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Laboratorio

CARACTERSTICAS Y CIRCUITOS
CON DIODOS
1. LISTA DE MATERIALES

Diodo de Germanio (1N34) o similar.


Diodo de Silicio rectificador (1N4007) o similar.
Diodo Zener de 5.1 [V]/500 [mW] (1N751) o similar.
Diodo Zener de 9.1 [V] (1N757) o similar, potencia del diodo de acuerdo al
diseo.
Opto diodo.
Diodo Varactor.
Lote de resistencias de todo valor: 330[]; 470[]; 1[K]; 2.2 [K]; 4.7 [K];
10 [K] todos de [W]; 220 [] de 2 [W] y 470 [] de 1 [W].
Potencimetro de 1 [K].
Capacitores electrolticos de 10 [F]; 100 [F]; 470 [F]; 1000 [F] todos para
35 [V] o ms.

2. LISTA DE INSTRUMENTOS A UTILIZAR

Fuente de alimentacin variable DC.


Multmetro.
Osciloscopio.
Generador de Funciones.

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Consideraciones previas al laboratorio.

Armado en Protoboard
Para las prcticas del laboratorio de electrnica analgica, el uso correcto del protoboard es
importante para obtener un armado que permita un seguimiento fcil de las seales a lo
largo del procesamiento de la misma y un anlisis respectivo para una rpida y/o ordenada
verificacin del trabajo que se est realizando.

El esquema mostrado a continuacin es un ejemplo el que deber seguirse a lo largo de ste


y los siguientes laboratorios.

Un armado prctico de un circuito simple es como sigue:

3. OBJETIVOS DE LA PRCTICA A REALIZAR

3.1 OBJETIVO GENERAL

Analizar, disear e implementar circuitos con dispositivos de una juntura (diodo) y


conocer su comportamiento de diferentes circuitos.

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3.2 OBJETIVOS ESPECIFCOS

Los objetivos especficos que a continuacin se sealan son para cada experimento.

a) Mostrar cmo se prueban diodos de Germanio y Silicio con el multmetro y verificar


en forma prctica que los diodos de propsito general tienen baja resistencia en
polarizacin directa.
b) Verificar en forma prctica que los diodos de propsito general tienen alta
resistencia en polarizacin inversa.
c) Verificar el comportamiento del Diodo de uso general frente a una variacin de
Temperatura y los efectos causados en sus caractersticas elctricas.
d) Realizar las medidas pertinentes para construir las curvas caractersticas de los
diodos de Germanio y Silicio, realizar observaciones en cuanto a las diferencias
encontradas si es que existen.
e) Analizar circuitos con diodos especiales como los opto diodos varactores y sus
caractersticas.
f) Mostrar que los Diodos trabajan como recortadores de tensin positiva y negativa
y demostrar cmo el diodo recortador altera la forma de onda de una seal
aplicada al diodo.
g) Mostrar cmo construir circuitos recortadores de Tensin que introducen los
componentes de valor medio a las ondas sinusoidales y otras.
h) Verificar que los diodos producen cambios de voltaje alterna a continua y que se
pueden obtener tensiones positivas y negativas invirtiendo las conexiones del
diodo. Verificar cmo se construye un rectificador de media onda, onda completa y
mostrar que la tensin de salida DC de un rectificador simple de media onda y
onda completa contienen componentes AC. Adems, verificar los efectos de variar
el condensador de filtrado y la resistencia de carga de los rectificadores de media
onda y del rectificador de onda completa.
i) Verificar el funcionamiento de circuitos multiplicadores de Tensin requerido en
algunos casos en aplicaciones especiales.
j) Comprobar el funcionamiento de circuitos reguladores verificando que los Diodos
Zener en polarizacin inversa no excede su rango de voltaje especificado en las
hojas del fabricante.
k) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la experimentacin
y plasmarlos en la proposicin de un ejemplo a desarrollar en laboratorio.

Para el cumplimiento pleno de los objetivos trazados en esta prctica se puede realizar las
medidas de tensin. Corriente, riple y cualquier otro parmetro que considere sea de importancia.

