09 Chapitre 2

Chapitre 2
Technologie de fabrication des dispositifs SiC
Technologie de
fabrication 2
Dans le chapitre 1, nous avons vu diffrents composants base de semi-

conducteur avec des structures plus ou moins complexes. Pour raliser ces
composants, il faut mettre en place une technologie de fabrication. Le
silicium est un semi-conducteur qui dispose dune technologie mature. Le SiC
nen est qu ses dbuts puisque, les premiers composants commerciaux ne
viennent de voir le jour que rcemment. Dans beaucoup de ralisations de
dmonstrateurs, outre la qualit du substrat les performances sont
directement lies la technologie de fabrication.
La fabrication des composants de puissance en carbure de silicium
ncessite au moins six tapes technologiques de base :
Chimie : nettoyage des chantillons afin dliminer toutes
particules de contamination possible mais galement pour la
gravure de mtaux ou doxyde.
Photolithographie : tape technologique qui permet de mettre en
place les motifs des structures.
Oxydation : formation de la couche de passivation primaire dans
notre cas.
Implantation ionique : dopage localis pour la formation des
anodes, cathodes ou JTEs.
Gravure plasma : mise en place des motifs dalignement, de la
protection priphrique mesa, rafrachissement de la surface,
Mtallisation : contacter le semi-conducteur afin de connecter le
composant un circuit lectrique.
INSA Lyon Laboratoire Ampre / Institut Saint-Louis 51

Optimisation des tapes technologiques pour la fabrication
des composants de puissance en SiC
Suivant la structure raliser, les tapes technologiques diffrent. Au

CEGELY, une quipe travaille depuis 10 ans sur la ralisation de dispositifs de
puissance. Une tape clef a t tudie amplement, le dopage localis par
implantation ionique avec le recuit post-implantation pour activer les
dopants et recristalliser la structure [Laza 02]. Une thse a t entirement
consacre ltude de la gravure sche du SiC avec un racteur plasma DECR
(Distributed Electron Cyclotronic Resonance) [Lano 97] en vue de la
ralisation notamment de la protection priphrique mesa ou encore de
MOSFET en tranche appel UMOSFET. Mais depuis, ce racteur nous est
inaccessible et il a fallu se tourner vers un racteur RIE plus classique pour
raliser nos structures. Pour cela, le procd a t optimis par le choix dun
masque de gravure trs slectif et dune configuration du racteur pour
atteindre une vitesse de gravure respectable afin de pouvoir graver
profondment. Les morphologies de la surface et des flancs de gravure sont
galement analyses et le process a t optimis en consquence.
Lautre tape technologique clef tudie dans cette thse est la
mtallisation afin de permettre le contact du semi-conducteur pour injecter
des porteurs dans le matriau. Il est connu que la formation de contact
ohmique est difficile dans les semi-conducteurs grand gap notamment
concernant le type P. Le SiC ne fait pas exception la rgle. Si la ralisation
de contact sur le type N du SiC est relativement aise puisque beaucoup de
publications font tat dune mtallisation base de Ni permettant davoir une
rsistance spcifique trs faible (10-5 .cm2) [Gao 00][Han 02][Ferr 05], la
formation du contact ohmique sur le type P est plus problmatique [Crof 02].
La difficult rside dans le fait que le niveau de la bande de valence est
relativement lev par rapport au vide. Et aucun mtal ne possde un travail
de sortie proche de cette valeur. Des alliages sont donc ncessaires afin de
pouvoir raliser un contact de qualit sur le SiC de type P.
Dans ce chapitre, nous allons dans un premier temps passer en revue les
principales tapes technologiques pour la fabrication des composants de
puissance en SiC. Puis une tude plus approfondie de la gravure profonde
plasma du SiC avec un racteur RIE (Reactive Ion Etching) pour la mise en
place de la protection priphrique mesa est traite. Ensuite, la dernire
partie sera consacre la ralisation des contacts ohmiques et plus
spcialement sur le SiC de type P.
52 Heu VANG / thse en gnie Electrique

Chapitre 2
1. Chimie
Dans le cadre de ce travail, les tapes de traitement chimique sont trs
prsentes. Dune part le nettoyage est utilis avant tout procd appliqu sur
un chantillon mais galement pour toute prparation de surface entre deux
tapes technologiques. Lautre activit de la chimie est la gravure ou
llimination des mtaux. Cette tape est utilise pour graver slectivement
un masque mtallique ou un contact, mais aussi pour retirer ces mmes
masques mtalliques en fin de procd.
Dans les paragraphes suivants, les diffrentes solutions chimiques utilises
dans nos travaux sont dcrites.
1.1. Nettoyage
Le nettoyage des chantillons est une tape essentielle pour avoir une
bonne qualit de surface, notamment pour loxydation pour avoir une bonne
interface. Il en est de mme pour les contacts ohmiques et redresseurs.
Llimination de graisse et de particules organiques se fait par un
nettoyage base de solvants standard. Un premier bain de trichlorthylne
permet de dgraisser les chantillons et denlever toutes traces dhuile. Si
celui-ci est chauff, son action sera encore plus efficace. Ensuite, dans
lactone sans schage ni rinage, ce solvant permet denlever les particules
organiques notamment les rsines. Enfin, dans lthanol ou propanol, ce
dernier bain permet de retirer lactone et denlever des traces lors du
schage.
Pour les nettoyages agressifs permettant dliminer les particules de
mtaux ou autres, les solutions les plus courantes sont le piranha (ou caro )
ou le RCA. La solution piranha est compose dacide sulfurique et deau
oxygne. Le mlange est ractionnel et exothermique. Le nettoyage RCA est
compos de deux solutions, lune basique et lautre acide. La solution basique
base dammoniaque permet de retirer toutes traces organiques et des
mtaux lgers. Et la solution acide base dacide chlorhydrique limine les
mtaux lourds.
Un substrat SiC prsente toujours un oxyde natif. Llimination du SiO2 se
fait par lacide fluorhydrique dilu leau d-ionis. Des solutions
commerciales Buffer Oxide Etch (BOE) peuvent effectuer le mme rle.
1.2. Gravure des mtaux

La gravure des mtaux peut tre slective ou non, pour la ralisation dun
masque dimplantation ou de gravure, ou tout simplement effectuer une
limination complte. Aprs chaque bain, un rinage est ncessaire.

Llimination de laluminium se fait avec une solution commerciale dite

Al Etchant , ou alors avec un mlange base dacide phosphorique, acide
actique et acide nitrique.
Pour le nickel, la gravure chimique slective est trs mauvaise puisquelle
est isotrope. Nous avons utilis tout simplement une solution commerciale
dite Ni Etchant . Mais, on peut galement retirer (liminer) le nickel avec
la solution commerciale Al Etchant. Ce qui est le cas notamment pour le
nickel ayant servi de masque de gravure qui ne peut tre dissout avec le Ni
Etchant. On peut aussi recourir lutilisation du perchlorure de fer suivi
dune solution piranha pour retirer le masque de gravure.
Concernant le titane, il est possible de lenlever avec le BOE ou lacide
fluorhydrique.
2. Optimisation de la photolithographie
La lithographie est ltape technologique ncessaire pour transfrer des
motifs. Les motifs sont prsents sur un masque. Le transfert se fait sur de la
rsine photosensible tale sur la surface o on veut imprimer les motifs. Par
insolation, la rsine expose ragit et sa structure change. Il est alors possible
denlever slectivement soit les parties exposes, soit les parties protges.
Plusieurs rsines photosensibles sont prsentes sur le march. Parmi elles
on trouve les rsines positives (dont les parties exposes aux ultraviolets (UV)
seront enleves) et les rsines ngatives (dont les parties exposes restent
aprs le dveloppement). La lithographie ngative est surtout utilise pour
mettre en place un procd de lift-off puisque les flancs de la rsine
prsentent un angle ngatif (Figure 1). Dautres rsines permettant les deux
types de lithographie sont dites rversibles. Celle que nous utilisons est la
AZ5214E [MiCh 06]. Le procd dinversion ncessite une tape de recuit
supplmentaire et une insolation pleine plaque. Ces rsines standard ont
gnralement une paisseur de lordre du micromtre (1,2 m pour
lAZ5214E).

Chapitre 2
Rsine
Semi-conducteur
Figure 1. Photographie MEB dune rsine avec une lithographie ngative.
Il existe aussi des rsines dites paisses avec des paisseurs allant de 1 m
quelques dizaines de micromtres. Etant donn que nos besoins pour raliser
les diffrents dispositifs sont multiples, la rsine utilise sera diffrente selon
le procd.
Lutilisation dune rsine rversible est le choix le mieux adapt pour des
lithographies sur les chantillons plans. De cette manire, on a la flexibilit
pour effectuer soit une lithographie positive ou ngative. Alors que pour les
chantillons prsentant des surfaces trs accidentes avec une hauteur de
marche suprieure 1 m (mesas), les rsines ne permettent pas de recouvrir
les flancs. Et lutilisation des rsines paisses est ncessaire dans ce cas l.
Pour des mesas de lordre de 5 m qui est notre cas, des rsines de 4 m sont
utilises avec notamment la SPR 220 4.5 [Ship 06] pour une lithographie
positive. Et dans le cas dune lithographie ngative notamment pour un
procd lift-off, la TI35ES [MiCh 06] est la rsine employe. Bien que son
paisseur standard soit de 2,5 m, en jouant sur la vitesse de rotation lors du
dpt ( spinner ), il est alors possible datteindre des paisseurs plus
importantes de lordre de 3 4 m.
Figure 2. Photographie de lithographie avec une rsine paisse (TI35ES) sur une structure
mesa de 5 m.
Lautre avantage des rsines paisses est la possibilit de les utiliser comme
masque de gravure. Bien que la rsine possde une slectivit trs faible vis-
-vis du SiC (chapitre 2), une gravure peu profonde (< 1 m) est ralisable

avec une rsine de 4 m dpaisseur. De cette manire, on peut utiliser cette

option pour la gravure des motifs dalignement et on vite ainsi de recourir
un masque de mtal qui entranerait un temps de process plus long.
Le procd lift-off est trs utilis pour le dpt de couche sur des zones
dtermines. Il est trs simple dimplmentation et permet dviter une
gravure chimique. Le procd se repose sur lutilisation de la lithographie
ngative qui prsente un angle ngatif (Figure 2 et Figure 3-1). Ensuite, un
dpt est effectu sur toute la surface de lchantillon (Figure 3-2). La couche
est dpose tantt sur la rsine tantt sur la surface du substrat non protge
par la rsine. Lpaisseur de la couche dpose ne doit pas dpasser la moiti
de celle de la rsine. Il y a alors une marche qui se forme entre les deux
niveaux de la nouvelle couche. Ainsi, avec une attaque chimique dactone
(Figure 3-3), il est possible dliminer la rsine par lespace entre les deux
niveaux. De cette manire la couche qui se trouvait sur la rsine est retire
alors que celle sur le substrat reste (Figure 3-4). Bien entendu, ladhrence
entre la couche dpose et le substrat doit tre consquente pour ne pas
retirer la couche pendant le retrait de la rsine.
Substrat Substrat
1) Lithographie ngative 2) Dpt Rsine

Mtal
Substrat Substrat
3) Bain actone ou stripper 4) Rsultat
Figure 3. Process lift-off.
Ce procd permet dobtenir une meilleure rsolution des motifs puisque

le process inhibe toute surgravure souvent constate avec une attaque
chimique. Le procd prsente encore davantage de souplesse lorsquil sagit
de plusieurs couches dposes puisquil ne sera pas ncessaire dutiliser
plusieurs attaques chimiques pour dfinir les motifs. De plus il vite des
nettoyages base de solution acide la surface du semiconducteur.

Chapitre 2
3. Etat de lart de lpitaxie SiC

Dans la filire SiC, lpitaxie est une technique indispensable pour la
ralisation de composants de puissance qui ncessitent une couche paisse de
drift pour atteindre des tenues en tension leves. En effet, il ny a
actuellement pas de substrat suffisamment peu dop sur le march et il est
impossible de doper par diffusion pour obtenir une couche dope profonde.
Pour les composants SiC, lpitaxie est donc ncessaire pour mettre en place
une couche de drift .
Plusieurs techniques de croissance sont possibles. Cependant, lpitaxie par
jet molculaire (MBE) qui est trs utilise pour les matriaux III-V savre
peu efficace pour le SiC. Les vitesses de croissance sont trs lentes (de lordre
de 50 nm/h [Fiss 01]). Une autre technique dite pitaxie en phase liquide
(LPE) [Fili 05] permet galement la croissance mais la ralisation de couches
peu dopes savre dlicate. Lavantage de cette technique est la possibilit de
boucher les micropores apparaissant sur les substrats SiC. En revanche la
morphologie de la couche obtenue est trs rugueuse. Enfin, la technique de
croissance de couche pitaxiale sur un wafer SiC la plus gnralement utilise
est le dpt chimique en phase vapeur (CVD) [Henr 06]. La temprature de
dpt est trs leve et se trouve dans la plage 1550C 1800C.
La croissance par CVD se fait gnralement dans un four inductif
horizontal (Figure 4). Il existe plusieurs technologies de four avec parois
froides ou chaudes. Les prcurseurs les plus courants sont le silane (SiH4)
pour lapport datomes de silicium et le propane (C3H8) ou lthylne (C2H4)
pour les atomes de carbone. Le contrle du type de dopage dans la couche
SiC pitaxie se fait par lajout dimpurets dopantes sous forme de gaz, dans
le racteur pendant la croissance. Pour raliser une couche de type N,
lapport est lazote avec le prcurseur diazote (N2) alors que pour une couche
de type P cest le trimthylaluminium Al(C2H5)3. Le niveau dincorporation
des impurets est contrl par le rapport Si/C. Le niveau de dopage rsiduel
est denviron 1012-1013 cm-3 et la concentration contrle est de 1014 1019 cm-
3. La vitesse de dpt est de lordre de 6-8 m/h. Dernirement, des
recherches ont port sur lintroduction dun prcurseur chlorhydrique (HCl)

qui permet alors de porter la vitesse de croissance plus de 100 m/h [Lavi
06]. La qualit de ces couches est proche de celle des pitaxies fabriques avec
le procd standard.

