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G.P.

DNS05

Octobre 2010

DNS
Sujet
Effet Hall et magntorsistance............................................................................................................1
I.Loi d'Ohm.......................................................................................................................................1
II.Champ magntique propre............................................................................................................2
III.Loi d'Ohm en prsence de champ magntique extrieur.............................................................2
IV.Influence de la gomtrie............................................................................................................3
V.Disque de Corbino........................................................................................................................4

Effet Hall et magntorsistance


On donne les constantes physiques suivantes :
Charge lmentaire
e=1,6 .1019 C
me =0,91 .1030 kg
Masse de l'lectron
Vitesse de la lumire dans le vide
c=2,997792 458. 108 ms1 3. 108 ms1
Permabilit du vide
0=4 .107 SI
2
Permittivit du vide
0=1/0 c
Constante de Planck
h=6,626 .1034 J.s

I. Loi d'Ohm
On se propose d'tudier les effets d' un champ magntique uniforme et stationnaire sur les
proprits lectromagntiques d'un matriau semi-conducteur.
Le milieu matriel, lectriquement neutre, est dcrit comme un ensemble d'lectrons ( de charge
e ) voluant au sein d'un rseau constitu de charges positives fixes. Les interactions de ces
lectrons "de conduction" avec le milieu sont entirement prises en compte en leur affectant une
masse effective m (diffrente de celle me d'un lectron dans le vide) et en introduisant une force
de "frottement" d'expression v , o est un coefficient positif, caractristique du milieu : la
vitesse v dcrit la drive moyenne de l'ensemble des lectrons par rapport au rseau sous l'action
d'un champ lectromagntique
E,
B .
On considre ici un chantillon paralllpipdique dont le volume est dlimit par les plans
x=0 , x= L , y=0 , y=l , z =a/ 2 et z =a /2

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1. Dans ce matriau, on applique un champ lectrique


E stationnaire. crire l'quation vectorielle
du mouvement d'un lectron anim d'une vitesse v .
2. A un instant pris comme origine, ce champ est brusquement annul, Dduire l'volution ultrieure
de la vitesse de l'lectron et donner une signification physique au coefficient =m/ .
3. En rgime stationnaire, montrer qu'en prsence d'un champ lectrique
E , le courant volumique
j vrifie bien la loi d' Ohm. En dduire la conductivit lectronique en fonction de e ,
, m et de la densit volumique n des lectrons de conduction.
4. Dans un matriau semi-conducteur, tel que l'arsniure de gallium GaAs dop au silicium, la
conduction est assure par des lectrons dont la masse effective m est 0,06 me . Sachant qu'
trs basse temprature la valeur de la conductivit vaut =100 S. m1 , calculer pour
24 3
n=10 m .

II. Champ magntique propre


Un courant de densit volumique stationnaire circule paralllement l' axe Ox : j= j ux .
L'paisseur a tant faible devant les dimensions latrales L et l , l'chantillon est assimil une
nappe de courant uniforme d'extension latrale infinie et d'paisseur a .
5. A l'aide des symtries d'une telle distribution, prciser l'orientation du champ magntique propre

b qu'elle cre en tout point de l'espace. Justifier le fait que ce champ est nul dans le plan
z =0 .
6. A partir de la forme locale du thorme d' Ampre, donner l'expression du champ magntique
propre
b . Trouver sa valeur maximale avec a=10 m et j=106 A.m2 .

III. Loi d'Ohm en prsence de champ magntique extrieur


L'chantillon est dsormais plong dans un champ magntique extrieur
B , uniforme et
B =B uz .
stationnaire, dirig selon Oz ,
7. crire l'quation diffrentielle vrifie par la vitesse v d'un lectron du matriau soumis la
force de frottement et ce champ magntique. Montrer que, lorsque tend vers l' infini. le
vecteur v est un vecteur tournant dont on prcisera le vecteur rotation. Calculer la norme c
de ce dernier, appele pulsation cyclotron, pour B=1T et m=0,06 me .
On prend en compte les effets d'un champ lectrique
E , parallle au plan Oxy , et du champ

B appliqu prcdent. On nglige le champ magntique cr par le milieu. Les effets


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d'amortissement sont toujours dcrits par la force de frottement v .