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4. REALIZACIN DEL PRE - INFORME.

a) CARACTERSTICAS DE POLARIZACIN DIRECTA.

Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en Polarizacin Directa, para un


diodo de uso general y el funcionamiento de un circuito en Polarizacin Inversa, para un
diodo Zener, mostrado en las figuras 1 y 2 respectivamente. Indique que tipo de
precauciones prcticas se debe tener para no sobrepasar la mxima condicin de
operacin de un diodo semiconductor. Investigue las caractersticas elctricas del diodo de
uso general y del diodo Zener a utilizar.
R1 R1
1k 1k
Voltmetro Voltmetro

NO DATA
NO DATA

DC V
+ D1
DC V
V1 + D1
V1 ZENER
15V DIODE 15V P1
P1
1k 10% 1k 10%

NO DATA
NO DATA

DC A
Ampermetro
DC A

Ampermetro

FIGURA 1 FIGURA 2

b) CARACTERSTICAS DE POLARIZACIN INVERSA.

Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en polarizacin Inversa para el


Diodo de uso general en base a la figura 3 y el funcionamiento de un circuito en
Polarizacin Directa para un Diodo Zener en base a la figura 4. Indique que tipo de
precauciones prcticas se debe tener para no sobrepasar las caractersticas de operacin
elctricas en estas condiciones.
R1
1k R1
Voltmetro 1k
Voltmetro
NO DATA

NO DATA
DC V

+ D1
DC V

V1 V1 + D1
DIODE
15V P1 15V ZENER
P1
1k 10% 1k 10%
NO DATA

NO DATA
DC A

Ampermetro
DC A

Ampermetro

FIGURA 3 FIGURA 4

c) EFECTOS DE LA TEMPERATURA EN UN SEMICONDUCTOR.

Explique detalladamente los efectos de la temperatura que sufre un Diodo semiconductor,


indique cules son las caractersticas elctricas que son afectados y en que porcentaje se

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incrementan de acuerdo a los cambios de temperatura que pueda sufrir. Considera una
variacin de 100 C desde 50 C pasando por 25 C y llegando a 50C (tericamente).

R1 R2
1k 1k

Volt metro Volt metro

D2

NO DATA
D1

NO DATA

DC V
DIODE

DC V
DIODE
+ V2 +
V1
15V 15V

NO DATA
Ampe rmetr o

NO DATA

DC A
Ampe rmetr o

DC A
FIGURA 5

d) CARACTERSTICA TENSIN-CORRIENTE (V-I)

Utilizando los circuitos indicados la figura 1 al 4 obtenga las caractersticas V-I para los
siguientes diodos: Germanio (1N34) o similar, Silicio (1N4007) o similar, Zener de 5.1
[V]/500[mW] (1N751) o similar, Zener de 9.1[V] (1N757) o similar.

e) CARACTERSTICAS DEL OPTO DIODO y VARACTOR.

Explique detalladamente el funcionamiento de estos dispositivos semiconductores,


investigue tambin las caractersticas elctricas de los mismos. Disear un circuito
mediante el cual se pueda reconstruir la curva caracterstica de este semiconductor.

D1 D1
BBY31
El smbolo de los dispositivos es:

CONFORMADORES DE ONDA

Analic la seal de salida (Vo) para el circuito de la figura 6 donde la seal de entrada Vi es
una onda Triangular simtrica de 14V de amplitud y periodo de 10ms. Representar sobre
una misma grfica y a escala las formas de onda de salida y entrada indicando los niveles
de tensin e instantes significativos de aquellos. Suponga que los diodos son ideales tanto
para el anlisis terico como en laboratorio. b) dem que a) si los diodos son reales.

Datos: R1 = R9 = R12 = R51= 1 K


R10 = R13 = R15 = 10 K
R2 = R3 = R4 = R6 = R8 = R7 =100

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FIGURA 6

f) RECORTADOR DE ONDA

En el circuito de la figura (7), analizar la forma de onda de la tensin de salida V o,


cuando la tensin de entrada es una seal senoidal simtrica de valor 30Vpp:
Datos:

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R1(1)

R1(1) BAT2(-)
R1
2k

BAT2
D1 9V
DIODE

D2
BAT1 DIODE
6V

Figura 7

g) RECTIFICADORES.