Figure 4. Schma dun four CVD horizontal pour la croissance de couche pitaxie SiC.
4. Oxydation
Ltape doxydation thermique est une tape technologique ncessaire
dans les dispositifs MOSFET pour la raliser de loxyde de la grille. En effet,
un oxyde thermique natif permet gnralement dobtenir une meilleure
qualit de linterface SiC/SiO2 quun dpt doxyde. Ici, nous tudions
loxydation thermique du SiC pour la formation dun oxyde fin qui sera
utilis comme passivation primaire. De cette manire, il est alors possible
doptimiser les densits dtats dinterfaces pour passiver la surface du
composant.
Dans cette partie, une prsentation globale de ltat de lart de la formation
dun oxyde sur le SiC et de loptimisation de la qualit de linterface SiC/SiO2
est faite. Dans un deuxime temps, notre procd dvelopp sera prsent
avec ses rsultats pour notre utilisation de loxydation pour passiver la surface
de nos composants de puissance.
Comme il a t prsent dans le chapitre I au paragraphe 4.4 travers la
ralisation de composants avec grille isole, linterface SiC/SiO2 est une des
faiblesses de la filire SiC notamment pour la ralisation de composant de
type MOSFET. Le principal problme est la qualit de linterface qui prsente
une importante densit de dfauts [Sch 99]. Ces tats dinterface limitent
notamment la mobilit des porteurs dans le canal des MOSFET ce qui
engendre une importante rsistance ltat passant et une chute de tension
leve aux bornes du composant.
Au dpart, la faible mobilit des porteurs dans le canal tait
essentiellement attribue la densit importante des tats dinterface. Les
progrs technologiques ont permis de rduire considrablement ces
imperfections, alors que la mobilit des porteurs dans le canal naugmente

Chapitre 2
que trs peu. Dautres recherches ont permis de dterminer que la principale
raison de cette faible mobilit tait due la prsence dune forte densit de
charges au voisinage de la bande de conduction du SiC. Suite au travail de
Jernigan [Jern 00] qui a tudi les diffrences entre linterface SiC-4H/SiO2 et
SiC-6H/SiO2, il apparat que la qualit de loxyde est la mme et que les
densits dtats dinterface sont proches mais que la mobilit dans le cas du
6H est plus leve. Schrner [Sch 99] explique cette diffrence par le fait
que la distribution des densits dtats dinterface est inhrente au polytype.
Il en dduit la courbe de la Figure 5. Puisque le SiC-6H possde une bande
interdite plus faible que le SiC-4H avec galement une affinit lectronique
plus leve alors la prsence de piges de charges proches de la bande de
conduction est plus faible pour 6H do une mobilit plus importante.
Plusieurs approches ont t faites pour augmenter la mobilit des porteurs
dans le canal au travers de loptimisation du procd doxydation et
galement par la ralisation doxyde dans une orientation du cristal autre que
lorientation standard (0001).
Figure 5. Schma des bandes de diffrents polytypes SiC avec la concentration des tats
dinterfaces suivant le niveau dnergie [Sch 99].
4.1. Origine des tats dinterface

La cause des tats dinterface est attribue aux concentrations de carbone
existants linterface SiC/SiO2 et aux dfauts dans loxyde proche de
linterface [Afan 00]. Malgr une trs bonne qualit doxyde thermique, le
problme subsiste. Une comparaison entre linterface Si/SiO2 et SiC/SiO2 a t
effectue par Afanasev [Afan 99]. Il pense que lorigine des tats dinterface
est de la mme nature : les liaisons pendantes la surface du semi-
conducteur. La diffrence est que pour le SiC la concentration de carbone
apportent une source supplmentaire. De plus, les liaisons Si-O-C dans la
rgion de linterface sont galement supposes induire une part des dfauts.
Dans la filire silicium, le problme dtats dinterface a t
principalement rsolu par loptimisation des procds technologiques,
effectivement un recuit aprs oxydation pour passiver linterface. De la mme

manire, dimportants travaux dans la filire SiC ont permis de rduire

considrablement les tats dinterface.
4.2. Etat de lart

Avant toute oxydation, le nettoyage le plus rpandu est un nettoyage
standard RCA. Le principal procd de formation de SiO2 partir du SiC est
loxydation thermique dans la plage de temprature 1100-1200 C, soit dans
un environnement sec sous oxygne ou soit par une mthode dite
pyrognique qui est une immersion dans leau. A ce stade, les tats dinterface
sont encore trs importants. Des ralisations ont mme montr des mobilits
infrieures 1 cm2V-1s-1 pour le SiC-4H (Tableau 1). Un recuit est ncessaire
pour passiver linterface. Les premiers travaux ont port sur un recuit sous
argon 1150C pendant 30 minutes. Lamlioration est faible et la mobilit
reste de lordre de 10 cm2V-1s-1. Afanasev [Afan 99] propose galement de
passiver linterface avec des atomes dhydrogne, comme dans les
technologies de la filire silicium. Fukuda [Fuku 00] a mis en place cette
passivation et a russi rduire la densit des tats dinterface. Les premiers
rsultats les plus significatifs sont obtenus avec une passivation de linterface
avec des atomes dazote notamment par un post-recuit dans une atmosphre
N2O ou NO 1150C pendant 30 minutes 1 heure. De cette manire, une
rduction de la densit des tats dinterface de lordre de deux dcades est
observe.
Malgr un progrs notable dans lamlioration de linterface SiC/SiO2, la
mobilit est encore trop faible pour pouvoir prtendre la ralisation de
MOSFETs SiC performants. Le problme est toujours la distribution des tats
dinterface qui est encore incomprise (puisque ce sont les densits dtats
dinterface proches de la bande de conduction qui en sont la principale cause
de limitation).

Chapitre 2
Tableau 1. Rcapitulatif de quelques procds doxydation thermique de la littrature.
Rfrence Polytype Orientation Process Epais. Dit Mobilit

(nm) (cm-2eV-1) (cm2V-1s-1)
[Sch 99] 4H Si(0001) Oxydation O2 35 1,21012 0,4
[Sch 99] 6H Si(0001) Oxydation O2 35 1,21011 24
[Sch 99] 15R Oxydation O2 35 21011 33
[Hara 02] 4H Si(0001) Oxydation O2 40 41011 7

Recuit Ar @ 1200C-30min
[Hara 02] 6H Si(0001) Oxydation O2 40 1,21011 33

[Sch 02] 4H Si(0001) Oxydation NO + oxydation O2 43 31011 48

Recuit NO @ 1150C-60min
[Kosu 02] 4H Si(0001) Oxydation O2 + roxydation 42 ? 47

pyrognique @ 1200C
[Kosu 02] 6H Si(0001) Oxydation O2 + roxydation 42 ? 95
pyrognique @ 1200C
[Fuku 04] 4H C(000 1 ) oxydation pyrognique 50 11012 111
recuit Ar @ 1100C-30min
recuit H2 @ 800C-30min
[Senz 02] 4H (11 2 0) oxydation pyrognique 49 1,41011 110
recuit Ar @ 1100C-30min
recuit H2 @ 800C-30min
4.3. Dveloppement dun procd doxydation

La passivation primaire utilise pour les composants de puissance que nous
avons raliss est base sur un oxyde thermique fin. Lavantage de cette
mthode permet (thoriquement) dobtenir une meilleure qualit de
linterface SiC/couche de passivation. Dans lobjectif de rduire les densits
dtats dinterface, qui peuvent avoir un rle non ngligeable sur la tenue en
tension des composants, un procd spcifique doxydation thermique a donc
t mis en place.
A la suite dun nettoyage complet : solvant, piranha, RCA et HF,
lchantillon est introduit dans un four rsistif. Loxydation se fait 1150 C
sous balayage doxygne (O2) pendant 2 heures. Ensuite, un recuit 1150 C
sous azote (N2) permet de densifier loxyde et de passiver linterface.
Lpaisseur finale est denviron 40 nm.
Des capacits MOS ont t ralises sur un wafer N+N- avec ce procd
doxydation. Lextraction de la densit des tats dinterface temprature
ambiante avec la mthode de Terman [Term 62] et HF-BF [Cast 71] partir
des courbes C(V) (Figure 6) donne une valeur de Dit proche 1013 eV-1cm-2 sur
la bande de conduction, sur une couche ayant une concentration de
donneurs de 1016 cm-3. La densit des tats dinterface est de 21012 eV-1cm-2

Ec-0,2 eV (Figure 7). Ces valeurs sont conformes aux rsultats quon trouve
dans la littrature pour une oxydation sche avec un recuit sous azote ou
argon. Enfin, la densit effective de charges Qeff dans loxyde est de lordre de
31012 cm-2.
-10
1,8x10
Courbe 1 MHz
-10
1,6x10 Moyenne sur 5 priodes (1kHz)
-10
1,4x10
Capacit (F) 1,2x10
-10
-10
1,0x10
-11
8,0x10
-11
6,0x10
-11
4,0x10
-11
2,0x10
0,0
-12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8
Tension (V)
Figure 6. Courbes C(V) 1 MHz et 1 kHz dune capacit MOS de 1,610-3 cm2 ralis sur un
substrat SiC N+N-.
14
10
Mthode Terman
Mthode HF-BF
Dit (cm eV )
13
-1
10
-2
12
10
11
10
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
Ec-E (eV)
Figure 7. Distribution de la densit dtats dinterface Dit en fonction de leur position par
rapport la bande de conduction avec la mthode dextraction de Terman et HF-BF.
Les moyens technologiques que nous possdons ne nous permettent pas

doptimiser davantage le procd doxydation. On note cependant que le
process utilis permet dobtenir un oxyde de qualit convenable avec une
interface qui prsente une densit de charges leve mais du mme ordre de
grandeur que les rsultats de la littrature.

Chapitre 2
5. Dopage localis
5.1. Prsentation
Le dopage par diffusion est trs utilis dans la filire Si. Il est trs difficile
raliser pour le SiC. Les coefficients de diffusion des impurets dopantes sont
trs faibles et il faut de trs hautes tempratures pendant des temps trs longs
pour obtenir un rsultat consquent [Trof 97]. Pour raliser un dopage de
type P sur le SiC, laluminium ou le bore sont prfrables. Leurs coefficients
de diffusion 1700C sont 610-14 cm2.s-1 et 810-13 cm2.s-1 respectivement.
Etant donn la difficult dintroduire des impurets dans le SiC par
diffusion, limplantation ionique est la solution la plus efficace pour raliser
un dopage localis [Laza 02]. Pour rendre le dopage slectif, un masque la
surface du substrat est ncessaire. Il protge les rgions qui ne doivent pas
tre implantes. Cependant, la pntration des ions dans le matriau cause un
nombre important de collisions avec les atomes du rseau. Lnergie
transmise entrane un dplacement des atomes du matriau de leurs sites
originels. Tour tour, ils provoquent des collisions successives qui induisent
des dfauts au sein du matriau. Ainsi la rgion concerne prsente des
dfauts structuraux et peut mme tre considre comme une rgion
amorphe. Un recuit post-implantation est ncessaire pour gurir ces dfauts
structuraux engendrs. Il permet galement aux dopants de migrer vers des
sites substitutionnels pour devenir lectriquement actifs.
5.2. Implantation ionique

Limplantation ionique est une technique prouve dans la filire silicium
pour raliser des dopages localiss. Les dopants les plus utiliss pour obtenir
une rgion de type P dans SiC sont laluminium et le bore. Pour la ralisation
dune rgion de type N ce sont les impurets azote et phosphore. Le principal
inconvnient de limplantation ionique est la difficult raliser une
implantation profonde. En premire approximation, la distribution des ions
implants dans la cible est de forme gaussienne avec un parcours projet Rp
qui est la profondeur o les ions implants sarrtent avec un maximum de
concentration (Figure 8). La pntration des atomes daluminium dans le SiC
est de lordre de 1 nm/keV (Rp (nm), divise par lnergie dimplantation,
E(keV)). Cela signifie que pour obtenir une profondeur dimplantation de 1
m avec laluminium, il faudrait une nergie dimplantation de lordre de 1
MeV. Il est donc trs difficile dobtenir des jonctions profondes (>1 m) avec
un implanteur standard (c'est--dire utilis dans la technologie silicium) dont
lnergie maximale est de lordre de 200 keV. La profondeur de pntration
dpend de la masse de limpuret et de la masse volumique du SiC.

20
10
RP
Concentration (cm )
-3
19
10
18
10
Impl. N
14 -2
190 keV - 7,5.10 cm
17
10
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
Profondeur (m)
Figure 8. Simulation dun profil de concentration dazote avec une implantation 190 keV et
une dose de 7,41014 cm-2 en fonction de la profondeur.
Pour raliser un profil dimplantation de type box-profile , il est

prfrable dutiliser plusieurs tirs avec des nergies diffrentes et des doses
diffrentes (Figure 8). De cette manire la somme des concentrations de
dopants donne un profil de type box (courbe violet). Nous utilisons au
CEGELY le logiciel I2SiC [Morv 99] dvelopp conjointement avec le CNM
pour simuler les profils dimplantation obtenus en paramtrant le nombre de
tirs avec leurs nergies et leurs doses. Ce logiciel est bas sur la mthode
Monte Carlo dans lapproximation des collisions binaires.
20
10
19
10
Concentration (cm )
-3
18
10
14 -2
En (keV) 190 Dose 7,5.10 cm
17 14 -2
10 En (keV) 135 Dose 4,5.10 cm
14 -2
En (keV) 90 Dose 4,5.10 cm
14 -2
16 En (keV) 50 Dose 4.10 cm
10 14 -2
En (keV) 20 Dose 3.10 cm
Somme
15
10
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
Profondeur (m)
Figure 9. Profil dune implantation multiple dazote pour la formation dun caisson.
Pour raliser une implantation profonde, deux solutions sont possibles.

