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en esta edicin

Rito Mijarez Castro


ELECTRNICA
ELECTRNICA
RITO MIJAREZ CASTRO

PRIMERA EDICIN EBOOK


MXICO, 2014

GRUPO EDITORIAL PATRIA


info editorialpatria.com.mx

www.editorialpatria.com.mx

Direccin editorial: Javier Enrique Callejas


Coordinadora editorial: Estela Delfn Ramrez
Supervisor de prepensa: Gerardo Briones Gonzlez
Diseo de portada: Juan Bernardo Rosado Sols
Diseo de interiores: Visin tipografca editores
Ilustraciones: Mosto diseo & Seditograf
Fotografas: Thinkstockphoto

Revisin tcnica:
Alex Polo Velzquez
Universidad Autnoma Metropolitana-Azcapotzalco

Electrnica
Derechos reservados:
2014, Rito Mijarez Castro
2014, GRUPO EDITORIAL PATRIA, S.A. DE C.V.
Renacimiento 180, Colonia San Juan Tlihuaca,
Delegacin Azcapotzalco, Cdigo Postal 02400, Mxico, D.F.

Miembro de la Cmara Nacional de la Industria Editorial Mexicana


Registro nm. 43

ISBN ebook: 978-607-438-910-4

Queda prohibida la reproduccin o transmisin total o parcial del contenido de la presente


obra en cualesquiera formas, sean electrnicas o mecnicas, sin el consentimiento previo
y por escrito del editor.

Impreso en Mxico
Printed in Mexico

Primera edicin ebook: 2014


Contenido

0
Introduccin 1
Por qu este captulo es el nmero cero . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Qu tiene de atractivo y cool este libro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Electricidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Conductores, aislantes y semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Sistemas elctricos y analogas con otros sistemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Visualizacin de componentes elctricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
La resistencia es anloga a la friccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
El inductor es anlogo a la masa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
El capacitor es anlogo al resorte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Combinacin de elementos, circuitos ms complejos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Es la ley: la ley de Ohm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Potencia elctrica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Divisor de voltaje. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
El capacitor se opone a los cambios de voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
El inductor se opone a los cambios de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
Circuitos en serie y en paralelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Cmo es que la corriente es la misma en todas las partes de un circuito en serie . . . . . . . 18
DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO 0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
PROBLEMAS DEL CAPTULO 0. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

1
Dispositivo semiconductor bsico: el diodo 23
Semiconductores intrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Semiconductores extrnsecos o dopados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Semiconductores tipo n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Semiconductores tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Construccin del diodo semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Polarizacin directa del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

V
CONTENIDO

Polarizacin inversa del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29


Corriente de fuga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
Curva caracterstica voltaje-corriente de los diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
Voltaje de ruptura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
Resistencia de CD de un diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
Aproximaciones de los diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
Circuitos rectificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
Rectificador de media onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
Rectificacin filtrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
Reguladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
Diodos de propsito especfico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
Diodos emisores de luz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
Diodo Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
PROBLEMAS DEL CAPTULO 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

2
El activo transistor 53
Construccin del transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
Polarizacin del transistor BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
Regiones de operacin de los transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
Regin de saturacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
Regin de corte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
Regin activa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
Regin de ruptura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
Valores mximos de operacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
Potencia de disipacin Pd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
Factor de reduccin de Pd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
Voltajes de ruptura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
Verificacin del transistor con un hmetro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
Transistor como interruptor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
Transistor Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
Transistores FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
Tipos de FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
Construccin del transistor JFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
Operacin y caractersticas principales del transistor JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
Transistor FET como interruptor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
Transistores como amplificadores lineales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
PROBLEMAS DEL CAPTULO 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80

VI ELECTRNICA MIJAREZ
CONTENIDO

3
El mgico amplificador operacional 81
Concepto de retroalimentacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
Teora importante de los OP AMPs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
Amplificadores diferenciales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
Anlisis de CD/CA y ganancias del amplificador diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
Anlisis de CD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
Anlisis de CA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
Ganancia de voltaje diferencial, A d . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
Ganancia de voltaje de modo comn, ACM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
Razn de rechazo de modo comn (CMRR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
El amplificador operacional y sus caractersticas principales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
Ganancia de voltaje de lazo abierto, AVOL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
Corrientes de polarizacin de las entradas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
Voltajes de entrada de offset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
Impedancia de entrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
Impedancia de salida: oscilacin de salida vs. resistencia de carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
Respuesta a la frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
Slew rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
Settling time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
Corriente de corto circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
Razn de rechazo de modo comn (CMRR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
Razn de rechazo de la fuente de alimentacin (PSRR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
Ruido. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
OP AMP reales y su seleccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
Circuito bsicos del OP AMP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
El amplificador inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
Ganancia de voltaje de lazo cerrado ACL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
Impedancia de entrada, ZENT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
Impedancia de salida, ZSAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
El amplificador no-inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
Impedancia de entrada, ZENT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
Impedancia de salida, ZSAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
Seguidor de voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
Ancho de banda del OP AMP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
Producto ganancia-ancho de banda de lazo cerrado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
Circuitos populares con OP AMP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
El amplificador sumador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
Amplificador diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
Amplificador de instrumentacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
Filtros activos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
Filtro pasa-bajas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
Filtro activo pasa-altas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
Convertidores de voltaje a corriente y de corriente a voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
Convertidores de voltaje a corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125

grupo editorial patria VII


CONTENIDO

Convertidor de corriente a voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126


Circuitos OP AMP con diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
Cargas conmutadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
Circuito comparador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
Corrimiento del voltaje de referencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
Circuito comparador Schmitt trigger. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
Circuito Schmitt trigger no simtrico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
ADC y DAC las interfaces entre el mundo digital y el mundo analgico . . . . . . . . . . . . . 133
Trminos tcnicos de la interface analgica-digital-analgica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
Convertidor analgico a digital (ADC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
Convertidor digital a analgico (DAC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
Las misteriosas tierras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
Tierras digitales y analgicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
Consideraciones y recomendaciones generales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
PROBLEMAS DEL CAPTULO 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154

4
La maravillosa electrnica digital 159
Contando con dedos, piedras, semillas y los sistemas numricos . . . . . . . . . . . . . . . 160
Sistemas numricos de posicin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
Contar en decimal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
El sistema nmerico binario. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
Contando en binario . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
Aprendiendo las tablas de multiplicar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
El sistema numrico hexadecimal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
Contar en hexadecimal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
Combinacin de dgitos y peso de columnas en hexadecimal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
Conversin entre nmeros hexadecimales y binarios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
Lgica de la electrnica digital . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
Compuerta inversor (NOT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
La compuerta AND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
La compuerta OR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
Compuerta NAND. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
Compuerta NOR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
Compuertas XOR y XNOR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
Simplificacin de circuitos, sumadores y decodificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
Minitrminos y maxitrminos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
Sumadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
Restas usando circuitos sumadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
Suma y resta en complemento a 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
Multiplicaciones usando sumadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
Decodificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
Celdas de memoria, memorias y mquinas de estado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181

VIII ELECTRNICA MIJAREZ


CONTENIDO

Celdas de memoria . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181


Memorias no voltiles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
Memorias voltiles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
Flipflops . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 185
Memorias SRAM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189
Dispositivos de tercer estado y latches . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
Dispositivos de tercer estado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
La magia del tercer estado de los buffers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
Latches tipo D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
Usar alambres para representar nmeros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
Mquinas de estado y dispositivos lgicos programables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 196
Mquinas de estado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 196
Dispositivos lgicos programables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197
Principales tecnologas digitales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
Tecnologas TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 202
Niveles de entrada y de salida de las familias TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 202
Margen de ruido en familias TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
Configuraciones de salida en las familias TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
Tecnologas CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
Niveles de voltaje de entrada y salida y margen de ruido en la familia 74 AC CMOS . . . . . . . . 207
Parmetros relevantes para las familias TTL y CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
Disipacin de potencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
Consumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
Retardo de propagacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
Abanico de entrada, abanico de salida, cargas e interconexin de familias lgicas . . . . . . . 210
Otras tecnologas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 211
Recapitulando. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 212
DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 213
PROBLEMAS DEL CAPTULO 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 214

5
El popular microcontrolador 215
Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
Esbozo histrico de los microprocesadores y microcontroladores . . . . . . . . . . . . . . . . . 216
Microprocesadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
Microcontroladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
Frenticos por las computadoras digitales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
Seales de reset y de reloj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
Dispositivos de memorias y puertos de entrada y salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
Buses de datos, direcciones y control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 223
Desmitificando a la CPU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
Ciclo de instruccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
Calculadora lgica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228

grupo editorial patria IX


CONTENIDO

Lgica para establecer bits individuales en 0 lgico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 229


Lgica para establecer bits individuales en 1 lgico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
Lgica para complementar bits individuales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 231
Corrimiento de bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 231
Organizacin de memoria y decodificacin de direcciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
Decodificacin parcial o total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
Interfaz con dispositivos perifricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241
Programacin simple de una CPU o P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 257
Programa o software . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 257
Lenguajes de mquina y lenguaje ensamblador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 258
Desarrollo de programas sencillos en lenguaje ensamblador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 259
Hardware, software y firmware . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 265
Microcontroladores de 8 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 265
Qu es un microcontrolador? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 265
Arquitecturas de procesadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 266
Arquitectura Princeton o Von Neumann . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 267
Arquitectura Harvard . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 268
Microcontroladores de 8, 16 y 32 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 269
Mercado en movimiento: microcontroladores de 8 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270
Criterios para seleccionar un microcontrolador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270
El popular microcontrolador 8051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 271
Arquitectura de hardware del microcontrolador 8051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 271
CPU del 8051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
Ciclos de mquina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
ALU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 276
Acumulador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 276
Registro PSW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 276
Otros registros de la CPU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 276
Registros con funciones especiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277
Organizacin de memoria del 8051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 278
Organizacin de memoria de programa externa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 279
Organizacin de memoria de datos interna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 279
Descripcin de terminales o pines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 281
Puertos del MCS-51 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 283
ALE y PSEN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 285
Seal para acceso externo, EA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 285
Expansin de memoria y dispositivos de E/S . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 285
Acceso a la memoria externa de cdigo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 287
Acceso a la memoria externa de datos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 287
Acceso a perifricos (puertos de E/S) mapeados a memoria . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 291
Arquitectura de software del 8051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 295
Modos de direccionamiento del MCS-51 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 295
Clasificacin de instrucciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 302
Directivas, smbolos, etiquetas y comentarios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 316
Directivas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 316
Smbolos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 318
Etiquetas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 318

X ELECTRNICA MIJAREZ
CONTENIDO

Comentarios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 319
Programacin en lenguaje ensamblador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 319
Formato de un programa en lenguaje ensamblador del 8051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 319
Ms sobre los archivos LST y HEX. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 324
Ejecucin de programas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 325
Ejecucin de programas usando el simulador TS Controls . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327
Ejecucin de programas usando un sistema mnimo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 328
Estrategia de construccin y pruebas de un dispositivo electrnico . . . . . . . . . . . . . . . 330
Ejemplos sencillos de procesamiento y control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 331
Suma, resta, ajuste a decimal, multiplicacin y divisin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 331
Uso de directivas, smbolos y llamadas a subrutinas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 337
Operaciones de control y transferencia de datos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 339
Perifricos internos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 342
Particularidades de las interrupciones del 8051. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 343
Interrupciones externas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 348
Contadores/temporizadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 353
Modos de operacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 356
Fuentes de reloj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 358
Clculo y lectura de los registros TLx/THx . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 358
Inicializacin y ABPRA con los temporizadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 359
Puerto serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 361
Registro SBUF y registro SCON . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 361
Modos de operacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 363
Comunicacin multiproceso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 368
Seleccin de velocidades en bauds del puerto serie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 368
Temporizador 1 como reloj de velocidad en bauds . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 370
Ejemplos de programacin del puerto serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 371
ABPRA para el puerto serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 375
Modos de ahorro de energa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 379
Activacin del modo idle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 381
Activacin modo power down . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 382
Arquitectura del AT89C2051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 382
ABPRA para hacer uso del comparador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 384
Interfaces sencillas de hardware . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 385
Interfaces de E/S seriales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 385
Interfaz RS232 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 386
Interfaz USB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 388
Interfaces de hardware para E/S digitales y analgicas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 389
Futuro del 8051 y los microcontroladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 391
DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 392
PROBLEMAS DEL CAPTULO 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 396

grupo editorial patria XI


Prefacio

Las intenciones de este libro son proporcionar los fundamentos de electrnica, los cuales se encuen-
tran en los programas de estudio de electrnica bsica en las carreras de ingeniera electrnica, in-
geniera mecatrnica y diversas variaciones de carreras de electrnica en diferentes universidades
del pas. La electrnica es un campo que cambia vertiginosamente, con componentes cada vez ms
rpidos, de menor tamao y menor consumo de potencia, lo cual ofrece nuevos retos y oportunida-
des; sin embargo, sus principios fundamentales persisten. Muchas veces me he encontrado con in-
genieros graduados o con estudiantes cursando los ltimos semestres de la carrera con una falta de
entendimiento de los principios bsicos de electrnica o con un olvido casi completo de temas pri-
mordiales. Tratando de mantener el paso de una industria globalizada y en cambio constante, los
contenidos de las universidades cada vez son ms ambiciosos e incluyen herramientas computacio-
nales, como programas de simulacin, y una gran cantidad de tpicos que los maestros tratan de
cubrir. Procurando llegar al tema Z, muchas veces se sacrifican los fundamentos de A y B hacindo-
los ms breves o menos claros. Por otro lado, recordando el tiempo en que fui estudiante, se dan
casos en los que la carga de materias es tan grande que, acompaado de grandes dosis de caf, solo
se estudia para pasar el examen, responder lo que el maestro quiere ver y terminar el tema sin una
pizca de conocimiento til. Como consecuencia, algunos temas permanecen confusos y farragosos.
El objetivo de este libro no es revolucionar el sistema educativo, sino tratar los temas bsicos y pro-
vechosos de la electrnica de una manera clara, lo cual permita tener un entendimiento de los cir-
cuitos a construir y de las posibles aplicaciones de los mismos. No hay nada como ver la cara de un
estudiante cuando entiende un concepto o construye un circuito del cual tiene cabal control. Cabe
mencionar que si un personaje como yo, con una tendencia a participar en mltiples actividades
deportivas, culturales, sociales, etc., y capaz de distraerse con el paso de una mosca, pudo entender
los bloques de construccin fundamentales de la electrnica, significa que muchos estudiantes pue-
den hacerlo.
El captulo 0, la introduccin, describe qu tiene de atractivo y cool este libro y proporciona los
conocimientos de circuitos elctricos y principios bsicos de los semiconductores. La teora bsica
de los circuitos elctricos y del anlisis de los circuitos elctricos, aun cuando se asume un escaso, pero
mnimo conocimiento de esos temas, se incluyen porque son pilares del estudio de la electrnica; sin
embargo, debido al espacio asignado a este libro se incluyeron en el CD-ROM que acompaa a este
libro. El captulo 1 versa sobre el dispositivo semiconductor bsico: el diodo. Se aborda la construccin
bsica de este dispositivo y sus caractersticas de conduccin unidireccional y sus principales aplica-
ciones, incluyendo la descripcin de los diodos LED y diodos Zener. El captulo 2 trata del ingredien-
te principal de todo circuito electrnico: el activo transistor. En este captulo se analizan las
caractersticas de construccin y de operacin de los transistores bipolares, BJT, de los arreglos de
transistores Darlington y de los transistores tipo FET, principalmente operando como interruptores,
ms que como amplificadores. La razn de lo anterior es que en la actualidad rara vez se utilizan los
transistores como amplificadores. Para realizar funciones de amplificacin, en el captulo 3 se estu-
dian con detalle las caractersticas tericas y prcticas de los CI denominados amplificadores opera-
cionales (OP AMP). El OP AMP es uno de los bloques fundamentales en el diseo electrnico con
el cual se pueden realizar numerosas aplicaciones, debido a que puede configurarse en una gran

XIII
PREFACIO

variedad de formas, para llevar a cabo muchas operaciones tales como amplificacin, filtrado, com-
paracin de seales y funciones de transferencia. Adems, con el OP AMP se puede sumar, restar,
integrar o diferenciar seales. S, este captulo estudia los conceptos y teora del mgico Amplificador
Operacional, as como algunas de sus aplicaciones cardinales considerndolo como una caja negra o
mejor dicho, como una caja mgica. El captulo 4 esclarece los fundamentos de cmo se lleva a cabo
la maravillosa electrnica digital, principalmente como antesala de los sistemas basados en micro-
procesadores y microcontroladores. Por ltimo, el captulo 5 desmitifica al popular microcontrola-
dor. En este captulo se presenta un esbozo histrico de los microprocesadores y de los
microcontroladores, y despus se abordan los conceptos fundamentales de los microprocesadores
por medio de un microprocesador modelo, el cual contiene los elementos principales de la mayora
de los microprocesadores. En el captulo 5 se hace uso de una calculadora con operaciones lgicas e
instrucciones de transferencia de datos bsicas, la cual se incluye en el CD que acompaa este libro.
Los conceptos aprendidos sirven como preparacin para entrar al mundo de los microcontroladores.
Por ltimo, en este captulo se describen las caractersticas ms importantes de hardware y software
de los microcontroladores de la familia MCS-51 de Intel. Adems, en este captulo se presenta un
enfoque prctico llamado el ABpra, orientado para aprender basndonos en prcticas de laboratorio,
pero tambin incluiremos prcticas (ver el CD-ROM) usando un simulador comercial. Estas prcti-
cas enfatizan conceptos simples pero importantes del microcontrolador 8051, que una vez compren-
didas se pueden aplicar a cualquier microcontrolador consultando su manual de usuario y hojas
tcnicas.
Como mi cerebro trabaja de manera escalonada, por no decir lenta, cada tema va de etapa en
etapa, recomendando no pasar a la siguiente sin entender la previa. Con ms de quince aos dando
clase en las materias de electrnica y de microcontroladores, ninguno de mis estudiantes se ha que-
jado de esta metodologa. Este texto no tiene la intencin de ser una gua del estado actual de la
electrnica, sera, adems de arrogante, para m, imposible. El propsito es proveer al lector las ha-
bilidades claves de la electrnica, en forma similar a los bloques de construccin tipo Lego, que
posteriormente le permitir realizar maravillosos instrumentos. A fin de cuentas la palabra Lego
proviene de la expresin Danesa Leg godt, que significa jugar bien. Espero disfruten el libro y jue-
guen bien.

XIV ELECTRNICA MIJAREZ


Acerca del autor

Rito Mijarez Castro recibi el grado de ingeniero en electrnica y comunicaciones de la Universidad


Autnoma de Zacatecas (UAZ), Mxico. La maestra en Instrument Design and applications por el
Instituto de Ciencia y Tecnologa de la Universidad de Manchester (UMIST) y el grado de doctor por
la Escuela de Ingeniera Elctrica y Electrnica de la Universidad de Manchester, ambas en el Reino
Unido. Es investigador de tiempo completo del Instituto de Investigaciones Elctricas (IIE) en Cuer-
navaca, Mxico, y maestro de ctedra del Instituto Tecnolgico y de Estudios Superiores de Monte-
rrey (ITESM) campus Cuernavaca. Tiene en colaboracin una treintena de artculos en conferencias,
revistas cientficas y captulos de libros; cuenta con cuatro patentes otorgadas: tres en Mxico y una
en el Reino Unido; y dos patentes pendientes: una en Mxico y otra en Estados Unidos. Es miembro
del Sistema Nacional de Investigadores.

XV
Agradecimientos

Mis ms sinceras gracias para la Ing. Estela Delf n, editora de ingeniera de una editorial con mucha
tradicin en Mxico como es la Editorial Patria, ahora empresa del grupo Hachette Livre, por su
entusiasmo y paciencia durante la redaccin del libro, y al Lic. Carlos Lara por la elaboracin del
CD-ROM que acompaa a este libro. Deseo expresar mi gratitud a mis colegas del Instituto de In-
vestigaciones Elctricas: Gilberto Vidrio Lpez, Roberto Castn Luna, Jos Martn Gmez Lpez,
David Pascacio Maldonado, Fernando Ramrez Garduo, Joaqun Rodrguez Rodrguez y Javier An-
tunez Estrada por compartir su conocimiento a lo largo de todos estos aos. Mencin especial para
Javier Antunez Estrada, que siendo del rea de informtica implement mis ideas de la calculadora
digital y frmulas que se incluyen en el CD-ROM del libro. Gracias a mis colegas del ITESM campus
Cuernavaca, Mnica Larre, Arturo Prez y Ricardo Cojuc, por ayudarme a mejorar como maestro.
Gracias tambin a los revisores por sus comentarios y consejos expertos. Por ltimo, mi ms profun-
do agradecimiento para Eva, por su motivacin y paciencia durante todos estos meses, y por su tole-
rancia durante los innumerables momentos que deje de compartir con la familia mientras escriba
acompaado de mis pensamientos y mi caf; sin su apoyo, simplemente este libro no hubiera sido
posible.

XVII
Dedicatoria

Para Eva que envuelve todos mis das y mis noches, que es mi sed y mi agua en esta aventura mara-
villosa que es la vida. Para Marvel que huele los libros nuevos y sonre, porque a sus once aos sabe
que las historias hechas tinta tienen olor y sabor; y para Marlon, que a sus tres aos, deja alegra y
color por todos los rincones de la casa.

XIX
0 Introduccin
Las materias de electrnica asumen un conocimiento previo de circuitos elctricos; no obstante, al-
gunos conceptos pueden no estar muy claros o estar por completo enterrados en el bal del olvido.
En este captulo vamos a aprender:

X Por qu este captulo es el nmero cero.


X Qu tiene de atractivo y cool este libro.
X Qu es la electricidad.
X Conductores, aislantes y semiconductores.
X Sistemas elctricos y analoga con otros sistemas.
X Es la ley, la ley de Ohm.
X El divisor de voltaje.
X Serie y paralelo.

POR QU ESTE CAPTULO ES EL NMERO CERO

La idea de iniciar este libro con el captulo cero es doble. La primera es mostrar, de manera general,
los principios bsicos de la electricidad, los cuales nutren los sistemas y circuitos electrnicos y
que se asume que la mayora de los estudiantes de electrnica conoce. Si usted es de este grupo,
puede brincarse esta seccin e iniciar en la seccin Anlisis de circuitos elctricos que se encuen-
tra en el CD-ROM, o leer el presente captulo para descubrir si la explicacin de lo que es electri-
cidad se expresa de manera novedosa. La segunda, se debe a que en sistemas electrnicos digitales

1
0 Introduccin

y arquitectura de computadoras, entre otros, normalmente se inicia contando, indexando y haciendo referencia desde
el nmero cero. Siguiendo en este tenor, decidimos seguir la misma convencin en la numeracin de los captulos.

QU TIENE DE ATRACTIVO Y COOL ESTE LIBRO

Se puede encontrar una gran cantidad de libros con contenidos particulares de electricidad, electrnica, electrnica
digital, diseo lgico, arquitectura de microcomputadoras, arquitectura de microprocesadores y arquitectura de mi-
crocontroladores. Algunos de ellos se han convertido en clsicos en las universidades y otros tienen una profundidad
y rigor en la f sica y las matemticas que parecen haber sido escritos por personas de otro planeta. Todos los temas
son importantes y, en aplicaciones reales, tienen relacin unos con otros; desafortunadamente, los aspectos prcticos
no se cubren en un compendio de una manera integral, sencilla y fcil de seguir.
sta es la razn que motiva a escribir este modesto intento de introducir los aspectos tiles y aplicables de la
electrnica bsica de una manera integral, con un enfoque prctico y con palabras que permitan hacer ms entendi-
bles los conceptos.
Este texto es bastante atractivo porque juntos descubrimos toda clase de interesantes trozos de conocimiento,
jugosos pedacitos de datos y preguntas y respuestas como entremeses o botanas, como les llamamos en Mxico; todo
reunido con una gran cantidad de informacin til relacionada con la forma en que la electrnica efecta su magia.
Los expertos consideran que una de las mejores formas de aprender y de que el conocimiento perdure, es por
medio de la prctica. Una de las tcnicas conocidas es el ABPro, Aprendizaje Basado en Problemas o Proyectos, el cual
he modificado y llamado Aprendizaje Basado en Prcticas (ABPra); estas principalmente de laboratorio, pero tambin
se incluyen prcticas usando simuladores. Estas prcticas enfatizan conceptos simples, pero importantes de la electr-
nica; constituyen los bloques que equivalen a las piezas de Lego que, posteriormente, permiten construir proyectos
interesantes y retadores. Por tanto, nos abocaremos al ABPra sugiriendo prcticas a realizar y haciendo uso del
CD-ROM que acompaa este libro. Ahora, que empiece la diversin y a leer

ELECTRICIDAD

La definicin de electricidad es una cuestin complicada, basta preguntarle a cualquier estudiante de ingeniera para
obtener frases sueltas y palabras masculladas con significados clave; la corriente producida en ciertos materiales, el
movimiento de cargas, el movimiento de electrones, etc. En realidad, la pregunta es interesante y existen personas
inteligentes alrededor del mundo debatiendo la definicin correcta; como yo todava no pertenezco a este grupo de
personas, no tengo intensiones de unirme a este debate. Por tanto, las descripciones que se harn a este respecto y a
otros temas en este libro, se expresan de acuerdo con el sentido que tienen para m. Espero que las explicaciones faci-
liten su entendimiento.
Corriente, movimiento de cargas, electrones; todos estos conceptos estn relacionados entre s, como veremos
ms adelante. Hasta ahora, es dif cil ver un electrn, pero existen equipos para ver grupos de ellos, como multmetros,
osciloscopios y otros dispositivos sofisticados que detectan su movimiento y lo que hacen. A travs de la historia se
han encontrado formas para utilizar estos electrones y hacerlos que enciendan lmparas, muevan motores y energicen
computadoras, televisores, telfonos celulares y cientos de dispositivos de los que disfrutamos hoy en da.
Si los electrones son tan importantes, se tiene que estudiar dnde se encuentran, para lo cual llegamos a los to-
mos. Desde la escuela primaria sabemos que la palabra tomo proviene del griego a, privativo, y temno, cortar o divi-
dir, y significa aquello que no se puede dividir o cortar. Aunque los avances cientficos han demostrado que los tomos
s pueden dividirse, estos siguen siendo considerados como partculas muy pequeas de las cuales se compone la
materia y el universo. La teora aceptada hoy en da es que el tomo es una partcula constituida por un cuerpo simple
compuesto por un ncleo de carga positiva, formado por protones y neutrones, rodeado de electrones de carga nega-
tiva en distintas capas. Un tomo normalmente tiene cantidades iguales de carga elctrica positiva y negativa, por
tanto, es elctricamente neutro. Por ejemplo, el papel de este libro tiene electrones y protones dentro de l; sin embar-
go, no hay evidencia de electricidad debido a que el nmero de electrones y protones es el mismo, cancelndose las
fuerzas elctricas y haciendo al papel elctricamente neutro o exactamente balanceado. Cambiar el balance de es-
tas fuerzas produce evidencia de electricidad, para lo cual se requiere de cierto trabajo o energa para separar los

2 ELECTRNICA MIJAREZ
0 Introduccin

kfdf[\_`[i^\ef kfdf[\ZfYi\

(\c\Zkie )0\c\Zkife\j

(G )0G
*,E

=`^liX'%( ;`X^iXdX[\le}kfdf[\_`[i^\efple}kfdf[\ZfYi\%

electrones de los protones. Cada combinacin estable de electrones y protones hace posible un tipo particular de to-
mo. Por ejemplo, la figura 0.1 muestra los diagramas de un tomo de hidrgeno y uno de cobre.
Los crculos mostrados en la figura 0.1 son una representacin simplificada de la trayectoria de los electrones;
aunque en realidad sus movimientos alrededor del ncleo son en tres dimensiones, a los que los f sicos han denomi-
nado shells u capas. Hay capas de diferentes tipos y formas, pero la explicacin de sus detalles va ms all del alcance
de este libro. En el caso del tomo de hidrgeno, solo se muestra un electrn alrededor del ncleo; demostrando la
estabilidad elctrica, solo un protn es contenido en el ncleo. Si se aade un neutrn al ncleo, el tomo an es de
hidrgeno, pero tiene un peso atmico diferente y se le llama istopo de hidrgeno.1 Para el caso de los tomos con
mltiples electrones, como el cobre, los electrones que residen en las capas se relacionan con niveles o estados de
energa. El electrn ms sencillo de mover de un tomo es el que se encuentra en el estado superior de energa. Cuan-
do muchos tomos se encuentran juntos, como en el caso de un alambre de cobre, los electrones de la capa exterior
migran fcilmente de un tomo a otro de una manera aleatoria, por lo cual se les denomina electrones libres. Esta
cualidad le permite al cobre conducir electricidad con facilidad. Por tanto, podemos concluir que es el movimiento de
los electrones libres el que proporciona la corriente elctrica en un conductor.
Cabe remarcar que en un alambre, por s solo, el efecto neto de corriente es cero debido al movimiento aleatorio
de los electrones; pero, cuando le aplicamos energa a un tomo, un electrn libre puede desprenderse. La cantidad de
energa o trabajo necesarios para desprender un electrn depende del tipo de tomo. Adicionalmente, podemos decir
que a los tomos no les gusta perder electrones, de modo que tan pronto un electrn se libera otro se desliza en su
capa, como se muestra en la figura 0.2.
Por ejemplo, cuando se aplica un voltaje a un alambre de cobre, este fuerza a los electrones libres a moverse en la
misma direccin para producir un flujo de corriente, lo cual es la corriente elctrica.

<c\Zkife\jj\dl\m\eXcXiY`kXmXZXek\

MfckXa\

:fe[lZkfi

=`^liX'%) Dfm`d`\ekf[\\c\Zkife\jc`Yi\j\eleZfe[lZkfi%

1
Hay otros elementos que tienen istopos, pero el istopo de hidrgeno es tan importante que ha recibido su propio nombre: deuterio. El deute-
rio tambin se conoce como hidrgeno pesado, y se encuentra de manera abundante en la naturaleza. Curiosamente, los astrnomos piensan
que la nica fuente importante de deuterio fue el mismsimo Big Bang. Si se desea, se puede dar un vistazo a Google o Wikipedia para obtener
informacin complementaria al respecto.

grupo editorial patria 3


0 Introduccin

Conductores, aislantes y semiconductores

Cuando los electrones de un material se pueden desplazar con facilidad de un tomo a otro, a ese material se le deno-
mina conductor. En general, los metales son buenos conductores, en especial la plata y el cobre, que son considerados
de los mejores, en ese orden; sin embargo, el cobre es ms usado que la plata debido a que es ms barato. El objetivo
principal al usar un conductor es que permita que el flujo de corriente elctrica tenga la mnima oposicin. Los mate-
riales con electrones que tienden a permanecer en sus capas se denominan aislantes, debido a que no permiten el
movimiento fcil de electrones. La figura 0.3 muestra una representacin visual de un material aislante y de un mate-
rial conductor.

8`jcXek\ :fe[lZkfi

=`^liX'%* <e\cdXk\i`XcX`jcXek\#cfj\c\Zkife\j\jk}e]l\ik\d\ek\X[_\i`[fjXjljfiY`kXc\j2
\e\cZfe[lZkfi#cfj\c\Zkife\j\jk}ed}jc`Yi\j%

Es importante hacer notar que tanto en los materiales conductores como en los aislantes existe el mismo nmero
de cargas positivas y de cargas negativas. La diferencia no es el nmero de cargas, sino la facilidad con la cual se pue-
dan mover.
Hay materiales que conducen menos que un metal conductor, pero ms que un aislante, estos son los casi con-
ductores o semiconductores. Un ejemplo de estos materiales es el tomo de carbono, el cual tiene 6 protones y 6
neutrones en el ncleo; adems de 6 electrones en dos capas, 2 en la capa ms cercana al ncleo y 4 en la segunda capa,
como lo ilustra la figura 0.4a).

-\c\Zkife\j (+\c\Zkife\j

-G (+G
-E (+E

 X Y

=`^liX'%+ I\gi\j\ekXZ`e[\}kfdfj1X ZXiYfef2Y j`c`Z`f%

La distribucin de electrones en las capas determina la estabilidad elctrica del tomo. Sin embargo, la capa supe-
rior de los tomos de carbono puede tener un nmero mximo de 8 electrones, es decir, no est llena, lo cual le da
facilidad para combinarse con otros tomos y formar molculas ms grandes.2

2
Todo el carbono en el universo se produjo dentro de las estrellas. Cuando una estrella cambi todos los tomos de hidrgeno en helio, comenz
a convertir los tomos de helio en tomos de carbono y tomos de oxgeno. Asimismo, debido a sus propiedades, grandes cantidades de carbono
se combinan con oxgeno, por ejemplo monxido de carbono, dixido de carbono, etc. Todos los seres vivos en la Tierra estn constituidos
principalmente por hidro-carbono (molculas de hidrgeno y carbono) y agua (molculas de hidrgeno y oxgeno); s, somos producto de las
estrellas!

4 ELECTRNICA MIJAREZ
0 Introduccin

Los tomos de carbono pueden tener varias formas estables, como el diamante y el grafito, pero a ltimas fechas
se descubri otra forma llamada fulereno o fullereno, que se ha hecho muy popular en investigaciones qumicas por
su versatilidad para la obtencin de nuevos compuestos con forma de esfera, elipsoide o cilndrica. A los fulerenos
esfricos se les llama buckyesferas y a los cilndricos buckytubos o nanotubos. Sin embargo, nos estamos desviando,
lo importante del carbono es que se encuentra en el mismo grupo que los tomos del germanio y el silicio, los cuales
se utilizan ampliamente para el diseo y la fabricacin de transistores y otros componentes semiconductores; no obs-
tante, la mayora de los dispositivos semiconductores se hacen con base en el silicio. El silicio existe de manera abun-
dante en la corteza terrestre, se presenta como arena, cuarzo y arcilla, entre otros.
El tomo de silicio presenta enlaces covalentes, esto quiere decir que cada tomo de silicio comparte los cuatro
electrones de su capa superior con otros cuatro tomos de silicio, para encontrar su estabilidad o balance. Cuando se
utiliza el silicio como semiconductor intrnseco, esto es, en su estado natural, al aplicarse cierta forma de energa ex-
terna, como calor, luz o voltaje, se rompen los enlaces y se libera un electrn por cada enlace roto, dejando un hueco
(el espacio que ocupaba el electrn), como lo ilustra la figura 0.5.

J` J` J`

?l\Zf
J` J` J`
<c\Zkie

J` J` J`

=`^liX'%, :fii`\ek\^\e\iX[X\ecfjj\d`Zfe[lZkfi\j`ekiej\Zfj%

De esta manera se genera la corriente elctrica en los semiconductores, por el movimiento de los electrones hacia
los potenciales positivos y por el movimiento de los huecos hacia los potenciales negativos. Cuando se usa el silicio
como semiconductor extrnseco, se colocan ciertas impurezas en los enlaces, con lo cual se facilita ganar o perder un
electrn. Pero nos estamos adelantando, esto lo veremos en las uniones P-N que forman los diodos.

SISTEMAS ELCTRICOS Y ANALOGAS CON OTROS SISTEMAS

En un circuito elctrico, la fuerza que hace que los electrones se muevan es el voltaje. Entre ms grande es el voltaje,
la fuerza disponible para mover los electrones es mayor. Algunos libros de texto usan el trmino fuerza electromotriz
para referirse al voltaje.
Una analoga bastante ilustrativa es lo que sucede con el agua en una tubera, considerando que no est congelada,
por supuesto. Cuando se abre el grifo, cierta cantidad de presin de agua fuerza al agua de la tubera a salir. El mismo
fenmeno sucede con un circuito elctrico; cuando se enciende la luz de una lmpara, se permite que un voltaje fuer-
ce o empuje los electrones a travs de un alambre conductor y genere la luz que ilumina. Esta representacin se mues-
tra en la figura 0.6.
Cada dispositivo conectado a un circuito elctrico ofrece una oposicin al flujo de electrones, es decir, tiene una
resistencia que se mide en ohms y se considera como un peso o carga elctrica.

grupo editorial patria 5


0 Introduccin

Gi\j`e[\X^lX

8^lXXkiXmj[\leklYf

MfckXa\

<c\Zkife\jXkiXmj[\leZXYc\

=`^liX'%- 8eXcf^X\eki\\c]claf[\X^lX\eleXklY\iXp\c]claf[\\c\Zkife\j\eleZfe[lZkfi%

Por ejemplo, un circuito simple de fluidos, como una fuente de agua, la cual consiste en una bomba de agua, que
suministra la presin; una tubera, que provee la trayectoria para que el agua fluya, aunque tambin provee cierta re-
sistencia al flujo; y el agua en la fuente, que representa la carga. Por otra parte, un circuito elctrico simple consiste en
un suministro de electrones, la batera; los alambres conductores y una carga como podra ser una lmpara. La figura
0.7 muestra esta relacin de semejanzas.
Como se observa en la figura 0.7, la energa proviene de la bomba y la batera. Esta energa viaja hasta la carga, la
fuente de agua y la lmpara. Ya en la carga, la energa se manifiesta como la fuente de agua y la luz de la lmpara.

=l\ek\[\X^lX C}dgXiX
=claf

:fii`\ek\

Gi\j`e MfckXa\

9fdYX 9Xk\iX

"
X Y

=`^liX'%. X :`iZl`kfj`dgc\[\]cl`[fj#Y Z`iZl`kf\cZki`Zfj`dgc\%

VISUALIZACIN DE COMPONENTES ELCTRICOS

En ingeniera elctrica y electrnica no es fcil de visualizar el comportamiento de un circuito elctrico, en especial


cuando un circuito no funciona correctamente; por tanto, se tiene que imaginar qu est pasando con el movimiento
de estos inquietos electrones. Para esto vamos a llevar a cabo unas comparaciones usando cosas del mundo f sico o
tangible que son familiares para nosotros, a fin de crear un entendimiento intuitivo de un circuito.3 La razn principal

3
He conocido ingenieros que son buenos para detectar fallas en los circuitos. Inconscientemente, tienen un entendimiento intuitivo que han
desarrollado con el paso del tiempo. Un trmino apropiado sera intuicin educada, y la primera vez que lo escuch no tena mucho de haber
egresado de la universidad, la persona que lo us era mi jefe de proyecto, que a su vez la escuch de un jefe suyo, que a su vez nos estamos
desviando. La intuicin se puede educar si usamos los elementos clave para ello.

6 ELECTRNICA MIJAREZ
0 Introduccin

para realizar esta perspectiva es porque nosotros interactuamos con el mundo f sico usando nuestros sentidos, mien-
tras que en el mundo elctrico mucho de lo que sucede dentro de los circuitos no puede ser visto, olido o escuchado.
El mundo elctrico tiene todava su grado de magia, aun para ingenieros educados. Sin embargo, si se tiene una sen-
sacin o corazonada de qu es lo que est pasando en un circuito, se pueden resolver problemas de una manera muy
exacta. El cerebro humano es el mejor instrumento para simular, incluso para llegar a conclusiones correctas con in-
formacin incompleta, lo cual no es el caso con los simuladores en las computadoras. Siendo as, con este enfoque
vamos a estimular la mente para visualizar o simular circuitos elctricos.4
La analoga que vamos a realizar es del mundo de los ingenieros elctricos al mundo de los ingenieros mecnicos.
Pero, para iniciar este enfoque intuitivo debemos entender qu es voltaje, corriente y potencia:

tVoltaje es el potencial de cargas en un circuito.


tCorriente es la cantidad de carga fluyendo en un circuito.

Si realizamos la analoga con una pistola de agua, el voltaje es la presin que hacemos a la pistola; la presin la
cuantificamos por lo lejos que llega el chorro de agua. No es lo mismo tener la presin de una pistolita, que la presin
de una llave de agua de media pulgada de dimetro en la tubera. La corriente, en tanto, es el chorro de agua de la
pistola. En trminos elctricos, el voltaje, la corriente y la potencia se relacionan por la siguiente ecuacin:

Potencia  voltaje r corriente (0.1)

La potencia es la combinacin de voltaje y corriente. Si uno de estos dos elementos es cero, tendramos una potencia
cero. Ahora, vamos a ver la analoga de tres componentes bsicos de circuitos elctricos que se relacionan con el vol-
taje y la corriente.5

La resistencia es anloga a la friccin

Consideremos que se quiere mover una caja pesada que se encuentra en el piso, como lo ilustra la figura 0.8. Una
fuerza llamada friccin ofrece resistencia al movimiento de la caja. Esta friccin tambin est relacionada con la velo-
cidad con que queremos mover la caja. Entre ms rpido intentemos mover la caja, la magnitud de la friccin se incre-
mentar, ofreciendo una resistencia mayor al movimiento. Esta relacin puede describirse con la siguiente ecuacin:

fuerza
Friccin  (0.2)
velocidad

=`^liX'%/ CX]i`ZZ`ej\fgfe\Xcdfm`d`\ekf[\cXZXaX%

4
Un libro que menciona esta visualizacin de componentes de manera clara se llama Ingeniera elctrica de Darren Ashby, el cual es muy reco-
mendable.
5
Los tres componentes bsicos de los circuitos elctricos son el resistor, el capacitor y el inductor, y sus propiedades caractersticas son la resis-
tencia, la capacitancia y la inductancia; sin embargo, en espaol es muy comn utilizar el trmino resistencia, tanto para el componente como
para sus propiedades elctricas.

grupo editorial patria 7


0 Introduccin

La friccin disipa la energa en forma de calor. Esto es, la friccin hace que los elementos involucrados se calienten.
Este efecto sucede, por ejemplo, cuando frotamos nuestras manos, la friccin hace que nuestras manos se calienten. La
funcin de una resistencia en un circuito elctrico es igual a la friccin. La resistencia se opone al flujo de electricidad,
de la misma forma que la friccin se opone a la velocidad de la caja. Por supuesto, la resistencia en el circuito elctrico
tambin se calienta. La ecuacin denominada ley de Ohm describe esta relacin:

voltaje
Resistencia  (0.3)
corriente

La resistencia en un circuito elctrico representa la cantidad de fuerza que se requiere para mover los electrones. Res-
pecto de los sistemas mecnicos, la nica diferencia entre friccin y resistencia son las unidades.

El inductor es anlogo a la masa

Continuamos con el ejemplo de la caja. Ahora, eliminaremos la friccin para hacer la analoga ms fcil de entender.
La figura 0.9 muestra una caja con llantas, las cuales virtualmente eliminan la friccin con el piso. Se puede observar
que aunque se requiere cierto trabajo para mover la caja, una vez que empieza a moverse, su desplazamiento es senci-
llo; incluso cuesta trabajo detener la caja. Cunto trabajo se requiere, depende del peso de la caja. Esto se conoce como
ley de la inercia,6 y se aplica muy bien a la inductancia, como se aprecia en las ecuaciones 0.4 y 0.5.

=`^liX'%0 CXjccXekXj\c`d`eXecX]i`ZZ`e#g\ifj\i\hl`\i\Z`\ikfkiXYXafkXekfgXiX`e`Z`Xi\cdfm`d`\ekf
[\cXZXaX#ZfdfgXiX[\k\e\icf%

fuerza r tiempo
Masa  (0.4)
velocidad

voltaje r tiempo
Inductancia  (0.5)
corriente
En estas ecuaciones se observa que la masa se opone a la velocidad, de la misma manera que la inductancia se opone
a la corriente.

El capacitor es anlogo al resorte

Si se estira un resorte, luego se mantiene en esa posicin por un momento y despus se suelta; sucede que el resorte
regresa a su posicin, como se muestra en la figura 0.10. Esto significa que el resorte tiene capacidad de almacenar

6
Newton formul esta ley en 1687, mucho antes que fuera descubierta la electricidad, y estableci las bases de la f sica en el siglo xvii. Aunque
en realidad es un replanteamiento de lo que Galileo postul unos ochenta aos antes, y difiere del punto de vista de Aristteles que consideraba
que todos los objetos tenan un lugar natural, fijo, en el Universo.

8 ELECTRNICA MIJAREZ
0 Introduccin

energa; cuando se le aplica una fuerza al estirar el resorte, este mantendr la energa hasta que se suelta. La constante
del resorte es el recproco de la elasticidad y la capacitancia, en un capacitor, es similar a la elasticidad del resorte.
Un capacitor tiene capacidad de almacenar energa si se le aplica un voltaje a sus placas.7 Adicionalmente, como
lo muestran las ecuaciones 0.6 y 0.7, el resorte se opone a la fuerza, de la misma manera que la capacitancia se opone
al voltaje.
velocidad r tiempo
Resorte  (0.6)
fuerza

corriente r tiempo
Capacitancia  (0.7)
voltaje

=`^liX'%(' J\Xgc`ZXleX]l\iqXXci\jfik\\jk`i}e[fcf#XcjfckXij\cXZXaXfjZ`cXi}_XjkXhl\cX]i`ZZ`ecX[\k\e^X%

Combinacin de elementos, circuitos ms complejos

La combinacin de elementos puede traer consigo circuitos ms complejos, uno de ellos se denomina circuito tanque
o circuito LC. Qu es o qu hace este tipo de circuitos? La respuesta es oscilar; y su oscilacin podra durar para
siempre en un circuito ideal. La equivalencia a L y C, sera la masa y el resorte en un circuito mecnico, respectiva-
mente. Ahora, si se realiza un experimento mental, como haran los f sicos,8 y se ata la caja del dibujo anterior a un
resorte y se le da una fuerza inicial, el sistema mecnico oscilara permanentemente. Siguiendo la misma analoga, si a
nuestro circuito mecnico se le aade cierta friccin, apretando o frenando las llantas de la caja, al circuito elctrico le
estaramos aadiendo una resistencia, con lo cual tendramos un circuito LCR. En tanto, si le aplicamos un empujn
a la caja con el resorte, esta empezara a oscilar, pero eventualmente la friccin en las llantas hara que se detuviera.
Tanto la friccin como la resistencia amortiguan la oscilacin.
En este sentido, los elementos fundamentales del mundo de la electricidad se pueden mapear al mundo mecnico,
el cual es ms fcil de visualizar y con el que estamos en contacto todos los das. Son los bloques de Lego que forman el
mundo elctrico; si se entienden a la perfeccin, se tendrn las bases bien cimentadas. Por ende, si se tienen buenas
bases de cualquier disciplina se puede sobresalir en ella.

ES LA LEY: LA LEY DE OHM

La ley de Ohm es uno de los principios de electricidad bsicos para tcnicos o ingenieros elctricos, electrnicos y
mecatrnicos, y es la base para todos los anlisis de circuitos elctricos y electrnicos. Se puede tener un dominio de

7
En el capacitor, la energa se almacena en forma del campo elctrico que se genera en el mismo capacitor. Sin embargo, tambin en el inductor
se almacena energa, solo que la energa se almacena en forma del campo magntico que se genera en la bobina.
8
En alemn, la palabra para este tipo de experimentos es gedachtenexperiment; la cual encierra todo el concepto: experimento planeado, proyec-
tado o pensado; por supuesto, un experimento sin gastar recursos materiales.

grupo editorial patria 9


0 Introduccin

ecuaciones cuadrticas, ecuaciones diferenciales, clculo, etc., pero si no se tienen las bases, se corre el riesgo de que-
darse estancado buscando la solucin de problemas que pueden ser elementales. Esta ley es parte de los fundamentos
bsicos con que se debe contar, y aunque la mayora de los estudiantes y egresados de las carreras antes mencionadas
saben esta ley de memoria, en ocasiones su aplicacin prctica es ignorada. La ley de Ohm, descubierta en 1827 por
el cientfico Georg Simon Ohm, establece la relacin matemtica entre voltaje, corriente y resistencia, tal como lo
muestra la ecuacin 0.8.
V
I (0.8)
R
Esta ecuacin hace constar que la corriente, I, es directamente proporcional al voltaje, V, e inversamente proporcional
a la resistencia, R. El circuito de la figura 0.11a demuestra este concepto. Si se aplica un voltaje a una resistencia de
valor fijo, podemos calcular la corriente. Si se vara el voltaje, tendremos un cambio proporcional en la corriente, como
se aprecia en la figura 0.11b.
La lnea recta de la figura 0.11b indica que la curva entre V-I (Volt-Ampere) es lineal, siempre y cuando la resis-
tencia sea lineal; es decir, que tenga un valor constante en ohms.9 El valor de R no cambia al variar el voltaje aplicado;
si se duplica el voltaje de 4 a 8 Volts, la corriente se incrementar de 2 a 4 Amperes.10
Sin embargo, existen componentes que muestran curvas V-I no lineales. Por ejemplo, la resistencia del filamento
de tungsteno que se encuentra en las lmparas incandescentes o focos es no lineal. Al incrementarse la corriente, el
filamento se calienta e incrementa su resistencia. Si se incrementa el voltaje aplicado al filamento, producir ms co-
rriente, pero la corriente no se incrementar en la misma proporcin que el voltaje.11 Otro ejemplo son los termisto-
res, los cuales varan su resistencia en funcin de la temperatura y son usados ampliamente para medir cambios en la
temperatura.
Un aspecto fundamental de esta ley es que la resistencia impide el paso de corriente. Se podra pensar en la resis-
tencia como un elemento que convierte corriente en voltaje. Esto es, la cantidad de trabajo realizado para que la co-
rriente elctrica se mueva desde un punto A hasta un punto B es igual a la cada de energa elctrica entre los puntos

8dg\i\j I4):fejkXek\
-
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,
9 +
8dg\i\j

=l\ek\ Mfckj
[\mfckXa\ I4) *
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8 )
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Y

=`^liX'%(( <og\i`d\ekfhl\dl\jkiXhl\cXZfii`\ek\j\`eZi\d\ekX\eleXgifgfiZ`e[`i\ZkXZfe\cmfckXa\#
j`\cmXcfi[\cXi\j`jk\eZ`X\j\cd`jdf%

9
En la Exposicin Internacional de Electricidad efectuada en Pars, en 1881, se adopt el ohm y su smbolo () (letra griega omega) como
unidad de medida de la resistencia elctrica, en honor a la memoria de Georg Simon Ohm, veintisiete aos despus de su muerte.
10
Al contrario de los smbolos, los nombres de las unidades de medida elctrica no estn normalizados internacionalmente, sino que dependen del
idioma. En Mxico se usan comnmente en ingls, aunque la mayora de la literatura en espaol tiende a castellanizar los trminos con denomi-
naciones reconocidas por la Real Academia Espaola. Por tanto, en este texto usaremos los trminos en ingls: volt en lugar de voltio, ohm en
vez de ohmio, ampere en lugar amperio, watt en vez de vatio, coulomb en lugar de colombios, farad en vez de faradio y henry en lugar de henrio,
etctera.
11
De manera espectacular se ha encontrado un efecto opuesto en la mayora de los metales cuando se enfran a un punto crtico, reducen su re-
sistencia a cero! Son los llamados superconductores. Desafortunadamente, las temperaturas de enfriamiento resultan ser muy bajas, lo cual
requiere refrigeraciones extremas que los hace antieconmicos, con excepcin de algunas aplicaciones especializadas como, los aceleradores de
partculas en centros de investigacin de f sica. En fechas recientes, cientficos han descubierto que ciertas cermicas presentan caractersticas
de superconductores con temperaturas menos extremas, el reto es cmo hacer cables con estos frgiles materiales.

10 ELECTRNICA MIJAREZ
0 Introduccin

A y B, o como comnmente se le llama, diferencia de voltaje entre estos puntos. Esta energa elctrica se convierte a
otras formas de energa como luz, o en calor, como en el ejemplo de la figura 0.11. A la proporcin de energa que es
transformada por el flujo de electricidad se le conoce como disipacin de potencia. Esto nos lleva a definir la potencia
elctrica.

Potencia elctrica

La unidad de potencia elctrica, P, es el watt (W), nombrado as en honor a James Watt (1736-1819). Un watt de po-
tencia equivale al trabajo realizado en un segundo por una diferencia de voltaje de un volt para mover una carga de un
coulomb.12 Por esta razn, la potencia elctrica es definida por el producto entre la diferencia de voltaje y la corriente,
como lo indica la ecuacin 0.9.

P  V r I (0.9)

En el ejemplo de la figura 0.11a, si la fuente de voltaje es de 6 V y produce 3 A, se estar generando una potencia de
18 W de potencia. La frmula de la potencia se puede usar de tres formas como lo muestra de manera grfica la figu-
ra 0.12.

M @

=`^liX'%() =idlcXhl\i\cXZ`feXgfk\eZ`X#mfckXa\pZfii`\ek\%

La frmula depende de qu se quiera calcular P, I o V. A golpe de vista, la figura 0.12 muestra que P  V r I, I 
P/V y V  P/I. Volviendo al ejemplo de la figura 0.11a, la cantidad de energa elctrica convertida en calor por la resis-
tencia se disipa, es decir, una vez que ha sido usada, ya no regresa al circuito elctrico como energa elctrica. Debido
a que esta potencia se disipa en la resistencia de un circuito, es conveniente expresar la potencia en trminos de la
resistencia, como se expresa en las ecuaciones 0.10 y 0.11:
V V2
P V r I V r <P  (0.10)
R R

P  V r I  IR r I < P  I 2 R (0.11)

Considerando un voltaje de 6 V, en el ejemplo de la figura 0.11a, y usando como ejemplo la ecuacin 0.11, obtenemos
la disipacin de potencia en la resistencia. Esto es:

P  32 r 2  18 W

Por esta razn, la resistencia de este circuito debe ser mayor a 18 W, si no queremos que el calentamiento excesivo de
la resistencia comience a sacar el humo mgico y se produzca un dao considerable.

12
La unidad del SI de la corriente, el Ampere, se define como un coulomb por segundo (C/S), y la del voltaje se define como un joule por coulomb
(J/C).

grupo editorial patria 11


0 Introduccin

DIVISOR DE VOLTAJE

Un divisor de voltaje, en su forma ms simple, se crea conectando dos resistencias en serie, como se muestra en la fi-
gura 0.13, o una resistencia variable, como un potencimetro. A este se le aplica un voltaje de entrada a travs de las
dos resistencias y el voltaje de salida se toma entre las resistencias.

I<EK

M<EK MJ8C

IK@<II8
@

=`^liX'%(* ;`m`jfi[\mfckXa\i\j`jk`mf%

Aplicando la ley de Ohm, se encuentra la relacin entre el voltaje de salida y el voltaje de entrada, como se mues-
tra en la ecuacin 0.12. A esta relacin tambin se le llama funcin de transferencia.13
RT
VSAL  V ENT r (0.12)
RT RE
Muchos libros de texto utilizan R1 y R2 para referirse a las resistencias que conforman el divisor de voltaje; sin embar-
go, para hacer nfasis en su posicin aqu se les denomina resistencia de tierra, RT, y resistencia de entrada, RE, para
evitar el error de intercambiar la posicin de la resistencia y obtener un voltaje de salida diferente del esperado.
Este simple circuito lineal produce un voltaje de salida que es una fraccin o un porcentaje del voltaje de entrada.
Si se piensa en trminos de porcentaje, al hacer las resistencias RT y RE del mismo valor, se obtendra 50% del voltaje
de entrada y 50% de voltaje de salida. Se puede apreciar que si RE es cero, el voltaje de salida es igual al voltaje de en-
trada. De manera intuitiva, si RT es 2 k y RE es 8 k, tendremos a la salida 20% del voltaje de entrada. Aunque el di-
visor de voltaje se deriva de la ley de Ohm, vale la pena memorizarlo, ya que se utiliza con frecuencia para realizar
referencias de voltaje y como atenuador de seales cuando se involucran elementos capacitivos e inductivos, como
veremos a continuacin.

El capacitor se opone a los cambios de voltaje

Los valores de RT y RE del divisor de voltaje pueden estar compuestos por una combinacin de elementos, como capa-
citores, inductores y resistencias. Los inductores y capacitores actan como otra resistencia, la diferencia es que esta
resistencia es funcin de la frecuencia, a lo cual se le llama reactancia. Si en el divisor de voltaje cambiamos RT por un
capacitor, an sigue siendo un divisor de voltaje; pero, por obvias razones, ahora se le denomina circuito RC. La figu-
ra 0.14 muestra este circuito.
La reactancia del capacitor se especifica por el smbolo XC y su unidad es el Ohm. El clculo de la reactancia se
realiza usando la ley de Ohm, XC  I/V; sin embargo, tambin puede obtenerse considerando los efectos de la frecuen-
cia, f, y la capacitancia, C, como lo indica la ecuacin 0.13:
1
XC  (0.13)
2 f C
VSAL RT
13 A la funcin de transferencia, por lo general, se le denomina H; esta determina la ganancia del circuito H  ; en este ejemplo, H  .
VENT R T RE
Esta funcin es muy til en sistemas de control y para analizar por etapas un circuito muy grande.

12 ELECTRNICA MIJAREZ
0 Introduccin

,M

'M I<EK

<ekiX[X M<EK MJ8C


\jZXce
:
@

=`^liX'%(+ <ekiX[X\jZXceXleZ`iZl`kfI:%

Las unidades de f y C son los hertz y los farads, respectivamente, y el factor constante 2 es siempre 2 r 3.14  6.28, el
cual indica el movimiento circular derivado de una onda sinusoidal.14
Para analizar este circuito, aplicaremos a la entrada un voltaje tipo escaln,15 posteriormente haremos uso del
conocimiento intuitivo de resistencias y capacitores. La entrada escaln es por definicin un cambio muy rpido en
voltaje. Cmo se comporta el circuito ante esta entrada? Bien, a la resistencia no le importa en absoluto el cam-
bio de voltaje, pero al capacitor s. Se puede considerar que un cambio rpido de voltaje presenta un contenido grande
de seales de altas frecuencias.16 De acuerdo con la ecuacin 0.13, el valor de la reactancia del capacitor disminuye al
incrementarse la frecuencia. Al momento inicial del pulso de entrada, la resistencia a tierra, en este caso XC, es muy
baja comparada con la resistencia RE; por tanto, el voltaje de salida ser un valor bajo. Conforme la frecuencia empieza
a disminuir, la reactancia en el capacitor empieza a aumentar, de tal manera que el voltaje de salida en el divisor de
voltaje se incrementar gradualmente. En qu valor se detendr?
Para recordar lo aprendido acerca del capacitor en la visualizacin de componentes: el capacitor se opone a los
cambios de voltaje, pero no de corriente, como se explic en la ecuacin 0.7. De manera formal, matemticamente esta
ecuacin se expresa de la siguiente manera:
V i r t
i C ;l C  (0.14)
t V
Si se observa el voltaje de entrada tipo escaln, se puede apreciar que inicialmente sucede un cambio o variacin rpi-
da del voltaje, a lo cual se opone el capacitor. Luego, la entrada escaln ya no cambia y permanece en 5V, lo cual indi-
ca que el capacitor eventualmente se carg a 5V. A este periodo de transicin se le conoce como rgimen transitorio
de un circuito RC, mientras que al estado final se le conoce como rgimen permanente. La variacin de voltaje, a la
salida del divisor de voltaje, presenta una curva caracterstica descrita por la ecuacin 0.15.
t

VSAL  V ENT 1 e RC (0.15)

A la multiplicacin de R y C se le conoce como la constante de tiempo o tau, tambin descrita por la letra griega del
mismo nombre (), como lo muestra la ecuacin 0.16.

 RC (0.16)

14
En realidad, el trmino 2 es 2 radianes o 360 por un crculo o ciclo completo de una onda sinusoidal; por tanto, la frmula 0.13 se aplica solo
a circuitos con seales con forma de onda sinusoidal. Las seales sinusoidales adquieren importancia no solo porque los voltajes proporcionados
por las compaas de electricidad (generadores) son, aproximadamente, seales sinusoidales, sino tambin porque cualquier forma de onda
peridica se puede sustituir por un trmino constante y una serie de trminos senos y cosenos, algo que un brillante personaje llamado Joseph
Fourier (1768-1830) formul hace ya algunos aos.
15
La funcin escaln es muy usada en las matemticas de teora de control y en el procesamiento de seales, para representar una seal que se
activa en un tiempo especfico y permanece activada de manera indefinida. Esta funcin se obtiene como la integral de la funcin impulso, la
cual a su vez tiene un valor de cero en cualquier parte, a excepcin de un punto especfico, donde tiene un valor muy grande, infinito.
16
Entre ms rpido cambie la entrada de la seal escaln, un mayor nmero de frecuencias denominadas armnicas, funciones seno y coseno, se
sumarn para representar esta seal de entrada. Tambin es parte del anlisis de Fourier.

grupo editorial patria 13


0 Introduccin

La razn por la que tau es igual al tiempo puede ilustrarse de la siguiente manera: de acuerdo con la ecuacin 0.14,
C  (I r t) /V. Multiplicando por R ambos trminos de la igualdad, obtenemos que IR es igual a V, con lo cual se can-
cela el V del denominador y el tiempo se iguala a RC.
La grfica de la variacin del voltaje de salida se aprecia en la figura 0.15.

4I:
- ()'

, (''

MfckXa\efidXc`qX[f
+ /'

MfckXa\ * -'

) +'

( )'

'
 ( ) * + , - .
k`\dgf

=`^liX'%(, MXi`XZ`e[\mfckXa\#\emfckj#i\jg\Zkf[\ck`\dgf#pmXi`XZ`e[\mfckXa\efidXc`qX[f#i\jg\Zkf[\ck&%

La forma de esta curva de salida es siempre la misma para un circuito RC, como respuesta a una entrada tipo es-
caln. Lo nico que cambia es el tiempo que toma en llegar a su valor final, rgimen permanente, el cual depende de
la constante de tiempo tau. La figura 0.15 muestra la variacin del voltaje de salida respecto del tiempo, pero tambin
muestra esta curva normalizada17 en funcin de tau y el valor final del voltaje en porcentaje. Considerando la curva
normalizada, se puede observar que a 1 el voltaje de salida alcanzado es 63%; a 2 es 86%; a 3 es 95%; asimismo,
cuando llega a 4, el porcentaje es 98% y cuando alcanza 5 el voltaje de salida es prcticamente 100%. Esta curva de
respuesta describe un principio bsico en electrnica.
En las materias bsicas de ingeniera elctrica y electrnica he visto a los alumnos realizar prcticas de laboratorio
para obtener este tipo de curvas, pero cuando llegan a los ltimos semestres no recuerdan este concepto fundamental;
lo que es peor, no lo entienden. De modo que vale la pena memorizarlo de una vez por todas, ya que si se entiende este
concepto se entender el comportamiento de las bobinas o inductores, que veremos en la siguiente seccin, pero antes
vamos a analizar qu pasa con la corriente en este circuito RC.
Usando la ley de Ohm sabemos que I  V/R. Para obtener el voltaje a travs de la resistencia o, dicho de otro modo,
para obtener la diferencia de voltaje en la resistencia, es necesario conseguir la diferencia entre el voltaje de salida y el
voltaje de entrada como lo muestra la ecuacin 0.17:

VR  VENT VSAL (0.17)

Analizando la corriente en trminos de tau, observamos que a 0, el voltaje de salida es cero volts, de tal forma que los
5 V se encuentran en la resistencia, y, por ende, en ese instante fluye la corriente mxima. En este momento, el capa-
citor tiene una resistencia prcticamente de cero ohms haciendo un corto circuito a tierra. En t  , el voltaje de salida
es 63% del voltaje de entrada, lo cual significa que la resistencia tiene 37% del voltaje de entrada. Siguiendo este proce-
so para todos los valores de tau, obtendremos una curva decreciente a diferencia de la curva creciente de voltaje como
lo muestra la figura 0.16.
Aqu se puede observar que al momento que cambia el voltaje de entrada de la seal escaln, cuando t  0, la
corriente cambia muy rpido; fluye por el circuito la mxima corriente. En contraste, en ese mismo momento el vol-

17
La normalizacin en este contexto se refiere al procesamiento de informacin para que dos conjuntos de datos diferentes sean comparables,
tomando valores entre 0 y 1. Para esto se requiere dividir todos los datos entre el valor final, que en este caso es 5 volts. Muy a menudo ese valor
se multiplica por 100 para obtener el porcentaje.

14 ELECTRNICA MIJAREZ
0 Introduccin

()'

(''

:fii`\ek\efidXc`qX[X
/'

-'

+'

)'

'
 ( ) * + , - .
4I:

=`^liX'%(- MXi`XZ`e[\Zfii`\ek\Zfei\jg\ZkfXcXZfejkXek\[\k`\dgfkXl%

taje de salida no cambia tan rpido, en ese instante es cero. Lo anterior corrobora la regla de que el capacitor se opone
a los cambios de voltaje y no le afectan los cambios de corriente. La naturaleza nos ha mostrado que tiene sus opuestos,18
y el capacitor no es la excepcin, de modo que vamos a continuar con los inductores o bobinas.

El inductor se opone a los cambios de corriente

Ahora, siguiendo con el divisor de voltaje, vamos a considerar un circuito RL como se muestra en la figura 0.17.

,M

'M I<EK

<ekiX[X
\jZXce M<EK MJ8C

@ C

=`^liX'%(. <ekiX[X\jZXceXleZ`iZl`kfIC%

La reactancia del inductor se representa a travs del smbolo XL y su unidad, al igual que con el capacitor, es el
Ohm. El clculo de la reactancia se realiza usando la ley de Ohm, XL  I/V, pero tambin puede calcularse tomando en
cuenta los efectos de la frecuencia, f, y la inductancia, L, como lo muestra la ecuacin 0.18:

XL  2 f L (0.18)

La unidad de la inductancia, L, es el henry. En esta ecuacin se puede apreciar que la reactancia inductiva se incremen-
ta para altas frecuencias y altos valores de L, de manera opuesta a la reactancia capacitiva.
Conforme lo aprendido en la visualizacin de componentes, el inductor o bobina se opone a los cambios de co-
rriente, pero no de voltaje, de acuerdo con la ecuacin 0.5. De manera formal, esta misma ecuacin se expresa mate-
mticamente de la siguiente forma:

18
El concepto de dualidad, que tiene su origen en la filosof a oriental del yin y el yang, establece que todo lo existente en el universo es descrito por
dos fuerzas fundamentales, en apariencia opuestas y complementarias, que se encuentran en todas las cosas. Por ejemplo: luz/oscuridad, calor/
fro, masculino/femenino, sonido/silencio y por supuesto capacitor/inductor.

grupo editorial patria 15


0 Introduccin

$i v r $t
vL ;l L  (0.19)
$t $i
Considerando la misma entrada escaln, al momento inicial, cuando hay un cambio rpido de voltaje, la reactancia XL
es muy alta a causa de los armnicos de frecuencias altas, tratndose como si fuera un circuito abierto, y la corriente
en L es prcticamente cero. Sin embargo, gradualmente empieza a aparecer una cada de voltaje en L, de modo que la
corriente empieza a elevarse como se muestra en la figura 0.18.

()'

(''

:fii`\ek\efidXc`qX[X
/'

-'

+'

)'

 ( ) * + , - .
4I:

=`^liX'%(/ MXi`XZ`e[\Zfii`\ek\i\jg\Zkf[\k&\e\cZ`iZl`kfIC%

La respuesta en corriente del circuito RL es exactamente igual que la respuesta en voltaje en el circuito RC, y vi-
ceversa. Si se entiende el anlisis para el circuito RC, no se tendr problema para entender el circuito RL. Pero, se
preguntar qu pasa con la variacin de voltaje respecto de t/; bien, analizando por intervalos y hacindonos un par
de preguntas acerca del comportamiento del circuito, podemos deducir cmo ser esta grfica. Cmo ser el valor de
la corriente en el instante cero o en 0? Qu pasar con la corriente un tiempo despus? Con base en la ley de Ohm,
para que la corriente sea muy baja, la resistencia tiene que ser muy alta; entonces, en el instante cero, la inductancia
adquiere un valor muy grande que acta como un circuito abierto; por tanto, el voltaje en el inductor (V SAL) ser igual
al voltaje de entrada. Cuando el tiempo empieza a pasar, la reactancia en el inductor empieza a bajar hasta que se pro-
duce un cortocircuito y, por consiguiente, tambin el voltaje comienza a disminuir hasta llegar a cero. La figura 0.19
muestra la respuesta en voltaje para el circuito RL.

()'

(''
MfckXa\efidXc`qX[f

/'

-'

+'

)'

'
 ( ) * + , - .
4C&I

=`^liX'%(0 MXi`XZ`e[\mfckXa\Zfei\jg\ZkfXk&\e\cZ`iZl`kfIC%

El inductor es el complemento exacto del capacitor. El comportamiento en corriente del inductor es el mismo
comportamiento para el voltaje en el capacitor, y viceversa.

