Diodo pn

Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha

utilidad. Pero al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un
"Diodo de unin" o "Unin pn".

DIODO SEMICONDUCTOR

tomo trivalente con un hueco

en su orbital de valencia.

tomo pentavalente con un

electrn en su orbital de
valencia.
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Diodo pn
Al momento de unir los dos materiales, parte del
exceso de electrones del tipo n pasa al cristal del tipo p,
y parte de los huecos del tipo p pasan al cristal tipo n. Puesto que el diodo es un dispositivo de 2 terminales, la aplicacin de
Es decir que los electrones y los huecos en la regin de la un voltaje a travs de sus terminales implica una de tres posibilidades:
unin se combinarn. Dando como resultado una
carencia de portadores en la regin cercana a la unin.
Sin polarizacon aplicada (VD=0 V)
Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos Polarizacon Directa (VD > 0 V)
recibe el nombre de regin de agotamiento (W) por la
ausencia de portadores en la misma. Ion negativo Polarizacon Inversa (VD < 0 V)

Ion positivo
Cada una de estas condiciones generar una respuesta diferente de
Conforme continua la difusin, la regin de agotamiento va incrementando su anchura. operacin del diodo.
Pero esta acumulacin de iones negativos en la zona p y de iones positivos en la zona n,
crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una
fuerza que se opondr a la corriente de los electrones y terminar detenindolos. Es
decir,esta Regin tiene un campo elctrico que se comporta como una barrera que se
opone al paso de ms electrones desde la zona n hacia la zona p y de huecos desde la zona
p a la zona n.

Este campo elctrico es igual a decir que aparece una diferencia de potencial entre la
zona p y n. Esta diferencia de potencial es conocida como barrera de potencial (Vo) y
tiene un valor de:
0.7 para el Silicio
0.3 para el Germanio
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 Sin polarizacin (VD = 0 V) Polarizacin Directa (VD > 0 V)
En este caso se conecta el polo positivo al cristal p y el polo negativo
al cristal n. Esto hace que la zona de transicin se haga mucho ms
estrecha, rompiendo la barrera y permitiendo libremente el paso de la
corriente. En este caso, el diodo conduce.

En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto

de carga en cualquier direccin para un diodo semiconductor es
cero.

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Polarizacin Directa (VD > 0 V) Polarizacin Inversa (VD < 0 V)

El polo negativo de la bateria repele los electrones libres del cristal n,
con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin pn.
El polo positivo de la bateria atrae a los electrones de valencia del
cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la
unin pn.
En este caso el polo positivo se conecta al cristal n y el polo negativo
al cristal p. Esto hace que la zona de transicin se haga mucho ms
ancha, reforzando la barrera que impide el paso de la corriente. En
este caso el diodo no conduce.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la bateria es

mayor a la diferencia de potencial de la region de agotamiento, los
electrones libres del cristal n adquieren la suficiente energa para
saltar a los huecos de la unin p, los cuales se han desplazado hacia la
zona pn.

Una vez que el electrn libre salta de la zona n a la zona p

atravezando la zona de agotamiento, cae en uno de los multiples
buecos de la zona p convirtiendolo en un electrn de valencia. Una
vez ocurrido esto el electrn es atraido por el polo positivo de la
bateria y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del
cristal p, desde el cual se introduce en el conductor y llega hasta la
bateria. 7 8
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 Polarizacin Inversa (VD < 0 V)
En resumen: un diodo es tal que permite el paso de la
El polo positivo de la bateria atrae a los electrones libres del cristal corriente en un sentido (cuando tiene polarizacin directa) y
n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor en el no lo permite en el otro sentido (polarizacin inversa).
cual se desplazan y llegan a la bateria. A medida que los electrones
abandonan la zona n, los atomos pentavalentes (neutros) al quitarle
su electrn en el orbital de conduccin adquieren estabilidad y Smbolo
carga electrica neta +1, conviertiendose en iones positivos.

El polo negativo de la bateria cede electrones libres a los tomos

trivalentes del cristal p, cayendo en el hueco, as el tomo trivalente
adquiere estabilidad y una carga electrica neta -1, convirtiendose en
iones negativos. El contacto que se corresponde con el
cristal semiconductor tipo p se llama nodo
(terminal positivo) y se simboliza con un
Este proceso se repite hasta que la zona de agotamiento adquiere el pequeo tringulo.
mismo potencial que la bateria. En esta situacin el diodo no deberia
conducir, pero debido al efecto de la temperatura se formaran pares El crista semiconductor tipo n se llama
electrn hueco a ambos lados de la unin produciendo una pequea ctodo (terminal negativo) y se simboliza
corriente en el rango de A, llamada corriente de saturacin de con una pequea lnea vertical. Los diodos
polarizacin inversa (IS) vienen forrados de una cpsula de plstico
(normalmente negra) y un anillo de color
9 blanco que indica el ctodo. 10
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Curvas caractersticas Diodos

Curvas caractersticas Diodos
Cada modelo de diodo que da un fabricante tiene asociada la llamada
curva caracterstica, que mide la intensidad de corriente que
atraviesa el diodo en funcin de la tensin (Voltaje) que hay entre los
dos extremos de la misma. La curva presenta dos regiones:
La zona directa
Polarizacin directa (Tensin positiva): Se corresponde con la zona
derecha de la grfica segn el eje de tensin (V).
De entrada el diodo no empieza a conducir, pero cuando alcanza cierto
valor (de 0.3 Ge a 0.7V Si) conduce con facilidad, ofreciendo una
resistencia mnima al paso de la corriente. Esta tensin a partir de la
cual conduce el diodo en polarizacin directa se llama tensin umbral
(V). En la grfica V= 0,7 V.

