ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

INFORME

TRABAJO PREPARATORIO

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
Prctica #:

08
___

Tema:

ANLISIS AC DE UN TRANSISTOR BIPOLAR DE

JUNTURA
EN CONFIGURACIN BASE COMN Y
_______________________________________________
COLECTOR COMN

Realizado por:
Alumno (s):

Grupo:

02

(Espacio Reservado)
18 / ____ /01
Fecha de entrega: ____
____
ao

Sancin:
Semestre:

mes

f. ______________________

da

Recibido por:

________________________________________________

Sep - Feb _____

Mar - Ago
_____

16
20____

Tema: Anlisis AC de un Transistor Bipolar de Juntura en configuracin Base Comn

y Colector
Comn
Objetivos:
Analizar el comportamiento de un TBJ en configuracin Base Comn y
Colector Comn.
Identificar los parmetros de operacin en base a los resultados obtenidos en
la medicin de voltajes y corrientes.
Cuestionario:
1. Represente el Circuito Base Comn y Colector Comn mediante el
modelo de parmetros r.

BASE COMUN

EMISOR COMUN

2. Partiendo del modelo anterior, deducir las ecuaciones de ganancia

de voltaje, ganancia de corriente, impedancia de entrada e
impedancia de salida.
BASE COMUN
Ganancia de voltaje:

RB =RB 1 R B 2
R
( L Rc )
v o=I c

=i E r eiB RB
v =v
v =i E (r e +

RB
)
+ 1

A v =(i c R L )/(i B r e +

RB
)
+ 1

Si consideramos que:
A v=

i C =i E

R L RC
RB
re +
( +1)

Ganancia de corriente:

Ai=

ic
iE

que no existe gananciade corriente

Impedancia de entrada:

I
V

=
Z

B
=r e+ +1

Z
Con CB RB=0

=r e
Z

z =R E Z
Impedancia de salida:

Z o =RC R L
COLECTOR COMUN
Ganancia de voltaje:

V
A v=

V ot

R
( L R E )
v ot =i E
R

L
R E )+ r e
(

v =i E
R

r e +( L R E )
R R E
A v= L

A v 1
Ganancia de corriente:

i
Ai= E = +1
iB

Impedancia de entrada:

Sin CB

I
V

=
Z
R

( L||R E ) )
re+
IB
IE

=
Z
r

R
( L|R E ) )
( +1)
=
Z

tiene un valor alto

z

|R B 1|R B 2
Z =Z
Impedancia de salida:

Z o =V ot /i ot
RB 1 |RB 2 ) i
( B r e )/i E
i B
Z o=
Z ot tiene un valor pequeo
3. Para los circuitos siguientes determinar:
a. Voltajes y corrientes de polarizacin.
b. Ganancia de voltaje, ganancia de corriente, impedancia de
entrada e impedancia de salida.

RB =RB 1 R B 2=6567.96
V TH =

i B=

V cc R B 2
=3.98 V
R B 1+ R B 2

V TH V BE
=44.79
R B+( +1)R E

i c = i B =4.479 mA
R

v o =i c
i E =( +1 ) i B =4.52 mA
re=

26 mV
=5.747
iE

=i E r eiB RB =0.32V
v =v
A v=

R L RC
=14.57
RB
re +
( +1)

V TH =

i B=

V cc R B 2
=3.98 V
R B 1+ R B 2

V TH V BE
=51.967
R B+( +1)R E

i c = i B =5.196 mA
i E =( +1 ) i B =5.248 mA
R

v ot =i E
re=

26 mV
=4.95
iE

R
( L R E )+ r e

v =i E
R

L
R E )=0.98
r e +(
R R E
A v= L

4. Para cada circuito, dibujar la seal de entrada y de salida en un

mismo grfico.
BASE COMUN

COLECTOR COMUN

5. Para cada circuito, determinar el voltaje de entrada mximo, para

que no exista recorte en la salida.
BASE COMUN

V RC >
V RC

RC
v
RC R L op

R C R L
> v op
RC

V RC =iC Rc =6.7185 V
RC
=1.454
R C R L
V omax =4.62 V
COLECTOR COMUN

i B=51.967
i E =5.248 mA

V E =V =i E RE =2.93 V

V B =20 V
V C =20 V =V CC
V CE =V C V E=17.07 V
V inpmax =

V CE

| A V|+1

=8V

6. Realizar y presentar las simulaciones de los circuitos.

BASE COMUN

 COLECTOR COMUN

Bibliografa:
Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Boylestad,
Nashelsky.
Dispositivos Electrnicos, Thomas Floyd.
Dispositivos y Circuitos Electrnicos, Donald Neamen.