16 ELECTRNICA MIJAREZ
0 Introduccin

Los circuitos RC, por lo general, son ms comunes que los circuitos RL, debido, entre otras cosas, a que los capa-
citores son ms econmicos, pequeos y fciles de adquirir. Cabe mencionar que los elementos bsicos R, C y L no
son perfectos y en la realidad cada uno de ellos puede contener partes de los otros. Por ejemplo, el inductor se hace
con un material conductor, el cual, para fines prcticos, tambin presenta una resistencia, aunque en ciertas condicio-
nes su comportamiento predominante es inductivo. Como ya mencionamos, las unidades de los capacitores, los in-
ductores y las resistencias, son los farads, los henrys y los ohms, respectivamente; sin embargo, un farad y un henry
son unidades muy grandes y un ohm puede ser una unidad muy pequea, por lo que se suele emplear submltiplos.19
La tabla 0.1 muestra algunos prefijos y valores de conversin que se utilizan con frecuencia.20

Prefijo Smbolo Relacin a la unidad Ejemplo


Giga G 1,000,000,000 o 1 r 109 2 G (Gigaohms)  2 r 109
Mega M 1,000,000 o 1 r 106 5 M (Megaohms)  5 r 106
kilo K 1,000 o 1 r 103 20 kV (kilovolts)  10 r 103
milli m 0.001 o 1 r10-3 25 mA (milihenrys)  25 r 10-3
micro 0.000 001 o 1 r10-6 10 F (microvolts) 10 r 10-6
-9
nano 0.000,000,001 o 1 r10 33 F (nanofarads) 33 r 10-9

KXYcX'%( Gi\]`afjpmXcfi\j[\Zfem\ij`eZfdle\j%

Circuitos en serie y en paralelo

Dos formas de conexin de componentes elctricos en un circuito son de particular importancia: en serie y en para-
lelo. Un circuito en serie es aquel que provee solo una trayectoria para que la misma corriente fluya por todos los com-
ponentes. Mientras que un circuito en paralelo es cualquiera que provea el mismo voltaje a travs de todos los
componentes y en donde cada componente proporciona una trayectoria diferente para que fluya la corriente.21
Vamos a iniciar con las frmulas para los circuitos en serie y a relacionar estos con el arreglo de sus componentes.
Los circuitos en serie son sencillos, ya que no involucran ninguna multiplicacin, basta sumar todos los componen-
tes, como lo muestra la figura 0.20 y la ecuacin 0.20 para las resistencias.

RT  R1 + R2 + R3 (0.20)

 I( I) I*

IK

=`^liX'%)' :fe]`^liXZ`e[\i\j`jk\eZ`Xj\ej\i`\%

En el caso de los inductores, estos se suman al igual que las resistencias, como se muestra en la figura 0.21 y la ecua-
cin 0.21.

19
Recientemente estos submltiplos han incrementado su valor ya sea ascendente o descendente en aplicaciones como procesamiento de datos y
nanotecnologa, respectivamente. De manera ascendente se pueden emplear prefijos como Tera (1012), Peta (1015) y Hexa(1018), y de manera
descendente como pico (1012), femto (1015) y atto (1018) pertenecientes al Sistema Internacional de medidas, antecesor del sistema mtrico
decimal.
20
El elemento que genera ms dificultad para determinar su valor es el capacitor, por lo que en el CD-ROM que acompaa este libro se encuentra
un convertidor de cdigo de capacitores y un convertidor de unidades.
21
En el CD-ROM que acompaa este libro se encuentra una aplicacin para calcular resistencias en serie y en paralelo.

grupo editorial patria 17


0 Introduccin

 C( C) C*

CK

=`^liX'%)( :fe]`^liXZ`e[\`e[lZkfi\j\ej\i`\%

LT  L1 + L2 + L3 (0.21)

Para el caso de los capacitores, es preciso recordar que estos son el dual de los inductores. Por tanto, los capacitores
deben conectarse en paralelo si se quieren sumar como los inductores y las resistencias en los circuitos en serie, como
se muestra en la figura 0.22 y la ecuacin 0.22.

:( :)  :*
:K

=`^liX'%)) :fe]`^liXZ`e[\ZXgXZ`kfi\j\ej\i`\%

CT  C1 + C2 + C3 (0.22)

Cmo es que la corriente es la misma en todas las partes


de un circuito en serie
Por qu la corriente es la misma en todas las partes de un circuito en serie? La respuesta es ms fcil de visualizar
usando resistencias. Sabemos que la corriente elctrica es el movimiento de cargas entre dos puntos, generado cuando
se aplica un voltaje. Si conectamos una batera entre la terminal de R1 y la terminal de R3, como se ilustra en la figura
0.23, esta proporcionar el voltaje que fuerza a los electrones libres a moverse desde la terminal negativa, a travs de
los alambres de conexin y las resistencias, hasta la terminal positiva.

I(
I)

I*

=`^liX'%)* 8cXdYiX[f^i}]`Zf[\leZ`iZl`kfj\i`\%

La terminal negativa de la batera, es decir, su carga negativa, repele los electrones. Por tanto, los electrones libres
del alambre que conecta el borne negativo son repelidos. Cada electrn libre repelido, a su vez, tambin repele al elec-
trn adyacente, produciendo un movimiento de electrones hasta llegar a la conexin con la resistencia R3.

18 ELECTRNICA MIJAREZ
0 Introduccin

Simultneamente, la carga positiva del borne positivo de la batera atrae los electrones libres del alambre que est
conectado a l. Como resultado, los electrones libres de las resistencias R1, R2 y R3 son forzados a moverse hacia la
terminal positiva. Los electrones libres que se mueven de un punto a otro son reemplazados en forma continua por
electrones libres movindose de puntos adyacentes.
La terminal positiva de la batera atrae electrones tanto como la terminal negativa los repele; por consiguiente, el
movimiento de electrones en el circuito inicia al mismo tiempo y a la misma velocidad en todas las partes del circuito.
Dicho de otra forma, un nmero igual de electrones se mueve a un tiempo y con la misma velocidad, esa es la razn
por la cual la corriente es la misma en todas las partes del circuito.
Los circuitos en paralelo son un poco ms truculentos que los circuitos en serie. Un circuito en paralelo se forma
cuando dos o ms componentes se conectan a travs de una fuente de voltaje, de tal manera que el voltaje es el mis-
mo en cada componente. La figura 0.24 ilustra un circuito en paralelo para el caso de que los componentes sean re-
sistencias.

I( I) I*
IK

=`^liX'%)+ :fe]`^liXZ`e[\i\j`jk\eZ`Xj\egXiXc\cf%

En los circuitos en serie, la corriente es la misma para todos los componentes. En tanto que en los circuitos en
paralelo, el voltaje es el mismo para cada componente y cada componente provee una trayectoria independiente para
el flujo de corriente. La corriente de cada trayectoria se calcula con V/R, donde V es el voltaje aplicado y R es la resis-
tencia de esa trayectoria. La corriente total, IT, debe ser igual a la suma de todas las corrientes como se aprecia en la
figura 0.25.

I( I) I*


"
M
M M M

I( I) I*

@K

=`^liX'%), 8cXdYiX[f^i}]`Zf[\leZ`iZl`kfgXiXc\cf%

La resistencia total o resistencia equivalente, REQ , del circuito en paralelo es igual al voltaje aplicado dividido entre
la corriente total, V/IT . Aqu, el trmino equivalente se refiere al valor que tendra una sola resistencia para sacar la
misma cantidad de corriente que todas las resistencias en paralelo. A la frmula para obtener la REQ se le conoce como
la frmula del inverso o recproco y se deriva de que IT es la suma de todas las corrientes.

1
REQ  (0.23)
1 1 1
!etc.
R1 R2 R3

Para el caso particular en que sean dos componentes, la REQ es determinada por el producto de sus valores dividido
por la suma de sus valores. En caso de tres resistencias o ms, se resuelve cada dos componentes y se repite sucesiva-
mente, como se muestra en la ecuacin 0.24.

grupo editorial patria 19


0 Introduccin

R1 r R2 R1 | R2 r R3
R1 | R2  l REQ  (0.24)
R1 R2 R1 | R2 R3

Los inductores en paralelo se comportan como las resistencias, por lo que su resistencia REQ se puede deducir de la
misma manera como se muestra en la figura 0.26 y la ecuacin 0.25.

C( C) C*

CK

=`^liX'%)- :fe]`^liXZ`e[\`e[lZkfi\j\egXiXc\cf%

L1 r L2 L1 | L2 r L3
L1 | L2  l LEQ  (0.25)
L1 L2 L1 | L2 L3

Para los capacitores aplican las misma ecuaciones, pero solo si se conectan en serie como se ilustra en la figura 0.27 y
la ecuacin 0.26.

:( :) :*

:K

=`^liX'%). :fe]`^liXZ`e[\ZXgXZ`kfi\j\egXiXc\cf%

C1 r C2 C1 | C2 r C3
C1 | C2  lC  (0.26)
C1 C2 C1 | C2 C3

Al tratar con circuitos en serie y en paralelo se resume que slo hay dos ecuaciones: la simple suma y el producto sobre
la suma (o suma de recprocos).

DATOS IMPORTANTES
 La electricidad es bsicamente cargas tanto positivas  En un buen aislante, los electrones libres estn bien
como negativas. adheridos, como si fuera agua congelada en una tu-
 Cargas del mismo signo se repelen, cargas de signos bera.
contrarios se atraen.  Los semiconductores en estado natural, como el sili-
 Tanto en un conductor como en un aislante existe el cio, al aplicrseles cierta energa liberan electrones y
mismo nmero de cargas positivas y negativas. forman huecos, con lo cual se produce la corriente
 En un buen conductor, los electrones libres se mue- elctrica.
ven con facilidad, como el agua en las tuberas.

20 ELECTRNICA MIJAREZ
0 Introduccin

 Se requiere del voltaje y de la corriente para producir puede ser puramente resistiva, capacitiva o inducti-
potencia. va, o una combinacin de estas.)
 En el equivalente mundo mecnico: la resistencia es  La regla del divisor de voltaje est dada por:
como la friccin, el inductor o bobina es como la V R
masa y el capacitor es como un resorte. VSAL  ENT T .
RT RE
 El inductor tiene el comportamiento dual del ca-  El capacitor se opone a las variaciones de voltaje,
pacitor. pero no de corriente.
 Los conocimientos bsicos son los ms importantes,  El inductor se opone a las variaciones de corriente,
hay que aprenderse algunas frmulas de memoria y pero no de voltaje.
entenderlas!  Las resistencias en serie, los inductores en serie y los
 La reactancia es similar a la resistencia considerando capacitores en paralelo se suman.
una frecuencia especfica.  Las resistencias en paralelo, los inductores en parale-
 La ley de Ohm aplica tanto para resistencia como lo y los capacitores en serie usan la regla de la suma
para reactancia I  V/Z. (Z es la impedancia, la cual de los inversos o recprocos.

PROBLEMAS DEL CAPTULO 0


0.1 Calcule la disipacin de potencia de la resistencia en 0.3 Usando un paquete comercial de simulacin tipo
el siguiente circuito de la figura 0.28. PSpice o Multisim, grafique el voltaje de salida para
un divisor de voltaje RC, teniendo como voltaje de
entrada una batera de 2.5 V, una R  1 000 y
C  0.1 F. Verifique la constante de tiempo.
5V

9V R=2 RENT
0V VENT VSAL

Entrada C
escaln I

=`^liX'%)/
=`^liX'%*'
0.2 En el siguiente circuito divisor de tensin (vase fi-
gura 0.29) se requiere un voltaje de salida de 5 V. 0.4 Usando un paquete comercial de simulacin tipo
Calcule las resistencias necesarias si el voltaje de en- PSpice o Multisim, grafique la corriente de salida
trada es de 12 V. para un divisor de voltaje RL, teniendo como voltaje
de entrada una batera de 2.5 V, una R  1 000 y
L  0.1 H. Verifique la constante de tiempo.
RENT
2.5 V
12 V 5V
RENT
RTierra 0V VENT VSAL
I L
Entrada
escaln I

=`^liX'%)0 =`^liX'%*(

g r u p og reud pi too er di ai tl oprai ta r


lip
aa tria
21
0 Introduccin

0.5 De acuerdo con la ecuacin 0.16, para un circuito


RC, la constante de tiempo es  RC. Deduzca cmo
se obtiene la constante de tiempo  R/L, para un
circuito RL.
0.6 Deduzca cmo se obtiene la frmula de la resistencia L
equivalente para dos resistencias conectadas en pa-
ralelo. 20 V CA

0.7 En el siguiente circuito (vase figura 0.32) se tiene


una fuente de alimentacin sinusoidal de 20 V de CA
operando a 180 Hz y un capacitor de 0.1 F. Calcule
la reactancia capacitiva y la corriente que pasa por el =`^liX'%**
circuito.
circuito. Compare el resultado si la fuente de ali-
mentacin trabaja a 540 Hz.
0.9 Defina cules son los electrones libres en un
slido.
C
0.10 Describa la diferencia principal entre un material
conductor y un material aislante.
0.11 Describa cmo es la distribucin de electrones en
20 V CA
la capa externa de un material semiconductor y su
relacin con los enlaces covalentes.
0.12 Describa la analoga entre un circuito de fluidos
simple y un circuito elctrico simple.
=`^liX'%*)
0.13 Usando la analoga entre sistemas elctricos y me-
0.8 En el siguiente circuito (vase figura 0.33) se tiene cnicos, describa por qu la resistencia es anloga
una fuente de alimentacin sinusoidal de 20 V de CA a la friccin, el inductor es anlogo a la masa y el
operando a 180 Hz y un inductor de 0.1 H. Calcule capacitor es anlogo al resorte.
la reactancia inductiva y la corriente que pasa por el 0.14 Explique por qu la ley de Ohm es lineal.

22 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo
semiconductor
bsico: el diodo
Existen textos que explican de manera detallada qu son los semiconductores, incluso abordan los
principios de la teora cuntica. Pero, siguiendo el contexto de este libro, aqu solo se provee el en-
tendimiento bsico intuitivo de cmo funcionan los dispositivos semiconductores. En el captulo 0
se estudia la constitucin atmica de los semiconductores en su forma pura o intrnseca; sin embargo,
en esta forma no tienen muchas aplicaciones. Para comprenderlo, cabe mencionar que muchos de
los dispositivos electrnicos que usamos son tiles hasta que las caractersticas intrnsecas de los
semiconductores se alteran mediante un proceso llamado dopaje, en ingls doping,1 que consiste en
mezclar los semiconductores puros con otros materiales. Por esta razn, en este captulo abordamos
la construccin bsica del dispositivo semiconductor ms simple: el diodo.
En este captulo tambin se analizan sus caractersticas de conduccin unidireccional y sus apli-
caciones como convertidores de CA a CD, aunque tambin explicamos algunos diodos de propsito
especfico, como los diodos LED y los diodos Zener. Entonces, empecemos. En este captulo apren-
deremos acerca de:

1
El trmino doping o dopaje se utiliza con frecuencia en el mbito deportivo, para indicar que los atletas han usado, de
manera ilegal, medicamentos o sustancias que les permiten aumentar de manera no natural el rendimiento general en una
competencia, posibilitndoles hacer proezas de sper humanos. En los dispositivos semiconductores, por otro lado, el
doping permite realizar los bloques bsicos de la electrnica, lo cual posibilita realizar instrumentos maravillosos, eso s,
de manera legal.

23
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

X Semiconductores intrnsecos.
X Semiconductores extrnsecos o dopados.
X Construccin del diodo semiconductor.
X Polarizacin directa del diodo.
X Polarizacin inversa del diodo.
X Curva caracterstica voltaje-corriente de los diodos.
X Aproximaciones de los diodos.
X Circuitos rectificadores.
X Rectificacin filtrada.
X Diodos de propsito especfico.

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS

Primero que nada, vamos a definir qu es un semiconductor de electricidad. Su nombre indica que es un elemento que
conduce parcialmente la electricidad. Por tanto, se puede pensar que un semiconductor es un material semibueno
conduciendo la electricidad; conduce menos electricidad que un conductor, pero ms electricidad que un aislador.2
Como las resistencias, los semiconductores conducen electricidad, pero no fcilmente. De hecho, como las resisten-
cias, entre ms corriente hagamos pasar por ellos ms se calentarn. Algunos de los materiales semiconductores in-
trnsecos ms comunes son el silicio, el germanio y el carbono. Aunque el silicio es el ms utilizado por la industria
electrnica para la construccin de dispositivos electrnicos.
Como vimos en el captulo 0, en un semiconductor, los electrones de valencia, es decir, los electrones de la capa
externa del tomo, no tienen la misma libertad para moverse como sucede con los metales; en su lugar, estos electro-
nes se encuentran unidos a otros iones adyacentes, tomos que han perdido o ganado electrones, por medio de enlaces,
conocidos como enlaces covalentes. Cada tomo de estos materiales contribuye con cuatro electrones de valencia, por
lo que se les denomina tetravalentes, y determina la manera de combinarse con otros tomos, formando una estructu-
ra de cristal. La figura 1.1 ilustra simblicamente, en dos dimensiones, la estructura de un cristal de silicio, incluyendo
sus enlaces covalentes y sus electrones de valencia.
<c\Zkife\j
<ecXZ\ [\mXc\eZ`X
ZfmXc\ek\

J` J` J`

J` J` J`

J` J` J`

=`^liX(%( <jkilZkliX[\leZi`jkXc[\j`c`Z`fZfejlj\c\Zkife\j[\mXc\eZ`Xp\ecXZ\jZfmXc\ek\j%

2
Como vimos en el captulo 0, el flujo de corriente, y por ende la conductividad, es proporcional a la concentracin de electrones libres en el
material en cuestin. Para un buen conductor, dicha concentracin de electrones es muy grande, aproximadamente 1028 electrones/m3; en cam-
bio, para un aislador, es muy pequea, aproximadamente 107electrones/m3; y para un semiconductor, esta concentracin se encuentra en un
punto intermedio entre estos dos valores.

24 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

A una temperatura muy baja, tal como el cero absoluto ( 273 C), todos los electrones de valencia en un cristal de
silicio permanecen adheridos a sus respectivos enlaces de valencia, aproximndose a la estructura ideal de la figura 1.1.
Esto trae consigo el hecho de que no habr electrones libres disponibles movindose en el semiconductor de silicio y,
por tanto, el cristal se comporta como un aislante. Sin embargo, arriba del cero absoluto algunos electrones de valencia
pueden obtener suficiente energa proveniente del calor, la radiacin u otras fuentes, para romper sus enlaces covalen-
tes y escapar de su tomo, convirtindose en electrones libres que se pueden mover libremente en el material. Estos
electrones libres dejan un vaco o hueco en el enlace covalente. La energa trmica es considerada la causa principal
que produce el denominado par electrn-hueco, como se muestra en la figura 1.2.

J` J`
<c\Zkie
c`Yi\

?l\Zf

J` J`

=`^liX(%) GXi\c\Zkie$_l\Zfgif[lZ`[fgfi\e\i^Xkid`ZX%

Conforme se eleva la temperatura, la generacin de pares electrn-hueco se incrementa debido a la energa tr-
mica.3 A temperatura ambiente (25 C), por ejemplo, algunos de los enlaces covalentes se rompen, produciendo pares
electrn-hueco que hacen posible la conduccin de electricidad. El hueco acta como si fuera una carga positiva atra-
yendo electrones libres, y por consiguiente, generando un flujo de corriente.4
El hueco contribuye como portador de electricidad de la misma manera que un electrn libre, debido a que al
aparecer un enlace covalente incompleto, originando un hueco, es relativamente fcil para un electrn de valencia, en
un tomo vecino, dejar su enlace para llenar dicho hueco. Al moverse, el electrn deja, a su vez, un hueco en su posi-
cin inicial. De esta forma, el hueco se mueve en direccin opuesta a la del electrn. Este mecanismo de conduccin
de electricidad no involucra electrones libres como se ilustra esquemticamente en la figura 1.3.

( ) * + , - . /

=`^liX(%* D\ZXe`jdfd\[`Xek\\cZlXcle_l\ZfZfeki`Ylp\XcXZfe[lZZ`e[\\c\Zki`Z`[X[%

3
La energa para romper un enlace covalente, a temperatura ambiente, es de 0.72 eV para el germanio y de 1.1 eV para el silicio. El electronvolt,
eV, es una unidad de energa usada en sistemas atmicos equivalente a la energa cintica adquirida por un electrn al ser acelerado por una di-
ferencia de potencial, en el vaco, de 1 volt; su valor aproximado es de 1.6 r 10 19 Joules.
4
Cada hueco o electrn posee una carga de 1.6 r 10 19 coulombs, pero de polaridad opuesta.

grupo editorial patria 25


1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

En la figura 1.3 los crculos con un punto representan enlaces covalentes completos, mientras que los crculos
vacos simbolizan los huecos. En la figura 1.3 a) se muestra una fila de ocho iones, con un enlace roto o hueco en el in
3. Si un electrn de valencia, por ejemplo el del in 4, se mueve al hueco 3, la configuracin resultante ser la de la fi-
gura 1.3 b). De la misma manera, si un electrn del in 5 se mueve al hueco 4, se producir la configuracin de la figu-
ra 1.3 c). As, se puede observar que el hueco se mueve hacia la derecha, en sentido inverso al movimiento de los
electrones de valencia. Por esta razn, se considera que los huecos son entidades f sicas cuyo movimiento constituye
un flujo de corriente.
Sin embargo, no debemos perder de vista que un cristal semiconductor de silicio trmicamente genera menos
pares electrn-hueco que uno de germanio a la misma temperatura. Esto implica que el cristal de silicio es ms estable
a altas temperaturas que el material de germanio. Esta estabilidad es la razn principal por la cual el silicio es usado
primordialmente como material semiconductor en la construccin de diodos, transistores y circuitos integrados.
Adems, es importante hacer notar que a temperatura ambiente los semiconductores intrnsecos generan trmi-
camente muy pocos pares electrn-hueco, por lo que estos relativamente an se comportan como buenos aislantes.
Para incrementar el nmero de pares electrn-hueco, es necesario llevar a cabo el proceso de dopaje o doping que
mencionamos al inicio de este captulo.

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS O DOPADOS

El proceso de dopaje o doping involucra aadir tomos de impureza, es decir tomos de mayor o menor nmero de
electrones de valencia que los de un semiconductor intrnseco. Los materiales semiconductores de silicio y de germa-
nio, por lo general, son dopados con tomos trivalentes o pentavalentes para incrementar su conductividad. Dicho de
otra forma, un material semiconductor extrnseco es aquel que ha sido mezclado con tomos no tetravalentes.

Semiconductores tipo n

Un tomo pentavalente es aquel que tiene cinco electrones de valencia. Algunos ejemplos de este tipo de tomos son
el antimonio (Sb), el arsnico (As) y el fsforo (P). Un cristal de silicio dopado por un nmero grande de tomos pen-
tavalentes genera muchos electrones libres en el material. Lo anterior ocurre porque en la ubicacin de cada tomo
pentavalente hay un electrn libre que no es usado en los enlaces covalentes de la estructura del material. Recordemos
que solo ocho electrones pueden existir en la capa de valencia de cada tomo de silicio; por tanto, uno de los electrones
en cada tomo pentavalente, funcionando como impureza, no es requerido en los enlaces covalentes de la estructura
y puede flotar por el material como electrn libre. Esto se ilustra en la figura 1.4.

J` J` J`

J` 8j J`

J` J` J`

<c\Zkiec`Yi\

=`^liX(%+ :i`jkXc[\j`c`Z`f[fgX[fZfeleX`dgli\qXg\ekXmXc\ek\%

26 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

El electrn libre ilustrado en la figura 1.4 pertenece a un tomo de arsnico, en el que sus enlaces covalentes se
completan con ocho electrones de valencia, quedando un electrn extra que no se necesita. Sin embargo, si se aaden
millones de impurezas pentavalentes a un cristal de silicio intrnseco, habr millones de electrones libres flotando en
el material. Debido a que el electrn es la partcula bsica de carga negativa, a los materiales dopados de esta forma se
les llama semiconductores tipo n. No obstante, la carga neta del semiconductor tipo n an es neutra, puesto que el
nmero total de electrones es igual al nmero de protones. Adems, a causa de la energa trmica, en un semiconduc-
tor tipo-n tambin se crean algunos huecos o pares electrn-hueco. Los pocos electrones de valencia que logran ab-
sorber suficiente energa para romper sus respectivos enlaces covalentes, incrementan an ms el nmero de
electrones libres en el cristal. Los huecos actan como cargas positivas, ya que si un electrn libre pasa alrededor del
hueco, este ser atrado para llenar ese vaco. Debido a que hay mucho ms electrones libres que huecos en un material
semiconductor tipo n, a los electrones se les llama portadores de corriente mayoritarios y a los huecos portadores de
corriente minoritarios.
En el material semiconductor tipo n existe un gran nmero de iones positivos, puesto que en cada tomo penta-
valente el quinto electrn de valencia deja su tomo, creando un desbalance, ya que el nmero de cargas positivas y
negativas no es el mismo en el tomo o in. En este caso, el ncleo del tomo pentavalente tendr un protn ms que
el nmero de electrones orbitando. Estos iones positivos son cargas fijas en el semiconductor incapaces de moverse.

Semiconductores tipo p

Un tomo trivalente es aquel que contiene solo tres tomos de valencia. Algunos ejemplos de esta clase de tomos son
el aluminio (Al), el boro (B) y el galio (Ga). Un cristal de silicio dopado con una gran cantidad de tomos trivalentes
producir muchos huecos en los enlaces covalentes de la estructura del material. Esto sucede porque, para obtener la
mxima estabilidad elctrica con ocho electrones de valencia, se requiere un electrn de valencia en cada localizacin
de un tomo trivalente, como se muestra en la figura 1.5.

J` J` J`

J` >X J`

J` J` J`

?l\Zf

=`^liX(%, :i`jkXc[\j`c`Z`f[fgX[fZfeleX`dgli\qXki`mXc\ek\%

Cuando millones de impurezas trivalentes se aaden a un material semiconductor intrnseco, se crean millones
de huecos en el cristal. Debido a que los huecos exhiben una carga positiva, a estos se les denomina materiales semi-
conductores tipo p. La carga neta del material semiconductor tipo p es neutra porque, como sucede con el material
tipo n, el nmero total de electrones es igual al nmero total de protones. El semiconductor tipo p tambin contiene
unos cuantos electrones libres a causa de la energa trmica, la cual produce algunos pares electrn-hueco. En este
caso, los electrones son los portadores minoritarios de corriente, mientras que los huecos son los portadores mayori-
tarios de corriente.

grupo editorial patria 27


1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

En el material semiconductor tipo p existe un gran nmero de iones negativos, debido a que los electrones libres
que pasan cerca, en cada tomo trivalente, pueden llenar los huecos de los enlaces covalentes. De esta manera, la im-
pureza trivalente tendr un electrn ms orbitando que el nmero de protones en su ncleo, dando como resultado el
in negativo. De igual manera que con el material n, los iones negativos en el material p son cargas fijas en el semicon-
ductor incapaces de moverse.

CONSTRUCCIN DEL DIODO SEMICONDUCTOR

Un dispositivo semiconductor muy popular, llamado diodo, se obtiene de la unin de dos materiales semiconductores,
uno tipo p y otro tipo n, como se muestra en la figura 1.6 a). La interaccin de las regiones dopadas forma la denomi-
nada unin P-N.
El smbolo esquemtico para el diodo semiconductor se ilustra en la figura 1.6 b). El lado p se conoce como nodo,
mientras que el lado n se conoce como ctodo. Los diodos son dispositivos unidireccionales, es decir permiten el flu-
jo de corriente a travs de ellos en una sola direccin, proveyndoles propiedades de rectificacin.5

X g e

ef[f :}kf[f

=`^liX(%- CXle`eG$E%X :fejkilZZ`eY}j`ZX[\le[`f[f#\e\cZlXcj\`cljkiXecXji\^`fe\j[fgX[XjGpE2


Y jdYfcf\jhl\d}k`Zf[\c[`f[fj\d`Zfe[lZkfi#\e\cZlXcj\dl\jkiXecXjk\id`eXc\j
Zfii\jgfe[`\ek\jgXiX\c}ef[fp\cZ}kf[f%

La unin p-n tiene electrones libres en el lado n y huecos en el lado p, como se muestra en la figura 1.7 a). En esta
figura, los electrones libres se representan por el smbolo de guin () y los huecos se representan por crculos (O). Al
momento en que se forma la unin p-n, los electrones libres del lado n migran o se difunden a travs de la unin hacia
el lado p. Una vez en el lado p, estos electrones libres, ahora portadores minoritarios, no permanecen como tales por
mucho tiempo, ya que tan pronto como cruzan la unin empiezan a llenar los huecos. Lo anterior trae como resultado
que cuando los electrones libres dejan el lado n y llenan los huecos del lado p, se crean dos tipos de iones: positivos en
el lado n y negativos en el lado p, como se muestra en la figura 1.7 b).

X Y

g e g e

"
M9

=`^liX(%. Le`eg$e%X <c\Zkife\jc`Yi\j\e\ccX[fep_l\Zfj\e\ccX[fg2Y ]fidXZ`e[\cXqfeX[\X^fkXd`\ekf#


\ecXZlXcj\]fidXe`fe\jgfj`k`mfj\e\ccX[fepe\^Xk`mfj\e\ccX[fg%

5
La primera patente para un cristal semiconductor fue otorgada al f sico alemn Karl Ferdinand Braun, en 1899. Sin embargo, otros trabajos con
indicios de este comportamiento de conduccin unidireccional se remontan veinte aos atrs, con Thomas Alva Edison a la cabeza. En sus ini-
cios, estos dispositivos fueron llamados: rectificadores, pero no fue sino hasta 1919 que el f sico britnico William Henry Eccles, pionero en el
desarrollo de las radiocomunicaciones, acu el trmino diodo, proveniente de la palabra griega dia, que significa a travs, y ode que significa
trayectoria.

28 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

Conforme contina el proceso de difusin, se crea una barrera de potencial, VB, y la migracin de electrones del
lado n al lado p se detiene. Los electrones movindose del lado n al lado p detectan un potencial negativo en el lado p
que los repele de regreso al lado n. De la misma forma, los huecos que se mueven del lado p al lado n, detectan un
potencial positivo en el lado n que los repele de regreso al lado p. El rea donde se localizan los iones positivos y nega-
tivos se conoce como regin o zona de agotamiento; recibe este nombre debido a que est desprovista de todos los
portadores de carga. Los iones positivos y negativos de esta rea estn fijos a la estructura del cristal y, por tanto, no
se pueden mover. En consecuencia, los iones forman una diferencia de potencial denominada barrera de potencial, VB,
como se muestra en la figura 1.7 b). Para el silicio, la barrera de potencial es aproximadamente 0.7 V y para el germanio
0.3 V. Es importante hacer notar que la barrera de potencial no se puede medir externamente con un voltmetro; sin
embargo, existe y es la que detiene el proceso de propagacin de portadores de corriente.

POLARIZACIN DIRECTA DEL DIODO

La polarizacin especifica el voltaje o corriente que puede ser utilizado como control de un dispositivo. En este caso, la
polarizacin directa de un diodo permite el flujo con facilidad de corriente a travs del diodo. La figura 1.8a) muestra
un diodo con polarizacin directa.
En la figura 1.8 a), podemos observar que el material semiconductor n se conecta a la terminal negativa de la
fuente de voltaje, V. Es importante destacar que la fuente de voltaje tiene que ser lo suficientemente grande para su-
perar la barrera de potencial VB.6 La terminal negativa de la fuente de voltaje repele los electrones libres del material
n, forzndolos a cruzar la zona de agotamiento hasta el material semiconductor p. Una vez en el lado p, los electrones
llenan los huecos de los enlaces covalentes incompletos y se mueven de hueco en hueco, atrados por la terminal po-
sitiva de la fuente de voltaje V. Por cada electrn libre que entra en el lado n, un electrn libre sale del lado p.
Por su parte, la figura 1.8 b) muestra el smbolo esquemtico del diodo polarizado directamente por una fuente
de voltaje, V.7 En esta figura, tambin se observa que el flujo real de electrones, ocurre del material n hacia el material
p, en contra del sentido de la flecha del smbolo del diodo. En tanto, la flecha del smbolo del diodo apunta en sentido
del flujo convencional de corriente. Ambos sentidos funcionan correctamente cuando se analizan circuitos con dio-
dos; sin embargo, en este libro se utiliza el flujo real cuando analicemos circuitos con diodos.

=clafZfem\eZ`feXc[\\c\Zkife\j

8 :
@

X g e I
Y
M
@
=clafi\Xc[\\c\Zkife\j
M

=`^liX(%/ Le`eg$egfcXi`qX[X[`i\ZkXd\ek\%X =l\iqXj\ok\ieXjfYc`^XeXcfj\c\Zkife\jc`Yi\j[\ccX[feXZilqXicXqfeX[\X^fkXd`\ekf_XZ`X


\ccX[fg#[fe[\cfj\c\Zkife\jcc\eXecfj_l\Zfj%LeXm\q\e\ccX[fg#cfj\c\Zkife\jYi`eZXe[\_l\Zf\e_l\Zf\ecXjYXe[Xj[\mXc\eZ`X%Y 
;`f[fgfcXi`qX[f[`i\ZkXd\ek\#[fe[\j\\jg\Z`]`ZX\c]claf[\Zfii`\ek\i\Xcp\cZfem\eZ`feXc%

POLARIZACIN INVERSA DEL DIODO

La polarizacin inversa de una unin p-n se lleva a cabo conectando la terminal negativa de una fuente de voltaje, V,
al material semiconductor tipo p y la terminal positiva al material semiconductor tipo n, como se muestra en la figura
1.9 a). El efecto es que los portadores de carga, electrones y huecos, en ambas secciones n y p, respectivamente, son

6
Recordemos que si la unin p-n es de silicio, la fuente de voltaje debe ser igual o mayor de 0.7 V para contrarrestar la barrera de potencial VB y
producir el flujo de corriente.
7
En la prctica, normalmente se utiliza una resistencia en serie con el diodo para limitar su corriente.

grupo editorial patria 29


1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

apartados de la unin. Lo anterior incrementa el ancho de la regin de agotamiento. Los electrones en el lado n son
alejados de la unin y atrados hacia la terminal positiva de la fuente de voltaje V. De la misma manera, los huecos en
el lado p son apartados de la unin y atrados hacia la terminal negativa de la fuente de voltaje, V.
Como se puede observar, la figura 1.9 b) muestra el smbolo esquemtico de un diodo polarizado inversamente
por una fuente de voltaje externa, V. El resultado de esta polarizacin es que el diodo entra en su estado de no conduc-
cin y acta de manera ideal como un circuito abierto con una resistencia infinita.

8 :
@4'8

X g e Y

M M

=`^liX(%0 Le`eg$egfcXi`qX[X`em\ijXd\ek\%X <cmfckXa\[\cX]l\ek\\ok\ieXXc\aXXcfjgfikX[fi\jdXpfi`kXi`fj[\ZX[XdXk\i`Xc


j\d`Zfe[lZkfi#`eZi\d\ekXe[f\cXeZ_f[\cXqfeX[\X^fkXd`\ekf%Y JdYfcf\jhl\d}k`Zf
[\le[`f[fgfcXi`qX[f`em\ijXd\ek\ZfeleX]l\ek\[\mfckXa\\ok\ieX%

Corriente de fuga

La figura 1.9 b) muestra, de manera ideal, que el flujo de corriente en un circuito con un diodo polarizado inversamente
es cero; sin embargo, aun con esta polarizacin, existe una pequea corriente en el diodo, llamada corriente de fuga, IR.
La corriente de fuga se debe a los portadores minoritarios de corriente en ambas partes del diodo semiconductor. Los
huecos son los portadores minoritarios en el lado n, mientras que los electrones libres son los portadores minori-
tarios en el lado p. Los portadores minoritarios de corriente existen como resultado de la energa trmica, la cual
produce algunos pares electrn-hueco. Debido a que la temperatura determina el nmero de pares electrn-hueco
generado, la corriente de fuga tambin es afectada por la temperatura, por lo que cualquier incremento en la tempe-
ratura del diodo tambin incrementar esta corriente. Como la corriente de fuga es determinada por los portadores
de carga minoritarios, su direccin es opuesta a la direccin de corriente efectuada cuando el diodo se polariza de
manera directa.

CURVA CARACTERSTICA VOLTAJE-CORRIENTE DE LOS DIODOS

La curva caracterstica de los diodos involucra el comportamiento de voltaje y corriente con respecto a su polarizacin,
ya sea directa o inversa. La figura 1.10 muestra la curva caracterstica de un diodo de silicio en cuatro cuadrantes.
El cuadrante superior derecho de la figura 1.10 corresponde a los voltajes y las corrientes cuando el diodo es po-
larizado directamente. En esta, podemos observar que la corriente que pasa por el diodo es muy pequea cuando el
voltaje de polarizacin es menor de 0.6 V. Sin embargo, al momento de incrementar su polarizacin directa arriba de
0.6 V, la corriente del diodo se incrementa en forma abrupta. Tambin es importante hacer notar que la cada de vol-
taje, VF , de polarizacin directa permanece relativamente constante aun cuando la corriente, IF, se incrementa.8 Para
un diodo de silicio, un voltaje de 0.7 V es el valor aproximado que se asume en la barrera de potencial, la cual es aproxi-
madamente 0.3 V para un diodo de germanio; por tanto, si la grfica de la figura 1.10 fuera para un diodo de germanio,
la corriente IF se incrementara con rapidez aproximadamente a 0.3 V.

8
Para cualquier diodo, el voltaje de polarizacin directa disminuye con el aumento de la temperatura, aproximadamente 2 mV por grado cent-
grado.

30 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

@=d8

),
9
)'

(,
GfcXi`qXZ`e
MfckXa\[\ilgkliX 8 [`i\ZkX
('
M9I

MImfckj MGmfckj
%( %) %* %+ %, %- %. %/ %0
GfcXi`qXZ`e
`em\ijX

@I8

=`^liX(%(' :limXZXiXZk\ijk`ZX[\mfckXa\$Zfii`\ek\[\le[`f[f[\j`c`Z`f%

Voltaje de ruptura

El cuadrante inferior izquierdo de la figura 1.10 representa al diodo de silicio polarizado inversamente. Aqu, podemos
observar que una corriente, IR, de valor muy pequeo fluye por la unin p-n, hasta que se alcanza el voltaje de ruptura
VBR. Antes de llegar al voltaje de ruptura, la corriente que fluye por el diodo es resultado de los portadores minoritarios
de carga producidos debido a la energa trmica, la cual es llamada corriente de fuga IR, como se mencion antes; por
consiguiente, la corriente IR tiene sentido opuesto a la IF , de polarizacin directa, mientras que en la curva caracters-
tica del diodo se representa como una corriente en el cuadrante inferior izquierdo. La corriente de fuga se incrementa
principalmente con el aumento de la temperatura y es relativamente independiente de los cambios en el voltaje de
polarizacin inverso, VR. El incremento ligero que se aprecia en la corriente de fuga, IR, conforme se incrementa el
voltaje de polarizacin inverso, VR, es resultado de la corriente de fuga superficial. Se dice que la corriente de fuga
superficial existe porque hay muchos huecos en los bordes o superficies del cristal de silicio debido a enlaces covalen-
tes incompletos. Estos huecos proveen la trayectoria para algunos electrones libres en la superficie del cristal.
Cuando el voltaje de polarizacin inverso, VR, se vuelve muy grande, ocurre un proceso denominado avalancha,
el cual sucede porque los electrones libres producidos trmicamente en el lado p son acelerados, a gran velocidad, por
la fuente de voltaje al momento de moverse a travs del diodo. Estos electrones libres chocan con los electrones de
valencia de las otras rbitas, los cuales a su vez son liberados y acelerados a gran velocidad, desprendiendo, en conse-
cuencia, ms electrones de valencia. Este proceso es acumulativo, por lo que se genera este efecto avalancha. Cuando
se alcanza el voltaje de ruptura, VBR, la corriente IR se incrementa abruptamente como se observa en la figura 1.10. Se
recomienda no operar los diodos en la regin de ruptura, ya que si tambin se sobrepasa la corriente IR mxima, es
decir, su potencia, el diodo podra daarse.9
Por ejemplo, si se tiene una aplicacin donde se requiere rectificar, es decir permitir pasar solo los semiciclos
positivos, de una onda sinusoidal de 130 VPP a 0.5 A, y se tienen tres opciones de diodos: a) 1N4001 (PIV  50 V,
IO  1 A), b) 1N4002 (PIV  100 V, IO  1 A) y c) 1N4005 (PIV  600 V, IO  1 A), donde el costo del diodo se incremen-
ta con su voltaje inverso de pico (PIV, por sus siglas en ingls), e IO es la corriente promedio mxima en polarizacin
directa. La pregunta sera: Qu diodo se seleccionara para cumplir el requerimiento especificado? La solucin fcil

9
Aun cuando el diodo ideal podra bloquear toda la corriente cuando se polariza inversamente, la realidad es que no es as. Y como le sucede a
todos los seres humanos, que tienen su precio, cada diodo tambin tiene su precio; si el voltaje de polarizacin inversa es lo suficientemente
grande, la corriente fluir por el diodo. El punto en que esto sucede es el precio del diodo y es llamado voltaje de ruptura o voltaje inverso de pico
(PIV, por sus siglas en ingls).

grupo editorial patria 31


1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

sera seleccionar la opcin c), ya que el PIV es 600 V y el IO es 1 A; sin embargo, la opcin b) podra realizar el trabajo
muy bien, a menor costo, ya que el voltaje de pico es o 65 VP que es menor al PIV de 100 V.10

Resistencia de CD de un diodo

Al examinar la regin de polarizacin directa de la figura 1.10, podemos observar que la curva VF vs. IF tiene un com-
portamiento no lineal, por lo que el diodo se denomina dispositivo semiconductor no lineal.11 Lo anterior se debe a
que la corriente IF no se incrementa en la misma proporcin que el voltaje VF . Por ejemplo, el voltaje VF no tiene que
triplicarse para triplicar la corriente IF . An as, la resistencia de CD de un diodo polarizado directamente se obtiene
por medio de la frmula RF  VF/IF .12 Por ejemplo, si usamos la curva caracterstica del diodo de la figura 1.10, pode-
mos calcular la resistencia de CD en los puntos A y B.

Punto A: RF  VF/IF  0.65 V/11 mA  59


Punto B: RF  VF/IF  0.7 V/22.5 mA  31

Como se puede ver, entre ms corriente conduce el diodo, su resistencia, RF , es ms pequea. Sin embargo, es
importante puntualizar dos cosas:

1. El diodo no obedece la ley de Ohm porque no es lineal.


2. Si existen diodos en un circuito, dicho circuito no tendr un equivalente de Thvenin, ya que no ser un cir-
cuito lineal activo.

APROXIMACIONES DE LOS DIODOS

Existen tres aproximaciones para analizar circuitos con diodos semiconductores. La opcin que se seleccione de-
pender de la exactitud deseada en los clculos del circuito. La primera aproximacin de un diodo, llamada aproxima-
cin ideal, considera al diodo polarizado directamente como un interruptor cerrado y una cada de voltaje de cero
volts, como se muestra en la figura 1.11 a). Del mismo modo, esta aproximacin considera al diodo en polarizacin
inversa, como un circuito abierto, con una corriente cero, como se muestra en la figura 1.11 b). La grfica de la figura
1.11 c), por su parte, muestra la curva caracterstica del diodo en su aproximacin ideal.
La primera aproximacin del diodo es til cuando se requiere una idea general de lo que sucede en un circuito
respecto a voltajes y corrientes.
La segunda aproximacin del diodo considera al diodo polarizado directamente como un diodo ideal en serie
con una batera, como se muestra en la figura 1.12 a). Para el diodo de silicio, esta batera es de 0.7 V, el mismo valor
de la barrera de potencial, VB , en la unin p-n. En polarizacin inversa, esta aproximacin considera al diodo como un

10
Es importante hacernos amigos y que nos familiaricemos con las hojas de datos de los dispositivos. Para el diodo existen otros parmetros que
indica el fabricante, como la corriente IFSM, la cual es la mxima corriente instantnea que puede manejar un diodo en un solo pulso. Sobrepasar
la corriente IFSM tambin puede destruir el diodo.
11
La curva caracterstica ideal volts-amperes del diodo est definida por la ecuacin I  IR(eV/VT 1). Donde V es la cada de voltaje de la unin p-n.
En este caso V T representa los electronvolts equivalentes de la temperatura y se obtienen por V T  KT/e, donde K es la constante de Boltzmann,
T es la temperatura absoluta y e es la carga del electrn. A temperatura ambiente, V T es aproximadamente 25 mV. Cuando el voltaje V es positi-
vo y varias veces mayor que V T , el diodo se encuentra polarizado directamente, y el trmino exponencial de la ecuacin excede por mucho la
unidad por lo que el valor de 1 del parntesis puede ser despreciado. En consecuencia, a excepcin de un rango pequeo en el origen, la co-
rriente se incrementa exponencialmente con el voltaje. Cuando el diodo se polariza inversamente y V es negativo y algunas veces mayor que VT ,
el trmino exponencial se hace muy pequeo y la corriente I es aproximadamente la corriente inversa IR.
12
El estado de un diodo semiconductor puede determinarse verificando su resistencia usando un hmetro. Si el diodo se encuentra en buen estado,
la resistencia RF en polarizacin directa ser muy baja y la resistencia de polarizacin inversa RR ser muy alta, la proporcin RR/RF ser de orden
de 1 000 o mayor. Si el valor de resistencia medido es muy bajo en ambas polarizaciones, el diodo se encuentra en cortocircuito. Pero, si el valor de
resistencia medido es muy alto en ambas polarizaciones, el diodo se encuentra abierto. Es importante remarcar que algunos multmetros digita-
les muestran el smbolo del diodo para probar el estado de los mismos; sin embargo, estos despliegan la cada de voltaje del diodo en lugar de su
resistencia.

32 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

@=

MfckXa\[\gfcXi`qXZ`e
@ek\iilgkfiZ\iiX[f [`i\ZkX#Z\ifmfckj#M=
GfcXi`qXZ`e[`i\ZkX Z\ifmfckj

X MI M=
@ek\iilgkfiXY`\ikf
GfcXi`qXZ`e`em\ijX Z\ifXdg\i\j

Y :fii`\ek\[\
gfcXi`qXZ`e`em\ijX#
Z\ifXdg\i\j#@I

@I

=`^liX(%(( Gi`d\iXXgifo`dXZ`e[\c[`f[f%X ;`f[fgfcXi`qX[f[`i\ZkXd\ek\#Zfej`[\iX[fZfdfle`ek\iilgkfiZ\iiX[f%Y ;`f[fgfcXi`qX[f


`em\ijXd\ek\#Zfej`[\iX[fZfdfle`ek\iilgkfiXY`\ikf%Z >i}]`ZXZfecXjZXiXZk\ijk`ZXj`[\Xc\j[\c[`f[f\egfcXi`qXZ`e[`i\ZkX\`em\ijX%

interruptor abierto, como se observa en la figura 1.12 b). La figura 1.12 c), por su parte, indica la curva caracterstica
de polarizacin directa e inversa de esta aproximacin.

@=

M9

X MI M=
M9

Y EfkX1M94'%.MgXiXJ`
:fii`\ek\[\
p'%*MgXiX>\
gfcXi`qXZ`e`em\ijX#
Z\ifXdg\i\j#@I

@I

=`^liX(%() J\^le[XXgifo`dXZ`e[\c[`f[f%X GfcXi`qXZ`e[`i\ZkXZfej`[\iX[XZfdfle[`f[f`[\XcZfeleXYXk\iX\ej\i`\%Y GfcXi`qXZ`e


`em\ijXZfej`[\iX[XZfdfle`ek\iilgkfiXY`\ikf%Z :limXZXiXZk\ijk`ZX[\gfcXi`qXZ`e`em\ijXp[`i\ZkX%

La segunda aproximacin se usa cuando se necesitan clculos ms exactos en el circuito en cuestin.


La tercera aproximacin contiene la resistencia de los materiales p y n, y se le denomina rB. En polarizacin direc-
ta, esta aproximacin incluye, adems de la resistencia rB , el voltaje de la barrera de potencial VB , como se muestra en
la figura 1.13 a). El valor de rB depende del nivel de doping y del tamao de los materiales. En esta aproximacin, la
cada de voltaje, VF , en polarizacin directa se calcula con la ecuacin 1.1.

VF  VB IF rB (1.1)

De la ecuacin 1.1 podemos observar que, en polarizacin directa, la resistencia rB causa un pequeo incremento
en el voltaje VF cuando se incrementa la corriente IF .

grupo editorial patria 33


1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

@=

GfcXi`qXZ`e[`i\ZkX M9  i9

X
MI
GfcXi`qXZ`e`em\ijX
M9

I\j`jk\eZ`X[\gfcXi`qXZ`e`em\ijX
Y :fii`\ek\[\]l^X
\egfcXi`qXZ`e @I
`em\ijX#@I
Z

=`^liX(%(* K\iZ\iXXgifo`dXZ`e[\c[`f[f%X GfcXi`qXZ`e[`i\ZkX#`eZclp\\cmfckXa\[\cXYXii\iX[\gfk\eZ`Xc#


M9 #pcXi\j`jk\eZ`Xi9%Y GfcXi`qXZ`e`em\ijX#dl\jkiXleXi\j`jk\eZ`Xdlp^iXe[\#Xlehl\ef`e]`e`kX%
Z :limXZXiXZk\ijk`ZX[\gfcXi`qXZ`e`em\ijXp[`i\ZkX%

La figura 1.13 b) muestra la tercera aproximacin del diodo en polarizacin inversa, en la cual se observa un in-
terruptor abierto en paralelo, con una resistencia de un valor muy grande, la cual, en consecuencia, permite el paso de
una corriente de fuga, IR, muy pequea, como se muestra en la figura 1.13 c).
En la figura 1.13 c) podemos observar que la pendiente de la curva, en polarizacin directa, puede usarse para
calcular la resistencia rB con la ecuacin 1.2.

rB  V/I (1.2)

Donde V representa el cambio en el voltaje del diodo a causa del cambio en su corriente I. Por ejemplo, para
un diodo 1N4001 que tiene un voltaje de polarizacin directo VF de 1.1 V y una corriente IF de 1 A, se requiere calcu-
lar la resistencia rB.
Para obtener rB , primero se asume que la corriente IF del diodo es cero cuando el voltaje de polarizacin directa
VF es exactamente 0.7 V. Posteriormente, usamos la ecuacin 1.2 y los parmetros del diodo:

rB  V/I  (1.1 V 0.7 V)/(1 A 0 A)  0.4 (1.3)

Para ilustrar el uso de las tres aproximaciones del diodo, resolveremos el circuito de la figura 1.14 a) para obtener
el voltaje y la corriente de carga.
La figura 1.14 b) muestra el circuito para la primera aproximacin, donde:

VL  VENT  10 V, por tanto IL  VL/RL  10 V/100  100 mA (1.4)

Para la segunda aproximacin, se tiene el circuito de la figura 1.14 c), donde:

VL  VENT VB  10 V 0.7 V  9.3 V, (1.5)

Por tanto:

IL  VL/RL  9.3 V/100  93 mA (1.6)

La figura 1.14 d) muestra el circuito para la tercera aproximacin.

IL  (Vin VB)/(RL RB)  (10 V 0.7 V)/(100 2.5 )  90.73 mA (1.7)

34 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

i94)%, ;(

'M

IC4(''
M<EK4('M IC4('' M<EK4('M
MC4('

X Y

M94'%.M M94'%.M i94)%,

IC4('' IC4(''
M`e4('M M<EK4('M
MC40%*M MC4'%.M

Z [

=`^liX(%(+ :`iZl`kfljX[fgXiX`cljkiXicXjXgifo`dXZ`fe\j[\c[`f[f#ZXcZlcXe[fjljmfckXa\jpZfii`\ek\j%
X :`iZl`kffi`^`eXc%Y Gi`d\iXXgifo`dXZ`e%Z J\^le[XXgifo`dXZ`e%[ K\iZ\iXXgifo`dXZ`e%

VL  IL r RL  90.73 mA r 100  9.07 V (1.8)

La primera aproximacin puede no ser muy exacta, pero ayuda a tener un entendimiento intuitivo de este impor-
tante dispositivo; no obstante, como mencionamos al inicio de esta seccin, la opcin elegida depender de la exacti-
tud deseada en los clculos del circuito.13

CIRCUITOS RECTIFICADORES

La mayora de los equipos electrnicos requiere voltajes de CD para operar de forma adecuada. Sin embargo, como se
observa en el captulo 1 que se encuentra en el CD-ROM, la red elctrica que proporciona electricidad a los hogares y
las industrias es de CA. Por tanto, la lnea de alimentacin de 120 VCA,14 a la cual se conectan la mayora de los equi-
pos electrnicos, debe ser convertida de alguna manera a CD. A un circuito que convierte el voltaje de la lnea de ali-
mentacin de CA a un voltaje requerido de CD, se le conoce como fuente de alimentacin. Los componentes ms
importantes en las fuentes de alimentacin son los diodos rectificadores, los cuales convierten el voltaje de lnea de CA
a un voltaje de CD. Esta aplicacin de los diodos es una de las ms simples e importantes en el diseo de equipos elec-
trnicos; por esta razn, algunas veces, a los diodos se les llama rectificadores. En esta seccin estudiamos algunos de
los circuitos rectificadores ms comunes, asumiendo que todos los diodos son de silicio.

13
Una corriente de 3 mA (10 3) podra ser una cantidad despreciable cuando manejamos cientos o miles de mA; pero puede ser una cantidad muy
grande si se est trabajando en el rango de A (10 6) o A (10 9).
14
El voltaje nominal depende del transformador utilizado. En Mxico, para transformadores monofsicos, el voltaje es de 120 VCA y 240 VCA,
y para transformadores trifsicos es de 127 VCA y 220 VCA. Los clientes residenciales en Mxico, por lo general, utilizan 120 VCA; sin embar-
go, para el caso de los clientes residenciales en Europa, Australia y otros pases, la red de CA de las compaas de electricidad es de 240 VCA.

grupo editorial patria 35


1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

Rectificador de media onda

El circuito rectificador ms simple es el rectificador de media onda, como el que se muestra en la figura 1.15 a). Por su
parte, T1 es el transformador de bajada que provee el voltaje en el secundario, VS, como se muestra en la figura 1.15 b).
Cuando el voltaje del secundario del transformador es positivo, D1 se polariza directamente y permite el flujo de co-
rriente hacia la carga RL. Por otro lado, cuando el voltaje del secundario del transformador es negativo, D1 se polariza
inversamente y se comporta como un interruptor abierto, no permitiendo el flujo de corriente hacia la carga RL. En
consecuencia, el voltaje de salida, VSAL, es una serie de pulsos positivos, como los que se muestran en la figura 1.15 c).
El transformador de la figura 1.15 a) tiene una relacin de vueltas, NP:NS, de 4:1. Por tanto, si el voltaje de entrada
en el circuito primario del transformador es de 120 VCA, podemos calcular el voltaje en el circuito secundario del
transformador usando la relacin NP:NS de la siguiente manera:

VS  NSVP/NP  (1)(120 VCA)/4  30 VCA (1.9)

EG1EJ
+1(
MJ8C
;(

()'M:8 IC4(''
*'M:8
-'?q

K(
X

MJ
"+)%+)M

K`\dgf#k

(-%-.d
K Y
MJ8C
"+(%.)M

'M
M;:4'%*(/MJ8C4(*%).M
K`\dgf#k

(-%-.d
K
Z

=`^liX(%(, :`iZl`kfi\Zk`]`ZX[fi[\d\[`Xfe[X%X :`iZl`kf%Y MfckXa\\e\cj\Zle[Xi`f#MJ2mfckXa\[\jXc`[X#MJ8C%


Z =fidX[\fe[X[\jXc`[X[\cZ`iZl`kfi\Zk`]`ZX[fi[\d\[`Xfe[X%

Esto significa que si medimos con un voltmetro de CA el voltaje en el secundario del transformador, T1, el volta-
je que mediramos sera de 30 VCA. Cabe remarcar que el voltaje medido es el denominado voltaje eficaz o rms (root
mean square, por sus siglas en ingls), el cual se obtiene dividiendo el voltaje de pico mximo de la onda sinusoidal
entre raz de 2 o 1.414 (VP/1.414). Por ejemplo, si queremos saber el voltaje de pico mximo del secundario de T1 pro-
cedemos de la siguiente forma:

36 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

VP  VS (rms) r 1.414  30 V r 1.414  42.42 V (1.10)

Por tanto, el voltaje pico a pico (VPP) del secundario del transformador se obtiene multiplicando por dos el VP , esto
es 2 r VP; en este caso VPP  2 r 42.42  84.84 V, como se muestra en la figura 1.15 b).
La figura 1.15 c) muestra la forma de onda de salida del rectificador de media onda. Cuando el voltaje en el secun-
dario de T1 es positivo, el diodo D1 conduce, entonces la corriente fluye por RL y se produce la serie de pulsos positivos.
Cuando el voltaje del secundario es negativo, el voltaje de salida es cero. Considerando la cada de voltaje del diodo D1,
la segunda aproximacin, el voltaje de salida en el secundario, sera 42.42 V 0.7 V  41.72 V.
El voltaje promedio o de CD en la carga RL se obtiene multiplicando el voltaje pico VP por 0.318, como se muestra
en la ecuacin 1.11:

VCD  0.318 r VSAL(P) (1.11)

Al usar la segunda aproximacin del diodo, podemos calcular el voltaje de CD en la carga RL del circuito de la fi-
gura 1.15, de la siguiente manera:

VCD  0.318 r 41.72 V  13.27 V (1.12)

Este es el valor que hubiramos medido a travs de la carga RL usando un voltmetro de CD, como se muestra en
la figura 1.15 c). Por tanto, la corriente de CD en la carga, ICD, puede calcularse as:

ICD  VCD/RL  13.27 V/100  132.7 mA (1.13)

Para el rectificador de media onda, la ICD en la carga es la misma que la corriente en el diodo, lo cual puede ser
expresado por la ecuacin 1.14:

IDIODO  IL(CD) (1.14)

La frecuencia de la lnea de alimentacin de CA es de 60 Hz, es decir tiene 60 ciclos en un segundo. El periodo de un


ciclo se calcula como T  1/f, por tanto T  16.67 ms, como se muestra en el voltaje secundario, VS, de la figura 1.15 b).
En tanto, en la figura 1.15 c) podemos observar que un ciclo del voltaje de salida, VSAL, se repite cada 16.67 ms. En
consecuencia, la frecuencia de la forma de onda del voltaje de salida del rectificador de media onda es igual a la fre-
cuencia aplicada a la entrada del rectificador, en este caso 60 Hz. Esto se puede expresar por la ecuacin 1.15:

fSAL  fENT (1.15)

Cuando el voltaje de CA de la lnea de alimentacin se encuentra en su semiciclo negativo, el diodo se polariza


inversamente y no fluir corriente por el diodo D1 ni por la resistencia de carga RL ; el circuito equivalente en este es-
tado se muestra en la figura 1.16. Recordemos que el voltaje de circuito abierto a travs de un circuito serie simple es
el mismo que el voltaje de entrada, el cual en este caso es el voltaje del secundario del transformador.
NP : NS
4:1
D1
+
VD = Vs = 42.42 V
1

120 VCA Vs(rms) = 42.42 V RL = 100 


60 Hz

+
T1

=`^liX(%(- :`iZl`kfi\Zk`]`ZX[fi[\d\[`Xfe[X#\e\cZlXcj\dl\jkiX\cZ`iZl`kf\hl`mXc\ek\[\c[`f[f#;(#gfcXi`qX[f`em\ijXd\ek\[liXek\\c
j\d`Z`Zcfe\^Xk`mf[\cmfckXa\j\Zle[Xi`f[\ckiXej]fidX[fi%<e\jk\ZXjf;(k`\e\hl\j\iZXgXq[\jfgfikXi\cmfckXa\[\g`ZfMG[\+)%+)M%

grupo editorial patria 37


1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

El diodo D1 debe ser capaz de soportar el voltaje de pico del secundario del transformador, el cual es 42.42 V, tal
como se muestra en la figura 1.16. Por esta razn, la especificacin del voltaje inverso de pico (PIV) del diodo debe
ser mayor que el valor del voltaje pico del secundario del transformador o el diodo entrar a la regin de ruptura y se
daar.
Por ejemplo, si se tiene el circuito de la figura 1.17, donde la relacin de vueltas NP:NS, es 3:1, y se requiere calcu-
lar el voltaje en el secundario del transformador VS (voltaje eficaz y voltaje de pico), IL, IDIODO, fSAL y el PIV para el
diodo.

NP : NS
3:1
VSAL
D1

120 VCA
VCA RL = 100 
60 Hz

T1

=`^liX(%(. :`iZl`kfi\Zk`]`ZX[fi[\d\[`Xfe[XZfeleXi\cXZ`eEG1EJ4*1(\e\ckiXej]fidX[fiK(%

En este caso, primero calculamos el voltaje rms en el secundario del transformador VS  (NS/NP)VP  120 V/3  40 V
de CA. El valor de pico es VS(P)  VS r 1.414  40 r 1.414  56.56 V. En cambio, si usamos la segunda aproximacin del
diodo, entonces el voltaje de pico ser 56.56 V menos 0.7 V, lo cual nos da un voltaje de 55.86 V. Para calcular la
corriente en la carga IL, primero obtenemos el voltaje de CD, que se consigue usando la ecuacin 1.11:

VCD  0.318 r VSAL(P)  0.318 r 55.86 V  17.76 V

La corriente en la carga, entonces, se calcula como IL  VCD/RL  17.76 V/100  177.6 mA. La frecuencia en
la forma de onda del voltaje de salida es 60 Hz, y finalmente el PIV para D1 es el voltaje de pico del transformador
56.56 V.
Si quisiramos un voltaje de salida negativo, lo nico que tendramos que hacer es invertir el diodo en el circuito
de la figura 1.17.
Otro tipo de rectificador es el de onda completa, el cual utiliza dos diodos en lugar de uno. Sin embargo, una
versin ms usada es la del rectificador tipo puente, como el que se muestra en la figura 1.18.15
Como se observa, T1 es el transformador de bajada que proporciona un voltaje secundario VS menor al de la lnea
de alimentacin de CA. Cuando la polaridad del voltaje VS es positiva, los diodos D2 y D3 se polarizan directamente,
permitiendo el flujo de corriente en la carga RL. En esta misma polaridad de VS , los diodos D1 y D4 se polarizan inver-
samente y no conducen corriente hacia la carga.
Cuando la polaridad del voltaje VS es negativa, los diodos D1 y D4 se polarizan directamente, permitiendo el flujo
de corriente en la carga RL. En esta misma polaridad de VS, los diodos D2 y D3 se polarizan inversamente y no conducen
corriente hacia la carga. Es importante hacer notar que el sentido de corriente en la carga RL es la misma para los dos
semiciclos de VS. Para las conexiones de diodos de la figura 1.18, el voltaje de salida es positivo.
Como en el caso del rectificador de media onda, el voltaje VS del transformador se obtiene por la relacin de vuel-
tas NP :NS , por lo que VS  30 VCA, valor eficaz; del mismo modo, el voltaje de pico es VS(P)  42.42 V, como se muestra
en la figura 1.19 a).
Cuando la polaridad de VS es positiva, los diodos D2 y D3 conducen; de esta manera, se produce la forma de onda de
la figura 1.19 b). De la misma forma, cuando la polaridad de VS es negativa, D1 y D4 conducen, generando la forma

15
En el mercado existe una gran variedad de rectificadores tipo puente disponibles como mdulos pre-empaquetados. Los ms pequeos vienen
con corrientes promedio mximas de 1 A y voltajes de ruptura que van desde los 100 hasta los 600 V, o incluso hasta los 1000 V. Algunos puen-
tes rectificadores son gigantes en cuanto a su capacidad, con corrientes de hasta 50 A o ms.

38 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

NP : NS
4:1

D1 D2

120 V CA Vs = 30 V CA VSAL
60 Hz
+
D3 D4
+ RL = 100 

T1

=`^liX(%(/ I\Zk`]`ZX[fi[\fe[XZfdgc\kXk`gfgl\ek\%

de onda de la figura 1.19 c). Los pares de diodos D2-D3 y D1-D4 conducen en semiciclos opuestos de VS. El efecto com-
binado de estos pares de diodos se muestra en la figura 1.19 d). Cada par de diodos realiza la rectificacin de media
onda para la carga RL.

VS VSAL
+42.42 V D2, D3 + 41 V

Tiempo, t Tiempo, t
0V 0V

T
16.67 m a) b)

VSAL VSAL
D1, D4 + 41 V D1, D2, + 41 V
D3, D4

0V 0V
Tiempo, t Tiempo, t
T
8.33 m
c) d)

=`^liX(%(0 I\Zk`]`ZX[fi[\fe[XZfdgc\kXk`gfgl\ek\%X MfckXa\#MJ #\e\cj\Zle[Xi`f[\K( %Y MfckXa\[\jXc`[XZlXe[fcfj[`f[fj;)p;*


Zfe[lZ\e%Z MfckXa\[\jXc`[XZlXe[fcfj[`f[fj;(p;+Zfe[lZ\e%[ MfckXa\[\jXc`[XZfdY`eX[f%

Usando la segunda aproximacin del diodo, el voltaje de pico en la resistencia de carga RL es 42.42 V1.4 V 
41.02 V. En este caso, se resta 1.4 V debido a la cada de voltaje de los diodos en conduccin.
El voltaje promedio o de CD en la salida de un rectificador de onda completa, sin filtros, se obtiene mediante la
ecuacin 1.16.

VCD  0.636 r VSAL(P) (1.16)

En este ejemplo, VCD  0.636 r 41.03 V  26.09 V. La corriente de CD en la carga RL puede calcularse usando
ICD  VCD/RL  26.09 V/100  260.9 mA. Sin embargo, para un rectificador de onda completa, la corriente en cada
diodo es la mitad de la corriente de CD en la carga, lo cual puede expresarse usando la ecuacin 1.17.

IDIODO  IL/2 (1.17)

grupo editorial patria 39


1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

En este ejemplo, IDIODO  260.9 mA/2  130.4 mA. Esta corriente es la mitad de la corriente de carga porque cada
par de diodos en el rectificador puente provee la mitad de la forma de onda rectificada en la carga RL.
Debido a que el puente rectificador proporciona una salida de onda completa, la frecuencia de la forma de onda
de salida se obtiene mediante la ecuacin 3.18.

fSAL  2fENT (1.18)

Para la lnea de alimentacin que tiene una frecuencia de 60 Hz, la frecuencia a la salida del puente rectificador
sera fSAL  2fENT  2 r 60 Hz  120 Hz.
Con el fin de obtener el voltaje inverso de pico (PIV), al cual se someten los diodos D1-D4 del puente rectificador,
vamos a usar el circuito equivalente de la figura 1.20 durante el semiciclo positivo del voltaje secundario VS del trans-
formador.
En la figura 1.20 se puede observar que los diodos D2 y D3 se encuentran polarizados directamente y que son re-
emplazados por la segunda aproximacin del circuito equivalente del diodo. Tambin se puede ver que, en esta pola-
ridad del voltaje de secundario del transformador, los diodos D1 y D4 se polarizan inversamente y son sustituidos por
dos interruptores en estado abierto.

NP : NS
4:1
+ K
D1 + D2 VB = 0.7 V
A

120 VCA VS (CA) = 42.42 V
60 Hz + K +
D3
D4
VB = 0.7 V A RL = 100 

T1

=`^liX(%)' :`iZl`kf\hl`mXc\ek\[\legl\ek\i\Zk`]`ZX[fi[liXek\\cj\d`Z`Zcfgfj`k`mf[\cmfckXa\j\Zle[Xi`fMJ[\ckiXej]fidX[fi%

Por tanto, para calcular el PIV de cada diodo del puente rectificador, usamos la ley de Kirchhoff para los voltajes.
Para D1, iniciamos en el nodo y continuamos la malla en sentido horario, hasta su ctodo. Esto es:

VA-C(D1)  VB VS(P)  0.7 V 42.42 V  41.72 V

De igual forma, para D4 iniciamos en el nodo y continuamos la malla en sentido horario, hasta su ctodo.
Esto es:

VA-C (D4)  VS(P) VB  42.42 V 0.7 V  41.72 V

Entonces, podemos observar que el PIV para cada diodo del puente rectificador es el voltaje del secundario VS
mximo menos 0.7 V.
Si se requiere tener un voltaje de salida negativo en el circuito de la figura 1.18, entonces es necesario invertir los
diodos D1-D4.

