~\7.

Ing. Martin

E L E C T R O N I C A A P L I C A D A HI
T E M A : Adaptacin de impedancias

Romero

Adaptacin de impedancias
Funcin:
Transferir la energa que incide e n su port de entrada hacia el port de
salida, s i n ocasionar reflexiones d e energa y cumpliendo con las
condiciones del t e o r e m a de mxima transferencia o impedancia para
lograr mnimo ruido.

Rg
vg(^)

RL

Pi

Pr<

Pi: (P^OCiajncid^^
funcin directa delj^enerf^dgr
Pp: pDtenciajDergida es funcin directa del (Qoi a^ia^^bobjna
Pr: Potencia feflejad es debida a la desadaptacin por de^intoma

Tipos:
Banda ancha

Transformador
Autotransformador

Adaptadores/

Estructura "L" invertida

'-Beudajpgosta

Estructura " n "

Estructura "T"
Estructura combinadas

Parmetros:

Pr
r =
Pi

O W JV =

r = 0_ cond. ideales f po r^^^ n o V>a.b<~fQ

o<r<i
r = 1 cond. desfavorables

^ ^rxu^xi%

SWR = 1 cond. ideales

Pi_ Pr
Pi + Pr ^ Pi ^ Pi _ i + r
Pi-Pr ~ n _ P r " i - r
Pi Pi

-1 ^ c i T t m
1 i : o WXS.

SWR = 00 cond. desfavorables

Ing. Martin

ELECTRONICA APLICADA m

Romero

T E M A : Adaptacin de impedancias

Mxima transferencia disponible(MAP):

Es la mxima potencia que puede entregar e! g e n e r a d o r
Rq

vg/2

RL

ig

Rg ig/2

RL

Rg

MAP-RL-

Rg = RL

v^ y

Mxima transferencia en la carga (MTE):

i/c u

r-#-r
i

=C

> RL

Vo

L^^-T/i

PL+Pp

Ptot

PL

GT = Gg + Gp + GL => se desea obtener GT = f (Gg; GL; Qc; Qo)

i

|Qc

Qo

+ Wo L (Gg +

Qo =

GL)

Wo L Gp

WoL =

GT = Gg + GL +

GT = Gg + GL +

donde reemplazamos Wo. L y queda:

1
f 1
1Y
Qc
(Gg + GL) IQC QOJ_

GT -(Gg + G L ) ( l

GT = (Gg + GL)-

WoLOo

-Gg + GL +

(Gg + GL)
iQc

Qo

1
Qo-Qc

' \ ^
Qo
iQc Qo

Qo-Qc + Qc
Qo - Qc

GT = (Gg + GL)

Qo
Qo-Qc

Ing. Martin

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T E M A : Adaptacin de impedancias

Romero

GT = (Gg + GL).

PL = V o ^ G L

CJfL

9GL

5GL

=0

Vo = ^
GT

l
Ig^
PL = - ^ G L =
GT^
(Gg + GL)2.

(Gg + G L ) ~

5PL

5GL

2 (Gg + G L )

(Gg +

GL

Ig^

GL)^

GL

-o

Qoj

= (Gg + GL)2 - 2 ( G g + GL)-GL = 0 ^ ^ = (Gg + G L ) - 2 G L - 0

5GL

Gg + G L - 2 - G L = 0

Gg-GL = 0

Gg = GL

Rendimiento de adaptacin:

f] =

Ptot = V o 2 G T

Ptot-Pp
Ptot
Qc =

Pp _^
Ptot

'7 = l

- = \-

Pp
^
Ptot
Pp = Vo^ Gp

Wo L GT
Vo^ W o L - Q c
Vo^WoLQo

^'1
Qoj

Qo ==
Wo L Gp

Ing. Martin

ELECTRONICA A P L I C A D A DI
T E M A : Adaptacin de impedancias

Perdidas de insercin del adaptador en MTE:

pi =

PT,
MAP

ri^ = V u

MAP =

Vu

O-U

GT

Rg = - ^ R g
4

v2y

GT^

(Gg + GL)2

Rg = RL

GL
(Gg + G L f

L
l

PI =
Ig'

Qoy
Rg

r.
V

oc^ LrL 4 (j
Qoj
SI Gg = GL
(Gg + G L ) ^

PI = l

Q'^'
Qoy

Adaptadores de banda angosta:

Estructura " L " invertida

Q
Rs

RP = RS-(I + Q2)

1Q^BJ3|,s

>Rp

Q =.

