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30 (1991) 5, 338-341
El desarrollo de materiales cermicos piezoelctricos lleva consigo la obligada caracterizacin de los mismos. Para llevar a
cabo dicha caracterizacin, existen una serie de guas internacionalmente admitidas, reunidas en Normas de diversos organismos.
El objetivo del trabajo es mostrar las diferencias entre las distintas Normativas ya establecidas, reunindolas en tres grupos:
Normativas de material. Normativas de componentes y Normativas de sistemas.
A lo largo del trabajo se intentan justifcar las variaciones
que han ido surgiendo desde la primera norma, dictada en 1945.
Asimismo, como ejemplo, se describe lo normalizado sobre dos
parmetros decisivos: ^^ y Q^.
1.
INTRODUCCIN
El desarrollo de un material o de un sistema fsico capaz de realizar una cierta funcin que se basa, bien en las propiedades de los
materiales que lo componen bien en la disposicin de los mismos,
lleva aparejado la comprobacin de sus caractersticas al final de
su realizacin. Esta necesidad es propia tanto de aquellos que realizan el sistema como de los que lo oft^ecen a terceros.
Los que lo desarrollan, tanto a nivel de investigacin como de
produccin, han de conocer las caractersticas de los materiales que
estudian y realizan para saber si se cumplen las previsiones de orden cientfico y as comunicarse con su entorno profesional. Los
que ofrecen a terceros los materiales, o los sistemas basados en
dichos materiales, han de acompaar a los mismos una certificacin que valide la informacin que ofrecen sobre sus caractersticas.
Todo lo anterior se resume en la necesidad de acordar Normas
de caracterizacin. En el caso particular de las cermicas piezoelectricas existen diversas Normas tanto nacionales como internacionales que se pueden dividir en dos grupos. Por un lado estn
aqullas que se refieren a las cermicas en cuanto a sus propiedades como materiales, mientras que por otro existen algunas que intentan dar guas para caracterizarlas como componentes. Asimismo, dada la diversidad de las aplicaciones de estos materiales
cermicos, se est intentando distinguir entre caracterizacin a bajo nivel de potencia elctrica consumida y caracterizacin a alta
potencia elctrica.
2. NORMATIVA REFERENTE A LAS CERMICAS
PIEZOELECTRICAS COMO MATERIALES
Sobre este aspecto hay una produccin continua de Normativas
internacionales desde 1945 en que se public la primera Norma
del Institute of Radio Engineers (EE.UU.) con el ttulo: Standards
on Piezoelectric Crystals: Reconmiended Terminology (1). Desde entonces hasta el momento actual, esta Institucin ha ido publicando sucesivas Normas siendo la ltima la titulada IEEE Standard en Piezoelectricity con identificacin ANSI/IEEE Sts 176
(1987) (2). Durante este margen de tiempo, se publicaron otras siete
Normas dedicadas a materiales piezoelctricos entre los que desta338
^ 3 3 ^ 3 3 ( ^ 3 3 S 33)
[1]
[2]
J3 CI33I3
[3]
Usando [2], la aplicacin de una tensin mecnica en la direccin de polarizacin 3, provoca la aparicin de una distribucin
de cargas en las caras metalizadas de una cermica piezoelctrica.
Conociendo la tensin mecnica aplicada y midiendo con precisin
la carga elctrica liberada, se obtiene en forma inmediata d33. Siguiendo el efecto contrario y usando [3], se puede llegar al mismo
resultado. Estas medidas de tipo esttico presentan una indudable
ventaja. El proceso de medida por resonancia se ha de realizar con
una geometra especfica a veces inalcanzable para algunos tipos
de materiales piezocomposites, polmeros piezoelctricos mientras que la directa se puede aplicar a geometras tan poco ortodoxas como un casquillo esfrico. No obstante esta medida directa
de d33 conviene realizarla no en modo esttico sino cuasiesttico
a una frecuencia muy inferior a la de la primera resonancia, para
evitar la interferencia de efectos piezoelctricos (2).
Al llegar a este punto, merece la pena realizar un inciso para comentar hasta qu punto pueden influir las tcnicas de medida. Repasando lo anterior, aparecen una serie de necesidades de medida
de ciertas magnitudes fsicas: magnitudes elctricas (impedancias,
carga, campo elctrico) y mecnicas (tensin y desplazamientos mecnicos). Es obvio que la propuesta de una va u otra de obtencin
de d33, en este caso, est muy condicionada por la precisin alcanzable en la medida de las magnitudes involucradas. As, es normal
que hasta hace relativamente poco se hayan propuesto tcnicas de
medida de constantes piezoelctricas usando mtodos de resonancia donde se busca un mximo y no el valor del mximo en
contraposicin con medidad directas donde es esencial la precisin
en la medida de una sola magnitud fsica.
