Vous êtes sur la page 1sur 49

Gnralits sur les

transistors jonctions.

Introduction
le Transistor = llment clef de llectronique
il peut :
amplifier un signal (.amplificateur de tension, de
courant, de puissance,...)
tre utilis comme une source de courant
agir comme un interrupteur command ( = mmoire
binaire) essentiel pour llectronique numrique
...
il existe :
. soit comme composant discret
. soit sous forme de circuit intgr, i.e. faisant partie dun circuit
plus complexe (AO = qlqs transistors, Microprocesseur = qlqs
quelques millions de transistors par circuit)

I - Structure
Le transistor bipolaire NPN est un matriau semiconducteur (Si, Ge, etc..) constitu de trois rgions :
Lmetteur dop type n
La base dope type p
Le collecteur dop type n

Type p

Emetteur

Type n

Collecteur

Type n

Base

Lmetteur est une rgion fortement dope. Son rle est


dmettre ou dinjecter des porteurs de charge majoritaires
(lectrons dans le cas du transistor npn et trous dans le cas du
pnp).
La base est une rgion faiblement dope et assez mince pour
permettre la majorit des lectrons mis par lEmetteur darriver
au collecteur o ils sont collects. Le collecteur est la rgion la
plus large.

Emetteur

p
n

Base

Collecteur

Suivant le type de dopage On distingue


deux types de transistors :

La flche reprsente le sens physique du courant

Le transistor se compose donc de trois


lectrodes (triple).
Symbole du transistor:

C
B

B
E
Tr. npn

E
Tr. pnp

La flche reprsente le sens rel du courant Emetteur.

En fonctionnement normal, la jonction


Emetteur / Base (dans un transistor npn)
est polarise dans le sens direct, la
jonction Base / collecteur dans le sens
inverse. Les lectrons proviennent de
l'metteur (mission), traversent la base
et sont envoys vers le collecteur
(collection des lectrons).

Malgr que le transistor possde trois


contacts, il est toujours considr
comme un quadriple dans lequel
deux bornes sont mises en commun,
(une borne d'entre et une de sortie
sont relies).
De ce fait , on obtient trois modes de
montages diffrents :

Montage en metteur commun

i2=iC
C

Entre entre B et E
Sortie entre C et E

i1=iB

B
v2=vCE

v1=vBE
E

Montage en base commune


Entre entre E et B
Sortie entre C et B

i1

i2

v1

v2
B

Montage en collecteur commun


Entre entre B et C
Sortie entre E et C

i1

v1

i2
v2

II - Le rseaux de caractristiques statiques.


Prenons l'exemple trs frquent du montage en
metteur commun.

IC
IB
VBE

Q1

VCE

IC
IB
VBE

Entre :

VBE

IB

Q1

VCE

Sortie :

VCE

IC

La notation en majuscules signifie qu'il s'agit de courants


et tensions continus.
On peut distinguer quatre rseaux de caractristiques statiques:

Ic = f(VCE) pour diffrentes valeurs de IB


Ic = f(IB) pour diffrentes valeurs VCE.
VBE = f(IB) pour diffrentes valeurs de VCE.
VBE = f(VCE) pour diffrentes valeurs de IB.
IC
IB
VBE

Q1

VCE

En reprsentant ces quatre rseaux de


caractristiques sur un mme diagramme, on obtient:

Observations:
- Les caractristiques reprsentes par les courbes IC = f(IB) sont
confondues quelque soit la valeur de VCE.
- IC = IB ; reprsente le gain en courant statique du transistor.
Cest une des principales proprits des transistors jonctions
IC est trs suprieur IB ( IC>> IB ; fois suprieur que IB)
- Les courbes IB = f(VBE) sont confondues pour toutes valeurs de
VCE en effet :

qVBE
I B I 0 exp
KT

Cette quation nest autre que la caractristique dune jonction PN


polarise dans le sens passant, en effete il sagit ici de la jonction
metteur/Base qui est polarise en direct.

III - Point de fonctionnement:


Il sagit de fixer un point de fonctionnement de telle
sorte que le fonctionnement en dynamique du
transistor soit le plus interessant possible. Ce point de
fonctionnement est reprsent sur le rseau des
caractristiques , il correspond IB0, VBE0, IC0 et
VCE.
Dans le fonctionnement en dynamique, IB0, VBE0, IC0
et VCE vont osciller autour du point de
fonctionnement. Ces oscillations sont des petites
variations de courants ou de tensions qui sont
fonctions du temps, elles sont notes en minuscules :
ib, vbe, ic et vce. Pour ces petites variations le
transistor se comporte comme un quadriple avec :

(v1, i1) = (vbe, ib) paramtres dente.


