un
5 % en masa de oxgeno por oxidacin al aire. Suponga que el oxgeno origina enlaces
cruzados similares a los del
azufre en la vulcanizacin del caucho.
a) Indique qu fraccin de los posibles enlaces cruzados se ha formado.
b) Explique cmo puede la oxidacin causar la degradacin de una goma.
Datos: M (C) = 12.01 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol, M (H) = 1.01 g/mol y NA = 6.0221
023.
a) El monmero metil-1,3-butadieno responde a la frmula: CH2=C(CH3) CH=CH2
Cuando polimeriza se obtiene el poliisopreno: [CH2C(CH3)=CHCH2]n
La forma isomrica cis impone que todos los grupos asociados a los carbonos unidos
por enlace
doble se sitan hacia el mismo lado de la cadena.
La oxidacin de esta goma (elastmero) es similar al proceso de vulcanizacin, siendo
los tomos de O los que rompen el doble enlace cada cierto nmero de meros, establec
indose enlaces
cruzados de esta forma:
La fraccin de los posibles enlaces cruzados, f, no es ms que el cociente entre el
nmero de
enlaces dobles que se han roto (Nedr), y el nmero de enlaces dobles posibles (Ned
p); es decir, el nmero de enlaces dobles antes del proceso de oxidacin.
Suponiendo una cantidad de elastmero, se puede calcular el nmero de enlaces dobles
posibles
(Nedp). A continuacin, teniendo en cuenta que se produce una oxidacin del 5 %, se
calcula el nmero de tomos de oxgeno presentes, cantidad que ser igual al nmero de enl
aces dobles rotos
(Nedr). Obsrvese que a dos meros le corresponden dos oxgenos, o lo que es igual, c
ada oxgeno
esta asociado a la rotura de un doble enlace en un mero.
Partiremos de un mol del polmero sin oxidar:
Ediciones Paraninfo
M (C5H8) = 5(12.01 g/cm3) + 8(1.01 g/cm3) = 68.13 g/mol
Por otro lado, 1 mol de C5H8 contendr NA meros
el nmero de enlaces dobles posibles
ser
igual a Nedp = NA.
49
Captulo 6
Adems, 1 mol de C5H8 = 68.05 g
5 % de 68.05 = 3.4 g 3.4 g de O (oxidacin). Esta
masa de oxgeno representa la siguiente cantidad de tomos:
NO
3.4 g
t.
3.4
NA
N A t. 0.2125
M(O) g / mol
mol 16.00
N A t. O
Y de aqu que, el nmero de enlaces doble rotos sea:

Nedr = NO = 0.2125 NA
Y la fraccin pedida ser, finalmente:
f
N edr 0.2125
N A
0.2125
21.25 %
N edp
NA
b) La goma o elastmero debe su elasticidad al establecimiento entre las cadenas d
e enlaces cruzados cada cientos de carbonos. A travs de la oxidacin se produce un
fenmeno similar de establecimiento de ms enlaces cruzados (fuertes) que se aaden a
los ya existentes. Esto hace que pierda
elasticidad, volvindose ms rgido y llegando a convertirse, en ltimo trmino, en un ter
moestable.
As, la degradacin mediante oxidacin acta de modo similar a la vulcanizacin y a la sup
ervulcanizacin del caucho que da lugar al termostable llamado ebonita.
6.11. Razone si polmeros como el polietileno y el polipropileno son, en general,
transparentes
o translcidos y argumente cmo ser, desde el punto de vista de la transparencia, un
elastmero obtenido a partir de la copolimerizacin de un 60 % de polietileno y 40 %
de polipropileno.
a) La transparencia de un material polimrico est muy influenciada por su grado de
cristalinidad,
de modo que materiales polimricos amorfos son transparentes, materiales polimricos
muy cristalinos son opacos, y los semicristalinos son translcidos. Esto se debe
a que cuando la luz pasa a
travs de dos regiones, con diferente ndice de refraccin, el resultado es una retrod
ispersin parcial
de la luz en la zona de la interficie, siempre y cuando las dimensiones de estas
regiones sean del
orden de la longitud de onda de la luz visible (0.4-0.7 m).
Un material polimrico semicristalino puede considerarse formado por dos tipos de
regiones, la
cristalina y la amorfa. Las cristalitas o micelas tienen dimensiones del orden d
e la longitud de onda
de la luz visible, por lo que se producir ese efecto retrodispersivo que impedir q
ue toda la luz
pueda atravesar el material; es decir, ser translcido.
Por tanto, polmeros como el PE y el PP, que usualmente son semicristalinos, son t
ranslcidos.
Ediciones Paraninfo
b) La copolimerizacin introducir necesariamente un mayor grado de desorden, por lo
cual el elastmero resultante ganar en transparencia. Con los porcentajes indicado
s, y ms an teniendo en
cuenta que el grupo CH3 del PP podr colocarse hacia diferentes lados de la cadena
principal, es
muy probable que el elastmero sea completamente transparente.
50

Bloque 1
Captulo 7
Imperfecciones cristalinas
7.1. Calcule la energa superficial del plano (1 1 1) del Cu (CCC, a = 0.361 nm) s
abiendo que su
energa de sublimacin es de 170 kJ/mol.
Dato: NA = 6.0221023.
En el Ejercicio resuelto 7.1 se calcul la energa superficial del plano (1 1 1) en
funcin de la energa
de enlace:
(111)
3e
2 3 r2
donde, e, es la energa de enlace, que puede calcularse como:
e
H S
zN A
siendo z el nmero de coordinacin. Sustituyendo, obtenemos la expresin:
(111)
3 H s
2 3 r2z NA
Y, como en una estructura CCC, 4 r
(111)
2 3
3 H s
2
2a 4 z N A
Sustituyendo valores:
(111)
2 3
3 H s
2 a , la expresin anterior se reescribe:
2a 4 z N A
2
3
2
(170
1.25 J
2
1
23
2 3
103 J
m
(0.361
(12)
mol 1 )
2
10 9 m)
(6.022 10 mol )
7.2. Demuestre que la energa superficial de una esfera, cuyo volumen equivale al
de N esferas
pequeas, es menor que la de las N esferas pequeas en un factor N1/3.
Sea V el volumen de la esfera grande, y v el de cada una de las esferas pequeas.
Segn el enunciado:
Ediciones Paraninfo
V
1
4
4
R3
r 3
( N r 3 ) 3
3
3
La energa superficial ser proporcional al rea de la superficie, por lo que:
51
Captulo 7
2
3
ESFERA
R 2
4 ( N
r 3 )
r 2 N
2
3
esfera
4 r 2
Por lo cual:
2
3
ESFERA 4
r 2 N
N
N
esfera N 4
r 2
1
3
7.3. Un lmite de grano de ngulo pequeo puede formarse a partir de un apilamiento de
dislocaciones de cua. Calcule el ngulo de desorientacin en un lmite de grano de ngul
o pequeo entre dos granos de Al (estructura CCC, a = 0.404 nm) suponiendo que las
dislocaciones de cua que lo forman se encuentran uniformemente distanciadas a 75
.
La relacin entre el mdulo del vector de Burguers y el espaciado entre dislocacione
s, como funcin del ngulo entre los granos, vendr dado por:
2
b
h
donde
b 2
r 2
2a
4
2 (0.404 nm)
180
4
0.0381 rad
0.0381
2.18
(7.5 nm)
7.4. La fabricacin de cables para la conduccin elctrica se realiza a partir de un b
loque de
cobre (Cu) que ha de ser deformado (trefilado) hasta conseguir la seccin circular
adecuada.
Esto supone la introduccin de una densidad de dislocaciones del orden de 1012 cm/
cm3. Sabiendo que la distancia entre la Tierra y Marte es de 55.7106 km, determin
e la masa de cable
de Cu que habra que deformar para que, si se alineasen todas las dislocaciones co
ntenidas en
ella, nos permitiesen cubrir dicha distancia.
Dato:
(Cu) = 8.94 g/cm3.
En primer lugar, la densidad de dislocaciones por unidad de volumen introducida
en el material,
dada como dato, ha de convertirse en una densidad de dislocaciones por unidad de
masa.
1012
cm 1 cm 3
cm
km
1.1186
1011
1.1186
106
cm 3 8.94 g
g
g
55.7 106 km
49.79 g
1.1186
106 km
52
Ediciones Paraninfo
Basta ahora dividir la distancia Tierra-Marte entre el valor calculado, para obt
ener la masa de
Cu que sera necesaria:

Bloque 1
7.5. El hierro a temperatura ambiente tiene la estructura CCI:
a) Dibuje en una celdilla el plano (1 0 1) del hierro y seale las dos posibles di
recciones de deslizamiento de ese plano indicando sus ndices de Miller.
b) Indique los dos vectores de Burgers correspondientes en notacin vectorial y ca
lcule sus
respectivos mdulos expresndolos en nm.
Dato: r (Fe) = 0.126 nm.
a) Para calcular los puntos de corte con los ejes coordenados debe calcularse la
inversa de los ndices de Miller, es decir: 1/1 1/0 1/1 lo que da como resultado:
(1
1).
La representacin grfica de una celdilla unidad sera:
Las dos posibles direcciones de deslizamiento de ese plano sern aquellas de mxima
densidad
atmica lineal. Como la estructura del material es CCI, las direcciones de mxima de
nsidad atmica
lineal y que adems pertenecen al plano (101) sern:
[ 1 11]
y
[1 1 1].
b) El vector de Burgers indica la direccin de movimiento de la dislocacin (tendr lo
s mismos ndices que las direcciones de deslizamiento) y el mdulo de este movimient
o va de la posicin de un
tomo hasta la del tomo ms prximo.
As pues, si buscamos vectores que tengan mdulo 2r:
b1
b2
2r
2r
[111]
[111]
2
2
2
3
( 1)
2r
2r
[1 11]
[1 1 1]
3
( 1)2
( 1)2
12
Ediciones Paraninfo
b1 = b2= 2r = 0.252 nm
7.6. En la estructura del NaCl, bajo ciertas condiciones acta el sistema de desli
zamiento
{001} <110>, adems del sistema de deslizamiento habitual, que es el {110} <1 1 0
>.
a) Elabore esquemas ilustrando dichos sistemas de deslizamiento del NaCl.
b) Calcule el mdulo del vector de Burgers en ambos sistemas.
c) Determine la direccin de la lnea de dislocacin en ambos casos suponiendo que se
trata de
dislocaciones de cua.
Datos: r (Na+) = 0.095 nm y r (Cl) = 0.181 nm
53
Captulo 7
a)
1
1
b) En I) y II) b
1/2 diagonal de la cara =
2a
22(r (Cl
)
r (Na
)) 0.390 nm
2
2
c)
7.7. Un bloque de plomo, de dimensiones 533 cm, tiene una masa de 450 g. Suponiend
o que
no hay defectos macroscpicos y que las nicas imperfecciones cristalinas son vacant
es, seale:
a) La concentracinde vacantes (vacantes/cm3) en el lingote
b) El nmero de vacantes por celdilla unidad.
Datos: r (Pb) = 0.175 nm, M (Pb) = 207.2 g/mol y estructura cristalina del Pb: C
CC.
Segn las dimensiones y la masa, la densidad del bloque es:
exp
m (450 g)
10 g
cm 3
V (45 cm3 )
Determinemos la densidad terica del Pb sin defectos:
CCC 2
a
4r
4 (0.175 nm)
0.495 nm
Vc
a 3
1.213 10 22 cm3
2
tomos (207.2 g
Mc
4
mol 1 )
1.376 10 21 g
celdilla
NA
54
Ediciones Paraninfo
a

Entonces:
terica
Bloque 1
Mc
11.35 g
Vc
cm 3
terica
exp
1.35 g
cm
Por tanto, la densidad de vacantes que contiene el bloque resulta:

a)
1.35
vacantes
b)
g 1 mol N A vacantes
vacantes
3.924 1021
3
cm 207.2 g
1 mol
cm3
(3.924
1021 vacantes
cm 3 )
(1.213 10 22 cm3 / celdilla
)
c
vacantes
V
0.476 vacantes / celdilla
7.8. Calcule el porcentaje de posiciones no ocupadas en la red cristalina de una
porcin de
NaCl de densidad 1.97 g/cm3.
Datos: r (Na+) = 0.095 nm, r (Cl-) = 0.181 nm, M (Na) = 22.99 g/mol, M (Cl) = 35
.45 g/mol y
NA = 6.0221023.
Supondremos que la existencia de vacantes no afecta a las dimensiones de la celd
illa unidad. Sabiendo que el contacto entre los iones se produce a travs de las a
ristas:
a 2
r (Na
)
r (Cl
)
0.552 nm
Y, por tanto, la densidad terica
Mc Mc
3
Vc
a
1.97 g
M c
cm 3
(1.97 g
cm 3 )(0.552
10 7 cm)3
3.313
10 22 g
Para conservar la neutralidad elctrica, el tipo de vacantes (posiciones no ocupad
as) ha de ser
Schottky, por lo que debe faltar el mismo nmero de cationes que de aniones. Calcu
lemos el nmero de iones por celdilla.
M(Na)
M(Cl)
3.313 10 22 g x
x 3.41 iones celdilla
NA
Luego faltan
4
4
3.41
3.41
0.59 cationes.
0.59 aniones.
Ediciones Paraninfo
El NaCl tiene 8 iones/celdilla, por lo que el porcentaje de posiciones no ocupad
as ser igual a:
2 0.59
100
14.75 % .
8
55
Captulo 7
7.9. Determine la densidad de una porcin de FeO sabiendo que contiene un 10 % de
vacantes
y suponiendo que la red cristalina no se distorsiona por la presencia de dicho d
efecto.
Datos: r (O2-) = 0.140 nm, r (Fe2+) = 0.077 nm, M (O) = 16.00 g/mol, M (Fe) = 55
.85 g/mol, el
FeO tiene estructura tipo cbica y NA = 6.0221023.
Veamos qu tipo de estructura tiene el FeO. Calculemos para ello la relacin de radi
os:
r (Fe 2 )
0.55
r (O 2 )
Este valor implica una coordinacin octadrica, esto es, cada catin de Fe2+ se rodea
de 6 aniones
O2-. Como adems la valencia del catin y del anin son las mismas, en cada celdilla h
abr el mismo nmero de cationes que de aniones.
Dado que, segn el enunciado, la estructura del FeO es cbica, la estructura ha de s
er del tipo
NaCl:
Fe 2
12
14
celdilla
8 iones celdilla
O 2
4
celdilla
Dado que el enunciado afirma que existe un 10 % de vacantes, ello quiere decir q
ue, en promedio, deben faltar 0.8 iones/celdilla.
Suponiendo que la red no se distorsiona, entonces el parmetro reticular valdr:
a
2
r (Fe2
)
r (O2
)
0.434 nm.
Para que se mantenga la neutralidad elctrica en el material, las vacantes han de
ser del tipo
Schottky, por lo que deben faltar 0.4 Fe2+/celdilla y 0.4 O2-/celdilla. Esto se
traduce en una densidad
terica de valor:
Mc
Vc
4
0.4
M(Fe 2+ )
M(O 2- ) 3.6
4
0.4
(55.85 g
mol 1 )
(16.00 g
mol 1 )
NA
NA
NA
5.254 g
cm -3
a3
(0.434 10 7 cm)3
Consideraremos como base
De acuerdo con los datos
O= pasamos a 30.98 O=.
serve la estequiometra,
se exige que haya 20.98
de clculo una unidad-frmula de Al2O3.

del enunciado, un 2 % vacantes aninicas implica que de 3
Puesto que la relacin de O= a Al3+ es 3:2, para que se con
Al3+. Con todo, la densidad terica resultar ser:
56
Ediciones Paraninfo
7.10. La Al2O3 cristaliza en una celdilla unidad de simetra hexagonal y presenta
una densidad
de 3.99 g/cm3. Establezca la nueva densidad del material si un 2 % de la posicio
nes aninicas
estn vacantes y se conserva la estequiometra del material.
Datos: M (Al) = 26.98 g/mol y M (O) = 16.00 g/mol.
Bloque 1
M c 0.98 ( masa aniones
3
masa cationes )
0.98 (3.99 g/cm

) 3.91 g/cm 3
Vc
el volumen de la celdilla no cambia
7.11. En el Au (estructura CCC, a = 0.408 nm) la concentracin de vacantes en equi
librio a la
temperatura de 1000 C es 7.81018 vac/cm3. Calcule a qu temperatura debera encontrars
e
una muestra de Au para que su fraccin de vacantes fuese 12 rdenes de magnitud meno
r.
Dato: kB = 1.381023 J/K.
Las vacantes Schottky son las ms probables en estructuras CCC. As pues:
E
E
NV N
Au
k BT
k BT
E
4 t.
exp
exp
exp
VS
VS
VS
7
3
(0.408
k BT
10 cm)
Sustituyendo para la temperatura de 1000 C:
EVS
4
19
exp
7.8 1018 cm 3
EVS 1.58 10 J
23
(0.408
(1.38
10
J/K)
(1273
10 7 cm)3
K)
Si la concentracin debe ser 12 rdenes de magnitud menor:
3
7.8
106 cm
1.58
10 19
4
exp
T 313.16 K
23
(0.408
1.38
40 C
10 7 cm)3
10 T
Ediciones Paraninfo
7.12. En la empresa en la que trabaja se han recibido dos lingotes paralelepipdic
os, sin defectos macroscpicos, de un material metlico.
a) En el primero de ellos, la nica informacin que se adjunta es una etiqueta indic
ativa de la
composicin, donde se indica Cu. Compruebe si lo indicado en la etiqueta es correcto
. Comente, en cualquier caso, el resultado.
b) En el segundo lingote, de iguales dimensiones y masa que el anterior, puede l
eerse, adems
de la etiqueta Cu, otra donde se indica Contiene un 20 % de defectos. Todos los def
ectos
son de un nico tipo. Indique de qu material puede estar hecha esta segunda pieza (c
onsidere nicamente uno o dos elementos qumicos formando el material).
Datos: dimensiones de los lingotes = 328 cm, masa de los lingotes = 429.523 g, est
ructura
cristalina del Cu: CCC, r (Cu) = 0.128 nm y NA = 6.0221023.
Elemento M (g/mol)
Al
26.981
B
10.811
Br
79.904
C
12.010
Co
58.933
Cr
51.996
Cu
63.55
Elemento M (g/mol)
Fe
55.845
H
1.0079
Mg
24.305
Mn
54.938
N
14.006
Ni
58.693
O
15.999
Elemento M (g/mol)
P
30.973
S
32.066
Si
28.085
Ti
47.867
V
50.941
W
183.84
Zn
65.39
57
Captulo 7
a) El Cu tiene estructura CCC, por tanto, se cumplir que
densidad terica se calcular como:
2 a
4r
0.362 nm . Entonces, la
4 M(Cu) (4 t.)(63.55 g/mol)

Mc
NA
(6.022 1023 t./mol)
8.8983 g cm3
t (Cu)
3
(0.36210 7 cm)3
Vc
a
La densidad experimental del lingote (
e ) resulta:
e
m
429.523 g
8.9484 g cm 3
V (3 cm
2 cm
8 cm)
como e
t , ello quiere decir que no se trata de Cu puro (debe estar formando una
aleacin con
algn otro elemento).
b) Del nuevo lingote sabemos que:
(1) e
t (8.9484 > 8.8983)
(2) Contiene un 20 % de defectos
De ello puede concluirse que los defectos no pueden ser vacantes. Concluimos por
tanto que se
trata de una solucin slida, con impurezas atmicas (soluto) como defectos.
A. Supongamos, primeramente, que se trata de una solucin slida intersticial (SSI).
Dado que la red es CCC, tendremos 4 tomos/celdilla y 12 intersticios/celdilla. Co
mo, adems,
tenemos un 20 % de impurezas, tendremos 120.2 = 2.4 tomos de impurezas/celdilla. D
e este modo, la densidad terica resulta ser:
e 8.9484 g
cm 3
4
M(Cu)
2.4
M( X )
M(
X ) 0.6135 g mol
N A
a3
donde X representa el elemento que constituye las impurezas.
Como no existe ningn elemento qumico tan ligero, debemos concluir que no est forman
do
una SSI.
B. Supongamos que se trata de una solucin slida sustitucional (SSS).
Dado que la red es CCC, tendremos 4 tomos/celdilla. Como, adems, tenemos un 20 % d
e impurezas, tendremos (4-0.8) = 3.2 tomos de Cu/celdilla y 40.2 = 0.8 tomos de imp
urezas/celdilla.
De este modo, la densidad terica resulta ser:
e 8.9484 g
cm 3
3.2
M(
M(Cu)
0.8
M( X )
X ) 65.39 g mol
N A
a3
Ediciones Paraninfo
Buscando en una Tabla Peridica (mire en el Apndice C del libro), puede concluirse
que el
elemento que constituye las impurezas puede ser el Zn. El lingote ser, entonces,
una solucin slida sustitutiva de Cu y Zn, esto es, un latn.
58

Bloque 1
7.13. Una de las chapas de Fe (CCI, a = 0.290 nm) que conforma el exterior de un
horno para
carburacin de piezas ha sufrido un problema en su aislamiento. Esto origina que l
a chapa, de
2 mm de espesor, se caliente hasta 700 C, temperatura suficiente como para activa
r parcialmente un proceso de carburacin en la cara de la chapa que da hacia el in
terior del horno,
mientras que en la cara exterior se activa uno de descarburacin por contacto con
la atmsfera. Tras una semana de trabajo, se detecta el fallo y se miden las conce
ntraciones de C en ambas caras, obtenindose 0.021 % y 0.0054 % C en masa. Determi
ne el coeficiente de difusin
del C, en m2/s, sabiendo que el flujo de difusivo ha sido de 1.731019 tomos/m2s.
En el estado estacionario podemos suponer vlida la Primera ley de Fick:
(Cdesc
Ccarb ) tomos m3
dC
19
2
2
Jx
D
1.73
10
tomos
(m
s)
D
(m
s)
(2
10 3 m)
dx
Dado que el carbono es una impureza intersticial no altera significativamente el

volumen de la
red. Teniendo en cuenta que el Fe tiene estructura CCI, cada celdilla contar con
2 tomos. De este
modo, las concentraciones de carbono en la superficie carburante y descarburante
sern, respectivamente:
0.021 g C N A t. C 55.85 g Fe 2 t. Fe
1 celd .
Ccarb
8.01 10 25 t. C m 3
99.979 g Fe 12.01 g
N A t. Fe 1 celd . (0.29 10 9 m)3
0.0054 g C N A t. C 55.85 g Fe 2 t. Fe
1 celd .
Cdesc
2.06 10 25 t. C m 3
99.9946 g Fe 12.01 g
N A t. Fe 1 celd . (0.29
10 9 m)3
Despejando D de la primera ley de Fick:

x
(2 10 3 m)
(1.73 1019 t. (m2
s))
5.81 10 10 m2 s
C
(2.06 1025
8.01 1025 ) t. m3
Ediciones Paraninfo
D J
59
Captulo 7
7.14. Una chapa de Fe (estructura CCI) de 10 mm de espesor es sometida a carbura

cin a 750
C. A dicha temperatura y suponiendo rgimen estacionario, las cantidades de C en ca
da una
de las caras de la chapa son 0.1 % y 0.008 % en masa. Calcule el rea de chapa nec
esaria para
que, en 2 horas, la hayan atravesado 0.6 g de C.
Datos: a (FeCCI) = 0.290 nm, DCFe(500 C) = 1.441012 m2/s, DCFe(800 C) = 6.371011 m2
M (Fe) = 55.85 g/mol, M (C) = 12.01 g/mol, R = 8.314 J/(molK) y NA = 6.0221023.
El Fe y el C forman una solucin slida intersticial, ello permite suponer que la so
lucin slida
ocupa el mismo volumen que el hierro puro.
En 100 g de material, la concentracin de tomos de carbono en la cara A y B, se cal
cula como:
N t. C 55.85 g 2 t. Fe
0.1 g C
1 celd .
A
CA
3.816 10 26 t. C m 3
(100 0.1) g Fe 12.01 g N A t. Fe 1 celd . (0.290
0.008 g C N A t. C 55.85 g 2 t. Fe
1 celd .
CB
3.053 10 25 t. C m 3
3
9
99.992 g Fe 12.01 g N A t. Fe 1 celd . (0.290
Clculo la difusividad a 750 C:
D1 D500 C ; D1
D1
Q 1 1
exp
R
D2
T2 T1
D800 C ; D2
D0
exp(
Q RT 1 )
D0
exp(
Q RT 2 )
Tomando logaritmos:
D1
ln
1 1
D 2
10 m)
10
9 m)3
D 2
R
T2 T1
Y sustituyendo valores:
1.44 10 12 m 2 /s
D1
8.31 J
ln
R ln
K mol
D 2
6.37
10 11 m 2 /s
Q
87 065.41 J/mol
1 1
1
1
T2 T1
1073
K
773
K
Por otro lado,
D0
D1
exp
Q RT1
(1.44 10 12 m 2 /s)
1.11 10 6 m 2 /s
(87 065.41 J/mol)
exp
(8.31 J (K
mol))
(773 K)
De modo que, la difusividad a 750 C valdr:

(87 065.41 J/mol)
Q
(1.11 10 6 m 2 /s)
3.958 10 11 m2 /s
R
T
(8.31
J
(K
exp
mol))
(1023
K)
Y conocida la difusividad es posible calcular el flujo difusivo aplicando la pri

mera ley de Fick:
60
Ediciones Paraninfo
D 750 C
D0
exp

J
D
Bloque 1
C
((38.16
(3.958
3.053) 1025 t. C m3 )
10 11 m2 /s)
1.39 1018 t. C (m2

x
(10 10 3 m)
s)
Y el rea necesaria para que en 2 horas (= 7200 s) hayan difundido 0.6 g de C debe
r ser de:
S
(0.6 g)
N A t. C
1
1 m2
s
3.0 m2
18
(12.01 g) 7200 s 1.39
10 t. C
7.15. En una barra de Al (CCC), existe un gradiente de concentracin de Cu (CCC) e

n solucin slida, que disminuye desde el 0.4 % atmico de Cu en la superficie, hasta
0.2 % atmico
de Cu a 1 mm bajo la superficie. Suponiendo que dicho gradiente no vara en el tie
mpo:
a) Indique cul es el flujo neto de tomos de cobre a la temperatura de 500 C a travs
de un
plano paralelo a la superficie y situado a 0.5 mm por debajo de ella.
b) Determine cul sera el flujo a travs de un plano a 0.6 mm por debajo de la superf
icie.
Nota: Los porcentajes indicados estn referidos al total de tomos de la solucin slida
.
Datos: r (Al)= 0.143 nm, DCuAl (300 C) = 3.161017 m2/s, DCuAl (800 C) = 1.731011 m2
R = 8.31 J/(Kmol)
a) La solucin slida Al-Cu ha de ser sustitucional (los tomos de Cu son demasiado gr
andes para
ocupar los intersticios del Al).
i) Concentraciones.
Suponiendo que el mecanismo de difusin sustitucional no altera el volumen, podemo
s admitir
que la concentracin atmica de la solucin slida es igual a la concentracin del Al puro
:
Al C0 tomos Al m3
C0 tomos SSS m3
As pues, las concentraciones en los planos a los que se refiere el problema valdrn
:
tomos Cu
tomos SSS
Cs
0.004
C0 tomos Cu m 3
0.004
C0
3
tomos
SSS
m
Cd
0.002
tomos Cu
tomos SSS
0.002
C0 tomos Cu m3
C
tomos SSS
m3
Ediciones Paraninfo
El Al tiene estructura CCC
2a
4r y habr 4 tomos/celdilla. Por tanto:
4 tomos 1 celdilla
4 tomos
C0
6.045 1028 tomos m3

3
3
celdilla
a
4
(0.143 10 9 m)
61
Captulo 7
Por tanto, sustityendo el valor de C0 en las expresiones de Cs y Cd, obtenemos:
Cs
2.418 10 26 tomos Cu m 3
y Cd
1.209
10 26 tomos Cu m 3
ii) Clculo de la difusividad a 500 C (conocida D a 300 C y a 800 C).

Para T1 = 573 K, D1 = 3.1610-17 m2 / s
T2 = 1073 K, D2 = 1.7310-11 m2 / s
Q
1 1
D1
Q
1 1
D1
exp
ln
D2
R
T
T
2
D 2
T2 T1
1
Q
R
ln( D1 D 2)
(1 T 1
3.16
1 T 2)
10 17 m 2 /s
11
2
1.73
1.62
10 m /s
104 K
1
1
1073 K 573 K
ln
Por otro lado:
D0
D1
exp
Q ( RT1 )
6.52 10 5 m2 s
5.16 10 14 m2 s
Por lo que: D773
K
Y finalmente, calculamos el flujo como:
2
26
3
C Cs
tomos
14 m
(2.418 1.209) 10 tomos m
6.24 1015 2
J
D d
5.164
10
3
s
d
10
m
m s
b) El flujo de tomos entre los planos de referencia es estacionario, esto es, no

vara con el tiempo y
ser el mismo para cualquier otro plano paralelo a los de referencia. Concluyendo,
el flujo atmico
a travs de un plano situado a 0.6 mm de la superficie tambin vale 6.24 10 15 tomos/(
m2s).
7.16. (Avanzado: Necesitar leer la Adenda de este captulo para resolverlo.) Una pi
eza de
acero del 0.1 % C (en masa) se somete a un proceso de carburacin, a 950 C, en una
atmsfera con un contenido de carbono constante del 0.9 % (en masa). Determine el
tiempo necesario
para alcanzar una concentracin del 0.3 % de carbono a 1 mm de la superficie en un
acero del
0.1 % C. Elija los datos necesarios de las tablas siguientes:
Fe(CCI)
Fe(CCC)
62
Temperatura
(C)
500
800
800
900
D (m2/s)
1.441012
6.371011
4.371012
1.631011
Ediciones Paraninfo
Disolvente

y
0
0.1
0.2
0.3
(y)
0.000
0.112
0.223
0.329
Tabla de la funcin de error
y
(y)
y
(y)
0.4 0.428 0.8 0.742
0.5 0.521 0.9 0.797
0.6 0.604 1.0 0.843
0.7 0.678 1.2 0.91
y
1.4
1.6
2.0
2.4
Bloque 1
(y)
0.952
0.976
0.995
0.999
Datos: R = 8.314 J/molK y el Fe con un 0.1 % C, a 950 C, presenta estructura CCC.
La condicin inicial es la siguiente: t
Las condiciones de contorno son:
Co
0.1 % .
x 0 mm
C
0.9 %
s
x 1 mm
Cx 0.3 %
La solucin de la segunda ley de Fick es, para esta situacin, es la siguiente:
Cx C0
x
1
CS
C0
2 Dt
Las concentraciones expresadas en porcentajes en masa son proporcionales a las c

oncentraciones atmicas (en el Problema propuesto 7.17 puede encontrar una demostr
acin), por tanto, podemos sustituir directamente los valores en masa. Sustituyend
o:
x
x
0.3
0.1
0.25
1
0.75
0.9
0.1
2 Dt
2 Dt
Interpolando en la tabla de la funcin error:
1
x
x
0.8145
D 2 0.8145
2 Dt
2
Para calcular el valor de D a la temperatura de 950 C debe saberse (como indica e
l enunciado),
que a dicha temperatura el Fe, con un 0.1 % C, adopta una estructura CCC.
Para obtener los valores de Q y D 0 :
Q
1 1
D
Q 1 1
D
Q
1 exp
ln
1
RT
D
R
T
T
2
1
D2
T2 T1
2
D D0
(4.37
11
exp
10 12 )
)
Q ln
D1 D2
(1.63 10
16 568.62 K
R 1 1
1
1
T1 T2
(1173 K) (1073 K)
Ediciones Paraninfo
ln
63
Captulo 7
Q
(16 568.62 K)
12
5
2
(4.37 10 )
2.22 10 m s
(1073
K)
RT
exp
1
D0
D1
Por tanto,
exp
( 16 568.62 K)
2.90 10 11 m 2 s
(1
223
K)
(2.22 10 5 m 2 s)
D950C
Y finalmente,
exp
2
2
(10 3 m)
1
1
x
12 994.51s
3.61 h
t
20.8145
(2.90
10 11 m 2 s)
0.8145
7.17. (Avanzado: Necesitar leer la Adenda de este captulo para resolverlo.) Demues
tre si, al
emplear la segunda ley de Fick, pueden emplearse las concentraciones de soluto e
xpresadas en
porcentajes en masa, en lugar de las habituales expresadas en tomos por unidad de
volumen,
siempre que se trate de una solucin slida intersticial.
Consideremos, una fina rodaja de espesor muy pequeo y volumen V. Dado que se forma
una SSI,
el mayor o menor contenido de soluto no alterar de modo significativo el volumen
de la rodaja
considerada.
Supongamos que la rodaja considerada contiene un c % (en masa) de soluto. Entonc
es, el nmero de tomos de soluto contenidos en la rodaja, NS, puede calcularse como
:
NA
1 mol N A tomos
c
NS
g
c
100 M S g
1 mol
100
M S
c k
siendo MS la masa atmica del soluto.

As pues, la concentracin de tomos de soluto, esto es, el nmero de tomos de soluto por
unidad de volumen, se calcular como:
S
NS
NA
c
c
V
100
M S
Ediciones Paraninfo
es decir, la concentracin es directamente proporcional a la composicin en masa.
La constante k no debe preocuparnos, porque se cancela al aplicar la segunda ley
de Fick. Recuerde que el trmino en el que aparecen estas concentraciones es adim
ensional (cociente de diferencias de concentraciones).
64
de los materiales
Transformaciones de fases
y microestructura
BLOQUE
2
Captulo 8
Transformaciones de fases. Aspectos generales
Captulo 8
8.1. Para un proceso de solidificacin homognea de Cu, se conoce que el radio crtico
y la
variacin de energa libre para este radio valen 9.710-8 cm y 6.9810-19 J, respectivam
ente.
a) Calcule el subenfriamiento al que se est sometiendo al Cu para su solidificacin
.
b) Para el instante en que el radio promedio de los embriones es de 3.210-8 cm, d
etermine la
variacin de energa libre.
c) Discuta qu soluciones podra adoptar para favorecer la posterior recristalizacin
de este
material.
Datos: TF (Cu) = 1083 C y calor latente de solidificacin = 1 826 J/cm3.
a) Supondremos que los embriones son esfricos de radio r. La variacin de energa lib
re necesaria
para su formacin valdr:
4 3
r g 4 r 2 SL
3
G
y los valores crticos se obtienen derivando e igualando a 0:
d G
d G
4 r 2 g
0
dr
dr r
r*
8 r
SL
de donde:
r*
2 SL
g
y
16 3
G *
SL2
3 g
Para evaluar el efecto de la temperatura a la que se somete al material para sol
idificarlo, suponemos
que h y s son constantes para T
TF :
g
h T s
(T
T
T )
hF
hF
Si T
TF
TF
TF
TF
g (T )
hF F
g 0
sF
Sustituyendo en las expresiones de r* y G*:

r*
2 SLTF
2 SLTF
T
hF (TF
r * hF
3
16
SL
TF2
3 G*
SL
3( hF ) 2
4 r *2
T )
T 2
G*
3
(6.98
10 19 J)
66
Ediciones Paraninfo
3 G*
1.77
SL
8
2
4 r
4
10 5 J
*2
(9.7
cm
10 cm)
La escala microscpica de los materiales

T
Bloque 2
2 SLTF
(1.77
271.01 K
r * hF
(9.7 10 8 cm)
10 5 J
cm 2 )
(1356 K)
( 1826 K)
b) La variacin de energa libre especfica a la temperatura TF ser:

T
(271.01 K)
g (TF )
hF
(
1826 J
cm 3 )
364.94 J
TF
(1356 K)
cm 3
As pues, para un radio r = 3.210-8 cm, se tendr:

G
4 3
r
SL
3
r 2
4
(3.2
10 8 cm)3 ( 364.94 J
cm 3 )
(3.2 10 8 cm) 2
(1.77
10 5 J
cm
3
c) Sabemos que cuanto mayor es el tamao de grano del material previo a la recrist
alizacin, mayor
ser la temperatura necesaria para recristalizarlo. Por tanto, la recristalizacin d
el Cu se favorecer
disminuyendo el tamao de grano del material solidificado. Esto se consigue favore
ciendo la nucleacin, para lo cual tendramos que incrementar el subenfriamiento.
La adicin de agentes nucleantes tambin permitira disminuir la temperatura de recris
talizacin, pero, con esta va, la nucleacin sera heterognea y no homognea como indica
l enunciado.
8.2. Se ha determinado que es necesario un subenfriamiento de 42 C en el agua par
a poder
formar, de manera homognea, nucleos de hielo en su seno.
a) Calcule el radio crtico de los ncleos de hielo formados.
b) Determine el nmero de tomos de H y O necesarios para formar un ncleo de tamao crti
co.
c) Explique por qu los charcos de agua se congelan en invierno cuando la temperat
ura disminuye solamente algunos grados por debajo de 0 C.
Datos: TF (agua) = 273 K,
(hielo) = 0.92 g/cm3, calor latente de solidificacin de
l hielo =
335 kJ/kg, energa superficial especfica (hielo-agua) = 25 mJ/m2, NA = 6.0221023, M (
H) =
1.01 g/mol y M (O) = 16.00 g/mol.

a) Tal como se dedujo en el problema anterior, para un embrin esfrico:
4 3
r g 4
3
(T T )
T
g (T )
hF F
hF
TF
TF
3
16
SL
TF2
2 SLTF
G*
r*
3( hF )2
hF T
r 2 SL
T 2
G
Ediciones Paraninfo
Sustituyendo datos en la expresin del radio crtico, obtenemos:
r
2
(25 10 3 J
1.05 10 9 m
6
3
1 kg
10 cm
( 335 103 J
(42 K)
10 g
1 m3
67
kg
m 2 )
1 )
(273K)
(0.92 g
cm 3 )
Captulo 8
b) V
4
3 4
r
(1.05 nm)3
4.85 nm 3
4.85
10
21 cm 3
3
3
La masa de un ncleo de hielo se puede calcular como:
m
V * (0.92 g
cm 3 )
La masa molar del agua es:
M (H 2
(2.02
Por lo
m (H 2
18.02
(4.85
10 21 cm 3 ) 4.46
10 21 g
O)
16.00) g mol-1
que la masa de cada molcula de agua ser:
O)
g
1 mol
(18.02 N A ) g
mol N A molculas
De este modo, el nmero de molculas de agua que contiene el ncleo de hielo ser de:
N
4.46 10 21 g
4.46 10 21 N A
molculas
149 molculas
(18 N A ) g molculas
18.02
Por tanto, habr
2 149
298 tomos de H
1 149
149 tomos de O
c) En los charcos existen impurezas que actan como agentes nucleantes, provocando
la nucleacin
heterognea de hielo en el agua.
a) Segn la grfica, la aleacin del 30 %(atmico) de B (una fraccin del 0.3 de B) presen
ta un valor
de g de 9107 J/m3.
Por otra parte, el ritmo de nucleacin viene dado por la Expresin (8.21), que parti
cularizada
para los datos del problema de la aleacin del 30 % (atmico) B, resulta:
68
Ediciones Paraninfo
8.3. Puede demostrarse que, para que un proceso de nucleacin homognea se produzca
a un
ritmo suficientemente alto, el valor de G* debe ser inferior a 76 kBT. En un proc
eso de precipitacin (supuesto como una nucleacin homognea sin energa de deformacin) e
n una aleacin A70-B30, llevado a cabo a 800 K, se mide un ritmo de nucleacin de 10
6 m-3s-1 y se conoce
que dicho ritmo es cercano al considerado como suficientemente
alto.
a) Determine el valor de G*.
b) Si dicho ritmo quiere incrementarse hasta un valor de
1021 m-3s-1, calcule la composicin de la aleacin.
Datos: = 75 mJ/m2 y kB = 1.3810-23 JK-1.
Los valores de g pueden obtenerse del punto de corte con el
eje Y de la tangente a la grfica adjunta para la composicin
deseada.

Bloque 2
Q
vN
G*
n*
ns
n0 ns 0
exp
k BT
En el enunciado se indica que el ritmo de nucleacin es cercano al considerado com

o suficientemente alto, por lo cual supondremos que nos encontramos en la regin I
I de las sealadas en la
Figura 8.23.
En la situacin mencionada, se tiene que G*
Qd , por lo que el trmino exp
G * ( k
)
dominar frente al trmino exp
Qd (kBT )
, as que ignoraremos a este ltimo.
G*
16
3
vN
n0 ns 0 exp
n
n
106
exp
0 s 0
2
3 g
k BT
k BT
16
3
(0.075 J
( 9
107 J
m
m
106
vN
n0 ns 0 exp
n0 ns 0 exp( 79)
23
1
(1.38 10 J
K )
2 )3
3 ) 2
(800 K)
79kBT , el ritmo de nucleacin es elevado, pero insuficiente.

Por tanto, para G*
b) Dividiendo entre s las dos expresiones obtenidas para dos diferentes temperatu
ras (T1 y T2):
vN1
vN 2
G *
G *
n0 ns 0 exp
1
*
*
k BT1
k BT1
exp
exp
G1
G2
G2*
G2*
k BT1 k BT2
n0 ns 0 exp
exp
k BT2
k BT2
Si consideramos un ritmo de 1021 m-3s-1, entonces la expresin anterior:
G2*
G2*
106
15
exp
79
ln
10
79
1021
k BT2
k BT2
Y depejando:
G2*
(1.38
Como
G*
16
SL3
10 23 J
1 )
(800K)
ln
10 15
79
4.91
10 19 J
3 g 2
g
16
SL3
3 G*
16
(75 10 3 J
1.2 108 J m 3
3 (4.91 10 19 J)
2 )3
Ediciones Paraninfo
g
1.2 108 J
Segn la grfica, para obtener dicho valor se requiere una composicin aproximadamente
del
33 % (atmico) B.
69
Captulo 8
8.4. La precipitacin de una fase en la matriz original puede producirse mediante

una nucleacin homognea coherente (hay distorsin de la matriz) o incoherente (no hay
distorsin de la
matriz), siendo de importancia la energa por deformacin elstica en el primero de lo
s casos.
Si se supone un valor de g en funcin de la temperatura dado por 8106(T 900) Jm-3K-1
a) Indique los posibles rangos de temperatura en los que se producira nucleacin de
tipo
coherente o incoherente.
b) Para una temperatura de 510 K, seale qu tipo de nucleacin se producir y si ser apr
eciable el ritmo de nucleacin.
Datos: coh = 0.16 J/m2, inc = 0.8 J/m2, gdef = 2.6109 J/m3 y kB = 1.3810-23 JK-1.
a) La nucleacin se producir cuando sea termodinmicamente favorable, para lo que, se
gn la Expresin (8.15), G < 0.
Al haber menos requerimientos energticos asociados a la nucleacin incoherente (no
hay
energa de deformacin), esta debe producirse primero, para mayores temperaturas. De
spreciando el
valor de la energa superficial, el proceso ser termodinmicamente favorable si g < 0,
por lo que:
g = 8106(T 900) < 0
T < 900 K
Para que se produzca nucleacin coherente debe superarse adems la energa asociada a
la deformacin, por tanto:
g + gdef = 8106(T 900) + 2.6109 < 0
T > 575 K
b) El mecanismo esperable ser aquel con menor valor de G*, y segn el enunciado del
problema
8.3, ser un proceso apreciable siempre que dicho valor sea < 79 kBT = 79(1.3810-23
JK-1)
(510 K) = 5.561019 J.
Gcoh*
3
16
16
coh
(0.16 J
2.54
3( g
2 )3
10 19 J
g def ) 2 3
10 6
(510
900)
2.6
109 )
Ginc*
3
16
16
inc
(0.8 J
8.81 10 19 J
3( g ) 2 3
m
8
2 )3
106
(510
900) J
Por lo que se producir nucleacin coherente (que requiere menor energa) y la nucleac
in ser
apreciable, debido a que es menor que 5.561019 J.
a) El valor de la energa crtica en este proceso vendr dado por:

70
Ediciones Paraninfo
8.5. La transformacin de fase de los aceros denominada martenstica tiene lugar con
la aparicin de una nueva fase con forma lenticular, cuyo volumen y superficie pu
eden aproximarse
por las expresiones V = 4/3
r2c y S =2 r2, siendo r
c.
a) Determine las dimensiones crticas para la formacin de un ncleo coherente de mart
ensita.
b) Calcule la energa crtica de activacin para la formacin del ncleo anterior.
Datos: SS = 0.15 J/m2, g = 17107 J/m3 y gdef = 24108(c/r) J/m3.

