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NOTE DAPPLICATION

Dimensionnement des
composants pour convertisseur
SEPIC
Projet P12AB06 : Convertisseur de tension SEPIC commande alatoire
Projet PolytechClermont-Ferrand
Janvier 2013

Client : Christophe PASQUIER


Tuteur technique : Christophe PASQUIER
Michel JAMES
Tuteur industriel : Grard CHAZELLE

Joris Pallier
PolytechClermont-Ferrand
2012-2013

Sommaire
1

Introduction ..................................................................................................................................... 1

Le hacheur SEPIC ............................................................................................................................. 1

2.1

Synoptique............................................................................................................................... 2

2.2

Principe de fonctionnement .................................................................................................... 3

Dimensionnement dun convertisseur de type SEPIC ..................................................................... 4


3.1

Rapport cyclique ...................................................................................................................... 4

3.2

Inductances ............................................................................................................................. 5

3.3

Condensateur de couplage...................................................................................................... 5

3.4

Condensateur de filtrage ......................................................................................................... 6

3.5

Transistor ................................................................................................................................. 6

3.6

Diode ....................................................................................................................................... 6

3.7

Radiateur ................................................................................................................................. 7

3.8

Circuit daide la commutation .............................................................................................. 8

3.8.1

Fermeture ........................................................................................................................ 8

3.8.2

Ouverture ........................................................................................................................ 9

3.9
4

Exemple dapplication ................................................................................................................... 12


4.1

Cahier des charges................................................................................................................. 12

4.2

Rapport cyclique .................................................................................................................... 12

4.3

Inductances ........................................................................................................................... 12

4.4

Condensateur de couplage.................................................................................................... 13

4.5

Condensateur de filtrage ....................................................................................................... 13

4.6

Transistor ............................................................................................................................... 13

4.7

Diode ..................................................................................................................................... 14

4.8

Dissipateur thermique ........................................................................................................... 14

4.8.1

Calcul des pertes par commutation .............................................................................. 14

4.8.2

Dimensionnement du radiateur .................................................................................... 15

4.9

Prise en compte des lments parasites ............................................................................... 10

Circuits daide la commutation ........................................................................................... 16

4.9.1

Fermeture ...................................................................................................................... 16

4.9.2

Ouverture ...................................................................................................................... 16

Bibliographie ................................................................................................................................. 17

Joris PALLIER

GE3

1 Introduction
Cette note dapplication prsente la conception dun convertisseur DC-DC de type SEPIC. Ce
convertisseur permet de convertir une tension continue en une tension continue de plus ou moins
forte valeur.
Dans un premier temps, nous tudierons le fonctionnement du convertisseur afin den dfinir les
relations permettant de dimensionner les composants de ce convertisseur. Puis, partir, dun cahier
des charges, nous dimensionnerons les lments qui composent ce convertisseur.

2 Le hacheur SEPIC
Le convertisseur SEPIC (Single Ended Primary Inductor Converter) a t conut la fin des
annes 1970 par Slobodan Cuk. La structure du hacheur SEPIC se dduit du hacheur capacitif dit
hacheur Cuk par permutation de la diode et de linductance de sortie. Il prsente des caractristiques
similaires celle du hacheur Cuk, lexception quil est non inverseur de tension. La tension de sortie
peut tre suprieure ou infrieure la tension dentre. Le convertisseur SEPIC est compos de deux
inductances L1 et L2. Elles peuvent tre bobines sur le mme circuit magntique, cela permet de
gagner de la place sur le PCB et tendance couter moins chre que deux inductances spares. La
tension de sortie dpend du rapport cyclique appliqu linterrupteur K.

La topologie du SEPIC est approprie pour les applications de charge de batteries et pour la
correction du facteur de puissance (PFC) grce linductance en srie avec la source.

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2.1 Synoptique
Le hacheur SEPIC peut tre ralis de diverse manire. La Figure 1 prsente la structure
basique, la Figure 2 montre le couplage des inductances L1 et L2 et la Figure 3, la version isole du
SEPIC en remplaant linductance L2 par un transformateur.

Figure 1 : SEPIC

Figure 2 : SEPIC avec couplage des inductances

Figure 3 : SEPIC isol

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2.2 Principe de fonctionnement


Ltude se fait en deux parties selon ltat de conduction de linterrupteur K.
De 0 T : Phase daccumulation dnergie
On ferme linterrupteur K.

