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ISET Nabeul

FICHE MATIERE

Unit denseignement : Electronique 1

ECUE n 1 : Electronique Gnrale

Chapitre 1
La Diode Jonction

Nombre dheures/chapitre : 4h
Cours intgr
Systme dvaluation : Continu

OBJECTIFS DE LENSEIGNEMENT :
- Connatre les composants lmentaires de llectronique et leurs applications dans les
fonctions de base

CONTENU THEORIQUE :
Dans se chapitre on sintresse la base de fabrication et de fonctionnement dune diode
jonction tout en caractrisant sa rponse pour diffrent mthode de polarisation.

De plus en dtermines ses caractristiques lectrique de point de vu courant tension ou bien


dynamique de point de vu rsistance interne.

En fin en dtaille ses schmas quivalent tout en improuvant tout a avec des applications
explicatifs.

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Chapitre 1

La Diode Jonction

1. Introduction :
Une diode est un diple passif non linaire, polaris dont le fonctionnement macroscopique est
assimilable celui dun interrupteur command qui ne laisse passer le courant que dans un seul
sens.

anode cathode
anode cathode
ID
VAK
VAK

Figure I-1

2. La jonction PN :
Une jonction est la limite de sparation entre un semiconducteur de type N et un
semiconducteur de type P.

2.2. Jonction PN non polarise :


Au voisinage de la jonction, les lectrons libres (porteurs majoritaires) de la zone N
franchissent la jonction et diffusent vers les trous (porteurs majoritaires) de la zone P laissant en
place des ions fixes (positif ct N, ngatif ct P).

Cette diffusion des lectrons et des trous donne naissance un courant de majoritaires IM
appel courant de diffusion. Ce phnomne va sarrter quand un champ lectrique Ed, cre par
les ions fixes sera suffisant pour sopposer au mouvement des porteurs majoritaires. Il apparat,
alors, entre les semiconducteurs de type N et de type P, une diffrence de potentiel V0, appele
barrire de potentiel.

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Celle-ci maintient les porteurs majoritaires dans leurs zones respectives, sauf pour ceux qui
possdent une nergie W0=eV0 ncessaire pour franchir la barrire. Le courant d ces porteurs
est de la forme :
eV0
I M = I 0 exp ( )
KT

Ions fixes Electrons


Minoritaires

Trous
minoritaires
+ _ Trous
... . . + _ majoritaires
+
Electrons
majoritaires . . . . +
_
_
..
+ _
.. + _
Ed ..
...
N P
Zone de
transition
V0

Figure I-2 Equilibre au niveau de la jonction

e : la charge de llectron = - 1.6 10-19 C


K : constante de Boltzmann = 1.38 10 -23 J/K
T : temprature absolue, en K
V0 : barrire de potentiel

Par contre, cette barrire de potentiel va favoriser le passage des porteurs minoritaires (les
lectrons cte P, les trous ct N) conduisant un courant Is trs faible, appel courant de
saturation Is. Ce courant ne dpend que du nombre des porteurs minoritaires se trouvant au
voisinage de la jonction et indpendant de V0.

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Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des minoritaires)
squilibrent et leur somme est nulle en rgime permanent et en absence de champ lectrique
extrieur.

I M - Is = 0
Et le courant de saturation scrit alors :

eV 0
I s = I 0 exp ( )
KT
2.4. Polarisation directe :
Supposons que le potentiel du semiconducteur de type N restant constant, on relve, laide
dune source dnergie externe, le potentiel du semiconducteur de type P, la barrire de potentiel
passe, alors, de V0 V0 - VD.

Le courant d aux porteurs majoritaires devient :


e(V0 VD ) eV eV eV
I 0 exp ( ) = I 0 exp ( 0 ) exp( D ) = I s exp ( D )
KT KT KT KT
En tenant compte du courant inverse (courant des minoritaires) il circule dans la diode (de P
vers N) un courant appel courant direct :
eVD eV
I D = I s [exp ( ) - 1] I s exp ( D )
KT KT

ID +
VD

IM J Im

A K

P N
V0

Figure I-3

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2.5. Polarisation inverse :


Si on branche le gnrateur dans le sens inverse du cas prcdant, on renforce le champ
lectrique interne, et on empche le passage des porteurs majoritaires : les lectrons libres sont
repousss dans la zone N et les trous dans la zone P ; on assure la sparation des charges (zone de
dpltion ou de transition). La barrire de potentiel stablit V0+VD. Il circule dans la diode (de
N vers P) un courant Ii appel courant inverse qui est d aux porteurs minoritaires.

eVD
I i = I s [1 - exp (- )] I s
KT

+
Ii
VD

K
A

P N
V0

Figure I-4

2.4. Effet de la temprature :


Pour VD positif, la diode un coefficient de temprature ngatif gal -2mV/K. Pour VD
ngatif, le courant de saturation Is varie trs rapidement avec la temprature. IL est plus important
pour le germanium que pour le silicium, et crot plus vite, ce qui devient rapidement gnant. Dans
le silicium, ce courant double tous les 6C.

