M4 Curso 2016 - B1

Curso 2016/B1
M4. FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA.
Recopilacin de Apuntes, preparados para:

USO INTERNO EN EL CIPFP C.E. de CHESTE
C.F.G.S. MANTENIMIENTO AEROMECNICO
M4 FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
CIPFP del CE
de Cheste
Mantenimiento de Aeronaves
MTOE-P2-B0
B1 B2

M4.1.1a
DIODOS
Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.1a Pginas de Control

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CIPFP del CE
de Cheste
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Histrico de modificaciones
Documentacin: M4.1.1a. Diodos
Edicin Revisin Fecha Elaborado por: Motivo

1 1 17/08/2002 Fco. Javier Montoya
Jos de Miguel Girba Se anula la edicin 1
2 0 16/03/2010
Juan Carlos Fernandez
Jos de Miguel Girba Correccin formato
2 1 31/05/2010
2 2 25/05/2014 Jos de Miguel Girba Revisin contenidos.
2 3 08/05/2015 Jos de Miguel Girba Revisin contenidos
ndice de pginas efectivas
Pg. Rev. Fecha R/S Pg. Rev. Fecha R/S Pg. Rev. Fecha
1 3 08/05/2015 21 3 08/05/2015
2 3 08/05/2015 22 3 08/05/2015
3 3 08/05/2015 23 3 08/05/2015
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5 3 08/05/2015 25 3 08/05/2015
6 3 08/05/2015 26 3 08/05/2015
7 3 08/05/2015 27 3 08/05/2015
8 3 08/05/2015 28 3 08/05/2015
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11 3 08/05/2015 31 3 08/05/2015
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15 3 08/05/2015 35 3 08/05/2015
16 3 08/05/2015 36 3 08/05/2015
17 3 08/05/2015 37 3 08/05/2015
18 3 08/05/2015 38 3 08/05/2015
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NDICE
4.1.1a. DIODOS. .................................................................................................................... 5

4.1.1a.1. Conductividad elctrica y estructura atmica de la materia ................................... 5
4.1.1a.2. Conductores, dielctricos y semiconductores ........................................................ 7
4.1.1a.3. Tipos de semiconductores. Semiconductores tipo p y n ......................................... 8
4.1.1a.3.1. Tipos de semiconductores. ............................................................................. 8
4.1.1a.3.2.- Semiconductores intrnsecos. ........................................................................ 9
4.1.1a.3.3.- Semiconductores extrnsecos. ..................................................................... 11
4.1.1a.4.- UNIN PN EN UN SEMICONDUCTOR. DIODOS. ....................................... 12
4.1.1a.5. Construccin de diodos....................................................................................... 13
4.1.1a.5.1 Simbologa de los diodos. ............................................................................. 14
4.1.1a.6. Caractersticas y propiedades de los diodos......................................................... 15
4.1.1a.7. Diodos en serie y en paralelo. ............................................................................. 23
4.1.1a.8. Ensayos de funcionamiento de diodos................................................................. 25
4.1.1a.9. Diodos especficos. ............................................................................................. 28
4.1.1a.9.1. Tiristor......................................................................................................... 35

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4.1. SEMICONDUCTORES
4.1.1a. DIODOS.
4.1.1a.1. Conductividad elctrica y estructura atmica de la materia
Existe una estrecha relacin, como es sabido, entre la conductividad elctrica de la materia y su
estructura atmica. Para iniciar el estudio de dicha relacin, hemos de analizar la distribucin de
electrones, dentro del tomo, ya que son estas partculas, las que caracterizan gran parte de las
propiedades de los materiales, y por supuesto, tambin la conductividad.
Como es sabido, los electrones se distribuyen en el tomo, en diferentes niveles de energa, los
cuales, se representan por orbitales o trayectorias, ubicadas concntricamente, alrededor de un
ncleo. A modo de ejemplo, tomemos un tomo de Silicio (Fig 1.1).
El ncleo, est formado por catorce protones

(adems de neutrones, los cuales contribuyen a
dotarle de una masa). Por tanto, el tomo
analizado, dispone de sendos electrones,
repartidos en diferentes orbitales. Especial
mencin merecen los 4 electrones de su ltimo
nivel
Estos orbitales no son ms que la representacin

grfica de niveles energticos. Cuanto ms
cercanos giren los electrones del ncleo, menos
energa disponible existe, y ms estable es su
estado. En la figura 1.2, se muestra una grfica
en la que en el eje de ordenadas se representa el Fig 1.1
nivel energtico correspondiente a un orbital
determinado. El eje de accisas no representa ndice alguno, y solo nos permite realizar la
representacin grfica.
El nivel energtico 0 corresponde

a la capa que est en contacto con
el ncleo. Por ese motivo, esta
banda recibe el nombre de
banda de saturacin. Est
completa de electrones
cohesionados por grandes fuerzas
de repulsin al estar muy juntos,
por lo que no pueden intervenir
en los procesos de interaccin Fig. 1.2
electrnica entre tomos.
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Cuanto ms nos alejemos del ncleo, ms energa disponible tendremos, por lo que estas bandas
de energa mayor, representan valor energtico mayor. El electrn ubicado en una rbita o nivel
de energa alejado del ncleo dispone de ms energa, y por tanto est ms libre que aquel
electrn ubicado en una banda cercana al ncleo, cuyos electrones estn fuertemente
cohesionados, y por tanto tienen poca libertad, siendo necesario aplicarles mucha energa para
que salten a un nivel energtico superior.
En la Fig. 1.2, se aprecia como existen zonas en las que no hay electrones, ya que se encuentran
entre dos niveles energticos adyacentes. Por tanto, para que un electrn pueda atravesar estas
zonas para pasar de un nivel a otro superior, hemos de aplicarle una energa para poner vencer
esta barrera. La cantidad de energa a aplicar, coincide con la diferencia de energa existente
entre los niveles destino y origen.
La diferencia entre dos tomos, a nivel de distribuciones energticas en bandas, estriba

nicamente en los valores energticos de sus diferentes niveles y la amplitud de las zonas de
separacin o bandas prohibidas.
En la Fig 1.3, se aprecia los diferentes niveles de un tomo genrico. Como ya se ha indicado, la
primera zona se denomina banda de saturacin. Si seguimos ascendiendo a niveles superiores,
hemos de vencer una barrera energtica para llegar al siguiente nivel. Por ello, existe una banda
prohibida, que separa la saturada con la de valencia.
La banda de valencia representa la parte externa del tomo. Dependiendo del nmero atmico en
cuestin, se encuentra ms o menos llena de electrones. Precisamente, son los electrones de esta
banda los que interviene en los fenmenos tales como la conduccin elctrica de los materiales.
Fig. 1.3
Tras la banda de valencia, se encuentra otra nueva banda prohibida, tras la cual, aparece la banda
de conduccin. Aqu se encuentran los electrones que han alcanzado la energa suficiente como
para independizarse de la atraccin que ejerce el ncleo, por lo que se encuentran libres y con

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mucha energa disponible. Precisamente, son los electrones de esta banda los que interviene en
los fenmenos tales como la conduccin elctrica de los materiales.
Recordemos que el fenmeno de conduccin elctrica, no es ms que el proceso por el cual, se

produce el movimiento de electrones de una zona de mayor potencial a otro de menor. Esto se
consigue saltando dichos electrones de valencia de los orbitales de conduccin de un tomo, a
los orbitales de conduccin de los adyacentes, mediante la aplicacin de energa externa al
sistema.
4.1.1a.2. Conductores, dielctricos y semiconductores
Anteriormente, ya se estudi el fenmeno de la conduccin elctrica, tratando especialmente,

tanto los materiales conductores como los dielctricos. Ahora trataremos con profundidad, los
materiales semiconductores.
Los materiales conductores, disponan de 1 o 2 electrones en su nivel de valencia. Los

dielctricos tienen su nivel de valencia completo, o solo le falta 1 o 2 electrones para
completarlo, por lo que estos electrones se encuentran muy unidos entre ellos y su movilidad
est muy limitada.
En la Fig, 1.4 se representa la distribucin energtica de las bandas de un material dielctrico.
Se observa que las bandas de conduccin y de valencia,

ests separadas por una banda prohibida muy ancha, por lo
que sera necesario aplicar una gran cantidad de energa a
los electrones para que se movieran de una a otra.
Sin embargo, en la fig. 1.5, podemos ver la misma

representacin, pero esta vez para un material conductor.
La movilidad es muy fcil, y habr que aplicar poca
energa a los electrones, ya que la banda prohibida es
prcticamente inexistente, por lo que la energa a aplicar es
prcticamente nula, o muy baja. Fig. 1.4
Existen en la naturaleza una serie de materiales, llamados

semiconductores, cuyos valores de conductividad estn a medio camino entre un conductor y un
dielctrico. Si bien, existe una gran diferencia con ambos,
a saber:
Los conductores presentan valores de conductividad que

disminuye con la temperatura, ya que la agitacin trmica
molecular obstaculiza el trnsito electrnico. De igual
forma, los dielctricos, lo son en mayor grado, cuanto ms
calientes se encuentren. Los semiconductores, disminuyen
su resistencia con la temperatura, por lo que se comportan
de forma inversa a la mayora de los materiales.
Fig. 1.5 Por tanto, un semiconductor es aquel material con grandes

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resistividades a baja temperatura y baja resistividad a alta. A esta peculiaridad que presentan
estos materiales, se le llama conductividad intrnseca, y es precisamente, el motivo por el que se
usa este tipo de materiales en aplicaciones en las que se requiere hacer mediciones de
temperatura.
Son materiales semiconductores, el silicio, el germanio y selenio, entre otros. Los

semiconductores disponen de una banda prohibida muy estrecha (Fig. 1.6). Al aplicarle energa
de origen trmico a los tomos, stos superan la banda prohibida, pasando al nivel de
conduccin, y por tanto, se convierten en libres. As se produce el aumento de la conductividad
de los semiconductores con la temperatura.
Fig. 1.6
4.1.1a.3. Tipos de semiconductores. Semiconductores tipo p y n
4.1.1a.3.1. Tipos de semiconductores.

En la mayora de las sustancias presentes en la naturaleza, las molculas se ordenan en el espacio
formando planos que da como resultado una figura tridimensional polidrica. Esta estructura
recibe el nombre de cristal. Por tanto, los tomos se ordenan segn la posicin correspondiente a
los vrtices de figuras tridimensionales que se repiten en el espacio. Cada sustancia cristaliza
segn una determinada geometra. En la figura 1.7 se representa la estructura tetradrica en la
que cristaliza el silicio.
Dentro de esta estructura, la posicin real del tomo vara continuamente, debido a que la
energa suministrada por el calor, hace que stos vibren alrededor de su posicin terica. Tanto
mayor ser esta vibracin, cuanto mayor sea la temperatura a la que se encuentre el tomo.
Figura 1.7

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Los semiconductores disponen de 4 electrones en su nivel de valencia. Por ejemplo, la plata
dispone de un nico electrn en su nivel de valencia. En principio, podr parecer que los
semiconductores, que disponen de mayor nmero de electrones libres, deberan ser ms
conductores que la plata, sin embargo, no ocurre esto. Esto se debe a la peculiar forma con la que
los tomos de silicio comparten entre s electrones, llamndose esta asociacin, enlace covalente.
Los materiales semiconductores, son los que poseen 4 electrones de valencia. Sin embargo, su
conductividad corresponde a tomos con 8 electrones de valencia. Esto es debido a que
cristalizan unindose entre ellos mediante la formacin de enlaces covalentes, gracias a lo cual,
cada tomo comparte 4 electrones con los tomos adyacentes (figura 1.8). Por tanto, un tomo
dispone de electrones en su nivel de valencia. Cada uno de estos electrones es compartido, a su
vez, con otro tomo adyacente.
Figura 1.8.
Por tanto, cada ncleo se rodea de 8 electrones, por lo que stos se encuentran ntimamente
ligados por el enlace covalente. Por este motivo, un cristal de semiconductor, es muy mal
conductor a temperatura ambiente. Con 8 electrones, la banda de valencia est completamente
llena, por lo que el movimiento electrnico est muy dificultado.
Un aporte de energa mediante calor, al sistema, produce un aumento de la vibracin atmica,

por lo que dicha energa consigue aumentar la energa de los electrones de valencia, por lo que
se incrementas los saltos hacia la banda de conduccin. Esto hace que aumente el nmero de
electrones libres, susceptibles de ser conducidos mediante la aplicacin de una ddp al sistema.
4.1.1a.3.2.- Semiconductores intrnsecos.

En Semiconductor intrnseco es el semiconductor puro, sin ningn aditivo que pueda modificar
sus propiedades elctricas. Se caracterizan porque el nmero de electrones de su banda de
conduccin es igual al de huecos de su banda de valencia.
El germanio y el silicio tienen 4 electrones libres en su banda de valencia. El tomo de germanio

tiene una brecha prohibida ms pequea que el de silicio, por lo que al mismo aporte calrico, en
el germanio la conductividad aumenta ms que en el silicio.

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Si se observa la estructura molecular del silicio o germanio puro (fig. 1.8), vemos que cada
electrn de valencia est fuertemente ligado (8 electrones implica saturacin) y adems 4
electrones de esos 8, pertenecen a la vez a sendos tomos adyacentes. Por tanto, no hay
electrones libres, ni ningn hueco libre en tomos contiguos para que el primero pueda ocupar.
A 0K (fig. 1.9), la agitacin molecular es nula (nivel energtico cero), por lo que no hay energa
trmica que favorezca la movilidad electrnica. A temperatura ambiente (290 K) (fig. 1.10), se
ha aportado bastante energa ya, por lo que se produce la rotura de algunos de estos enlaces
covalentes debido a la agitacin trmica, por lo que algunos electrones ligados saltan a la banda
de conduccin, dejando lo que se denomina un hueco en su lugar, dentro de la banda de
valencia. Por tanto, por cada electrn desplazado, se cre, de forma inseparable, el
correspondiente hueco, y por tanto, el tomo ha adquirido una carga neta positiva (y el adyacente
otra negativa). La carga neta de la masa de tomos no ha variado. En un semiconductor
intrnseco, el nmero de electrones libres es igual al de huecos.
Fig. 1.9 Fig. 1.10
La existencia de nuevos electrones liberados por la agitacin trmica equivale a una conduccin
elctrica. Durante el desplazamiento del electrn liberado (que previamente ha dejado un hueco
al romperse el enlace covalente y saltar), ste cae en el hueco dejado por otro electrn liberado,
ocupando su sitio. A este fenmeno se le conoce como recombinacin. En una masa de
semiconductor, este proceso se repite millones de veces por segundo, de forma desordenada y no
dirigida ni aprovechable desde el punto de vista de la generacin de corriente.
Por tanto, la rotura de un enlace covalente implicar la creacin de un par electrn-hueco. Por el
contrario, si un electrn ocupa un hueco, se reducir su nivel de energa (cae en la banda de
valencia), desapareciendo un par hueco-electrn y crendose un nuevo enlace covalente.
En otra parte del cristal, se romper otro enlace covalente y se volver a crear otro par hueco-
electrn.
Mientras que en un conductor normal, la conductividad es debida al movimiento de electrones

exclusivamente, en los semiconductores, es debido a la suma, tanto del movimiento de los
electrones por un lado, y de los correspondientes huecos pro el otro, por lo que el fenmeno se
ve comparativamente aumentado con relacin a los conductores normales.
Si aplicamos una ddp a un semiconductor intrnseco, se producir un movimiento de electrones

que rompen su enlace, y buscan el polo positivo del campo. Los huecos dejados por stos,
sufrirn un desplazamiento tal, que equivale a desplazarse buscando el polo negativo de dicho
campo. Esto es debido, a que estos huecos que se crean, son ocupados por los electrones
adyacentes, los cuales siempre tienden a moverse en la misma direccin, pues buscan el polo
positivo, por ello, los huecos dejados, siempre se van alejando de dicho polo positivo,
experimentando un desplazamiento que equivale a acercarse al polo negativo (ver fig. 1.11).
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Fig. 1.11
4.1.1a.3.3.- Semiconductores extrnsecos.

Son semiconductores extrnsecos, aquellos, que partiendo de un intrnseco, se le aaden
pequeas cantidades de impurezas (dopado) de forma controlada, para conseguir as modificar su
conductividad del material base sin alterar su estructura cristalina.
A la accin de aadir impurezas se denomina dopado. El material que se emplea como

elemento dopante ha de satisfacer una serie de requisitos:
En primer lugar, ha de ser un material afn a la estructura cristalina del material base.
Ha de poseer un n de electrones libres diferente al del material dopado. Gracias a esto, si

dopamos con una material con ms electrones que el base, el material resultante adquiere cargas
negativas. Si por el contrario, el material dopante posee menos electrones libres que el dopado,
el material resultante adquiera carga neta positiva.
Dependiendo de si el semiconductor se dopa con un material u otro, obtendremos un

semiconductor tipo P (defectuoso de electrones) cargado positivamente o tipo N, cargado
negativamente (exceso de electrones).
Por tanto, si al Si o Ge se le dopa con un material con exceso de electrones como el

arsnico (el arsnico dispone de 5 electrones libres y tambin se une formando enlaces
covalentes), en una cantidad de unas cuantas unidades por milln, resultarn electrones libres
despus de conformarse todos los enlaces covalentes. Tambin pueden emplearse otras
sustancias dopantes, como el antimonio o el bismuto. El Si dopado de esta forma dispone de
electrones libres para moverse. Por este motivo se le conoce a este tipo de semiconductores
como tipo N o donadores.
Si al Si o Ge se le dopa con boro, aluminio, galio o indio, entre otros (todos disponen de
3 electrones de valencia y tambin se unen formando enlaces covalentes), en unas pocas partes
por milln, habr zonas donde los enlaces covalentes no se puedan formar por falta de
electrones. Por tanto, aparecen reas con huecos, y su principal caracterstica es que aceptan con
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gran facilidad electrones de otros tomos. A este material se le conoce como silicio tipo P o
aceptador de electrones. En la Fig. 1.12 se representan ambos tipos de semiconductores.
Fig. 1.12
4.1.1a.4.- UNIN PN EN UN SEMICONDUCTOR. DIODOS.
Los semiconductores intrnsecos (puros) no tienen aplicacin en la electrnica. Tampoco

un material extrnseco aislado. La ms importante aplicacin de los semiconductores se consigue
uniendo regiones de semiconductores tipo P y tipo N, lo cual constituye el componente
electrnico llamado diodo.
Aunque el material ms empleado en la fabricacin de semiconductores es el silicio,

tambin se emplean otros elementos en menor medida, como el selenio y el germanio.
Como consecuencia de ello y de las diferentes aplicaciones posibles, existe una gran variedad de
formas, tipos y tamaos.
El smbolo genrico de un diodo es la punta de una flecha rematada por una recta
perpendicular. La flecha representa un nodo, y la recta un ctodo. El smbolo encierra dos
reglas nemotcnicas. La primera es que el sentido de la flecha muestra el sentido directo de
circulacin de la corriente. La segunda es la lnea perpendicular, que se puede entender como un
signo menos, y representa al ctodo.
El comportamiento de un diodo es tal, que acta como una pequea resistencia cuando se
polariza directamente (positivo al nodo y negativo al ctodo) y una gran resistencia en
polarizacin inversa. Un diodo de silicio, polarizado directamente empieza a conducir, cuando se
le aplica una ddp de en torno a 0,7 V, mientras que si el diodo es de germanio, est tensin
mnima desciende a valores prximos a los 0,2 V.