RECTIFICACIN FILTRADA

El proceso para convertir de CA a CD no es suficientemente bueno con solo rectificar la forma de onda de CA con
diodos. La forma de onda rectificada tiene un componente de CD, ya que no cambia de polaridad. En realidad, esta

40 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

seal muestra muchas variaciones peridicas de voltaje, conocidas como voltaje de rizo, Vr , en lugar de tener un vol-
taje constante. Estas variaciones tienen que ser suavizadas a fin de obtener una seal de CD genuina, o como la mayo-
ra de las aplicaciones requiere. Una forma de suavizar o filtrar estas variaciones de voltaje es conectar un capacitor a
la salida del rectificador, como se muestra en la figura 1.21.

CA Rectificador C Carga

=`^liX(%)( :XgXZ`kfiZfe\ZkX[fXcXjXc`[X[\leZ`iZl`kfi\Zk`]`ZX[fiZfe]`e\j[\]`ckiX[f%

Cuando los diodos del circuito rectificador conducen, se carga el capacitor, C; en este sentido, el capacitor funcio-
na como un dispositivo de almacenamiento de energa. La energa almacenada en el capacitor est dada por U  CV 2,
para C en farads, para V en volts y para U en joules. Como los diodos no permiten flujo de corriente de regreso al
circuito rectificador, la descarga de C es hacia la carga.
Con el fin de obtener un voltaje de rizo pequeo y de que la constante de tiempo de la descarga sea mayor que el
de recarga, el valor del capacitor se escoge de tal forma que la resistencia de carga, RL, multiplicada por el valor de C,
sea mucho mayor que el recproco de la frecuencia del voltaje de rizo;16 esto es:

RLC >> 1/f (1.19)

Los capacitores usados para este propsito son del tipo electroltico, con valores arriba de los 100 F. Con el fin
de aclarar el comportamiento de C, vamos a analizar el circuito rectificador de media onda de la figura 1.22 a).
Cuando el voltaje del secundario de T1 es positivo, el diodo D1 conduce y el capacitor C se carga. Antes del tiem-
po t0, como se muestra en la figura 1.22 b), el voltaje en la carga es igual al voltaje positivo del secundario. En el tiempo
t0, el voltaje en C alcanza su valor mximo de pico, VP . Cuando el voltaje en el secundario de T1 cae abajo del va-
lor mximo, D1 se polariza inversamente y el capacitor empieza a descargarse a travs de la carga RL. El intervalo de
descarga comprende desde t0 hasta t1. En el tiempo t1, el diodo se polariza directamente otra vez debido al semiciclo
positivo del transformador T1, lo cual permite que el capacitor se recargue a su valor pico en el tiempo t2. De aqu,

EG1EJ
+1(
MJ8C M=4)'%,(M
;(

()'M:8 IC4('' 'M


-'?q Mj4(,M:8 :4('''=
kf kj k] K`\dgf#k

(-%-.d
K

K(

X Y

=`^liX(%)) I\Zk`]`ZX[fi[\d\[`Xfe[XZfeleZXgXZ`kfiZfdf]`ckif%X :`iZl`kf%Y =fidX[\fe[X[\cmfckXa\[\jXc`[X%

16
La frecuencia del voltaje de rizo est relacionada con la frecuencia de la forma de onda de salida del circuito rectificador, la cual es de 60 Hz para
el rectificador de media onda y de 120 Hz para el rectificador de onda completa.

grupo editorial patria 41


1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

observamos que el capacitor se carga por un tiempo corto, de t1 a t2, y que el capacitor se descarga aproximadamente
por 16.67 ms, en este circuito rectificador de media onda. Estos 16.67 m corresponden al periodo de un ciclo de la
frecuencia de entrada de 60 Hz. A la componente de CA de la forma de onda de la figura 1.22 b) se le denomina vol-
taje de rizo, Vr.
Resulta relativamente fcil calcular el valor aproximado del voltaje de rizo, principalmente si este valor es peque-
o comparado con el nivel de CD, como se muestra en la forma de onda de la figura 1.23 b), el cual corresponde a un
rectificador de onda completa tipo puente mostrado en la figura 1.23 a).

Voltaje de rizo pico a pico


VSAL del filtro,
120 VCA con carga
60 Hz

VSAL
sin capacitor

a) b)

=`^liX(%)* MfckXa\[\i`qfgXiXlei\Zk`]`ZX[fi[\fe[XZfdgc\kX%X :`iZl`kf%Y =fidX[\fe[X%

Como vimos en el anlisis del rectificador de media onda, la carga causa que el capacitor se descargue entre ciclos,
o semiciclos para una rectificacin de onda completa. Si se asume que la corriente permanece constante, la variacin
del voltaje de rizo se calcula usando la ecuacin 1.20.

Vr  I t/C (1.20)

Esta ecuacin se deriva de I  C dV/dt, que vimos en el captulo 0. Si usamos 1/f para el rectificador de media onda
o 1/2f para el rectificador de onda completa, podemos calcular el voltaje de rizo de la siguiente manera:

Vr  ICARGA/f C (media onda) (1.21)


Vr  ICARGA/2f C (onda completa) (1.22)

Las ecuaciones 1.21 y 1.22 nos proporcionan una muy buena aproximacin del valor esperado del voltaje de rizo.
Sin embargo, si se desea obtener el valor exacto, se requiere utilizar la ecuacin que considere la descarga de manera
exponencial.17 No obstante, calcular el valor exacto del voltaje de rizo puede ser engaoso por dos razones:

1. La descarga es exponencial siempre y cuando la carga sea resistiva, y muchas cargas no lo son; en realidad, la
carga ms utilizada es el regulador de voltaje, el cual se comporta ms como una carga de corriente constante.
2. Las fuentes de alimentacin normalmente se construyen con capacitores electrolticos polarizados, es decir,
que no se les permite cargarse con polaridad opuesta a la indicada. Estos capacitores, por lo general, tienen una
tolerancia de 20% o mayor. Por tanto, en su peor caso se disea considerando la variacin del capacitor.

En este caso, considerar la descarga del capacitor como una rampa es bastante exacto, en especial si el voltaje de
rizo es muy pequeo y si adems tomamos en cuenta el diseo con variaciones de 20% del capacitor, el voltaje de rizo
se podra sobreestimar.
Existe una variacin del rectificador de onda completa el cual utiliza un transformador con una derivacin cen-
tral, dos devanados, como se muestra en la figura 1.24.

17
El clculo del voltaje de rizo exacto considera un valor exponencial de la descarga, el cual est dado por la frmula Vr  VSAL(P)(1 e t / RLC ). Don-
de t es el tiempo de descarga de C y RLC es la constante de tiempo del filtro.

42 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

+V

Entrada CA Tierra

=`^liX(%)+ I\Zk`]`ZX[fi[\fe[XZfdgc\kXZfe[\i`mXZ`eZ\ekiXc%

El circuito de la figura 1.24 provee dos voltaje de CD, uno positivo y otro negativo, que muchos componentes
electrnicos, como los amplificadores operacionales, pueden necesitar. Pero nos estamos desviando, estos amplifica-
dores los estudiamos en el siguiente captulo. Este circuito es muy eficiente porque ambos semiciclos de la forma de
onda de entrada del rectificador son usados en cada seccin de devanado.

Reguladores

Como vimos en la seccin anterior, si seleccionamos el capacitor conectado al circuito rectificador con un valor muy
grande, se puede reducir el voltaje de rizo a niveles muy bajos; sin embargo, esta solucin, que coloquialmente es lla-
mada fuerza bruta por los ingenieros, tiene algunas desventajas:

1. El capacitor requerido puede ser prohibitivamente muy grande y muy caro.


2. Aun cuando el voltaje de rizo se reduzca a niveles muy pequeos, todava se tendrn variaciones en el voltaje
de salida, debido a variaciones en el voltaje de lnea, cambios en la corriente de carga, etctera.

Una mejor alternativa para el diseo de una fuente de alimentacin es usar capacitores lo suficientemente grandes
como para reducir el voltaje de rizo a niveles bajos, aproximadamente 10% del voltaje de CD; despus, usar un circui-
to activo con retroalimentacin, que elimine el voltaje de rizo que pudiera permanecer. Dicho circuito est hecho de
componentes activos (transistores) que mantienen el voltaje de salida constante. A este dispositivo electrnico se le
llama regulador de voltaje y constituye una parte integral en el diseo de fuentes de alimentacin para proveer el vol-
taje de CD a muchos equipos electrnicos. La figura 1.25 muestra un regulador de voltaje conectado a un circuito
rectificador de onda completa tipo puente.

Regulador

Entrada Salida

Tierra

=`^liX(%), =l\ek\[\Xc`d\ekXZ`e[\:;i\^lcX[X%

grupo editorial patria 43


1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

Los reguladores reductores permiten disminuir un voltaje de CD, usualmente no regulado, a otro de menor mag-
nitud, regulado. Hay dos diseos bsicos para los reguladores: regulador lineal y regulador conmutado.18 Los regula-
dores ms simples, y en los cuales nos centraremos, son los reguladores lineales. En la actualidad, este tipo de
reguladores de voltaje se encuentra disponible como circuitos integrados de muy bajo costo y con diferentes voltajes
de salida y corriente, es decir potencia; adems, poseen proteccin contra corto circuito, proteccin trmica de sobre-
carga, etctera. Un regulador muy popular en el diseo de circuitos electrnicos es el LM7085, que proporciona 5 V
CD y una corriente de hasta 1000 mA, ideal para muchas aplicaciones basadas en microprocesadores o microcontro-
ladores. Pero, nos estamos adelantando, estas aplicaciones las veremos posteriormente.

DIODOS DE PROPSITO ESPECFICO

Adicionalmente a la rectificacin, los diodos tienen otras aplicaciones muy tiles. Por ejemplo, ciertos diodos pueden
utilizarse como reguladores de voltaje o para emitir luz de diferentes colores. En esta seccin estudiamos dos diodos
de propsito especfico: los diodos emisores de luz (LED) y los diodos Zener.

Diodos emisores de luz

Los compuestos ternarios de galio, arsnico y fsforo se usan en el proceso de dopaje o doping durante la fabricacin
de diodos que emiten luz de diferentes colores, a los cuales se les llama diodos emisores de luz (LED, por sus siglas en
ingls). Algunos de los colores de LED ms comunes son el rojo, el verde, el amarillo, el naranja y hasta el invisible
(infrarrojo).
Los LED han alcanzado mucha popularidad debido a sus caractersticas semiconductoras, por lo que son amplia-
mente usados en muchas aplicaciones, donde operan en lugar de las lmparas incandescentes. El material usado en la
construccin de su envolvente es semitransparente, de tal modo que la luz que emiten puede escapar y hacerse visible.
Recordemos el proceso de polarizacin directa de los diodos, en el cual los electrones del material tipo n cruzan hacia
el material tipo p y llenan sus huecos; es importante remarcar aqu que cuando los electrones libres se combinan lle-
nando los huecos, liberan energa, la cual se emite principalmente en forma de calor o luz. En el caso de los diodos de
silicio, la recombinacin produce calor mientras que en los LED produce luz. Para el diodo de silicio, la luz no pue-
de escapar porque el material no es transparente. Sin embargo, como el material del LED es semitransparente, la luz s
puede emitirse al ambiente circundante. El color de la luz emitida por el LED depende del tipo de compuesto usado
en su construccin.
El circuito esquemtico que representa al LED es un diodo con flechas apuntando hacia afuera de la unin, indi-
cando la luz emitida cuando se polariza directamente, como se muestra en la figura 1.26.

=`^liX(%)- JdYfcf\jhl\d}k`Zf[\leC<;%

La barrera de potencial, VB, para un LED es considerablemente mayor que en un diodo de silicio; los valores tpi-
cos van de 1.5 V a 2.5 V, aproximadamente. La cantidad exacta de la cada de voltaje en polarizacin directa vara de-
pendiendo del color del LED y de la corriente que pasa a travs de l. Sin embrago, en la mayora de los casos se asume
una cada de potencial de 2 V para todos los colores y valores de corriente. No obstante, hay que poner atencin a las
hojas de datos del fabricante, ya que en la actualidad existen LED de baja potencia, de alta intensidad, etctera.
Por ejemplo, en la figura 1.27 a) se muestra un circuito tpico con LED, donde se requiere calcular la corriente del
LED en polarizacin directa.

18
El funcionamiento de los reguladores lineales es similar a una resistencia variable que mantiene el voltaje de carga constante gracias a la retroa-
limentacin proveniente de la carga misma. Por otro lado, en un regulador conmutado se emplean principalmente elementos de conmutacin e
inductores para lograr obtener el voltaje de carga deseado.

44 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

Rs = 2.2 k VENT = +24 V

Rs = 2.2 k

+ +
VENT = 24 V LED +
VLED  2.0 V LED

a) b)

=`^liX(%). :`iZl`kfZfeleC<;gfcXi`qX[f[`i\ZkXd\ek\%X :`iZl`kf[\C<;%Y :`iZl`kf[\C<;dfjkiXe[fcXZX[X[\gfk\eZ`Xc


\egfcXi`qXZ`e[`i\ZkX%

Para este circuito, primero se asume una cada de potencial en polarizacin directa de 2 V, como se muestra en la
figura 1.27 b), a menos que los datos del fabricante indiquen otro valor. Posteriormente, se lleva a cabo la ley de
Kirchhoff para los voltajes VENT  ILEDRS VF(LED). De esta ecuacin obtenemos que:

ILED  (VENT VF(LED))/RS  (24 V 2 V)/2.2 k  10 mA

Una diligencia comn es determinar la resistencia limitadora de corriente, RS, para un circuito con LED, que pro-
porcione una corriente de 20 mA. Para el circuito de la figura 1.27 b), tendramos que:

RS  (VENT VF(LED))/ILED  (24 V 2V)/ 20 mA  1 100

Un valor frecuente sera 1 k, con lo cual tendramos una corriente de 22 mA.


Los LED presentan un voltaje de ruptura, VBR, muy bajo, con valores tpicos que van desde los 3 V hasta los 15 V.
Debido a estos valores tan bajos de VBR, accidentalmente se pueden aplicar voltajes inversos que pueden daar los LED
o degradar su desempeo. Una forma de proteger a los diodos de polarizaciones de voltaje inversas, aunque tambin
aplica para otros circuitos, es usar un diodo de silicio en paralelo con el LED, como se muestra en la figura 1.28.

VENT = 24 V

Rs = 2.2 k

+
D1 Si 0.7 V LED
+

=`^liX(%)/ ;`f[f[\j`c`Z`f\egXiXc\cfZfeleC<;ljX[fZfdfgifk\ZZ`e[\gfcXi`qXZ`fe\jXZZ`[\ekXc\j`em\ijXj%

grupo editorial patria 45


1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

En caso de que ocurra una polarizacin inversa accidental para el LED, como conexin inversa o fallas causadas
en la fuente de alimentacin, el diodo de silicio se polarizar directamente, proporcionando una trayectoria adicional
de flujo de corriente hacia el diodo D1, protegiendo al LED, como se muestra en la figura 1.28.

Diodo Zener

El diodo Zener es un tipo de diodo que ha sido optimizado para operar en la regin de ruptura.19 Estos diodos no son
como los diodos rectificadores, los cuales se disean para operar lejos de esta regin. Uno de los usos ms importantes
de los diodos Zener es como referencia de voltaje o reguladores de voltaje en aplicaciones de baja corriente. El diodo
Zener se conecta en paralelo con la carga de la fuente de alimentacin, donde el voltaje Zener permanece constante a
pesar de las variaciones de corriente en la carga. La figura 1.29a muestra el smbolo esquemtico para el diodo Zener.
La figura 1.29 b) muestra la curva caracterstica tpica de un diodo Zener de silicio. En la regin de polarizacin
directa, el diodo Zener acta como un diodo rectificador comn y corriente, con una cada de potencial, VF, de 0.7 V,
cuando est conduciendo. Por otro lado, en la regin de polarizacin inversa, una pequea corriente de fuga fluye
hasta que se alcanza el voltaje de ruptura, VBR. En este punto, la corriente inversa se incrementa abruptamente; a dicha
corriente se le conoce como corriente Zener y se le denomina IZ. En la figura tambin podemos observar que al volta-
je de ruptura se le designa, en este dispositivo, como voltaje Zener, VZ. Este voltaje permanece constante aun cuando
la corriente IZ se incrementa. Debido a esta caracterstica, el diodo Zener puede ser usado en circuitos de regulacin
de voltaje, ya que el voltaje VZ contina constante aun cuando la corriente IZ vara en un rango amplio.20

IF

Regin de
polarizacin

VZ VF

IZT

Regin de
polarizacin inversa

IZM

a) b)

=`^liX(%)0 ;`f[fQ\e\i%X JdYfcf\jhl\d}k`Zf%Y :limXZXiXZk\ijk`ZX#mfckj$Xdg\i\j#gXiXle[`f[fQ\e\i[\j`c`Z`f%

Los diodos Zener son normalmente especificados por los fabricantes por su voltaje Zener, VZ, de acuerdo con una
corriente de prueba IZT. Por ejemplo, el diodo Zener 1N4742A tiene un voltaje, VZ, de 12 V, para una corriente de
prueba, IZT, de 21 mA. El sufijo A indica una tolerancia en el voltaje Zener de 5%.

19
El diodo Zener lleva su nombre en honor del f sico norteamericano Clarence Melvin Zener (1905-1993), quien describi sus propiedades elc-
tricas.
20
En realidad, el voltaje VZ no es perfecto, ya que no permanecer exactamente constante cuando la corriente IZ cambie. Existen ciertas variaciones
causadas por una pequea impedancia Zener, RZ, que todos los diodos Zener presentan. Esta RZ acta como una resistencia en serie con el dio-
do Zener. El efecto de RZ es que aparecern pequeos cambios en VZ cuando IZ vare.

46 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

Otro parmetro importante de los diodos Zener es la potencia que disipa, PZ, la cual es determinada por la ecua-
cin PZ  IZ VZ. Por ejemplo, si un diodo Zener de 5.6 V tiene una corriente de 40 mA, su disipacin de potencia ser
PZ  IZ VZ  40 mA r 5.6 V  224 mW. Se debe tener cuidado que la disipacin de potencia en un diodo Zener sea
menor que la mxima disipacin de potencia, PZM, especificada por el fabricante, y la cual se obtiene por la ecuacin
PZM  IZM VZ, donde IZM es la mxima corriente Zener del diodo, como se muestra en la figura 1.29 b). Por tanto, la IZM
que un diodo Zener puede manejar de manera segura est dada por la ecuacin 1.23.

IZM  PZM/VZ (1.23)

Si se excede el valor de IZM, es muy probable que en el diodo haga su aparicin el llamado humo mgico y el
diodo se dae de forma permanente.
Por ejemplo, si se tiene un diodo Zener de 12 V y 1 W, y se requiere saber la mxima corriente con la que se pue-
de trabajar el diodo de manera segura, hacemos uso de la ecuacin 1.23.

IZM  PZM/VZ  1 W/12V  83.3 mA

Entonces, la mxima corriente Zener para este diodo no debe exceder los 83.3 mA.
Como se coment anteriormente, los diodos Zener se usan con frecuencia como referencias de voltaje o regula-
dores de voltaje en circuitos que demandan poca corriente. Para estas aplicaciones, el diodo Zener se conecta en
paralelo con una fuente de voltaje variable, de tal forma que este se polarice inversamente como se muestra en la fi-
gura 1.30.

Rs

+
VZ
VENT VSAL
PZM

=`^liX(%*' GfcXi`qXZ`e`em\ijX[\le[`f[fQ\e\igXiXi\^lcXileX]l\ek\[\\ekiX[XZfemfckXa\mXi`XYc\%

El diodo conducir cuando el voltaje de la fuente, VENT , alcance el voltaje Zener, VZ, manteniendo el voltaje VZ
especificado; esto es, el voltaje VENT variable ser regulado a un voltaje de salida relativamente constante, VSAL , aun
cuando existan fluctuaciones en el voltaje de entrada. Sin embargo, debido a la baja impedancia de los diodos Zener,
se usa una resistencia RS para limitar la corriente en el circuito. Por tanto, la corriente IZ, que fluye en el diodo Zener, se
puede calcular usando la ecuacin 1.24.

IZ  (VENT VZ)/RS (1.24)

Por ejemplo, la figura 1.31 muestra un diodo Zener de 6.2 V, usado como un regulador de voltaje sin carga. En
consecuencia, para obtener la corriente IZ utilizamos la ecuacin 1.24.

IZ  (VENT VZ)/RS  (25 V 6.2 V)/1 k  18.8 mA

No obstante, los circuitos reguladores sin carga, como el que se ilustra en la figura 1.31, son de poca utilidad, ya
que por lo general a estos circuitos se les conecta una carga RL, como se muestra en la figura 1.32.

grupo editorial patria 47


1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

Rs = 1 k
+

+ + VZ = 6.2 V
VENT = 25 V VSAL
PZM = 1 W

=`^liX(%*( I\^lcX[fi[\mfckXa\Q\e\ij`eZXi^X%

Rs = 100 
+ VSAL = VZ = 7.5 V

VENT = 15 V + VZ = 7.5 V
PZM = 1 W RL = 150 

=`^liX(%*) I\^lcX[fi[\mfckXa\Q\e\iZfeZXi^X%

Debido a que la carga RL se conecta en paralelo con el voltaje VZ, el voltaje en la carga, VL, es igual al voltaje en el
Zener; esto es, VL  VZ. La cada de voltaje en RS est dada por VENT VZ. Por tanto, la corriente en la resistencia se
puede calcular como:

IS  (VENT VZ)/RS  (15 V 7.5 V)/100  75 mA

La corriente en la carga IL se calcula usando la ley de Ohm:

IL  VZ/RL  7.5 V/150  50 mA

Usando la ley de Kirchhoff para las corrientes, podemos obtener la corriente IS por la ecuacin 1.25.

IS  IZ IL (1.25)

Por tanto, IZ puede calcularse despejando de la ecuacin 1.25.

IZ  IS IL  75 mA 50 mA  25 mA

Con estos valores podemos calcular la potencia disipada del circuito:

PZ  IZVZ  25mA r 7.5 V  187.5 mW

Cuando el voltaje de entrada, VENT, es constante y la corriente IL disminuye debido a un aumento en RL, entonces
la corriente IZ se incrementar en la misma proporcin.

48 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO


 Los semiconductores tienen cuatro electrones de  Existen tres aproximaciones de circuitos equivalen-
valencia; es decir, son tetravalentes. El silicio (Si) y tes del diodo. La primera considera al diodo polari-
el germanio (Ge) son ejemplos de este tipo de ma- zado directamente como un interruptor cerrado. La
teriales. segunda aproximacin considera la barrera de po-
 Un material semiconductor puro, con un solo tipo tencial, VB , que para el diodo de silicio es 0.7 V. Am-
de tomos, recibe el nombre de semiconductor bas aproximaciones consideran al diodo polarizado
intrnseco; este no es ni buen conductor ni buen inversamente como un interruptor abierto con cero
aislante. corriente fluyendo a travs de l.
 Un semiconductor extrnseco es aquel semiconduc-  Los circuitos rectificadores de media onda u onda
tor al cual se le aaden otros tomos no tetravalentes completa convierten un voltaje de CA en un voltaje
mediante un proceso denominado dopaje o doping. con una componente de CD.
El dopaje incrementa la conductividad del material  Para un rectificador de media onda sin filtro, el vol-
semiconductor. taje de salida de CD es 0.318 r VSAL(P), y para un rec-
 Los semiconductores tipo n tienen muchos elec- tificador de onda completa sin filtro es 0.636 r
trones libres como resultado de aadir tomos pen- VSAL(P).
tavalentes durante el proceso de dopaje. Los semi-  Cuando se conecta un capacitor a la salida de un rec-
conductores tipo p tienen muchos huecos o vacos en tificador, el voltaje de CD de salida es aproximada-
sus enlaces covalentes como resultado de aadir to- mente el voltaje pico, VP , del rectificador.
mos trivalentes durante el proceso de dopaje. Un  La frecuencia del voltaje de rizo a la salida de un rec-
hueco es considerado como una carga positiva. tificador de media onda es la frecuencia de la seal
 Un diodo semiconductor est formado por la unin de entrada. Para un rectificador de onda completa es
de un semiconductor tipo p y uno n. El diodo es un el doble de la frecuencia de la seal de entrada.
dispositivo semiconductor que permite el flujo de  Los LED son diodos fabricados con compuestos ter-
corriente en una sola direccin. narios de arsnico, galio y fsforo. Al polarizar el
 Un diodo se polariza directamente haciendo su diodo directamente, estos elementos emiten luz de
nodo positivo con respecto al ctodo. Un diodo se color rojo, amarillo, verde o naranja.
polariza inversamente haciendo el nodo negativo  La cada de voltaje de un LED polarizado directa-
con respecto al ctodo. mente es de 1.5 V a 2.5 V. El voltaje de ruptura es t-
 Un diodo polarizado directamente muestra una re- picamente de 3 V a 15 V.
sistencia muy baja, mientras que un diodo polariza-  El diodo Zener es un diodo especialmente diseado
do inversamente muestra una resistencia muy alta. para operar en la regin de ruptura. La aplicacin
La relacin de resistencia inversa, RR, a resistencia ms comn del diodo Zener es como regulador de
directa, RF , es al menos 1000:1. voltaje en circuitos que requieren poca corriente.

PROBLEMAS DEL CAPTULO 1


1.1 Si en un diodo de silicio se polariza el nodo con sus siglas en ingls) e IO es la corriente promedio
9.2 V y el ctodo con 10.5 V, cmo es la polariza- mxima en polarizacin directa. Defina qu diodo
cin, directa o inversa? utilizara y por qu.
1.2 En una aplicacin donde se requiere rectificar una 1.3 La hoja de datos del diodo de silicio IN4002 especifi-
onda sinusoidal de 80 VPP a 0.6 A, se tienen tres op- ca un voltaje inverso VR de 100 V y una corriente
ciones de diodos: a) el 1N4001 (PIV  50 V, IO  1 A), inversa IR de 0.05 A, a una temperatura de la unin
b) el 1N4002 (PIV  100 V, IO  1 A) y c) el 1N4003 p-n de 25 C. Con estos datos, calcule la resistencia
(PIV  200V, IO  1 A), donde el costo del diodo se inversa RR del diodo.
incrementa con su voltaje inverso de pico (PIV, por

g r u p og reud pi too er di ai tl oprai ta r


lip
aa tria
49
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

1.4 Considerando la barrera de potencial en la aproxi- 1.7 En el circuito de la figura 1.36, calcule el voltaje de
macin de un diodo de silicio, resuelva el siguiente rizo usando las ecuaciones que aproximan el clculo
circuito. de este voltaje.

NP : NS
I
8:1

D1
RL = 470 

120 VCA RL = 100 


I 60 Hz Vs = 15 VCA C = 1 000 F
+

VENT = 18 V
T1

=`^liX(%** a)

1.5 Del circuito de la figura 1.34, donde la relacin de


vueltas NP:NS es 5:1, calcule el voltaje en el secunda- VSAL VP = 20.51 V
rio del transformador VS (voltaje eficaz y voltaje de
pico), IL, IDIODO, fSAL y el PIV para el diodo.
0V
NP : NS to ts tf Tiempo, t
5:1
VSAL
16.67 m
D1 T

120 VCA
VCA RL = 300 
60 Hz b)

=`^liX(%*-
T1

=`^liX(%*+ 1.8 En el circuito rectificador de la figura 1.37 se tiene


una relacin de vueltas del transformador de 8:1, un
1.6 En el circuito de la figura 1.35 se tiene una relacin capacitor de 100 F y se conecta una carga de 100 .
de vueltas 3:1. Calcule el VCD , IL , IDIODO , PIV para Calcule el voltaje de rizo usando las ecuaciones que
cada diodo y fSAL. aproximan el clculo de este voltaje.
NP : NS
3:1

D1 D2

120 VCA Vs = 30 VCA VSAL


60 Hz
+ 120 VCA
D3 D4 60 Hz
+ RL = 100 

T1

=`^liX(%*, =`^liX(%*.

50 ELECTRNICA MIJAREZ
1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

1.9 En el circuito de la figura 1.38, calcule la corriente 1.13 En el circuito de la figura 1.41, calcule IS, IL, IZ y
del LED. PZ.
Rs = 100 
Rs = 1.5 k + VSal = VZ = 7.5 V

VEnt = 15 V + VZ = 7.5 V
PZM = 1 W RL = 250 
+ +
15 V LED

=`^liX(%+(
a)

1.14 En el circuito de la figura 1.42, calcule IS, IL e IZ,


=`^liX(%*/ para valores de RL  270 y RL  510 .
Rs = 100 
+ VSAL
1.10 En el circuito de la figura 1.39, calcule la resisten-
cia limitadora para tener una corriente de LED de +
20 mA. VENT = 9 V
+ VZ = 5.1 V
PZM = 500 mW RL
V = +9 V


Rs

+ =`^liX(%+)
VLED 2.0 V LED

1.15 En el circuito del problema anterior (1.14), calcule


el valor de IZ si RL se abre.
1.16 Defina cuntos electrones de valencia tiene un
b)
tomo de silicio o de germanio.
1.17 Defina la diferencia entre un semiconductor in-
=`^liX(%*0
trnseco y uno extrnseco.
1.18 En un material semiconductor describa cmo se
1.11 Se cuenta con un diodo Zener de 5.6 V y 0.5 W, cal-
crea un par electrn-hueco.
cule la mxima corriente Zener para este diodo.
1.12 Calcule la corriente IZ para el circuito regulador
1.19 Cul es valor de la barrera de potencial para un
diodo de silicio y para uno de germanio?
sin carga de la figura 1.40.
1.20 En un diodo polarizado inversamente defina cul
es la causa principal de la corriente de fuga.
Rs = 1 k
+ 1.21 Si se polariza directamente un diodo de silicio con
un voltaje de 0.5 V, defina cul es la corriente que
fluye a travs del diodo.
+ + VZ = 9.1 V 1.22 El diodo es un dispositivo lineal o no lineal. Expli-
VENT = 25 V VSAL
PZ = 1 W que su respuesta.

1.23 Explique cmo puede probarse el estado de un
diodo con un multmetro.
1.24 Qu aproximacin de circuito equivalente para
un diodo se usara si se requiere conocer de ma-
nera general los voltajes y las corrientes de un cir-
=`^liX(%+' cuito?

grupo editorial patria 51


2 El activo
transistor
El transistor es el ingrediente principal de todo circuito electrnico, desde el amplificador u oscilador
ms simple hasta la computadora digital ms sofisticada. En la actualidad, los circuitos integrados
(CI) han reemplazado casi por completo la construccin de circuitos, mediante el uso de transisto-
res discretos, los cuales son meros arreglos de transistores y otros componentes que se construyen
en un mismo material semiconductor. Un buen entendimiento del funcionamiento del transistor es
primordial, aun cuando la mayora de los circuitos electrnicos que se construyen hoy en da em-
plean CI. Esta importancia reside en la necesidad de conocer las propiedades de entrada y salida de
cada CI, con el propsito de realizar su interfaz o conexin a otros CI o al mundo exterior. Asimis-
mo, porque hay situaciones en el diseo de equipo electrnico donde el CI que cumpla todos los
requerimientos simplemente no existe, por lo que es necesario apoyarse en circuitos que involucren
transistores discretos para realizar el trabajo. Por ende, en este captulo se analizan las caractersti-
cas de construccin y de operacin de los transistores bipolares, BJT, de los arreglos de transistores
Darlington y de los transistores tipo FET, principalmente operando como interruptores, ms que
como amplificadores. Para funciones de amplificacin, en el captulo 5 se estudian con detalle las
caractersticas tericas y prcticas de los CI denominados amplificadores operacionales (OP AMP).
Aprender cmo usar los transistores puede ser apasionante y divertido; entonces, empecemos. En
este captulo estudiamos:

X Construccin del transistor bipolar BJT.


X Polarizacin del transistor BJT.

53
2 El activo transistor

X Regiones de operacin de los transistores.


X Valores mximos de potencia.
X Verificacin del transistor BJT con un hmetro.
X Transistor BJT como interruptor.
X Transistor Darlington.
X Transistor FET.
X Tipos de transistores FET.
X Operacin y caractersticas principales del JFET.
X Transistor FET como interruptor.

CONSTRUCCIN DEL TRANSISTOR

El transistor es el ejemplo ms importante de un componente activo; es un dispositivo que puede amplificar, produ-
ciendo una seal de salida con ms potencia que su seal de entrada. La potencia adicional la obtiene de una fuente de
potencia externa, exacto!, de la fuente de alimentacin. La propiedad de amplificacin de potencia, voltaje o corrien-
te, fue lo ms importante para los inventores del transistor, ya que para saber que haban inventado algo, alimentaron
con un transistor un altavoz o bocina, observando que la seal de salida sonaba ms fuerte que la seal de entrada.1
Iniciamos esta seccin estudiando la construccin bsica del transistor bipolar de unin (BJT, por sus siglas en
ingls), sus caractersticas generales y su polarizacin, principalmente para funcionar como interruptor.
El transistor es un semiconductor construido con tres regiones dopadas y tres terminales, como se muestra en la
figura 2.1. En la figura 2.1 a) se observa un transistor npn, mientras que la figura 2.1 b) ilustra un transistor pnp. En
estas figuras podemos observar que, para ambos transistores, la base es la regin ms angosta, la cual se encuentra
entre las regiones ms anchas del emisor y el colector.

<d`jfi  e g e :fc\Zkfi <d`jfi  e g e :fc\Zkfi

9Xj\ 9Xj\

X Y

=`^liX)%( :fejkilZZ`e[\ckiXej`jkfiZfejljki\ji\^`fe\j[fgX[Xj%X KiXej`jkfiege%Y KiXej`jkfigeg%

La regin del emisor es densamente dopada; su funcin es emitir o inyectar portadores de corriente a la regin de
la base. En tanto, la base es un rea muy delgada y ligeramente dopada. La mayora de los portadores inyectados en la
base desde el emisor no se va hacia la terminal de la base, sino que pasan hasta la regin del colector. El rea del colec-
tor es la ms grande de las tres regiones, y su dopaje es moderado. El colector, como su nombre lo indica, colecta o
atrae a los portadores de corriente que son inyectados a la base. La razn por la que la regin del colector es la ms

1
El 23 de diciembre de 1947, Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron, en los laboratorios Bell, la operacin de amplificacin del primer
transistor, el cual fue llamado transistor de punta de contacto, considerado el predecesor del transistor de unin inventado por William B. Shoc-
kley. Los tres f sicos estadounidenses obtuvieron patentes independientes por cada transistor y fueron galardonados con el Premio Nobel de
Fsica en 1956. Shockley dej los laboratorios Bell y se fue a California, su tierra natal, para crear su propia empresa, donde contrat jvenes
brillantes de las universidades aledaas. Por su parte, algunos de estos investigadores abandonaron su empresa y formaron Fairchild Semicon-
ductors e Intel. Hoy sabemos el gran impacto en nuestras sociedades que sigue teniendo el descubrimiento del transistor, para algunos el inven-
to ms influyente del siglo xx.

54 ELECTRNICA MIJAREZ
2 El activo transistor

grande es porque tiene que disipar ms calor que la base y el emisor. La figura 2.2 muestra la construccin de uno de
los primeros transistores npn de germanio, diseado en Japn.2

=`^liX)%) :fejkilZZ`e[\lef[\cfjgi`d\ifjkiXej`jkfi\jege[\^\idXe`f%

En el transistor npn, los portadores de corriente mayoritarios son electrones libres en el emisor y en el colector,
mientras que los portadores de corriente mayoritarios en la base son los huecos. En el transistor pnp sucede lo opues-
to; en el emisor y colector los portadores de corriente mayoritarios son los huecos, mientras que los portadores de
corriente mayoritarios en la base son los electrones libres.
La figura 2.3 muestra las capas o regiones de agotamiento en un transistor npn sin polarizar. La difusin de elec-
trones de ambas regiones n hacia la base p genera una barrera de potencial, VB, para ambas uniones pn. La unin pn a
la izquierda del transistor es llamada la unin emisor-base, EB, mientras que la unin de la derecha es llamada la unin
base-colector, BC. Para el silicio, la barrera de potencial en ambas uniones es aproximadamente 0.7 V.

e g e

<d`jfi :fc\Zkfi

<d`jfiYXj\ :fc\ZkfiYXj\
:XgX[\X^fkXd`\ekf :XgX[\X^fkXd`\ekf
9Xj\

=`^liX)%* I\^`fe\j[\X^fkXd`\ekf[\lekiXej`jkfiege%

En la figura 2.3 se puede apreciar que los smbolos de menos (-) se usan en el emisor y colector tipo n, para indicar
la concentracin de los portadores de carga mayoritarios, electrones libres, en esas regiones. Mientras que para indi-
car los portadores mayoritarios, huecos, en la base tipo p se usan pequeos crculos.
El smbolo esquemtico para ambos tipos de transistores se muestra en la figura 2.4. Es importante notar que para
el transistor npn de la figura 2.4 a), la flecha en el emisor apunta hacia afuera, mientras que para el transistor pnp, en
la figura 2.4 b), la flecha en el emisor apunta hacia adentro.

:fc\Zkfi: :fc\Zkfi:

9Xj\9 9Xj\9

<d`jfi< <d`jfi<

X Y

=`^liX)%+ JdYfcf\jhl\d}k`Zf[\ckiXej`jkfi9AK%X KiXej`jkfiege%Y KiXej`jkfigeg%

2
La industria electrnica en Japn dio un impulso muy grande a su economa, con industrias como Sony, de gran influencia en el plano interna-
cional. Existe un video muy interesante y altamente recomendable llamado video-historia de la industria electrnica de Japn, que normalmen-
te se consigue en la embajada de ese pas y ha sido transmitido por televisin.

grupo editorial patria 55


2 El activo transistor

Los transistores npn o pnp no difieren en trminos de su capacidad para amplificar potencia, voltaje o corriente.
Sin embargo, cada tipo requiere diferentes polaridades para su correcta operacin. Por ejemplo, en un transistor npn,
el voltaje colector-emisor, CE, debe ser positivo, mientras que en el transistor pnp, el voltaje CE debe ser negativo.

Polarizacin del transistor BJT

Para que un transistor funcione adecuadamente como amplificador, la unin emisor-base, EB, debe polarizarse direc-
tamente, mientras que la unin colector-base, CB, debe polarizarse inversamente, como se ilustra en la figura 2.5.

<d`jfi :fc\Zkfi
 e g e

9Xj\

" "
M<< M::

=`^liX)%, GfcXi`qXZ`e[\lekiXej`jkfiegegXiXcXZfe\o`e[\YXj\Zfde%

Observe que en esta conexin la terminal de la base es comn para ambas uniones. El voltaje de alimentacin de
la unin EB se designa como VEE , mientras que al voltaje de alimentacin en la unin CB se le denomina VCC.
La figura 2.6 muestra las corrientes del emisor IE, la corriente de la base IB y la corriente del colector IC. Los elec-
trones del emisor tipo n son repelidos hacia la base por la terminal negativa de la fuente de alimentacin VEE. Como la
regin de la base es muy angosta y ligeramente dopada, solo algunos electrones se combinan con los huecos. La co-
rriente que fluye hacia la terminal de la base, la corriente IB, es muy pequea, y a esta se le denomina corriente de re-
combinacin, debido a que los electrones libres inyectados en la base deben llenar los huecos antes de que puedan fluir
hacia la terminal de la base.

 e g e
< :

@:
@< @9
9

" "
M<< M::

=`^liX)%- :fii`\ek\j[\\d`jfi#@<#[\YXj\#@9#p[\Zfc\Zkfi#@:#[\lekiXej`jkfiegegfcXi`qX[fZfeZfe\o`e[\YXj\Zfde%

En la figura 2.6 podemos observar que la mayora de los electrones inyectados del emisor a la base pasan hacia la
regin del colector. Hay dos razones para que esto suceda as. Primero, solo algunos huecos se encuentran disponibles
para recombinacin en la base; segundo, el voltaje positivo CB atrae electrones libres de la regin de la base tipo p
hacia la regin del colector antes de que se combinen con los huecos en la base tipo p.
Para colectar la mayora de los electrones libres inyectados del emisor a la base, es necesario crear un campo
elctrico lo suficientemente fuerte en la unin colector-base, el cual puede lograrse con un pequeo voltaje. Despus
de que el voltaje colector-base alcanza cierto nivel, incrementar este voltaje tendr un efecto mnimo o ningn efecto
en el nmero de electrones libres que entran al colector. De hecho, si el voltaje CB es muy grande, el voltaje de ruptu-
ra se podra exceder, lo cual daara al transistor.

56 ELECTRNICA MIJAREZ
2 El activo transistor

Si observamos los sentidos de las corrientes en la figura 2.6, es fcil que podamos obtener la relacin que existe
entre estas mediante la ecuacin 2.1.

IE  IB IC (2.1)

En la mayora de los transistores la IB es muy pequea, por lo que IC tiene aproximadamente el valor de IE. Por
ejemplo, si un transistor tiene una corriente IB  20 mA y una corriente IC  1.48 A, y se requiere calcular la corriente
IE, podemos hacer uso de la ecuacin 2.1. As:

IE  IB IC  1.48 A 0.02 A  1.5 A

Una de las caractersticas que define qu tan cercanos son los valores de IE con respecto a IC es la llamada alfa de
CD, a la cual se le designa como , y es expresada por la ecuacin 2.2.
IC
A (2.2)
IE
En la mayora de los casos, el alfa de CD es 0.99 o mayor. Entre ms delgada y menos dopada sea la regin de la
base, el valor se acercar ms a la unidad. En muchos anlisis, su valor es tan cercano a la unidad, que se ignora la di-
ferencia entre IC e IE.
Por ejemplo, si se tiene un transistor con una corriente IE  25 mA y una IB  50 A, y se desea obtener el alfa de
CD; primero, de la ecuacin 2.1 despejamos IC :

IC  IE IB  25 mA 0.050 mA  24.95 mA

Despus, usando la ecuacin 2.2 calculamos :


I C 24.95mA
A   0.998
IE 25mA
Otra forma de conexin para un transistor, en este caso un transistor npn, se muestra en la figura 2.7, al que se
denomina emisor comn, debido a que la terminal del emisor es comn a ambos lados del circuito. En esta conexin,
los voltajes externos utilizados para polarizar el transistor son VBB y VCC . El primero, VBB , provee una polarizacin
directa a la unin base-emisor, BE, mientras que VCC proporciona una polarizacin inversa a la unin colector-base,
CB. Las flechas indican el sentido de las corrientes IE , IC e IB .

@:

e
"
g M::

e
"
M99 @<4@9"@:
@9 @:

=`^liX)%. KiXej`jkfigfcXi`qX[fgXiXleXZfe\o`e[\\d`jfiZfde%

La ganancia de corriente de CD en un transistor conectado en configuracin de emisor comn se llama beta


de CD, y se le designa por la letra griega o por la constante hfe . La beta de CD es expresada por la ecuacin 2.3.
IC
B (2.3)
IB

grupo editorial patria 57


2 El activo transistor

Por ejemplo, si se tiene un transistor con una corriente IC  15 mA y una IB  40 A, y se pide calcular la beta
de CD. Entonces, usando la ecuacin 2.3, tenemos
15mA
B  375
40A
Otro ejemplo tpico es que se nos proporcionen la beta de CD y la corriente IB ,  200 e IB  60 A, y se requiera
calcular la corriente IC . Para esto, despejamos IC de la ecuacin 2.3:

IC  r IB  200 r 60 A  12 mA

Ahora bien, los parmetros de CD y pueden relacionarse uno a otro, esto es, si es conocido, puede calcu-
larse usando la ecuacin 2.4:
B
A (2.4)
B 1
Del mismo modo, si se conoce , se puede calcular usando la ecuacin 2.5:
A
B (2.5)
1 A
Por ejemplo, si un transistor tiene una  150 y se pide obtener , hacemos uso de la ecuacin 2.4:
B 150
A   0.993
B 1 150 1
Otro ejemplo es que tenga  0.996 y se solicite encontrar :
A 0.996
B   249
1 A 1 0.996

REGIONES DE OPERACIN DE LOS TRANSISTORES

Existen diferentes regiones de operacin del transistor, como son la regin de saturacin, la de corte, la activa y la de
ruptura. Para describir estas regiones, usaremos el transistor npn conectado en emisor comn de la figura 2.8 a).

M:9
@:D8
: @94.'8
.
@94-'8
I9 9 -
@94,'8
M:< M:: ,
@94+'8
+
@94*'8
*
M99 < @94)'8
M9< )
@94('8
(
@94'

( ) * + , - . / 0 (' (( () (* (+


M:< mfckj
X Y

=`^liX)%/ KiXej`jkfiegeZfe\ZkX[f\e\d`jfiZfde%X :`iZl`kf%Y >i}]`ZX[\@:mj%M:<gXiX[`]\i\ek\jmXcfi\j[\Zfii`\ek\[\YXj\%

En este circuito se puede observar que los voltajes de polarizacin, VBB y VCC , son variables y que el valor de la
resistencia de base, RB , se usa para controlar la cantidad de corriente de base, IB. Con un valor fijo de RB, VBB puede
ajustarse para producir la corriente de base deseada.

58 ELECTRNICA MIJAREZ
2 El activo transistor

Al variar VBB se puede proveer de un rango amplio de valores de corriente de colector y de corriente de base. Si
asumimos que el voltaje VBB ha sido ajustado para producir una corriente de base IB  50 A y que  100, entonces
podemos calcular la corriente de colector mediante IC  IB  100 50 A  5 mA.
En tanto se mantenga polarizada inversamente la unin colector-base, IC se mantendr en 5 mA; esto ocurrir
independientemente del valor del voltaje colector-base, VCB. En la figura 2.8 a) tambin podemos observar que VCC
puede variarse desde varios volts hasta unas cuantas decenas de volts, sin ningn efecto en la corriente de colector IC .
Lo anterior es cierto siempre y cuando no se exceda el voltaje de ruptura de colector-emisor. Si VBB se incrementa para
tener una corriente de base IB  70 A, entonces IC  IB  100 70 A  7 mA. De igual manera, si VCC se vara
desde unas cuantas decenas de volt hasta varios volts, no se tendr ningn efecto en la corriente de colector IC ; y, por
tanto, esta permanecer constante, como se observa en la figura 2.8 b).
De la figura 2.8 a) tambin podemos resaltar que el VCE  VCB VBE. Cuando el VCB es arriba de cero volts, es
decir unas decenas de volt, el diodo que hace la unin colector-base es polarizado inversamente y la corriente de co-
lector IC  IB. Esto es importante, ya que significa que la corriente de colector IC es controlada nicamente por la
corriente de base IB.

Regin de saturacin

La grfica de VCE vs. IC de un transistor npn para varios valores de corriente IB se muestra en la figura 2.9. Ah, pode-
mos observar que cuando el VCE es cero, la corriente IC es cero, debido a que la unin colector-base no se polariza
inversamente. Si no existe un voltaje positivo conectado a la terminal del colector, este no puede atraer electrones
desde la base. Sin embargo, cuando el voltaje colector-emisor, VCE, se incrementa desde cero, la corriente IC tambin
se incrementa de forma lineal. Al rea vertical de las curvas, cerca del origen, se le llama regin de saturacin. Cuan-
do el transistor se encuentra saturado, la corriente de colector, IC, ya no es controlada nicamente por la corriente de
base IB.3

I\^`e[\ I\^`e
jXkliXZ`e XZk`mX

@:D8
@94.'8
.
@94-'8
-
@94,'8
,
@94+'8
+
@94*'8
* I\^`e
@94)'8
) [\Zfik\
@94('8
(
@94'

( ) * + , - . / 0 (' (( () (* (+


M:< mfckj

=`^liX)%0 I\^`fe\j[\jXkliXZ`e#[\Zfik\pXZk`mX[\lekiXej`jkfiege%:XiXZk\ijk`ZXjZfc\Zkfi$\d`jfipZXiXZk\ijk`ZXjZfc\Zkfi$YXj\%

Regin de corte

Cuando la corriente IB  0, la curva caracterstica se encuentra muy cerca del eje horizontal, como se muestra en la fi-
gura 2.9. Esta rea se llama regin de corte, ya que la corriente del colector, IC, es muy pequea; para los transistores de
silicio, IC por lo general es ignorada. Por tanto, se dice que un transistor est en corte cuando la corriente IC es cero.

3
Cuando un transistor se encuentra saturado, por ms que se incremente la corriente de base, IB , la corriente de colector, IC, ya no se incre-
mentar. Esto es anlogo a la esponja que absorbe agua, llega un punto en el que por ms agua que le agreguemos, no absorber ms, ya que se
encuentra saturada.

grupo editorial patria 59


2 El activo transistor

Regin activa

La regin activa del transistor es aquella en que las curvas caractersticas del colector son prcticamente horizontales,
como se muestra en la figura 2.9. Cuando el transistor opera en esta regin, la corriente de colector, IC, es mayor que
la corriente de base, IB, por un factor de ganancia beta; esto es, IC  r IB. En esta regin, el circuito del colector acta
como una fuente de corriente.

Regin de ruptura

La regin de ruptura ocurre cuando el voltaje colector-base, VCB, es demasiado grande; en este caso, la unin del dio-
do colector-base presenta una ruptura elctrica, permitiendo que una corriente de colector, IC, muy grande y no de-
seada, fluya por el circuito. Esta rea de operacin debe evitarse en el diseo con transistores. Esta regin no se
muestra en la figura 2.9 porque se asume que la ruptura del transistor no ocurrir cuando el diseo del transistor
se realiza de forma adecuada; de lo contrario, podramos ver aparecer el humo mgico indicando el dao.

VALORES MXIMOS DE OPERACIN

Los transistores, como cualquier otro dispositivo, presentan ciertas limitaciones en su operacin, las cuales se especi-
fican en la hoja de datos del producto que proporciona el fabricante, donde tambin se incluyen los valores mximos
de operacin. Estos valores son el voltaje de colector-base, VCB , el voltaje colector-emisor, VCE , el voltaje emisor-base,
VEB , la corriente de colector, IC, y la potencia de disipacin, Pd.

Potencia de disipacin Pd

La potencia de disipacin, Pd, de un transistor se obtiene multiplicando la corriente IC por el voltaje VCE, como se
muestra en la ecuacin 2.6:

Pd  IC r VCE (2.6)

El valor de esta multiplicacin no debe exceder el proporcionado como valor mximo por el fabricante Pd(mx). La
ecuacin 2.6 tambin puede usarse para obtener la mxima corriente IC, para un valor especfico de voltaje VCE.
Por ejemplo, para el transistor de la figura 2.8 a) se pide calcular el Pd, VCC  9 V, IB  40 A y se asume una
 100. Entonces, primero calculamos la corriente de colector IC  r IB  100 r 60 A  6 mV; posteriormente, de la
figura 2.8 a), tenemos que VCC  VCE  9 V. Por tanto, usando la ecuacin 2.6 podemos calcular Pd:

Pd  IC VCE  6 mV 9 V  54 mW

Por ende, el transistor seleccionado debe tener una potencia de disipacin mxima mayor a los 54 mW, para evitar
que se pueda daar.4
Otro ejemplo sera obtener la mxima IC en el transistor cuando se tiene la potencia Pd y el voltaje VCE. Para este
caso, Pd  0.5 W y el voltaje VCE  15 V. Despejando IC de la ecuacin 2.6, obtenemos:

IC  Pd /VCE  0.5 W/15 V  33.3 mA

4
Los transistores de pequea seal, por lo general, presentan una Pd de aproximadamente W, mientras que los transistores de potencia tienen
una Pd mayor a W.

60 ELECTRNICA MIJAREZ
2 El activo transistor

Factor de reduccin de Pd

La disipacin de potencia, Pd, normalmente es proporcionada por el fabricante a una temperatura ambiente, TA, de
25 C.5 Conforme se aumenta la temperatura, la disipacin de potencia, Pd, se hace menor. Para los transistores de si-
licio, la mxima temperatura de unin se encuentra entre los 125 a 200 C; temperaturas mayores a este rango destrui-
rn el transistor. Esta es la razn por la cual los fabricantes de transistores deben especificar la mxima disipacin de
potencia, y los diseadores deben mantener esta potencia a valores menores a lo especificado, de tal manera que la
temperatura de la unin no alcance tales niveles de destruccin. Por lo general, los fabricantes proporcionan el factor
de reduccin de Pd para temperaturas arriba de los 25 C; este factor de reduccin es especificado en W/C. Por ejem-
plo, si el transistor tiene un factor de reduccin de 2 mW/C, significa que por cada 1 C que se eleve la temperatura
de la unin, la capacidad de disipacin de potencia del transistor se reducir 2 mW.
En otro ejemplo se tiene un transistor de W de Pd, esto es 250 mW, a temperatura ambiente, TA, de 25 C, y el
factor de reduccin es 2.4 mW/C, y se desean calcular las caractersticas de potencia a 60 C. Por tanto, primero,
calculamos la variacin de temperatura T  60 C 25 C  35 C y despus multiplicamos esta variacin T por el
factor de reduccin de Pd:

Pd  T factor de reduccin  35 C r 2.4 mW/C  84 mW

Finalmente, restamos este valor de potencia, Pd, del valor original, 250 mW, para obtener el nuevo Pd a 60 C:

Pd  250 mW 84 mW  166 mW

Voltajes de ruptura

Otros parmetros importantes que listan las hojas de datos del transistor son los voltajes de ruptura correspondientes
a las uniones colector-base, emisor-base y colector-emisor. Por ejemplo, para el transistor de pequea seal 2N3904
los voltajes de ruptura son:

VCBO  60 V; VEB0  6 V y VCEO  40 V

Los primeros dos subndices de estos voltajes indican las terminales del transistor para las cuales aplica el voltaje,
mientras que el tercer subndice indica la condicin de tercer terminal no involucrada. Por ejemplo, el voltaje VCEO
indica que el mximo voltaje permitido entre las terminales de colector y emisor es 40 V, con la terminal de la base
abierta. El exceder cualquiera de estos voltajes puede resultar en dao permanente del transistor.

VERIFICACIN DEL TRANSISTOR CON UN HMETRO

Debido a que los transistores estn conformados por uniones p-n, emisor-base y colector-base, estos pueden verificar-
se usando un hmetro. 6 La figura 2.10 muestra un transistor npn reemplazado por su circuito equivalente de diodos.

< : < :
KiXej`jkfiege :`iZl`kf\hl`mXc\ek\[\
[`f[fj[\ckiXej`jkfiege

9 9

=`^liX)%(' KiXej`jkfiegepjlZ`iZl`kf\hl`mXc\ek\[\[`f[fj%

5
Para los transistores de potencia, el factor de reduccin de Pd se especifica considerando la temperatura del encapsulado, TC , en lugar de la
temperatura ambiente, TA.
6
La funcin de hmetro puede obtenerse de multmetros analgicos, prcticamente en desuso, o de multmetros digitales, que tambin presentan
la opcin de prueba de diodos.

grupo editorial patria 61


2 El activo transistor

En la fabricacin de circuitos integrados, los transistores son los elementos ms importantes, por lo que su geo-
metra y el dopado de sus capas se eligen para optimizar sus caractersticas. Por lo general, no es econmicamente
viable realizar geometras adicionales para construir diodos. En consecuencia, los transistores son adaptados para
operar como diodos, como se ilustra en la figura 2.11.

=`^liX)%(( =fidXjZfdle\j\ecXjZlXc\jlekiXej`jkfigl\[\X[XgkXij\gXiXljXij\Zfdf[`f[f%

Pero nos estamos desviando, para verificar la unin base-emisor de un transistor npn, primero se conecta un
hmetro polarizando la unin de manera directa, como se muestra en la figura 2.12 a), esperando leer una resistencia
baja; posteriormente, se invierten los cables del hmetro polarizando la unin inversamente, como se muestra en
la figura 2.12 b), y se espera leer una resistencia muy alta. Para una unin de silicio en buen estado, la relacin entre la
resistencia de polarizacin inversa y la resistencia de polarizacin directa, RR/RF , es del orden de 1000:1 o mayor.

e e e e
< : < :
E\^if Ifaf
g g


" "
' Ifaf ' E\^if
9 9
I\j`jk\eZ`XYXaX I\j`jk\eZ`XXckX
X Y

=`^liX)%() M\i`]`ZXZ`e[\cXle`eYXj\$\d`jfi[\lekiXej`jkfiege%X :fe\o`eZfele_d\kif\egfcXi`qXZ`e[`i\ZkX%


Y :fe\o`eZfele_d\kif\egfcXi`qXZ`e`em\ijX%

Para verificar el estado de la unin colector-base se repite el mismo procedimiento anterior, que por claridad se
muestra en la figura 2.13.

e e e e
< : < :
E\^if Ifaf
g g


" "
E\^if '
9 Ifaf ' 9

I\j`jk\eZ`XYXaX I\j`jk\eZ`XXckX
X Y

=`^liX)%(* M\i`]`ZXZ`e[\cXle`eZfc\Zkfi$YXj\[\lekiXej`jkfiege%X :fe\o`eZfele_d\kif\egfcXi`qXZ`e[`i\ZkX%


Y :fe\o`eZfele_d\kif\egfcXi`qXZ`e`em\ijX%

62 ELECTRNICA MIJAREZ
2 El activo transistor

Otra medicin que con frecuencia se realiza con un hmetro, aunque no se muestra en las figuras 2.12 y 2.13, es
la resistencia entre el colector-emisor, la cual debe ser muy alta o infinita para ambas conexiones del medidor.
De las figuras 2.12 y 2.13, se puede deducir que obtener lecturas de baja resistencia en ambas conexiones indica
que el transistor se encuentra en corto circuito. Si, por el contrario, el hmetro indica una alta resistencia en ambas
conexiones significa que el transistor se encuentra abierto. En ambos casos, el transistor se encuentra defectuoso y
debe reemplazarse.
Cuando se usan multmetros digitales, se debe seleccionar la opcin de hmetro. Existen incluso multmetros
digitales capaces de indicar el beta de CD del transistor, ya sea npn o pnp, solo se tienen que insertar las terminales del
transistor en un enchufe y, mediante un selector, escoger el tipo npn o pnp.

TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

El transistor puede usarse como interruptor para conectar y desconectar una carga RL del voltaje de alimentacin VCC ,
como se muestra en la figura 2.14 a). La diferencia con un interruptor mecnico es que el transistor puede ser opera-
do elctricamente y su respuesta de operacin es ms rpida. En el caso del interruptor mecnico, este no permitir
flujo de corriente hacia la carga RL cuando se encuentre abierto; pero, al momento de cerrar el interruptor, todo el
voltaje de VCC aparecer en la carga RL , como se ilustra en la figura 2.14 b). Idealmente, el transistor operado como
interruptor debera tener las mismas caractersticas que su contraparte mecnica, aunque en la realidad tiene ligeras
diferencias que ya analizaremos.

@:
IC IC
J
K

@9
@< M:: M::

X Y

=`^liX)%(+ X KiXej`jkfifg\iX[fZfdf`ek\iilgkfi%Y :`iZl`kfZfele`ek\iilgkfid\Z}e`Zf%

En esta seccin analizamos, de manera intuitiva, mediante modelos simplificados, el comportamiento del transistor
como interruptor de CD, que es una de sus principales aplicaciones.
Cuando el transistor se usa como interruptor, es til identificar sus tres regiones de operacin: regin de corte,
regin de saturacin y regin activa, como se ilustr en la figura 2.9; adems, es importante mencionar que el transis-
tor puede usarse en configuracin de base comn, colector comn o emisor comn. Aunque, la configuracin de
emisor comn es la ms usada en transistores npn, debido a que la seal que se encarga de operar el interruptor, vol-
taje o corriente, es pequea en comparacin con la corriente o voltaje de carga que maneja el interruptor.7 El objetivo
es que el transistor pueda operar esta corriente o voltaje grande entre colector y emisor, y sea comandado por una
corriente o voltaje muy pequea en la base. La figura 2.15 presenta un dibujo que ayudar a representar el comporta-
miento del transistor en esta configuracin.
En la figura 2.15 se muestra a una persona como operador dentro del transistor, cuyo trabajo perpetuo es ajustar
un potencimetro variable. El operador interno del transistor observa la corriente de base, IB, y ajusta la salida de tal
manera que la corriente colector se mantenga de acuerdo con la ecuacin IC  IB. Sin embargo, al operador solo se le
permite modificar la resistencia variable, de tal modo que puede ir desde corto circuito (transistor en saturacin) has-
ta circuito abierto (transistor en corte), o a un estado intermedio (transistor en regin activa).

7
En configuracin de emisor comn, el emisor es conectado a tierra y es comn a la entrada y a la salida del circuito.

grupo editorial patria 63


2 El activo transistor

@:4_]\@9
:
9

<

=`^liX)%(, :fdgfikXd`\ekf[\ckiXej`jkfi\eZfe\o`e[\\d`jfiZfdefg\iX[fZfdf`ek\iilgkfi%

Una forma de intuir el comportamiento del transistor como interruptor y hacerlo operar desde la regin de cor-
te a la regin de saturacin y viceversa, es utilizar un modelo8 simplificado del mismo, como se muestra en la figu-
ra 2.16.

:fc\Zkfi :fc\Zkfi

ege geg
9Xj\ 9Xj\

<d`jfi <d`jfi

=`^liX)%(- Df[\cfj`dgc`]`ZX[f[\lekiXej`jkfi#egepgeg#fg\iXe[fZfdf`ek\iilgkfi\eZfe]`^liXZ`e\d`jfiZfde%

El modelo de la figura 2.16 considera dos ramas para cada tipo de transistor: un diodo de la base al emisor y un
interruptor del colector al emisor. El emisor es el punto comn entre las dos ramas. Usando este modelo, analizamos
el comportamiento del transistor.
El transistor deber encontrarse en estado de corte cuando el voltaje en el diodo, entre la base y el emisor, no es lo
suficientemente grande para polarizar la unin en forma directa, por lo que no fluir corriente a travs del diodo; en
consecuencia, la corriente del emisor (y del colector) ser nominalmente cero y el interruptor se mantendr abierto.
El transistor se encontrar en estado de saturacin y el interruptor se cerrar cuando el diodo, unin base-emisor,
se polarice directamente y la corriente de base IB se establezca de tal forma que la corriente de colector est definida
por IC = IB. En este caso, mientras la unin base-emisor se polariza directamente, la unin colector-base se polari-
zar inversamente. De lo anterior, podemos observar que el estado del interruptor depende de la relacin entre las
corrientes IB e IC y la ganancia de corriente de CD, o hfe , como lo especifican las hojas de datos.
Considerando el interruptor del modelo simplificado del transistor, se requiere habilitar o deshabilitar el paso de
corriente del circuito de la figura 2.17.
Cuando el interruptor se encuentra abierto, no fluye corriente por la resistencia y el voltaje de salida, VSAL, es igual al
voltaje de alimentacin, VCC. Si empujamos el interruptor, este se cerrar y conectar la resistencia a tierra. Entonces,

8
Un modelo es una representacin simplificada, en este caso del transistor, que ayuda a incrementar el entendimiento intuitivo de su funciona-
miento, y sirve para predecir su comportamiento en ciertas circunstancias.

64 ELECTRNICA MIJAREZ
2 El activo transistor

M::4()mfckj

I4-'' @J8C

MJ8C

=`^liX)%(. @ek\iilgkfi[\cdf[\cfj`dgc`]`ZX[f[\ckiXej`jkfiljX[fgXiX_XY`c`kXif[\j_XY`c`kXi\cgXjf[\Zfii`\ek\XkiXmj[\leXi\j`jk\eZ`X%

tendremos el voltaje VCC entre las terminales de la resistencia. Usando la ley de Ohm, la corriente de colector ser
IC  12 V/600  20 mA.
En lugar de cerrar el interruptor con nuestro dedo, podemos usar una seal elctrica proveniente, por ejemplo, de
un sensor o un microcontrolador, para amplificar su capacidad de salida. Vamos a suponer que la seal elctrica es
de 5 V y no puede proveer ms de 1 mA de corriente. El componente electrnico perfecto para realizar este trabajo
es nada menos que nuestro transistor! Para este ejemplo usaremos el modelo simplificado de un transistor npn,
como se muestra en la figura 2.18.

M::4()mfck`fj M::4()mfckj

I4-'' @J8C I4-'' @J8C

()M
@<EK @<EK
: MJ8C MJ8C
,M
M<EK
9 <
M<EK

=`^liX)%(/ J\Xc\cZki`ZX[\,Mpd}o`df(d8\dgc\X[XgXiXfg\iXilekiXej`jkfiegeZfdf`ek\iilgkfi%

Una corriente de 20 mA, como la requerida en este ejemplo, en esta conexin de emisor comn, es asequible casi
por cualquier transistor. En este caso, vamos a seleccionar un transistor de pequea seal como el BC547C, cuyas
caractersticas elctricas se muestran en la tabla 2.1.
La condicin que debe satisfacerse para activar el interruptor, es decir llevar al transistor al estado de saturacin,
es que IB >> IC/hfe . Los fabricantes, por lo general, no especifican en la hoja de datos un valor preciso de hfe o , ya
que este vara de transistor a otro y con las condiciones elctricas y trmicas. No obstante, es posible obtener un valor
aproximado de hfe relacionado con la corriente de colector, IC , requerida. Debido a que IC  20 mA, de la hoja de datos
podemos tomar la corriente IC  2 mA, la cual nos indica un hfe  500, y tambin considerar la corriente IC  100 mA,
que nos indica un hfe  400. Un valor intermedio sera un hfe = 450. Por tanto, si IC  20 mA y hfe  450 podemos tener
la relacin:
I C 20mA
  0.044mA
h fe 450
Con este clculo se puede observar que obtenemos el valor de IB. Sin embargo, para asegurar que el transistor
entre en estado de saturacin, se necesita que el valor calculado en la expresin anterior sea mayor, por lo general un
factor de diez. Por tanto, la corriente IB necesaria sera:

grupo editorial patria 65


2 El activo transistor

Transistor npn BC547


Caractersticas elctricas
Smbolo Mn. Tipo Mx. Unidad
Ganancia de corriente CD
con VCE  5 V, IC  10 A
Ganancia de corriente, grupo A hfe --- 90 --- ---
B hfe --- 150 --- ---
C hfe --- 270 --- ---
con VCE  5 V, IC  2 mA
Ganancia de corriente, grupo A hfe 110 180 220 ---
B hfe 200 290 450 ---
C hfe 420 500 800 ---
con VCE  5 V, IC  100 mA
Ganancia de corriente, grupo A hfe --- 120 --- ---
B hfe --- 200 --- ---
C hfe --- 400 --- ---
Resistencia trmica de la unin a temp. ambiente RthJA --- --- 2501) K/W
Voltaje de saturacin del colector
con IC  10 mA, IB  0.5 mA VCEs at --- 80 200 Mv
con IC  100 mA, IB  5 mA VCEs at --- 200 600 mV
Voltaje de saturacin de la base
con IC  10 mA, IB  0.5 mA VBEs at --- 700 --- mV
con IC  10 mA, IB  0.5 mA VBEs at --- 900 --- mV
Voltaje base-emisor
con VCE  5 V, IC  2 mA VBE 580 660 700 mV
con VCE  5 V, IC  10 mA VBE --- --- 720 mV
Corriente de corte colector-emisor ---
con VCE  80 V BC546 ICES --- 0.2 15 nA
con VCE  50 V BC547 ICES --- 0.2 15 nA

con VCE  30 V BC548, BC549 ICES --- 0.2 15 nA

con VCE  80 V, Tj  125 C BC546 ICES --- --- 4 A


con VCE  50 V, Tj  125 C BC5476 ICES --- --- 4 A

KXYcX)%( :XiXZk\ijk`ZXj\cZki`ZXj[\cX]Xd`c`X[\kiXej`jkfi\j9:,+-$9:,+0%

IC 20mA
IB  r 10  r 10  0.44mA
h fe 450
El paso siguiente es calcular la resistencia de base, RB, analizando la malla que involucra la corriente IB, como se
muestra en la figura 2.19.
Usando la ley de Kirchhoff de voltajes, para esta malla tenemos:

VENT  IBRB VBE

66 ELECTRNICA MIJAREZ
2 El activo transistor

@9 @9
9 9
I9 <
M<EK4,M M<EK4,M
M9<4'%.M M9<4'%.M <

=`^liX)%(0 DXccXhl\`emfclZiXcXZfii`\ek\@9\e\cZ`iZl`kf[\ckiXej`jkfiegefg\iX[fZfdf`ek\iilgkfi%

Del captulo 1, sabemos que la cada de voltaje de la unin de un diodo es aproximadamente 0.7 V y que la corrien-
te IB que requerimos es de 0.44 mA; por tanto, despejando RB de la ecuacin anterior obtenemos que:

VENT VBE 5 V 0.7 V


RB    9.8 y 10 k
IB 0.44 mA

Si se inyecta ms corriente IB, el transistor no incrementar su IC, ya que est saturado. En la figura 2.18 se obser-
v que cuando el voltaje de entrada es 5 V, estado lgico alto, el voltaje de salida es cercano a cero, estado lgico bajo
y viceversa. Por lo que se muestra que el transistor, en esta configuracin, es capaz de invertir la seal de entrada.
Un razonamiento simtrico puede aplicarse para el caso que se requiera que la resistencia de carga RL sea conec-
tada a tierra, o que el nivel de la seal de entrada vaya de un estado lgico alto a un estado lgico bajo. El dispositivo
apropiado sera un transistor pnp, donde la corriente es tomada de la base en lugar de ser inyectada, tal como se ilustra
en la figura 2.20.

