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I) Contact mtal-mtal
EF
16/12/2015 08:43 2
I) Contact Mtal-Mtal
La structure Mtal-Mtal
I.1. Introduction.
La structure Mtal-Semi-conducteur (M-SC) est le dispositif unipolaire le
plus simple. Il est la base d'un grand nombre de structures plus
complexes.
Dispositif unipolaire : un seul type de porteurs (lectrons ou trous)
participe de faon importante la conduction du courant et dtermine les
conditions de fonctionnement du dispositif.
Souvent l'application d'une tension sur une structure MS produit une
caractristique I(V) non symtrique, la structure se comporte comme un
redresseur : c'est une diode SCHOTTKY.
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Certaines structures M-SC peuvent prsenter des caractristiques
I(V) trs symtriques, ce sont alors des contacts ohmiques.
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I.2 Effets de surface.
I. 2.1 Travail de sortie.
Dans le mtal, l'lectron de conduction est soumis un ensemble de
forces d'interaction dont la rsultante est nulle, il peut se dplacer
librement.
EF
Dans les semi-conducteurs et les isolants, le travail de sortie qFs est dfini de la mme manire.
Cependant pour les semi-conducteurs, la position du niveau de FERMI dpend du dopage
et qFs nest pas une constante physique du matriau.
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I. 2.2. Structure Mtal-Mtal.
Avant contact
Energie Energie
Mtal 1 Mtal 2
Niveau du vide Evide0 Niveau du vide Evide=0
qFm1 qFm2
EF
EF2
Mtal 1 Mtal 2
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Aprs contact
Energie Energie
Mtal 1 Mtal 2
Niveau du vide Evide=0 Niveau du vide Evide=0
qFm1 qFm2
e-
EF1
EF
EF2
Mtal 1 Mtal 2
++ --
++ --
++ --
++ --
E : Champ de contact
Potentiel de contact 9
Les lectrons du mtal 1 vont diffuser vers le mtal 2 o ils
trouvent des niveaux dnergie plus bas, quils peuvent
occuper.
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II) Contact Mtal-Semi-conducteur
- Contact ohmique
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II.1 Affinit lectronique
Le travail de sortie dans les semi-conducteurs et les isolants, qFs , est dfini
de la mme manire que dans les conducteurs.
Or dans les semi-conducteurs, la position du niveau de FERMI dpend du dopage
et donc qFs nest pas une constante physique du matriau.
On choisira alors laffinit lectronique (electron affinity) comme l'nergie qu'il faut fournir
un lectron situ dans la bas de la bande de condcution BC pour l'amener
au niveau du vide.
Cest une constante physique du semi-conducteur.
qcs = Evide Ec
Energie
Semi-conducteur
Niveau du vide Evide=0
qFs q cs
Ec
EF
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Affinit lectronique
des semi-conducteurs les plus utiliss
Si Ge GaP GaAs GaSb SiO2
cs (eV) 4.01 4.13 4.3 4.07 4.06 1.1
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II. 2 Le contact Mtal-Semiconducteur.
Comme tout contact entre deux matriaux diffrents, le contact dun mtal
avec un semi-conducteur, est conditionn par la diffrence relative
entre le travail de sortie du mtal qFm et celui du semi-conducteur qFs
(de type N ou P).
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II.2.1. Cas o qFm = qFs
Avant contact Aprs contact
Energie Energie Energie
Mtal Semi-conducteur
Niveau du vide NV : Evide=0 NV Evide=0
Mtal
Mtal Sc (N) Mtal
Mtal Sc (N)
qFm qFs q cs
Ec
qFb EFs (N)
EFm
Mtal
Mtal Sc (N)
Les niveaux de Fermi du mtal EFm et du semi-conducteur EFs (N) sont gaux
mme avant contact. Aprs contact, lquilibre de la structure est atteint
lorsque les niveaux de Fermi sgalisent aprs change de charges.
Or ces niveaux sont dj gaux avant contact.
Conclusion: Rien ne se passe (aucun change de particules)
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Comme il ny a pas dchange dlectrons, la densit des lectrons dans la
bande de conduction du semi-conducteur reste constante de mme
pourcelle des trous dans la bande de valence.
Ces bandes ne subissent aucune courbure, elles restent plates.
C'est ce que l'on appelle le rgime de bandes plates ( flat-band).
