LECCION 2 UNION PN

EL DIODO

Un diodo es la unin de dos zonas de material semiconductor, una de tipo N y la otra de tipo P, entre
las dos se forma una zona llamada de agotamiento (Z.A.) donde es mnima o nula la presencia de
portadores de carga. Tanto en la zona P como en la zona N existen portadores de carga minoritarios
del signo contrario. A la zona P se le llama nodo (A) y a la zona N se
le llama ctodo (K).

Diodo en directo: Caida de voltaje = 0.7 V

Diodo en directo: Se comporta como un interruptor cerrado.

Diodo en inverso: Se comporta como un interruptor abierto.
POLARIZACIN DE UN DIODO

Un diodo trabaja unido a un circuito elctrico el cual le aplica un voltaje. Se presentan dos
posibilidades:

POLARIZACIN DIRECTA

El voltaje positivo aplicado al nodo empuja los huecos hacia la zona de agotamiento, lo mismo hace
el voltaje negativo sobre los electrones del ctodo. Cuando el voltaje es pequeo y va aumentando la
zona de agotamiento se va estrechando al llegar a un valor llamado voltaje de umbral la zona de
agotamiento desaparece y los huecos y electrones se recombinan y el circuito externo empieza a
aportar huecos a la zona P y electrones a la zona N apareciendo una corriente elctrica a travs del
diodo, se dice que el diodo est en conduccin.
El voltaje umbral es 0.2 voltios para germanio y 0.6 voltios para silicio. La corriente del diodo en
conduccin crece fuertemente con un crecimiento pequeo del voltaje (dcimas de voltio). Se
considera entonces para un diodo de silicio siempre que est en conduccin su voltaje es de 0.7
voltios.
 Si los voltajes en el circuito son mucho mayores a 0.7v, el voltaje del
diodo se considera 0 y se asimila a un interruptor cerrado.

POLARIZACIN INVERSA

El voltaje negativo aplicado al nodo atrae los huecos y el voltaje positivo aplicado al ctodo atrae los
electrones por lo que la zona de agotamiento se ensancha, sobre los portadores minoritarios ocurre el
fenmeno contrario, stos hacen recombinacin y forman una corriente muy pequea (nA a A) que
en el caso prctico se considera nula. Se dice entonces que el diodo se comporta como un interruptor
abierto.

El voltaje en el diodo ser el que el circuito aplique y puede llegar a

cualquier valor, en la prctica cientos de voltios para diodos
rectificadores. Cuando el voltaje inverso aplicado llega a cierto valor
la atraccin entre huecos y electrones crece tanto que rompen la
resistencia de la estructura del semiconductor y viajan a gran velocidad recombinndose y formando
una corriente que crece rpidamente, se llama fenmeno de avalancha y a ese voltaje se llama Zener
o de avalancha. En diodos rectificadores este voltaje es de cientos de voltios y si el diodo llega a ese
voltaje normalmente se daa por una
elevacin muy rpida de temperatura.

Los diodos Zener tienen un voltaje de

avalancha menor a 100v y se pueden trabajar
hacindolos conducir en esa condicin hasta
cierto valor lmite de corriente. Un diodo se
puede asimilar a una vlvula de flujo
unidireccional (flapper o cheque), con
una diferencia de presin positiva se abre y deja pasar flujo, con una diferencia de presin negativa se
cierra y el flujo es cero.
 La grfica muestra la
variacin de la corriente
en funcin del voltaje
aplicado al diodo
indicando el
comportamiento tanto en
polarizacin directa como
en inversa.

PRUEBA DE UN DIODO

Con un multmetro anlogo un diodo se prueba en la escala de resistencia, colocando la punta roja (+)
al nodo y la punta negra (-) al ctodo debe marcar un valor pequeo de resistencia (<200) y al
conectar al contrario debe marcar un valor grande (>1M) en la escala ms alta (R*1k). Con un
multmetro digital en directo debe marcar el voltaje de umbral (0.5 a 0.7v para silicio) y en inverso
debe marcar circuito abierto indicado en la mayora de multmetros con una "1" a la izquierda del
display.