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En la imagen se aprecian diferentes tipos de diodos de uso extendido en electrnica:
Diodos de potencia, de montaje superficial (SMD), de silicio, de germanio, etc.
4.1.1a.5. Construccin de diodos.
Si bien, a nivel terico es suficiente la unin de dos regiones semiconductoras, P y N, en

la prctica no es posible construir de esta forma un diodo. Para que una unin PN tenga
capacidad rectificadora (una de las principales funciones de los diodos), es imprescindible que el
conjunto sea de una sola pieza (no exista una zona de unin fsica, la cual supondra una barrera
insalvable para los electrones). Para conseguir eliminar esta barrera fsica, existen varias formas
de construir un diodo:
Mtodo de recrecimiento: Consiste en, partiendo de un mismo cristal intrnseco, se le dopa

mediante procesos termoqumicos determinadas impurezas hasta cierta profundidad, de forma
que se establezcan dos regiones diferentes, con elementos dopantes de diferente naturaleza (para
conseguir el cristal P o N). La profundidad de penetracin de las impurezas est muy controlada
y es exactamente igual a la mitad de espesor de la lmina de cristal semiconductor de partida.
Mtodo de mezcla fundida: Consiste en fundir un tipo de impureza sobre otro tipo de
semiconductor de distinto tipo de impureza (ya dopado, para conseguir un cristal homogneo en
todo su volumen, bien tipo P o tipo N). Esto se consigue aplicando calor controlado y localizado
a una deposicin de impurezas (de naturaleza aceptante o donante), sobre una galleta de
semiconductor tipo N (o P, segn sea el tipo de semiconductor a fabricar). Estas impurezas, se
fundirn sobre la parte superior formando la regin P (o N).
Mtodo de punto de contacto. Consiste el soldar un hilo conductor de material especial y

geometra adecuada a una lmina de semiconductor tipo N, mediante la aplicacin de una
elevada intensidad de corriente al conjunto, de forma controlada. El hilo conductor, es de
pequea seccin y tiene forma de virgulilla (ver figura adjunta). Por su forma, a este tipo de
diodo se le denomina diodo de bigote de gato. El extremo del hilo conductor hace contacto con
una mnima rea del semiconductor tipo N. La aplicacin de la corriente transitoriamente
elevada al conjunto semiconductor-hilo provoca un aumento localizado de temperatura en la
zona de contacto entre hilo-semiconductor, lo cual transforma la zona de apoyo del hilo, en una
zona de dopaje tipo P.

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4.1.1a.5.1 Simbologa de los diodos.

En la tabla adjunta se representa distinta simbologa normalizada de los diodos ms
usuales empleados en electrnica.

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4.1.1a.6. Caractersticas y propiedades de los diodos.
En el comportamiento elctrico de un diodo, se puede afirmar que cuando se encuentra

en polarizacin inversa, la conduccin es prcticamente nula, mientras que en polarizacin
directa, ocurre lo mismo hasta que la tensin aplicada alcanza un determinado valor, pasado el
cual, el diodo pasa a conducir sin prcticamente resistencia.
CURVAS CARACTERSTICAS DE UN DIODO.
En la grfica adjunta se puede apreciar que cuando la tensin directa alcanza un valor de
0,6 V, en un diodo de silicio, se rompe la barrera, creciendo la intensidad que atraviesa el diodo
de forma casi vertical.
La grfica muestra una situacin irreal perteneciente a un diodo ideal. Un diodo real
siempre manifiesta una pequea corriente de fuga, al aplicarle una tensin inversa y al final una
curva de rotura (destruccin del diodo por sobrecorriente).
La corriente que atraviesa un diodo real, como ya se ha indicado, sigue una ley que difiere a la
indicada anteriormente. Se puede demostrar, que la corriente que atraviesa un diodo real, viene
dada por la siguiente expresin:
Donde:
I es la intensidad que atraviesa el diodo.
V es la tensin de polarizacin del diodo.
es el coeficiente de correccin de curva terica. Para el germanio es 1 y para el silicio es 2.
VT es la tensin equivalente de la temperatura. Su valor viene dado por la expresin:

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Para 300K, VT es de 0,026 V.
I0 es la corriente inversa de saturacin. Su valor viene dado por la expresin:
Donde:
S es la seccin de la unin PN.
Lp es la longitud de difusin de los huecos en el semiconductor N.
Ln es la longitud de difusin de los electrones en el semiconductor tipo P.
Pn es la concentracin de huecos en el semiconductor tipo N.
Pp es la concentracin de electrones en el semiconductor tipo P.
MATERIALES EMPLEADOS EN LA FABRICACIN DE DIODOS.
En la fabricacin de diodos, los materiales ms extendidos son el germanio y el silicio.

Cuando empezaron a desarrollarse los primeros semiconductores, el germanio era el material
ms empleado, debido, en parte, a la facilidad de su procesado en el proceso de fabricacin de
diodos. No obstante, presentaba algunos inconvenientes, comparado con el silicio.
El silicio no se impuso hasta que se mejoraron los desarrollos tecnolgicos de obtencin

y procesado. Independientemente de esto, la principal ventaja que aporta el silicio frente al
germanio, es su abundancia en la naturaleza.
Las propiedades elctricas entre ambos son muy diferentes. En la tabla adjunta se dan
diferentes valores de conductividad y otros parmetros elctricos aplicables a semiconductores
de germanio y silicio, a 300 K:
En la grfica adjunta se representan los diferentes valores de conductividad, para un

diodo de germanio y otro de silicio, en funcin de las tensiones aplicadas (tanto en sentido
directo como en inverso). Como se observa, la conductividad del germanio es mucho mayor que

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la del silicio. Igualmente, la tensin umbral del germanio se sita en torno a 0,2 0,3 V,
mientras que la del silicio ronda los 0,6 0,7 V.
Por eso, el germanio presenta un mayor rendimiento. Este es el principal inconveniente del
germanio frente al silicio, es decir, su elevada corriente inversa. Este hecho resta estabilidad a
los diodos de germanio ya que un pequeo aumento de temperatura produce muchos pares
huecos-electrn, con lo que se produce una corriente inversa excesiva, inviable en aplicaciones
de electrnica moderna.
El diodo de silicio soporta en la unin elevadas temperaturas, del orden de los 200C. Sus
aplicaciones son variadas, desde fuentes de alimentacin, hasta aparatos de rayos X, siendo su
principal propsito, la rectificacin de corrientes alternas.
RESISTENCIA DE LOS DIODOS.
Si se analiza la curva caracterstica de un diodo, en seguida se ve que la grfica de

variacin de la intensidad con la tensin aplicada no es lineal, tal y como ocurre en los resistores.
En cierto modo, se podran asimilar a las resistencias dependientes en la familia de los diodos,
pues como se vio, su respuesta tampoco es lineal.
Geomtricamente hablando, la resistencia es la inversa de la pendiente en cada punto de

la curva. As pues, en un resistor lineal se tiene que la pendiente de la recta, en los puntos A y B
es la misma, coincidiendo, a su vez, con la tangente del ngulo que forma la recta con el eje de
abscisas, luego, tambin coinciden sus resistencias.

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En el caso de los diodos y de las resistencias dependientes, la recta se transforma en una

curva, por lo que la recta tangente en cada punto de la curva tiene diferente pendiente, y por
tanto distinta resistencia. Por este motivo, se definen en el diodo dos resistencias, la dinmica y
la esttica.
RESISTENCIA ESTTICA.
La resistencia esttica (re), de un diodo es diferente para cada punto que se considere de
la curva. Se define en un punto como la inversa de la pendiente de la recta que une el origen de
coordenadas con dicho punto. Por eso, se ve en la grafica, como la resistencia esttica en los
puntos A y B de la curva, tienen diferente valor.
RESISTENCIA DINAMICA.
La resistencia esttica (rd), se define para cada punto como la inversa de la pendiente de
la curva tangente en ese punto. La resistencia dinmica de los puntos A y B se determina pues:
La resistencia dinmica del punto A es menor que la del punto B, ya que su pendiente es
inferior. Conforme se recorre la curva hacia el centro de coordenadas la resistencia va
aumentando. Si comparamos la resistencia esttica y dinmica en un mismo punto, se observa
que la esttica siempre mayor.

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RESISTENCIA INTERNA.
La resistencia interna (RB), es la resistencia que ofrecen sus partes P y N al paso de los
electrones. Para su clculo se necesita saber el valor de dos puntos de su curva. La ecuacin de la
resistencia interna ser:
Donde:
RB es la resistencia interna.
V es el incremento de tensin entre dos puntos de la curva.
I es el incremento de corriente entre dos puntos de la curva.
A modo de ejemplo: el diodo de silicio 1N3894 tiene para una corriente directa de 400 mA una
cada de tensin de 1V. Con estos datos ya se conoce un punto de la curva, pero el otro punto
necesario se puede obtener del hecho de que la tensin umbral es de 0,7V, para una intensidad de
0A. Por tanto, la resistencia interna de este diodo ser:
RESISTENCIA DE CONTINUA.
La resistencia de continua es la resultante de aplicar la Ley de Ohm a la corriente total

que atraviesa el diodo y la tensin existente entre sus terminales. Si la resistencia interna se mide
en polarizacin directa se tiene rF (Forward) y si se mide en polarizacin inversa se tiene rR
(reverse). Se forma con la suma de la resistencia ofrecida por los semiconductores constituyentes
de la unin PN, ms el efecto resistivo de la barrera de potencial al paso de los electrones
constituyentes de la electricidad.
CAPACIDAD DE LOS DIODOS.
Los diodos manifiestan cierto efecto capacitivo en su zona de unin, tanto polarizados en
sentido directo (capacidad de difusin) como en inverso (capacidad de transicin).
APROXIMACIONES DE LOS DIODOS.
Cuando se pretende detectar averas en un circuito con diodos es muy til emplear
dispositivos o modelos equivalentes, pero ms fciles de calcular. Se suelen emplear tres
aproximaciones para los diodos, de forma que conforme se aumenta el nmero de
aproximaciones, el funcionamiento de los componentes sustitutivos se aproximan ms al trabajo
del componente real y, por tanto, el error es inferior.
La aproximacin que ms se distancia de la operacin real del diodo es la ideal o primera. En

ella el circuito simplemente conduce o no conduce, por ello el dispositivo bsico que lo

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reemplaza es un simple interruptor. En la tabla adjunta se resumen las sucesivas aproximaciones,
para ambos tipos de polarizaciones.
La segunda aproximacin tiene en cuenta la barrera de potencial del diodo, por lo que adems
del interruptor, que defina si hay conduccin o no, se requiere una pequea batera en serie con
l. La curva que se obtiene en polarizacin directa desplaza paralelamente a la recta vertical
ubicada en el cero voltios al punto situado en el umbral de tensin de diodo.
En la tercera aproximacin se tiene en cuenta la resistencia interna del diodo, por lo que el
modelo equivalente aade una resistencia de pequeo valor en serie con el interruptor y la
batera. En polarizacin directa, este cambio supone incluir la pendiente de la curva, que
inicialmente era vertical.
RECTA DE CARGA DE DIODOS.
La recta de carga es una herramienta til para que de forma grfica se puedan averiguar
la tensin y la corriente en el funcionamiento de un diodo dentro de un circuito.

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Si se conectara directamente una fuente a un diodo, la corriente que se produce sera tan
grande que el diodo sobrepasara sus limitaciones de corriente. Para protegerlo se suele insertar
una resistencia en serie tal y como se indica en la figura adjunta.
Se supone un circuito serie muy sencillo formado por una fuente E, una resistencia (R S) y
un diodo (D). La ecuacin de la recta de carga representa las caractersticas del circuito
completo, es decir, la fuente, la resistencia y el diodo funcionando como un conjunto. Por tanto,
la corriente que circula por el conjunto, ser igual a la que atraviesa el diodo:
Si se dibuja la ecuacin anterior en la grfica de intensidad frente a la tensin del diodo

del circuito, que se puede hallar experimentalmente o tomndola directamente de los datos
proporcionados por el fabricante, se deduce el punto de operacin del diodo o punto Q. Este
punto de trabajo representa la interseccin entre la curva del diodo y la lnea recta obtenida de la
frmula, que se denomina recta de carga.
La ecuacin de lnea recta se puede reescribir de la forma:
Por geometra se deduce que el punto de corte con el eje de ordenadas es E/RS y el
punto de corte con el de abscisas es E. Igualmente, se deduce que la pendiente de la recta es
negativa y equivalente a la inversa de la resistencia en serie RS.

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Observando la grfica, se deduce que el punto de trabajo (Q) es nico, ya que solo hay
una solucin en la que el funcionamiento real del diodo (curva del diodo) coincide con la
operacin del circuito completo (recta de carga).
ENCAPSULADO DE LOS DIODOS.
El encapsulado de un diodo, en ingls case o package, es la forma en que el

fabricante presenta el componente. Cada encapsulado tiene una forma fsica y unas medidas
geomtricas estandarizadas. La eleccin de un encapsulado u otro depende en gran medida del
nivel de potencia que se debe disipar. Hasta potencias de 1 vatio, suelen ser de plstico. A partir
de ah, el encapsulado es metlico. Cuando el diodo es de potencia, se necesita para disipar la
temperatura, una rosca que acople en un radiador. En la siguiente tabla se muestran los ms
comunes:

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4.1.1a.7. Diodos en serie y en paralelo.
Se puede dar el caso, que se produzca la asociacin de varios diodos con diferentes
caractersticas (curvas diferentes), los cuales se encuentren en serie o paralelo. Se hace necesario
obtener una frmula de asociacin para cada uno de los casos.
DIODOS EN SERIE.
Para poder estudiar la asociacin de diodos en serie, se

representar un circuito con dos diodos, una batera y una
resistencia de proteccin enseriada.

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Como se trata de un circuito serie de una sola malla, la intensidad que atraviesa cada
elemento es idntica, mientras que la cada de tensin es la suma de las cadas de tensin que se
producen en los diodos, tanto en directa como en inversa. Por tanto:
I=I1=I2
V=V1+V2
Si suponemos que ambos diodos son de diferentes caractersticas, entonces, la intensidad

mxima que se puede dar, estar limitada a la que es capaz de admitir el diodo que tenga una
capacidad de corriente inferior. En cuanto a tensiones, como stas se suman, se podra aplicar al
conjunto una tensin inversa mxima determinada por la suma de las tensiones inversas
mximas de cada uno. Por ejemplo, si un diodo soporta en inversa 50V y otro 60V, el conjunto
podr soportar una tensin de 100V.
Lo anteriormente descrito se puede apreciar en la grfica adjunta, en la que se ven las

curvas de ambos diodos, adems de la curva del diodo imaginario resultante de la suma de los
dos diodos reales. Un punto determinado de la curva del conjunto (D1+D2) tiene la misma
intensidad (I=I1+I2) que cada uno de ellos y la suma de tensiones V (V=V 1+V2). El diodo
imaginario resultante tiene como caracterstica la suma horizontal de las caractersticas de los
dos diodos individuales.
DIODOS EN PARALELO.
Para poder montar dos diodos en paralelo, se puede hacer segn dos configuraciones
distintas. Por un lado, que ambos diodos conduzcan en directa (diodos en paralelo), y la otra, que
uno conduzca en directo y el otro en inverso (diodos en montaje antiparalelo).
El circuito de la figura
muestra una fuente de continua en
serie con una resistencia de
proteccin y dos diodos de
caractersticas diferentes en
paralelo. En este caso, ambos
diodos conducen en directa.

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La tensin que soporta cada diodo, tanto en directa, como en inversa, es la misma que la
que soportar el diodo resultante de la asociacin (V1//V2). Eso s, no se debe superar la tensin
inversa mxima del diodo ms dbil.
V1//V2=V1=V2
En cuanto a la intensidad que soporta el diodo resultante, es la misma que la suma de las
intensidades individuales. Por ejemplo, si D1 soporta 20 mA y D2 50 mA, el conjunto resultante
soportar 70 mA.
I1//I2=I1+I2
Al comparar la curva de cada diodo aislado, con LA del diodo ficticio resultante de la
asociacin en paralelo, se aprecia que la nueva caracterstica es la suma vertical de las
caractersticas de los diodos individuales (ver grfica adjunta).
Ahora veamos el segundo tipo de montaje en paralelo: el antiparalelo. Esto significa que
se colocan en la configuracin anterior en paralelo, pero con las polaridades invertidas. Adems
hay que sustituir la fuente de continua por una de alterna, ya que si no, uno de ellos estara
continuamente trabajando en polarizacin inversa.
Con esta nueva disposicin, el circuito resultante permite la conduccin en ambos

sentidos. La caracterstica de intensidad viene limitada por la corriente que es capaz de soportar
cada diodo, segn la polarizacin de la fuente.
De igual forma, la tensin del paralelo viene
determinada por la que soporte el diodo que
acte en cada momento.
4.1.1a.8. Ensayos de funcionamiento de

diodos.

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MEDIDA DE UN DIODO CON UN POLMETRO.
Un diodo polarizado en directa conducir con muy poca resistencia, mientras que si se
polariza en inversa, apenas conducir unos miliamperios en fuga.
Un diodo se puede medir de dos formas. La primera sera midiendo las resistencia en
ambos sentidos de polarizacin. La segunda se realizara con un multmetro, con la opcin de
medida de diodos.
Comencemos con la primera forma de medir resistencia. Al medir directamente la

resistencia con un polmetro, dependiendo del rango de la escala seleccionada, el propio
instrumento introduce ms o menos corriente en el diodo. Como la curva del diodo no es lineal
sino que es convexa en la zona de conduccin directa, conforme se aumenta la corriente, la
resistencia de continua va disminuyendo. Comenzar con una alta resistencia (curva casi
horizontal), y poco a poco caer hasta un nivel inferior a un ohmio, (zona de la curva casi
vertical). Un valor de resistencia usual a obtener en estos casos es de valores que rondan varios
k, tal y como se deduce de la grfica de la figura siguiente. De igual forma, se puede medir la
resistencia inversa. En este caso, el polmetro indicar una medida de M o valor fuera de
escala.
Por tanto, este mtodo de medida de resistencia en directa e inversa no es del todo fiable,
pero aceptable si no se dispone de otro mtodo de medida de resistencia.
En las imgenes adjuntas se mide la resistencia de un diodo con un polmetro de

autorango. En directa se obtiene un valor de 289,3 k y en inversa de 40,02 k. Si se observa la
grfica, se puede ver claramente que el valor proporcionado por el instrumento carece de
validez, ya que nos da el valor de la resistencia solo en dos puntos de la curva (puntos A y B).

