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CEFET-PR/DAELN/Prof. Dr.

A Pohl

Componentes de um Sistema de
Comunicao ptica
Sinal
Eltrico
tx

Fibra ptica
Emissor de
Luz

Sinal
Eltrico
rx

Fibra ptica
O/E

E/O
Regenerador
de Sinal

Emissor de
Luz

Receptor de
Luz

Receptor de
Luz
Amplificador
ptico

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LASER: princpio de
funcionamento
DEFINIO: Oscilador ptico
d

Realimentao

Meio Ativo

Sada
Entrada
Bombeamento

Espelho

Semi-Espelho

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Amplificador: princpio de
funcionamento
DEFINIO: Sistema Amplificado
d
Meio Ativo

Bombeamento
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Amplificao ptica: princpio


bsico
1) TOMO NO ESTADO NO-EXCITADO
E2
E1

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Amplificao ptica: princpio


bsico
2) TOMO NO ESTADO EXCITADO
E2
E1

BOMBEAMENTO
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Amplificao ptica
3) INCIDNCIA DE FTONS COM E = E2- E1
E2

E = h

E1

(Inverso de Populao)
BOMBEAMENTO
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Amplificao ptica
4) AMPLIFICAO
E2
E1

E = h

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Amplificador ptico:
caractersticas principais
GANHO

POTNCIA PTICA
LARGURA DE BANDA
NO-LINEARIDADE E SATURAO DE GANHO
RUDO
EFICINCIA (dB / mW)

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Amplificador ptico coerente


ideal
CARACTERSTICAS
Sistema Linear
Ganho constante na banda de freqncias
Variao de fase linear com a freqncia

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Amplificador ptico
(incoerente) real
CARACTERSTICAS
Sistema No Linear (Saturao)
Ganho varia na banda de freqncias
Fase varia com a freqncia
Rudo

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Tipos de Amplificadores pticos






Amplificadores a fibra dopada (Terras Raras)


Amplificadores pticos Semicondutores
Amplificadores Raman a fibra (espalhamento
Raman estimulado)
Amplificadores Brillouin a fibra (espalhamento
Brillouin estimulado)

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Faixa de Aplicao dos


Amplificadores pticos

Amplificao ptica a chave para a tecnologia DWDM


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Tabela Comparativa
Ganho de pequeno
sinal
Figura de rudo
Dependncia com
a polarizao
Diafonia entre
canais
Controlo intrnseco
da polarizao
Tamanho fsico
mdio
Custo

EDFA
30dB

EDWA
15dB

SOA
20dB

4 dB
0.5dB

4.5 dB
<0.1dB

6-7 dB
1.0dB

No

No

Alto

No

Sim

Sim

dezenas de
metros
Alto

milmetros

centmetros

Baixo

Baixo

Fig. 1 Tabela comparativa de amplificadores pticos

EDFA Erbium Doped Fiber Amplifier


EDWA Erbium Doped Waveguide Amplifier
SOA Semiconductor Optical Amplifier

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Amplificador ptico a
Semicondutor
Seja a equao de taxa que governa a densidade de portadores
n(t) no estado excitado da regio ativa:

d n(t )
n(t )
= Rb (t ) Rst (t )
dt
r

Rb(t)

(1)

w
Regio ativa

J (t )
qd
e Rst (t ) = a v g [n(t ) nL ] N f g v g N f

onde R b (t ) =

(2)

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Amplificador ptico a
Semicondutor
Rb(t) Taxa de bombeamento externo (injeno de corrente)
J(t) densidade de corrente
d espessura da regio ativa na juno PN
r constante de tempo de recombinao (emisso espontnea mais
transies no-radiativas)
Rst(t) Taxa lquida de emisso estimulada
vg velocidade de grupo da radiao propagante no amplificador
fator de confinamento ptico
a() constante de ganho dependente da frequncia
nL densidade de portadores de limiar
Nf densidade de ftons
g() coeficiente de ganho total por unidade de comprimento
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A densidade de ftons Nf calculada por:


Nf =

PS
(h )(w d )v g

PS potncia ptica do sinal de entrada


h - energia do fton
w d rea da regio ativa

No regime estacionrio tem-se:

d n(t )
n(t )
= 0 Rb (t ) = Rst (t ) +
dt
r

De a ( ) v g [n(t ) nL ]N f g v g N f
n(t ) =

g v g + nL a ( ) v g
a( ) v g

segue

(3)

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Substituindo Rb , Rst e n(t) na eq. do regime estacionrio, obtm-se:


J
n
g
= g vg N f + = g vg N f +
+ nL
r
qd
a

1
g v g N f +
a r

J nL
=

q d r

J
n
qd L
g0

r
g=
=
1 + ( a r ) v g N f
v g N f + 1

a r

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onde
J nL
g0
g 0 a( )
ou g =
N
qd r
1+ f
N sat
onde

N sat

1
a ( ) r v g

g coef. ganho no regime estacionrio por unidade de comprimento


Nsat densidade de saturao de ftons
g0 coef. ganho por unidade de comprimento na ausncia do sinal de
entrada (quando a densidade de ftons zero). Este fator
tambm conhecido como ganho de sinal zero ou
ganho de pequeno sinal.
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Ganho do Amplificador (ou


Ganho do Sinal)
G=

Pout
Pin

onde G tambm dado por :


G = exp[(g m )L ] exp[g ( z )L ]

(4)

Pout potncia ptica do sinal de sada do amplificador


Pin- potncia ptica do sinal de entrada do amplificador
fator de confinamento
gm coeficiente de ganho no material semicondutor
- coeficiente de absoro efetivo
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A uma distncia z da entrada da cavidade, g(z) ser:


g=

g0
g0
=
N
P (z )
1+ s
1+ f
Ps , sat
N sat

(5)

Ps, sat potncia ptica de saturao do amplificador


(potncia ptica interna para a qual g cai metade)
Observa-se que o coeficiente de ganho diminui com o aumento
da potncia ptica do sinal na cavidade.

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A variao da potncia ao longo da cavidade calculada como:


dP
= g (z ) Ps ( z )
dz
P (z ) d P
dP
g0
=
Ps ( z ) 1 + s
= g 0 dz

Ps
d z 1 + Ps ( z )
P
s
,
sat

Ps , sat
Integrando a equao acima de z = 0 a z = L, tem-se

1
1

+
P (z ) Ps, sat dP
0
Ps , in s

1
P
(Ps, out Ps,in )
g o L = ln Ps Ps , out +
s , in
Ps , sat
L

Ps , out

g 0 dz =

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Como G = Ps, out / Ps, in , obtm-se:

g o L = ln G +
G = 1+

Ps , sat
Ps , in

Ps , out
Ps , sat

Ps , in
Ps , sat

ou

G
ln 0
G

onde G0 = exp (g0 L)

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Curva Caracterstica de Ganho de Amplificadores


Regio de saturao

Ganho (dB)

3 dB

Regio de
ganho
unitrio

Ps, in

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Dependncia do Coef. de Ganho


em relao frequncia
g ( ) =

g0
2

1 + ( 0 ) T22 +

Ps

Ps , sat

(coeficiente de ganho)
g0 - valor de pico da curva de ganho
- frequncia do sinal ptico
0 frequncia da transio atmica
T2 - tempo relaxao dipolo (< 1 ps)
Ps - potncia ptica sinal amplificado
Ps, sat - potncia ptica saturao
Obs Na figura acima

Ganho : G = Pout / Pin


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Amplificador a Fibra Dopado


com rbio
Fibra Dopada
Sinal
Com rbio
= 1550 nm

Filtro

Acoplador
ptico
Laser de
Bombeamento
= 980 nm
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Estrutura dos Nveis de Energia


do on rbio (Er3+)
Banda de Bombeio

4I

11/2

Energia

Decaimento no radiativo (rpido)


Decaimento
Intrabanda (lento)
Absoro
980 nm

4I

13/2

Estado
Metaestvel

Emisso
espontnea
Emisso
estimulada
Absoro
1480 nm

Absoro
estimulada
4I

Notao
da Fsica Quntica:

15/2

Estado
Fundamental

2s+1  multiplicidade do spin do tomo


L  momento angular orbital
j  momento angular total

2s+1L
j
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EDFA: curva de ganho


Caractersticas
Regio Operao: 1550 nm
Larg. Banda: > 30 nm
Rudo: 3 - 5 dB
Eficincia: 11 dB/mW
com bombeio em 980 m

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Eficncia de Converso
A reduo do ganho ocorre quando a inverso de populao entre
os nveis de energia reduzida significativamente por um sinal
de nvel elevado.
Ps , out Ps , in +

Conservao de energia:

b
P
s b

onde b < s

e Ps, in << Pb

Ps, out potncia do sinal de sada do amplificador


Ps, in potncia do sinal de entrada do amplificador
Pb potncia de bombeio
s comprimento de onda do sinal amplificado
b comprimento de onda do bombeio
A quantidade de energia extrada do amplificador no pode ser maior do que a energia armazenada
pelo processo de bombeio.
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Fator de converso de energia


FCE =

Ps , out Ps , in
Pb

Ps , out
Pb

b
1
s

A eficincia quntica de converso de energia um parmetro


independente de .
EQC =

s
FCE eficincia mxima = 1
b

Reescrevendo a equao para Ps,out em termos do ganho do


amplificador (G = Ps,out /Ps,in) , obtm-se:
Ps , out
Ps , in

1+

b Pb
s Ps , in

G 1+

b Pb
s Ps , in
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Ganho do Amplificador
Quando

Ps , in >>

b
P
s b

(potncia do sinal de entrada grande)

ento o mximo ganho obtido unitrio (G = 1). O amplificador


transparente ao sinal.
Para se obter um ganho mximo para G, o sinal de entrada deve
obedecer a seguinte condio:
b Pb
b Pb
G 1

s Ps , in

Ps , in

s G 1

Exemplo: seja um EDFA com b= 980nm; Pb= 30 mW e


G = 20 dB @ 1550 nm
Ps , in (max )

980 30 103
= 190 W
1550 100 1
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Curvas de Desempenho do EDFA

Ganho

30
20
10
Pb= 4 mW

Pb= 3 mW
Pb= 1 mW

Pb= 2 mW

Comprimento de fibra (metros)


10

20

30

40

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Notas
Transio entre bandas 4I13/2- 4I15/2
E = 0,841 eV (1477nm)  do nvel superior do estado
metaestvel para o nvel inferior do estado fundamental
E = 0,814 eV (1527nm)  do nvel inferior do estado
metaestvel para o nvel inferior do estado fundamental
E = 0,775 eV (1600nm)  do nvel inferior do estado
metaestvel para o nvel superior do estado fundamental
Transio entre bandas 4I11/2- 4I15/2
E = 1,27 eV (980nm)  banda de bombeio

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Caractersticas de Ampl. Opticos


dopados com rbio

Ganho e Figura de Rudo (dB)

20
16
12

Figura de Rudo
Ganho

8
4
0
1522

1529

1536

1543

1550

1557

Com prim ento de onda (nm )

1564

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Rudo do Amplificador
Pout

Sinal
amplificado
Rudo ASE

980 nm
bombeio

1520 nm

1570 nm

O rudo de emisso espontnea amplificado (ASE Amplified


Spontaneous Emission) pode ser modelado como um fluxo
aleatrio de pulsos curtos e distribudo ao longo do meio de
amplificao.

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Rudo do Amplificador
A densidade espectral de potncia ASE expressa como:
S ASE ( ) = h nsp [G ( ) 1] =
onde n sp =

PASE
opt

n2
n2 n1

opt largura de banda ptica do amplificador


nsp fator de inverso de populao
N1 densidade da populao de ons excitados no estado 1
N2 densidade de populao de ons no estado excitado 2
nsp = 1 para amplificador ideal
Mas normalmente nsp 1 (entre 1,4 e 4)
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Contribuio da ASE para a SNR


No fotodetetor:

2
I f (Es + Erudo ) = Es2 + Erudo
+ 2 Es Erudo

Contribuio dos
batimentos

A potncia ptica incidente no fotodetetor ser*:


Prx = G Ps ,in + S ASE opt
2
itot

RMS

2
2
2
2
= shot
+ T2 + shot
ASE + sinal- ASE + ASE ASE

I2
R 2 G 2 Ps2,in
R Ps ,in
G
S
= 2f =


2
2 q opt 1 + 2 nsp (G 1)
itot
itot
N fotodeteto r

Vlida quando as contribuies do


batimento Ase-Ase e do rudo trmico forem desprezados.
*considerando-se o amplificador em frente ao RX

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Contribuio dos Mecanismos de


Rudo
F.O.
F.O.
(rudo interferomtrico)

Tx
Rudo de
Intensidade Relativa (RIN)
No-linearidades

Rx
AFO
Rudos de Batimentos:
Sinal ASE
Balstico ASE
ASE - ASE

Rudo
Balstico
Trmico

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Descrio dos Mecanismos de


Rudo
2
shot
= 2 q [R (GPin + S ASE opt ) + I e ] Rx

T2 = 4

K B T FnRx
Rx
RL

2
2
RIN
= FnRIN ,Tx (R Pin ) Rx

2
ASE
sinal
Rx
- ASE = 2 q R Pin Fn
ASE
2
2
balstico
opt Rx
- ASE = 2 q G Fn

2
ASE
ASE
) opt Rx
ASE = ( q G Fn
2

Fn ASE Figura de rudo do amplificador


Fn RIN, Tx Figura de rudo RIN do transmissor
Fn Rx Figura de rudo do pre-amplificador no Rx

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Exerccio:
Derive uma expresso para o SNR de um sistema composto por um transmissor, um amplificador ptico e
um receptor ptico considerando todas as contribuies de rudo existentes no sistema.
Simplifique posteriormente essa expresso, considerando, no caso do amplificador,
apenas a contribuio de rudo devido ao batimento entre o sinal e a emissso espontnea do mesmo.

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Cascata de Amplificadores
Tx

AFO
1 , L1

G1

AFO
2 , L2

Rx

AFO

G2

GN

N +1, LN+1

Pout ,1 = G1 Pin,1 = G1 PTx 10 1 L1


Pout , 2 = G2 Pin, 2 = G2 Pout ,1 10 2 L2 = G1 G2 PTx 10 1 L1 10 2 L2
M

Pout , N = GN Pin, N = G1 G2 KGN PTx 10 1 L1 K10 N LN

Vlida para amplificador ideal (sem rudo) e no regime linear.


Rudo na cascata de amplificadores:
Fnef = Fn1 +

Fn 2
F
FnN
+ n 3 + ... +
G1 G1 G2
G1 G2 L GN 1
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Tecnologias pticas: O estado da Arte


Advento dos Amplificadores pticos - 1990s - Amplificao direta
do sinal ptico sem converso para o domnio eltrico
EDFAs
Amplificadores operam independentemente da taxa, formato e comprimento de
onda (Espectro de Ganho do Amplificador)
EDFAgain (dB)

30
20
10
0
-10
1520

1530

1540

1550

1560

1570

wavelength (nm)

Tornou vivel a tecnologia DWDM


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Espalhamento Raman*
Figura: Transferncia de energia entre fton e molcula.
(a) processo Stokes e (b) processo anti-Stokes.

Quando um fton de energia Ef = E1 incide sobre uma molcula, ela


pode absorver a energia do fton e passar do estado vibratrio E0 para
o estado vibratrio E1. Se essa energia Ef for muito maior do que a
energia necessria para excitar a molcula at o nvel E1, a molcula
excitada at um nvel de energia superior, onde permanece por pouco
tempo por ser um estado instvel (virtual), e depois pode retornar at o
nvel E0 ou at o nvel E1.
Se ela retornar ao nvel E0, o fton liberado ter a mesma energia do
fton incidente. Se a molcula retornar ao nvel E1, parte da energia do
fton incidente fica armazenada na molcula em forma de vibrao e o
fton liberado ter uma energia igual a Ef - E1, portanto menor que a
energia inicial E1 (processo Stokes).
No processo anti-Stokes a excitao pode ocorrer entre o estado
excitado 1 e um estado vibratrio com nvel superior (estado V ), cujo
tempo de vida tambm curto. A transio pode ocorrer para um
estado com nvel de energia inferior a E1 (ou seja, para E0). Neste caso,
a energia do fton emitido ser igual soma da energia do fton
incidente e da energia correspondente diferena entre E1 E0
(processo anti-Stokes).
* C.V. Raman and K. S. Krishnan, A new type of secondary
radiation, Nature, vol. 121, p. 501, 1928.