Utiliser un implanteur haute nergie ou utiliser un angle de tir plus
propice pour une meilleure pntration, notamment suivant une direction
cristallographique privilgie du SiC afin que la disposition des atomes cre
des canaux. Le plus gros inconvnient de limplantation ionique est
lendommagement du matriau dautant plus important que la dose
implante est forte. Les consquences sont une modification locale de la
structure cristalline et de la stoechiomtrie du SiC. Une tape de recuit post-

Chapitre 2
implantation est ncessaire pour rparer le matriau dans les zones

implantes.
5.3. Dopants
Le dopage des rgions de type N peut tre ralis avec des atomes dazote
ou de phosphore. Les niveaux dnergie des donneurs N et P par rapport la
bande de conduction sont alors de lordre de 45 meV et 50 meV
respectivement [Capa 00]. Lazote est souvent prfr car il prsente une
meilleure activation lectrique.
Les dopants les plus couramment rencontrs pour raliser des rgions de
type P sont laluminium et le bore. Le dopage de type P est problmatique,
puisque les niveaux dnergie des accepteurs sont profonds. Leurs valeurs
sont de environ 190 meV et 280 meV pour lAl et le B respectivement [Trof
97]. Ainsi leur taux dactivation lectrique est trs faible la temprature
ambiante. Laluminium est le dopant utilis en raison dun niveau plus faible
que celui du bore. Il permet davoir une meilleure activation.
5.4. Masque dimplantation

Le masque dimplantation est ncessaire afin de pouvoir doper localement
et slectivement. Plusieurs matriaux sont utiliss comme masque :
laluminium, loxyde de silicium, Le masque doit avoir une paisseur
adquate qui dpend de sa densit atomique pour que les ions ne le traversent
pas et ne puissent atteindre la surface protger. Le masque que nous
utilisions jusqu prsent est un masque daluminium. Les simulations les plus
nergtiques donnent un masque avec une paisseur de 2 m pour une
nergie dimplantation Al maximale de 600 keV.
Limplanteur ionique qui est notre disposition permet difficilement de
faire des implantations avec une nergie infrieure 100 keV. Pour dcaler le
Rp du tir de la plus faible nergie vers la surface, une couche doxyde est
insre entre le SiC et le masque daluminium. De cette manire, la couche
SiO2 prsente sur les surfaces implanter permet de dcaler le Rp en
absorbant les ions.
Ainsi pour une implantation dAl, une couche SiO2 de 360 nm dpaisseur
minimum est requise pour que le Rp de limplantation 100 keV se retrouve
proche de la surface. Et le profil de dopage en surface sera au maximum. Puis
pour une implantation de N, lpaisseur de la couche devra tre suprieure
590 nm afin dobtenir le mme rsultat.
5.5. Optimisation du recuit post-implantation

Le recuit post-implantation est effectu au CEGELY dans un four RF de
marque Jiplec. La taille maximale admissible de lchantillon est un

diamtre de 13/8 (35 mm). Les chantillons sont encapsuls dans un

suscepteur en graphite qui rsiste des tempratures suprieures 2000 C.
Pour recristalliser le matriau dans les zones amorphises et faire migrer
les atomes dopants vers un site substitutionnel, des tempratures leves
(comprises entre 1300C et 1800C) sont ncessaires, avec des dures de
recuit allant de 10 30 minutes.
Figure 10. a) Photographie du four induction, b) description de lencapsulation de

lchantillon.
A de telles tempratures, le SiC sublime. Cela a pour consquence

lapparition dune forte rugosit de surface et un appauvrissement en atomes
de silicium dans la zone surfacique. Des stries apparaissent en surface et la
rugosit augmente avec la temprature de recuit. De plus, une fine couche de
carbone est forme en surface et une gravure plasma denviron 50 nm est
ncessaire pour rafrachir la surface (et atteindre le maximum du plateau de
concentration).
Figure 11. Image AFM de la surface dun chantillon implant recuit 1650 C.
Dernirement, nous avons mis en place une nouvelle technique (trs

utilise dans la filire SiC) pour viter la dgradation de la surface de
lchantillon. Il sagit du capping [Nego 04][Tsao 04], qui consiste
dposer une fine couche de carbone la surface de lchantillon avant recuit.
De cette manire, la couche de capping empche le SiC de sublimer et la
rugosit de surface nest pas altre.

Chapitre 2
Cette couche est forme partir dune rsine standard, lAZ5214E que
nous utilisons pour nos lithographies. Un premier recuit 110C suivi dun
autre 750 C sous argon, permet de crer une couche riche en carbone la
surface des chantillons.
Ainsi, pour une implantation Al avec une dose totale de 1,751015 cm-2 et
aprs un recuit 1800 C pendant 30 minutes, la rugosit des surfaces
implantes ne varie que trs sensiblement par rapport un chantillon vierge
(0,31 nm). Par contre on constate que si la dose est plus importante (3,51015
cm-2) (pour une dose suprieure 41015 cm-2 lamorphisation nest plus
rversible [Inou 97]), la rugosit augmente dun facteur 5 1,49 nm. Cette
augmentation de rugosit est due laugmentation de la densit des atomes
dans les parties implants. Cependant, la rugosit de surface reste trs faible
par rapport un recuit sans protection et avec une dose plus faible.
Tableau 2. Comparaison des rugosits de surface en fonction des conditions de recuit et des
doses implantes.
Rugosit mesure
Echantillons
par AFM (nm)
Vierge 0.31
Dose Temprature
Non 15
1,7510 cm -2 1700 C / 30 min 14.43
protg 1800 C / 30 min 24.67
Avec C Dose : 1,751015 cm-2 1800 C / 30 min 0.46
cap Dose : 3,51015 cm-2 1.49
Pour une dose implante de 1,75 1015 cm-2 temprature ambiante et un

recuit 1700 C pendant 30 minutes sous argon, les rsistances carres
mesures avec laide de structures TLM sont du mme ordre de grandeur
environ 12 k (avec ou sans capping ).
Lapport de lutilisation dune couche de graphite sur la surface du SiC
permet donc de conserver une surface relativement plane, puisque la rugosit
mesur reste proche de celle de la surface vierge. Cet effet est bnfique car,
de cette manire, lors de lapplication dune couche de passivation cela
permettra alors davoir une meilleure qualit dinterface. Toutefois, ce
procd de recuit ne permet pas dobtenir une meilleure activation des
dopants qui reste du mme ordre de grandeur quavec un procd classique.

6. La gravure plasma SiC
6.1. Introduction
La gravure plasma est une tape ncessaire (et critique) pour la dfinition
de la structure gomtrique des composants SiC : protection priphrique
mesa, prise de contact sur une couche enterre, rafrachissement de surface
Dans notre cas, on sintresse la gravure du SiC pour la mise en place de
la protection mesa. Pour une diode 4H-SiC P+N-N+ avec une couche de drift
de 10m dope 8,91014 cm-3, il faudrait une gravure de 10 m pour
atteindre une tension de claquage de 99% de la tenue en tension dans le
volume (Figure 12).
2000
1800
Breakdown Voltage (Volts) 1600
1400
P+ 1019 cm-3
Profondeur 1200
mesa Vbr
N- 8.9.1014 cm-3 1000 Vbrbulk
N+ 3.1018 cm-3 800

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
4H-SiC Mesa depth (m)
Figure 12. Simulation 2D avec MEDICI dune diode mesa P+N-N+ avec une couche de drift
dope 8,91014 cm-3 de 10 m.
L'inertie chimique du SiC empche sa gravure par voie humide. Ceci

impose l'utilisation de gravure sche de type plasma avec des btis RIE
(reactive ion etching) [Yih 97], ECR (electron cyclotron resonance) [Mcda
97] ou encore ICP (inductively coupled plasma) [Kahn 99]. Lutilisation dun
racteur plasma haute densit comme lECR ou lICP permet des cintiques
de gravures importantes (>1m/min). Lautre avantage est une polarisation de
la cathode moins importante, ce qui engendre moins de dgradation des
proprits lectriques de la surface grave.
Gnralement, le plasma utilis est base de gaz fluors (SF6, CF4, CHF3 ou
NF3) mlangs avec de l'oxygne ou de l'argon. Un caractre fortement
anisotrope de la gravure est recherch pour obtenir des flancs de gravure
profonds (10m de profondeur vise) et verticaux. Ceci est obtenu en
utilisant les techniques de gravures classiques (RIE) en optimisant la
slectivit par lutilisation de masques mtalliques ou en exploitant les
plasmas de plus fortes densits (type ICP).
Les travaux de gravure prsents dans cette thse sont bass sur le seul bti
plasma disponible. Cest un bti RIE. La configuration a t optimise pour
augmenter la vitesse de gravure du SiC en la rendant compatible avec la
fabrication de composants de puissance. Par dfinition, le SiC est un matriau
dur. Cela implique la recherche dun masque de gravure trs slectif pouvant
rsister au plasma et, ainsi, permettre une gravure profonde. Ensuite, ltude

Chapitre 2
portera sur loptimisation de la configuration du racteur pour obtenir une

gravure propre et peu rugueuse.
6.2. Le plasma
6.2.1. Dfinition
Un plasma est un milieu qui contient diffrentes espces : atomes ou
molcules neutres, ions, lectrons. Un plasma est obtenu lorsque lon soumet
un gaz une excitation sous laquelle il sionise. Lexcitation peut tre ralise
de deux manires : par lvation de la temprature ou par application dun
champ lectrique intense. Les racteurs plasmas que lon trouve dans la
microlectronique utilisent lexcitation lectrique.
Un gaz est neutre, sil ny a pas de charges libres. Sous lacclration dun
champ lectrique intense, des lectrons peuvent tre arrachs sur la dernire
couche des atomes. Ceux-ci peuvent alors percuter dautres atomes et les
ioniser. Divers processus peuvent avoir lieu : excitation, ionisation,
dissociation, recombinaison ou attachement. Le plasma est alors constitu des
particules neutres qui composent le gaz de dpart, des lectrons, des ions
positifs et ngatifs, des atomes excits, des molcules et des fragments de
molcules. Le plasma reste un milieu lectriquement neutre mais qui
comporte des densits de charges mobiles leves.
6.2.2. Proprit dun plasma
6.2.2.1. Tempratures
Chaque espce prsente dans le plasma possde une distribution de vitesse
maxwellienne. On peut donc leur attribuer une nergie cintique et la
temprature de chaque espce peut tre dduite de la relation classique :
3
Ecj = kT j (1)
2
O j dsigne lespce considre (lectron, ion ou particule neutre).
Dans les plasmas gnrs dans les racteurs utiliss en microlectronique,
la pression de travail est faible (< 1 mbar ou 750 mTorr). Seuls les lectrons
subissent un accroissement important de leur nergie cintique et, donc, de
leur temprature. Ils atteignent ainsi des tempratures de quelques milliers
de Kelvin, alors que celle des ions et des neutres reste voisine de la
temprature ambiante.
6.2.2.2. Frquences du plasma

Le plasma est un milieu lectriquement neutre constitu de charges libres
qui permettent une conduction lectrique. Nous avons vu que si on perturbe
un plasma en crant un champ lectrique, les charges vont se sparer de
manire ce que la neutralit soit respecte dans le volume. Larrt de la

perturbation entrane un retour des charges dans leur position initiale avec
un mouvement oscillatoire dont la frquence dpend de la concentration de
lespce et de sa masse. La frquence dune espce est donne par la formule
suivante :
1 n jq2
f pj = (2)
2 m j
O nj est la concentration de lespce j et mj la masse de lespce.

La frquence de vibration plus ou moins leve dune espce traduit
laptitude de lespce suivre la frquence du champ lectrique. Si la
frquence du champ lectrique est infrieure la frquence lectronique
dune espce, cette dernire va suivre la modification du champ. Dans le cas
contraire (si la frquence du champ est suprieure celle de lespce), celle-ci
ne pourra pas suivre la modification du champ. Etant donn que la masse de
llectron est beaucoup plus faible que celle des ions et des neutres, la
frquence lectronique est plus leve que la frquence ionique dans un
plasma. Ainsi, un plasma est un milieu conducteur si la frquence du champ
lectrique est infrieure la frquence lectronique du plasma. Au-del de la
frquence lectronique, les lectrons ne suivent plus le champ lectrique et le
plasma se comporte comme un dilectrique.
6.2.2.3. Interaction dun plasma avec une surface

Toutes les surfaces places au voisinage du plasma vont recevoir des flux
des diffrentes espces neutres et des espces charges. Plusieurs phnomnes
peuvent se produire en fonction de la nature des espces, de leur nergie et
de la surface :
absorption spontane des neutres
dsorption des espces absorbes la surface par laction dun ion
(Ei = 0,1 10 eV)
dplacement dun atome de la surface (Ei > 10 eV)
collage dun ion la surface (Ei > 50 ev)
pulvrisation de fragments molculaires, dions de la surface par les
espces issus du plasma (Ei > 20eV).
6.2.2.4. Mcanisme de gravure

Nous venons de dcrire plusieurs interactions possibles entre un plasma et
une surface en fonction de lnergie des ions. Ces phnomnes gnrent
plusieurs types de gravure, qui peuvent tre de nature chimique ou physique
(Figure 13).
La gravure chimique est le rsultat dune raction par absorption des
neutres issus du plasma avec les atomes du substrat pour former une espce

Chapitre 2
volatile. La raction chimique peut tre assiste par les ions du plasma de
deux manires. Dune part, les ions en venant crer du dsordre la surface,
peuvent permettre aux neutres et aux atomes du substrat dinteragir plus
facilement pour former une espce volatile. Dautre part, suite une raction
entre les neutres et les atomes du substrat, les molcules restent faiblement
lies la surface et les ions peuvent permettre une dsorption. Ce mcanisme
de gravure est en gnral isotrope.
La gravure physique est un mcanisme de gravure mcanique qui fait
appel un bombardement des ions nergtiques issus du plasma. Les ions
incidents acclrs viennent heurter la surface du substrat et casser les
liaisons des atomes. Ces derniers peuvent alors tre expulss. Des neutres
peuvent aussi contribuer la gravure physique en ragissant avec les atomes
en surface et en fragilisant les liaisons avec les autres atomes du matriau.
Ainsi, des ions moins nergtiques peuvent venir pulvriser ces atomes.
Dans le cas o les ions ont une ractivit avec les atomes du matriau, ils
peuvent gnrer les deux types de gravure due leurs dualits.
Plasma
Gravure chimique Gravure physique
Assiste par les ions Assiste par les
neutres
absorption dsorption
a d aa d a da p p a p
Ractions totales Raction

partielle
Substrat
Lgende
Neutres a : absoption
Ions d : dsorption
Atomes du substrat aa : absorption assiste
Molcules formes par un da : dsorption assiste
neutre et un atome du substrat p : pulvrisation
Figure 13. Mcanismes de gravure plasma
6.2.2.5. Les principaux racteurs plasmas

La majorit des racteurs plasmas sont des racteurs radiofrquences (RF)
(Figure 14) dont la frquence est gnralement de 13,56 Mhz. Ils sont classs
en deux catgories : les basses (densit lectronique < 1010 cm-3) et hautes
densits.
Le racteur classique Reactive Ion Etching (RIE) (Figure 14a) est un
racteur basse densit. La pression varie de 10 mTorr 500 mTorr. La
frquence du champ lectrique est suprieure la frquence ionique du
plasma. Ainsi les ions ne sont pas soumis au champ lectrique.