La problemtica instrumental es por tanto involuntariamente un
motor para la evolucin de la normalizacin... y tambin una realidad inconfesable. En una Norma acordada entre distintas partes,
todas ellas implicadas en el desarrollo y venta de un bien, no se
puede hacer propaganda de un equipo de medida determinado. As
se puede leer en la Norma comentada (2) que es una buena tcnica
de medida usar el mtodo cuasiesttico para la obtencin de d33
pero no se puede decir, por ejemplo, que se use un equipo que hasta hace muy poco tiempo era nico y que todos conocemos.
Hay otro problema asociado con la instrumentacin que parece
trivio pero que es de vital importancia: el costo de la misma. Ante
dos propuestas instrumentales de normalizacin para la medida de
una caracterstica de material, triunfar aquella que implique una
inversin econmica inferior. Se puede proponer la medida directa de d33 segn la ecuacin [3] conociendo el coste de un equipo de interferometra laser para la medida de amplitudes de vibracin?
Comentemos ahora el otro ejemplo anunciado: la medida del factor de calidad mecnico Q^- Siendo un tema que ha estado en discusin permanente, en los ltimos aos se ha convertido en objecto
central de dilogo cientfico. La causa, la aparicin de materiales
piezoelctricos con grandes prdidas mecnicas internas. El problema, el uso histrico de la cultura proveniente de resonadores
de muy bajas prdidas mecnicas el cuarzo.
Es curioso observar cmo se han ido remendando las Normas
sin abandonar la filosofa inicial centrada en la asuncin de que
un resonador piezoelctrico puede ser descrito como una red elctrica muy simple, constituida por un condensador CQ en paralelo
con una rama serie de un inductor L una capacidad C y una resisSEPTIEMBRE-OCTUBRE, 1991
F. R. MONTERO DE ESPINOSA
positivos en general mientras que la segunda est centrada en los
dispositivos transductores subacuticos.
La CE 642 da unos criterios sobre el tipo de ensayos a realizar
y el orden en su realizacin. Los parmetros caractersticos sobre
los que gravita el ensayo son la frecuencia de resonancia, el coeficiente de acoplamiento electromecnico, el Q y la capacidad a baja
fi*ecuencia C^. No es de sorprender la eleccin de estos parmetros si se tiene en cuenta que son los que definen el circuito equivalente de un transductor piezoelctrico Kosc^ff (19). Conocidos dichos parmetros y su variacin con la tenperatura, se puede
predecir el comportamiento electroacstico de los dispositivos piezoelctricos. Una segunda parte de ensayos propuestos se dedican
especficamente a criterios sobre la robustez mecnica de los dispositivos.
La Norma D0D-1376A (SH) es ms exhaustiva que la anterior
lo cual no es de extraar si se tiene en cuenta sii procedencia el
Departamento de Defensa de los EE.UU. Esta publicacin es un
ejemplo de Norma para el comprador. Se prima en ella la descripcin de los posibles defectos y sus tolerancias en detrimento
de la justificacin sobre los efectos que estos defectos producen
en las caractersticas de los elementos piezoelctricos. Resulta no
obstante de inters por la prolija descripcin citada de los defectos
y tolerancias.
4.
Este ltimo apartado es el ms heterogneo ya que incluye dispositivos tan dispares como los transductores ultrasnicos de potencia y los transductores array usados en ecografa mdica. No
obstante se puede establecer una distincin entre dispositivos de
banda ancha y dispositivos resonantes de banda estrecha.
Los dispositivos piezoelctricos de banda ancha se pueden asimismo dividir en sistemas de uso mdico p.e. ecografa y sistema de uso industrial p.e. ensayos no destructivos. La Norma CEI 854 (20) es un primer paso para la normalizacin de
dispositivos ecogrficos de diagnstico mdico. Esta publicacin
se refiere a transductores monoelemento entre 0,5 y 25 MHz. Dada la especificidad de la aplicacin, los parmetros a normalizar
son en este caso particular la frecuencia central de trabajo, la resolucin espacial, la compensacin por ganancia, la detectabilidad
de blancos aislados, el tipo de representacin de imagen y la correlacin espacial entre la imagen y los blancos. No presenta, en
cambio, ningn dato sobre dosimetra ultrasnica. Este es un tema
de normalizacin llevado por las Sociedades de ingeniera biomdica y no ha llegado todava a trmino.