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Los puntos de la curva son:
En directa, como rB (A)=1/tag, y es casi 0, el valor de la resistencia ser muy alto.
En inversa, como rB (B)=1/tag, y es tambin casi 0, el valor de la resistencia ser muy alto
tambin. Por tanto, la recta es prcticamente horizontal en los puntos de polarizacin directa e
inversa y por ello, las resistencias son altas en ambos casos, aunque algo mayor en polarizacin
inversa.
METODO DE CAIDA DE TENSION.
Para medir un diodo con garanta con un multmetro actual, se debe elegir la opcin de
lectura medida de diodos. Se conecta el cable de color negro al borne comn del instrumento y
el de color rojo al borne especificado para medida de diodos. Para medir en directa, el extremo
del cable rojo se coloca en el nodo del componente y el de color negro al ctodo. La medida
visualizada es el valor del umbral de tensin en polarizacin directa. Este valor comprende entre
0,5 y 0,8 voltios en caso de ser de silicio. Si es germanio, la cada de potencial estar
comprendida entre 0,2 y 0,4 voltios. La operacin descrita se representa en las fotos adjuntas.
Para medir en inversa, se conecta el cable rojo al ctodo y el de color negro al nodo. El
instrumento deber indicar una medida fuera de escala. Normalmente esto se indica en la
pantalla con un OL.

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4.1.1a.9. Diodos especficos.
Se citan bajo la denominacin de diodos especficos las variedades de diodos que

realizan funciones especiales o diferentes de las de un diodo de germanio o silicio.
DIODO ZENER.
La aplicacin de este tipo de diodos es la de mantener entre sus bornes una tensin
constante e independiente de la intensidad que lo atraviesa. Se suelen emplear en los circuitos
para proteger contra sobre tensiones y prevenir picos de tensin inducidos, ya que estos picos
pueden originar el deterioro de circuitos y componentes sensibles. Su propiedad de conseguir
cambios bruscos de corriente con pequeos cambios de voltaje, lo hace ideal para estabilizar la
tensin.
A continuacin se muestran los smbolos que representan a este componente. Adems, se

representan diferentes modalidades de este componente.
La forma fsica de este componente se aprecia en las siguientes imgenes. Externamente

son iguales que los diodos normales, pero normalmente su cdigo empieza por la letra Z. Su
encapsulado puede ser de plstico o metlico, segn la potencia a disipar.
En la grafica adjunta se representa la ley de variacin tpica de la corriente que atraviesa

el diodo, en funcin de la tensin aplicada al diodo, tanto en directa como en inversa. En
polarizacin directa, la curva de corriente es bsicamente lineal, por lo que en esta regin, la
curva es casi recta y ascendente. Se define el nivel de fuego, como la corriente directa que
originar el calentamiento excesivo del diodo, y por tanto, su destruccin.
En polarizacin inversa dbil, pasa muy poca corriente por el diodo, a lo cual se le
denomina corriente de fuga, y es del orden de miliamperios. Todos los diodos semiconductores,
disponen de un quiebre agudo de la recta de corriente inversa, al final de la zona de corriente de
fuga. Existe una tensin inversa, llamada tensin de
Zener, a partir de la cual, se produce un fenmeno de
avalancha, por el cual, se produce la conduccin del
diodo. Por tanto, a partir de la tensin de Zener, el diodo
conduce en polarizacin inversa, de forma mucho ms
intensa que la corriente de fuga.
En cuanto la tensin inversa llega a la magnitud

correspondiente de la de Zener, la corriente crece hasta
alcanzar un valor que destruir el diodo. Por tanto, este
tipo de diodos suele montarse aparejados con resistencias

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limitadoras de este fenmeno.
La fabricacin de un diodo Zener es anloga a la de un diodo normal, si bien, el tipo y

proporcin de elementos dopantes son diferentes con relacin a los convencionales. Se
construyen diodos con valores de tensiones de avalancha, que oscila entre los 2 y los 200 V, con
potencias mnimas del orden de 200 mW. La potencia mxima que es capaz de soportar el diodo
depende de la corriente mxima que ste admite sin quemarse en funcionamiento continuo.
Como regla general, la intensidad de trabajo constante suele ser del orden del 10% de la que
originara la destruccin inmediata del diodo.
DIODO EMISORES DE LUZ.
Existe una familia de diodos emisores de luz, los cuales, tienen gran aplicacin en
multitud de campos tecnolgicos, incluidos el aeronutico.
Diodo Led.
El LED (Ligth Emittig Diode) es un diodo que tiene la peculiaridad de emitir luz cuando
es polarizado en sentido directo y no lo hace en inverso, si bien, admite una gran tensin en este
sentido de polarizacin. A continuacin se muestran varios tipos de diodos Led.
El principio de
funcionamiento se basa en
el hecho de que cuando un
fotn (proveniente de una
fuente luminosa) golpea la
superficie de un material
semiconductor, se libera un
electrn. Inversamente, si
un electrn libre de un
material semiconductor
especial, el cual es emisor
de fotones (luz), cae en un
hueco, se desprende un
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fotn. Esto equivale a que genera luz.
Tal y como se ve en las imagen adjunta, el diodo est constituido por un encapsulado
traslcido que encierra el diodo propiamente dicho, asomando los terminales o patillas que
corresponden al nodo y al ctodo.
Para distinguir las patillas, stas se fabrican de diferente longitud, siendo la ms larga el
nodo y la ms corta el ctodo. Adems se suele hacer un chafln en el cuerpo plstico, al lado
del ctodo. Adems, el ctodo interiormente suele tener ms cuerpo.
En el mercado se pueden encontrar diodos de diferente color, adems de con tensiones

tpicas comprendidas entre 1.3 y 4 V. Las intensidades directas empleada normalmente por estos
componentes vara entre los 4 y los 50 mA.
Se encuentran en diferentes formatos de encapsulado, pero los ms tpicos son los

cilndricos. Estos estn disponibles en tamaos que van de 3 a 5 mm en caso de encapsulado de
plstico. Tambin se encuentran en formato cuadrado en dimensiones de 5x2mm.
El brillo que desprende un diodo depende de la intensidad de corriente directa, pero las
frecuencias de emisin (colores) dependen de los materiales de fabricacin, es decir, del dopaje.
El efecto del color es potenciado por la pigmentacin del encapsulado. Normalmente se fabrican
en galio, arsnico y fosforo, no obstante, el silicio no se puede utilizar por ser opaco.
Existen otros tipos de diodos Led, que se pueden considerar como especiales. Podemos
encontrar 3 de estos tipos de diodos:
LED bicolor: se emplean fundamentalmente para deteccin de polaridad. Resultan de combinar

dos diodos en paralelo, pero invertidos. Adems, existen Leds bicolor de diferente tamao
encerrados en el mismo encapsulado. Esto se consigue compartiendo el mismo cuerpo el nodo y
el ctodo. Para conseguir uno u otro color, basta con polarizar uno u otro terminal.
Led tricolor: Se consigue mezclando el color de 2 leds, con el ctodo o el nodo de ambos
comn (ver imagen adjunta). Existen diferentes configuraciones posibles, tal y como se muestran
en las imgenes.

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Display: Se trata de la asociacin de varios leds en configuracin lineal (alargada) en una sola
pieza. En todos los dispositivos de este tipo, los leds se distribuyen en 7 barras, como se aprecia
en la figura adjunta. Un dispositivo electrnico que posee un circuito integrado proporciona una
polarizacin directa en los segmentos que se requieren para componer el dgito luminoso.
La fabricacin de los displays se realiza en dos configuraciones distintas: ctodo comn y

nodo comn (ver figura adjunta).
En la tabla adjunta, a modo de ejemplo, se deduce como polarizando alguno de los

diodos, se obtienen diferentes nmeros:
Los leds de ltima generacin se presentan con formato superficial y estn provistos de
elementos pticos que acentan los efectos lumnicos. A continuacin se muestran algunos
ejemplos de modelos comerciales.
DIODO FOTOCONDUCTOR.
A continuacin se muestran los smbolos que representan a este componente.

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Un diodo fotoconductor o un fotodiodo es un diodo especial fabricado de tal forma que

iluminado a travs de una apertura de su cpsula, libera electrones hacia el rea de deflexin y,
por tanto, provoca la conductividad. El principio de funcionamiento de este componente se basa
en el hecho de que cuando la energa luminosa transportada por la onda electromagntica se
aplica a un dispositivo semiconductor, sta provoca un aumento de la corriente de fuga o
corriente inversa. Es decir, cuando un fotn incide con la suficiente energa sobre una unin PN,
es absorbido y como consecuencia se libera un electrn, debido al efecto fotoelctrico. Por tanto,
al impactar los fotones, los electrones adquieren la suficiente energa como para saltar de la
banda de valencia hacia la de conduccin, y permitiendo el paso de la corriente elctrica.
Existen dos tipos, los sensibles a la luz infrarroja y los sensibles a la luz visible. Se
requiere que su sentido de polarizacin sea inversa, y as generar una intensidad elctrica al ser
iluminados. A continuacin se muestran varios modelos:
Son semejantes a las clulas fotovoltaicas, pero son diferentes en forma y constitucin.
VARISTOR.
A continuacin se muestran los smbolos que representan a este componente.
El trmino varistor se suele emplear en electrnica para aquellos componentes cuya

funcin es la de eliminar los picos de tensin que se producen en el circuito. Sin embargo hay
algunas variedades:

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Resistencia variable (VDR). Se fabrican de diferentes materiales, los ms comunes son:
De xido metlico de Zinc, con formato radial:
Cermicos de montaje superficial (ESD):
Varistor relleno de gas.
De dos electrodos:
De tres electrodos.
Varistor o diodo supresor de transitorios. Aqu tenemos de dos tipos, Axiales y SMD.
El diodo supresor de transitorios o varistor es uno de los elementos ms empleados para

el filtrado de lneas elctricas. Funcionalmente equivalen a dos diodos Zener montados
opuestamente con una elevada tensin de ruptura en ambas direcciones. Comercialmente se
encuentran valores de tensin de ruptura que varan entre los 10 y los 1000V y corrientes

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transitorias de pico de cientos o miles de amperios. En el esquema adjunto se indica el montaje
tpico en una fuente de alimentacin a AC-CC.
DIODO RECTIFICADOR.
Su principal aplicacin es en fuentes de alimentacin para convertir corriente alterna en

corriente continua. Suelen tener configuracin de pieza cilndrica o roscada, con un terminal con
forma de vstago, y el otro lo constituye el mismo cuerpo del diodo. Otro campo de aplicacin
de estos diodos es en circuitos en los cuales se obliga a pasar a travs del diodo una gran
corriente elctrica. En este caso reciben el nombre de diodos rectificadores de potencia. Los
elementos que lo componen se ven en la figura adjunta.
El material ms empleado en la fabricacin de este tipo de diodos es el silicio, por lo que

su barrera de potencial ronda los 0.7 V. A continuacin se muestran imgenes de dos tipos en
funcin de su potencia.

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4.1.1a.9.1. Tiristor.
El tiristor es un componente electrnico ampliamente empleado en el control de potencia
de un sistema electrnico. Existen una gran variedad de tipos pero todos ellos tienen un punto en
comn: son disparados bajo ciertas condiciones y permanecen en disparo hasta que se baja de
unos niveles de mantenimiento. Cuando se habla de disparo, quiere decir que se pasa de una
impedancia muy alta a una mnima.
La principal diferencia entre los tiristores los conmutadores mecnicos es que son ms
efectivos, duraderos, rpidos y flexibles. Son aplicaciones tpicas de los tiristores la regulacin
de la luz, el control digital de potencia, el control de velocidad de motores, el cargador de
bateras, el control de calor con sensor de temperatura, etc.
Tiristores comnmente usados son:
UJT (Unijuction Transistor): Transistor uniunin. Tiene una elevada resistencia entre sus
bases. El dispositivo produce un disparo entre el emisor y su base primaria.
SCR (Silicon Controlled Rectificater): Rectificador controlado de silicio.
DIAC (Diodo Alternativo de Corriente): Se trata de dos diodos colocados en paralelo. Se

emplean como parte de los circuitos encargados de proporcionar los impulsos a los tipos TRIAC.
Tambin se emplean como elemento de proteccin.
TRIAC (Triode for Alterative Current): Es parecido a un Diac pero dispone de una puerta
que controla la tensin de disparo, tanto positivamente como negativamente.
Describamos cada uno de ellos:
TRANSISTOR UJT.
Los smbolos electrnicos ms empleados para representar este componente son:
Un transistor de unin UJT, se denomina tambin como diodo de doble base. Se fabrica a partir
de un solo cristal tipo N dopado uniformemente con terminales en cada uno de
sus extremos y un pequeo emisor de silicio tipo P, localizado
aproximadamente a una tercera parte de su longitud.
Acta como un interruptor electrnico. Veamos cmo funciona. Acta

como un aislante perfecto hasta que la tensin en el emisor se hace lo
suficientemente grande como para dispararlo. Inicialmente la resistencia entre
sus bases es del orden de 5 a 10 k, sin embargo, cuando se polariza
directamente, la unin emisor con cualquiera de las 2 bases, la resistencia cae y
el transistor conduce durante un pequeo periodo de tiempo. Se emplean en
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circuitos osciladores de relajacin, donde es necesario proporcionar pulsos de corriente cortos y
de gran intensidad cuando la tensin de control alcanza un valor determinado.
TRANSISTOR SCR.
Los circuitos electrnicos de control de luces y motores limitan la corriente consumida

haciendo caer la tensin aplicada a estos elementos, pero ello requiere de una resistencia
relativamente grande para disipar el calor. Es la imagen adjunta se aprecia el esquema de
bloques de un SCR. Se aprecia que se trata de tres uniones PN.
Es posible reducir la intensidad de las luces y controlar velocidades de motores utilizando

un rectificador controlado de silicio, algo mucho mejor que emplear resistencias. El control se
consigue disminuyendo la cantidad de corriente al elemento a controlar, pero de una forma que
no hace caer la tensin que le llega al dispositivo, y por tanto, sin disipar energa. Esto se
consigue controlando el tiempo en el que el ciclo de corriente alterna permite fluir a la
intensidad. Veamos con algo ms de profundidad como realiza esta funcin de control.
. En el circuito de control normal, dos de las uniones se encuentran polarizadas

directamente y la otra inversamente, por lo que los electrones pueden fluir a travs del
consumidor a controlar. Si la puerta se conecta normalmente a la tensin positiva del nodo, la
unin polarizada inversamente se polarizar directamente y los electrones fluirn a travs del
SCR. Una vez que comienza el flujo se mantendr la polarizacin directa y el flujo continuar
hasta que se elimine la tensin a travs del SCR.
En las grficas que se adjuntan se observan las siguientes curvas de tensin:
Tensin sinusoidal de entrada al SCR:
Tensin de salida (Vout) con un disparo de 35 del inicio de la onda.

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Tensin de salida (Vout) con un disparo de 160 del inicio de la onda.
Como se aprecia, el valor medio de la corriente de salida ha disminuido de forma apreciable al

variar el ngulo de disparo, ya que se pierde gran parte de la energa de onda conforme aumenta
el ngulo (rea sombreada de la grfica).
No es necesaria ninguna tensin adicional que se aplique a la puerta. Una vez que el SCR
empieza a conducir continuar hasta que la fuente de tensin se corte, o en caso de alterna, hasta
que llegue el siguiente semiciclo. Por tanto, podemos controlar mediante un SCR la velocidad de
giro de un motor ya que se crea una tensin continua y variable conforme se alteran las seales a
la puerta (se modifica el punto de disparo).
Externamente es similar a un diodo de silicio excepto su terminal extra llamado puerta.

La conexin de la puerta se usa para controlar el flujo de corriente a travs del circuito nodo-
ctodo dentro des SCR.
TIRISTOR DIAC.
El smbolo de este componente ser:
Est formado por dos diodos de cuatro capas en antiparalelo de forma que segn la
polaridad de la corriente aplicada, conducir un diodo u otro. Por tanto, puede ser cebado en
cualquier direccin. El DIAC no conduce hasta que la tensin en sus extremos supera la tensin
de cebado en cualquier direccin. Su funcionamiento es como dos latch (cerrojos) en oposicin,
segn la polaridad de la corriente que lo dispara, se acta uno u otro latch.

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Una vez que el DIAC est conduciendo, la nica forma de abrirlo es por medio del
bloqueo por disminucin de corriente. Esto significa que se debe reducir la corriente a un valor
inferior que la de mantenimiento del dispositivo.
TIRISTOR TRIAC.
El smbolo de este componente ser:
Una de las limitaciones ms importantes del rectificador controlado de silicio es que

controla nicamente un semiciclo en corriente alterna. Para solucionar este problema aparecieron
los TRIAC.
Bsicamente se consigue un TRIAC uniendo dos SCRs conectados de lado en

direcciones opuestas. Un SCR requiere de un impulso positivo para disparar su puerta, sin
embargo, un triac se dispara con un pulso de cualquier polaridad.
Para conseguir la potencia total y lograr que fluya toda la corriente, se puede disparar la
puerta del triac al principio de cada ciclo. Si se dispara ms tarde en cada ciclo, como se observa
en las grficas, solo una parte de la corriente del ciclo fluye.
Exteriormente, la apariencia de este componente se aprecia en la imagen adjunta.