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,M M<EK ,M M<EK @9
@9 <
9
()M 9 ()M
:
:

MJ8C
I4-'' @J8C I4-''

=`^liX)%)' Fg\iXZ`e[\lekiXej`jkfigegZfdf`ek\iilgkfi%

En el circuito de la figura 2.20, cuando la seal de entrada es cero volts, el transistor entra en estado de saturacin,
permitiendo que la corriente fluya a travs de la carga. Por otro lado, cuando la seal de entrada es 5 V, el transistor
entra en estado de corte y no fluir corriente hacia la carga.
En los ejemplos anteriores, la carga conectada entre colector-emisor es una resistencia. Sin embargo, esta podra
ser una lmpara, un LED, un solenoide, una bocina o cualquier otro dispositivo que se desee controlar. Por consiguien-
te, vale la pena considerar un par de precauciones al momento de disear con transistores como interruptores:

1. Seleccione la resistencia de base RB de tal forma que se proporcione una corriente de base IB en exceso. En es-
pecial cuando se controlan lmparas, lo anterior debido a que el hfe se reduce a valores de VCE muy bajos.
2. Para cargas inductivas, proteja el transistor con un diodo a travs de la carga, como se muestra en la figura 2.21.
Sin el diodo, cuando el interruptor se abre, la energa almacenada en el inductor generar en el colector un vol-
taje positivo oscilatorio muy elevado que probablemente sobrepase el voltaje de ruptura de colector a emisor.

grupo editorial patria 67


2 El activo transistor

"M::

=`^liX)%)( ;`f[f[\jlgi\j`eljX[fZlXe[fj\ZfedlkXeZXi^Xj`e[lZk`mXj%

Otro dato importante a tomar en cuenta es la cantidad de corriente de carga que el transistor puede manejar; para
ello, se selecciona un transistor que pueda operar con las condiciones de corriente requeridas. Las opciones que se
tienen son grandes, ya que existe una variedad grande de transistores para aplicaciones que van desde los cientos
de milsimas de ampere hasta los amperes, como lo muestra la tabla 2.2.
En la tabla 2.2 se muestran los valores mximos absolutos para algunos transistores npn y pnp comerciales; dichos
valores deben tomarse nicamente como valores de referencia nominales, no como los valores con los que se operar
el transistor. Los transistores de mayor potencia, por lo general, pueden usarse con disipador, si la aplicacin lo requie-
re. Una regla prctica es usar una corriente de carga de hasta 30% del valor de IC nominal cuando no se utilice disipador
y una corriente de carga de hasta 75% del valor de IC cuando se utilice disipador. Por ejemplo, el transistor TIP32C
puede manejar una corriente de 0.9 A sin disipador y 2.25 A con un disipador de 10 C/W.

Heat sink
Factor de reduccin de
Transistor Valor absoluto admisible disipacin de potencia
VCE IC Temp. para 75% IC
npn Pnp [voltio] [ampere] [C] [C/W]
BC547C BC557C 59 0.100 150 No aplica
2N2222 2N2907 75 0.800 200 No aplica
TIP 29C TIP 30C 100 1 150 10
TIP 32C TIP 32C 100 3 150 10
TIP 41C TIP 42C 100 6 150 5
TIP 33C TIP 34C 100 10 150 1

KXYcX)%) MXcfi\jd}o`dfjXYjfclkfjgXiXXc^lefjkiXej`jkfi\j[\gifgj`kf^\e\iXc%

Qu tanto se calienta el encapsulado del transistor?, depende del disipador que se le adhiera. El encapsulado mis-
mo es capaz de emitir calor al medio ambiente. Si no es suficiente, dependiendo de las condiciones de carga, se le
agrega un disipador, el cual transfiere el calor a su alrededor de manera ms eficiente. Los disipadores se especifican
por un valor numrico en C/W. Este nmero representa la temperatura a la que se elevar el disipador adherido al
transistor por cada watt de calor generado. Por ejemplo, si se ponen 12 W de calor en un disipador de 5 C/W, signifi-
ca que este elevar su temperatura 60 C arriba de la temperatura ambiente.9

9
Un disipador puede pensarse como un conductor de calor. As como hay metales que son mejores conductores de electricidad que otros, tam-
bin existen metales que son mejores conductores de calor que otros. Ocurre lo mismo con la corriente, ya que esta siempre fluye en un solo
sentido. El calor tambin siempre fluye en un solo sentido: de caliente a fro. De qu manera fluye el calor, es otro tema, pero podemos comentar
tres procesos: por radiacin, por conveccin y por conduccin. Al calentarse, el disipador emite energa en forma de radiacin infrarroja y se

68 ELECTRNICA MIJAREZ
2 El activo transistor

Como resaltamos antes, la corriente IB es muy importante para garantizar que el transistor opere correctamente
como interruptor. No obstante, esta corriente depende de la corriente de colector IC y de la constante hfe , que no es-
pecifica un valor preciso, adems que normalmente el valor de hfe es menor en la regin de saturacin. Por consiguien-
te, si conocemos la IC que requerimos, otra forma de determinar el hfe es mediante las curvas proporcionadas por el
fabricante en la hoja de datos.
Si, por ejemplo, seleccionamos un transistor npn TIP41C y necesitamos manejar una corriente IC  2 A, entonces
buscamos la curva de hfe vs. IC provista en la hoja de datos del dispositivo, como se muestra en la figura 2.22.
De la figura 2.22 podemos observar que, para una corriente IC de 2 A, el hfe es aproximadamente 50. Entonces,
podemos calcular IB usando la expresin:

IC 2 A
  40mA
h fe 50

,''

*'' M:<4)%'M
)'' KA4(,':
_]\ #>XeXeZ`X[\Zfii`\ek\[\:;

(''
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@:#Zfii`\ek\[\Zfc\Zkfi8

=`^liX)%)) :limX[\_]\mj%@:[\ckiXej`jkfiK@G+(:%

Para asegurar que el transistor entre al estado de saturacin, debemos generar una IB mucho mayor; en este caso,
podramos seleccionar que sea 4 veces:

IC 2A
IB  r4 r 4  160mA
h fe 50

Debido a que el valor de la corriente IB comienza a ser significativo, no escogimos un factor 10 veces mayor, como
lo hicimos antes. La variacin de hf e , dependiente del transistor y de la corriente IC , es una inconveniencia de disear
con los transistores bipolares. Por lo pronto, vamos a continuar con el diseo de este transistor suponiendo que tene-
mos una seal de entrada de 10 V en la terminal de la base, como se muestra en la figura 2.23.
Entonces, para obtener la resistencia de base, RB , tenemos:

VENT VBE 10 V 0.7 V


RB    58 y 60
IB 160mA

enfra. Por esta razn, los disipadores son negros; el color negro es un eficiente radiador, aunque tambin absorbe muy bien la radiacin in-
frarroja. Una mejor forma de deshacerse del calor es moviendo el aire a travs del disipador, lo cual se llama conveccin. El aire alrededor del
disipador se calienta y sube hacia la atmsfera; este aire caliente es reemplazado por aire fro, repitindose el ciclo; claro, en este caso un venti-
lador ayudara mucho al proceso. Por conduccin es el ejemplo de la conexin del encapsulado al disipador.

grupo editorial patria 69


2 El activo transistor

)+M

)8

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M<EK4('M :
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'%.M

=`^liX)%)* KiXej`jkfiegefg\iX[fZfdf`ek\iilgkfigXiXdXe\aXi)8[\ZXi^X%

De esta manera, resolvimos el problema del clculo de RB usando las curvas proporcionadas en la hoja de datos
del transistor. El siguiente paso ser ver el voltaje de saturacin usando un procedimiento similar.
De acuerdo con nuestro modelo simplificado del transistor, tenemos un interruptor perfecto. Sin embargo, como
tambin comentamos, este modelo es solo una aproximacin para obtener un entendimiento intuitivo. Cuando se
cierra un interruptor ideal, debe haber un voltaje de cero volts entre sus terminales. Pero un transistor real, cuando
se pone en saturacin, es decir, cuando se cierra el interruptor, cierto voltaje se encuentra presente entre las terminales
de colector y emisor; el voltaje VCE y su valor puede determinarse usando las tablas o curvas de la hoja de datos del
transistor. La figura 2.24 muestra las curvas de VCE para un transistor TIP41C.

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=`^liX)%)+ @:mj%M:<[\jXkliXZ`egXiXlekiXej`jkfiK@G+(:%

En la grfica que se ilustra en la figura 2.24 podemos observar que para una corriente de 2 A en el colector, el
voltaje VCE de saturacin es aproximadamente 0.2 V, que no es cero volts, como en el caso ideal, pero es realmente
insignificante. Esto lo podemos notar en el clculo de RL, cuando se considera la cada de voltaje del VCE.

VCC VCE 24 V 0.2 V


RL    11.9
IC 2A

Sin embargo, si usamos una IC mayor, el voltaje VCE empieza a ser significativo, como se aprecia en la curva. El
aumento en el voltaje VCE tiene dos efectos negativos en el comportamiento del circuito: le resta voltaje a la carga y
genera potencia, V r 1, en el transistor, por tal razn se calienta.

70 ELECTRNICA MIJAREZ
2 El activo transistor

TRANSISTOR DARLINGTON

En el mercado se encuentran disponibles otros tipos de transistores, o arreglos de ellos, en especial para aplicaciones
de potencia grande, como los SCR, TRIAC, IGBT y los Darlington. Aunque tambin existen los transistores tipo FET,
que por sus caractersticas elctricas se han usado ampliamente en la fabricacin de circuitos integrados. Analizar
todos estos dispositivos va ms all de los alcances de este libro, as que en esta seccin solo estudiamos el transistor
Darlington y posteriormente se analizan los transistores FET.
El transistor Darlington es un tipo de transistor que en realidad consiste en un arreglo de dos transistores BJT
conectados de tal forma que sean capaces de incrementar su ganancia de corriente, como se ilustra en la figura 2.25.
El objetivo del transistor Darlington es incrementar el valor de hfe , que tiende a ser bajo en estado de saturacin.
La solucin es usar dos transistores, como se muestra en la figura 2.25 a). El primer transistor que conforma el arreglo
recibe una pequea corriente en la base y la multiplica por su hfe , IB r hfe . Esta corriente amplificada se inyecta en la
base del segundo transistor, el cual, a su vez, la multiplica por su hfe, IB r hfe r hfe . De esta manera, obtenemos, en
la carga, una corriente amplificada dos veces; en consecuencia, nos permite manejar corrientes considerablemente
grandes con una corriente en la base relativamente pequea.
Si reemplazamos cada transistor por su modelo simplificado, obtenemos el circuito que se muestra en la figura
2.25 b). Por su parte, la figura 2.25 c) muestra este modelo una vez que se activ el primer transistor. Desde un punto
de vista intuitivo, el arreglo de transistores Darlington puede entenderse como un solo transistor, cuya ganancia de
corriente, hfe, es el cuadrado de un transistor convencional, y cuyo voltaje base-emisor es 1.4 V, en lugar del tradicional
0.7 V, como se muestra en la figura 2.25 c).

:fc\Zkfi :fc\Zkfi
:fc\Zkfi 9Xj\
9Xj\
9Xj\

@:4_)]\@9

<d`jfi
<d`jfi <d`jfi

X Y Z

=`^liX)%), KiXej`jkfi;Xic`e^kfe%X JdYfcf\jhl\d}k`Zf%Y pZ Df[\cfj`dgc`]`ZX[f%

Los transistores Darlington pueden construirse con transistores BJT discretos. Sin embargo, la buena noticia es
que este arreglo se fabrica en un circuito integrado y es encapsulado como un transistor que incluye otros componen-
tes que mejoran su desempeo, como se muestra en la figura 2.26.

<

=`^liX)%)- 8ii\^cf;Xic`e^kfe\eZXgjlcX[fZfdflekiXej`jkfi%

grupo editorial patria 71


2 El activo transistor

De esta manera, existen comercialmente arreglos Darlington que se pueden operar como si fueran transistores
especiales. La tabla 2.3 muestra algunos transistores Darlington.10

Transistores Valores absolutos Valores de saturacin a 50% ICmx


VCE IC Temp. V SAT ICOL IBASE
npn pnp [voltios] [ampere] [C] [voltios] [ampere] [mA] hfe
TIP 112 TIP 117 100 2 150 0.9 1 2 500
TIP 122 TIP 127 100 5 150 1.3 2.5 10 250
TIP 102 TIP 107 100 8 150 1 4 8 500
TIP 142 TIP 147 100 10 150 1.3 5 10 500

KXYcX)%* MXcfi\jd}o`dfjXYjfclkfjgXiXXc^lefjkiXej`jkfi\j;Xic`e^kfe%

De igual forma que con los transistores BJT discretos, una regla prctica es cargar estos transistores con 20% de
valor nominal de IC sin disipador, y hasta 75% de su valor nominal de IC con un disipador de 5 C/W. Por ejemplo, el
Darlington TIP102 puede manejar 1.6 A sin disipador y hasta 6 A con un disipador de 5 C/W.

TRANSISTORES FET

El transistor de efecto de campo, o Field Effect Transistor (FET), es un dispositivo de tres terminales, similar al tran-
sistor bipolar de unin BJT, que analizamos antes en este captulo. Sin embargo, el FET es un dispositivo unipolar que
depende nicamente de un tipo de portadores de carga, ya sea de los huecos o de los electrones. Esencialmente existen
dos tipos de FET: los Junction Field Effect Transistors, abreviados como JFET, y los Metal-Oxide Semiconductor Field
Effect Transistors, abreviados como MOSFET.
A diferencia de los transistores bipolares que son controlados por corriente, los FET son dispositivos controlados
por voltaje; esto significa que una entrada de voltaje es la encargada de controlar la corriente de salida. Los FET pre-
sentan una impedancia de entrada extremadamente grande, del orden de los megaohms; en consecuencia, requieren
muy poca potencia para operar la carga. Esta caracterstica hace que los FET sean algunas veces preferidos a los tran-
sistores BJT. Adicionalmente, la construccin de los FET requiere menos espacio que los BJT, por lo que los hace
ideales para la fabricacin de circuitos integrados, donde el tamao de cada componente es crtico.
En esta seccin solo cubrimos las caractersticas elctricas de los transistores JFET y MOSFET, asimismo bosque-
jaremos sus aplicaciones como interruptores. Su importancia radica en que son la base para la construccin de los
amplificadores operacionales que se estudian en el siguiente captulo.

Tipos de FET

Los transistores FET tienen un canal que es controlado, como su nombre lo indica, por un campo elctrico, producido
por un voltaje aplicado a una de sus terminales. No existen uniones polarizadas directamente, as que esta terminal no
consume corriente; tal vez esta es una de las ventajas ms importantes de los FET. Del mismo modo que con los tran-
sistores BJT, existen dos tipos de polaridades: FET de canal n, con electrones como portadores de carga, y FET de
canal p, con huecos como portadores de carga. Estas dos polaridades son anlogas a las de las encontradas en los
transistores BJT, como npn y pnp, respectivamente.
Pero, los diferentes tipos de transistores FET que existen en el mercado tienden a confundir. Primero, debido a que
hay dos tipos de FET, donde vara la construccin de la terminal denominada Gate, G, que son los JFET y los MOSFET,

10
En Internet se pueden encontrar hojas de datos de diferentes transistores Darlington; sin embargo, una liga con informacin de electrnica muy
til, que incluye esta tabla y otras, es la del profesor Nayarana Rao, de libros electrnicos denominados knol (http://knol.google.com/).

72 ELECTRNICA MIJAREZ
2 El activo transistor

y, segundo, porque existen dos tipos de dopados en el canal, los cuales pueden ser reduccin o agotamiento (depletion) y
realce o crecimiento (enhancement). La figura 2.27 trata de aclarar, a primera vista, los diferentes tipos de FET.

=<K

A=<K DFJ=<K

i\[lZZ`ef i\XcZ\f
ZXeXce ZXeXcg X^fkXd`\ekf Zi\Z`d`\ekf

ZXeXce
ZXeXce ZXeXcg

=`^liX)%). ;`]\i\ek\jk`gfj[\kiXej`jkfi\j=<K%

La diferencia principal entre los JFET y los MOSFET radica en que la terminal G en el MOSFET est aislada del
canal. Debido a esto, la impedancia de entrada del MOSFET es muchas veces mayor que la del transistor JFET. Desde
el punto de vista conceptual, todos los transistores FET son iguales; por esta razn, solo analizaremos la construccin
y el comportamiento de los FET tipo JFET, y de ellos hacemos nfasis en los de canal n.

Construccin del transistor JFET

El transistor JFET est compuesto por 4 terminales, como se muestra en la figura 2.28: Drenaje (Drain), D, fuente
(Source), S, y dos terminales llamadas compuertas (Gates), G1 y G2. Al rea entre las terminales S y D se le llama canal.
El tipo de material semiconductor usado en el canal determina el nombre del transistor, el cual puede ser JFET canal n,
como se ilustra en la figura 2.28 a), o JFET canal p para el transistor que se muestra en la figura 2.28 b). Para el caso del
JFET canal n, se agregan a los lados del canal dos regiones pequeas de material semiconductor tipo p. Cada regin
corresponde a las terminales G1 y G2. Cuando el fabricante conecta una terminal para cada compuerta, al dispositivo
se le llama JFET de doble compuerta. No obstante, en la mayora de los casos las compuertas son conectadas interna-
mente y el JFET se comporta como si tuviera una terminal nica G.

;i\eXa\ ;i\eXa\

e :XeXc g :XeXc

:fdgl\ikX( g g :fdgl\ikX) :fdgl\ikX( e e :fdgl\ikX)

=l\ek\ =l\ek\
X Y

=`^liX)%)/ :fejkilZZ`e[\ckiXej`jkfiA=<K%X A=<KZXeXcg%Y A=<KZXeXcg%

De manera simtrica, para el JFET canal p, las regiones de material semiconductor que se encuentran a los lados
del canal son tipo n. De igual forma que el canal n, las compuertas G1 y G2 se conectan internamente para formar una
conexin externa.

grupo editorial patria 73


2 El activo transistor

En los transistores JFET, el flujo de corriente es entre las terminales D y S. Para el JFET canal n, la mayora de
los portadores de corriente en el canal son electrones libres; por el contrario, para el JFET canal p, la mayora de los
portadores de carga en el canal son huecos. Los smbolos esquemticos para el transistor JFET se muestran en la fi-
gura 2.29.
La figura 2.29 a) muestra el smbolo esquemtico para el JFET canal n, y la figura 2.29 b) ilustra el smbolo para el
JFET canal p. La nica diferencia es la direccin de la flecha en la terminal G. Para el JFET canal n la flecha apunta
hacia el canal y para el JFET canal p la flecha apunta hacia afuera desde el canal p. En ambos smbolos, la lnea vertical
que conecta las terminales D y S representa el canal semiconductor correspondiente a cada transistor.
Un punto importante: cuando la flecha de la terminal G se encuentra en el centro, se dice que el JFET es simtrico.
Esto quiere decir que las terminales D y S pueden ser intercambiadas sin afectar la operacin. En cambio, si la flecha
se encuentra fuera del centro, cerca de la terminal S, como se muestra en la figura 2.29 c), se dice que el JFET es asi-
mtrico y las terminales D y S no pueden ser intercambiadas.

A=<K A=<K A=<K


:XeXce :XeXcg :XeXce

;i\eXa\ ;i\eXa\ ;i\eXa\

J`dki`Zf J`dki`Zf 8j`dki`Zf

:fdgl\ikX :fdgl\ikX
:fdgl\ikX

=l\ek\ =l\ek\ =l\ek\

X Y Z

=`^liX)%)0 JdYfcfj\jhl\d}k`Zfj[\ckiXej`jkfiA=<K%X :XeXcej`dki`Zf%Y :XeXcgj`dki`Zf%Z :XeXceXj`dki`Zf%

Operacin y caractersticas principales del transistor JFET

Para entender la operacin del transistor JFET, vamos a analizar el circuito de la figura 2.30, en el cual se ilustra el
flujo de corriente en un JFET canal n con las terminales G1 y G2 desconectadas. La magnitud de corriente depende de
dos factores: el valor del voltaje entre las terminales D y S, VDS, y la resistencia del canal entre las terminales D y S,
designada como rDS. Adicionalmente, el valor hmico de rDS depende del nivel de dopado, del rea y de la longitud del
material semiconductor usado en la construccin del canal.

;i\eXa\
@;

"
:fdgl\ikX( g g :fdgl\ikX) M;;

=l\ek\

=`^liX)%*' =claf[\Zfii`\ek\\elekiXej`jkfiA=<KZXeXceZfek\id`eXc>j`eZfe\o`e%

74 ELECTRNICA MIJAREZ
2 El activo transistor

Debido a la fuente de alimentacin, VDD , la terminal de drenaje, D, se hace positiva con respecto a la terminal de
la fuente, S; en consecuencia, el flujo de electrones va de la terminal S a la terminal D. En el JFET, la corriente de la
fuente, IS, y la corriente del drenaje, ID, son la misma; aunque en la mayora de los casos se considera que el flujo de
corriente es nicamente ID .
Las regiones de material semiconductor tipo p en el transistor JFET canal n, que se localizan a los lados del canal
n, estn conectadas a las terminales de compuerta, G1 y G2, con el propsito de ayudar a controlar la cantidad de
corriente que fluye por el canal. La figura 2.31 a) muestra este transistor con las terminales G y S conectadas a tierra.
El voltaje de alimentacin, VDD , conectado a la terminal D, polariza inversamente ambas uniones P-N. Esto trae como
resultado una corriente cero en las terminales de compuerta G1 y G2. Si ambas compuertas estn centradas vertical-
mente en el canal, es decir, si el JFET es simtrico, la distribucin de voltaje a lo largo del canal hace que el ancho de la
regin de agotamiento (depletion) sea mayor en la parte superior del canal y ms angosto en la parte inferior. La
corriente fluye en el canal entre las capas de agotamiento y no a travs de las capas mismas.11 Las capas de agota-
miento penetran profundamente en el canal n y ligeramente en las reas de material tipo p de las compuertas G1 y G2
debido a los niveles de dopaje en los materiales n y p.

;i\eXa\ ;i\eXa\

e e
:fdgl\ikX( :fdgl\ikX) :fdgl\ikX
g g M;;4(,M g g M;;4(,M

M>J
=l\ek\ =l\ek\

X Y

=`^liX)%*( <]\Zkf[\cXk\id`eXc>\ecXZfii`\ek\\ecXk\id`eXc;%X :fdgl\ikX\eZfikfZ`iZl`kfZfecX]l\ek\%


Y CXgfcXi`qXZ`e\ok\ieX[\cXZfdgl\ikXi\[lZ\cXZfii`\ek\[\[i\eXa\[iX`e %

La figura 2.31 b) muestra al transistor JFET canal n polarizado de tal manera que no solo la terminal de drenaje,
D, es positiva con respecto a la terminal de la fuente, S, sino que adems la compuerta, G, se hace negativa con respec-
to a la fuente. El efecto de tener un voltaje negativo en la terminal de la compuerta, G, es que las regiones de agota-
miento se expanden, haciendo ms angosto el canal y por ende reduciendo la corriente ID, como se muestra en la
figura 2.31 b). Variando el voltaje entre las terminales de compuerta y fuente, VGS, la corriente en el canal ID puede ser
controlada. Si el voltaje VGS es lo suficientemente negativo, las capas de agotamiento pueden llegar a tocarse, estran-
gulando (pinch off) el canal, teniendo como resultado una corriente ID igual a cero. Al voltaje VGS requerido para hacer
ID cero se le denomina voltaje de corte, VGS(CORTE).
Los voltajes de polarizacin para un JFET canal p son los opuestos a los del JFET canal n. Para el JFET canal p, la
terminal de drenaje, D, es negativa y la terminal de compuerta, G, es positiva.
La figura 2.32 a) ilustra un transistor JFET de canal n, con sus voltajes de polarizacin adecuados para crear la
regin de agotamiento mostrada en la figura 2.31 b). Cuando la fuente de alimentacin de la terminal de la compuerta,
VGG, se reduce a cero, es equivalente a conectar la terminal de la compuerta, G, a la terminal de la fuente, S; previa-
mente conectada a tierra, es decir, VGS  0. La grfica de ID vs. VDS en esta condicin se muestra en la figura 2.32 b). Si

11
A la regin de agotamiento tambin se le llama capa de agotamiento, zona de agotamiento o regin de la unin. Esta consiste en un material
aislante dentro de un material conductor, como es el caso de un semiconductor dopado, donde los portadores de carga se han difundido o han
sido separados por un campo elctrico, dejando solo iones donadores o aceptadores de impurezas, como vimos en el captulo 3 para el diodo. La
mejor visualizacin para la difusin de portadores de carga es compararla con la difusin de tinta en el agua. A esta rea se le llama de ago-
tamiento porque se agotan o reducen los portadores de carga en la regin.

grupo editorial patria 75


2 El activo transistor

el voltaje VDS se incrementa desde cero, la corriente de drenaje, ID , se incrementar de manera proporcional. Cuan-
do el voltaje VDS alcanza el voltaje de estrangulamiento (pinch off), denominado VP, entonces la corriente ID se nive-
la. Para este ejemplo, el voltaje VP es de 4 V, como se muestra en la figura 2.32 b). Al rea debajo del valor de VP se le
llama regin hmica, debido a que la corriente ID se incrementa de forma directamente proporcional con el volta-
je VDS. Para voltajes mayores que VP , se le denomina regin de saturacin (fuente de corriente), en la cual ID no se ve
afectada por cambios en el voltaje VDS.
La corriente ID es constante para voltajes mayores a VP , debido a que, a partir de ese valor, la resistencia del canal,
rDS, se incrementa de manera proporcional al voltaje VDS.
A la mxima corriente drenaje-fuente que un transistor JFET puede manejar, en condiciones de operacin nor-
males, se le denomina IDSS y ocurre cuando la terminal de compuerta, G, es aterrizada, es decir cuando el voltaje VGS
es cero. La figura 2.32 b) indica una corriente IDSS de 10 mA, para el JFET canal n que estamos analizando. Si el volta-
je VGS se hace negativo, el valor de ID ser menor que el de IDSS. Qu tanto disminuye ID?, depende del valor de VGS,
siendo el voltaje VGS(CORTE) el voltaje negativo mximo para que ID  0. La figura 2.32 c) exhibe un conjunto de curvas
para diferentes valores de VGS.
De la figura 2.32 c), es interesante resaltar la relacin que hay entre los valores de VP y VGS(CORTE). Se observa que
VP  VGS(CORTE), lo cual es vlido para cualquier transistor JFET. La mayora de las hojas de datos no listan el valor
de VP , pero casi siempre listan el valor de VGS(CORTE). Por tanto, de la figura 2.32 c) podemos obtener el valor de VP
usando el voltaje VGS(CORTE); si VGS(CORTE)  4 V, entonces VP  ( 4 V)  4 V.
Hay un par de puntos importantes que se pueden observar de la figura 2.32 c), el primero es que la pendiente de
cada curva de ID vs. VGS decrece conforme se hace ms negativo el voltaje VGS. Esto sucede porque al hacerse ms
negativo el voltaje VGS, la resistencia del canal, rDS , se incrementa. Esta es una caracterstica muy til de los transistores
JFET, ya que pueden usarse como resistencia que vara con el voltaje de entrada.

@;d8

;i\eXa\ :fdgl\ikX\eZfikfZ`iZl`kfM>J4'M
@;JJ4('d8
@;JJ4('d8 M>J4'M
@;JJ4('d8
M>JZfik\ 4+M

:fdgl\ikX M>J4(M
M;J
@;d8
M;; M>J4)M
M>J
M>J4*M
M>> =l\ek\ MG4+M M>J4+M
MG4+M
M;Jmfckj M;Jmfckj 
X Y Z

=`^liX)%*) KiXej`jkfiA=<KZXeXce%X MfckXa\j[\gfcXi`qXZ`e[\cA=<KZXeXce%Y :limX@;mj%M;JZfe\cmfckXa\M>J4'%


Z :limX@;mj%M;JgXiX[`]\i\ek\jmXcfi\j[\M>J %

El segundo punto es que el voltaje VDS al cual ocurre el estrangulamiento (pinch off ), decrece al hacerse ms ne-
gativo el voltaje VGS. Esto puede expresarse por la ecuacin 2.7.

VDS(P)  VP VGS (2.7)

Donde VP es el voltaje de estrangulamiento para VGS  0 V, y VDS(P) es el voltaje de estrangulamiento para cualquier
valor de VGS. Para este clculo VGS y VP son valores absolutos, es decir, se ignoran sus polaridades. En tanto, VDS(P) se
considera como el voltaje lmite entre la regin hmica y la regin de saturacin del transistor JFET.
Una caracterstica distintiva de los JFET es su curva de transconductancia, gm. La transconductancia se defi-
ne como el recproco de la resistencia, 1/R, o aproximadamente ID/VGS. Sus unidades son los Mhos, que es el inverso
de la palabra Ohm, aunque tambin se les llama siemens. El gm es para los FET lo que el hfe es para los transistores BJT.
La figura 2.33 muestra la grfica de transconductancia, ID vs. VGS del transistor JFET de la figura 2.32.

76 ELECTRNICA MIJAREZ
2 El activo transistor

@;JJ4('d8

.%,d8
@;d8
,d8

)%,d8

+M *M )M (M 'M


M>JZfik\
M>Jmfckj

=`^liX)%** :limX[\kiXejZfe[lZkXeZ`X#M>Jmj%@; #[\lekiXej`jkfiA=<K%

De la figura 2.33 podemos observar que la grfica no es lineal, ya que un cambio en el voltaje VGS no produce un
cambio directamente proporcional en ID . Si se conocen los valores IDSS y VGS(CORTE) , se puede calcular la corriente ID
con la ecuacin 2.8.

VGS 2
I D  I DSS 1 (2.8)
VGS(CORTE)

La ecuacin 2.8 es vlida si VDS es mayor o igual que VDS(P), y puede ser usada para JFET canal p o canal n.
Por ejemplo, si usamos la grfica de la figura 2.33 y la ecuacin 2.8, podemos calcular la corriente ID cuan-
do VGS  0 V y cuando VGS  0.5 V. Si VGS  0 V, fcilmente podemos visualizar que ID  IDSS  10 mA. Pero, cuando
VGS  0.5 V:
2
0.5V
I D  10mA 1  7.65mA
4V

TRANSISTOR FET COMO INTERRUPTOR

Como comentamos al inicio de esta seccin acerca de los transistores FET, la diferencia entre los JFET y los MOSFET
es principalmente que la terminal de la compuerta, G, en el MOSFET es aislada del canal por una delgada capa de
cristal (SiO2), lo cual le proporciona una impedancia de entrada muchas veces mayor que la del transistor JFET, con
valores de impedancia mayores a los 1014 ohms; empero, desde el punto de vista conceptual, su operacin es igual y
ambos pueden funcionar en aplicaciones de conmutacin.
Los transistores FET operados como interruptores son ms simples que los transistores BJT, ya que no se tienen
que despilfarrar corriente excesiva de polarizacin, IB , ni estimar el valor de hfe combinado con la corriente de carga
IC. Para activar los transistores FET nicamente necesitamos aplicar el voltaje correcto a la entrada de alta impedancia
de la terminal de compuerta, G. Una manera de intuir el comportamiento del JFET como interruptor, es utilizar un
modelo muy simple como el que se muestra en la figura 2.34.

S
=`^liX)%*+ Df[\cfj`dgc`]`ZX[f[\lekiXej`jkfiA=<K%

grupo editorial patria 77


2 El activo transistor

En la figura 2.34 se observa que la terminal de compuerta, G, y las terminales drenaje, D, y fuente, S, forman una
unin P-N, tipo diodo. En este modelo, la resistencia depende de la polarizacin en la terminal de la compuerta, G. Por
consiguiente, debido a que la terminal G se polariza negativamente con respecto a la terminal de la fuente, S, el diodo
debe polarizarse inversamente.12 En consecuencia, la corriente de la compuerta ser muy pequea o insignificante,
causando a su vez que la corrientes ID  IS.
La figura 2.35, por su parte, muestra un FET tipo JFET canal-N conectado para operar como interruptor.

"('M

C}dgXiX('M
'%(8

'M

M>J
M>J4'M:fe[lZZ`e
M>J4M>J:FIK< 

=`^liX)%*, =<Kk`gfA=<KZXeXc$EZfe\ZkX[fgXiXfg\iXiZfdf`ek\iilgkfi%

En esta configuracin, mientras el FET se comporte como una resistencia pequea, rDS, comparada con la carga,
este es capaz de conectar la terminal de drenaje, D, a un valor muy cercano a tierra. Valores tpicos de esta resistencia
son menores a los 0.2 , lo cual es un valor adecuado para este tipo de aplicaciones. Para este ejemplo, cuando el vol-
taje de entrada es cero volts, la corriente ID ser la mxima y el transistor conducir para activar la carga. Cuando el
voltaje VGS alcance el voltaje negativo de corte, el JFET tendr una corriente ID de cero.
Una de las aplicaciones que no se puede llevar a cabo con transistores BJT es la de interruptores analgicos. Es
decir, interruptores que permitan o limiten el paso de seales analgicas como se muestra en la figura 2.36.

10 V

Seal de entrada

VGS = 0V

VGS = VGS (CORTE)

=`^liX)%*- A=<Kfg\iX[fZfdf`ek\iilgkfiXeXc^`Zf%

El objetivo en la figura 2.36 es conmutar el JFET de un estado de conduccin o interruptor cerrado, cuando
VGS  0 V, a un estado de circuito abierto o impedancia muy grande, cuando VGS alcanza el voltaje negativo de corte
VGS(CORTE). Los transistores bipolares no son adecuados para esta clase de aplicaciones, ya que la terminal de la base
consume corriente y forma diodos con el emisor y colector. En este sentido, en comparacin con los transistores BJT,
los FET son agradablemente simples. Sin embargo, es justo decir que se han ignorado los efectos de capacitancia entre
la compuerta y el canal y que hay cierta variacin en la resistencia, rDS, con respecto a las oscilaciones de la seal de
entrada.

12
El JFET puede daarse de manera permanente si la terminal de la compuerta, G, se polariza directamente con respecto a la fuente; generalmen-
te, corrientes mayores de 50 mA pueden producir el humo mgico, indicando el dao. Una forma de verificar el estado de un JFET con un h-
metro, es comprobar el estado del diodo, ya que cuando un JFET se encuentra destruido, normalmente el diodo es el que se daa.

78 ELECTRNICA MIJAREZ
2 El activo transistor

TRANSISTORES COMO AMPLIFICADORES LINEALES

Los transistores BJT o FET pueden usarse como amplificadores lineales, como pudimos apreciar en sus curvas carac-
tersticas. Sin embargo, para operarlos en esta condicin se requiere tomar ciertas consideraciones que pueden variar
de transistor a transistor, como es el caso del hfe en los transistores BJT. Con los transistores JFET tambin se da el
caso que sus propiedades pueden variar sustancialmente entre una muestra y otra. La conclusin es que operar los
transistores como amplificadores puede ser un poco truculento.
Existen dos razones principales por las cuales no se utilizan con frecuencia los transistores como amplificadores
lineales: la primera, que ya mencionamos, es la variacin entre componente y componente, que es una cuestin im-
portante cuando se utiliza en miles o millones de circuitos. La segunda es que los amplificadores operacionales (OP
AMP), que se estudian en el captulo 5, utilizan para su construccin transistores BJT tanto como FET, que son muy
baratos y fciles de usar.13

DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO


 El transistor BJT consiste de tres regiones dopadas:  El transistor operado como interruptor puede ser
el emisor, la base y el colector. configurado en base comn: colector comn y emi-
 La base del transistor BJT es la regin menos dopa- sor comn. Aunque la de emisor comn es ms usa-
da; se encuentra entre el emisor y el colector. da debido a que la corriente de entrada, IB, que
 El emisor, el rea ms dopada del transistor BJT, tie- controla la corriente de carga IC, es muy pequea.
ne como funcin emitir o inyectar portadores mayo-  Para asegurar la operacin del transistor BJT como
ritarios a la regin de la base. interruptor, se tiene que tomar en cuenta la corriente
 El colector es el rea ms grande del transistor y su de carga, IC , el hfe y la corriente de base, IB , conside-
dopaje es moderado. La mayora de los portadores rando la relacin IB >> IC/hfe .
mayoritarios inyectados a la base no fluyen hacia la  El transistor Darlington es un arreglo de dos transis-
terminal de la base, sino que son atrados a la termi- tores conectados en tndem para incrementar la ga-
nal del colector. nancia de corriente de CD, hfe2. Puede considerarse
 El beta de CD del transistor BJT se obtiene de la re- como un solo transistor de alta ganancia, pero con
lacin entre la corriente de colector y de la corriente un voltaje VBE del doble, 1.4 V para silicio.
de base:  IC /IB.  El transistor FET es un dispositivo semiconductor
 El alfa de CD del transistor BJT se obtiene de la rela- unipolar, es decir utiliza solo un tipo de portadores
cin entre la corriente de colector y de la corriente mayoritarios, huecos o electrones. Esencialmente,
de emisor:  IC /IE. los FET pueden encontrarse como JFET y MOSFET.
 La relacin entre las corrientes del transistor BJT se  La diferencia principal entre JFET y MOSFET es que
encuentra dada por la igualdad IE  IB IC. la terminal de la compuerta en el MOSFET es aislada
del canal, lo cual le proporciona una impedancia de
 El transistor BJT tiene cuatro regiones de operacin:
entrada muchas veces mayor que la del transistor
la regin de saturacin, la regin de corte, la regin
JFET.
de ruptura y la regin activa. El transistor como inte-
rruptor opera en las regiones de corte y de satura-  Los FET son dispositivos controlados por voltaje, a
cin. diferencia de sus primos los BJT, que se controlan
con corriente.
 Para probar un transistor BJT con un hmetro, se
usa su circuito equivalente de diodos y se prueba  Los FET presentan una muy alta impedancia de en-
cada unin como un diodo independiente. Resisten- trada, por lo que no desperdician corriente para po-
cia baja, en polarizacin directa y resistencia alta der activarse.
en polarizacin inversa.

13
En la actualidad, en el diseo de equipo electrnico, no he utilizado transistores como amplificadores. La razn principal es porque se pueden
comprar amplificadores operacionales cudruples por el precio de dos o tres transistores discretos. As que no vale la pena hacerse la vida dif cil,
si no es necesario.

grupo editorial patria 79


2 El activo transistor

PROBLEMAS DEL CAPTULO 2


2.1 Se tiene un transistor que tiene una corriente IC  15
mA y una IB  40 A, calcule el Beta y el alfa de CD. 1 K
2.2 Un transistor cuenta con el Beta de CD y la corriente
de base IB para su operacin,  200 e IB  60 A. LED

Calcule la corriente IC.
5V
2.3 Calcule la mxima IC de un transistor; se proporcio- 2N4392
nan la potencia Pd  0.25 Wy el voltaje VCE  9V. VENT 
Seal de entrada
2.4 Se cuenta con un transistor con una Pd  0.5 W a
temperatura ambiente, TA, de 25 C, y el factor de
reduccin es 3 mW/C. Calcule las caractersticas
de potencia a 75 C.
2.5 Se requiere disear un conmutador con un transis-
tor NPN de pequea seal tipo el BC547 en configu- =`^liX)%*/
racin emisor comn. Se cuenta con un voltaje VCC
de 15 V y se requiere operar una carga RL de 45 mA.
El hfe  100 y el voltaje VBB que activara el transistor 2.9 En el circuito de la figura anterior se coloc una
es un pulso de 3.3 V. Disee el circuito. resistencia de 1.2 M en serie con la terminal de
la compuerta. Es posible encender/apagar el LED
VCC = +15 V
con los voltajes antes seleccionados?

ISAL
2.10 En un transistor BJT, describa cmo es el dopaje
RL
en las reas correspondientes a su base, colector y
emisor.
IENT C
15 V 2.11 Defina la regin activa y de corte de un transistor
3.3 V
VSAL
BJT.
B
VENT
E 2.12 Cules son las regiones de saturacin y de ruptu-
ra de un transistor BJT?
2.13 Cmo se obtiene la ganancia de DC, denominada
hfe, en un transistor BJT?
2.14 Defina al factor de reduccin Pd de un transistor
=`^liX)%*. BJT.
2.6 Se cuenta con un transistor Darlington tipo TIP142, 2.15 Defina a qu se le llama un transistor FET asim-
el cual tiene especificado una corriente IC  10 A, trico y su comparacin con un transistor FET si-
como valor absoluto permisible. Estime la mxima mtrico.
corriente que puede operar el transistor si no se
cuenta con disipador de potencia. 2.16 Describa a qu rea se le denomina canal en un
2.7 Un transistor FET canal-N tiene una IDSS  15 mA y transistor FET.
una VGS(corte)  5 V. Calcule la corriente ID cuando 2.17 Describa la regin fuente-corriente en un transis-
VGS  0.7 V. tor FET.
2.8 El transistor FET canal-N es utilizado para encen-
2.18 Por qu un FET es un dispositivo unipolar?
der/apagar un LED en el siguiente circuito. Especi-
fique de la hoja de datos qu valores de voltaje se 2.19 Cul es la diferencia principal entre un transistor
requieren para su control. FET y un MOSFET?

80 ELECTRNICA MIJAREZ
3 El mgico
amplificador
operacional
El amplificador operacional, abreviado OP AMP1 por sus siglas en ingls, es un circuito integrado
que tiene dos terminales de entrada y una de salida. El OP AMP es uno de los bloques fundamentales
en el diseo electrnico, con el cual se pueden realizar numerosas aplicaciones. El OP AMP puede
ser configurado en una gran diversidad de formas, para llevar a cabo operaciones en sus terminales
de entrada. Esa es la razn por la que se le llama operacional! Estas operaciones incluyen ganancia
positiva o negativa, filtrado, funciones de transferencia y comparacin con otras seales. Puede su-
mar o restar mltiples seales, amplificar la diferencia entre seales de entrada, integrar o diferenciar
seales con respecto al tiempo, entre otras. En conclusin, el OP AMP es uno de los CI con mayor
potencial a disposicin de los diseadores. Por tanto, en este captulo se explica el funcionamiento
interno de este dispositivo, con el fin de continuar con la tnica de este libro y proveer un entendi-
miento intuitivo. As pues, iniciamos su estudio con la exposicin del concepto de retroalimentacin
y con la teora detrs de este dispositivo; ms adelante, tambin analizamos la etapa de entrada de
estos CI, la cual est constituida por el amplificador diferencial, el cual resulta de gran importancia
porque proporciona muchas de las caractersticas de CA y CD del OP AMP. Despus, seleccionamos
un OP AMP comercial para describir sus parmetros ms importantes. Por ltimo, considerando al

1
En este libro abreviaremos al amplificador operacional como OP AMP, que proviene de la palabra en ingls: operational
amplifier, aunque existen traducciones al espaol que lo llaman AMP OP. La razn principal para el uso de esta abreviatu-
ra es su empleo generalizado en universidades y centros de trabajo.

81
3 El mgico amplificador operacional

OP AMP como caja negra o caja mgica, se introducen y analizan algunas de sus operaciones bsicas. Sin ms prelu-
dio, que inicie la magia. En este captulo estudiamos:

X Concepto de retroalimentacin.
X Teora importante de los OP AMP.
X El amplificador diferencial.
X Anlisis de CD/CA y ganancias del amplificador diferencial.
X El OP AMP y sus caractersticas principales.
X Circuitos bsicos con OP AMP.
X Circuitos populares con OP AMP.
X Filtros activos.
X Convertidores de voltaje a corriente y de corriente a voltaje.
X Circuitos OP AMP con diodos.
X Circuitos comparadores.
X ADC y DAC las interfaces del mundo digital y analgico.
X Las misteriosas tierras.
X Consideraciones y recomendaciones.

CONCEPTO DE RETROALIMENTACIN

En la actualidad, el concepto de retroalimentacin es conocido ampliamente y utilizado en muchas disciplinas del


conocimiento. En los sistemas de control, por ejemplo, la retroalimentacin consiste en comparar la salida del sistema
con la salida deseada, y hacer las correcciones correspondientes. El sistema puede ser casi cualquier cosa, por ejemplo,
el proceso de control de temperatura en una habitacin, la velocidad de un auto, el nivel de un lquido en un tanque,
etctera. En circuitos amplificadores, por lo general, la salida es un mltiplo de la seal de entrada, mientras que en los
amplificadores retroalimentados, la entrada es comparada con una versin atenuada de la salida.
La retroalimentacin puede ser tanto negativa como positiva. La retroalimentacin negativa adquiere importan-
cia porque los amplificadores son normalmente no-lineales y generan distorsin. La retroalimentacin negativa es el
proceso de acoplar la salida del amplificador de tal manera que cancele parte de la entrada. Se puede pensar que esto
nicamente tiene el efecto de reducir la ganancia del amplificador, lo cual no sera de utilidad.2 Lo anterior es cierto;
sin embargo, aunque disminuye la ganancia, tambin mejora otras caractersticas, la principal es que libera de distor-
sin y de no-linealidad al amplificador, adems de que proporciona una respuesta en frecuencia plana y provee una
salida predecible. De hecho, conforme se incrementa la retroalimentacin negativa, las caractersticas del amplifica-
dor se hacen menos dependientes del amplificador de lazo abierto (sin retroalimentacin) y dependen solo de las
propiedades de la red de retroalimentacin. La retroalimentacin positiva, por otro lado, es el principio de funciona-
miento de los osciladores, y aunque se utiliza con frecuencia en algunas aplicaciones, tiene menos importancia que la
retroalimentacin negativa; incluso, esta puede llegar a ser un problema en ciertos circuitos.
Habiendo hecho estos comentarios, enseguida analizamos la teora primordial detrs del OP AMP, principalmen-
te en configuracin con retroalimentacin negativa, tratando de proveer las bases para obtener una comprensin in-
tuitiva de este misterioso componente.

2
En 1928, Harold S. Black registr una patente relacionada con la retroalimentacin negativa, la cual no tuvo un xito inmediato, encontrando
como respuesta por parte del registro de patentes que este procedimiento era poco til y hasta no muy inteligente. Por ese motivo, la patente fue
otorgada nueve aos despus. Hoy sabemos el impacto que ha tenido y tiene la retroalimentacin negativa en diversas reas como la electrnica,
las telecomunicaciones, el control, los dispositivos biomecnicos, etctera.

82 ELECTRNICA MIJAREZ
3 El mgico amplificador operacional

TEORA IMPORTANTE DE LOS OP AMPS

El amplificador operacional (OP AMP) es el circuito integrado lineal ms usado en el diseo electrnico. El OP AMP
constituye el bloque de construccin analgico equivalente a las compuertas digitales que estudiamos en el siguiente
captulo. En el mundo digital actual parece ser muy comn estudiar de manera rpida y superficial el tema de los OP
AMP, proveyendo nicamente de frmulas al estudiante o al interesado de estos temas, sin explicar la teora o el pro-
psito detrs de ellas. De esta manera, cuando el estudiante o ingeniero disea por primera vez un circuito con OP
AMP, el resultado es una confusin total, en especial cuando el circuito no funciona como se espera. Esta seccin, por
consiguiente, pretende proveer la teora primordial de los OP AMP, con el objetivo de ayudar a comprender mejor su
funcionamiento interno y adquirir una intuicin educada con respecto a este dispositivo.
Por definicin, podemos decir que el OP AMP es un amplificador diferencial directamente acoplado y de alta
ganancia. El acoplamiento directo significa que la salida de una etapa se conecta directamente a la entrada de la si-
guiente, sin usar capacitores o transformadores para aislar los voltajes de CD de cada etapa. El smbolo esquemtico
del OP AMP se muestra en la figura 3.1.

<ekiX[Xef$`em\ijfiX
" JXc`[X
<ekiX[X`em\jfiX
$
=`^liX*%( JdYfcf\jhl\d}k`Zfle`m\ijXc[\cFG8DG%

Los smbolos de las entradas ( ) y ( ) no significan que una entrada tiene que mantenerse positiva con respecto a
la otra, o cosas por el estilo; estos smbolos indican la fase relativa que tendr la salida, la cual es importante para man-
tener negativa la retroalimentacin negativa; por lo que usar los trminos no-inversora e inversora, en lugar de
positiva y negativa, ayuda a evitar esta confusin.
Las entradas del OP AMP presentan una alta impedancia, idealmente infinita, lo que significa que virtualmente
no tienen ningn efecto sobre los circuitos que se conectan a estas. Por su parte, la salida del OP AMP tiene una im-
pedancia muy baja, idealmente cero, y para muchos anlisis es conveniente considerarla como si fuera una fuente de
voltaje con resistencia muy baja. Lo anterior es muy importante, por lo que lo vemos posteriormente, cuando estudia-
mos las configuraciones del OP AMP. Por lo pronto, baste decir que al OP AMP se le representa con dos smbolos
separados, como se muestra en la figura 3.2.

M<EK " MJLD8fM<IIFI MJ8C

=`^liX*%) I\gi\j\ekXZ`e`ek\ieX[\cFG8DG#Zfdgl\jkXgfi[fjjdYfcfjj\gXiX[fj%

De la figura 3.2 podemos observar un bloque de suma y un bloque de amplificacin.3 Del bloque de suma, a su
vez, podemos notar una entrada positiva y una entrada negativa, como en el smbolo original del OP AMP. La entrada
negativa se considera como el voltaje en ese punto multiplicado por 1. De esta manera, si tenemos 3 V en la entra-
da positiva y 4 V en la entrada negativa, la salida de ese bloque ser 1 V. As, la salida de este bloque es la suma de las
dos entradas, con una de las entradas multiplicada por 1; esta tambin puede pensarse como la diferencia de las dos
entradas, la cual puede representarse por la ecuacin 3.1.

VSUMA  (V ) (V ) (3.1)

3
Los bloques de suma y ganancia, que conforman el OP AMP, le pueden resultar similares a los usados en sus clases de teora de control; pero, en
realidad son los mismos. La teora de control se aplica perfectamente a los OP AMP.

grupo editorial patria 83


3 El mgico amplificador operacional

Por otro lado, para el bloque de amplificacin, la variable G representa la cantidad de amplificacin que el OP
AMP aplica al bloque de suma. A esta ganancia del OP AMP se le llama de lazo abierto y, por lo general, es muy alta;
un valor tpico sera 200 000. Para el ejemplo anterior, si consideramos que las entradas son 3 V y 4 V, respectivamen-
te, y usamos la ecuacin 3.1, aplicndole este valor tpico de G, tenemos que:

VSAL  (3 4) r (200 000)  200 000 V

Por supuesto que el voltaje de salida no llegar a los 200 000 V, a menos que los voltajes de las fuentes de alimen-
tacin del OP AMP sean de ese valor. Este ejemplo es un arreglo muy usado en los OP AMP: el circuito comparador,
el cual tiene aplicaciones relacionadas con la conversin de seales analgicas a digitales, que vemos posteriormente.
Ahora, regresando a la representacin del OP AMP de la figura anterior, agregamos un bloque de retroalimenta-
cin, como se muestra en la figura 3.3.

MJLD8f
M<EK " M<IIFI
>
MJ8C

=`^liX*%* I\gi\j\ekXZ`e[\cFG8DGZfei\kifXc`d\ekXZ`ee\^Xk`mX%

En la figura 3.3 lo primero que notamos es la salida que se conecta a la entrada negativa, a travs de un blo-
que llamado H; por esta razn se le llama retroalimentacin negativa. De la figura 3.3 tambin podemos observar que
ahora tenemos dos ganancias: una de lazo abierto, G, y otra relacionada con la retroalimentacin, llamada de lazo
cerrado, H.
Analizando el diagrama de la figura 3.3, se obtiene la siguiente ecuacin de control bsica:
VSAL  ((V )ENT r G ) (VSAL r G r H )
G (3.2)
VSAL  V ENT r
1 G * H
Debido a que el valor de G es muy grande, el 1 del denominador en la ecuacin 3.2 resulta insignificante, por
tanto la ecuacin se simplifica de la siguiente manera:
1
VSAL VENT (3.3)
H
Este es el caso especial, ampliamente usado, en el cual asumimos que las entradas del OP AMP son iguales, pero
se aplica nicamente cuando la retroalimentacin es negativa.
Es importante que cada vez que veamos el smbolo original del OP AMP recordemos que internamente se en-
cuentra conformado por un bloque sumador y un bloque amplificador. Ahora, vamos a usar el smbolo original del
OP AMP con retroalimentacin negativa, como se muestra en la figura 3.4.

<ekiX[Xef$`em\ijfiX " JXc`[X


<ekiX[X 
`em\ijfiX

=`^liX*%+ JdYfcf\jhl\d}k`Zffi`^`eXc[\cFG8DGZfei\kifXc`d\ekXZ`ee\^Xk`mX%

84 ELECTRNICA MIJAREZ
3 El mgico amplificador operacional

Cuando la ganancia de retroalimentacin, de lazo cerrado, es unitaria, demuestra otro arreglo muy til del OP
AMP: el circuito seguidor de voltaje. Por tanto, si H  1, tenemos que:

1
VSAL  VENT l VSAL  VENT (3.4)
1
Cualquier voltaje aplicado a la entrada positiva, aparecer en la salida. Despus, en este mismo captulo, habla-
mos de este popular circuito y sus aplicaciones. Sin embargo, con el objetivo de obtener el entendimiento intuitivo de
la retroalimentacin negativa, usamos el OP AMP configurado como circuito seguidor de voltaje. Para esto, se asig-
nan valores a las ganancias, G  200 000 y H  1; entonces, se asume que la entrada negativa (V ) es cero al inicio y,
por tanto, se aplica una secuencia de voltajes a su entrada positiva, VENT, de 0 V, 2 V y 0.8 V, como se muestra en la
tabla 3.1.

Tiempo G H VENT V (VENT)(V) VSAL

0 200 000 1 0 0 0 0

1 200 000 1 0 0 0 0

2 200 000 1 2 0 2 0

0 V >VSAT( ) > 1 V

3 200 000 1 2 1 1 1

1 V >VSAT( ) > 1.5 V

4 200 000 1 2 1.5 0.5 1.5

1.5 V >VSAT( ) > 1.8 V

5 200 000 1 2 1.8 0.2 1.8

1.8 V >VSAT( ) > 2.2 V

6 200 000 1 2 2.2 0.2 2.2

2.2 V >VSAT( ) > 1.9 V

7 200 000 1 2 1.9 0.1 1.9

1.9 V >VSAT( ) > 2.0 V

8 200 000 1 2 2 0 2

9 200 000 2 0 2

10 200 000 2 0 2

11 200 000 2 0 2

12 200 000 1 0.8 2 1.2 2

2.0 V >VSAT( ) > 1.5 V

13 200 000 1 0.8 1.5 0.7 1.5

1.5 V >VSAT( ) > 1 V


(Contina)

KXYcX*%( MXcfi\jXj`^eX[fj[\^XeXeZ`Xj#mfckXa\j[\\ekiX[XpmfckXa\j[\jXc`[XgXiXleFG8DGZfei\kifXc`d\ekXZ`ee\^Xk`mX#
Zfe]`^liX[fZfdfj\^l`[fi[\mfckXa\%

grupo editorial patria 85


3 El mgico amplificador operacional

(Continuacin)

Tiempo G H VENT V (VENT)(V) VSAL


14 200 000 1 0.8 1 0.2 1
1.5 V >VSAT( ) > 0.7 V
15 200 000 1 0.8 0.7 0.1 0.7
0.7 V >VSAT( ) > 0.8 V
16 200 000 0.8 0.8 0 0.8
17 200 000 0.8 0.8 0 0.8
18 200 000 0.8 0.8 0 0.8
19 200 000 0.8 0.8 0 0.8

KXYcX*%( MXcfi\jXj`^eX[fj[\^XeXeZ`Xj#mfckXa\j[\\ekiX[XpmfckXa\j[\jXc`[XgXiXleFG8DGZfei\kifXc`d\ekXZ`ee\^Xk`mX#
Zfe]`^liX[fZfdfj\^l`[fi[\mfckXa\%

En un inicio, el voltaje de entrada es 0 V, y en consecuencia asumimos una salida de 0 V. Ahora, se aplica un volta-
je VENT  2 V a la entrada V , y se asume V  0 V. La salida del bloque de suma es de 2 V, resultado de la diferencia
entre VENT y V , como se ilustra en el tiempo 2 de la tabla 3.1; de esta manera, el voltaje de salida del bloque de ganan-
cia, G, se encamina hacia el voltaje mximo positivo del amplificador (VSAT ). Pero, qu sucede con la entrada negati-
va (V ) cuando la salida (VSAL) se aproxima, por ejemplo, a 1 V? Correcto! La entrada negativa tambin se aproxima a
1 V. Por tanto, la salida del bloque de suma se va haciendo cada vez ms pequea, como se aprecia en el tiempo 3, de la
tabla. Si la entrada negativa (V ) se hace mayor de 2 V, como ocurre en el tiempo 6, V  2.2 V, entonces la entrada al
bloque de ganancia, G, se har negativa; en consecuencia, obligar a la salida a ir en la direccin negativa. Cuando el
voltaje de salida se encamina de 2.2 V hacia al voltaje negativo mximo (VSAT ), este voltaje empieza a disminuir su va-
lor. Entonces, si por ejemplo disminuye a 1.9 V, este valor proporcionar una salida positiva al bloque sumador de 0.1
V, como se observa en el tiempo 7 de la tabla 3.1, que al multiplicarse por la ganancia, G, hace que la salida se dirija otra
vez hacia el voltaje mximo positivo del amplificador (VSAT ). Cundo se detiene este proceso? Se detendr cuando la
entrada (V ) sea igual a la entrada VENT (V ). En este caso, como la ganancia de lazo cerrado H  1, el voltaje de salida
ser de 2 V. Si el voltaje de entrada, VENT, cambia a 0.8 V, el proceso se repetir, como lo ilustra la figura 3.5.

)%,

(%,
MfckXa\M

( M<EK
MJ8C
'%,

'
' , (' (, )'
'%,
K`\dgfdj

=`^liX*%, MfckXa\j[\\ekiX[Xp[\jXc`[X[\leFG8DZfei\kifXc`d\ekXZ`ee\^Xk`mX#Zfe^XeXeZ`X[\cXqfZ\iiX[f?4(%

En la figura 3.5 tambin se aprecia que el voltaje de salida sigue al voltaje de entrada. Qu tan rpido alcanzar el
voltaje de salida al voltaje de entrada?, esto depender del tipo de amplificador y, ms especficamente, de los compo-
nentes que lo conforman.

86 ELECTRNICA MIJAREZ
3 El mgico amplificador operacional

Por qu es tan importante la retroalimentacin negativa? Recordemos que el objetivo de crear los amplificadores
operacionales fue realizar circuitos amplificadores que no fueran dif ciles de construir.4 As, se concibi la idea de que
deba haber una forma ms fcil de realizar un circuito amplificador. Ahora, vamos a analizar otra vez la ecuacin
bsica de control:

G 1
VSAL  VENT r l VSAL VENT
1 G * H H
Hemos visto que el voltaje de entrada, VENT, depende del valor de H; por ejemplo, si H  1/100, entonces tendre-
mos una amplificacin de la entrada de 100.

1
VSAL  VENT r 1 l VSAL  VENT r 100 (3.5)
100

La pregunta sera, entonces, cmo llevamos a cabo esto. Si recordamos el comportamiento del humilde circuito
divisor de voltaje, que vimos en el captulo 0, veremos que este circuito sera muy til aqu, ya que se desea que H sea
equivalente a dividir entre 100. Entonces, vamos a insertar un circuito divisor de voltaje en lugar de H, como se mues-
tra en la figura 3.6.

<ekiX[Xef$`em\ijfiX " MJ8C

M 

II<KIF
I<EK

=`^liX*%- ;`m`jfi[\mfckXa\ljX[fZfdfi\kifXc`d\ekXZ`ee\^Xk`mX%

En la figura 3.6 se observa que la entrada del divisor de voltaje proviene de la salida del OP AMP, VSAL, y que la
salida del divisor de voltaje va hacia la entrada inversora del OP AMP. El divisor de voltaje se ver afectado por la en-
trada inversora del OP AMP? Esto es una de las confusiones de muchos estudiantes al tratar de analizar circuitos con
OP AMP. Por supuesto que no, ya que la entrada presenta una impedancia muy alta. Entonces, si V no afecta en el
divisor de voltaje, y VSAL se considera como una fuente de voltaje, vamos a calcular la salida del divisor de voltaje:

V RENT
V V RENT l  H (3.6)
SAL VSAL RENT RRETRO
RENT RRETRO

Sin embargo, para nuestra retroalimentacin requerimos 1/H; por tanto:

1 RENT RRETRO 1 RRETRO


 l  1 (3.7)
H RENT H RENT

4
Hasta la invencin de los OP AMP, los circuitos de amplificacin estaban limitados a usar transistores. El problema con los transistores usa-
dos como amplificadores, y la razn principal por la cual no los analizamos de esa manera en el captulo 2, es que son dispositivos operados con
corriente, por lo que siempre afectan la seal del circuito que el diseador desea amplificar, cargando el circuito. Adems, debido a la tolerancia
de fabricacin de los transistores, la ganancia de los transistores poda variar significativamente. En definitiva, disear circuitos amplificadores
era un proceso tedioso que involucraba mucho trabajo de prueba y error. Lo que se quera era un circuito que requiriera pocos componentes
externos, al cual se le aplicara una seal y esta se pudiera multiplicar por un valor deseado. En conclusin, que la operacin de amplificacin (OP
AMP) fuera sencilla.

grupo editorial patria 87


3 El mgico amplificador operacional

Considerando ahora que tenemos el caso especial de retroalimentacin negativa, podemos asumir que los voltajes
de la terminal no inversora, V , y la terminal inversora, V , son iguales (V  V ). Como ya aprendimos, lo anterior
se debe a que la retroalimentacin negativa hace que el voltaje de salida intente alcanzar ese estado. Entonces, si a la
entrada no-inversora, V , se le conecta el voltaje de entrada, VENT, que queremos amplificar, tenemos que VENT  V ,
y la ecuacin 3.6 puede escribirse como:
VENT RENT
VENT  V RENT l  (3.8)
SAL VSAL RENT RRETRO
RENT RRETRO

Pero, lo que en realidad nos interesa saber es el efecto de este circuito en VENT para obtener VSAL. En otras pala-
bras, lo que nos incumbe conocer es VSAL cuando se aplica VENT.
Por tanto,
VSAL RRETRO
VSAL  V RENT RRETRO l  1 (3.9)
ENT VENT RENT
RENT

Se puede observar, de la ecuacin 3.9, que la ganancia de lazo cerrado de este circuito, 1/H, es controlada por un
par de resistencias. Obviamente, podemos observar que el clculo de estas resistencias para producir la ganancia del
circuito es mucho ms sencillo que utilizar circuitos de amplificacin basados en transistores discretos.
Ahora que hemos visto el concepto de retroalimentacin negativa y la teora que soporta los OP AMP, nos dispo-
nemos a analizar una de las etapas internas de los OP AMP que provee muchas de sus caractersticas elctricas de CD
y CA: la etapa de entrada, compuesta por los amplificadores diferenciales.

AMPLIFICADORES DIFERENCIALES

La etapa de entrada estndar de un OP AMP se llama par diferencial, o amplificador diferencial, y consiste de un par
de transistores NPN o PNP.5 La forma ms comn de un amplificador diferencial posee dos entradas y una salida,
como se muestra en la figura 3.7 a).
"M::

"M::

I:

I:
MJ8C

MJ8C

M( H( H) M( H( H)
Ef @em\ijfiX M)4'M
`em\ijfiX Ef
I< `em\ijfiX I<

M::
M::

 X Y

=`^liX*%. 8dgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc%X :`iZl`kfZfek\id`eXc\j`em\ijfiXpef$`em\ijfiX%Y K\id`eXc`em\ijfiXXk\ii`qX[X#


j\XcXgc`ZX[X\ek\id`eXcef$`em\ijfiX#M(pMJ8C#\e]Xj\%

5
A los OP AMP que utilizan transistores JFET en la construccin del amplificador diferencial de entrada y transistores BJT en las otras etapas, se
les llama OP AMP bi-FET.

88 ELECTRNICA MIJAREZ
3 El mgico amplificador operacional

La base de Q1 se llama entrada no-inversora y la base de Q2 es la entrada inversora; la salida se toma del colector
de Q2. En este ejemplo, al voltaje aplicado a la entrada no-inversora se le designa V1, y al aplicado a la entrada inverso-
ra se le llama V2. El voltaje de salida para el amplificador diferencial se obtiene con la ecuacin 3.10:

VSAL  Ad (V1 V2 ) (3.10)

Donde Ad representa la ganancia de voltaje diferencial.


De forma cualitativa, podemos apreciar que si las bases de Q1 y Q2 son aterrizadas, el voltaje de salida ser el vol-
taje del colector VC. Si la base de Q2 se aterriza y se aplica una seal, V1, en la base de Q1, como se muestra en la figura
3.7 b), el voltaje de salida VSAL y el voltaje de entrada, V1, estarn en fase. Por otro lado, la figura 3.8 a) muestra el caso
cuando Q1 se aterriza y se aplica una seal, V2, en la entrada de Q2. Para esta condicin, las seales de salida VSAL y de
entrada V2 se encuentran fuera de fase 180. Por ltimo, la figura 3.8 b) muestra la condicin en la cual se aplica una
seal a ambas entradas simultneamente. En este caso en particular, las seales aplicadas, V1 y V2, se encuentran des-
fasadas 180; en esta condicin, podemos observar que el voltaje de salida se encuentra en fase con V1.

"M:: "M::

I: I:

MJ8C MJ8C
FM
@em\ijfiX
H( H) M) M( H( H)
M)

I< I<

M:: M::

 X Y

=`^liX*%/ 8dgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc%X K\id`eXcef$`em\ijfiXXk\ii`qX[X#j\XcXgc`ZX[X\ek\id`eXc`em\ijfiX#M)pMJ8C]l\iX[\]Xj\(/'%


Y J\Xc\jXgc`ZX[XjXXdYXjk\id`eXc\j[\\ekiX[X%

ANLISIS DE CD/CA Y GANANCIAS DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

Anlisis de CD

Para realizar el anlisis de CD del par diferencial, vamos a utilizar el circuito mostrado en la figura 3.9. La figura 3.9 a)
muestra el amplificador diferencial con ambas bases aterrizadas a travs de las resistencias RB1 y RB2 . Cada base debe
tener una trayectoria de retorno de CD a tierra; de otro modo, los transistores estaran con sus bases abiertas, dejando
a los transistores en estado de corte.
En condiciones ideales, Q1 y Q2 son idnticos o perfectamente igualados, condicin que consideraremos para el
anlisis de este circuito.
La corriente de CD que pasa a travs del emisor, RE, con frecuencia se llama corriente de cola y, por lo general, se
denomina IT . Tomando en cuenta que Q1 y Q2 estn perfectamente igualados, la corriente IT se divide, en igual pro-
porcin, entre el emisor de cada transistor. La figura 3.9 b) muestra el circuito equivalente donde cada transistor
ilustra sendas resistencias de emisor con valor 2RE. La corriente IE se calcula usando la ecuacin 3.11, y considerando
que el voltaje en la base, VB , de cada transistor es muy pequeo o aproximadamente cero.
VEE VEE
IT  (3.11)
RE

grupo editorial patria 89


3 El mgico amplificador operacional

"M::4(,M "M::4(,M

I:4('b I:4('b
(4)4),'
M:4.%/,M M:4.%/,M

H( '%.M H) H( H)
I9(4(b I9)4(b
I9(4(b )I<4
)I<4)'b )'b
I:4('b

M<<4(,M

M<<4(,M

=`^liX*%0 8e}c`j`j[\:;[\cXdgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc%X 8dYXj\ekiX[XjXk\ii`qX[XjXkiXmj[\I9(pI9) %


Y :`iZl`kf\hl`mXc\ek\#dfjkiXe[fI <Zfdf[fji\j`jk\eZ`Xj`e[\g\e[`\ek\j[\mXcfi)I< %

Donde VBE es igual a 0.7 V en las terminales del emisor, como se muestra en la figura 3.9 a). Por tanto, la corrien-
te IT se calcula usando la ecuacin 3.11.