Bloque 2
4
r 2 c
r 2 SS
3
c
4
4
g def
2
r 2 c
r 2 c
r 2 c
24
108
rc 2
108
SS
r
3
3
4
32
2 r 2
SS
3
G
Derivando dicha expresin respecto a r y c, e igualando a 0 cada una de las expres
iones se obtendrn los correspondientes valores crticos.
Derivando respecto a r:
d G 8
rc g
32 108
c 2
4 r SS
dr
3
d G
dr
r
c
r*
c*
32
24
0
108
c*2
108 c*2
r*
*
8 *
c
3
SS 2 c g
Derivando respecto a c:
d G 4
r 2 g 64 108 rc
dc
3
d G
dc
4
r *
SS
r * g
0 c
3 8
64 10
48 108
*
c
r
c*
r*
De la expresin de r* se desprende que:

2 c* r * g
3 r * SS
24 108 c *2
Sutituyendo ahora la expresin de c*, se llega a
2r *2 g 2
r *2 g 2
*
8
3
r
24
10
SS
48 108
(48 108 )2
de donde, operando:
r*
3 SS
4.98 10 8 m
50 nm
3.125 10 10 g 2
Sustituyendo este valor en la ecuacin para c*, resulta:
Ediciones Paraninfo
c* 1.77 10 9 m
1.8 nm
b) Sustituyendo los valores de r* y c* obtenidos en el apartado anterior en la e
xpresin de G*:
71
Captulo 8
G *
4
r *2 c*
r *2 SS
3
32
108
10
9 m) 2
r *c*2
4
(50
(1.77
10 9 m)
17
107 J
3 )
3
(32
2
7.79
108 J
3 )
(50
(50 10 9 m) 2
10 16 J
10 9 m)
(0.15 J
(1.77
10 9 m) 2
2 )
8.6. Suponga un proceso de nucleacin heterognea, al aire (a), sobre un sustrato pl

ano (s) de
dicho material en estado amorfo. Dicha nucleacin puede darse con dos orientacione
s distintas: segn planos (1 0 0) o planos (1 1 1) creciendo en paralelo a la supe
rficie amorfa con dos
geometras: rectangular (l x h) y triangular (lado d). Calcule las dimensiones de
los ncleos
crticos para los mencionados casos en funcin de las energas superficiales que inter
vienen en
el proceso.
Las mencionadas geometras de crecimiento son:
Y sus energas crticas por unidad de longitud perpendicular al plano del dibulo res
ultan:
G(100) l h
g (2 h
l ) a
(100)
l ( s
(100)
s
a )
G(111)
d2
g
2d
(100)
2d (
(111)
a )
2
Derivando las expresiones anteriores respecto a las dimensiones de los ncleos, e
igualando a
cero, se obtienen sus valores crticos:
d G(100)
dl
h
g
d G(100)
dh
(100)
(100)
l *
d G(111)
dd
l
(100)
h*
a (100)
g
2 a (100)
d
(100)
a (100)
2(
(111)
a )
d *
g
2 a (100)
g
2(
G*HET 1 cos
=
*
G HOM
2
(111)
a )
72
Ediciones Paraninfo
8.7. Considere un molde en el que hay una hendidura con geometra cnica de semingulo
/2. Demuestre que la expresin que relaciona las energas libres crticas para la nucle
acin
heterognea en la hendidura y para la nucleacin homognea en el seno del lquido es:

Bloque 2
La porcin slida formada por la hendidura tendr la forma de un cono con la base curv
a, de modo
que podemos considerarla como la suma de un cono (de altura d y semingulo /2) en c
uya base
hay adosado un casquete esfrico (de radio R). Un esquema de la seccin de la hendid
ura sera el
siguiente:
El volumen de un cono es:
VCono
3
dr 2
con d, la altura del cono, y r, el radio de la base.
Expresemos el volumen en funcin de R. Por trigonometra bsica:
r R sen
2
d R cos
2
Sustituyendo queda VCono
3
R3 sen 2
cos
Por otra parte el volumen del casquete esfrico (vea la Nota 8.1) es:
VCasquete
3
h 2 (3R
h)
h R 1 cos
2
. Sustituyendo y
donde h es la altura del casquete, que puede expresarse como
operando:
R3
VCasquete
2
3cos
2
cos3
2
3
El volumen de la porcin slida ser pues:
Ediciones Paraninfo
R3
2
V
VCono
3
3
3cos
VCasquete
cos3
R 3 sen 2
cos
V
2 3
R 1
3
73
cos
Captulo 8
El rea de la inteficie slido-lquido ser el rea de la parte curva del casquete esfrico
A 2
Rh 2
R 2
cos
La energa libre de un nucleo ser entonces

2
G R 3
1 cos
2
g
2 R 2
3
cos
SL
Derivando con respecto a R, e igualando a 0, se obtendr el radio crtico R*:

R*
2 SL
g
Sustituyendo en la ec de la energa libre, podremos obtener el valor de la energa l
ibre crtica
3
8
1 cos
2
SL
G
3 g 2
*
La energa libre crtica para el caso de nucleacin homognea viene dada por la Expresin
(8.5):
16
3
*
GHOM
SL2
3( g )
Por tanto:
G *
*
GHOM
3
8
1 cos
3 g 2
cos
SL
3
16
SL
2
3( g ) 2
8.8. Considere el caso de una transformacin de fase isoterma en la que se ha medi
do que la
fraccin volumtrica de fase transformada al cabo de 350 s es de 0.3 y, cuando han t
ranscurrido 500 s, se sita en 0.7.
a) Determine el tiempo de incubacin y el tiempo para la transformacin total.
b) Elabore una representacin grfica de la fraccin transformada vs. tiempo para esta
transformacin de fase.
a) Como se indica que la transformacin de fase es isoterma, podemos asumir que es
vlida la ley
de Avrami:
Calculemos en primer lugar los valores de las constantes c y n, que no se sumini
stran como datos. Aplicando logaritmos, la ecuacin de Avrami puede rescribirse:
74
Ediciones Paraninfo
x (t )
1 exp
(ct ) n

Bloque 2
ln(1
x)
(ct )n
Particularizndola para dos parejas de valores:
(ct1 )n
ln 1
x1
(ct2 )n
ln 1
x2
Dividiendo miembro a miembro:
(ct1 ) n ln
x1
t1
(ct2 ) n ln
x2
t2
n
Tomando logaritmos de nuevo
ln 1
x
1
ln
ln
x
ln
1
t1
2
1
n
ln
n
t1
t2
ln
ln
1
x 2
ln
t2
Sustituyendo valores (tenga en cuenta que en el enunciado, las fracciones volumtr
icas ya estn
en tanto por uno), resulta
n 3.41
c
2.11 10 3
La expresin de Avrami para esta transformacin queda, pues,
ln 1
x
(2.11 10 3
t )3.41
Despejando el tiempo:
t
0.293
1
ln
3
2.11
10
Tal y como se indica en el captulo, la definicin ms aceptada de tiempo de incubacin

es la
de aquel para el cual el porcentaje de fase transformada es del 0.1 %; es decir,
xi = 0.001
ti
0.293
0.293
1
1
62.52 s
ln 1
ln
x
0.001
3
3
2.11 10
2.11 10
La definicin del tiempo para transformacin total no es tan ampliamente aceptada. P
odemos calcularlo como el tiempo para el que x = 0.99, o como el doble del tiemp
o de semitransformacin:
Ediciones Paraninfo
(1) Para x = 0.99
tf
0.293
1
741.68 s
ln 1
3
2.11
75
10
0.99
Captulo 8
(2) Calculndolo como el doble del tiempo de semitransformacin. Segn la Expresin (8.2
7),
el tiempo de semitransformacin viene dado por
t1 2
(ln 2)
c
1n
tf 2
(ln 2)1 n
851.27 s
c
Como se puede comprobar, dichas definiciones no coinciden, siendo algo ms aceptad
a esta ltima.
b) Con ayuda de Excel , la representacin de la curva de transformacin que se obtien
e es la siguiente:
8.9. En un determinado proceso controlado por Avrami, se miden los tiempos a los
que se
producen determinadas fracciones transformadas a diferentes temperaturas. Puede
demostrarse que el parmetro n, adems de con la forma geomtrica de los ncleos, est rel
acionado
con el mecanismo de transformacin dominante (difusin a travs del lquido, a travs de l
a
interficie o a travs del slido formado). En funcin de los datos proporcionados, det
ermine si,
en el rango de temperaturas estudiado, todo el proceso est controlado por el mism
o mecanismo o si, por el contrario, cabe esperarse un cambio en el mismo.
Datos:
T (C)
t (min) 55.15 99.48 148.41 221.41 330.30
1 035
x
0.15
0.25
0.36
0.52
0.62
t (min) 66.69 99.48 148.41 221.41 270.43
1 022
x
0.15
0.20
0.30
0.42
0.51
t (min) 99.48 148.41 221.41 330.30 492.75
601.85
1 016
x
0.13
0.20
0.28
0.39
0.53
0.59
t (min) 262.43 391.51 584.06 871.31
1 009
x
0.14
0.18
0.21
0.25
t (min) 320.54 478.19 584.06 788.40 1 064.22
992
x
0.13
0.16
0.18
0.21
0.24
t (min) 584.06 788.40 1064.22
961
x
0.16
0.17
0.19
x (t )
1 exp
(ct ) n
76
Ediciones Paraninfo
La ecuacin de Avrami, Expresin (8.25), tiene la forma:

Bloque 2
Tomando logaritmo neperiano
ln(1
x)
(ct )n
Tomando logaritmos de nuevo:
ln( ln(1
x)) n ln c
n ln t
Para determinar el valor de n, basta representar ln (ln (1 x)) frente a ln t, par
a cada temperatura. Se obtienen as familias de nubes de puntos que deben ajustars
e mediante clculo de regresin a
lneas rectas (Excel puede hacer esta tarea de manera automtica). Las pendientes de
las lneas de
regresin resultante corresponden con el valor de n.
Para las distintas temperaturas:
Ediciones Paraninfo
Se observa por tanto un cambio de pendiente entre las tres primeras y las tres lt
imas temperaturas,
lo que indica que se produce un cambio en el mecanismo entre 1 009 y 1 016 C.
77
Captulo 9
Transformaciones de fases. Sistemas multicomponentes
Captulo 9
9.1. Considere una aleacin que sufre una transformacin de tipo eutctico. Se conoce
que el
espaciado interlaminar mnimo es de 4.3 m, cuando se activa dicha transformacin some
tindola desde el estado lquido a un subenfriamiento de 5 C. Determine dicho espacia
do interlaminar mnimo en el caso en que se aplicase un subenfriamiento de 15 C.
El espaciado interlaminar mnimo viene dado por la expresin:
mn
2
h E
12 T E
T
Pese a no disponer de ningn dato sobre la temperatura de la transformacin eutctica,

la energa interficial o la entalpa de fusin por unidad de volumen, el problema es
muy sencillo de resolver, gracias a la forma de la ecuacin que rige el espaciado
interlaminar mnimo.
Particularizando para dos parejas de valores y dividiendo las expresiones entre
s, quedara:
2 12TE
mn ,1 hE T1
mn ,2
hE T2
12TE
Como las variables anteriormente mencionadas no dependen de la temperatura, la e

cuacin se
simplifica a:
mn,1
T2
mn,2 T1
Sustituyendo valores, podemos determinar el espaciado interlaminar mnimo para un
subenfriamiento de 15 C:
mn,15C
4.3 m
5 C
1.43 m
15 C
9.2. Calcule la velocidad de crecimiento mxima que puede obtenerse para un eutctic
o cuando la transformacin se realiza aplicando un subenfriamiento de 20 K, y sabi
endo que, en esas
condiciones, el espaciado interlaminar mnimo es de 6.7 m.
Datos: 12/ hE = 1.58105 cm y -a3D 12/ hE = 2.011011 cm3(sK)1.
v M2
78
2a3 D
hE
12TE
Ediciones Paraninfo
La velocidad de crecimiento mxima est regida por:

Despejando:
v
Como
2 mn :
v
Bloque 2
2a3 D 12TE
M2 hE
2a3 D
12TE
a3 D
12TE
2
2 min
hE
M2 hE
Solo nos quedara conocer TE, y eso lo podemos hacer a travs del espaciado interlam
inar mnimo:
mn
2
h E
12 T E
T
Despejando la temperatura y sustituyendo:

h T
mn T hE (6.7 10 4 cm) (20 K)
1
TE mn E
424.05 K
12
2 12
2
2
( 1.58 10
5 cm)
Sustituyendo, finalmente, en la ecuacin de la velocidad:

v
a3 D 12TE
(424.05 K)
a3 D 12 TE
(2.01 10 11 cm3
(s
9.49 10 3 cm
s 1
2
2
2 mn
2 (6.7 10 4 cm)2
hE
hE 2 mn
K)
1 )
9.3. Considere un proceso de precipitacin de una aleacin, formada por los componen
tes A y
B, en el que se ha determinado que a 1 200 C las fracciones atmicas en B del slido
y lquido
son 0.1 y 0.65, respectivamente, mientras que, a 700 C han evolucionado hasta 0.8
2 y 0.13,
tambin respectivamente. Determine:
a) La temperatura a la que se agotar todo el lquido.
b) Una expresin de la evolucin de la fraccin atmica del slido con la temperatura para
el
caso de una aleacin con una fraccin atmica en B de 0.75.
Datos: Suponga evoluciones lineales con la temperatura para las fracciones atmica
s de slido
y lquido.
a) Lo primero es obtener expresiones para las evoluciones del lquido y slido con l
a temperatura
(esto ltimo no es necesario para este primer apartado, pero har falta para el sigu
iente).
Como nos indican que supongamos evoluciones lineales con la temperatura para las
fracciones
atmicas de slido y lquido podemos determinar dicha evolucin a partir de los puntos (
c, T) proporcionados en el enunciado:
Para el lquido:
Ediciones Paraninfo
Los puntos de los que disponemos son (0.65, 1 200) y (0.13, 700). Como los datos
de temperatura
son en C, y no importa en este caso, trabajaremos con dicha unidad.
Calculemos la recta que pasa por dichos valores:
cL 0.65 T
1200
0.52
500
79
Captulo 9
Por lo cual:
cL 1.04 10
3 T
0.598
Para el slido:
Los puntos son (0.1, 1 200) y (0.82, 700). Calculemos la recta que pasa por dich
os valores:
cS 0.1 T
1200
500
0.72
cS
1.44
10
3 T
1.828
La temperatura para la que no quedar lquido ser aquella en la que cL

T
0 :
0.598
575 C
1.04
10 3
b) La expresin de la fraccin atmica del slido con la temperatura es:

x
c0
cS
cL
c L
Sustituyendo los valores de las expresiones obtenidas en a), y teniendo en cuent

a que c0
0.75 :
x
c0
cL
0.75 1.04 10 3 T
1.348 1.04 10 3 T
3
3
cS
cL
1.44
10 T
0.598
1.828
1.04 10 T
0.598 2.426
2.48
10 3 T
9.4. A 675 C, una aleacin de A y B, con una fraccin atmica de 0.1 en B, est constitui
da
nicamente por una solucin slida. Mediante microscopa ptica, se ha determinado que el
proceso de precipitacin que sucede tras enfriar bruscamente a la aleacin hasta tem
peratura
ambiente concluye al cabo de las 15 h, al alcanzar los precipitados un radio med
io de 5 m.
Sabiendo que la solubilidad de B en A es nula a temperatura ambiente:
a) Calcule el valor de la difusividad a dicha temperatura ambiente.
b) Indique cul sera el radio medio de los precipitados al cabo de 5 h.
a) La evolucin del radio de los precipitados con el tiempo, para una determinada
temperatura, viene dada por:

c c
rP (t )
cP
c0
cM
0 y cP
0 M
Dt
80
Ediciones Paraninfo
En nuestro caso, c0
0.1 , y como a la temperatura a la que se realiza la evolucin
(temperatura
ambiente) la solubilidad de B en A es nula:

Bloque 2
Despejando la difusin y sustituyendo valores:
5
10
rP2 (t )
6
m
2
D
3.75
2
2
0.1
0
c
10 14 m 2
(15 h)
t 0 M
(3600 s h)
1
0.1
c
c
P 0
b) El radio al cabo de 5 h sera:
c c
0.1
0
14
2
1
6
rP (t )
0 M
Dt
(3.75 10 m
s )
(5 3600 s)
2.89 10 m
2.89 m
c
c
1
0.1
P 0
9.5. En un hipottico sistema de fases, en el que se produce una transformacin peri
tctica, la
fraccin inicial de fase slida es del 25 %, y las partculas de dicha fase tienen un
tamao medio de 15 m. Determine el tiempo necesario para que se concluya la transfo
rmacin sabiendo
que han transcurrido 135 s cuando se ha transformado el 30 %.
Dato: razn de volmenes z = 1.3.
Cuando se complete la transformacin, la fraccin transformada final ser
x final
z S0
(1.3)
(0.25)
0.325
Nos proporcionan el tiempo para el que la fraccin transformada es del 30 %; es de
cir:
x 0.3
x final
0.0975
Dicho tiempo tiene la expresin:
t
2
R2
3
1 (1
2
k D
z ) x x final
3 1
x x final
Los nicos valores que desconocemos son k y D

2
R2 3
2
k
D
1 (1
z ) x x final
3 1
x x final
t
k 2 D
(15 10 6 m) 2
(135 s)
2
(0.0975)
(0.0975)
2 1
14
3 1
3 1
3.32
(0.325)
(0.325)
(1
10 m
1.3)
s
Ediciones Paraninfo
. Despejando:
El tiempo final (obtenido al hacer x

2
2
R 2 z 3 (15
10
6 m) 2
t final
8 072.47 s
k 2 D
(3.32 10 14 m 2 / s)
81
(1.3) 3
x final ) viene dado por:
Captulo 9
9.6. Calcule la fraccin recristalizada de un metal a 500 K tras 60 s, sabiendo qu
e a 350 K, el
coeficiente c de la ley de Avrami vale 1.2210-7 s-1 y, a 450 K, es 1.7610-4 s-1. C
onsidere que n =
2.7.
a) La fraccin recristalizada se calcula mediante:
x R (t )
1 exp
(ct ) n
Desconocemos c, que es un parmetro dependiente de la temperatura:
Q
c (T ) c0 exp
R
RT
Como nos proporcionan datos de dicho parmetro a dos temperaturas, podremos determ
inar c0
y QR. Particularizando a dos temperaturas (T1 y T2) y dividiendo las expresiones
obtenidas:
Q
exp
R
c(T1 )
RT1
exp
QR QR
c(T2 )
Q
RT1 RT2
exp
R
RT2
Aplicando logaritmos:
ln
c(T )
1
QR QR
QR
1 1
c(T2 )
RT1 RT2
R
T2 T1
Despejando y sustituyendo:
c(T )
(1.22 10 7 s 1 )
ln
1
ln
4 1
s )
QR
c(T2 )
(1.76 10
11456.89 K
R
1 1
1
1
T2 T1
(450 K) (350 K)
c0 quedara:
c0
c(T )
QR
exp
R
(1.22
2.01
10 7 s
107 s
1 )
1
1
exp
T
(350 K)
(11 456.89 K)
Para 500 K:
La fraccin recristalizada tras 60 s a 500 K quedara:
82
Ediciones Paraninfo
1
2 1
c (550 K)
1.805
(550 K)
(2.01
10 s
107 s 1 )
exp
(11 456.89 K)
x R (t )
1 exp
1 exp
(ct ) n
(1.805 10
2 s
1 )
(60 s)
2.7
Bloque 2
0.71
Vemos que el proceso es muy rpido para este material, algo que se intua por los va
lores de c del
enunciado.
9.7. Teniendo en cuenta los datos y resultados obtenidos en el problema anterior
, determine, a
500 K los tiempos de incubacin y de recristalizacin.
a) Por definicin, el tiempo de incubacin es aquel para el cual la fraccin recristal
izada es del
0.1 %. A saber,
x R (t )
0.001
1 exp
(ct ) n
Despejando:
exp
(ct ) n
1 0.001
Aplicando logaritmos podremos eliminar la exponencial:
(ct )n
ln 1
0.001
De modo que despejando t:
t
1
n
1
(2.7)
ln
1
1
0.001
0.001
ln
(1.805
10 2 s 1 )
c
4.29 s
b) El tiempo de recristalizacin se define como el necesario para que xR
emos usar el
0.5 . Pod
mismo proceso que acabamos de realizar en el apartado anterior y multiplicar el

tiempo obtenido
por 2, o bien usar directamente la ecuacin:
1
tR
1
2(ln 2) n
2 (ln 2) 2.7
96.74 s
(1.805 10 2 s 1 )
c
9.8. Suponga que ha recibido una aleacin metlica con un tamao de grano excesivament
e
grande para sus especificaciones.
a) Explique a qu procesado podra someter al material, sin fundirlo, para afinar su
tamao
de grano.
b) Indique cmo podra obtener un grano fino si se le permitiese fundir el material.
Ediciones Paraninfo
a) Para afinar el grano del hierro slido se puede emplear un proceso de deformacin
en fro seguido de recristalizacin.
b) Utilizando un proceso de fusin y posterior solidificacin se consigue grano fino
garantizando un
alto subenfriamiento.
83
Captulo 10
Diagramas de equilibrio
Captulo 10
10.1. Suponga la regin bifsica de un diagrama de equilibrio binario del tipo I (so
lubilidad
total en estado lquido y slido) de un sistema A-B en el que las temperaturas de fu
sin cumplen que TA > TB. Para una determinada temperatura, los lmites de dicha reg
in se sitan en
composiciones del 20 y del 60 % B. Calcule las composiciones de dos aleaciones s
abiendo que,
para dicha temperatura, la cantidad de fase slida de la aleacin ms rica en A es el
doble que
la cantidad de la aleacin ms rica en B y que, adems, la cantidad relativa de fase lq
uida de
la aleacin ms rica en A es del 50 %.
Representando grficamente los datos del enunciado, obtenemos:
Denominemos x e y a las composiciones de las aleaciones, siendo x la ms rica en A
. Calcularemos
en primer lugar el porcentaje de B contenidoe en la fase slida de las dos aleacio
nes:
60
x
60 20
60 y
F
100
60
F
20
100
Y atendiendo a los datos del enunciado:
60
60
2
60
60
FL
x
y
20
20
50
20
100
60
20
x 40 % B
Ediciones Paraninfo
Por tanto, sustituyendo el valor obtenido de x en la primera de las ecuaciones,
se obtiene la composicin de la segunda aleacin: y = 50 % B.
84

Bloque 2
10.2. Imagine un diagrama de equilibrio binario del tipo I (solubilidad total en
estado lquido
y slido) para un sistema A-B tal que las temperaturas de fusin cumplen que TA > TB
. Una
determinada aleacin es enfriada en condiciones de equilibrio hasta una temperatur
a tal que
su microestructura es bifsica, presenta una composicin de la fase slida del 30 % B
y de la
fase lquida del 70 % B. Adems, su microestructura contiene el doble de fase lquida
que de
slida. Si la aleacin hubiese sido enfriada rpidamente hasta la misma temperatura, i
ndique
cul sera la composicin de las fases slida y lquida.
Tenemos:
La variacin de la lnea de slidus con los enfriamientos rpidos viene definida por la
ecuacin
de Scheil (Expresin 10.7), que determina la composicin media de la fase slida.
k ( k 1)
c
cL c
cS
1 ( k 1)
1
cL c
donde c es la composicin de la aleacin, cL la composicin de la fase liquida (que no
vara en condiciones de inequilibrio) y k
cS cL .
Para calcular la composicin de la aleacin, segn el enunciado: FL = 2F
c 30
70 c
2
70
70
30
30
c
56.66 % B
Por tanto:
(0.3)
(0.3)
1
(0.5666)
(0.7) (0.5666)
0.2687
cS
26.87 % B
(0.3)
1
1
1
(0.7) (0.5666)
(0.7)
(0.7)
(0.7)
Ediciones Paraninfo
Por otra parte, la lnea de lquidus no se ver afectada, al ser muy elevada la difusin
en este
medio. Por ello:
cL
85
70 % B
Captulo 10
10.3. Considere un diagrama de equilibrio binario de tipo II (solubilidad total
en estado lquido e insolubilidad total en estado slido) de un sistema A-B. Una ale
acin de dicho sistema
presenta en la regin A + L (justo antes de la transformacin invariante) la mitad d
e A que de
L, y en la regin A + B (justo despus de la transformacin invariante) el doble de A
que de B.
Calcule cul es la composicin de la aleacin y cul la del punto eutctico.
Sea c la composicin de la aleacin.
Con los datos del enunciado pueden plantearse las siguientes ecuaciones, que al
resolver proporcionan la solucin del problema:
Para T > TE : 2
FA FL
Para T < TE : FA
2 FB
cE
c c
2cE
3c
cE
cE
100 c
c
2
33.33% cE
50 %
c
100
100
2
10.4. Suponga un diagrama de equilibrio binario de tipo III (solubilidad total e
n estado lquido y parcial en estado slido) de un sistema binario A-B. Una aleacin x
de dicho sistema presenta en la regin
+ L (justo antes de la transformacin invari
ante) igual cantidad de que
de L y en la regin + (justo despus de la transformacin invariante) el doble de
que
e
. Otra aleacin del mismo sistema, y, presenta en la regin
+ L (justo antes de la tr
ansformacin invariante) una tercera parte de
que de L. Si la transformacin eutctica
se produce
para un 50 % B y la solucin slida presenta una solubilidad mxima del 10 % B a la te
mperatura eutctica, establezca cules son las composiciones de las aleaciones x e y
y cul es la
solubilidad de la solucin slida a la temperatura de la transformacin invariante.
Ediciones Paraninfo
La situacin planteada es:
86

Bloque 2
Con los datos proporcionados pueden plantearse las siguientes ecuaciones (siendo
x e y las
composiciones de las aleaciones, c
y c las composiciones de las fases eutcticas a
eratura eutctica, y cE = 50 la composicin eutctica):
Aleacin 1:
x c
cE
cE
c cE c
Sustituyendo los datos del problema: 50
10
Para T > TE : f
fL
2 f
Para T < TE : f
c
c
x
c
2
x
30 % B
x
c
c
c
Sustituyendo: c
Aleacin 2:
y
cE
2 x
20
70 % B
c
y
cE
c cE c
Sustituyendo los valores ya conocidos: 3
Para T > TE : 3
(50
y )
10
f L
3
y
40 % B
10.5. Un sistema binario A-B se rige por un diagrama de equilibrio binario de ti

po IV (solubilidad total en estado lquido y parcial en estado slido) en el que las
temperaturas de fusin
TA > TB. Una aleacin de dicho sistema presenta en la regin
+ L (justo antes de la
transformacin invariante) igual cantidad de que de L y en la regin
+
(justo despus
de la
transformacin invariante) la mitad de que de . Si la transformacin peritctica se pro
duce
para un 50 % B y la composicin del lquido es del 60 % B, determine cul ser la compos
icin
de la aleacin.
Ediciones Paraninfo
Sea c la composicin de la aleacin, y sean c y cL las composiciones de

y del lquido a
la temperatura peritctica. De la transformacin peritctica sabemos que: cP = 50 y cL
= 60 % B.
Con los datos proporcionados pueden plantearse las siguientes ecuaciones:
c c
cL c
Para T > TP : f
fL
cL
c cL c
Sustituyendo los datos del problema: 60
87
Captulo 10
c
cP
c
c
cP
c cP c
Sustituyendo los valores conocidos: 2
Para T < TE : 2
(50
c )
2
Resolviendo el sistema de ecuaciones:
60
B y c 40 % B
c 20 %
2 (50
c) c
10.6. La figura corresponde a un hipottico diagrama de equilibrio binario, de sol

ubilidad
total en estado lquido y parcial en estado slido, formado por A y B.
a) Nombre las distintas regiones del diagrama e indique esquemticamente las disti
ntas transformaciones que tengan lugar.
b) Trace la curva de enfriamiento en condiciones de equilibrio de una aleacin del
30 % B,
desde el estado lquido hasta la temperatura ambiente. Seale esquemticamente los fenm
enos que ocurren en cada tramo. Dibuje la microestructura que se obtendra en cada
uno de
los tramos.
c) Calcule la frmula emprica del compuesto que aparece en el diagrama.
Datos: M (A) = 10 g/mol, M (B) = 20 g/mol y
(fase ms rica en el elemento A) = 5 g
/cm3.
(5 % B )
L (35 % B )
(15 % B )
(20 % B )
(10 % B )
C (40 % B )
(25 % B )
L (50 % B )
C (40 % B )
L (70 % B ) C (40 % B )
(90 % B )
Ediciones Paraninfo
a)
2.
3.
4.
88
1. Peritctica:
Eutectoide:
Peritctica:
Eutctica:

Bloque 2
b)
c)
Ediciones Paraninfo
1 mol
n A
60 g A
10 g
6 moles A
Por cada 100 g de C:

n
40 g B
1 mol
2 moles B
B
20 g
La relacin molar nA nB
3 , por tanto, la frmula emprica del compuesto es A3B.
89
Captulo 10
10.7. Para el diagrama de equilibrio del problema anterior, suponga una aleacin d
el 30 % B a
299 C. Calcule qu porcentaje de rea (= porcentaje en volumen) de la microestructura
estara ocupado por cada uno de los microconstituyentes.
Datos: NA = 6.0221023. Hay un compuesto C (con parmero reticular a = 0.3 nm) forma
do por
tomos de B en posiciones de una red CCI, con todos los intersticios octadricos ocu
pados por
tomos de A.
Microconstituyentes: C(PE) + Eutectoide ( + C).
A 301 C se calculan las cantidades de (que pasar a ser eutectoide) y C(PE):
F
FE
50 % (en masa)
FC
100
30
20
50 % (en masa)
40
20
Para pasar estos porcentajes en masa a porcentajes en volumen, partiendo de 100
g de aleacin,
debe calcularse el volumen ocupado por 50 g de C y 50 g de eutectoide.
Comenzando con el C, y teniendo en cuenta que su estructura es CCI con a = 0.3 n
m, y que una
celdilla contiene 2 tomos de B y 6 de A:
C
M C 2
M(B)
6.15 g/cm3
(0.3 10 7 cm)3
VC
a3 N A
V
M(A) 2
(20 g
mol 1 )
(10 g
mol 1 )
(6.022 1023 mol 1 )
C
mC
C
(50 g)
8.13 cm 3
(6.15 g
cm -3 )
Por otra parte, a 299 C y para la composicin del E (20 % B), calculemos los porcent
ajes de
las fases que componen el eutectoide:
40
20
66.6 % (en masa)

40
10
FC 33.3% (en masa)
F
100
Y por tanto (aplicando una ley de mezclas para el clculo de la densidad, Expresin
(1.5)):
V
E
mE
E
(50 g)
9.36 cm3
66.6 g
33.3 g
66.6 g
33.3 g
5 g
cm 3 6.15 g
cm 3
FE
9.36 cm 3
100 53.51%
8.13 cm 3
9.36 cm 3
FC
46.49 %
90
Ediciones Paraninfo
Finalmente, como Porcentaje volumen
Porcentaje rea :

Bloque 2
10.8. Dado el siguiente diagrama de equilibrio, correspondiente al sistema Mg-Ca
,
a) Seale sobre el diagrama las fases existentes en las distintas regiones. Tenga
en cuenta para
ello que el Ca sufre una transformacin alotrpica.
b) Calcule la estequiometra del compuesto sabiendo que M (Mg) = 24.3 g/mol y M (C
a) =
40.1 g/mol
a) El Ca sufre una transformacin alotrpica, en la que el Ca(
se transforma a 447 C a
Ca( .
b) Para conocer la estequiometra del compuesto hay que calcular el nmero de moles
presentes de
cada especie que lo constituyen. As:
nMg nCa
Mg 2 Ca
Ediciones Paraninfo
100 g de C
1 mol
nCa
n
45.2 g Ca
54.8g Mg
2.255 moles
Mg
24.3 g
91
40.1 g
1 mol
1.127 moles
Captulo 10
10.9. Para el diagrama de equilibrio del problema anterior, suponga una aleacin d
el 55 % Ca
enfriada en condiciones de equilibrio hasta temperatura ambiente. Calcule los po
rcentajes de
los microconstituyentes estructurales y elabore un esquema de la microestructura
.
La evolucin de los microconstituyentes desde el estado lquido hasta temperatura am
biente ser:
L
(
700 C )
Mg 2 Ca
(456 C )
E( Mg 2 Ca + Ca (
))
Mg 2 Ca
(447 C )
E( Mg 2 Ca + Ca (
))
Mg 2 Ca
Para conocer las proporciones de los microconstituyentes, se realiza el clculo me

diante la regla de
la palanca, justo antes de producirse la transformacin eutctica:
78.3 55
100
70.41%
78.3
45.2
FE FL
29.59 %
FMg 2 Ca =
10.10. El Mg (TF = 650 C, M (Mg) = 24.3 g/mol, estructura HC) y el Si (TF = 1414 C
, M (Si) =
28.1 g/mol, estructura tipo diamante) son completamente solubles en estado lquido
e insolubles en estado slido. Estos dos elementos forman un compuesto intermetlic
o, que contiene
un 36.6 % Si y que funde congruentemente a 1087 C. El Mg y el compuesto intermetli
co
forman un eutctico con un 1.4 % Si a 639 C; mientras que el Si y el compuesto inte
rmetlico
forman, a su vez, un eutctico con un 56.5 % Si a 947 C.
a) Dibuje el diagrama de equilibrio Mg-Si
b) Halle la frmula del compuesto intermetlico.
Ediciones Paraninfo
a) Con los datos proporcionados por el enunciado, el diagrama Mg-Si quedara:
92

Bloque 2
b) El compuesto intermetlico responde a la frmula: MgnSim.
A partir de los datos del problema, se sabe que en 100 g de compuesto, 36.6 g so
n de Si y 63.4
g son de Mg. El nmero de moles de cada una de estos elementos ser:
1 mol
2.61 moles
nMg 63.4 g Mg
g
2.61
24.3
100 g de C:
nMg nSi
2
1.30
n 36.6 g Si
1 mol 1.30 moles
Si
28.1 g
Por tanto, la frmula del compuesto ser Mg2Si.
10.11. Para el diagrama de equilibrio del problema anterior, suponga una aleacin
del 10 %
de Si:
a) Trace la curva de enfriamiento sealando esquemticamente los fenmenos que ocurren
en
cada inflexin.
b) Calcule a temperatura ambiente el porcentaje de constituyentes estructurales
existentes y
dibuje la microestructura correspondiente indicando los constituyentes estructur
ales.
Ediciones Paraninfo
a) La curva de enfriamiento sera:
93
Captulo 10
b) Aplicando la regla de la palanca a una temperatura de 640 C (justo por encima
de la temperatura
eutctica) se obtendr la cantidad de Mg2Si y de L, correspondiendo la ltima a la can
tidad de E:
36.6
10
100 75.57 %
36.6
1.4
FMg2Si =100 75.57
24.43%
FE
La microestructura resultante ser de la forma:
10.12. En un hipottico diagrama de equilibrio A-B (TA = 1 100 C y TB = 200 C), se p
roducen
las siguientes transformaciones (indicadas en la figura adjunta):
850 C, la solucin slida extrema (10 % B) reccion con el lquido (35 % B) pr dr
(20 % B).
A 650 C, l fse intermedi (25 % B) reccion con el lquido (50 % B) pr dr
(30 % B).
A 550 C, la fas (15 % B) s transforma n (5 % B) y en (30 % B).
A 350 C, la fas (55 % B) racciona con l lquido (75 % B) para dar solucin slida
trma (65 % B).
S conoc, adms, qu, a tmpratura amint:
La soluilidad mxima d B n es del 2 %.
L solubilidd mnim de B en s dl 75 %.
La mnima soluilidad d B n la fas s considrar constant dsd los 650 C hasta
tmpratura amint, iual al 30 %.
La fas intrmdia tin como mxima soluilidad l 40 % n B.
Complt con lnas rctas l diarama d quilirio parcialmnt facilitado ind
iqu las fass prsnts n cada rin.
94
Edicions Paraninfo
La scala microscpica d los matrials

Bloqu 2
Aplicando cada uno d los datos proporcionados s lla al siuint diarama:
10.13. Para l diarama d quilirio dl prolma antrior, supona una alacin
dl 28 % B.
a) Diuj la curva d nfriaminto n condicions d quilirio, indicando la mi
crostructura
prsnt n cada tramo y sus fass y microconstituynts.
) Calcul l porcntaj d la fas qu forma part dl utctoid justo tras su
formacin.
Edicions Paraninfo
a) La curva d nfriaminto sra:
95
Captulo 10
Diaramas d quilirio
Las microstructuras, fass y microconstituynts n cada tramo (numrado nla f
iura antrior) s rcon n la siuint fiura:
(PE) y , a la tmpratura d 551 C, sa
) Calculmos n primr luar la cantidad d
indo qu
la cantidad rsultant d
sr la qu d luar al utctoid:
28
15
100
86.67 %
30 15
30 28
100
13.33%
F
F
E
30
15
F (PE)
Por otra part, la transformacin utctoid da luar a la formacin d
ad d
pud calculars mdiant la rla d la palanca:
. La cantid
F (E)
15
5
100 40 %
30 5
Por tanto, conocida la cantidad d utctoid, y su contnido n
almnt l porcntaj d n l utctoid, qu rsulta:
40
5.33%
100
10.14. Conocidos los siuints datos sor un hipottico
TA = 1 000 C y TB = 800 C.
B s insolul n A.
La soluilidad d A n B tin un mximo dl 12 % a 500
a
amint.
Prsnta trs puntos utcticos: (1) a 500 C y 75 % B,
700 C
y 25 % B.
Prsnta dos compustos qu fundn conruntmnt: (1)
a
750 C y 63.15 % B.
a) Diuj l diarama d quilirio corrspondint.
) Calcul la frmula mprica d los compustos.
Datos: M (A) = 35 /mol y M (B) = 20 /mol.
96
Edicions Paraninfo
, s otin fin
sistma inario A-B:

C y s dl 8 % a tmpratur
(2) a 600 C y 55 % B y (3) a
a 850 C y 36.36 % B y (2)
13.33

Bloqu 2
a) A partir d los datos proporcionados n l nunciado s otin:
) Compusto C1 (36.36 % B)
En 100 d C1
1 mol A
nA
n
B
20
63.64 A
36.36 B
35
1.82 mols
1 mol B
1.82 mols
La rlacin molar s corrspond con la rlacin d tomos, lo qu quir dcir qu lo
s tomos
d A y d B stn n la misma proporcin. El compusto sr AB.
Compusto C2 (63.15 % B)
En 100 d C2
1 mol A
n A
n
B
20
36.85 A
63.15 B
35
1 mol B
1.05 mols
3.16 mols
La rlacin molar nA nB s ahora iual a 3, por tanto l compusto sr AB3.