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 Curvas caractersticas Diodos Curva caracterstica de Diodo de Silicio
La zona inversa
Polarizacin inversa (tensin negativa): En
este caso, ya se dijo que el diodo no deja pasar
la corriente. Se corresponde con la zona
izquierda de la grfica segn el eje de tensin
(V).
En realidad, si la tensin inversa es muy
elevada se producir el Efecto Zener o de
avalancha (el diodo si deja pasar la corriente).
Este valor de tensin se llama tensin de
ruptura (Vr). Normalmente Vr= 50 V
Asi pues, una gran corriente de ruptura
destruir el diodo. En general, los diodos no
deben trabajar en la zona de ruptura. La nica
excepcin es el diodo Zener, un diodo de
propsito especifico, que se estudiar en un
capitulo posterior.

El mximo potencial de polarizacin inversa

que puede aplicarse antes de entrar en la
regin Zener se denomina voltaje pico inverso
(o simplemente VPI nominal).
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Modelos equivalentes lineales Modelos equivalentes lineales

aproximados del diodo aproximados del diodo
Existen tres aproximaciones muy usadas para los diodos de silicio, y 1 Aproximacin (el diodo ideal)
cada una de ellas es til en ciertas condiciones:

1 Aproximacin (el diodo ideal)

La exponencial se aproxima
a una vertical y una
horizontal que pasan por el
2 Aproximacin origen de coordenadas. Este
diodo ideal no existe en la
realidad, no se puede
fabricar por eso es ideal.

3 Aproximacin

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 Modelos equivalentes lineales 1 Aproximacin (el diodo ideal)
aproximados del diodo
1 Aproximacin (el diodo ideal)
Ejemplo :

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Modelos equivalentes lineales Modelos equivalentes lineales

aproximados del diodo aproximados del diodo
2 Aproximacin 2 Aproximacin
La exponencial se aproxima a una
vertical y a una horizontal que pasan Polarizacin directa: La Polarizacin inversa:
por 0,7 V (este valor es el valor de la vertical es equivalente a Es un interruptor abierto
tensin umbral para el silicio, porque una pila de 0.7 V.
suponemos que el diodo es de silicio,
si fuera de Germanio se tomara el
valor de 0,3 V).

El tramo que hay desde 0 V y 0.7 V es

en realidad polarizacin directa,
pero como a efectos prcticos no
conduce, se toma como inversa. Con
esta segunda aproximacin el error
es menor que en la aproximacin
anterior.
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 Modelos equivalentes lineales
2 Aproximacin aproximados del diodo
Ejemplo:
3 Aproximacin

Polarizacin directa:
La curva del diodo se
aproxima a una recta que
pasa por 0.7 V y tiene una
pendiente cuyo valor es la
inversa de la resistencia
interna.

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3 Aproximacin 3 Aproximacin

El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es

Ejemplo:
cuando se analiza la polarizacin directa: Considerando la
resistencia interna
del diodo = 0.23

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Aplicacin de la 2 Aproximacin para Aplicacin de la 2 Aproximacin para
resolver configuraciones de diodos en resolver configuraciones de diodos en
serie con entrada de C.D. serie con entrada de C.D.
1.- Determinar VD, VR e ID 2.- Determinar VD, VR e ID

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Aplicacin de la 2 Aproximacin para Aplicacin de la 2 Aproximacin para

resolver configuraciones de diodos en resolver configuraciones de diodos en
serie con entrada de C.D. serie con entrada de C.D.
3.- Determinar VD, VR e ID 4.- Determinar Vo e ID

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Aplicacin de la 2 Aproximacin para Aplicacin de la 2 Aproximacin para
resolver configuraciones de diodos en resolver configuraciones de diodos en
serie con entrada de C.D. Paralelo y serie paralelo con entrada de
C.D.
5.- Determinar V1,V2, Vo e ID
1.- Determinar Vo,I1, ID1 e ID2

Este ejemplo demuestra una razn para poner dos diodos; si el valor nominal de corriente de los diodos
del ejemplo es de 20 mA, resultar daado un solo diodo, al colocar 2 en paralelo la corriente se limita a
29 14.09 mA 30
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Aplicacin de la 2 Aproximacin para Aplicacin de la 2 Aproximacin para

resolver configuraciones de diodos en resolver configuraciones de diodos en
Paralelo y serie paralelo con entrada de Paralelo y serie paralelo con entrada de
C.D. C.D.
2.- Determinar I 3.- Determinar I, I1 I2

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 Prueba de diodos
La condicin de un diodo semiconductor puede determinarse
rpidamente mediante el empleo de:
1) Multmetro digital con funcin de verificacin de diodos
2) Multmetro en su funcin de medidor de resistencias (ohmetro)
3) Un trazador de curvas
Prueba de diodos
Multmetro en funcin de verificacin de diodos
Los multmetros suelen disponer en su selector una posicin para
prueba de diodos que se puede identificar por el dibujo de un
diodo en esa posicin.
Para la comprobacin se conectan los cables del multmetro como
muestra la figura

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Prueba de diodos Prueba de diodos

Multmetro en funcin de verificacin de diodos
La prueba de diodos requiere de 2 operaciones:
medir en un sentido y en sentido opuesto
Multmetro en funcin de medidor de resistencia
(Ohmetro)
El multmetro se coloca en la posicin de medidor de resistencia en una
escala opcional (normalmente R x 100 para polarizacin directa).

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Una indicacin OL en ambos sentidos es indicativo de un diodo abierto o defectuoso. Una lectura alta en ambos sentidos es indicativo de un diodo abierto o defectuoso.