VEE VEE 15 0.7


IT    1.43 mA
RE 10 k

Como la corriente IT  2IE, donde IE es la corriente de emisor en cada transistor, cada transistor tendr una co-
rriente IE  IT/2, IE  1.43 mA/2  715 A. Aunque, la corriente IE tambin puede obtenerse usando la ecuacin 3.12:

VEE VEE
IE  (3.12)
2 RE
Cualquiera de los dos procedimientos produce el mismo resultado.
Por otro lado, el voltaje de colector de CD puede obtenerse usando la ecuacin 3.13:

VC  VCC I C RC (3.13)

Si asumimos que IC IE, podemos obtener el valor de VC usando la ecuacin 3.13:

VC  15 V (715 A r 10 k)  15 V 7.15 V  7.85 V

Este voltaje de VC se obtiene cuando las bases de ambos transistores son aterrizadas y se asume que los transisto-
res estn perfectamente igualados.
Para el clculo de IE, los voltajes de base VB1 y VB2 se asumieron con un valor cercano a cero. Estos valores
de voltaje se pueden corroborar asumiendo una ganancia de CD para ambos transistores, 1  2  450, por lo que
IB  IC  715 A450  1.58 A. Si usamos los valores de RB1  RB2  1 k, podemos calcular los voltajes de base de
la siguiente manera:

VB1  VB2  IE r RE  1.58 A r 1 k  1.58 mV

Debido a que este valor es muy pequeo, normalmente se ignora en los clculos de IE.

90 ELECTRNICA MIJAREZ
3 El mgico amplificador operacional

Anlisis de CA

Para realizar el anlisis de CA del par diferencial, vamos a utilizar la figura 3.10. La figura 3.10 a) muestra una seal de
entrada de CA, V1, aplicada a la base de Q1, mientras Q2 se aterriza.
La figura 3.10 b) ilustra el mismo circuito, pero acomodado de tal forma que se permite apreciar una configura-
cin particular para cada transistor. En este caso, Q1 acta como emisor seguidor y Q2 como amplificador de base
comn. Debido a que ningn transistor tiene inversin de fase, la seal de salida, VSAL , se encuentra en fase con la
seal de entrada, V1. Esta es la razn por la cual a la terminal de la base de Q1 se le llama terminal no-inversora.
"M::4(,M "M::4(,M

I:4('b
I:4('b

MJ8C
MJ8C

,dM
H( H) H(
H)
M(4('dM M(4('dM
I<4('b I<4('b

M::4(,M M::

X Y

=`^liX*%(' 8e}c`j`j[\:8[\cXdgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc%X :`iZl`kffi`^`eXc%Y :`iZl`kfi\[`YlaX[fgXiXXgi\Z`XicXZfe]`^liXZ`e[\H(#


Zfdfj\^l`[fi[\mfckXa\#pH)#ZfdfXdgc`]`ZX[fi[\YXj\Zfde%
Con el objetivo de visualizar el comportamiento de CA del circuito de la figura 3.10 a), ahora vamos a hacer uso
de un circuito equivalente de CA de un transistor, el cual est compuesto por una resistencia de CA, denominada
re, de la unin emisor-base, y por una fuente de corriente correspondiente a la unin colector-base. El valor tpico de
la resistencia de CA,6re, es de 25 mV/IE. La figura 3.11 ilustra este circuito equivalente del transistor.7
Con base en el circuito equivalente de CA del transistor, enseguida llevamos a cabo el circuito equivalente de CA
para el amplificador diferencial, como se muestra en la figura 3.12. De este circuito podemos notar que para seales
de CA, las fuentes de alimentacin se aterrizan y que re1 y re2 funcionan como un divisor de voltaje para la entrada,
V1. Asumiendo que Q1 y Q2 son idnticos, la corriente IE1  IE2 , por lo que re1  re2 . Adems, podemos observar que
re2 se encuentra en paralelo con RE; pero como RE>>re2 , entonces podemos ignorar el efecto de RE en este circuito, lo
cual nos lleva al circuito equivalente mostrado en la figura 3.12 b), donde se omite RE.
En la figura 3.12 b) es posible observar que el voltaje de salida es iCRC , y que el voltaje de entrada est dado por
2iC re. Por tanto, la ganancia Ad est dada por la ecuacin 3.14:
VSAL iC RC RC
Ad    (3.14)
VENT 2iC re 2re
Un anlisis similar se obtiene cuando se aterriza la seal no-inversora y se aplica seal a la entrada inversora. La
ecuacin 3.15 muestra cmo se obtiene la ganancia Ad en esta condicin:
RC
Ad  (3.15)
2re
En esta ecuacin, el signo negativo ( ) indica que la seal de salida invierte la fase 180.

6
La derivacin del valor de re es larga e involucra el empleo de clculo, que va ms all del alcance de este libro. En la prctica, el valor de re va de
25 mV/IE a 50 mV/IE .
7
Adicionalmente al circuito equivalente del transistor mostrado en la figura 3.5, existen otros circuitos equivalentes ms exactos que incluyen la
resistencia interna de baserb, y la resistencia interna de la fuente de corriente de colector, rc. Estos modelos se usan cuando se requieren respues-
tas muy precisas.

grupo editorial patria 91


3 El mgico amplificador operacional

"M::

I:

:fcc\Zkfik\id`eXc:

9Xj\k\id`eXc
9

i:i\gi\j\ekjk_\XZ
i: i\j`jk\eZ\f]k_\\d`kk\i
[`f[\

<d`jfik\id`eXc<

I:

=`^liX*%(( :`iZl`kf\hl`mXc\ek\[\:8gXiXlekiXej`jkfi#\cZlXcdl\jkiXcXi\j`jk\eZ`X[\:8#[\efd`eX[Xi\#gXiXle`e\d`jfi$YXj\#
pleX]l\ek\[\Zfii`\ek\Zfii\jgfe[`\ek\XcXle`eYXj\$Zfc\Zkfi%

M::

I:4('b I:4('b
@<( @<)

MJ8C MJ8C

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M(4 M(4
('dM I< ('dM I<

X Y

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Y :`iZl`kf\hl`mXc\ek\[\:8ZfeI<\oZcl`[X#pXhl\)I<i\) %

Ganancia de voltaje diferencial, A d

Cuando los voltajes V1 y V2 se aplican simultneamente, el voltaje de salida se encuentra determinado por la ecua-
cin 3.16:

RC
VSAL  (V1 V2 ) (3.16)
2re

Donde RC2re es la ganancia de voltaje diferencial, Ad.


Si V1 y V2 son iguales, esto es V1 V2  0, el voltaje de salida es idealmente de 7.85 V.

92 ELECTRNICA MIJAREZ
3 El mgico amplificador operacional

Ganancia de voltaje de modo comn, ACM

La ganancia de modo comn, ACM , en un amplificador diferencial asume que las seales aplicadas a cada base de los
transistores de entrada son exactamente iguales tanto en fase como en amplitud, de ah su nombre de entrada de modo
comn. Para obtener la ganancia ACM , vamos a utilizar el circuito de la figura 3.13 a), el cual muestra un amplificador
diferencial con seales de modo comn aplicadas a sus entradas. Dado que las corrientes de emisor de CD son iguales,
RE puede dividirse en dos resistencias por separado, cada una de valor 2RE, como se muestra en la figura 3.13 b).

"M::4(,M "M::4(,M

I:4('b I:4('b

MJ8C

H( H) H( H)
M<EK M<EK M<EK M<EK
)I<4)'b )I<4
)'b
I<4('b

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X Y
I:4('b
@ MJ8C

)I<4)'b )I<4
)'b

=`^liX*%(* 8dgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`XcZfeleX\ekiX[X[\df[fZfde%X :`iZl`kf%Y :`iZl`kf\hl`mXc\ek\gXiX:;%Z :`iZl`kf\hl`mXc\ek\gXiX:8%

En tanto, el circuito equivalente para CA se ilustra en la figura 3.13 c). De acuerdo con este circuito, el voltaje de
salida es igual a VSAL  iC RC; mientras que el voltaje de entrada es igual a VENT(CM)  iC(re 2RE). Por tanto, la ganancia
de modo comn, ACM , se obtiene por la ecuacin 3.17:
iC RC RC
ACM   (3.17)
iC (re 2 RE ) (re 2 RE )
En la mayora de los casos, re<<RE, por lo que la ecuacin se reduce a la ecuacin 3.18:
RC
ACM  (3.18)
2 RE

Razn de rechazo de modo comn (CMRR)

Otro parmetro importante de los amplificadores diferenciales es la Razn de Rechazo de Modo Comn (CMRR, por
sus siglas en ingls). La CMRR se define como la razn entre la ganancia de modo diferencial, Ad, y la ganancia de
voltaje de modo comn, ACM, tal y como se indica en la ecuacin 3.19:

grupo editorial patria 93


3 El mgico amplificador operacional

Ad
CMRR  (3.19)
ACM
Entre ms alto es el valor de la CMRR, mejor es el amplificador diferencial. Una forma ms frecuente de especifi-
car la CMRR es en decibeles:

CMRR  20log Ad
(3.20)
ACM
Como ejemplo del clculo de parmetros importantes del amplificador diferencial, vamos a utilizar el circuito de
la figura 3.10 a), el cual tiene como entrada una seal de voltaje CA de 10 mVPP . Se requiere calcular la ganancia
de voltaje de modo diferencial, Ad , el voltaje de CA de salida, la CMRR en decibeles y la ganancia de voltaje de modo
comn, ACM .
Para ello, primero calculamos el valor de la resistencia interna de emisor, re. Puesto que previamente obtuvimos
el valor de IE  715 A, y sabemos la relacin que esta mantiene con IE , tenemos que:
25mV 25mV
re    35
IE 715A

Una vez calculado el valor de re, podemos obtener Ad :

RC 10k
Ad    142.85
2re 70

Con el valor de la ganancia, ahora podemos calcular el voltaje de salida de CA:

VSAL  Ad r VENT  142.85 r 10mVPP  1.42VPP

Para obtener la CMRR, requerimos la Ad, que previamente calculamos, y la ACM. Por tanto, primero debemos
calcular la ACM, la cual se obtiene usando la ecuacin 3.18:

RC 10k7
ACM    0.5
2 RE 20k7
Una vez que se tiene el valor de ACM y el valor de Ad , podemos calcular la CMRR usando la ecuacin 3.20:

CMRR  20log Ad 85
 20log142 .5  20log(285.7)  49.1dB
ACM 0
De esta forma, un valor de 49.1 dB significa que la salida correspondiente a la seal de entrada diferencial es 285.7
veces mayor que la salida debida a la seal de entrada de modo comn. Entonces, como mencionamos antes, entre ms
alto es el valor de la CMRR mejor es el amplificador diferencial. Esto es importante porque el ruido, que por lo general
es comn a ambas entradas y no deseado, ser amplificado mucho menos que las seales que queremos amplificar.
Ahora que hemos estudiado los conceptos generales de la retroalimentacin, la teora en que se sustentan los OP
AMP y los rasgos distintivos y parmetros importantes de los amplificadores diferenciales, procederemos a ver al
amplificador operacional y sus caractersticas principales.

EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL Y SUS CARACTERSTICAS PRINCIPALES

En la actualidad existen, literalmente, cientos de amplificadores operacionales disponibles en el mercado, con de-
sempeo y caractersticas elctricas variadas.8 Uno de los primeros OP AMP que utilic al salir de la universidad,

8
Robert Widlar (1937-1991) es considerado el primer diseador del OP AMP monoltico en estado slido. Widlar propuso que los CI no fueran
diseados como circuitos convencionales, usando componentes discretos. Para eso, desarroll una metodologa para hacer resistencias con
transistores, que culmin con el primer CI lineal en 1963, denominado uA702, y fabricado por Fairchild Semiconductors. A pesar de ciertas

94 ELECTRNICA MIJAREZ
3 El mgico amplificador operacional

originalmente introducido por National Semiconductors, es el LF411. El LF411 es un OP AMP muy completo que he
utilizado como caballito de batalla; sin embargo, desde hace varias dcadas el OP AMP de entrada BJT, denominado
741, se ha convertido en un estndar para la industria. El 741 es elaborado por diferentes fabricantes, siendo los n-
meros de parte ms populares: el AD741, el LM741, el NE741 y el uA741. Todos estos OP AMP se consideran equi-
valentes, ya que sus especificaciones son casi idnticas. Por tal razn, en esta seccin adoptaremos el 741 como
nuestro OP AMP estndar, adems de que lo recomendamos como un buen punto de inicio para sus diseos; sin
embargo, cuando sea necesario haremos comparaciones de desempeo con el OP AMP 411 de entrada FET.
El OP AMP 741, como muchos otros OP AMPs, est contenido en un popular CI de 8 terminales, conocido
como mini DIP (Dual In-Line Package). La figura 3.14 muestra la distribucin de pines y el empaquetado DIP del OP
AMP 741.

* (
( m`jkXjlg\i`fi /
/

&?
,)
69 ) .

* -

+ ,

=`^liX*%(+ <dgXhl\kX[f;@G[\cFG8DG.+(p[`jki`YlZ`e[\g`e\j%

Internamente, el OP AMP 741 est compuesto por transistores, diodos, resistencias y capacitores, como se ilustra
en la figura 3.15.

"M::

;) ;*
H. H-
H/

I) I* ;+
M<<::
;,
M<< H0
"
Md ::
"M::
H( H)

H+

H* H,
;(
I(
M::

=`^liX*%(, :fdgfj`Z`e`ek\ieX[\cFG8DG.+(%

En la figura 3.15 podemos reconocer a nuestro conocido amplificador diferencial; de este circuito, podemos obser-
var que las bases de Q1 y Q2 se conectan a las terminales del CI, que sirven como entradas del OP AMP. Este circuito

imperfecciones, este OP AMP fue un xito comercial y se venda por aproximadamente 300 dlares. En 1966, Widlar se uni a la compaa
NationalSemiconductors, donde tuvo un trabajo muy exitoso. Continu haciendo mejoras al OP AMP, como mejor ganancia, mayor ancho de
banda, menor corriente de entrada, etc. El xito de los OP AMP, asociado con una alta demanda en la produccin de los mismos, caus que para
1969 los OP AMP se vendieran por alrededor de 2 dlares. En la actualidad, adems de tener un uso muy extendido, los OP AMP son muy
costeables, con precios de ventas menores a 1 dlar.

grupo editorial patria 95


3 El mgico amplificador operacional

se usa porque amplifica la diferencia de voltaje entre sus dos entradas. La salida del OP AMP es tomada de los emiso-
res correspondientes a los transistores Q8 y Q9. Estos transistores se conectan en una configuracin llamada push-pull,
en la cual Q8 conduce durante el semi-ciclo positivo de la forma de onda de salida, y Q9 conduce durante el semi-ciclo
negativo. La configuracin push-pull le permite al OP AMP tener una impedancia de salida muy baja, lo cual es an-
logo a tener una fuente de voltaje con una resistencia interna muy baja.
Es importante hacer notar que el OP AMP es directamente acoplado. Esto significa que la salida de una etapa se
conecta de forma directa a la entrada de la siguiente, sin usar capacitores o transformadores para aislar los voltajes de
CD de cada etapa. Por esta razn, el OP AMP puede amplificar seales de CD. El capacitor CC, usado entre etapas, se
denomina de compensacin, y tiene un valor aproximado de 30 pF. Este capacitor afecta la operacin del OP AMP a
altas frecuencias, pero se usa para prevenir oscilaciones no deseadas. El capacitor CC tambin produce una distorsin
en el SlewRate, pero este tema lo discutimos cuando analizamos las caractersticas ms importantes de los OP AMP.
Antes de analizar las caractersticas reales del OP AMP, a continuacin listamos las caractersticas ideales de su
desempeo:
1. Ganancia de voltaje de lazo abierto AVOL  infinita.
2. VSAL  0, cuando ambas entradas estn al mismo voltaje (voltaje de offset  cero).
3. Impedancia de entrada, ZENT  infinita.
4. Impedancia de salida, de lazo abierto, ZSAL  cero.
5. Respuesta a la frecuencia uniforme y ancho de banda desde CD hasta infinito.
6. La salida puede cambiar instantneamente (slew rate  infinito).
7. Costo tiende a cero.
Todas estas caractersticas ideales son independientes de los cambios en la temperatura y en la fuente de alimen-
tacin. La figura 3.16 modela las caractersticas ideales del OP AMP.

"M::


Q<E 8MFC
M[
QJ8C
M( "
MJ8C
M::
M)

=`^liX*%(- Df[\cf[\cFG8DG`[\Xc%

Los OP AMP reales no alcanzan el desempeo ideal; no obstante, parten de estas caractersticas en varias formas,
como vemos a continuacin.

Ganancia de voltaje de lazo abierto, AVOL

La ganancia de voltaje de lazo abierto, AVOL , de un OP AMP es la ganancia de voltaje cuando no existe retroalimenta-
cin negativa. Esta ganancia se encuentra dividiendo el voltaje de salida, VSAL , entre el voltaje de entrada diferencial,
VED , como lo muestra la ecuacin 3.21.

VSAL
AVOL  (3.21)
VED
Un valor tpico de AVOL para el OP AMP 741 es de 200 000, como se ilustra en la figura 3.17 a). Es importante
hacer notar que nicamente el voltaje de entrada diferencial, VED  V1 V2 , es amplificado, y no los valores individua-
les de V1 y V2 .

96 ELECTRNICA MIJAREZ
3 El mgico amplificador operacional

"M:: "(,M

M( M(
" "
M<;4M(M) 8MFC4)''''' MJ8C4M<;8MFC M<;4,'M 8MFC4)''''' MJ8C4('M
M) M)

M:: (,M
X Y

"(,M "(,M

M(4(M M(4000%0,M
" " "
M<;4,'M M 4000%0,M 8MFC4)''''' MJ8C4"('M M<;4,'M 8MFC4)''''' MJ8C4('M
) M)4(M

(,M (,M
Z [

=`^liX*%(. FG8DGZfe]`^liX[fgXiXXdgc`]`ZXilemXcfig\hl\f\ejlj\ekiX[Xj#M<;#gfilemXcfidlpXckf[\^XeXeZ`X8MFC %

Como ejemplo numrico, asumimos una entrada pequea de VED  5 V y AVOL  200 000. Por tanto, el voltaje
de salida estar definido por la ecuacin 3.22:

VSAL  AVOL r VED  200 000 r o 0.5V  o10V (3.22)

El VSAL  10 V, como lo podemos apreciar en la figura 3.17 b). VSAL es positivo cuando la entrada no inversora
( ) es positiva con respecto a la entrada inversora ( ), y VSAL es negativo cuando la entrada no inversora ( ) es negati-
va con respecto a la entrada inversora ( ).
Si ahora asumimos que V1  1 V y V2  999.95 V, como se muestra en la figura 3.17 c), el VSAL se puede calcular,
simplemente, multiplicando el VED por AVOL. Entonces, primero obtenemos VED  V1 V2  1 000 V 999.95 V 
50 V, y posteriormente calculamos VSAL usando la ecuacin 3.22:

VSAL  AVOL r VED  200 000 r 0.5V  10V

En esta ecuacin podemos observar que V1 es mayor que V2, por tal razn el voltaje de salida es positivo.
En la figura 3.17 d) invertimos los valores en V1 y V2 . Aqu V1 es negativo con respecto a V2 . Entonces, VED 
V1 V2  999.95 V 1 000 V  50 V. Para obtener el VSAL usamos la misma ecuacin anterior.

VSAL  AVOL r VED  200 000 r 0.5V  10V

Los lmites mximos positivo y negativo del voltaje de salida, VSAL, se denominan voltajes de saturacin positiva,
VSAT, y saturacin negativa, VSAT, respectivamente. Por lo general, los voltajes de saturacin tienen un valor de 2 V
menor que los voltajes de alimentacin, VCC. Si, por ejemplo, los voltajes de alimentacin son VCC  15 V, los vol-
tajes de saturacin, VSAT, sern 13 V. Por tanto, el voltaje de entrada diferencial, VED , requerido para obtener los vol-
tajes de saturacin se puede obtener de la siguiente forma:

oVSAT o13 V
oVED    o 65V
AVOL 200 000

Un punto importante de mencionar es que si el VSAL se encuentra entre VSAT , significa que el voltaje de entrada
diferencial, VED , es muy pequeo y para fines prcticos se considera que es cero volts.9

9
De manera prctica, es dif cil medir en el laboratorio voltajes menores a los 50 V, debido a los ruidos inducidos.

grupo editorial patria 97


3 El mgico amplificador operacional

Corrientes de polarizacin de las entradas

Las terminales de entrada del OP AMP requieren una pequea corriente llamada corriente de polarizacin, IB. De
hecho, son las bases de los transistores Q1 y Q2 las que sirven como estas entradas y deben ser polarizadas correcta-
mente antes de intentar amplificar cualquier seal de voltaje de entrada. Para esto, Q1 y Q2 deben tener una trayectoria
externa de CD de regreso a la tierra de la fuente de alimentacin. La figura 3.18 muestra la direccin del flujo de co-
rriente de las terminales inversora y no-inversora cuando son aterrizadas.

"M::

@9

@9" .+( MJ8C
"

M::

=`^liX*%(/ :fii`\ek\j[\gfcXi`qXZ`e[\\ekiX[X[\cFG8DG%

En la figura 3.18 se designa como IB a la corriente que fluye de la terminal inversora y como IB a la corriente que
fluye de la terminal no-inversora. Para el OP AMP 741, estas corrientes son muy pequeas, del orden de los nanoam-
peres, generalmente 80 r 109 A, o menos, a temperatura ambiente.10
Los fabricantes especifican la corriente IB como el promedio de las dos corrientes, IB e IB , como se muestra en la
ecuacin 3.23:
/ I B+ / / I B /
IB  (3.23)
2
Donde el smbolo / / significa nicamente la magnitud, sin considerar la polaridad. Los valores de IB e IB po-
dran ser diferentes, ya que es muy dif cil tener dos transistores idnticos. A la diferencia entre estas dos corrientes se
le denomina, elegantemente, como corriente de offset, IOS, la cual puede expresarse por la ecuacin 3.24:

I OS  / I B / / I B / (3.24)

Para el OP AMP 741, la corriente IOS es tpicamente de 20 A.


Los valores de IB e IB son tan pequeos que en muchos anlisis de la operacin de los circuitos se consideran
cero. No obstante, en aplicaciones de alta precisin, los valores de estas corrientes tienen que tomarse en conside-
racin.
La importancia de las corrientes IB radica en que estas causan una cada de voltaje en las resistencias de la malla
de retroalimentacin, la malla de polarizacin o en la impedancia de la fuente.

Voltajes de entrada de offset


Por lo general, los primeros parmetros que se encuentran en las hojas de datos de los fabricantes, donde se especifi-
can las caractersticas de entrada de CD de los OP AMP, son las corrientes de polarizacin y las corrientes de offset,
que acabamos de describir, junto con el voltaje de offset y la deriva (dift) de offset. El valor de estos parmetros est
determinado por la etapa de entrada constituida por nuestro viejo amigo el par o amplificador diferencial.
El voltaje de offset, VOS, se define como el voltaje que debe ser aplicado a la entrada, de tal forma que el voltaje de
salida sea cero. En un mundo ideal, los transistores y las resistencias que conforman el amplificador diferencial son
idnticos, con lo cual se puede obtener un VOS  0 V. Sin embargo, a pesar de los esfuerzos de los diseadores de OP

10
Para OP AMP con entrada JFET, como el 411, la corriente IB es tpicamente de 50 Pa, a temperatura ambiente, y hasta 2 A a 70 C. Por lo gene-
ral, las corrientes IB se ignoran para transistores JFET, pero no para OP AMP con entradas bipolares.

98 ELECTRNICA MIJAREZ
3 El mgico amplificador operacional

AMP para hacer los transistores idnticos, siempre hay pequeas diferencias. Si se conectan las entradas a un mismo
voltaje, por ejemplo a tierra, la salida se saturar a VCC o VCC, y no se puede predecir a cul. La diferencia en los vol-
tajes de entrada necesaria para hacer que el voltaje VSAL sea cero es el VOS. El VOS se puede modelar como si hubiera
una batera conectada en serie con una de sus entradas como se muestra en la figura 3.19.

M::

MJ8C

"
MFJ Gfk

M::

=`^liX*%(0 MFJdf[\cX[fZfdfleXYXk\iXZfe\ZkX[XXcX\ekiX[Xef$`em\ijfiX%

Los OP AMP, por lo general, tienen dos entradas para reducir el VOS a cero, mediante un potencimetro, co-
mnmente de 10 k, como se ilustra en la figura 3.19. Para el 741, el mximo VOS es 4 V, mientras que para el 411
es 2 V.
Un parmetro de mayor importancia para aplicaciones de precisin es la deriva (dift) del VOS con la temperatura
y el tiempo, ya que inicialmente el VOS puede ajustarse a cero. Esta deriva es ocasionada por la cada de voltaje de la
unin p-n polarizada directamente, correspondiente a la unin base-emisor de los transistores de la etapa de entrada,
la cual cambia con la temperatura. Por desgracia, cada transistor cambia en forma ligeramente diferente, por ende el
VOS cambia con la temperatura. Esta deriva del VOS se especifica en las hojas de datos en V/C. Por ejemplo, para
el 741 este parmetro es de 15 V/C y para el 411 de 7 V/C.
A diferencia de los OP AMP 741 y 411, que no proporcionan la deriva por envejecimiento, los OP AMP de preci-
sin, como el OP-77, especifican, adems del voltaje de offset, 10 V, y la deriva de voltaje de offset, 0.2 V/C, la de-
riva por envejecimiento, que para este OP AMP es de 0.2 V/mes. Esto significa que la variacin del VOS por
envejecimiento sera nicamente de 48 V en 20 aos!

Impedancia de entrada
La impedancia de entrada, ZENT, se refiere a la resistencia de entrada diferencial; esta es la impedancia viendo hacia
una entrada con la otra entrada aterrizada. La ZENT ideal tiene un valor infinito, en consecuencia, la corriente de en-
trada es cero. Sin embargo, para OP AMP reales de entrada BJT, como el 741, la impedancia de entrada es aproxima-
damente 2 M, mientras que para los OP AMP de entrada FET, como el 411, es aproximadamente de 1012 ohms.
Debido al efecto de la retroalimentacin negativa, que intenta mantener ambas entradas al mismo voltaje, eliminando
la mayor parte de la entrada diferencial, la ZENT presenta, en la prctica, valores muy altos, y normalmente se le consi-
dera un parmetro de menos importancia que la corriente de polarizacin IB.
Del ejemplo anterior, vimos que si tenemos un OP AMP con voltajes de saturacin VSAT  13 V y una
oVSAT o13 V
AVOL  200 000, el voltaje de entrada diferencial oVED    o65V . Si la impedancia de entrada
AVOL 200000
ZENT  100 k, cul ser la corriente de entrada al inicio de la saturacin? Bien, vamos a asumir que la corriente de
entrada, IENT, es la corriente que entra a la terminal no-inversora de un OP AMP en configuracin de lazo abierto,
entonces:
VED 65V
I ENT    650pA
ZENT 100k7
Como sabemos, con la retroalimentacin negativa, las caractersticas de los circuitos OP AMP dependen de los
elementos externos.

Impedancia de salida: oscilacin de salida vs. resistencia de carga


La impedancia de salida, ZO, es la resistencia intrnseca de salida del OP AMP. La ZO ideal es cero; en consecuencia, la
oscilacin del voltaje de salida es independiente de la carga, RL. No obstante, para OP AMP comerciales, como el 411,

grupo editorial patria 99


3 El mgico amplificador operacional

es aproximadamente 40 , y para el 741, tpicamente, es de 100 ; para algunos OP AMP de baja potencia puede
llegar a ser de vario miles de ohms.
La retroalimentacin negativa reduce el valor de ZO a valores realmente insignificantes, o los eleva para el caso de
fuentes de corriente. Por tanto, lo que realmente tiene importancia es su mxima capacidad de corriente de salida, la
cual, generalmente, tiene valores tpicos de 20 mA. Esto es proporcionado por los fabricantes en sus hojas de datos,
como una grfica de voltaje de oscilacin de salida vs. impedancia de carga, como se muestra en la figura 3.20 para el
OP AMP 741.

)/
)- MJ4(,M
K84"),:

MfckXa\[\fjZ`cXZ`e[\jXc`[XMgg
)+
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)'
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'%(  '%)   '%,  (%'  )%'   ,%'  ('
@dg\[XeZ`X[\ZXi^Xb

=`^liX*%)' MfckXa\[\fjZ`cXZ`e[\jXc`[Xmj%`dg\[XeZ`X[\ZXi^X%

Para algunos OP AMP su capacidad de salida es asimtrica, es decir, pueden recibir (sink) ms corriente que la
que pueden proporcionar (source), o viceversa. De la figura 3.20, podemos apreciar que para una impedancia de carga
de 1 k, el voltaje de oscilacin es aproximadamente 24 Vpp, si el OP AMP se alimenta con 15 V. Impedancias de
carga menores a 1 k, reducirn de manera significativa su voltaje de oscilacin. Algunos OP AMP, como el LM358,
permiten oscilaciones que cubren sus fuentes de alimentacin, caracterstica muy til cuando se usan OP AMP con
una sola fuente de alimentacin, ya que la oscilacin puede ser desde tierra hasta el voltaje positivo de la fuente.

Respuesta a la frecuencia

En el dominio de la frecuencia, la ganancia de lazo abierto del OP AMP ideal sera infinita desde cero o CD hasta
cualquier frecuencia, y el ancho de banda tambin sera infinito.11 Sin embargo, en la prctica, la mayora de los OP
AMP operan relativamente con bajas frecuencias. Para el OP AMP 741, por ejemplo, la ganancia de lazo abierto
AVOL  200 000 frecuencias debajo de 10 Hz, como se muestra en la figura 3.21.
No obstante, a 10 Hz, AVOL se reduce al 70.7 de su valor mximo; para este OP AMP, el valor de AVOL  141 400 a
10 Hz. A esta frecuencia se le designa fOL , frecuencia de corte de ganancia de lazo abierto. Cuando la frecuencia se
incrementa arriba del valor de fOL , la ganancia decrece por un factor de 10 por cada dcada que se incrementa la fre-
cuencia. Esto equivale a decir que AVOL decrece 20 dB/dcada.12 Esta reduccin en AVOL a altas frecuencias es causada

11
La respuesta de frecuencia es una representacin de la respuesta de un sistema a entradas sinusoidales a distintas frecuencias. Esta salida ser
tambin una onda sinusoidal con diferente fase y magnitud. Una forma de representar grficamente la respuesta en frecuencia de un sistema, es
a travs del uso de los diagramas de Bode. Normalmente, estos diagramas constan de dos grficas separadas, una que corresponde a la magnitud
de dicha funcin y otra que corresponde a la fase. Recibe su nombre del cientfico que lo desarroll, Hendrik Wade Bode.
12
El decibel, dB, es una unidad logartmica que constituye la dcima parte de un bel, que es en realidad la unidad, aunque en la prctica el
bel no se utiliza por ser demasiado grande. El bel recibi este nombre en honor de Alexander Graham Bell, tradicionalmente considerado
el inventor del telfono. El dB es una unidad de medida sin dimensiones y relativa (no absoluta), la cual es utilizada para facilitar el clculo
y la realizacin de grficas en escalas reducidas. El dB relaciona la potencia de entrada, PE, y la potencia de salida, PS, en un circuito, a

100 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

)''''' ]FC

>XeXeZ`X[\mfckXa\[\cXqfXY`\ikf#8MFC
(''''' 8MFC4(+(+''X]FC

(''''

('''

(''

('

(
(?q ('?q (''?q (b?q ('b?q (''b?q (D?q
=i\Zl\eZ`X

=`^liX*%)( :limX[\i\jgl\jkXXcX]i\Zl\eZ`Xmj%^XeXeZ`X[\mfckXa\8MFC%

por el capacitor interno CC. A la frecuencia en la que AVOL  1 se le denomina frecuencia unitaria, funitaria. Para el 741,
la funitaria es aproximadamente 1 MHz.

SLEW RATE

Otra especificacin muy importante de los OP AMP es el Slew rate, designado como SR. El SR nos indica qu tan r-
pido puede cambiar el voltaje de salida de un OP AMP con respecto al tiempo, y se especifica en volts/s. Los OP
AMP de baja potencia, generalmente, tienen SR de 1 V/s, mientras que los OP AMP de alta-velocidad pueden tener
SR de 100 V/s o hasta 6 000 V/s, como el LH0063C. Para el 741, el SR es 0.5 V/s. Esto significa que no importa qu
tan rpido cambie el voltaje de entrada, el voltaje de salida puede cambiar nicamente 0.5 V/s. Para ilustrar este
concepto usaremos la figura 3.22.

"
.+( MJ8C
M
"('M

M4,M

M4'%,M
"(M

'*'

=`^liX*%)) FG8DGZfeleXj\Xc[\\ekiX[Xj`eljf`[Xc#]fidX[\fe[X8#pleXj\Xc[\jXc`[Xj`eljf`[Xc#]fidX[\fe[X9%8dYXjj\Xc\j
Zl\ekXeZfecXd`jdX]i\Zl\eZ`X#g\if[`]\i\ek\jg\e[`\ek\j[liXek\cXjXck\ieXZ`fe\jgfj`k`mXjpe\^Xk`mXj%

travs de la frmula N ; dB =  10logPS . Puesto que P 


V2
, y p  I 2 R tambin N se puede obtener por
N ; dB =  10log VV  20logV
S

E
S
o
PE R VE
2
N ; dB =  10log  II  20logI . El dB se usa comnmente para medir ganancia positiva o ganancia negativa (una ganancia negativa significa
S

E
S

IE
atenuacin). Por tanto, una reduccin de 10 es igual a N  20 log 10  20 dB.

grupo editorial patria 101


3 El mgico amplificador operacional

En la figura 3.22 se ilustra que el voltaje de salida del OP AMP, forma de onda B, es una versin amplificada de su
entrada sinusoidal, VED , forma de onda A. Sin embargo, si la pendiente de la salida sinusoidal excede el SR del OP AMP,
la seal de salida tendr una forma de onda triangular, como se muestra en la figura 3.23.

;dgbVYZdcYV6
=fidX[\fe[X
G\e[`\ek\5JI \jg\iX[X\ecXjXc`[X

;dgbVYZdcYV7
=fidX[\fe[X[\jXc`[X
ki`Xe^lcXi#i\jlckX[f
[\cX[`jkfij`e[\
JI#[M&[k4'%,M&j

=`^liX*%)* ;`jkfij`e[\cJI[\Y`[fXhl\cXg\e[`\ek\`e`Z`Xc[\cX]fidX[\fe[X[\jXc`[X\oZ\[\
cXj\jg\Z`]`ZXZ`fe\j[\JI[\cFG8DG%

En resumen, la distorsin del SR depende de la amplitud de salida y de la frecuencia, de tal manera que la amplitud
es reducida y la forma de onda distorsionada. Por tanto, la frecuencia mxima a la cual el voltaje de salida oscilar sin
distorsin es igual al mximo slew rate (MSR) que presenta el OP AMP. Entre mayor sea el voltaje de pico de la seal,
VP , a una frecuencia dada, mayor ser la pendiente inicial, como se muestra en la figura 3.23. Por tanto, para una se-
al sinusoidal, la frecuencia mxima de salida sin distorsin de un OP AMP con un SR y un VP dado se obtiene median-
te la ecuacin 3.25:

SR (3.25)
f MX 
2PVP
Por ejemplo, si tenemos un OP AMP con un SR  10 V/s y un VP  5 V, podemos determinar la mxima frecuen-
cia que este OP AMP puede operar sin distorsin, usando la ecuacin 3.26:

V
10
SR s (3.26)
f MX   318 kHZ
2PVP 2P (5 V )

Dicho de otra forma y considerando una seal sinusoidal de frecuencia f (hertz) y una amplitud A (volts), decimos
que esta seal requiere un SR mnimo de 2Af volts/s para oscilar correctamente. Esto es:

VSAL  VP sen 2P f t
dV
 2P f VP cos 2P f t
dt
dV

dt MX
 2P f VP

Para una seal sinusoidal con una frecuencia f  34 kHz y un voltaje de pico VP  14 V, requeriramos un valor
dV 106 V
mnimo de SR  
dt MX
 2P (34 kHz)(14 V) 3 r
s
 3 V/s. Sin embargo, si el OP AMP tiene un SR de 1 V/s

tendramos una distorsin producida por el SR, como se muestra en la figura 3.24.
De lo anterior, podemos observar que la frecuencia mxima de la seal puede ser incrementada si se utiliza un OP
AMP con un SR de mayor valor o aceptando un voltaje de pico de salida de menor valor.

102 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

"(+M

*M&j
]d}o4*+b?q

(M&j
]d}o4((b?q
Jc\niXk\d}o`df
XcZilZ\gfiZ\if
(+M

=`^liX*%)+ ;`jkfij`e[\leXj\Xcj`eljf`[Xc`e[lZ`[Xgfi\cJI[\leFG8DG%

Settling time
Otro aspecto del desempeo de alta frecuencia de un OP AMP es descrito por el parmetro denominado tiempo de
estabilizacin o settling time como comnmente lo especifican las hojas de datos. El settling time indica el tiempo que
toma el OP AMP en estabilizarse en su salida, dentro de una banda de error, considerando una entrada escaln. Por
ejemplo, el 411 especifica un settling time de 2 s a 0.01% de error. La figura 3.25 ilustra este parmetro.

JXc`[X

9Xe[X
\iifi

K`\dgf K`\dgf[\ K`\dgf[\ K`\dgf[\


dl\ikf ZXdY`fd}o`df i\Zlg\iXZ`e \jkXY`c`qXZ`e]`eXc
J\kkc`e^k`d\

=`^liX*%), J\kkc`e^k`d\[\leFG8DGdfjkiXe[fjlYXe[X[\\iifi%

El settling time es importante para ciertas aplicaciones, por ejemplo cuando el OP AMP se utiliza como etapa
posterior de un convertidor digital a analgico (DAC), que explicamos posteriormente, ya que se desea saber cunto
le tomar al OP AMP estabilizarse despus que un cdigo digital ha cambiado; pero, nos estamos adelantando, ya que
el prximo captulo se inicia con los principios de electrnica digital.

Corriente de corto circuito

Es muy comn que los OP AMP cuenten con una proteccin contra un corto circuito en su salida. De esta manera, si
la salida de un OP AMP, como el 741, se conecta directamente a tierra, la corriente de salida no puede exceder 25 mA.
Por tanto, si la resistencia de carga, RL , conectada a la salida tiene un valor pequeo, el voltaje de salida ser bajo, ya
que el voltaje de salida no puede exceder 25 mA RL.

grupo editorial patria 103


3 El mgico amplificador operacional

Razn de rechazo de modo comn (CMRR)


Como vimos antes, en este mismo captulo, la etapa de entrada de un OP AMP est formada por el par o amplificador
diferencial. En consecuencia, el OP AMP amplifica la diferencia en el voltaje de sus dos entradas. De igual manera, si
dos seales idnticas se aplican a las entradas de un OP AMP, y cada una tiene exactamente la misma relacin de fase
y la misma amplitud, la salida del OP AMP ser igual a cero; a esta seal se le conoce como seal de entrada de modo
comn y en muchas ocasiones se podra considerar como una interferencia en las seales de entrada. Por ende, un OP
AMP tiene la caracterstica de amplificar las seales de entrada diferencial y de atenuar cualquier seal de entrada de
modo comn. Desafortunadamente, incluso con seales de modo comn perfectas, la salida no es cero, debido a que
los OP AMP no presentan caractersticas ideales. An as, la razn de rechazo de modo comn (CMRR) es muy alta.
La figura 3.26 muestra la curva caracterstica de la CMRR vs. frecuencia, para el OP AMP 741.

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Mj4(,M
0'
K84"),:
/'
.'
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:DII[9

,'
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*'
)'
('
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( (' ('' (b ('b (''b (D ('D
=i\Zl\eZ`X?q

=`^liX*%)- :DIImj%]i\Zl\eZ`XgXiX\cFG8DG.+(%

Para el OP AMP 741, la CMRR  90 dB, lo cual corresponde a una relacin de 30 000:1.13 Esto significa que si dos
seales de entrada, una seal de entrada diferencial y una seal de modo comn, se aplican simultneamente a un 741,
la seal de entrada diferencial aparecer en la salida aproximadamente 30 000 veces ms grande que la seal de entra-
da de modo comn. Tambin, podemos observar que la CMRR disminuye al incrementarse la frecuencia; para el
741, la reduccin inicia despus de los 100 Hz.

Razn de rechazo de la fuente de alimentacin (PSRR)

Para completar algunas de las caractersticas importantes de los OP AMP, mencionaremos la razn de rechazo de la
fuente de alimentacin (PSRR, por sus siglas en ingls). Este parmetro es, en realidad, sutil, pero importante. El PSRR
indica la capacidad de un OP AMP para excluir cualquier seal de alta frecuencia que aparezca en la fuente de ali-
mentacin. De esta forma, si un OP AMP tiene un PSRR muy pobre y se conecta a una fuente de alimentacin que
alimenta circuitos digitales, los cuales podran generar ruido de alta frecuencia, ese ruido de alta frecuencia se pasar
hasta la salida del OP AMP. Si esto sucede, se requerir una fuente de alimentacin aislada o de elementos de filtrado
en las terminales de entrada de la fuente de alimentacin del OP AMP, para rechazar esas seales antes de que pro-
duzcan ruido en la seal de salida. La figura 3.27 muestra una grfica tpica de PSRR vs. frecuencia.
La PSRR se especifica para ambas fuentes de alimentacin, positiva y negativa, con variaciones simultneas de las
fuentes, por ejemplo desde 15 V a 5 V.

13
Algunos fabricantes expresan la CMRR como la divisin entre la ganancia de modo diferencial, Ad, y la ganancia de voltaje de modo comn, ACM.
Mientras que el rechazo de modo comn (CMR, por sus siglas en ingls) es el logaritmo de esa divisin. Por ejemplo, una CMRR de 10 000 corres-
ponde a una CMR de 80 dB.

104 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

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Mj4(,M
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"=l\ek\ K84"),:
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(' ('' (b ('b (''b (D
=i\Zl\eZ`X?q

=`^liX*%). GJIImj%=i\Zl\eZ`X[\leFG8DG%

Ruido

El ltimo parmetro que vamos a analizar es el ruido.14 Este, tambin, es el parmetro ms complicado, ya que, en
muchas ocasiones, el ruido es el que genera ms problemas en el diseo de circuitos. Para el caso de los OP AMP, el
ruido generado puede ser de voltaje y de corriente, veste ltimo se relaciona con las corrientes de polarizacin en las
entradas del OP AMP, como se muestra en la figura 3.28.


@E
ME @E"
" "
Il`[f^\e\iX[fgfimfckXa\ME Il`[f^\e\iX[fgfiZfii`\ek\@E

=`^liX*%)/ Il`[f\eleFG8DG^\e\iX[fgfimfckXa\ME pZfii`\ek\@E %

Un tercer elemento que contribuye al ruido en los circuitos con OP AMP es el ruido generado por las resistencias ex-
ternas al OP AMP. Todas las resistencias presentan un ruido de voltaje trmico en origen, conocido como ruido Johnson
o Johnson Noise.15 La figura 3.29 muestra el circuito equivalente del ruido Johnson asociado a cada resistencia.

MEI I

=`^liX*%)0 Il`[f[\mfckXa\^\e\iX[fgficXji\j`jk\eZ`Xj%

El voltaje de ruido de las resistencias, VNR, puede obtenerse por la ecuacin 3.27.

V NR  4 KTBR (3.27)

Donde K es la constante de Boltzmann (1.38 r 10 23 J/K), B es el ancho de banda (Hz), T es la temperatura abso-
luta  T (C) 273.15 y R es el valor de la resistencia. De la ecuacin 3.27, podemos observar que si se incrementa el
valor de la resistencia, tambin se incrementar el ruido trmico generado por la misma.

14
Siempre que queremos hacer mediciones exactas, descubrimos que las cantidades que observamos fluctan por valores muy pequeos de ma-
nera aleatoria. Lo anterior limita nuestra habilidad para hacer mediciones rpidas y exactas, y nos hace ver que la cantidad de informacin que
obtenemos o comunicamos es siempre finita. Esas fluctuaciones aleatorias es a lo que llamamos ruido.
15
En 1927, J. B. Johnson observ fluctuaciones aleatorias de voltaje al realizar mediciones en resistencias elctricas. Un ao despus, H. Nyquist
public el anlisis terico de este tipo de fluctuaciones, indicando que estas tenan un origen trmico. Por tal razn, a este tipo de ruido se le
conoce como ruido Johnson, ruido Nyquist o ruido trmico.

grupo editorial patria 105


3 El mgico amplificador operacional

Una estimacin del ruido total que se usa comnmente como referencia es 4 V, generado a 25 C, por una resis-
tencia de 1 k a 1 Hz. Sin embargo, de este ruido total, el ruido producido por las resistencias es un componente
clave en los circuitos con OP AMP.
El clculo del ruido total es la suma de los valores absolutos de todos los ruidos. Esta suma se obtiene mediante la
raz cuadrada de la suma de los cuadrados de todos los valores de ruido. El ruido dominante depende del circuito en
particular que se est empleando, por lo que es importante examinar el efecto de estos tres tipos de ruido. Por eso,
vamos a analizar el circuito mostrado en la figura 3.30.

I "

Ii\kif
I<ek

J\[\jgi\Z`XcXZfeki`YlZ`e
[\il`[f^\e\iX[fgficXj
I[\i\kifXc`d\ekXZ`e

=`^liX*%*' :`iZl`kf[\FG8DGljX[fgXiX[\k\id`eXi\cil`[f[fd`eXek\%

Si el valor de R en el circuito de la figura 3.30 es cero, entonces el ruido de voltaje, VN, ser el dominante, porque
no existir el ruido Johnson proveniente de la resistencia, R, y tampoco se generar el ruido de corriente, IN, ya que R
es cero. Si, por ejemplo, R  3 k, entonces el componente que predomina es el ruido Johnson, aunque tambin exis-
tir el ruido por voltaje, VN, y el ruido producido por la corriente, IN. Pero, si R  300 k, el ruido generado por la
corriente de polarizacin que pasa por R es, ahora, el componente predominante del ruido, aunque tambin contri-
buirn el ruido de voltaje, VN , y el ruido Johnson, VNR; este ltimo con un mayor valor. Por tanto, si usamos un OP
AMP con etapa de entrada FET, el cual tiene una corriente de polarizacin muy baja, se tendr en consecuencia un
ruido muy bajo generado por la corriente.
La tabla 3.2 muestra, de forma cualitativa y cuantitativa, la contribucin del ruido para el circuito de la figura 3.30
con diversos valores de la resistencia R.

Valores de R
Elemento contribuyente
0 3 k 300 k
Ruido por voltaje 3 3 k 3 k
Ruido por corriente 0 3 k 300 k
Ruido por la resistencia 0 7 k 70 k

KXYcX*%) <c\d\ekfjhl\Zfeki`Ylp\e[\dXe\iXgi\[fd`eXek\\ecX^\e\iXZ`e[\il`[f\e\cZ`iZl`kf[\cX]`^liX*%*'%

Normalmente, las hojas de datos especifican el ruido generado a la entrada del OP AMP por voltaje o por corrien-
te, ya sea de manera numrica o por medio de grficas. El OP AMP 741 especifica estos parmetros mediante grfi-
cas y el 411 por un valor numrico y por grficas. Por ejemplo, para el 411 se especifica un ruido por corriente de
pA HA
0.01 y un ruido por voltaje de 25 ; sin embargo, el ruido generado por voltaje en la entrada del amplificador
Hz Hz
se indica tambin mediante una grfica, tal como la que se muestra en la figura 3.31.
Todos los OP AMP tienen un valor de ruido, por corriente y voltaje, que se incrementa a bajas frecuencias, como
se aprecia en la figura 3.31, para el caso de ruido por voltaje, el cual est relacionado con el ancho de banda de ruido
del amplificador y se le designa por una figura de mrito designada como frecuencia de corte, 1/f. Para OP AMP

106 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

.'

-'

8

,'


Il`[fgfimfckXa\?q
+'

*'

)'
(&]
('

'
(' ('' (b ('b (''b
=i\Zl\eZ`X?q

=`^liX*%*( Il`[fgfimfckXa\#ME #^\e\iX[f\ecX\ekiX[X[\leFG8DG%

diseados para operar con un factor de ruido reducido a baja frecuencia, esta figura de mrito se puede reducir has-
ta 2 Hz. Por tanto, si se requiere un circuito de precisin a bajas frecuencia se recomienda tener un OP AMP con un
1/f bajo.
Uno de los objetivos de medir el ruido con un osciloscopio es obtener el voltaje pico a pico (VPP) a la salida del OP
AMP, en un ancho de banda especfico, por ejemplo de 0.1 a 10 Hz. Para esto se requiere usar un circuito especial con
filtros y ganancias, que va ms all del objetivo de este texto. Lo importante es tener en cuenta los elementos que con-
tribuyen al ruido de un circuito de OP AMP a fin de reducirlos al mnimo.

OP AMP reales y su seleccin

Resulta evidente que las caractersticas del OP AMP ideal no existen y que el OP AMP real tiene limitaciones. No
obstante, es interesante hacer notar que esas imperfecciones son usadas por los diseadores como ventajas o caracte-
rsticas deseables. Por ejemplo, para el diseo de un circuito amplificador se usa un ancho de banda que es, por mu-
cho, menor que infinito, con lo cual se puede reducir el ruido, y transitorios de muy alta rapidez. Un slew rate infinito
podra no ser tan bueno como suena. Podemos decir que al OP AMP real le gusta trabajar con seales de baja frecuen-
cia. Esto disminuye an ms los glitches o transitorios de muy alta amplitud y alto contenido de frecuencias.
A la fecha, no existe un OP AMP ideal para todas las aplicaciones. No se ha diseado! Lo que se puede hacer con
las opciones disponibles es seleccionar el mejor, dependiendo de la aplicacin, y utilizarlo de manera adecuada. Las
tecnologas disponibles de silicio para la fabricacin de OP AMP son la bipolar y la FET. La diferencia ms importante
entre estas dos tecnologas son los transistores empleados en la etapa de entrada. Como ya vimos en las secciones an-
teriores, estos transistores tienen un efecto fundamental en el desempeo total del OP AMP. La figura 3.32 muestra de
manera general y a golpe de vista la diferencia entre estas dos tecnologas usadas para la fabricacin de los OP AMP.

9Xafil`[f
9Xafil`[fgfi 8dgc`fXeZ_f gfimfckXa\
Zfii`\ek\ [\YXe[X 9XafmfckXa\
DXpfi^XeXeZ`X Fg\iXZ`eZfeleX [\f]]j\k
[\mfckXa\ ]l\ek\[\Xc`d\ekXZ`e LeX:DIIXckX
8ckX`dg\[XeZ`X 9XafZfejldf DXpfidXe\af
[\\ekiX[X [\gfk\eZ`X [\Zfii`\ek\X
cXjXc`[X

=<K 9`gfcXi

=`^liX*%*) :XiXZk\ijk`ZXj`dgfikXek\j[\cXjk\Zefcf^Xj[\j`c`Z`fljX[XjgXiX]XYi`ZXiFG8DG%

grupo editorial patria 107


3 El mgico amplificador operacional

CIRCUITO BSICOS DEL OP AMP

Como enfatizamos al inicio de este captulo, la retroalimentacin negativa puede mejorar de manera importante el
desempeo de un amplificador. A cualquier OP AMP que no use retroalimentacin negativa se le considera dema-
siado inestable para ser til, con sus excepciones, por supuesto. En esta seccin describimos cmo la retroalimen-
tacin negativa estabiliza la ganancia de voltaje, mejora las impedancias de entrada y de salida e incrementa el ancho
de banda del OP AMP.

El amplificador inversor
Al circuito basado en un OP AMP con retroalimentacin negativa, como se muestra en la figura 3.33, se le llama am-
plificador inversor. Lo anterior debido a que su salida se encuentra desfasada 180 con respecto a su entrada. La inver-
sin de fase ocurre porque la seal de entrada, VENT , se aplica a la terminal no inversora ( ) del OP AMP.

II<KIF4('b

"M::
I<EK4(b

M<;4'M .+(
" MJ8C4('MGG
M<EK4(MGG
M::

=`^liX*%** :`iZl`kfXdgc`]`ZX[fi`em\ijfi%

Las resistencias RRETRO y RENT proveen la retroalimentacin negativa, la cual, a su vez, controla la ganancia de
voltaje total del circuito. La seal de salida se retroalimenta a la entrada, a travs de estas resistencias. El voltaje entre
la entrada inversora y la tierra es el voltaje de entrada diferencial, designado como VED . El valor exacto de VED es de-
terminado por la ganancia de lazo abierto AVOL y el voltaje de salida VSAL. Aun con la retroalimentacin negativa, el
VSAL  AVOL VED . VED es tan pequeo que en la mayora de los casos se le considera cero. Por tal razn, en el anlisis
del circuito, la terminal de entrada inversora en el OP AMP se considera como tierra virtual. Esto significa que el vol-
taje en la entrada inversora del OP AMP se encuentra al mismo potencial que la tierra del circuito, pero sin consumir
corriente. La figura 3.34 ilustra el concepto de tierra virtual.

Ii\kif4('b

"M::
K`\iiXm`iklXc
I<ek4(b

.+(
" MJ8C4('MGG
M<ek4(MGG
M::

=`^liX*%*+ :`iZl`kfXdgc`]`ZX[fi`em\ijfi\e]Xk`qXe[f\cZfeZ\gkf[\k`\iiXm`iklXc%

108 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

Ganancia de voltaje de lazo cerrado ACL


Debido a que en la entrada inversora del OP AMP prcticamente no fluye corriente, la corriente producida por VENT ,
que fluye a travs de la resistencia de entrada, RENT , es igual a la corriente que fluye por la resistencia de retroalimen-
tacin, RRETRO . Esto es:
VENT VED VED VSAL
 (3.28)
RENT RRETRO
Recordando que VED  VSAL/AVOL y que AVOL es un valor muy grande, idealmente infinito, VED tiene un valor que, para
fines prcticos, se estima en cero. Por consiguiente, la ecuacin 3.28 puede expresarse como:
VENT VSAL

RENT RRETRO
De esta expresin, resulta la ganancia de voltaje de lazo cerrado, ACL, la cual es la ganancia del amplificador con retroa-
limentacin negativa:
VSAL RRETRO
ACL   (3.29)
VENT RENT
El signo negativo de la ecuacin 3.29 indica que VENT y VSAL se encuentran 180 fuera de fase. La retroalimentacin
negativa mantiene la ganancia de voltaje constante aun cuando la ganancia AVOL vare. En otras palabras, la ganancia
de voltaje de lazo cerrado, ACL, es independiente de cualquier cambio en la ganancia AVOL del OP AMP.
Como ejemplo, vamos a calcular la ACL y el VSAL del circuito mostrado en la figura 3.33. Primero, obtenemos la
ganancia ACL usando la ecuacin 3.29:
10 k7
ACL   10
1 k7
Ahora, podemos calcular el voltaje de salida:

VSAL  VENT r ACL  1VPP r 10  10 VPP

Como vimos en la seccin anterior, las hojas de datos de los fabricantes, por lo general, proporcionan la ganancia de
lazo abierto, AVOL, del amplificador; si esta tiene un valor de 200 000, podemos calcular el voltaje de entrada diferencial
VED, de la siguiente forma:
VSAL 10 V
VED    50 VPP
AVOL 200 000

Impedancia de entrada, ZENT

Debido a que la entrada inversora del OP AMP se encuentra a tierra virtual y adems se conecta a las resistencias de
la malla de retroalimentacin, la impedancia de entrada del circuito, ZENT , que ve el voltaje de la fuente, VENT , es
RENT . Esto es:

ZENT y RENT (3.30)

Como sabemos, la impedancia de la entrada inversora del OP AMP es extremadamente grande, pero esta no es la
impedancia de entrada del circuito, como lo indica la ecuacin 3.30. Por ejemplo, la ZENT del circuito de la figura
3.33 es:

ZENT y RENT  1 k7

Lo anterior nos muestra que la impedancia de entrada se puede controlar fcilmente, seleccionando nicamente la
RENT .

grupo editorial patria 109


3 El mgico amplificador operacional

Impedancia de salida, ZSAL

Gracias a la retroalimentacin negativa, la impedancia de salida del circuito amplificador inversor es significativamen-
te menor que la impedancia de salida de lazo abierto del OP AMP. La impedancia de salida de un circuito con retroa-
limentacin negativa se llama impedancia de salida de lazo cerrado, ZSAL(CL) , y se obtiene usando la ecuacin 3.31:
ZSAL(OL)
ZSAL(CL)  (3.31)
1 AVOL B
Donde ZSAL(OL) es la impedancia de salida de lazo abierto del OP AMP, y es la fraccin de retroalimentacin, porque
determina cunto de la salida se retroalimenta a la entrada. En realidad, como vimos en la seccin de teora importan-
te de los OP AMP, esta fraccin de retroalimentacin es nuestro prctico divisor de voltaje, por tanto:
RENT
B
RENT RRETRO
Por ejemplo, si en el OP AMP de la figura 3.33 el AVOL  200 000 y la ZSAL(OL)  75 , y queremos calcular la impedan-
cia de salida de lazo cerrado, ZSAL(CL), primero calculamos :
1 k7
B  0.0909
1 k7 10 k7
Ahora, usando la ecuacin 3.31 tenemos que:
75 7
ZSAL(CL)   0.0041 7
1 (200 000)(0.0909)
Con lo anterior, comprobamos que ZSAL(CL) es mucho menor que la ZSAL(OL) de lazo abierto, que normalmente especi-
fican los fabricantes.

El amplificador no-inversor

La configuracin del OP AMP como amplificador no-inversor se muestra en la figura 3.35. En esta figura observamos
que la seal de entrada VENT se aplica directamente a la entrada no-inversora ( ) del OP AMP, de modo que las seales
de entrada y salida se encuentran en fase.
Ii\kif4('b

I<EK4(b

MJ8C4('MGG
M<;4'M .+(
"
M<EK4(MGG IC

=`^liX*%*, FG8DGZfe]`^liX[fZfdfXdgc`]`ZX[fief$`em\ijfi%
Igual que con el amplificador inversor, la ganancia de voltaje de lazo cerrado, ACL, est determinada por las resis-
tencias RRETRO y RENT . En esta configuracin, asumimos que la corriente en la terminal inversora, V( ), del OP AMP
es cero, de tal manara que VED  0 y V( )  V( ). Por este motivo, la corriente que pasa por RRETRO es igual a la corrien-
te que pasa por RENT , esto es:
VSAL V () V ()

RRETRO RENT

110 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

Como el voltaje de entrada se conecta a la entrada no inversora ( ), VENT  V( ), entonces tenemos que:

VSAL VENT VENT VSAL RRETRO


 l 1 
RRETRO RENT VENT RENT

RRETRO
ACL  1 (3.32)
RENT

Como en el caso del amplificador inversor, la ganancia de voltaje de lazo cerrado, ACL, es independiente de los cambios
en AVOL. A manera de ejemplo, vamos a calcular la ACL y el VSAL para el circuito de la figura 3.35:

10 k7
ACL  1  11
1 k7

Por tanto, el voltaje de salida es:

VSAL  VENT r ACL  1 VPP r 11  11 VPP

Impedancia de entrada, ZENT

En el amplificador no-inversor, la fuente de voltaje de entrada, VENT, virtualmente no tiene que proporcionar corrien-
te a la terminal de entrada no inversora ( ). Dicho de otra forma, la fuente de voltaje VENT ve una alta impedancia de
entrada ZENT . En consecuencia, virtualmente no se pedir corriente (o carga) a la fuente VENT ; la expresin comn-
mente usada es que no se carga a la fuente VENT . Para calcular la ZENT del amplificador no-inversor usamos la ecua-
cin 3.33:

ZENT(CL)  RENT (1 AVOL B ) (3.33)

Donde RENT representa la resistencia de entrada de lazo abierto del OP AMP y ZENT(CL) la impedancia de entrada de
lazo cerrado con retroalimentacin negativa. Debido a que en la mayora de los casos 1 AVOL es un valor muy gran-
de, se considera que ZENT(CL) se acerca al infinito. Por ejemplo, si para el circuito de la figura 3.35 asumimos una impe-
dancia de entrada RENT  2 M y AVOL  200 000, podemos calcular la impedancia de entrada ZENT(CL) usando la
ecuacin 3.33.

ZENT(CL)  2 M7(1 200 000 r 0.0909) y 36 G7

Estrictamente 36 000 000 000 no es infinito, pero para fines prcticos se puede considerar que s lo es.

Impedancia de salida, ZSAL

De la misma manera que con el amplificador inversor, la retroalimentacin negativa disminuye la impedancia de sali-
da del amplificador no-inversor y se calcula usando la misma ecuacin.
ZSAL(OL)
ZSAL(CL)  (3.34)
1 AVOL B

Si para el circuito de la figura 3.35 asumimos una impedancia de salida de lazo abierto ZSAL(OL)  75 y AVOL  200 000,
podemos calcular la ZSAL(CL) usando la ecuacin 3.34.
75 7
ZSAL(CL)   0.0041 7
1 (200 000)(0.0909)

grupo editorial patria 111


3 El mgico amplificador operacional

Al igual que con el amplificador inversor, la impedancia de salida del amplificador no-inversor es muy cercana a cero
ohms.

Seguidor de voltaje

Uno de los circuitos ms populares con OP AMP es el circuito seguidor de voltaje, el cual se muestra en la figura 3.36.
Este circuito tambin es llamado amplificador de ganancia unitaria, amplificador buffer o amplificador de aislamien-
to. En ocasiones, para abreviar, se le llama simplemente seguidor o buffer.


.+( MJ8C4M<EK4(MGG
"
M<ek4(MGG IC

=`^liX*%*- :`iZl`kfj\^l`[fi[\mfckXa\%

De la figura 3.36 se puede observar que el voltaje de entrada, VENT , se conecta directamente a la entrada no inver-
sora ( ) del OP AMP; por ende, los voltajes de entrada y salida se encuentran en fase. Tambin notamos en la figura
que la salida se conecta directamente a la terminal de la entrada inversora ( ). Puesto que VED  0 y V( )  V( ), en-
tonces:

VSAL  VENT

Otra forma de visualizar al circuito seguidor es usar la ecuacin de ganancia ACL del amplificador no inversor:
RRETRO
ACL  1
RENT
y considerar RRETRO/RENT  0/ y 0, por tanto:

ACL  1

Debido a que VSAL  VENT , el voltaje de salida debe seguir al voltaje de entrada, de ah el nombre de seguidor de volta-
je. Este circuito usa la mxima cantidad posible de retroalimentacin negativa; por tal motivo, ZENT(CL) es extremada-
mente alta y ZSAL(CL) es extremadamente baja. Las ecuaciones 3.33 y 3.34 pueden usarse para calcular ZENT(CL) y ZSAL(CL),
respectivamente.
Una pregunta que surge del circuito seguidor de voltaje es: por qu utilizar este circuito si su ganancia de voltaje
es nicamente uno? La respuesta se basa en el hecho que este circuito puede manejar cargas grandes, igualar impe-
dancias o aislar circuitos de potencia muy grande de circuitera muy precisa y sensible.
Por ejemplo, en vez de conectar una fuente de voltaje con capacidad de corriente limitada, VENT , a una resisten-
cia de carga, RL, de un valor relativamente bajo como se muestra en la figura 3.37 a), se conecta el OP AMP, como
seguidor de voltaje, para eliminar cualquier carga que pueda ocurrir como se ilustra en la figura 3.37 b).
Como lo muestra el circuito de la figura 3.37 b), la fuente de voltaje VENT se conecta a la terminal no inversora ( )
del OP AMP, que tiene una impedancia muy alta, por lo que VENT no requiere proporcionar casi ninguna corriente al
circuito. De esta forma, VENT no se cargar. Adems, debido a la retroalimentacin negativa, la impedancia de salida
ZSAL(CL) es muy baja. Esto significa que el circuito actuar como una fuente de voltaje ideal, con una impedancia inter-
na de aproximadamente cero.

112 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

"

M<EK IC M<EK
IC

X Y

=`^liX*%*. X =l\ek\[\mfckXa\#M<EK #Zfe\ZkX[XXleXi\j`jk\eZ`X#IC#[\mXcfiYXaf%Y J\^l`[fi[\mfckXa\Zfe\ZkX[fXcX]l\ek\M<EK #


ljX[fgXiX\c`d`eXicfj\]\Zkfj[\ZXi^X[\M<EK %

A manera de ejemplo, vamos a calcular ZENT(CL) y ZSAL(CL) del circuito seguidor de voltaje de la figura 3.36, si
RENT  2 M, AVOL  200 000 y ZSAL(OL)  75 .
Empezaremos con ZENT(CL) :

ZENT(CL)  RENT(1 AVOL )

Debido a que  1, ZENT(CL)  2 M(1 200 000) y 400 G.


Ahora, calcularemos ZSAL(CL) :

ZSAL(OL)
ZSAL(CL) 
1 AVOL B

Como  1:

75 7
ZSAL(CL)   0.000375 7
1 200 000

Para fines prcticos, ZENT(CL) es infinito y ZSAL(CL) es cero ohms.

Ancho de banda del OP AMP

Antes, ya mencionamos que las etapas internas que constituyen al OP AMP son directamente acopladas; por consi-
guiente, no hay frecuencia de corte inferior, ya que incluyen frecuencias desde CD. Sin embargo, como vimos en la
seccin de respuesta a la frecuencia, el OP AMP s tiene una frecuencia de corte superior llamada fOL, que para el 741
es de 10 Hz; a este valor de frecuencia, la ganancia de voltaje de lazo abierto, AVOL, se reduce a 70.7% de su valor
mximo.
La fOL tiene una frecuencia muy baja para ser usada en algunas aplicaciones; por lo que surge la pregunta: qu
utilizaremos para extender la frecuencia de corte superior ms all de la frecuencia fOL? Exacto! Nuestra conocida y
til retroalimentacin negativa. Por qu? Vamos a asumir que en un amplificador no-inversor, como el mostrado en
la figura 3.35, la frecuencia de la seal de entrada, VENT, se incrementa por encima de la frecuencia de lazo abierto fOL.
Esto causa una disminucin en la ganancia de voltaje de lazo abierto, AVOL, como lo muestra la figura 3.21. Debido a
que AVOL decrece, tambin decrece la cantidad de retroalimentacin negativa. Como el voltaje de entrada, VENT , per-
manece constante, el voltaje de entrada diferencial, VED , se incrementa. Puesto que VSAL  VED r AVOL , el incremento
en VED compensa la reduccin en AVOL , con lo cual mantiene el voltaje de salida, VSAL , a un valor constante. Si la fre-
cuencia de la seal de entrada, VENT , contina incrementndose, la ganancia AVOL , eventualmente, igualar la ganancia
ACL. Entonces, las curvas para AVOL y para ACL decrecern y se superpondrn al mismo tiempo.
La frecuencia a la cual la ganancia ACL decrece a 70.7% de su valor mximo se le llama frecuencia de corte de lazo
cerrado, y se designa como fCL. La frecuencia fCL puede calcularse usando la ecuacin 3.35:

grupo editorial patria 113


3 El mgico amplificador operacional

f UNITARIA
f CL  (3.35)
ACL

Donde fUNITARIA representa la frecuencia a la cual la ganancia AVOL  1. Las hojas de datos, normalmente, muestran la
fUNITARIA. Para el OP AMP 741 la fUNITARIA y 1 MHz, como se muestra en la figura 3.38.

('-

(', Mj4(,M
K84"),:
('+

('*
8MFC
(')

('

('(
( (' ('' (b ('b (''b (D ('D
=i\Zl\eZ`X?q

=`^liX*%*/ I\jgl\jkXXcX]i\Zl\eZ`X[\cX^XeXeZ`X[\cXqfXY`\ikf#8MFC%

La ecuacin 3.35 nos indica que la frecuencia fCL es afectada por la ganancia ACL. Si ACL se incrementa, el ancho
de banda de lazo cerrado fCL decrece y viceversa.

Producto ganancia-ancho de banda de lazo cerrado

La ecuacin 3.35, usada para obtener la frecuencia de corte de lazo cerrado, puede acomodarse como:
fCL r ACL  fUNITARIA

Para cualquier OP AMP, el producto entre fCL y ACL siempre ser igual a la fUNITARIA. Como se muestra en la grfica
3.38; para el 741, este producto es de 1 MHz, el cual se cumple independientemente de los valores de resistencias de
la retroalimentacin negativa.
La figura 3.39 ilustra la respuesta a la frecuencia de la ganancia AVOL y de las ganancias ACL con valores de 10 y
1 000. Observe en la figura que la curva de AVOL se reduce a 70.700 a fOL  10 Hz; sin embargo, podemos apreciar que
las curvas para ACL  10 y ACL  1 000 no se afectan a esta frecuencia.