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B1 B2

M4.1.2a
TRANSISTORES

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Documentacin: 4.1.2a. Transistores

2 0 16/03/2010
Jos de Miguel Girba Correccin formato y ampliacin
2 1 31/05/2010
Juan Carlos Fernandez contenidos temario 4.1.3
2 2 25/05/2014 Jos de Miguel Girba Revisin contenidos 4.1.3.3.
1 3 08/05/2015 11 3 08/05/2015 21 3 08/05/2015
2 3 08/05/2015 12 3 08/05/2015 22 3 08/05/2015
3 3 08/05/2015 13 3 08/05/2015
4 3 08/05/2015 14 3 08/05/2015
5 3 08/05/2015 15 3 08/05/2015
6 3 08/05/2015 16 3 08/05/2015
7 3 08/05/2015 17 3 08/05/2015
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NDICE
4.1.2.-TRANSISTORES ......................................................................................................... 5
4.1.2.1. Clasificacin de los transistores ............................................................................. 6
4.1.2.1.1.- Caractersticas generales de los transistores .................................................... 7
4.1.2.2.- SIMBOLOGA DE LOS TRANSISTORES ............................................................. 8
4.1.2.3.- TRANSISTOR BJT ................................................................................................ 8
4.1.2.3.1.- Estructura del transistor .................................................................................. 9
4.1.2.3.2.- Funcionamiento del transistor....................................................................... 10
4.1.2.3.3.- Tensiones y corrientes de un transistor BJT .................................................. 12
4.1.2.4.- CARACTERSTICAS Y PROPIEDADES DE LOS TRANSISTORES .................... 13
4.1.2.4.1.- Caractersticas y lmites de un transistor ....................................................... 13
4.1.2.4.2.- Regiones de un transistor.............................................................................. 15
4.1.2.4.3.- Construccin de un transistor ....................................................................... 17
4.1.2.4.4.- Encapsulados de un transistor ....................................................................... 17
4.1.2.4.5.- Referencia de un transistor ........................................................................... 19
4.1.2.5.- POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR ............................................................. 19
4.1.2.5.1.- Realimentacin de un transistor .................................................................... 19
4.1.2.5.2.- Recta de carga .............................................................................................. 20

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4.1.2a.-TRANSISTORES
Los transistores son dispositivos semiconductores que tienen dos o ms uniones PN, que
permiten el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal pequea.
Dependiendo de la aplicacin, del tipo de corriente CC o CA, de los niveles de tensin y
corriente, de la frecuencia en su caso, se utilizan diferentes tipos de semiconductores.
Los transistores son fundamentales en la mayora de los circuitos electrnicos que realizan la
funcin de amplificacin, control, estabilizacin de la tensin, etc. Hay que pensar que los
dispositivos electrnicos que generan las seales de control, como una resistencia NTC en un
termostato, una LDR en una barrera fotoelctrica, un micrfono de audio, etc, producen seales
elctricas muy dbiles que, en la mayor parte de las aplicaciones, hay que aumentar (proceso de
amplificacin) para poder conseguir alimentar a dispositivos o receptores, que necesitan de un
aporte mayor de energa para su funcionamiento (rels que ponen en marcha una lmpara o
motor, altavoces, etc.).
Antes de descubrirse el transistor (1950), los circuitos electrnicos estaban construidos a base de
vlvulas de vaco. stas eran muy voluminosas y necesitaban para su funcionamiento
de una resistencia de caldeo, que provocaba un consumo de energa excesivo y acortaba la vida
de las mismas.
El invento del primer transistor por Schockley dio paso a una nueva era. A partir del transistor
bipolar se han ido desarrollando otro tipo de transistores, como el transistor de efecto de campo
"JFET" y el transistor de campo de xido metlico "MOSFET" que por sus especiales
caractersticas les hace ideales para el tratamiento de seales de radio frecuencia y en el diseo
de circuitos digitales.
Los diodos semiconductores cumplen su misin a la perfeccin como vlvulas de comprobacin,

no obstante, en electrnica analgica surge en muchas ocasiones la necesidad de controlar la
cantidad de flujo. Esta misin la cumple un dispositivo triodo semiconductor, denominado
transistor. As pues, un transistor sirve para controlar y regular una corriente considerable
mediante una pequea seal.
El trmino transistor viene de la traduccin de cambiador de resistencia (TRANsfer

reSISTOR), ya que cuando se vara la resistencia base-emisor, tambin cambia la resistencia
base-colector.
Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.2a Transistores

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4.1.2a.1. Clasificacin de los transistores
El transistor es un componente fcilmente identificable por sus tres terminales de conexin que
asoman al exterior a travs de una de las bases de su cpsula. stos suelen estar dispuestos en
lnea, o segn los vrtices de un tringulo imaginario.
El aspecto exterior de los transistores comerciales es variado, tanto en forma como en tamao.
Para comenzar a clasificar los transistores, hay que diferenciar entre:
Transistor Bipolar (BJT): Son aquellos en los que tanto los portadores positivos como
los negativos transportan la carga elctrica.
Transistor Unipolar (FET): Se caracterizan porque el transporte de carga lo realiza un

nico tipo de portador, bien positivo, o bien negativo.
Los mismos transistores Bipolares se subdividen en:
Transistor bipolar de pequea seal: Tienen un encapsulado de plstico y son los ms

pequeos. La denominacin es TO-18, TO-39, TO-92, TO-226,.
Transistor bipolar de media potencia: Son mayores que los de pequea seal y tienen
en la parte trasera una chapa metlica para evaluar el calor con un
disipador al que va sujeto. Denominaciones comunes son TO-220, TO-218, TO-247,
Transistor bipolar de gran potencia: Poseen unas dimensiones algo mayores y tienen
el encapsulado totalmente metlico para radiar mejor el calor que generan.
Dentro de los transistores de gran potencia se distingue entre los de baja tensin o alta tensin.
Denominaciones comunes son: TO-3, TO-66, TO-123, TO-213,
Los transistores unipolares (FET o Field Effect Transistor) se dividen a su vez en varios tipos:
Transistor de Puerta Aislada: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect

Transistor): Transistor de efecto campo con semiconductor de xido metlico.
Transistor de Puerta Unida: JGFET (Junction Gate Field Effect Transistor): transistor
de efecto campo de puerta unida. Se dividen en:
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- JFET (Junction Field Effect Transistor): Transistor de unin de efecto campo.
- MESFET (MEtal Semiconductor Field Effect Transistor): Transistor de efecto

campo con metal semiconductor).
4.1.2a.1.1.- Caractersticas generales de los transistores

Las diferencias principales entre los bipolares y los unipolares se resumen a continuacin:
El Transistor bipolar:
Mayor rapidez, consumo y linealidad.
Mejor control.
Dificultad en la integracin.
Mayor producto Ganancia x Ancho de Banda.
El colector se puede disear para aguantar altas tensiones.
Generan menos ruido.
El Transistor unipolar:
Tamao ms reducido.
Mayor estabilidad con la temperatura.
Buena inmunidad al ruido.
Mayor impedancia de entrada.
No necesita una tensin umbral para arrancar.
Mayor debilidad ante cargas electrostticas.

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4.1.2a.2.- SIMBOLOGA DE LOS TRANSISTORES
La simbologa de los transistores depende de su propia clasificacin y es la siguiente:
Tambin pudindose encontrar otros smbolos tpicos como estos:
4.1.2a.3.- TRANSISTOR BJT
Un transistor BJT es el ms comn de los transistores y consiste en un sndwich semiconductor

de silicio con una regin del mismo dopada con impurezas tipo N y situada entre dos regiones
dopadas con impurezas tipo P, con lo que se consiguen dos uniones PN (Figura adjunta). Un
transistor de este tipo se llama PNP. Si en otro semiconductor, una regin del mismo dopada con

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impurezas tipo P se sita entre dos regiones dopadas con impurezas tipo N, se obtiene un
transistor NPN.
La utilizacin de un tipo u otro de transistor depende del sentido de las corrientes en el circuito
de aplicacin.
Existen por tanto dos tipos de transistores, los PNP y los NPN. En la Figura siguiente se muestra
la disposicin de los cristales en cada uno de los tipos, as como su smbolo correspondiente.
Obsrvese que si el transistor es PNP (PiNcha) la flecha correspondiente al emisor se dibuja
hacia dentro, y si es NPN (No PiNcha) dicha flecha se dibuja hacia fuera.
4.1.2a.3.1.- Estructura del transistor

En el proceso de fabricacin de un transistor NPN se hace que el cristal semiconductor
correspondiente al emisor est muy contaminado, por lo que contendr un exceso de portadores
de carga; su tarea consistir en enviar o emitir estos portadores de carga (electrones) a la base.
El cristal semiconductor de la base se fabrica en una dimensin extremadamente delgada y un

grado tenue de contaminacin; los electrones emitidos por el emisor atraviesan, prcticamente en
su totalidad, este cristal, para acabar dirigindose al colector. La misin de la base consistir en
controlar dicho flujo de electrones.
El cristal semiconductor del colector se fabrica con un grado de contaminacin intermedio y

recibe este nombre por recoger los electrones enviados por el emisor.
Por lo tanto las tres regiones de un transistor, con los distintos dopados, se denominan: emisor,
base y colector.

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4.1.2a.3.2.- Funcionamiento del transistor

Para el estudio del funcionamiento del transistor vamos a utilizar el tipo NPN, aunque todos los
resultados son igualmente vlidos para el tipo PNP sin ms que cambiar los sentidos de las
corrientes y la polaridad de las tensiones.
Para que un transistor pueda conducir la unin emisor-base debe estar polarizada directamente, y
la unin colector-base debe estar polarizada inversamente. Entre el emisor y la base fluye una
pequea cantidad de corriente, lo que provoca un rea de difusin (agotamiento)
extremadamente estrecha.
En ausencia de tensiones de polarizacin los electrones libres producen dos capas agotadas
producidas por recombinacin con una barrera de potencial prxima a 0,7 V, insalvable para los
portadores si no se les comunica energa suficiente.
Esto aplicado al transistor provoca un estrechamiento de la regin efectiva de base.
Si conectamos dos bateras de la forma indicada en la figura a siguiente los dos diodos quedan
polarizados directamente y, una vez superados los valores de las barreras de potencial,

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circularn corrientes elevadas debidas a los portadores mayoritarios. por el emisor I E, por el
colector IC y por la base la suma de ambas IB.
Invirtiendo las polaridades de V1 y V2 (Figura b) se polarizan inversamente ambas uniones y las

pequeas corrientes que circulan son debidas a los portadores minoritarios.
Polarizando directamente el diodo emisor e inversamente el diodo colector (Fig. c),

previsiblemente debera circular una corriente elevada por el emisor y seria prcticamente nula la
de colector. Veamos que esto no es as.
OJO! SENTIDO REAL
Si V1 es suficiente para vencer el potencial de barrera, los electrones emitidos por el emisor
alcanzan en grandes cantidades la regin de base; de stos no todos encuentran camino a travs
de la base hacia el polo positivo de V1 por dos razones:
1. Existen pocos huecos a causa del bajo dopado de la base.
2. La delgadez de la base.
De esta forma la base se satura rpidamente dando lugar a una pequea corriente a travs de su
terminal.
El excedente de electrones, la mayora, posee energa suficiente para difundirse hacia la zona
agotada de colector y, una vez en sta, es atrado por el campo elctrico proporcionado por V 2
(V2 > V1).
Visto lo anterior podemos decir que la

mayora de electrones que abandonan el
emisor (ms del 95 por 100 en la mayora
de los transistores) alcanzan el colector y
circulan por el circuito exterior de ste.
El resto se recombinan con los huecos de
la base y circulan por su terminal
externo.

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4.1.2a.3.3.- Tensiones y corrientes de un transistor BJT
En el transistor de la Figura podemos apreciar los diferentes
voltajes y tensiones existentes.
En adelante nos atendremos a los siguientes convenios:

Las flechas de corriente indican el sentido convencional
(de positivo a negativo).
Las letras de tensiones y corrientes y sus subndices en
maysculas son referidas a
c.c. y en minsculas a c.a.
Los subndices, en magnitudes referidas a transistores indican el terminal o terminales a
que afectan.
El mismo subndice dos veces, representa el voltaje de la fuente que alimenta a ese
terminal.
Un tercer subndice O indica que el terminal cuya inicial no est presente est en circuito
abierto (apeo).
En el caso de dos subndices, se toma el primero como positivo.
Un nico subndice en tensiones, representa el voltaje entre ese terminal y masa.
EJEMPLOS
VCE = Tensin de c.c. entre colector y emisor.
IB = Corriente de base de c.c.
ib = Corriente de base en c.a.
Vcc = Tensin de alimentacin de colector.
VE = Tensin de c.c. entre emisor y masa.
Como el transistor posee tres terminales, existen seis magnitudes importantes que influyen sobre
su previsible funcionamiento. Entre ellas hay relaciones importantes, veamos a continuacin
algunas de ellas:
Aplicando la ley de Kirchhoff de los nudos:
I E I B IC
De donde deducimos que IE > IC
esto es invariante para cualquier disposicin del
transistor. Como se ha expuesto en prrafos
anteriores la mayor parte de los electrones que
abandonan el emisor llegan al colector, luego,
aunque mayor IC que IE son bastante parecidas.
La relacin entre estas corrientes viene dada por el

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parmetro alfa:
IC

IE
Valores usuales de son de 0,95 a 0,99, pero en cualquier caso < 1.
De la misma forma se observa que IC >> IB y la relacin entre ambas es el parmetro beta:
IC

IB
Valores normales de son de 50 a 500, encontrndose transistores cuyo valor es superior a
1000. Es usual encontrar como hFE. y suele ser utilizada en los catlogos de informacin de los
fabricantes de transistores.
De las expresiones de y y de la relacin entre las tres corrientes se obtienen ecuaciones

matemticas que relacionan a ambas:

1 1
Por otra parte, las tensiones estn relacionadas entre s mediante la ley de las mallas aplicada a la
figura anterior y se observa que:
VCE VCB VBE
Al igual que en las corrientes, esta relacin tambin es constante.
4.1.2a.4.- CARACTERSTICAS Y PROPIEDADES DE LOS TRANSISTORES
4.1.2a.4.1.- Caractersticas y lmites de un transistor

La representacin grfica de las variaciones de las
corrientes del transistor con las tensiones aplicadas
al mismo constituye una indicacin excelente de
su funcionamiento y se representa normalmente
para la configuracin de emisor comn.
Caractersticas de entrada
Es la relacin entre la tensin base-emisor UBE y la

intensidad de base IB, tomando como parmetro
constante la tensin colector-emisor UCE. La
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caracterstica es muy similar a la de un diodo polarizado en directo.
Las caractersticas de entrada de los transistores de germanio y de silicio son similares en cuanto
a forma, con la nica diferencia notable en el caso del
silicio, que la corriente deja de ser cero en la gama de
0,5 a 0,7 voltios, mientras que en el germanio lo hace
entre 0,l y 0,2 voltios. Estas tensiones permanecen
prcticamente constantes cuando el transistor est
conduciendo, por lo que pueden servir de indicadores
para localizar averas.
Caractersticas de salida.
Representan la corriente de colector I C en funcin de

la tensin colector-emisor UCE para distintos valores
constantes de la comente de base IB. Para un valor fijo
de la intensidad de base IB la corriente de colector IC,
no es muy sensible a las variaciones de la tensin
colector-emisor UCE, sin embargo, una pequea
modificacin de la corriente de base I B produce una modificacin mucho mayor de la corriente
de colector IC. No obstante, si la tensin colector-emisor UCE se aproxima a cero, el transistor
entra en la zona de saturacin y la corriente de colector I C decrece rpidamente para una
intensidad de base dada. La zona de funcionamiento activa corresponde a valores de la tensin
colector-emisor UCE superiores a unas dcimas de voltio y a intensidades de la corriente de base
superiores a cero.
Lmites de funcionamiento de un transistor.
La potencia que disipa un transistor es aproximadamente:
Esta potencia, que se transforma en calor, puede

destruir el transistor si supera el valor mximo P max
indicado por el fabricante. Este dato de potencia
mxima se puede llevar en forma de curva sobre las
caractersticas de salida del transistor, curva que
pasara por aquellos puntos donde se cumpliese que
el producto UCE por IC coincidiese con el valor de
potencia mxima.
Otros lmites de funcionamiento de un transistor,

indicados en la figura, vienen determinados por la
mxima corriente de colector ICmax y por la mxima tensin de colector-emisor UCEmax.
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4.1.2a.4.2.- Regiones de un transistor
Si, disponiendo de un circuito de polarizacin del transistor, hacemos variar de manera
controlada ciertos parmetros veremos la evolucin del resto.
En el circuito de la Figura siguiente se puede ver que V BB y VCC pueden variar la tensin
entregada, ello implica que todas las tensiones y corrientes son susceptibles de variacin.
RC y RB limitan las corrientes mximas que pueden circular por el transistor.
Ajustando VBB podemos ajustar valores de IB, pues bien, manteniendo constante dicha corriente
a un valor determinado y variando VCC variaremos a su vez VCE, lo que implica una posible
variacin de ICC.
Con estos datos construiremos una grfica de I C en funcin de VCE con IB constante. Si
ajustamos nuevos valores de la corriente de base y repetimos el proceso, obtendremos nuevas
curvas. A la familia de curvas obtenidas se las llama curvas caractersticas de colector o,
simplemente curvas de colector (Grfica siguiente). De ellas nos vamos a servir para ver el
comportamiento del transistor.
Cuando IB = O, para VCE = O, IC = O. si se va aumentando la tensin colector-emisor vemos que

la corriente de colector se estabiliza rpidamente aunque a un valor muy bajo, algunos A o A
dependiendo del tipo de transistor. Ello es debido a la corriente de fuga del diodo colector que se
encuentre en inverso y se la denomina ICBO, si se sigue aumentando VCE se alcanza la regin de
ruptura por avalancha donde el transistor se destruye irremediablemente, a este valor se le
denomina BVCEO; los fabricantes indican un valor BVCEOmx, que no ha de ser sobrepasado bajo
ninguna circunstancia para evitar el posible deterioro del componente.
Para un valor superior de IB (IB1) en el origen, VCE = O. la corriente de colector es nula. para
pequeos aumentos de la tensin colector-emisor IC crece rpidamente y. a partir de algunas
dcimas de voltio, se hace prcticamente constante, o ms exactamente, los incrementos son
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muy pequeos y son debidos al ensanchamiento de la regin agotada del diodo base-colector, lo
que permite que ste recoja algunos electrones ms de la base.
Incrementando de nuevo VCE, se alcanzara de nuevo la tensin de ruptura, aunque en este caso a
un valor inferior que para IB = O.
Repitiendo el proceso para nuevos valores de la corriente de base (IB2, IB3,...) los hechos se
repiten: le se hace prcticamente constante a valores ms elevados y cada vez se va alcanzando
antes la tensin de ruptura.
A medida que la corriente de base se va haciendo mayor, la pendiente de la curva aumenta entre
los puntos de codo y de ruptura, ello implica conjuntamente con los aumentos de I C provocados
por los incrementos de la tensin colector-emisor, que
cualquier punto de cada curva la relacin I C / IB sera la misma y es fcil comprobar que no lo es.
FE;) extremos.
Valga como ejemplo
A la vista de la familia de curvas de la Grfica se distinguen tres zonas que coinciden con tres
posibles condiciones de trabajo.
Regin de Saturacin
Es la zona comprendida entre el origen de coordenadas y el codo de las curvas, en ella el diodo
colector esta polarizado directamente y el transistor se comporta como una pequea resistencia.
En esta zona un aumento adicional de la corriente de base no provoca un aumento de I C, sino que
sta depende de la tensin entre colector y emisor exclusivamente.
En estas condiciones, el transistor se asemeja, en su circuito colector-emisor, a un interruptor

cerrado saturado y la corriente que circula por el circuito de colector ha de ser limitada por el
circuito exterior.
Regin Activa o lineal
Para valores de VCE comprendidos entre un voltio aproximadamente y valores cercanos a V CEmx
se encuentra la zona activa. En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de
corriente, determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de IB corresponden
grandes aumentos de IC, de forma casi independiente de VCE.
Para hacer trabajar al transistor en esta zona las polarizaciones han de ser: diodo emisor,
directamente y diodo colector, inversamente.
Regin de Corte
El hecho de hacer la corriente de base igual a cero es equivalente, como qued expuesto, a
mantener este circuito abierto. En estas circunstancias la corriente de colector es tan pequea
que, si la despreciamos, podemos comparar el transistor, su circuito colector emisor, con un
interruptor abierto, y se dice que el transistor est en corte o simplemente cortado.