Linconvnient de ce racteur est que lnergie des ions est directement lie
la puissance radiofrquence du bti pour crer le plasma. La densit
lectronique est de lordre de 108 109 cm-3.
Les racteurs hautes densits sont nombreux et deviennent de plus en plus
courants. Diffrentes techniques sont utilises pour viter les recombinaisons
de charges qui rduisent la densit lectronique. Parmi eux, les racteurs
Electron Cyclotronic Resonance (ECR), Distributed Electron Cyclotronic
Resonance (DECR) ou Inductively Coupled Plasma (ICP) sont les plus
rpandus.
Les racteurs ECR (Figure 14b) et DECR (Figure 14c) reposent sur le
mme principe qui utilise une source micro-onde 2,45 GHz pour crer le
plasma. Ainsi par la source micro-onde, il est possible de contrler la densit
du plasma et avec le gnrateur RF de pouvoir contrler sparment lnergie
des ions. Le DECR a lavantage davoir un plasma uniforme au niveau du
substrat avec lutilisation dantennes de confinement dans la chambre.
Le racteur ICP (Figure 14d) est le plus rcent, il ncessite lutilisation de
deux alimentations RF, lune couple capacitivement comme dans un
racteur RIE et lautre de plus forte puissance couple inductivement. Ce
racteur permet de gnrer un plasma avec une densit lectronique plus
leve et de travailler plus basse pression. Surtout, cette technique offre la
possibilit de contrler indpendamment lnergie des ions par le gnrateur
RF basse puissance puis la densit des neutres et des ions du plasma en
ajustant la puissance RF couple inductivement.
a)
b)
c) d)
Figure 14. Diffrents types de racteurs plasmas a) RIE, b) ECR, c) DECR, d) ICP

Chapitre 2
6.3. Etat de lart de la gravure SiC

La gravure du SiC a t un sujet longuement trait avec diffrents
racteurs. En effet, cette tape savre ncessaire pour la mise au point des
dispositifs de puissance, puisque, comme vu dans le chapitre 1, de nombreux
dmonstrateurs utilisent des protections priphriques de type mesa ou
MJTE.
Les premiers rsultats de gravure ont t raliss sur des racteurs standard
RIE et la vitesse de gravure obtenue tait faible (environ 100 nm/min [Yih
97]). Ces vitesses de gravure sont trop faible pour raliser des gravures
profondes en raison de la faible densit lectronique du plasma. Alors les
chercheurs se sont penchs sur lutilisation de racteurs haute densit.
Dernirement avec la dmocratisation des racteurs ICP, de nombreuses
tudes [Kahn 01][Kim 04] ont dmontres des vitesses de gravure suprieures
1 m/min. Lutilisation de racteur haute densit permet non seulement
une vitesse de gravure suprieure, mais galement de minimiser les dfauts
en surface engendrs par les ions hautement nergtiques [Xie 95].
Pour la gravure du SiC, les plasmas les plus utiliss sont fluors avec des
gaz tels que le CF4, CHF3, SF6, ... Le SF6 est plus souvent prfr en raison
dune plus forte concentration datomes de fluor qui sont ractifs avec les
atomes de silicium. Les gaz principaux sont gnralement associs avec un
autre gaz tel que largon ou loxygne pour permettre une plus grande
gnration dions. De plus suivant le type du gaz, les espces gnres
peuvent tre ractives avec le SiC notamment dans le cas de loxygne. Ainsi,
il y aurait des neutres et des ions fluors et oxygnes qui sont ractifs avec le
SiC.
Les premiers rsultats de gravure du SiC ont t obtenus avec un racteur
RIE dont la vitesse de gravure variait de 0,05 0,2 m/min avec des plasmas
SF6/O2 ou base de NF3 [Yih 97][Wolf 96][Casa 96]. Dernirement Camara a
atteint une vitesse de gravure de 0,4 m/min avec un plasma SF6/Ar [Cama
02] mais la pression de travail tant assez leve 200 mTorr. A cette pression,
les ions sont hautement nergtique et peuvent causer des dfauts lectriques
importants sur les surfaces graves.
Au CEGELY, Lanois a atteint une vitesse de gravure de 0,27 m/min avec
un racteur DECR avec un plasma SF6/O2 [Lano 97]. Chabert avec un
racteur hlicon obtient une vitesse de gravure de 1,35 m/min toujours sur
la base dun plasma SF6/O2 [Chab 01]. Pour une dure de 6 heures, son
procd permet dobtenir une profondeur de gravure de 330 m. Avec un
racteur ICP, il est aisment possible datteindre des vitesses de gravure de
lordre de 1 m/min. En ajoutant des aimants permanents autour de la
chambre dun racteur ICP (Figure 15), Kim annonce une vitesse de gravure
de 1,5 m/min avec uniquement le gaz SF6 [Kim 04].

Figure 15. Schma de la configuration du racteur ICP utilis par Kim.
6.4. Dveloppement de la gravure du SiC avec un racteur

plasma RIE
Lobjectif de ce travail tait de mettre en place un procd original
permettant dobtenir des gravures profondes ( 10 m). Pour cela, une vitesse
de gravure rapide est ncessaire. Le matriel dont nous disposons est un
racteur RIE standard avec la disponibilit de plusieurs gaz. Nous avons tout
dabord port notre choix sur un plasma partir des gaz SF6/O2 en se basant
sur la littrature. Ensuite diffrents paramtres et configurations ont t
ajusts pour optimiser le procd de gravure, afin dobtenir une bonne vitesse
de gravure et une surface grave non rugueuse.
6.4.1. Prsentation du racteur RIE utilis

Pour effectuer les tapes de gravure du SiC dont nous avons besoin pour
raliser les dispositifs de puissance, nous avons notre disposition un bti
Alcatel Nextral NE 110 (Figure 16). La frquence du gnrateur RF est de
13,56 MHz. Sa puissance maximale est de 300 W. La pression de travail peut
varier de 10 100 mTorr. Le couplage de lalimentation est capacitif. Les gaz
disponibles sont : CH4, H2, SF6, Ar, CHF3, O2 et Cl2.
Sur la cathode, dont le diamtre est de 110 mm, est dispose une plaque de
quartz pour protger celle-ci et isoler lchantillon. La temprature de la
cathode est rgule par un circuit de refroidissement. A la fin de chaque
procd, un plasma Ar/O2 est utilis pour nettoyer le racteur.

Chapitre 2
Figure 16. Photo du bti de gravure RIE Alcatel Nextral NE 110.
6.4.2. Gaz utiliss

Notre choix du gaz principal sest porte sur le SF6 qui possde une grande
densit datomes de fluor et donc gnre une grande densit dions fluors.
En effet, les ions fluors possdent une bonne ractivit avec les atomes Si du
SiC. Le plasma est bas sur le gaz SF6 coupl lO2 avec un ratio de 20%
doxygne. Dans la littrature, ce rapport est constamment mis en vidence
comme tant le rapport permettant la meilleure cintique de gravure [Jian
03]. Lajout doxygne dans le plasma permet en premier lieu daugmenter la
gnration dions fluors et en second lieu favorise la gravure des couches
carbones par la formation dlments volatils tel que le monoxyde de
carbone et le dioxyde de carbone.
6.4.3. Masque de gravure
6.4.3.1. Slectivit
Pour raliser nos dispositifs, la gravure doit slective. Et les parties qui ne
doivent pas tre graves sont donc protges par un masque. La slectivit
dun masque est le critre de rsistance au plasma par rapport au matriau
graver. On dfinit ce critre comme tant le rapport de la cintique de
gravure du SiC sur la cintique de gravure du masque.
VSiC eSiC
Sm = = (3)
Vm em
Ainsi, plus la slectivit dun masque est grande, meilleure sera sa
rsistance au plasma par rapport au SiC. Naturellement, obtenir des gravures
profondes avec le masque le plus fin possible est prfrable.
6.4.3.2. Choix du masque

Pour raliser des gravures profondes dans SiC, il faut un masque ayant une
slectivit leve par rapport au SiC. Plusieurs masques de gravure ont t

tudis : rsines photosensibles, aluminium et nickel, dans le plasma SF6/O2

pour une pression de travail de 60 mTorr et une puissance RF de 250 W.
Les premiers essais raliss sur les rsines photosensibles se justifient par la
facilit de la mise en place du masque de gravure puisquil sagit dune simple
tape de lithographie. Les rsines sont trs souvent utilises dans les procds
de Deep RIE (process Bosch) et peuvent prsenter des slectivits
suprieures 100 par rapport au silicium. Nos essais, aussi bien pour
lAZ5214E (1,2 m dpaisseur) ou la SRJ 4400 (4 m) que la TI35ES (2,5 m)
montrent que leurs slectivits sont beaucoup trop faibles pour pouvoir tre
utilises comme masque pour des gravures profondes de SiC. La slectivit est
infrieure 1 (Figure 17). Par contre il est intressant de voir quavec une
rsine paisse de 4 m, il est possible de raliser des gravures de lordre de
700 nm, une profondeur intressante notamment pour la mise en place des
croix dalignement.
Lutilisation de mtaux semble donc plus adapte pour la gravure du SiC.
Laluminium est un mtal assez couramment utilis dans les tapes
technologiques de gravure du SiC [Szcz 03]. Son utilisation se justifie par sa
facilit de mise en oeuvre : bonne adhrence sur le SiC et excellente
slectivit chimique pour son retrait post-process. Nos essais montrent que
laluminium prsente une slectivit de 10. Cest une valeur qui reste assez
faible puisquil faudrait dposer une couche paisse suprieure 1 m pour
pouvoir satisfaire notre cahier des charges. Cependant, ce masque gnre des
phnomnes de micromasking (Figure 18a) qui implique une rugosit de
surface trs importante (cf 6.4.9).
Nous nous sommes donc tourn vers un masque mtallique en nickel qui
prsente aussi une bonne inertie aux plasmas fluors. Pour des questions
dadhrence sur le SiC, une fine couche de titane est dpose en premier lieu.
Le bicouche Ti/Ni (10 nm / 400 nm) a montr une slectivit beaucoup plus
leve (de lordre de 40) par rapport au SiC. De plus, nous navons pas
observ de phnomne de micromasking (Figure 18b).
40
Slectivit
30
20
10
0
R sine Al T i/N i
M asque de gravure
Figure 17.Slectivit des masques de gravure dans un plasma SF6/02

Chapitre 2
Figure 18. Gravure avec un masque a) daluminium et b) de nickel
6.4.4. Influence de la pression

La pression de travail du plasma est un des paramtres qui permet de
moduler la dure de vie des espces dans le plasma. De cette manire, en
jouant sur la pression, on peut moduler le mcanisme de gravure. Sur la
Figure 19, lvolution de la vitesse de gravure du SiC et de la slectivit du
masque de nickel en fonction de la pression permettent de mettre en
vidence ce changement de rgime. Pour une pression de 70 mTorr, on
observe que la cintique de gravure du SiC est maximale. Par contre, la
slectivit augmente partir de ce point. Leffet du bombardement ionique
(mcanisme physique) sur le masque devient moins prpondrant haute
pression. Ceci se confirme sur la morphologie des flancs obtenus autour de ce
point (Figure 20). A plus faible pression, les flancs sont rugueux et incurvs
suite des effets de ricochets des espces sur la surface grave. A 70
mTorr, on commence avoir des flancs verticaux, par contre on observe tout
de mme un effet lger de tranche au bord de la mesa. A 100 mTorr, le
mcanisme chimique permet de produire des fonds et des flancs de gravure
de qualit.
0,34 50
Vitesse de gravure (m/min)
0,33 45
40
0,32
35
Slectivit
0,31
30
0,30 25
0,29 20
0,28 15
0,27 Vitesse gravure 10
Slectivit 5
0,26
0
40 50 60 70 80 90 100
Pression (mTorr)
Figure 19. Essais diffrentes pressions de travail avec une puissance de 250W, plasma
SF6/O2 (25 sccm / 6,7 sccm) avec un masque de nickel.

Sur la Figure 20, on peut observer la gomtrie des flancs de gravure

obtenus diffrentes pressions. On remarque la prsence d'une concavit
entrante dans la gomtrie des flancs qui met en vidence galement le
caractre chimique de la gravure RIE SF6/O2. Cette gravure s'avre bnfique
pour viter le phnomne de "trenching" (Figure 21). Ce dernier peut tre
responsable de la diminution brutale de la tenue en tension des composants
par l'augmentation importante du champ lectrique et le resserrement des
quipotentielles dans les zones qu'il dlimite.
a) b) c)
Figure 20. Photos au microscope lectronique balayage de gravure de 10 min, 250W,
SF6/O2 avec une pression de a) 40 mTorr, b) 70mTorr et c) 100 mTorr
Figure 21. Exemple de trenching.
Pour une pression de travail de 60 mTorr, on obtient le meilleur

compromis entre vitesse de gravure du SiC et slectivit du masque. Cest ma
valeur qui a t retenue pour notre procd de gravure.
6.4.5. Procd de gravure optimal

Les paramtres du procd de gravure optimal est une pression de travail
de 60 mTorr, une puissance RF de 250W, un mlange ractionnel SF6/O2 avec
des dbits de 25 sccm et 6,7 sccm respectivement. La Figure 22 prsente les
rsultats obtenus pour des temps de gravure variant de 2,5 minutes 30
minutes. On obtient des profondeurs de gravure allant de 0,65 nm 10,35 m
avec une vitesse maximale de gravure de 0,39 m/min pour lessai de 10
minutes et une vitesse moyenne globale de 0,35 m/min.