Disear un rectificador de onda completa que entregue una tensin de continua igual a -15
[V], y una corriente continua sobre la carga de 300mA, con un voltaje de ripple de 0.4 [V].
Realice el anlisis y clculo de:

a) Modelo del circuito (rectificador - filtro).


b) Potencias, tensiones y corrientes del circuito.
c) Componentes asociados al circuito.
d) Rendimiento del circuito.
e) Filtro - tipo RC.
f) Transformador.

h) MULTIPLICADORES DE TENSIN.

Disee e implemente un circuito que permita obtener a la salida:

a) Una seal igual al doble de la tensin de entrada

b) Una seal igual al cudruple de la tensin de entrada

Nota.- Considerar la seal de entrada una onda alterna triangular de 10Vpp.


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i) CIRCUITO REGULADOR.

Dado el siguiente circuito de la figura (8):

D1
T1 BRIDGE
a R
S b
Vi

R1

+
C D2 RL
ZENER

Figura 8

Si Vi=12 sen (wt), Donde D1=D2=D3=D4, con rf=100, Vd=0.7v, f=50Hz, R1=1k

a) Considerar S abierto. En estas condiciones Dibujar la forma de onda en el punto (a)


considerar C=100F. Hallar Vcc, Icc y Idmax de cada diodo.
b) Considerar S cerrado. Determinar los valore de R y Vz del diodo Dz, considerando
Va=Vcc+/-20%Vcc con el objeto de mantener en la carga 7 voltios y una variacin de
corriente de 0 a 200mA. Determinar as mismo Pzmax.

j) APORTE DEL ALUMNO

En base a los puntos del laboratorio, prepare un ejercicio e implemntelo, obteniendo los
resultados requeridos, explique claramente su funcionamiento.

SIMULACIN

Para todos los puntos anteriores, utilice un programa de simulacin (workbench, circuit maker,
multisim, Proteus, etc.) e implemente con dicha herramienta el Laboratorio.

5. REALIZACIN DE LABORATORIO.
Para la presentacin de laboratorio el estudiante necesariamente debe disponer de todos los
puntos armados en protoboard antes del inicio de sesin de la prctica.

a) CARACTERSTICAS DE POLARIZACIN DIRECTA.

Arme el circuito de la figura 1, 2 y mueva el potencimetro de un extremo al otro, del


mismo se deben adquirir los datos suficientes como para dibujar en una hoja milimetrada
la curva caracterstica del Diodo en polarizacin directa, haciendo nfasis en la obtencin
del voltaje de arranque.

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b) CARCTERSTICAS DE POLARIZACIN INVERSA.

Arme el circuito de la figura 3, 4 y mueva el potencimetro de un extremo a otro, del


mismo se deben adquirir los datos suficientes como para dibujar la curva caracterstica del
Diodo en Polarizacin Inversa, repita el proceso para el diodo Zener.

c) EFECTO DE LA TEMPERATURA.

Arme el circuito de la figura 5 (Primero con un diodo de Silicio y posteriormente con un


diodo de Germanio), de acuerdo con su hoja de especificaciones del componente acerque
un cautn caliente al diodo en curso, mantenindolo prximo al diodo un tiempo razonable.
Luego realice las observaciones que el caso requiera comparando el funcionamiento del
diodo en temperatura normal y los cambios que sufre (si es que los hubiera), a causa del
incremento en la temperatura.

d) CARA CTERSTICA TENSIN-CORRIENTE (V-I)

Arme los circuitos de la figura 1- 4, mueva el potencimetro P1 desde un mnimo hasta un


mximo valor segn los valores de la tabla 1, segmentando los valores del potencimetro
en 10 medidas mnimamente y obtenga datos V Vs I segn la tabla 1 y grafique en una
hoja de clculo la curva correspondiente al componente.