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3. Caractristiques lectriques :
3.1. Caractristique courant / tension :
On a vu prcdemment que le courant tait ngligeable pour une tension VD= VP -VN ngative
(ceci est vrai jusqu une tension VC dite tension de claquage). Au-dessus dun certain seuil V0, le
courant direct croit trs rapidement avec VD.

Le seuil V0 (barrire de potentiel) dpend du semiconducteur intrinsque de base utilis. Il est


denviron 0.2 V pour le germanium et 0.6 V pour le silicium. La caractristique est reprsente
la figure I-5.
VD KT
Caractristique directe (VD > 0) I D = I M = I s [exp ( )] avec VT =
VT e

e 1.59.10 19
pour t = 27 C, T = 300 K, = 39 soit, VT 26 mV
KT 1.38.10 23 x 300

Caractristique inverse (VD < 0). Phnomne de claquage : ID = -IS


Quand la tension applique dpasse la valeur spcifie par le fabricant, le courant dcrot trs
rapidement. Sil nest pas limit par des lments externes, il y a destruction rapide de la diode.

Figure I-5
3.2. Rsistance diffrentielle (ou dynamique) :
La rsistance dynamique tant linverse de la pente en un point de fonctionnement de la
caractristique. Cest la rsistance dynamique au point de fonctionnement (Vd, Id). Elle est
fonction du courant de polarisation Id au point tudi.

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La figure I-6 donne la valeur de rd en fonction de la tension de la diode : les variations sont
trs importantes :

Figure I-6

On peut la dduire par drivation de la relation suivante :

e VD 1 di e e VD dv KT 1 e VD
i = Is [exp ( ) -1] ; = = Is exp ( ) . Donc r = = exp (- )
KT r dv KT KT di e Is KT
4 Schma quivalent :
Plusieurs schmas quivalents simplifis sont proposs pour la reprsentation de la diode.

4.1. Diode idale :


Dans ce cas, on nglige la tension de seuil et la rsistance interne de la diode. La
caractristique est alors celle de la figure I-7.

anode cathode
i v = 0 si i > 0

V V
i = 0 si v < 0

Figure I-7

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4.2. Diode avec seuil :


On peut continuer ngliger la rsistance interne, mais tenir compte du seuil de la diode. La
caractristique devient :

i
V0
i
V
V V0

Figure I-8

Ce schma est le plus utilis pour les calculs :


* Si la diode est polarise en directe : v = V0
* Si la diode est polarise en inverse (v < V0) : i = 0.

4.3. Diode avec seuil et rsistance :


Ici, on prend en compte de la rsistance de la diode. Ceci peut tre utile si on utilise la diode
en petits signaux alternatifs et quon a besoin de sa rsistance dynamique.

i
V0
i
V0 V
V

Figure I-9

Remarque : Dans ce cas, on considre que la rsistance dynamique est constante. Ce qui nest
vrai que si la variation du signal alternatif est trs petite autour du point de polarisation en
continu.

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5. Point de fonctionnement :
Considrons le circuit de la figure I-10. La caractristique I = f(V) dune diode relle tant non
linaire, le point de fonctionnement peut tre dtermin graphiquement. En traant sur un mme
graphique la droite de charge statique dfinit par lquation :

EV
I=
R

Le point de fonctionnement de la diode, dfinit par (IM, VM) est lintersection des deux courbes
(figure I-11)

Figure I-10 Figure I-11

Si la caractristique de la diode est linaire, le point de fonctionnement peut tre dtermin


analytiquement. Les coordonnes du point de fonctionnement (VM, IM) seront dtermines, dans
ce cas, comme suit :
Dune part on a VM = V0 + r IM (caractristique de la diode) et dautre part VM = E - R IM
(loi des mailles), do :

E V0 E.r + V0 R
IM = et VM =
R+r R+r
6. Application :

Soit le circuit diode suivant : Figure I-12.


Avec I s = 10 11 A , e = 1.6 *10 19 C , K = 1.38 *10 23 K et T = 179C

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Figure I-12

On veut imposer un courant I0 = 1 mA partir dune source U0 = 2 V.

1/En utilisant le modle exponentiel de la diode, calculez

a) la chute de tension aux bornes de la diode

b) la rsistance R ncessaire pour imposer le courant I0

c) la rsistance dynamique de la diode au point de fonctionnement

2/ En utilisant le modle simplifi de la diode (UD = Uj = 0.7 V), calculez le courant I0 en


prenant la mme rsistance que celle trouve prcdemment.
Corrig :

eU D eU
1/ a) De l'quation de la diode I = I s (exp( ) 1) I s exp( D ) on obtient
KT KT

KT I
UD = Ln( D ) do UD = 0.72 V
e Is

b) Comme UD = U0 - RI0, on obtient pour R :

KT I
U0 Ln( D )
U0 UD e Is
R= =
I0 I0

R = 1.28 k

KT
c) Rsistance dynamique : rd = ; rd = 39
eI 0

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1.2 Avec le modle simplifi de la diode, Ud = 0.7V

=> I0 = = 1.016 mA.

soit une diffrence de 1.6% au rsultat donn par le modle exponentiel.

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