Chapitre 2
12
10
Profondeur (m)
8
0
0 5 10 15 20 25 30
Temps (min)
Figure 22. Rsultats des profondeurs de gravure en fonction du temps de gravure.
Les figures 8a, 8b et 8c montrent les photos prises au microscope

lectronique balayage des flancs de gravure pour des temps de process de
10, 15 et 30 minutes. On note que les flancs de gravure gardent le mme
profil (ce qui montre une gravure dominante chimique) avec une forme
courbe des pieds de gravure. Ce procd permet donc dviter le phnomne
de trenching souvent observ lors de gravures profondes par plasma de
matriaux durs comme le carbure de silicium (Jiang et al., 2004).
3,5m 5,5m 10,4m
a) b) c)
Figure 23. Photos au microscope lectronique balayage pour des dures de gravure de a) 10
minutes, b) 15 minutes et c) 30 minutes
6.4.6. Morphologie
La gravure du SiC doit tre matrise afin davoir la surface grave la plus
plane possible (pour viter des rugosits importantes pouvant induire des
tats dinterface leves avec la couche de passivation). Ainsi pour une
gravure avec le procd optimal dfini prcdemment et pour des dures de
10 et 20 minutes, la rugosit de la surface a t caractrise par Atomic Force
Microscope (AFM). Une surface non grave prsente une rugosit moyenne
de 0,19 0,23 nm (Tableau 3).
Pour une gravure dune dure de 10 minutes, la profondeur de gravure est
denviron 3 m, la rugosit moyenne arithmtique RMS (Root Mean Square)
est de 0,31 0,35 nm pour une fentre de 11 m2. La dgradation de la
surface suite la gravure est perfectible, puisque la rugosit est lgrement
plus importante mais non significative. La morphologie reste sensiblement
identique (Figure 24a et b).

Enfin, aprs un procd de 20 minutes soit une gravure de 6 m environ,

la rugosit augmente sensiblement, elle varie de 0,3 0,83 nm. De plus, la
morphologie de la surface est trs diffrente : des pics apparaissent (Figure
24c) qui semble indiquer que la surface expose directement au plasma subit
une gravure avec une dominante physique (cf la morphologie). Alors que
pour une gravure chimique la surface est plane, puisque les ractions
chimiques ont lieu la surface. Ici, le bombardement par des ions hautement
nergtiques issus du plasma attaquent la surface et creusent certains
endroits l o le mcanisme de gravure chimique ne permet pas de graver
plus efficacement. Ce phnomne nest pas tonnant tant donn que les
plasmas des racteurs RIE ont linconvnient de ne pouvoir contrler
lnergie des ions.
Tableau 3. Rcapitulatif des rugosits moyennes mesures par AFM.
Dure (min) Profondeur (m) Rugosit 11 m2 RMS (nm)

0 0 0.19 - 0.23
10 3.2 0.31 - 0.35
20 6.5 0.30 - 0.83
6.4.7. Mcanisme de gravure

La gravure plasma implique deux procds de gravures dominants de type
physique et de type chimique. La gravure physique est due aux
bombardements des ions hautes nergies provoquant une rosion de la
surface. Et la gravure chimique permet la formation despces volatiles
partir des ractions induites la surface du matriau et les espces ractives
issues du plasma. Dans le cas du matriau SiC, il est ncessaire de gnrer un
processus plutt physique pour permettre de casser les liaisons Si-C pour
ensuite mettre en place un processus plutt chimique faisant interagir les
radicaux fluors avec le silicium et les radicaux oxygns avec le carbone
conduisant au dpart despces volatiles SiFx (1<x<4) et CO et CO2. Dans le
cas du masque daluminium, il y a une comptition entre la formation
dAl2O3 non volatile et AlF volatiles, contrairement au nickel qui reste
relativement neutre vis--vis de la chimie du mlange plasma. Do les
slectivits observes dans nos expriences.
Il semblerait donc que contrairement lobservation des flancs de gravure
(qui laisse penser que la gravure dominante est le mcanisme chimique), les
mesures AFM, pour une dure de gravure de 20 minutes, montrent un
processus physique. Si on tient compte de la faible inertie chimique du SiC,
on penche plus pour une gravure physique assiste par les espces ractives.
Dans un premier temps, les ions hautement nergtiques viennent pulvriser
les atomes du substrat en cassant les liaisons Si-C et fragilisant aussi dautres
liaisons pour faciliter la raction chimique avec les espces ractives. Sur les
flancs, la cassure des liaisons cause par le bombardement ionique fragilise

Chapitre 2
galement les autres liaisons des atomes du SiC permettant ensuite une
gravure chimique.
a)
b) c)
Figure 24. Reprsentation 3D des surfaces dun chantillon a) vierge, b) aprs 10 minutes et
c) 20 minutes de gravure.
6.4.8. Stries
Malgr les bonnes morphologies de surface, il subsiste un problme
concernant les flancs de gravure qui prsentent des stries (Figure 25). En
effet, cette gomtrie pourrait favoriser lapparition de champs lectriques
locaux intenses. De cette manire, lefficacit de la protection priphrique
pourrait tre diminue.
Surface non grave
Surface grave
Figure 25. Photo au microscope lectronique balayage dun flanc de gravure

Lorigine de ces stries se situe avant tout au niveau de la lithographie

comme on peut lobserver sur la Figure 26. En effet, nous avons fait plusieurs
essais avec des rsines diffrentes. On constate que le bord du masque
comporte des ondulations quon retrouve ensuite transmise sur les flancs de
gravure (Figure 26c).
a) b) c)
Figure 26. Photos au microscope lectronique balayage dune lithographie ngative avec les
rsines a) AZ5214E et b) TI35ES puis c) du mtal aprs lift-off.
Plusieurs solutions ont t testes avec non plus un process de lift-off pour
former le masque de gravure mais avec une attaque chimique slective pour
dfinir les motifs. Avec ce procd, il apparat un autre problme : celui de la
gravure chimique dont la gravure est isotrope. Ainsi les extrmits du
masque sont plus fines et conduisent une limination prmature du
masque en bordure des motifs (Figure 27).
a) b)
Figure 27. Photos au microscope lectronique balayage dune gravure avec a) un masque Al
et b) un masque Ni grav chimiquement.
Dans la littrature, aucun article ne traite directement de ce problme. Par

contre, on peut apercevoir les photos des flancs de gravure qui prsentent
galement des stries (Figure 28). Il semble que ce problme soit rcurrent
pour la plupart des procds de gravure.

Chapitre 2
Figure 28. Photos au microscope lectronique balayage de flancs de gravure issus de la

littrature [Kahn 04][Jian 04].
6.4.9. Micromasking
Le phnomne de micromasking est un masquage des surfaces graves
par des particules prsentes au sein du racteur. Ces particules entranent
alors une rugosit importante, puisquelles viennent perturber la bonne
marche de la gravure de surface. La source de ces particules lors de nos essais
tait de deux natures : dune part la plaque en quartz qui protge la cathode
et dautre part le masque de gravure.
6.4.9.1. Influence de la cathode

La configuration du racteur RIE a t tudie afin de comprendre le
phnomne de micromasking qui apparat sur nos chantillons gravs.
Initialement cette configuration tait : la cathode du racteur est protge par
une plaque de quartz entoure dun anneau de quartz (Figure 29a). Nous
avons observ que dans cette configuration, le phnomne de micromasking
tait prsent et ce mme avec le cas des masques Ti/Ni (Figure 30a). Du fait
de la ractivit possible du quartz avec le milieu SF6/O2 nous avons protg la
cathode avec un wafer de silicium (pos au dessus de la plaque de quartz)
(Figure 29b). Dans cette nouvelle configuration, aucun micromasking nest
observ (Figure 30b) et la mesure de rugosit par profilomtrie montre une
qualit de surface grave proche de celle dorigine (de lordre de 25 ).
Lutilisation du silicium dans le milieu ractif peut aussi avoir un effet
favorable par la cration supplmentaire des espces volatiles SiFx. Il permet
ainsi dviter le micromasking d la gravure de la cathode.
Wafer Si
Plaque quartz
Cathode
a) b)
Figure 29. Configuration du racteur RIE a) avec plaque en quartz et b) plaque en quartz et
wafer de silicium

a) b)
Figure 30. Etats de surface aprs une gravure a) avec la cathode en quartz b) avec la cathode
en silicium avec un plasma SF6/O2.
6.4.9.2. Influence du masque de gravure

Les premiers essais avaient t effectus avec des chantillons de taille 88
mm2. Lors de la gravure dun chantillon plus grand (1/4 de wafer 2), le
phnomne de micromasking a encore t observ (Figure 31). Les particules
du masque de gravure se sont dposes sur la surface graver et ont caus la
formation de petits pics.
Figure 31. Photos au microscope lectronique balayage a) de la gravure dun quart de wafer
2 prsentant du micromasking, b) zoom dun pic
Il semble que le micromasking soit provoqu par la prsence des lignes de

dcoupe sur le masque. Elles servent dlimiter les diffrentes cellules
(Figure 32). Lorsque ces lignes sont supprimes, les surfaces graves sont alors
trs propres et ne prsentent pas de micromasking (Figure 33).
Figure 32. Masque avec a) chemin de dcoupe b) sans chemin de dcoupe.

Chapitre 2
Figure 33. Photo au microscope lectronique balayage de la gravure dun quart de wafer 2
sans chemin de dcoupe.
On peut donc supposer que les motifs de dlimitation des cellules, au fur
et mesure de la gravure, se comportent comme des murs qui empchent
lvacuation des particules de Ni du masque de gravure par le pompage
(Figure 34). Il y a alors un phnomne de confinement des particules de Ni
dans chaque cellule. Ces particules se dposent sur la surface et empchent la
gravure de la surface sous ces zones do lapparition du micromasking.
Plasma
Masque
SiC
Figure 34. Schma du mcanisme provoquant le micromasking.
6.5. Conclusion
Les composants de puissance en SiC avec une protection priphrique
mesa ncessitent une tape de gravure profonde. Nous avons mis au point un
procd de gravure SiC avec un bti RIE. Ltude sur le masquage de gravure
a dmontr que le nickel pouvait tre un masque adapt nos besoins avec
une slectivit suprieure 40. Le procd optimal de gravure mis en place
est un plasma SF6 (25 sccm)/O2 (6,7 sccm) avec une pression de travail de 60
mTorr et une puissance RF de 250 W. Cette configuration permet datteindre
une vitesse moyenne de gravure linaire de 0,35 m/min. Le mcanisme de
gravure du plasma a une dominante physique sur les surfaces directement
exposes et une gravure chimique est prsente permettant dviter le
phnomne de trenching . La rugosit de la surface grave reste trs
proche de celle initiale mais avec un temps dexposition long, la surface se
dgrade avec la formation de micro pics.
De plus, il a t observ que les parties graver ne devaient pas tre
entoures pour viter le phnomne de micromasking pour pouvoir

conserver une surface grave propre. Il est galement noter que dans un
racteur RIE, le plasma nest pas homogne et que la gravure est dune forme
radiale puisque la vitesse de gravure est plus leve proche de la bordure de la
cathode.
Le seul bmol qui subsiste est la prsence de stries sur les flancs de gravure
(et ce malgr tous nos efforts). Ces stries peuvent avoir un mauvais impact
ngatif sur la tenue en tension des composants puisque cette gomtrie peut
conduire lapparition dun champ lectrique lev sur les cavits .
A la vue des rsultats obtenus, un racteur haute densit ne semble pas
ncessaire pour raliser des gravures profondes. Ainsi, un procd comme
celui-ci avec un racteur classique pourrait tre implment trs facilement
dans des lignes de production industrielle de la filire silicium.
7. Contact ohmique sur SiC-4H
7.1. Prsentation
Un contact mtal semi-conducteur peut tre de deux natures
diffrentes : redresseur ou ohmique. Le comportement redresseur est le
contact Schottky, cest un composant part entire : la diode Schottky. Le
contact ohmique se comporte comme une simple rsistance. Cest ce contact
qui est recherch pour pouvoir contacter le semi-conducteur et y injecter des
porteurs.
La formation du contact Schottky sur le SiC est prsent plutt bien
matrise tant donn la prsence de ces composants sur le march. Le
contact ohmique sur le SiC de type N est galement optimis. Depuis
longtemps, des tudes rapportent des contacts de bonne qualit avec
lutilisation du nickel. Par contre le contact ohmique de qualit sur le type P
est difficile obtenir et la reproductibilit nest pas toujours possible. La
difficult est galement due la mconnaissance de la formation du contact
ohmique.
Daprs la thorie, un mtal ayant un travail de sortie proche de celui du
SiC de type P est ncessaire pour raliser un bon contact ohmique. Or il
nexiste aucun mtal possdant cette proprit l. La formation dalliage de
siliciure ou de carbure est donc indispensable pour mettre en place une fine
interface entre le semi-conducteur et le mtal qui facilite le contact.

Chapitre 2
Les travaux prsents dans cette thse se focalisent sur loptimisation de la

formation dun contact ohmique sur le SiC de type P avec le nickel et
laluminium comme matriaux de base.
7.2. Dpt des mtaux

Pour dposer des mtaux, plusieurs techniques sont utilises. Nous avons
notre disponibilit trois types de bti : vaporateur par effet joule,
vaporateur par canon lectron et un racteur pulvrisation cathodique.
Les vaporateurs sont sensiblement bass sur la mme technique, une source
de mtal est chauffe par un canon lectron ou par une rsistance. La
temprature leve permet au mtal de svaporer puis de se dposer sur le
substrat qui est plac sur une plaque froide. Dans les deux cas, la chambre est
mise sous vide secondaire (< 10-6 Torr).
Le dpt par pulvrisation cathodique fonctionne avec un plasma qui est
gnr entre deux lectrodes, dont une est la cathode. Celle-ci tant
galement la source mtallique, sous lattaque des ions du plasma, il y a une
pulvrisation des atomes en surface de la cible. Ils se dposent sur le substrat.
Lavantage de cette mthode est une vitesse de dpt plus rapide, qui permet
de raliser des couches paisses de mtaux (> 2 m).
7.3. Thorie du contact mtal - semi-conducteur

7.3.1. Cas idal
La reprsentation en schma de bandes dnergie (Figure 35) dun mtal
est caractrise par son travail de sortie m qui est lnergie ncessaire pour
arracher un lectron depuis le niveau de Fermi du mtal. Le semi-
conducteur, lui est dfini par son affinit lectronique S qui est le niveau
dnergie entre le vide et la bande de conduction et galement son travail de
sortie s dont la valeur est le niveau dnergie entre le vide et son niveau de
fermi.
Lorsquon met en contact un mtal et un semi-conducteur dans le cas idal
de labsence dtats dinterface, sur le schma des bandes, cela se traduit par
un alignement du niveau de Fermi des deux matriaux. Si les travaux de
sortie sont diffrents, il y a alors une courbure des bandes du semi-
conducteur. Nous avons alors deux possibilits : le travail de sortie du mtal
m est suprieur au travail de sortie du semi-conducteur s ou linverse.

