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Universit de Saida

Facult de technologie
3me Anne EEA
Module Electronique composants

TP N
Caractristique d'une diode jonction
Objectifs
1. Etudier les caractristiques d'une diode jonction pn.
2. Construire la courbe I(V) d'une diode jonction pn.
Thorie
La diode est le semi-conducteur de base. Son fonctionnement est assimilable celui d'un interrupteur
command qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
Si on dope une partie d'un semi conducteur intrinsque avec des atomes 5 lectrons priphriques (le
semi conducteur devient extrinsque de type N) et l'autre avec des atomes 3 lectrons priphriques
(extrinsque de type P), on cre une jonction, qui est la limite de sparation entre les deux parties.
Nous avons fabriqu une diode jonction. (Fig.1)
Au voisinage de la jonction les trous de la zone P vont neutraliser les lectrons libres de la zone N (il y a
diffusion des charges). Ce phnomne va s'arrter quand le champ lectrique Eint cr par les atomes
donneurs ou accepteurs (qui vont devenir respectivement des charges + et -) va tre suffisant pour
contrarier le mouvement des charges mobiles. Ceci constitue une barrire de potentiel pour les porteurs
majoritaires.

Fig.1
Si on applique un champ externe l'aide d'un gnrateur en branchant le ple + sur la zone P et le ple sur la zone N, on peut annuler les effets du champ interne et permettre au courant de circuler (Fig 2a)
Si on branche le gnrateur dans le sens inverse du cas prcdent,(Fig.2b) on renforce le champ lectrique
interne, et on empche le passage des porteurs majoritaires.

(a)

(b)
Fig. 2
1

Manipulation
1. Placer le module KL-13007 sur l'unit de base KL-21001, puis localiser le bloc a.
2. Raliser le circuit de la Fig.3 sur le bloc a en mettant des shunt (courts circuits) comme indiqu sur le
schma de connections Fig.4

Fig3

Fig. 4

3. Utiliser l'alimentation DC pour appliquer une tension +12v la borne V+ et relier la masse de
l'alimentation la borne GND de l'unit KL-13007.
4. Utiliser le voltmtre de table pour mesurer la tension VR1. Reporter la valeur obtenue de la tension
entre les bornes de VR1.
EVR1 = 11.99 V
5. Ajuster VR1 pour que la tension aux bornes de R1 soit gale 0.1V. Ceci donne un courant direct
ID=0.1mA (0.1V/R1=0.1V/1K) travers D1.
6. Quand ID atteint 0.1mA, mesurer la tension VD aux bornes de D1 et reporter la valeur obtenue dans la
table 5
Complter les autres mesures de VD pour les valeurs indiques dans la Table 5 en ajustant VR1 pour les
valeurs de ID indiques.
nominal
VR1
VD(V)
ID(mA)

.1

.2

.3

.4

.5

.6

.7

.8

.9

Table 5
A quelle tension aux bornes de D1 le courant ID commence augmenter considrablement ?
6. Tracer les valeurs de ID en fonction de VD de la table 5 sur le graphe de la figure 6. Relier ces points
l'aide d'une courbe lisse. Cette courbe reprsente la caractristique directe de la diode jonction.

Fig. 6
7. Inverser le sens de lalimentation du circuit. Relever les mesures de I D en fonction de VD comme
prcdemment. Tracer les valeurs de ID(VD). Cette courbe reprsente la caractristique inverse de la
diode jonction.

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