Caracteristicile curent-tensiune ale jonctiunii pn m 27 1-8 CARACTERISTICILE CURENT-TENSIUNE ALE JONCTIUNII PN Am aratat ca polarizarea directa a jonctiunii pn permite trecerea curentului, iar polarizarea inversa o impiedica, exceptie facand un curent invers neglijabil. In polarizare inversa, curentul nu circula atata timp cat tensiunea de polarizare inversa nu este mai mare sau egala cu tensiunea de strapungere a jonctiunii. In aceasta sectiune vom studia mai am&nuntit, in reprezentare grafica, relatiile tensiune-curent ce caracterizeaza jonctiunea pn. Dupa parcurgerea acestei sectiuni ar trebui sa fiti capabil: Si analizati caracteristica curent-tensiune (J-V) a unei jonctiuni pa > Sa explicati domeniul de polarizare directa al caracteristicii I-V > Sa explicati domeniul de polarizare inversi al caracteristicii I-V > S& identificati potenfialul de barier& > SA identificati tensiunea de strapungere > SA comentati efectele temperaturii asupra jonctiunii pn Caracteristica I-V la polarizarea directa Dupa cum afi invatat, la aplicarea unei tensiuni de polarizare directa unei jonctiuni pn, prin jonctiune circula un curent. Acesta este numit curent direct si se noteazi 1, Figura 1-27 arat ce se intampla cand tensiunea de polarizare directa creste de la zero spre valori pozitive. Rezistorul are rolul de a limita curentul direct la o valoare care nu produce supraincalzirea jonctiunii pn si deteriorarea ei. La tensiunea de 0 V la capetele jonctiunii pn, nu exista curent direct, dupa cum indic& fig. 1-27(a). Pe masura ce cresteti tensiunea de polarizare, curentul direct si ciderea de tensiune pe jonctiune cresc treptat, ca in fig. 1-27(b). O fractiune din tensiunea de polarizare aplicata cade pe rezistorul de limitare. Cand tensiunea de polarizare aplicata atinge o valoare pentru care céderea de tensiune pe jonctiune este de aproximativ 0,7 V (potentialul barierei), curentul direct incepe sa creasca rapid. Daca veti continua s& marifi tensiunea de polarizare, curentul va creste foarte repede, ins cdderea de tensiune pe jonctiunea pu creste lent si foarte pusin peste valoarea de 0,7 V, cum vedeti in fig. 1-27(c). Aceast& crestere mica a caderii de tensiune pe jonctiunea pn peste potentialul de bariera se datoreaza cdderii de tensiune pe rezistenta dinamica a materialului semiconductor. Trasaroa curhol -V Daca reprezentati grafic prin puncte rezultatele masurarilor efectu- ate cu montajul din fig. 1-27, obtineti caracteristica -V pentru jonctiunea pn polarizata direct, ca in fig. 1-28(a). Curentul direct (J,) este reprezentat cresc&tor cAtre extremitatea de sus a axei verticale, iar tensiunea directa (V,") pe jonctiunea pn este reprezentata crescator c&tre dreapta axei orizontale. * fn limba romani se foloseste si notatia Ip. (n. t.) ~ In limba romani se foloseste $i notatia Up, (n. t.)28 ™ Introducere in semiconductoare Dupi cum se observa in fig. 1-28(a), curentul direct creste foarte putin inainte ca ten- siunea direct pe joncfiune s& ating aproximativ 0,7 V, in zona de curbura a graficului. Dupi acest punct, tensiunea directa ramane in jurul valorii de 0,7 V, dar I; creste rapid. Asa cum am mai mentionat, V; mai creste putin peste 0,7 V la cresterea curentului, in principal datorita cdderii de tensiune pe rezistenta dinamic&. Domeniul normal de functionare pentru o jonctiune pn polarizata direct este cel de deasupra curburii graficului. Scara de misura tipicd pentru I, este in mA, aga cum se poate vedea. Figura 1-27 Masurétorile in polari- zare directa indica varia- file de ansamblu ale V,- si [pla cregterea Vecy. ov (@) Tensiune de potarizare absent’. Joncjunea pn este la echiibru. O+ Veo- (b) Tensiune de polarizare directa mica (V,< 0,7 V), (c) Tensiunea directa atinge si pastreaza valoarea ‘curent direct foarte mic. de aproximativ 0,7 V. Curentul direct continua s8 creasc& la cresterea tensiunii de polarizare. Punctele A, B si C de pe graficul din fig. 1-28(a) corespund masuratorilor din fig. 1-27. Punctul A corespunde figurii 1-27(a), adicd unei tensiuni de polarizare zero. Punctul B corespunde figurii 1-27(b), cdnd tensiunea directa este mai mic& decat potentialul deCaracteristicile curent-tensiune ale jonctiunii pn m 29 barierd de 0,7 V, Punctul C corespunde figurii 1-27(c), pentru o tensiune direct& V, apro- ximativ egala cu potentialul de barier’. Pe masura ce tensiunea de polarizare aplicata din exterior si curentul direct continua s& creascd dincolo de zona de curbura, tensiunea directa creste putin peste 0,7 V. in practic, tensiunea direct nu poate depisi 0,90 V, in functie de curentul direct. J, (mA) Ie(mA) Figura 1-28 Caracteristica /-V pentru polarizarea directa. Graficul (b) ilustreaza scaderea rezistenfei dinamice catre partea superioard a curbei (r= AV, /Al,) Reziston{a dinamica Spre deosebire de rezistenta liniara, rezistenta unui material de tip pn in polarizare directa nu este constant in tot domeniul de valori. Pentru ca rezistenta variaza de-a lungul curbei V-I, ea este denumita dinamici sau de c.a. (curent alternativ). Rezistenta interna a dispozitivelor electronice se noteazi, de obicei, cu r’, in loc de R. Rezistenta dinamica a unei diode se noteaza r’,. Cea mai mare rezistenta corespunde portiunii de grafic de sub curburi, deoarece variatia curentului este foarte mic& la o variatie data de tensiune (r', = AV; / Al,). Rezistenta incepe si scadA in zona de curbura si devine minima deasupra acesteia, unde are loc o variatie important a curentului pentru o variatie data a tensiunii. Aceast pro- prietate este ilustrata in fig. 1-28(b) pentru diferente egale ale V; (AV) in domeniul si- tuat de o parte si de cealalt& a curburii, aici reprezentat la scar mai mare. Caracteristica I-Vla polarizarea inversa Cand jonctiunii pu i se aplica o tensiune de polarizare inversa, prin jonctiune circula doar un curent invers (I), extrem de mic. Figura 1-29 ilustreaza fenomenele ce au loc la cresterea tensiunii de polarizare inversa de la 0 V cAtre valori negative. Lao cdere de tensiune de 0 V pe jonctiunea pn nu exista curent invers. Pe masura ce cresteti treptat tensiunea de polarizare inversa, apare