Figure 35. Schma des bandes du mtal et dun semiconducteur de type N.
7.3.1.1. m = s
Si le travail de sortie du mtal m et le travail de sortie du semi-
conducteur s sont de mme valeur, alors le schma des bandes est celui
prsent sur la Figure 36. Les bandes du semi-conducteur sont horizontales
linterface, il ny a pas de courbure. Le systme est lquilibre
thermodynamique et est en rgime de bandes plates.
Figure 36. Schma des bandes de la mise en contact mtal-semi-conducteur avec m = s
7.3.1.2. m < s
Lorsque le travail de sortie du mtal est infrieur celui du semi-
conducteur, les lectrons du semi-conducteur se recombinent avec les trous
crant ainsi une zone de charge despace (Figure 37). La courbure des bandes
est alors ngative linterface et une barrire de potentiel B arrte la
diffusion des porteurs. Sous une polarisation ngative sur le mtal, les bandes
de conduction et valence slvent et la zone de charge despace stend dans
le semi-conducteur, ainsi la barrire de potentiel augmente. La hauteur
leve de la barrire empche les trous de circuler du semi-conducteur vers
le mtal, aucun courant ne circule. La structure est en rgime inverse. A
linverse, lorsquon polarise positivement, la hauteur de la barrire de
potentiel se rduit, les trous peuvent alors traverser la barrire pour aller
dans le mtal. Le courant augmente alors avec la rduction de la barrire de
potentiel. La structure est en rgime passant. Ce comportement est
redresseur, on appelle cette structure diode Schottky et la barrire de
potentiel B la barrire Schottky.
Eb = eB = e s + E g em (4)

Chapitre 2
Figure 37. Schma des bandes de la mise en contact mtal-semi-conducteur avec m < s
7.3.1.3. m > s
Lorsque le travail de sortie du mtal est suprieur celui du semi-
conducteur, au contact des deux matriaux le niveau de Fermi saligne. Une
courbure positive des bandes du semi-conducteur apparat (Figure 38). A
linterface, il y a alors une accumulation de trous et il nexiste pas de zone
vide de porteurs. Ainsi lorsquon polarise la structure, la tension de
polarisation est distribue dans tout le semi-conducteur. En labsence dune
barrire de potentiel, les trous peuvent circuler librement du semi-
conducteur vers le mtal. La structure se comporte comme une rsistance.
On dit alors que le contact est ohmique.
Figure 38. Schma des bandes de la mise en contact mtal-semi-conducteur avec m > s
7.3.2. Cas rel

Nous venons de supposer une absence totale dtats dinterface. Or dans la
ralit, ces tats dinterface peuvent jouer un rle prpondrant. Suivant
lionicit du semi-conducteur [Kurt 69], le rle des tats dinterface est plus
ou moins important sur la barrire de Schottky [Hein 65][Cowl 65]. Par
exemple, pour les semi-conducteurs ioniques comme le sulfure de cadmium
(CdS) ou le nitrure daluminium (AlN), la hauteur de la barrire de Schottky
dpend essentiellement du travail de sortie du mtal. Au contraire avec le
silicium (Si) ou le germanium (Ge) qui ne sont pas des semi-conducteurs
ioniques, les tats dinterface joueront un rle important sur la hauteur de la
barrire de Schottky.

7.3.2.1. Effet des tats dinterface

La prsence des tats dinterface est inluctable puisquils sont gnrs par
les liaisons pendantes des atomes du cristal. Suivant le matriau, le traitement
de surface, leurs prsences sont plus ou moins importantes. Comme pour une
interface semi-conducteur/oxyde, ils introduisent des niveaux dnergie dans
la bande interdite, et la nature du semi-conducteur peut-tre diffrente
linterface. Heine en a dduit une thorie sur leurs rles sur des semi-
conducteurs covalents [Hein 65]. La Figure 39 prsente les effets de manire
grossire pour mieux illustrer les consquences de la prsence de ces charges
linterface. Sans mtal, les tats dinterface crent une courbure positive en
surface. En contact avec un mtal dont le travail de sortie est infrieur celui
du semi-conducteur, celui-ci ne compense pas la courbure des bandes due
aux tats dinterface. Alors quon devrait avoir un contact ohmique, on
obtient un contact Schottky. Puis pour un mtal dont le travail de sortie est
suprieur celui du semi-conducteur, en thorie le contact devrait tre
Schottky. La hauteur de barrire devrait donc tre dpendante directement
de la diffrence des niveaux de Fermi. Or cela nest pas le cas en prsence des
tats dinterface.
Figure 39. Effet des tats dinterface sur un contact mtal - semi-conducteur de type n. a)
sans mtal, b) m < s et c) m > s
En prsence des tats dinterfaces et quelle que soit la configuration, la

courbure sera de mme nature mais sera plus ou moins prononce selon le
travail de sortie du mtal.
Comme on peut le remarquer, on est en ralit trs loin du cas idal. Pour
les matriaux avec une ionicit faible, le rgime daccumulation, cas du
contact ohmique idal est rarement possible. Une barrire Schottky sera
toujours prsente et elle sera lie aux travaux de sortie et un facteur de

Chapitre 2
sensibilit qui est lindice dionicit. Cest pourquoi dans la filire silicium,
gnralement un contact ohmique est form seulement sur du matriau trs
dop afin de rduire la largeur de la ZCE pour faire passer un courant par
effet tunnel.
7.3.2.2. Indice dionicit

Lindice dionicit ou S permet de mesurer la sensibilit de la barrire
Schottky au travail de sortie du mtal [Cowl 65][Loui 77]. Lorsquil est
proche de 1, le semi-conducteur est ionique. Proche de 0, le matriau est dit
covalent . Pour un semi-conducteur ionique ( proche de 1), la hauteur de
la barrire Schottky sera peu sensible aux tats dinterface et dpendra
principalement du travail de sortie du mtal. Et inversement pour proche
de 0, la barrire Schottky sera conditionne par les tats dinterfaces. Pour un
semi-conducteur de type n, la hauteur de la barrire de potentiel effective
sexprime de cette manire :
Eb = (em e s ) + (1 )( E g e0 ) (5)
O Eb est la hauteur de barrire de potentiel effective, lindice dionicit

ou sensibilit, Eg la largeur de la bande interdite et 0 est le niveau de Fermi
linterface.
Et pour un semi-conducteur de type p, lexpression est la suivante :
Eb = ( E g + e s em ) + (1 )e0 (6)
Lindice dionicit est dfini par lquation suivante :

Eb i
= = (7)
em i + q 2 i Di
O i constante dilectrique de la couche interfaciale, i lpaisseur et Di la
densit des tats dinterface. Cette expression a t formule par Cowley et
Sze. On se rend bien compte de limportance des tats dinterface puisque
plus leur densit est leve, plus sera faible et inversement.
Une relation entre le comportement de linterface et llectrongativit
(Pauling) a t trouve (Figure 40). Llectrongativit XM est dfinie comme
tant lnergie dun atome ncessaire pour attirer un lectron lors de la
formation dune liaison chimique.

Figure 40. Indice dionicit en fonction dlectrongativit dun semi-conducteur [Kurt 69].
Ainsi daprs le graphe de Kurtin, le SiC possde un indice dionicit de

0,4. Cela signifie que lors de la mise en contact dun mtal et du SiC, les tats
dinterface jouent un rle non ngligeable dans la formation de la barrire
Schottky.
En prenant le cas du silicium dont lindice dionicit est trs faible. La
courbure des bandes du semi-conducteur est alors trs sensible aux tats
dinterface. Et ainsi, le rgime daccumulation nest jamais possible pour
obtenir un contact ohmique.
7.3.2.3. Modes de conduction des contacts mtal semi-

conducteur
Dans une htrojonction mtal semi-conducteur avec barrire de
potentiel, il existe quatre phnomnes permettant le passage des lectrons du
semi-conducteur au mtal ou inversement [Rhod 74]. La Figure 41 reprsente
les diffrents types dmission de courant dans un contact mtal semi-
conducteur.
Lmission 1 est un transport thermoonique ou le passage des lectrons
par-dessus la barrire de potentiel. Il est surtout possible si la barrire de
Schottky est faible ou alors sous leffet dune temprature leve. Ce mode de
transport est gnralement le courant dominant dans une diode Schottky la
temprature ambiante.
Le mode de transport 2 est leffet tunnel ou les lectrons passent travers
la barrire de Schottky. Ce courant est surtout possible lorsque la largeur de
la zone de charge despace est faible, ce qui peut tre ralise avec une
hauteur de barrire faible et un trs fort dopage.
Les 3e et 4e types dmission sont la recombinaison bande bande dans la
ZCE ou dans la zone neutre, respectivement. Ce phnomne est semblable
celui prsent dans les composants bipolaires.

Chapitre 2
Les courants thermoonique et tunnel sont gnralement les deux courants

dominants suivant la configuration du contact. Le courant thermoonique est
prpondrant dans le fonctionnement des diodes Schottky alors que le
courant tunnel est gnralement prfr pour la ralisation de contact
ohmique surtout dans la filire silicium.
Figure 41. Modes de transport des lectrons dans une htrojonction mtal semi-
conducteur.
7.3.2.4. Exemple du contact ohmique sur silicium

Compte tenu du fait que le silicium possde un indice dionicit trs faible,
le rle des tats dinterface est trs important. Avec le silicium, on se trouvera
toujours avec le cas dune courbure positive pour le type N. Soit avec une
barrire de potentiel qui est toujours prsente. Deux cas se prsentent, pour
un semi-conducteur peu dop et un semi-conducteur trs dop > 1018 cm-3.
Ainsi pour un dopage faible <1018 cm-3, il y a une faible courbure des
bandes (Figure 42) [Chan 71]. Le passage des lectrons se fait uniquement par
le mcanisme dmission thermolectrique. Donc la rsistance spcifique du
contact ohmique dpend de la temprature et de la hauteur de barrire de
potentiel effective. Lexpression de la rsistance spcifique du contact est la
suivante :
k q
Rc = exp B (.cm2)
qA * T kT
O A* est la constante de Richardson.
Figure 42. Contact ohmique avec un courant thermoonique.

Pour rduire la rsistance spcifique, la mthode la plus courante est de

doper localement (trs fortement) la zone o se trouve le contact ohmique.
La configuration est prsente sur la Figure 43. La largeur de la zone de
charge despace est trs faible, et conduit un passage des porteurs par effet
tunnel. Puisque le courant est principalement d au passage des lectrons par
effet tunnel, la rsistance spcifique du contact dpend du dopage [Yu 70].
Mtal Si (n+) Si (n)
B
--- EC
EF
EV
Figure 43. Contact ohmique avec un courant tunnel
La rsistance spcifique sexprime de la manire suivante :
kT kT E E + uF uF
Rc = cosh 00 coth 00 exp B
qA (B + u F )E00 kT kT E0 kT
E q= N A
Avec E0 = E00 coth 00 et E00 =
kT 2 m*
Cette quation est vraie seulement si :
E
cosh 2 00
kT < 2(B + u F )
E 3E00
sinh 3 00
kT
O uf correspond la diffrence entre le niveau de Fermi et la bande de
conduction. Ainsi, un contact ohmique avec un courant tunnel est fortement
dpendant du dopage. On voit alors lintrt dun dopage trs lev pour
obtenir une largeur de la ZCE la plus faible possible afin de faciliter le
passage des porteurs.
7.3.3. Mesure de la rsistance spcifique

Pour dfinir la qualit du contact ohmique form, il existe plusieurs
mthodes permettant dextraire la rsistance spcifique qui sexprime en ohm
que multiplie lunit de surface. Dans ce paragraphe, les trois mthodes les
plus rpandues sont prsentes. La mthode la plus courante est la structure
Transmission Line Method (TLM) [Shoc 64] qui consiste raliser plusieurs
rsistances avec diffrentes longueurs entre les plots de contact. Etant donn

Chapitre 2
que la rsistance ralise varie en fonction de lcart entre deux plots, il est
possible den extraire la constante qui reprsente la rsistance de contact.
Une variante est la mthode CTLM [Reev 79][Marl 82] dont les motifs sont
circulaires. Et une dernire mthode est la mesure de la rsistance Kelvin
(CBKR) [Proc 82] par une mthode 4 pointes largement utilise en
technologie MOS pour mesurer la rsistance de la couche de Poly-Si et le
contact Poly-Si/ silicium.
7.3.3.1. Transmission Line Method (TLM)

La dtermination de la rsistance spcifique dun contact ohmique par la
mthode dite Transmission Line Method (TLM) a t introduite par
Shockley. La mesure de rsistance entre deux plots de contacts est la somme
de la rsistance du semi-conducteur et deux rsistances de contacts (Figure
44). La rsistance totale sexprime de la manire suivante :
RT = 2 Rc + Rsc
Puisque la rsistance du semi-conducteur varie en fonction de la longueur

sparant les deux plots de contact, il suffit de tracer la rsistance totale en
fonction de la longueur pour en dduire Rc.
Plot de contacts mtalliques
Rc Rc
Rsc
Semi-conducteur
Figure 44. Modlisation dune rsistance forme sur un semi-conducteur.
Partant de ce principe, la Figure 45 reprsente le motif TLM constitu de

plusieurs plots spars par une distance qui varie. Il faut galement que les
lignes de champs restent rectilignes et homognes. Pour cela, la zone o sont
raliss les contacts doit tre isole soit en ralisant la structure dans un
caisson ou alors par la ralisation dune structure mesa.
L1 L2 L3
Z

Semiconducteur (P)
Semiconducteur (N)
Figure 45. Structure TLM
En traant ensuite la rsistance entre deux plots de contact en fonction de

la distance (Figure 46), on peut en dduire la rsistance de contact Rc, la
rsistance carr Rsh et la longueur de transfert LT.

R ()
Rsh
2RC Z
-2LT 0 L1 L2 L3 L (m)
Figure 46. Caractristique de la rsistance totale en fonction de la distance des plots.
A partir de ce graphe, on peut en dduire la rsistance carre de cette

manire :
Rc
Rsh = Z
LT
Et la rsistance spcifique c du contact est :
c = Rsh LT 2
Il est ainsi possible dextraire facilement la rsistance spcifique du
contact. Il est noter que le paramtre qui est la distance sparant le
contact du caisson joue un rle important, si cette distance nest pas
ngligeable devant la largeur Z des contacts.
Gnralement la sensibilit de lextraction de la rsistance spcifique de
contact avec les TLMs est de lordre de 10-6 cm2. Cette limitation est due au
paramtre qui ne peut tre supprim du fait de la technologie. Dans la
technologie quon emploie, la rsolution est de lordre de 2 m, un de
lordre de 10 m est tout fait acceptable pour une longueur des plots de 150
m.
7.3.3.2. Circular Transimission Line Method (CTLM)

Une autre mthode introduite par Reeves qui repose sur le mme principe
que le TLM est ce quon appelle le Cicular Transmission Line Method
(CTLM) la diffrence prs que les rsistances ne sont plus rectangulaires
mais circulaire (Figure 47). Le grand avantage de cette mthode est quil nest
plus ncessaire disoler la couche sur laquelle les contacts sont faits puisque
les lignes de champs sont homognes sur la longueur.
r0 r0
r1
r0 r1
r2
r2 d5
a) b)
Figure 47. Structures CTLM a) propose par Marlow et b) Reeves.