POTENCIA DE UN DIODO

Cuando un diodo conduce igual que una resistencia disipa potencia que se convierte en calor y eleva la
temperatura del diodo, si la temperatura sube por encima de unos 300C la estructura del
semiconductor se agrieta y el diodo se daa ("quema"). La disipacin de potencia: PD = VD*ID se
debe mantener por debajo de un lmite que depende del tamao del diodo y su estado de disipacin
de calor. En directo entonces se tiene un valor mximo de corriente:
Para diodos rectificadores en inverso el lmite est dado por el voltaje avalancha que se llama
entonces voltaje pico reverso VRP , por ser normalmente mayor a 100v la corriente de avalancha para
llegar al lmite de potencia es tan pequea que se puede decir que instantneamente sube la
temperatura y el diodo se quema. Para diodos Zener en zona de avalancha se tendr un mximo de
corriente:

ELECCIN DE UN DIODO

Los diodos vienen identificados por referencias que cambian de un fabricante a otro, pero una
referencia de un fabricante es equivalente a una referencia en cada uno de los otros fabricantes. Los
fabricantes editan manuales con diferentes niveles de informacin sobre cada una de las referencias
producidas y se tienen se tienen las guas maestras de reemplazo que sirven para conocer las
referencias equivalentes. En Colombia el mercado se gua principalmente por Master Replacement
Guide de ECG Semiconductors.

Para seleccionar un diodo se deben conocer mnimo los siguientes datos:

Corriente que va a conducir (pico o promedio), voltaje inverso a que va a estar sometido, frecuencia
de las seales; con estos valores usando las tablas del manual ECG se podr escoger una referencia
adecuada que soporte las condiciones de trabajo. En altas frecuencias se deben escoger diodos Fast
SW y en casos donde se requiere que un diodo pase muy rpido de corte a conduccin se deben usar
diodos Fast Recovery.

LECCION 3 DIODOS RECTIFICADORES

APLICACIONES DE LOS DIODOS

Los diodos rectificadores se usan principalmente en: circuitos rectificadores, circuitos fijadores,
circuitos recortadores, diodos volantes. Los diodos Zener se usan en circuitos recortadores,
reguladores de voltaje, referencias de voltaje.

CIRCUITOS RECTIFICADORES

Son circuitos que convierten seales alternas en seales de una sola polaridad (positiva o negativa)
Segn su configuracin son de media onda o de onda completa y segn la fuente AC usada son
monofsicos o polifsicos.
Para mirar los voltajes y corrientes en el diodo examinamos dos circuitos bsicos a continuacin.

Como se aplica la polaridad positiva de la fuente al nodo y negativa a travs de la resistencia al

ctodo, el diodo es polarizado en directo, entonces: VD =
0.7v VR = VF - VD = VF - 0.7 VF I VF/R

Si VF = 100v ; R = 200VR 100v VD = 0.7 ID = I =

0.5A

Como la fuente aplica polaridad negativa al nodo y positiva a travs de la resistencia hacia el ctodo
el diodo es polarizado en inverso, entonces:
I = ID = 0 si I = 0 VR = RI = 0
VD = VF - VR = VF - 0 = VF (en inverso)

Al aplicar una fuente AC el diodo conduce en el ciclo

positivo (1er circuito) y se abre en el semiciclo negativo
(2do circuito).

En la carga (R) aparece voltaje de una sola polaridad

positiva, es una seal llamada rectificada media onda. El
voltaje pico en el diodo corresponde al valor pico negativo de la fuente: V DP = VFP
 La corriente pico en el diodo se produce cuando la
fuente llega a su pico positivo y es:

Por la forma de onda la corriente promedio es:

Ejemplo: Sea VFef = 220 VRMS y R = 500

VDP = 2* VFef = 2*220v = 310VP

IM = 0.18A

Del manual ECG se puede tomar el diodo ECG 116 que

soporta VPR = 600v y IMmax = 1A.

Para obtener una onda rectificada negativa se coloca el diodo en sentido contrario.