('''''
.'.'' ]FC
>XeXeZ`X[\mfckXa\8MFC

(''''

8:C4('''
('''

(''

8:C4('
('

(
(?q('?q(''?q(b?q('b?q(''b?q(D?q
k
]LE@K8I@8
=i\Zl\eZ`X

=`^liX*%*0 I\jgl\jkXXcX]i\Zl\eZ`X[\cX^XeXeZ`X[\cXqfXY`\ikf#8MFC#p[\cXj^XeXeZ`Xj[\cXqfZ\iiX[f8:C4('p8:C4('''%

114 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

Haciendo uso de la ecuacin 3.35 calculamos que cuando ACL  10, fCL  1 MHz/10  100 kHz, y cuando ACL 
1 000, fCL  1 MHz/1 000  1 kHz. De lo anterior, concluimos que existe un compromiso entre ancho de banda y ga-
nancia. Si la ganancia de lazo cerrado, AVOL, se incrementa, se reduce el ancho de banda y viceversa.

CIRCUITOS POPULARES CON OP AMP

Como es sabido, las aplicaciones de la industria electrnica son muy variadas y los OP AMP son un ingrediente am-
pliamente usado en muchas de estas. Debido a que los OP AMP se usan en muchas formas, en esta seccin no es
posible cubrir todos los diferentes circuitos con OP AMP. No obstante, este apartado describe en detalle algunos de
los circuitos con OP AMP ms populares.

El amplificador sumador
El amplificador sumador es un circuito basado en un OP AMP inversor, al cual se le aaden entradas paralelas, como
se muestra en la figura 3.40.

II<KIF4(b

I(4(b
M(4"(M
I)4(b
M)4,M
I*4(b
M*4"*M MJ8C
"

=`^liX*%+' :`iZl`kfXdgc`]`ZX[fijldX[fi`em\ijfi%

Para facilitar la descripcin de este circuito a las resistencias de entrada RENT, a estas se les enumer como R1, R2
y R3. Como se observa en la figura 3.40, el extremo derecho de las resistencias de entrada se conecta a la terminal ne-
gativa del OP AMP, la cual, a su vez, se le considera tierra virtual e implcitamente no circula corriente por la terminal
inversora, entonces podemos calcular las corrientes de entrada por:

V1 V2 Va
I1  ; I 2  ; I a 
R1 R2 Ra

Se puede decir que todas las resistencias de entrada efectivamente estn aisladas una de otra y que cada voltaje de
entrada ve nicamente su propia resistencia y nada ms.
Asimismo, debido a que casi no circula corriente por la terminal inversora del OP AMP, todas las corrientes se
combinan y fluyen a travs de la resistencia de retroalimentacin, RRETRO, y tcnicamente cada voltaje de entrada es
amplificado por diferente factor de ganancia. Por tanto, el voltaje de salida ser igual a la suma negada de todas sus
entradas como lo muestra la ecuacin 3.36.

RRETRO RRETRO RRETRO


VSAL  V1 V2 V3 (3.36)
R1 R2 R3

Cuando R1  R2  R3  RRETRO , como en el circuito de la figura 3.40, el voltaje de salida, VSAL, es igual a la suma negativa
de los voltajes de entrada V1, V2 y V3.

grupo editorial patria 115


3 El mgico amplificador operacional

VSAL  [V1 V2 V3 ] (3.37)

El circuito de la figura 3.40 muestra solo tres entradas, pero este se puede extender para manejar cualquier nmero de
entradas.
Por ejemplo, si queremos calcular el voltaje de salida, VSAL, del circuito de la figura 3.40, podemos usar la ecuacin
3.37, porque R1  R2  R3  RRETRO .

VSAL  [V1 V2 V3]

VSAL  [1V 5 V 3 V] 1 V

Pero, si tenemos, por ejemplo, un circuito con valores diferentes de resistencias de entrada, como se muestra en la fi-
gura 3.41, podemos calcular el voltaje de salida, VSAL, usando la ecuacin 3.36.

RRETRO RRETRO
VSAL  V1 V2
R1 R2

10 k7 10 k7
VSAL  r 0.5V r 2.5V  (5 V 8 V)  3 V
1 k7 2.5 k7

II<KIF4('b

I(4(b
M(4'%,M

I)4)%,b
M)4)M MJ8C
"

=`^liX*%+( :`iZl`kfjldX[fi`em\ijfiZfe[fj\ekiX[Xj%

Amplificador diferencial

Los circuitos diferenciales constituyen circuitos que por lo comn se encuentran en instrumentacin y aplicaciones
industriales; con frecuencia, estos se usan en conjunto con circuitos resistivos tipo puente, donde la salida del puente
es la entrada del amplificador diferencial. Los amplificadores diferenciales tienen las caractersticas de amplificar la
diferencia entre sus seales de entrada y atenuar o rechazar seales de modo comn. Estos amplificadores combinan
las ganancias de un amplificador inversor y de un amplificador no-inversor en un mismo OP AMP. La figura 3.42
muestra un amplificador diferencial tpico.
Para encontrar la frmula que nos proporcione el voltaje de salida, VSAL, se usa el teorema de superposicin que
se estudia en el captulo 2 que se ubica en el CD-ROM. Por tanto, para el circuito de la figura 3.42 empezamos po-
niendo en corto-circuito la entrada VY . Entonces, en la ecuacin para obtener el VSAL se hace uso de la ganancia del
OP AMP en configuracin inversora:

VSAL  R R RETRO

1
VX (VY en corto circuito)

116 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

EfkX1I(4I)
II<KIF4I*
I(4(b II<KIF4('b
MO


I)4(b MJ8C
MP "
IC4(''b
I*4('b

=`^liX*%+) :`iZl`kfXdgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc%

Ahora, poniendo en corto-circuito a la entrada VX, el OP AMP queda en configuracin no-inversora y la ecuacin
para obtener el VSAL es:

VSAL 
R3
R2 R3
VY r 1 
RRETRO
R1
Puesto que R1 R2 y RRETRO  R3, entonces:

VSAL   R R R
2
RETRO

RETRO
V r  R RR
Y
1 RETRO

Lo cual se reduce a:
RRETRO
VSAL  VY (VX en corto circuito)
R1
Ahora, el voltaje de salida se encuentra sumando ambos resultados:

VSAL   R R V  R R V
RETRO

1
X
RETRO

1
Y
(3.38)
 
R
R RETRO
VSAL (V V ) X Y
1

De la ecuacin 3.38, se puede observar que el amplificador diferencial amplificar nicamente la diferencia entre sus
seales de entrada, ya que si VX  VY el voltaje de salida ser cero.
A manera de ejemplo, vamos a calcular el voltaje de salida del circuito de la figura 3.42 usando la ecuacin 3.38, si
VY  0.7 V y VX  0.5 V.
10 k7
VSAL  (0.5 V 0.7 V)  10( 0.2)  2 V
1 k7
Con el circuito amplificador diferencial es posible tener ganancias iguales o mayores a la unidad. Sin embargo, este
circuito solo tomar de manera confiable la diferencia de las dos seales de entrada cuando las impedancias de las
fuentes de voltaje de entrada sean bajas. Si las impedancias de las fuentes son altas con respecto a las resistencias de
entrada R1 y R2, habr prdida en las seales debido a la accin de divisor de voltaje entre las impedancias de la fuente
y la resistencias de entrada del amplificador, como se muestra en la figura 3.43 para una de las entradas del amplifica-
dor diferencial.

grupo editorial patria 117


3 El mgico amplificador operacional

M=l\ek\

I=l\ek\

MO

I(

=`^liX*%+* Gi[`[Xj\ecXj\Xc[\\ekiX[X[\cXdgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`XcgficXXZZ`e[\c[`m`jfi[\mfckXa\ZlXe[fI=l\ek\\jXckX%

Adicionalmente, tambin pueden ocurrir errores si las dos impedancias de la fuente no son iguales o, bien, si los
pares de resistencias externas del amplificador son desiguales.
En realidad, la exactitud con la cual la interferencia en las seales de entrada es atenuada o eliminada se basa en
dos variables: la exactitud con la cual son igualadas las resistencias y un parmetro de los OP AMP llamado razn de
rechazo de modo comn (CMRR). Asumiendo que el OP AMP perfecto existe, el clculo del error en la salida del OP
AMP est relacionado con el porcentaje de desigualdad entre las resistencias, como muestra la tabla 3.3.

Desigualdad entre Error en la salida Error


resistencias (V/V) (dB)
1% 4950 46.1
0.1% 499.5 66.0
0.01% 49.95 86

KXYcX*%* <iifiZXljX[fgficX[\j`^lXc[X[\eki\i\j`jk\eZ`Xj[\cXdgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc%
El hecho que R1  R2 y RRETRO  R3 simplifica considerablemente las matemticas de este circuito. Puesto que la
ganancia es igual en ambas seales de entrada, el amplificador sustrae favorablemente el voltaje de modo comn del
circuito. Asimismo, es fcil implementar la ganancia estableciendo los valores de resistencias RRETRO /R1 y R3 /R2 a un
valor mayor o igual a uno. Sin embargo, una limitacin de este circuito es la falta de flexibilidad para ajustar su ganan-
cia. Existen aplicaciones donde se requiere cambiar esta ganancia de manera dinmica, para lo cual se requerira
ajustar dos resistencias. Un circuito que mejora estas caractersticas de entrada del amplificador diferencial y permite
cierta flexibilidad en el ajuste de su ganancia es el amplificador de instrumentacin.

Amplificador de instrumentacin

El circuito amplificador de instrumentacin, al igual que el amplificador diferencial, se emplea en aplicaciones que van
desde la instrumentacin mdica hasta el control de procesos industriales. Este circuito es similar al amplificador
diferencial en el sentido de que realiza la diferencia entre dos seales analgicas,16 aunque difiere en trminos de la
calidad de sus entradas. La figura 3.44 muestra la configuracin clsica de un amplificador de instrumentacin cons-
tituido por tres OP AMP.

16
Seales analgicas? Bien, anlogo significa una representacin de un objeto que se parece al original. Un dispositivo analgico monitorea
ciertas condiciones, como temperatura, movimiento o sonido, y las convierte en representaciones electrnicas o mecnicas analgicas. Un reloj
analgico representa, con la rotacin de las manecillas en la cartula del reloj, la rotacin de la Tierra. Otro ejemplo tpico es el de un micrfono,
el cual convierte las vibraciones mecnicas producidas por la voz en vibraciones elctricas de la misma forma de onda. Analgico implica, pues,
una seal continua, en contraste con una seal digital, que divide estas seales en nmeros. Pero nos estamos adelantando, esto se analiza en el
captulo siguiente.

118 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

<kXgXYl]]\i 8dgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc


8(
I(4(b II<KIF4('b
MO " 8


I)4(b 8*
9 MJ8C
"

MP " I*4('b
8)

=`^liX*%++ :`iZl`kfXdgc`]`ZX[fi[\`ejkild\ekXZ`e%

En el circuito amplificador de instrumentacin de la figura 3.44, la alta impedancia de las entradas no inversoras
de los amplificadores A1 y A2 recibe las seales de entrada. Esto es una clara ventaja sobre el amplificador diferencial,
donde las impedancias de las fuentes de voltaje de las seales de entrada pueden ser altas o desiguales. Despus de la
primera etapa de este circuito, sigue el amplificador diferencial, indicado por el amplificador A3. Como ya sabemos,
la funcin de este circuito es rechazar o atenuar el voltaje de modo comn en las entradas del amplificador y tomar o
amplificar la diferencia entre ellas. Debido a que los amplificadores A1 y A2 son configurados con ganancia unitaria
(seguidores de voltaje o buffers), el voltaje de salida, VSAL, se encuentra de la misma manera que con el amplificador
diferencial.

VSAL   R R (V
RETRO

1
X VY )

Como ejemplo, vamos a presentar la conexin de un circuito puente, el cual contiene un termistor, a la entrada de
un amplificador de instrumentacin, como se muestra en la figura 3.45.

<kXgXYl]]\i 8dgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc

:`iZl`kfgl\ek\
o 8( I(4(b II<KIF4('b
MO
" 8
I94('b
I84,b

"
i M:;4,M
I; I)4(b 8*
MJ8C
GK: I:4,b 9 "

I;4,b X),: MP
" I*4('b
p 8)

=`^liX*%+, :`iZl`kfgl\ek\Zfe\ZkX[fXleXdgc`]`ZX[fi[\`ejkild\ekXZ`e%

grupo editorial patria 119


3 El mgico amplificador operacional

El termistor tiene un Coeficiente de Temperatura Positivo (PTC, por sus siglas en ingls) con un valor de resistencia
RD  5 k a temperatura ambiente (25 C). Entonces, a temperatura ambiente el potencimetro RB se ajusta de tal ma-
nera que el puente est balanceado, lo cual implica que VX  VY. Por tanto, los voltajes VX y VY se aplicarn a la etapa de
los seguidores de voltaje y sern iguales a los puntos de voltajes A y B, respectivamente, de la segunda etapa. Si esto
sucede, el voltaje de salida del amplificador de instrumentacin es cero, ya que VSAL  RRETRO/R1 (VX VY)  0 V.
El propsito principal de los amplificadores A1 y A2 es aislar las resistencias del circuito puente del amplificador
diferencial. Recordemos que, idealmente, el circuito seguidor de voltaje tiene una impedancia de entrada infinita y una
impedancia de salida cero.
El circuito de la figura 3.45 funciona cualitativamente, si asumimos que el circuito puente ha sido balanceado a
temperatura ambiente. Si la temperatura sube arriba de 25 C, esto causa que la resistencia RD del termistor se incre-
mente arriba de los 5 k, lo cual a su vez ocasiona que el voltaje VY sea progresivamente ms positivo. Como el volta-
je VX permanece constante, la diferencia VX VY es negativa. Debido a que la ganancia del amplificador diferencial es
RRETRO/R1, el voltaje de salida ser positivo. Si la temperatura disminuye por debajo de los 25 C, suceder lo opuesto:
la resistencia del termistor disminuir, lo cual a su vez har que el voltaje VY sea menos positivo. Como VX no cam-
bia, la diferencia VX VY es una cantidad positiva. Puesto que la ganancia de voltaje del amplificador A3 es negativa, el
voltaje de salida ser negativo.
Para ilustrar el funcionamiento cuantitativo, vamos a calcular el voltaje de salida del circuito puente conectado al
amplificador de instrumentacin; para esto, asumimos que RB  5 k y que RD se incrementa a 9.5 k, provocado por
un incremento en la temperatura ambiente.
As pues, primero calculamos los voltajes VX y VY que corresponden a las entradas del amplificador de instrumen-
tacin VA y VB , respectivamente. Por tanto:
1
VX  r 5 V  2.5 V
2
RD 9 k7
VY  r5 V  r 5 V  3.21 V
RC RD 5 k7 9 k7
Ahora, calculamos el voltaje de salida:
10 k7
VSAL  (2.5 3.21)  7.1 V
1 k7
Como observamos en la seccin anterior, el amplificador diferencial bsico tiene dos puntos dbiles:
1. La impedancia de entrada es relativamente baja.
2. Cambiar la ganancia requiere cambiar dos resistencias igualadas.
El punto 1 se mejor enormemente aadiendo los buffers amplificadores, como primera etapa del amplificador
de instrumentacin. Con esta configuracin, se proporcion al circuito una impedancia de entrada alta, dejando la
ganancia de voltaje y la CMRR para ser definida por las resistencias de la etapa de salida. Adems, aadir las resisten-
cias igualadas en el proceso de manufactura mejora notablemente la CMRR.
Para mejorar el punto 2, los diseadores de CI movieron las resistencias igualadas a los amplificadores de entrada, A1
y A2, para definir la ganancia a la entrada del amplificador con solo una resistencia, como se muestra en la figura 3.46.
I(4('b
MO "
MX
8(

I)4('b
I,4('b
MZ
I*4('b 8* MJ8C
"
I-4('b
I>
I+4('b


M[ 8)
MP MY
"

=`^liX*%+- 8dgc`]`ZX[fi[\`ejkild\ekXZ`eZfe^XeXeZ`XmXi`XYc\gifgfiZ`feX[XgfileXi\j`jk\eZ`XI>%

120 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

En el caso general, la ganancia de voltaje del circuito de la figura 3.46, ACL, se puede expresar como:
R5 R6
ACL  1  RG
r 
R1
R2
Para el circuito de la figura 3.46, esta ecuacin se reduce a:
20k7
ACL  1  RG
r (1)

Por tanto, el voltaje de salida estar definido por la ecuacin 3.39.


20 k7

VSAL  1
RG
r (VX VY ) (3.39)

En conclusin, el amplificador de instrumentacin presenta una alta impedancia de entrada y la capacidad de


seleccionar la ganancia del circuito modificando nicamente una resistencia.
Existen dos configuraciones tpicas para el amplificador de instrumentacin:

1. Usando amplificadores operacionales de propsito general.


2. Usando un circuito integrado como base del sistema.17

Uno de los amplificadores de instrumentacin que utilic al terminar la universidad fue el AD624, del fabricante
Analog Devices. La figura 3.47 muestra el diagrama de bloques de este circuito integrado.

,'
<EKI8;8 ( "
"
69+')

>4('' (*
)),%*
>4)'' () +++,%.
()+
>4,'' ((
('b
(' J<EJ<
/'%)
)'b ('b
I>( (-
0 J8C@;8
I>) * "
)'b ('b
" ('b
" - I<=
,'
"<EKI8;8 )

=`^liX*%+. ;`X^iXdX[\Ycfhl\j[\cXdgc`]`ZX[fi[\`ejkild\ekXZ`e8;-)+%

Aunque en la actualidad existe una gama grande de fabricantes de amplificadores de instrumentacin, en la tabla 3.4
se muestra una comparacin de las caractersticas del AD624 contra nuestro OP AMP de propsito general, el 741.18

17
Una variacin usando el amplificador de instrumentacin como CI, es el desarrollo de un amplificador de ganancia programable (PGA, por sus
siglas en ingls), en el cual se pueden utilizar resistencias con interruptores mecnicos o electrnicos (construidos con FET) para modificar la
resistencia RG y, por ende, la ganancia. Aunque tambin existen CI, como el LH0086, con entradas digitales, que determinan la ganancia del
amplificador.
18
Al graduarme, la primera aplicacin que vi del AD624 fue la de acondicionador de seales para digitalizar variables analgicas, como tempera-
tura y velocidad. Este CI formaba parte importante de un mdulo de entradas analgicas que, a su vez, era parte de un sistema desarrollado en
Mxico, llamado Sistema de Adquisicin y Control (SAC). Cuando empec a disear con el AD624, comparado con el humilde 741, que usaba
en las prcticas de la universidad, era como conducir un auto BMW en lugar de un Volkswagen sedn.

grupo editorial patria 121


3 El mgico amplificador operacional

Amplificador
Parmetro Ideal OP AMP tipo 741 de instrumentacin tipo AD624
AVOL (dB) Infinito 100 60 (no se usa en circuito abierto)
ZENT () Infinito 2M 1000 M
ZSAL () Cero 75
IOS (A) Cero 20 35
VOS (mV) Cero 2 0.025
BW (Hz) Infinito 1M 25 M
SR (V/s) Infinito 0.5 5
CMMR (dB) Infinito 90 130
PSRR (V/V) Cero 20

KXYcX*%+ :fdgXiXZ`e\eki\leFG8DGpleXdgc`]`ZX[fi[\`ejkild\ekXZ`e%

Los amplificadores de instrumentacin en CI tienen una escala alta de integracin; es decir, estn compuestos
principalmente por una cantidad grande de transistores. Adems, es ms fcil ajustar la razn entre resistencias
que preocuparse del valor absoluto de las mismas. Estos CI presentan especificaciones tcnicas que distan de las idea-
les, pero comnmente son mucho mejor que las provistas por los OP AMP de propsito general. Sin embargo, la base
principal es el OP AMP. El uso de este tipo de componentes ha ayudado a disear maravillosos instrumentos tanto
mdicos como industriales.19

FILTROS ACTIVOS

Un filtro elctrico es un elemento que discrimina un grupo de frecuencias de una seal elctrica que pasa a travs de
l, modificando su amplitud y su fase. Los filtros activos son aquellos que usan componentes activos con capacidades
de amplificacin, como transistores y OP AMP. El uso de OP AMP en la implementacin de filtros activos se ha incre-
mentado con la llegada de los circuitos integrados. En contraparte, un filtro pasivo es aquel que usa nicamente com-
ponentes pasivos, como resistencias, inductores y capacitores. Una ventaja importante de los filtros activos es que
estos no necesariamente atenan las seales de inters como lo hacen sus contrapartes los filtros pasivos.
Los filtros permiten el paso de frecuencias dentro de ciertas bandas, llamadas bandas de paso, y bloquean las
frecuencias en otras bandas, denominadas bandas de corte. Los filtros pueden ser pasa-bajas, pasa-altas, pasa-banda
o rechazo-de-banda, como lo muestra la respuesta a la frecuencia ideal de la figura 3.48. Idealmente, en las bandas de
paso debe haber transmisin sin distorsin y en las bandas de corte la transmisin debe ser nula.

8M 8M 8M 8M

@ @ @ @

]?q ]?q ]?q ]?q


8M 8M 8M 8M

9Xe[X 9Xe[X 9Xe[X 9Xe[X 9Xe[X 9Xe[X 9Xe[X 9Xe[X 9Xe[X 9Xe[X
[\gXjf [\Zfik\ [\Zfik\ [\gXjf [\Zfik\ [\gXjf [\Zfik\ [\gXjf [\Zfik\ [\gXjf

GXjX$YXaXj GXjX$XckXj GXjX$YXe[Xj I\Z_Xqf[\YXe[Xj

=`^liX*%+/ I\jgl\jkXXcX]i\Zl\eZ`X`[\Xc[\[`]\i\ek\j]`ckifj%

19
Las hojas de datos de los OP AMP y de los amplificadores de instrumentacin en CI, por lo general, muestran aplicaciones tpicas y recomenda-
ciones de conexin, de modo que vale la pena leer no solo sus especificaciones, sino tambin sus aplicaciones y recomendaciones.

122 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

Adicionalmente, los filtros tienen un orden; entre mayor sea el orden, su comportamiento se parece ms a la res-
puesta a la frecuencia ideal, tipo bloque, de la figura 3.48. Los filtros de primer orden usan en su construccin una
resistencia y un componente reactivo, ya sea un inductor o un capacitor. Los filtros de segundo orden usan dos resis-
tencias y dos componentes reactivos. A manera de ejemplo, en esta seccin estudiamos un filtro pasa-bajas y un filtro
pasa-altas de primer orden, usando un OP AMP como elemento activo.

Filtro pasa-bajas

Un filtro pasa-bajas permite pasar idealmente solo frecuencias bajas. La figura 3.49 muestra un filtro activo pasa-bajas
de primer orden y su respuesta a la frecuencia. Podemos observar de la figura 3.49 a) que un capacitor, llamado CRETRO ,
se conecta en paralelo con la resistencia de retroalimentacin, RRETRO . Como sabemos del captulo 1, a bajas frecuen-
cias CRETRO , se tiene una reactancia capacitiva muy grande, idealmente de valor infinito. En consecuencia, a bajas
frecuencias, el circuito funciona como un amplificador inversor, cuya ganancia es RRETRO / RENT .

:=4'%'(=
8:C
I=4('b 8:Cd}o
'%.'.8:Cd}o

I(4(b )'[9&[ZX[X
-[9&fZkXmX
M MJ8C
"

k'
=i\Zl\eZ`X
X Y

=`^liX*%+0 =`ckifgXjX$YXaXj[\gi`d\ifi[\e%X :`iZl`kf%Y I\jgl\jkXXcX]i\Zl\eZ`X#^XeXeZ`Xmj%]i\Zl\eZ`X%

A altas frecuencias, la reactancia capacitiva decrece, lo cual causa que la ganancia de voltaje tambin disminuya,
debido a un incremento en la retroalimentacin negativa. A frecuencias extremadamente grandes, la reactancia capa-
citiva es casi cero ohms y la ganancia de voltaje tambin se aproxima a cero.
Cuando XCRETRO  RF , la ganancia de voltaje es 70.7% del valor mximo, como se ilustra en la figura 3.49 b). A este
valor se le llama frecuencia de corte y se le designa como fc:
1
fC  (3.40)
2P RRETROCRETRO
En tanto, la ganancia de voltaje para cualquier frecuencia se calcula usando la ecuacin 3.41.

ZRETRO
AV  (3.41)
RENT
Donde ZRETRO es:
CRETRO RRETRO
ZRETRO  2 2
RRETRO CRETRO

Arriba de la frecuencia de corte, fC, la ganancia de voltaje decrece a una tasa de 20 dB/dcada o 6dB/octava. La figura
3.49 b) muestra la curva de la respuesta a la frecuencia del circuito de la figura 3.49 a). En muchas ocasiones, la ganan-
cia de voltaje se especifica en dB, por lo que se usa la ecuacin 3.42.
20log ZRETRO
ACL(dB)  (3.42)
RENT

grupo editorial patria 123


3 El mgico amplificador operacional

A manera de ejemplo, vamos a calcular del circuito de la figura 3.49 a):


1. La frecuencia de corte.
2. La ganancia de voltaje de lazo cerrado ACL a 0 Hz y a 1 MHz.
3. La ganancia de voltaje en dB a 0 Hz y a 1.591 kHz.
Para calcular la frecuencia de corte usamos la ecuacin 3.40, para:
1
fC   1.591kHz
2P 10 k7 0.01F
La ganancia de lazo cerrado ACL a 0 Hz, la obtenemos tomando en cuenta que XCRETRO y . Por tanto, la ganan-
cia de voltaje es:
RRETRO 10 k7
AV    10
RENT 1 k7
A 1 MHz XCRETRO es:
1 1
XCretro    15.9 7
2P f RRETRO 2P 1 MHz 10k7
Ahora, calculamos ZRETRO:

CRETRO RRETRO 15.9 7 r 10 k7


ZRETRO  2 2
  15.89 7
( R )RETRO (C )RETRO 15.9 2 7 10 3 7

Usando la ecuacin 3.41 calculamos la ganancia:

RRETRO 15.89 7
AV    0.0158
RENT 1 k7
Con estos resultados, podemos verificar que las seales de entrada a este circuito se amplificarn con una ganancia de
10 en CD, y que a 1 MHz se atenuarn con una ganancia de 0.0158.
Para calcular la ganancia de voltaje en dB a 0 Hz, asumimos que XCRETRO y y, en consecuencia, ZRETRO 
RRETRO ; por tanto:

20log RRETRO 10 k7
ACL(dB)   20log  20 dB
RENT 1 k7
La frecuencia 1.591 kHz es la frecuencia de corte, fC , que previamente calculamos; a esta frecuencia ZF  0.707 RF ,
entonces ZF  0.707 r 10 k  7.07 k. Por tanto:

20log RRETRO 7.07 k7


ACL(dB)   20log  17 dB
RENT 1 k7
Es importante hacer notar que a la frecuencia de corte, fC, la ganancia de voltaje ACL se reduce 3 dB de su valor
paso de banda (pasa-banda) de 20 dB. Por esta razn, algunos autores a la fC la llaman la frecuencia de los 3 dB.

Filtro activo pasa-altas

De manera ideal, un filtro pasa-altas permite pasar nicamente frecuencias altas. La figura 3.50 muestra un filtro ac-
tivo pasa-altas de primer orden y su respuesta a la frecuencia. A altas frecuencias XCENT y 0 , y la ganancia de volta-
je, ACL, es igual a RRETRO/RENT. Por otro lado, a frecuencias muy bajas XCENT y y la ganancia de voltaje, ACL, se
aproxima a cero. La frecuencia de corte, fc, se obtiene mediante la ecuacin 3.43.
1
fC  (3.43)
2P RENTCENT

124 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

8:C
II<KIF4('b 8:Cd}o
'%.'.8:Cd}o

:<EK4'%(= I<EK4(b )'[9&[ZX[X


-[9&fZkXmX

M MJ8C
"
k'
=i\Zl\eZ`X
X Y

=`^liX*%,' =`ckifgXjX$XckXj[\gi`d\ifi[\e%X :`iZl`kf%Y I\jgl\jkXXcX]i\Zl\eZ`X#^XeXeZ`Xmj%]i\Zl\eZ`X%

A la frecuencia de corte, fC, la ganancia de voltaje ACL es 70.7% de su valor mximo. La ganancia de voltaje para
cualquier frecuencia se calcula usando la ecuacin 3.44.
RRETRO
AV  (3.44)
ZENT
Donde ZENT es:
2
ZENT  RRETRO XC2retro

La ganancia de voltaje en dB se calcula con la ecuacin 3.45:


20log RRETRO
ACL(dB)  (3.45)
ZENT
La frecuencia de corte puede variarse ajustando el valor del capacitor de entrada, CENT ; sin embargo, esto no afec-
tar la ganancia de voltaje ACL en su regin de paso de banda. Por otro lado, se puede variar la ganancia de voltaje, ACL,
ajustando la resistencia RRETRO , pero esto no tendr efecto en la frecuencia de corte, fC.
De la figura 3.50 b), observamos que la ganancia ACL decrece 20 dB/dcada o 6dB/octava debajo de la frecuencia
de corte fC.20
Los clculos de frecuencia de corte, fC, y ganancia de voltaje son muy similares a los del filtro pasa-bajas. Como
ejemplo vamos a calcular la frecuencia de corte en este filtro pasa-altas, usando la ecuacin 3.43.
1 1
fC    1.591 kHz
2P RENTCENT 2 r 3.1415 r 1 k7 r 0.1 F

CONVERTIDORES DE VOLTAJE A CORRIENTE Y DE CORRIENTE A VOLTAJE

Convertidores de voltaje a corriente

En algunos diseos se requiere tener una corriente de carga constante que no se vea afectada por las variaciones en la
resistencia de carga RL. Pero, si la carga no tiene que estar aterrizada, entonces la podramos conectar en la trayectoria
de retroalimentacin, como lo muestra el convertidor de voltaje a corriente de la figura 3.51.

20
Si elevamos el orden del filtro tambin incrementaremos la tasa de atenuacin. Para filtros de segundo orden, la tasa de decrecimiento en ACL
ser de 16 dB/octava o 40 dB/dcada. La respuesta a la frecuencia, tanto para los filtros pasa-bajas como para los pasa-altas, dista mucho de
tener la forma tipo bloque de los filtros ideales mostrada en la figura 3.48. Para filtros de orden muy alto, se utilizan conexiones en cascada de OP
AMP y se incrementa el nmero de componentes reactivos, lo cual hace que el diseo del filtro sea ms complejo. Existe, por otro lado, el dise-
o de filtros digitales, que nos proporcionan caractersticas muy cercanas a las ideales. Para realizar estos filtros se utilizan componentes o
sistemas de procesamiento digital de seales (DSP) o microcontroladores. Pero esto podra ser tema de otro captulo completo, incluso de otro
libro.

grupo editorial patria 125


3 El mgico amplificador operacional

"
@J8C
M<;4'M

M<EK IC

M<EK I

=`^liX*%,( :fem\ik`[fi[\mfckXa\XZfii`\ek\%

Debido a que el voltaje de entrada diferencial, VED , es igual a cero, el voltaje de entrada, VENT , se hace presente a
travs de la resistencia R, conectada de la entrada inversora a tierra. Por tanto, la corriente de salida, ISAL , se calcula
usando la ecuacin 3.46.
VENT
I SAL  (3.46)
R
De la ecuacin anterior, podemos observar dos cosas: 1) que la corriente de salida, ISAL, es determinada por el voltaje
de entrada, VENT, y la resistencia R, y 2) que el valor de RL no afecta a la corriente de salida!
Adems, debido a que VENT se conecta a la entrada no inversora del OP AMP, la impedancia de entrada vista por
la fuente, VENT, se aproxima a un valor infinito; esto es, ZENT y .
Por ejemplo, vamos a calcular la corriente de salida del circuito de la figura 3.51 asignando los valores a VENT  3.3 V,
R  1 k y RL  50 . Como RL no afecta a la corriente de salida, ISAL se puede obtener con la ecuacin 3.46.
VENT 3.3 V
I SAL    3.3 mA
R 1 k7
Con este resultado, observamos que aun cuando RL se haga cero ohms, la corriente de salida ser la misma. Puesto que
RL no afecta ISAL, el circuito acta como una fuente de corriente constante con una resistencia interna infinita,
ZSAL y .

Convertidor de corriente a voltaje

Como se recordar del apndice 1 que se encuentra en el CD-ROM del texto, el convertidor de corriente a voltaje ms
simple es nuestra humilde resistencia. Sin embargo, esta opcin presenta una impedancia de la fuente, de la corriente
de entrada, que no es cero. Lo anterior es una desventaja grande, sobre todo si el dispositivo que proporciona la
corriente de entrada no provee una corriente de entrada constante cuando el voltaje de salida cambia o la corriente es
muy pequea. Un circuito que supera esta deficiencia es el convertidor de corriente a voltaje tpico basado en un OP
AMP que se muestra en la figura 3.52.
I

@<EK "

IC

=`^liX*%,) :`iZl`kfZfem\ik`[fi[\Zfii`\ek\XmfckXa\%

126 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

El circuito de la figura 3.52 tiene como entrada una fuente de corriente, IENT, que se conecta a la entrada no inver-
sora del OP AMP. Debido al concepto de tierra virtual, toda la corriente de entrada fluye a travs de la resistencia R.
En consecuencia, el voltaje de salida, VSAL, se calcula con la ecuacin 3.47.

VSAL  I ENT r R (3.47)

En el circuito de la figura 3.52, el voltaje de salida, VSAL, no se ve afectado por la resistencia de carga, RL, porque la
impedancia de salida (de lazo cerrado), ZSAL(CL), es aproximadamente cero ohms, ZSAL(CL) y 0 . Como ejemplo, vamos
a calcular el voltaje de salida, VSAL, si la corriente de entrada IENT  3.3 mA, R  1 k y RL  5 k. Puesto que RL no
afecta el valor del voltaje de salida, VSAL puede calcularse usando la ecuacin 3.47.

VSAL  I ENT r R  3.3 mA r 1 k7  3.3 V

Por lo general, las fuentes de corriente son menos comunes de visualizar. Un buen ejemplo de fuente de corriente
son las celdas fotovoltaicas, las cuales pueden conectarse como convertidores de corriente a voltaje mientras se man-
tiene la entrada a tierra; en este caso, tierra virtual, como lo muestra la figura 3.53.

(D

@<EK

MJ8C
"

;`f[f
]fkfmfckX`Zf

=`^liX*%,* ;`f[f]fkfmfckX`ZfZfe\ZkX[fZfdfZfem\ik`[fi[\Zfii`\ek\XmfckXa\%

Los diodos fotovoltaicos, por lo comn, son capaces de generar voltajes y corrientes del orden de los milivolts y
microamperes, respectivamente. Por ejemplo, si el diodo fotovoltaico del circuito de la figura 3.53 genera una corrien-
te de 1 A, el voltaje de salida ser de 1 V.
La configuracin de convertidor de corriente a voltaje tambin puede usarse para dispositivos que proveen su
corriente va alguna fuente externa, tal como la fuente de alimentacin VCC. Un ejemplo de estos dispositivos son los
fototransistores, los cuales actan como fuentes de corriente, proveniente de una alimentacin positiva, cuando se
exponen a la luz. La figura 3.54 ilustra su conexin con un OP AMP.

('b

M::4"(,M


Clq[\
\ekiX[X

J`eZfe\o`e "
\ecXYXj\

=`^liX*%,+ :`iZl`kfZfem\ik`[fi[\Zfii`\ek\XmfckXa\ljXe[fle]fkfkiXej`jkfi%

grupo editorial patria 127


3 El mgico amplificador operacional

Circuitos OP AMP con diodos

Los OP AMP pueden ser usados con diodos para rectificar seales con valores pico del orden de los milivolts. Un
diodo por s solo no puede realizar este trabajo, porque requiere de un voltaje mayor para activarse. Recordemos que
un diodo de silicio requiere 0.7 V y uno de germanio 0.3 V.
La figura 3.55 muestra un circuito rectificador de precisin de media onda.

8MFC4('''''
"(''dM MG4"(''dM
M<EK " 'M
(''dM
J`
IC4('b

=`^liX*%,, :`iZl`kfi\Zk`]`ZX[fi[\gi\Z`j`e[\d\[`Xfe[X%

Este circuito es capaz de rectificar cargas muy pequeas del orden de milivolts. Cuando VENT se hace positivo, la
salida se hace positiva y el diodo entra en estado de conduccin y la salida del OP AMP ser 0.7 V. La cantidad de
voltaje requerido para obtener esta salida es determinada por la ganancia AVOL.
0.7 0.7
VENT    3.5 V
AVOL 200 000
Cuando la entrada excede los 3.5 V, el diodo conduce y el OP AMP acta como un seguidor. En cambio, cuando
VENT es negativo, VSAL es negativa, el diodo no conduce y el voltaje de salida es cero volts. De esta manera, invirtien-
do la polaridad del diodo, se producirn pulsos negativos.

Cargas conmutadas

Para manejar cargas que requieren ser conmutadas, es decir, que necesitan encenderse o apagarse, por lo comn se
utiliza un transistor de conmutacin que tiene como entrada un OP AMP, como lo muestra la figura 3.56.

"M::

:Xi^X

(%'b
)E*',,

=`^liX*%,- DXe\af[\ZXi^Xjhl\i\hl`\i\ej\iZfedlkX[XjljXe[fleFG8DGplekiXej`jkfi[\gfk\eZ`X%

El diodo del circuito de la figura 3.56 se utiliza para proteger la unin base-emisor del transistor de conmutacin,
ya que un OP AMP fcilmente puede oscilar a su saturacin negativa con voltajes mayores a 5 V. El transistor 2N3055
es un transistor de potencia para aplicaciones no crticas de corriente. Sin embargo, si se requiere manejar corrientes
arriba de 1 A, entonces se recomienda usar un transistor FET o un Darlington.

128 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

CIRCUITO COMPARADOR

Un circuito comparador basado en un OP AMP es aquel que, como su nombra lo indica, compara una seal de volta-
je en una entrada, con una referencia de voltaje en la otra, como lo muestra la figura 3.57. En la figura podemos obser-
var que este circuito no usa retroalimentacin. En consecuencia, el OP AMP opera en configuracin de lazo abierto
con una ganancia de voltaje AVOL.

"M::
MJ8C
M<EK "MJ8K
"

MJ8C4MJ8K
M<EK
M:: '

MJ8K

X Y

=`^liX*%,. :fdgXiX[fi[\mfckXa\%X :`iZl`kf%Y :limXZXiXZk\ijk`ZX%

En el circuito de la figura 3.57 a), la entrada inversora del OP AMP se aterriza mientras se aplica la seal a la en-
trada no-inversora.
El comparador contrasta el voltaje de entrada, VENT, en la entrada no-inversora, con la referencia de cero volts, de
la entrada inversora. Cuando VENT es positivo, el voltaje de salida, VSAL, se va a saturacin positiva VSAT , y cuando
VENT es negativo, el voltaje de salida, VSAL, se va a saturacin negativa VSAT , como se muestra en la curva caracters-
tica del comparador de la figura 3.57 b). Como sabemos, VSAT es por lo general un par de volts menor que los volta-
jes de alimentacin VCC.
Cuando la entrada no inversora se aterriza y se aplica el voltaje a la entrada inversora, la conmutacin es opuesta.
La salida conmuta a VSAT cuando la entrada es negativa, y a VSAT cuando la entrada es positiva.
Sin embargo, debido a que el OP AMP tiene una ganancia de lazo abierto, AVOL , extremadamente grande, la va-
riacin ms pequea en la seal de entrada produce un voltaje de salida VSAT . A causa de que VSAL conmuta cuando
VENT cruza los cero volts, a este circuito se le llama detector de cruce por cero.

Corrimiento del voltaje de referencia

En los diseos, algunas veces se requiere que el voltaje de referencia sea diferente a la tierra. La figura 3.58 ilustra un
comparador que utiliza una referencia de voltaje diferente a los cero volts.

"M:: MJ8C
"MJ8K

M<EK "

MJ8C4MJ8K M<EK
MI<=4",M
' MI<=4",M
M::
MJ8K

X Y

=`^liX*%,/ :`iZl`kfZfdgXiX[fiZfei\]\i\eZ`X[\mfckXa\#MI<= #`^lXcX",M%X :`iZl`kf%Y :limXZXiXZk\ijk`ZX%

grupo editorial patria 129


3 El mgico amplificador operacional

En este caso, la figura 3.58 a) muestra un circuito comparador con voltaje de 5 V. Cuando VENT excede los 5 V,
el voltaje de salida, VSAL , conmuta a VSAT . En cambio, cuando VENT cae por debajo de los 5 V, entonces VSAL , con-
muta a VSAT . La figura 3.58 b), por su parte, muestra la curva caracterstica de este circuito. En realidad, VREF , puede
ser tanto positivo como negativo. Por lo comn, VREF se produce usando un divisor de voltaje conectado a VCC o
VCC . En algunos casos, incluso, es deseable tener un ajuste mediante un potencimetro, que nos permita variar el
voltaje de entrada, como se muestra en la figura 3.59.

"M::

GFK

M<EK
MJ8C
MI<= "

=`^liX*%,0 :`iZl`kfZfdgXiX[fiZfei\]\i\eZ`X[\mfckXa\mXi`XYc\%

Debido a que el OP AMP es muy sensible a los voltajes de entrada, la salida puede conmutar (oscilar) errticamen-
te entre VSAT cuando el valor de VENT es cercano al voltaje de referencia, VREF . La razn de lo anterior es porque la
seal de entrada por lo regular puede contener ruido, como lo muestra la figura 3.60.

REF

ENT

SAL

=`^liX*%-' J\Xc[\\ekiX[XZfeil`[fjlgl\jkXd\ek\Zfek\e`\e[f[fjglcjfj%

Circuito comparador Schmitt trigger


Para eliminar esta operacin errtica del comparador, se hace uso de un circuito denominado disparador Schmitt, el
cual comnmente se conoce como Schmitt trigger,21 y que se puede observar en la figura 3.61 a).

21
El circuito comparador Schmitt trigger fue inventado por el estadounidense Otto H. Schmitt (1913-1998), durante la etapa inicial de su investi-
gacin doctoral, y lo llam thermionic trigger. Otto tena un talento especial para realizar conexiones a fin de obtener conclusiones importantes.
En el mbito elctrico, conectando alambres, dise ingeniosos equipos. En la esfera social, tambin tena una afinidad natural para conectarse
a nivel personal con una gran variedad de personas. En el entorno intelectual fue capaz de obtener conexiones significativas entre disciplinas que
parecan no tener relacin. En la Universidad de Washington trabaj en los departamentos de f sica, zoologa y matemticas. Otto tambin
trabaj en la Universidad de Minnesota y puso a nivel internacional las semillas de la biof sica y la bioingeniera. Si siguen interesados en este
apasionante personaje, es recomendable que lean el artculo A life time of connections.

130 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

El Schmitt trigger es un circuito OP AMP comparador que utiliza retroalimentacin positiva. Las resistencias R1
y R2 proveen esta retroalimentacin positiva. Cuando VSAL  VSAT , un voltaje positivo aparece en la entrada no-in-
versora. De igual modo, cuando VSAL  VSAT , un voltaje negativo aparece en la entrada no-inversora. La fraccin de
retroalimentacin, por lo comn especificada como , indica la fraccin del voltaje de salida, VSAL , retroalimentado a
la entrada no-inversora. Entonces, es definida por la ecuacin 3.48.
R1
B (3.48)
R1 R2
El punto del umbral superior (UTP, por sus siglas en ingls) es:

UTP  BVSAT (3.49)

En tanto, el punto del umbral inferior (LTP, por sus siglas en ingls) es:

LTP  BVSAT (3.50)

La salida del circuito comparador Schmitt trigger permanecer en su estado actual hasta que el voltaje de entrada
exceda la referencia o el voltaje umbral para ese estado. Lo anterior se comprende de mejor manera si se observa la
curva caracterstica que se ilustra en la figura 3.61 b). Si asumimos que VSAL  VSAT , entonces VSAL debe exceder el
voltaje de VSAT (UTP) para conmutar la salida al estado opuesto, el cual debe ser VSAT . La salida VSAL permanecer
en VSAT hasta que la entrada se haga ms negativa que VSAT (LTP).

"M::4(,M

M<EK MJ8C
"MJ8K

" MJ8C4MJ8K

CKG LKG
M::4(,M M<EK
MI<=4",M

I)
I( MJ8K

X Y

=`^liX*%-( :fdgXiX[fik`gfJZ_dd`kki`^^\i%X :`iZl`kf%Y :limXZXiXZk\ijk`ZX%

La diferencia entre los puntos del umbral superior e inferior se llama voltaje de histresis, y se le designa como VH.
El voltaje de histresis se calcula mediante la ecuacin 3.51:

VH  UTP LTP
VH  BVSAT   BVSAT  2BVSAT (3.51)

Si el voltaje pico a pico de ruido de la seal de entrada es menor que el voltaje de histresis, VH, no habr manera de
que la salida pueda conmutar estados. Por esta razn, el diseo del circuito Schmitt trigger puede ser inmune a dispa-
ros de conmutacin errticos producidos por el ruido.
Ahora, vamos a calcular, como ejemplo, el voltaje de histresis, VH, del circuito de la figura 3.61. Para esto asigna-
mos valores a R1  1 k y R2  100 k. Como los voltajes de alimentacin son de 15 V, entonces asumimos unos
voltajes de saturacin de 14 VSAT . Para calcular los valores para UTP y para LTP, primero calculamos :
R1 1 k7
B   0.099
R1 R2 1 k7 100 k7

grupo editorial patria 131


3 El mgico amplificador operacional

Conociendo , entonces podemos calcular UTP y LTP:

UTP  BVSAT  0.099 r 13 V  128.7 mV


LTP  BVSAT  0.099 r (13 V)  128.7 mV

Por tanto, el voltaje de histresis es:

VH  2BVSAT  2(128.7 mV)  257.4 mV

Podemos observar que si los valores de R1  0 y R2  , regresaremos al comparador original sin histresis.

Circuito Schmitt trigger no simtrico

Algunas aplicaciones requieren que el umbral no se encuentre de manera simtrica alrededor de cero volts. Una con-
figuracin ms general para determinar un umbral arbitrario se muestra en la figura 3.62.

M<EK
MJ8C

M" "

I)
I(

MI<=

=`^liX*%-) :`iZl`kfZfdgXiX[fiJZ_d`kkki`^^\iefj`dki`Zf%

Usando la ley de Kirchhoff para las corrientes tenemos:


VOUT V VREF V VOUT VREF V V R1 R2
0   V
R2 R1 R2 R1 R2 R1 R1 R2
R1 R2
V  VOUT VREF (3.52)
R1 R2 R1 R2
Por tanto, el voltaje de umbral con histresis es:
R1 R1
VH  oVSAT VREF (3.53)
R1 R2 R1 R2
Normalmente, el voltaje de referencia, VREF , no se encuentra disponible, por lo que usamos nuestro divisor de
voltaje para obtener el valor deseado, como se muestra en la ecuacin 3.54 y en la figura 3.63.

I( i(

" "

MI<= MJ i)

'M 'M

=`^liX*%-* MfckXa\[\i\]\i\eZ`XfYk\e`[fXgXik`i[\le[`m`jfi[\mfckXa\%

132 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

=`^liX*%-+ :fdgl\ikX[`^`kXc`em\ijfiXJZ_d`kkki`^^\i%

r2
VREF  VS (3.54)
r1 r 2
El circuito Schmitt trigger puede construirse usando dispositivos discretos, aunque esto en realidad consume
mucho tiempo en su diseo. Este circuito tiene numerosas aplicaciones, ya sea en el mundo analgico o en el mundo
digital, convirtiendo seales analgicas a unos y ceros. La versatilidad del Schmitt trigger le ha permitido entrar al
mundo de los circuitos digitales, como el CI 74HC14. Pero, en este momento nos estamos adelantando, este es tema
del captulo: Principios de electrnica digital y microprocesadores.
Adicionalmente, cuando se tienen dos seales analgicas de entrada y una salida digital, al comparador se le de-
nomina convertidor analgico a digital (ADC, por sus siglas en ingls) de un bit; si bien este es uno de los temas que
nos ocupa en el tratamiento del siguiente apartado, ya estamos llegando a los lmites entre el mundo analgico y el
digital.

ADC Y DAC LAS INTERFACES ENTRE EL MUNDO DIGITAL


Y EL MUNDO ANALGICO

Hasta ahora hemos examinado el OP AMP y varias de sus aplicaciones; sin embargo, para enfatizar su diversidad, esta
seccin abre las puertas del mundo de los convertidores digitales a analgicos (DAC) y de los convertidores analgicos
a digitales (ADC), por donde cruzaremos de forma delineada desde el mundo analgico hacia al mundo digital y vice-
versa; es decir, presentaremos el punto intermedio entre conceptos y construccin de estos convertidores, ya que para
cada dispositivo existen captulos enteros vdedicados a estos temas.
Para entender la vala relativa de los sistemas analgicos y digitales, es conveniente comparar los dos sistemas en
una aplicacin comn, en este caso la grabacin y la reproduccin de sonido, como lo muestra la figura 3.65.

Cabeza Cabeza
de escritura de lectura

Seal analgica Seal analgica


de entrada de salida

Direccin de la cinta

GRABACIN ANALGICA

Seal analgica Seal analgica


de entrada de salida

Computadora

La seal se convierte Los nmeros se


en nmeros convierten en seal

GRABACIN DIGITAL

=`^liX*%-, J`jk\dX[\^iXYXZ`epi\gif[lZZ`eXeXc^`ZXmj%j`jk\dX[\^iXYXZ`epi\gif[lZZ`e[`^`kXc%

grupo editorial patria 133


3 El mgico amplificador operacional

Iniciamos el tratamiento de este tema describiendo el proceso de grabacin y reproduccin analgico, para pos-
teriormente contrastarlo con el proceso digital. De manera general, en el proceso de grabacin analgico, las ondas
sonoras impactan el micrfono, donde son convertidas a impulsos elctricos; estas seales elctricas son amplificadas
y despus convertidas a campos magnticos por una cabeza de grabacin. Cuando la cinta magntica se mueve bajo
la cabeza, la intensidad del campo magntico se almacena en la cinta. En el proceso de reproduccin, cuando la cinta
magntica se mueve bajo la cabeza, la intensidad del campo magntico almacenado en la cinta se convierte a seales
elctricas. Estas seales elctricas son amplificadas y enviadas a las bocinas, las cuales convierten las ondas amplifica-
das a ondas sonoras. El proceso analgico tiene una resolucin infinita; no obstante, cada etapa representa factores
adversos que se combinan de tal manera que la calidad de la seal de salida es ms baja que la seal de entrada. Cada
vez que la seal pasa otro proceso analgico, estos efectos adversos se multiplican.
Por otro lado, en el proceso digital, las seales analgicas son convertidas a seales digitales (arreglos de nme-
ros), como se muestra la figura 3.66.

Seal
digital
Apagado Encendido Apagado
0 1 0

Seal
analgica

=`^liX*%-- KiXej]fidXZ`e[\leXj\XcXeXc^`ZXXj\Xc\j[`^`kXc\jXii\^cfj[\ed\ifj %

Una vez adquiridas y almacenadas, estas seales (arreglos de nmeros) pueden reproducirse fielmente. En este
proceso digital, sin embargo, existen dos desventajas: primero, es mucho ms complicado que el proceso analgico;
segundo, las computadoras solo pueden manipular nmeros de resolucin finita. De esta manera, se pierde la poten-
cial resolucin infinita del proceso analgico. No obstante, el esquema digital tambin tiene muchos beneficios: las
seales, una vez convertidas a nmeros, son incondicionalmente estables; asimismo, usando tcnicas como la detec-
cin y la correccin de errores, es posible almacenar, transmitir y reproducir nmeros sin corrupcin de las seales;
as, la vigsima generacin de grabacin es tan exacta como la primera.
El modelo general de procesamiento digital de seales analgicas, por ejemplo el sonido, tiene los elementos que
se distinguen en la figura 3.67.

Despliegue
Teclado
101111 101111

FBP FBP

ADC Procesador DAC


Acondicionamiento Filtro Filtro
de seal Antialias suavizante
Memoria Memoria
Modem A otros sistemas DSP
de programa de datos

=`^liX*%-. <cdf[\cf^\e\iXc[\gifZ\jXd`\ekf[`^`kXc[\j\Xc\jXeXc^`ZXj%

La informacin digitalizada puede ser analizada, almacenada, desplegada, transmitida o manipulada de cualquier
manera. La aplicacin puede abarcar radar, sonar, voz, video, etctera; dependiendo de la aplicacin, el sistema puede

134 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

no contener algunos elementos. Pero, ya nos estamos desviando, en este apartado solo analizamos los mdulos ADC
y DAC.22 Pero, antes es importante definir algunos trminos tcnicos relacionados con el tema.

Trminos tcnicos de la interface analgica-digital-analgica

Para apreciar esta transicin entre mundos diferentes, primero definiremos algunos trminos nicos en el rea digital.
Estos conceptos forman los fundamentos de la transformacin de valores analgicos a digitales y viceversa, y son in-
dependientes del mtodo que se utilice para digitalizar una seal. Para esto, es necesario entender que una represen-
tacin digital de una seal analgica es una aproximacin. As, una seal analgica puede asumir cualquier valor
dentro de un rango, por esta razn se dice que su resolucin es infinita; mientras que una seal digital est limitada a
distintos valores (nmeros), en particular nmeros binarios llamados bits, compuestos por unos y ceros, como se
muestra en la figura 3.66. Este tema se analiza con mayor detalle en el siguiente captulo.
Como la salida de un ADC y la entrada de un DAC es una palabra digital, esta se caracteriza por el nmero de bits
que contiene. La figura 3.68 muestra los smbolos de estos convertidores.

VREF

Entrada Salida
digital analgica
DAC
(Nmero (Voltaje o
de bits) corriente)

VREF

Entrada Salida
analgica digital
ADC
(Voltaje o (Nmero
corriente) de bits)

=`^liX*%-/ JdYfcfj[\cfjZfem\ik`[fi\j8;:p;8:%

Los bits definen la resolucin disponible en el convertidor, pero no la exactitud de la conversin. As, entre mayor
sea el nmero de bits, se tiene mayor informacin que puede ser usada para representar la amplitud o la intensidad de
la seal, lo cual redunda en una mayor resolucin. La resolucin es comnmente considerada, en trminos de bits,
menos significativa (LSB, por sus siglas en ingls) de la palabra digital. Para cualquier convertidor, el LSB es calculado
por la ecuacin 3.55.
VFS
1LSB  (3.55)
2N 1
Donde VFS es el voltaje de escala plena del convertidor, el cual, generalmente, es su voltaje de alimentacin, pero podra
tener un voltaje de referencia arbitrario, y N es el nmero de bits. Por ejemplo, un convertidor de 16 bits operando a
plena escala, VFS  5 V, tendr una resolucin que se calcula de la siguiente manera:
5V 5V
1LSB  16
  76.3 v
2 1 65535
Por lo comn, la exactitud se expresa en trminos del valor de LSB. Para visualizar la exactitud con relacin a la
resolucin, vamos a considerar el juego de tiro al blanco que se representa en la figura 3.69, el cual tiene cuatro posibles
combinaciones, las cuales pueden resultar de esta relacin exactitud-resolucin.

22
Si sigue interesado en este tema, es muy probable que la secuela de este libro est relacionada con el procesamiento digital de seales, que com-
plementar su estudio.

grupo editorial patria 135


3 El mgico amplificador operacional

A B

C D

=`^liX*%-0 <oXZk`kl[mj%i\jfclZ`e%

El blanco A muestra una baja resolucin y una pobre exactitud; en este, podemos observar que hay una gran
distancia entre los disparos y que ninguno de ellos se encuentra cerca del centro. El blanco B muestra una buena
exactitud, ya que todos los disparos estn alrededor del centro, pero el espacio entre los disparos indica una baja reso-
lucin. El blanco C y el blanco D muestran una resolucin ms alta que los anteriores, ya que los disparos se encuen-
tran agrupados con distancias muy cortas entre ellos. No obstante, los disparos en el blanco C no se encuentran en el
centro comparados con el blanco D, el cual despliega la mayor exactitud, puesto que en este todos los disparos se
encuentran en el centro.
Los convertidores ADC y DAC perfectos no existen, y como una seal digital es una aproximacin de una seal
analgica, hay errores intrnsecos en el proceso de conversin como se ve a continuacin.
La transicin de un cdigo digital de 000 a 001 debera suceder cuando la seal analgica alcanza de 1 LSB, pero
si esta transicin ocurre en cualquier otro punto de la seal analgica, la diferencia es un offset. Este error se localiza
en el primer punto de conmutacin, como se muestra en la figura 3.70 a).

111 111
IDEAL
110 110
Cdigo digital

Cdigo digital

101 101

100 100
IDEAL
011 011

010 010

001 001

000 000
1/8 2/8 3/8 4/8 5/8 6/8 7/8 FS 1/8 2/8 3/8 4/8 5/8 6/8 7/8 FS
Seal analgica Seal analgica
a) b)

=`^liX*%.' <iifi\j\eleZfem\ik`[fi8;:f;8:%X <iifi[\f]]j\k%Y <iifi[\^XeXeZ`X%

Debido a que el primer punto de conmutacin es recorrido, la funcin de transferencia entera se recorre ya sea
hacia la derecha o hacia la izquierda, dependiendo de la polaridad.
Otro error en la funcin de transferencia es el error de ganancia. El efecto de este error es un cambio en la pen-
diente de la curva de la funcin de transferencia, como se muestra en la figura 3.70 b). El error de ganancia es visto
como un corrimiento del cdigo de escala completa despus del corregir el error de offset. Este error puede ser causa-
do por un error en el valor del voltaje de referencia del convertidor, as como por fallas internas del convertidor.

136 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

Observe que en los errores arriba descritos, la funcin de transferencia permanece como una lnea recta. Aunque,
por definicin, esto es conveniente, existen otros dos errores que describen la desviacin de la lnea recta ideal, como
se muestra en la figura 3.71.

111 111

110 110
DNL
Cdigo digital

Cdigo digital
101 101

100 100
INL
011 011
No monotnico
010 010

001 001
Cdigo perdido
000 000
1/8 2/8 3/8 4/8 5/8 6/8 7/8 FS 1/8 2/8 3/8 4/8 5/8 6/8 7/8 FS
Seal analgica Seal analgica
a) b)

=`^liX*%.( <iifi\j[\[\jm`XZ`e[\cXce\Xi\ZkX`[\Xc[\cfjZfem\ik`[fi\j8;:p;8:%X <iifi[\efc`e\Xc`ek\^iXc@EC p\iifiefc`e\Xc


[`]\i\eZ`Xc;EC %Y <iifi\oki\df;EC%

El error no lineal integral (INL, por sus siglas en ingls) es una medida de la desviacin de la funcin de transfe-
rencia de la lnea recta ideal, mientras que el error no lineal diferencial (DNL, por sus siglas en ingls) es cualquier
desviacin en el tamao del paso que se desve del ideal.
Otros dos casos extremos de DNL se muestran en la figura 3.71 b). Estos errores pueden ser desastrosos en siste-
mas de control, donde un sistema de control de lazo cerrado se encuentre buscando una posicin. Uno de estos erro-
res sucede en caso de que se pierda un cdigo y corresponda a la posicin; si esto sucede, el sistema continuar
buscando ese punto y nunca se lograr estabilizar. El otro error est relacionado a los sistemas monotnicos (de mo-
ntonos, es decir que no cambian), los cuales constituyen aquellos sistemas cuyo cdigo de salida permanece constan-
te o siempre se eleva con un incremento en los valores de entrada. Considere un sistema donde el cdigo buscado es
110 en la entrada 6, de 8 posibles de escala plena. Cuando la entrada se incrementa del paso 3 al 8, el cdigo de salida
se incrementa. Ahora, cuando la entrada se incrementa de 4 a 8, el cdigo de salida se decrementa. As pues, el sistema
puede concluir que ha pasado el punto buscado y regresarse. En este caso, el sistema permanece atrapado en un valor
mnimo local, con ninguna oportunidad de alcanzar el punto deseado.

Convertidor analgico a digital (ADC)

A pesar de todas las maravillas de la electrnica digital que se conocen en nuestros das, como reproductores mp3,
reproductores DVD, telfonos iphone, bolsas de aire, etctera, el mundo es analgico! En aplicaciones que van desde
electrodomsticos y automviles modernos hasta aplicaciones mdicas e industriales, las seales analgicas prove-
nientes de una diversidad grande de sensores, tienen que ser detectadas, amplificadas y convertidas al dominio digital,
a fin de realizar su procesamiento. En todo este proceso, el convertidor analgico a digital (ADC) juega un papel pri-
mordial. En esta seccin presentamos los fundamentos de la transformacin de las seales de mundo analgico al
mundo digital va el ADC.
Por qu nos interesa el mundo analgico? Bien, porque existe un incremento en el uso de sensores (los cuales son
esencialmente analgicos) y, hoy en da, la variedad de sensores es vasta, ya que incluye sensores de movimiento, pre-
sin temperatura, corriente, acstica, humedad, campo magntico, etctera. Por ende, la mayora de esas seales
analgicas proviene de ellos, y casi todas las tarjetas electrnicas tienen al menos una seal analgica.
Para apreciar la transformacin del mundo analgico a su representacin en el mundo digital, en la figura 3.72
esta se representa con el juego de la resbaladilla.

grupo editorial patria 137


3 El mgico amplificador operacional

Altura (Unidades fsicas)


Perspectiva
analgica

rma
tafo Tiempo
Pla
o4 T0 T1 T2
Pas
o3
Pas Plataforma
2
P aso Paso 4 Perspectiva
digital
o1 Paso 3
Pas
Paso 2
rra
Tie Paso 1
Tiempo
Tierra
T0 T1 T2

=`^liX*%.) KiXej]fidXZ`e[\cdle[fXeXc^`ZfXjli\gi\j\ekXZ`e[`^`kXc%

En la figura 3.72 se aprecia que el deslizamiento por la resbaladilla es continuo en la perspectiva analgica y dis-
creto, o en pasos, en su contraparte digital. Esto sirve como prembulo para entender otro trmino importante en el
proceso de digitalizacin, llamado error de discretizacin o ruido de discretizacin. En inlgs, este error es conocido
como quantization error, por lo que existen algunos autores que en espaol lo llaman error de cuantizacin. La figura
3.73 muestra la funcin de transferencia ideal de un ADC de 3 bits.

111
Cdigos digitales de salida

110

101

100

011

010

001

000
0 1 2 3 4 5 6 7
Voltaje analgico de entrada

=`^liX*%.* =leZ`e[\kiXej]\i\eZ`X`[\XcgXiXle8;:[\*Y`kj%

En la figura 3.73, la lnea recta representa la funcin de transferencia para un sistema analgico, donde se tiene
una seal analgica de entrada y una seal analgica de salida tanto para el eje X como para el eje Y. Por su parte, para
el sistema digital, se tiene una seal analgica de entrada en el eje X y un cdigo digital de salida en el eje Y.
Debido a que la salida en el sistema digital debe asumir un cdigo discreto, deber existir una desviacin de la l-
nea ideal cuando la entrada no sea exactamente el valor del cdigo. Esta desviacin es el error de discretizacin o error
de cuantizacin, el cual se representa en la figura 3.74.

+1 LSB
de salida
Error

000
1 2 3 4 5 6 7
1 LSB Voltaje analgico de entrada

=`^liX*%.+ <iifi[\[`jZi\k`qXZ`ef\iifi[\ZlXek`qXZ`e%

138 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

Este error genera un impacto en el desempeo del ADC, pero su anlisis va ms all del alcance de este libro; sin
embargo, es importante saber que existe y que podra afectar el funcionamiento del ADC. En esta seccin nos centra-
mos en las tcnicas ms usadas en la actualidad para entregar un valor digital proveniente de una entrada analgica.
Para realizar los ADC, se han diseado diferentes topologas de circuitos. Sin embargo, a causa de su desempeo,
estos diseos se han reducido a cuatro topologas bsicas: los convertidores flash, los convertidores de aproximaciones
sucesivas (SAR, por sus siglas en ingls), los convertidores pipline y los convertidores delta-sigma. La figura 3.75
muestra una comparacin de velocidad contra resolucin para estos cuatro convertidores, donde adems tambin se
puede apreciar que los lmites entre unos y otros se ha traslapado.

300 M
Flash
100 M
Pipeline
10 M Delta
Velocidad (muestras/s)

Sigma
1M

500 K
SAR
100 K

10 K

1K Delta Sigma

0
6 8 10 12 14 16 18 20 24
Resolucin en bits

=`^liX*%., :fdgXiXZ`e[\8;:j%

Un cambio importante y significativo de estos nuevos diseos es la desaparicin de un circuito OP AMP inde-
pendiente, llamado muestra/retencin o sample/hold (S/H, por sus siglas en ingls). El S/H se utilizaba como fornt
end de la seal analgica de entrada, y su salida se conectaba al ADC para obtener resultados de conversin vlidos;
asimismo, se requera que la seal analgica de entrada fuera estable, al menos durante el tiempo de conversin de un
LSB. Varios avances se han realizado en el desempeo de los ADC, entre los que se incluyen los incrementos en la
resolucin, los tiempos de conversin ms cortos y los voltajes de escala plena reducidos. Adicionalmente, estas con-
figuraciones avanzadas de circuitos ADC han permitido la integracin del S/H dentro del convertidor.23
Ms all de la diferencia de velocidad-resolucin, existen otros parmetros importantes como el tiempo de lectura
del convertidor. Cada convertidor tiene ventajas y desventajas; sin embargo, el dispositivo ptimo depende de la apli-
cacin, es decir de qu se necesita hacer con los datos. En esta seccin solo se esboza, de manera general, el funciona-
miento del ADC ms rpido, el tipo flash, y del ADC de rango ms amplio en trminos de resolucin, el tipo SAR.
El ADC tipo flash es el ms rpido para convertir una seal analgica a digital, y tal vez es el que presenta la topo-
loga de diseo ms simple, como lo muestra la figura 3.76.
Un ADC flash de N-bit se compone de 2N1 OP AMPs comparadores, 2N resistencias y una malla lgica que
determina el cdigo binario de salida. En esta configuracin, VREF es igual al voltaje de escala completa, VFS. Los valo-
res de la cadena de resistencias es tal que el voltaje en la entrada inversora del comparador 1 (COMP1) es de LSB. El
valor del resto de los pasos de resistencias se define de tal forma que la entrada inversora de COMP2 es 1 LSB.
Por tanto, el funcionamiento es como sigue:
t Cuando VENT < LSB, entonces todas las salidas son cero lgico o estado BAJO.
t Cuando LSB < VENT < 1 LSB, entonces COMP1  1 lgico o estado ALTO.
t Cuando LSB < VENT < 2 LSB, entonces COMP1 y COMP2  1 lgico o estado ALTO.

23
Durante el desarrollo de mi tesis de licenciatura utilic un circuito S/H y ADC del fabricante Burr Brown. El tamao del S/H era de aproximada-
mente 2 cm r 2 cm, y junto con el ADC trabajaban muy bien. El nico problema fue un sobrecalentamiento en un pin que realic al re-alambrar
mi circuito ADC para separar las tierras digitales de las analgicas. No apareci el humo mgico de destruccin, pero la parte digital dejo de
operar. Menciono esto porque al final de este captulo realizamos algunas recomendaciones prcticas para trabajar con estos circuitos y evitar,
en la medida de lo posible, solicitar otro componente a los jefes inmediatos, a quienes no les va a gustar esta solicitud.

grupo editorial patria 139


3 El mgico amplificador operacional

VENT
R8
VREF

R7
+
COMP7

Conversin binaria
R4
+
COMP4

R3 +
COMP3

R2

+
COMP2

R1

+
COMP1

=`^liX*%.- :fe]`^liXZ`e[\[`j\f[\le8;:k`gf]cXj_%

Cuando la magnitud del voltaje de entrada, VENT , se incrementa, la salida del nmero de comparadores que son
1 lgicos tambin se incrementa. La funcin del bloque de conversin binaria es cambiar la salida de los comparadores
a un cdigo binario.
La ventaja principal del ADC tipo flash es su rapidez; no obstante, una de sus limitantes son los tiempos de pro-
pagacin de los comparadores y de la red lgica. Pero, la desventaja ms importante se encuentra en el nmero de
resistencias (2N) y comparadores (2N1) requerido, lo cual tambin impacta en su costo. Por ejemplo, un convertidor
de 8 bits requiere de 255 comparadores y 256 resistencias.
El ADC de aproximaciones sucesivas es uno de los ms usados; este tiene, como parte de sus caractersticas fun-
damentales, el tiempo de conversin relativamente corto, comparado con otras tecnologas que le preceden, como el
ADC tipo rampa. El ADC de aproximaciones sucesivas (SAR) es una configuracin de hardware que sigue el valor de
1 bit en un esquema de rbol. Conceptualmente, un circuito lgico asume un valor digital inicial, por lo general el
valor de media escala almacena esa informacin en un registro y la aplica a un DAC. Un OP AMP comparador deter-
mina si la suposicin inicial, aplicada por el DAC, tiene un nivel ALTO o BAJO (1 o 0) y lo reporta al circuito lgico
de control para guiar a la siguiente suposicin. La figura 3.77 muestra la configuracin del ADC tipo SAR.
Comparador
+
Ventrada Registro
de control

VDAC Registro de
Aproximaciones
sucesivas

Salida
digital

DAC

=`^liX*%.. :fe]`^liXZ`e[\_Xi[nXi\[\le8;:k`gfJ8I%

140 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

La primera suposicin se determina, como mencionamos antes, a media escala, es decir entre cero y escala plena,
lo cual se hace estableciendo en uno el bit ms significativo de la palabra digital (MSB, por sus siglas en ingls) que para
un DAC de 8 bits es 1000 0000, como se muestra en la secuencia 1 de la tabla 3.5.