Figure 4 : SEPIC K ferm

On applique aux bornes de linductance L1 la tension dentre Ve, le courant traversant L1 va


augmenter linairement, lnergie est stocke dans L1. Lnergie contenue dans le condensateur C1
passe dans linductance L2, et celle du condensateur C2 vers la charge. La tension est maintenue
constante par la le condensateur C2.

De T T : Phase de roue libre


On ouvre linterrupteur K, ainsi la diode D se met conduire.

Figure 5 : SEPIC K ouvert

Lnergie emmagasine dans linductance L1 est restitue dans le condensateur C1. Lnergie dans L2
est transfre vers C2.

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3 Dimensionnement dun convertisseur de type SEPIC


Seul le fonctionnement en conduction continue du convertisseur est tudi, c'est--dire que
le courant dans linductance ne sannule jamais en zro avant la fin dun cycle de fonctionnement.
De part la complexit de ce hacheur, et le manque de littrature sur celui-ci, nous ne ltudierons
pas phase par phase. Nous utiliserons seulement les quations finales permettant de dimensionner
les lments du convertisseur.

3.1 Rapport cyclique


Le rapport cyclique est donn par :

VOUT V D
V IN VOUT V D

Avec V IN la tension dentre, V OUT la tension de sortie et V D la tension de seuil de la diode.


Avec un rapport cyclique proche de 50%, la tension dentre est gale la tension de sortie, le gain
est unitaire.
Le rapport cyclique varie en fonction de la tension dentre applique afin davoir une tension de
sortie constante. Ainsi le rapport cyclique maximal est :

max

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VOUT V D
V IN (min) VOUT V D

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3.2 Inductances
Les valeurs dinductances sont dtermines principalement par londulation de courant accepte.
Gnralement, on autorise une ondulation de 40% le courant dentre maximal pour la tension
dentre minimale. Londulation de courant est dfinie par lquation suivante :

I L I IN 40% I OUT

VOUT
40%
V IN (min)

Soit les valeurs dinductances calcules par :

L1 L2 L

V IN (min)
I L f

max

Avec f la frquence de dcoupage.

Pour sassurer que le courant dans linductance ne sature pas, le courant crte est donn par :

I L1( peak) I OUT

VOUT V D
40%
(1
)
V IN (min)
2

I L 2( peak) I OUT (1

40%
)
2

Si les inductances L1 et L2 sont bobines sur le mme circuit magntique, les valeurs dinductances
sont remplaces par 2L cause de la mutuelle inductance. Les valeurs dinductances sont alors :

L1' L2'

V IN (min)
L

max
2 2 I L f

3.3 Condensateur de couplage


Le condensateur de couplage doit tre capable de laisser passer le courant efficace donn par :

I C1( rms) I OUT

VOUT V D
V IN (min)

Le condensateur est dimensionn partir de londulation de tension crte crte voulue dfinie par
la formule suivante :

vC1

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I OUT max
C1 f

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3.4 Condensateur de filtrage


Le condensateur C2 la sortie du convertisseur SEPIC permet de filtrer la tension et de maintenir
celle-ci constante. La formule permettant de dimensionner le condensateur est donne par :

C2

I OUT max
Vripple 0.5 f

Avec I OUT le courant dans la charge, Vripple londulation de tension.

3.5 Transistor
Le transistor doit tre capable de supporter une tensionV k V IN V OUT , et tre traverser par un
courant crte gal I k ( peak) I L1( peak) I L 2( peak) .

Le courant efficace est donn par :

I k (rms) I OUT

(V OUT V IN (min) V D) (V OUT V D)

2
IN (min)

Il faudra veiller ce que la puissance dissipable par le transistor soit infrieure aux pertes par
conduction et par commutations (voir Radiateur).

3.6 Diode
La diode possde les mmes contraintes que le transistor, elle doit supporter un courant

D ( peak)

I k ( peak) . Elle doit rsister une tension inverse de VD V IN (max) V OUT (max) .

Le courant moyen dans la diode est gal au courant de sortie

OUT

Il faudra veiller ce que la puissance dissipable par la diode soit infrieure aux pertes par conduction
et par commutations (voir Radiateur). Il est recommand de choisir des diodes Schottky pour limiter
ses pertes.