LECCION 4 CIRCUITOS RECTIFICADORES MONOFASICOS

RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

Para este caso VDP = VFD y en la resistencia: VRP = VFP:

Para una fuente de 60Hz en la resistencia la seal de voltaje tiene una frecuencia de 120Hz.
Estos circuitos se aplican en alimentacin de motores DC, pero no dan seales adecuadas para
alimentacin de circuitos electrnicos, se aade un condensador como filtro.
La seal obtenida es la siguiente:

Rectificador media onda Rectificador onda completa

El circuito como filtro se llama fuente DC o adaptador AC-DC.

CIRCUITOS CON VARIOS DIODOS

En electrnica se usan circuitos con varios diodos para realizar operaciones lgicas y para conmutar el
flujo de corriente entre varios circuitos. El anlisis se basa en determinar cual diodo o diodos conducen
en cada instante de tiempo y de ah determinar las corrientes y voltajes del circuito. Se van a analizar
dos casos elementales:

a)

En este circuito conduce el diodo que recibe el voltaje ms positivo; si V F2 > VF1 conduce D2.
VR mayor entre VF1 y VF2.

Ejemplo: Si VF1 = 8v y VF2 = 5v, R = 100

Conduce el diodo D1 y VR = 7.3v 8v
 Para el diodo D2: VD2 = VB - VC = 5v - 7.3v =
-2.3v indica que el diodo D2 est en inverso y
no conduce.
El anlisis se puede aplicar para ms de 2
diodos con el resultado conduce el que reciba
mayor voltaje y todos los dems quedan en
inverso.

b)

Aqu conduce el diodo que reciba el voltaje

ms negativo y el(los) otro(s) diodo(s) quedan
en inverso. En este caso VR = -(mayor de VF1 y

VF2)

Ejemplo: VF1 = 15v VF2 = 30v R = 1k

Por la polaridad de las fuentes VA = -15v y VB = -30v, como el ms negativo es VB, conduce el diodo
D2.
VR VB = -VF2 = -30v

Para el diodo D1: VD1 = VC - VA = (-30v) - (-15v) = -15v por lo tanto est en inverso.

LECCION 5 CIRCUITOS RECTIFICADORES POLIFASICOS

CIRCUITO RECTIFICADOR CON TRANSFORMADOR DE TAB CENTRAL (Rectificador de media

onda bifsico)

Para un transformador con tab central, tomando el tab central como referencia se tiene:
Se toma como un sistema bifsico de voltajes
alternos, adicionamos diodos para hacer
rectificacin:

En el primer semiciclo VA es ms positivo que VB,

conduce el diodo D1 y VR VA, en el segundo
semiciclo conduce el diodo D2 y VR VB, se repite
el proceso cada ciclo, aparece en la resistencia el
voltaje rectificado mostrado en la grfica de VR.

En este caso:

Como cada diodo conduce la mitad del tiempo:

Pero el voltaje pico inverso es: VD = 2VP

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA TRIFSICO

que reciba el voltaje positivo ms alto, cuando otro voltaje se
hace mayor cambia el diodo que conduce, esto se llama
conmutacin automtica.
Si se usa la red de 60Hz en la carga la seal es de 180Hz con
un valor medio

VLM = 0.827VP
Corriente pico en el diodo:

Voltaje inverso en el diodo VDP = 1.5VP

RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TRIFSICO

El voltaje en la carga es de 360Hz con un valor medio: V LM =

1.654VP
Corriente media en el diodo:
Voltaje inverso en el diodo VDP = 1.5VP

Los voltajes obtenidos en estos rectificadores son casi DC sin necesidad de condensadores y se usan
para aplicaciones de alto consumo de corriente como motores DC o Galvanoplastia.

DIODOS ZENER Y APLICACIONES

Es un diodo que tiene un voltaje de avalancha relativamente bajo, menor de 100v. Aunque puede
funcionar como rectificador la mayora de aplicaciones se basan en hacerlo funcionar en la zona de
avalancha, all el diodo conduce y mantiene un voltaje entre sus terminales que es el voltaje Zener
(VZ) o de avalancha. La mxima corriente que puede conducir es

Ejemplo: Cul es la mxima corriente en avalancha de un diodo Zener de 1.5v y de 1w?

