1

I : MIROIR DE COURANT SIMPLE A TRANSISTORS PMOS

Le montage de la figure 1 reprsente un miroir de courant simple qui utilise deux transistors
PMOS M1 et M2 identiques fonctionnant dans leur zone de plateau o le courant de drain est tel que :

ID = k p

W
2
(VGS VT ) (1 + .VDS )
L

(1)

On donne de plus :
kp
0.2 mA.V-2

5.10-2 V-1

VT
-2 V

W1
25 m

W2
25 m

L
10 m

le rapport r = W/L des PMOS est indiqu sur les figures.

La tension VDS des MOS est telle que le terme VDS de la relation (1) est ngligeable
devant 1.
+ VDD

+ VDD

25/10

25/10

25/10

25/10
M1

M1

M2

in

M2

ig = IGm sin(t)

out

Iout + i

Iout
I in

Iin

ig

Figure 1 : miroir de courant simple

Figure 2

1.1) Sur la figure 1, rechercher, en justifiant, la relation liant les courants continus Iin et Iout.
1.2) On applique (figure 2) en parallle avec le gnrateur de courant continu Iin, un gnrateur
sinusodal de courant parfait ig de manire crer des petites variations autour de la valeur de
repos.
G1 G2 D1

D2

i
ig

v gs1
v gs2

rds1

rds2 vs

g m2 vgs2

g m1 vgs1

S1

S2

Figure 3
Le gnrateur ig a une amplitude IGm faible et une frquence moyenne pour assurer la linarit du
dispositif dont le schma quivalent est donn en figure 3.
a) Dterminer lexpression de la rsistance dentre Rem du montage vue par le gnrateur ig.
Faire lapplication numrique pour Iin = 50 A et en dduire lexpression approche de Rem.
b) Dterminer lexpression du gain en courant du montage : Ai = i / i g.
Sachant que la valeur de la rsistance R est de lordre du kilo ohms, quelle est lexpression
approche du gain en courant Ai ? Faire lA.N.

Ph. ROUX 2005

http://rouxphi3.perso.cegetel.net

c) Dterminer en utilisant la mthode habituelle de lohmmtre, lexpression de la rsistance de

sortie Rsm du montage vue par la rsistance R (donner le schma). Faire lA.N.

II : AMELIORATION DU MONTAGE : MIROIR "EMPILE"

La rsistance de sortie du miroir de courant simple est juge trop faible. Afin daugmenter sa
valeur, on se propose danalyser le montage miroir de courant empil dont le schma est donn en
figure 4. Les deux transistors PMOS M 3 et M 4 sont identiques M 1 et M 2 et obissent la relation
(1) et aux valeurs des paramtres associs.
+ VDD

25/10

25/10
M1

M2

M3

M4

25/10

25/10

in

out
Iout
Iin

Figure 4 : miroir de courant empil

2.1) Rechercher, en justifiant, la relation liant les courants continus Iin et Iout.
2.2) On applique en parallle avec le gnrateur de courant continu Iin, un gnrateur sinusodal ig de
faon crer des petites variations autour de la valeur de repos du courant (comme en figure 3).
a) En exploitant les rsultats de la premire partie, dessiner le schma quivalent aux petites
variations et aux frquences moyennes du miroir empil.
On notera : gm1 = gm2 = gm3 = gm4 = gm de mme : rds2 = rds4 = rds.
b) Dterminer lexpression de la rsistance dentre Re mp du montage vue par le gnrateur ig.
Faire lapplication numrique pour Iin = 50 A.
c) En utilisant la mthode de lohmmtre on recherche lexpression de la rsistance de sortie Rsmp
du montage vue par la rsistance R. Montrer que la grille G4 du MOS M4 est relie la masse
lors de la prparation du schma destin dterminer Rsmp.
d) Redessiner dans ces conditions, le schma quivalent du montage permettant de calculer la
rsistance Rsmp.
e) Donner lexpression de Rsmp et faire lapplication numrique pour Iin = 50 A.