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Las polarizaciones han de ser: diodo colector, inversamente y diodo emisor, inversamente o sin
polarizacin.
Regin de Ruptura
Se alcanzan tensiones que el transistor no puede soportar y se rompe. La ruptura se puede

producir por un doble fenmeno: avalancha o perforacin.
4.1.2a.4.3.- Construccin de un transistor
Hay varios procesos para la construccin de los diodos. El

ms antiguo es el mtodo de puntos de contacto, que es
similar al utilizado con los diodos de punto de contacto,
pero
que se ha quedado obsoleto.
Los transistores de unin de 3 piezas semiconductoras son

mucho ms econmicos, tienen ganancias de tensin y
corriente superiores, mayor potencia y generan menos ruido.
Los transistores de unin se construyen recreciendo el

material con un proceso de mezcla de impurezas. De la
misma forma, hay otros dos mtodos empleados. El primero
es la unin de aleacin o unin fundida y el segundo es la unin difundida.
4.1.2a.4.4.- Encapsulados de un transistor

Los transistores se protegen mediante un encapsulado, que puede ser plstico, metlico o
cermica.
Adems de proteger al semiconductor, el encapsulado debe proporcionar un medio eficaz para

evacuar el calor generado. La disposicin de las patillas de conexin de la base, emisor y
colector pueden ser muy diferentes de un tipo de transistor a otro, debindose consultar en cada
caso las hojas de caractersticas publicadas o los manuales de datos para conocer dicha
disposicin.
A continuacin se describen los

principales tipos de encapsulados de
transistores:
- El TO-92: Este transistor pequeo es

muy utilizado para la amplificacin de
pequeas seales. La asignacin de
patitas (emisor - base - colector) no est
estandarizado, por lo que es necesario a
veces recurrir a los manuales de

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equivalencias para obtener estos datos.
- El TO-18: Es un poco ms grande que el encapsulado TO-92, pero es metlico. En la carcasa

hay un pequeo saliente que indica que la patita ms cercana es el emisor. Para saber la
configuracin de patitas es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias.
- El TO-39: tiene el mismo aspecto que es TO-92, pero es ms grande. Al igual que el anterior
tiene una saliente que indica la cercana del emisor, pero tambin tiene la patita del colector
pegado a la carcasa, para efectos de disipacin de calor.
- El TO-126: Se utiliza mucho en aplicaciones de pequea a mediana potencia. Puede o no

utilizar disipador dependiendo de la aplicacin en se est utilizando. Se fija al disipador por
medio de un tornillo aislado en el centro del transistor. Se debe utilizar una mica aislante
- El TO-220: Se utiliza en aplicaciones en que se deba de disipar potencia algo menor que con el
transistor TO-3, y al igual que el TO-126 debe utilizar una mica aislante si va a utilizar
disipador, fijado por un tornillo debidamente aislado.
- El TO-3: este encapsulado se utiliza en transistores de gran potencia. Es de gran tamao

debido a que tiene que disipar bastante calor. Est fabricado de metal y es muy normal ponerle
un "disipador" para liberar la energa que este genera en calor.
Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del transistor, pues este estara
conectado directamente con el colector del transistor. Para evitar el contacto se pone una mica
para que sirva de aislante y a la vez de buen conductor trmico. El disipador de fija al transistor
con ayuda de tornillos adecuadamente aislados que se introducen en los orificios que estos
tienen.
En el transistor con encapsulado TO-3 el colector esta directamente conectado al cuerpo del
mismo (carcasa), pudiendo verse que slo tiene dos pines o patitas. Estas patitas no estn en el
centro del transistor sino que ligeramente a un lado y si se pone el transistor como se muestra en
la figura, al lado izquierdo estar el emisor y la derecha la base.
Disipador de calor

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4.1.2a.4.5.- Referencia de un transistor
La referencia que se da a un transistor sigue el mismo criterio que el empleado en todos los
semiconductores.
4.1.2a.5.- POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR
Para conseguir que un transistor funcione adecuadamente, dentro de los lmites indicados en el
diseo, es preciso polarizarlo correctamente. Polarizar un transistor consiste en suministrar las
tensiones adecuadas de alimentacin y conectar resistencias en el circuito con los valores
oportunos, de forma que la seal introducida a la entrada del circuito no resulte deformada a la
salida.
Por lo general la polarizacin de un transistor se realiza mediante una fuente de alimentacin; de

esta forma se consigue simplificar bastante el circuito.
4.1.2a.5.1.- Realimentacin de un transistor

La polarizacin de un transistor distingue varias configuraciones diferentes:
Realimentacin Base mediante dos o una fuentes.
Realimentacin de Emisor.
La polarizacin por realimentacin de emisor muestra un circuito que no es tan sensible a las
variaciones de y adems es ms estable en amplios lmites de temperatura.
Esto se consigue utilizando la cada de tensin que aparece en la resistencia R E conectada en

serie con el emisor, con el objeto de compensar las variaciones de .

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Este circuito no consigue una buena estabilizacin. El problema est en que no se puede hacer
RE lo suficientemente grande como para que compense las variaciones de sin saturar el
transistor.
Realimentacin de Colector.
En la figura se ve la polarizacin por realimentacin del

colector. La idea de estabilizacin consiste en conectar la
resistencia de polarizacin al terminal del colector en vez de a
la fuente de alimentacin. Cuando la ganancia de corriente
tienda a aumentar, aumenta tambin la corriente de colector y
con ella la cada de tensin que aparece en la resistencia de
colector Rc.
Esto provoca una disminucin de la tensin que alimenta a la

base, dando lugar a una reduccin de la corriente de base, por lo que en ltimo trmino tambin
queda reducida la propia corriente de colector.
De esta forma se consigue que los aumentos de la corriente de colector queden compensados por
el efecto de realimentacin del colector.
Esta polarizacin resulta, en muchas ocasiones, ms interesante que la realimentacin del

emisor, ya que proporciona una estabilidad bastante aceptable para los cambios de . Adems, el
circuito es muy sencillo, ya que utiliza slo dos resistencias.
Realimentacin Universal o por divisor de Tensin.
El circuito de polarizacin por realimentacin de emisor con

divisor de tensin es una variante del circuito de polarizacin por
realimentacin del emisor. A este tipo de polarizacin tambin se
la denomina universal y es la que ms se emplea en circuitos
lineales de amplificacin. En la figura se observa cmo existe un
divisor de tensin formado por R1 y R2. La tensin que aparece
en R2 es la que polariza directamente la unin base-emisor.
Este circuito constituye un buen amplificador lineal y responde

muy bien a las pequeas variaciones de , siendo estable entre amplios mrgenes de temperatura.
4.1.2a.5.2.- Recta de carga

Para deducir la recta de carga y poderla dibujar en la grfica de la familia de curvas de colector,
se analiza el circuito de la figura y se extrae la ecuacin que proporciona la intensidad de
colector en funcin de la tensin colector-emisor.

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Los puntos de corte y saturacin se obtienen en los extremos de la recta.
La eleccin del punto de trabajo consiste en determinar los valores o coordenadas del punto Q
situado en la recta de carga. Una eleccin incorrecta puede ocasionar distorsin de la seal de
salida.

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B1 B2

M4.1.3a
CIRCUITOS INTEGRADOS

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Documentacin: M4.1.3a. Circuitos integrados

2 0 16/03/2010
Juan Carlos Fernndez
Jos de Miguel Girba Correccin formato y ampliacin
2 1 31/05/2010
Juan Carlos Fernndez contenidos temario 4.1.3
1 3 08/05/2015 31 3 08/05/2015
2 3 08/05/2015 32 3 08/05/2015
3 3 08/05/2015 33 3 08/05/2015
4 3 08/05/2015 34 3 08/05/2015
5 3 08/05/2015 35 3 08/05/2015
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NDICE
4.1.3a. CIRCUITOS INTEGRADOS....................................................................................... 5

4.1.3 A DESCRIPCIN Y FUNCIONAMIENTO DE CIRCUITOS LGICOS Y CIRCUITOS
LINEALES/AMPLIFICADORES OPERACIONALES. .......................................................................... 5
4.1.3a1.1 Introduccin ........................................................................................................ 5
4.1.3.a.1.2.- Definicin y descripcin .................................................................................. 5
4.1.3A.2 CIRCUITOS LGICOS. .................................................................................................. 8
4.1.3a.2.1.-Qu es un circuito lgico?............................................................................... 8
4.1.3a.2.2.- Familias de circuitos integrados lgicos. ......................................................... 8
4.1.3a.2.3.- Funciones lgicas .......................................................................................... 12
4.1.3a.2.4.- Algebra de Boole............................................................................................ 13
4.1.3a.2.5.- Construccin tabla de verdad......................................................................... 14
4.1.3a.2.8.- Puertas lgicas .............................................................................................. 15
4.1.3A.3.-EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL........................................................................... 22
4.1.3a.3.1.- Introduccin................................................................................................... 22
4.1.3a.3.2.- Simbologa y propiedades. ............................................................................ 23
4.1.3a.3.3.- Configuraciones del A.O ............................................................................... 31

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4.1.3a. CIRCUITOS INTEGRADOS
4.1.3 A DESCRIPCIN Y FUNCIONAMIENTO DE CIRCUITOS LGICOS Y

CIRCUITOS LINEALES/AMPLIFICADORES OPERACIONALES.
4.1.3a1.1 Introduccin
En abril de 1949, el ingeniero alemn Werner Jacobi

(Siemens AG) completa la primera solicitud de patente
para circuitos integrados (CI) con dispositivos
amplificadores de semiconductores. Jacobi realiz una
tpica aplicacin industrial para su patente, la cual no
fue registrada.
Ms tarde, la integracin de circuitos fue conceptualizada por el cientfico de radares

Geoffrey W.A. Dummer (1909-2002), que estaba trabajando para la Royal Radar
Establishment del Ministerio de Defensa Britnico, a finales de la dcada de los 1940s y
principios de los 1950s.
El primer CI fue desarrollado en 1958 por el ingeniero Jack Kilby (1923-2005) pocos
meses despus de haber sido contratado por la firma Texas Instruments. Se trataba de un
dispositivo de germanio que integraba seis transistores en una misma base
semiconductora para formar un oscilador de rotacin de fase.
En el ao 2000 Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica por la

contribucin de su invento al desarrollo de la tecnologa de la informacin.
4.1.3a.1.2.- Definicin y descripcin
Un CI es un cristal semiconductor de silicio, llamado pastilla, que contiene

componentes tales como transistores, diodos, resistencia y capacitores. Los diversos
componentes estn interconectados dentro de la pastilla para formar un CI. Esta pastilla
est montada en un empaque plstico (cermico) con sus conexiones soldadas a las
patillas externas para conformar dicho circuito.
Los circuitos electrnicos, tales como amplificadores, osciladores

y fuentes de alimentacin, se disean/fabrican de acuerdo a los
componentes electrnicos bsicos (tales como las resistencias,
condensadores, bobinas y transformadores) que junto con los
semiconductores formarn los circuitos integrados (CI). Los
semiconductores son esenciales para dicha operacin.
Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.3a Circuitos Integrados

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Dichos CI combinan las funciones de
muchos de los componentes
individuales en un circuito integrado
Los circuitos integrados viene en dos clases de pastillas:
Patillas de hilera doble (DIP) Patilla plana
Los circuitos integrados se encuentran en todos los aparatos electrnicos modernos,

como automviles, televisores, reproductores de CD, reproductores de MP3, telfonos
mviles, etc.
Las caractersticas ms esenciales de dichos circuitos son:

Tiene tamaos normalizados
Nmero de patillas (pins) vara entre 8 y 64
Cada uno tiene una designacin numrica impresa en su superficie.
Cada fabricante publica un libro de caractersticas (databook, datasheet)
Los principales tipos de circuitos integrados son los siguientes:
Microprocesador: Es un CI de tipo digital que es capaz de ejecutar una secuencia de

instrucciones programadas. Un microprocesador tiene la capacidad de almacenar datos,
a la vez que realiza clculos matemticos.
Puerta Lgica: Es un CI digital que realiza funciones lgicas. En esencia es una red
de conmutacin electrnica que integra varios transistores, diodos y resistencias
Memoria: Es un CI digital que almacena datos digitales.
Amplificador Operacional: Es un CI analgico que realiza operaciones lineales.
Regulador de tensin: Es un circuito integrado analgico que es capaz de mantener

una salida de tensin constante, independientemente de la tensin de entrada y de las
variaciones de la carga.
Reloj: Circuito integrado hbrido que genera seales con un periodo muy preciso.

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ADC: Circuito integrado hbrido que transforma seales de tipo analgico en digital.
DAC: Circuito integrado hbrido que transforma seales de tipo digital en analgico.
En la siguiente imagen podemos ver las imgenes de algunos de los circuitos anteriores:
Atendiendo al nivel de integracin - nmero de componentes - los circuitos

integrados se clasifican en:
SSI (Small Scale Integration) pequeo nivel: de 10 a 100 transistores
MSI (Medium Scale Integration) medio: 101 a 1.000 transistores
LSI (Large Scale Integration) grande: 1.001 a 10.000 transistores
VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande: 10.001 a 100.000 transistores.
ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande: 100.001 a 1.000.000
transistores.
GLSI (Giga Large Scale Integration) giga grande: ms de un milln de
transistores
En cuanto a las funciones integradas, los circuitos se clasifican en tres grandes
grupos:
Circuitos integrados lineales (analgicos): Pueden constar desde simples
transistores encapsulados juntos, sin unin entre ellos, hasta dispositivos
completos como amplificadores, osciladores o incluso receptores de radio
completos. Operan con seales continuas para producir funciones electrnicas
(ej. Amplificadores).
Circuitos integrados digitales: Pueden ser desde bsicas puertas lgicas (Y, O,
NO) hasta los ms complicados microprocesadores o microcontroladores.
Operan con seales binarias y se hacen con compuertas digites interconectadas.

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Circuitos integrados hbridos: Combinan tecnologa analgica y digital,
pueden ser desde temporizadores hasta transductores analgico-digitales (ADC
o DAC).
4.1.3a.2 CIRCUITOS LGICOS.
4.1.3a.2.1.-Qu es un circuito lgico?
Los circuitos lgicos son aquellos que manejan la informacin en forma de 1 y 0,

dos niveles lgicos de voltaje fijos. 1 nivel alto o high y 0 nivel bajo o low.
Por tanto las compuertas lgicas son bloques de construccin bsica de los sistemas
digitales; operan con nmeros binarios, por lo que se les denomina puertas lgicas
binarias. En los circuitos digitales todos los voltajes, a excepcin de las fuentes de
alimentacin, se agrupan en dos posibles categoras: voltajes altos y voltajes bajos.
Todos los sistemas digitales se construyen utilizando bsicamente tres compuertas
lgicas bsicas, estas son las AND, OR y NOT; o la combinacin de estas.
4.1.3a.2.2.- Familias de circuitos integrados lgicos.
Existen varias familias de CI lgicos que se distinguen por el tipo de dispositivo

semiconductor y por la manera como estos dispositivos son interconectados para la
conformacin de las compuertas.
Hay muchas familias lgicas de CI digitales que han sido introducidos comercialmente,
las ms populares son:
TTL: Lgicas de transistores (Transistor-transistor logic)
ECL: Lgica de acoplamineot de emisor (emitter-coupled logic)
MOS: Semiconductor de xido de metal ( Metal-oxide semiconductor)
CMOS: Semiconductor de xido de metal complemetario (Complemetary
metal-oxide semiconductor)
I2L: Lgica de inyeccin integrada (Integrated-injection logic)
Las caractersticas de las familias de CI lgicos se comparan analizando el circuitos de
la compuerta bsica de cada familia, los parmetros ms importantes que son evaluados
y comparados son: fan-out, consumo de potencia, retardo de propagacin y margen de
ruido.
Niveles de tensin y margen de ruido
Margen de ruido: es el mximo voltaje de ruido agregado a la seal de entrada de un

circuito digital que no cause un cambio indeseable, a la salida del circuito. Se expresa
en voltios (V). Hay dos tipos de ruido que deben de considerarse: Ruido DC, causado
por la desviacin en los niveles de voltaje de la seal. Ruido AC, es el pulso aleatorio

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que puede ser creado por otras seales conmutadas. De esta forma el ruido es el termino
usado para denotar una seal indeseable sobrepuesta a una seal de operacin normal
El fabricante garantiza un nivel de tensin mnimo (V IH) que aplicado a una entrada el
circuito interpreta como un estado alto (en lgica positiva 1 lgico o 1), y un nivel
mximo de tensin (VIL) que interpreta como estado bajo (en lgica positiva 0 lgico o
0).
VIL: Mxima tensin de entrada que se interpreta como estado bajo
VIH: Mnima tensin de entrada que se interpreta como estado alto
Los valores de tensin que el circuito presenta a la salida para los estados alto (1) y
bajo (0) dependen de la familia y del estado de carga en que se encuentre dicha salida.
El fabricante garantiza entonces un entorno de valores de tensin para cada estado,
siempre y cuando se respeten las restricciones establecidas para las corrientes requeridas
o entregadas en la salida. Los valores que limitan estos entornos son:
VOL: Mxima tensin de salida que se garantiza para el estado alto
VOH: Mnima tensin de salida que se garantiza para el estado alto
Veamos una comparativa entre las familias CMOS y TTL referente a a los niveles de
tensin y al margen de ruido. (VDD puede alcanzar los 15 V)
TTL CMOS

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El margen de ruido tpico de las series estndar 7400 TTL es de 400 mV mientras que
para CMOS es 1/3 de VDD.
Fan-out
Es el nmero mximo de entradas que pueden conectarse a la salida de la compuerta y

se expresa con un nmero.
La cantidad mxima de entradas que pueden conectarse a una misma salida en cada
posible estado se determina realizando la relacin entre estas corrientes. En el estado
bajo corresponde efectuar el cociente I OL/IIL, mientras que en el estado alto
corresponde IOH/IIH. El menor de estos cocientes determina la m ima cantidad de
entradas de circuitos de la familia que puede conectarse a una misma salida. Este valor
se identifica como capacidad de carga, cargabilidad de salida o fan-out.
Retardo de propagacin
Es el tiempo promedio de demora en la transicin de propagacin de una seal de la

entrada a la salida, cuando las seales binarias cambian de valor. Se expresa en
nanosegundos (ns). Las seales que viajan de las entradas de un circuito digital a las
salidas pasan por una serie de compuertas. La suma de las demoras de propagacin a
travs de las compuertas es la demora total de la propagacin del circuito.
Disipacin de potencia
Es la potencia suministrada necesaria para operar la compuerta. Este parmetro se

expresa en milivatios (mW) y representa la potencia real designada por la compuerta.
n CI con cuatro compuertas e igir de la fuente cuatro veces la potencia disipada por
cada compuerta. En un sistema dado puede haber muchos circuitos integrados y sus
potencias deben tenerse en cuenta. El poder total disipado en un sistemas es la suma
total del poder disipado de todos los CI.
Producto retardo potencia
Se define el producto retardo potencia (PDP, power-delay product) como el producto

del retardo de propagacin y la potencia consumida definidos en los tems anteriores, o
sea es la energa consumida por la puerta en cada conmutacin. Se utiliza como mtrica
de calidad y es indicativo del estado de avance tecnolgico de una familia.
Habitualmente se lo utiliza como factor de comparacin entre familias o bien entre
distintas versiones de una misma familia, ya que todo el esfuerzo y la inversin de la
industria van encaminados a disminuir el valor de este parmetro.
Consideraciones finales:
La mayora de sistemas lgicos TTL y CMOS estn diseados para funcionar a
+5V.
Cuando se trabaja con tensiones de alimentacin reducida (en especial en la
CMOS) el retardo de propagacin aumenta.