Como ejemplo de Normas sobre dispositivos de banda ancha aplicables a ensayos no destructivos se puede citar la AS 1355 (21)
y un conjunto de Normas editadas por distintas empresas aeronuticas que por su confidencialidad no pueden ser comentadas en este trabajo. LA AS 1355 describe los parmetros y condiciones de
medida de transductores tanto de contacto como de inmersin. En
modo similar a lo comentado sobre la norma CEI 854, la especificidad de este caso hace que los parmetros caractersticos varen
respecto a los propuestos en los casos anteriores. Los que se eligen
en este caso son el espectro en frecuencia, el factor de calidad total
o acstico, la sensibilidad global as como los tpicos parmetros
de campo acstico: Simetra de haz y distancia focal.
Un comentario general sobre las condiciones de ensayo propuestas
para los dispositivos anteriores es que se subraya que han de ser
ensayados en condiciones reales. Es decir, con los equipos de excitacin y recepcin y el medio acstico con los que van a trabajar.
Resta por ltimo, comentar las ltimas propuestas sobre caracterizacin normalizada de transductores ultrasnicos resonantes para
aplicaciones industriales de potencia.
Es inmediata la aparicin de una normativa europea ya en estudio de borrador sobre esta temtica (22). El objetivo de esta Norma es la caracterizacin de transductores de potencia de hasta 100
KHz, enumerando las caractersticas electroacsticas esenciales y
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CONCLUSIONES
toelectric response of ultrasonic narrow strip transducer with mechanical losses. Proc. 1983 Ultras. Inter. Butterworths (984).
12. IH , J. M. y LEE , B . H . : Attenuation coefficient of a piezoelectric resonators operating in a thickness mode. Elec. Lett (22) N7 (1986),
357-359.
13. BUI, L . N . , SHAW, H . J. y ZITELLI, L . T.: Study of acoustic wave
resonance in piezoelectric PVF2 Film. IEEE Trans, on Son. arid Ultras. SU-24 N) 1977), 331-336.
14. Standard definitions and methods of measurement for piezoelectric
vibrators operating over the frequency range up to 30 MHz, Pub. n?
302 I.E.C. (1969).
15. Basic method for the measurement of resonance frequency and equivalent series resistance of quarz crystal units by zero phase technique
in -network. Pub. 44, lEC (1973).
16. Guide to dynamic measurements of piezoelectric ceramics with high
electromechanical coupling. Pub. 483 lEC (1976).
17. Piezoelectric ceramic resonators and resonator units for frequency control and selection. Pub. 642 lEC (1979).
18. Piezoelectric ceramic for sonar transducer (hydrophones and projecBOL.SOC.ESP.CERAM.VIDR. VOL. 30 - NUM. 5
Nuevas expresiones de inters para la caracterizacin de materiales piezoelctricos por el mtodo de resonancia
20. Methods of measuring the performance of ultrasonic pulse echo diagnostic equipment. Pub. 854 lEC (1986).
21. Ultrasonic trransducer, Immersion and contact. Performance parameters AS 1355, Ed. Soc. of Autom. Eng. Inc. New York (1974).
22. Comunicacin privada.
RESUMEN.Nuevas expresiones de inters para la caracterizacin de materiales piezoelctricos poi* el mtodo de resonancia.
La medida de la impedancia elctrica de entrada de un resonador piezoelctrico, en funcin de la frecuencia, permite la determinacin de diversas constantes elsticas, dielctricas y piezoelctricas, caractersticas del material. Las limitaciones y falta
de precisin de algunas expresiones de las normas (1,2), en particular las relativas al factor de calidad mecnico Qm, en el caso
de nuevos materiales con altas prdidas mecnicas, estn comentadas en las mismas y son bien conocidas. En trabajos previos (3, 4) se han presentado expresiones alternativas para Q^
y para la constante dielctrica 633, siendo estos parmetros,
junto al factor de acoplamiento electromecnico K^, determinantes del comportamiento de los transductores ultrasnicos basados en cermicas piezoelctricas vibrando en modo espesor
(thickness extensional). En este trabajo se parte de la expresin analtica de la impedancia elctrica de entrada de un resonador piezoelctrico, con inclusin rigurosa de las prdidas mecnicas internas producidas por mecanismos de viscosidad. Se
detalla a continuacin el origen de las expresiones alternativas
para la medida de C^ y Qm y se analizan las aproximaciones
que estn implcitas. Finalmente, a partir de un estudio sistemtico de los modelos unidimensionales de resonadores piezoelctricos con inclusin de prdidas mecnicas (5, 6), se presenta ua modifcacin en la expresin analtica para la medida
deQ.
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