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3.7 Radiateur
Un composant lectronique travers par un courant lectrique produit de la chaleur par pertes par
effet joule. Lorsque ce courant est lev, cette chaleur est perceptible. Ces pertes sont de deux
types :
-

les pertes par conduction


et les pertes par commutation
Transistor MOSFET

Diode

Pertes par conduction

Rds on I Deff

VF . I F Ro .I F

Pertes par commutations

1
VDS I D (t r t f ) f
2

Qrr Vr f

Il arrive que les pertes par commutation soit suprieures aux pertes par conduction. En particulier
lorsque la frquence est leve. Les pertes par conduction tendent diminuer compte tenu des
lvolution des semi-conducteurs et de la diminution de la valeur de la rsistance interne Rdson dans
le cas de MOSFET.
Ces pertes peuvent tre suprieures la puissance maximale dissipe par le semi-conducteur. Cette
puissance dpend de la temprature ambiante, conventionnellement 25C, de la temprature
maximale de la jonction ( T( v j ) max . ) et de la rsistance thermique jonction-boitier ( Rth ( j c ) ), elle est
dfinie par la relation suivante : Ptot

T( v j ) max . 25
Rth ( j c )

Si la temprature dpasse T( v j ) max . , la puissance dissipable est nulle, et la jonction est dtruite. Afin
de maintenir la temprature du composant acceptable, il est ncessaire de monter un dissipateur
thermique ou un radiateur sur le composant. Dans ce cas : PD

T( v j ) max . Tamb
Rth( j amb)

Lcart entre les deux tempratures se calcule en appliquant la loi dOhm thermique. La puissance
maximale dissipable est : PD

T( v j ) max . Tamb
Rth( j c ) Rth( c r ) Rth( r amb)

A partir de cette formule, on en dduit la valeur de la rsistance thermique du dissipateur :

Rth ( r amb)

T( v j ) Tamb
PD

( Rth ( j c ) Rth ( c r ) )

La valeur calcule de Rth ( r amb) permet de choisir le dissipateur thermique adquate.

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3.8 Circuit daide la commutation


Afin de limiter les pertes par commutations, ainsi que lchauffement des semi-conducteurs, des
circuits daide la commutation peuvent tre placs. Pour limiter aux maximums ces pertes, deux
rseaux daide la commutation peuvent tre intgrs :
-

un la Fermeture
un lOuverture

Figure 6 : CALC la fermeture

Figure 7 : CALC l'ouverture

3.8.1 Fermeture
Dans un cas parfait, le but tant que la croissance du courant se fasse aprs que la tension soit nulle,
la pente ik =

Ve
l

(Figure 8).
vk
ik

t
tr
Figure 8 : CALC la fermeture idale

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Linductance l en srie avec linterrupteur permet de ralentir la croissance du courant pendant que
la tension chute. Cette inductance ne peut tre introduite seule, cela reviendrait ouvrir une source
de courant. Il faut vacuer lnergie emmagasin dans l lors de louverture. Il faut ajouter une
rsistance et une diode de roue libre, imposant le sens du courant.

vl l

di k
Ik
l
dt
tr

Le dimensionnement du CALC la fermeture introduit deux contraintes :

rl
,
ik

la surtension impose linterrupteur

et le temps pour que le CALC soit rinitialis avant la prochaine fermeture de linterrupteur

t l 3

3l
rl

3.8.2 Ouverture
De faon duale, on ralentit cette fois lvolution de la tension aux bornes de linterrupteur. Un
condensateur, est plac en parallle sur linterrupteur, se charge travers la diode limitant ainsi la
croissance de la tension et drive une partie du courant. La rsistance limite la dcharge du
condensateur dans linterrupteur la fermeture suivante.
Dans la littrature, on dfinit une capacit fictive
meilleur compromis est obtenu pour k

i k .t f
2.v k

avec C k. . Il est dmontr que le

4
.
9

Ce circuit, comme le prcdent, introduit deux contraintes :

vk
r

une surintensit dans linterrupteur la fermeture

linterrupteur doit rester ferm, le temps que le condensateur se dcharge t 3

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3.9 Prise en compte des lments parasites


Etude faites avec les hypothses suivantes :
-

Le condensateur de sortie a une capacit suffisante pour fournir une tension de sortie
constante aux bornes de la charge, au cours dun cycle de fonctionnement.
La chute de tension aux bornes de la diode est nulle.
Pas de pertes par commutations dans les semi-conducteurs.
Pas de pertes dans les composants de manire gnrale.