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La tensin absoluta mxima de alimentacin para componentes TTL,
normalmente es de 7 V. Si se excede cualquier componente puede destruirse.
La lgica CMOS ofrece mejor tolerancia a las variaciones de alimentacin y
funcionan con un rango mayor de tensiones de alimentacin (tpicamente desde
3 a 15 V) que TTL.
La lgica TTL necesita mucha ms corriente de alimentacin que la CMOS (de
los 8 mA de la TTL a mil veces menos en la CMOS).
Los dos puntos anteriores hacen ver que la lgica CMOS se utilicen en equipos
que funcionan con bateras.
En el estado de reposo la potencia de disipacin de los CMOS es prcticamente
despreciable. Sin embargo, su potencia de consumo es proporcional a la
velocidad de conmutacin (lo que implica que puede llegar a ser comparable con
la potencia de consumo de la TTL).
Todos los CMOS tienen ahora diodos de proteccin contra la esttica de entrada,
pero no hay que descuidarse con las precauciones antiestticas en su manejo.
Resumiendo:
La CMOS ofrece mejor tolerancia a las variaciones de alimentacin, necesita menos

corriente de alimentacin, disipa menos potencia y trabaja con un rango de tensin
superior. Por otra parte, la TTL tiende a ser ms rpida y tiene mejor susceptibilidad a
las descargas electroestticas.
La familia TTL tiene una lista extensa de funciones digitales y es comnmente la

familia lgica ms popular, la MOS se usa en circuitos que requieren alta densidad de
componentes y La CMOS se usa para sistemas que requieren bajo consumo de energa.
Comparacin entre familias lgicas TTL, MOS y CMOS
Familia Ventajas Inconvenientes Otras familias
mejoradas
Generacin de ruido 74Hxx
TTL (74xx) El menor producto retardo por
74Sxx
disipacin de potencia
74Lxx
74LSxx
uena fle ibilidad lgica
74ASxx
74ALSxx
aja impedancia de salida
uena inmunidad al ruido

Numerosas funciones
MOS Alto fan-out Incompatibilidad con otras

familias
Gran densidad de integracin
Alta impedancia de salida o
admite cableado lgico
CMOS La de menor disipacin de potencia o admite cableado lgico 74HCxx:

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(400Cxx, Amplios m rgenes de ruido . Alto enos r pida que L y ECL 74HCTxx
74Cxx) fan-out y alto fan-in
Alta susceptibilidad
74ACTxx
. Amplios m rgenes en la
74AHCTxx
alimentacin
74FCTxx
uena inmunidad al ruido
74ACTQxx
74VHCxx
74VHCTxx
Familia TTL y sus series
74L y 74H Baja potencia y alta velocidad
74S Disminuye el retraso de tiempo por almacenamiento por medio de un

transistor Schottky
74LS Versin mejorada de la 74S. Menor consumo de potencia.
74AS Menor potencia y mayor velocidad que la 74S
74ALS Mejor producto velocidad-potencia. Alto costo
74F Fast. Nueva tcnica de fabricacin. Menores demoras de propagacin.
Familia CMOS y sus series
4000 La disipacin de potencia es muy baja.
74C Compatible con la TTL
74HC CMOS de alta velocidad
74HCT Alta velocidad y compatible con los voltajes de los TTL.
74AC/ACT Funcionalmente equivalentes a TL pero no con terminales TTL.
Muy buena inmunidad al ruido.
4.1.3a.2.3.- Funciones lgicas
En todo circuito electrnico de control, la seal de salida est relacionada con la de

entrada mediante una funcin lgica F.

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Seales de salida = F (seales de entrada)
El comportamiento del sistema digital se puede definir mediante la obtencin de las

ecuaciones o funciones lgicas que relacionan las variables que intervienen en el
sistema.
Una funcin lgica F es una expresin algebraica formada por una combinacin de
sumas y productos lgicos de diversas variables (que representaremos por letras a, b, c,
A, , C ).
Los estados de las variables slo pueden ser 0 y 1, y para representar los valores que
adopta la funcin para cada uno de los estados de las variables de entrada, se construyen
las tablas de verdad.
Las funciones lgicas se pueden representar en forma de diagramas de contactos como

circuitos elctricos provistos de contactos.
Los logigramas representan las funciones mediante puertas lgicas utilizando una
simbologa estandarizada.
4.1.3a.2.4.- Algebra de Boole
Aplicable al sistema binario. Define tres operaciones binarias bsicas: suma

(disyuncin), producto (conjuncin) y complementacin o negacin.
- Suma lgica: a + b= a U b = F (Funcin lgica OR, disyuncin)
- Producto lgico: a . b = a b = F (Funcin lgica AND, conjuncin)
- Complementacin o negacin: a+ a =1 a a = 0

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Recibe diversos nombres (complementario de a; negacin de a; a negada)
- Postulados:
a) Las operaciones son conmutativas,
A + B = B + A ; A . B=B . A
b) Existen elementos neutros, O y 1, para cada operacin,
0+A=A ; 1.B=B
c) Cada operacin es distributiva respecto a la otra,
A . (B+C) = (A.B) + (A.C) ; A + B . C = (A + B) . (A + C)
d) Propiedad asociativa
A + (B+C) = (A+B) + C ; A . (B.C) = (A.B) .C
d) Para cada variable A se puede definir una variable tal que,
A + A ; A.
e) Absorcin,
A . (A + B) = A + (A. B) = A
- Teorema: para cada elemento de un lgebra de Boole se verifica:
A+1=A
A.0=0
4.1.3a.2.5.- Construccin tabla de verdad
La tabla de valores de verdad, es una tabla que despliega el valor de verdad de una
proposicin compuesta, para cada combinacin de valores de verdad que se pueda
asignar a sus componentes.
Para la construccin de la tabla se asignar el valor 1(uno) a una proposicin cierta y 0

(cero) a una proposicin falsa.
El algoritmo de resolucin ser el siguiente:
-Primero establecer todas las combinaciones posibles de los estados de la variable.

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-Analizar el comportamiento de la funcin para cada una de las posibles combinaciones
de estados.
-La columna final de la tabla refleja los valores que adopta la funcin a partir de los
distintos estados que pueden presentar las variables.
Veamos las tablas de valores
4.1.3a.2.6.- Leyes de Morgan
1.- (A+ B) = A B
2.- (A B) = A+ B
3.- A = A, 0 =1, 1 = 0
4.1.3a.2.7 Ejercicios
1.- Haz una funcin booleana y la tabla de verdad que describa el siguiente circuito
elctrico:
2.- Establecer un circuito elctrico que, utilizando interruptores, responda a la siguiente

expresin: F= (A+B) C + (D E)
4.1.3a.2.8.- Puertas lgicas
Las puertas lgicas son circuitos que realizan operaciones de tipo lgico muy simples.
Pudiendo ser electrnicos, hidrulicos, neumticos, etc.

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En este apartado se dedicar al estudio de los sistemas de control digital, con puertas
lgicas electrnicas de construccin bsica.
Una puerta lgica utiliza las seales binarias como entradas y salidas. Por este motivo,
las seales binarias reproducen muy poco los errores, ya que da lo mismo una tensin
de 25 voltios, que una de 4 voltios, puesto que ambas representan un 1 lgico. En
esencia, una puerta lgica es un dispositivo semiconductor que se fabrica con tcnicas
similares a las que se utilizan en la fabricacin de diodos y transistores. Existen seis
tipos bsicos de puertas lgicas, que se pueden identificar en los esquemas con su
simbologa estndar. Todas ellas tienen algunos aspectos en comn, por ejemplo, una
nica salida, pero dependiendo de su funcin pueden tener diferente nmero de
entradas. De hecho, se pueden considerar como un tipo especial de interruptor
electrnico. A continuacin, se van a describir las puertas lgicas ms usuales.
Puerta SI ( uffer)
Un buffer o amplificador no produce ningn cambio en el estado lgico de la seal de

entrada. Se utiliza simplemente para amplificar o incrementar la fuerza de una seal.
Tambin se suele emplear para aislar una parte de un circuito de otra parte del mismo
circuito, o tambin para aislar otras unidades.
La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta SI es: F =A
Su tabla de verdad y simbologa son las siguientes:
Puerta O (Invert o O )
La puerta inversin (invert) o no (not) solo tiene un terminal de entrada. La seal de

salida es siempre la opuesta a la de entrada, es decir, simplemente invierte cualquier
seal que se le aplique.
La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta NOT es:

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Puerta Y (A D)
La puerta lgica y (and) es una de las fundamentales. iene varias entradas y una
salida. Su seal de salida siempre ser un cero lgico mientras alguna de las entradas
sea un cero. En la figura siguiente, se puede observar el smbolo y la tabla de la verdad,
que proporciona una descripcin detallada en el terminal de salida, a partir de las
seales que se introducen en sus terminales de entrada.
Su smbolo es un punto (), aunque se suele omitir. As, el producto lgico de las
variables A y B se indica como AB, y se lee A y B o simplemente A por B.
La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta AND es:

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Puerta O (OR)
La puerta lgica o (or) siempre proporciona un uno en la salida, e cepto en el caso de

que en la entrada haya todo ceros.
La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta OR es: F = A +

B
Puerta O E clusiva (E clusive Or o XOR)

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La tabla de la verdad de la puerta o e clusiva refleja que la salida siempre es un uno,

cuando sus entradas son distintas.
La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta XOR es:
Puerta o Y ( A D)
La puerta NAND (NO Y) se puede considerar como una puerta AND con sus salidas
invertidas, es decir, es una puerta que solo produce la salida cero cuando todas las
entradas son uno.
La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta NAND es:

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Puerta o O ( OR)
La puerta lgica NOR (NO O) es una puerta OR con las salidas invertidas. Esta puerta
genera un cero cuando cualquiera de las entradas sea un uno.
La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta NOR es:
Puerta or E clusiva (X OR)
A efectos prcticos una puerta XNOR es una puerta XOR seguida de un inversor.
La ecuacin caracterstica que describe el comportamiento de la puerta XNOR es:

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Equivalencia de puertas
Los ejemplos de puertas lgicas y las tablas de la verdad mostradas en los apartados
anteriores tienen dos entradas, pero en realidad pueden tener ms, manteniendo siempre
una sola salida. La nica diferencia que se debe introducir en el smbolo es el nmero de
terminales de entrada.
Los smbolos pueden tomar varias formas, por ello, a continuacin se relacionan
algunas equivalencias.

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4.1.3A.3.-EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
4.1.3a.3.1.- Introduccin
El amplificador operacional es uno de los circuitos integrados ms empleados en

diversas aplicaciones electrnicas, sobre todo en reas de computacin e
instrumentacin.
Su nombre deriva del concepto de un amplificador dc (amplificador acoplado en

continua) con una entrada diferencial y ganancia extremadamente alta, cuyas
caractersticas de operacin estaban determinadas por los elementos de realimentacin
utilizados. Cambiando los tipos y disposicin de los elementos de realimentacin,
podan implementarse diferentes operaciones analgicas; en gran medida, las
caractersticas globales del circuito estaban determinadas slo por estos elementos de
realimentacin. De esta forma, el mismo amplificador era capaz de realizar diversas
operaciones, y el desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar al
nacimiento de una nueva era en los conceptos de diseo de circuitos.
Una de los factores que ms ha contribuido al xito de los amplificadores operacionales

es su versatilidad. Se trata de un circuito de propsito general que puede emplearse en
multitud de aplicaciones. Por si fuera poco, los modelos necesarios para analizar su
comportamiento son muy sencillos, y en la gran mayora de los casos, puede asumirse
un comportamiento ideal.
Por tanto se puede considerar como un circuito integrado de bajo coste, capaz de
realizar multitud de funciones con pocos componentes discretos.
El amplificador operacional se fabrica contenido en el chip de un circuito integrado,

compuesto por una gran cantidad de transistores, diodos, resistencias y condensadores.

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4.1.3a.3.2.- Simbologa y propiedades.
El Amplificador Operacional (AO) es un circuito integrado que contiene varias etapas

de transistores interconectados de manera que el conjunto puede amplificar seales
amplificador
Adems, permite operar con seales operacional.
Encapsulado Smbolo
Donde:
V_ = entrada inversora
V+ = entrada no inversora
VO = salida
+VCC, -VDD = Alimentacin necesaria para polarizar los transistores en regin
activa.
Simplificacin:
Se entiende que existe +VCC, -VDD , de otra manera

el amplificador operacional no funcionara.

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Nota
Todas las tensiones se dan respecto a un

nico nodo de referencia (tierra/masa)

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Propiedades
IDEAL REAL (741)
Zi (impedancia de entrada) infinito Zi 2 M
Zo (impedancia de salida) nula Zo 75
Av (ganancia) infinito Av de 14 V para Vcc 15

Bando de ancho infinito Io= 25 mA
Vo=Av(Vip-Vin) Rango tensin de entrada 13 V
La tensin de entrada diferencial es nula
No existe flujo de corriente entre los

terminales
Resumen propiedades A.O ideal
Vo = G Vd
G (Ganancia) =
Ri =
Ro = 0
Bw (ancho de banda) =

Vo = 0 s Vd = 0
Consideraciones A.O
- Ganancia en lazo abierto: esta ganancia es aquella que tiene el amplificador operacional
cuando no existe ningn camino de realimentacin entre la salida y alguna de las dos entradas.
Ver el diagrama inferior. La ganancia del amplificador en lazo abierto est dada por la siguiente
frmula:
AVol = Vout/Vin y en forma de decibelios AVol=20 log (Vout/Vin)

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En un amplificador operacional ideal, esta ganancia es infinita. Como el operacional es real, su

ganancia est entre 20,000 y 200,000 (en amplificador operacional 741C). Este tipo de
configuracin se utiliza en comparadores, en donde lo que se desea es saber cual de las dos
entradas tiene mayor tensin.
- Ganancia en lazo cerrado:
Para poder controlar la ganancia de tensin que tiene un amplificador operacional, se le provee
de una realimentacin negativa, que har que este circuito sea mucho ms estable. La ganancia
es dada por la siguiente frmula: AVcl = Vo / Vin. El signo menos indica que la seal en la
salida ser la opuesta a la entrada (sale invertida, una tensin positiva aplicada a la entrada
produce una tensin negativa a la salida).
El valor de la ganancia est dada por: AV = -R2/R1. Si se modifican los valores de R2 y R1, se
modifica la ganancia.
- Impedancia de entrada
Se define como la impedancia que el amplificador presenta a la fuente de excitacin conectada a

una de las dos entradas y con la otra a masa. Zi vara con la temperatura y la frecuencia, suele
darse para determinada condiciones concretas, por ejemplo: T = 25 C y f = 1 KHz,
Evidentemente la variacin de Zi modifica la ganancia del A.O.

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Zi= Vi/Ii
Debido a que el A.O. es un amplificador de tensin, Zi debe de ser muy elevada con el fin de
evitar cualquier efecto de carga sobre la etapa anterior de excitacin. El valor tpico de la
impedancia de entrada suele ser del orden de los Mega Ohmios.
- Impedancia de salida
Es la impedancia que presenta el A.O. hacia una carga conectada a la salida. Una Zo elevada
reduce la ganancia del A.O. y puede dar lugar a que la etapa siguiente cargue el A.O. Por otra
parte la impedancia de salida disminuye al aumentar la frecuencia de trabajo, ya que, en estas
circunstancias A disminuye. Los valores normales a Zo son inferiores a 100 ohmios.
Zo= Vo/Io
- Ancho de banda
Se define como la gama de frecuencias de funcionamiento comprendidas entre la frecuencia de

corte inferior y superior.