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II.2.2. Cas o q Fm > q Fs
Energie Energie
Energie
Semi-conducteur NV Evide=0
Mtal
qFs q cs qFs q cs
qFm Ec
qFm Ec
EFs (N)
EFs (N)
EFm EFm
Mtal
Mtal Sc (N)
Mtal
Mtal Sc (N)
Energie
NV Evide=0 Le surplus d'lectrons du ct
qVb mtal se concentre sur une zone
trs mince (quelques Angstrms)
qFm qFs q cs car la densit d'tats d'nergie
qFb Ec disponibles dans le mtal Nm est
EFs (N) de l'ordre de 1022 cm-3, trs grande
EFm par rapport ND dans le semi-
conducteur
+++
Mtal
Mtal +++
+++
Sc (N)
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A lquilibre, la hauteur de la barrire qui s'oppose au passage des lectrons du
mtal---> semi-conducteur est :
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II.2.3. Cas o q Fm < q Fs
qFs q cs qFs q cs
qFm qFm
EFm Ec
EFm Ec
EFs (N)
EFs (N)
Mtal
Mtal Sc (N) Mtal
Mtal Sc (N)
qVb
qFs q cs
qFm
Ec
+ _
_
Mtal
Mtal
+
+ _
_
Sc (N)
+
+ _
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Dans le cas d'un contact mtal-semi-conducteur de type "P",
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III. La diode SCHOTTKY.
La diode SCHOTTKY exploite l'effet redresseur que peut prsenter une structure M-SC.
Les premires diodes l'tat solide (diodes des postes galne) taient de
ce type et furent dcouvertes par F. BRAUN en 1874.
La barrire Mtal-Semiconducteur
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Considrons une structure M-SC 'N' avec qFm > qFs .Nous avons vu que :
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la prsence de la zone de la ZCE gnre une capacit statique :
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Passage des lectrons l'interface mtal-vide: effet thermolectronique:
On dmontre que le courant d'mission I0 d'une cathode mtallique
(travail de sortie qFm ), situ dans le vide, de surface S, porte la
temprature T est donn par la relation de RICHARDSON et DUSHMANN :
avec :
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Courant dmission du mtal vers un
Matriau semi-conducteur
avec R* = R(mn/m0).
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Pour cela on tient compte que l'lectron pour quitter le mtal doit franchir
une barrire qFb (au lieu de qFm ) et il se retrouve dans le semi-conducteur
masse effective mn au lieu de m0 : masse dans le vide).
La structure n'tant pas polarise, elle n'est traverse par aucun courant,
donc le courant d'mission du mtal ---> SC est compens par
un courant de diffusion du SC ---> mtal engendr par les lectrons
de la BC qui ont russi franchir la barrire de potentiel (qVb) cre par la ZCE.
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III.2. La diode SCHOTTKY polarise en direct
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Dans ces conditions :
- la hauteur de barrire Mtal vers le semi-conducteur reste la
mme : qFb
- l'nergie de la barrire de potentiel semi-conducteur vers le
mtal devient :
qV'b = qVb - qVj
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I0 exp(qVj/kBT) >> I0 car Vj >0.
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Une analyse plus dtaille met en vidence l'existence d'un courant d
la diffusion des trous du semi-conducteur vers le mtal :
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L'ordre de grandeur entre la quantit de trous (porteurs minoritaires)
et la quantit d'lectrons (porteurs majoritaires) entrane que
ce courant est ngligeable.
avec n : facteur d'idalit 1< n <2 (la diode est idale quand n = 1).
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III.3. La diode SCHOTTKY polarise en inverse.
On porte le mtal un potentiel infrieur celui du semi-conducteur (Vj < 0) :
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Dans ces conditions :
la hauteur de barrire Mtal--> SC reste la mme : qFb
l'nergie de la barrire de potentiel SC---> mtal devient :
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Le courant d'mission d'lectrons du mtal vers le semi-conducteur est
toujours prsent, par contre la barrire de potentiel qV"b tant nettement
plus importante, le courant de diffusion des lectrons du semi-conducteur
vers le mtal compltement disparu.
Il en rsulte un courant inverse traversant la barrire gal I0.
avec :
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Pour des tensions inverses trs grandes (Vj trs ngative), le
champ lectrique l'interface mtal-SC devient suffisant
pour provoquer un phnomne d'avalanche. La
caractristique I(V) prsente une brusque augmentation du
courant inverse exactement comme dans la jonction PN.
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III.4. Comparaison diode SCHOTTKY et diode PN.
le courant inverse est plus sensible la tension inverse dans la barrire M-SC.
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(pratiquement Rs la rsistance srie << r).
En ralisant des composants de petites tailles dans des matriaux
de haute mobilit (GaAs), des frquences de fonctionnement de
l'ordre de 100 GHz sont possibles.
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III.5. Applications des diodes SCHOTTKY.
Dtecteurs mlangeurs.
Utilisation de la partie non linaire de la caractristique I(V). A partir de :
Cette grandeur crot avec le courant statique jusqu' ce que les effets de
rsistance srie interviennent.
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IV. Le contact ohmique.
R = Rc/S
Rc = rsistance spcifique du contact (W. cm2 )
(contact resistance) ; S = surface du contact.
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Un contact ohmique sur un SC'N' est thoriquement ralisable avec un mtal
de travail de sortie infrieur celui du semi-conducteur. Malheureusement
cette situation idale est rarement ralise.
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Caractristique I(V) d'un contact ohmique.
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V. Conclusions
nous avons vu apparatre dans la structure Mtal-Semiconducteur
les notions suivantes :
Transistor SCHOTTKY
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