un curent invers foarte mic, iar caderea de tensiune pe jonctiunea pn creste, ca in fig. 1-29(a). Cand mériti tensiunea de in limba romana se foloseste si notafia Inyy. (N. t.)30 ™ Introducere in semiconductoare polarizare aplicaté pana la o valoare pentru care tensiunea inversi ce cade pe jonctiunea pn (V,)' devine egala cu tensiunea de strapungere (Vj;,)", curentul invers incepe si creasca rapid. Continuand s& mariti tensiunea de polarizare, curentul creste in continuare foarte repede, ins& c4derea de tensiune pe jonctiunea pn creste foarte putin peste Vgrg, cum se vede in fig. 1-29(b). Cu unele exceptii, regimul de strapungere nu este cel normal pentru functionarea majoritatii dispozitivelor bazate pe joncfiuni pn. Tensiune de strpungere Tensiune de strapungere ©- Veo O- Voout (2) 0 tensiune de polarizare inversd mai mic& decat (b) Cand tensiunea de polarizare depageste valoarea valoarea de strapungere produce un curent de strépungere, curentul invers creste rapid, invers extrem de mic. iar supraincalzirea poate distruge material de tip pn. Ficura 1-29 Curentul gi tensiunea la o jonefiune pn polarizata invers. Trasaroa graficulul KY Daca reprezentati grafic prin puncte rezultatele masurarilor efec- tuate conform figurii 1-29, obfineti caracteristica I-V pentru o jonctiune pn polarizata invers. Curba tipica este prezentat& in fig. 1-30. Curentul invers (I,) este reprezentat crescator catre extremitatea de jos a axei verticale, iar tensiunea inversa (V) care cade pe jonctiunea pn este reprezentat& crescitor spre stanga axei orizontale. Punctul A de pe grafic corespunde masuratorilor din fig. 1-29(a), iar punctul B le corespunde celor din fig. 1:29). Vedeti deci ca exista un curent invers foarte mic (uzual, A sau nA) pana ce caderea de tensiune pe jonctiune atinge cu aproximatie valoarea de strapungere (V;;q), in zona de curbura. Dupa aceea, tensiunea inversi ramane aproximativ la valoarea Vere, dar Ip creste foarte repede, provocand supraincalzirea si, posibil, deteriorarea jonctiunii. Tensiunea de strapungere la o jonctiune pn tipica din siliciu poate lua diferite valori, dar o valoare minima de 50 V nu este iesiti din comun. * In limba romani se foloseste si notatia Upyy. (n. t.) ** In original, Vpg. (N. t)Caracteristicile curent-tensiune ale jonctiunii pn m 31 . 0 Figura 1-30 5 Graficul caracteristicilI-V pentru polarizarea inversa. Graficul complet al caracteristicii -V Combinand cele doua grafice, pentru polarizarea directa si pentru polariza- rea inversa, veti obtine graficul complet al caracteristicii I-V pentru o jonctiune fat’) pn, asa cum apare in fig. 1-31. Retineti : ca Ip se masoara in mA, pe cand Ip se méasoara in pA. Efectele temperaturii asupra caracteristicii I-V in cazul unei jonctiuni py polarizate direct, la temperaturé mai mare, curentul direct este mai mare pentru o aceeasi valoare a tensiunii directe. De asemenea, pentru o valoare data a curentului direct, tensiunea directa scade. Aceasta se reflect si in graficul carac- teristicii I-V din fig, 1-32. Curba cu linie plina corespunde temperaturii camerei (25°C), iar cea cu linie punctata, unei temperaturi mai ridicate (25°C + AT). Observati ci potentialul de barieri scade la cresterea temperaturii. 4 (ma) Ie (mA) la25°C + AT V, Ver = Ve \e ‘Curbur 0 Orv Figura 1-32 ta (vA) Efectul temperaturil Ia (HA) Figura 1-31 asupra caracteristicii F-V a joncfiunii pn, Valorile de 1 mA si 1 uA, de pe axa verticald, sunt marcate pentru compararea scariior de curent. Graficul complet al caracteristict I-V pentru 0 jonefiune pn.32. m Introducere in semiconductoare in cazul jonctiunii pn polarizate invers, cresterea temperaturii implica marirea curen- tului invers. Diferenta dintre cele doua curbe este reprezentata exagerat in fig. 1-32, pen- tru o mai buna infelegere. Ganditi-va c& valorile curentului invers raman extrem de scazute. SECTIUNEA 1-8 INTREBARI RECAPITULATIVE, 1. Comentati semnificatia zonei de curbura a graficului caracteristicii la polarizarea direct3. 2. In care domeniu al graficului functioneaza in mod normal o jonctiune pn polarizata direct? 3. Ce valoare este mai mare: a tensiunii de strépungere sau a potentialului de bariera? 4, in care domeniu al graficului functioneaz’ in mod normal o jonctiune pn polarizata invers? 5. Ce influenta are cresterea temperaturii asupra potentialului de bariera? 19 DIODA In aceasta sectiune se arata cd dioda este un dispozitiv bazat pe jonctiunea pn si este prezentat simbolul ei grafic, Veti mai afla care sunt cele trei niveluri de complexitate in care pot fi modelate diodele in vederea utilizarii lor in circuite. Dupa parcurgerea acestei sectiuni ar trebui sa fiti capabil: Si comentafi modul de functionare a diodei si si explicati cele trei modele de dioda > S& explicati legitura dintre joncfiunea pn si diod& > S& recunoasteti simbolul diodei si s4-i identificati terminalele > S& recunoasteti diodele in diverse configuratii fizice > S& explicati modelul ideal al diodei > Sa explicati modelul practic al diodei > Sa explicati modelul complex al diodei Structura si simbolul diodei Dioda de uz general sau redresoare este un dispozitiv realizat pe baza unei singure jonctiuni pn, prevazuta cu contacte conductoare si terminale de sarma conectate la fiecare regiune, ca in fig. 1-33(a). Jumatate din dioda este constituitA din semiconductor de tip n, iar cealalt& jumatate, din semiconductor de tip p. Veti recunoaste deci dispozitivul realizat cu joncfiune pn, discutat in sectiunile precedente. Simbolul grafic al unei diode de uz general sau redresoare este prezentat in fig, 1-33(). Regiunea n se numeste catod, iar regiunea p se numeste anod. , Sageata” simbolului este orientata in sensul conventional al curentului (opus sensului de deplasare a electronilor). Polarizarea directa si inversa a diodelor Consideratiile prezentate anterior asupra polarizarii jonctiunii pn sunt valabile si in cazul diodelor, intrucat dioda este un dispozitiv alcdtuit dintr-o joncfiune pn.Dioda m 33 Conoctaroa in polarizare directa Dioda ‘Structurd de jonetiune pn semiconductoare este polarizata direct cand sursa de ~ tensiune se conecteazii ca in fig. 1-34(a). Borna pozitiva a sursei se conecteaza la anod prin intermediul unui rezistor de limitare a curentului. Borna nega- tiva a sursei se conecteaza la catod. Curentul direct (J,) circula dinspre anod spre catod, cum araté desenul. Caderea de tensiune directa (V,) da- ‘Anod (A) > Catod (C) torata potentialului de bariera are potentialul pozitiv pe anod si pe cel negativ pe catod. Conoctaroa in Dotarizaro avers Dioda Figura 1-33 este polarizatd invers cand sursa de ee tensiune se conecteaza ca in fig. 1-34(b), Sttuctura diode si simbolul grafic. Borna negativa se conecteaza la anod, iar cea pozitiva se conecteaza la catod. Rezistorul nu este necesar la polarizarea inversa, fiind reprezentat doar din considerente de consecventa. Curentul este zero (neglijand curentul invers, mic). Remarcafi ca intreaga tensiune de polarizare (Vpo,) cade pe dioda. Contacte metaice gi {erminale de sérma {a) Structura de baza a diodei (0) Simbotul grafic Diode uzuale Cateva dintre cele mai rispandite tipuri de diod& sunt prezentate in fig. 1-35. Catodul si anodul apar marcate pe corpul diodei in diverse moduri, in functie de tipul capsulei. Catodul se marcheaza de obicei cu un inel, 0 placuja sau alte forme. La capsulele care au unul dintre terminale conectat la carcasa, car- Vp oe casa este catodul. Daca ave}i dubii, consultati (a) Polarizare directa (b) Polarizare invers totdeauna un catalog, cum veti invata in Capitolul 2. Figura 1-34 Conectarea diodei in polarizare directa si inversa. Modelul ideal al diodei : : Modelul ideal al diodei este un simplu intrerupator. in polarizare directa, dioda se comporta ca un intrerupator inchis, ca in fig. 1-36(a). In polarizare inversa, se comport ca un intrerupitor deschis (fig. 1-36(b)). Potentialul de bariera, rezistenta dinamica in conductie directa si curentul invers sunt neglijabile. Graficul caracteristicii diodei ideale, din fig. 1-36(c), di imaginea modului in care functioneaz4 o dioda ideala. Intrucat potentialul de bariera si rezistenta dinamica in con- ductie directa sunt neglijabile, se admite cA, in polarizare directa, cdderea de tensiune pe dioda este nula, dupa cum indica ramura graficului din lungul axei verticale pozitive, V, =0V Curentul direct este determinat de tensiunea de polarizare si de rezistorul de limitare. (a34 m Introducere in semiconductoare Figura 1-35 Capsule de diod& uzuale $i identificarea terminalelor. Figura 1-36 Modelul ideal al diodei. (@) Polarizare directs |, (b) Polaizare invers& Ver \ k (6) Graficul caracteristici ideale Intrucat curentul invers este neglijabil, se considera nul, dupa cum indica si portiunea din caracteristica de pe axa orizontali negativa din figura 1-36(c). I= 0ADioda = 35 Tensiunea inversi este egal cu tensiunea de polarizare. Va = Voor Modelul ideal este util cand efectuafi o operatie de depanare sau cand urmariti pe o schema modul in care functioneaza un circuit, in aceste cazuri nefiind necesara cunoas- terea cu mare precizie a valorilor tensiunii sau curentului. Modelul practic al diodei Modelul practic — cel mai frecvent folosit - adauga potentialul de bariera la caracte- ristica de intrerupator ideal. In polarizare directa, dioda se comporta ca un intrerupator inchis in serie cu o sursa de tensiune de mica valoare (consideraté, la siliciu, de 0,7 V), egala cu potentialul barierei si orientata cu extremitatea pozitiva citre anod, ca in fig. 1-37(a). Sursa de tensiune dati de potentialu) de bariera reprezint cAderea de tensiune constanta (V;) ce apare pe jonctiunea pn a diodei numai la polarizarea directa, nefiind 0 sursa activa. Modelul practic al diodei Modelul practic al diodei Figura 1-37 Modelul practic al diodel. Rover (a) Polarizare directa (b) Polarizare inversa | o7V (c) Curba caracteristica (pentru siliciu) in polarizare inversa, dioda se comporta ca un intrerupator deschis, si ideal, dupa cum se vede in fig. 1-37(b). Potentialul de barier& nu intervine in functio- narea diodei in polarizare inversa, deci nu se ia in consideratie. Caracteristica unei diode cu siliciu dupa modelul practic este prezentat in fig. 1-37(c). Intrucat se ia in consideratie potentialul de barier’, iar rezistenta dinamica in conductie direct& se neglijeaza, in polarizare direct apare o cidere de tensiune pe dioda, asa cum36 @ Introducere in semiconductoare indic& portiunea de grafic din dreapta originii. V,_=0,7V (a siliciu) V,=03V (la germaniu) Curentul direct se determina din formula: (1-3) intrucat curentul invers este neglijabil, se considera nul, dupa cum indica si portiunea din caracteristica de pe axa orizontala negativa. I= 0A Va= Voor Modelul complex al diodei Modelul complex al diodei cuprinde potentialul de bariera, rezistenta dinamica in conductie directa (r’,), de valoare mica, si rezistenfa interna in conductie inversa (’,), de valoare mare. Rezistenta inversa se ia in consideratie deoarece constituie calea pe care circula curentul invers, care apare in acest model al diodei. In polarizare directa, dioda se comporta ca un intrerupator inchis in serie cu sursa de tensiune data de potentialul de bariera si cu mica rezistenta dinamica in conductie direc- ta (r’), cain fig. 1-38(a). In polarizare inversa, dioda se comport ca un intrerupator deschis in paralel cu rezistenta interna, mare, in conductie inversa (r’,), dupa cum se vede in fig. 1-38(b). Potentialul de bariera nu intervine in funcfionarea diodei in polarizare inversi, deci nu se ia in consideratie. Caracteristica unei diode cu siliciu dup modelul complex este prezentat in fig. 1-38(c). Intrucat sunt luate in consideratie potentialul de bariera si rezistenta dinamica in con- ducfie directa, inseamna ci pe dioda polarizata direct apare 0 cidere de tensiune. Aceasta (notata V,) include tensiunea data de potentialul barierei si de cAderea de tensiu- ne, de mica valoare, de pe rezistenta dinamica, dupa cum indica ramura de grafic din dreapta originii. Caracteristica este inclinaté din cauza faptului ci valoarea caderii de tensiune pe rezistenta dinamic& se méreste la cresterea curentului. In cazul modelului complex al diodei