8. tablir, en rgime stationnaire, les relations liant les composantes j x et j y du courant
volumique aux composantes E x et E y du champ lectrique. Montrer qu'elles peuvent s'crire
E x = xx xy j x
sous la forme matricielle suivante:
dans laquelle : xx = yy=1/ et
yx yy j y
Ey
B
xy= yx =
.
ne

IV. Influence de la gomtrie


9. L'chantillon a la forme d'un ruban allong selon Oy : a L l . On applique une diffrence
de potentiel V entre les plans x=0 et x= L mtalliss. Le champ lectrique
E est

suppos uniforme : E =E ux .
Donner l'expression de la rsistance R0 d' un tel chantillon.
Quelle est la modification relative

R RR0
=
induite par le champ magntique (effet
R0
R0

de magntorsistance) ?
Calculer cette modification pour

B=1T , =100 S.m1 , n=1024 m3 .

10.L'chantillon a la forme d'un ruban allong selon Ox : a l L . Un courant stationnaire d'


intensit I circule selon cette direction avec un courant volumique uniforme : j= j ux .
Montrer que le champ lectrique possde alors une composante E y non nulle.
Donner l'expression de la diffrence de potentiel V H appele tension de Hall, qui apparat
entre les plans y=0 et y=l .
Calculer V H pour I =1 mA , a=10 m , n=1024 m3 et B=1T . Quel est l'intrt
d'un tel dispositif ?
11.Des mesures effectues trs basse temprature (quelques K) sur un chantillon de GaAs
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d'paisseur trs faible ( a=10 nm ), plac dans un champ magntique intense ( B de quelques
teslas), montrent que la composante xy varie en fonction de B par paliers. Cet effet,
dcouvert par Von Klitzing en 1980, porte le nom d'effet Hall quantique : la rpartition des
lectrons en niveaux d'nergie conduit crire la densit volumique des lectrons sous la forme :
n= p eB/ ah o p est un entier non nul et h la constante de Planck.
Montrer que, dans ce cas, la valeur de la rsistance transverse, dfinie selon Rt =V H / I ,
se met sous la forme : Rt =R K / p , R K tant une rsistance que l'on calculera.
Pourquoi la rsistance R K , appele constante de Klitzing, est-elle dsormais utilise
comme talon ?

V. Disque de Corbino
Un disque de Corbino est un conducteur ayant la forme dune couronne comprise entre deux
cylindres de mme axe, de rayons R1 et R2 R1 et dpaisseur a .
On maintient entre les deux cylindres une diffrence de potentiel constante U =V 1 V 2
imposant au champ lectrique
E une direction purement radiale.

R1

R2

a
Figure 3

12.Quel est l'expression du champ lectrique au sein du conducteur en fonction des donnes?
13.Dterminer sa rsistance R0
On impose en plus un champ magntique
B , uniforme et permanent, colinaire Oz . Le
champ
E reste radial.
14.Montrer que la densit de courant reste contenue dans un plan normal Oz .
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15.Montrer laide dune construction graphique reprsentant la relation vectorielle entre j ,

E ,
B , applique cette situation que les lignes de courant, planes, font un angle h avec
les lignes du champ
E . Dterminer tan h .
16.Dterminer en coordonnes polaires lquation des lignes de courant passant par un point de
coordonnes r =r 0 , =0 et z =constante . Quelle est leur forme?
17.Exprimer la composante radiale j r du vecteur densit de courant j en fonction de j 0
densit de courant obtenue sans champ magntique et de , n , e et B . En dduire
lexpression de la rsistance R de cette couronne en fonction de R0 sa rsistance sans champ
magntique et de , n , e et B .
18.Donner la variation relative de rsistance. Application numrique pour un champ intense
B=1T dans le cas du semi-conducteur tudi prcdemment.
19.Comment peut-on expliquer qualitativement cet effet de magntorsistance?

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