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Recordemos que las frecuencias de corte, definidas convencionalmente, son aqullas para las
que la ganancia cae 3 dB (70%) respecto a su valor tpico (normalmente para f = KHz ), En las
hojas de caractersticas B se da para funcionamiento en bucle abierto tomando un valor
comprendido entre 0 y 10 MHz en modelos comerciales. Si tenemos en cuenta que el A.O. es un
amplificador de continua, amplificador desde f = 0 Hz, la frecuencia mxima con la que puede
operar coincidir con el valor asignado al ancho de banda.
- Mxima tensin de entrada Vi mx
Vara en funcin de la alimentacin del A.O. Normalmente es algo inferior a Vcc.
- Factor de rechazo en modo comn cmrr
Se define como la relacin logartmica entre la ganancia para la entrada diferencial respecto a la
ganancia para entrada en modo comn, expresado en dB, CMRR = 20 log Gd dB, Recordemos
que el A.O. funciona en Gc
Modo comn cuando la seal de entrada se aplica simultneamente a ambos terminales (+) y (-).
De la interpretacin del CMRR se deduce el grado de equilibrio de las etapas diferenciales del
A.O. Su valor debe ser lo ms elevado posible, ya que, a medida que su valor aumenta, el A.O.
es menos sensible a la seal comn aplicada a la entrada. En los A.O. integrados de tipo
comercial el CMRR oscila entre 70 y 90 dB.
Un condicionante a considerar es que el factor de rechazo en modo comn depende de la

frecuencia. Un aumento de f influye negativamente en el CMRR,
- Tensin de offset

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Se denomina offset a cualquier desequilibrio o asimetra en la distribucin interna de tensiones
en el A.O. La tensin de offset se define tanto a la entrada como a la salida.
- Tensin de offset de entrada
Es el nivel de tensin que hay que aplicar a la entrada para que la tensin diferencial de salida
sea nula.
- Ejercicios:
1.- An operational amplifier operating with negative feedback produces an output voltage of
2V when supplied with an input of 400V. Determine the value of closed-loop voltage gain.
2.- An operational amplifier has an input resistance of 2 M . Determine the input current when an
input voltage of 5 mV is present.
4.1.3a.3.3.- Configuraciones del A.O

Inversor
No inversor
Seguidor de tensin
Sumador (Inversor y No Inversor)
Restador (Diferencial)
Multiplicador
Divisor
Comparador de tensin
Integrador
Derivador
Osciladores
Rectificadores
o De media onda
o De onda completa
o Eliminador de Umbral
o Recortador (Limitador)
Convertidor
o De corriente a voltaje
o De voltaje a corriente
o Analgico/Digital
o Digital/Analgico
Etc.
A continuacin se describen las configuraciones bsicas de A.O: ms utilizadas:
Comparador

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Esta es una aplicacin sin la retroalimentacin. Compara entre las dos entradas y saca una salida
en funcin de qu entrada sea mayor. Se puede usar para adaptar niveles lgicos
Seguidor de tensin
Se usa como un buffer, para eliminar efectos de carga o para adaptar impedancias (conectar un
dispositivo con gran impedancia a otro con baja impedancia y viceversa)
Como la tensin en las dos patillas de entradas es igual: Vout = Vin
Zin =
Presenta la ventaja de que la impedancia de entrada es elevadsima, la de salida prcticamente

nula, y puede ser til, por ejemplo, para poder leer la tensin de un sensor con una intensidad
muy pequea que no afecte apenas a la medicin. De hecho, es un circuito muy recomendado
para realizar medidas de tensin lo ms exactas posibles, pues al medir la tensin del sensor, la
corriente pasa tanto por el sensor como por el voltmetro y la tensin a la entrada del voltmetro
depender de la relacin entre la resistencia del voltmetro y la resistencia del resto del conjunto
formado por sensor, cableado y conexiones.
Por ejemplo, si la resistencia interna del voltmetro es Re (entrada del amplificador), la

resistencia de la lnea de cableado es Rl y la resistencia interna del sensor es Rg, entonces la
relacin entre la tensin medida por el voltmetro (Ve) y la tensin generada por el sensor (Vg)
ser la correspondiente a este divisor de tensin:
Por ello, si la resistencia de entrada del amplificador es mucho mayor que la del resto del
conjunto, la tensin a la entrada del amplificador ser prcticamente la misma que la generada
por el sensor y se podr despreciar la cada de tensin en el sensor y el cableado.
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Adems, cuanto mayor sea la intensidad que circula por el sensor, mayor ser el calentamiento
del sensor y del resto del circuito por efecto Joule, lo cual puede afectar a la relacin entre la
tensin generada por el sensor y la magnitud medida.
No Inversor
Como observamos, la tensin de entrada, se aplica al pin positivo, pero como conocemos que la
ganancia del amplificador operacional es muy grande, el voltaje en el pin positivo es igual al
voltaje en el pin negativo y positivo, conociendo el voltaje en el pin negativo podemos calcular
la relacin que existe entre el voltaje de salida con el voltaje de entrada haciendo uso de un
pequeo divisor de tensin.
Zin = , lo cual nos supone una ventaja frente al amplificador inversor.
Sumador Inversor
La salida est invertida
Para resistencias independientes R1, R2,... Rn
La expresin se simplifica bastante si se usan resistencias del mismo valor
Impedancias de entrada: Zn = Rn
Restador Inversor
Para resistencias independientes R1,R2,R3,R4:
Igual que antes esta expresin puede simplificarse con resistencias iguales

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La impedancia diferencial entre dos entradas es Zin = R1 + R2 + Rin, donde Rin representa la
resistencia de entrada diferencial del amplificador, ignorando las resistencias de entrada del
amplificador de modo comn.
Cabe destacar que este tipo de configuracin tiene una resistencia de entrada baja en
comparacin con otro tipo de restadores como por ejemplo el amplificador de instrumentacin.
Veamos algunos ejemplos ms de circuitos.
El integrador
El diferenciador

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Ejercicios:
1.-
2. A two-input logic gate only produces a logic 1 output when both of its inputs are at logic 1.
What type of logic gate is it?
3. Name the two basic logic families. To which family does each of the following devices
belong:
(a) 74LS04
(b) 4001BE
4. For each of the devices listed in Question 3, state the standard range of voltages that is used to
represent:
(a) logic 0
(b) logic 1
5. Sketch the circuit symbol for an operational amplifier. Label each of the connections.
6. List four characteristics associated with an ideal operational amplifier.
7. An operational amplifier with negative feedback applied produces an output of 1.5V when an
input of 7.5mV is present. Determine the value of closed-loop voltage gain.
8. Sketch the circuit of an inverting amplifier based on an operational amplifier. Label your
circuit and identify the components that determine the closed-loop voltage gain.
9. Sketch the circuit of each of the following based on the use of operational amplifiers:
(a) a comparator
(b) a differentiator
(c) an integrator

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Aplicabilidad
B1 B2

M4.2.
PLACAS DE CIRCUITOS IMPRESOS
Pgina Ed. Rev. Fecha M4.2 Pginas de Control

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Documentacin: M4.2. Placas de circuitos impresos

Cambio formato, estructura y
2 0 24/05/2014 de Miguel Girba, Jos
contenidos
3 0 01/03/2016 Garca Villalonga, David Adecuacin al nivel exigido (N1)
Pg. Rev. Fecha Pg. Rev. Fecha Pg. Rev. Fecha

1 0 01/03/2016 16 0 01/03/2016
2 0 01/03/2016 17 0 01/03/2016
3 0 01/03/2016 18 0 01/03/2016
4 0 01/03/2016 19 0 01/03/2016
5 0 01/03/2016 20 0 01/03/2016
6 0 01/03/2016 21 0 01/03/2016
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8 0 01/03/2016 23 0 01/03/2016
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NDICE
M4.2. PLACAS DE CIRCUITOS IMPRESOS ....................................................................... 5

4.2.1.- DEFINICIN ................................................................................................................. 5
4.2.2.- BREVE RESEA HISTRICA. ......................................................................................... 5
4.2.3.- FUNCIONES BSICAS DE UNA PLACA IMPRESA. ............................................................ 6
4.2.4.- VENTAJAS DE LOS CIRCUITOS IMPRESOS SOBRE LOS CIRCUITOS CONVENCIONALES ... 6
4.2.5.- LIMITACIONES ............................................................................................................ 6
4.2.6.- CARACTERSTICAS ...................................................................................................... 7
4.2.7.- MATERIAL................................................................................................................... 7
4.2.8.- TIPO DE CONSTRUCCIN ............................................................................................. 8
4.2.9.- TERMINOLOGA Y DISEO ........................................................................................... 9
4.2.10.- EJEMPLOS ............................................................................................................... 20

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M4.2. PLACAS DE CIRCUITOS IMPRESOS
4.2.1.- DEFINICIN
Un circuito impreso o PCB (Printed Circuit Board) en ingls, es una tarjeta o placa utilizada para
realizar el emplazamiento de los distintos elementos que conforman el circuito y las
interconexiones elctricas entre ellos.
La placa para la realizacin de circuitos impresos consiste en una plancha base aislante cartn
endurecido, bakelita o fibra de vidrio de diversos espesores y sobre la cual se ha depositado
una fina lmina de cobre que est firmemente pegada a la base aislante.
En la figura se puede ver el corte de una
placa de circuito impreso virgen, es decir,
sin taladrar ni atacar.
Figura 4.2.1a
El circuito impreso est formado por una

placa sobre la que se definen una serie de
conductores y conexiones donde se
acoplan diferentes elementos electrnicos.
Figura 4.2.1b
4.2.2.- Breve resea histrica.
El inventor del circuito impreso fue probablemente el

ingeniero austriaco Paul Eisler (1907-1995) quien,
mientras trabajaba en Inglaterra, fabric uno alrededor
de 1936, como parte de una radio. Alrededor de 1943,
los Estados Unidos comenzaron a usar esta tecnologa
en gran escala para fabricar radios que fuesen robustas,
para ser usadas en la Segunda Guerra Mundial. Despus
de la guerra, en 1948, EE.UU. liber la invencin para
el uso comercial. [cita requerida] Los circuitos impresos
no se volvieron populares en la electrnica de consumo
hasta mediados de 1950, cuando el proceso de Auto-
Ensamblaje fue desarrollado por la Armada de los Foto 4.2.1
Estados Unidos
Pgina Ed. Rev. Fecha M4.2 Placas de circuitos Impresos

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4.2.3.- FUNCIONES BSICAS DE UNA PLACA IMPRESA.
-Soportar sus propios componentes.

-Soportar sus interconexiones elctricas.
Todo ello siguiendo unas reglas establecidas a la vista de unas tolerancias impuestas por la
naturaleza de los equipos o sistemas electrnicos.
En el diseo de los circuitos impresos, encontraremos una serie de factores variables que habrn
de ser seleccionados y combinados de una forma ptima en cada caso.
4.2.4.- Ventajas de los circuitos impresos sobre los circuitos convencionales

a) Ahorro de espacio: Empleando conexiones impresas se ocupa menor espacio en el equipo que
con el uso de conexionado convencional.
b) Los conductores estn permanentemente unidos al dielctrico base del circuito, lo cual
proporciona tambin una mayor facilidad para el montaje de los componentes .
c) Es normalmente imposible la rotura de hilos y la produccin del corto circuito entre hilos.
d) Una uniformidad de las caractersticas elctricas de montaje en montaje, aumentando la
fiabilidad.
e) Se reduce notablemente el volumen y el peso de las interconexiones.
f) La identificacin de las partes del circuito es simple y el colorido de los hilos ha sido
eliminado.
g) Pueden ser utilizados procesos de produccin en grandes series y tcnicas muy automatizadas.
h) Pueden emplearse operarios con un mnimo de entrenamiento y habilidad.
i) La nitidez de los circuitos permite, con la ayuda visual, simplificar los procesos de
comprobacin en cuanto se refiere a exactitud en los montajes de los componentes minimizando,
de esta manera, los errores.
j) El mantenimiento de los Equipos Electrnicos es ms simplificado, es ms econmico.
k) En las placas flexibles, su forma plana y delgada produce un mximo de ahorro en peso,
espacio y coste. Se puede llegar a un ahorro del 75% en volumen y peso, dependiendo de su
aplicacin especifica.
4.2.5.- LIMITACIONES
a) La forma plana del circuito requiere una especial habilidad en el diseo para situar los
componentes y las interconexiones.
b) Largo tiempo empleado en la etapa del diseo.
c) Cuesta demasiado trabajo y dinero introducir cambios en el diseo cuando ya se dispone de
los tiles y medios de fabricacin, establecidos.
d) Dificultades encontradas en la reparacin de los circuitos impresos.
a) Soporte aislante.

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b) Agujeros para montaje de componentes y/ o interconexin.
c) Conectores de interconexin.
d) Terminales de entrada y de salida.
4.2.6.- CARACTERSTICAS
Las caractersticas deseables para los materiales de PCB son los siguientes.
Rigidez mecnica para sostener los componentes.
Fcil de mecanizar.
Resistencia al fuego.
Resistente a la humedad.
Disipador de calor.
Baja expansin trmica.
Soportar el calor de la soldadura.
Soportar ciclos de calentamiento-enfriamiento.
Baja permitividad.
Alta rigidez dielctrica.
4.2.7.- MATERIAL
Un circuito impreso (PCB, printed circuit board) es bsicamente un medio que da soporte
mecnico a los conductores de cobre (pistas, tracks) y componentes que forman nuestro circuito.
El espesor de dichos conductores se especifica en onzas por pie cuadrado (oz/ft2). Los valores
estandarizados son 0.25oz, 0.5oz, 1oz, 2oz y 3oz. Siendo la ltima la ms gruesa. El criterio para
elegir una u otra es la corriente que circular por el circuito. Una placa de 1oz tiene pistas de
cobre de (0.035 0.002)mm de espesor (35 m, es un valor estandarizado)
Pueden ser elegidos entre los siguientes materiales: de acuerdo con la aplicacin de la placa
impresa.
a) Resinas fenlicas rgidas, con papel impregnado en ellas. (Material Rgido).
b) Polister rgido, con fibra de vidrio impregnado en l. (Material Rgido).
c) Resina epoxy, con papel impregnado en ella. (Material Rgido).
d) Resina epoxy con fibra de vidrio impregnado en ella. (Material Rgido).
e) Lmina Film de "mylar", tefln o poliamidas. (Material Flexible).
Los PCB ms baratos se realizan en papel impregnado en resina fenlica, comnmente llamado
Pertinax. Es de bajo costo y fcil mecanizado. Aquellos designados con las letras FR (Flame
Retardant) poseen retardante de llama.
Tambin tenemos el denominado FR-4, compuesto por fibra de vidrio impregnada en una resina
epxica resistente al fuego. Es ms fuerte que el anterior debido a la fibra de vidrio pero ms
difcil de mecanizar. El costo tambin es ms alto.
Para radiofrecuencia de alta potencia se utilizan plsticos con una permitividad baja tales como
Rogers 4000, Rogers Duroid, DuPont Teflon y poliestireno. Estos poseen propiedades
mecnicas ms pobres respecto a los anteriores pero es un sacrificio aceptable en vista de su
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desempeo elctrico superior.
4.2.8.- TIPO DE CONSTRUCCIN
Una capa: Diseos

relativamente sencillos y
baja performance.
Doble capa: Pistas en ambas
caras de la placa, cada
una con diferentes
patrones. Las capas
pueden estar
interconectadas.
Flexible: Material base
flexible y delgado.
Multicapa: Varias capas de
material base (stackup) entre
las cuales se encuentran las
pistas de cobre. Las capas
pueden estar interconectadas. Figura 4.2.2.
Circuito impreso N de agujeros/cm2 de superficie til
Una capa [50,150]
Dos capas [150,300]
Multicpa > 300
Figura 4.2.3a. Ejemplo de una seccin de una PCB de 2 layers (capas)

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Figura 4.2.3b. Ejemplos de Stackups de 2 capas (a),

4 capas (b) y 6 capas (c)
Los circuitos impresos ms sencillos corresponden a los que contienen caminos de cobre (tracks)
solamente por una de las superficies de la placa. A estas placas se les conoce como circuitos
impresos de una capa, o en ingls, 1 Layer PCB.
Los circuitos impresos ms comunes de hoy en da son los de 2 capas o 2 Layer PCB. Sin
embargo, dependiendo de la complejidad del diseo del fsico del circuito (o PCB layout),
pueden llegar a fabricarse hasta de 8 o ms layers.
4.2.9.- TERMINOLOGA Y DISEO
Un footprint, huella o mdulo, es la representacin grfica que se utiliza para la conexin del
componente sobre la placa de circuito impreso, suele ir acompaada de unos taladros rodeados
de cobre (denominados pads) que interconectan sus terminales y de unos dibujos (denominados
obstculos) que dan informacin al creador sobre su tamao y colocacin.
La traduccin literal de la palabra footprint es huella dactilar, por eso en algunos libros
(principalmente traducciones del ingls) se le llama huella. Aunque en otros libros se le llama
mdulo o directamente con la palabra footprint.
Veamos varios mdulos utilizados para transistores (figura 4.2.4)
ENCAPSULADOS
Los encapsulados es el componente fsicamente. Aunque existe una clara relacin con el
mdulo, se tratan de conceptos distintos. Debido a que hay una cantidad de componentes que
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presentan los mismos encapsulados, por ejemplo: transistores con distintas caractersticas
(intensidad, tensin, etc.) a la vista son iguales (excepto por la numeracin que los identifica).
Por ejemplo, en la figura 4.2.4 se muestran los mdulos para transistores y en la figura 4.2.5 se
muestran los encapsulados para transistores. Con este ejemplo el podemos ver a simple vista la
diferencia entre uno y otro trmino.
Figura 4.2.5
Para realizar el estudio del encapsulado, se puede partir del componente real y con una regla
milimetrada se toman las medidas necesarias, o se puede recurrir a las hojas de caractersticas
del componente.
Cuando se recurre a las hojas de caractersticas, se dispone de un apartado denominado Package
Dimensions, en donde se encuentran todas las medidas del componente; por ejemplo, en la
figura 4.2.6 se muestra el encapsulado de un transistor NPN de propsito general.

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Figura 4.2.6 Encapsulado bc549

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En el mercado existen, bsicamente, tres grandes familias de encapsulados:
Imagen de
Encapsulado Descripcin
ejemplo
Son todos aquellos componentes que poseen pines para

Thru-Hole ser instalados en perforaciones metalizadas (llamadas
(A travs de thru-hole pads). Este tipo de componentes se suelda por la
orificio) capa opuesta. Generalmente son montados por un solo
lado de la placa.
Son todos aquellos componentes que se montan en forma

superficial. Tienen la ventaja de que pueden montarse por
SMD/SMT
ambos lados adems de ser ms pequeos que los thru-
(montaje
hole, lo que permite hacer circuitos ms pequeos y
superficial)
densos. Son interesantes para diseos en alta frecuencia
debido a su tamao reducido.
Este tipo de encapsulado es utilizado para chips que

contienen una cantidad elevada de pines (i.e 300 a 1000).
Se requiere de maquinaria muy especializada para su
BGA instalacin ya que los pines son bolas de soldadura que
(Arreglo de deben ser fundidas para conectarse con los pads, por lo
bolas en que la alineacin es fundamental. Son ideales para
grilla)
circuitos integrados de alta frecuencia ya que la
inductancia parsita entre el "ball" y el "pad" es mnima.
Son muy comunes en placas madres de computadores,
tarjetas de video, etc.
PADS, NODOS O ISLETAS

os ads, nodos o isletas, se orresponden on la inter onexin de ada no de los pines de los
omponentes a la pla a de ir ito impreso. ependiendo de la apli a in o do menta in se
tili ar na otra denomina in.
Las isletas o pads son de diferentes tipos: cuadradas, redondas, ovaladas o para SMD. En
funcin del tipo, hay que definir sus medidas. Hay que tener en cuenta que los mdulos tienen
definido el tamao de las isletas y despus, para un diseo en cuestin, debe ser modificado.