cu siliciu se aplici urmatoarele formule: a4) (5) La determinarea curentului invers se tine seama de rezistenta in paralel, repre- zentarea graficd a acestuia fiind ramura din stanga originii. Zona de strapungere nu este reprezentata deoarece, pentru majoritatea diodelor, strapungerea nu constituie un mod normal de functionare. Exemplul urmitor ilustreaza diferenjele ce apar la analizarea unui circuit simplu datorita utilizarii celor trei modele ale diodei.Dioda = 37 Modelul complex al diodei Modetut complex al diodei Figura 1-38 Ree ae Modelul complex al diode Veo. ae it (2) Polarizare directa (b) Polarizare invers (ma) inclinare datoratd micii rezistenfe de conducfie directa Ve ve Curent invers mic, datorta rezistenfei mari {in conduetie invers& (c) Curba caracteristica (pentru siliciu) Fa (HA) Sa seraee (a) Determinati tensiunea si curentul in conductie directa pentru toate cele trei mo- dele ale diodei din fig. 1-39(a). Aflati, de asemenea, in fiecare caz, caderea de tensiune pe rezistorul de limitare. Se considera r’, = 10 Q pentru valoarea determinata a curentului direct. (b) Determinati tensiunea si curentul in conductie inversa pentru toate cele trei mo- dele ale diodei din fig. 1-39(b). Aflati, de asemenea, in fiecare caz, cdderea de tensiune pe rezistorul de limitare. Se considera I, = 1 HA. Rezolvare (a) Modelul ideal: V,=0V38 m Introducere in semiconductoare Figura 1-39 Modelul practic: Modelul complex: (b) Modelul ideal: Modelul practic: Modelul complex: Exorciglu complomentar Consideram ci dioda din fig. 1-39(a) se intrerupe. Care vor fi Rar Vawer = JpRuer = (@ MA)(KQ) = 5 V V,=0,7V Veo. -Vs _5V-07V_43V 1, = Yeon Ve . SV-O7V _43V 43m OR ar Theo Viren = IpRuer = (4,3 mA)(1kQ) = 4,3 V Vo -O7V SV=O7V 43 yyemn Ruyr+?, 1kQ+10Q 10109 Vp = 0,7 V + Ipt'g= 0,7 V + (4,26 mA)(10 ) = 743 mV Vigan = Tp yar = (4,26 mA)(1KQ) = 4,26 V Tge 0A Va = Veo. = 5 V Vimar = 0 V = 0A Va= Veo, =5.V Vimar = 9V Ip=1HA Vas = aR = (1 HA)(L KO) = 1 mV Va= Veou~ Viner =5 V- 1mV = 4,999 V qr cAderile de tensiune pe dioda si pe rezistorul de limitare? Testarea diodelor O modalitate rapida si simpla de verificare a diodelor este utilizarea unui multimetru. Dupa cum stiti, o dioda buna prezinta o rezistent4 foarte mare (sau intrerupere) in polarizare inversA si o rezistent& foarte mic in polarizare direct’. O dioda defect prin intrerupere va prezenta o rezistenta foarte mare (sau intrerupere) atat in polarizare direc- 8, cat si in polarizare inversa. O dioda scurtcircuitaté sau stripunsa va prezenta o rezis- tent foarte mica sau zero atat in polarizare directa, cat si in polarizare inversa. Defectul cel mai frecvent la diode este intreruperea.Dioda m 39 Pozifionaroa multimetruin! digital pontru tostarea diodelor Unele multimetre digitale sunt prevazute cu 0 pozitie pentru testarea diodelor. Un multimetru digital obisnuit, ca acela din fig. 1-40, are marcat un mic simbol de dioda in pozitia respectiva a comutatorului de functii. Atunci cand este selectata pozitia pentru testarea diodelor, aparatul furnizeaza din interior o tensiune suficienta pentru polarizarea atat directa, cat si inversi a unei diode. Aceast tensiune poate varia in functie de marca aparatului, insa in general este cuprin- s& inte 2,5 V $i 3,5 V. Starea diodei testate este indicat prin afisarea valorii tensiunii sau intr-un alt mod. fnnctionoaza fn fig. 1-40(a), firul rosu al aparatului de masura (plusul) este conectat la anod, iar cel negru (minusul), la catodul diodei, pentru a o polariza direct. Dac& dioda este buna, valoarea afisaté va fi cuprinsa intre 0,5 V si 0,9 V, va- loarea tipicd in polarizare directa fiind de 0,7 V. in fig. 1-40(b) se observa ca dioda este conectata invers, pentru ca polarizarea ei sa se fac invers. Daca dioda functioneazi corect, valoarea afisati va depinde de sursa de tensiune din interiorul aparatului. Valoarea de 2,6 V din ilustratie este tipica si se datoreazi unei valori foarte mari, in conductie inversa, a rezistentei, pe care cade, Catod practic, toata tensiunea furnizata de (a) Testare in polarizare directs (p) Testare in polarizare invers& sursa interna. Dioda esto Hofacté Daca dioda este FISURA 1-40 intrerupti, valoarea de tensiune T#st#rea cu multimetrul digital a unei diode care functioneaza afisat’ va ficea tipicd pentru un cir- ©” cuit intrerupt (de obicei 2,6 V) atat in polarizare directa, cat si in polarizare inversi, cum arata fig. 1-41(a) si (b). Daca dioda este scurtcircuitata, aparatul afiseaz4 0 V in ambele moduri de polarizare, ca in fig. 1-41(c). Uneori, o dioda defect poate prezenta in ambele cazuri o mica rezistent’, in loc de scurtcircuit. In asemeinea cazuri, valoarea afisata va fi mult mai mica decat tensiunea de gol obisnuita. De exemplu, o dioda strapunsA poate genera o valoare a tensiunii de 1,1 V in ambele sensuri, in loc de 0,7 V in polarizare direc- ta si 2,6 V in polarizare inversa - valori normale pentru o dioda care functioneaza corect. Vorificarea diodolor cn ohmmetrul Multimetrele digitale care nu au o pozitie pentru misurarea diodelor pot fi utilizate in acelasi scop fixind comutatorul de functii in pozitia de ohmmetru. Pentru o dioda buna, polarizata direct, valoarea rezistentei depinde de bateria din interioru! aparatului. Multe aparate nu dispun de suficienta tensiune pentru a polariza direct, in mod corespunzator, 0 dioda, cand se utilizeaza scara de ohmi, iar valoarea afisat poate varia de la cateva sute la cteva mii de ohmi. Pentru o dioda in stare buna in polarizare inversa, rezistenta obtinuta este foarte mare si nu se incadreaza in domeniul de masura al majoritatii aparatelor, indicafia fiind de genul ,,depasire”.40 m Introducere in semiconductoare Desi multimetrul digital nu afiseazi cu precizie valorile rezistentei in polarizare directa si inversd, acestea sunt in masura sa indice daca dioda functioneaza corect sau nu ~ceea ce intereseazi, de obicei. Semnalizarea de depasire a domeniului de masura indica faptul ca rezistenta in polarizare inversa este extrem de mare, dupa cum este de asteptat. O valoare de cateva sute pana la cateva mii de ohmi in polarizare directa este relativ mici fafA de rezistenta in conductie invers&, aratand cA dioda functioneaza corect. De fapt, rezistenta unei diode polarizate direct este, in mod normal, mult mai mica de 100 Q. Sept e foves]B coc oranda} | | | A’ scurtoircut © (2) Testare tn polaizare directd, _() Testare in polarizare invers8, : i. dioda intrerupta iod8 intrerupta (€) Testarea in polarizare directa gi inversd a unei diode strapunse Figura 1-41 afigeaz’ aceeagl valoare, de 0 V. Testarea unei diode defecte. Daca dioda prezinta o mica rezistenta Inloc de valoarea de scurtircut, valoarea afigata este mai mic decat 2,6 V. TURN 1, Care sunt cele dou’ moduri in care poate functiona o diod’? 