Secuencia Palabra digital Voltaje aproximado


Inicio 0000 0000 (0/255) *  0 < 2
1 1000 0000 (128/255) * 5  2.5 V > 2
2 0000 0000 (0/255) * 5  0 < 2
3 0100 0000 (64/255) * 5  1.25 V < 2
4 0110 0000 (96/255) * 5  1.88 V < 2
5 0111 0000 (112/255) * 5  2.19 V >2
6 0110 1000 (104/255) * 5  2.03 > 2
7 0110 0100 (100/255) * 5  1.95 < 2
8 0110 0110 (102/255) * 5  1.99 < 2
9 0110 0111 (103/255) * 5  2.01 > 2

KXYcX*%, J\^l`d`\ekf[\cmXcfiXeXc^`ZfljXe[fle8;:k`gfJ8I%
5V
Para este ejemplo, el VFS  5 V, por tanto 1 LSB   19.6 MV . Si el voltaje de entrada VENT  2 V; entonces, al
28 1
realizar la comparacin, el valor de salida sera menor que la salida del DAC y el bit MSB se reinicia a cero, como se
aprecia en la secuencia 2 de la tabla 3.5. Si VENT es mayor, el MSB se deja en 1. La bsqueda binaria contina sucesiva-
mente cada ciclo de reloj del circuito digital hasta que se prueba el bit ms bajo (LSB).
Una de las desventajas del ADC tipo SAR es la velocidad de conversin, sin embargo cada vez aparecen CI con
esta configuracin y velocidades mayores. Asimismo, existen muchos dispositivos microcontroladores que poseen
internamente un OP AMP, para realizar esta funcin de forma econmica, o cuentan con ADC interno.

Convertidor digital a analgico (DAC)

La tarea principal de los convertidores digital a analgico (DAC) es convertir un valor numrico a una seal analgica.
De manera general, existen dos esquemas bsicos de DAC: el sistema de ponderacin binaria continua y el sistema de
red de escalera R-2R.
El sistema de ponderacin binaria consiste en un circuito OP AMP tipo sumador, para el cual se ponderan las
ganancias de cada bit discretizado o cuantizado. La figura 3.78 muestra un DAC de 4 bits.

VREF

R R/2 R/4 R/8

B1
B2
R
B3
B4

VSA
+

* B1 = Bit menos significativo, B4 = Bit ms significativo

=`^liX*%./ <jhl\dX[\gfe[\iXZ`eY`eXi`XgXiXle;8:[\+Y`kj%

grupo editorial patria 141


3 El mgico amplificador operacional

En el esquema de la figura 3.78 el bit menos significativo (LSB) alcanza la ganancia mnima y el bit ms significa-
tivo (MSB) alcanza la ganancia mxima. Los interruptores analgicos (IA) activan las entradas al OP AMP y conectan
la seal VREF a una ganancia que corresponde a la posicin del bit. La ventaja de este esquema es su simplicidad, ya que
utiliza nicamente un OP AMP junto con un arreglo de resistencias ponderadas, las cuales pueden depositarse en CI
para estos propsitos. La desventaja de este esquema es que al desarrollar un DAC con elementos ponderados discre-
tos, las resistencias requeridas podran ser de una gama amplia de valores. Adems, puede presentarse el caso de no
tener mucha flexibilidad en la seleccin de resistencias, debido a las caractersticas prcticas de retroalimentacin y
operacin del OP AMP seleccionado.
El DAC por red de escalera R-2R es un circuito en el cual se utiliza un esquema de divisores de voltaje en forma
seriada, a fin de generar la ponderacin de un voltaje de referencia. En este, los IAs conectan o desconectan la posicin
relativa de la red a un punto comn que puede ser tierra o un punto de voltaje de referencia. Para clarificar estos es-
quemas, vamos a presentar esta configuracin con 2 bits.
Existen dos circuitos para implementar este DAC: la red R-2R estndar y la red R-2R invertida. El circuito R-2R de
escalera presenta una gran sencillez, ya que se requieren solo dos valores de resistencias, y el nmero de posibilidades
en esquemas, tanto discretos como en integrados, es muy grande. Un inconveniente podra ser el uso de IAs de un solo
tiro, dos polos, como se muestra en la figura 3.79.

VREF VREF

R R
2R 2R 2R 2R 2R 2R

B1 V1 R REQ VSA B1 V1 R REQ VSA
+ +
B2 B2

=`^liX*%.0 <jhl\dXgXiXle;8:k`gfI$)I%X 9(4(p9'4(%Y 9(4'p9'4(%

Para entender el funcionamiento de este esquema, vamos a asumir que B0 es el LSB y B1 es el MSB. Para analizar
este circuito, se usa el principio de superposicin, con el cual se consideran las contribuciones independientes de cada
bit. De esta forma, podemos observar que en el circuito de la figura 3.79 a) el nmero binario de entrada es B1B0  11.
Ahora, vamos a asumir que la entrada digital se cambia a B1B0  01, como se muestra en la figura 3.79 b). La resisten-
cia equivalente de la red, REQ , vista desde el nodo de retroalimentacin, en la terminal inversora, es:

REQ  [(2 R % 2 R ) R ] % 2 R  R (3.56)

El voltaje equivalente de Thvenin de la red, visto desde el mismo nodo, en circuito abierto, es:
V1 (2 R ) 2
VTH ()   V1 (3.57)
2R R 3
El voltaje intermedio, V1, se obtiene por divisin de voltajes de la siguiente manera:

VREF (3 R % 2 R ) VREF 65 R 6
V1    VREF (3.58)
(3 R % 2 R ) 2 R 65 R 105 R 16

Sustituyendo las ecuaciones 3.57 y 3.58, se obtiene el voltaje de Thvenin, VTH, en funcin del voltaje de referencia,
VREF , por tanto:
2 6 6
VTH  
3 16
VREF  VREF
16
(3.59)

Ahora, asumimos que el cdigo binario es B1B0  10, como se muestra en la figura 3.80.

142 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

VREF

R
2R 2R 2R

B1 V1 R REQ VSA
+
B2

=`^liX*%/' <jhl\dXgXiXle;8:k`gfI$)I#Z[`^fY`eXi`f9(4(p9'4'%

Otra vez, el anlisis requerido es usar es el principio de superposicin y el teorema de Thvenin para encontrar
los voltajes equivalentes aplicados al nodo de retroalimentacin del circuito en la terminal no inversora del OP AMP.
La resistencia equivalente es:

REQ  [2 R % 2 R R ] % 2 R  R (3.60)

El voltaje equivalente de Thvenin es:


2 R r VREF VREF
VTH   (3.61)
2R 2R 2
Por ltimo, aplicando el principio de superposicin podemos obtener la tabla 3.6, la cual representa el funciona-
miento del DAC de 2 bits para todos los casos.

Cdigo de entrada Voltajes


B1 B0 VTH VSAL
0 0 0 0
0 1 0.25 VREF 0.25 VREF
1 0 0.50 VREF 0.50 VREF
1 1 0.75 VREF 0.75 VREF

KXYcX*%- Fg\iXZ`e[\le;8:[\)Y`kI$)I\jk}e[Xi%

Para la red R-2R invertida de 2 bits, la red de escalera R-2R se coloca en la parte superior, invirtiendo la posicin
relativa de los interruptores analgicos, IAs. Igualmente, la red se conecta al voltaje de referencia, VREF , para producir
la divisin de voltaje esperada en el nodo de retroalimentacin, a fin de entrar a la terminal inversora del OP AMP,
como se muestra en la figura 3.81.

VREF
R 2R
2R 2R


B1 REQ VSA
B2 +

=`^liX*%/( ;8:[\)Y`kjZfei\[I$)I`em\ik`[X#Z[`^f[\\ekiX[X9(9'4('%

grupo editorial patria 143


3 El mgico amplificador operacional

El anlisis de este circuito se efecta usando, igualmente, el teorema de superposicin y el teorema de Thvenin
para obtener sus voltajes y resistencias equivalentes. Los resultados del DAC con red R-2R invertida son idnticos a los
encontrados con la red estndar, los cuales se muestran en la tabla 3.6.
Si se desea un DAC de 8 bits R-2R, se puede utilizar un CI que contenga un arreglo de dos valores de resistencias,
como se muestra en la figura 3.82.

R
VREF
2R

VSA
B8 R +
2R

B7 R
2R

B6 R
2R

B5 R
2R

B4 R
2R

B3 R
2R

B2 R
2R

B1 R

=`^liX*%/) ;8:[\/Y`kjZfei\[I$)I%

De igual modo, tambin existen DAC completos en CI, como el que se ilustra en la figura 3.82, los cuales usan
interruptores analgicos, IAs, de corriente. Estos dispositivos proveen una salida proporcional a la ponderacin dada
por el cdigo binario de entrada. Algunos CI con estas caractersticas son los convertidores tipo DAC 08 y tipo
MC1408, entre otros. Estos DACs presentan configuraciones recomendadas para aplicaciones generales, ya que pro-
porcionan una seal de salida en corriente; sin embargo, si es requerido cambiar a voltaje solo se agrega un convertidor
de I-V basado en un OP AMP.
A manera de ejemplo, vamos a describir un DAC tipo MC1408 con salida de corriente y con salida de voltaje. El
DAC MC1408 utiliza la red escalera R-2R y obtiene la corriente de salida de la siguiente manera:

I SAL  I REF  A2 A4 A8 16A 32A 64A 128


1 2 3 4 5 A6

A
256
7 8

Donde AN  1, para la salida ALTA, y AN  0, para la salida BAJA. La corriente de referencia para este CI se obtiene
por:
VREF
I REF 
RREF
La aplicacin ms sencilla, usando el DAC M1408, es obtenr una salida de corriente como la que se ilustra en la
figura 3.83.

144 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

5 V 5 V

0.1 F 0.1 F 5 V

13 3 RREF 2 K
VCC VEE
(V) (V)
MSB 5
A1 2.5 K 0.1 F
6
A2
VREF
7 14
A3
8
A4 MC1408
9 4 SaIida
A5 I0
10
A6
RL = 500 
11
A7
LSB 12 I0 15
A8 VREF
GND
Datos
de entrada 2 1

=`^liX*%/* 8gc`ZXZ`ej`dgc\[\c;8:D(+'/%

El MC1408 se calibra, de acuerdo con la hoja de datos, a una corriente de salida ISAL  1.99219 A de plena escala.
Por tanto, suponiendo que la corriente de referencia, IREF  2 A, entonces la resistencia de referencia se obtine por:
5V
RREF   2.5 k 7
2mA
Si conectamos una resisitencia de carga, RL  500 , entonces el voltaje de plena escala es:
255
VSAL( MAX )  (2 mA)(500 7)  0.996 V
256
Si se requiere obtener una salida de voltaje, se usa un OP AMP, como se ilustra en la figura 3.84.
+5 V 5 V

0.1 F 0.1 F
CCOMP

13 3
VCC VEE 16
Comp
(V+) (V)
MSB 5 10 V
A1
6 5K
A2 +VREF
7 14 +15 V
A3
10 K
8 5K
A4 MC1408
9
A5 I0 4
10
A6 741
741 VSA
11 I0 +
A7
LSB 12 VREF
A8 15
Datos 15 V
de entrada

=`^liX*%/+ ;8:D:(+'/ZfejXc`[X[\mfckXa\gifgfiZ`feX[XgfileFG8DG%

grupo editorial patria 145


3 El mgico amplificador operacional

Las tablas 3.7 y 3.8 ilustran la forma de compensar y calibrar el DAC tipo DAC08 o MC1408, de acuerdo con la
informacin proporcionada por el fabricante, en este caso ON semiconductors.

RREF (k) CCOMP (pF)


1.0 15
2.5 37
5.9 75

KXYcX*%. I\j`jk\eZ`Xj[\i\]\i\eZ`XpZXgXZ`kfi[\Zfdg\ejXZ`e%

B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 VSAL (V)
Escala completa 1 1 1 1 1 1 1 1 4.96
Escala de cero 1 0 0 0 0 0 0 0 0.00
Negativo de escala completa 0 0 0 0 0 0 0 1 4.96
( 1LSB)
Negativo de escala completa 0 0 0 0 0 0 0 1 5.00

KXYcX*%/ :Xc`YiXZ`ekg`ZX[\c;8:D:(+'/%

Existen otros DACs que pueden ser configurados para operacin unipolar (0-10 V) o bipolar (10 V a 10 V), con
mayor resolucin, como el AD667 de 12 bits. Los DACs pueden ser utilizados como perifricos de sistemas digitales
basados en microprocesadores o microcontroladores. Otra vez, este es uno de los tpicos que cubriremos en el si-
guiente captulo: Principios de electrnica digital y microprocesadores.

LAS MISTERIOSAS TIERRAS

La reduccin de ruido es uno de los aspectos ms importantes en la mayora de los diseos electrnicos. Al igual que
las restricciones de potencia, los cambios en la temperatura, las limitaciones de tamao y los requerimientos de rapi-
dez y exactitud, el ruido es un factor omnipresente que debe ser tomado en cuenta para realizar diseos exitosos.
Existen muchas fuentes de ruido, sin embargo, las generadas dentro del circuito o sistema electrnico es responsabili-
dad del diseador y pueden afectar el desempeo total del circuito.
Existen muchos artculos, extensas notas de aplicacin e incluso libros que tratan el tema de las tierras. Pero,
continuando con el sentido de este libro, vamos a tratar de generar un entendimiento intuitivo acerca de las misterio-
sas tierras. As pues, empezamos definiendo el concepto de tierra. La tierra se considera un punto de referencia para
todas las seales de un sistema o una trayectoria de retorno para las corrientes elctricas de un circuito. Idealmente,
la tierra tiene un voltaje, mejor conocido como diferencia de potencial, de cero volts, en todas partes que se encuentre.
En el mundo cotidiano, la tierra no es otra cosa que una seal transportada por conductores, y los conductores reales
tienen cierta impedancia. Las corrientes que circulan esta tierra causan que la diferencia de potencial a travs del
conductor sea diferente en todos los puntos.
Una buena tierra se obtiene manteniendo la impedancia del conductor (por lo general, cobre) lo ms baja posi-
ble, lo cual minimiza la diferencia de potencial en el mismo. Lo anterior se lleva a cabo dedicando una capa de la tar-
jeta del circuito impreso (PCB, por sus siglas en ingls) nicamente como plano de tierra, donde un rea grande de
cobre reduce la impedancia. Sin embargo, tenemos que recordar que la impedancia, del plano de tierra o de un cable
conductor, contiene, adems de resistencia, una componente de capacitancia o inductancia.
Con frecuencia, al plano de tierra se le considera como el mejor retorno de corriente, tanto para la fuente de ali-
mentacin como para las seales de inters en el sistema o en la tarjeta electrnica; ello se debe a que este puede
proveer un punto o nodo de referencia para convertidores, OP AMP y otros circuitos. No obstante, el uso del plano
de tierra no asegura una tierra de alta calidad para circuitos de CA.

146 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

As, por ejemplo, la resistencia de CD de un cable aplica nicamente a muy bajas frecuencias y es directamen-
te proporcional a su longitud. Considrese que la resistencia de un cable recto de 3 metros del nmero 12 (dimetro
2.56 mm) es aproximadamente 0.015 , como lo muestra la figura 3.85. Por otro lado, la inductancia de un cable es
casi independiente de su dimetro, pero es directamente proporcional a su longitud, y se incrementa cuando existen
curvas o lazos. Por ejemplo, el cable de 3 metros del nmero 12 tiene una impedancia de 30 a 1 MHz, como se
ilustra en la figura 3.85. Si sustituimos este cable por uno de media pulgada de dimetro (12.7mm), la impedancia se
reduce ligeramente a 25 .

10K
3K
1K

Impedancia (ohms)
300
100
30
10
3.0
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
100 1K 10K 100K 1M 10M 100M
Frecuencia (Hertz)

=`^liX*%/, >i}]`ZX[\`dg\[XeZ`Xmj%]i\Zl\eZ`XgXiXleZXYc\i\Zkf[\*d[\ced\if()%

Adicionalmente, un cable puede resonar, es decir se puede convertir en una antena irradiando energa, cuando su
longitud es un cuarto de su longitud de onda, . Para el cable de 3 metros, esto sucedera a aproximadamente a:
C 3 x108
25 MHz, f  
L 12 m
Para desmitificar un poco estas misteriosas tierras, vamos a usar un circuito muy simple, construido en una tar-
jeta de 2 capas, y el cual tiene una fuente de corriente de CD y de CA en la capa superior que es conectada al punto 1
en un extremo. Esta fuente de corriente se conecta al punto 2 a travs de una trayectoria de cobre, tambin llamada
pista, en forma de U, como se muestra en la figura 3.86. En la figura se observa cmo ambos puntos van a travs del
PCB y se conectan al plano de tierra. Idealmente, la impedancia en la trayectoria en forma de U es cero y el voltaje que
aparece entre los puntos conectados de la fuente de corriente debera ser cero.

Punto 2 Punto 1 Capa inferior


usada como
plano de tierra
CD + CA slido
Conductor
con forma de U

Capa superior

a) b)

=`^liX*%/- X ;`X^iXdX\jhl\d}k`Zf[\leX]l\ek\[\Zfii`\ek\%Y =l\ek\[\Zfii`\ek\:;p:8 Zfe\ZkX[X\eki\cfjglekfj(p)XkiXmj


[\leXkiXp\Zkfi`X\e]fidX[\L\e\cG:9#Zfei\kfief[\k`\iiXXkiXmj[\cgcXef[\k`\iiX%

El diagrama esquemtico de la fuente de corriente, figura 3.86 a), no muestra estas sutilezas; pero, entendiendo
como fluye la corriente en el plano de tierra, del punto 1 al punto 2, hace presentes estas realidades y muestra cmo
puede evitarse el ruido de tierra a altas frecuencias.

grupo editorial patria 147


3 El mgico amplificador operacional

En la figura 3.87 se ilustra cmo fluye la corriente de CD. Como sabemos, la corriente toma la trayectoria de me-
nos resistencia, en este caso del punto 1 al punto 2.

Punto 2 Punto 1 Plano


de tierra

CD

Trayectoria de la corriente de CD rea de lazo


para calcular
Conductor con forma de U la inductancia
Capa superior

=`^liX*%/. KiXp\Zkfi`X[\cXZfii`\ek\[\:;#[\cglekf(Xcglekf)%

Como se aprecia en la figura 3.87, algo de la corriente de CD se dispersa, pero solo una cantidad pequea de esa
corriente fluye a una distancia sustancial de esta trayectoria.
Por otro lado, es importante resaltar que la corriente de CA no toma la misma trayectoria de menos resistencia,
sino que toma la trayectoria de menos impedancia, la cual depende de la inductancia. La inductancia es proporcional
al rea del lazo creado por el flujo de corriente, esta relacin puede ilustrarse por la regla de la mano derecha y el cam-
po magntico, como se muestra en la figura 3.88.

Lneas
Oposicin de flujo
bucle alrededor
exterior del alambre
superior

Refuerzo en
el interior
de bucle
Lneas
de flujo
alrededor Oposicin
del alambre bucle
inferior exterior

=`^liX*%// Ce\Xj[\ZXdgfdX^ek`Zfp\ccXqf`e[lZk`mf%

Dentro del lazo, la corriente produce lneas de campo magntico que se suman constructivamente. Sin embargo,
lejos del lazo existen lneas del campo magntico que se suman destructivamente; por esta razn, el campo magntico
se encuentra principalmente dentro del lazo. Entre ms grande sea el lazo, mayor ser la inductancia; esto significa que
para un nivel de corriente dado, se almacena ms energa magntica y se tiene una impedancia mayor. Como se recor-
dar del captulo 1, la impedancia inductiva es XL  2fL; por tanto, la impedancia se incrementa con la frecuencia y,
por ende, tambin se incrementa el voltaje.
La pregunta, entonces, es: cul trayectoria escoge la corriente en el plano de tierra? Naturalmente, la trayectoria
de menor impedancia. Considerando el lazo formado por la pista en forma de U en la capa superior, el plano de tierra
en la capa inferior y despreciando la componente resistiva del cobre, la corriente de CA de alta frecuencia fluir por
la trayectoria de menor inductancia, por tanto, la de menor rea. En el ejemplo de la figura 3.87, la trayectoria con
menos rea es, evidentemente, la pista en forma de U y la porcin del plano de tierra directamente debajo de la pista.

148 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

En la prctica, la resistencia del plano de tierra causa que, a bajas o medianas frecuencias, la corriente fluya entre el
plano de tierra y directamente en la pista de la capa superior. Sin embargo, el regreso de la corriente casi se desarrolla
todo en la pista de la capa superior, incluso con frecuencias tan bajas como 1 MHz o 2 MHz.
Una vez que se entiende el retorno de corriente en el plano de tierra, los problemas de distribucin de pistas (la-
yout, en ingls) se pueden identificar y corregir. De esta forma, si se identifica una trayectoria como crtica, se tratar
de mantener corta y alejada de las lneas digitales. En tanto, si la pista tiene menos importancia, incluso, se puede
cortar el plano de tierra y usar un camino que no afecte circuitera sensible.
Desafortunadamente, resulta que la inductancia se introduce en ambos retornos de las seales, la pista en U y el
plano de tierra; esta ltima produce que ambos lazos sean mayores. Para seales tpicas TTL (lgica de transistor-
transistor, por sus siglas en ingls), la diferencia de potencial puede ser de cientos de milivolts, suficiente para compro-
meter el desempeo de un ADC de 8 o 12 bits. Una solucin simple, no esttica, es conectar un cable atravesando el
plano de tierra, para mantener el lazo pequeo.
Otro aspecto importante es la distribucin de potencia en la tarjeta electrnica. Las lneas de la fuente de alimen-
tacin se tratan como lneas de transmisin, y estas deben de mantener la impedancia caracterstica tan baja como sea

posible  C
L
. Para mantener esta relacin pequea, la inductancia se reduce y la capacitancia se incrementa, por
medio del uso de un plano de tierra bajo las lneas de alimentacin; adicionalmente, la capacitancia se puede incre-
mentar seleccionado capacitores de desacoplo (bypass capacitors) en lugares crticos, como se describi antes. Si se
conecta un capacitor de desacoplo de 0.l f entre los pines de alimentacin, se reducir su impedancia.

Tierras digitales y analgicas

En esta seccin consideramos la importancia que tienen la distribucin y la configuracin geomtrica de las tierras
analgicas y digitales, a fin de asegurar la integridad de las seales de inters y reducir el ruido en diseos que incluyen
seales mezcladas, es decir diseos de mdulos que contienen tanto componentes analgicos como digitales, como
los convertidores ADC y DAC.
Muchos diseadores separan o dividen el plano de tierra en dos secciones: una digital y una analgica, como se
muestra en la figura 3.89. En esta divisin, los circuitos analgicos se localizan en la seccin del plano analgico y la
porcin digital del sistema se encuentra en la parte digital. Por tanto, las dos tierras se unen en la fuente de alimenta-
cin del sistema.

A/D
Tierra analgica Tierra digital
? AGND DGND ?

Fuente de poder

=`^liX*%/0 ;`m`j`e[\cgcXef[\k`\iiX#le`[f\ecX]l\ek\[\Xc`d\ekXZ`e%

grupo editorial patria 149


3 El mgico amplificador operacional

Por lo general, los convertidores DAC o ADC dividen sus tierras y disponen de dos terminales en su distribucin
de pines: una llamada tierra analgica (AGND) y otra llamada tierra digital (AGND); sin embargo, su conexin no
consiste simplemente en conectar las terminales de tierra a su correspondiente seccin del plano de tierra. Debido a
que AGND y DGND no estn conectadas dentro del CI, la impedancia interna sera muy alta; por tanto, los fabrican-
tes de convertidores consideran que se debe usar una impedancia externa muy baja para conectar las terminales de
tierras AGND y DGND, con el propsito de hacerlos funcionar adecuadamente.
Las terminales AGND y DGND de un convertidor deben unirse en el convertidor o su desempeo no ser el
adecuado. En trminos de cmo se conectan estas tierras, existen tres posibilidades:

1. Conectar las terminales de tierra analgica y digital del convertidor a su respectivo plano, y debajo del conver-
tidor unir los planos como se muestra en la figura 3.90.

A/D
Tierra analgica Tierra digital
AGND DGND

Fuente de poder

=`^liX*%0' ;`m`j`e[\gcXefj[\k`\iiXZfeZfe\o`e[\YXaf[\cZfem\ik`[fi8;:%

Idealmente, el punto de conexin de la figura 3.90 debera ser donde la tierra de la fuente de alimentacin
se conecta, para crear una tierra con forma de estrella, aunque en la mayora de los sistemas es poco prctico.
Tcnicamente, lo anterior crea un lazo de tierra no deseado, pero si las corrientes fluyen por debajo del con-
vertidor son sus propios retornos, entonces no habra ningn problema.
2. Conectar las terminales de tierra del convertidor, en este caso ADC, nicamente al plano de tierra analgico,
como se muestra en la figura 3.91.
Lo anterior pone las terminales de tierra del convertidor en el plano de tierra analgico, creando una ruta
alrededor del pin de DGND. Este enfoque funciona con menos eficacia para sistemas con mltiples converti-
dores, ya que si usamos el enfoque de la figura 3.90 se produciran mltiples lazos de tierra, lo cual es pedir
problemas gratis.
3. No dividir el plano de tierra y conectar las tierras del convertidor al plano de tierra comn, como se muestra
en la figura 3.92.

Por tanto, es recomendable disear teniendo en mente una adecuada divisin de las secciones digital y analgica.
Cuando se usan dispositivos de baja potencia, el plano de tierra slido puede ser muy efectivo. Usar los planos de
tierra, propiamente, ayuda a reducir trayectorias inadvertidas que pueden producir retornos de corriente de alta im-
pedancia y problemas de interferencia electromagntica. Recurdese que un convertidor de datos es un dispositivo
analgico.

150 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

Parte analgica Parte digital


del plano de tierra del plano de tierra

A/D A/D
Tierra analgica Tierra digital
AGND DGND AGND DGND

Fuente de poder Fuente de poder

=`^liX*%0( 8dYXjk`\iiXj[\leZfem\ik`[filjX[XjZfdfi\kfief =`^liX*%0) GcXef[\k`\iiXe`ZfZfe\ZkXe[fcXjk`\iiXj\eleX


[\cgcXefXeXc^`Zf% j\ZZ`eXeXc^`ZXpleXj\ZZ`e[`^`kXc%

CONSIDERACIONES Y RECOMENDACIONES GENERALES

En teora, todos los circuitos de este captulo funcionan. Pero, ms all de la teora, en este apartado presentamos al-
gunas consideraciones que nos permiten disear con el OP AMP de una manera prctica y hacerlos funcionar a la
primera vez. Por tanto, primero se presenta una lista de los problemas asociados con el OP AMP, principalmente
cuando se usa un PCB; no obstante, estas recomendaciones se pueden extender a los prototipos que usamos de prue-
ba en el laboratorio. La lista tiene dos categoras: sugerencias generales y las pequeas trampas donde solemos caer
cuando no somos lo suficientemente cuidadosos.
1. Debemos ser cuidadosos con las terminales de alimentacin del CI. No se deben usar voltajes muy altos o muy
bajos. Las fuentes con voltajes altos pueden daar la componente. Por el contrario, los voltajes bajos no pola-
rizarn internamente los transistores internos y es posible que el amplificador no funcione en absoluto o no
funcione adecuadamente.
2. Debemos asegurarnos de que las fuentes de alimentacin negativa y positiva tengan los voltajes que se espera,
de acuerdo con las especificaciones del OP AMP. Algunas veces se usan dos bateras comerciales para propor-
cionar los voltajes VCC y VCC , como se muestra en la figura 3.93. No dude, use un voltmetro entre las dos
fuentes y entre cada fuente y tierra para verificar.

+9 V 9 V
Tierra

+Vs Vs

+ +
Alcalina Alcalina
9V 9V

=`^liX*%0* :fe\o`e[\[fjYXk\iXjgXiXgifgfiZ`feXicfjmfckXa\j[\"M::pM::\eleFG8DG%

grupo editorial patria 151


3 El mgico amplificador operacional

3. Como se vio en la seccin anterior, las msticas tierras no son de confiar, especialmente si usan componentes
digitales. Si su circuito tiene mucha circuitera digital, considere separar las tierras analgicas de las digitales y,
de ser posible, use planos de tierra. Es muy dif cil, por no decir que imposible, eliminar el ruido digital de con-
mutacin de una seal analgica.
4. Use capacitores de desacoplo tan cerca como sea posible de las terminales de alimentacin del CI. Para OP
AMP que operan con anchos de banda de hasta 1 MHz, los capacitores de 1 F son apropiados. Algunas veces
se usan capacitores ms pequeos, por ejemplo de 0.1 F, principalmente cuando los anchos de banda del CI,
digitales o analgicos, son de decenas a cientos de megahertz. La figura 3.94 muestra una tarjeta electrnica
con sus capacitores de desacoplo cerca de las terminales de alimentacin de un CI. Tambin es recomendable
usar un capacitor de 10 F en la fuente de alimentacin.

:XgXZ`kfi[\'%(=

=`^liX*%0+ KXia\kX\c\Zkie`ZX\ecXhl\j\`e[`ZXcXgfj`Z`e[\leZXgXZ`kfi[\[\jXZfgcf[\dfekXa\jlg\i]`Z`Xc%

5. Use las pistas de las entradas del OP AMP tan cortas como sea posible. Si tiene la costumbre de usar las table-
tas blancas con perforaciones (protoboard), debe estar consciente de que existen capacitancias e inductancias
que pueden causar ruido. Si tiene la oportunidad de hacer un PCB, estas cuestiones de ruido se reducirn bas-
tante, a excepcin de esos pequeos vuelcos del destino que suceden con algunas pistas.24
6. Existen varios smbolos para el uso de tierras. Como sabemos, las tierras sirven como trayectoria de retorno de
las corrientes, tanto de las seales como de los voltajes de alimentacin de los equipos, y para interconexin
entre tarjetas electrnicas o equipos. Muchos diseos electrnicos usan una tierra nica de retorno de las
corrientes, la cual acta como referencia para todas las seales. Por lo general, la tierra de la alimentacin y la
tierra de las seales se unen a travs del encapsulado o la caja del equipo y se le llama tierra de chasis. Algunos
autores usan la distincin entre tierra analgica y tierra digital, lo cual considero buena prctica. La figura 3.95
muestra estos smbolos.

K`\iiX[\cXj\Xc K`\iiX[\ K`\iiX


XeXc^`ZX Z_Xj`j [`^`kXc

=`^liX*%0, JdYfcfjgXiXcXjk`\iiXj%

Resumiendo, en este captulo se estudi un juego de bloques bsicos basados en el mgico OP AMP. Existen mu-
chos otros circuitos basados en OP AMPs que permiten mostrar el ingenio de los diseadores, pero debido a su gran

24
Existen muchas historias urbanas en los laboratorios del mundo acerca de estos vuelcos del destino. Por ejemplo, si se tiene un OP AMP en un
protoboard sin ningn capacitor, y la resistencia de retroalimentacin se coloca entre dos pines adyacentes, la capacitancia de fuga de esos pines
puede prevenir la oscilacin del circuito. Finalmente, cuando se pasa el diseo a un PCB, se podra tener una oscilacin en el OP AMP. En algu-
na ocasin, revisando las conexiones de un PCB con un estudiante, nos aseguramos de que no existieran cortos, las conexiones fueran correctas,
la correcta localizacin de los capacitores de desacoplo, etctera; sin embargo, no nos percatamos de que la pista, de una seal de varios mega-
hertz, daba una vuelta extraa entre sus conexiones. El resultado fue errores aleatorios de esa seal, por lo que se tuvo que hacer otro PCB.

152 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

variedad sera imposible describirlos. Sin embargo, siguiendo el tenor de este libro, se opt por fomentar los conceptos
fundamentales que ayudan a entender estos bloques analgicos; adicionalmente, se sentaron las bases para entrar al
mundo digital que se trata con detalle en el captulo 4.

DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO


 Las entradas del OP AMP presentan una alta impe-  La especificacin del slew rate (SR) indica qu tan r-
dancia, de tal forma que tienen efectos despreciables pido puede cambiar el voltaje de salida y se especifi-
en los circuitos a los cuales se conectan. ca en V/s.
 Se pueden aplicar diferentes voltajes a las entradas  La distorsin inducida por el SR produce una forma
de los OP AMP. No tienen que ser iguales! de salida triangular (amplitud reducida y forma de
onda distorsionada).
 La ganancia de lazo abierto de un OP AMP es muy
alta.  La especificacin de settling time nos indica el tiem-
po que le toma al OP AMP estabilizarse en su salida,
 Debido a su alta ganancia de lazo abierto y a las limi-
dentro de una banda de error, considerando una en-
taciones de salida del OP AMP, si una entrada es ma-
trada escaln.
yor que la otra, la salida se ir al voltaje mximo
positivo o negativo. (A esta aplicacin se le llama cir-  El parmetro CMRR en el OP AMP est determi-
cuito comparador.) nado por el amplificador diferencial y nos indica,
en la salida, cuntas veces la seal de entrada dife-
 El OP AMP con retroalimentacin negativa es la rencial es ms grande que la seal de entrada de
nica configuracin en la cual se puede asumir que modo comn.
la entrada V es igual a la entrada V .
 El parmetro PSRR muestra la capacidad de un OP
 La alta ganancia de lazo abierto de los OP AMP es lo AMP para eliminar cualquier seal de alta frecuen-
que hace que la ganancia de salida con retroalimen- cia que aparezca en la fuente de alimentacin.
tacin negativa se iguale aproximadamente a 1/H
 A la entrada de los OP AMP el ruido puede ser gene-
(red de retroalimentacin).
rado por voltaje, por corriente de polarizacin y por
 Los OP AMP se crearon para facilitar la amplificacin resistencias.
de seales, as que no se complique la vida.  La mayora de los circuitos con OP AMP usan re-
 La primera etapa de un OP AMP es el par diferencial troalimentacin negativa, con la cual se estabiliza la
o amplificador diferencial. ganancia de voltaje y se mejora el ancho de banda y
 El amplificador diferencial tiene dos entradas: una las impedancias de voltaje y corriente.
inversora ( ) y una no-inversora ( ).  El OP AMP inversor tiene una ganancia de lazo
cerrado, AVL  RRETRO/RENT . El signo negativo indi-
 El amplificador diferencial rechaza o atena con fuer-
ca que VSAL y VENT tienen un desfasamiento de 180.
za las seales que son comunes a ambas entradas.
 El OP AMP no inversor tiene una ganancia de lazo
 La Razn de Rechazo de Modo Comn (CMRR, por
cerrado, AVL  1 RRETRO/RENT . El OP AMP seguidor
sus siglas en ingls) se obtiene dividiendo la ganancia
es la configuracin de ganancia unitaria del OP AMP
de voltaje diferencial Ad entre la ganancia de volta-
no inversor.
je de modo comn ACM.
 El OP AMP sumador es el circuito cuya salida es la
 Al OP AMP se le considera un amplificador de alta suma negativa de todas sus entradas.
ganancia directamente acoplado.
 Un OP AMP diferencial es un circuito que amplifica
 Cuando el voltaje de salida se encuentra entre VSAT , la diferencia entre dos voltajes de entrada.
el voltaje de entrada diferencial VED es tan pequeo
 El amplificador de instrumentacin es una versin
que se considera cero volts.
mejorada en especificaciones de un OP AMP dife-
 La frecuencia de corte de lazo abierto de un OP rencial; este puede basarse en dos o tres OP AMP.
AMP es la frecuencia a la cual la ganancia de voltaje  Los amplificadores de instrumentacin en CI tienen
de lazo abierto AVOL se reduce a 70.7% de su valor una alta escala de integracin (es decir, una gran
mximo. cantidad de transistores); aunque sus especificacio-
 La frecuencia a la cual la AVOL  1 se llama fUNITARIA. nes tcnicas distan de las ideales, comnmente son

grupo editorial patria 153


3 El mgico amplificador operacional

mucho mejor que las provistas por los OP AMP de  La impedancia de un cable conductor o de un plano
propsito general. conductor usada como tierra tiene, adems de resis-
 Un filtro activo basado en un OP AMP provee ga- tencia, principalmente inductancia, L, la cual es pro-
nancia de voltaje y del filtrado. porcional al rea del lazo creado por el flujo de
 Un filtro activo de primer orden solo usa un compo- corriente. Como la impedancia inductiva es XL
nente activo y su salida cambia a una taza de 10 dB/ 2fL, tambin es dependiente de la frecuencia. A
dcada despus de la frecuencia de corte. altas frecuencias, la impedancia crece y pueden apa-
recer diferencias de potencial en la tierra, las cuales
 Un circuito OP AMP comparador compara el voltaje
se traducen en ruido.
de entrada de una de sus terminales con otro volta-
je de referencia en la otra entrada; no usa retroali-  Las lneas de la fuente de alimentacin se tratan
mentacin y su salida es VSAT . como lneas de transmisin, por lo que deben man-
tener la impedancia caracterstica tan baja como sea
 Un circuito Schmitt trigger es un OP AMP compara-
dor que usa retroalimentacin positiva para eliminar
la operacin errtica del circuito causada por ruido.
posible
L
C
. Para mantener esta relacin peque-

a, la inductancia se reduce al usar un plano de tierra


 Los OP AMP pueden usarse en conjunto con diodos
debajo de las lneas de alimentacin; adicionalmente,
para rectificar seales muy pequeas, del orden de
la capacitancia se puede incrementar usando capaci-
los milivolts.
tores de desacoplo.
 Los OP AMP pueden usarse para realizar converti-
 El OP AMP con las caractersticas ideales no existe!
dores ADC y DAC, y para entrar del mundo anal-
Pero, si alguien lo disear pensando en hacerse muy
gico al digital y viceversa. En estos convertidores, el
rico, tambin sera en sus sueos, porque el costo
bit menos significativo determina su resolucin,
VFS ideal sera cero pesos. De modo que atienda las reco-
1LSB  N , ms no su exactitud. mendaciones prcticas para trabajar con los OP
2 1
 El uso adecuado del sistema de tierras en un circuito AMP reales y familiarcese con las hojas de datos de
electrnico reduce el ruido interno. Una buena tierra los fabricantes.
se obtiene manteniendo la impedancia del conduc-
tor tan baja como sea posible.

PROBLEMAS DEL CAPTULO 3


3.1 Con el objetivo de obtener un entendimiento intuiti- cero al inicio y se aplicar un voltaje VENT  0.15 V en
vo de la retroalimentacin negativa, se usar un OP su entrada no-inversora, V , como se muestra en la
AMP configurado como amplificador. Para esto, se siguiente tabla. Usando la tabla 3.9 (en Excel), com-
asignarn valores a las ganancias, G  200 000 y plete los clculos restantes y grafique el voltaje de
H  10, se asumir que la entrada negativa (V ) es salida, VSAL, con respecto a VENT.
Tiempo G H VENT V (VENT) (V) VSAL
0 200 000 10 0 0 0 0
1 200 000 10 0 0 0 0
VSUMA o VERROR 2 200 000 10 0.15 0 0.15 0
VENT G VSAL 0 V >VSAT( ) > 0.5 V
3 200 000 10 0.15 0.5
0.01 V >VSAT( ) > 1 V
H
4 200 000 10 0.15 1
1 V >VSAT( ) > 1.3 V
5 200 000 10 0.15 1.3
1.3 V >VSAT( ) > 1.6 V
(Contina)

KXYcX*%0

154 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

(Continuacin)

Tiempo G H VENT V (VENT) (V) VSAL


6 200 000 10 0.15 1.6
Entrada
no-inversora
+ Salida 1.6 V >VSAT( ) > 1.4 V
Entrada
inversora 7 200 000 10 0.15 1.4
1.4 V >VSAT( ) > 1.5 V
H 8 200 000 10 0.15 1.5
9 200 000 10 0.15 1.5

KXYcX*%0
3.2 Del siguiente circuito se requiere calcular la corrien- 3.8 Explique qu significado tiene que un OP AMP
te de cola IT , a fin de obtener la IE, la ganancia de presente una CMRR  100 dB.
voltaje de modo diferencial, Ad, el voltaje de CA 3.9 a) Con base en la ecuacin 3.28, derive una frmu-
de salida, la CMRR en decibeles y la ganancia de vol- la exacta para la ganancia de un OP AMP con-
taje de modo comn, ACM.
figurado como inversor.
"M CC4(,M
V::  15 V
b) Si RENT  1 k, RRETRO  10 k, y AVOL  104,
evale la ganancia de este amplificador inversor.
c) Compare el resultado del inciso b) con el re-
IRC:4(,b
 15 k sultado ideal obtenido por la ecuacin 3.29.
d) Calcular el voltaje de entrada diferencial VED.
3.10 Calcule ZENT(CL) y ZSAL(CL) de un OP AMP configu-
MSAL
V J8C rado como circuito seguidor de voltaje, si RENT  2
Q
H1
(
Q2
H *
M, AVOL  100 000 y ZSAL(OL)  40 .
3.11 Explique por qu es importante utilizar un circui-
MVENT
<EK4(,dM
 15 mVpp
GG to seguidor de voltaje.
3.12 a) Un sensor, considerado como fuente de volta-
IR<E4()b
 12 k
je, presenta un rango de voltaje de 0-2 VPP y
una capacidad de corriente de 500 A, como
se muestra en la figura 3.97. El sensor se co-
M CC4(,M
V::  15 V
necta a una carga RL  200 . Calcule la mxi-
ma oscilacin de salida en la carga.
=`^liX*%0-
b) Utilice un OP AMP 741 como seguidor de vol-
3.3 En un amplificador diferencial, cmo se relaciona la taje entre el sensor y la carga; de acuerdo con
corriente de emisor, IE, de cada transistor con res- su grfica de voltaje de oscilacin de salida vs.
pecto a la corriente de cola? impedancia de carga, determine la mxima
3.4 Un OP AMP tiene un voltaje de saturacin de VSAT  oscilacin en la carga.
10 V y una ganancia de lazo abierto AVOL  100 000.
Determine el voltaje de entrada diferencial, VED , re- J\ejfi
Sensor
0-2 VGGPP
'$)M
querido para obtener los voltajes de saturacin. @ 500 A
RILC4)''
 200 
7,''8
3.5 Un OP AMP tiene un AVOL  100 000. Cul es el
AVOL a la frecuencia de corte?
3.6 Calcule la frecuencia mxima para un OP AMP que
+
tiene un slewrate SR  5 V/s y un voltaje pico de J\ejfi
Sensor
0-2 VGGPP
salida VP  10 V. '$)M IRLC4)''
 200 
@ 500 A
7,''8
3.7 Determine el valor mnimo de slewrate (SR) de un
OP AMP para manejar sin distorsin una seal sin-
usoidal con una frecuencia f  70 kHz y un voltaje de
pico VP  5 V. =`^liX*%0.

grupo editorial patria 155


3 El mgico amplificador operacional

3.13 Para un OP AMP noinversor, cul es el valor de Etapa buffer Amplificador diferencial
entrada diferencial, VED, para fines prcticos?
3.14 Cmo es la relacin de fase entre el voltaje de sa-
lida y el de entrada para un OP AMP inversor?
Explique por qu. A1
VX + R1  1 k RRETRO  10 k
3.15 Cul es el efecto de la retroalimentacin negativa
A
en la impedancia de salida del OP AMP?
3.16 Cmo se relaciona la ganancia fCL con la ganancia
ACL? R2  1 k A3
B + VSAL
3.17 Obtenga el voltaje de salida, VSAL, del siguiente cir-
cuito sumador inversor.
R3  10 k
RRETRO
II<KIF4('b
 10 k
VY +
A2
IR(4('b
1 = 10 k
VM1(4"(M
 1 V
IR)24*b
= 3 k
MV)24,M
 5 V
I*R4(%,b
3 = 1.5 k
MV*34"*M
 3 V + MVJ8C
SAL =`^liX*%(''
3.20 En un filtro activo pasa altas, de primer orden, in-
dique cul es la frecuencia de corte y cmo se
comporta la ganancia ACL con respecto a la fre-
=`^liX*%0/ cuencia.
3.21 Qu beneficios tiene la retroalimentacin positi-
3.18 Del siguiente circuito amplificador diferencial, va en un circuito Schmitt trigger?
calcule el voltaje de salida, VSAL , si: 3.22 Disee un circuito de precisin detector de picos
negativos basado en un OP AMP.
a) VX  0.5 V y VY  0.5 V.
3.23 Disee un circuito basado en un OP AMP que
b) VX  0.2 V. pueda manejar cargas conmutadas de 1 A.
c) VY  0.2 V. 3.24 Calcule el voltaje de histresis, VH, del circuito de
la siguiente figura, si R1  1.5 k y R2  250 k.
Nota: R1  R2 +VCC = 15 V
RRETRO  R3
VENT
R1 = 1 k RRETRO  10 k
Vx + VSAL = Vsal

VCC = 15 V

R2 = 1 k VSAL
Vy R2
+ R1
RL = 100 k
VSAL
R3 = 10 k
+Vsal

VSAL = Vsal
=`^liX*%00
LTP UTP
VENT

3.19 Cul es el papel principal de los seguidores de


voltaje A1 y A2 en el amplificador de instrumenta-
cin de la siguiente figura? Indique qu ventajas Vsal
tiene usar un amplificador de instrumentacin
con respecto a un OP AMP de propsito general. =`^liX*%('(

156 ELECTRNICA MIJAREZ


3 El mgico amplificador operacional

3.25 Mencione las ventajas y las desventajas principa- se establece a media escala, es decir entre cero y
les de un sistema analgico con respecto a un sis- escala plena, lo cual se hace estableciendo en uno
tema digital. el bit ms significativo de la palabra digital (MSB,
3.26 Argumente por qu se dice que una seal analgi- por sus siglas en ingls), que para un DAC de 8 bits
ca tiene una resolucin infinita y cmo se obtiene es 1000 0000. Complete la tabla hasta que alcance
la resolucin de una seal digital. el valor de 3.5 V.

3.27 Explique la diferencia entre resolucin y exactitud


Palabra
en convertidores ADC y DAC. Secuencia digital Voltaje aproximado
3.28 Un sensor de temperatura, como el que se mues- Inicio 0000 0000 (0/255) * 5  0  3.5 V
tra en la siguiente figura, con una salida de 20
1 1000 0000 (128/255) * 5  2.5V  3.5 V
V/C, se conecta a un ADC con un voltaje de re-
ferencia de 5 V. Indique cul es el la resolucin 2 0000 0000
(nmero mnimo de bits) en el ADC para poder 3 0100 0000
convertir los valores de la seal analgica a digital 4 0110 0000
adecuadamente.
5 0111 0000
VREF 6 0110 1000
Sensor de 7 0110 0100
temperatura Salida
20 V/ C 8 0110 0110
digital
9 0110 0111
A DC
(Nm. de bits) KXYcX*%('

3.32 Existen dos esquemas bsicos de DAC: el sistema


=`^liX*%(')
de ponderacin binaria continua y el sistema de
red de escalera R-2R. Describa su funcionamiento.
3.29 Explique la diferencia en los errores de ganancia y 3.33 Describa qu es un plano de tierra en un PCB y
offset con respecto a los errores de no linealidad cmo ayuda este a la reduccin de ruido a bajas
(INL y DNL). frecuencias.
3.30 Describa las caractersticas de un convertidor 3.34 Qu parmetros se toman en cuenta con respec-
flash con respecto a un convertidor de aproxima- to a las tierras para seales de CA de altas frecuen-
ciones sucesivas. cias?
3.31 Para un ADC de o bit tipo SAR, se requiere digita- 3.35 Describa el objetivo de los capacitores de desa-
lizar una entrada de 3.5 V. La primera suposicin coplo.

grupo editorial patria 157


4 La maravillosa
electrnica digital
En el captulo 3 se estudia ampliamente el tema de la interfaz entre el mundo analgico y el mundo
digital. Ahora bien, en este captulo nos adentraremos en el mundo digital, conformado por los sis-
temas digitales. Aclarado lo anterior, conviene definir lo que es un sistema digital: es aquel que pro-
cesa elementos discretos, nmeros binarios (unos y ceros), de informacin. El ejemplo ms conocido
de un sistema digital es una computadora digital, pero por mucho no es el nico. Consciente o no, el
ciudadano promedio de las sociedades modernas est en contacto con docenas o quiz hasta cientos
de maravillosos sistemas o dispositivos electrnicos digitales. La mayora de estos dispositivos lleva
a cabo incalculables operaciones matemticas en computadoras, telfonos celulares, lavadoras y
cmaras fotogrficas, solo por mencionar unos cuantos. Su ubicuidad es de tal magnitud, que los
encontramos hasta en cajas de cereal o en los juguetes de regalo que ofrecen algunas tiendas. Pese a
ello, pocos de nosotros sabemos qu operaciones matemticas realizan y, quiz lo ms importante,
no tenemos idea de cmo lo hacen.1
Los nmeros binarios y los sistemas digitales son temas bsicos para los miembros de la comu-
nidad de las ingenieras elctrica, electrnica y mecatrnica, quienes, por lo general, asumimos que
los entendemos a la perfeccin. Si usted ya domina este tema, puede pasar directamente al siguiente

1
El hecho de que estemos familiarizados con los nmeros y las operaciones bsicas, muchas veces provoca que tendamos a
no apreciar el tremendo esfuerzo mental realizado por muchos personajes a lo largo de la historia, para llevarnos al sobre-
saliente nivel que tenemos hoy en da. En la antigedad, cuando poca gente saba contar ms all del nmero de los dedos
de sus manos y pies, cualquiera con conocimientos rudimentarios de matemticas poda obtener una posicin de poder;
pero, si esa persona hubiera podido predecir un eclipse, alcanzara un respeto grande (en especial si llegaba a suceder). De
modo que con el conocimiento que tenemos, si se nos diera la oportunidad de viajar en el tiempo al pasado, tendramos
muchas oportunidades de sobresalir en numerosos actividades y empleos.

159
4 La maravillosa electrnica digital

captulo, pero si tiene dudas, cuando menos puede dar un repaso. Siguiendo el camino trazado para este libro, este ca-
ptulo tiene el objetivo de esclarecer los fundamentos de cmo se realizan las maravillas digitales, principalmente
como antesala de los sistemas basados en microprocesadores. Entonces, empecemos a maravillarnos. En este captulo
estudiamos:

X Contando con dedos, piedras, semillas y los sistemas numricos.


X La lgica de la electrnica digital.
X Simplificacin de circuitos, sumadores y decodificadores.
X Celdas de memoria y memorias.
X Dispositivos de tres estados y latches.
X Uso de cables para representar nmeros.
X Mquinas de estados.

CONTANDO CON DEDOS, PIEDRAS, SEMILLAS


Y LOS SISTEMAS NUMRICOS

La palabra dgito se utiliza, por lo general, para referirse a un nmero o una cantidad numrica, pero de acuerdo con
su origen, este vocablo tambin significa dedo, ya sea de las manos o de los pies. Por este motivo, no es coincidencia
que la primera herramienta que el ser humano utiliz para ayudarse a contar fueron los dedos de las manos. En poco
tiempo, sin embargo, crecieron las necesidades de representar cantidades mayores. El uso de pequeas piedras pudo
haber sido utilizado para representar nmeros mayores a los que se pudieran representar con los dedos. Estas piedras
pudieron haber sido usadas para ensear a contar, y tenan la ventaja de ser capaces de almacenar resultados interme-
dios para su uso posterior. Por lo anterior, tampoco es coincidencia que la palabra calcular se derive del vocablo en
latn calculare, usada para referirse a los guijarros, piedrecillas lisas y redondeadas por la erosin que abundan a la
orilla de los ros.
A lo largo de la historia, los seres humanos hemos experimentado con varios y diferentes sistemas numricos. Por
ejemplo, se puede usar el dedo pulgar para contar las yemas de los dedos de la misma mano: 1, 2, 3 y 4. Pero, tambin
con el pulgar es posible asignar a cada dedo tres nmeros de la siguiente manera: 1, 2, 3 para el dedo ndice; 4, 5, 6 para
el dedo medio; 7, 8, 9 para el dedo anular, y 10, 11 y 12 para el dedo meique. Con base en esta tcnica, algunos de
nuestros ancestros utilizaron el sistema base 12, lo cual explica por qu tenemos palabras especiales como docena, que
significa doce, y grosso (gruesa) que significa ciento cuarenta y cuatro (12 r 12  144). El hecho de que tengamos un
da de 24 horas, tambin se relaciona con el sistema base 12.
De igual manera, algunos grupos usaron tanto los dedos de las manos como los dedos de los pies, lo cual dio como
resultado el sistema base 20; esa es la razn por la cual en la actualidad usamos palabras como score (del ingls), que se
utiliza para designar el nmero 20 o una veintena. Por otra parte, en la antigua Mesopotamia se us el sistema base
60, del cual se derivan los 60 segundos de un minuto, los 60 minutos de una hora y los 360 grados de un crculo.2 No
obstante, el hecho de que tengamos diez dedos en las manos hace que el sistema numrico con el cual estamos ms
familiarizados sea el sistema decimal, el cual se basa en diez dgitos: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9;3 la palabra decimal se

2
Las culturas mesopotmicas, principalmente los babilonios, usaron el sistema base 60, el cual es un sistema posicional, del que hablaremos ms
adelante, en este mismo captulo. Los babilonios tambin realizaron operaciones aritmticas y algebraicas. Tal vez uno de los aspectos ms im-
portantes es el uso de tablas para ayudarse en sus clculos. Las tablas proveen los nmeros al cuadrado hasta el 59 y al cubo hasta el 32. Por
ejemplo el 82  1,4  1 r 601 4 r 600  64. Para multiplicar usaron la frmula a r b  [(a b)2 (a r b)2]/4. Por lo que solo necesitaban las tablas
para realizar la multiplicacin de dos nmeros, tomando la diferencia entre los dos cuadrados y al final dividir entre 4. Para la divisin usaron el
concepto del recproco, a/b  a r 1/b, por lo que crearon tablas de recprocos y posteriormente realizaban la multiplicacin. Adicionalmente,
existen tablas babilnicas relacionadas con el teorema de Pitgoras, con el cual ya estaban familiarizados.
3
En realidad, cuando se empez a usar el sistema decimal la cuenta iniciaba con el nmero uno y fue hasta alrededor del ao 600 a.C. que en la
India se introdujo el valor y concepto del cero y de los nmeros negativos. Aunque algunos historiadores aseguran que los mayas usaron este
concepto unos 300 aos antes.

160 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

deriva del latn decam, que significa diez. Puesto que este sistema usa diez dgitos, se dice que es base 10 o radix 10
(el trmino radix proviene del latn y significa raz).

Sistemas numricos de posicin

Para iniciar este apartado vamos a considerar el sistema de numeracin empleado por los romanos, donde: I  1, V  5,
X  10, L  50, C  100, M  1,000, y as sucesivamente. Por ejemplo, con base en este sistema numrico, el nmero 24
se representa como XXIV (es decir, dos 10 y un 5 menos un 1, que equivale al nmero 4). Sin embargo, al paso del
tiempo surgi problema con el uso de este sistema y es que conforme la sociedad evolucionaba y se desarrollaba, sur-
gi la necesidad de representar cantidades cada vez ms grandes. Para resolver este inconveniente y seguir usando este
sistema numrico, se tendra que continuar inventando nuevos smbolos o utilizar una cantidad muy grande de los sm-
bolos ya existentes. En la actualidad, la desventaja ms grande de este sistema, es que es dolorosamente dif cil trabajar
con este. Por ejemplo, intente multiplicar CLXXV r DDDCV, y sabr de lo que estamos hablando.
La cultura maya (antigua civilizacin de la denominada Mesoamrica) us un sistema vigesimal o base 20, debido
a que, presumiblemente, empleaban los dedos de las manos y de los pies para contar, al tiempo que usaban semillas de
cacao como dinero, porque eran fciles de contar y almacenar. Los mayas aportaron dos ideas fundamentales a las
matemticas: el valor de la posicin y el concepto del cero. Esta ltima concepcin tambin fue impulsada por otra
gran cultura de la antigedad: la de la India. Sin embargo, los hindes lo hicieron unos 300 aos despus. Cabe resaltar
que los mayas contaban desde el 0 (cero) hasta el 19, antes de cambiar al siguiente orden o posicin. Los nmeros
mayas fueron escritos con solo tres smbolos [vase figura 4.1 a)].
En la figura 4.1 a) podemos apreciar la representacin de los nmeros, segn la cultura maya: un punto, para re-
presentar el 1; una lnea, para representar el nmero 5, y la figura de una concha para representar el 0 (cero). Los si-
guientes diecinueve nmeros fueron representados como se ilustra en la figura 4.1 b). En el sistema numrico maya
un 1 (uno) seguido de un 0 (cero) equivale a veinte. Nmeros mayores al diecinueve, por ejemplo, del 20 al 25, requie-
ren dos niveles o posiciones, como se muestra en la figura 4.1 c). Por su parte, la figura 4.1 d) muestra la representa-
cin del nmero 13 en relieve.

 ' ( ,  )' )( )) )* )+ ),

X Y Z [

=`^liX+%( Eld\iXZ`edXpX%X JdYfcfj%Y Eld\iXZ`e[\c(Xc(0%Z Eld\iXZ`e[\c)'Xc),%[ Ed\ifki\Z\#i\gi\j\ekXZ`e\eleX\jk\cX


Zfei\d`e`jZ\eZ`XjdXpXj#lY`ZX[X\ele_fk\c[\cgXZ]`Zfd\o`ZXef%

Los nmeros mayas pueden escribirse en dos niveles hasta llegar al 400, ya que a partir del nmero 401 se requie-
ren de tres niveles, como se muestra en la figura 4.2.

4 r 201 0 r 200  80 5 r 201 0 r 200  100 10 r 201 0 r 200  200 15 r 201 0 r 200  300 1 r 202 0 r 201 0 r 200  400

=`^liX+%) Ed\ifjdXpXji\gi\j\ekX[fjgfi[fje`m\c\j_XjkXXcZXeqXi\c+''#XgXik`i[\ced\if+'(
j\i\hl`\i\eki\je`m\c\jfgfj`Z`fe\j%

grupo editorial patria 161


4 La maravillosa electrnica digital

La tcnica usada por los antiguos mayas es conocida como posicional vertical, aunque tambin fue empleada de
manera horizontal en algunas inscripciones. En este sistema numrico, el valor de un dgito en particular depen-
de de s mismo y de la posicin dentro del nmero,4 como se muestra la figura 4.3.

 )') )'( )''


 +' )' '
*+''  " ')'  " ''  4()''

=`^liX+%* J`jk\dXm`^\j`dXc`e[`ZXe[f\cmXcfi[\ZX[X[^`kfXjfZ`X[fXcmXcfi[\jlgfj`Z`e%

Esta es la forma en la que trabaja el sistema decimal o base 10, con el cual estamos familiarizados. Al igual que en
el sistema numrico maya, en el sistema decimal cada columna en un nmero tiene un peso asociado, y el valor del n-
mero es determinado por la combinacin de cada dgito con el peso de su columna, como se muestra en la figura 4.4.

Columna de millares
Columna de centenas
Columna de decenas
Columna de unidades

6 2 4 9 = (6 1000) + (2 100) + (4 10) + (9 1)


= 6000 + 200 + 40 + 9
= 6249

=`^liX+%+ :fdY`eXZ`e[\[^`kfjp\cg\jfXjfZ`X[f[\jljZfcldeXj\e\cj`jk\dX[\Z`dXc%

Otra forma de comprender la representacin de los sistemas numricos de posicin es usando el concepto de po-
tencias, como se ilustr en el sistema vigesimal; por ejemplo, 100  10 r 10, que tambin puede escribirse como: 102,
que significa diez a la potencia de dos o diez multiplicado por s mismo dos veces. Igualmente, 1 000  10 r 10 r 10 
103, 10 000  10 r 10 r 10 r 10  104, etctera. La figura 4.5 muestra grficamente este caso.
En lugar de hablar de potencias, algunos matemticos prefieren referirse a este tipo de representacin como forma
exponencial. Por ejemplo, en el caso del nmero 104, al nmero que se est multiplicando (es decir, el 10) se le llama
base, mientras que el exponente (el nmero 4) especifica cuntas veces se va a multiplicar la base por s misma.
Existe un nmero importante de puntos asociados con los exponentes o potencias que es til recordar:

4
Aunque la mayora de los conocimientos cientficos y tecnolgicos de los mayas ya se haban perdido mucho antes de la llegada de los espaoles,
el historiador Otto Neugebauer (1899-1990), uno de los ms productivos de la historia de las ciencias exactas, consider que la numeracin
usada por los mayas es uno de los inventos ms frtiles de la humanidad, comparable solo con la invencin del alfabeto. Desafortunadamente,
debido a la destruccin sistemtica de sus manuscritos, no es posible saber de los conocimientos adquiridos por los mayas en otras ramas de las
matemticas, como el lgebra, donde las culturas mesopotmicas alcanzaron gran desarrollo, las cuales llegaron a resolver ecuaciones de segun-
do y tercer grado empleando un sistema numrico sexagesimal. No obstante, basta visitar Chichen Itz en Mxico, para ver el esplendor maya
relacionado con el trmino denominado arqueoastronoma, que es el estudio de sitios arqueolgicos relacionados con el estudio de la astronoma
por culturas antiguas.

162 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

Columna de millares
Columna de centenas
Columna de decenas
Columna de unidades

6 2 4 9 = (6 103) + (2 102) + (4 101) + (9 100)


= 6000 + 200 + 40 + 9
= 6249

=`^liX+%, Ljf[\gfk\eZ`Xj[\[`\q%

t $VBMRVJFSCBTFFMFWBEBBMBQPUFODJBEF VOP
FTMBCBTFNJTNBFTUPFT1  10.
t %FGPSNBFTUSJDUB VOBQPUFODJBEF DFSP
OPFTFOSFBMJEBEQBSUFEFMBTFSJFTJOFNCBSHP QPSDPOWFODJO 
cualquier base elevada a la potencia de 0 (cero) es la unidad; esto es: 100  1.
t $VBMRVJFSWBMPSDPOFYQPOFOUFEF FTSFGFSJEPDPNPel cuadrado del nmero; por ejemplo, 52  5 r 5  25,
donde 25 es el cuadrado de 5. Igualmente, un valor con exponente de 3 es referido como el cubo del nmero;
por ejemplo 43  4 r 4 r 4  64, donde 64 es el cubo de 4.

Pero nos estamos desviando, el punto clave aqu es que el peso de las columnas, como se ilustra en la figura 4.5, es
en realidad el nmero del sistema base, lo cual es de particular inters cuando consideremos otros sistemas.

Contar en decimal

Contar usando el sistema decimal es relativamente fcil para nosotros, principalmente porque estamos acostumbra-
dos a ello. Comenzando con el 0 (cero), incrementamos la primera columna hasta que llegamos al 9; en ese punto, ya
se nos acabaron los dgitos. Por tanto, en la prxima cuenta, reiniciamos la primer columna a 0 (cero) e incrementa-
mos la segunda columna con 1, y continuamos de esa manera, como se muestra en la figura 4.6.

0
1
2
3
:
8
9
10
11
:

=`^liX+%- :fekXi\e[\Z`dXc%
Del mismo modo, una vez que alcanzamos el nmero 99, en la prxima cuenta reiniciamos otra vez la primera co-
lumna a 0 (cero) e intentamos incrementar la segunda columna. Pero, la segunda columna ya tiene el 9, as que esta
columna tambin la reiniciamos a 0 (cero) e incrementamos la tercera columna, dndonos como resultado el 100, y as
sucesivamente.

El sistema nmerico binario

El sistema decimal como tal, desafortunadamente, no es el ms adecuado para realizar las funciones u operaciones
internas de un sistema digital. De hecho, por una variedad de razones que iremos exponiendo en este captulo, es pre-
ferible usar el sistema numrico binario, el cual emplea solo dos dgitos: el 1 (uno) y el 0 (cero).

grupo editorial patria 163


4 La maravillosa electrnica digital

El sistema binario es un sistema numrico posicional, de modo que cada columna en un nmero binario tiene
asignado un peso, el cual es una potencia del nmero base del sistema. En este caso, se trata de un sistema base dos,
de modo que los pesos de las columnas son: 20  1, 21  2, 22  4, 23  8, etctera, como se muestra en la figura 4.7.
Cuando se trabaja en un sistema numrico diferente al decimal o con una mezcla de diferentes sistemas, como se
muestra en la figura 4.7, es comn usar subndices para indicar qu base se est representando. Por ejemplo,
11002  1210 , es lo mismo que indicar:

1100binario  12decimal

Columna de los ochos


Columna de los cuatros
Columna de los dos
Columna de los unos

Nmero
1 1 0 02 binario = (1 23) + (1 22) + (0 21) + (0 20)
= (1 8) + (1 4) + (0 2) + (0 1)
= 8 + 4 + 0 + 0
Nmero = 1210
decimal

=`^liX+%. G\jfj\e\cj`jk\dXY`eXi`f[\cfj[^`kfjpcXjZfcldeXj%

Otra alternativa que se emplea comnmente para representar la base de los nmeros es utilizar un carcter o
smbolo como prefijo para indicar la base; por ejemplo, %1010, donde el smbolo % indica un valor binario; sin embar-
go, en realidad existen varias convenciones, solo es cuestin de conocerlas. A menos que se indique de otra forma, si
el nmero no tiene subndice o prefijo, por lo general se asume que la representacin es decimal.
Hacia 1940, el cientfico John Wilder Tukey5 se dio cuenta de que la conjuncin de los sistemas digitales y el siste-
ma numrico binario podra ser muy importante. Adems de acuar la palabra software, relacionada con la programa-
cin de funciones de control de estos sistemas digitales, Wilder Tukey intuy que referirse a este dgito como dgito
binario era un poco largo, as que busc alternativas para reducirlo. Entre las opciones se incluyeron binit y bigit, pero
eventualmente se decidi por bit, el cual es un trmino conciso y elegante, de gran uso hasta nuestros das.
As, los valores binarios 10102 y 110010102, se dice que son de 4 y 8 bits, respectivamente. Es muy comn agru-
parlos en 4 bits, por lo que reciben un nombre especial: nibble. De manera similar, con frecuencia se agrupan en 8 bits,
as que tambin reciben un nombre especial: byte. Por tanto, dos nibbles hacen un byte.6

Contando en binario

Al inicio, contar usando el sistema binario parece una tortura, pero es ms fcil que contar en decimal, solo cuesta un
poco acostumbrarse a este. Como en los sistemas posicionales, en el sistema binario empezamos contando desde 0
(cero), y despus incrementamos la primera columna a 1 (uno); como es un sistema de base 2, en este punto ya se nos
acabaron los dgitos disponibles. Para la siguiente cuenta, reiniciamos la primer columna a 0 (cero), e incrementa-
mos la segunda columna en 1, como se muestra en la figura 4.8.
Asimismo, cuando la cuenta alcanza 112 , la prxima cuenta establece la primera columna a 0 (cero) e intenta in-
crementar la siguiente columna; pero, como la siguiente columna ya tiene un 1, esta tambin se reinicia a 0 (cero) y se
incrementa la tercera columna a 1, resultando el nmero 1002 .

5
John Wilder Tukey (1915 - 2000) es mejor conocido por haber publicado en 1965, junto con James Cooley, un artculo donde explica el algoritmo
llamado la transformada rpida de Fourier (FFT, por sus siglas en ingls), considerado de gran importancia en los sistemas de procesamien-
to digital.
6
En idioma ingls, los trminos nibbles y bytes ponen de manifiesto el sentido del humor de los ingenieros en sistemas digitales y computadoras.
Sin embargo, en espaol esto no se aprecia tanto, a menos que los tradujramos literalmente: dos mordiscos (nibbles) hacen una mordida (byte),
o expresramos: si no lo puedes morder (byte), mordisqualos (usa nibbles); ni hablar, el humor ingenieril es bastante seco.