III : MONTAGE AMPLIFICATEUR DE COURANT

Le montage miroir empil se transforme en amplificateur de courant (figure 5) lorsque les

PMOS M6 et M8 associs aux PMOS M5 et M7 ont une largeur W telle que :

W5 = W7 = 25 m et W6 = W8=100 m
La longueur L du canal est encore de 10 m
La relation (1) est vrifie et les paramtres kp, VT et sont inchangs.
+ VDD

25/10

100/10
M5

M6

M7

M8

25/10

100/10

In

Out
Iout
I in

Figure 5 : montage amplificateur de courant PMOS

3.1) Rechercher la nouvelle relation liant les courants continus Iin et Iout.
3.2) Aux petites variations (comme en figure 3) imposes par le gnrateur ig, adapter les rsultats
obtenus dans la deuxime partie avec Iin = 50 A afin de dterminer, en justifiant vos rsultats :
a) La rsistance dentre Re ai du montage amplificateur de courant vue par le gnrateur ig.
b) La rsistance de sortie Rsai du montage amplificateur de courant vue par la rsistance R.

IV : AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL DE TRANSCONDUCTANCE

Les montages de la deuxime et de la troisime partie sont utiliss pour raliser un amplificateur
diffrentiel de transconductance dont le schma est donn en figure 6.
+ VDD
Ampli. de
courant 1
in

GA

ve1

Ampli. de
courant 2

out

in

I1

I2

TA

TB

IS1

out

IO

IS2

IS3
in

out

vs

Ru

ve
GB

IP

ve2

Miroir de
courant
emplil

- VSS

Figure 6 : Amplificateur diffrentiel de transconductance

Ce montage comporte :

Une paire diffrentielle classique (TA et TB NMOS identiques et la mme temprature)

polariss par une source de courant idale, IP = 100 A, de rsistance interne infinie. Les
transistors TA et TB sont respectivement chargs par les entres des amplificateurs de courant
(1 et 2) tudis dans la 3 partie.

Le miroir de courant empil reli la tension dalimentation ngative, utilise des transistors
NMOS. Cependant, on suppose que ce miroir possde des proprits en tout point identiques
celles qui sont tablies dans la deuxime partie.

La sortie du montage est charge par une rsistance dutilisation Ru de quelques dizaines k.

Les transistors NMOS TA et TB fonctionnent dans leur zone de saturation et vrifient la loi :

I D = kn

W
2
( VGS VT )
L

O kn = kp/3, VT = + 2V, L = 10 m, W dterminer.

La rsistance rds est suppose possder une valeur suffisamment importante pour tre ngligeable.
On admettra sans dmonstration, que la relation obtenue aux questions 2.1 et 3.1 est aussi valable pour
les petites variations.

4.1) Au repos (Ve = 0V) calculer la valeur du courant de sortie I0 en justifiant le rsultat.
4.2) Les bornes GA et GB tant attaques par un signal (petites variations ve = ve1-ve2) rechercher
lexpression de la variation i0 du courant de sortie Io en fonction de ve.
En dduire la transconductance gm = i0/ve en fonction de la transconductance gma de chacun des
transistors TA et TB.
4.3) On dsire obtenir un amplificateur de transconductance telle que gm = 2 mS.
Calculer la valeur donner la largeur WA et WB des MOS TA et TB.
4.4) Dterminer la valeur de la rsistance de sortie Rs du montage vue par Ru en justifiant le rsultat.

1
CORRECTION

Q11 : Les MOS M1 et M2 ont la mme tension VGS et des caractristiques identiques, daprs la
relation (1) : Iout = Iin sachant que (.VDS) est ngligeable devant 1. A titre indicatif : VGS = -1.68 V.

Q12a : Rsistance dentre du miroir :

G1 G2 D1

D2

i
vgs1

ig

rds1

vgs2

rds2 v s

gm1 vgs1

gm2 vgs2

S1

I
gm1 = D
VGS VDS
1 + VDS
rds1 =
= 400 k
ID

cte

S2

ig
1
1
1
1
// rds1
soit : Rem =
=
=
+
1
gm1
v gs1 Rem
rds1
gm1
1
W
= 3,16 k
= 2 k p (1 + VDS ) = 316S
gm1
L

Expression du courant ig : ig = gm1 .v gs1 +

A.N.

v gs1
rds1

Rem

1
= 3,16 k
gm1

Q12b : expression du courant i :

i = gm 2 .v gs2

Sachant que : ig gm1 .v gs1

Ai =

R.i
rds2

i=

gm 2 .v gs2
R
1+
rds2

gm 2 .v gs2 1
1
R gm1 .v gs1
1+
rds2

Q12c : La mthode de lohmmtre impose de faire ig = 0 et denlever la rsistance R pour mettre

v
sa place un gnrateur (u,i). La maille dentre donne la relation : 0 = gm1 .v gs1 + gs1 entranant alors :
rds1
vgs1 = 0 = vgs2.
u
Rsm = = rds2 = 400 k
i

Q21 : Dune part, le miroir M1, M2 joue son rle et dautre part, les MOS M3 et M4 identiques ont la
mme tension VGS, aussi, dans la mesure o (.VDS) <<1, Iout = Iin.