1.^

Q-

|Rp
-1
Rs

Romero

Ing. Martin

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T E M A : Adaptacin de impedancias

1
Wo C Rs

Rp
Wo L

:o
1 te

Rp
WoQ

C=
f

1+ 1
C=

1
Wo Q Rs

Wo^ c

Q = ^ ^ ^ ^ = RpWo-C
Rs

Rs

Wo

Wo^ L
1+ 1

1
Wo^QRs

Wo

Estructura " u '

I fc" Sin^-orC\o no hx'^ne eff'cto

Q1
-R1

j B1

Q1 I
JX1
B1

j B2

1,,-^ r
,/,/;
K
/

SR'

5R^^

Ql = ^ - 1 I
R'
\

\jX2
fB2

'R2

Q2 =

R'

i
-.- J

Ql

Qi'jfi

+ Qi'i-i

Romero

Ing. Martin

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T E M A : Adaptacin de impedancias

Q1
j

Q2
SL2

-i

|R2

Q1 =

Rl
WoLl

Rl
Ll = WoQl

Q2 =

R2
WoL2

R2
L2 = WoQ2

Ql

Cl =

'^1

J
>R1

g L1

<rR2

C2

\1 + QV

Wo R l 01
Wo R2 Q2

r 1 + 1
.Cl

''WoRlOl

W o R 2 02^ ^

"IIf

(l + Ql^J

Q1

(l + Q2^)

Q2

C2

Ql = R l W o C l

L ^

C2

> R2

Q2 = R2 Wo C2

Ql
WoRl
Q2
C2 =
WoR2

Cl =

.-1

Romero

Ing. Martin

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TEMA: Adaptacin de impedancias

Q2

Ql
>R1

5:R2

SJL

Rl
WoQl

Rl
Wo-L

Cl

C2 =

Q2 = R2 Wo C2
Q1
1^-^

r-

CA =
1
CA
J__ J

]_

C l ~ CA
l
C l = W/ o R I Q
^ \
n 4-1

(UQ2^)
Wo K2 O'i

|L2

| R :

Q2 =

Wo R2 Q2
7
r\

Ql
Wo R l
R2
L2 =
Wo Q2

c=

Ql = R l W o C
c

R2
WoL2

* IA '
|L2

?'3 >

R1

RlQl
Wo-^i + Q r

Q2
i

C'2
\

C'2 = C2 1 +

Q2
WoR2

WoRlQl
1
1
-+
C l C'2

C1

% 4

Romero

>R2

L A = Ll4-L'2
L1 = L A - L ' 2

L'2 = -

L2
1+

,".-2

R2Q2
W o | l + Q2-

R l Ql
Ll = Wo- 1 + Q r

R2Q2
Wo- 1 + Q2')

-1

Ing. Martin

ELECTRONICA APLICADA HI
TEMA: Adaptacin de impedancias

Estructura

Q1

02

Ql =

Rl
X2
Q2 =
R2

jX2

jXI
jB

'R1

XI

R2

Q1
iK2

j K1
|RI

VRl

j B1

Q2 =

.-l

VR2

-1
V Kl ^

'

VK2 ^

Q2

Wo-Ll
Rl
Wo L2
Q2 =
R2

' L1 -

Q U

R1

R2

^
-Rl

l=F

R'>
>

5-R'

' L2
;C2

Ql R l
Wo I
Q2_R2
L2 =
Wo

Ll =

Ql

Cl =

W G R I ( I + QI^

R25

C2 =

Q2
W o R 2 ( l + Q2^

C = C1 + C2
c=

Ql
^
Q2
W o R l - 1 + Q i r Wo-R2

Romero

Ing. Martin

ELECTRONICA APLICADA III

TEMA: Adaptacin de impedancias

Romero

_Q2

C1
"-es

Vi

Q2 =

_1
WoRIQl

WoClRl
1

1
Wo R2 Q2

C2-

Wo C2 R2
Rl
Ll = WoQl
Q1

C1
Rl

L1

^R'

|L2

C2

L2 =
R2:

R2- 1 +Q2!J
WoQ2

i
L ~ L l ^ L2

Q2

C2
>R1

4=01

R2

Wo-L
Rl
1
Q2 =
Wo C2 R2

Ql =

Q2
Rl

Cl =

R-2'

L=

Q1-R1
Wo

C2 =

1
WoR2 Q2

Ql

CA =
WoRl

-R'2 =FC1

>R2

Q2
Ql
W o R l - l l + O l ^ l WoR2-(l + 02^t

1 + Ql')
Q2
C'2=
Wo-R2-(l + Q2^)
CA = C1 + C2
C1-CA-C2

Ing. Martin

ELECTRONICA APLICADA IH
TEMA: Adaptacin de impedancias

Q1

Q2

" L2
'R2

Rl

Ql =

1
Wo C R l

Q2-

Wo-L2
R2

Ql

02

1
WoRLQl
Q2R2
Wo
1
1 1
LA =
L l+ L'2
L2 =

LA =

- L2 "
LAg

Rl

Ql
Rl

SL

R'2

L'2 =

R2 1 +
W0-Q2

Q2
:C1

R2

_L

Wb-L
Rl
1
Q2 =
WO-C2R2
Ql-

L=

QlRl
Wo

C2 =

1
Wo R2 Q2

CA = C1 + C 2
Ql
CA-WoRl
Q2
C2 = WoR2~f+Q2'

Q2

Q1

R2

-R'2

R L 1 + Qi^)
Wo^Ql

02
'R2

Cl-CA-C'2

Cl =

01
Wo R l

Q2
Wo R2 1 + 02^

02 = J H _ i
VR2

10

Romero

Ing. Martin

ELECTRONICA APLICADA HI
TEMA: Adaptacin de impedancias

Romero

Adaptadores de banda angosta de Q constante:

G e n e r a l m e n t e suelen s e r diseados cuando se desean adaptar
impedancias manteniendo la m i s m a relacin de ancho de banda entre
la entrada y la salida de dicha e s t r u c t u r a .
Para lograr dicho requerimiento, puede i m p l e m e n t a r s e utilizando:

3 estructuras " L " invertidas

1 estructura "TU" con una " L " invertida
1 estructura "T" con una " L " invertida

Qin

Ritr

Qout
Estructura
"L" invertida 1

Estructura
"L" invetlda 2

Routl =Rin2

Estructura
"W invertida 3

Rout

Rout2=Rin3

Procedimiento de diseno" (T^estructuras " L ' ' ) !

Datos

Incgnitas

Qin; Qout
R i n l ; Rout3

R o u t l ; Rin3

Pasos

1. Conociendo Qin y R i n l calculamos R o u t l (que corresponde al

m i s m o valor de Rin2).
2. Conociendo Qout y Rout3 calculamos Rin3 (que corresponde al
m i s m o valor de Rout2).
3. Habiendo obtenido por calculo el valor de Rin2 y Rout2 se
d e t e r m i n a la disposicin de la estructura 2 y se calculan los
componentes.
4. O b t e n e m o s el circuito general de adaptacin.

li

Ing. Martin

ELECTRONICA APLICADA HI
TEMA; Adaptacin de impedancias

Qin

Rin

Romero

Qout
Estructura
L" invertida

Estnjctura
PIO I

^ Rout
'">

Routl =Rin2

Procedimiento d e diseno (una estructura "n o i " con " L " ) :

Datos

Incgnitas

Q i n ; Qout
R i n l ; Rout2

R o u t l ; Rin2

Pasos

1, Conociendo Qout y Rout2 calculamos Rin2 (que corresponde al

m i s m o valor de R o u t l ) .
2. Conociendo Qin, R i n l y R o u t l , solo resta desarrollar la estructura

3. O b t e n e m o s el circuito general d e adaptacin.

Consideraciones a tener en cuenta en el diseo de los

circuitos de adaptacin de banda angosta.