2. In ce mod de functionare dioda nu se foloseste niciodata intentionat? 3. Care este cel mai simplu mod de reprezentare a unei diode? 4, Pentru o reprezentare de mai mare precizie, ce factori mai trebuie luati in consideratie? 5, Care model al diodei va fi folosit in mod normal in aceast8 carte?Rezumatul capitolului m 41 @ REZUMATUL CAPITOLULUI = in conformitate cu modelul clasic al lui Bohr, se considera c atomul are o structura planetara, cu electroni ce se rotesc la diferite distante in jurul unui nucleu central. @ Nucleul atomului este format din protoni si neutroni. Numarul protonilor este numéarul atomic al unui atom. m Electronii au sarcina negativa si se rotesc in jurul nucleului la distante ce depind de nivelurile lor energetice. Atomii prezinta benzi energetice discrete, numite paturi, in inte- riorul c&rora se rotesc electronii. Structura atomului permite existenta unui anumit numar maxim de electroni in fiecare patura. Paturile sunt notate K, L, M etc. In stare na- tural, orice atom este neutru deoarece contine un numir egal de protoni si electroni. ™ Patura sau banda de la exteriorul unui atom se numeste banda de valenta, iar elec- tronii pe care ii contine se numesc electroni de valentd. Acestia au cele mai mari energii dintre toti electronii unui atom. Daca un electron de valenti acumuleaza suficientd energie dintr-o sus externa — cildura, de exemplu -, poate face un salt din banda de valenta, desprinzandu-se din atom. ™ Atomii semiconductoarelor au patru electroni de valenta. Siliciul este materialul semiconductor cel mai larg utilizat. ™ Materialele conductoare au un numar mare de electroni liberi si conduc curentul foarte bine. Materialele izolatoare au foarte putini electroni liberi si in conditii normale nu conduc curentul deloc, Materialele semiconductoare se situeaza intre conductoare $i izolatoare din punctul de vedere al conductibilitat ™ Atomii semiconductoarelor se leaga unii de altii formand un material rigid numit cristal. Legaturile care pastreaza structura de cristal se numesc legaturi covalente. In struc- tura cristalina, electronii de valenta care reusesc sA se desprinda din atomii-mama se numesc electroni de conducie sau electroni liberi. Acestia au mai multa energie decat elec- tronii din banda de valent si se pot misca haotic prin material. Cand un electron se des- prinde, devenind liber, lasi in urma sa un gol in banda de valent, creand o asa-numita pereche electron-gol. Astfel de perechi electron-gol sunt generate termic, intrucat electro- nul acumuleazi dintr-o sursa externa de caldura energia necesara pentru a se desprinde din atom. ™ Electronii liberi pierd din energie la un moment dat si revin in goluri. Procesul se numeste recombinare. Insa perechile electron-gol se genereaza termic in permanenti, deci intotdeauna vor exista electroni liberi in material. m Daca la capetele unei aschii de material semiconductor se aplicd 0 tensiune, elec tronii liberi generafi termic se deplaseaza in aceeasi directie, formand un curent. Acesta este unul dintre tipurile de curenti care pot circula printr-un semiconductor intrinsec (pur). ™ Un alt tip de curent este curentul de goluri. Acesta apare ca urmare a faptului cA electronii de valenta se deplaseazA de la un gol Ja altul, determinand, practic, o deplasare a golurilor in sensul opus. ™ Materialele semiconductoare de tip se produc prin addugarea unor atomi de impurificare cu cinci electroni de valenta. Acestia sunt atomi pentavalenti. Materialele semiconductoare de tip p se produc prin adaugarea unor atomi de impurificare cu numai trei electroni de valenta. Acestia sunt atomi trivalenti. ™ Procedeul prin care unui material semiconductor i se adauga impuritafi pentava- lente sau trivalente se numeste dopare.42 m Introducere in semiconductoare w intr-un semiconductor de tip , purtatorii majoritari sunt electronii liberi rezulta}i in urma procesului de dopare, iar purtatorii minoritari sunt golurile rezultate din perechile electron-gol generate termic. intr-un semiconductor de tip p, purtatorii majori- tari sunt golurile rezultate in urma procesului de dopare, iar purtatorii minoritari sunt electronii liberi rezultati din perechile electron-gol generate termic. © O jonctiune pn se formeaza daca 0 zona a unei aschii de material este dopata n, iar alta zona este dopata p. De o parte si de cealalta a jonctiunii se formeaza o regiune golita, saracita de purtatorii majoritari. Regiunea golita ia nastere prin ionizare. © Prin jonctiunea pn circul curentul numai cand aceasta este polarizata direct. in lipsa polarizarii sau in polarizare inversa nu apare nici un curent. De fapt, in polarizare inversa circul& un curent foarte slab, datorat purtatorilor minoritari generati termic, dar acesta este, de obicei, neglijabil. m= Fenomenul de avalansa se produce intr-o jonctiune pn polarizaté invers daci tensiunea de polarizare este egal sau mai mare decat tensiunea de strapungere. ™ Dioda permite trecerea curentului cand este polarizata direct si o impiedicd in polarizare inversa. in polarizare directa, valoarea tipicd a potentialului de barierd este de 0,7 V pentru o dioda cu siliciu si de 0,3 V pentru o diod& cu germaniu. Aceste valori se maresc putin la cresterea curentului direct. m Tensiunea inversa de stripungere a unei diode are o valoare tipicA mai mare de 50 V. ™ Dioda ideala este echivalenta cu o intrerupere fn polarizare inversa si cu un scurt- circuit in polarizare