Edicions Paraninfo
10.15. Para l diarama d quilirio dl prolma antrior, considr una alac
in dl
50 % B.
a) Diuj su microstructura a tmpratura amint y calcul, para 100 d al
acin, la
cantidad dl compusto ms rico n l lmnto A contnido n la porcin utctica.
) Expliqu qu difrncias cara sprar rspcto a la microstructura dl apartad
o antrior si l nfriaminto s produc n condicions d no quilirio.
a) La microstructura a tmpratura amint corrspondra a C1(PE) y un utctico
formado por
C1 y C2.
97
Captulo 10
Diaramas d quilirio
El compusto ms rico n A s l C1. Para calcular su contnido n l utctico, com
nzarmos calculando, justo ants d la transformacin utctica ( 601 C), la cantidad
d L, qu sr quivalnt
a la cantidad d utctico.
FL
FE
50
36.36
100 73.18 %
55 36.36
Para la composicin utctica, pud calculars la cantidad d C1 y C2 a los qu da
luar:
63.15
55
100 30.42%
63.15
36.36
55 36.36
FC2 (E)
100 69.58%
63.15
36.36
FC1 (E)
As pus, si partimos d 100 d alacin, 73.18 formarn la porcin utctica, y d s
tos, l
22.26 , corrspondrn al compusto C1 (l ms rico n A).
30.42 %, s dcir 73.18
30.42 /100
10.16. Tnindo n cunta los siuints datos sor un hipottico sistma inario
A-B:
TA = 1 000 C y TB = 500 C.
La soluilidad d B n A tin un mximo dl 5 % a 700 C y s nula a tmpratura am
int
La soluilidad d A n B tin un mximo dl 5 % a 300 C y s nula a tmpratura am
int
Prsnta dos transformacions pritcticas:
o L (65 % B) + C1 (30 % B) C2 (60 % B) a 400 C
o L (40 % B) +
(5 % B) C1 (30 % B) a 700 C
Prsnta una transformacin utctica:
o L (80 % B) C2 (60 % B) +
(95 % B) a 300 C
a) Diuj l diarama d quilirio corrspondint.
) Para una alacin dl 35 % B, trac la curva d nfriaminto dsd l stado lqu
ido hasta
tmpratura amint indiqu la microstructura corrspondint a cada tramo d
la curva
con indicacin d los microconstituynts prsnts. Diuj iualmnt la microst
ructura a
tmpratura amint n caso d nfriaminto n condicions d inquilirio.
98
Edicions Paraninfo
) Lo qu ca sprar s qu puda har una mnor cantidad d C1(PE) qu no ha
ya tnido timpo d aparcr ants d alcanzars los 600 C, y qu las laminillas
dl utctico, prsnt n mayor
cantidad, san ahora ms finas (lo qu rprcutir n las propidads dl matrial)

Bloqu 2
a) Atndindo a las indicacions dl nunciado s otin l siuint diarama:
) La curva d nfriaminto rsulta:
Edicions Paraninfo
En condicions d inquilirio, dado l pquo marn d tmpraturas y composici

ons, rsulta improal qu s aprci microsracin intraranular (corin) dura
nt l nfriaminto por
ncima d 700 C. A partir d sta tmpratura, n las transformacions pritcticas
s producir
crcado, rsultando una microstructura n la qu adms d qudar rstos d fas
, har mayor
cantidad d C1 y mnos d C2.
99
Captulo 10
Diaramas d quilirio
10.17. Para l diarama d quilirio dl prolma antrior, supona una alacin
dl 75 % B.
A tmpratura amint, calcul, para 100 d alacin, la cantidad d compusto
contnido
n la porcin utctica.
D acurdo con l diarama, l utctico star formado por C2 y .
A tmpratura amint, la cantidad d C2 n l utctico pud calculars como la
cantidad total mnos la prutctica, por tanto:
FC2
E
FC2
FC2
PE
Total
FC2 (Total)
100
75
100
62.5 %
100
60
62.5
25
FC2 (PE
)
37.5%
80
75
100
25 %
80 60
a) Atndindo a las indicacions dl nunciado s otin l siuint diarama:
100
Edicions Paraninfo
10.18. D un hipottico diarama inario A-B s conoc:
TA = 500 C y TB = 1 000 C.
Un lquido dl 25 % B solidifica a 250 C d manra inconrunt y da luar a un com
pusto C (75 % B) y al lmnto puro A.
Un compusto C solidifica inconruntmnt a la tmpratura d 750 C a partir d
un
lquido dl 50 % B y d una solucin slida dl 90 % B.
La mncionada solucin slida prsnta soluilidad nula a tmpratura amint.
a) Diuj l diarama d quilirio.
) Calcul la composicin d una alacin (ms rica n B qu n A) saindo qu, n co
ndicions d quilirio y a tmpratura amint, la cantidad d compusto prs
nt n l utctico s d un 3.33 % n masa.

Bloqu 2
) Si llamamos x a la composicin d la alacin, dado qu sn s indica n l nunc

iado la alacin s ms rica n B qu n A x > 50 %, y pusto qu s hala d un utc
tico x < 75 %.
Por tanto la composicin uscada d star aproximadamnt n la zona indicada:
Adms, s indica qu l porcntaj d C n l utctico rsulta dl 3.33 %. Por tan
to, calculando la cantidad d C total (a 249 C) y la prutctica (a 251 C), y rstnd
olas, pud otnrs la
cantidad prsnt n l utctico, iualando con l dato proporcionado, s lla
r a la solucin
uscada:
Edicions Paraninfo
FC (Total)
F
C (PE)
Y d ah qu:
x
100
75
x
100
50
101
25
Captulo 10
Diaramas d quilirio
x
x
25
100
100
3.33
75
50
x 70 % B
10.19. Para l diarama d quilirio dl prolma antrior, imain una alacin
dl 70% B.
Cuando la alacin antrior s nfriada n condicions d inquilirio, calcul la
nuva soluilidad d la solucin slida a una tmpratura justo por ncima d 750 C
saindo qu la
cantidad d solucin slida a sa tmpratura s 2.4 unidads porcntuals mnor qu
n
condicions d quilirio. Expliqu a qu fnmno s dido st camio d soluili
dad.
S pid calcular l nuvo punto y el iagrama:
Para ello, calcularemos la canti a e solucin sli a en con iciones e equilibrio,
y restn ole
2.4 uni a es obten remos la canti a en inequilibrio. Con este ato po r calulars
e el punto y para
que el resulta o sea el espera o:
Porcentaje e a 751 C en equilibrio:
F
70
75
100
50 %
90 50
Porcentaje
a 751 C en inequilibrio: 50 2.4 = 47.6 %
70 50
100
47.6
y 50
y 92 % B
El cambio e solubili a que se pro uce ( el 10 al 8 % e A en B) se ebe a la a
paricin e microsegregacin intragranular (coring) como consecuencia el rpi o enfri
amiento.
102
E iciones Paraninfo
e los materiales
Bloque 2
10.20. De un sistema binario A-B (TA = 1 300 C y TB = 100 C) se conoce que present
a os
transformaciones invariantes e tipo peritctico a las temperaturas e 600 y 400 C,
en las que
la composicin el lqui o que interviene en la reaccin es el 55 y 70 % B, respectiv
amente.
A ems, se han realiza o una serie e estu ios metalogrficos (en equilibrio), para
istintas
composiciones y temperaturas, que se resumen en la siguiente tabla:
NOTA: a temperaturas interme ias entre las in ica as no se observa ningn cambio e
n las fases
presentes, es ecir, o bien se encuentra la misma microestructura
e la temperatura superior, o bien
la e la inferior, aunque evi entemente las canti a es e ca a fase
pue en variar con la temperatura.
a) Dibuje con estos atos el iagrama e equilibrio A-B, sabien o que la solubil
i a mxima
e A en B se pro uce a temperatura ambiente y resulta e un 50 %, as como que C e
s un
compuesto.
b) In ique cmo resultaran las microestructuras correspon ientes a las aleaciones
el 20 %,
el 60 % y el 80 % B, a temperatura ambiente, si fuesen enfria as en con iciones
e inequilibrio. In ique los fenmenos e inequilibrio que apareceran, y seale las
iferencias con las
microestructuras e equilibrio.
E iciones Paraninfo
a) Con los atos iniciales el enuncia o pue e saberse lo siguiente:
103
Captulo 10
Diagramas e equilibrio
A partir el estu io metalogrfico pue e completarse el iagrama (los puntos marca
os se correspon en con la situacin e las micrografas proporciona as en el enunci
a o):
b) En la aleacin el 20 % B aparecera cerca o, e mo o que, a temperatura ambiente
, la canti a
e compuesto forma o sera inferior (la canti a e A remanente sera mayor) a la qu
e aparece con
enfriamiento e equilibrio.
En el caso e la aleacin el 60 % B, se pro ucira una mo ificacin el iagrama simi
lar a la
mostra a en la Figura 10.25. La re isolucin e los restos e cristales el compue
sto C para ar
nicamente un sli o policristalino e fase
que acontece en con iciones e equilibri
o no tiene
lugar, o lo tiene en menor me i a, en con iciones e inequilibrio. Esto trae com
o consecuencia, la
presencia inespera a e C, cerca o, a temperatura ambiente.
Por ltimo, la aleacin el 80 % B sufrir microsegregacin intragranular (coring).
Las microestructuras resultantes seran:
a) Las composiciones con el 30 % A son las e la lnea perpen icular a la altura
el vrtice A que
cortan al porcentaje e A en el valor el 30 %.
104
E iciones Paraninfo
10.21. En
B y C,
site los
a) 30 % A
b) 60 % A
c) 30 % B
la seccin isoterma e un
puntos
y 40 %
y 10 %
y 20 %
e composicin:
B
C
C
iagrama ternario e componentes hipotticos A,
e los materiales
Bloque 2
Las composiciones el 40 % B sern las e la lnea perpen icular a la altura el vrti
ce B que
corten al porcentaje e B en el 40 %. La interseccin entre las lneas el 30 % A y
el 40 % B ser el
punto e composicin busca o.
b) Proce ien o e manera semejante:
E iciones Paraninfo
c) Proce ien o e manera semejante:

105
Captulo 11
Determinacin e iagramas
e equilibrio
Captulo 11
Determinacin e iagramas e equilibrio
11.1. Conoci as las curvas e enfriamiento e equilibrio para iferentes composi
ciones e un
iagrama binario A-B, trace el corespon iente iagrama e equilibrio el sistema
.
E iciones Paraninfo
Proce ien o e acuer o a las istintas curvas e enfriamiento proporciona as, pu

e en ir obtenin ose puntos el iagrama, que en su forma final, resulta:
106
e los materiales
Bloque 2
11.2. Da o el iagrama e equilibrio A-B a junto, ibuje orientativamente las cu
rvas Gx para
las temperaturas siguientes: 1 000, 900, 800, 700, 600, 500, 400 y 300 C.
E iciones Paraninfo
Esquemticamente, y para ca a temperatura solicita a, las curvas Energa Libre vs. C
omposicin seran:
107
Captulo 11
e equilibrio
E iciones Paraninfo
11.3. Construya el iagrama e equilibrio hipottico sistema A-B al que correspon

en las siguientes curvas e energa libre calcula as a iferentes temperaturas ec
recientes (T1 > T10).
108
e los materiales
Bloque 2
Estu ian o en primer lugar las temperaturas T1 a T5, se obtiene parte el
ma:
E iciones Paraninfo
Continuan o con el resto e las temperaturas pue e completarse el
109
iagrama:
iagra
Captulo 11
As pus, el
e equilibrio
iagrama completo resulta:
Thermo-Calc es un potente software para clculos termo inmicos con un interfaz grfic
o fcil e
usar, sien o ampliamente utiliza o para el clculo e: iagramas e fase, atos te
rmoqumicos (entalpas, calor especfico y activi a ), simulaciones e enfriamiento co
n el mo elo e Scheil, etc.
110
E iciones Paraninfo
11.4. Determine el iagrama e equilibrio Fe-C emplean o la versin
are
Thermo-Calc (http://www.thermocalc.com) u otro programa similar.
emo el softw
e los materiales
Bloque 2
Veamos a continuacin una escripcin el proceso a seguir aplica o al caso concreto
que nos
ocupa, el iagrama Fe-C.
El primer paso para ibujar el iagrama es visitar su pgina web e instalar la ver
sin emo. A
continuacin:
1.
2.
Abrimos el programa.
Pulsamos el icono para la creacin
e iagramas e fase binarios.
E iciones Paraninfo
3. Aparece una ventana con varias pestaas. En la primera, Elements, seleccionamos

los elementos constituyentes el iagrama. En la tercera pestaa, Phases an Phas
e Constitution, pue en aa irse o eliminarse las fases esea as (el clculo pue e in
cluir solo las fases que el usuario consi ere
relevantes, e la lista completa que proporciona el programa).
111
Captulo 11
e equilibrio
4. Selecciona os los elementos Fe y C, pulsan o Perform Tree obten remos nuestro

iagrama
e fases.
Uni a es e temperatura y composicin (en Composition Unit pue e seleccionarse el
iagrama
en porcentaje molar o en masa).
112
E iciones Paraninfo
5. Las con iciones e clculo el iagrama pue en mo ificarse en la pestaa Con itio
ns, que se
encuentra entro e Equilibrium Calculator. Entre estas con iones se encuentran:
e los materiales
Bloque 2
Pue e ponerse el iagrama en funcin el conteni o en C o Fe.
Cambiar las uni a es e la temperatura.
La escala e ca a eje.
Tipo e clculo.
6. Para efinir los parmetros el iagrama, como los colores e las lneas, escalas
, ejes e abscisas u or ena as, etc., pulsaremos el botn erecho el ratn sobre el
iagrama, seleccionan o la
opcin Properties.
7. Si se coloca el ratn encima e alguna fase el iagrama, aparece un cua ro e
ilogo on e
se muestran los atos el punto elegi o.
8. Por ltimo, el iagrama pue e guar arse pulsan o el botn erecho el ratn sobre e
l iagrama,
y seleccionan o la opcin Save as.
11.5. Determine el iagrama e equilibrio Al-Cu, en porcentaje molar, emplean o
la versin
emo el software Thermo-Calc (http://www.thermocalc.com) u otro programa simila
r.
Para el clculo el iagrama e fases realizaremos los pasos bsicos escritos en el
problema anterior:
Paso n 1: Seleccionamos ambos elementos e la tabla peri ica.
E iciones Paraninfo
Paso n 2: Seleccionamos Equilibrium Calculator. En la primera pestaa Con itions, m

o ificaremos para que el programa calcule el iagrama en funcin el porcentaje mo
lar. En la misma pestaa
escalamos el iagrama en funcin e las temperaturas y el conteni o e los compone
ntes que queramos estu iar:
a) En el eje e composiciones in icamos que vaya e 0 a 100, con pasos e 10 en
10.
b) En el eje e temperatura ponemos 200 como temperatura mnima y 1 200 como tempe
ratura
mxima
Paso n 3: Pulsamos Perform Tree para trazar el iagrama. En la siguiente imagen o
bservamos el
iagrama Al-Cu as calcula o:
113
E iciones Paraninfo
Captulo 11
114
e equilibrio
e los materiales
Bloque 2
Captulo 12
Diagramas e equilibrio e inters tecnolgico
12.1. Consi ere un acero no alea o e 1.20 % C. Dicho acero se ha enfria o en co
n iciones e
equilibrio es e 1 020 C hasta 729 C.
a) Realice el anlisis e fase e icho acero a 729 C.
b) Dibuje la microestructura correspon iente sealan o los constituyentes estructu
rales.
a) Conoci o el iagrama e equilbrio metaestable Fe-C, pue e situarse la aleacin
el enuncia o y
realizarse el anlisis e fases:
Las fases presentes a 729 C son:
(0.77 % C) y Fe3C (6.69 % C). Los porcentajes en
masa e
las fases pue en calcularse me iante la regla e la palanca:
F
FFe3C
6.69
1.20
100 92.74 %
6.69
0.77
7.26 %
E iciones Paraninfo
b) La microestructura resultante consistir en cementita preeutectoi e y austenita
, como se muestra
a continuacin:
115
Captulo 12
Diagramas e equilibrio
e inters tecnolgico
12.2. El mismo acero el 1.20 % C el problema anterior ha continua o enfrin ose,

en con iciones e equilibrio, es e 729 a 725 C
a) Calcule los constituyentes estructurales en estas con iciones (a 725 C)
b) Dibuje la microestructura sealan o los constituyentes estructurales.
a) Conoci o el iagrama e equilbrio metaestable Fe-C, y situa a la aleacin como s
e in ic en el
problema anterior, pue e calcularse la canti a e constituyentes (cementita y p
erlita). Estas canti a es coinci irn con las calcula as en el problema anterior,
con la salve a e que la canti a
e
austenita se transformar en perlita, por tanto:
FFe3C 7.26 %
FPerlita (Fe3C+ )
92.74 % (misma canti a que e fase
en el problema anterior)
b) La microestructura resultante consistir en cementita preeutectoi e y perlita,
como se muestra a
continuacin:
12.3. La maquinabili a el acero el problema anterior (1.20 % C) pue e mejorar
se notablemente si se mantiene a la temperatura e 725 C urante 24 h y se enfria
, posteriormente, al
aire hasta la temperatura ambiente.
a) Realice un anlisis e fases e este acero (tras 24 h a 725 C).
b) Trace un ibujo e la microestructura (tras 24 h a 725 C) sealan o los constitu
yentes
estructurales.
c) Dibuje la estructura final una vez enfria o el material es e 725 C hasta la t
emperatura
ambiente, sealan o los microconstituyentes estructurales.
E iciones Paraninfo
a) De acuer o al iagrama e equilbrio, las fases presentes son:
(0.02 % C) y Fe3
C (6.69 % C), lo
que no se ve altera o por el tratamiento trmico in ica o. Los porcentajes en masa
e estas fases
pue en calcularse me iante la regla e la palanca:
116
e los materiales
F
FFe3C
Bloque 2
6.69
1.20
100 82.31%
6.69
0.022
17.69 %
b) El resulta o el tratamiento consistir en una globalizacin e la cementita, por
tanto:
Es ecir, una microestructura constitui a por matriz
obuliza a (esferoi ita).
c) Tras el enfriamiento:
con precipita os
e Fe3C gl
Se obtiene una microestructura con los mismos microconstituyentes, pero con una
canti a e
esferoi ita ligeramente superior. Calculmosla:
FFe
3C
1.2
0
100
17.94 %
6.69
0
12.4. Se ha realiza o el anlisis qumico e una aleacin Fe-C, y se ha halla o que co
ntiene
7 kg e C por tonela a e aleacin.
a) Realice el anlisis e fases e una muestra e esa aleacin a 728 C.
b) Un trozo e 650 g e la misma aleacin se ha calenta o a 890 C hasta alcanzar el
equilibrio. Calcule el porcentaje e intersticios octa ricos que ocupa el carbon
o.
E iciones Paraninfo
a) Segn el enuncia o, en 100 g e aleacin habr 0.7 g e C y 99.3
e Fe, por lo qu
e la composicn el material ser el 0.7 % C.
A 728 C, segn el iagrama Fe-C, las fases presentes en la muestra resultan ser (0.
02 % C) y
(0.77 % C), en cntiddes que pueden clculrse medinte l rel de l plnc.
117
Cptulo 12
Dirms de equilibrio de inters tecnolico
0.77
0.7
100 9.36%
0.77
0.022
F
90.64%
F
b) L composicin del 0.7 % C, cundo se sit 890 C ce dentro de l rein , por lo
que l estructur cristlin es CCC, conteniendo 4 tomos de Fe y 4 intersticios o
ctdricos por celdill.
El nmero de tomos de C y Fe en 100 totles result:
NC
0.7 de C
1 mol 6.022
1023 tomos
3.51 1022 tomos C

12.01
1 mol
N Fe
99.3 de Fe
1 mol 6.022
1023 tomos
1.07 1024 tomos Fe

55.85
1 mol
Por otro ldo, el nmero de tomos de Fe ser iul l de I.O. (puesto que hy 4 de c
d por
celdill). Por tnto, el porcentje de intersticios octdricos ocupdos por el C
result:
FI.O. ocupdos
3.51
10 22
100 3.28%
1.07 1024
12.5. Pr un piez de cero l crbono, se h determindo que l cntidd de p
erlit tempertur mbiente es del 40 % en ms. Determine l composicin nomin
l de l piez de cero.
Ediciones Prninfo
Pueden drse dos csos en cunto l composicin del cero pr los que podr ser
posible obtener
un 40 % de perlit: (1) cero hipoeutectoide ( c0 ) y (2) cero hipereutectoide
( c1 ):
118
L escl microscpic de los mteriles

Bloque 2
Estudindo en mbos csos, medinte l rel de l plnc, l composicin necesr
i pr obtener l menciond cntidd del 40 % de perlit, se concluye que:
c0
0.022
100
40
c0 0.32 % C
0.77 0.022
6.69 c1
100
6.69
40
c1
0.77
1) FPerlit
2) FPerlit
F
F
4.32 % C
728 C
728 C
L seund de ls opciones represent un contenido en C superior l 2.11 %, por

lo que se trt
de un fundicin, y como el enuncido indic que l piez es de cero, l opcin de
que su composicin se hipereutectoide no es posible. Por tnto, el cero es hipoe
utectoide, de composicin
0.32 % C.
Ediciones Prninfo
12.6. Del estudio metlorfico de un muestr de cero se obtiene l informcin si

uiente:
Un porcentje del re de l imen (que, trs l correspondiente trnsformcin p
orcentje en ms result ser de un 10.225 %) est ocupdo por cementit en form
de lminills (formndo prte de un eutectoide).
Adems del menciondo eutectoide, se observ otro microconstituyente que rode l
eutectoide, formndo un red.
Conocidos estos dtos:
) Clcule l composicin de dicho cero.
b) Dibuje l curv de enfrimiento de este cero, indicndo ls fses, microcons
tituyentes y un
esquem de l microestructur en cd trmo.
c) Si se dispone de 50 k de Fe, determine qu cntidd de cementit hbr que dir
pr
obtener l composicin de este cero.
) El primero de los dtos indic que hy un 10.225 % en ms de cementit en un
eutectoide. El
seundo dto indic que hy otro microconstituyente rodendo l perlit (el eu
tectoide) formndo
un red. Este podr ser
o Fe3C preeutectoides, sen el cero fuese hipo o hipereut
ectoide. Sin
119
Cptulo 12
Dirms de equilibrio de inters tecnolico
embro, es conocido que l ferrit precipit en form de rnos isldos preeut
ectoides, mientrs
que l cementit secundri lo hce en form de red. El enuncido indic que el
microconstituyente
form un red, lueo debe trtrse de un cero hipereutectoide x
0.77).
Pr clculr l composicin del cero, empleremos el dto de l cementit que fo
rm prte
del eutectoide, y que l cntidd de cementit totl debe ser iul l que se
encuentre en el eutectoide, ms l que preciese con nterioridd (l preeutecto
ide). Por tnto:
F
Fe3C
Totl
FFe3C
PE'
FFe3C E'
Llmndo x l concentrcin en crbono del cero, y plicndo l rel de l pl

nc justo por
encim de TE, pud calculars FF3C PE :
FF3C(PE)
x 0.77
100
6.69
0.77
Adms, justo por dajo d TE, pud calculars la cantidad total, sn:
FF3C(Total)
x 0.022
100
6.69
0.022
Sustituyndo, s otin qu:
x 0.022
x 0.77
100
100
10.225
x 1.29 % C
6.69
0.022
6.69 0.77
Vamos n st prolma otra forma d rsolvrlo, mplada d manra similar n
prolmas
antriors, y comproarmos con llo qu s lla a la misma solucin por amos ca
minos:
S calcula n primr luar, mdiant la rla d la palanca, la cantidad d aust
nita qu hara
justo ants d la raccin utctoid, a saindas d qu dicha austnita s trans
formar a la TE n
prlita.
F
Prlita F
6.69
100
6.69
x
077
Ahora in, tamin pud calculars para la composicin utctoid (no la composicin
uscada dl acro, sino justo un 0.77 % C), a qu porcntaj d cmntita dar lua
r dicha composicin:
0.77 0.022
100 11.22 %
6.69
0.022
Por tanto, la cmntita qu s ncontrar n l utctoid rsultar d aplicar l a
ntrior porcntaj a la cantidad d austnita antriormnt calculada. As:
120
Edicions Paraninfo
FF3C
E

F
E
f F3C
Bloqu 2
6.69 x
100
0.1122
10.225
x 1.29 % C
6.69
0.77
) La curva d nfriaminto rsulta:

c) Considrando qu los clculos para la mzcla s hacn a tmpratura amint,
l porcntaj
total d cmntita para un acro dl 1.29 % C s calcular sn:
50 k d F
0.0669
x k d C
x k d F3C
0.9131
1.29
x k d F
0.0669
x
x 11.94 k
100
50
x
12.7. En una mprsa d mcanizado d pizas, han dtrminado qu, con las hrra
mintas d
las qu disponn, solo pudn mcanizar corrctamnt acros con contnidos d c
mntita n
rd infriors al 20 %, simpr qu, adms, l contnido d cmntita n l utc
toid sa
suprior al 10 %.
a) Dtrmin la composicin mxima dl acro rcocido qu pudn mplar.
) Razon si xist aluna altrnativa qu prmita mcanizar stos acros con ma
yor facilidad.
Edicions Paraninfo
a) A partir dl diarama d quilirio d los acros:
121
Captulo 12
Diaramas d quilirio d intrs tcnolico
Para calcular la composicin dl acro aplicamos las dos condicions qu da l nu
nciado. Calculmos n primr luar, a 728 C, l porcntaj d F3C n rd d un a
cro con composicin x, y
aplicarmos la condicin dl nunciado:
FF
3 C
Rd
x
100
6.69
0.77
20 %
0.77
1.95%
D la sunda condicin dl nunciado, l porcntaj d F3C(Prlita)

10% , rsult
a (calculando la cmntita contnida n la prlita como la total mnos la prut
ctoid):
FF3C (Prlita) =
x
x 0.77
100
100
10
6.69
6.69
0.77
x
1.55 %
Por tanto, l acro d mayor contnido qu s pud mcanizar s dl 1.95 % C.
Edicions Paraninfo
) S podra mplar un trataminto d loulizacin. Con st trataminto s consi

u sfroidizar
la F3C, mitindos as los prolmas d mcanizado qu nra la F3C laminar.
122

Bloqu 2
12.8. Los acros Dual Phas son actualmnt muy utilizados n automocin racias a
su una
cominacin d rsistncia a la traccin y ductilidad. Estas propidads s alcanzan
racias a
qu su microstructura st compusta por una matriz frrtica n la qu s disponn
islas
d martnsita.
a) Dtrmin l trataminto trmico al qu s ncsario somtr a un acro para co
nsuir
dicha microstructura y arumnt si valdra cualquir tipo d acro.
) Imans qu st intrsado n faricar una piza d acro Dual Phas d modo q
u contna un 40 % n masa d martnsita. En la mprsa n la qu traaja, s d
ispon d dos hornos qu, por los lmntos qu all s tratan, stn prmanntmnt
a las tmpraturas d
870 y d 820 C. Si dsa faricar varias pizas d st acro Dual Phas, dtrmi
n cul s l
contnido n C dl acro qu d scor considrando qu l trataminto d i
niciars con
una austnizacin.
c) Si pudis altrar la tmpratura d los hornos n hasta 20 C, razon qu acro
scora
ntoncs.
Supona lnas rctas n l diarama F-F3C para ralizar los clculos.
a) Para otnr martnsita hay qu partir d , y ralizar un tmpl. Como adms s
dsa qu la
microstructura contna , sta fas d star prsnt ants d ralizar l tm
pl, d modo qu
durant l nfriaminto rpido, la fas
prmanc inaltrada. Por tanto, prvio al
tmpl, dmos
tnr una structura formada por
+ . Para consuir sto, dmos partir d un ac
ro hipoutctoid al qu l ralizamos l siuint trataminto:
Calntaminto hasta una tmpratura ntr A1 y A3 (rin ifsica
o d
la tmpratura hasta alcanzar l quilirio.
+ ) y mantnimint
Tmpl.
Edicions Paraninfo
Para una composicin dtrminada, podrmos consuir acros Dual Phas d difrnt
contnido n martnsita sin ms qu mplar difrnts tmpraturas n la rin +
.
) Como l nunciado indica qu s d ralizar un austnizado prvio (todo l
acro d pasar a
structura austntica), mplarmos para llo l horno a mayor tmpratura, mpl
ando l d
mnor tmpratura para consuir la mzcla d
+ prvia al tmpl.
Ncsitamos calcular las composicions d
y para las tmpraturas d 870 y 820 C
(suponindo
lnas rctas n l diarama) para as podr aplicar la rla d la palanca a dichas
tmpraturas.
Calculmos las cuacions d la rcta A (rcta qu spara las rions y + ) y la
qu
divid las rions
123
+ .
Captulo 12
C
C
0.77
185
0.022
185
702.24
20.064
Calculamos ahora cul d sr l contnido mnimo d C dl acro para qu puda
austnizars compltamnt a 870 C:
C (870
C)
0.77
870
702.24
0.175 %
C
0.175 % C
185
Como l horno a 820 C s mpla para consuir la mzcla d
y
prvia al tmpl, v
amos
qu cantidad d
(qu s transformar n martnsita al tmplar) s otin para l ac
ro dl 0.175 %
C, saindo qu contnidos mayors n C darn luar a mayors contnidos d austn
ita
F
M
C
C
100
0.022
820
0.011%
185
0.77
820
C (820 C)
185
20.064
702.24
0.38 %
Sustituyndo:
124
Edicions Paraninfo
C (820 C)

F
FM
0.175
0.011
100 44.44 %
0.38
0.011
Bloqu 2
40 %
por lo qu con los hornos a stas tmpraturas no s pud otnr l matrial
uscado.
c) Una posil solucin sra incrmntar la tmpratura dl horno usado para austn
izar, lo qu
prmitira disminuir l contnido n C para austnizar todo l matrial.
Prviamnt calcularmos la composicin dl acro qu ncsitaramos para qu a 820 C
consiamos un 40 % M. Dspus calcularmos la tmpratura ncsaria para austniz
arlo, y si sa tmpratura cumpl T < 870 + 20 C, harmos solucionado l prolm
a.
F
FM
0.011
100
40
C
0.38 0.011
0.159 % C
La tmpratura ncsaria para austnizarlo sra:

C
0.159
0.77
185
702.24
873.79 C
(870
20) C
12.9. Considr un acro no alado d 0.4 % C (A1 = 730 C, A3 = 780 C, Ms = 320 C y

Mf =
60 C). Una arra ( 25 mm) d st acro s ha tmplado n acit y ha rsultado un
a microstructura no homona: l nclo d la arra tin la microstructura propi
a d un acro
normalizado, y la zona suprficial tin structura d tmpl prfcto. En la zo
na ntr nclo
y prifria, la microstructura s intrmdia ntr las antriors.
a) Diuj l diarama TTT y l diarama TC dl acro.
) Suprpona sor l diarama TC d st acro las curvas d nfriaminto qu
han suido cada una d las trs rions otndas n la arra.
c) Diuj n un mismo crculo (imitando la sccin transvrsal d la arra) las trs
microstructuras otnidas.
Edicions Paraninfo
a) S trata d un acro hipoutctoid no alado, por lo qu su diarama TTT sr:

125
Captulo 12
En cuanto al diarama TC, como s trata d un acro no alado, s inhi la tran
sformacin
aintica, rsultando por tanto un diarama dl tipo:
) El nfriaminto sr ms rpido n la suprfici, y ms lnto n l nclo, por tanto:

Edicions Paraninfo
c) Las microstructuras qu podrmos osrvar n una sccin d la arra sran las
mostradas n la
iman. Las lnas discontinuas qu s han diujado para sparar las difrnts r
ions (nclo,
zona intrmdia y suprfici) son, como no pud sr d otro modo, mramnt ilu
strativas (no s
vrn n la microstructura ral).
126

Bloqu 2
12.10. Un dlado alamr ( 2 mm) dl acro no alado dl prolma antrior, qu
s ncontraa n stado normalizado, s ha somtido a los siuints trataminto
s sucsivos; s dcir,
uno tras otro:
Calntaminto a 850 C durant 1 hora.
Pasado rpidamnt a un ao lquido a 710 C, n l qu s ha mantnido durant
40 minutos (timpo suficint para alcanzar la transformacin total).
Enfriaminto n aua a 25 C, n la qu s ha mantnido durant 10 min con aitacin
.
Calntaminto a 800 C durant 1 hora
Enfriaminto rpido n aua a 86 C.
Enfriaminto al air hasta tmpratura amint.
Conocidos stos datos:
a) Marqu stos tratamintos n l diarama qu considr ms adcuado para su st
udio.
) Diuj las microstructuras xistnts tras cada una d sas tapas sucsivas
, indicando los
microconstituynts prsnts y sus porcntajs (simpr qu tna datos para co
nocrlos).
c) Considr ahora dos cilindros d
60 mm, uno d llos faricado con acro no a
lado dl
0.4 % C y l otro, con acro dl 0.4 % C, l 1.5 % Mn y l 4 % Cr. Las dos piza
s son austnizadas a 850 C 1 h y, postriormnt, tmpladas n acit a 50 C. Diu
j sndas sccions d
stos cilindros indicando las difrncias microstructurals sprals.
a) Los tratamintos consistn in n mantnimintos d tmpratura durant un c
irto timpo o
in d nfriamintos muy rpidos, por lo qu l diarama ms adcuado para su stud
io s l TTT.
Sor l siuint squma dl diarama TTT d un acro hipoutctoid no alado
, s han suprpusto cada uno d las tapas indicadas n l prolma, numradas
ntr (i) y (vi).
Edicions Paraninfo
)
c) Como s trata d nfriamintos continuos, s ms corrcto mplar diaramas TC.
Las dos pizas
son nfriadas dl mismo modo (tmpl n acit a 50 C) por lo cual sus curvas d
nfriaminto
srn las mismas. Como, adms, la sccin d las pizas s rand, las vlocidads d
nfriaminto d cada zona d la sccin srn difrnts.
127
Captulo 12
Suponamos qu las curvas d nfriaminto d las difrnts zonas d la sccin so
n las siuints:
Los dos acros tinn l mismo contnido n carono, pro uno d llos st alado
, por lo cual
tndr su diarama TC ms aljado dl j d ordnadas. Suprponindo sor stos do
s diaramas
las curvas d nfriaminto antriors, podrmos prdcir las microstructuras r
sultants.
Acro no alado
Edicions Paraninfo
Acro alado
128

Bloqu 2
12.11. Un j cilndrico ( 50 mm) d un acro no alado d 0.20 % C s ha tmplado
n acit
a 50 C. Tras l trataminto, dicho j s ha cortado transvrsalmnt y s ha os
rvado al
microscopio, con lo qu s ha constatado qu la microstructura no s homona n
toda la
sccin.
a) Diuj un squma d la sccin transvrsal dl j mostrando las posils micr
ostructuras otnidas y sal los microconstituynts.
) Si s hicis un arrido d durzas a lo laro d una sccin transvrsal d s
j, s otndran una curva durza vs. x (varial qu rcorr l dimtro). Rpr
sntla.
Arumnt qu podra hacrs sin camiar d acro, para tratar d aplanar sa curva.
Rflj n un diarama TC las mdidas adoptadas n l apartado prvio.
c) Un inniro ha surido qu la curva d durza d s cilindro tmplado podra
hars
otnido casi plana utilizando un acro alado al Cr-Ni-Mo dl mismo contnido d
carono
(por jmplo: F-0.38C-0.9Cr-1.9Ni-0.35Mo).
Ilustr la nuva situacin (mplo dl acro alado) con l corrspondint diara
ma TC
y las curvas d nfriaminto rspctivas.
Sal los microconstituynts structurals a lo laro d la sccin dl j tras l
as nuvas
condicions.
a) Para rsolvr corrctamnt l prolma, s ncsario diujar inicialmnt un
croquis dl diarama TC d st tipo d acros. Como s trata d un acro hipo
utctoid, su diarama sr:
Edicions Paraninfo
Como indican qu la microstructura no s homona n toda la sccin, las vlocida
ds d
nfriaminto n cada una d las parts d la sccin no han d sr las mismas. Sup
onamos, por
jmplo, las vlocidads d nfriaminto siuints:
129
Captulo 12
Suprponindolas sor l diarama TC, d modo qu coincidan con zonas lmits dl d
iarama, s otin aproximadamnt:
Por tanto, ntr las zonas 1 y 2 s formar nicamnt martnsita (misma durza), n
la rin
nfriada ntr las curvas 2 y 3 har una mzcla d F + P + M, con lo qu har una
prdida d durza. Por ltimo, n l cntro d la piza, rin nfriada ntr las cur
vas 3 y 4, har una mzcla d
F + P, alcanzndos la mnor durza.
Edicions Paraninfo
) La rprsntacin d la curva d durza-dimtro qu s pid rsulta:

130

Bloqu 2
Para aplanar sta curva (lo qu pud lorars al tnr durzas ms lvadas n l
cntro d la
sccin) d incrmntars la cantidad d M n la rin ntr las curvas 3 y 4. Pa
ra llo, hay dos
opcions: camiar l tipo d acro y dsplazar as su diarama TC hacia la drcha
(lo qu no s
posil sn l nunciado pus no pud camiars d acro), o in aumntar las
vlocidads d
nfriaminto n las difrnts rions. Esta ltima s la opcin acuada y, para l
lo, dmos aumntar la tasa d transfrncia d calor, por jmplo, aitando l
acit dl ao. El rsultado sra:
c) Al usar un acro alado, l diarama TC s dsplazara hacia la drcha, y apar
cra la rin d
ainita, con lo cual, mantnindo las mismas vlocidads d nfriaminto qu ori
inalmnt (tmpl n acit sin aitar), l rsultado sra:
Edicions Paraninfo
Con llo, aparcra martnsita n toda la sccin salvo n la rin 4 (cntro) n la
qu hara F+P.
131
Captulo 12
12.12. Una alacin inaria F-C qu contin l 2.5 % C s nfriada dsd l sta
do lquido.
Diuj las microstructuras rsultants n las siuints situacions:
a) La alacin s nfriada rpidamnt (al air) hasta 850 C
) La alacin s nfriada lntamnt hasta 850 C
c) La alacin s nfriada lntamnt hasta 850 C y, postriormnt, s nfra rpidam
nt
(al air) hasta tmpratura amint.
d) En sta ltima situacin, indiqu si hara aln camio microstructural n caso d
qu la
alacin contuvis un 0.06 % M.
Con st contnido n carono, la alacin s una fundicin frra. Adms, a la tmpra
tura d
850 C, sta alacin va a star n la rin ifsica ntr las transformacions utctic
a y utctoid.
Tnindo n cunta lo antrior:
a) Como la alacin s nfra rpidamnt hasta 850 C, lo ms proal s qu s d l di
arama
mtastal (F-F3C), con lo cual a sta tmpratura tndrmos austnita y cm
ntita. Es dcir,
otndramos una fundicin lanca.
Edicions Paraninfo
) Si la alacin s nfra lntamnt hasta 850 C, dramos star n codicions d

quilirio,
por lo cual s promuv l diarama F-C, y a dicha tmpratura las fass sran a
ustnita y rafito
con morfoloa laminar. Tndramos una fundicin ris.
132

Bloqu 2
c) El nfriaminto rpido hasta tmpratura amint promovra d nuvo condicions
mtastals, con lo cual durant la transformacin utctoid la austnita s tr
ansformar n prlita. El rsultado final sr qu tndrmos una fundicin ris prltic
a.
d) Si la alacin contuvis un 0.06 % M y adms su contnido d S fus ajo (par
a asurar as
qu l M va a star no cominado y por tanto podr actuar como ant nuclant),
l rafito aparcr con morfoloa sfroidal. Tndramos una fundicin sfroidal pr
ltica. Ya sa qu, incluso con nfriamintos rpidos qu promuvn, a priori, la t
ransformacin complta d austnita n
prlita, tamin sul aparcr la structura d ojo d uy .
12.13. Considr un acro no alado dl 0.25 % C, n stado normalizado, y una f
undicin
lanca dl 2.5 % C. Amos matrials s han calntado n atmsfra protctora a 91
0 C durant 24 h, tras lo cual s nfran lntamnt n l horno hasta la tmpratu
ra amint.
a) Ralic un diujo d las microstructuras d los dos matrials d partida, s
alando los
constituynts structurals.
) Rprsnt las microstructuras finals, tras l trataminto, dl acro y d
la fundicin salando sus microconstituynts. Indiqu, adms, cmo s dnominan los m
atrials finals
rsultants dl trataminto.
c) Calcul los porcntajs d los constituynts structurals dl acro y d la
fundicin as
tratados.
Edicions Paraninfo
a) El acro s d tipo hipoutctoid, por lo qu su microstructura sr:

133
Captulo 12
Por otra part, la microstructura d una fundicin lanca s:
) Si un acro con sta composicin s calinta n atmsfra protctora hasta 910 C,

lo stamos
llvando a la rin austntica; s dcir, lo stamos austnizando. El postrior n
friaminto lnto
hasta tmpratura amint (rcocido) producir n primra instancia la prcipitac
in d frrita, y
cuando s alcanc la tmpratura A1, convrtir la austnita rmannt n prlita.
Como l priodo
d prmanncia a 910 C s muy lvado (24 h), l tamao d rano d la austnita cr
cr astant,
y llo oriinara colonias d prlita tamin muy rands, lo cual mpora las propi
dads mcnicas. Adms, las prmanncias tan prolonadas a lvada tmpratura no
son rcomndals por
favorcr la sracin d impurzas simpr prsnts n los acros, como P y S,
a los lmits d
rano.
Edicions Paraninfo
En cuanto a la fundicin lanca, la prmanncia a 910 C la sita n la rin ntr las

transformacions utctica y utctoid. Como la atmsfra s protctora, no s ori
inar ninn tipo d
dscaruracin (lo qu dara luar a una fundicin malal uropa), y como la tmpr
atura s
mantin un laro priodo, lo qu ca sprar s qu la prlita s transform
n austnita y rafito,
qu aparc n forma d rostas (fundicin malal amricana). El postrior nfri
aminto lnto
promuv condicions d quilirio (diarama F-C) con lo qu la austnita pasa
a formar frrita y
ms rafito qu nrosa las rostas prviamnt formadas. Tndramos una fundicin mal
al
(amricana) frrtica.
134

Bloqu 2
c) Para calcular los porcntajs d los microconstituynts n l acro, aplicam
os la rla d la palanca justo por ncima d A1, la cantidad otnida d austn
ita s transformar postriormnt n
prlita.
0.77
0.25
100 69.52 %
0.77
0.022
F
FPrlita
30.48 %
F (PE )
En l caso d la fundicin, los microconstituynts son frrita y rafito. No hara
falta ralizar
ninuna opracin, pro, para sr strictos, aplicaramos la rla d la palanca a t
mpratura amint:
100
2.5
100 97.5 %
100
0
FCv 2.5 %
F
12.14. Considr una piza d 10 acro ordinario dl 0.35 % C rcocido y otra
piza d 100
d una fundicin ris prltica otnida por nfriaminto n mold d arna hasta la
tmpratura amint.
a) Diuj las microstructuras finals d stos dos matrials frros, con indica
cin d fass y
constituynts.
) Dtrmin l porcntaj d carono d la fundicin saindo qu la cantidad d
cmntita
n st matrial s 2.85 vcs la cantidad d frrita n la prlita d la piza
d acro.
a) Por tratars d un acro hipoutctoid, su microstructura (con fass frrtic
a y cmntita) rsultar con los constituynts indicados n la fiura:
Edicions Paraninfo
En cuanto a a la fundicin (con fass frrtica, rafito y cmntita) sus constituy
nts rsultan:
135
Captulo 12
) Calculmos n primr luar la cantidad d frrita n la prlita d la piza d

acro, para llo
rstarmos a la cantidad total (calculada a 25 C) la frrita prutctoid (calcu
lada a 728 C):
F
F (Total)
F (PE)
(Prlita)
F
(Total)
F (PE)
6.69
0.35
100 94.76 %
6.69
0
0.77
0.35
100 56.15 %
0.77
0.022
Por tanto, l porcntaj d n la prlita sr iual a 94.76
56.15
38.61% . Como la piza d
acro s d 10 , rsultar una cantidad d 3.86 d .
Por otra part, para la fundicin ris prltica, por dajo d la tmpratura A1 s
dan
condicions mtastals.
La cantidad d prlita qu contndr la fundicin sr iual a la d la austnita prv
ia a la
transformacin utctoid, qu calculada n funcin d la composicin C, rsulta (como
la
fundicin s ris prltica, suponmos n l clculo qu la composicin dl utctico s d
l 0.77 %):
F
100
100
100
FPrlita
C
0.77
La cantidad d FC n la fundicin sra la qu aparc n la prlita, qu pud calc
ulars
sn F
FPrlita
o sn:
F3C
f F3C(Prlita) , con l porcntaj d cmntita n la prlita calculad
f F3C(Prlita)
0.77
0.022
0.1121
6.69
0.022
Por tanto, para 100 d fundicin tndrmos qu, la cantidad d F3C, rsulta dl
producto:
m(F3C) FF3C
100
100
100
100
100
100
0.1121
0.77
0.1121
0.77
2.85
3.86
11.001
2.59 %
136
Edicions Paraninfo
Y, adms, como sn l nunciado mF3C (fundicin)
2.85
m _prlita (acro) , s tin qu:

Bloqu 2
12.15. Una mustra d una alacin Al-Cu, tras sr pulida, s ha studiado mdiant
anlisis
d iman. A partir d la porcin d suprfici studiada, s ha dtrminado qu l
os poros
tinn omtra sfroidal y tamao muy uniform, con un radio mdio d 12 m. Adms,
s ha dtrminado qu las partculas d prcipitado (Al2Cu) ocupan l 5 % d la su
prfici
studiada. Por otra part, s ha psado y mdido la mustra y s han otnido un
os valors d
22.16 y 8 cm3. Dtrmin la composicin d la alacin y l nmro d poros n la mu
stra.
Datos:
(Al) = 2.7 /cm3 y
(Al2Cu) = 4.35 /cm3. Supona qu no hay nada d Cu n
solucin
slida.
Partindo d la forma dl diarama d Al-Cu, la alacin uscada tndr una composic
in qu
dnominarmos x.
Es conocido qu si l nmro d caractrsticas (poros, prcipitados, tc,) prsnt
s n una
mustra s lvado y su distriucin n alatoria, s cumpl qu: Porcntaj ra =
Porcntaj
volumn.
Suponamos 100 cm3 d mustra. Entoncs, l 5 % d sta cantidad, 5 cm3, srn d
prcipitados, lo qu corrspond a una masa:
V prc (5 cm3 ) =
m prc
prc
) 21.75
m prc (5 cm3 )
prc
(5 cm3 )
(4.35
Por otra part, para sos mismos 100 cm3:

alacin
m prc
mmatriz
(21.75 ) + mmatriz
malacin (22.16 )

2.77
3
3
Valacin
(8 cm )
cm V poros
V prc
Vmatriz
cm
(100 cm3 )
mmatriz
(2.77
cm
Y por tanto:
Edicions Paraninfo
V
matriz
mmatriz
matriz
(255.25 )
94.54 cm 3
(2.7 cm 3 )
As pus:
137
3 )
(100 cm 3 )
(21.75 )
255.25
Captulo 12
FAl2Cu
m prc
100
m prc
mmatriz
(21.75 )
100 7.85 %
(21.75 ) (255.25 )
Aplicando la rla d la palanca a 25 C, calculamos l contnido d prcipitado p
ara la alacin d composicin x, iualando con l valor antriormnt otnido, r
sulta:
FAl
2 Cu
x 0
x 4.21% Cu
100
7.85 %
53.7
0
Dtrminmos ahora l nmro d poros n la mustra, N:
m prc
mmatriz

alacin 2.77
3
cm
V poros
V prc
Vmatriz
Vporos
m prc
-3
mmatriz
(2.77
cm )
Vprc
Vmatriz
(21.75 ) (255.25 )
cm3 ) 0.46 cm3
(5 cm3 )
(94.54
-3
(2.77
cm )
Otra forma ms simpl d calcular lo antrior sra:

Vporos 100
Vprc Vmatriz 100
(5 cm3 ) (94.54 cm3 ) 0.46 cm3
Los datos d qu los poros son sfroidals, y qu R 12 m 12 10 4 cm , sirven finalme
nte para
calcular:
V poros 0.46 cm 3
4
R3
N 63551301 poros
10 7 poros
12.16. En determinadas condiciones, la slice SiO2 (TF = 1 726 C) y la almina Al2O3

(TF =
2 054 C) forman un compuesto intermedio denominado mullita 3(Al2O3) 2(SiO2). Este
aparece mediante un proceso de fusin incongruente, a la temperatura de 1 890 C, a
partir de
Al2O3 y un lquido de composicin del 65 % molar de Al2O3. A la temperatura de 1 587
C, la
mullita forma con la slice un eutctico que contiene un 5 % molar de Al2O3.
a) Dibuje el diagrama de fases SiO2- Al2O3 de forma aproximada en funcin del porc
entaje
molar de Al2O3.
b) Un material cermico refractario puede obtenerse al calentar la materia prima c
aoln y
eliminar as el agua de hidratacin a travs de la reaccin:
Realice el anlisis de fases del material refractario obtenido y dibuje la microes
tructura a
temperatura ambiente.
c) Sabiendo que la mullita no es realmente un compuesto estequiomtrico, sino una
solucin
slida que se extiende entre el 60 % y el 64 % molar de Al2O3, indique qu tipo y ca
ntidad de
defectos puntuales debe contener el material con un 64 % de Al2O3 respecto al de
composicin
estequiomtrica (60 % molar de Al2O3).
138
Ediciones Paraninfo
C
Al2(Si2O5) (OH)4
1450
(Al2O3)2(SiO2) + 2 H2O

Bloque 2
a)
b) La reaccin mencionada en el enunciado puede descomponerse como:
Al2 (Si 2 O5 )(OH)4
Al2 O32SiO22H 2 O
Al2 O32SiO22H 2O Al2O32SiO2 +2H 2O
La composicin del material resultante expresada en porcentaje molar de Al2O3 ser:
FAl2 O3
1 mol Al 2 O 3
1
100
100
33.3% molar
1 mol Al 2 O 3
2 moles SiO 2
1 2
Para esta composicin, y a 1 450 C, el material se encuentra en la regin bifsica SiO2
+ mullita. Para calcular las proporciones de las fases, necesitamos conocer la
composicin de la mullita (%
molar de Al2O3); es decir, debemos definir completamente el diagrama:
3 moles Al2O3
3 moles Al2 O3
FAl2O3
100 60%
1 mol mullita
3 moles Al2O3
2 moles SiO2
2 moles SiO2
Por tanto, las composiciones de las fases resultan: SiO2 (0 % Al2O3) y mullita (
60 % molar Al2O3),
con ello, aplicando la regla de la palanca, obtendremos las proporciones de las
fases:
60 33.3
100 44.5 %
60
0
33.3 0
Fmullita
100
55.5 %
60 0
F
SiO 2
Ediciones Paraninfo
Por ltimo, la microestructura a temperatura ambiente estar formada por granos de m
ullita
preeutctica y eutctico (cristobalita+mullita):
139
Captulo 12
Diagramas de equilibrio de inters tecnolgico
Ediciones Paraninfo
c) Los cristales reales presentan defectos, uno de ellos se refiriere a tomos de
impureza sustitucional: un tomo ocupa un nudo de la red distinto al que originalm
ente deba ocupar. En el caso de la
mullita del 64 % molar en Al2O3, se produce la sustitucin de iones SiO4+ por Al3+
, de manera que
3 SiO4+ se sustituyen por 4 Al3+.
140
de los materiales
Propiedades macroscpicas
BLOQUE
3
Captulo 13
Propiedades mecnicas de los materiales. Elasticidad
Captulo 13
13.1. Suponga una probeta metlica de seccin circular de 10 mm de dimetro y 60 mm de
longitud que, al aplicarle un carga de 50 kN, se alarga elsticamente 0.62 mm. Cal
cule el mdulo de Young e indique qu material podra ser.
El mdulo de Young se define como E = s/e, por lo que ser necesario conocer el valo
r del esfuerzo
actuante y la deformacin del material. Estos se calculan como:
s
F
A0
(50 000 N)
636.62 MPa
2
10 mm
2
l (0.62 mm)
0.0103
e
l0
(60 mm)
Por tanto:
E
(636.62 MPa)
61807.77
MPa 61.8 GPa
(0.0103)
De acuerdo a la Tabla 13.1 podra tratarse de una muestra de aluminio puro.
13.2. En la grfica correspondiente al ensayo de traccin de un material metlico, se
observa
que la zona elstica termina cuando se aplica un esfuerzo de traccin de 400 MPa y q
ue el ngulo formado por la zona elstica con el eje X de la grfica es de 87.14 (tngase
en cuenta que
la representacin se hace de forma que una deformacin de 0.1 es grficamente equivale
nte a
1 000 MPa). Determine el mdulo de Young del material ensayado e indique de qu mate
rial
podra tratarse.
El mdulo de Young se corresponde con la pendiente de la grfica s-e, si bien dicho n
gulo depender de las escalas en la que se hayan representado los ejes. En todo ca
so E = s/e, por lo que, calculando en el lmite elstico:
E
s (400 MPa)
e
e
Para determinar la deformacin en el lmite elstico, y considerando los cuatro rdenes
de
magnitud de diferencia en la representacin de los ejes X e Y:
Y por tanto:
142
s
(400 MPa)
e
e
4
10
10
e 0.002
Ediciones Paraninfo
tan (87.14 )
20.02
La escala macroscpica de los materiales

E
Bloque 3
(400 MPa)
200
000 MPa 200 GPa
(0.002)
De acuerdo a la Tabla 13.1 podra tratarse de una muestra de hierro, nquel, o algun
a de sus respectivas aleaciones.
13.3. Una probeta de acero (E = 207 GPa y
= 0.33) de 10 mm de dimetro se somete a
deformacin elstica mediante una carga de traccin. Determine qu fuerza ser necesario
aplicar para obtener una reduccin en su dimetro de 0.003 mm.
De acuerdo con la Expresin (13.5),
dinal que
debe sufrir la probeta ser:
etrans elong , por lo que la deformacin longitu
elong
d
( 0.003 mm)
d0
(10 mm)
0.0009
(0.33)
y para obtener dicha deformacin longitudinal, ser necesario un esfuerzo:
s
E
(207 GPa)
0.186 GPa
186 MPa
de donde:
2
F
(0.0009)
(10 mm)
s
A0 (186 MPa)
14 608.4 N
13.4. Un bloque de una aleacin de aluminio (G = 26 GPa y

= 0.33) de 10 10 10 mm se so
mete a deformacin elstica mediante una carga tangencial en dos de sus caras parale
las.
a) Calcule qu fuerza ser necesario aplicar para obtener una deformacin de 0.1 mm en
la
cara donde se aplica la fuerza.

b) Determine el mdulo de Young del material.
a) De acuerdo con la Expresin (13.6), y teniendo en cuenta la definicin de
la Expresin
(13.7):
G
(26 GPa)
(0.1 mm)
0.26 GPa
(10 mm)
260 MPa
dada por
Dado que la superficie donde se aplica el esfuerzo es una de las caras del bloqu
e, por tanto con
un rea de 100 mm2, la fuerza necesaria ser de 26 000 N = 26 kN.
Ediciones Paraninfo
b) Segn la Expresin (13.9):
143
Captulo 13
G
E
2(1
E
)
2(1
)G
2 1
(0.33)
(26 GPa)
69.16 GPa
13.5. Determine la profundidad a la que el agua (K = 2.2 GPa) ocupa un volumen u

n 1 % menor del que tiene en la superficie.
A partir de la definicin del mdulo de compresibilidad, Expresin (13.8), se sabe que
la presin
necesaria para dicha reduccin de volumen ser:
P
K
V
(2.2 GPa)
V0
0.01) 0.022 GPa
22 MPa
Como por cada 10 m de profundidad la presin se incrementa en aproximadamente 0.10

MPa, ser
necesaria una profundidad aproximada de 2 200 m para obtener dicha reduccin de vo
lumen.
13.6. Encuentre una expresin que permita relacionar las constantes elsticas E, K y
G.
Dado que las Expresiones (13.9) y (13.10) tienen una variable comn,
jarse de ambas ecuaciones e igualar los resultados:
, puede despe
E
1
2G
1 E
2 6K
Igualando ambas expresiones, se llega finalmente a que:
E
9KG
G 3K
13.7. Extienda la Expresin (13.19) a un sistema multifsico y encuentre la expresin
de la
densidad de un sistema multifsico conociendo las densidades individuales ( i) y sus c
orrespondientes fracciones msicas( i).
Considerando que i son las densidades de las distintas fases y que ison sus correspondi
entes fracciones volumtricas, entonces la extensin de la Expresin (13.19) es inmedi
ata:
con
i i
i
1 .
i
Ediciones Paraninfo
i
144

Bloque 3
Por otra parte, para obtener la expresin en funcin de las fracciones msicas, la mas
a de cada
fase se calcula como:
mi
M i
siendo M la masa total.

Por otro lado, el volumen total del sistema resulta:
V
M
mi
V
i
i
i
i
i
M
i
i
i
i
y, como por definicin,
1
M V :
M
i
V
13.8. Suponga una aleacin formada por una matriz de fase

en la que se distribuye
un 5 %
en masa de otra fase . Estime el valor del mdulo de Young para dicha aleacin.
Datos: E = 62 GPa, E = 110 GPa,
= 2.7 g/cm3 y
= 8.5 g/cm3
Al no tener ninguna informacin acerca del modo en que las partculas de

se distribu
yen en la
matriz, solo podremos concluir que el mdulo de Young de la aleacin estar comprendid
o entre los
valores que arrojen las Expresiones (13.23) y (13.25):
E
E -1
y
Calculemos en primer lugar las fracciones volumtricas de ambas fases.

V
V
1
Supongamos 1 kg de aleacin, de los que 0.95 kg sern de

m
V
, por tanto:
m m
V
(0.95 kg)
(2 700 kg
0.983
(0.95 kg)
(0.05 kg)
(2 700 kg
3 )
3 ) (8500 kg
3 )
Ediciones Paraninfo
1
1 0.983 0.017
El mdulo de Young estar comprendido, por tanto, entre:
E
145
(0.983)
(62 GPa)
(0.017)
(110 GPa)
62.82 GPa
Captulo 13
y
E
(0.983)
(62 GPa)
(0.017)
(110 GPa) 1 1.6
10 2 GPa
13.9. Se ha estudiado la velocidad de propagacin del sonido en una pieza de acero

de 30 mm
de espesor ( = 7.87 g/cm3) y ha resultado que se detectan los ecos por el emisorreceptor de
ultrasonidos al cabo de 1.16010-5 y 1.87510-5 s para las ondas longitudinales y tr
ansversales,
respectivamente. Determine el mdulo de elasticidad y de rigidez del acero estudia
do y comprelo con los obtenidos por otras tcnicas: 211 GPa y 82 GPa, respectivamen
te.
La velocidad de transmisin del sonido en el bloque de acero, considerando que la
distancia a recorrer por las ondas es de 60 mm, resulta:
(0.06 m)
5172.4 m / s
(1.160 10 5 s)
(0.06 m)
3200 m / s
v ST
(1.875 10 5 s)
v SL
Por otra parte, las constantes elsticas pueden determinarse, de acuerdo a las Exp
resiones (13.31) y
(13.32), mediante:
E v SL 2
(5172.4 m
s 1 ) 2
(7870 kg m 3 ) 210.55 GPa
G v ST2
(3200 m
s 1 )2
(7870 kg m 3 ) 80.59 GPa
Valores que, como puede comprobarse, son muy cercanos a los obtenidos por otras
tcnicas.
13.10. Se dispone de una probeta de seccin rectangular de dimensiones 5 8 mm y long
itud
50 mm. Se somete a un ensayo de traccin y, en la zona de rgimen elstico, se ha medi
do que
su alargamiento es de 0.3 mm cuando la carga es de 49.5 kN. Indique qu flecha ten
dra una
probeta idntica del mismo material si se la colocase entre dos apoyos (paralelos
a la dimensin de 8 mm) separados 40 mm y se aplicase en el punto medio una fuerza
de 20 kN.
Con los datos conocidos del ensayo de traccin podemos calcular el mdulo de Young d
el material.
s
F
(49 500 N)
1237.5 MPa
A0 (5 10 3 m)
l (0.3 mm)
(8 10
0.006
e
l0
(50 mm)
Ediciones Paraninfo
Por tanto:
146
3 m)

E
Bloque 3
s (1237.5 MPa)
206 250 MPa
e
(0.006)
206.25 GPa
La Expresin (13.30a) relaciona el mdulo de Young con la flecha en un ensayo de fle

xin
transversal, que son justo las condiciones de esfuerzo a las que se pretende som
eter a la probeta, por
tanto:
E
L30 F
4ab3
Despejando la flecha
L30 F
(40 10 3 m)3
1.55
y sustituyendo valores:
(20000 N)
10 3 m
3
3
4ab E 4
(8 10 m)
Ediciones Paraninfo
147
(5 10 3 m)3
(206 250
106 Pa)
Captulo 14
Propiedades mecnicas de los materiales. Plasticidad
Captulo 14
14.1. Una gra dispone de un conjunto de 8 cables para sostener las cargas que deb
e transportar. Los cables tienen un dimetro de 7 mm y son de un acero con un lmite
elstico de
250 MPa y una resistencia real mxima de 540 MPa. Calcule la carga mxima que puede
transportar considerando un factor de seguridad de 1.3.
Para que los cables puedan seguir utilizndose en ms ocasiones, hemos de asegurar q
ue no se sobrepasa el lmite elstico, de modo que no sufran deformacin permanente. P
or ello, el factor de
seguridad debe aplicarse sobre el lmite elstico:
smax
sLE
(250 MPa)
192.31 MPa
factor seg .
1.3
La fuerza que produce ese esfuerzo mximo es:
2
(7 10 3 m)
F
smax
A0 (192.31 10 Pa)
7 400.95 N
max
2
6
Como se dispone de 8 cables, la carga mxima que podr colgarse en la gra ser:
Ftotal
8 Fmax
8 (7 400.95 N)
59 207.6 N
14.2. En el ensayo de traccin de una probeta, con seccin circular de dimetro 5 mm y
longitud inicial de 40 mm, se ha obtenido que la fuerza aplicada correspondient
e al punto del lmite
elstico es de 7 kN y, en ese instante, la probeta meda 40.1 mm. Adems, la muestra h
a roto,
dentro de la regin de deformacin plstica uniforme, para un valor mximo de carga de
10 kN. La medida de las dos porciones de la probeta una vez rota da como resulta
do una longitud de 60 mm. Determine el esfuerzo y la deformacin en el lmite elstico
y en la rotura,
empleando variables reales e ingenieriles. Discuta los resultados obtenidos.
Calculemos primero los valores de esfuerzo y deformacin ingenieriles en el lmite e
lstico.
s
LE
F
A0
(7 000 N)
356.51 MPa
2
(5
10 3 m)
2
l (0.1 mm)
0.0025
eLE
l0
(40 mm)
LE
ln
LE
sLE
eLE
1
eLE
ln
(0.0025)
(356.51 MPa)
0.00249
1
(0.0025)
357.4 MPa
148
Ediciones Paraninfo
En variables reales, de acuerdo a las Expresiones (13.12), deformacin y esfuerzo
resultan:

Bloque 3
valores que, como era de esperar, son muy similares a los ingenieriles, ya que h
asta el lmite elstico, la deformacin es muy pequea.
Veamos ahora qu sucede para la rotura. En variables ingenieriles, el esfuerzo res
ulta:
s
M
F
A0
(10 000 N)
509.3 MPa
2
(5 10 3 m)
2
Para calcular la deformacin ingenieril mxima hay que tener en cuenta que la medida
de la
longitud de la probeta no se ha realizado cuando estaba cargada, sino que se ha
hecho una vez rota.
Es decir, ha sufrido un proceso de recuperacin elstica durante su descarga. De mod
o que si lo que
se quiere es calcular eM , habr que sumar dicha deformacin elstica:
eM
lrota
(20 mm) (0.1 mm)
eLE
0.5
0.0025 0.5025
l0
(40 mm) (40 mm)
En cuanto a las variables reales, como indica el enunciado, la rotura se produce
en el tramo de
deformacin uniforme, por lo que no se producir estriccin, o lo que es lo mismo, sig
ue siendo
vlida la hiptesis de que el volumen del material se conserva, y puede seguir usndos
e las relaciones dadas por las Expresiones (13.12) entre variables reales e inge
nieriles. La deformacin y esfuerzo reales son:
M
ln
eM
ln
(0.5025)
0.407
M
sM
1
eM
(509.3 MPa)
1
(0.5025)
765.22 MPa
Como no se ha producido estriccin, los valores de deformacin real e ingenieril, pe
se a diferir,
son todava relativamente prximos. Esto no sucede en el caso de los esfuerzos.
Ediciones Paraninfo
14.3. Las dos grficas de la figura adjunta muestran las curvas esfuerzo-deformacin
en variables ingenieriles y reales para un mismo material sometido a ensayos de
traccin y compresin. Explique por qu las curvas ingenieriles de traccin y compresin
no coinciden, como s
ocurre con las curvas en variables reales.
149
Captulo 14
Como puede observarse en la grfica de la izquierda, las curvas de traccin y compre
sin en
trminos de variables ingenieriles no son una la imagen de la otra. Es lgico que as
sea puesto que
durante el ensayo de traccin tiene lugar un fenmeno que no tiene equivalente en el
de compresin: la formacin del estrangulamiento.
En cambio, si las variables empleadas son reales (grfica de la derecha), y siempr
e que se haya
logrado evitar el problema del abarrilamiento durante el ensayo de compresin y se
haya monitorizado la estriccin del cuello durante el ensayo de traccin, las dos c
urvas sern completamente simtricas.
14.4. Determine el esfuerzo ingenieril para el que comenzar a producirse la estri
ccin en un
material del que se conoce que, cuando se ensaya a traccin una probeta de 50 mm d
e longitud y 6 mm de dimetro, el lmite elstico se alcanza con una carga de 2 118 N
y que su mdulo de Young es de 62 GPa. Adems, se sabe que, antes del estrangulamien
to, cuando el esfuerzo real es de 181.33 MPa, la deformacin real vale 0.1.
El esfuerzo
espondiente
mos conocer
ecuacin de
k
n
ingenieril que se pide, justo antes del estrangulamiento, es el corr

al esfuerzo mximo. Este esfuerzo est asociado a una deformacin que pode
a travs de la
Hollomon, Expresin (14.3):
ya que segn la Expresin (14.12), se cumple que el exponente n es precisamente el v

alor de dicha
deformacin real:
n
M
Lo primero pues es determinar los parmetros que gobiernan el comportamiento plstic
o en este material, y para eso el enunciado proporciona datos de dos puntos (uno
es el lmite elstico, y el
otro es un valor antes del estrangulamiento; es decir, en la zona plstica uniform
e).
Determinemos inicialmente el esfuerzo y la deformacin ingenieriles para el lmite e
lstico:
F
A0
s
LE
(2118 N)
74.909 MPa
2
(6
2
10 3 m)
Como en la zona elstica

eLE
(74.909 MPa)
0.00121
E (62 103 MPa)
En variables reales, el esfuerzo y deformacin seran:
LE
ln
eLE
ln
(0.00121)
1.209
10 3
Ediciones Paraninfo
LE
150
sLE
eLE
(74.909 MPa)
(0.00121)
75 MPa

Bloque 3
Particularizando la ecuacin de Hollomon para dos valores de esfuerzo-deformacin, y
dividiendo:
2 k
2n
1 k
1n
2
2n
2
ln
ln
n
n ln
1
1
1
Por tanto, despejando y sustituyendo podremos determinar n:
ln
(181.33 MPa)
2
ln
1
(75 MPa)
0.2
n
2
(0.1)
ln
ln
3
(1.209 10 )
1
Para conocer completa la ecuacin de Hollomon de este material, solo resta calcula
r k:
k
(181.33 MPa)
287.39 MPa
(0.1)(0.2)
n
Por tanto, la ecuacin de Hollomon resulta:
287.39
0.2
As pues, la deformacin real justo antes del estrangulamiento ser:
M
n
0.2
y el esfuerzo real asociado a dicha deformacin:
M
0.2
287.39
0.2
208.29 MPa
Como piden calcular el esfuerzo ingenieril:

ln
1
e
exp
M
1 exp
(0.2)
1 0.221
M
s
sM
M
Ediciones Paraninfo
1
eM
(208.29 MPa)
170.59 MPa
1
(0.221)
14.5. Se conoce que la tenacidad y la resiliencia de un determinado material muy
dctil valen
70 MPa y 0.6 MPa, respectivamente. Sabiendo, adems, que el esfuerzo ingenieril mxi
mo es
de 400 MPa y que la deformacin ingenieril a la fractura es de 0.2, estime el valo
r de su mdulo de Young.
151
Captulo 14
Al indicar que el material es muy dctil, podemos suponer que la tenacidad puede a
proximarse
por la Expresin (14.16):
T
F
sLE
sLE
eF
sM
12
sM
sLE
eF
1
2
Despejando el lmite elstico y sustituyendo valores:
sLE
2T
2
(70 MPa)
sM
(400 MPa)
(0.2)
eF
300 MPa
Por otra parte, la resiliencia se expresa, de acuerdo a la Expresin (14.15), como

:
R
1
2
sLE
eLE
1
2
2
E eLE
s
1
2
2
LE
E
De modo que podemos despejar el valor de E :
2
2
1
1
E
75 103 MPa
75 GPa
2 sLE R
2 (300 MPa) (0.6 MPa)
14.6. Se ha ensayado a traccin un monocristal de un material y se ha obtenido un
valor de
95 MPa de lmite elstico. Una pieza del mismo material, pero esta vez con estructur
a policristalina, se ha ensayado tambin a traccin y se ha alcanzado un valor ms alt
o del lmite elstico, 115 MPa. Por ltimo, se ha ensayado, tambin a traccin, una segund
a muestra policristalina del mismo material y se ha obtenido 125 MPa de lmite elst
ico. Calcule la relacin existente entre los tamaos de grano de las dos muestras po
licristalinas.
La ecuacin de Hall-Petch, Expresin (14.18), permite relacionar el lmite elstico de u
n material
policristalino con su tamao de grano:
LE
i
k D
proporcionando el enunciado el valor i = 95 MPa, que se corresponde con el lmite e
lstico del
material en forma monocristalina.
Adems, planteando la ecuacin de Hall-Petch para el ensayo de la primera muestra po
licristalina, se obtiene que:
LE ,1
i
k D1
k D1
2
LE ,1
Igualmente, para la segunda de las muestras policristalinas:
i
k D2
2
LE ,2
Ediciones Paraninfo
Dividiendo entre s ambas ecuaciones se elimina el parmetro k:
152
LE ,1
LE ,2
i
2
i
2
Bloque 3
D2
D1
y sustituyendo valores:
D2
D1
(115 MPa)
(95 MPa)
2
(125 MPa)
(95 MPa)
2
0.44
14.7. Se conoce que el esfuerzo tangencial crtico que activa la deformacin en un m
onocristal
de 2 mm dimetro es de 21.3 MPa y que eso sucede cuando la direccin de aplicacin de
la
carga sobre el monocristal forma un ngulo de 60 con la normal al plano de deslizam
iento, y
de 35 con la direccin de deslizamiento. Determine:
a) Si se produce deformacin al aplicar una fuerza de 153 N.
b) En caso contrario, calcule cul sera la fuerza necesaria para conseguirlo.
a) Segn la ley de Schmid, Expresin (14.23):
cos
cos
En este caso c = 21.3 MPa,
= 60 y
= 35
Despejando se obtiene el esfuerzo normal crtico que produce deformacin:
c
c
(21.3 MPa)
52 MPa
cos
cos
cos
35
cos
60
El esfuerzo aplicado con la fuerza de 153 N resulta:
F
A
(153 N)
48.7 MPa
52 MPa
2
(2 10 3 m)
2
por lo que no se producir deformacin.

b) Para conseguir deformacin debe alcanzarse el valor de 52 MPa, por tanto:
2
(2
Fc
10 3 m)
c A (52
163.36 N
10 Pa)
Ediciones Paraninfo
6
14.8. Suponga un monocristal con estructura CCC al que se aplica un esfuerzo de
traccin de
7.5 kPa en la direccin [432]. Si el sistema de deslizamiento ms favorablemente ori
entado es
el formado por el plano (111) y la direccin [110], indique cul ser la componente ta
ngencial
de la fuerza de traccin sobre dicho sistema.
153
Captulo 14
Dicha componente tangencial sobre el plano (111) puede calcularse a partir de la
ley de Schmid,
Expresin (14.23):
cos
cos
El ngulo
es el formado entre la direccin del esfuerzo de traccin y la normal al pla
no considerado. Dicho ngulo se calcula fcilmente recordando que en los cristales cb
icos se cumple que la
direccin normal a un plano tiene los mismos ndices que dicho plano. De modo que
es
el ngulo
entre las direcciones [432] y [111]. Adems, el coseno del ngulo entre estas dos di
recciones se
calcula a travs de su producto escalar:
a
a
| a |
| b |
cos
cos
| a | |b |
4 1
2
2
2
2
2
2
4
9
29
1 1
El ngulo
es el formado entre la direccin del esfuerzo de traccin y la direccin conte
nida en el
plano considerado; es decir, [432] y [110]. De nuevo, su coseno se calcular como:
a
cos
| a | | b |
4 1
4
3
32
22
12
0
12
02
2
7
29
Sustituyendo, el esfuerzo tangencial ser:

cos
cos
(7 500 Pa)
9
7
6 651.63Pa
3 29
2
29
14.9. Estime el incremento que se produce en el esfuerzo tangencial crtico cuando

, en una
pieza de nquel (G = 76 GPa), se consigue que el espaciado promedio de las disloca
ciones pase
de valer 10-4 a 310-6 m. Indique cmo se denomina este tipo de endurecimiento.
Datos: Considere que el valor medio del vector de Burgers no cambia con la defor
macin y
vale 0.25 nm.
Como en el material se produce una notable reduccin en el espaciado entre disloca
ciones, lo que
est sucediendo es un importante incremento del nmero de estas. Para lograr esto, e
s lgico pensar
que el mecanismo de endurecimiento dominante sea la deformacin en fro.
En estas circunstancias, el esfuerzo tangencial crtico sera la suma de la contribu
cin intrnseca
y la del trmino de endurecimiento por deformacin.
C
I
DF
Por tanto, de acuerdo a la Expresin (14.33), el incremento conseguido en el esfue
rzo tangencial
crtico, entre las dos situaciones planteadas, ser:
El espaciado promedio entre dislocaciones puede estimarse como:
154
Ediciones Paraninfo
C
DF
DF
12 G b
d ,2
12 G b
d ,1

1
d 2
Bloque 3
d
Sustituyendo:
2
2
d
(10 4 m)
108 dislocaciones m2
,1
1
d ,1
22
(3 10 6 m) 2
1.11 1011 dislocaciones m2
Por tanto:
C
12 G b
d ,2
d ,1
9
1
m)
2
(76 000 MPa)
(1.11 1011 m
3.07 MPa
2 )
(0.25
10
(108 m
2 )
14.10. Una aleacin de titanio est reforzada por dispersin de partculas con geometra e
sferoidal que ocupan un 5 % del volumen total. Estime el radio de las partculas d
e refuerzo sabiendo que producen un sobreesfuerzo de 11 MPa con respecto a la al
eacin sin dichas partculas.
Datos: para la matriz, LE = 350 MPa, b = 0.4 nm, G = 38 GPa y E = 0.16 J/m2.
Segn el enunciado se trata de un mecanismo de endurecimiento por partculas, pero s
e desconoce
qu tipo de mecanismo, Orowan o corte de partculas. Sin esta informacin no puede est
imarse el
radio de los precipitados. Para discernir de qu mecanismo se trata, se determinar
cul es el valor
del radio crtico que separa un mecanismo del otro (para valores por debajo del crt
ico el mecanismo actuante ser el corte de partculas), por lo que de acuerdo a la E
xpresin (14.45):
r
c
G b2 (38
109 N
m 2 )
(0.4
10 9 m)2
38 10 9 m
(0.16 N m 1 )
E
Supongamos inicialmente que el mecanismo actuante es el de Orowan, el sobreesfue
rzo provocado sera, de acuerdo con la Expresin (14.43):
DO
Gb
r
r
Gb
DO
Sustituyendo:
rOrowan
(38 109 N m
30.9 10 9 m
2 )
(0.4
10 9 m)
(0.05)
(11 106 Pa)

Ediciones Paraninfo
Dado que rOrowan
rc este no puede ser el mecanismo que est actuando. Es decir, la
s partculas son
excesivamente pequeas como para que las dislocaciones las puedan bordear sin cort
arlas.
Supongamos ahora que las partculas pueden ser cortadas, el sobreesfuerzo provocad
o sera, de
acuerdo con la Expresin (14.41):
155
Captulo 14
DC
r E2
G b3
r
DCG b3
E2
Sustituyendo de nuevo:
r
DCG b3 (11 106 Pa)
4.7 10 9 m
(0.16 N m 1 )2
E2
(38
109 N
m 2 )
(0.4 10 9 m)3
(0.05)
En este caso s hay coherencia en los resultados, de modo que las partculas son ms p
equeas que
el tamao crtico que activa el mecanismo de Orowan. Adems, el corte de las partculas
de refuerzo es capaz de producir el incremento en el esfuerzo indicado en el enu
nciado.
14.11. (Avanzado: necesitar leer la Adenda de este captulo para poder resolver). U
n penetrador Vickers (ngulo entre caras opuestas = 136) produce una huella de 0.3
mm de profundidad en un material tras aplicar una carga de 800 kgf.
a) Calcule la dureza Vickers de este material.
b) Si el mismo material es sometido a un ensayo de dureza Rockwell C, se obtiene
un valor de
32. Calcule la profundidad alcanzada por el penetrador durante la aplicacin de la
carga
inicial sabiendo que la profundidad alcanzada por el mismo tras la retirada de l
a sobrecarga
ha resultado ser de 0.140 mm. (Recuerde que la medida de la dureza Rockwell C se
establece
sobre una distancia de referencia de 0.2 mm y se mide en una escala de 100).
a) La dureza Vickers se define como:
HV
Carga
Superficie huella
con la superficie de la huella dada por:
1
4
2
2 xy
4 xy
0.3
; y = 0.8 mm
cos
68
y
x
tan
68
; x = 0.74 mm
0.3
Sustituyendo:
HV
(800 kgf )
337.8 kgf
mm 2
4 (0.74 mm) (0.8 mm)
Ediciones Paraninfo
b) Segn el enunciado, un esquema del ensayo de dureza Rockwell descrito sera el si
guiente:
156

Bloque 3
De acuerdo a la geometra del esquema anterior, puede obtenerse el valor de x:
Ediciones Paraninfo
x
100
32
(0.140 mm)
(0.2 mm)
0.140 mm
0.136 mm
0.004 mm
100
157
Captulo 15
Propiedades mecnicas de los materiales. Termofluencia y viscoelasticidad
Captulo 15
Propiedades mecnicas de los materiales.
Termofluencia y viscoelasticidad
15.1. Dibuje la grfica -t que resultara de un ensayo de termofluencia realizado par
a una
temperatura < 0.4TF.
Dado que la temperatura no es lo suficientemente alta, no se producir deformacin c
on el paso del
tiempo, salvo la que tenga lugar al comienzo de la aplicacin del esfuerzo, por ta
nto:
15.2. Una aleacin metlica debe trabajar a una temperatura de 575 C durante largos p
eriodos de tiempo soportando un esfuerzo de 105 MPa. Ensayos de termofluencia en
este material
han constatado que, en rgimen estacionario y a esa misma temperatura, se produjo
una deformacin de 0.08 tras 200 h cuando el esfuerzo aplicado era de 300 MPa, y u
na deformacin
de 0.04 tras 1050 h a 205 MPa. Determine el tiempo para el que se asegura una de
formacin
inferior al 0.15 %.
Dato:
F
50 GPa
Empleando la ley potencial de la termofluencia, Expresin (15.3):
m
Q
S A
RT
exp
Como la temperatura es una constante en todos los ensayos realizados, el trmino e

xponencial
tambin lo ser. De modo que la expresin anterior puede escribirse como:
A*
S
m
(1)
donde A* es una constante que engloba la anterior A y al trmino exponencial.
Segn los datos del problema, se sabe que:
Con un esfuerzo de
1
300 MPa
S ,1
158
Con un esfuerzo de
(0.08)
4 10
(200 h)
4 h 1
Ediciones Paraninfo
205 MPa

S ,2
Bloque 3
(0.04)
3.81 10
(1050 h )
5 h
Particularizando la ley potencial de la Expresin (1) para ambas parejas de valore

s, y dividiendo entre s las expresiones obtenidas, se ha de cumplir que:
S ,2
2m
S ,1
1m
Tomando logaritmos, despejando y sustituyendo, se puede obtener el valor de m:
5
h 1 )
ln
S ,2
ln
(3.81 10
S ,1
(4 10 4 h 1 )
ln
S ,2
6.175
m ln
2
m
2
(205 MPa)
1
S ,1
ln
ln
(300 MPa)
1
El valor de A* puede determinarse a partir de una de las parejas de valores:
A*
S
m
F
(3.81
10 5 h
(205 MPa)
(50
3
10 MPa)
1 )
2.099
1010 h
(6.175)
Cuando el esfuerzo aplicado es de 105 MPa, la velocidad de deformacin resulta:
S
A*
(2.099
m
F
1010 h
1 )
(105 MPa) (50
103 MPa)
(6.175)
6.12 10 7 h
y para que la deformacin sea inferior al 0.15 %, el tiempo que debe transcurrir e
s:
S
S
t
(6.12
10
7 h 1 )
(0.0015)
2 450.98 h
(6.12 10 7 h 1 )
15.3. La almina es un material muy empleado para aplicaciones a elevada temperatu
ra. Sabiendo que su energa de activacin para la termofluencia es de 425 kJ/mol y q
ue, en un ensayo a 1 000 C y con un esfuerzo aplicado de 20 MPa, la velocidad de
deformacin ha sido de
8.5210-10 h-1, determine:
a) El tiempo que puede estar trabajando una pieza de almina a 1 250 C de modo que
la deformacin no supere el 1% cuando el esfuerzo aplicado es de 20 MPa.
b) Si afecta mucho a la vida til de la pieza el incremento de temperatura.
Dato: R = 8.314 J/(molK)
Ediciones Paraninfo
a) Segn la ley potencial de la termofluencia, Expresin (15.3):
m
Q
S A
F
exp
C
RT
159
Captulo 15
En este problema el esfuerzo es siempre el mismo, por lo que la ley potencial pu
ede reescribirse de la forma:
Q
S C exp
C
RT
donde C es una constante que engloba a la anterior A y al trmino potencial del es
fuerzo.
De la ecuacin anterior es necesario conocer el valor de C, que se obtiene sin ms q
ue despejar
y sustituir los datos del problema:
C
S
(8.52
10 10 h 1 )
234.41 106 h 1
3
-1
QC
(425 10 J
exp
exp
mol )
1
1
RT
(8.314 J
mol
K )
(1273 K)
Para la temperatura de 1 250 C, la velocidad de deformacin resulta:
(425 103 J
QC
6 1
7 1
(234.41
10
)
exp
h
6.21 10 h
1
mol 1 )
1
(8.314
J
mol
K
)
(1523
K)
RT
C exp
(que es una velocidad pequea, aunque tres rdenes de magnitud superior a la de 1 00

0 C).
Finalmente, el tiempo que podra trabajar la pieza, sin que se alcanzase la deform
acin del 1 %,
resulta:
S
S
t
(6.21
10 7 h
1 )
(0.01)
16103 h
1.84 aos
(6.21 10 7 h 1 )
b) Un tiempo de 1.84 aos de trabajo continuado parece mucho, pero si calculamos l
a durabilidad
para 1 000 C:
t
(0.01)
11737
089 h 1339.85 aos
13.40 siglos
(8.52 10 10 h 1 )
Es decir, el incremento de 250 C supone una prdida de 1 338.01 aos en su duracin.
15.4. Verifique que los coeficientes A de la Expresin (15.3) obtenidos para los m
ecanismos de
Nabarro-Herring, Expresin (15.6), Coble, Expresin (15.7) y dislocacional, Expresin
(15.8),
tienen dimensiones de velocidad de deformacin, esto es, de [s-1].
A
160
0
K1
m
F
s
D 2
m 2
m 2
m 3
DAD
1
k B
T
N m K 1
Ediciones Paraninfo
Para el caso de Nabarro-Herring:

Bloque 3
Para Coble:
K 2
0
2
2 1
3
F
DLG
N
s 1
3
m3
D
N m
k B
Y por ltimo, para el mecanismo dislocacional:

0
DAD
F
m 2
s 1
N
m 2
m3
s
A
1
K3
72
7
1
23
1
2
2
k
T
r0
m
F
m
B
N m
15.5. Calcule la viscosidad de un material polimrico sabiendo que el esfuerzo apl

icado baja
desde 8 MPa hasta 6 MPa en un intervalo de tiempo de 600 s.
Datos: Considere que la dependencia de E con el tiempo es despreciable para el i
ntervalo temporal considerado, E = 1.2 GPa
Supongamos, por ejemplo, que el material responde adecuadamente al modelo de Max

well, con lo
que de acuerdo a la Expresin (15.17), podemos relacionar la viscosidad con el esf
uerzo:
(t ) E
0 exp
E t
Si se dispone, como es el caso, de dos parejas de valores de esfuerzo y tiempo,
puede operarse como sigue:
(t2 ) E
0 exp
E t2
(t1 ) E
0 exp
E t1
relacin en la que se desprecia la dependencia del mdulo de Young con el tiempo.
(t2 )
ln
t1
t2
(t1 )
Por lo que despejando la viscosidad y sustituyendo valores:
Ediciones Paraninfo
(1.2 109 Pa)

E
( 600 s) 2.5
t1
t2
(t2 )
(6 106 Pa)
ln
ln
1012 Pa
6
(8
10 Pa)
(t1 )
15.6. La relacin entre la viscosidad de un material a una determinada temperatura

, y a la
temperatura de transicin vtrea es 0.01. Estime la distancia que separa esta temper
atura de
la de transicin vtrea.
161
Captulo 15
Para estimar la temperatura de transicin vtrea puede emplearse la ecuacin de Willia
ms-LandelFerry, Expresin (15.11), que la relaciona con la viscosidad:
C1
T TV
C2
TV
(T )
V exp
De esta expresin puede despejarse Tv.
C
T
(T )
(T )
exp
1
ln
TV
C1
T
TV
TV
V
V
C2
C2
T
Tomando inversos:
1
(T )
T
TV
C2
ln
C1
TV
V
1
1
(T )
(T )
T
TV
C2
C2
C1
ln
C1
ln
1
T
T
TV
TV
V
V
Por tanto:
T TV
C2
(T )
1
C1
V
ln
TV
1
Sustituyendo valores, sabiendo que para materiales polimricos, C1 = 17.44 K y C2
= 51.60 K:
T
TV
(51.60 K)
18.51 K
1
1 (17.44 K)
ln(0.01)
15.7. En un ensayo, se ha determinado que la viscosidad de un material a 30 C val

e
2.5108 Pas. Calcule cul ser la viscosidad cuando la temperatura sea de 50 C.
Dato: Qv /R = 435 K.
Podemos usar el factor desplazamiento aT para estimar la viscosidad a otra tempe
ratura. Recuerde
que aT, se define como:
y como
E , resulta entonces que aT
ref .
Como el enunciado porporciona la energa de activacin del proceso de fluencia (Qv)
supondremos que la viscosidad de este material sigue una ley de tipo Arrhenius i
nversa:
162
Ediciones Paraninfo
ln aT
ln
ref

Bloque 3
QV
RT
(T )
0 exp
de modo que aT resulta (consulte el Ejercicio Resuelto 15.8):

Q
aT exp
V
R
1
1
T
T
ref
Q
aT exp
V
R
1
1
1
1
exp
0.915
435 K
323.15 K
T Tref
303.15 K
Y por tanto:
aT ref
0.915
2.29
108 Pa
2.5
108 Pa
Podra tambin haberse resuelto para la pareja de valores que nos porporciona el enu
nciado, sin
ms que suponer que el material sigue una ley de tipo Arrhenius inversa. As, a part
ir de las dos
ecuaciones resultantes:
(435)
(2.5 108 )
0 exp
(30
273.15)
(435)
(50
50 C
273.15)
0 exp
Dividiendo miembro a miembro se obtiene:
(435)
exp
(2.5 10 )
(30
273.15)
1.0929
2.29
108 Pa
(435)
exp
(50
273.15)
8
15.8. Dibuje los circuitos elctricos que representaran analogas elctricas de los mod
elos de
Maxwell, Kelvin-Voigt y Zener.
En las analogas elctricas, la intensidad elctrica desempea el papel del esfuerzo, y
la tensin
elctrica acta como la deformacin. Adems, la resistencia elctrica sera equivalente al
nverso
del mdulo de relajacin, y la capacitancia, a la viscosidad. Esto es:
V ,
I , E 1 R y
Ediciones Paraninfo
C .
Con todo, los circuitos seran:
163

Ediciones Paraninfo
Captulo 15
164

Bloque 3
Captulo 16
Propiedades mecnicas de los materiales. Fallo mecnico
16.1. La figura siguiente corresponde a los ensayos de impacto Charpy realizados
a porciones
de aceros recuperados del Titanic, y a probetas de un acero actual de composicin
similar.
a) Determine, aproximadamente, las temperaturas de transicin dctil-frgil de ambos m
ateriales.
b) Si se estima que la temperatura del agua la noche del accidente del barco era
de unos 2 C
en la zona del hundimiento, comente qu posible efecto pudiera haber contribuido a
l rpido
hundimiento del barco.
c) Razone si el efecto sera el mismo si se hubiese empleado en su construccin un a
cero actual.
a) El problema puede resolverse, con mucha exactitud, siguiendo el procedimiento
empleado en el
ejercicio resuelto 16.1. No obstante, como piden que las determinemos aproximada
mente, podemos
abordar su resolucin grficamente.
Acero Titanic
Ediciones Paraninfo
En primer lugar, tracemos una lnea horizontal por el valor mximo de energa que es c
apaz de absorber (lnea negra en la siguiente figura) y otra por el valor mnimo (en
este caso es 0, por lo que
coincide con el eje de abcisas):
165
Captulo 16
A continuacin, trazamos otra horizontal (lnea azul discontinua) por el valor de en
erga medio
entre el mximo y el mnimo determinado anteriormente:
(80
0) J
40 J
2
La temperatura correspondiente al corte de esta lnea con la curva Charpy del acer
o del Titanic,
nos dar la temperatura de transicin dctil-frgil de dicho acero. En este caso resulta
ser de unos
55 C, como puede comprobar en la siguiente figura:
Acero actual
Ediciones Paraninfo
Operando del mismo modo, se calcula que la temperatura de transicin dctil-frgil del
acero actual
es de unos 12 C:
166

Bloque 3
b) Una temperatura del agua de 2 C, implica que el acero del casco tambin se encont
rara a dicha
temperatura. Como puede observarse en la siguiente figura, en esas condiciones,
el acero del Titanic
se comporta de modo muy frgil, siendo casi nula (lnea azul discontinua) su capacid
ad de absorcin de energa en el caso de impactos. En definitiva, la elevada tempera
tura de transicin dctilfrgil del acero empleado, pudo ser la causa principal de que
la grieta originada por el impacto con
el iceberg se propagase a lo largo del casco prcticamente sin esfuerzo alguno.
c) Para la misma temperatura de 2 C, un acero actual de composicin similar al del T
itanic es capaz de absorber unos 35 J (lnea roja discontinua). Aunque el valor no
es muy elevado, si que implica que la propagacin de una grieta no es tan fcil com
o en el caso del acero del Titanic. Por ello,
aunque el resultado final con respecto al barco podra haber sido el mismo, su hun
dimiento, el tiempo para ello se hubiese prolongado, permitiendo que ms personas
salvasen su vida.
16.2. Una pieza de seccin cuadrada de lado 20 mm est sometida a una fuerza de trac
cin de
15 500 N. La pieza de ha realizado con un material cermico del que se conoce que
falla bajo
una carga de 22 000 N cuando la longitud de las grietas presentes es de 0.5 mm.
Si dicha pieza
cermica es golpeada accidentalmente y se produce una grieta superficial de 0.8 mm
de profundidad, indique si se rompera la pieza.
Dato: sLE = 150 MPa
Necesitamos determinar KIc, que viene dada por:
K I c
*
El esfuerzo al que estaba sometida la cermica cuando rompi sera:
s
F
(22000 N)
55 MPa
A0 (20 10 3 m)2
Ediciones Paraninfo
Como estamos dentro de la zona de comportamiento elstico, y no tenemos datos sobr
e el mdulo de Young, vamos a igualar esfuerzos reales con ingenieriles.
K
* (55 MPa)
2.18 MPa
Ic
1
2
(0.5 10 3 m)
m
167
Captulo 16
El esfuerzo mximo que podra soportar con una grieta de 0.8 mm sera:
KI c
1
(2.18 MPa
m 2 )
43.48 MPa
(0.8 10 3 m)
La fuerza asociada a este esfuerzo es:
2
F s A
(43.48 10 6 Pa)
17 392 N
0
(20
10
3 m)
es decir, la pieza se rompera.