Chapitre 2
Pour la structure b) de Reeves, la rsistance totale est sous la forme

suivante :
Rsh r0 + d 1 1
RT = .ln + LT +
2 r0 r0 r0 + d
En utilisant un logiciel comme Origin, il est possible dajuster partir des
points exprimentaux, les paramtres de la courbe pour calculer la rsistance
carre Rsh et la longueur de transfert LT. Ainsi on peut en dduire la
rsistance spcifique c comme prcdemment avec :
c = Rsh LT 2
La sensibilit de la mthode est de lordre de 10-5 .cm2, puisque de
nombreuses simplifications dans les calculs ont t faites pour arriver
lquation finale de RT. Dans le cas contraire, elle serait trop complexe
mettre en place.
7.3.3.3. Cross Bridge Kelvin Resistance (CBKR)

Cette mthode dextraction de la rsistance spcifique c est base sur une
mesure 4 pointes de la rsistance Kelvin (Figure 48) [Proc 82]. Cette
technique permet une extraction rapide et directe pour connatre la qualit
du contact ralis. En appliquant un courant entre les plots 1 et 4 puis en
relevant la tension entre les plots 2 et 3, cela revient mesurer la tension aux
bornes de la rsistance de contact. On peut alors calculer la rsistance de
contact ainsi :
V23
Rc =
I14
Et la rsistance spcifique est dduite avec lquation suivante :
c = Rc . Ac
Ac tant la surface du contact.
Rsc1
Rsc2 R
3
R V
2, 4
Figure 48. a) Structure CBKR, b) principe de la mesure.

Hlas, cette mthode fort sduisante reste limite certaines contraintes.

Dune part par la rsolution de la lithographie, puisquun le plus faible
possible (<5 m) est requis pour obtenir une bonne prcision. Dautre part, il
faut que la rsistance carre de la couche soit faible afin que la longueur de
transfert LT soit suprieure la longueur L du contact.
7.4. Etat de lart du contact ohmique sur SiC

7.4.1. Etat de lart du contact ohmique sur SiC-4H type N
Depuis que les recherches sur le carbure de silicium pour les composants
de puissance ont pris de lampleur, le contact ohmique sur le type N est trs
souvent ralis avec du nickel. Ce mtal permet dobtenir des rsistances
spcifiques de contact <10-5 .cm2 [Gao 00][Han 02][Ferr 05]. Dautres
recherches ont apportes un peu dexotisme avec des matriaux peu courants
comme le niobium (Nb) [Oder 00] ou le cobalt (Co) [Yang 04] qui permettent
datteindre des rsistances spcifiques trs faibles (510-5 .cm2).
Lune des tapes les plus importantes pour la formation du contact
ohmique est le recuit. Des tempratures souvent proches de 1000 C sont
ncessaires pour obtenir de bons contacts. Des travaux ont montrs un
comportement ohmique ds 700C avec le nickel mais les performances
restent limites avec des rsistances spcifiques de lordre de 10-3 .cm2.
Alors qu plus haute temprature, la rsistance spcifique diminue dau
moins 2 dcades. De telles tempratures de recuit sont ncessaires pour crer
des ractions entre le mtal et le SiC afin que le contact soit ohmique.
Une tude apporte une certaine originalit dans la formation du contact
ohmique en dposant dabord une fine couche de silicium suivi dun recuit
1000 C [Guy 04]. Ensuite une couche de nickel est dpose, le contact
ohmique est ainsi form et prsente une rsistance spcifique de 10-5 .cm2.
Bien que lauteur dcrive ce contact comme tant form temprature
ambiante, une temprature de 1000 C a t ncessaire pour la prparation de
la surface.
Le travail le plus remarquable a t ralis par Teraji [Tera 97][Tera 04]
puisque la grande majorit des tudes sur le contact ohmique sur SiC a
ncessit un recuit haute temprature un moment ou un autre du procd
de formation, alors quil a ralis un contact ohmique sans recuit. Il a
essentiellement montr la ncessit dun bon nettoyage de la surface du SiC
pour rduire au maximum les tats dinterface qui sont responsables pour
beaucoup de la qualit du contact ohmique. Ainsi sur du SiC-6H de type N
dop 1017 cm-3, suite un nettoyage spcial leau bouillante, avec le titane
la rsistance spcifique obtenue est de lordre de 10-3 .cm2. Ce qui est un
trs bon rsultat compte tenu du faible dopage. Ainsi toujours dans son tude,
il a russi obtenir un indice dionicit ou de sensibilit proche de 1. Ce qui
nest pas tellement surprenant puisque sur la courbe de Kurtin (Figure 40), le

Chapitre 2
SiC se trouve sur la pente de variation maximale et quil se trouve bien entre
un matriau ionique et matriaucovalent.
7.4.2. Etat de lart du contact ohmique sur SiC-4H type P

Le contact ohmique sur le type P est celui qui pose le plus de difficults
raliser. Si on tient compte du fait que le niveau de la bande de valence est
denviron 7 eV en dessous du niveau du vide, aucun mtal ne possde un
travail de sortie aussi lev. Cela exclut donc la possibilit dun contact avec
le profil o m>s. Les seuls cas possibles sont soit une hauteur de barrire
Schottky faible pour un courant thermoonique ou alors un courant par effet
tunnel avec une couche trs fortement dope.
Beaucoup dtudes ont t menes sur la formation du contact mais
ltablissement du contact ohmique na pour le moment pas encore t
lucid. Le plus souvent, laluminium est le mtal de base coupl un autre
mtal [Crof 02][Kaka 01][Koni 03]. Lutilisation de laluminium se justifie sur
les couches p dopes avec laluminium, permettant desprer quil diffuse
localement lors des recuits de mtallisation.
Les recherches ont surtout t faites sur lalliage Ti/Al dont les rsultats
sont dans la plage 10-4 10-5 .cm2 [Crof 02][John 03][Pecz 03][Mosc 03].
Toutes les tudes ont dmontres que suivant la composition du contact, le
comportement ohmique est obtenu mais reste trs sensible la qualit de la
couche daluminium puisque le contact ohmique nest pas toujours effectif.
Cest la configuration Al : 90% / Ti : 10% (en terme de poids) qui a produit la
plus faible rsistance spcifique de 810-6 .cm2 mais ce rsultat na pas t
reproductible [Crof 02]. En revanche la composition Al : 70% / Ti : 30%
reprsente le meilleur choix pour un bon contact avec une bonne
reproductibilit dune rsistance spcifique de lordre de 10-5 .cm2. Lorigine
du contact semble tre due la formation de lalliage Ti3SiC2. Cet alliage a
dailleurs attir beaucoup dattention pour ses proprits qui prsente une
bonne conductivit lectrique et thermique. Et la prsence de laluminium
est ncessaire pour la formation de lalliage. Si le pourcentage de laluminium
est trop faible alors le recuit ne cre que des alliages AlxTiy, la raction du
mtal avec le SiC est trs faible et aucun comportement ohmique nest
ralis.
Le nickel est le mtal le plus utilis pour le contact ohmique sur type N
mais il est galement possible dobtenir un contact ohmique sur type P. Les
travaux de Konishi (Ni/Al) [Koni 03], Tsao (Ni/Al) [Tsao 04] et Perez (Ti/Ni)
[Pere 05] mettent en avant les avantages de lutilisation de ce mtal. Les
rsistances spcifiques obtenues sont de lordre de 10-5 .cm2. Konishi avec
un contact Ti/Ni/Al arrive obtenir une rsistance spcifique de 10-5 .cm2
sur une couche dope 1018 cm-3.

Dautres travaux ont t mens avec des matriaux peu conventionnels en

microlectronique comme le carbure de titane (TiC) [Lee 02] ou encore
losmium (Os) [Tang 00]. Lutilisation de ces matriaux permet dobtenir des
rsistances spcifiques de contact de lordre de 10-6 .cm2.
7.5. Dveloppement dun contact ohmique Ni/Al sur SiC-4H

type P
Dans cette tude, nous avons dvelopp le contact ohmique sur le SiC de
type P bas sur les mtaux Ni et Al. Les structures de caractrisation utilises
sont des TLM (Figure 49) puisque cette mthode permet une plus grande
sensibilit de mesure que les CTLM. Et la rsistivit importante des couches
SiC de type P ncessite une petite rsolution de lithographie (<1 m) pour la
mise en uvre de la mthode CBKR. Le procd de formation du contact
ohmique (Figure 50) comporte une prparation de la surface, suivi dune
lithographie, puis de lvaporation des mtaux, ensuite les motifs sont
obtenus par lift-off et pour finir un recuit est ralis pour former le
comportement ohmique.
Figure 49. Photo dune structure TLM ralise. La largeur des plots est de 150 m et les
distances de sparation sont de 5, 15, 25, 35, 45 et 55 m.
SiC SiC SiC

1) Nettoyage 2) Oxydation 3) Lithographie
SiC SiC SiC

4) Gravure SiO2 5) Evaporation Ni/Al 6) Lift-off
SiC
7) Recuit
Figure 50. Process utilis pour la formation du contact ohmique.
Les diffrentes tapes du process seront tudies plus prcisment pour

valuer leur impact sur la qualit du contact ohmique. Tous les rsultats
obtenus sont rsums dans le Tableau 4. Dans un premier temps, la
prparation de la surface est tudie travers leffet de loxydation
thermique. Puis une attention sera porte sur la composition du contact
notamment en terme de proportion atomique daluminium dans le contact.
Enfin, linfluence du recuit sur la mtallisation sera optimise travers la
comparaison de deux profils de temprature.

Chapitre 2
Les chantillons utiliss sont des wafers SiC-4H de type N+ avec une
couche pitaxie de type N-. Des caissons de type P sont raliss dans la
couche pitaxie par implantation ionique daluminium. La dose implante
est de 1,51015 cm-2, et le profil obtenu est de type box profile . Le dopage
est alors de 11019 cm-3.
Loptimisation du procd a conduit la ralisation dune rsistance
spcifique de contact de lordre de 310-5 .cm2 et ce rsultat est
reproductible (chantillons #3, #4 et #8). Le meilleur rsultat obtenu est une
rsistance spcifique de 8 10-6 .cm2 (#6), malheureusement, ce rsultat na
t obtenu quune seule fois. Il semblerait que lactivation lectrique des
dopants de cet chantillon tait meilleure que les autres, ce qui expliquerait
une rsistance spcifique plus faible.
Tableau 4. Rcapitulatif des rsultats obtenus.
NA Composition Conc. Recuit

Ech. Rf. Al Oxyd. c (cm2)
(cm-3) Ni (nm) Al (nm) Temp. Dure (s)
(at%) (C)
1 R0321-7 n29 1019 50 250 73 oui 400 / 1000 60 / 120 7,310-3
2 DC20C2-23-SY-7 1019 50 400 84 oui 400 / 1000 60 / 120 1,810-4
3 CN B 13 1019 50 500 87 oui 400 / 1000 60 / 120 3,210-5
4 CN C 15 1019 50 500 87 oui 400 / 1000 60 / 120 2,810-5
5 CN D 11 1019 50 500 87 non 400 / 1000 60 / 120 5,610-4
6 DC20C2-23-SY-8 1019 50 400 84 oui 400 / 1000 60 / 120 7,910-6
7 R0321-7 n28 1019 50 450 86 oui 1000 120 5,610-3
8 CN A 23 1019 50 450 86 oui 400 / 1000 60 /120 4,510-5
9 FL0288-10 n2 1019 50 0 0 oui 400 / 1000 60 / 120 non ohm.
10 FL0288-10 n3 1019 50 250 73 oui 400 / 1000 60 / 120 4,910-3
7.5.1. Prparation de la surface

Daprs toutes les tudes ralises sur le contact ohmique, le nettoyage de
la surface et la raction des mtaux avec le SiC savrent indispensables pour
obtenir un bon contact. Dans cette optique, la prparation de surface par
oxydation et son impact sur la qualit du contact ont t tudis.
Le nettoyage couramment utilis avant toute oxydation est un nettoyage
RCA qui repose sur deux solutions chimiques, la premire avec
lammoniaque (NH4OH) et lautre avec lacide chlorhydrique (HCl). La
solution base permet denlever toutes les particules organiques alors que la
solution acide nettoie la surface des particules mtalliques. Un rinage leau
dionis est ncessaire aprs chaque nettoyage. Puis un dernier bain dans
lacide hydrofluoridrique (HF) limine loxyde (SiO2) natif prsent sur le SiC,
suivi bien sr dun rinage. Les chantillons sont alors prts pour une
oxydation thermique sche.
Loxydation est effectue dans un four sous atmosphre doxygne (O2)
1150 C pendant 2 heures. Lpaisseur doxyde obtenue est denviron 30 nm.
Suite loxydation, un recuit in situ est ralis galement 1150 C sous

azote (N2) pendant 1 heure. Ce dernier permet de densifier loxyde et de

passiver linterface.
Pour valuer limpact de loxydation sur la qualit du contact, deux
chantillons (#4 et #5) ont t nettoys de la mme manire mais lun na pas
subit doxydation thermique (#5).
Pour les deux chantillons, les mesures I-V se font sur une plage de -5 V
+5 V. Les courbes releves sont bien des droites passant par lorigine
caractristique dune rsistance.
En traant la rsistance mesure en fonction de la distance des plots pour
lchantillon #4 (Figure 51), les points sont bien aligns et lapproximation
linaire passe bien par tous les points.
Lextraction des paramtres de la rsistance carre Rsh et de la longueur de
transfert LT donne 11 k/ et 50 m respectivement. Ce qui fait une
rsistance spcifique c de 2,810-5 .cm2 pour lchantillon #4.
Pour lchantillon #5, en procdant de la mme manire, la courbe de la
rsistance en fonction de la distance est reprsente sur la Figure 51.
8000
7000
Echantillon #5
6000
Rsistance ()
5000
4000
Echantillon #4
3000
2000
1000
0
0 10 20 30 40 50 60
Distance (m)
Figure 51. Evolution de la rsistance mesure en fonction de la distance des plots des motifs
TLM pour lchantillon #4 et #5.
Ainsi lextraction des paramtres a pu dterminer une rsistance carr Rsh

de 12 k/ et une longueur de transfert LT de 216 m. La rsistance
spcifique c calcule est alors de 5,610-4 .cm2 pour lchantillon #5.
En comparant les deux rsistances spcifiques obtenues, celle de
lchantillon #5 qui na pas subi doxydation, est dune dcade plus
importante que lchantillon #4 dont la prparation comprenait loxydation.
Le meilleur rsultat de lchantillon #4 peut sexpliquer par le fait que la
surface soit reste protge de toutes contaminations possibles par la couche
doxyde. En effet, celle-ci a t retire seulement avant le dpt des mtaux.
De plus, loxydation qui se fait haute temprature sous oxygne a provoqu
une raction entre les atomes du SiC et les atomes O. Ainsi durant cette tape
les atomes Si ont ragi avec les atomes O pour former loxyde SiO2 et les
atomes C ont ragi avec loxygne pour former des espces volatiles CO et