directa. = GLOSAR Termenii urmatori se gasesc si in glosarul de la sfarsitul cart. Anod Regiunea p a unei diode. Atom Cea mai mica parte a unui element chimic care poseda caracteristicile specifice acelui element. Atom pentavalent Atom cu cinci electroni de valenta. Atom trivalent Atom cu trei electroni de valenta. Avalansi Cresterea rapid’ a numarului de electroni de conductie datorita unei ten- siuni prea mari de polarizare inversa. Carbon Material semiconductor. Catod Regiunea na unei diode. Conductor Material prin care curentul electric circula foarte bine. Covalenta Caracteristica a legaturilor dintre doi sau mai mulfi atomi, realizate prin interactiunea electronilor lor de valent. Cristal Mod de dispunere a atomilor ce formeazi un material rigid. Curba caracteristic’ a diodei_Reprezentarea grafic a dependentei curentului de tensiune la dioda. Curent Deplasarea electronilor liberi. Dopare Procedeu de adaugare a unor impuritafi intr-un material semiconductor intrinsec pentru a-i modifica proprietajile de conductie.Electron Particula elementara cu sarcina electric negativa. Electron de conductie Electron liber. Electron liber Electron care a acumulat suficienta energie pentru a se desprinde din banda de valenta a atomului-mamia; mai este numit electron de conductie. Germaniu Material semiconductor. Gol Absenta unui electron din banda de valenta a atomului. Intrinseca Starea pura sau naturala a unei substante. Tonizare indepartarea din sau adaugarea la un atom neutru a unui electron astfel incat atomul rezultat (numit ion) sa aiba o sarcina electric pozitiva sau negativa. Izolator Material care nu conduce curentul. Jonctiune pn Zona de contact dintre doua materiale semiconductoare de tipuri diferite. Neutron Particula fara sarcina electrica, aflata in nucleul atomului. Nucleu Partea din centrul unui atom, formata din protoni si neutroni. Numir atomic Numirul de protoni dintr-un atom. Orbita Traiectoria descrisi de electron in miscarea sa de rotatie in jurul nucleului atomului. Partea centrala a atomului Cuprinde nucleul si tofi electronii, cu exceptia celor de valenta. Piura Banda energeticé in interiorul careia se rotesc electronii in jurul nucleului ato- mului. Pereche electron-gol Electronul de conductie si golul ramas in banda de valent& dup ce electronul o paraseste. Polarizare Aplicarea unei tensiuni continue la extremitatile jonctiunii pn pentru a determina circulatia sau blocarea curentului prin aceasta. Polarizare directa Starea in care o jonctiune pm conduce curentul. Polarizare inversi Starea in care o jonctiune pr nu conduce curentul. Potential de barieri Cantitatea de energie necesara pentru permiterea conductiei complete prin jonctiunea pn in polarizare directa. Proton Particula elementara cu sarcina pozitiva. Purtitori majoritari Cei mai numerosi purtatori de sarcind dintr-un material semi- conductor dopat (fie electroni liberi, fie goluri). Purtitori minoritari Cei mai putin numerosi purt&tori de sarcina dintr-un material semiconductor dopat (fie electroni liberi, fie goluri).. Recombinare Procesul prin care un electron liber (din banda de conductie) revine intr-un gol din banda de valent a unui atom. Regiune golita Zona situata de o parte si de cealalta a unei jonctiuni pn, din care lipsesc purt&torii majoritari. Rezistenti dinamica Rezistenja interna, neliniara, a unui material semiconductor. Semiconductor Material a cérui conductibilitate fl incadreaza intre conductoare si izolatoare; exemple: siliciul, germaniul si carbonul. Siliciu Material semiconductor. Valen{a Caracteristicd a atomului determinatA de patura exterioara a acestuia.44 wm Introducere in semiconductoare m= FORMULE DE BAZA (-D N,= 2n? Numirul maxim de electroni din orice patura ag 1, = Ve Curentul direct - modelul ideal al diodei Runar 3) Ip = Tro. Ve Curentul direct - modelul practic al diodei Laat 1-4) Vp =0,7V +hpr'y Tensiunea directa — modelul complex al diodei 5) 1, = Yeu O7V Curentul direct - modelul complex al diodei Ring +7 | TEST DE AUTOEVALUARE 1. Toate elementele cunoscute confin: (a) acelasi tip de atomi (b) acelasi numar de atomi (0) un tip unic de atomi (d) cateva tipuri diferite de atomi | 2. Atomul este format din: (a) un nucleu gi un singur electron (b) un nucleu si unul sau mai multi electroni (©) protoni, electroni si neutroni (a) raspunsurile (b) si (c) 3. Nucleul atomului este format din: (a) protoni si neutroni (b) electroni (0) electroni si protoni {d) electroni si neutroni 4. Numarul atomic al siliciului este: fa) 8 (b)2 (4-14 5. Numarul atomic al germaniului este: @)8 (2 (4 (2 6. Patura de valenta a atornului de siliciu este cea notata cu litera: @A &)K @L dM 7. Electronii de valenti se afl&: (a) pe orbita cea mai apropiata de nucleu (b) pe orbita cea mai indepartata de nucleu (©) pe diverse orbite in jurul nucleului —_(d) nu se refer Ja un anumit atom 8. Un ion pozitiv se formeazi atunci cand: {a) un electron de valenta se desprinde din atom (b) pe orbita din exterior sunt mai multe goluri decat electroni (©) doi atomi se leaga impreuna (d) un atom primeste un electron de valent& suplimentar 9, Materialul semiconductor cel mai frecvent folosit in dispozitivele electronice este: (a) germaniul (b)carbonul = (c) cuprul—_(d) siliciulTest de autoevaluare m 45 10. i L. 13. 14. 15. 16. 17. 18. 