Ces hypothses sont trs loignes de la ralit, et ont des effets importants sur le fonctionnement
du convertisseur.
En ralit, les composants prsentent une rsistance interne. Le gain thorique est le suivant

th

. Ce gain est limit par les rsistances sries des composants (inductances,

condensateurs). En ne prenant en compte que la rsistance interne de linductance dentre (R L1) ce


gain devient

re

(1 ).1

RL . 1
Rch (1 )2

. La Figure 9 prsente linfluence de la rsistance

interne de linductance dentre sur le gain en fonction du rapport cyclique. Ainsi, on remarque que
le gain thorique tendant vers linfini pour un rapport cyclique unitaire est trs loin de la ralit.

Figure 9 : volution de la tension de sortie en fonction du rapport cyclique quand la rsistance


parasite de linductance augmente

Cette fonction atteint son maximum pour :

max 1

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RL
1
, soit un gain maximal de G max
R
2

R
RL

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Le gain en tension retombe zro ce qui montre limpossibilit davoir des rapports dlvations
quelconques. La difficult est de quantifier ces rsistances afin de connaitre le gain maximal du
convertisseur et de savoir si celui-ci pourra rpondre au cahier des charges.
Pour pallier ce problme, il est possible dintroduire un transformateur qui permet dobtenir un
rapport dlvation plus grand.

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4 Exemple dapplication
4.1 Cahier des charges
A partir dune tension dentre de 24V, nous souhaitons obtenir une tension de sortie de 48V. Le
convertisseur devra dlivrer une puissance de250W. Soit

OUT

5,2 A avec une charge R 9,2 . La

tension de sortie acceptera une ondulation de 2%, soit environ 1V. La frquence de dcoupage est
de 100kHz.

Note : La plupart des composants ont t choisies partir du stock prsent dans le magasin pour la
ralisation du prototype.

4.2 Rapport cyclique


En ngligeant la chute de tension aux bornes de la diode, on trouve

VOUT V D
48
2

V IN VOUT V D 24 48 3

4.3 Inductances
On autorise une ondulation de 40% le courant dentre maximal pour la tension dentre minimale.
Londulation de courant est :

I L I IN 40% I OUT

VOUT
48
40% 5,2 40% 4,16 A
V IN (min)
24

Soit les valeurs dinductances calcules par :

L1 L2 L

V IN (min)
I L f

max

24
2
38H
4,16 100000 3

Le courant maximum est :

I L1( peak) I OUT

VOUT V D
40%
48
40%
(1
) 5,2 (1
) 12,48 A
V IN (min)
2
24
2

I L 2( peak) I OUT (1

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40%
40%
) 5,2 (1
) 6,24 A
2
2

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4.4 Condensateur de couplage


Le courant efficace dans C1 est :

I C1( rms) I OUT

VOUT V D
48
5,2
7,35 A
V IN (min)
24

En prenant une ondulation de tension de lordre de 40% la tension dentre, on obtient :

2
5,2
I OUT max
3
C1

3,6F
vC1 f
40% 24 100000
La valeur normalise la plus proche est C1 3,3F , pour une ondulation de tension de 10V.

4.5 Condensateur de filtrage


La tension de sortie accepte une ondulation de 2V.

2
I
max
3
C 2 OUT

36F
Vripple 0.5 f 2 0.5 100000
5,2

La valeur normalise la plus proche rpondant au cahier des charges donne C 2 47F
Soit une ondulation de tension de 1,5V.

4.6 Transistor
Le transistor doit tre capable de supporter une tension V k V IN V OUT 24 48 72V , et tre
traverser par un courant crte gal I k ( peak) I L1( peak) I L 2( peak) 12,48 6,24 18,72 A .
Le

courant

I k (rms) I OUT

efficace

est

passant

dans

(V OUT V IN (min) V D) (V OUT V D)

2
IN (min)

5,2

le

transistor

est

(48 24) 48
12,74 A
24

Le choix du transistor sest port sur un STW40NF20 de la marque ST Microelectronics supportant


200V ses bornes et pouvant laisser passer un courant de 40A.