164 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

Binario Decimal

0 0
1 1
1 0 2
1 1 3
1 0 0 4
1 0 1 5
1 1 0 6
1 1 1 7
1 0 0 0 8
: :

=`^liX+%/ :fekXe[f\eY`eXi`f%

Aprendiendo las tablas de multiplicar

Ahora, vamos a remontarnos a aquellos das en la escuela primaria en los cuales aprendimos las tablas de multiplicar.
Probablemente, recordars aquella rutina de aprender repitiendo, casi cantando, cada una de las tablas, iniciando con
la tabla del 2: dos por uno, dos; dos por dos, cuatro, etctera, hasta llegar a la tabla del 9, obviando la del 10, por su
facilidad. Una vez despus, las tablas tambin se repetan de manera descendente y, por ltimo, de manera aleatoria.
Bien, la mala noticia es que ahora vamos a hacer un ejercicio similar con las tablas de multiplicar del sistema binario;
la buena noticia, es que esto lo podemos aprender en unos cuantos segundos, como se ilustra en la figura 4.9.
Esta es la nica tabla de multiplicacin del sistema binario, tan complejo como se presenta en la figura 4.9; es todo
lo que se necesita.

Multiplicacin

0 0 = 0
0 1 = 0
1 0 = 0
1 1 = 1

=`^liX+%0 KXYcX[\dlck`gc`ZXi[\cj`jk\dXY`eXi`f%

El sistema numrico hexadecimal

Los humanos, por lo general, tenemos una buena percepcin de representaciones simblicas, como palabras y nme-
ros; en este sentido, el sistema numrico binario nos resulta simple porque emplea solo dos smbolos, el 1 (uno) y el 0
(cero). No obstante, tenemos dificultades para entender el significado de hileras o columnas grandes de ceros y unos.
Por ejemplo, el nmero binario 101010012 no tiene el mismo impacto en nuestra memoria que su equivalente en de-
cimal 169, el cual es ms fcil de entender.
Desgraciadamente, como veremos despus, convertir de binario a decimal puede ser un poco latoso. Por fortuna,
cualquier sistema numrico con una base que sea potencia de 2 (por ejemplo, 4, 8, 16, 32, 64, etc.) puede convertirse
con facilidad a su equivalente binario y viceversa. En los diseos de las primeras computadoras era comn manejar
grupos de datos divisibles entre tres: 3 bits, 6 bits, 9 bits, 12 bits, etctera. En consecuencia, el sistema numrico octal,
es decir de base 8, lleg a ser muy popular, principalmente porque cada dgito octal poda convertirse a tres bits. Ms
recientemente, los sistemas computacionales se han estandarizado a utilizar grupos de bits divisibles entre ocho:

grupo editorial patria 165


4 La maravillosa electrnica digital

8 bits, 16 bits, 32 bits, etctera. El sistema octal decay y el sistema numrico hexadecimal, es decir de base 16, predo-
min y prevalece hasta la fecha. La razn principal es que cada dgito hexadecimal puede convertirse directamente a
cuatro bits.
El sistema hexadecimal requiere nicamente 16 smbolos, e invertir en definir nuevos smbolos para este sistema
no sera una solucin muy eficaz y mucho menos tener que aprenderse todos estos nuevos smbolos. Adems, se-
ra imprctico tener que modificar los teclados de cada mquina de escribir o computadora del mundo. Como alter-
nativa a este dilema, en este sistema se us una combinacin de nmeros decimales, del 0 al 9, y de letras maysculas
del abecedario, de la A hasta la F, como se muestra en la figura 4.10.

Decimal 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Hexadecimal 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F

=`^liX+%(' Cfj(-[^`kfj[\cj`jk\dX_\oX[\Z`dXc%

Contar en hexadecimal

El sistema numrico hexadecimal es un sistema posicional; por tanto, las reglas para contar son las mismas que hemos
visto en los sistemas anteriores. As, iniciamos con el 0 y continuamos hasta que se terminan todos los dgitos, en este
caso hasta que llegamos a la letra F; entonces, en la prxima cuenta reiniciamos la primer columna en 0 e incremen-
tamos la siguiente columna como se ilustra en la figura 4.11.
En la figura 4.11 es posible observar que los nmeros binarios se han dividido en grupos de 4 bits, para enfatizar
cada dgito hexadecimal. Esta representacin no es tpica, porque con frecuencia se realiza de manera mental. Tam-
bin se puede observar que tanto los nmeros binarios como los hexadecimales tienen ceros como prefijos a la iz-
quierda; esta prctica de llenar con ceros un nmero se usa para ilustrar el nmero de bits con que se representa dicho
valor.

Valor Decimal Binario Hexadecimal


Cero 0 0000 0000 00
Uno 1 0000 0001 01
Dos 2 0000 0010 02
Tres 3 0000 0011 03
Cuatro 4 0000 0100 04
Cinco 5 0000 0101 05
Seis 6 0000 0110 06
Siete 7 0000 0111 07
Ocho 8 0000 1000 08
Nueve 9 0000 1001 09
Diez 10 0000 1010 0A
Once 11 0000 1011 0B
Doce 12 0000 1100 0C
Trece 13 0000 1101 0D
Catorce 14 0000 1110 0E
Quince 15 0000 1111 0F

Diecisis 16 0001 0010 10
Diecisiete 17 0001 0001 11
Dieciocho 18 0001 0010 12
: :

=`^liX+%(( :fekXe[f\e_\oX[\Z`dXc%

166 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

Combinacin de dgitos y peso de columnas en hexadecimal

Como con cualquier sistema posicional, cada columna en un nmero hexadecimal tiene un peso asociado. Los pe-
sos son derivados de la base del sistema; en este caso, la base es 16. Por consiguiente, los pesos de las columnas sern:
160  1, 161  16, 162  256, 163  4 096, y as sucesivamente, como se muestra en la figura 4.12.

Columna de los cuatro mil noventa y seis


Columna de los doscientos cincuenta y seis
Columna de los diecisis
Columna de los unos
Nmero
4 F 0 A 10 = (4 163) + (F 162) + (0 161) + (A 160)
hexadecimal
= (4 4 096) + (F 256) + (0 16) + (A 1)
= 16 384 + 3 840 + 0 + 10
Equivalente = 20 23410
decimal

=`^liX+%() :fdY`eXZ`e[\[^`kfjpg\jfj[\cXjZfcldeXj\e_\oX[\Z`dXc%

Como vimos antes, es una prctica comn usar subndices para indicar el tipo de base que se est usando. Por
ejemplo, 4F0A16  20 23410 , significa que el nmero a la izquierda de la igualdad se encuentra en representacin hexa-
decimal y el de la derecha en representacin decimal. Otra alternativa comn es utilizar un carcter especial como
prefijo para indicar la base. Por ejemplo, $4F0A, donde $ significa que el valor est en hexadecimal, aunque no debe
sorprendernos que exista una variedad grande de representaciones.

Conversin entre nmeros hexadecimales y binarios

Convertir un nmero de hexadecimal a binario y viceversa es extremadamente simple. Por ejemplo, si queremos con-
vertir el nmero $7A5C a binario, lo nico que tenemos que hacer es reemplazar cada dgito hexadecimal por su
equivalente binario de 4 bits de la siguiente manera:

$7 l %0111, $A l %1010, 5 l %0101, C l %1100

Por tanto $7A5C en hexadecimal equivale a %0111101001011100 en binario.


De manera similar, tambin es muy fcil convertir un nmero binario a su representacin hexadecimal. Por ejem-
plo, para convertir el nmero binario %1100101001010111 a hexadecimal solo tenemos que dividir el nmero binario
en nibbles (grupos de 4 bits) y convertir cada nibble a su representacin hexadecimal, esto es:

%1100 l $C, %1010 l $A, %0101 l $5, %0111 l $7

Por tanto, el nmero %1100101001010111 en binario equivale a $CA57 en hexadecimal.


Antes de presentar el uso de cables o alambres para representar nmeros binarios, vamos a proveer una revisin
general de cmo est conformada la electrnica digital y su lgica.

LGICA DE LA ELECTRNICA DIGITAL

Los sistemas digitales estn constituidos por una gran cantidad de interruptores microscpicos, hechos principalmen-
te con nuestro activo transistor, que se estudia en el captulo 2, los cuales se pueden encender y apagar increblemente
rpido, miles de millones de veces por segundo. Los transistores pueden ser conectados de tal manera que pueden

grupo editorial patria 167


4 La maravillosa electrnica digital

formar elementos lgicos bsicos llamados compuertas lgicas. A su vez, una gran cantidad de compuertas lgicas
puede conectarse para formar una computadora o un procesador de datos.7
Una de las industrias con crecimiento continuo y sorprendente en los ltimos 50 aos ha sido la industria electr-
nica, la cual ha sido aplicada para manipular datos fundamentados en los principios de una lgica llamada lgica
booleana.8 La lgica booleana se basa en conceptos muy simples, los cuales, sin embargo, han permitido la creacin
de sistemas muy complejos y sofisticados.9
Para los ingenieros en electrnica, es relativamente fcil crear compuertas lgicas que puedan detectar, procesar
y generar dos niveles de voltaje. Estos niveles de voltaje consideran el valor lgico de 1 como verdadero y el valor de 0
como falso. En un circuito electrnico, un 1 lgico tpicamente puede tener el valor de 3 a 5 V, mientras que un 0 l-
gico puede ser una seal entre 0 y 0.8 V. Los niveles de voltaje dependen del tipo de componente o familia utilizado en
la construccin de los transistores y las compuertas. Lo primordial en el mundo lgico es saber que existen nicamen-
te dos estados: el 1 y el 0.
El mundo lgico es blanco y negro. Esta es la razn por la que muchos ingenieros obtienen un rpido entendi-
miento del dominio digital. A la fecha, no me he encontrado con un ingeniero al que no le guste el mundo digital, en
el que se siguen reglas predecibles, lo cual, en cierta forma, resulta agradable. Resolver el mundo en dos estados, por
supuesto que simplifica las cosas. Sin embargo, es importante hacer notar que en algn punto del circuito digital se
tiene que tomar la decisin de si el valor presente, voltaje comnmente, representa un 1 o un 0.10
En el estudio de la lgica booleana, a todas las posibles combinaciones de entradas de un circuito y sus respectivas
salidas se les conoce como tabla de verdad. Por lo general, en esas tablas de verdad las entradas se localizan a la izquier-
da y las salidas a la derecha. A algunos de los componentes bsicos que llevan a cabo estas tablas de verdad se les llama
compuertas lgicas, de las cuales vamos a estudiar las elementales.

Compuerta inversor (NOT)

La compuerta inversor, como su nombre lo indica, simplemente invierte cualquier seal que se presente en su entrada.
Si se pone un 1 en su entrada, su salida ser un 0 y viceversa. Para crear esta compuerta vamos a usar un transistor en
corte y saturacin, como se muestra en la figura 4.13.
Si VENT  0 V, entonces VSAL ser casi 5 V. Si VENT  5 V, la salida VSAL ser casi 0V. Cabe resaltar aqu que estamos
diciendo casi 5 V y 0 V, porque la salida no llega a ser exactamente 0 V o 5 V. Sin embargo, esto no importa si el valor
se mantiene por debajo del mximo voltaje permitido para el 0 lgico y por encima del mnimo permitido para el 1

7
Las computadoras o procesadores pueden construirse usando sistemas mecnicos (hidrulicos o neumticos), pticos o electrnicos, los cuales
pueden procesar datos utilizando tcnicas digitales o analgicas. Sin embargo, la gran mayora implementa estos sistemas usando electrnica
digital, que es el tema de este captulo.
8
George Boole (1815-1864), matemtico y filsofo britnico, fue el inventor del lgebra que lleva su nombre. Boole public en 1854 un artculo
llamado An Investigation of the Laws of Thought, en el que desarroll un sistema de reglas que le permitan expresar, manipular y simplificar
problemas lgicos y filosficos cuyos argumentos admiten dos estados, verdadero o falso, usando procedimientos matemticos. No obstante, su
trabajo pareca no tener uso prctico hasta 1937, cuando Claude Shanon (1916-2001), entonces en la Universidad de Michigan, demostr cmo
el lgebra de Boole poda usarse para optimizar el diseo de sistemas electromecnicos de rels, entonces utilizado en conmutadores de enruta-
miento de telfono. Independientemente, Victor Shestakov, de la Universidad Estatal de Mosc (1907-1987), propuso una teora de interruptores
elctricos basados en la lgica booleana, incluso antes que Claude Shannon, pero public sus resultados en ruso hasta 1941. Desde entonces, el
lgebra de Boole se convirti en el fundamento de diseo de los circuitos digitales, y Boole, a travs de Shannon y Shestakov, en la base terica
para la era digital.
9
La pelcula 2001: odisea del espacio, del director Stanley Kubrick se estren en 1968 y por su trama an sigue siendo actual. Es considerada una
de las pelculas de ciencia ficcin ms respetuosa con las leyes de la f sica. El guin fue escrito por Kubrick y el novelista Arthur C. Clarke, ba-
sndose en una novela corta de Clarke, titulada El centinela, escrita en 1948. La pelcula inicia con el amanecer del ser humano, mostrando una
escena en la cual un primate da muerte al lder de otro grupo usando un hueso como arma; a manera de victoria, el primate lanza el hueso al aire
y la trayectoria del hueso (que recorre 4 millones de aos) da inicio a la escena de un equipo de astronautas viajando en una nave espacial que es
controlada por una computadora de nombre HAL 9000, la cual muestra una inteligencia cuasihumana. S, el mismo primate que us un hue-
so como arma es capaz de disear artificialmente algo tan sutil, complejo y sofisticado como la inteligencia.
10
Ya hace algunos aos, al trabajar en un proyecto y mostrar cierta inclinacin por trabajar con sistemas electrnicos digitales, un antiguo jefe me
argumentaba que no haba tal divisin entre electrnica digital y analgica, todo era simplemente electrnica y esta era analgica por naturaleza.
Lo cual es cierto, sin embargo, nuestra percepcin es digital. Discernimos fcilmente entre alto y bajo, blanco y negro, grande y pequeo, ancho
y angosto, fuerte y dbil, rugoso y liso, etctera, aunque sabemos que existen matices entre estos dos estados digitales.

168 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

MJ8CH

M<EK8

=`^liX+%(* :fdgl\ikXc^`ZXgXiX\c`em\ijfii\Xc`qX[XZfelekiXej`jkfi%

lgico, como veremos posteriormente. Esa es una de las razones por las cuales lo digital es tan popular. El smbolo del
inversor y su tabla de verdad se muestran en la figura 4.14.

Tabla de verdad del inversor


Entrada A Salida Q
8 H 1 0
JdYfcf 0 1

=`^liX+%(+ JdYfcfpkXYcX[\m\i[X[[\cXZfdgl\ikX`em\ijfi%

La expresin booleana para el inversor es Q  A . Aunque hay varias formas de expresar la negacin,
en este libro
usaremos el apstrofe, como en el caso de A (tambin es muy comn que algunos autores utilicen A ).

La compuerta AND

La regla que describe la funcin de la compuerta AND expresa que todas las entradas tienen que ser 1, o verdaderas,
para que la salida pueda ser 1 o verdadera. Sin embargo, si una de las entradas es 0 o falsa, la salida ser falsa.11 Esto se
define con la tabla de verdad mostrada en la figura 4.15.

Tabla de verdad de la compuerta AND


Entrada A Entrada B Salida Q
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1

=`^liX+%(, KXYcX[\m\i[X[[\cXZfdgl\ikX8E;[\[fj\ekiX[Xj%

La expresin booleana para la compuerta AND es Q  A B Q  A B. La representacin que usaremos en este


libro para expresar esta funcin es el smbolo de punto, aunque existen otras.

11
Algunos autores traducen al espaol el nombre de la compuerta AND como Y, para resaltar su funcin lgica. Si esto es verdadero, Y esto es
verdadero, entonces la salida ser verdadera; si cualquiera es falsa, la salida ser falsa. Debido a que en el ambiente ingenieril, estudiantil y laboral
se usa comnmente la palabra AND para referirse a esta compuerta, continuaremos en este libro con esta nomenclatura.

grupo editorial patria 169


4 La maravillosa electrnica digital

El circuito electrnico de la compuerta AND puede construirse de manera simplificada con un par de diodos,
como se aprecia en la figura 4.16 a). Por lo general, esta compuerta se representa con el smbolo que se muestra la
figura 4.16 b).

8
8
H H
9
9
X Y

=`^liX+%(- X :fdgl\ikX8E;[\[`f[fj%Y JdYfcf[\cXZfdgl\ikX8E;%

De la tabla de verdad de la compuerta AND, podemos observar que tres de las combinaciones de entrada produ-
cen como resultado que sus salidas sean 0, o falsas; por otra parte, existe otra compuerta, llamada OR, que hace lo
opuesto, aunque no exactamente.

La compuerta OR

En la compuerta OR tres de sus condiciones de entrada producen salidas 1, o verdaderas. La regla que describe la
funcin de la compuerta OR expresa que si cualquiera de sus entradas es 1, o verdadera, la salida ser verdadera. Por
tanto, se requiere que todas las entradas sean 0, o falsas, para que la salida pueda ser falsa.12 La figura 4.17 muestra
su tabla de verdad.

Tabla de verdad de la compuerta OR


Entrada A Entrada B Salida Q
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1

=`^liX+%(. KXYcX[\m\i[X[[\leXZfdgl\ikXFI[\[fj\ekiX[Xj%

La expresin booleana para la compuerta OR es: Q  A B Para expresar a la compuerta OR comnmente se


utiliza el smbolo de suma.
El circuito electrnico de la compuerta OR tambin puede construirse usando un par de diodos, solo se tiene que
cambiar la conexin de alimentacin por una conexin a tierra e invertir la conexin de los diodos, como se aprecia en
la figura 4.18 a). El smbolo comnmente usado para esta compuerta se ilustra en la figura 4.18 b).
8
H
9

8
H
9

X Y

=`^liX+%(/ X :fdgl\ikXFI[\[`f[fj%Y JdYfcf[\cXZfdgl\ikXFI%

12
Algunos autores tambin traducen al espaol el nombre de la compuerta OR como O, para explicar su funcin lgica. Si esto es verdadero O,
esto es verdadero, la salida ser verdadera; entonces, solo se necesita que una entrada sea verdadera. Al igual que con la compuerta AND, conti-
nuaremos en este libro usando el trmino OR para referirnos a esta compuerta.

170 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

Estas son todas las compuertas lgicas. S, eso es todo, solo existen tres elementos bsicos. Por supuesto que hay
ms compuertas, pero todas se derivan de estos tres elementos lgicos primarios. Con esto en mente, vamos a descri-
bir algunas de las compuertas ms populares.

Compuerta NAND

La compuerta NAND significa NOT AND; es decir, la salida de una compuerta AND es invertida por una compuerta
NOT. La expresin booleana para la compuerta NAND es: Q  (A B). La figura 4.19 ilustra su tabla de verdad.

Tabla de verdad de la compuerta NAND


Entrada A Entrada B Salida Q
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0

=`^liX+%(0 KXYcX[\m\i[X[[\cXZfdgl\ikXE8E;%

A diferencia de la compuerta OR, la compuerta NAND realiza la funcin exactamente opuesta o invertida de la
compuerta AND, basta comparar sus tablas de verdad.
La construccin de la compuerta NAND se puede realizar con los elementos bsicos que conocemos. Sin embar-
go, esta compuerta es usada con tanta frecuencia que tiene su propio smbolo, como lo muestra la figura 4.20; donde
el pequeo crculo en la salida de la compuerta se emplea para indicar que se invierte la seal.

8 8
H H
9 9

=`^liX+%)' :fejkilZZ`e[\leXZfdgl\ikXE8E;pjljdYfcf%

Para construir su circuito tambin se pueden utilizar los dispositivos semiconductores bsicos. De hecho, una
forma simplificada de realizar esta compuerta es usar un par de transistores como se muestra en la figura 4.21.

=`^liX+%)( :fejkilZZ`ej`dgc`]`ZX[X[\leXZfdgl\ikXE8E;%

grupo editorial patria 171


4 La maravillosa electrnica digital

Compuerta NOR

Correcto! Como es de suponerse, la compuerta NOR significa NOT OR. Esta funcin se lleva a cabo invirtiendo
la salida de la compuerta OR, de la misma forma que se hizo con la compuerta NAND. La expresin booleana para la
compuerta NOR es: Q  (A B). La figura 4.22 muestra su tabla de verdad.

Tabla de verdad de la compuerta NOR


Entrada A Entrada B Salida Q
0 0 1
0 1 1
1 0 0
1 1 0

=`^liX+%)) KXYcX[\m\i[X[[\cXZfdgl\ikXEFI%

De manera similar que con la compuerta NAND, la compuerta NOR puede construirse usando dos transistores,
como lo ilustra la figura 4.23 a). El smbolo de la compuerta NOR es el de una OR invertida, como se muestra en la
figura 4.23 b).

8 H
9 9

X Y

=`^liX+%)* X :fejkilZZ`e[\cXZfdgl\ikXEFIZfe[fjkiXej`jkfi\j%Y JdYfcf[\cXZfdgl\ikXEFI%

Compuertas XOR y XNOR

La compuerta XOR significa OR exclusiva; la regla que describe la funcin de la compuerta XOR expresa que la salida
es verdadera si una de las dos entradas es verdadera, pero su salida ser falsa si ambas entradas son iguales, ya sea
falsas o verdaderas. La tabla de verdad de esta compuerta se ilustra en la figura 4.24.

Tabla de verdad de la compuerta XOR


Entrada A Entrada B Salida Q
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0

=`^liX+%)+ KXYcX[\m\i[X[[\cXZfdgl\ikXOFI%

172 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

La expresin booleana para la compuerta XOR es: Q  A B; en este caso, para expresar esta funcin se utiliza
como operador binario el smbolo de suma encerrado en un crculo: .
El circuito que se usa para construir esta compuerta est hecho de dispositivos semiconductores bsicos, como se
muestra en la figura 4.25.

9
8
H
9

X Y

=`^liX+%), X :fejkilZZ`e[\cZ`iZl`kfj`dgc`]`ZX[f[\cXZfdgl\ikXOFI%Y JdYfcf[\cXZfdgl\ikXOFI%

Despus de haber visto las compuertas anteriores, la funcin de la compuerta XNOR resulta obvia; esto es, una
XOR con su salida invertida, por lo que su expresin booleana se define por: Q  (A B). La figura 4.26 muestra su
tabla de verdad y su smbolo.

Tabla de verdad de la compuerta XNOR


Entrada A Entrada B Salida Q
0 0 1 8
H
0 1 0 9
1 0 0
1 1 1

X Y

=`^liX+%)- X KXYcX[\m\i[X[[\cXZfdgl\ikXOEFI%Y JdYfcf[\cXZfdgl\ikXOEFI%

SIMPLIFICACIN DE CIRCUITOS, SUMADORES Y DECODIFICADORES

Minitrminos y maxitrminos

Lo normal en un problema de diseo lgico es, como primer paso, construir una tabla de verdad que detalle la ope-
racin exacta del circuito digital; el siguiente paso es obtener la expresin booleana y finalmente realizar el circuito
lgico. Existen dos formas de obtener la expresin booleana de una tabla de verdad; a la primera, se le llama suma de
productos o minitrminos (minterms, en ingls) y a la segunda se le conoce como producto de sumas o maxitrminos
(maxterms, en ingls).
Los minitrminos utilizan las combinaciones de entrada que producen salida 1 y las unen con una compuerta OR.
Por otro lado, los maxitrminos utilizan las combinaciones de entrada que producen una salida 0 y las unen con com-
puertas AND. Ambas expresiones describen con precisin la lgica de la tabla de verdad; depende nicamente del
diseador cul expresin utilizar.

grupo editorial patria 173


4 La maravillosa electrnica digital

Por ejemplo, en la tabla de verdad de la figura 4.27 a) podra ser conveniente usar minitrminos para expresar su
funcin lgica, debido a que el nmero de combinaciones que producen 1 es menor que las que producen el nmero
de 0. La expresin booleana en este caso es: Y  (C B A) (C B A), como se ilustra en la figura 4.27 b). El cir-
cuito lgico para esta funcin se muestra en la figura 4.27 c).

X
<ekiX[Xj JXc`[X 8 8
9
: 9 8 P :
' ' ' '
' ' ( ( :98
' ( ' '
9 M
' ( ( '
( ' ' '
( ' ( '
8
( ( ' ' 9
( ( ( : :
( :98

Z :`iZl`kfc^`Zf\hl`mXc\ek\
Y  P4:98 ":98

=`^liX+%). ;\jXiifccf[\leX\ogi\j`ec^`ZXljXe[fd`e`kid`efj%X KXYcX[\m\i[X[%


Y <ogi\j`eYffc\XeX%Z :`iZl`kfc^`Zf\hl`mXc\ek\8E;$FI%

Por el contrario, en la tabla de verdad de la figura 4.28 a) podra ser conveniente usar maxitrminos para expresar
su funcin lgica, porque el nmero de combinaciones que producen 0 es menor que el nmero de 1. La expresin
booleana en este caso es: Y  (C B A) (C B A), como se ilustra en la figura 4.28 b). En tanto, el circuito
lgico para esta funcin se muestra en la figura 4.28 c).

X <ekiX[Xj JXc`[X
8 8
: 9 8 P 9
' ' ' ( :
' ' ( (
' ( ' (
9 P
' ( ( (
( ' ' ' @em\ik`icXj
mXi`XYc\j
( ' ( ( 8
9
( ( ' (
: :
( ( ( ' @em\ik`icXj
mXi`XYc\j
Z :`iZl`kfc^`Zf\hl`mXc\ek\
Y P4:98 :98

=`^liX+%)/ ;\jXiifccf[\leX\ogi\j`ec^`ZXljXe[fdXo`kid`efj%
X KXYcX[\m\i[X[%Y <ogi\j`eYffc\XeX%Z :`iZl`kfc^`Zf\hl`mXc\ek\8E;$FI%

El lgebra booleana est compuesta por muchas leyes y teoremas. Entre los teoremas ms tiles destacan los teo-
remas de De Morgan,13 los cuales permiten una rpida conversin de una expresin en minitrminos a una expresin
en maxitrminos y viceversa. Los teoremas de De Morgan se pueden plantear de la siguiente manera:
Primer teorema (A B)  A B Segundo teorema (A B)  A B

13
Los teoremas de De Morgan reciben ese nombre en honor a Augustus De Morgan (1806-1871), matemtico de la Universidad de Londres (lla-
mada despus University College), quien, junto con George Boole, contribuy a la lgica matemtica. El trabajo de De Morgan fue en gran me-
dida una enorme extensin del trabajo de Boole. Aunque l no formul estos teoremas, se le otorga este crdito porque formalmente los expres
en la forma en que los conocemos.

174 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

El primer teorema cambia una expresin bsica NOR por una expresin AND y el segundo teorema hace lo
opuesto, es decir cambia una expresin NAND por una OR, como se muestra en la figura 4.29.

8 8 8 8
P P4 P4 P
9 9 9 9

 8"9 4P 894P 89 4P 8"94P

=`^liX+%)0 8gc`ZXZ`fe\j[\cfjk\fi\dXj[\;\Dfi^Xe%

El lgebra booleana es la base para simplificar circuitos lgicos. Aunque existen diferentes mtodos de simplifica-
cin, como el conocido como mapas de Karnaugh, estos se fundamentan en los teoremas booleanos que ya vimos.

Sumadores

Sabemos que es posible sumar y restar usando 1 y 0. La lgica y las matemticas tienen una estrecha relacin; en rea-
lidad, una es extensin de la otra. Para explicar la forma de realizar sumadores, iniciamos con el estudio de las reglas
de la suma binaria, la cual es muy sencilla, como se muestra en la figura 4.30.

'''
'((
('(
(('pcc\mXdfj(

=`^liX+%*' I\^cXj[\cXjldXY`eXi`X%

Usando la unin de la lgica con la aritmtica binaria, veremos que es posible disear un circuito con compuer-
tas que realice la suma; para esto, usaremos las reglas de la suma de la figura 4.30, como tabla de verdad; las colum-
nas a la izquierda de la igualdad se usan como entradas y las de la derecha como salidas, tal como se muestra en la
figura 4.31.

<ekiX[Xj JXc`[Xj
OP JldX 8ZXii\f
'' ' '
'( ( '
(' ( '
(( ' (
O"P J :

=`^liX+%*( KXYcX[\m\i[X[[\cd\[`f$jldX[fi%

Como se puede observar en la figura 4.31, las salidas tomadas de la regla de la suma coinciden exactamente con
la tabla de verdad de la compuerta XOR y de la compuerta AND. Esto es maravilloso!, ya que nos permite sumar. La
forma de realizar la suma es a travs de medios sumadores y sumadores completos, como se ilustra en la figura 4.32.
Si bien se pueden usar compuertas lgicas para formar sumadores, es de esperarse que tambin se puedan usar
para crear restadores. Por tanto, necesitamos conocer las reglas de la resta binaria, las cuales se ilustran en la tabla de
la figura 4.33.

grupo editorial patria 175


4 La maravillosa electrnica digital

D\[`fjldX[fi
o
p
J
o o
J
p p

o
: :
p

X J4op"op Y J4op
:4op :4op

JldX[fiZfdgc\kf
o
p J

=`^liX+%*) D\[`fjldX[fipjldX[fiZfdgc\kfZi\X[fjljXe[fZ`iZl`kfjc^`Zfj%

Minuendo Sustraendo Diferencia Prstamo


0 0 0 0
0 1 1 y debemos 1
1 0 1 1
1 1 0 0

=`^liX+%** I\^cXj[\cXi\jkXY`eXi`X%

De la misma manera que con el sumador, se usan las reglas de la resta binaria como tabla de verdad. La figura 4.34
muestra este caso.

Entradas Salidas
Minuendo Sustraendo Diferencia Prstamo
0 0 0 0
0 1 1 1
1 0 1 0
1 1 0 0
X Y Di Bo

=`^liX+%*+ KXYcX[\m\i[X[[\cd\[`f$i\jkX[fi%

Es fcil identificar en la figura 4.34 que la regla de la resta tambin coincide con la tabla de verdad de la compuer-
ta XOR, y que la compuerta AND solo requiere que una de sus entradas sea negada. Con estos circuitos lgicos pode-
mos crear medios-restadores y restadores completos, como se ilustra en la figura 4.35.

176 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

D\[`f$i\jkX[fi
P
9`e ;`
O ;`
D\[`f$i\jkX[fi
O
O ;`
P 9f
P

9f 9f

=`^liX+%*, ;`X^iXdXc^`Zf[\lei\jkX[fiZfdgc\kf%

Restas usando circuitos sumadores

En realidad, para realizar la resta se requiere nicamente un bloque sumador al cual se le agrega una compuerta inver-
sora. La figura 4.36 muestra el circuito sumador completo en bloques y la conexin para realizar un restador de 4 bits
usando sumadores completos.

 I\jkXY`eXi`X
  8+8*8)8( D`el\e[f
9+9*9)9( JljkiX\e[f

:`e
8CKF JldX[fi
8( 8 Zfdgc\kf
9 ( :f
9(

:`e
JldX[fi
8) 8 Zfdgc\kf
9 ) :f
:`e 9)
JldX[fi
<ekiX[Xj 8 JXc`[Xj
Zfdgc\kf
9 :f :`e
JldX[fi
8* 8 Zfdgc\kf
9 + :f
9*

:`e
JldX[fi
8+ 8 Zfdgc\kf
9 / :f
9+
/  +  )  (
;`]\i\eZ`X

=`^liX+%*- ;`X^iXdX[\Ycfhl\[\cjldX[fiZfdgc\kfpi\jkX[fi[\+Y`kjljXe[fjldX[fi\jZfdgc\kfj%

Como hemos visto hasta aqu, uniendo varias compuertas lgicas es posible crear sumadores y con ellos es posible
crear, tambin, restadores binarios. Agrupar en forma correcta estos bloques, nos permite formar sumadores o resta-
dores de cualquier nmero de dgitos binarios.

Suma y resta en complemento a 2

La representacin de nmeros en complemento a 2 o dos complemento (2) se utiliza en sistemas basados en micro-
procesadores. En los circuitos sumadores vistos hasta ahora, los nmeros a sumar o a restar se consideran positivos.

grupo editorial patria 177


4 La maravillosa electrnica digital

Sin embargo, en muchas aplicaciones de sistemas basados en microprocesadores se requiere sumar o restar no solo
nmeros positivos, sino tambin nmeros negativos.
La utilizacin de nmeros en 2 hace posible la suma y la resta de nmeros con signo. Usando esta representacin,
pueden determinarse tanto la magnitud como el signo de un nmero. Por ejemplo, si se tiene un nmero de 8 bits, el
bit ms significativo (MSB) es el bit de signo; si este bit es 0, el nmero es positivo; pero, si este bit es 1, el nmero es
negativo. Los siete bits restantes representan la magnitud del nmero, como se muestra en la figura 4.37.

9`k[\j`^ef'4"
 (4 

DJ9 CJ9
DX^e`kl[

=`^liX+%*. Ed\if[\/Y`kj\ei\gi\j\ekXZ`e[\)2\cDJ9\j\cY`k[\j`^ef%

Por su parte, la figura 4.38 muestra una tabla con nmeros de 8 bits en representacin de 2. Por ejemplo, el nme-
ro decimal 126 est representado en 2 por el nmero 0111 1110, y el nmero 125 est representado en 2 por el
nmero 1000 0011. De esta forma, podemos observar que todas las representaciones en 2 para nmeros positivos son
iguales a sus equivalentes binarios de ese nmero decimal. Por tanto, para representar un nmero negativo es nece-
sario realizar la conversin a 2.

Decimal con signo Representacin en complemento a 2, con 8 bits


127 0 111 1111
126 0 111 1110
125 0 111 1101
124 0 111 1100
@^lXchl\cfj
5 0 000 0101 ed\ifjY`eXi`fj
4 0 000 0100
3 0 000 0011
2 0 000 0010
1 0 000 0001
0 0 000 0000
1 1 111 1111
2 1 111 1110
3 1 111 1101
4 1 111 1100
5 1 111 1011

125 1 000 0011
126 1 000 0010
127 1 000 0001
128 1 000 0000
Signo Magnitud

=`^liX+%*/ I\gi\j\ekXZ`e[\)mXcfi\jgfj`k`mfjpe\^Xk`mfj [\leed\if[\/Y`kj%

Como se puede observar de la tabla, la conversin de un nmero en su 2 es muy sencilla. Por ejemplo, si quere-
mos convertir el nmero decimal con signo 3 en un nmero en 2 hacemos lo siguiente:

1. Tomamos el nmero binario positivo: 0000 0011 ( 3)


2. Obtenemos el complemento a uno (1); esto es: 1111 1100
3. Le sumamos un 1 para obtener el 2; esto es: 1111 1101.

Si queremos obtener el valor binario (positivo) de un nmero negativo en 2, hacemos el mismo procedimiento:

178 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

1. 1111 1101.
2. 1  0000 0010.
3. 2 0000 0011.

En la figura 4.39 se muestra un circuito que suma y resta nmeros con signo. El circuito tiene un control de modo;
si este control de modo se establece en 0, el circuito suma; en caso contrario, si el control de modo se establece en 1,
el circuito resta.

GifYc\dXj[\jldXfi\jkX

 8/8. 8-8,8+ 8*8)8(


 "& 9/ 9. 9- 9, 9+ 9* 9) 9( Ed\ifj\eZfdgc\d\ekfX)

:`e
8 =8
8( 9 ( :f
9(
:`e
8 =8
8) 9 ) :f
9)
:`e
=8
8 +
8* 9 :f
9*
:`e
8 =8
8+ 9 / :f
9+
:`e
8 =8
8, 9 (- :f
9,
:`e
8 =8
8- 9 *) :f
9-
:`e
8 =8
8. 9 -+ :f
9.
:`e
8 =8
8/ 9 ()/ :f
9/

:fekifc[\df[f -+ *) (- / + ) (


I\jkX4( 9`k[\
JldX4' j`^ef
JldXf[`]\i\eZ`X
\eZfdgc\d\ekfX)

=`^liX+%*0 :`iZl`kfjldX[fi&i\jkX[figXiXc\cf[\/Y`kj%

Cmo realiza su magia el circuito de la figura 4.40? Bien, revisando la tabla de verdad de la compuerta XOR po-
demos observar que si una de las entradas es 1, se convertir en un inversor de la otra entrada. De esta manera, re-
gresaramos a la configuracin del restador de la figura 4.40. Vamos a ver cmo se utiliza el 2 para realizar estas
operaciones de suma y resta usando solo sumadores. Por ejemplo, si queremos realizar la resta 40 13 en binario y en

grupo editorial patria 179


4 La maravillosa electrnica digital

0000 1101 l 1111 0010 = 1


0010 1000 (+40) + 1111 0010 0010 1000 (+40)
0000 1101 (+13) 1 + 1111 0011 2
0001 1011 (+27) 1111 0011 l 2 0001 1011 (+27)

X Y Z

=`^liX+%+' X I\jkX\eY`eXi`fp\e[\Z`dXckiX[`Z`feXc%Y :fdgc\d\ekfX)[\cjljkiX\e[f%


Z JldX[\cd`el\e[fZfe\cjljkiX\e[f\e)%

decimal, de manera tradicional, realizaramos esta operacin usando las reglas de la resta, como se muestra en la fi-
gura 4.41 a). No obstante, para usar el sumador, primero obtenemos el complemento a dos del sustraendo, como se
ilustra en la figura 4.41 b) y despus lo sumamos al minuendo, como se ilustra en la figura 4.41 c), para obtener el
resultado deseado.

 11 1 1 1 1
(+27) 0001 1011 (%jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX) (+20) 0001 0100 (%jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX)
" (+10) " 1111 0010 )%!jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX) " (50) " 1100 1110 )%!jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX)
+3710 1111 0011 JldX\eZfdgc\d\ekfX) 3010 1110 0010 JldX\eZfdgc\d\ekfX)
X JldX[\[fjed\ifjgfj`k`mfj Z JldX[\leed\ifgfj`k`mfd\efiXleed\ife\^Xk`mfdXpfi

1 11 1 1 11 1 1 1 1
(1) 1111 1111 (%jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX) (+40) 0010 1000 (%jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX)
" (3) " 1111 1101 )%!jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX) " (13) " 1111 0011 )%!jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX)
410 1 1111 1100 JldX\eZfdgc\d\ekfX) +2710 1 1111 1100 JldX\eZfdgc\d\ekfX)

;\jZXikX ;\jZXikX
Y JldX[\[fjed\ifje\^Xk`mfj [ JldX[\leed\ifgfj`k`mfdXpfiXleed\ife\^Xk`mfd\efi

=`^liX+%+( :fdY`eXZ`fe\jgfj`Yc\j[\jldXjljXe[fed\ifj\eZfdgc\d\ekfX)%

Esto es lo que hace exactamente el circuito sumador/restador de la figura 4.41. Si restamos, establecemos el con-
trol de modo en 1; es decir, invertimos los nmero B para obtener el 1, posteriormente le sumamos el Cin  1, para
obtener el 2. La figura 4.42 muestra las cuatro posibles combinaciones de suma y resta.

Entradas Y5 Y9
0000 0 0
0001 0 0
0010 0 0
0011 0 0
0101 0 1 CXjXc`[XP,j\i}(
jfcfj`cX\ekiX[X
0110 0 0 \j'('()
0111 0 0
1000 0 0
1001 1 0
CXjXc`[XP0j\i}(
1010 0 0 jfcfj`cX\ekiX[X
\j(''()
1011 0 0
1100 0 0
1101 0 0
1110 0 0
1111 0 0

=`^liX+%+) ;\Zf[`]`ZX[fi[\+X(-#XZk`mXe[f\e(jfcfcXj\ekiX[Xj,p0%

180 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

Multiplicaciones usando sumadores

Las reglas de la multiplicacin binaria son muy sencillas, como vimos en la seccin aprendiendo las tablas de multi-
plicar, pero podran involucrar un nmero grande de componentes lgicos. Una alternativa en este caso es usar suma-
dores. Por ejemplo, la multiplicacin de 10012 r 01002 (9 r 4) puede resolverse usando un mtodo denominado
multiplicacin de sumas repetidas. Aqu, el multiplicando (9) se suma cuatro veces (el multiplicador es 4) para obtener
el producto 36. Esta tcnica es fcilmente programable en sistemas basados en microprocesadores, como veremos
en el captulo siguiente.
Entendiendo el proceso de suma de estos inquietos unos y ceros, automticamente tenemos los fundamentos de
la computacin. Con la suma, adems de sumar, podemos llevar a cabo restas y multiplicaciones; adems, estas bases
nos proporcionan una idea de la forma en que la calculadora de nuestro escritorio realiza internamente sus operacio-
nes.14 La operacin aritmtica que falta describir es la divisin, pero con desplazamientos o corrimientos de bits es
posible efectuarla, como veremos en la seccin de microprocesadores.

Decodificadores

Los decodificadores son dispositivos ampliamente utilizados en el diseo de sistemas digitales, principalmente para
decodificar o seleccionar una direccin de un microprocesador. La tabla de verdad del decodificador podra tener
como entradas las direcciones del microprocesador y las salidas corresponder a las habilitaciones de dispositivos pe-
rifricos, como se ver ms adelante, en la seccin de microprocesadores.
El nmero de salidas de un decodificador de n entradas es 2n. As, por ejemplo, con dos entradas podemos tener
4 posibles salidas; con 3 entradas, 8 salidas; con 4 entradas, 16 salidas, etctera. La habilitacin de las salidas puede
ser activo bajo, 0, o activo alto, 1, dependiendo si usamos minitrminos o maxitrminos, respectivamente. Si tenemos,
por ejemplo, 4 entradas y queremos que nicamente se activen en 1 las salidas correspondientes a las entradas 5 y 9,
tendremos los circuitos mostrados en la figura 4.42. Por supuesto, podemos tener disponibles las 16 salidas, pero en
este caso solo seleccionamos dos de ellas para ilustrar su funcionamiento.
Existen circuitos decodificadores en CI que hacen este trabajo, como los 74LS139, con 2 entradas y 4 salidas, y los
74LS138, con 3 entradas y 8 salidas. El decodificador 74LS138 tiene tres entradas: A, B y C, y ocho salidas activo bajo:
Y0-Y7. La figura 4.43 ilustra el diagrama a bloques y la tabla de verdad de este decodificador.
Adems, el 74LS138 tiene tres entradas: G2A, G2B activo bajo, y G1 activo alto. Normalmente, el fabricante re-
comienda que si estas entradas no se van a usar se conecten a VCC o tierra, dependiendo de su nivel lgico.

CELDAS DE MEMORIA, MEMORIAS Y MQUINAS DE ESTADO

Celdas de memoria
A los grupos de compuertas descritos hasta ahora se les denomina lgica combinacional, y tambin pueden usarse
para formar celdas de memoria. La premisa bsica de las celdas de memoria es almacenar unos y ceros. Algunas me-
morias pueden perder los datos que fueron almacenados si se pierde la energa que alimenta estos circuitos; a este tipo
de memoria se le llama voltil. Un ejemplo de estas memorias es la memoria de acceso aleatorio o RAM, y las celdas
que las forman son la base de la llamada lgica secuencial. Otra categora de memoria es la llamada no voltil; este tipo
de memoria mantiene los datos almacenados aun cuando se quita la energa que los alimenta. A este tipo de memorias
corresponden las memorias de solo lectura ROM y sus variantes que pueden ser borradas, ya sea con luz ultravioleta,
como las EPROM, o elctricamente, como las EEPROM y las ahora ubicuas memorias FLASH15 tipo pluma o pen
drives.

14
Tcnicamente, la mayora de las calculadoras usa un ingenioso algoritmo llamado CORDIC, con el cual es posible efectuar funciones trigono-
mtricas, manteniendo la electrnica simple, es decir, trabajando con un nmero reducido de elementos lgicos. Las nicas operaciones que usa
son suma, resta, desplazamiento de bits (bit shift) y bsqueda en tablas (table lookup).
15
La memoria FLASH es un dispositivo de almacenamiento en CI que puede ser borrado y reprogramado elctricamente. En la actualidad, este
tipo de CI domina el mercado de las memorias no voltiles, anteriormente dominado por las memorias EPROM y EEPROM. La memoria

grupo editorial patria 181


4 La maravillosa electrnica digital

MZZ >E;
P'
8 P(
9 P)
P*
: P+
P,
P-
P.
>)8 >)9 >(

?XY`c`kXZ`fe\j

KXYcX[\m\i[X[
Entradas
Salidas
Ensamble Select.
G1 G2 C B A Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
X H X X X H H H H H H H H
L X X X X H H H H H H H H
H L L L L L H H H H H H H
H L L L H H L H H H H H H
H L L H L H H L H H H H H
H L L H H H H H L H H H H
H L H L L H H H H L H H H
H L H L L H H H H H L H H
H L H H L H H H H H H L H
H L H H H H H H H H H H L

=`^liX+%+* ;`X^iXdXXYcfhl\jpkXYcX[\m\i[X[[\c[\Zf[`]`ZX[fi.+CJ(*/%

En la siguiente seccin vamos a estudiar los principios fundamentales de las memorias no voltiles tipo ROM y
posteriormente analizaremos las celdas de memoria bsicas de la lgica secuencial, con la cual se realizan registros,
memorias RAM y mquinas secuenciales.

Memorias no voltiles

En la seccin anterior aprendimos que un decodificador genera 2n minitrminos de las n variables de entrada. Adems,
sabemos que insertando compuertas OR para realizar la suma de los minitrminos es posible tener cualquier circuito
combinacional deseado. Una memoria ROM es un dispositivo que incluye tanto el decodificador como las compuertas
OR, dentro de un mismo CI. Adicionalmente, la ROM tiene un grupo de eslabones o interruptores compuestos por
diodos especiales que pueden fusionarse o romperse. La interconexin deseada para una aplicacin particular requiere

FLASH revolucion este mercado desde su introduccin por Intel, en 1988. Sin embargo, esta memoria fue inventada en 1980 por el Dr. Fujio
Masuoka mientras trabajaba para la compaa Toshiba. La memoria FLASH puede construirse con memorias NAND o NOR, usando transisto-
res similares a los MOSFET, excepto que estos transistores tienen dos terminales de compuerta, una llamada control gate (CG), como en los FET
estndar, y la otra floatinggate (FG), la cual es aislada por una capa de xido. Debido a que la FG es aislada elctricamente, cualquier grupo de
electrones que se coloque en ella ser atrapado y, en condiciones normales, no se descargar por muchos aos. Las memorias FLASH tipo
NAND ofrecen una mayor densidad (mayor cantidad de bits), pero deben ser programadas y ledas en bloques o pginas, mientras que las NOR
(aunque con menos densidad) permiten ser ledas o programadas de manera aleatoria a nivel palabra o byte.

182 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

que se rompan ciertos eslabones, para formar las trayectorias del circuito necesarios. La figura 4.44 a) muestra el
diagrama a bloques de una memoria ROM.
La memoria ROM consta de n lneas de entrada y m lneas de salida. A cada combinacin de bits de las variables
de entrada se le llama direccin, y a cada combinacin de bits de datos que sale de las lneas de salida se le llama pala-
bra, como se indica en la figura 4.44 b). Bsicamente, una direccin es un nmero binario que denota uno de los mi-
nitrminos de las n variables. El nmero de las diferentes direcciones posibles con n bits de entrada es 2n. Una palabra
de salida puede seleccionarse por una direccin nica. Puesto que existen 2n direcciones diferentes en una ROM, hay
2n palabras que podran almacenarse en la memoria.

"MZZ

e\ekiX[Xj
;\Zf[`]`ZX[fi
[\eXdce\Xj

P'
P (
)ed ?XY`c`kXZ`e P )
IFD P*
8'
;`i\ZZ`e 8( Pd
8e
;*  ;)  ;(  ;'
djXc`[Xj GXcXYiX[Xkfj

X Y

=`^liX+%++ X ;`X^iXdXXYcfhl\j[\leXd\dfi`XIFD%Y <c\d\ekfjhl\Zfe]fidXeleXd\dfi`XIFD%

nicamente a manera de ejemplo, usando lgica combinacional, vamos a implementar una memoria ROM de
4 r 2, o 2k r m; es decir, se requiere tener n entradas de direccin y palabras de m bits de salida, como se observa en la
tabla de verdad de la figura 4.45 a). Para esto, son necesarios nicamente 2 bits de direcciones. Pero, en este momento
necesitamos determinar qu eslabones o interruptores deben romperse, considerando que los eslabones se rompen
con ceros lgicos y se dejan intactos con unos lgicos. Las direcciones (minitrminos) que tengan una salida 0 no
deben tener una trayectoria a la salida a travs de la compuerta OR. Adems, resulta obvio que los eslabones abiertos
se consideran ceros lgicos para las compuertas OR. La figura 4.45 b) muestra la implementacin de esta memoria.

''
8' '(
;\Zf[`]`ZX[fi
)+ ('
8(
((

A0 A1 D0 D1
0 0 0 1
0 1 1 0
1 0 1 1
1 1 1 0
;'  ;(

X Y

=`^liX+%+, X KXYcX[\m\i[X[[\leXd\dfi`XIFD[\+)%
Y :`iZl`kfc^`ZfZfdY`eXZ`feXc[\cXd\dfi`XIFD[\+)%

El ejemplo de la figura 4.45 es muy sencillo. En la prctica, no es necesario mostrar las conexiones internas de las com-
puertas, en este caso se mostr nicamente con fines ilustrativos. Una memoria ROM, algunas veces, se especifica por

grupo editorial patria 183


4 La maravillosa electrnica digital

el nmero total de bits que contiene; por ejemplo, una memoria ROM de 65536 bits puede organizarse en 8192 pala-
bras de 8 bits, esto significa que tiene 13 lneas de entrada y 8 lneas de salida (213 r 8). De forma comercial, existen
memorias de este tipo en un CI, como es el caso de la memoria EPROM M27C256, de 32k r 8. La figura 4.46 ilustra
el diagrama a bloques de esta memoria y uno de sus empaquetados llamado DIP (Dual in line Package).

M:: MGG

(, /
8'$8(+ H'$H.


<
D).:),-9

> )/

MJJ

=`^liX+%+- D\dfi`X<GIFDD).:),-[\*)B/%

Del diagrama a bloques, podemos apreciar que se requieren 15 lneas de direcciones (A0-A14) para seleccionar
32768 bytes (215). Independientemente de las terminales de alimentacin y tierra, VCC y VSS, respectivamente, exis-
te otra terminal llamada VPP, utilizada para programar el dispositivo. Adems, para poder leer los datos previamente
almacenados en la memoria EPROM, se requiere habilitar con 0 lgico dos seales de control llamadas habilitacin de

chip y habilitacin de los datos de salida, E y G respectivamente.

La temporizacin de las seales de control E y G , y otros parmetros importantes de la memoria EPROM, como
el tiempo de acceso (tACC), se analizan cuando estudiamos la interconexin de las memorias ROM con los micropro-
cesadores y/o microcontroladores. No obstante, podemos conceptualizar el tACC, como el intervalo de tiempo que
toma la memoria ROM para completar un acceso de lectura y empezar otro.

Memorias voltiles

Las memorias de acceso aleatorio (RAM) constituyen un tipo de memoria basada en semiconductores capaces de
mantener los datos almacenados en estas mientras se encuentren alimentadas de corriente elctrica. Sin embargo, son
memorias voltiles, es decir, pierden la informacin si se les interrumpe la alimentacin elctrica. El concepto de ac-
ceso aleatorio significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o ledas en cualquier orden.
Existen dos tipos de memoria RAM que predominan en el mercado: las memorias dinmicas (DRAM) y las memo-
rias estticas (SRAM). Para el caso de la DRAM, cada celda de memoria est formada por un transistor y un capacitor,
este ltimo puede ser cargado o descargado para representar los dos valores de un bit. Debido a que los capacitores
tienden a descargarse, la informacin almacenada puede perderse a menos que se refresque peridicamente la carga
al capacitor, lo cual podra verse como menoscabo de su operacin. Esta es la razn por la cual se le llama memoria
dinmica. Sin embargo, una de las ventajas de la DRAM es la simplicidad de su construccin, lo que le permite tener
una mayor densidad que las memorias SRAM, ya que literalmente se pueden crear billones de bits en una DRAM de
circuito integrado.
Por otro lado, las memorias SRAM son capaces de mantener la informacin almacenada, mientras estn alimenta-
das, sin necesidad de un circuito de refresco. Cada celda de memoria o bit en una RAM se almacena en un dispositivo
basado en compuertas (tpicamente seis transistores) llamado flipflop, cerrojo o multivibrador biestable; no obstante,
en este libro nos referiremos a este dispositivo como flipflop.
En esta seccin se describen las memorias SRAM, pero antes se analizan los elementos que constituyen sus celdas
de memoria: los flipflops. La importancia de los flipflops radica en que estos pueden interconectarse para formar
circuitos lgicos secuenciales que almacenen datos, generen tiempos y cuenten y sigan secuencias.

184 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

Flipflops

Los flipflops pueden construirse a partir de compuertas lgicas, por ejemplo, con compuertas NAND o NOR, o com-
prarse en forma de CI, como es el caso del flipflop bsico RS. La figura 4.47 muestra la conexin lgica usando compuer-
tas NAND, su smbolo lgico y su tabla de verdad.
El flipflopRS tiene dos entradas etiquetadas como set (S) y reset (R); en este caso, las entradas se activan con 0, y
se dice son activo bajo, lo cual es indicado por los crculos a la entrada del smbolo. A diferencia de las compuertas l-
gicas, los flipflops tienen dos salidas complementarias llamadas: Q y Q Q. La salida Q es la ms usada y se considera la
salida normal; la otra, Q , es el complemento de la salida Q, y se denomina salida complementaria; tambin se abre-
via como Q. En condiciones de operacin normal, estas salidas son siempre complementarias, cuando Q  1, Q  0
y viceversa.
De la figura 4.47 a) podemos observar una retroalimentacin de la salida de una compuerta NAND a la entrada
de la otra. Igual que con las compuertas lgicas, una tabla de verdad define la operacin del flipflop, como se ilustra
en la figura 4.47 c). La primera lnea de la tabla de verdad es el estado prohibido; es decir, el estado en el que ambas
salidas estn en 1. Esta condicin no se utiliza en el flipflopRS porque no est permitida. A la lnea 2 de la tabla de ver-
dad se le conoce como set (S); bajo esta condicin, un nivel lgico 0 activa la entrada S y establece la salida Q en 1, como
lo muestra la tabla. La condicin de set se puede comprobar analizando la compuerta NAND de la figura 4.47 a). Un
nivel lgico 0 en la compuerta 1 produce un 1 en la salida Q; este 1 lgico se retroalimenta a la compuerta 2, la cual
ahora tiene dos 1 aplicados en sus entradas, lo que fuerza que su salida, Q, sea 0 lgico. La lnea 3 de la tabla de verdad
es la condicin de reset (R). Un nivel lgico 0 en la entrada de reset borra o pone en 0 lgico la salida Q. La cuarta lnea
de la tabla de verdad es la condicin inhabilitacin o mantenimiento del flipflopRS. En esta condicin, las salidas per-
manecen como estaban, en otras palabras, no hay cambio en las salidas.
A este tipo de flipflopRS se denomina asncrono, debido a que no opera en sincronizacin con un reloj o con un
sistema de temporizacin. Cuando se activa una entrada, por ejemplo reset, inmediatamente se activar su salida nor-
mal Q, como es el caso de los circuitos con compuertas. Sin embargo, existe un diseo de flipflopRS al cual se le aade
la caracterstica de sincronismo. Este tipo de flipflopRS opera con un reloj o con dispositivo de temporizacin, es decir,
opera sncronamente.

=c`g$]cfgIJ
Df[f[\ <ekiX[Xj JXc`[Xj
J
( H fg\iXZ`e J I H H

J\k J H EfidXc Gif_`Y`[f ' ' ( (


<ekiX[Xj == J\k ' ( ( '
I\j\k I\j\k ( ' ' (
I H :fdgc\d\ekXi`X
) H DXek\e`d`\ekf ( ( efZXdY`X
I
X Y Z

=`^liX+%+. =c`g$]cfgY}j`Zfk`gfIJ%X :fe\o`elk`c`qXe[fZfdgl\ikXjE8E;%


Y JdYfcfc^`Zf%Z KXYcX[\m\i[X[%

La implementacin del flipflopRS sncrono se lleva a cabo aadiendo dos compuertas NAND a la entrada del
circuito original asncrono, como se muestra en la figura 4.48 a). Estas compuertas, 3 y 4, tienen un efecto inversor en
las entradas set (S) y reset (R), por lo que ahora estas entradas se activan con un nivel lgico 1 o alto. Las figuras 4.48
b) y 4.48 c) ilustran el smbolo lgico y la tabla de verdad, respectivamente, del flipflopRS sncrono.
A partir de la tabla de verdad del flipflop sncrono, es posible describir su funcionamiento; el modo de manteni-
miento se indica en la lnea 1 de la tabla de verdad. Cuando un pulso de reloj llega a la entrada CK, con las entradas R
y S en 0, las salidas no cambian, permanecen en el estado lgico que tenan antes de la llegada del pulso de reloj. La
lnea 2 corresponde al modo de reset, en el cual la salida normal, Q, se borrar (es decir, se pondr en 0) cuando un
nivel lgico 1 active la entrada R y un pulso de reloj active la entrada de reloj CK. Al encontrarse las entradas R  1 y
S  0, la salida normal, Q, inmediatamente se borrar; esto es, Q  0. Sin embargo, esto suceder hasta que la entrada
de reloj pase de un nivel lgico 0 a un nivel lgico 1. Expuesto lo anterior, es posible observar que el flipflop opera en
sincrona con el reloj. La lnea 3 de la tabla, por su parte, describe el modo set del flipflop. Teniendo la entrada R en 0

grupo editorial patria 185


4 La maravillosa electrnica digital

J
*
( H

J\k J
:B
<ekiX[Xj I\cfa :B JXc`[Xj
I\j\k I
) H
+
I

X Y

Df[f[\ <ekiX[Xj JXc`[Xj


fg\iXZ`e :B J I H H
DXek\e`d`\ekf ' ' efZXdY`X
I\j\k ' ( ' (
J\k ( ' ( '
Gif_`Y`[f ( ( ( (

=`^liX+%+/ =c`g$]cfgjeZifefIJ%X @dgc\d\ekXZ`eljXe[fZfdgl\ikXjE8E;%


Y JdYfcfc^`Zf%Z KXYcX[\m\i[X[%

y activando la entrada S con un 1 lgico, la salida normal, Q, se establecer en 1 hasta que se tenga un pulso de reloj de
0 lgico a 1 lgico en la entrada CK. La lnea 4 de la tabla de verdad es aquella que se denomina como prohibida, de-
bido a que no se utiliza, ya que establece ambas salidas en un nivel lgico 1.
Las formas de onda o diagramas de tiempo se emplean con mucha frecuencia, debido a que estas resultan muy
tiles para trabajar con flipflops y circuitos lgicos secuenciales, en especial con circuitos sncronos. La figura 4.49
muestra un diagrama de tiempos de un flipflop sncrono tipo RS. En este diagrama se muestran las entradas CK, S y R
en la parte superior y las salidas Q y Q en la parte inferior.

1
CK 1 2 3 4 5 6
0
a e 1
Entradas S
0
c 1
R
0
b d f 1
Q
0
Salidas 1
Q
0

=`^liX+%+0 ;`X^iXdX[\k`\dgfjgXiXle]$]jeZifefk`gfIJ%

Ahora, vamos a analizar la figura 4.49 empezando por el lado izquierdo; cuando llega el pulso de reloj (CK) 1, las
salidas normal y complementaria no cambian, es decir Q  0 y Q 1, porque las entradas S y R se encuentran en esta-
do de mantenimiento o sin cambio. En el punto a, la entrada S  1 y R permanece en 0; por tanto, cuando llega el
pulso de reloj 2, la salida normal Q  1 y Q  0. Aqu es importante poner atencin a que, aun cuando S  1, las salidas
tienen que esperar a que llegue la transicin del pulso de reloj 2 de 0 a 1, para que las salidas cambien. Un tiempo
despus, la entrada S se hace 0 otra vez, de tal forma que cuando llega el pulso 3, las salidas no cambian por estar en el

186 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

estado de mantenimiento. Posteriormente, la entrada R se hace 1, de tal manera que las salida cambian, ahora Q  0 y
Q  1. Durante los pulsos de reloj 5 y 6 es posible observar que llega un momento en que las dos entradas, S y R, son 1,
estado que se considera como el estado prohibido. En este caso, es aceptable que las salidas sean 1, porque durante este
tiempo el pulso de reloj se encuentra en estado bajo y el f-f no se activa.
Uno de los flipflops ms populares es el tipo D. Este puede derivarse de un flipflopRS, solo que aadindole un
inversor, como se muestra en la figura 4.50 a). El f-f tipo D solo tiene una entrada de datos, D, y una entrada de reloj,
CK. La salidas continan siendo Q y Q, como se ilustra en la figura 4.50 b).

Dato S FF Q Dato D FF Q
Reloj CK Entradas Reloj CK Salidas

R Q Q

a) b)

=`^liX+%,' X :fejkilZZ`e[\le]c`g]cfgk`gf;XgXik`i[\le]$]k`gfIJ%Y JdYfcfc^`Zf[\le]$]k`gf;%

Con frecuencia, al flipflopD tambin se le llama flipflop de retardo (Delay). Como su nombre lo indica, cualquie-
ra que sea el dato de entrada, D, este aparecer en la salida normal, Q, retardado un pulso de reloj. Entonces, el dato es
transferido a la salida, durante la transicin de 0 a 1 del pulso de reloj.
Un flipflop tipo D comercial es el CI de la familia TTL, denominado 7474. El smbolo lgico de este CI y su tabla
de verdad se muestran en la figura 4.51.

Entradas Salidas
Modo
Preset de Asncronas Sncronas
(set) operacin
PR CLR CK D Q Q
PR
Dato D FF Q Set asncrono 0 1 X X 1 0
Reloj CK Reset asncrono 1 0 X X 0 1

(7474) Q Prohibido 0 0 X X 1 1
CLR Set 1 1 k 1 1 0
Borrado Reset 1 1 k 0 0 1
(reset)
0 = BAJO, 1 = ALTO, X = irrelevante, k = Transicin BAJA=ALTA del pulso de reloj

a) b)

=`^liX+%,( =c`g]cfgZfd\iZ`Xc.+.+%X JdYfcfc^`Zf%Y KXYcX[\m\i[X[%

Como se puede observar en la figura 4.51, hay dos seales de control adicionales llamadas Preset (PR) y Clear
(CLR), respectivamente. Estas seales son entradas de control asncronas activadas con 0 lgicos que determinan el
valor de las salidas. Analizando la tabla de verdad, podemos observar que cuando PR  0 y CLR  1, la salida normal
Q 1 y Q 0. Por el contrario, cuando PR  1 y CLR  0, se borra el valor de la salida normal, esto es, Q  0 y Q 1.
La lnea 3 de la tabla de verdad indica la entrada asncrona prohibida, PR  0 y CLR 0. Mientras que las X significan
que estas entradas son irrelevantes porque las seales asncronas las anulan.
Las entradas PR y CLR se deshabilitan cuando son 1 lgicos; en ese momento, se activan las entradas sncronas.
La lnea 4 muestra un 1 en la entrada de datos D y un pulso de reloj, representado por una flecha apuntando hacia
arriba en la entrada CK. El 1 de la entrada D se transfiere a la salida Q durante el pulso de reloj. La lnea 5 muestra que
D  0, por lo que este valor se transferir a la salida Q, durante la transicin de 0 a 1 de la entrada CK.
Los flipflopsD se utilizan con mucha frecuencia para almacenar datos; por esa razn, algunas veces se les llama
flipflop de datos. El pequeo smbolo >, en la entrada CK de la figura 4.51 a), indica que la activacin o el disparo de
reloj es por flanco; en este caso, durante la transicin de 0 a 1. La ausencia de este smbolo en la entrada de reloj indi-
ca que el disparo es por nivel, como se muestra en la figura 4.50 b). En los flipflops activados por nivel, un cierto nivel

grupo editorial patria 187


4 La maravillosa electrnica digital

de voltaje hace que el dato de entrada D se transfiera a la salida Q. El inconveniente con los dispositivos activados por
nivel es que la salida sigue a la entrada, mientras el pulso de reloj se encuentra en nivel lgico 1. Este tipo de disparo
podra ser un problema si el dato de entrada cambia mientras la entrada de reloj est en 1.
Otro tipo comn de flipflop es el denominado JK. El smbolo lgico y la tabla de verdad de este flipflop se ilustran
en las figuras 4.52 a) y 4.52 b), respectivamente. Al flipflopJK tambin se le conoce como flipflop universal porque a
partir de este se puede formar el flipflopD, exactamente en la manera en que se form a partir del flipflopRS, es decir
aadiendo un inversor, como se ilustra en la figura 4.52 c); tambin se le llama universal porque puede construirse otro
tipo de flipflop llamado tipo T (toggle), que se ilustra en la figura 4.52 d).

J J FF Q D J FF Q Dato D FF Q
Entradas Reloj CK Salidas Reloj CK = Reloj CK

K K Q K Q Q

a) c)

Modo Entradas Salidas


de
operacin CK J K Q Q
1 lgico J FF Q FF Q
Mantenimiento 0 0 no cambia Reloj CK = Reloj T
Reset 0 1 0 1
K Q Q
Set 1 0 1 0
Conmutacin 1 1 estado
opuesto

b) d)

=`^liX+%,) =c`g]cfgk`gfAB%X JdYfcfc^`Zf%Y KXYcX[\m\i[X[%Z =c`g]cfgk`gf;[\i`mX[f[\c]c`g]cfgAB%


[ =c`g]cfgk`gfK[\i`mX[f[\c]c`g]cfgAB%

La lnea 4 de la tabla de verdad del flipflop JK muestra una condicin muy til. Cuando las entradas J y K son
1 lgicos, la salida cambia cada vez que llega un pulso a la entrada de reloj CK, a lo cual se le denomina estado de con-
mutacin (toggle). Repitiendo los pulsos en la entrada CK, la salida cambiara de 0 a 1 a 0 a 1 a 0 a 1, etctera. Esta idea
de cambio en la salida de 0-1-0-1-0-1 es a lo que se le llama conmutacin. El trmino proviene de la naturaleza del
interruptor de conmutacin cerrado-abierto (on-off ). De esta manera, si las entradas JK se hacen 1 lgicos, ser
posible obtener un flipflop tipo T, como se observa en la figura 4.52 b), y si las entradas JK se hacen 0 lgicos, su salida
no cambiara.
En trminos generales, el principio de funcionamiento de todos los flipflops es el mismo. No obstante, por su fa-
cilidad, el uso del flipflop tipo D es muy extendido. Esta es la razn por la que consideramos el flipflop D para describir
algunos parmetros importantes de los flipflops, como:

a) La frecuencia mxima de reloj (fMX).


b) Los tiempos de set up (tsu) y de hold (th).

La frecuencia mxima de reloj, fMX, es la frecuencia ms alta con la cual se puede disparar un flipflop de mane-
ra confiable. Cuando la frecuencia del reloj, en la entrada CK, sobrepasa el valor de fMX, el flipflop es incapaz de res-
ponder lo suficientemente rpido y su operacin podra ser errtica.
El tiempo de set up, tsu, es el intervalo mnimo que las entradas de un flipflop (JK, RS, To D) requieren ser mante-
nidas constantes, sin cambio, antes de que llegue el disparo del pulso de reloj en la entrada CK. La figura 4.53 a) mues-
tra el tiempo tsu para un flipflop tipo D. Por otro lado, el tiempo de hold, th, es el tiempo mnimo quelas entradas de
control del flipflop requieren ser mantenidas constantes despus de que llega el disparo del pulso de reloj, tal como
se ilustra en la figura 4.53 b). Ambos tiempos deben cumplirse a fin de garantizar el almacenamiento del dato.
Los tiempos de set up y de hold son relativamente pequeos; por ejemplo, para un flipflop 74HCT74 estos tiem-
pos son de 18 ns y 3 ns, respectivamente. Los tiempos se miden considerando 50% de la transicin de disparo de reloj
y de la entrada D, ya sea de 0 a 1 (bajo a alto) o 1 a 0 (alto a bajo). La frecuencia mxima del pulso de reloj, fMX, para
este flipflop es de 18 MHz.

188 ELECTRNICA MIJAREZ


4 La maravillosa electrnica digital

D
50% del punto de transicin del disparo 50% del punto
D