DIODO ZENER COMO ELEMENTO DE PROTECCIN

Se coloca el diodo Zener en paralelo con el circuito a proteger, si el voltaje de fuente crece por encima
de VZ el diodo conduce y no deja que el voltaje que llega al circuito sea mayor a V Z. No se debe usar
cuando VF > VZ por largos periodos de tiempo pues en ese caso se daa el diodo. Se aplica
acompaado de lmparas de nen o de descargadores de gas para proteger circuitos de descargas
elctricas por rayos.

DIODO ZENER COMO CIRCUITO RECORTADOR

Se usa con fuentes AC o para recortar seales variables que vienen de elementos de medicin
(sensores). Cuando VX tiende a hacerse mayor que V Z el diodo entra en conduccin y mantiene el
circuito con un voltaje igual a VZ.

CONEXIN ANTIPARALELO

Se usa para recortar en dos niveles, uno positivo y el otro negativo.

Si el circuito tiene una resistencia equivalente R C la corriente en el diodo es:

Sea una fuente senoidal de 10VP, R = 200, RC=1Ky un diodo Zener de 6v, cual ser la corriente pico
en el diodo.

DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE

Se llama voltaje no regulado aquel que disminuye cuando el circuito conectado a l consume ms
corriente, esto ocurre en las fuentes DC construidas con solo el rectificador y el condensador de filtro,
en los adaptadores AC-DC y en las bateras. Un voltaje regulado mantiene su valor constante aunque
aumente o disminuya el consumo de corriente. Una de las muchas formas de regular un voltaje es con
un diodo Zener.

La condicin de funcionamiento correcto es que V F en ningn momento sea menor a V Z. El voltaje

regulado sobre el circuito es VZ.

El calculo del circuito consiste en conocer el valor adecuado

de R, como dato se requiere el valor de VF, se selecciona una
corriente para el Zener (I Z) menor que su corriente mxima,
se calcula o mide la corriente que consume el circuito (I C)
cuando se le aplica VZ, y se calcula:
Sea un circuito que consume 10mA a 5v, con una fuente de V F = 8v, cul es el valor de R adecuado?

Supongamos que disponemos de un diodo de V Z = 5V a 1/2w. Su corriente mxima es:

IDmax = 0.5v/5v = 0.1A, escogemos una corriente menor para funcionamiento: I Z = 10mA, entonces R
= (8v - 5v)/(10mA + 10mA) = 3v/20mA = 150

Para circuitos que consumen alta corriente se usa regulacin en conjunto de un diodo Zener y un
transistor en ese caso el voltaje en el circuito es V Z - 07v.

REFERENCIA DE VOLTAJE

Los diodos Zener son construidos de manera que V Z es muy exacto y se mantiene constante para
diferentes valores de IZ, esto permite que un Zener se use en electrnica como referencia de voltaje
para diferentes aplicaciones.

LECCION 1 TRANSISTOR

La palabra Transistor viene de Transfer Resistor o resistencia de transferencia, es un elemento que se

comporta como una resistencia variable que depende de una seal elctrica de control, entonces al
cambiar el valor de la seal de control cambia la cantidad de corriente que pasa por el transistor.

Hay dos clases principales de transistores: Bipolares (BJT) y de efecto de campo (FET).

En los transistores BJT la seal de control es una corriente y en los FET es un voltaje.

Clases de transistores:

a. NPN
BIPOLA b. PNP
R
 FET Canal N
Corriente Canal P
MOSFET Enriquecimiento Canal N
(Enhancement) Canal P
FET Empobrecimiento Canal N
(Depletion) Canal P
TRANSISTO FET VMOS, MOS doble compuerta, etc
R Especiales

TRANSISTORES BIPOLARES

Estn constituidos por tres capas de semiconductor que se llaman emisor (E), base (B) y colector (C),
en el transistor NPN la base es semiconductor P, el emisor y el colector de semiconductor N, en el
transistor PNP es lo contrario.