Dado un circuito sintonizado, la adicin de un adaptador de

impedancias se lo puede desarrollar c o m o una estructura separada
del circuito que debe a d e c u a r a los parmetros sin alterar los
parmetros propios del circuito segn la disposicin o topologa q u e
se emplee.

12

ELECTRONICA APLICADA m
TEMA: Adaptacin de impedancias

Ing. Martin

vindoio c o m o un circuito serie de MTE

Generador

Circuito de cama

1 _ 1 ^ R g + R'L

Oc
Generador

Oo

Wo Ltot

Circuito de adaptacin

-VvV

Carga

Qc
Qo
Perdidas de
insercin

ve,

Generador

Circuito de adapta c i n

R l = R'L = Rg
Ql

Qc

_1_

Qoj 2

Carqa

Rg
=Rg-WoCl
WoLl

R2 = RL

Q2
Generador

1
2

Qm Qo

Circuito de adaptacin
Q

r'V^v
V g

Rs = R ' L - R g

RL
= RL Wo C2
Wo L2
Carga

RL >

i Q c Qo

Rp = RL

14

Rg = R g W o C l
WoLl

Romero

dAv

Re

Re

=0

dM
Re

+ 2-

Re

Re

Re

Re

aM

=O

M.T.E.

a(b +

Re

Re

b = -..1^
Re

=i?'? +

donde
Mopr

= V(i?'g +

^l)Re

S i recordamos l a e x p r e s i n de la impedancia uonnalizada del amplificador simple

sintonizado c o n acoplamiento capacitivo
Ztjjw)

wo

wo

E l Qc^Qca

1
1 + jQca

wo^

wo

que se defini anterioimente y entonces el Q c a = F o / B w = Q c

c) Anlisis de un auto transformador

A n a l i c e m o s ahora e l caso propuesto, para ello en e l siguiente circuito encontremos la
Zreflejada=Z =1A^'=E,/Ii ;

11
El

> jwLl
jwM

12

71.

jwL2

E l dibujo simboliza i m autotiansfoiTuador,

A m p l i f . S S A c o p . Inductivo

Ing. R o d o l f o Salvatore

II

El

) JWM(I1-I2)

12

'#L2

jwMIl

Por mallas:

El = _/wZj/i + >wV//, + jwM{l^-I^)

O = jwLj (/, - /j) -

+ jwLiil^

-I2)

+ Z/,

1 = (jwij + ywM + jwM + jwLj)!^ + (-jwM O = -{pvLj

+ jwM)I^+{Z

El =

+ Z.2 + 2M)/,

H'CZJ

O= " M ^ 2 +

jwLj)Ij

+ pvLj^)!^

- >v(Af

Z2)/2

+ i^^"^2 )^2

A = >t<I +Z, + 2A/)(Z + jwL,) + w\L^ +Mf

M,=E,{Z

+ jwL,)

y. _Ei ^ El _ 1 [ywCZ, +
Z,

+ 2A/)(Z + jivZa ) +

( 3 + Mf

E,iZ + jwL,)
A

Z' =

jwiL, + Z, + 2AZ)Z + Owf Z 2 (Zj + Z 2 + 2A/) +

(Z + 7 v v Z j )

, [/wCZi +Z;
Z' =
Z' =
Z' =

(Zj + A/)"

+ 2 A / ) Z - T v ' ( Z 2 Z +Z'2 +2AfZ2) + H ' ' ( Z 2

+AZ)'

(Z + 7 W Z 2 )

_>'(Z, + Z 2 + 2A/)Z - TV^ZjZ, -

w^Z22

2A/Z, + vv'Z^ + w^AZ^ +

Iw^L.M

(Z + jwL,)

+ Z 2 + 2A/)Z - W'-^ZjZ, + w^M^ ] _ [yv^Z, + Zj + 2A/)Z (Z + jwL^)

"

recordando que L=Lj+L2+2M y que Af=k^LjL2

A m p U f . S S A c o p . Inductivo

Ing. Rodolfo Salvatore

(Z + jwL^)

[L^L^ - M^)