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4.7 Diode
La diode possde les mmes contraintes que le transistor, elle doit supporter un courant
I D( peak) I k ( peak) 18,72 A . Elle doit rsister une tension inverse de

VD V IN (max) V OUT (max) 72V .


La tension moyenne dans la diode est gale la tension de sortie

OUT

La diode choisie est une BYT30-1000 de ST Microelectronics, supportant 1000V ses bornes et un
courant de 30A.

4.8 Dissipateur thermique


4.8.1

Calcul des pertes par commutation


Transistor MOSFET
STW40NF20
Rds on 0,045

Diode
BYT30-1000

I F ( RMS ) 12.74 A
I F ( AVG ) (1 ) I F ( RMS ) 4.3 A

t r 44ns

t f 22ns
I Deff 12.74 A
VDS 72V
Tableau 1 : Caractristiques des composants

Transistor MOSFET
STW40NF20
Pertes par
conduction

Pertes par
commutations

Total

Rds on I Deff

Diode
BYT30-1000

0.045 12.72 2 7W

1
VDS I D (t r t f ) f
2
1
72 12.74 (44 22).10 9
2
100kHz 3W
10W

Daprs la datasheet :

P 1.47 I F ( AVG ) 0.010 I F ( RMS )

1.47 4.3 0.010 12.74 2 8W

8W

Tableau 2 : Rcapitulatif des pertes par commutations

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4.8.2

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Dimensionnement du radiateur

Vrification temprature de la jonction


Afin de savoir si le semi-conducteur doit disposer dun dissipateur thermique, il faut vrifier si la
temprature de la jonction ne dpasse pas la valeur maximale inscrite sur la datasheet.
Transistor MOSFET (STW40NF20)

T(v j ) max . PD Rth( j amb) Tamb 10 62.5 25 600C


T(v j ) 150C
Il faut utiliser un dissipateur thermique

Calcul de la rsistance thermique du dissipateur


Pour maintenir la temprature du composant acceptable, il faut dimensionner la rsistance
thermique du dissipateur.

Rth ( r amb)

Rth( r amb)

T( v j ) Tamb
PD

( Rth ( j c ) Rth ( c r ) )

150 75
(0.78 0.1) 6.62C / W
10

Le profil WA200 de Schnaffer convient pour une longueur suprieure ou gale 60mm.

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4.9 Circuits daide la commutation


4.9.1 Fermeture
A partir de la datasheet et des calculs effectus, la valeur de linductance peut tre dduite.
Il est cependant conseill de dimensionner les CALCs avec les temps mesurs.
A partir de la formule suivante, on peut en dduire la valeur de linductance L,

vl L

di k
Ik
L
dt
tr

Vk t r 72 44.10 9

0.25H
Ik
12.74

Calcul dune bobine air

0 .n.S
l

soit n

L.l
0 .S

0 4 .10 7 H / m , D 28mm soit S 616mm


n

L.l
2.3tours
0 .S

Il faut limiter la surtension et que la rinitialisation du CALC soit effectu avant la prochaine
fermeture du transistor.
On prend une valeur de rsistance faible. Par exemple 5,6. Ce qui revient une surtension de 0,44V
et un temps de rinitialisation de 133ns<<T (=10-5s).

4.9.2 Ouverture
A partir de la datasheet et des calculs effectus, la valeur de condensateur est :

4 i k .t f 4 12.74 22.10 9
C .
.
1nF
9 2.v k 9
2 72

Il faut limiter la surintensit et garder le transistor ferm le temps que le condensateur se dcharge.
Par exemple 22, la surintensit est de 3,2A et le temps de dcharge du condensateur 66ns<<6,6s.

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5 Bibliographie
JEAN-PAUL FERRIEUX ET FRANOIS FOREST : Alimentation dcoupage, Convertisseurs
rsonance, Principes-composants-modlisation , Dunod, 3ime dition, 1999.
WRTH ELEKTRONIK, Trilogy of magnetic , 4th extended and revised edition, 2009.
J.C. CHAUVEAU, G. CHEVALIER, B. CHEVALIER, Mmotech lectronique : Composants , Casteilla,
4ime dition, 1999.
TEXAS INSTRUMENT, AN-1484 Designing A SEPIC Converter , SNVA168DMay 2006Revised April
2008. Consult le 22 janvier 2013.
http://www.ti.com/lit/an/snva168d/snva168d.pdf

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