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Por ejemplo, en la figura 4.2.7 se muestran las medidas a
utilizar en una isleta redonda definida por los dimetros
interior (dimetro d) y exterior (dimetro D). Dependiendo
de la aplicacin a utilizar, el dimetro interior se puede
definir como dimetro del taladro (dimetro d), puesto que
es el hueco necesario para la colocacin de los pines del
componente.
En la figura 4.2.8 se indican las isletas del componente

TO124. Se puede apreciar la isleta cuadrada para el pin 1
del transistor, como el pin 2 es de menor tamao, adems Figura 4.2.7 Isleta redonda
de dos isletas para los tornillos de sujecin del transistor al disipador como si fueran taladros,
que se corresponden con el pin 3 del transistor.
Figura 4.2.8a Isleta de componentes
Figura 4.2.8b Pads SMD y Thru-hole

Existen unos tipos de isletas especiales denominados: taladros de fijacin y vas:
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Taladros de fija in (pads thr -hole): se utilizan para la sujecin de la placa de circuito
impreso, situndose en la periferia unas isletas con un tamao del taladro (valor aproximado de 3
mm).
Vas (smd, montaje s perfi ial): se san para la inter onexin de pistas sit adas en distintas
capas; asimismo, se pueden utilizar para el mismo fin los pines de los componentes.
En la figura 4.2.8b se muestran cuatro componentes. La componente IC1 y R1 tienen 8 y 2 pads
SMD respectivamente, mientras que ambas componentes Q1 y PW tienen 3 pads thru-hole.
PISTAS (TRACKS)
Las pistas son las uniones de cobre que interconectan fsicamente los pines de los componentes
en la placa de circuito impreso.
En las diferentes aplicaciones se representan como lneas que interconectan las isletas o nodos.
En la figura 4.2.9 se puede ver un ejemplo (se trata de un pequeo diseo de un regulador de
fase -dimmer- para el control de luminarias).
Figura 4.2.9
Hay que comentar que el proceso de implementacin de la placa de circuito impreso es la
realizacin de las lneas negras que se pueden ver en la figura; despus, las pistas se convertirn
en lneas de cobre que servirn de unin entre los componentes que irn situados en las isletas
mediante soldadura de cobre.
As pues, en la figura 4.2.10 se muestra el resultado real de la implementacin de la placa de
circuito impreso de la figura 4.2.9 junto a la colocacin de todos los componentes. En el diseo
se ha elegido la colocacin en una estructura de aluminio para su posterior instalacin y
proteccin del circuito impreso, siendo solo visible por parte del usuario del circuito el botn del
potencimetro, adems de disponer de un interruptor externo (colocado en una caja universal
empotrada) de puesta en marcha.
Tambin se puede apreciar que se debe dejar un cierto espacio para la colocacin de los
radiadores, tal y como se puede ver en la figura, dicho espacio puede estar determinado por su
modulo.
En consecuencia, se debe tener en cuenta para la situacin de las diferentes pistas.
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Figura 4.2.10. Implementacin fsica
SOLDERMASK O MSCARA DE SOLDADO

Para montar los componentes electrnicos en los circuitos impresos se requiere de un proceso de
ensamblado, que puede ser manual o mediante maquinaria especializada. Los procesos de
ensamblado requieren la utilizacin de soldadura para poder fijar los componentes a la placa.
Para evitar que la soldadura pueda cortocircuitar accidentalmente dos tracks pertenecientes a
nodos distintos se utiliza una mscara de soldado, o soldermask en ingls. Esta mscara de
soldado es un barniz que se aplica a los circuitos impresos en la etapa de fabricacin y puede ser
de variados colores. El color que se utiliza ms frecuente es el verde seguidos del rojo y azul.
SERIGRAFA O SILKSCREEN
La serigrafa es el proceso en donde se imprime sobre la mscara de soldado informacin para
facilitar la labor del ensamblado y de posterior verificacin. Generalmente se imprime para
indicar puntos de prueba como tambin la posicin, orientacin y referencia de las componentes
que conforman el circuito. Tambin puede utilizarse para cualquier propsito que el diseador
requiera, como por ejemplo para el nombre del producto, compaa, instrucciones de
configuracin, etc. La serigrafa puede ir en ambas capas externas o caras del circuito impreso.
En ingls se conoce como silkscreen u overlay. En la figura 4.2.11 se puede apreciar la
serigrafa, que corresponde a todo lo impreso en color blanco.

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Figura 4.2.11 Expansin de la mscara de soldado (a) y

serigrafa (b)
PERFORACIONES METALIZADAS A TRAVS DE ORIFICIO ( THRU-HOLE VIAS
O FULL STACK VIAS)
Cuando se debe realizar una conexin de un componente que se encuentra en la capa superior de
la PCB con otro de la capa inferior, se utiliza una via. Una via es una perforacin metalizada (en
ingls, plated via) que permite que la conduccin elctrica no se interrumpa cuando se pasa de
una superficie a otra. En la figura 4.2.12 puede apreciarse como salen 2 tracks desde los pads de
un chip que se encuentra en la capa superior de la PCB, que luego de pasar por 2 vias, se
conectan a los pads del chip que se encuentra en la capa inferior.
Figura 4.2.12.. Dos chips en caras opuestas se conectan,

atravesando la placa con vas
En la figura 4.2.13. se muestra una vista ms detallada de una seccin de circuito impreso. Los
colores significan:
Color Leyenda Figura 4.2.13.
verde mscaras de soldado de las capas superior ( top ) e inferior ( bottom )
rojo corresponde a la capa superior ( top )
corresponde a la segunda layer que en este caso es un plano de
violeta
energa (i.e. Vcc o Gnd)
corresponde a la tercera layer que en este caso es un plano de energa
amarillo
(i.e. Vcc o Gnd)
azul corresponde a la capa inferior ( bottom )
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Este circuito impreso PCB es de 4 capas, y se puede apreciar como un track de la capa superior (
top ) atraviesa la placa donde sale un track en la capa inferior ( bottom ).
Figura 4.2.13. Track de la capa superior

atravesando la PCB y saliendo en la capa inferior
PERFORACIONES METALIZADAS CIEGAS ( BLIND VIAS )

En diseos complejos de alta densidad es necesario utilizar ms de 2 layers como hemos
mostrado en la figura 4.2.13. Generalmente en los diseos de sistemas multicapas donde hay
muchos integrados, se utilizan planos de energa (de Vcc's o de Gnd) para evitar tener que
routear muchos tracks de alimentacin. Dicho en otras palabras es ms fcil y seguro conectarse
a la alimentacin directamente bajo del chip (capa contigua a la superior) que con tracks largos
hacia el PDS (Power Delivery System).
Tambin hay veces que se debe routear un track de seal desde una capa externa a una interna
con el mnimo largo posible debido a problemas que se generan cuando se trabaja en frecuencias
altas que afectan la integridad de las seales (ms de esto en otra publicacin futura). Para esos
tipos de conexionado se utilizan vias ciegas, las cuales permiten conectar una capa externa a una
capa interna.
La via ciega comienza en una capa externa y termina en un capa interna, es por eso que se llama
ciega. Para darse cuenta si una via es ciega, puede ponerse el circuito impreso contra una fuente
de luz y ver si la luz pasa a travs de ella. En el caso de que la luz no traspase la PCB estamos
hablando de una via ciega, en caso contrario, de una via thru-hole.
En la figura 4.2.14 podemos apreciar 3 vias en este circuito impreso. Si vemos de izquierda a
derecha, la primera via que veremos es una thru-hole o fullstack. La segunda es una via que nace
en la capa superior y termina en la segunda capa, por lo que decimos que es una 1-2 blind via.
Por ltimo la tercera es una via que nace en la capa inferior y termina en la tercera, por lo tanto
es una 3-4 blind via.

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Figura 4.2.14. Comparacin de una Thru-hole via con

una Blind via
PERFORACIONES METALIZADAS ENTERRADAS U OCULTAS ( BURIED VIAS )

Estas vias son similares a las ciegas, la diferencia es que no nacen ni terminan en ninguna capa
externa o de superficie. Si vamos de izquierda a derecha, la primera es una thru-hole o fullstack
y la segunda es una 1-2 blind, al igual que en el ejemplo anterior. La tercera en este caso es una
2-3 buried via que nace en la segunda capa y termina en la tercera.
Figura 4.2.15.Comparacin de una Thru-hole via, Blind

via y Burried via
ELECCIN DEL ANCHO DE PISTAS

l an ho de las pistas depender de la orriente; por ejemplo, para una placa de recubrimiento de
35 micras acepta unos valores de corriente en funcin del ancho:
Para una intensidad de 2 amperios, se puede utilizar un ancho de pista de 0,8 milmetros.
Para una intensidad de 5 amperios, se puede utilizar un ancho de pista de 2 milmetros.
Para una intensidad de 10 amperios, se puede utilizar un ancho de pista de 4,5 milmetros.
A la vista de lo dicho anteriormente, resulta evidente que las pistas de alimentacin sern ms
gruesas, porque circula ms corriente.
A continuacin, se muestra una tabla en donde se relaciona el aumento de temperatura que se
produce en una pista, en funcin de:
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las ara tersti as de la apa de obre (denominado como recubrimiento),
la anchura de la pista y la corriente que circula.
Se muestra el aumento de temperatura para: 10, 20 y 30 grados centgrados de las pistas de
cobre.
Por ejemplo, consultando la
tabla, si se dispone de na
pla a de ir ito impreso on
re brimiento de mi ras,
las pistas tendr n na
an h ra de , milmetros
enton es al ir lar na
orriente de , amperios,
se prod ir n a mento de
temperatura en la pista de 20
grados ent rados. (Figura
4.2.16)
Tambi n se p ede re rrir a la r fi a e se m estra en la fi ra . para n re brimiento

est ndar de 35 micras, en la que teniendo en cuenta el aumento de temperatura previsible y la
corriente, se obtiene el valor del ancho de pista (indicado en el eje vertical como ancho del
conductor).
Figura 4.2.17
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es miendo y para obtener nas re las en ri as:
ara orrientes menores a miliamperios, n alor mnimo de an ho de pista de ,
milmetros. Se puede aceptar , milmetros si se tili a la t ni a de mi rofresado.
ara mayores orrientes, se p ede es o er la norma de , milmetros de an ho de pista
por ada amperio, omo alor lmite o mnimo. l nos a tores re omiendan la norma
de milmetro de n ho de pista por ada amperio para n alor est ndar de
recubrimiento de cobre de la placa de circuito impreso de 35 micras.
a an h ra mnima de las pistas de alimenta in ser de milmetros.
, NODO O ISLETA
n f n in del tama o de pista ele ido se determinar el tama o de la isleta o ad:
l tama o exterior de la isleta ser , omo mnimo, dos e es el tama o de la pista e lo
conecte.
i el tama o de la pista es de o milmetros, se es o er n tama o externo de isleta i al al
ancho de la pista que lo conecte.
os taladros e s elen tili arse son de , a , milmetros, a n e el alor depender de los
componentes.
4.2.10.- Ejemplos
Figura 4.2.18.
Los agujeros estn metalizados y proporcionan enlaces

elctricos desde el lado superior de la placa de la parte inferior
(pista).

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Figura 4.2.19.
Parte de la cara superior (componente) de una placa de circuito microcontrolador. Con

el fin de proporcionar seguridad, sobre la junta y para ayudar a la disipacin de calor,
las dos resistencias de 2,5 W (R 17 y R 18) estn montados en pequeos espaciadores
cermicos.
Figura 4.2.20.
El lado inferior (pista) de la placa de circuito microcontrolador. Las pistas ms anchas

se utilizan para la alimentacin (5 V) y tierra (0 V).

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Figura 4.2.21.
Ejemplo de un diagrama de circuito tal como aparece en la pantalla de un paquete de

diseo de PCB. El circuito se muestra aqu es un microcontrolador de un solo chip y su
fuente de alimentacin regulada de 5 V.
Figura 4.2.22. enrutado ejemplo anterior

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Consulta las figuras 4.2.21 y 4.2.22 y contestar las siguientes preguntas:
(A) Cuntos pines tiene J1?
B) Cuntos pines tiene IC1?
(C) A qu pin en J1 est conectado el pin 1 de IC1?
(D) A qu pin de IC1 est el pin-9 de J1 conectado?
(E) Qu pin de J1 est conectado al ctodo de D1?
(F) Qu pines de J1 se utilizan para la conexin a tierra comn?
(G) Qu pasador en J1 tiene el ms alto voltaje positivo?
(H) entre los cuales dos pines en J1 se puede esperar para medir la alimentacin de 5 V?
(I) Qu pines en IC1 est conectado directamente a tierra?
(J) Cul es el valor de C1?
(K) Cul es el valor de R1?
(L) Qu tipo de dispositivo es U1?
(M) Qu tipo de dispositivo es IC1?

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Aplicabilidad
B1 B2
M4.3a
SERVOMECANISMOS.
1 2 0 24/05/2014 CIPF del CE de Cheste

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Documentacin: M4.3a. Servomecanismos
Pag. Rev. Fecha Pag. Rev. Fecha Pag. Rev. Fecha Pag. Rev. Fecha

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NDICE
4.3.1 INTRODUCCIN A LOS SISTEMAS DE CONTROL. .................................................. 2

4.3.1.1. ............................................................................................................................. 3
4.3.1.2. DEFINICION DE LOS TERMINOS MS USUALES. ........................................... 8
4.3.2.1. TRANSDUCTOR............................................................................................ 12
4.3.2.2. SENSOR. ....................................................................................................... 12
4.3.2.2.1 SENSOR DE POSCION. .......................................................................... 13
4.3.2.2.2 TRANSFORMADOR DIFERENCIAL DE VARIACION LINEAL............... 15
4.3.2.2.3 TRANFORMADOR DIFERENCIAL DE VARIACION ANGULAR. .......... 19
4.3.2.2.4 TRANFORMADOR E-I. ........................................................................... 21
4.3.2.2.5 TACOMETRO.......................................................................................... 22
4.3.3. SINCROS. ................................................................................................................ 25
4.3.3.1 SISTEMA DESYNN. ........................................................................................... 25
4.3.3.2 SISTEMA MAGDESYNN. ................................................................................... 27
4.3.3.3 SINCROS DE TORSION. ................................................................................... 27
4.3.3.4 SINCROS DE VELOCIDAD. .............................................................................. 52
4.3.3.5 SINCROS DE CONTROL. .................................................................................. 57
4.3.3.6 SINCROS DE CAPACITIVO. ............................................................................. 64

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4.3. SERVOMECANISMOS.
Pgina Ed. Rev. Fecha M4.3 Servomecanismos

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4.3.1 INTRODUCCIN A LOS SISTEMAS DE CONTROL.

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4.3.1.1.

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CONCEPTOS DE LOS SISTEMAS DE CONTROL.

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PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO.
DEFINICIN DE CONCEPTOS.

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4.3.1.2. DEFINICION DE LOS TERMINOS MS USUALES.

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4.3.2. COMPONENTES Y CIRCUITOS DE UN SERVOSISTEMA.

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4.3.2.1. TRANSDUCTOR.
4.3.2.2. SENSOR.

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4.3.2.2.1 SENSOR DE POSCION.

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4.3.2.2.2 TRANSFORMADOR DIFERENCIAL DE VARIACION LINEAL.

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4.3.2.2.3 TRANFORMADOR DIFERENCIAL DE VARIACION ANGULAR.

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4.3.2.2.4 TRANFORMADOR E-I.

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4.3.2.2.5 TACOMETRO.

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4.3.3. SINCROS.
4.3.3.1 SISTEMA DESYNN.

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CIPFP del CE
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4.3.3.2 SISTEMA MAGDESYNN.
4.3.3.3 SINCROS DE TORSION.

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CIPFP del CE
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SIBOLOGIA DE LOS SINCROS.

CIPFP del CE
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MTOE-P2-B0
CONSTRUCCIN DE LOS SINCROS.

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MTOE-P2-B0
CARACTERISTICAS DE LOS SINCROS.

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CIPFP del CE
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MTOE-P2-B0
TEORA DE FUNCIONAMIENTO.

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SINCRO TRANSMISOR.

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SINCRO RECEPTOR.

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SISTEMA SINCRO DE TORSION.

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SINCRO DIFERENCIAL.

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4.3.3.4 SINCROS DE VELOCIDAD.

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4.3.3.5 SINCROS DE CONTROL.

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CIPFP del CE
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4.3.3.6 SINCROS DE CAPACITIVO.

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M4. FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA.

Recopilacin de Apuntes, preparados para:

Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.1a Pginas de Control

Documentacin: M4.1.1a. Diodos

Edicin Revisin Fecha Elaborado por: Motivo

ndice de pginas efectivas

Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.1a Pginas de Control

4.1.1a. DIODOS. .................................................................................................................... 5

Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.1a Pginas de Control

4.1.1a.1. Conductividad elctrica y estructura atmica de la materia

El ncleo, est formado por catorce protones

Estos orbitales no son ms que la representacin

El nivel energtico 0 corresponde

Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.1a Diodos

La diferencia entre dos tomos, a nivel de distribuciones energticas en bandas, estriba

Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.1a Diodos

Recordemos que el fenmeno de conduccin elctrica, no es ms que el proceso por el cual, se

4.1.1a.2. Conductores, dielctricos y semiconductores

Anteriormente, ya se estudi el fenmeno de la conduccin elctrica, tratando especialmente,

Los materiales conductores, disponan de 1 o 2 electrones en su nivel de valencia. Los

En la Fig, 1.4 se representa la distribucin energtica de las bandas de un material dielctrico.

Se observa que las bandas de conduccin y de valencia,

Sin embargo, en la fig. 1.5, podemos ver la misma

Existen en la naturaleza una serie de materiales, llamados

Los conductores presentan valores de conductividad que

Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.1a Diodos

Son materiales semiconductores, el silicio, el germanio y selenio, entre otros. Los

4.1.1a.3. Tipos de semiconductores. Semiconductores tipo p y n

4.1.1a.3.1. Tipos de semiconductores.

Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.1a Diodos

Un aporte de energa mediante calor, al sistema, produce un aumento de la vibracin atmica,

4.1.1a.3.2.- Semiconductores intrnsecos.

El germanio y el silicio tienen 4 electrones libres en su banda de valencia. El tomo de germanio

Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.1a Diodos

Fig. 1.9 Fig. 1.10

Mientras que en un conductor normal, la conductividad es debida al movimiento de electrones

Si aplicamos una ddp a un semiconductor intrnseco, se producir un movimiento de electrones

4.1.1a.3.3.- Semiconductores extrnsecos.

A la accin de aadir impurezas se denomina dopado. El material que se emplea como

Ha de poseer un n de electrones libres diferente al del material dopado. Gracias a esto, si

Dependiendo de si el semiconductor se dopa con un material u otro, obtendremos un

Por tanto, si al Si o Ge se le dopa con un material con exceso de electrones como el

4.1.1a.4.- UNIN PN EN UN SEMICONDUCTOR. DIODOS.

Los semiconductores intrnsecos (puros) no tienen aplicacin en la electrnica. Tampoco

Aunque el material ms empleado en la fabricacin de semiconductores es el silicio,

Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.1a Diodos

4.1.1a.5. Construccin de diodos.

Si bien, a nivel terico es suficiente la unin de dos regiones semiconductoras, P y N, en

Mtodo de recrecimiento: Consiste en, partiendo de un mismo cristal intrnseco, se le dopa

Mtodo de punto de contacto. Consiste el soldar un hilo conductor de material especial y

Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.1a Diodos

4.1.1a.5.1 Simbologa de los diodos.

Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.1a Diodos

4.1.1a.6. Caractersticas y propiedades de los diodos.

En el comportamiento elctrico de un diodo, se puede afirmar que cuando se encuentra

CURVAS CARACTERSTICAS DE UN DIODO.

I es la intensidad que atraviesa el diodo.

V es la tensin de polarizacin del diodo.

es el coeficiente de correccin de curva terica. Para el germanio es 1 y para el silicio es 2.

VT es la tensin equivalente de la temperatura. Su valor viene dado por la expresin:

Pgina Ed. Rev. Fecha M4.1.1a Diodos

Para 300K, VT es de 0,026 V.