(v2, i2) = (vce, ic) paramtres de sortie
v2 =ic
i1 =ib

Q1

v2 vce
=
v1 vbe
=

Caractristiques statiques dun transistor


Point de fonctionnement
Paramtres hybrides

Pour ces petites variations le transistor se comporte comme


un quadriple avec :
(v1, i1) = (vbe, ib) paramtres dente.
(v2, i2) = (vce, ic) paramtres de sortie

v2 =ic
i1 =ib

Q1

v2 vce
=
v1 vbe
=

On peut crire ic et vbe en fonction de ib et vce,


soit encore i2 et v1 en fonction de i1 et v2,
en utilisant les paramtres hybrides :

v1 h11i1 h12v 2

i2 h21i1 h22v 2
Les paramtres hybrides sont les caractristiques du
transistor dans le fonctionnement en dynamique. On
peut les dterminer partir du rseau des
caractristiques statiques du transistor.

i2
h22
v2

quand i1 = 0 : cest la conductance vue de


la sortie quand lentre est en circuit
ouvert.

On peut crire aussi

I C
h22
VCE

Quand IB est constant, cest dire


h22 est donc la pente de la
caractristique IC = f(VCE) au
voisinage du point de fonctionnement

Caractristiques statiques dun transistor


Point de fonctionnement
Paramtres hybrides

i2
h21
i1
I C
h21
I B

quand v2 = 0 : cest le
gain en courant lorsque la
sortie est court circuite

VCE cste

Cest donc la pente de la fonction IC = f(IB) au


voisinage du point de fonctionnement,
not ; h21 =

h21 est

v1
h11
i1

v2 0

Cest limpdance dentre


quand la sortie est en court
circuit

On peut crire aussi :

VBE
h11
I E

quand VCE est constante, cest donc la


pente de la caractristique VBE = f(IB)
au voisinage du point de
fonctionnement.

v1
h12
v2

i1 0

Cest linverse du gain


en tension quand
lentre est en circuit
ouvert.

On peut lcrire aussi sous la forme

VBE
h12
VCE

quand IB est constant, cest la pente


de la caractristique VBE = f(VCE) au
voisinage du point de
fonctionnement.

Remarques :

Les paramtres hybrides hij dtermins ci-dessus


correspondent au cas du transistor mont en
metteur commun. Ceux qui interviennent dans les
deux autres types (base commune et collecteur
commun) sont diffrents. Ils peuvent tre dtermins
soit par les tracs des caractristiques base commune
ou collecteur commun, soit par un calcul qui permet
de les exprimer en fonction des paramtres hybrides
en metteur commun.
Les grandeurs VBE, VCE, IB et IC sont de mme signe
dans le montage en metteur commun, elles sont
positives dans un transistor de type npn et ngatives
dans le cas du pnp.

IV Circuits de polarisation
On prendra lexemple du transistor npn mont en
metteur commun, lavantage dun tel montage
est le suivant :
les tensions VBE et VCE sont de mme signe
la polarisation complte du transistor (jonction BE
et jonction CE) pourra tre obtenue partir dune
seule source dalimentation continue.

1)Schma du circuit de polarisation


Il sagit de polariser le circuit Collecteur
Emetteur laide de la tension continue VCC
et dune rsistance RC monte en srie sur le
collecteur.
La jonction Base / metteur est polarise
laide dune deuxime source dalimentation
VBB et dune rsistance en srie RB.
Lmetteur est reli directement la masse
du montage.

RC
IB RB
VBB

IC
VCC

Il est possible de modifier ce montage pour utiliser


une seule source dalimentation, il suffit de brancher la
rsistance RB entre la base et le ple positif de la
source VCC et de lajuster pour obtenir le courant de
polarisation de base IB dsir.

Le montage devient donc :

RC
IB

RB

IC
VCC

Lapplication de la loi dohm


permet dcrire :
VCC = RCIC+VCE soit

VCC VCE
IC

RC
RC
Cette quation IC = f(VCE) correspond une droite de
pente -1/RC et dordonne lorigine VCC/RC. Cette
droite sappelle la droite de charge statique du
transistor. Le point de fonctionnement P est situ sur
cette droite.
En pratique, on fixe le point de fonctionnement IC0,
VCE0 au milieu de la droite de charge statique, c'est-dire on fixe la valeur
VCC
VCE 0
2

IC

VCC

VCE

RC et VCC dterminent la droite de charge statique,


tendis que RB fixe la position du point de
fonctionnement sur cette droite. En ajustant RB, on
fait dplacer le point P sur la droite de charge statique.