16.3. Compare el dimetro que debera tener una pieza para poder soportar una carga
esttica de 50 000 N durante 165 h de funcionamiento a una temperatura de 550 C, co
n el que tendra que tener si la temperatura fuese la ambiente.
Datos: sLE
600 MPa , C2 (del parmetro de Larson-Miller) = 23.3 y utilice la Figur
a 16.21.
Se trata de un posible fallo por termofluencia, por lo que podemos hacer uso del
parmetro de Larson-Miller:
PLM (s) T
log(tR )
C2
PLM ( s) T
log(tR ) C2
(823K)
log(165 h) 23.3
21 103 K log(h)
Consultando la Figura 16.21, el esfuerzo real (ingenieril) resulta ser de 300 MP
a.
A
0
F
(50000 N)
1.67 10 4 m2
s (300 106 Pa)
El dimetro sera:
d
4 A0
(1.67
0.014 m
10 4 m 2 )
Si el elemento trabajase a temperatura ambiente, no habra problemas de termofluen

cia, y el
dimetro de la barra estara nicamente condicionado por la carga que debe soportar si
n superar el
lmite elstico:
4
F sLE
(50000 N) (600
0.010 m
106 Pa)
Ediciones Paraninfo
d
168

Bloque 3
16.4. Tras realizar diferentes ensayos bajo cargas cclicas en un material, se han
obtenido los
resultados de la tabla adjunta.
a) Dibuje la curva S-N del material.
b) Indique si tiene lmite de fatiga. En caso afirmativo, indique su valor.
c) Se ha fabricado un eje con este material, de modo que va a trabajar sometido
a un esfuerzo
cclico, de nivel medio nulo, cada 10 s. Si se desea que pueda trabajar durante un
mnimo de
un ao, calcule el esfuerzo mximo que podra aplicrsele en cada ciclo.
a (MPa)
720
620
560
510
480
460
455
451.2
451
Ciclos hasta el fallo
2105
1106
3106
1107
3107
1108
3108
1109
1.5109
a) Haciendo uso de una hoja de clculo, debe conseguir el siguiente grfico
b) Observando la grfica, puede apreciarse claramente que s tiene lmite de fatiga. S
u valor es de
451 MPa.
1 ciclo 365 das
24 h
60 min 60 s
c) N
3.15 106 ciclos
10 s
1 ao
Ediciones Paraninfo
Consultando la grfica, dicho valor se corresponde con una carga de amplitud mxima
de, aproximadamente, 550 MPa.
169
Captulo 16
16.5. Un material metlico se emplea para fabricar cables que van a utilizarse par
a sostener la
plataforma sobre la que se colocan las cargas en una gra. Desea predecirse el fal
lo o no a
fatiga de estos cables cuando se someten a las siguientes condiciones:
a) Un esfuerzo cclico entre 100 y 450 MPa.
b) Un esfuerzo cclico entre 100 y 450 MPa al que se superpone un esfuerzo esttico d
e
600 MPa, debido a la sustitucin de la plataforma por otra ms pesada.
Datos: LF
650 MPa y
M
1250 MPa
a) Antes de nada, no se extrae del esfuerzo de 100 MPa, esto se consigue simplemen
te pretensando los cables.
La ecuacin de Goodman es un buen medio para predecir si la pieza va a fallar a fa
tiga en las
condiciones indicadas:
a
LF
M
Sustituyendo los datos del problema, podremos representar dicha ecuacin:
a (650 MPa)
1250
En caso de aplicarle un esfuerzo cclico entre 100 y 450 MPa:
1
1
m
175 MPa
2
mx
mn
2
450 MPa
100 MPa
a
12
12
mx
mn
12
450 MPa
100 MPa
275 MPa
Representando el punto (175, 275) en la grfica anterior, vemos que queda en la re
gin de No
romp, por lo cual no se pro ucir la rotura por fatiga en estas con iciones.
a
170
1
2
1
2
mx
1
mn
2
450
600
MPa
100
600
MPa
275 MPa
E iciones Paraninfo
b) El esfuerzo esttico e 600 MPa se aa e al esfuerzo cclico, e mo o que la amplit
u el esfuerzo seguira sien o la misma, pero no lo sera el nivel me io e esfuerz
os:
e los materiales
Bloque 3
1
1
m
775 MPa
2
mx
mn
2
1050 MPa
500 MPa
Representan o este punto (275, 775) comprobamos que esta vez tampoco se pro ucir
fallo por
fatiga.
16.6. Un etermina o elemento con forma recta es someti o a cargas cclicas que pr
ovocan el
obla o el mismo hasta formar ngulos e hasta 90. Cuan o la carga es tal que el ng
ulo e
obla o es e 90, el elemento soporta un mximo e 5 ciclos. Suponga que el element
o se somete a 4 ciclos e carga para ca a uno e los ngulos 15, 30 y 45 (12 ciclos e
n total). Determine cuntos ciclos a icionales soportar el elemento si se somete a
ciclos que provocan un
obla o e 60.
Datos: Suponga que los ngulos e obla o son proporcionalmente equivalentes a esf
uerzos
soporta os por el elemento y que el ao crtico (esfuerzo ciclos) es el mismo para
to os los
niveles e esfuerzo.
De acuer o a la regla
e Palgrem-Miner, la fractura se pro ucir cuan o:
n
i
i
N fi
Para cuantificar el ao acumula o a ca a nivel e esfuerzo pue e emplearse el pro

ucto ni si,
sien o si el esfuerzo aplica o.
Asumien o que el ao crtico es el mismo para to os los niveles e esfuerzo, icho
ao crtico pue e calcularse para cualquier esfuerzo como (Ni si), y en concreto el e
nuncia o in ica que al
oblar a 90 solo se soportan 5 ciclos
ao crtico resulta: 5 90 = 450.
Multiplican o y ivi ien o la regla e Palgrem-Miner por si, se obtiene:
n
i Ni
fi
k
si
si
k
N
N
i
fi
i
fi
(15 )
1
(90 )
(4 ciclos)
(30 )
(4 ciclos)
(45 )
(4 ciclos)
(60 )
( x ciclos)
(5 ciclos )
e on e se obtiene el nmero
e ciclos que soportara: x = n60 = 1.5 ciclos
E iciones Paraninfo
16.7. Una pieza se ha someti o a iferentes ensayos con esfuerzos cclicos hasta s
u rotura. Al
aplicarle un esfuerzo mximo e 428.91 MPa, el material soport 57 000 ciclos, mient
ras que
cuan o se baj el esfuerzo mximo a 424 MPa, el nmero e ciclos antes e romperse fue
69 500. Se esea que otra pieza el mismo material soporte un total e 28 500 ci
clos antes e
romperse, pero e mo o que los primeros 8 500 ciclos sean 428.91 MPa, y los sigu
ientes
5 000 ciclos a 424 MPa. Se preten e, en la ltima etapa, aplicar un esfuerzo cclico
mximo e
480 MPa. Seale si se pro ucir el fallo e la pieza antes e concluir los 28 500 ci
clos.
Como se trata e valorar una acumulacin e ao, ten remos que emplear la regla
PalgremMiner:
171
Captulo 16
Propie a es mecnicas e los materiales. Fallo mecnico
ni
N
i
1
fi
Sustituyen o valores (tenga en cuenta que in ican que ebe soportar un total e
28 500 ciclos,
por lo que en la ltima fase, sern 15 000 los ciclos):
ni
N
i
fi
8500
5000 15000
1
57 000 69500
N *f
Despejan o:
N *f
19 257.1 ciclos
Nos resta eterminar el esfuerzo mximo para el que la vi a a fatiga el material
tiene este valor. Para ello, po emos aproximar su curva S-log N a una recta el
tipo:
0
k
log
N f
Se esconocen los valores e k y 0 (resistencia a traccin el material), pero pue
en eterminarse con los ensayos e fatiga previos realiza os al material. Parti
cularizan o para os parejas e
valores y ivi ien o:
1
0 k
log
N f 1
0
2
1
1
log
0 k
2
N f 1
log
N f 2
700 MPa
log
N f 1
log
N f 2
log
N f 2
Por tanto:
k
1
0
(428.91 MPa)
(700 MPa)
57 MPa
log 57 000
log
N f 1
De mo o que el esfuerzo mximo al que po r someterse la pieza urante los ltimos 15
000 ciclos
es:
0
k
log
N f
(700 MPa)
(57 MPa) log 19 257.1
455.78 MPa
16.8. En una mquina se tiene coloca a una pieza, sin grietas preexistentes que ha
roto por
fatiga en os ocasiones, pese a estar someti a a esfuerzos inferiores al lmite els
tico. En concreto, la primera vez soport un total e 2.5105 ciclos, cuando el inte
rvalo de esfuerzo al que
estuvo sometida se cuantific en 352.5 MPa. En la segunda ocasin, el intervalo vala
300 MPa, y la rotura sucedi tras 1.5106 ciclos. Estime la duracin de la pieza si lo
gra reducirse el intervalo de esfuerzos a 200 MPa.
172
Ediciones Paraninfo
Como este valor es inferior a 480 MPa, la pieza romper antes.

Bloque 3
Como se indica que no hay grietas preexistentes, y que los esfuerzos son inferio
res al lmite elstico, podremos suponer que obedece a la ley de Basquin:
N f
C2
No nos porporcionan los valores de los parmetros
er determinarlos. Se debe cumplir que:
1
N f 1
2
N f 2
C2
Dividiendo:
1
N f 1
2
N
f2
1
N f 1
N f 2
2
1
Aplicando logaritmos y sustituyendo:
2
(300 MPa)
ln
ln
MPa)
1
(352.5
0.09
N f1
(2.5
105 ciclos )
(1.5
Nf2
10 ciclos )
ln
ln
y C2, pero si dan datos para pod
Sustituyendo un par de valores porporcionados, podemos determinar C2:

C2
1
N f 1
(352.5 MPa)
2.5
105
0.09
1078.88 MPa
Para un intevalo de esfuerzos a 200 MPa:
1
1
0.09
C
(1078.88 MPa)
1.357
108 ciclos
N f 2
(200
MPa)
Ediciones Paraninfo
Como comprobamos, el incremento en la durabilidad es considerable.
16.9. Acaba de colocarse un eje de dimetro 10 mm en una mquina, de modo que se sab
e
que, durante los primeros 2104 ciclos las cargas cclicas sern de 30 kN, y durante lo
s restantes ciclos, las cargas sern de 20 kN. Se ha detectado que en dicho eje rec
in colocado hay
una grieta de 0.1 mm producto de su fabricacin. Determine:
a) El cociente entre las velocidades de propagacin de la grieta al final de la et
apa de cargas
altas y el inicio de la de cargas bajas.
b) El tamao de la grieta al concluirse la etapa de cargas altas.
c) El nmero de ciclos, con cargas bajas, para que se produzca la rotura del eje.
1
Datos: K I c 18 MPa
m 2 . Constantes de la ley de Paris: p = 4 y A = 10-12.
a) La ley de Paris con los parmetros indicados en el enunciado ser:
173
Captulo 16
d
A(
dN
K ) p
1012 (
K ) 4
Adems, teniendo en cuenta que estos parmetros dependen nicamente del material, la r
elacin
entre las tasas de crecimiento de la grieta en cada etapa ser:
(d
dN ) fin et .1 1012 ( K1 )4 ( K1 )4
(d
dN )inicio et . 2 1012 ( K 2 )4 ( K 2 )4
Teniendo en cuenta la Expresin (16.22):
(d dN ) fin et .1
( K1 ) 4
(d
dN )inicio et . 2 ( K 2 ) 4
1
2
1
4
4
2
Como la longitud de la grieta al final de la etapa 1 ser igual que al inicio de l
a etapa 2:
(d dN ) fin et .1
( K1 ) 4
(d
dN )inicio et . 2 ( K 2 ) 4
4
(30 kN)
1
1
S
5.06
4
4
4
2
2
(20 kN)
2
4
4
b) Podemos usar directamente la Expresin (16.27), o bien operar por nosotros mism
os:
(d
A
dN )
4
A
2 2
Despejando e integrando:
f
f
1
1 1
d
dN
A
2
i
i
0
4 2
2 N
f
0
1
Por otra parte:
F
F
(30
103 N)
381.97 MPa
2
A r
2 N
(5 mm)2
Sustituyendo en la expresin anterior:
1
1
c) Partiendo de la expresin que hemos deducido en el apartado anterior, y despeja
ndo el nmero de
ciclos:
174
Ediciones Paraninfo
1
1
(10 12 )
(381.97 MPa)4
f
A
4 2 N
3
(0.1 10 m)
0
(2
104 ciclos )
1.725
10 4 m

Bloque 3
1 1
1 1
1
* A
4 2 N
N
*
4 2
0
0
A
La longitud de la grieta en el momento de la rotura puede calcularse a partir de
:
2
*
K
*
Ic
1
1
KI c
KI c
F ( r 2 )
2
Sustituyendo:
2
1
(18 MPa
1.59
m 2 )
10 3 m
3
2
(20
10 N) (
(5 mm) )
1
*
Entonces, el nmero de ciclos hasta la rotura ser:
Ediciones Paraninfo
1 1
1
N
*
4 2
0
1
1
1
124 000 ciclos
12
4
4
3
2
(1.725
175
10 m) (1.59
10 m)
(10 )
(20
103 N (
(5 mm)2 ))
Captulo 17
Propiedades elctricas de los materiales. Bandas y conductores
Captulo 17
Propiedades elctricas de los materiales.
Bandas y conductores
17.1. Desea fabricarse un cable de Al, de dimetro mximo 1.75 mm, en el que la cada
mxima de tensin sea de 0.2 V/m cuando por l circule una intensidad de 20 A.
a) Razone si esto es posible.
b) Si no es posible, indique qu podra hacerse para conseguirlo.
Dato:
(Al) = 3.65107 ( m)-1.
a) Para determinar si es posible fabricar ese cable, calculemos el dimetro mnimo d
el cable para que
tenga las prdidas que se indican cuando la intensidad es de 20 A.
Sabemos que:
1
A
R
L
Adems, R
V I .
V A
IL
IL
(20 A)
A(Al)
(1m)
2.734 10 6 m 2
I L
V
V (Al) (0.2 V)
(3.65
107 ( m)
1 )
Por tanto, el dimetro mnimo ser:

4 A
D(Al)
1.86 10 3 m
1.86 mm
1.75 mm
De modo que no es posible fabricar el cable para que cumpla todos los condiciona
ntes.
b) Para tener menor seccin de cable, el material debera ser mejor conductor elctric
o. Probemos,
por ejemplo, con el Cu, que es el conductor industrial ms empleado.
Su conductividad es de
(Cu) = 4.55107 ( m)-1, as que, rehaciendo los clculos:
A (Cu)
IL
IL
(20 A)
2.198
V
V
(1 m)
10 6 m2
(Cu) (0.2 V)
(4.55
107 ( m) 1 )
En este caso, el dimetro mnimo sera:

4A
1.67 10 3 m
1.67 mm
1.75 mm
D(Cu)
Ediciones Paraninfo
176

Bloque 3
17.2. Se pretende fabricar una resistencia arrollada para una estufa. Por razone
s de diseo,
dicha resistencia ha de tener un dimetro de 0.2 mm y longitud de 2 m.
a) Determine cul sera la resistencia mxima que podra alcanzarse si se hiciese de nic
romo
65/15.
b) Dados los datos de resistividad, densidad y coste por kg de tres materiales,
indique cul de
ellos proporcionara una mayor resistencia a un menor coste.
Datos:
MATERIAL
Nicromo 65/15
Kanthal D
Constantn
( m)
-6
1.1010
1.3510-6
0.4910-6
(g/cm3)
8.15
7.25
8.9
Coste (/kg) cable 0.2 mm
2 000
1 500
2 400
a) Tomando los datos de resistividad de la tabla para el Nicromo 65/15:
L
(2 m)
R
(1.1 10 6
m)
70.03
A
(0.1 10 3 m) 2
La potencia, suponiendo que la estufa se conecta a una lnea de 220 V, queda:
P
R I
V 2 (220 V) 2
691.43 W
R (70.03 )
b) Podemos calcular el coste por W que se tiene para cada material.
El volumen de alambre necesario es:
V A
L
(0.1 10 3 m)2
(2 m)
Nicromo 65/15
Potencia obtenida: P 691.43 W
6.28 10 8 m3
Coste de material
V
1.02
Coste de material W
1.48 10 3
W 1
691.43 W
Kanthal D
Potencia obtenida:
L
(2 m)
R
(1.35 10 6
85.94
A
(0.1 10 3 m)2
V 2 (220 V)2
563.18 W
R (85.94 )
Ediciones Paraninfo
P
177
R I
precio
m)
(6.28
10 8 m3 )
(8.15
103 kg
3 )
(2000
Captulo 17
Coste de material
V
0.68
1.21 10 3
W 1
Coste de material W
precio
(6.28
10 8 m3 )
(7.25
103 kg
precio
(6.28
10 8 m3 )
(8.9 103 kg
m 3 )
(1500
(2 400
563.18 W
Constantn
Potencia obtenida:
L
(2 m)
R
(0.49 10 6
31.19
(0.1 10 3 m)2
A
P R I
m)
V 2 (220 V)2
1551.78 W
R (31.19 )
Coste de material
V
1.34
Coste de material W
8.64 10 4 W 1
1551.78 W
m 3 )
De los clculos anteriores se desprende que el material que proporciona una mayor
resistencia a
un menor coste es el constantn.
17.3. Calcule la resistividad de un monocristal de Mg (estructura cristalina HC,
con parmetros de red a y c) en la direccin que forma un ngulo de 30 con su plano ba
sal.
Datos: c = 3.510-8 m y a = 4.210-8 m.
Segn la Expresin (17.5):
c ( )
c
(
a
Para un ngulo de 30
c )
cos 2
17.4. A la temperatura de 300 K, una muestra de plata con conductividad elctrica

de
6.80107 ( m)-1 se halla sometida a un campo elctrico de intensidad 103 Vm-1. Considera
ndo
para el proceso de conduccin el modelo cuntico de bandas, determine:
a) El tiempo medio entre colisiones.
b) La velocidad trmica media.
c) El recorrido libre medio.
d) La movilidad de los electrones.
e) La velocidad de arrastre de los electrones de conduccin de este conductor.
f) Realice de nuevo todos los clculos considerandola masa efectiva en lugar de la
me.
Datos: me = 9.1110-31 kg, [Ag] = 5.861028 tomos/m3, EF = 5.98 eV, e = 1.61019C y
me* = 0.99me.
178
Ediciones Paraninfo
c (30 )
(3.5
10
m)
(4.2 10
3.5
10
m)
cos 2 (30 )
4.

Bloque 3
a) Despejando
de la Expresin (17.10) se tiene que:
me
ne 2
Dado que la plata tiene valencia 1, cada tomo de plata contribuir al gas de electr
ones con un
nico electrn. De este modo, la concentracin de electrones de valencia se calcular co
mo:
n
5.86 10 28
tomos 1 electrn
5.86 1028 electrones
tomo
m3
Sustituyendo ahora en la expresin de
obtenemos
me
1 )
(9.11 10 31 kg)
(6.80
4.129 10 14 s
(5.86 1028 m 3 )
ne 2
(1.60
107
1 m
10 19 C) 2
b) Segn la Expresin (17.18):

vF
2 EF
2 (5.48 eV)
(1.60
1.387 106 m
s
me
(9.11 10 31 kg)
10 19 J
eV 1 )
c) A partir de la Expresin (17.25):

vF
(4.129 10 14 s)
(1.387 106 m
d) Empleando la Expresin (17.8)
e
e (1.60
10 19 C)
7.25 10 3 m2
(9.11 10 31 kg)
me
(4.129
V
10 14 s)
1
1 )
5.727
10 8 m
e) Y empleando la Expresin (17.6):

vd
eE0
(1.60
10 19 C)
(103 V
m 1 )
(4.129
10 14 s)
7.25 m s 1
(9.11 10 31 kg)
me
Como ya hemos calculado la movilidad, podramos haber calculado la velocidad de ar
rastre con
menos operaciones:
vd
e
E 0
(7.25 10 3 m 2
V 1 s 1 )
(103 V m 1 ) 7.3 m s 1
Ntese que la velocidad de arrastre obtenida resulta ser mucho menor que la veloci
dad trmica
de Fermi. Debido a que los electrones sufren muchas dispersiones, la direccin de
movimiento de
los electrones es ms o menos aleatoria, incluso cuando est aplicado el campo elctri
co. Es decir,
la probabilidad de encontrar a un electrn viajando en la direccin y sentido del ca
mpo, es solo ligeramente superior a la de encontrarlo viajando en el sentido opu
esto al del campo.
Ediciones Paraninfo
f) El tiempo medio entre colisiones sera:
179
Captulo 17
m*
0.99me
e2
0.99
(4.129 10 14 s)
4.088 10 14 s
2
ne
ne
La velocidad trmica media:
2 EF
1.394
me*
106 m
vF
El recorrido libre medio:
vF
(4.088
10 14 s)
(1.394 106 m
1 )
5.698
10 8 m
La movilidad:
e
e (1.60
10 19 C)
(4.088
7.25 10 3 m 2 V 1
0.99 (9.11 10 31 kg)
me*
10 14 s)
1
La velocidad de arrastre:
vd
e
E 0
(7.25 10 3 m 2
1 )
(103 V
1 )
7.25 m
17.5. Calcule la conductividad elctrica y la movilidad de los electrones de una m

uestra de
litio sabiendo que la densidad es de 0.53 g/cm3, la masa molar es de 7 g/mol y q
ue el Li es monovalente (es decir, cada tomo aporta un electrn de valencia). Supon
ga que el tiempo de
relajacin vale 110-14 s.
Datos: e = 1.61019C, NA = 6.0221023, me* = 1.28me y me = 9.1110-31 kg.
La concentracin de tomos de litio sera:
Li
0.53
3
g
100 cm
4.56
1 mol N A tomos
10 28 tomos
cm 3
1 m
1 mol
7 g
Dado que el litio es monovalente, la concentracin de electrones de valencia ser:

n
4.56
1028
tomos 1 electrones
4.56 1028 electones
m -3
m3
tomos
Si
10
14 s, entonces, segn la Expresin (17.8):
e
e (1.60
10 19 C)
(1 10 14 s)
1.37 10 3 m 2 V 1
me*
1.28 (9.11 10 31 kg)
1
en
e (1.60 10 19 C) (4.56
) 9.995 106 (
m) 1
1028 m
3 )
(1.37
10 3 m 2
180
Ediciones Paraninfo
Y la conductividad elctrica, puede calcularse a partir de la Expresin (17.11).

Bloque 3
17.6. Calcule el tiempo de relajacin y el recorrido libre medio para los electron
es del aluminio a la temperatura de 300 K.
Datos:
= 4.0107 ( m)-1, [Al] = 6.021028 tomos/m3, valencia = 3, me = 9.1110-31 kg, m
=
1.04 me, e = 1.61019C y h = 6.6310-34 Js.
Previo al clculo del tiempo de relajacin, calculemos la concentracin de electrones
de valencia.
n
6.02 10 28
tomos 3 electrones
m3
tomos
Entonces:
me*
1.04
(9.11 10 31 kg)
1.023 10 14 s
(18.06 1028 m 3 )
ne2
(1.60
(4.07
107
1 m 1 )
10 19 C)2
El recorrido libre medio ser:

vF
2 EF
me*
Por tanto, hace falta calcular el nivel de Fermi para obtener el recorrido libre
medio.
2
2
3
(18.06 1028 m 3 )
h2 3n
3
(6.63 10 34 J
s) 2
EF
*
1.79 10 18 J
11.18 eV
8
me
1.04
(9.11 10 31 kg)
vF
2 EF
2 (1.79 10 18 J)
14
(1.023
10
s)
1.988 10 8 m
me*
1.04
(9.11
10 31 kg)
17.7. La sonda de un medidor de campo magntico est fabricada con un cristal de InS
b y
diseada para operar a 3 V (aplicados a lo largo del cristal de dimensiones 1 mm 1
mm
1mm). Indique qu tensin de salida (tensin Hall) cabe esperar cuando la sonda se sita
en
una regin donde el campo magntico es de 10-4 T.
Dato: La movilidad de los portadores mayoritarios es 8 m2/(V s).
La tensin de Hall puede calcularse segn la Expresin (17.15):
I B0
qnd
Ediciones Paraninfo
VH =
181
Captulo 17
Adems,
J=
de modo que
VH
I
I
A cd
J cd B0 J cB0
qnd
qn
q es la carga de los portadores de corriente que, en este caso al ser un semicon
ductor tipo n, ser
igual a e, la carga del electrn.
Por otra parte, la densidad de corriente, J, puede calcularse como J
qnvd
qn eEZ .
VH
=
qn eE Z cB0
cE Z eB0
qn
Teniendo en cuenta que el campo elctrico longitudinal viene dado por:
Eo
V
(3 V)
3 103 V m
b
(10 3 m)
=
VH cE Z
eB 0
(10
3 m)
(3
103 V m)
(8 m 2
(V
s) 1 )
(10
4 T)
2.4
10
17.8. Determine el valor del nivel de Fermi para el Cu y seale cul es la probabili
dad de ocupacin, en el Cu a 25 C, de unos estados electrnicos con energas: (i) = EF,
(ii) = EF + 0.1 eV
y (iii) = EF 0.1 eV.
Datos: (Cu) = 8.92 g/cm3, M (Cu) = 63.5 g/mol, me* = 1.01 me, me = 9.1110-31 kg,
NA =
6.0221023, h = 6.6310-34 Js y kB = 1.3810-23 JK-1.
El nivel de Fermi puede calcularse a partir de la Expresin (17.17)
2
h 2
EF
3n
me*
La concentracin de electrones de valencia sera:

g
(100 cm)3 1 mol N A tomos 1 electrones valencia
n
8.92 3
3
cm
1
m
63.5
g
1
mol
1
tomos
m 3
Sustituyendo en la ecuacin anterior:

2
182
Ediciones Paraninfo
2
3
(8.43 1028 m 3 )
h2 3n
3
(6.63 10 34 J
s)2
EF
*
1.11 10 18 J
6.93 eV
me
1.01
(9.11 10 31 kg)

Bloque 3
Por otra parte, la probabilidad de ocupacin viene dada por:
E
EF
f ( E )
exp
1
k BT
(i)
Para E
f (E)
EF
(ii)
1
1
2
E EF
Para
1
0.1
(0.1 J)
0.0199
f ( E )
exp
1
5
1
(8.62
10 J
K )
(298 K)
K )
(298 K)
E EF
0.1
(iii) Para
1
( 0.1 J)
0.98
f ( E )
exp
1
5
1
(8.62
10 J
17.9. La resistividad elctrica a bajas temperaturas de una muestra de Cu (valenci

a +1) de
alta pureza es de 110-10 m. La presencia en este material de un 0.1% atmico de impu
rezas
de Cd2+ supone un incremento de resistividad de 410-10 m, lo que eleva el valor to
tal de la
resistividad hasta 510-10 m. Calcule la resistividad de una muestra de Cu impurifi
cada con
un 0.2% atmico de In3+, y de otra impurificada con un 0.05% atmico de Sn4+ sabiend
o que
el incremento de resistividad elctrica producido por la presencia de impurezas es
directamente proporcional a ( z)2, siendo z la diferencia de valencia entre el in d
e impureza y el
del metal que los alberga.
(Cu)
1 10 10
2
110 3
1 410 10
Cd
0.1% atmico
3
In
0.2 % atmico
210
2 ?
4
Sn
0.05 % atmico
510
3 ?
k xi siendo xi la fraccin
La contribucin debida a las impurezas viene dada por:
I
Ediciones Paraninfo
atmica de impurezas. Por otro lado, el enunciado nos dice que k
concentracin debida a las impurezas se expresar como:
a ( z) 2 xi
183
a( z )2 as pues, la
Captulo 17
Para el Cd2+: xi = 110 3,
Para el In3+: xi = 210 3,
3
(410 7
2
z
1 y
410 10
1
2 ,
?
m , por lo que a
410 7
m )(2)2 (210
) 3.210 9
(110 10
3.1910 9
)
m 3.2910 9
m
luego:
Para el Sn4+: xi = 0.510
3
(410 7
3 ,
3 ,
m)(3)2 (0.510
) 1.8010 9
(110 10
1.8010 9
)
m 1.9010 9
m
luego:
17.10. Se tiene una aleacin de hierro-cromo (que supondremos es una solucin slida)
cuya
composicin se desconoce. Con objeto de determinar la composicin de la aleacin, se h
a medido su resistividad a temperatura ambiente (22 C), alcanzando un valor de 1.
5510-6 m.
Adems, se conoce que, tambin a a temperatura ambiente, otra aleacin 80Fe-20Cr tiene
una
resistividad elctrica de 1.1510-6 m. Calcule la composicin de la aleacin desconocida.
Datos: M (Fe) = 55.85 g/mol, M (Cr) = 51.99 g/mol, resistividad del hierro puro
a 22 C =
9.7110-8 m. Suponga que el hierro y el cromo forman una solucin slida.
La resistividad de la aleacin tendr dos contribuciones: la debida a la temperatura
, T, y la debida
a la presencia de impurezas,
I.
1.15 10 6
Del enunciado:
T (22
C) (97.1
10
cm)
1m
97.1 10
100 cm
De este modo, para la aleacin conocida:

I
T (1.15 10 6
m) (97.1 10 9
m) 1.0529 10 6
m
Para calcular la composicin de la aleacin expresada en porcentaje atmico partiremos
del dato
siguiente: 100 g de aleacin contienen 80 g de Fe y 20 g de Cr.
Por lo tanto, el nmero de moles de ambas especies ser:

n (Fe)
80 g
1 mol
1.43 mol Fe
55.85 g
1 mol
0.38 mol Cr
51.99 g
n (Cr)
(0.38)
xi
0.21 % atmico
n (Cr)
n (Fe) (0.38)
184
Ediciones Paraninfo
n (Cr)
20 g
(1.43)

k
Como
kxi
I
xi
Bloque 3
(1.0529 10 6
5.01 10 6
(0.21)
m)
m
Para la aleacin pedida:

1.55
10 6
T 97.1
10
I (1.55
m) 1.4529
m
9
10
10
m
6
6
m)
m
(97.1
10
Por tanto:
kx
1.4529
I
i
10
xi
(1.4529
10 6
m)
0.29% atmico de Cr
(5.01 10 6
m)
17.11. Razone si puede obtenerse, aleando convenientemente dos metales, una solu
cin bifsica con una conductividad ms alta que la de ambos componentes. Argumente si
podra obtenerse con una solucin monofsica y justifquelo. A la vista de los resultad
os, explique qu se
persigue con la aleacin de dos metales.
La resistividad de una aleacin bifsica se puede calcular mediante la expresin:
Ediciones Paraninfo
donde
y
son las resistividades de los dos componentes, y
y
son las fracciones
mtricas de ambas fases.
Si suponemos que
, entonces, el valor ms bajo que puede tomar la resistividad de l
aleacin (correspondiente al valor ms alto de su conductividad) siempre ser mayor qu
e
(a
menos que
= 0, con lo que no podramos hablar de aleacin).
Si la aleacin no es bifsica, tampoco podr conseguirse una conductividad ms alta que
la de
los componentes, pues si revisa la Figura 17.18a:

Luego el objetivo de alear dos metales no es mejorar sus caractersticas elctricas,
sino, en general, mejorar sus caractersticas mecnicas. El Cu es un excelente cond
uctor, pero es demasiado
blando. Si se alea con Be o Zr se mejoran notablemente sus propiedades mecnicas c
on una merma
asumible de su conductividad.
185
Captulo 17
17.12. La densidad de corriente emitida por un ctodo de wolframio puro es de 2 53
0 A/m2,
operando a la temperatura de 2 400 K. Se ha pensado que el rendimiento de la ter
moemisin
mejorara si se utilizase en su lugar un ctodo de wolframio recubierto con ThO2, qu
e tiene un
trabajo de extraccin de 2.5 eV. Se desea saber si la idea es acertada y la relacin
entre las
corrientes electrnicas emitidas por ambos ctodos, operando a la temperatura de 2 4
00 K.
Justifique el resultado.
Datos: Factor de la ecuacin Richardson-Dushman = 1.20106 A/(mK)2, kB = 8.617105 eV/K,
e = 1.61019C, h = 6.631034Js y c = 3108 m/s.
La termoemisin est gobernada por la ecuacin de Richardson-Dushman:
J AT 2 exp
k BT
Segn el enunciado, para el W:
J (W)
2530 A m
Para el W-ThO2:
(2.5 eV)
J (W-ThO2 )
(1.20
106 A
m-2
K -2 )
(2 400 K) 2 exp
5
1
(8.617 10 eV
3.95 107 A m
Por tanto,
K )
2
(2 400 K)
J (W-ThO2 )
1.57 104
J (W)
Por lo que la idea es buena, y se debe a que el W debe tener un trabajo de extra
ccin superior al del
W-ThO2. Vemoslo:
J (W)
k BT ln
(W)
AT 2
(2530 A
4.5 eV
2 )
(8.617
10 5 eV
1 )(2 400 K)
ln
6
-2
-2
2
(1.2
10 A
K )
(2 400 K)
(W) 4.5 eV
(W-ThO2 )
17.13. Suponiendo una eficiencia del 100 % en la conversin fotoelctrica:
a) Determine qu potencia mnima por unidad de rea debe tener la radiacin incidente pa
ra
producir una corriente de fotoelectrones igual a la producida por el termoemisor
de wolframio puro del problema anterior.
b) Calcule qu frecuencia debe tener la radiacin.
Datos: e = 1.61019C y h = 6.631034 Js.
4.5 eV 4.5 eV
(W)
186
1.6
10 19 J
7.2 10 19 J
1 eV
Ediciones Paraninfo
a) La mnima energa que debe portar un fotn para que logre arrancar un electrn es:

Bloque 3
Por otro lado, la corriente emitida por el ctodo de W equivale
A
C
1 electrn
electrones
J (W)
2 530 2
2 530
1.58 10 22
m
sm 2 1.6 10
sm 2
19 C
Por tanto, la potencia que esto exige es

P J (W)
(W) 1.58 1022
b) La energa del fotn:
electrones 7.2 10 19 J
J
W
1.14 104
1.14 104 2
2
2
sm
1 electrn
sm
m
c
Ef
7.2
h
h
10
19 J
Despejando:
Ef
(7.2
10 19 J)
1.086 1015 s 1
h (6.63 10 34 Js)
17.14. En el efecto fotoelctrico de metales (fotoemisin), se habla de una frecuenc
ia umbral.
Indique si puede definirse tambin una intensidad umbral y una longitud de onda um
bral.
Razone las respuestas.
En el efecto fotoelctrico no puede hablarse de intensidad umbral, porque dicho ef

ecto se explica
como la interaccin entre un fotn y un electrn, independientemente de la intensidad
de la onda
(relacionada con el nmero de fotones que la constituyen).
Sin embargo, s existe una longitud de onda umbral, 0, propia de cada material, por
encima de
la cual no se produce fotoemisin. Dicha longitud de onda se corresponde con el va
lor mximo de
la radiacin electromagntica que permite la extraccin. En el lmite, la energa del fotn
incidente
es igual al trabajo de extraccin que hay que realizar para extraer el electrn del
material:
c
E
h 0 h
0
Ediciones Paraninfo
Por tanto, para que exista fotoemisin se deber cumplir que:
hc
17.15. Desea fabricarse un dispositivo que mida la energa cintica mxima con la que
son
arrancados los electrones de un determinado metal, de frecuencia umbral 51014 Hz,
cuando
se expone a una radiacin incidente de frecuencia de 1.21015 Hz. Calcule tericamente
el valor mximo de la energa cintica de los fotoelectrones. Realice un esquema de u
n montaje que
permitiera su medicin, sealando los valores que marcaran los posibles instrumentos
de
medida que contuviera el montaje.
Datos: h = 6.631034Js, e = 1.61019C y me = 9.11031 kg.
187
Captulo 17
Segn el enunciado:
0
1014 Hz
1.2 1015 Hz
El montaje podra ser:
La ecuacin de Einstein viene dada por:
h
donde
es la
energa
Como
ECmx
es la frecuencia de la radiacin incidente,
es el trabajo de extraccin, y ECmx
cintica mxima de los electrones arrancados.