2
Q22a : Schma quivalent au montage.

Rem
S3

rds
G3 G4

ig

vgs3
g m.vgs3

rds

S4

vgs4

D3

rds

g m.v gs4
D4

ig

Aux variations, M3 envoie le courant ig sur le MOS M1 que lon peut alors simuler par sa rsistance
dentre Rem. De mme, aux variations, M4 envoie le courant sur le MOS M2, que lon peut simuler
par sa rsistance de sortie Rsm = rds.

Q22b : rsistance dentre Remp.

v
1
ig = gm .v gs3 + gs3 = v gs3 ( gm + )
rds
rds
v = vgs3 + Rem ig
Remp =

Il vient alors :

A.N. gm = 316S

rds = 400k

v
=
ig

1 + Rem ( gm +
gm +

1
)
rds

1
rds

Remp =

Rem = 3,16k

v 1 + Rem gm
2

=
= 6, 32 k
ig
gm
gm

Q22c : Rsistance de sortie du miroir laide de la mthode de lohmmtre.

Il faut annuler le gnrateur ig. Dans ces conditions la tension vgs3 est nulle ainsi que la tension v, la
grille G4 de M4 est la masse.

Q22d : On enlve ensuite la rsistance R que lon remplace par un gnrateur (u, i).
Le schma est alors le suivant :
rds

S4
G4

vgs4

D4

u
i

rds

g m.v gs4

3
Q22e : u = rds (i gm v gs4 ) v gs4

Rsmp =

avec : v gs4 = rds .i

u
= rds + rds ( gm .rds + 1)
i

A.N. Rsmp = 51,4 M. La rsistance de sortie est nettement amliore.

Q31 : Exprimons le courant de drain de M7 et M8 :

Iin = ID 7 = k p

W7
2
(VGS 7 VT )
L

Iout = ID 8 = k p

W8
2
(VGS 8 VT )
L
Iout W 8
=
=4
Iin W 7

M7 et M8 ayant la mme tension VGS, on obtient la relation :

On a de plus : ID5 = IS7 = ID7 = Iin et ID6 = IS8 = ID8 = Iout

Q32a: Le schma aux variations est le suivant :

rds

Rem = 1/gm5
ig

S7

G7 G8

vgs7
gm7 .vgs7

rds

vgs8

rds

g m8.vgs8

D7

D8

Par analogie, on obtient :

S8

ig

Reai =

ig

1 + gm 7

1
gm 5

gm 7

= 4, 74 k

gm5 = 316 S gm7 = 632 S

Q32b : Schma aux variations :

rds

S8
G4

Par analogie, on obtient : Rsai =

vgs8

D8

u
i

rds

g m8.vgs8

u
= rds + rds ( gm 8 .rds + 1) = 102 M
i
3

IP
= 50A .
2
IS3 = IS2 = 4 I2. Sachant que : IO = IS3 IS1

Q41 : La tension Ve nulle entrane : VGSA = VGSB, soit : I1 = I2 =

IS1 = 4 I1

IS2 = 4 I2

IO = 4 (I1 I2) = 0 mA

Q42 : Schma aux variations de la paire diffrentielle :

ve
GA

vgsa

vgsb

gma.vgsa

gma.v gsb

i1

i1 = gma .v gsa

GB

i2

i2 = gma .v gsb

Le courant de sortie du montage est tel que : io = 4(i1 i2)

io = 4 gma (v gsa v gsb ) = 4 gma .v e

gm = 4.gma

Q43 : Pour obtenir une transconductance gm de 2 mS soit : gm = 2 k n

Mos TA et TB avec une largeur de canal sachant que k n =

W A IP
, on doit choisir les
L 2

kp
: WA = WB = 75 m.
3

Q44 : La rsistance de sortie vue par Ru est telle que : Rs = Rsmp //R sai = 34,2 M. La sortie se
comporte donc comme un gnrateur de courant proportionnel la diffrence ve des tensions
dentres.