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Correction DS

1) Quelle est la configuration lectronique du silicium ( Z = 14) dans ltat


fondamental
Si (Z=14): 1s2s2p63s3p
2) Tracer la maille lmentaire en perspective et sa projection sur le plan xoy.

3) Dfinir et calculer la compacit d'une telle structure. Commenter le rsultat.

Volume des atomes


Nombred ' atomes 6 12 8 18 4 8
a 3
Paramtre de maille 2r
4

Vatomes 8
4
3


a 3
8

a3


3
16

Volume de la maille

Vmaille a 3
Vatomes 3
Compacit :C

0,34
Vmaille
16

Paramtre de maille 2r

a 3
4

4) Reprsenter la famille de plans rticulaire {100}, {110} et {111}.


D'aprs les symtries des structures cubiques et si l'on considre les plan (hkl), alors
tous les plans obtenus par permutation des indices et par leur changement de signe
sont quivalents
on parle alors de famille de plans {hkl} (notation entre accolades).

Index
<100>

la famille des plans pour un rseau cubique


[100],[100],[010],[0 10],[001],[00 1]

Nombre
6

<110> [110],[110],[1 10],[1 10],[101],[101],[10 1],[10 1],[011],[0 11],[01 1],[0 1 1]

12

<111>

[111],[111],[1 11],[11 1],[1 11],[11 1],[1 1 1],[1 1 1]

Ainsi, la famille {100} comprend les plans

Quelques plans de la famille {110}

Quelques plans de la famille {111}

100

110

111

5) Quelle est la densit surfacique datomes sur chacun de ces plans.


la densit surfacique datomes sur le plan (100)

n100

1
4. 1
2
18 2
42

6
,
78
.
10
m
12 2
a
(543.10 )

la densit surfacique datomes sur le plan (110)

n110

1
1
4. 2. 2
2
4

a 2 .a

4
2 .(543.10 12 ) 2

9,59.10 18 m 2

la densit surfacique datomes sur le plan (111)

1
1
3. 3.
2
6
2
n111

7,83.10 18 m 2
1a 2 a 3
3
2.
.
.(543.10 12 ) 2
2 2
2
2

6) Quel est langle entre 2 directions cristallographiques diffrentes.

Dans le systme cubique

cos

hh'kk 'll '


(h k l ).(h' k ' l ')

Angle entre (100) et (111)


1

cos (

1 0 0
(1 0 0).(1 1 1)

) cos (

1
3

) 54,7

7) Dterminer le rseau rciproque du silicium.


Les vecteurs fondamentaux du rseau CFC

1
a( j k )
2
1
a2 a (i k )
2
1
a3 a (i j )
2
a1

Le volume de la maille lmentaire est :

v a1.( a2 a3 )
vCFC

a3
a3

( j k ).[(i k ) (i j )]
( j k ).[(i k ) (i j )]
8
8

vCFC

a3
a3

( j k ).(k j i )
8
4

Les vecteurs fondamentaux du rseau rciproque

2
2 1
1
b1 a
a2 a3 3
[ a (i k ) a (i j )]
v
2
a /4 2
*
1

b1

*
a1

2a 2 / 4
2

( i j k )
( i j k )
3
a
a /4

b1 a1
*

2
4 1
( i j k )
( ( i j k ))
a
a 2

De mme en trouve
*

2
2
4 1

a3 a1
(i j k )
( (i j k ))
v
a
a 2

*
3

2
2
4 1

a1 a2
(i j k )
( (i j k ))
v
a
a 2

b2 a2

b3 a

8) Calculer le facteur de structure Fhkl, en dduire les conditions dextinction.

(0,0,0); (0,,); (,0,); (,,0);


( , , ); (,,); (,,,); ( ,, )

Les coordonnes des atomes :

FG F ( h, k , l )

le facteur de structure devient :

f je

2i x j h y j k z j l

F h, k , l f 1 e

i k l

i h l

h 3 k 3l

i h k

h k l

3h k 3l

3h 3 k l

En rarrangeant les trois derniers termes

F h, k , l f 1 e
e

i k l

h k l

i k l

i h l

i h k

h k l

i h l

F h, k , l f 1 e i k l e i h l e i h k

h k l

h k l

i h k

i h k l

2
1 e

F h, k , l f 1 e

1 e

i k l

i k l

i h l

e i h l e i h k

i h k

i h k l

2
1 e

est gal a 4 si hkl sont de mme parit, 0 sinon

i h k l

2
1 e
, le terme lie au motif, est gal a

i
1 e 2 si h+k+l = 4n+1

1 e

si h+k+l = 4n+3

0 si h+k+l = 4n+2 avec n entier


2 sinon

Une raie dindices (hkl) sera dintensit nulle si h, k et l ne sont pas de mme parit
(condition dextinction lie au type de rseau),
ou si h+k+l = 4n+2 (condition dextinction lie au motif).

9) Calculer les dhkl correspondant toutes les raies.


Pour trouver les dhkl correspondant aux raies, on utilise la loi de Bragg :

2 dhkl sin =

10) Le premier pic de diffraction apparat pour un angle de Bragg 2 = 28.436.


En dduire le paramtre de maille du silicium ( = 1.54 ).
On peut calculer le paramtre de maille a partir de la valeur de langle de
diffraction de la premire raie observe, identifie comme tant la (111) :
Dans un rseau cubique, la distance rticulaire des plans (hkl) se calcule partir du
paramtre de maille a suivant la relation suivante

=
2 + 2 + 2
Si on considre la premire raie dindice 111, on trouve
= 3 111 = 5, 43
on en utilisant la loi de Bragg directement

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