Para que un transistor bipolar funcione se debe "polarizar" que consiste en colocar fuentes de voltaje y
resistencia que coloquen el diodo base emisor en directo (|VBE|=0.7) y que el diodo base colector est
en inverso.
Hay varias formas de polarizar un transistor, los ms usados son fija, divisor de voltaje, realimentacin
por colector, realimentacin por emisor, seguidor emisor, etc., estos circuitos se indican en la Tabla No.
1.

El comportamiento fundamental del transistor es que genera una

corriente en el colector que es proporcional a la corriente que entra
(NPN) o sale (PNP) por la base, la constante de proporcionalidad se
llama la ganancia de corriente y se indica por o hFE.

= IC / IB

Conceptualmente se dice que el transistor se comporta como una

fuente de corriente controlada por corriente, es decir, una fuente de
corriente que no es de valor fijo, vara produciendo ms o menos
corriente en la medida que hay ms o menos corriente en la base.

Como en el transistor no se acumula carga toda la corriente que

entra a l debe salir, entonces:

IE = IC + IB = ( +1) IB

Si >> 1 IE IC

Tabla 1: Anlisis DC de Polarizacin de Transistores Bipolares

Configuracin

IB = (VCC - 0.7)/RB
VE = 0
IE IC = * IB
VB = 0.7v
VCE = VCC - IC*RC
VC = VCE
VRC = IC*RC

Mtodo exacto (RE<=10R2)

Mtodo aproximado
VTH = (R2*VCC)/(R1 +R2)
(RE >10R2)
RTH= (R1*R2)/(R1 +R2)
VB = (R2*VCC)/(R1 +R2)
IB = (VTH - 0.7)/(RTH +
VE=VB-0.7
(b+1)RE)
IE IC = VE/RE
IE IC = *IB
IB = IC/
VE = IE*RE
VRC = IC * RC
VCE = VCC - IC(RC+ RE)
VCE = VCC - IC (RC+ RE)
VC = VE + VCE
VC = VE + VCE
VB = VB + 0.7v
 IB = VCC - 0.7
RB+(+1) RB
VB = VE +0.7v
IE IC = * I B
VC = VCE +VE
V E = R E - IE
VCE = Vcc - IC*(RC + RE)

IB = (VCC - 0.7)/( RB+(+1) RE)

IE IC = * I B
V E = R E * IE
VB = VE + 0.7v
VC = Vcc

IE (IC = VEE - 0.7)/ RE

VE = VEE - IE * RE
IB = IC/
VC = -Vcc + IC * RC
VB = 0

IB = (VCC - 0.7)/(RB+b Rc)

IE IC = * I B
VCE = VC
VB = 0.7V
VC = Vcc - IC * Rc

LECCION 2 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

ANLISIS Y DISEO EN DC

Se llama etapa a transistor al conjunto del transistor, resistencias y fuentes que lo polarizan. El
anlisis consiste en determinar los voltajes y corrientes en el transistor teniendo como datos el y los
valores de resistencia. El diseo es calcular las resistencias para obtener unos voltajes deseados en el
transistor.
El proceso de anlisis es primero calcular la corriente de base usando las Leyes de Ohm y Kirchhoff,
luego se calcula IC e IE y con estos datos los voltajes de colector (Vc) y emisor (VE).

Ejemplo: Cuales son los voltajes y corrientes en el siguiente circuito de polarizacin fija:

RB= 200K RC = 1K

Se analiza la malla de entrada

LVK = Vcc - VRB - VBE = 0

VRB = Vcc - VBE

VRB = 10v -0.7v = 9.3v
IB = IRB = (9.3v / 200K)
= 46.5 A

Se calculan corrientes
de colector y emisor:
IC = * IB = 100*46.5 A= 4.65 mA
IE IC = 4.65 mA

Se analiza la malla de salida:

VCC - VRC - VCE = 0

VRC = IC * Rc = 4.65mA * 1K= 4.65v
VCE = Vcc - VRC = 10v - 4.65v = 5.35v
Como consecuencia el diodo BC queda en inverso: V BC = VB - Vc = 0.7v
- 5.35v = -4.65v

APLICACIONES DEL TRANSISTOR

Una vez polarizado en DC un transistor se le agregan voltajes a travs

de fuertes variables y otros elementos de circuito y el transistor
entrega energa a otros circuitos, en algunos casos se adicionan al
circuito condensadores, bobinas, transformadores que hacen que los transistores tengan miles de
aplicaciones, las ms usuales son amplificadores, filtros activos, osciladores, atenuadores,
moduladores, operaciones lgicas, etc.

Las aplicaciones ms tiles que usen ms de un transistor se han convertido en circuitos integrados,
donde se tiene ms facilidad y seguridad en la polarizacin y hay mayor versatilidad en las
aplicaciones. Segn el estado de funcionamiento de los transistores se tienen dos grandes familias de
integrados que son: lineales y digitales.

POTENCIA DEL TRANSISTOR

Los voltajes y corrientes presentes en un transistor hacen que haya una disipacin de potencia que se
convierte en calor que eleva la temperatura del dispositivo, en general se considera la potencia del
transistor como :
 PT = VCE * IC

Esta tiene un valor lmite indicado por los fabricante para cada
referencia en los manuales de especificaciones. Los datos de
potencia lmite dependen que se pueda mantener los
transistores a bajas temperaturas, esto se logra ensamblando
disparadores de aletas a los transistores, los disipadores se
especifican por su resistencia trmica
= (T / P) (c/w) que depende de su forma, nmero de aletas,
tamao y color. Los transistores traen encapsulados especiales
para unirlos a los disipadores, por ejemplo los encapsulados T0-22 y T0-3.

LECCION 5 TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (Rc) si se hace pasar
rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte es un interruptor abierto y en saturacin es
un interruptor cerrado. Los datos para calcular un circuito de transistor como interruptor son: el
voltaje del circuito que se va a encender y la corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje Vcc se
hace igual al voltaje nominal del circuito, y la corriente corresponde a la corriente Icsat. Se calcula la
corriente de saturacin mnima, luego la resistencia de base mnima:

IBSAT min = Icsat /

RBMax = Von/IBsat min

Donde Von es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito debe usar una
RB por lo menos 4 veces menor que RBmax.

Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en RB de apagado Voff que haga que el circuito entre en
corte.
La principal aplicacin de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados lgicos, all se
mantienen trabajando los transistores entre corte o en saturacin, en otro campo se aplican para
activar y desactivar rels, en este caso como la carga es inductiva (bobina del rel) al pasar el
transistor de saturacin a corte se presenta la "patada inductiva" que al ser repetitiva quema el
transistor se debe hacer una proteccin con un diodo en una aplicacin llamada diodo volante.

LECCIN 6 TRANSISTORES FET Y MOSFET

TRANSISTOR FET

FET (Field Efect Transistor): transistor de efecto del campo. Esta formado por una barra de
semiconductor N o P que se llama el canal, tiene un cinturn o estrechamiento del otro tipo de
semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o
fuente), el cinturn se une al terminal G (Gate, compuerta).

Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente ID que

depende de la resistencia del canal, si se aplica un voltaje V GS
negativo (G = -, S = +) el diodo formado por el cinturn y el canal
queda en inverso y no hay corriente de compuerta (I G = 0) pero el
voltaje negativo es G repele las cargas negativas que pasan por el
canal que aparece como un aumento de resistencia y la corriente I D
disminuye, haciendo mayor o menor la magnitud de V GS haremos que
ID disminuya o aumente, as se obtiene un control de I D, siendo la
variable de control del voltaje VGS.
 En el FET la relacin entre ID y VGS est dada por la ecuacin de Schotkley:

ID = IDSS (1 - (VGS/VP))

IDSS y VP son constantes caractersticas de cada tipo o referencia de transistor,

se obtienen en las hojas de especificaciones del fabricante. Los circuitos de
polarizacin de FET y MOSFET se encuentran en la Tabla No. 3 donde el punto
de trabajo se da por el corte de la parbola de la ecuacin de Schotkley y la
recta de carga del circuito.