IC

VCC
RC

VCC

VCE

RC et VCC dterminent la droite de charge statique, tendis


que RB fixe la position du point de fonctionnement sur
cette droite. En ajustant RB, on fait dplacer le point P sur
la droite de charge statique.

En reportant la droite de charge statique et le point de


fonctionnement sur le diagramme des caractristiques du
transistor on peut dterminer graphiquement les valeurs de
IC0 VCE0 IB0 et VBE0 du point de fonctionnement.

2) Polarisation par pont diviseur de tension.


Le circuit le plus utilis, est un montage pont
diviseur de tension ralis laide de deux
rsistances R1 et R2. Ce pont assure donc la
polarisation de la base. On ajoute une
rsistance RE entre lmetteur et la masse,
cette rsistance permet de stabiliser le systme
en limitant les effets thermiques.
R1
IB

RC
IC

VCC
IE

R2

RE

R1
IB

RC
IC

VCC
IE

R2

RE

Sur le rseau des caractristiques, on peut remarquer que le


courant IC est pratiquement proportionnel IB ; on crit IC= IB
avec identique au paramtre hybride h21.
est de lordre de 50 300, donc IB<<IC ce qui permet
dcrire : IE

= IB + IC I C

IE tant le courant qui circule dans la rsistance RE.

En appliquant la loi dohm au circuit Collecteur-Emetteur, on peut


crire :

VCC = RCIC + VCE + REIC soit


VCE
VCE
IC

RC RE RC RE
Cest lquation de la droite de charge
statique avec la rsistance

RE.

VCC
RC RE

PCC
V

VCC
RC RE

IC

VCC

VCC
RC RE

Et lordonne lorigine

VCE

1
RC RE

La pente de la droite de
charge est donc

Le point P qui appartient cette droite sera fix par


la polarisation du circuit Base/Emetteur, c'est--dire
par lajustement des rsistances R1 et R2.

Remarque :
Lorsque lmetteur est directement li la
masse, limpdance vue entre la base et la
masse est limpdance de la jonction B-E.
Cette impdance est dune valeur faible
do la ncessit de la polarisation de la
base en courant.

Dans le cas de la rsistance RE, limpdance


entre la base et la masse est :

VBE RE I C VBE
I C VBE

RE

RE
IB
IB
IB
IB

Elle est donc gale limpdance de la


jonction B-E

V BE
IB

augmente de

RE ( de lordre 200 si on prend une


faible RE=100 ) RE = 10K.
Donc lintroduction de RE entre lmetteur et la masse
augmente considrablement limpdance entre la base et la
masse, elle passe de lordre de 1 k 10 k . Ceci
explique pourquoi il nest pas ncessaire de polariser la
base en courant, un diviseur de tension (R1, R2) est donc
suffisant.

Daprs le thorme de Thvenin on a :

R1

RC

RC
RB

VCC
R2

VBB

RE

VCC
RE

Avec

VBB VCC

R2
R1 R2

et RB = R1//R2 =

R1 R2
R1 R2

En rsum : VCC, RC et RE fixent la


droite de charge statique, tendis que
R1 et R2 fixent la position du point
de fonctionnement sur cette droite.

Exemple :
R1 = 22k
R2 = 6,8k
RE = 470
RC = 1k
VCC = 15 V
= 250

R1
IB

RC
IC

VCC
IE

R2

RE

1) Dterminer le point de fonctionnement


2) comment peut on ramener le point de repos au milieu de
la droite de charge statique

R1

RC

RC
VCC

R2

VCC

VBB

RE

VBB VCC

RB

R2
R1 R2

RE

VBB=3,54 V

VBB = 0,6+REIC = 0,6 + 470IC


valeur de VBE)
Donc IC = 6,25 mA

; (0,6 tant la

VCE = VCC (RC+RE) IC = 5,8 V

VCE = VCC (RC+RE) IC = 5,8 V

IC
10mAV

P
6,25mA

5,8V

15V

VCE

2) Si on veut fixer P au milieu de la droite de


charge statique, il faut ramener VCE = 7,5 V
soit :

15 7,5
IC =
= 5,1 mA
1470

Dans ce cas on aura : VBB = 0,6 + 470.5,1.10-3


Soit VBB = 3 Volts.
Il faut donc ajuster (R1, R2), en gnral R2. Pour avoir
cette valeur on trouve R2 = 5,5 k

VBB VCC

R2
R1 R2

VBB R1
R2
VCC VBB

=> VBBR1 +VBBR2 = VCCR2


soit R2 = 5,5 k.