h 0 entonces,
ECmx h(
0 ) (6.63 10 34 Js) (1.2 1015 s 1 5 1014 s 1 ) 4.64 10 19 J .
La diferencia de potencial establecida puede anular la energa cintica adquirida. E
sto es:
e
V ECmx
V
(4.64 10 19 J)
2.9 V
(1.6 10 19 C)
17.16. Con el fin de reducir masa, quiere sustituirse el cableado de cobre de un

avin por un
cable de material polimrico conductor (poliacetileno, PAC, dopado). Los cables ha
n de poder
soportar el mismo nivel de intensidad.
a) Calcule el dimetro que habr de tener el nuevo cable polimrico sabiendo que el dim
etro
del cable de cobre era de 0.4 mm.
b) Calcule la relacin: Masa (cable Cu)/Masa (cable PAC).
c) Suponiendo que la densidad del polmero no vara durante su proceso de dopado, in
dique
qu resistividad debera conseguirse para que la masa del cable se redujera a la mit
ad de la
masa del cable de cobre.
Datos: (Cu) = 1.7210-8 m, (PAC) = 110-7 m, (Cu) = 8.92 g/cm3 y (PAC) = 1.2 g/
L
L
R(Cu)
(Cu)
(Cu) 2
A
(Cu)
188
E iciones Pa
aninfo
a) Lo p
ime
o es calcula
la
esistencia
el cable
e cob
e.
La escala mac
oscpica e los mate
iales
Bloque 3
Como la
esistencia
R(Cu)
R(pol)
el cable polim
ico ha
e se
la misma:
(Cu)
2 (Cu)
(pol)
L
2 (pol)
Depejan o y sustituyen o:
(pol)
(Cu)
(pol)
(1 10 7
(0.2
m)
10 3 m)
4.82 10 4 m
(Cu)
(1.72 10 8
m)
El imet
o el nuevo cable se
:
(pol)
2
(pol)
2 (4.82 10 4 m)
0.964 mm
b) La
elacin e masas se
a:
m(Cu)
(Cu) V (Cu)
m(pol)
(pol)
Sustituyen o:
m(Cu)
(Cu)
(Cu)
V (pol)
(
2 (Cu)
(pol)
(
2 (Cu)) (8.92 g
L)
(
2 (pol)
cm 3 )
1.279
m(pol)
(pol)
(
2 (pol)) (1.2 g
cm 3 )
c) Imponien o la con icin e que la
elacin
2
m(Cu)
m(pol)
(Cu)
(pol)
(
2 (Cu))
(
2 (pol))
(Cu)
L)
(
2 (Cu))
(pol)
(0.2 10 3 m)2
(4.82 10 4 m)2
e masas sea 2:
(
2 (pol))
A ems, po
el apa
ta o a), sabemos que se
equie
e que la
esistencia
es sean iguales, es
eci
:
R(Cu)
R(pol)
(Cu)
L
L
2 (Cu) (Cu)
(pol) 2
2
(Cu)
(pol)
(pol) (pol)
2
De mo o que:
m(Cu)
2
(Cu) (
2 (Cu))
(Cu)
m(pol)
(pol) (
2 (pol))
Despejan o y sustituyen o:
(Cu)
(pol)
(pol)
E iciones Pa
aninfo
(pol)
(Cu)
(Cu) (8.92 g
6.393
(pol)
10 8
2
(1.2 g
2
189
cm 3 )
cm 3 ) (1.72 10 8
m)
e los cabl
Captulo 18
P
opie a es elct
icas
e los mate
iales. Semicon ucto
es
Captulo 18
P
opie a es elct
icas e los mate
iales. Semicon ucto
es
18.1. In ique cul es la posicin el nivel e Fe
mi si la p
obabili a e que un es
ta o en el
ext
emo infe
io
e la BC (EC) est ocupa o es p
ecisamente igual a la p
obabili a
e que un
esta o en el ext
emo supe
io
e la BV (EV) est vaco.
El p
oblema ice que f ( EC )
f ( EV ) , lo que significa que:
1
EC
1
EF
exp
kBT
1
1
1
EV
EF
1
EF
EV
exp
exp
1
kBT
kBT
e on e se concluye que
E
1
EF
exp
kBT
EF
EV
exp
kBT
1
Y e aqu que ( EC
EF
EC
2
EF )
( EF
EV ) , esto es, que
EV
es eci
, el nivel e Fe
mi est justo en la mita
on iciones
efe
i as.
e la ban a p
ohibi a, en las c
18.2. Se ispone e un t
ozo e silicio int
nseco cuya con uctivi a elct
ica a te
mpe
atu
a
ambiente es e 4104 ( m)1 y en el que las movilidades de electrones y de huecos valen
0.14
y 0.048 m2/(V s), respectivamente.
a) Calcule las concentraciones de portadores a dicha temperatura.
b) Cuando un electrn de los enlaces que rodean a los tomos de silicio logra escapa
r, se dice
que el enlace se ha roto. Determine cul ser la concentracin de enlaces rotos en el
silicio intrnseco.
c) Si el material anterior se dopa (impurifica) con fsforo hasta obtener una conc
entracin de
portadores dominantes (mayoritarios) de 1023 m3 a temperatura ambiente, indique e
n qu
tipo de semiconductor se convierte. Estime la nueva conductividad, tambin a tempe
ratura
ambiente, suponiendo que las movilidades de los portadores no han cambiado.
Dato: e = 1.61019 C.
a) Puesto que el material es intrnseco, n = p
Como n = p = ni
eni ( e
h ) , y despejando ni:
190
Ediciones Paraninfo
en e
ep h

Bloque 3
(4
10 4 (
m) 1 )
ni
1.33 106 portadores
m 3
e
e
h
(1.6 10 19 C)
0.14 m 2
(V s) 1 0.048 m 2
(V
s) 1
b) Cada tomo de Si posee 4 electrones de valencia (pertenece al grupo 14), por ta
nto, formar 4
enlaces con los tomos vecinos. As pues, cada tomo de Si se rodea de 8 electrones.
Cuando un electrn de un enlace se libera, el enlace se rompe. El electrn queda lib
re y se convierte en un portador de corriente, y el enlace roto puede atrapar a
otro electrn (libre o de otro enlace vecino), luego tambin acta como otro portador
de corriente.
En el modelo de bandas la rotura de un enlace significa simplemente que se origi
na un hueco
en la BV y un electrn en la BC.
Como por cada enlace roto se origina un electrn y un hueco:
n de enlaces rotos = n de electrones = n de huecos
y, por tanto, la concentracin de enlaces rotos ser igual a ni = 1.33 1016 enlaces ro
tos/m3.
c) El P es un elemento del grupo 15 y, por tanto, actuar como donador. Los portad
ores mayoritarios del material sern electrones y el semiconductor ser extrnseco de
tipo n.
(Vase
cmo n 1023 m 3 1.33 1016 m 3 .)
Como los portadores dominantes sern los electrones, puede calcularse la conductiv
idad como:
1
en
(1.6 10 19 C) (1023 m 3 )
(0.14 m 2 (V s)
) 2 240 (
m) 1
e
Ediciones Paraninfo
que es mucho mayor que en el caso intrnseco.
191
Captulo 18
Propiedades elctricas de los materiales. Semiconductores
18.3. La variacin de la resistividad del germanio intrnseco con la temperatura vie
ne dada
por la siguiente tabla:
T (K)
385
455
556
714
( m) 0.0280 0.0061 0.0013 0.0003
Suponiendo que las movilidades de electrones y de huecos varan con la temperatura
como
3
T 2 , y que la banda de energa prohibida, EIP, es independiente de la temperatura
, determine
el valor de EIP en eV.
Dato: kB = 1.381023 J/K.
La conductividad es:
e( n
siendo n
Segn el
que:
n, p T
Teniendo
h )
= p para un semiconductor intrnseco.

enunciado, e, h
T 3/ 2 . Adems, a partir de la Expresin (18.4) puede extrae
3/ 2 exp(
E IP (2 k BT ))
en cuenta lo anterior, la conductividad ser:
1
A exp( EIP (2kBT ))
donde A es una constante.
Aplicando ln, la expresin queda:
ln
EIP 1
ln A
2k B T
Representando ln
obtiene una
frente a
1/ T (usando los datos de la tabla del enunnciado), se
m E
3850 . Despejando, se obtiene formalmente que:
recta de pendiente
IP (2k B )
EIP
0.66 eV
18.4. Calcule el valor del intervalo prohibido para un semiconductor intrnseco de

CdTe sabiendo que sus resistividades a 25 y 150 C son, respectivamente, 7.692107
y
1.54104
cm.
cm
Dato: kB = 8.61710-5 eV/K.
192
1
(298 K)
1.3 10 6 (
(423
K) 6.49 10 3 (
m) 1
m)
Ediciones Paraninfo
Las conductividades a esas temperaturas sern:

Bloque 3
La variacin de la conductividad con la temperatura en el caso de un semiconductor
intrnseco viene dada por la expresin:
EIP
2kBT
(T )
0 exp
Tomando ln en ambos miembros y sustituyendo los datos para ambas temperaturas, r

esulta el siguiente sistema de ecuaciones:
EIP
ln
K)
(298
ln
0
2k B
298 K
EIP
ln
K)
(423
ln
0
2k B
423 K
Despejando ln ( 0 ) de la primera ecuacin
EIP
ln (
0 ) ln
2k B
(298 K)
298 K
Sustituyendo en la segunda:
EIP
EIP
ln
ln
(423 K)
(298 K)
2k B
298 K
2k B
Operando:
ln
K)
(423 K)
EIP
ln
(298
423 K
1
EIP 1.48 eV
2kB
298 K 423 K
18.5. Para un semiconductor de Ge dopado con P, en el lmite superior de temperatu

ra de la
regin de agotamiento, la conductividad es de 60 ( m)-1. Calcule:
a) La concentracin atmica de P dopante.
b) La temperatura a la que termina la regin de agotamiento (considere que esta re
gin termina justo cuando la conductividad intrnseca supera a la de agotamiento).
Datos: e =1.61019 C, e = 0.380 m2/(Vs), h = 0.182 m2/(Vs), kB = 8.61710-5 eV/K, ni (
K) =
2.41019 portadores/m3 y EIP = 0.66 eV.
Ediciones Paraninfo
a) Semiconductor extrnseco tipo n

n
p
e n e . Por tanto, n representa la concent
in de electrones de conduccin, pero tambin es aproximadamente igual a la concentrac
in de
tomos dopantes solicitada.
Despejando n, obtenemos:
193
Captulo 18
(60 (
19
m) 1 )
9.868 1020 tomos P m 3

n
2
1
e
e (1.6 10 C) (0.380 m (V
s) )
b) La conductividad intrnseca tiene la expresin:
0
exp
EIP (2k BT )
Como nos indican que a la temperatura de agotamiento, la conductividad intrnseca
es la de agotamiento:
1
60 (
m)
0
exp
EIP (2kBT )
Para determinar T, solo queda calcular previamente 0. La conductividad intrnseca t
ambin puede
calcularse como:
1
(300 K)
eni
(
e
h
) (1.6 10 19 C)
(2.4 1019 m 3 )(0.380
0.182) m 2 (V
s)
2.16 (
m) 1
Igualando con:
0.66 eV
1
2.16 (
m)
7.558 105 (
0
exp
0
5
1
2
(8.617
10
eV
K
)
(300
K)
Por tanto:
m) 1
exp
EIP (2kBT )
(0.66 eV)
60 (
m)-1 7.558
105 (
m)
1exp
5
1
2
(8.617
10
eV
K
)
T
(0.66 eV)
60 (
m)-1
T 405.63 K
ln
5
1
10 5 eV
7.558
10
(
m)
2
(8.617
1 )
Ediciones Paraninfo
18.6. Una muestra de Si ha sido dopada con tomos de P. Si, a la temperatura de 30
0 K, se
encuentran ionizados un total de 1016 tomos/cm3, determine:
a) La concentracin de portadores mayoritarios.
b) El valor del intervalo prohibido.
c) La conductividad elctrica del material.
d) Una expresin para el factor preexponencial ( 0) de la conductividad elctrica de u
n semiconductor intrnseco sabiendo que las movilidades de electrones y huecos son
proporcionales
3
aT 2.
Datos: ni (300 K) = 1010 portadores/cm3, kB = 1.3810-23 J/K, e = 1.610-19 C,
400 cm2/(V s),
h = 480 cm2/( V s), me*/me = 0.26 y mh*/me = 0.39.
194
e = 1

Bloque 3
a)
n 1016 electrones
10
3 2
Si (dopado P)
ni2 10 cm
2
cm 3
Portadores
104 huecos
cm
ni
pn
p
16
3
n
(10
cm
)
b) Para un semiconductor, se sabe que la dependencia trmica de la concentracin int
rnseca viene
dada por:
3
me* mh*
EIP
4.829
10
n
T
4 32
exp
i
2 k BT
me me
21
Sustituyendo valores conocidos:
ni
3
1010 cm
4.829
10 21
2.22
(2
23
10
15
1.3810
exp
EIP
0.26
0.39
300 K
exp
EIP
8.28
21
1 )
(300 K)
10 J
Tomando ln:
E IP
8.28
10
21
J
ln (2.22
33.74
10
15 )
Despejando:
E IP
2.79 10 19 J
1.74 eV
c)
e
n e
Sustituyendo:
(1.6
p h
10 19 C)
(1016 cm3 )(1400 cm 2
1 )
(104 cm3 )(480 cm 2
1
n p ni
d) Intrnseco
3 2
0 exp
EIP (2k BT )
e ni
e niT
Sustituyendo la expresin de ni usada en el apartado anterior:

3
0 exp
21
EIP (2kBT )
4.829
10
32
exp
EIP (2kBT )
3 2
m* m*
4
e
h
me me
Sustituyendo:
0 e 4.829
1021
Ediciones Paraninfo
3
0.26
0.39
8.68
1020
195
Captulo 18
18.7. La conductividad elctrica del Ge a 25 C es de 0.02 ( cm)1. Estime para esa tempe
ratura:
a) La concentracin de portadores de carga.
b) La fraccin de los electrones de la banda de valencia que han sido promocionado
s a la banda de conduccin.
c) Para convertir una muestra de Ge puro en un semiconductor de tipo p con una c
onductividad de 100 ( cm)1, determine qu tipo de impurezas y en qu concentracin deber
er
introducidas. Calcule las concentraciones de portadores para el semiconductor do
pado.
Datos: e = 3 800 cm2/(Vs), h = 1 820 cm2/(Vs), e = 1.61019 C y a (Ge) = 5.66 108 cm
estructura cristalina del diamante.
a) Semiconductor intrnseco (n = p = n i ):
ne e pe h
ni e
i
e
Despejando ni y sustituyendo valores conocidos:
(0.02 (
ni
cm)
1 )
2.22 1013 portadores

cm 3
19
1 1
e
e
p
(1.6 10 C)
((3800 1820) cm
V s )
Existirn 2.22 1013 electrones
cm 3 y 2.22 1013 portadores cm 3 contribuyendo a la co
ccin.
b) Segn el enunciado: a (Ge) = 5.66 10 8 cm y su estructura cristalina es la del d
iamante. El nmero de electrones de la BV del Ge se calcula como:
8 tomos
1 celdilla
4 electrones valencia
ntot
1.76 10 23 electrones
cm 3
celdilla
1 tomo
5.66
10
8 cm
por tanto, la fraccin exitada ser igual a:

f
ni (2.22
10 8 electrones
1.26 10 10
ntot (1.76 1023 electrones
cm 3 )
cm 3 )
c) A fin de obtener la conductividad deseada, se debe dopar el Ge con tomos de va

lencia 3 y agregar suficiente dopante para proporcionar el nmero requerido de por
tadores de carga. Si suponemos
que el nmero de portadores de carga intrnsecos es pequeo, y que cada uno de los tomo
s dopantes proporciona un hueco, entonces, la concentracin de dopantes ser igual a
la concentracin de
los huecos, esto es, N a

2
p .
Como adems np = ni , se tendr que:

1
e
N a
2
ni
e
n
2e
i
196
Ediciones Paraninfo
e
N a

Bloque 3
(100
Na
3.43
cm
1 )
1017 tomos dopantes
cm
(3800 cm 2
V 1
s 1 )
(1820 cm 2
V 1
s 1 )
(1.6 10 19 C)
2
2.22 1013 cm -3
Las concentraciones de portadores seran:

ni2
n
1.44
p
109 electrones
p
3.43
1017 huecos
cm
cm 3
18.8. A la temperatura de 300 K, un cristal de Si tiene un 0.0001 % atmico de imp

urezas de
As. Si recibe un dopado uniforme de 31016 tomos P/cm3 y despus 1018 tomos B/cm3:
a) Calcule cul es la concentracin de portadores e indique qu tipo de semiconductor
es.
b) Si el cristal homogneo tiene 2 cm de longitud y 0.5 cm2 de seccin, calcule la c
orriente que
suministrar una batera de 5V conectada a sus extremos.
Datos: [Si] = 51022 tomos/cm3, ni (300 K) = 1010 cm3, e (300 K) = 1 400 cm2(V s)1, h
0 K) =
480 cm2(V s)1 y e = 1.61019 C.
a) Segn el enunciado, Si
5 1022 tomos
cm 3 . Por tanto, segn tambin los datos del enunciado,
la concentracin de tomos de arsnico vendr dada por:
As
10 4
5 1022 tomos
100
cm 3
1016 tomos
cm 3
Dado que el As es pentavalente y el Si es tetravalente, las impurezas de As en S

i actuarn como donadoras.
Posteriormente, el cristal de Si recibe los siguientes dopados
3 1016 tomos
cm 3
P
B
1018 tomos
cm
El P es pentavalente, y por tanto actuar como donante, mientras que el B es tetra

valente, y actuar como aceptor.
Con todo,
N d
As
P
(5 1016 cm 3 ) (3 1016 cm 3 ) 8 1016 cm 3
N
a
B
1018 cm 3
Por tanto, dado que Na > Nd, el semiconductor es de tipo p.
Como adems |Na Nd| = 9.2 1017 cm3
1.181010cm3 y suponiendo que a T = 300 K todas
las impurezas estn ionizadas:
Ediciones Paraninfo
p
N a
1018 cm
ni2 (1010 cm
100 cm
18
3
p
(10 cm )
197
3 ) 2
Captulo 18
b) El esquema elctrico quedara:
La densidad de corriente viene dada por J
que
I A
E0 A
E0 . Como adems, J
I A ,se tendr entonc
V L
Por otro lado, la conductividad puede calcularse como:

s
e ( n
1 )
h )
1
1
76.8 (
cm)
7.68 103 (
cm) 1
=0 76.8 C
V 1
s 1
(1.6 10
19 C)
(100 cm
3 )
(1400 cm 2
1 )
cm
Por tanto, la intensidad ser:

5V
I (0.5 cm 2 )
(76.8 C
cm 1 )
96 A
2 cm
18.9. En la fabricacin de un dispositivo microelectrnico, con sustrato de GaAs, se
ha practicado un dopado uniforme de 1010 tomos de Si por cm3. Suponiendo que un
5% de los tomos
de Si reemplazan a tomos de Ga, y que el resto sustituyen a tomos de As, calcule,
a la temperatura de 300 K:
a) Las concentraciones de donadores y aceptores
b) La concentracin de portadores, y establezca a qu tipo de semiconductor correspo
ndera.
c) La posicin del nivel de Fermi respecto al nivel intrnseco.
d) La resistividad de la muestra.
Datos: Para el GaAs: ni = 2.1106 cm3, EIP = 1.42 eV, e = 8 500 cm2/(V s), h = 400 cm2/
(V s),
e = 1.61019C y kB = 8.617105 eV/K.
a) El Si (grupo 14) en el GaAs se comporta como donador o como aceptor, segn sust
ituya al Ga
(grupo 13) o al As (grupo 14), respectivamente. As pues:
Nd
0.05 1010 tomos
5 108 cm 3
Na
0.95 1010 tomos
9.5 109 cm 3
cm 3
cm 3
Como 9 109 cm
N a
ni
Semiconductor tipo p fuertemente dopado
198
Ediciones Paraninfo
b) N a
N d
(9.5
109 cm
3 )
(5 108 cm
3 )
9 109 cm

Bloque 3
p N
9.5 109 cm
a
n 2 (2.1 106 cm
3 ) 2
n i
464.21 cm 3
9
3
N a (9.5 10 cm )
Ntese que p > n
el semiconductor es de tipo p, como se haba indicado.
(9.5 109 cm 3 )
kBT ln ( p ni )
(8.617 10 5 eV
K
1 )
(300 K)
ln
0.21 eV
c) EF
Ei
6
3
(2.1 10 cm )
d) La conductividad se calcular:
e( n
(1.6 10
6.08 10
Por tanto,
e
p
h )
19 C)
(464.21 cm
7 (
cm) 1
la resistividad:
3 )
(8500 cm 2
1 )
(9.5 109 cm
3 )
1
1.64
10 6
cm
18.10. Un semiconductor de Si est dopado con 1017 tomos de B por cm-3. Sabiendo qu
e, a
temperatura ambiente, las difusividades de electrones y huecos son, respectivame
nte, 25 cm2/s
y 3 cm2/s, determine su conductividad elctrica.
Datos: ni = 1010 cm3, e = 1.61019 C y kB = 1.381023 J/K.
Dado que el B es trivalente y el Si tetravalente, las impurezas de B en Si actua
rn como aceptoras.
Na
10 1016 tomos
cm 3
ni
1010 tomos
cm 3
Por tanto:
Ediciones Paraninfo
(40
p N a 10 1016 cm 3
n2
(1010 cm 3 ) 2
n i
103 cm 3
N a (10 1016 cm 3 )
La conductividad ser:
199
Captulo 18
p n
e
n e
p h
ep h
Para terminar hace falta conocer la movilidad de los huecos, la cual puede obten
erse a partir de la
relacin de Einstein:
D
k BT
e
Despejando y sustituyendo valores:
Dh
h
e
(1.6 10 19 C)
(3 cm2
s 1 )
116.72 cm 2
V 1 s
k BT
(1.38 10 23 J
K 1 )
1
(298 K)
Aunque no es necesario calcularla para resolver este problema, la movilidad de l

os electrones sera:
e
k BT
De
(25 cm 2
1 )
e
(1.6 10 19 C)
972.67 cm 2
(1.38 10 23 J
V 1 s
K 1 )
1
(298 K)
Sustituyendo valores en la ecuacin de la conductividad:

1
ep
(1.6 10 19 C) (10 1016 cm 3 )
(116.72 cm 2 V 1
) 1.87
cm
h
1
18.11. Considere un diodo de unin pn de Si, de 2 000 m2 de seccin, que tiene 51016 c
m-3 de
impurezas donadoras y 31016 cm-3 de impurezas aceptoras. Se sabe que, en estos di
spositivos,
la intensidad de corriente de saturacin en polarizacin inversa, I S , tiene la exp

resin:
De
Dh
I S
Aeni2
N a Ln N d Ld
donde A es la seccin de la unin pn y Ln y Lp son las longitudes de difusin de elect
rones y
huecos (es decir, las distancias medias recorridas antes de recombinarse).
Determine, a temperatura ambiente, la intensidad de corriente que lo atraviesa c
uando se le
aplica una tensin de 650 mV.
Datos: ni = 1010 cm3, e = 1.61019 C, Ln = 10 m, Lp = 20 m, kB = 1.381023 J/K, e =
1 400 cm2/(V S) y h = 480 cm2/(V S).
La expresin para la intensidad de corriente que atraviesa un diodo es:
Lo primero que debemos calcular es la corriente de saturacin segn la expresin del e
nunciado:
200
Ediciones Paraninfo
Ve
I
I S
1
k BT
exp

Bloque 3
D
D
I S Aeni2
N a Ln N d Ld
De y Dh son las difusividades de electrones y huecos, las cuales pueden determin
arse a partir de la
relacin de Einstein:
D
Para los electrones:

D
e
e
k BT
e
k BT
(1.38 10 23 J
K 1 )
(298 K)
(1400 cm2
V 1 s 1 )
35.98 cm 2
s 1
19
e
(1.6 10 C)
Para los huecos:
D
h
h
k BT
(1.38 10 23 J
K 1 )
(298 K)
(480 cm 2
V 1 s 1 )
12.33 cm2
s 1
e
(1.6 10 19 C)
Sustituyendo en la ecuacin de la intensidad de saturacin:
D
Dh
I S Aeni2
N a Ln N d Ld
2
2
1
1
2 000 cm 2
(35.98 cm
s )
(12.33 cm s )
10
19
3 2
(1.6 10 C)
(10 cm )
4 2
(3 1016 cm 3 )
10 cm
(10 )
4
(5
1016 cm 3 )
20 cm
4
10
10
4.23
10 16 A
La corriente para una tensin aplicada de 500 mV:

Ve
I I S
k BT
exp
(0.650 V)
(1.6 10 19 C)
16
(4.23 10 A)
exp
40.68 A
1
1
23
(1.38 10 J K) (298 K)
18.12. Determine, a 50 C, la densidad de corriente de difusin de una pieza de Ge,

de seccin
transversal 1.5 mm2, en la cual la concentracin de tomos de B a lo largo del eje d
e la barra
sigue la ley 51025x cm-3, siendo x la distancia a lo largo del eje de la pieza, ce
ntrada desde uno
de sus extremos.
Datos: e = 1.61019 C, EIP = 0.66 eV, kB = 8.617105 eV/K, e = 3 800 cm2/(V s), h =
1 820 cm2/(V s), me*/me = 0.12 y mh*/me = 0.30.
Ediciones Paraninfo
Lo primero es calcular la concentracin intrnseca de portadores, ni, para 150 C.
201
Captulo 18
3
me* mh*
EIP
4.829
10
n
T
4 32
exp
i
m
m
2 k BT
e e
21
3
3
(0.66 eV)
3
ni (4.829
1021 cm 3
K 2 )
(0.12)
(0.3)
(323 K) 2
exp
5
1
2
(8.617 10 eV
1.64 1019 cm 3
K )
(323 K)
Como el P es pentavalente y el Ge tetravalente, las impurezas de P actuarn como d

onadoras.
Nd
5 10 25 x tomos
1.64 1019 tomos
n
N d
5 10 25 x cm 3
ni2 (1.64
cm 3
p
3
25
(5
x
d
cm 3
cm 3
ni
1019 cm 3 ) 2 5.38
1012
N
10 x cm )
La densidad de corriente de difusin para los electrones y huecos viene dada por l
as expresiones:
J e
eDe grad(n)
J h
eDh grad( p)
Para resolver el problema necesitamos calcular tambin las difusividades de electr
ones y huecos,
para lo cual podemos usar la relacin de Einstein:
D
k BT
e
Para los electrones:
D
e
e
k BT
(1.38 10 23 J
K 1 )
(323 K)
(3800 cm2
V 1 s 1 )
105.86 cm 2
s 1
19
e
(1.6 10 C)
Para los huecos:
D
h
h
k BT
(1.38 10 23 J
K 1 )
(1820 cm 2
V 1
s
50.70 cm 2
s 1
(1.6 10 19 C)
e
(323 K)
1 )
As pues:
Je
eDe grad(n)
(1.6 10 19 C)
(105.86 cm2
s-1 )
grad (5
Ediciones Paraninfo
(1.6
) 8.47
202
10 19 C) (105.86
108 C
s 1 cm 2
1025 cm2
s-1
1025 x)

Bloque 3
Jh
eDh grad( p)
(1.6 10 19 C)
(50.70 cm 2
s -1 )
grad (5.38 1012 x
(1.6 10 19 C)
(50.70 5.38 1012 x 2 cm2
4.36 10 5 x 2 C
s 1
cm 2
La densidad de corriente total, quedara:
J J e
J h
(8.47 108 C s 1
cm 2 )
1 )
s-1 )
(4.36
10
5 x 2 C
cm
2 )
18.13. Desea fabricarse un dispositivo fotoemisor con una aleacin (de dos compues
tos semiconductores de tipo 13-15), como material fotoactivo, emparedada entre c
apas de GaP que
actan como sustrato o material pasivo. Los requerimientos que debe cumplir el mat
erial fotoactivo son:
Su intervalo prohibido ha de ser de 1.10 eV
Su parmetro cristalino ha de ser lo ms parecido posible al del GaP, para evitar de
sacoplos de red (la discrepancia ha de ser inferior al 10%).
a) Calcule la composicin y el parmetro cristalino de la aleacin elegida, y explique
qu significa esta composicin.
b) Indique qu procedimiento empleara para hacer crecer las capas pasivas sobre el
material
fotoactivo. Descrbalo brevemente.
Material GaAs GaSb GaP
EIP (eV) 1.42 0.75 2.27
5.65 6.10 5.45
a ()
Datos: h = 6.631034 Js y e = 1.61019 C.
a) El intervalo prohibido de la aleacin deber ser de 1.10 eV.
Qu aleaciones son posibles?
1. GaSb/GaAs GaSbAs, EIP
[0.75 ,1.42] eV
2. GaAs/GaP GaAsP, EIP [1.42 , 2.27] eV
3. GaSb/GaP GaSbP, EIP [0.75 , 2.42] eV
La aleacin 2 debe descartarse pues el rango de su intervalo prohibido no contiene
el valor exigido.
Las aleaciones 1, y 3 deben estudiarse detenidamente.
Aleacin 1. GaAs1 xSb x
A GaSb y B
GaAs
La aplicacin de la ley de Vegard para el clculo del intervalo prohibido, lleva a:
Ediciones Paraninfo
EIP
xEIP A
(1
0.75 x
(1
AB
Despejando x:
1.10 0.75 x
x 0.48
203
x) EIP B
x)(1.42)
1.42
1.42 x
1.10
0.67 x
0.32
8.47
Captulo 18
Luego la
a AB xa
Aleacin
A GaSb
aleacin sera: GaAs0.52Sb0.48 , y su parmetro de red (ley de Vegard):

A
(1
x)aB (0.48) (6.10 )
(0.52) (5.65 ) 5.87
3. GaSb x P1 x
y B
GaP
El intervalo prohibido tendr la expresin:

EIP AB
Despejando
(0.75 eV)
(1
x)
(2.27 eV)
1.10 eV
1.10 0.75 x
2.27 2.27 x
1.52 x 1.17
x
0.77
Por tanto, la aleacin sera: GaSb0.77 P0.23 , y el parmetro reticular quedar:
a AB (0.77)
(6.10 ) (0.23)
(5.45 ) 5.95
La condicin segunda del enunciado obliga a elegir la aleacin 1, por tener un parmet
ro de red
5.87 , ms parecido al del sustrato GaP (5.45 ).
La aleacin elegida ser, pues, GaAs0.52Sb0.48 , lo que significa que por cada 100 to
mos de Ga,
existen 52 tomos de As y 48 tomos de Sb.
b) Habra que emplear la tcnica de crecimiento epitaxial, proceso que consiste en h
acer crecer un
cristal sobre otro cristal que acta de soporte, obteniendo un cristal nico que ase
gura la continuidad
de la red cristalina.
El procedimiento exige:
Que las redes cristalinas de ambos materiales sean del mismo tipo (por ejemplo c
ristales cbicos).
Que los parmetros cristalinos o distancias entre tomos vecinos sean parecidas.
Actualmente se emplean preferentemente tres modalidades:
VPE, o epitaxia con fase vapor
LPE, o epitaxia con fase lquida
MBE, o epitaxia por haces moleculares.
Ediciones Paraninfo
204

Bloque 3
Captulo 19
Propiedades elctricas de los materiales. Aislantes
19.1. El polietileno es uno de los materiales que se usan como recubrimiento en
cables
elctricos para baja tensin. Teniendo en cuenta que el espesor, aunque variable, su
ele tener
un mnimo de unos 0.3 mm para un cable estndar:
a) Calcule el valor mnimo, de la propiedad elctrica que considere, exigible al mat
erial
aislante para asegurar proteccin al manipular el cable.
b) Verifique si el PE es efectivamente un buen material para esta aplicacin, el m
argen de
seguridad con el que se cuenta al emplearlo y el espesor mnimo exigible a la fund
a de PE.
Dato: ER (PE)= 20.3 MV/m.
a) Claramente, la propiedad que nos interesa evaluar es la rigidez dielctrica:
ER
V
d
Considerando que el suministro elctrico domstico suele tener una diferencia de pot
encial de
240 V, sustituyendo en la expresin anterior obtendremos la rigidez dielctrica mnima
exigible:
V
(240 V)
ER
6 105 V
m 1
0.6 MV
m 1
d
(0.4 10 3 m)
b) El PE es un buen material para esta finalidad, ya que su ER (PE) = 20.3 MV/m
> 0.6 MV/m. El
margen de seguridad con el que se cuenta ser:
E R ( PE ) (20.3 MV
m 1 )
33.83
E R ( min) (0.6 MV
1 )
En caso de hacerse con PE, el espesor mnimo que debera tener la funda es:
V
(240 V)
d
6
1.18
10 5 m = 1.18 10 2 mm
E R (20.3 10 V
m 1 )
0.4 mm
19.2. Seleccione un material, de entre los de la tabla adjunta, para aislar elec
tricamente una
superficie de 5103 cm2 en una aeronave, de modo que sea capaz de soportar diferen
cias de
potencial de hasta 104 V.

Ediciones Paraninfo
Almina
Plexigls
Polietileno (HD)
ER (MV/m)
13.4
19.7
21.7
(g/cm3)
3.9
1.11
1.24
Denominemos
205
V* al potencial mximo que debe soportar el material.
Captulo 19
Por la propia definicin de rigidez dielctrica:
E
R
V
d
V E R d
V *
Por otro lado, como se trata de una aplicacin aeronutica un requisito importante p
ara realizar
la seleccin es la masa del dielctrico.
m
V
m
A d
d
m
A
V E R d E R
m
10 4 V
A
Con lo cual:
m 104 V
Almina
Plexigls
Polietileno
A
ER
(3.9 106 g
m
( 104 V)
1455.22 g
(13.4
106 V
(1.11 106 g
m
3 )
m
m
(0.5 m 2 )
1 )
3 )
(0.5 m 2 )
(104 V)
281.72 g
(19.7
106 V
(1.24 106 g
m
(104 V)
285.71 g
(21.7
106 V
1 )
3 )
1 )
(0.5 m 2 )
19.3. Un condensador est fabricado con un material dielctrico de constante igual a

1 000 y
espesor 0.5 mm. Las armaduras son placas metlicas adheridas a ambos lados del die
lctrico.
Debido a una ligera distorsin de una de las placas, 1/3 de su rea est separada del
dielctrico por un espacio de aire de 1 m. Los restantes 2/3 de la placa estn en per
fecto contacto, y la
segunda placa no tiene defecto alguno. Discuta el efecto de la presencia de la i
rregularidad
(con relacin a un condensador no defectuoso) sobre:
a) La capacidad.
b) La tensin de ruptura.
6
6
Datos: E R (dielctrico) 2
10 V m y E R (aire)
3
10 V m .
Considere que el condensador defectuoso puede modelarse como una asociacin conven
iente
(serie y/o paralelo) de condensadores libres de defectos y condensadores con air
e entre las
placas, de las dimensiones adecuadas.
206
Ediciones Paraninfo
Por tanto, aunque por una diferencia pequea, el material ms adecuado es el plexigls
, aunque
tenga una rigidez dielctrica inferior a la del polietileno.

Bloque 3
a) El condensador defectuoso puede suponerse equivalente a la asociacin en parale
lo siguiente:
Segn lo indicado en el enunciado, y denominando A al rea total del condensador, la
s reas (A1 y
A2) de cada uno de los condensadores del circuito equivalente deben cumplir:
A1
2 A 3
A2 A 3
Para el condensador 1:
C1
0 r
2A 3
d
A su vez, el condensador 2 podemos suponerlo formado por la asociacin en serie de
otros dos
condensadores (uno vaco y otro lleno):
Para el condensador vaco: d = 1 m de aire
1
1
1
d
3 d
3d
3
d
d
d
C2 C21 C22
r
Por tanto:
A 3
C2
0 A
r
3
La capacidad total ser:

*
Ediciones Paraninfo
A 3
0 A
0 r A
0 A
Cdefectuoso
1
0
2 A
1
r A
r A
C1
C2
2 1
0 r
r
d
3d
3d
3 3
d
d
r
d
C C
0 r
sin defecto
A
d
207
Captulo 19
Sustituyendo:
1
2 1
(10 6 m)
(1000)
1
C C
3
3 3
(0.5
0.78
10 m)
*
Es decir, la capacidad del conductor defectuoso se ha reducido en un 22 %.
Este apartado puede resolverse de un modo ms fcil. Particularizando:
C1
2C 3
C21
C d 1 C (10 6 m)
1
C
3
3
3 d
C22
r 3 (0.5
10 m) (10 ) 6
Por tanto:
C
3
2C
1
7C
C*
0.78
6
3
3
9
C C
b) Supongamos que la ruptura comienza en el aire, esto significara que el valor d
el campo elctrico
sera de 3 MV/m, y en el dielctrico de:
E
Eo
r
3
MV
m 3 kV m
1000
que es ms pequeo que el campo de ruptura dielctrico, por lo que nuestra suposicin an
terior es
correcta. Entonces:
*
Vruptura
Vaire
Vdielctrico
(3 106 V m 1 ) (10 6 m)
(3 103 V
m 1 )
(0.5 10 3 m)
Si el condensador no tuviera defectos, la tensin de ruptura sera de:
Vruptura
(2
106 V
1 )
(0.5 10 3 m)
1000 V
19.4. Un condensador de placas plano-paralelas posee una capacidad de 2.6910-11 F

cuando se
coloca un dielctrico de naturaleza desconocida, rea 2410-4 m2 y espesor 3 mm.
a) Con ayuda de la Tabla 19.2 indique de qu material se trata.
b) Calcule la polarizacin cuando la tensin aplicada entre las placas es de 220 V,
y determine
el porcentaje que supone el campo inducido en el dielctrico del aplicado exterior
mente.
Datos: E R (dielctrico) 2
106 V m , E R (aire)
3
106 V m , y
0
8.85 10 12 F
208
Ediciones Paraninfo
Por tanto, podemos decir que la tensin de ruptura decae bruscamente con la existe
ncia del defecto de contacto.

a) Sabemos que
C
0 r
Bloque 3
A
d
Despejando:
r
d
(3 10 3 m)
(2.69 10 11 F)
3.8
(8.85 10 12 F
m 1 )
0 A
(24
10 4 m2 )
Consultando la tabla, el dielctrico debe ser nailon-6,6.

b) Conocemos que la polarizacin puede calcularse como:
P
0 1
1
r
E 0 (8.85 10 12 F
m 1 ) (1
1 3.8)
)
4.78 10 7 F V
m 2 4.78 10 7 C
m 2
(73.333
103 V
Adems, el campo inducido se relaciona con la polarizacin mediante:

EM
P
0
Por lo que el campo inducido quedara:
P 0
EM
0.64
E0
1 1
r
E0
E0
0
0
Por tanto, el campo inducido en el nailon-6,6 supone el 64 % del campo exterior
aplicado.
Si no se hubiese pedido calcular la polarizacin, la ltima cuestin podra haberse obte
nido directamente a partir de la propia definicin de campo inducido:
E M
E0 E = E0
E0
r
19.5. Se conoce la polarizacin electrnica de un gas en condiciones normales es 1.0
310-9 C/m2
cuando se le
de 2.5 mm.
Determine de
Datos:
0
cos
de los gases
aplica una diferencia de potencial de 500 V a travs de una distancia
qu gas concreto puede tratarse.

8.85
10 12 F m y NA = 6.021023. Necesitar consultar una tabla de radios at
nobles (por ejemplo en www.webelements.com).
La polarizacin electrnica se calcula como

Ediciones Paraninfo
Pe n
( p e ) n eEloc
con n el nmero de dipolos por unidad de volumen.
209
Captulo 19
Como en el enunciado se indica que el gas est en condiciones normales, NA de mole
s de este
gas ocuparn 22.4103 m3. Por tanto, podemos escribir:
p N
E N
Pe e A
e loc A 1.03 10 9 C
m 2
Vm
Vm
Puede considerarse que como se trata de un gas, medio poco denso, el campo local
ser muy similar
al campo aplicado:
V
(500 V)
2 105 V
m 1
E loc
E loc
d
(2.5
10
3 m)
Por tanto:
VmPe
(22.4
10 3 m3 )
1.915 10 40 F
(6.022 1023 )
N AEloc
(1.03
10 9 C
m 2
(2 105 V
2 )
1 )
e
Adems, suponiendo tomos perfectamente esfricos, la polarizabilidad
e como:
1
e 4
0 R
3
3
R
e
4
1
1
3
R
1.20
e
(1.915 10 40 F
m 2 )
10 10 m = 0.120 nm = 120 pm
e puede calculars
12
1
4
4
(8.85
10
F
m
)
0
Buscando en una tabla peridica, podemos comprobar que este valor de radio atmico c
oincide con
el del Rn.
19.6. Considerando un cristal de SrO en el que se ha medido una polarizacin inica

de
2.0510-7 C/m2, determine:
a) El valor del campo actuante en el interior del material.
b) La polarizacin P .
Datos: r (Sr2+) = 113 pm, r (O2-) = 140 pm, =7,
r
14.5 ,
0
8.85 10 12 F m , NA =
0221023
y estructura del SrO del tipo NaCl.
a) A partir de la Expresin (19.28), la polarizacin inica se calcula como:
con n el nmero de iones por unidad de volumen.
El parmetro reticular es fcilmente calculable sabiendo que la estructura es tipo N
aCl, ya que
por tanto habr contacto entre los iones a lo largo de una arista del cubo:
210
Ediciones Paraninfo
Pi n
( p i ) n
iEloc

Bloque 3
a
2 r (Sr 2 )
r (O2 )
2
(113 10 12 m) + (140 10 12 m)
5.06 10 12 m
Como en este tipo de estructuras hay 8 iones por celdilla, la concentracin de ion
es ser:
n
iones
8 iones
6.175 10 28 iones m 3
3
a
(5.06 10 12 m)3
La polarizabilidad inica se puede calcular a partir de la expresin:
4 0 d 3 4
0
rcat ran
i
1
1
3
Sustituyendo:
4
(8.85 10 12 F
i
3.002 10 40 F
m 2
(7) 1
3
1 )
(113 10
12 m) + (140
10 12 m)
As pues:
Eloc
Pi
(2.05
n
10 7 C m 2 )
1.1058 104 V
m 1
i (6.175 1028 iones m3 )
(3.002 10 40 F
m 2 )
Por ltimo, podemos determinar el campo en el interior del dielctrico:

r
Eloc
3
E=
3Eloc
3 (1.1058
104 V
1 )
2.01 103 V
r
2
(14.5)
2
b) La polarizacin se determina fcilmente a partir de:

E loc E
P
3 0
Despejando P y sustituyendo valores:
P 3
Eloc
(8.85
10 12 F
m 1 )
(1.1058
104 V
m 1 )
(2.01 103 V m
Ediciones Paraninfo
2.4
10 7 C
m 2
19.7. Determine la energa de activacin para el movimiento de cationes Mg2+ en el M

gO sabiendo que las conductividades debidas al movimiento catinico, a 500 y 1 000
C, valen
7.5210-16 y 2.6510-7 ( m)-1, respectivamente.
Dato: k B
1.38 10 23 J K .
211
Captulo 19
La conductividad debida al movimiento de una especie inica i viene dada por la Ex
presin (19.4).
i
ni ( zi e) 2 Di
k BT
Ya que conocemos esta contribucin para dos temperaturas, podemos escribir:
i ,T
ni ( zi e)2 Di ,T1
kBT1
1
y
i ,T
ni ( zi e)2 Di ,T2
kBT2
2
Dividiendo ambas expresiones:
ni ( zi e) 2 Di ,T1
Di ,T T2
i ,T
k BT1
2
ni ( zi e) Di ,T
T1 Di ,T
i ,T
1
2
1
k BT2
2
2
Despejando y sustituyendo valores:
Di ,T1 T1
i ,T1 (773 K)
(7.52
10 16 (
1.72 10 9
Di ,T2 T2
i ,T2 (1273K)
(2.65
10 7 (
m) 1 )
m) 1 )
Las difusividades pueden calcularse empleando la Expresin (19.3):

Di D0i exp
Ei (kBT )
El cociente de difusividades a las dos temperaturas quedara:
Di ,T1 D0i exp
Ei (kBT1 )
exp
Ei (kBT1 )
Di ,T2 D0i exp

Ei (kBT2 )
exp
Ei (k BT2 )
Di ,T
1
Di ,T
2
ln
Ei
E
E 1 1
i
i
kBT1 kBT2 kB
T2 T1
Ei
Ei
1
1
3.9717
kB
kB
104
Ei
5.48
(1273K) (773K)
Ediciones Paraninfo
ln
212
1.72
10 9
10 19 J K

Bloque 3
19.8. Una larga y fina rodaja de un material dielctrico tiene una densidad atmica
de
51028 tomos/m3, y cada tomo tiene una polarizabilidad de 10-40 Fm2. Halle el valor d
el
campo local cuando el campo elctrico exterior aplicado es de 1 V m-1.
Dato:
0
8.85 10 12 F m .
La expresin del campo local segn Lorentz es:
Eloc E
P (3 0 )
Como, adems, sabemos que:
P 0
r 1 E
Resultar que:
Eloc E
0
=
E
3 0
3
Por otro lado, de la relacin de Clausius Mossotti:
n
3 0
r
2
donde n es el nmero de tomos por unidad de volumen y l polrizbilidd de cd un
o de ellos.
Despejndo
r , obtenemos:
n r
2n 3 0 r
2 n
3
n
3 0
3 0
0
r
2n
3 0
2 n
3 0
3
n
Como = 10-40 Fm2 y n = 51028 tomos/m3, se obtiene:

r
2
(5
1028 tomos
1.70
3 (8.85
Adems,
10 12 F
3 )
m 1 )
(10 40 F
(5
m 2 )
1028 tomos
3
m 3 )
(8.85
10 12 F
(10 40 F
m 2 )
m 1 )
E
E o (1 V
0.588 V
r
(1.70)
1 )
m
Ediciones Paraninfo
Por tanto,
2
r
E loc
3
2
(1.70)
1
1
(0.588 V
E
3
213
m )
0.72 V
Captulo 19
19.9. Quiere fabricarse un condensador de placas plano-paralelas con una capacid
ad mnima
de 6010-12 F cuando se aplica una tensin alterna de 500 V y 1 MHz. Sabiendo que el
condensador tiene unas dimensiones de 35 50 mm y que la separacin entre placas es d
e
1.5 mm, escoja, de entre los materiales de la tabla, el que considere ms adecuado
teniendo en
cuenta que desean minimizarse las prdidas.
A 106 Hz
Almina
Poliestireno
Polietileno
Rutilo
ER
(MV/m)
13.4
19.7
21.7
6
r
tan
8.9
2.56
2.26
86
3.310-4
0.710-4
510-4
310-4
Dato:
8.85
10 12 F m .
El condensador debe tener las mnimas prdidas posibles, pero antes hemos de asugura
r de que cada
candidato puede trabajar en las condiciones que se establecen en el enunciado.
La capacidad del condensador viene dada por:
C
0 r
A
d
Despejando:
d
(1.5 10 3 m)
C
(41 10 12 F)
2.36
r
(8.85 10 12 F m)
(17.5 10 4 m2 )
0 A
Por tanto, los candidatos deben cumplir que
r
5.81 , lo que no ocurre con el pol
ietileno.
Adems, deben ser capaces de soportar la tensin especificada sin que se produzca ru
ptura
dielctrica:
V
(500 V)
3.33 105 V m
ER
d
(1.5 10 3 m)
Condicionante que cumplen ambas cermicas y el poliestireno.