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Espalhamento Raman
Estimulado
O espalhamento Raman pode ser gerado (estimulado) por uma onda com frequncia
apropriada (onda de bombeio). Neste caso, um foton de bombeio convertido em
um fton de sinal mais uma diferena de energia que corresponde a um fnon
(estado de vibrao) da rede cristalina.
Caractersticas
1) O ganho Raman possui uma forma espectral que depende da frequncia de
separao entre o sinal e o bombeio (mas NO de suas frequncias absolutas).
2) O ganho Raman no depende da direo relativa de propagao da onda
correspondente ao sinal e ao bombeio.
3) O espalhamento Raman um processo rpido, da ordem de subpicosegundos
(no h energia acumulada em estados superiores ou metaestveis).
4) Processo possui eficincia baixa, o que requer o uso de muitos quilmetros de
fibra.
5) O ganho Raman dependente da polarizao. O ganho mais intenso quando
a onda de bombeio e a onda de sinal possuem a mesma polarizao.
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Ganho Raman em xidos




Necessrio lasers de alta potncia


GeO2 xido de Germnio: larga seo
transversal de espalhamento Raman
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Amplificao Raman com apenas


uma onda de bombeio (b)
d Ps
= s Ps + C
d z

( s , b )[Pb+


d Pb
= b P b s
d z
b
P s potncia
da onda

P b potncia

da onda

+ Pb P s

C R ( s , b )P s P b

de sinal
de bombeio

coeficient

e de atenuao

da onda

de sinal

coeficient

e de atenuao

da onda

de bombeio

coeficient

e de ganho

Raman

P+  bombeio na direo copropagante


P-  bombeio na direo contrapropagante

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Ganho Raman (Fibra de Slica)




Espectro de ganho Raman para fibra de Slica


Ganho possui aspecto triangular, com valor de
pico entre 13 e 14 THz.
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Eficincia do Ganho Raman

Raman Amplification for Fiber Communications Systems,


Jake Bromage, J. Lightwave Technology, vol. 22, no. 1 pp. 79-93, 2004.

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Amplificadores pticos em
Efeito Raman


Amplificadores pticos Raman foram inicialmente


demonstrados na dcada de 80
Inexistncia de lasers de alta potncia para o
Bombeamento
Por qu Lasers de alta Potncia?
Para amplificar sinais de 1270 at 1670 nm
O prprio processo Raman produz lasers de alta
potncia.
Qualquer fibra pode servir de meio de amplificao.

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Configurao de Amplificadores
Configurao
Distribuda

Configurao
Discreta

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Amplificador Raman
com vrios lasers de bombeio

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Amplificador Raman
com vrios lasers de bombeio

Amplificao
em NZDSF com
bombeio contra-propagante

Raman Amplification for Fiber Communications Systems,


Jake Bromage, J. Lightwave Technology, vol. 22, no. 1 pp. 79-93, 2004.
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Combinao para estender a


banda de amplificao em WDM

Ganho plano EDFA+Raman

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Fontes de Rudo
A fonte mais importante de rudo o rudo de emisso espontnea
amplificado (ASE). No caso de amplificadores Raman, a ASE
gerada pelo espalhamento Raman espontneo.

Mecanismos de Rudo
Rudo de batimento sinal-espalhamento espontneo
Interferncia multicaminho
Efeito de mistura de quatro ondas (FWM) gerado
na interao (batimento) entre os lasers de bombeio
Rudo de batimento entre o sinal e o bombeio (FWM)

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