19. bale Banda energetic& in care se gasesc electroni liberi este banda: (a)intai (by adoua —_(c) deconductie_(d) de valenta Perechile electron-gol sunt generate prin: (a) recombinare —_—_(b) energie termicd (0) ionizare (d) dopare Recombinarea are loc cand: (a) un electron revine intr-un gol (b) un ion pozitiv si unul negativ se leagi impreuna (0) un electron de valent devine electron de conductie (d) se formeaza un cristal intr-un cristal semiconductor, atomii sunt legati prin: (a) interactiunea electronilor de valenta (©) forte de atractie (c) legaturi covalente (d) toate acestea Fiecare atom dintr-un cristal de siliciu: (a) are patru electroni de valenta (b) are patru electroni de conductie (0) are opt electroni de valenta: patru proprii si patru pusi in comun (d) nu are nici un electron de valenta, fiind toti pusi in comun cu ai altor atomi intr-un semiconductor, curentul este format: (a) numai din electroni_—_(b) numai din goluri (c) din ioni negativi (d) atat din electroni, cat si din goluri intr-un semiconductor intrinsec: (a) nu exista electroni liberi (b) electronii liberi sunt generati termic (c) exist doar goluri (a) electronii si golurile sunt in numar egal* (e) raspunsurile (b) si (d) Izolatoarele si semiconductoarele se deosebesc prin: (a) o banda interzisi mai mare intre __(b) numarul de electroni liberi banda de valent si cea de conductie (c) structura atomilor (d) toate acestea Adaugarea de impurititi intr-un material semiconductor se numeste: (a) dopare (b) recombinare —_(c) modificare atomic&._(d) ionizare Prin adaugarea in siliciu a unor atomi de impurificare trivalenti se creeaza: (a) germaniu (b) un semiconductor de tip p (6) un semiconductor de tip n —_(d) o regiune golita , Atomiii de impirificare pentavalenti se adauga pentru: (a) a reduce conductibilitatea siliciului(b) a mari numarul de goluri (0) a mari numarul de electroni liberi (d) a genera purtatori minoritari intr-un semiconductor de tip n, purt&torii majoritari sunt: (a) golurile (b) electronii de valenta (0) electronii de conductie (d) protonii46 m Introducere in semiconductoare 22. Intr-un semiconductor de tip 1, golurile sunt: (a) purtitori minoritari generati termic (b) purt&tori minoritari generati prin dopare (0) purt&tori majoritari generati termic (d) purt&tori majoritari generati prin dopare 23. Jonctiunea pn se formeazi la: (a) recombinarea electronilor cu golurile (b) ionizare (0) limita de separare a (d) ciocnirea dintre un proton si semiconductoarelor de tip n sip un neutron 24, Regiunea golita se creeaz prin: {a)ionizare (b) difuzie —(c) recombinare _«(d) toate acestea 25. Regiunea golit const in: (a) purtatori minoritari in exclusivitate _(b) ioni pozitivi si negativi (©) lipsa purtatorilor majoritari (d) raspunsurile (b) si (c) 26. Polarizare inseamna: (a) raportul dintre numarul purt&torilor majoritari si al celor minoritari (b) intensitatea curentului ce stribate jonctiunea pn (c) 0 tensiune continua aplicata pentru a determina functionarea unui dispozitiv (d) nimic dintre acestea 27. Pentru a polariza direct joncfiunea pn a unei diode: (a) se aplicd din exterior o tensiune cu plusul pe anod si minusul pe catod (b) se aplic& din exterior o tensiune cu minusul pe anod si plusul pe catod (c) se aplicd din exterior o tensiune cu plusul pe regiunea p si minusul pe regiunea n (d) raspunsurile (a) si (c) 28. La polarizarea directa a unei jonctiuni pn: (a) singurul curent este cel de goluri (b) singurul curent este cel de electroni (c) singurul curent este cel produs de purtatorii majoritari (d) curentul este produs atat de goluri, cat si de electroni 29. Desi in polarizare inversa nu circula curent, (a) exista totusi un mic curent datorat purtatorilor majoritari (b) exist un curent foarte mic datorat purt&torilor minoritari (c) exist un curent de avalans' 30. La o dioda cu siliciu, valoarea tipica a tensiunii de polarizare directa: (a) trebuie si fie mai mare de 0,3 V (b) trebuie si fie mai mare de 0,7 V (c) depinde de latimea regiunii golite (d) depinde de concentrafia purtatorilor majoritari 31. in polarizare directa, dioda: (a) nu conduce curentul ~- (b) conduce curentul (0) are rezistenté mare __(d) produce o cadere de tensiune mareProbleme elementare m 47 32. Un voltmetru conectat la bornele unei diode polarizate direct va indica o tensiune aproximativ egal cu: (a) tensiunea bateriei de polarizare (b) OV (©) potentialul de bariera al diodei (d) tensiunea total din circuit 33. O dioda cu siliciu este legata in serie cu un rezistor de 1 kQ si o baterie de 5 V. Dac anodul este conectat la borna pozitiva a bateriei, tensiunea dintre catod si borna negativa a bateriei este de: @0O7V ()03V ()5,7V (a) 43V 34. Borna pozitiva a unui ohmmetru este conectata la anodul unei diode, iar cea ne- gativa la catod. Dioda este: (a) polarizata invers (b) deschis& (©) polarizata direct (d) defecta (e) raspunsurile (b) si (d) @ PROBLEME ELEMENTARE Sectiunea 1-1 Structura atomulul 1. Dac4 numfrul atomic al unui atom neutru este 6, cafi electroni are acel atom? Dar protoni? 2. Care este numarul maxim de electroni din patura M a unui atom? Sectiunea 1-2 Semiconductoare, conductoare si izolatoare 3. Pentru fiecare dintre diagramele energetice din fig. 1-42, determinati categoria materialului, comparandu-le relativ. 4, Un atom are patru electroni de valenta. Ce fel de atom este? Energie Energie Energie Figura 1-42 Seek aan Banda interzisa Sectiunea 1-3 Leg&turi covalente 5. Cate legaturi covalente formeaza un singur atom dintr-un cristal de siliciu? Sectiunea 1-4 Conductia in semiconductoare 6. Ce se intampla daca incalzim siliciul?48 w Introducere in semiconductoare 7. Numiti doua niveluri energetice la care se produce curent in siliciu. Sectiunea 1-5 Semiconductoare de tip nsi de tip p ieti procesul de dopare si explicati cum modifica el structura atomic’ a Sectiunea 1-6 _Jonctiunea pn 10. Ce caracteristici are campul electric creat intr-o jonctiune pn? 11. O jonctiune pn poate fi folosité ca sursa de tensiune datorita existentei potentialu- lui de bariera? Explicati. Sectiunea 1-7 Polarizarea jonctiunil pn 12, Pentru a polariza direct 0 jonctiune pn, la care dintre regiuni trebuie conectata borna pozitiva a sursei de tensiune? 13. Explicati de ce este necesarA conectarea in serie a unui rezistor la polarizarea directa a unei jonctiuni pn Sectiunea 1-8 Caracteristica curent-tensiune a jonctiunii pn 14, Explicati cum se realizeazi portiunea de polarizare direct a graficului caracteris- ticii. 15. Ce ar putea determina scdderea potentialului de bariera de la 0,7 V la 0,6 V? Sectiunea 1-9 Dioda 16. Determinati daca diodele din fig. 1-43 sunt polarizate direct sau invers. 17. Determinati caderea de tensiune pe fiecare dintre diodele din fig. 1-43, consi- derand c& sunt diode cu germaniu, avand rezistenta in conductie inversa de 50 MQ. Figura 1-43Raspunsuri la intrebarile recapitulative m 49 Figura 1-44 10kKQ 10k 682 42 18. Cititi indicatiile aparatului de , miasura din fig. 1-44 si spunefi A daca dioda functioneaza corect, tka este intrerupta sau strapunsa. 