Los sensores pueden ser interruptores mecnicos, magnticos o de otros

tipos y se ubican en puntos estratgicos del rea a proteger, por ejemplo

detrs de puertas o ventanas, debajo de objetos valiosos, etc.
Para proteger varios puntos al mismo tiempo, los sensores normalmente
abiertos (NA) deben conectarse en paralelo y los normalmente cerrados
(NC) en serie.
Cada grupo de sensores que provocan independientemente la activacin de
la alarma recibe el nombre de zona.
Por tanto, la nuestra es un alarma de dos zonas, relativamente simple
comparada con alarmas profesionales que manejan hasta 16 o ms zonas,
utilizan microprocesadores o microcontroladores y estn conectadas a
centrales de alarma o estaciones de polica.

SCR
El SCR (Silicon Controled Rectifier / Rectificador controlado de silicio) es
un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador
casi ideal.

El tiristor SCR es un dispositivo electrnico que tiene la caracterstica de

conducir la corriente elctrica en un solo sentido tal como lo hace un diodo,
pero para que comience a conducir el tiristor SCR necesita ser activado,
mientras el tiristor SCR no sea activado este no conducir. Cuando el
tirirstor SCR no conduce se le puede considerar como un interruptor abierto
y mientras conduce como un interruptor cerrado.

FUNCIONAMIENTO BSICO DEL SCR

El
siguiente grfico muestra
un circuito equivalente
del SCR para comprender su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG
al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 =
IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente
de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2),
este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base
de Q1, y este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2
causando el encendido del SCR.

Los
del SCR son:

parmetros

VRDM: Mximo voljaje inverso de cebado (VG = 0)

VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)

IF: Mxima corriente directa permitida.

PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.

VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para

el cebado

IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR

dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.

di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

Nota: dv/dt, di/dt: Ver parmetros del SCR en SCR en corriente continua

Curva caracterstica del SCR

En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de conmutacin
y la corriente de compuerta. Cuando el SCR est polarizado en inversa se
comporta como un diodo comn (ver la corriente de fuga caracterstica que se
muestra en el grfico). En la regin de polarizacin en directo el SCR se
comporta tambin como un diodo comn, siempre que el SCR ya haya sido
activado (On). Ver los puntos D y E. Para valores altos de corriente de
compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de nodo a ctodo es menor (VC).

Si la IG disminuye, el
voltaje nodo-ctodo
aumenta. (ver el punto B y
A, y el voltaje anodoctodo VB y VA).
Concluyendo, al disminuir
la corriente de compuerta
IG, el voltaje nodo-ctodo
tender a aumentar antes
de que el SCR conduzca
(se ponga en On / est
activo)