Por ltimo, evaluemos las prdidas de estos dos candidatos:
PV
0 r E m2 tan
Almina
V
(500 V)
3.33 105 V m -1
E0m
d
(1.5 10 3 m)
214
Ediciones Paraninfo
El valor mximo del campo elctrico aplicado ser de:

Bloque 3
Por lo que el campo elctrico en el interior del material ser igual a:
E
(3.33 105 V m-1 )
Em 0m
3.74 104 V m-1
(2.3)
r
Sustituyendo:
PV
0 r E m2 tan
(106 s 1 )
(8.85
114.22 W m 3
10 12 F
1 )
(8.9)
(3.74
10 4 V
m -1 ) 2
(3.3 10
4 )
Poliestireno
El campo elctrico en el interior del material ser igual a
E
(3.33 105 V
E m 0 m
1 )
1.3 105 V
m 1
(2.56)
r
Y la potencia disipada por unidad de volumen:
PV
0 r E m2 tan
(106 s 1 )
(8.85 10 12 F m 1 )
(2.56) (1.3 105 V m 1 )2
(0.7
84.2 W m 3
que resulta ser del orden, pero inferior, a la correspondiente a la almina.
Rutilo
El campo elctrico en el interior del material ser igual a
10 4 )
E
(3.33 105 V m 1 )
Em 0m
3.872 103 V
m 1
(86)
r
Y la potencia disipada por unidad de volumen:
PV
10.75 W
0 r Em2 tan
m 3
(106 s 1 )
(8.85
10 12 F m 1 )
(86)
(3.872 103 V
Ediciones Paraninfo
Por tanto, el material adecuado es el rutilo
19.10. Desea
a muy
pequea para
rio, de
seccin 0.07
e ha
previsto que
construirse un encendedor en el que sea necesario aplicar una fuerz

su encendido. Se ha escogido un bloque piezoelctrico de titanato de ba
mm2 y espesor 0.5 mm. Sabiendo que la separacin entre los electrodos s
sea de 0.25 mm, determine si, con estas condiciones, el encendedor
tendr un
fcil encendido.
Datos: E R (aire)
N .
215
3 MV m ,
R (BaTiO 3 )
1250 y
8.85
10 12 F m y k p
140
Captulo 19
El mdulo piezoelctrico permite relacionar la polarizacin con la tensin mecnica aplica
da a travs de la ecuacin:
kp
P
m
Q A Q
F A F
F
Q
kp
A su vez, la carga se puede determinar a partir de la capacidad y la diferencia
de potencial aplicada:
Q C
V
donde la capacidad del condensador se puede determinar a partir de la Expresin (1
9.9):
C
A
(0.06 10 6 m2 )
(8.85 10 12 F
1.33 10 12 F
d
(0.5 10 3 m)
1 )
(1250)
Solo resta determinar la diferencia de potencial.

producir la ruptura dielctrica de una franja de
electrodos).
Vmin
d
E R
(0.25 10 3 m)
(3 106 V m
De modo que la carga sera:
Q C
Vmin (1.33 10 12 F)
(750 V) 9.97 10
Y la fuerza a aplicar:
Esta ser la mnima necesaria para

aire de 0.25 mm (separacin entre
1 )
750 V
10 C
F
Q (9.97
7.12 N
kp
(140 10
10
10 C)
12 )
Ediciones Paraninfo
que no es una fuerza pequea como para aplicarla con el pulgar de la mayora de las
personas.
216

Bloque 3
Captulo 20
Propiedades magnticas de los materiales
20.1. Por una espira circular de radio 50 mm pasa una corriente de 10 A. Calcule
:
a) El momento dipolar magntico de dicha espira.
b) La energa potencial de la espira cuando se sita en el seno de un campo magntico
de 2 T y
forma un ngulo de 65 con las lneas de campo.
a) El momento dipolar magntico es:
m I A I
R 2
(10 A)
b) La energa potencial:
(50
10 3 m)2
0.7854 A
m2
E p
m
B m B cos
(0.7854 Am2 )
(2 T)
cos (65 )
1.4236 J
Independientemente del ngulo inicial en el que se coloque, si la espira tiene lib
ertad de movimiento, se tendera a posicionar de modo que el ngulo formado sea de 0
(mnima energa).
20.2. Para los iones Cr3+ y Gd3+, determine:
a) Su configuracin electrnica.
b) El valor de los nmeros L, S, J y el nmero efectivo de magnetones de Bohr parama
gnticos por tomo.
a) La configuracin electrnica del Cr es:
Cr 24 :1s 2 2s 2 2 p6 3s 2 3 p6 4s1 3d 5
1s 2 2s 2 p 6 3s 2 p 6 d 5 4s1
Por tanto, la configuracin del Cr3+ ser:

1s2 2s2 p6 3s2 p6 d 3
Para el caso del Gd:
Gd 64 :
Kr
4d 10 5s 2 5 p6 4 f 7 5d 1 6s 2
Kr
4d 10 f 7 5s 2 p6 d 1 6s 2
Por tanto, la configuracin del Gd3+ ser:

Kr
4d 10 f 7 5s 2 p6
Ediciones Paraninfo
b) Para el caso del Cr3+:
217
Captulo 20
Para el ion Cr3+, el nico orbital que no est completamente lleno es el 3d y cuenta
con solo 3
electrones (de los 10 que podra albergar). El resto de orbitales no har contribucin
neta al momento dipolar magntico, por lo que pueden ser ignorados. De acuerdo co
n la regla de mxima multiplicidad de Hund, cada uno de ellos ocupar una casilla. C
omo se trata de un orbital d, l
2, de modo
que ml podr tomar los valores comprendidos entre 2 y +2. As, el valor del nmero cunti
co L se
calcula como:
L
ml
2
1
0 3
Y como, de acuerdo tambin con la regla de Hund, todos los electrones sern paralelo
s, el nmero cuntico S se calcular como:
S
ms
12
12 12
23
Como la ocupacin del orbital es inferior al 50 %, entonces el nmero cuntico J valdr
J L
S
3
32 32 , y el factor de Land:
3 S ( S
g
1)
L( L
1) 3 32
( 52 )
(4) 2
2
2 J ( J
1)
2
2 32
( 52 )
5
El nmero efectivo de magnetones de Bohr se calcula como
N
g J ( J
1)
P
2
5
3
2
( 23
1)
15
5 0.77
Para el ion Gd3+, el nico orbital que no est completamente lleno es el 4f y cuenta
con solo 7
electrones (de los 14 que podra albergar). El resto de orbitales no har contribucin
alguna al momento dipolar magntico, por lo que pueden ser ignorados. De acuerdo
con la regla de mxima mul218
Ediciones Paraninfo
Para el caso del Gd3+:

Bloque 3
tiplicidad de Hund, cada uno de ellos ocupar una casilla. Como se trata de un orb
ital f, l
3, de
modo que ml podr tomar los valores comprendidos entre 3 y +3. As, el valor del nmero
cuntico
L se calcula como:
L
ml
3
2
1
0 1 2
3 0
Como todos los electrones sern de nuevo paralelos, el nmero cuntico S se calcular co
mo:
S
ms
12
12 12
12 12
12 12
72
Como la ocupacin del orbital es exactamente del 50%, entonces el nmero cuntico J va
ldr
J L
S
0
72 72 , y el factor de Land:
3 S ( S
g
2
1)
L( L
1) 3 72
( 92 )
(1)
2
2 J ( J
1)
2
2 72
( 92 )
El nmero efectivo de magnetones de Bohr ser:
N P g J ( J
1) 2
7
2
( 72
77
1)
7.94
20.3. Sabiendo que la susceptibilidad magntica del Cr es de 3.1310-4 a 293 K, dete

rmine:
a) La permeabilidad magntica relativa a 293 K.
b) La contribucin del material al campo cuando la magnetizacin vale 915 A/m.
c) La relacin entre los valores del campo en el Cr y en el vaco.
d) El valor del campo en el vaci para el valor de magnetizacin dado en el apartado
b).
Dato: 0 1.257
10 6 T
m A .
a) La permeabilidad magntica relativa se determina fcilmente a partir de la suscep
tibilidad.
m
Despejando:
r
m
1 (3.13 10 4 )
1 1.000313
b) A partir de la Expresin (20.7):
B M
0M = (1.257 10 6 T
m
A 1 ) (915 A
1 )
1.15 10
3 T
c) La relacin pedida no es ms que B B0 ; es decir, la propia definicin de permeabil

idad magntica
relativa:
Ediciones Paraninfo
r
B
1.000313
B0
d) Por el apartado anterior:
219
Captulo 20
B
r B0
Adems:
B B0
0M
Combinado las dos ecuaciones:
M
B0
=
0M (1.15
0M
B0
10 3 T)
0 =
3.67 T
r B0
(3.13 10 4 )
r 1
m
20.4. La magnetizacin dentro de una barra de un material magntico lineal es de 630
mT
para un campo aplicado Bo de 629 mT. Calcule:
a) La permeabilidad magntica relativa y la susceptibilidad magntica.
b) El valor de la contribucin del material al campo.
c) Enumere qu tipo(s) de magnetismo presenta este material.
a) Como se indica que el material tiene comportamiento magntico lineal:
B r B0
La susceptibilidad sera:
B (630 10 3 T)
r
1.00159
B0 (629 10 3 T)
m
r
1 (1.00159)
1 1.59 10 3
b) La contribucin del material al campo se determina fcilmente.
B
B0
B M
BM
B B0
1 10 3 T
c) Con este valor, cabe pensar en dos tipos de magnetismo: diamagnetismo o param
agnetismo.
Como m es positivo y del orden de 103, debe ser paramagntico, aunque recuerde que
todos los
materiales presentan diamagnetismo en mayor o menor grado.
20.5. Estime el radio atmico del oro sabiendo que su susceptibilidad vale -3.44105.
Datos: 0 = 1.257106 Tm/A, Z (Au) = 79, M (Au) = 196.96 g/mol,
(Au) = 19.3 g/cm3, NA
=
6.0221023, me = 9.1110-31 kg y e = 1.610-19 C
Dado que la susceptibilidad tiene un valor negativo, el Au es un metal diamagntic
o. Por tanto, a
travs de la Expresin (20.15) podemos relacionar su permeabilidad relativa con el r
adio atmico.
220
0 Ze2 R 2 n
6 me
Ediciones Paraninfo
r

Bloque 3
Como
Ze 2 R 2 n
m
r
0
6 me
Despejando el radio:
12
6m
R
n
m 2e
0 Ze
Solo resta calcular n y sustituir:

n
19.3
g 106 cm3 1 mol N A tomos
5.901 1028 tomos
m 3
3
3
cm
1m
196.96 g
1 mol
Sustituyendo:
12
R
(3.44
10 5 )
28
2
3
6
1
19
(5.901
10 tomos
(9.11
m )
10 31 kg)
(1.257 10 T
A )
(79)
(1.6 10 C)
3.54 10 11 m
0.354
El valor anterior es claramente absurdo, si se tiene en cuenta que el valor real
del radio del Au es de
144 pm = 1.44 .
A qu puede deberse esta fuerte discrepancia? El error reside en nuestra suposicin d

e que el
oro muestra un comportamiento diamagntico puro, cuando no es as. La configuracin el
ectrnica
del oro es:
Au:
Xe 4 f 14 5d 10 6s1
lo que significa que existen un electrn en el nivel 6s que no est apareado. Este e
lectrn otorga al
oro cierto comportamiento paramagntico, que debe ser muy pequeo y no es capaz de e
clipsar el
comportamiento diamagntico.
20.6. El niobio es un metal con propiedades superconductoras por debajo de 9.25
K. Sabiendo
que se encuentra a 5 K, y que el campo crtico externo a 0 K es de 25.89104 T, deter
mine:
a) El valor del campo en el interior del material.
b) El valor del campo crtico.
a) Como el material se encuentra a una temperatura inferior a Tc, el campo en el
interior del metal
valdr 0.
Ediciones Paraninfo
b) El campo crtico puede calcularse a partir de:
T
(5 K)
4
3
B
Bc 0 1
(25.89
10 T)
c
1.189
(9.25
K)
T
c
221
10 T
Captulo 20
20.7. Para el aluminio:
a) Calcule, en funcin de su configuracin electrnica, el momento magntico atmico. Indi
que qu tipo de magnetismo exhibir.
b) Calcule la magnetizacin de saturacin.
c) Sabiendo que, para campos dbiles, la susceptibilidad magntica se calcula por me
dio de la
ley de Curie del paramagnetismo, calcule el valor de la susceptibilidad a la tem
peratura de
300 K. Compare el resultado obtenido con el medido experimentalmente de 2.0710-5.
Razone
a qu puede deberse la discrepancia.
Datos: Z (Al) = 13, M (Al) = 26.98 g/mol,
(Al) = 2.7 g/cm3, 0 = 1.257106 Tm/A, B =
9.271024 Am2, kB
1.38 10 23 J K y NA = 6.0221023.
a) Momento magntico atmico:
Al 13 :1s 2 2s 2 2 p 6 3s 2 3 p1
Para Al, el nico orbital que no est completamente lleno es el 3p y cuenta con solo
1 electrn
(de los 6 que podra albergar). El resto de orbitales no har contribucin neta al mom
ento dipolar
magntico, por lo que pueden ser ignorados. De acuerdo con la regla de mxima multip
licidad de
Hund, cada uno de ellos ocupar una casilla. Como se trata de un orbital p, l 1, de
modo que ml
podr tomar los valores comprendidos entre -1 y +1.
As, el valor del nmero cuntico L se calcula como:
L
ml
1
Y como de acuerdo tambin con la regla de Hund, todos los electrones sern paralelos
, el nmero
cuntico S se calcular como:
S
ms
12
Como la ocupacin del orbital es inferior al 50 %, el nmero cuntico J valdr
J L
S 1 12
12 . Y el factor de Land:
3 S ( S
g
1)
L( L
1) 3 12
( 32 )
(2) 2
2
2 J ( J
1)
2
2 12
( 23 )
3
El nmero efectivo de magnetones de Bohr ser, por tanto:
N
g J ( J
1)
P
2
3
1
2
( 32
)
3
3 0.57
b) La magnetizacin de saturacin se calcular cuando todos los dipolos magnticos estn a
lineados
con la direccin del campo impuesto externamente. Matemticamente:
MS
nm
La concentracin de tomos de Al sera:

222
Ediciones Paraninfo
donde n es el nmero de dipolos (= tomos) por unidad de volumen.

2.7
n
Al
Bloque 3
g 1 mol N A tomos
6.022 10 22 tomos
cm 3
cm 3 27 g
1 mol
La magnetizacin de saturacin valdra:
MS
(6.022
9.27
J
1022 cm
3 )
10 24 J
(0.57
B )
0.318
1 B
T cm3
3
0.318
102 cm
J
J
6
3.18
105 A
0.318
cm3
m3
T
T
10
1 m
c) Por definicin:
M
m
M
B
B0
0 0
Por otro lado segn la ley de Curie:

M
y, por tanto:
m
nm 2B0 mM S B0
3k BT
3k BT
mM S
(9.273 10 24 J
T 1 ) (3.18 105 A
(1.257 10 6 T m
A 1 )
2.98 10 4
3k BT
3 (1.38 10 23 J
K 1 )
(300 K)
1 )
El valor experimental es de 2.0710-5, inferior al obtenido. Esto puede deberse a

los efectos
diamagnticos, que tienden a disminuir la susceptibilidad, y que en la expresin de
la ley de Curie
no son tenidos en cuenta. (Suponemos que el campo magntico es lo suficientemente
dbil como
para que sea cierta la aproximacin de la ley de Curie).
20.8. Calcule la magnetizacin de saturacin y el campo magntico de saturacin aplicado
para el hierro, que tiene un nmero efectivo de magnetones de Bohr por ion de 2.2,
y una densidad de 7.87 g/cm3.
Datos: M (Fe) = 55.85 g/mol, 0 = 1.257106 Tm/A, B = 9.271024 Am2 y r = 3.5105.
a) La magnetizacin de saturacin se calcular por la Expresin (20.27):
MS N F B n
donde n es el nmero de tomos por unidad de volumen, y
Como
Ediciones Paraninfo
7.87
n
Fe
g
1 mol N A tomos
8.49 10 28 tomos
cm 3 55.85 g
1 mol
Por tanto,
223
B es el magnetn de Bohr.
Captulo 20
MS
(2.2
B
tomo
)
(9.27
m2
10 24
B
)
(8.49
tomos
) 1.73
m3
1028
106 A
b) De acuerdo a la Expresin (20.11):

1
M
B0
0
Despejando, el campo magntico de saturacin sera
(1.257
10 6 T
MS =
10 A
m )
1 )
6
1
6
B0S
0
(1.73
6.21 10 T
5
1
(3.5
10
)
1
r
20.9. Considere un metal hipottico que presenta comportamiento ferromagntico y que
tiene
estructura CS (cbica simple), un radio atmico de 0.125 nm y una contribucin del mat
erial
al campo en la saturacin de 0.85 T. Determine el nmero de magnetones de Bohr por to
mo
para este material.
Datos: 0 = 1.257106 Tm/A y B = 9.271024 Am2.
Podemos calcular la magnetizacin en la saturacin a partir del valor de la contribu
cin del material

al campo en la saturacin:
BMS
0M S
B
(0.85 T)
M S
MS
676 213.21 A
0 (1.257 10
m 1
6 T
1 )
Por otro lado:

MS N F B n
Para determinar el nmero efectivo de magnetones de Bohr ferromagnticos, solo resta
calcular n
(nmero de tomos por unidad de volumen).
Como la estructura es CS, habr un nico tomo por celdilla, y contacto entre los tomos
se
produce a lo largo de las aristas del cubo:
tomos
1 tomo 1 tomo
1 tomo
6.4 1028 tomos
n
m 3
9 3
3
3
(2r )
(2
0.25 10 m)
Vol celdilla
a
Por tanto,
MS
(676 213.21 A
1 )
1.14
B n (9.2710 24 A
Ediciones Paraninfo
N
F
224
m2 )
(6.41028 tomos
m 3 )

Bloque 3
20.10. Suponiendo que, en la ferrita de cobalto (CoFe2O4)8 la magnetizacin se deb

e solo a los
iones de Co2+, y que tiene una celdilla de tipo cbico con una arista de 0.838 nm,
estime:
a) La magnetizacin de saturacin.
b) El valor de la contribucin del material al campo en la saturacin.
Datos: 0 = 1.257106 Tm/A
B = 9.271024 Am2 y suponga que solo el momento angular de
espn de los electrones contribuye al momento magntico de los iones.
a) La magnetizacin de saturacin ser igual a:
M fS nN c
B
donde, n es el nmero de dipolos magnticos por unidad de volumen y Nc el nmero de mg
netones
de Bohr por dipolo.
El momento magntico neto proviene nicamente de los iones de Co2+, de los que exist
en
8/celdilla:
8 dipolos
1 celdilla
n
1.36 1028 dipolos
m 3
celdilla (0.833 10 9 m)3
Como se nos indica que supongamos que solo el momento angular de espn de los elec
trones
contribuye al momento magntico de los iones, nos estn diciendo que el momento orbi
tal est bloqueado. En estos casos, el nmero de magnetones de Bohr coincide con el
nmero de espines desapareados.
La configuracin electrnica del Co es:
Co 27 :1s 2 2s 2 2 p 6 3s 2 3 p 6 4s 2 3d 7
1s 2 2s 2 p 6 3s 2 p 6 d 7 4s 2
Por tanto, la configuracin del Co2+ ser:
1s2 2s2 p6 3s2 p6 d 7
Los clculos, considerando que no hay bloqueo salen 6.63
2
dipolos
B
24 A
1
5
M fS nN c
B
8.36 10 A
9.27 10
6.63
3
m
dipolo
1.36
m
1028
B .
Si consideramos que hay bloqueo, saldran 3.87

2
dipolos
B
24 A
1
5
3.87
9.27
10
M fS
B , con lo cual:
nN c
4.88
10 A
1.36
1028
3
m
dipolo
B
Ediciones Paraninfo
b) BMS
225
0M S
(1.257
10 6 T
m A)
(4.88
105 A m)
0.613 T
Captulo 20
20.11. Dibuje, de forma esquemtica, la curva de histresis de un material ferrimagnt
ico que
tiene una remanencia o campo remanente de 0.7 T y un campo coercitivo de 0.4 T.
Dicho
material alcanza la saturacin cuando se aplica un campo de 0.7 T, para el cual el
campo
magntico en su interior es de 1.6 T.
Dato: 0 = 1.257106 Tm/A.
Cualitativamente, la forma de la curva debera ser:
Conviene tambin dibujar la curva M vs. B0 , porque el fenmeno de saturacin se pone
ms
claramente de relieve. Para ello, debemos saber que:
B B0
B B0
0M
0
M
S
B S
B0
(1.6 T
0.7 T)
7.16 105 A m
(1.257 10 6 T
m A)
M
R
B R
B0
(0.7 T
0 T)
5.57 105 A m
(1.257 10 6 T
m A)
0
0
La curva M vs. B quedara, por tanto:
226
Ediciones Paraninfo
De este modo, la magnetizacin de saturacin y de remanencia se calcularn como:
Bloque 3
Ediciones Paraninfo
227
Captulo 21
Propiedades pticas de los materiales
Captulo 21
21.1. Una lmina de un material elctricamente aislante se coloca en el vaco, y se le
hace incidir un haz de luz con una inclinacin de 40 con respecto a la normal a la
superficie, midindose un ngulo de 25, tambin con respecto a la normal, para el haz
refractado. Para dicho
material, determine:
a) El ndice de refraccin.
b) La constante dielctrica.
Datos: nvaco = 1 y r = 0.99995.
a) Segn la ley de Snell:
sen 1 c1
sen
2 c2
Como n
c cm , podemos expresarla como:
n1 sen 1
n 2 sen 2
Los ngulos en la ley de Snell estn referidos a la normal a la superficie de separa
cin de los
dos medios, y en el enunciado lo que nos estn proporcionando son los complementar
ios. Por tanto,
1 90
50 40 y
2
90
65 25 , por lo que despejando y sustituyendo valores:
n2
n1 sen
1 (1)
sen (40 )
1.52
sen
2
sen (25 )
b) El ndice de refraccin se puede relacionar con la constante dielctrica a travs de:
n
r r
que solo es vlida para materiales aislantes, como es el caso.
n2
r
(1.52)2
2.31
(0.99995)
21.2. Estime la parte real del ndice de refraccin del GaAs a 5.091014 Hz sabiendo q
ue su
ndice de amortiguamiento, a esa frecuencia, es de 0.24, su susceptibilidad magntic
a toma un
valor de 16.210-6, y que su conductividad elctrica es 1.610-3 ( m)-1. Compare el resul
ado
con el valor experimental de 3.94.
Dato:
0
8.85 10 12 A
s
V 1
m 1 .
228
Ediciones Paraninfo
r

Bloque 3
Sabemos que la condutividad elctrica est relacionada con el ndice de refraccin compl
ejo a
travs de la expresin:
ik
2
0
Elevando al cuadrado:
2
2
n
2
2nk i
Igualando partes reales y partes imaginarias, y quedndonos con la parte imaginari

a que es la que
nos permite relacionar la conductividad elctrica con la parte real del ndice de re
fraccin:
r
2nk
2
Despejando:
n
4 k
Adems
m
r
1
r
m
1
( 16.2 10
Sustituyendo todos los valores conocidos:
(1.6 10 3 (
r
(1.0000162)
2.68 10 8
n
4 k
m) 1 )
6 )
1.0000162
4
(0.24) (5.09 1014 s 1 )
(8.85 10 12 A
s
V 1
m 1 )
El valor obtenido est lejsimos de 3.94 por el motivo ya expuesto en el ejercicio r
esuelto 21.1, y es
que la conductividad elctrica proporcionada no se ha medido a las frecuencias a l
as que se han
determinado las propiedades pticas.
21.3. La intensidad de un haz de luz de frecuencia 6.121014 Hz se reduce un 37 %
cuando se
propaga 9 nm en un determinado material. Calcule la fraccin de intensidad inciden
te, de la
misma frecuencia, que sera capaz de atravesar una muestra del mismo material con
un espesor de 15 nm.
Dato: c 3
108 m
s 1 .
Ediciones Paraninfo
La profundidad a la que la intensidad de un haz de luz se reduce un 37 % es la d
enominada profundidad de penetracin caracterstica, d, que viene dada por:
d
1
229
Captulo 21
Por otra parte,
4 k
c
As que combinando ambas expresiones:
d
c
9 nm
4 k
De esta expresin podemos extraer el ndice de amortiguamiento del material:
k
c
(3
108 m
4.33
4 d 4
1 )
(6.12
1014 )
(9
10 9 m)
Por otra parte:

IT ( z ) I 0 exp(
z )
4
(6.12
IT ( z )
4 k
z
exp
exp
(15 10 9 m)
8
1
I 0
c
(3
10
m
s
)
1014 s
1 )
(4.33)
0.189
21.4. Determine la frecuencia umbral de un metal sabiendo que cuando sobre una p
elcula de
dicho material, de 20 nm de espesor, incide un haz de luz de frecuencia 4.51014 H
z, solo el
25 % de la intensidad incidente es capaz de atravesarlo.
Datos: c
3
108 m
s 1 y r = 1.00015.
La frecuencia de corte puede relacionarse con el coeficiente de absorcin, , a travs
de la
expresin:
4
r
c
p2
1
2
Adems:
I I 0 exp(
z )
Despejando y aplicando logaritmos:
De modo que sustituyendo los datos porporcionados en el enunciado:
230
Ediciones Paraninfo
ln
I I 0

Bloque 3
ln
I I 0
ln
0.25
69.31 106 m 1
z
(20 10 9 m)
Retomando la primera ecuacin:

4
c
r
p2
1
2
c
r
p2
1
2
Elevando al cuadrado y despejando:

c
p
1
4
1.71
r
1015 s
108 m
2
1
1
2
(3
1 )
14
1
(4.5
10 s )
(69.31
106 m 1 )
(4.5
1014 s
1 )
(1.00015)
21.5. Se colocan, por separado, lminas muy delgadas de Sn (gris), CdS y AlN, y se
les hace
indicir un haz de luz blanca. Comente qu colores se veran a travs de estas, y de qu
colores
se veran dichos materiales.
Datos: EIP (Sn gris) = 0.08 eV , EIP (CdS) = 2.50 eV , EIP (AlN) = 6.20 eV, c
3
108 m s 1 ,
h 4.14
10 15 eV
s y
de la luz blanca = 0.39 - 0.78 m.
Lo primero es calcular las frecuencias extremas de la luz blanca:
c
c
Sustituyendo queda:
bajas
c (3
108 m
1 )
3.85 1014 Hz
(0.78 10 6 m)
altas
c (3
108 m
1 )
7.69 1014 Hz
(0.39 10 6 m)
Las frecuencias bajas se corresponden con la parte roja del espectro, mientras q
ue las altas se corresponden con la parte azul.
La energa asociada a estas frecuencias se calcula fcilmente mediante:
Ebajas
(4.14
10 15 eV
s)
(3.85
1014 s
1 )
1.59 eV
Ediciones Paraninfo
Ealtas
h
(4.14 10 15 eV
s) (7.69 1014 s
Por tanto, como el AlN tiene un intervalo prohibido
pueden
proporcionar los fotones de la luz blanca, estos no
tomos de AlN, y
toda la radiacin atravesar el material veramos
ca.
231
1 )
3.18 eV
superior a la mxima energa que
sern capaces de excitar a los
todos los colores a su travs
luz bla
Captulo 21
El caso del Sn(gris) sera el completamente opuesto. Su intervalo prohibido es inf
erior al de la energa que puede suministrar cualquier fotn de luz blanca, por lo c
ual todos sern absorbidos
es
opaco. Como el Sn(gris) lo absorbe todo, el material se ve negro (no se extrae, e
l nombre del material no es el ms adecuado)
El CdS tiene un intervalo de 2.50 eV, por lo que dejar pasar toda la radiacin con
energa superior a este valor, mientras que la de energa inferior ser absorbida. Det
erminemos qu colores se
veran:
(2.50 eV)
E
6.038 1014 s 1
h (4.14 10 15 eV
s)
Consultando la Figura 21.2, podemos comprobar que esta frecuencia cae en la fron
tera entre los
colores verde y azul. Por tanto, la radiacin correspondiente a colores entre el a
zul y el violeta atravesara una lmina delgada de CdS.
Por otra parte, absorbera toda la radiacin entre el rojo y el verde, con lo cual s
e vera con un
color comprendido entre estos dos extremos. Realmente, este material tiene un co
lor amarilloanaranjado.
21.6. Compare el error cometido al calcular la reflectividad de un metal como el
oro, y de una
cermica como la almina, segn se tenga en cuenta o no el ndice de amortiguamiento.
Dato: Tome los datos de la tabla 21.4.
Si no tenemos en cuenta la parte imaginaria del ndice de refraccin, la reflectivid
ad viene dada por:
n
2
Para los materiales indicados quedara:
2
(0.26)
Roro
0.345
(0.26)
2
(1.76)
Ralmina
0.076
(1.76)
Si tenemos en cuenta el ndice de refraccin complejo tendremos que usar la ecuacin d

e de
Beer:
R
(n
(n
1)2
1) 2
k 2
k 2
Roro
(1.76)
10 7
(1.76)
10 7
2
2
2
2
Ralumina
0.899
2
0.0758
Vemos que en el caso de la almina, y de las cermicas en general, el ndice de
amortiguamiento es practicamente despreciable frente a la parte real, por lo que
la diferencia al
calcular la reflectividad de uno u otro modo tambin lo es. Para el caso de los me
tales, la parte
232
Ediciones Paraninfo
(0.26)
(2.96) 2
2
(0.26)
(2.96)2

Bloque 3
imaginaria es la que tiene un mayor peso, y no puede ser obviada, porque se lleg
aran a
conclusiones absurdas como, por ejemplo, que el oro refleja muy mal la luz.
21.7. Demuestre que el ngulo de incidencia para que se produzca polarizacin por re
flexin
viene dado por la expresin
P
arctan n 2 n 1
. Determine, adems, el ngulo de inci
cia
para el que se polariza parcialmente la luz del sol cuando incide sobre el mar.
Datos: nagua= 1.33 y naire= 1.
a) Cuando el ngulo de incidencia
ia :
P se cumple que la suma de los ngulos de incidenc
P
90
sen
cos
P
2
2
siendo 2 el ngulo del haz refractado.
Por supuesto, la ley de Snell debe cumplirse:
n 2 sen
2 n1 sen 1 n 2 sen
Teniendo en cuenta lo anterior:
n 2 cos
tan
n1 sen
arctan
n1 sen
n2
n1
n
P
n1
b) Para el caso de la luz del sol sobre el mar:
n2
(1.33)
P arctan
arctan
53.06
(1)
n1
21.8. Desea fabricarse un blindaje para radiacin infrarroja, para evitar ser dete
ctados por
sistemas basados en la captacin de este tipo de radiacin. Teniendo en cuenta que e
l intervalo
de frecuencias del IR es de 3.851014 - 4.841014 Hz, escoja, de entre los materiale
s siguientes,
el ms adecuado para este fin.

Material
Aluminio
Hierro
Poliestireno
Vidrio sdico-clcico
( m)
26.5510-9
97.110-9
1018
1010
Ediciones Paraninfo
La reflectividad para radiacin de frecuencias bajas, como es el caso del infrarro
jo, puede calcularse
mediante la expresin:
R
233
cc
Captulo 21
Necesitaremos escoger el material que ms refleje la radiacin infrarroja emitida po
r nuestro
cuerpo, para que as nos oculte de los detectores. Por tanto, la frecuencia ms desf
avorable del
rango IR ser la mayor (dar menos reflectividad), y es la que utilizaremos en la ec
uacin.
Sustituyendo valores, por ejemplo, para el aluminio:
R 1
4
0
cc
1
4
(8.85 10 12 A
(26.55 10 9
m)
s
1
1 )
(4.84
1014 s
1 )
0.9244
Es decir, si nos ocultamos con Al, el 92.44 % de la radiacin que emitimos ser refl
ejada.
Repitiendo los clculos con los demas materiales:
Material
Aluminio
Hierro
Poliestireno
Vidrio sdico-clcico
R
0.9244
0.8554
<0
<0
Como era de esperar, los materiales elctricamente aislantes no son nada efectivos
para esta
finalidad.
21.9 Se pretende fabricar un lser de dos niveles con GaAs intrnseco, con el requis
ito de que
el haz lser pueda atravesar completamente una lmina de CdS de 1 mm de espesor.
a) Indique si es esto posible.
b) En caso de no serlo, explique cmo podra solucionarse el problema.
Datos: EIP (GaAs) = 1.42 eV, EIP (CdS)= 2.50 eV y h
4.14 10 15 eV
s .
a) Como es un semiconductor intrseco, y el lser es de un nico nivel, la energa de lo
s fotones que
emite ser la correspondiente a la de su intervalo prohibido.
Para resolver el problema no hara falta hacer ningn clculo, sino simplemente compar
ar las
EIP de ambos materiales. No obstante, con unos mnimos clculos puede cuantificarse
si este lser
concreto es realmente adecuado para alguna funcin.
Podemos calcular la frecuencia que emite el lser a travs de:
EIP h
EIP
h
EIP
(1.42 eV)
3.43 1014 s 1
h
(4.14 10 15 eV
s)
Consultando el espectro de la Figura 21.2 podr comprobar que cae dentro de la reg
in infrarroja,
por lo que su energa es muy baja.
Si repetimos el clculo con la energa del intervalo prohibido del CdS, comprobamos
que este
material solo deja pasar radiaciones con frecuencias superiores a 6.3810-14 s-1.
En definitiva, el
lser ser completamente absorbido por el CdS.
b) Dopando el GaAs de modo que el lser emita con frecuencias mayores de 6.3810-14
s-1.
234
Ediciones Paraninfo

Bloque 3
21.10. La fibra ptica est fundamentada en un proceso de reflexin total.
a) Determine la expresin que permite calcular el ngulo de incidencia mximo (ngulo de
aceptacin) para que se produzca dicha reflexin completa.
b) Calcule el ngulo de aceptacin para el caso de una fibra realizada en un materia
l con ndice de refraccin 1.46, con una funda con ndice 1.43.
a) Supongamos un haz de luz que trata de pasar desde la fibra hacia el exterior
(revestimiento).
Sufrir un proceso de refraccin que vendr condicionado por la ley de Snell:
sen 1 n 2
sen
2 n1
Si el ngulo de incidencia (aceptacin) es el adecuado, el ngulo en la parte del reve

stimiento
ser de 90, por lo que dicho haz no podr escapar de la fibra ptica. Recuerde que en l
a ley de Snell
los ngulos se miden con respecto a la normal a la superficie de separacin de los d
os medios.
Denominando con el subndice a al ngulo de aceptacin (medido con respecto a la verti
cal) y t
al ngulo transmitido:
sen a n t
sen
t n a
Imponiendo que el ngulo transmitido sea de 90:

sen
(1)
nt
na
n
a
arcsen
na
b) Particularizando para los datos indicados:
(1.43)
a arcsen
78.36
(1.46)
Incidencias con ngulos superiores a este aseguran una total transmisin del haz sin
prdidas hacia
el exterior.
Recuerde que este ngulo lo hemos referido a la vertical de separacin de ambos medi
os (fibra
y revestimiento). Si quisiese referirlo a la horizontal (eje de la fibra), el ngu
lo de aceptacin mximo sera el complementario del anterior:
Ediciones Paraninfo
a
235
90
90
(78.36 )
11.64
Captulo 22
Propiedades trmicas de los materiales
Captulo 22
22.1. Se sabe que, a temperatura ambiente, los tomos de un metal puro vibran con
una
frecuencia de 1.15721011 Hz, y la amplitud mxima de dichas vibraciones es de 2.1881
0-11 m.
Determine de qu metal se trata. Necesitar consultar una Tabla Peridica (Apndice C) q
ue
recoja las masas atmicas de los elementos.
Datos: N A
6.022
1023 y k B
1.38 10 23 J
K -1 .
La frecuencia de vibracin puede determinarse a partir de la expresin:
1
2
Ea
1
m
2
Ea
(M N A )
a
E
2
2
M
NA
(1)
donde a es la distancia interatmica (no el parmetro reticular) y M la masa molar d
el elemento.
Por otra parte:
umx
6 k BT
Ea
E
a
6 k BT
2
umx
(2)
Igualando las ecuaciones (1) y (2), se obtiene:
2
2
M 6 k BT
2
N A umx
Despejando M y sustituyendo valores conocidos:
6k T
NA
6 (1.38 10 23 J
K
(6.022 1023 mol 1 )
M 2B
58.71 g
2
2
11
2
1 )
(298 K)
mol 1
11
1
(2.188 10 m)
umx 2
2
(1.1572 10 s )
Buscando en una tabla peridica, se comprueba que el Ni tiene una masa molar de 58
.69 g/mol,
por lo que debe tratarse de dicho elemento.
22.2. Desean fabricarse lingotes de plata de 20 cm de longitud. Calcule cul ha de
ser la
longitud a temperatura ambiente (298 K) que debe tener el molde en el que va a v
erterse la
Ag para su solidificacin.
Datos:
L (Ag)
18.910 6 K -1 y TF (Ag) = 1 235 K
L
L L0
236
Ediciones Paraninfo
El cambio de longitud que sufre un material con la temperatura viene dado por la
expresin:

L
L0
L0
L L0 (T
T0 )
Bloque 3
L
1
L (T
T0 )
Sustituyendo los datos.