19. Determinati tensiunea fajA de masi a fiec4rui punct notat din figura 1-45. (Diodele sunt cu sili- ciu,) Figura 1-45 RASPUNSURI LA INTREBARILE RECAPITULATIVE Secfiunea 1-1 1. Atomul este cea mai mic& particula care pastreaz4 caracteristicile elementului chimic. Electronul este particula elementara cu sarcind electricd negativa. Electronii de valen{a sunt electronii situafi in p&tura de la exteriorul atomului. Electronii liberi sunt electronii care au acumulat suficientd energie pentru a se desprinde din banda de valent a atomului-mama. Cand un atom neutru pierde un electron, el devine ion pozitiv, Cand un atom neu- tru primeste un electron, el devine ion negativ. BER a50 m Introducere in semiconductoare Sectiunea 1-2 1. Conductoarele au multi electroni liberi si conduc bine curentul. Izolatoarele nu au, in principiu, electroni liberi si nu conduc curentul. 2. Semiconductoarele nu conduc curentul la fel de bine ca si conductoarele. Din punctul de vedere al conductibilitatii, ele se situeaza intre conductoare si izolatoare. 3. Conductoarele din categoria cuprului au un electron de valenta. 4, Semiconductoarele au patru electroni de valenta. 5. Cele mai bune conductoare sunt aurul, argintul si cuprul. 6. Semiconductorul cel mai larg utilizat este siliciul. 7. Deoarece electronii de valenta ai semiconductoarelor sunt legati mai strans de atom decat cei ai conductoarelor. Sectiunea 1-3 1. Legaturile covalente se formeaza prin punerea in comun, de catre atomii invecinati, a electronilor lor de valent’. 2. Un material intrinsec este un material in stare pura. 3. Cristalul este o forma rigida de substanfa, alc&tuitA din atomi legafi intr-un mod specific. 4. Fiecare atom al unui cristal de siliciu detine opt electroni de valent, in comun cu atomii invecinafi. Sectiunea 1-4 1. Electronii liberi se gisesc in banda de conductie. 2. Electronii liberi (de conductie) sunt cei care formeaza curentul printr-un material. 3. Golurile sunt locurile libere ramase prin desprinderea electronilor din banda de valenta. 4, Curentul de goluri se produce la nivelul benzii de valenta. Secfiunea 1-5 1. Doparea este procedeul de adaugare intr-un semiconductor a unor atomi de impu- rificare pentru a modifica proprietatile conductoare ale acestuia. 2. Atomul pentavalent (donor) are cinci electroni de valenf%, iar atomul trivalent (acceptor) are trei electroni de valenta. 3. Semiconductorul de tip n se realizeaz& prin adiugarea unor atomi de impurificare pentavalensi in materialul intrinsec. 4, Semiconductorul de tip p se realizeaz4 prin adugarea unor atomi de impurificare trivalenfi in materialul intrinsec. . Intr-un semiconductor de tip , purt&torii majoritari sunt electronii liberi. . Intr-un semiconductor de tip p, purtatorii majoritari sunt golurile. . Purtatorii majoritari sunt generafi prin dopare. . Purtatorii minoritari sunt generati termic, din perechile electron-gol. ). Semiconductoarele in stare pur& sunt intrinseci. Semiconductoarele dopate (impu- rificate) sunt extrinseci. Sectiunea 1-6 1. Jonctiunea pn este zona de trecere dintre un semiconductor de tip n si altul de tip p. 2. Difuzia este deplasarea electronilor liberi (purtatori majoritari) din regiunea n catre regiunea p, traversand jonctiunea pn. paenanRaspunsuri la intrebarile recapitulative m 51 3. Regiunea golita este formata din cele doua zone inguste cu sarcini pozitive si ne- gative, situate de o parte si de cealalta a jonctiunii pn. 4. Potentialul de barierA este diferenta de potential dat de campul electric din regiunea golita si este proportional cu energia necesara electronilor pentru a tra- versa regiunea golita. 5. Potentialul de bariera la 0 jonctiune pn de siliciu este de aproximativ 0,7 V. 6. Potentialul de barierd la 0 joncfiune pn de germaniu este de aproximativ 0,3 V. Sectiunea 1-7 1. Cand este polarizata direct, jonctiunea pn permite trecerea curentului. Electronii liberi din regiunea n traverseaza jonctiunea si se combina cu golurile din regiunea p. 2. Pentru a polariza direct o jonctiune pn, polul pozitiv al unei tensiuni de polarizare din exterior se aplic& regiunii p, iar polul negativ al acesteia, regiunii n. 3. Cand este polarizat invers, joncfiunea pn nu permite trecerea curentului, cu exceptia unui curent invers extrem de mic. 4, Pentru a polariza invers o jonctiune pn, polul pozitiv al unei tensiuni de polarizare din exterior se aplica regiunii n, iar polul negativ al acesteia, regiunii p. . in polarizare directa, regiunea golita este mult mai ingusta decat in polarizare inversi. . Curentul de purt&tori majoritari se produce la polarizarea directa. . Curentul invers este produs de purtatorii minoritari. . Fenomenul de strapungere are loc atunci cand tensiunea.de polarizare inversa este egal sau mai mare cu tensiunea de strapungere a jonctiunii pn. 9. Avalansa este cresterea rapida a numéarului de purtatori de curent la strapungerea in polarizare inversa. exyaw Sectiunea 1-8 1. Zona de curbura a graficului caracteristicii la polarizarea direct contine punctul in care se depaseste potentialul de barier’, dupa care curentul creste foarte mult. 2. Ojonctiune pn polarizati direct functioneaza in mod normal deasupra zonei de cur- burda graficului. 3, Tensiunea de strapungere este intotdeauna mult mai mare decat potentialul de bariera 4.0 jonctiune pn polarizaté invers functioneazi in mod normal sub punctul de strapungere din zona de curbura a graficului. 5. Potentialul de bariera scade la cresterea temperat Sectiunea 1-9 1. O dioda poate functiona in polarizare directa si in polarizare inversa. 2. Dioda nu trebuie folosita niciodata in strapungere in avalansa. 3. In mod ideal, dioda poate fi reprezentat& ca un intrerupator. 4. Modelul complex al diodei mai cuprinde potentialul de bariera, rezistenta dina- micd si rezistenta in conductie inversa 5. in general este utilizat modelul practic al diodei (cu potentialul de bariera). = RASPUNSUL LA EXERCITIUL COMPLEMENTAR DE LA EXEMPLU Ll Vp=5V: Vin = 0