Los transistores FET y MOSFET se usan como amplificadores, donde su

caracterstica ms importante es su alta impedancia de entrada por efecto de I G = 0. En la Tabla No. 4
se especifican las frmulas de Zi, Zo y Av para cada uno de los circuitos amplificadores.

TABLA No. 3 Configuraciones polarizacin de FET

ECUACIONES SOLUCIN
TIPO CONFIGURACIN
PERTINENTES GRFICA

VGSQ = - VGG
JFET
Con polarizacin fija
VDS = VDD - IDRS
 VGSQ = - IDRS
JFET
Con autopolarizacin
VDS =VDD - ID(RD + RS)

VG = R2 VDD/(R1 + R2)
JFET
Con polarizacin
VGS = VG - IDRS
mediante divisor de
VDS =VDD - ID(RD + RS)
voltaje

VGSQ = Vss - IDRS

Compuerta comn
JFET VDS =VDD+Vss-ID(RD+ RS)

VGSQ = 0 V
JFET
(VGSQ = 0 V) IDQ = Iss

VGSQ = -IDRS

VD = VDD
JFET
(RD = 0 ) VS = IDRS

VDS =VDD - IDRS

MOSFET
De tipo decremental VGSQ = + VGG
(todas las configuraciones
arriba de los casos VDS = VDD - IDRS
positivos donde = +
voltaje) polarizacin Fija
 VG = R2 VDD/(R1 + R2)
MOSFET
de tipo decremental VGS = VG - ISRS
polarizacin mediante
divisor de voltaje VDS =VDD - ID(RD + RS)

MOSFET VGSQ = VDS

de tipo incremental
configuracin por VDS = VDD - IDRS
retroalimentacin

MOSFET VG = R2 VDD/(R1 + R2)

de tipo incremental
Polarizacin mediante VGS = VG - IDRS
divisor de voltaje

TABLA No. 4: Zp Zo Av para las diferentes configuraciones FET

CONFIGURACIN Zp Zo Av = Vo/Vi

Media (2 K) Media (-10)

Alta (10 M)
=RD || rd = -gm (rd || RD)
= RG
RD -gm RD

(rd 10RD) (rd 10RD)

Alta (10 M) Media (2 K) Media (-10)

= RG =RD || rd = -gm (rd || RD)

RD -gm RD

(rd 10RD) (rd 10RD)

Alta (10 M) Media (2 ) Media (-2)

= RG = RD/(1 + gmRs = - gmRs/(1 +

+ (RD+Rs)/rd) gmRs +
(RD+Rs)/rd)
RD/(1 +
gmRs) - gmRs/(1 +
gmRs)
(rd
10(RD+Rs)) (rd 10(RD+Rs))

Alta (10 M) Media (2 K) Media (-10)

= R1 || R2 =RD || rd = -gm (rd || RD)

RD -gm RD

(rd 10RD) (rd 10RD)

Alta (10 M) Baja (100 k) Baja (<1)

= RG = rd || RS || = gm(rd || RS)/(1
1/gm + gm(rd || RS))

RS || 1/gm gmRS/(1 +
gmRS)
(rd 10RS)
(rd 10RS)
 Media (2 K) Media (+10)
Baja (1 k)
= RD || rd
= (gmRD +
RD (RD/rd))/(1+
(RD/rd))

(rd 10RD)
gmRD
RS || 1/gm

(rd 10RD)
(rd 10RD)

Media (1 k) Media (2 K) Media (-10)

= (RF + rd || RD)/ = RF || rd || RD = - gm (RF || rd

(1+gm(rd || RD)) || RD)
RD
RF/(1+gmRD)
- gmRD
(RF rd 10RD)

(RF rd 10RD)

Media (1 M) Media (2 K) Media (-10)

= R1 || R2 =RD || rd = -gm (rd || RD)

RD -gm RD

(rd 10RD) (rd 10RD)