Polarizacin Polarizacin
VA-K [V] Directa ID, VA-K [V] Inversa ID,
[mA] [mA]
0 0
0.1 -5
0.2 -10
0.4 -20
. .
. .
0.8 -40
Tabla 1

e) CARACTERISTICAS DEL OPTPDIODO Y DIODO VARACTOR

Arme los circuitos que usted haya propuesto en su pre-informe para la obtencin de las
curvas caractersticas del Diodo Varactor o el Opto Diodo compare con las curvas
caractersticas emitidas por el fabricante y emita las conclusiones con respecto a la
elaboracin de este punto.

f) CONFORMADORES DE ONDA

Arme el circuito de la figura 6 y compruebe con los clculos realizados en su pre-informe,


tome los datos y las medidas correspondientes a este punto, emita las conclusiones que el
caso requiera. Luego variar la tensin de entrada y emitir sus propias conclusiones.
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g) RECORTADOR DE ONDA

Arme el circuito propuesto en la gua en la figura 7 con los valores calculados en su pre
informe y demuestre su funcionamiento.

Utilice un generador de ondas e introduzca una seal senoidal como se muestra en


la tabla.
Verifique la onda de salida conforme a lo presentado en el pre informe.

VPP Forma de Onda


(+) 10

Vent 0

(-) 10
(+) 10

a) 0

(-) 10
(+) 10

b) 0

(-) 10
(+) 10

c) 0

(-) 10

h) CIRCUITO RECTIFICADOR.

Arme el circuito propuesto en el pre informe y demuestre su funcionamiento prctico, tome


nota de las medidas efectuadas y dibuje las formas de onda resultantes con y sin filtrado
en ambos circuitos, adems indique las diferencias que existen entre estos dos
rectificadores si estas existen.

i) MULTIPLICADOR DE TENSIN.

Arme el circuito propuesto en el pre-informe y demuestre su funcionamiento. Tome nota


de las medidas que el caso requiera y dibuje las formas de onda obtenidas si la seal
sinusoidal de 5 Vpp y 1 KHz.

Vare la frecuencia y verifique si existe alguna variacin, de ser as obtenga el rango de


frecuencias de buen funcionamiento y explique por qu posee ese rango.

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j) CIRCUITO REGULADOR CON DIODO ZENER.

Arme el circuito de la figura 8, inicialmente compruebe sus clculos tericos y


posteriormente vare la entrada de +15 a 15 Voltios DC en pasos de 1 Voltio,
considerando una carga constante de 2.2 [K], en estas condiciones tomar nota de los
datos que requiera el caso para efectuar las siguientes grficas:

VO vs. Vi
IZ vs. VI
VO vs. IL

Seguidamente variar la carga desde un circuito abierto hasta por lo menos 0.47 [K],
considerando constante la entrada Vi, graficar VO vs IL.

Sustituir Vi por un generador sinusoidal de 15 Vpp, y de 1 Khz de frecuencia y dibujar las


formas de entrada y salida.

k) APORTE DE ALUMNO

Arme el circuito propuesto en el pre-informe y demuestre su funcionamiento, obteniendo


las tablas y graficas necesarias.

6. INFORME FINAL.
Presentar los resultados obtenidos en laboratorio, con los respectivos anlisis de los datos
experimentales obtenidos, interpretando cada uno de los comportamientos fsicos obtenidos, para
cada una de las prcticas elaboradas realizar las respectivas observaciones con respecto a lo
aprendido y emitir conclusiones de las mismas.

Tome en cuenta los objetivos de la prctica pues son muy importantes para la elaboracin final
del informe:

Emita Las conclusiones para cada punto de Laboratorio en forma independiente.


Realice una comparacin entre la hoja simulada y el punto desarrollado en laboratorio.
En base a la comparacin emita una conclusin completa y enncielo en su informe.
Todo cuanto se haya realizado en laboratorio, debe ser detallado, explicado y
presentado en el informe, adjunto con sus grficas respectivas.
Este informe ser el vivo reflejo de lo que el alumno haya ejecutado como trabajo en laboratorio.

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