L
(20 10 2 m)
L0
20.36 10 2 m 20.36 cm
1
L (T
T0 ) 1
(18.9
10 6 K
1 )
(298 K
1235 K)
22.3. Desea recubrirse una chapa de acero AISI 1 025 con un material cermico para
mejorar
su dureza superficial. La chapa va a colocarse de modo que ninguna de sus dilata
ciones est
impedida. Escoja, de entre los dos materiales cermicos de la tabla, aquel que per
mita
alcanzar una mayor temperatura sin que el recubrimiento se agriete, indicando la
s
temperaturas mximas alcanzables con ambos materiales.
L (K1)
12.510-6
8.810-6
0.510-6
Acero AISI 1025
SiO2
Al2O3
E (GPa)
200
400
73
sLE (MPa)
280
250
47
Dado que ambos recubrimientos son materiales cermicos, podemos considerar que la
deformacin
plstica que pueden soportar es nula. Por tanto, el esfuerzo mximo que podrn admitir
sin
agrietarse ser el correspondiente al lmite elstico, de modo que la deformacin en ese
instante
puede calcularse a travs de la ley de Hooke:
E
E eLE
sLE
eLE
sLE
Si el recubrimiento fuera de SiO2, la deformacin mxima que podra soportar sera:
e
LE
sLE
E
(47 MPa)
6.44 10 4
(73 103 MPa)
Si fuese de Al2O3, la deformacin mxima sera:
e
LE
sLE
E
(250 MPa)
6.25 10 4
(400 103 MPa)
Como la chapa no tiene impedida la deformacin (ninguno de sus bordes est fijo), la
deformacin que genera tensiones residuales ser la producida por la dilatacin difere
ncial entre las
deformaciones de la chapa y del recubrimiento.
L
e
L T
L0
L
L
L0
L L0 (T
T0 )
L0
1
L (T
T0 )
Ediciones Paraninfo
L
237
L L0
Captulo 22
eac
Lac T
eac
erec
erec Lrec T
Lac
Lrec
Para que no se agriete el recubrimiento:

e
Lac
Lrec
T eLErec
La temperatura mxima que podr soportar el recubirmiento de SiO2 es:
T
eLE
(6.44
10 4 )
53.66
K 53.66 C
Lac
Lrec
(12.5 10 6 K 1 0.5
Tmax SiO2
25 C
53.66 C 78.65 C
10 6 K 1 )
En el caso de la Al2O3:
T
eLE
Lac
L rec
(6.25 10 4 )
168.92
K 168.92 C
12.5 10 6
8.8
Tmax Al2O3
25
10 6
168.92
193.92
22.4. Para su uso en laboratorio, se desea adquirir un recipiente que estar somet
ido a
calentamientos y enfriamientos bruscos. Un distribuidor ofrece dicho recipiente
fabricado con
tres materiales diferentes (vea tabla adjunta). Determine qu material es el ms ade
cuado
para este fin.
Vidrio de borosilicato KG33
Vidrio de slice 7 913 (96.5 % SiO2)
Vidrio sdico-clcico
L (K1)
-6
3.1510
0.7510-6
910-6
E (GPa)
65
68
70
F (MPa)
29
160
32
(Wm-1K-1)
1.1
1.2
1.05
Si el recipiente trabajar sometido a cambios bruscos de temperatura, el principal
criterio de
seleccin deber ser su resistencia al choque trmico.
Una cifra de mrito para determinarlo es:
F
E
Sustituyendo valores en los distintos casos, obtenemos:

Ediciones Paraninfo
Vidrio de Borosilicato KG33
238

Bloque 3
F
(29 MPa)
(1.1 W
155.80 W
3
6
1
E L (65
m 1
1 )
m 1
10 MPa)
(3.15
10 K )
Vidrio de de Slice 7 913
F
E
(160 MPa)
(1.2 W
3764.71 W
m 1
L (68 103 MPa)
m 1
(0.75
10 6 K
1 )
1 )
Vidrio sdico-clcico
(32 MPa)
(1.05 W
m 1
1 )
53.33 W
m 1
(70 103 MPa)
(9 10 6 K 1 )
E L
Como era de esperar, el vidrio sdico-clcico es, con diferencia, el que presenta la
resistencia al
choque trmico ms baja. Escogeramos el vidrio de slice 7 913.
22.5. Las velocidades longitudinales y transversales del sonido en el platino so
n 3 260 y
1 730 m/s, respectivamente.
a) Estime su temperatura de Debye y calcule la desviacin con respecto al valor ex
perimental
de 240 K.
b) Obtenga la frecuencia mxima de vibracin de los tomos de dicho material a la TD.
Datos: M (Pt) = 195.1 g/mol,
(Pt) = 21.47 g/cm3, h
6.63
10 34 J
s , N A
6.022
y
k B
1.38
10 23 J
K -1 .
La temperatura de Debye puede estimarse como:

1
h v 3N
TD s
kB
3
V
donde la velocidad media se calcula como:

2 1
vs 3
3
v t vl
1
3
13
Adems:
N NA
(21.47 g) 1 mol N A tomos
Pt
6.627 10 22 tomos
V Vm
1cm 3
(195.1 g)
1 mol
cm 3
Ediciones Paraninfo
La velocidad media resultar:
239
6.627
1028 tomos
Captulo 22
1
1
1
2 1
3
2
1
vs
3 3 3
33
1933.35 m
1 3
1 3
v
v
(1730
m
s
)
(3260
m
s
)
l
t
1
3
Por lo que la temperatura de Debye resulta:
1
(6.63
10 34 J
s)
(1933.35 m
1 )
(6.627 1028 m
3 )
TD
233.18 K
(1.38 10 23 J
4
1 )
La desviacin porcentual con respecto al valor experimental ser:

TD cal
(233.18 K)
Desviacin
100
1
100
1
2.84 %
TD exp
(240 K)
b) Sabemos que
TD
h M
kB
M
TD k B (233.18 K)
4.85 1012 s
(6.63 10 34 J
h
(1.38
10 23 J
1 )
1
s)
22.6. Conocido que, a temperatura ambiente, el calor molar del Au vale 25.174 JK1mol-1, y a
10 K, toma un valor de 43.2610-2 JK-1mol-1, calcule:
a) La capacidad especfica molar del oro a 20 K.
b) Indique qu porcentaje, a 20 K, supone la contribucin electrnica a dicha capacida
d.
Datos: R = 8.31 JK-1mol-1, la valencia del oro es 1, 1 eV = 1.610-19 J y N A
6.022
1023 .
a) La capacidad especfica a 20 K tiene la forma:
c cr
ce
12
5
4 R
3
T
9 zN A k B2
T
TD
2 EF
El enunciado no proporciona ni EF, ni TD, as que esos valores sern los primeros qu
e
deberemos determinar.
A temperatura ambiente, el calor molar tendr la expresin:
9 zR 2
(298 K)
2 N A EF
donde se ha tenido en cuenta que R
N A k B .
Sustituyendo los valores conocidos, podremos determinar EF:
240
Ediciones Paraninfo
c
cr
ce
(25 J
(mol
K) 1 )

c
25.174 J
25.174 J
(mol
(mol
K) 1
K) 1
(25 J
(25 J
(mol
(mol
K) 1 )
K) 1 )
Bloque 3
9 zR 2
(298 K)
2 N A EF
9
(1)
(8.31 J
(298 K)
2 (6.022 1023 )
mol 1 )2
EF
de donde, despejando, se obtiene:

19
EF 8.8377
J 5.52 eV
A 10 K sabemos que la capacidad molar vale 43.2610-2 JK1 y, dicha capacidad, por se
r la
temperatura muy baja, toma la expresin:
c 43.26 10 2 J (mol
K) 1
cr ce
12
5
4 R
3
T
9 zR 2
T
TD
2 N A EF
Sustituyendo los valores conocidos hasta ahora, podramos determinar la temperatur

a de Debye
del Au.
3
43.26
10 2 J
12
(mol
4
K)
(8.31 J
1
K
mol 1 )
10 K
5
TD
9
(1)
(8.31 J
(10 K)
2 (6.022 1023 )
Despejando:
mol 1 ) 2
(5.52 eV
1.6 10 19 J
eV 1 )
TD
165 K
A 20 K, quedar:
3
12 4 R
9 zR 2
c cr
T
T
ce
2 N A EF
TD
Sustituyendo:
3
c
12
9
(8.31 J
(8.31 J
(1)
K 1
K 1
mol 1 )
mol 1 )2
20 K
(20 K)
23
19
1
5
165
1
c (3.459 J
) 3.47068 J
(6.022 10 )
K
1
K
mol 1 )
mol 1
(5.52 eV)
(1.6
(1.168 10 2 J
10 J
K
eV )
1
mol
Ediciones Paraninfo
b) La contribucin electrnica a esta temperatura supone, pues, un 0.34 %. La razn de
este valor
aparentemente bajo reside en que la TD del Au es tambin muy pequea (165 K).
241
Captulo 22
22.7. Estime el calor molar del aluminio a 25 K sabiendo que las velocidades lon
gitudinales y
transversales de propagacin del sonido en este material, a temperatura ambiente,
son 6 420 y
3 040 m/s, respectivamente.
Datos: EF = 11.63 eV, z = 3, M (Al) = 26.98 g/mol,
(Al)=2.7 g/cm3, h
6.63
10 34 J
s ,
N A 6.022
1023 , R = 8.31 JK-1mol-1 y 1 eV = 1.610-19 J.
Como la temperatura a la que piden calcular la capacidad molar es muy baja, est t
endr la forma:
3
c
cr
12 4 R
9 zR 2
T
5
TD
ce
T
2 N A EF
Todo es conocido salvo la TD, que podremos estimar a partir de las velocidades d
e propagacin
del sonido en el Al:
2 1
vs
3 3 3
vt vl
1
3
13
2
1
3
1 3
1 3
(3040 m
s ) (6 420 m
1
3
13
3420.45 m
Adems:
Al
s )
2.7 g 1 mol N A tomos

6.026 1022 tomos
1 cm3 26.98 g
1 mol
cm
6.026
1028 tomos
Tenga tambin en cuenta que:

R (8.31 J K 1 mol 1 )
kB
1.38 10 23 J
NA
(6.022 1023 )
De modo que:
1
3
h v s
TD
K -1
Al
(6.63
10 34 J
s)
(3420.45 m
1 )
399.68 K
23
k B
4
(1.38 10 J
4
K -1 )
1
Ahora puede calcularse ya la capacidad molar a 25 K:
3
c
cr
ce
(3)
(8.31 J
K 1 mol 1 )2
(25 J
(mol K) 1 )
7.8 10 2 J
K 1 mol 1
2 (6.022 1023 )
(11.63 eV)
(1.6 10 19 J
eV 1 )
Ediciones Paraninfo
12
5
399.68 K
242
(8.31 J
mol 1 )
(25 J
(mol
K)
1 )
(6.026 1028 tomos

Bloque 3
22.8. Se desea adquirir un equipo de acondicionamiento de aire para una habitacin
situada
en un lugar en el que la temperatura mnima en invierno es de 2 C. Se supone, debid
o a la
situacin de la habitacin y a su sistema de aislamiento, que las prdidas a travs de l
as
paredes, techo y suelo son despreciables con respecto a las que se producen a tr
avs de un
gran ventanal de 1.52 m de vidrio sdico-clcico, de espesor 8 mm.
a) Calcule la potencia calorfica mnima que debe suminstrar el equipo para asegurar
una
temperatura interior de 24 C.
b) Si el equipo es capaz de extraer la misma potencia calorfica que la que puede
suministrar,
determine qu temperatura habra en el interior de la habitacin cuando la exterior fu
ese de
40 C.
Dato:
vidrio) = 1.05 Wm-1K-1.
a) El flujo de calor perdido a travs del vidrio ser:
J Q
dT
T
(24
2) K
(1.05 W
2887.5 W
3
dx
x
(8
1
m
1 )
10 m)
Como el rea del vidrio es de 3 m2, la potencia perdida a travs del ventanal ser:
Prdidas
J Q
A
(2887.5 W
m 2 ) (3 m2 )
8662.5 W
b) En verano, la potencia frigorfica que es capaz de suministrar el equipo sigue
siendo de
8 662.5 W. Como la ventana tambin es la misma, el flujo de calor aportado a travs
de la ventana
ser 2 887.5 W/m2 y, por tanto la diferencia de temperatura que podremos alcanzar
ser la misma
que antes, es decir, 22 C de diferencia. Como nos dicen que la temperatura exteri
or es de 40 C, la
interior ser de 40 22 = 18 C.
22.9. Suponga una olla de cocina con geometra cilndrica de 25 cm de dimetro, 10 cm
de
altura y 1.5 mm de espesor. Se le aplica una potencia calorfica tal que la temper
atura en su
interior se mantiene constante a 80 C, mientras que la temperatura en la cocina e
s de 25 C.
a) Desde el punto de vista de las prdidas trmicas, indique qu material cree que es
ms
adecuado para fabricar la olla: aluminio o acero inoxidable AISI 316.
b) Seale qu material, de entre los dos anteriores, sera el ms idneo desde el punto de
vista
de la potencia calorfica que hay que suministrar para calentar la olla.
c) Teniendo en cuenta los apartados anteriores, describa cul debe ser la disposic
in ideal de
materiales en una olla
Datos:
Al) = 247 Wm-1K-1 y
(inox) = 16.3 Wm-1K-1.
a) El flujo de calor perdido a travs de la olla ser:
J Q
dT
T
(25
80) K
(36.66
dx
x
(1.5 10
103 K
1 )
3 m)
Ediciones Paraninfo
La superficie a travs de la que se produce la fuga trmica es la constituida por la
tapadera superior
y el lateral de la olla.
A
D2
(25
4
4
243
10 2 m) 2
D h
(25 10 2 m)
(10
10 2 m)
0.127 m 2
Captulo 22
Por tanto, las prdidas seran:

Para el Aluminio,
Prdidas
J Q
A
(36.66 103 K m 1 ) (247 W
m 1
K 1 ) (0.127 m2 )
1.15 10
Para el acero AISI 316,
Prdidas J Q
A
(36.66 103 K m 1 ) (16.3 W
m 1 K 1 )
(0.127 m2 )
75.9 1
El ms adecuado resulta, por tanto, el acero AISI 316, dadas sus menores prdidas.
b) Desde el punto de vista de la potencia que hay que suministrar para calentarl
o, el ms adecuado
es, lgicamente el aluminio, ya que es el de mayor conductividad trmica. As pues, se
r el que
alcance la temperatura interior deseada con un menor aporte de calor.
c) Teniendo en cuenta los dos apartados anteriores, la olla ideal estar formada p
or acero inoxidable
AISI 316, salvo en su base, que debiera ser de aluminio. Efectivamente, esta es
la estructura usual
de una olla. No se extrae si al mirar la base de una olla ve que es de acero inox
idable. En realidad
exterior e interiormete la base es una capa muy fina de acero inoxidable que con
tiene un bloque de
aluminio en su interior; es lo que conocemos como fondo difusor.
Sin dicho fondo, y debido a la baja conductividad del AISI 316, la distribucin de
temperaturas
en el interior de la olla sera muy deficiente (parte de los alimentos se quemaran,
mientras que otras
zonas permaneceran a baja temperatura).
22.10. Suponiendo que los recorridos libres medios de electrones y
aproximadamente iguales, determine la relacin existente entre las
electrnicas y vibratorias de la conductividad trmica del cobre a
nte.
*
Datos: me
1.01 me , EF = 7 eV, me = 9.111031 kg, z = 1, vl =
m/s, NA =
fonones son
contribuciones
temperatura ambie
4 760 m/s, vt = 2 325
6.022
1023 , R = 8.31 JK-1mol-1 y 1 eV = 1.610-19 J.
La relacin entre las contribuciones eletrnica y reticular de la conductivdad trmica
es:
1 ce 2
v
e 3 Vm F e ce vF2
e
cr vs2
f
r 1 cr v 2
s
f
3 Vm
Teniendo en cuenta que
ce e vF
cv
e F
cr f vs
cr vs
f vs , y que
e vF
Para cuantificar la relacin, tendremos que calcular las contribuciones electrnicas

y fonnicas
de la capacidad molar a temperatura ambiente, as como las velocidades de los elec
trones y del
sonido en este material.
Como se pide determinar la relacin a temperatura ambiente, las contribuciones ele
ctrnicas y
fonnicas de la capacidad molar sern:
244
Ediciones Paraninfo
r
e

Bloque 3
cr
25 J
mol
ce
9 zR 2
9 (1)
(8.31 J
mol 1 ) 2
T
(298
K) 0.1373 J
K 1
2 N A EF
2 (6.022 1023 )
mol 1
(7 eV)
(1.6 10 19 J
eV 1 )
La velocidad media de los electrones puede obtenerse a partir del nivel de Fermi
, Expresin
(17.18):
vF
2 EF
2 (7 eV)
(1.60
10 19 J eV
1 )
1.56 106 m s 1
*
me
(1.01) (9.11 10 31 kg)
Por ltimo, la velocidad media del sonido se calcula como:
2
1
vs
3 3 3
vt vl
1
3
13
2
1
3
1 3
1 3
(2 325 m
s ) (4 760 m
1
3
13
2 611.69 m
s )
Sustituyendo en la primera ecuacin:

e ce vF (0.1373 J
3.28
(25 J
K
r cr vs
mol 1 )
mol 1 )
(2 611.69 m
(1.56
106 m
1 )
1 )
22.11. Se sabe que a temperatura ambiente (20 C), la resistividad elctrica del Cu
es de
1.7108 m y la conductividad trmica de 394 W/(mK).
a) Estime la conductividad trmica de dicho material a la temperatura de 550 C sabi
endo que
la resistividad elctrica a dicha temperatura es de 4.6108 m.
b) Cite en qu ley se basa para efectuar los clculos.
a) Recopilando los datos del enunciado:
T1 = 20 + 273 = 293 K
(T1) = 1.710 8
m
1 = 394 Wm 1K 1
T2 = 550 + 273 = 823 K
(T2) = 4.610 8
m
2
Segn la ley de Wiedemann-Franz :
siendo L el nmero de Lorenz.
L
T T
Para la temperatura T1, se ha de cumplir:
Ediciones Paraninfo
1 1
T1
L
(394 W
m 1
2.29 10 8 W
(293 K)
245
1 ) (1.7
K 2
10 8
m)
Captulo 22
Tomando este valor de L, para la temperatura T2 resultar:
LT
2
2
2
(2.29 10 8 W
K
410 W
m
K 1
(4.6 10 8
m)
2 )
(823 K)
b) En la ley de Wiedemann-Franz.
22.12. Calcule el flujo de tomos entre los extremos de una pieza de una determina
da solucin
slida sabiendo que:
La concentracin de soluto intersticial en la base o disolvente (estructura CCC, a
= 3.6 )
vara del 0.025 al 0.020 % (en porcentaje atmico) entre dichos puntos.
Al establecerse una diferencia de temperatura de 20 C entre ambos extremos de la
pieza,
se produce un flujo de calor de 5104 W/m2.
Al someter la pieza a un campo elctrico de 10 V/m se obtiene una densidad de corr
iente
de 4107 A/m2.
Datos: temperatura media de la pieza = 900 C, D0 = 110-5 m2/s, Q = 135432 J/mol y
R = 8.314 J/(mol K). Suponga que las propiedades del material no varan con las va
riaciones
de concentracin de soluto consideradas. Utilice tres decimales en los clculos.
Se trata de una solucin slida instersticial. Denominemos S al soluto y D al disolv
ente
4 tomos
8.573 10 28 tomos D
m 3
(3.6
10 m)3
10
La concentracin de soluto en uno de los extremos ser:

0.025 tomos S
0.025 tomos S 8.573
C1
2.14 1025 tomos S
3
100 tomos
99.975 tomos D
m
En el otro extremo:
1028 tomos D
m 3
0.020 tomos S
0.020 tomos S 8.573 1028 tomos D
C2
1.715 1025 tomos S m 3

100 tomos
99.98 tomos D
m3
Las ecuaciones que expresan los distintos flujos son:
Flujo difusivo
J D
C
x
C
246
2.144
4.29
1.715
1025 tomos S
1024 tomos S
m 3
m 3
Ediciones Paraninfo
De modo que la diferencia de concentraciones ser:

Bloque 3
Adems:
(135432 J
Q
5
1
12
1
2
2
D D0
(10
m
s
)
exp
9.310
1
(8.314
J
(K
mol)
)
(1173
K)
mol 1 )
exp
10 m
RT
Por tanto, tan solo nos falta
Flujo elctrico
x para poder calcular J.
J
E0
Segn los datos del enunciado, queda:
4 107 A m2
10 V m
4 106 ( m) 1
De acuerdo con Wiedemann-Franz, la conductividad trmica a 1 173 K puede calculars
e como:
L
T (2.4 10 8
W
K 2 )
112.608 W
(K m) 1
Flujo trmico
JQ
(4 106
m 1 )
(1 173 K)
T
x
De acuerdo a los datos del enunciado:
(5 10 4 W
m
2 ) (112.608 W
(K
m)
1 )
(20 K)
x 0.045 m
x
Por tanto, el flujo difusivo ser:
J D
C
(4.29 1024 tomos S m 3 )
(9.310 10 12 m 2
s 1 )
8.876 1014 tomos S m 2
x
(0.045 m)
22.13. En el Ejercicio resuelto 22.11, se ha encontrado que la expresin:

Ediciones Paraninfo
VAB
2 kB2
T02
6e
T 2
EFA EFB
permite calcular la tensin Seebeck que se establece entre los extremos de dos hil
os metlicos
A y B, cuyos niveles de Fermi son EF (A) y EF (B). Demuestre que esta expresin es
equivalente
a VAB
( A
B ) T , siendo
A y
B los poderes termoelctricos de A y B.
247
Captulo 22
Los dos primeros trminos de la ecuacin dada son constantes, por lo que puede reesc
ribirse como:
2 k B2
A
2
VAB
C T 2
T02
T T0
6e
EFA EFB
Podemos expresarla usando el desarrollo en serie de Taylor (hasta el segundo ord
en) en el entorno de T0:
2
1
df
2 d f
f
(T ) f (T0 )
T
T
2
dT
dT
T0 2
T0
Por tanto:
d T 2
T02
d 2 T 2 T02
1
2
T C
VAB C T
T VAB (T0 )
T C
2
dT
dT 2
T0
T0
1
VAB
2
2
T0
T 2
T0
T 2
2
0
Despreciando los trminos de orden superior al primero, y sustituyendo C por su va
lor:
VAB
2 kB2
B
6e
T0
A
T0
EFA EFB
Para temperaturas en el entorno de T0 el poder termoelctrico sera:

Por lo que la ecuacin quedara:
2 k B2T0
3eEF
VAB
B ) T
22.14. Se desea construir un generador termoelctrico, para lo cual se dispone de

dos parejas
de materiales: una de ellas compuesta por metales, y otra, por semiconductores (
tabla
adjunta). Determine qu par de materiales ser ms eficiente a temperatura ambiente y
determine el valor de ZT definido por la Expresin (22.43).
Datos (a temperatura ambiente):
( m) 1
37.66106
19.23106
4.5105
1.4106
(Wm1K1)
14
1.2
Una cifra de mrito que permite medir la eficiencia termoelctrica de una pareja de
materiales viene
dada por:
248
Ediciones Paraninfo
Metal 1
Metal 2
Semiconductor 1
Semiconductor 2
(VK1)
1.66
5.57
200
150

2
AB
ZT
(T
(T
A
B
B
A
AB
B
B
A A
Bloque 3
2
T
Para el par metlico desconocemos las conductividades trmicas, pero estas pueden se
r fcilmente estimadas a travs de la ley de Wiedemann-Franz:
L
2.45
10
8 W
T
L
T
L
T (2.45 10
K) 274.95 W
met1
K) 140.39 W
L
T (2.45 10
met 2
8 W
m 1
K
1
8 W
2 )
(37.66
106
1 )
(298
2 )
(19.23
106
1 )
(298
Sustituyendo valores para el caso del par metlico:

2
2
6
1
5.57
1.66
AB
1.79
10 V
10 6 K 1
1
1
(140.39 W
1 )
(274.95
W
m
K
)
B
B
A A
(19.23
106
1 )
(37.66
106
Para el caso de la pareja de semiconductores:

2
6
1
150
200
10
V
K
AB
2.89
Z
10 3 K
1 )
1
1
1
(1.2
W
m
K
)
(14
W
m
K
)
A
A
B
B
6
1
1
5
1
1
(1.4
10
(4.5 10
m )
m )
2
Empleando la figura de mrito adimensional ZT, para la temperatura ambiente:
ZTmetales
(1.79 10 6 K 1 )
(298 K)
5.3 10 4
ZTsemic
(2.89 10 3 K 1 )
(298 K)
0.861
Ediciones Paraninfo
El par de materiales ms eficientes a temperatura ambiente sern, sin duda, el const
ituido por los
semiconductores.
249
Captulo 23
Propiedades qumicas de los materiales
Captulo 23
23.1. Una pila electroqumica consta de un electrodo de Zn y otro de Ni en condici
ones estndar. Las correspondientes disoluciones se encuentran separadas por un ta
bique poroso, y un
circuito externo con un interruptor conecta los dos electrodos. Determine cul es
la f.e.m. de
la pila en la situacin con el interruptor abierto.
Datos: Tome los valores necesarios de la Tabla 23.1.
Consultando la Tabla 23.1:
Ni 2
ENi
(aq)
Ni (s)
0.25 V
Zn 2 (aq)
EZn
2e
2e
Zn (s)
0.76 V
Segn esto, el Zn se oxida y el Ni se reduce. Por tanto, la fuerza electromotriz d

e la pila ser:
Epila
ENi
EZn
( 0.25 V)
( 0.76 V)
0.51 V
23.2. Calcule la f.e.m. estndar y las polaridades de las tres pilas formadas con
las siguientes
parejas de electrodos: Al-Ni, Cu-Fe, Ag-Cl2.
Datos: Tome los valores necesarios de la Tabla 23.1.
Pila Al-Ni
Al3 (aq)
EAl
3e
1.68 V
Ni 2 (aq)
ENi
Al (s)
2e
Ni (s)
0.25 V
Por tanto, el Al tender a oxidarse (nodo) y el Ni a reducirse (ctodo). La reaccin gl

obal de la
pila ser:
2Al (s) + 3Ni 2
Su f.e.m:
Epila
ENi
EAl
(aq)
2Al3
( 0.25 V)
(aq)
( 1.68 V)
3Ni (s)
1.43 V
Recuerde que la f.e.m. no est afectada por los factores usados para ajustar la re
accin global.
Pila Cu-Fe
Cu 2 (aq)
2e
Cu (s)
EFe
0.44 V
ECu
0.34 V
El Fe tender a oxidarse (nodo) y el Cu a reducirse (ctodo).
250
Ediciones Paraninfo
Fe2
(aq)
2e
Fe (s)

Bloque 3
Epila
ECu
EFe
(0.34 V)
( 0.44 V)
0.78 V
Pila Ag-Cl2
Ag (aq)
Cl2 ( g )
e
2e
Ag (s)
2Cl (aq)
EAg
0.80 V
ECl
1.36 V
La Ag se oxida y el Cl2 se reduce.

Epila
ECl 2
EAg
(1.36 V)
(0.80 V)
0.56 V
23.3. La f.e.m. estndar de la pila formada por electrodos de Ti/Ti2+ y de Ag/Ag+

es de 2.43 V,
siendo el electrodo de plata el polo positivo. Calcule el potencial estndar del e
lectrodo de titanio.
0.80 V .
Dato: EAg
Las semireacciones de la pila son:
Ag
(aq)
Ag (s)
EAg
0.80 V
Ti3 (aq)
3e
Ti (s)
Como la Ag es de los metales ms nobles, el Ti debe ser el que actue como nodo (se
oxide); es
decir, su potencial estndar ha de ser inferior al de la Ag. Como, adems en el enun
ciado se indica
que la f.e.m. de la pila vale 2.43 V, esto slo ser posible si el potencial estndar
del Ti tiene un
valor negativo ( ETi
x V ). Con esto, la f.e.m. de la pila ser:
Epila
2.43 V EAg
ETi
(0.80 V)
Despejando:
x
x)
1.63 V
ETi
1.63 V
23.4. La espontaneidad de una determinada reaccin de corrosin puede conocerse a pa
rtir
del valor de la energa libre de esta. Indique si el Fe y la Ag se corroern en cido
clorhdrico
diluido y determine cul es la energa libre de las reacciones involucradas
Datos: Tome los valores necesarios de la Tabla 23.1 y F
96485 C
mol 1 .
Caso del Fe
Ediciones Paraninfo
Para el caso del hierro, las semireacciones de la pila seran:
Fe2
2H
(aq)
(aq)
2e
2e
EFe
0.44 V
EH 2
0 V
251
Fe (s)
H 2 ( g )
Captulo 23
El Fe se oxida y el H2 se reduce.
La reaccin global de la pila ser:
Fe (s )
2H ( aq )
2e
H 2 ( g )
Fe 2
( aq )
2e
Y su f.e.m:
E pila
EH 2
EFe
(0 V)
0.44 V) 0.44 V
As pues:
G
n
F
Epila
(96 485 C
mol
(2)
1 )
(0.44 V)
84 906.8 J
mol
Por lo que el Fe se corroer.

Caso de la Ag
Las semireacciones de la pila son:
Ag (aq)
2H (aq)
e
2e
Ag (s)
H2 ( g )
EAg
0.80 V
EH 2
0 V
La Ag se reduce y el H2 se oxida.
La reaccin global de la pila ser:
2Ag ( aq )+ H 2 ( g )
2 e
2Ag (s )
2H
( aq )
2 e
Y su f.e.m:
E pila
EAg
EH 2
(0.80 V)
(0 V)
0.80 V
Por tanto:
G
(1)
n
F
Epila
(96 485 C
mol
1 )
(0.80 V)
77188 J
mol
es decir, la Ag no se corroer.
Segn la Expresin (23.11) aplicada al caso de la plata:
252
Ediciones Paraninfo
23.5. Calcule, de acuerdo a la ecuacin de Nernst, el potencial de una semipila fo
rmada por
una disolucin de 20 g de Ag+ en 1 L de agua, a la temperatura de 25 C.
Datos: M (Ag) = 107.87 g/mol, tome los valores necesarios de la Tabla 23.1,
F 96485 C
mol 1 y R 8.314 J
K 1
mol 1 .

Bloque 3
0
RT
[Ag ]
EAg
EAg
ln
nF
[Ag ]
La semireaccin de reduccin es:

Ag
(aq)
Ag (s)
EAg
0.80 V
por lo que el n de la ecuacin de Nerst vale 1.
Por convenio, [Ag 0 ]
1 mol
L 1 . Con los datos del problema, la concentracin de io
nes Ag sera:
g 1 mol
[Ag ]
20
0.185 mol
L 1
L 107.87 g
Sustituyendo todos estos valores en la ecuacin de Nerst:
RT
EAg
EAg
nF
0.757 V
0
(8.314 J
[Ag ]
mol 1 )
(298 K)
(1 mol
L 1 )
(0.80 V)
ln
ln
1
(1)
(96 485 C
[Ag ]
(0.185 mol
mol 1 )
L )
23.6. La semipila del problema anterior se une a otra formada por un electrodo d
e Na en una
disolucin 2 M de iones Na+. Determine a qu temperatura se genera un potencial de 3
.42 V.
Datos: Considere los valores necesarios de la Tabla 23.1, F
96485 C
mol 1 y
R 8.314 J
K 1 mol 1 .
Las semireacciones de reduccin seran:
Ag
Na
(aq)
(aq)
e
e
Ag (s)
Na (s)
EAg
0.80 V
EAg
2.71 V
Por tanto, el Na tender a oxidarse (nodo) y la Ag a reducirse (ctodo). La reaccin gl
obal y la
f.e.m. en la pila sern:
Na (s) + Ag
Epila
(0.80 V)
(aq)
Na
(aq)
( 2.71
V) 3.51 V
Ediciones Paraninfo
RT
T
Epila
ln
[Na ]
Epila
nF
[Ag ]
Epila
Epila
nF
[Na
ln
[Ag ]
Sustituyendo valores
253
Ag (s)
Captulo 23
(3.51 V)
438.75 K
165 C
T
(3.42 V)
(1)
(96 485 C
mol 1 )
1
(2 mol
L )
(8.314 J
mol 1 )
ln
1
(0.185 mol
L )
23.7. Un depsito cilndrico de hierro de 100 cm de altura y 50 cm de dimetro (y abie

rto por
su parte superior) contiene agua hasta su nivel mximo, y muestra una prdida de mas
a, por
corrosin uniforme del interior del depsito, de 200 g de hierro tras un mes.
a) Determine qu intensidad de corriente de corrosin se produce en el proceso.
b) Establezca cul es la densidad de corriente.
Datos: M (Fe) = 55.85 g/mol y F
96485 C
mol 1 .
a) La Expresin (23.13) relaciona la prdida de masa con la intensidad de corriente:
m
I t M
I
nF
n mF
(2)
(200 g)
0.266 A
t M
(1 30
24
(96 485 C
3600 s)
mol 1 )
(55.85 g
mol 1 )
b) La densidad de corriente, J, ser:

I
I
(0.266 A)
1.51 10 5 A
cm 2
J
A
Dh
D 2 4
(50 cm)
(100 cm)
(50 2 cm 2 ) 4
23.8. Si el depsito del ejercicio anterior se corroyese a una velocidad de 500 g/

(m2ao), indique cul tendra que ser el espesor necesario del hierro para que dicho de
psito perdurase al
menos dos aos.
Dato: (Fe) = 7.81 g/cm3.
Al cabo de dos aos, la masa perdida por unidad de rea ser:
m
g
500 2
2 aos
A
m
1000 g
0.1 g
cm
ao
Como indicaban, en el problema anterior, que el proceso de corrosin es uniforme,

podemos suponer que la masa se perder uniformemente por todo el depsito. Por tanto
, la masa perdida supondr
una reduccin del espesor de:
e
m
1
g
1
0.1 2
0.0128 cm
A (Fe)
cm 7.81 g
cm 3
Ediciones Paraninfo
De modo que el espesor de la chapa debera ser superior a 0.128 mm.
254

Bloque 3
23.9. Dos piezas de Zn y Ni forman un par galvnico, que se corroe con una densida
d de corriente en el ctodo de 0.02 A/cm2.
a) Calcule la masa andica que se corroe cada hora si el rea del ctodo es 1 cm2 y el
rea del
nodo es de 10 cm2
b) Determine cul sera la masa corroda con un ctodo de 10 cm2 y un nodo de 10 cm2.
Datos: Considere los valores necesarios de la Tabla 23.1, M (Zn) = 65.38 g/mol y
F 96485 C
mol 1 .
a) Consultando la Tabla 23.1
Ni 2 (aq)
2
Zn (aq)
ENi
EZn
2e
2e
Ni (s)
Zn (s)
0.25 V
0.76 V
Segn esto, el Zn se oxida, es decir es el nodo, y el Ni es el ctodo.

J
I
I
(0.02 A
cm 2 )
(1 cm 2 )
0.02 A
A
m
I
t M
nF
(0.02 A)
(3600 s)
(65.38 g
2.44 10 2 g 24.4 mg
(2) (96 485 C
mol 1 )
mol 1 )
b) Si el ctodo tuviera un rea de 10 cm2:

I J
m
I
(0.02 A
cm 2 )
(10 cm2 )
0.2 A
t M
nF
(0.2 A)
(3600 s) (65.38 g
24.4 10 2 g 244 mg
(2) (96 485 C
mol 1 )
mol 1 )
23.10. Una pieza de Fe es protegida con un nodo de sacrificio de Mg. Si la intens

idad de corriente entre ambos metales es de 0.1 A, determine qu masa de Mg es nec
esaria para evitar la
corrosin de la pieza de Fe durante cinco aos.
Datos: M (Mg) = 24.31 g/mol y F
96485 C
mol
1 .
Ediciones Paraninfo
m
I t M
nF
(0.1 A)
(5 365
24
3600 s)
1986.4 g
(2)
(96 485 C
mol 1 )
(24.31 g
mol 1 )
23.11. Una chapa de Al de 1mm de espesor se corroe mediante picaduras con forma
cilndrica
de 0.5 mm de dimetro, actuando una densidad de corriente en la base de la picadur
a de valor
1103 A/cm2. Calcule el tiempo que tardarn las picaduras en atravesar la chapa.
Datos: M (Al) = 24.31 g/mol,
(Al) = 2.7 g/cm3 y F
96485 C
mol 1 .
255
Captulo 23
Para que las picaduras cilndricas atraviesen la chapa de Al de 1 mm de espesor, l
a altura de dichos
cilindros debe ser de 1 mm. Esto supondra que la masa que ha de perderse es:
m (Al)
V (Al)
h D 2
4 (2.7 g
cm 3 )
(0.1 cm) (0.05 cm)2
4 25.3 10 4 g
Adems, la intensidad de corriente ser:
I J
A
J
D 2 4
(1 10 3 A
cm 2 )
(0.05 cm)2 4
El tiempo para consumir esta masa puede calcularse mediante:
1.96 10 6 A
t
n mF
IM
(3)
(5.3 10 4 g)
3219703.6
s 37.26 das
(1.96 10 6 A)
(96 485 C
(24.31 g
mol 1 )
mol 1 )
23.12. Una muestra de cromo se oxida al aire a 800

e crecimiento de la pelcula de xido (x02 = c1t).
.866 mg al cabo
de 10 h. Calcule, tras 10 das de oxidacin:
a) La ganancia en peso.
b) El espesor de la capa de xido formada.
Datos: M (Cr) = 52.00 g/mol, M(O) = 16.00 g/mol y
a) Como indican que el crecimiento del xido sigue
de 10 h la
ganancia en peso es de 0.866 mg:
0.866 2 mg 2 c1 10 h
c1 0.075 mg 2
h 1
C mostrando una ley parablica d

Se mide una ganancia en peso de 0
(Cr2O3) = 5.22 g/cm3.

una ley parablica, y que al cabo
Tras 10 das de exposicin:

x0
c1
(0.075 mg 2
18 mg 2
1 )
(10
24 h)
4.24 mg
b) La ganancia en peso es de oxgeno, por lo que debemos calcular la cantidad de C

r2O3 formada
con 4.24 mg de O:
4.24 mg O
1 mol O 1 mol Cr2 O3 2
(52.00 g
mol 1 )
(16.00 g
mol 1 )
13.43
16.00
3 mol
1 mol
mg Cr2O3
g
O
Cr2O3
Esta masa representa un espesor por unidad de rea de:

(13.43
m
m
e
10 3 g Cr2 O3 )
2.57 10 3 cm
A e
A
(1 cm2 )
(5.22 g
Ediciones Paraninfo
256
cm 3 )

Bloque 3
23.13. Determine las relaciones de Pilling-Bedworth para la Ag, el Zr y el Sn, i
ndicando la
capacidad de sus xidos de ser o no protectores.
Datos: M (Ag) = 107.87 g/mol, M (Zr) = 91.22 g/mol, M (Sn) = 118.71 g/mol, M (O)
=
16.00 g/mol,
(Ag) = 10.5 g/cm3,
(Zr) = 6.5 g/cm3,
(Sn) = 7.3 g/cm3,
(Ag2O) = 7.1 g
/cm3,
(ZrO2) = 5.6 g/cm3 y
(SnO) = 6.4 g/cm3.
La relacin de Pilling-Bedworth (RPB), viene dada por la Expresin (23.25):
RPB
volumen de xido M x (a
x ) M x
volumen de metal
aM m x
Mm m
Ag
Para el caso de la plata, se formar Ag2O, por lo que el parmetro a de la RPB valdr
2.
(Ag)
RPB
M x m
M(Ag 2O)
aM m
x 3
(Ag)
M(Ag)
(2 107.87 g
1.59
3 (107.87 g
(Ag 2 O)
mol 1 +16.00 g
mol 1 )
(7.1 g
mol 1 )
(10.5 g
cm 3 )
cm 3 )
Como 1 < RPB (Ag) < 2, el xido formado es protector.

Zr
Se formar ZrO2, por lo que a = 1.
(Zr)
RPB
M x m
M(ZrO2 )
aM m
x 1
(Zr)
M(Zr)
(ZrO2 )
(91.22 g mol 1 +2 16.00 g mol 1 ) (6.5 g

1.57
1 (91.22 g
mol 1 )
(5.6 g cm 3 )
cm 3 )
Como 1 < RPB (Zr) < 2, el xido formado tambin ser protector.
Sn
En este caso se formar SnO, por lo que el parmetro a de la RPB valdr 1.
(Sn)
RPB
M x m
M(SnO)
aM m
(Sn)
x 3
M(Sn)
(SnO)
(118.71 g mol 1 +16.00 g

mol 1 ) (7.3 g
1.29
3 (118.71 g
mol 1 )
(6.4 g cm 3 )
cm 3 )
Ediciones Paraninfo
Como 1 < RPB (Sn) < 2, de nuevo, el xido es protector.
257

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23. Propiedades qumicas de los materiales..........

conclusin de la resolucin. No debe olvidarse que, en muchos casos, el inters de cie

2.2. Escriba en notacin de ndices de Miller todas las direcciones de la familia de

[1 0 1], [ 1 0 1], [1 1 0], [ 1 1 0], [0 1 1], [0 1 1]

La escala atmica de los materiales

Punto inicial: (1, 1, 0)

Punto inicial: (0, 0, 1/2)

Punto inicial: (0, 1, 1/3)

2.5. Dibuje en celdillas cbicas los siguientes planos cristalogrficos:

La escala atmica de los materiales

El producto escalar de dos vectores viene dado por a

vector director = 1/2 i 1/2 j + k

La escala atmica de los materiales

La direccin [11 1] estar contenida en el plano si forma 90 con el vector normal de

vector director = 1/2 i +1/2 j 1/2 k

La escala atmica de los materiales

Dividiendo 80 entre 4, y 40 entre 8 (para tener en cuenta que a = 4 nm y b = 8 n

El ngulo formado por las direcciones [1 1 0] y [4 1 0], sin olvidar considerar qu

(16, 8, 0) , de modo que:

2.16. (Avanzado) Represente las direcciones [ 2110 ] y [ 1121 ] y los planos ( 1

de celdillas, los puntos de corte con los ejes coord

La escala atmica de los materiales

La escala atmica de los materiales

Para la estructura HC, la arista de la base, a, satisface que a

Para la estructura CCI:

La escala atmica de los materiales

Concentracin atmica superficial en el (1 1 1)

La escala atmica de los materiales

La distribucin atmica que veramos en la direccin que marcan las

Si se supone una estructura HC:

La escala atmica de los materiales

3.11. El hierro es un metal que presenta dos transformaciones alotrpicas. En una

(1 mol / 6.022 1023 tomos )

c) La masa de una celdilla de FeCCC completamente pura ser:

La escala atmica de los materiales

c) Densidad de una solucin slida 90Fe-10Al (SSS)

As pues, qu volumen ocuparn

tomos en la solucin SSS?

por lo que la densidad terica:

La escala atmica de los materiales

El parmetro de red de la aleacin puede suponerse aproximadamente igual al del Fe p

Por lo tanto, la densidad de la nueva aleacin queda:

1022 tomos cm3

1021 tomos cm3

La escala atmica de los materiales

lo que pasado a porcentaje en masa:

Por tanto, el valor calculado experimentalmente difiere del terico en un 0.2 %.

masa) suponiendo (a) q

a) Si se supone que el parmetro de red de la solucin slida sustitucional no vara:

1022 tomos Al)

Por tanto, el parmetro de red de la SSS:

La escala atmica de los materiales

La escala atmica de los materiales

4.4. La variedad esfalerita del sulfuro de zinc es un slido cristalino de simetra

. Por lo tanto, la concentracin de iones S2- a lo la

La escala atmica de los materiales

4.6. Calcule la concentracin atmica del ZnS (wurtzita).

La concentracin atmica de iones S2- o Zn2+, resulta:

Tomaremos como base de clculo 1 unidad de Al2O3.

De modo que la fraccin de empaquetamiento volumtrico resulta ser:

La escala atmica de los materiales

23. Propiedades qumicas de los materiales..........