Chapitre 2
CO2. Ces ractions ont donc provoqu une rupture des liaisons Si-C la
surface. Les nombreuses tudes sur loxydation ont fait apparatre des
concentrations de carbones la surface. De cette manire lors du recuit
mtallisation, les ractions entre les atomes du SiC et des mtaux ont pu
ragir plus facilement pour former des alliages siliciures (NiSi, N2Si) et
carbons (Al4C3). Suite la formation de diffrents alliages, on peut
galement supposer une rduction des tats dinterface puisque les liaisons
pendantes de silicium sont galement rduites.
7.5.2. Composition du contact

Les contacts sont composs dabord dune premire couche de nickel et
ensuite dune couche suprieure daluminium. Lapplication du Ni comme
tant la couche en contact avec la surface SiC est prfre en raison dune
meilleure ractivit avec le SiC. Puisque ds 400 C, des ractions sont
observes entre les atomes Si et Ni [Ferr 05]. La composition du contact varie
en fonction de la concentration atomique en aluminium. La Figure 52
montre lvolution de la rsistance spcifique en fonction de la concentration
en aluminium dans le contact.
Tout dabord, lchantillon #9 dont le contact ne possde que du nickel ne
montre aucun comportement ohmique ce qui dmontre que la prsence
daluminium est ncessaire pour ltablissement du contact ohmique. La
tendance est que plus il y a daluminium dans le contact et plus la rsistance
spcifique est faible. Ainsi pour une composition Ni (50nm) / Al (250 nm)
reprsentant une part de 73 % dAl, la rsistance spcifique obtenue est de
7,310-3 .cm2 (#1). Alors que pour une concentration dAl plus importante
de 84 % (Ni = 50 nm et Al = 400 nm), la rsistance spcifique est de deux
dcades infrieures (#2). Notons que pour une composition dont la
concentration dAl est de 87 %, la rsistance spcifique est alors de 310-5
.cm2 (#3 et #4).
Lvolution de la rsistance spcifique en fonction de la concentration
daluminium dans le contact est reprsente sur la Figure 52.
Rsistance spcifique (Ohm.cm )
-2
10
2
Echantillon #1 #7
Recuit simple
-3
10
#5
#2 Sans Ox
10
-4 #8
#3 et #4
-5
10
72 74 76 78 80 82 84 86 88
Concentration Al (at%)
Figure 52. Evolution de la rsistance spcifique du contact en fonction de la concentration

dAl dans le contact.

Lchantillon #2 a t analys par DRX, les rsultats sont prsents sur la

Figure 53. On peut observer que plusieurs alliages tels que le Ni2Si,
NiSi2, AlNi et Al4C3 ont t forms pendant le recuit. Laugmentation dAl
dans le contact permetrait daugmenter la raction chimique avec le SiC pour
former de lalliage Al4C3 et ainsi galement favoriser la formation de lalliage
Ni2Si. Cela correspond ltude de Konishi [Koni 03] dont ltude tend
mettre en vidence que plus la concentration de Ni2Si est importante et plus
la rsistance spcifique est faible.
AlNi
Ni2Si
Al4C3 NiSi
Intensit (U.A.)
3
10
NiSi2
SiC
2
10
30 40 50 60
2 ()
Figure 53. Analyses Diffraction Rayon X (DRX) dun chantillon Ni(50nm)/Al(450nm).
Lavantage du contact Ni/Al par rapport au contact Ti/Al qui est le plus
utilis est que, quelle que soit la concentration en aluminium, un contact
ohmique est toujours tabli. De plus, les performances obtenues sont
comparables celles du Ti/Al.
7.5.3. Recuit
Le recuit est une tape indispensable pour la formation du contact
ohmique sur le SiC aussi bien pour le type N que le type P. Une temprature
de 1000 C est ncessaire pour crer une raction entre le SiC et les mtaux
pour former des alliages de siliciures et carbures afin dobtenir un bon
contact ohmique. Bien que des tudes aient montr qu partir de 800 C, un
comportement ohmique est observ, la rsistance spcifique est encore
leve.
Ltape du recuit se fait gnralement dans un four du type Rapid Thermal
Processing (RTP) qui est un four lampes halognes. Ce systme permet
davoir des dynamiques en temprature trs rapide (suprieur 100 C/s)
mais la temprature maximale est de lordre de 1100-1200 C.
Avec une couche suprieure daluminium, une monte en temprature
rapide > 50C/s est ncessaire pour viter son vaporation. Lapport rapide
dnergie thermique permet laluminium de ragir avec le nickel et le

Chapitre 2
carbone afin de former des alliages AlNi et Al4C3 et ainsi limiter les pertes
daluminium.
Deux types de profil de recuit ont t mis en place. Le premier a une
simple forme trapzodale avec une monte rapide en temprature jusqu
1000 C puis un palier de 2 minutes suivi ensuite dun refroidissement (Figure
54a). Le second est une variante de la premire laquelle on a ajout une
premire tape dun recuit 400 C pendant 1 minute suivi ensuite du recuit
1000 C pendant 2 minutes (Figure 54b).
Lchantillon #7 a subi un recuit avec le premier profil de recuit alors que
lchantillon #8 a t process avec le second. Les chantillons #7 et #8 ont
des rsistances spcifiques de 5,610-3 .cm2 et 4,510-5 .cm2
respectivement. Ainsi lchantillon ayant eu un pr recuit 400 C possde
une rsistance spcifique plus faible de deux dcades. On peut supposer que
lors de ltape de recuit 400 C, un alliage AlNi qui est stable en
temprature a t form. De cette manire lvaporation de laluminium a t
encore rduite, et 1000 C, plus datomes dAl ont pu interagir avec les
atomes C du SiC. Ceci peut tre corrobor avec les mesures dpaisseurs des
contacts aprs recuit par profilomtrie des contacts, ainsi les paisseurs de #7
et #8 ont montr une rduction de 30 % et 10 % respectivement par rapport
la valeur initiale.
1000 1000
120 s Refroidissement
Refroidissement 800 120 s
Temprature (C)
800
Temprature (C)
60C/s
600 600
60C/s
400 400
200 200
0
0
0 50 100 150 200 250 300 0 50 100 150 200 250 300 350
a) Temps (s) b) Temps (s)
Figure 54. Profils de temprature pour le recuit mtallisation
7.5.4. Morphologie du contact

En observant les contacts avec un microscope optique, la surface semble
trs rugueuse (Figure 55). Il apparat une uniformit de teinte synonyme de
ractions non homognes entre le SiC et le Ni et Al. Une rugosit de lordre
de 100 nm est mesure par profilomtrie.

Figure 55. Photo au microscope optique du bord dun contact ohmique Ni/Al.
Lobservation des contacts au microscope lectronique balayage (MEB ou

SEM en anglais) confirme les constatations faites avec le microscope optique
(Figure 56). Il apparat des points rpartis sur toute la surface qui semblent
tre des creux. Les ractions induites par le recuit semblent tre rparties sur
toute la surface mais seulement en ces points.
Cette surface rugueuse peut ventuellement poser des problmes
dadhrence lors de ltape de surmtallisation pour paissir le contact.
Figure 56. Photos au microscope lectronique balayage de la surface du contact ohmique

Ni/Al.
La forte rugosit du contact peut tre cause par la surface du SiC initiale.
En effet, suite au recuit post-implantation haute temprature, la
morphologie de la surface a t dtriore (voir 5.5). La rugosit de la
surface du SiC est de 25 nm. Puisque ltat de la surface initiale est dj non
homogne, cela peut conduire des ractions du SiC avec le mtal non
homogne sur toute la surface en contact. Une amlioration de la surface
initiale pourrait conduire galement la rduction de la rugosit des contacts
[Tsao 04].
7.5.5. Formation du contact ohmique

Avec lchantillon #10 avec une mtallisation Ni (50nm) / Al (250nm), le
contact ohmique est effectif. Par contre suivant la position des pointes de test
sur des plots larges (400 m), les mesures I-V varient. Par un traitement
chimique, toute la mtallisation a alors t enleve avec de l Al Etchant
commerciale. La surface en dessous du contact est trs rugueuse, ceci est

Chapitre 2
imput la raction chimique durant le recuit mtallisation. En posant

nouveau les pointes de test directement sur le SiC sur deux parties
correspondant aux plots, la caractristique obtenue est bien ohmique (Figure
57). Ensuite, en disposant cette fois, les pointes sur la mme zone qui a ragi
avec le mtal, une caractristique ohmique est encore obtenue. Ce qui
signifie que la surface du SiC ayant ragi est conductrice ce qui peut tre d
des charges importantes. En effectuant un nouveau dpt dAl sur les plots
initiaux, un comportement ohmique est toujours observ entre les deux plots
et la rsistance releve ne varie pas si les pointes sont dplaces.
0,1
Courant (A)
0,01
1E-3
1E-4
Aprs recuit
Aprs Alu Etchant
1E-5 Aprs dpt Alu
-3 -2 -1 0 1 2 3
Tension (V)
Figure 57. Mesures I-V entre deux plots avec la mtallisation, puis aprs le retrait de la
mtallisation et enfin, avec une nouvelle couche Al.
Mme sans mtallisation sur le SiC, un contact ohmique tait observ avec
seulement la pose des pointes (carbure de tungstne) sur les zones qui ont
ragi avec le mtal. Donc quel que soit le mtal en contact avec le SiC, un
comportement ohmique est relev. On peut mettre lhypothse que la
densit dtats dinterface positive crs par la raction entre le mtal et le
SiC conduit une courbure positive importante des bandes du SiC
linterface. On aurait alors une accumulation de charges positives linterface
assez importante comme un dopage trs lev. De cette manire, lors dun
contact avec un mtal, la hauteur de barrire est alors plus faible grce la
prsence de cette densit de charges (Figure 58). Ainsi, la dformation des
bandes facilite le passage du courant par effet tunnel pour ltablissement
dun contact ohmique.
SiC type P Mtal
Ec
Ef
Ev B
Figure 58. Hypothse de la formation du contact ohmique Ni/Al sur SiC-4H de type P.

7.6. Conclusion
Ltude mene sur la ralisation dun contact ohmique Ni/Al sur le SiC-4H
de type P a permis de mettre en place un process optimis. Ainsi il est
possible de raliser de manire reproductible un contact ohmique avec une
rsistance spcifique de 310-5 .cm2. Pour ce faire, une prparation de la
surface avec une oxydation thermique est ncessaire pour protger la surface
de contamination et aussi permettre de faciliter la raction du SiC avec les
mtaux. Le contact est constitu dune couche de nickel de 50 nm avec une
couche daluminium de 500 nm qui reprsente une concentration atomique
dAl de 87%. Enfin, un recuit 400 C pendant 1 minute suivi dun recuit
haute temprature 1000C pendant 2 minutes permet la formation du
contact ohmique.
Cependant, la surface des contacts est trs rugueuse. La morphologie
pourrait peut-tre amliore si la surface initiale du SiC est elle-mme plane.
Loptimisation du contact ohmique sur le SiC de type P est trs important
pour les composants bipolaires. En effet, un mauvais contact sur lanode
dune diode peut entraner des pertes ltat passant plus importantes et par
la mme occasion, rduire le calibre en courant du composant.
8. Conclusion du chapitre
Tout dabord un travail important a t ralis sur la lithographie en

travaillant avec diffrentes rsines. Cette optimisation a permis de contrler
cette tape technologique, quelle que soit la morphologie de la surface de
lchantillon.
Une attention particulire a ensuite t porte sur la configuration dun
masque dimplantation et du recuit post-implantation. Avec lutilisation
dune fine couche de graphite en surface dun chantillon, ltat de surface
est conserv suite aux recuits. Puisquune rugosit importante de la surface
peut induire un claquage prmatur en surface dun composant.
Puis, une tude plus approfondie de la gravure plasma du SiC avec un
racteur RIE a t ralise. Cela a permis loptimisation de cette tape
technologique pour raliser des gravures propres avec une surface grave
proche de celle initiale et aucun phnomne de trenching .

Chapitre 2
Enfin, ltude du contact ohmique sur le SiC de type P avec les mtaux
Ni/Al a conduit la formation dun contact de bonne qualit. Les
performances obtenues sont quivalentes aux meilleurs rsultats de la
littrature.
Ces tapes technologiques doivent maintenant tre prsent
implmentes dans le procd de fabrication de composants de puissance SiC.
Ainsi, la caractrisation des dispositifs permettra de valider les optimisations
effectues. Dans le chapitre suivant, plusieurs lots de diodes SiC avec deux
types de protection priphrique sont fabriqus en intgrant les optimisations
effectues. Et les caractrisations lectriques de ces composants permettront
danalyser les optimisations apportes.


09 Chapitre 2

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Chapitre 2

Technologie de fabrication des dispositifs SiC

Dans le chapitre 1, nous avons vu diffrents composants base de semi-

INSA Lyon Laboratoire Ampre / Institut Saint-Louis 51

Suivant la structure raliser, les tapes technologiques diffrent. Au

52 Heu VANG / thse en gnie Electrique

1.2. Gravure des mtaux

INSA Lyon Laboratoire Ampre / Institut Saint-Louis 53

Llimination de laluminium se fait avec une solution commerciale dite

54 Heu VANG / thse en gnie Electrique

Figure 1. Photographie MEB dune rsine avec une lithographie ngative.

INSA Lyon Laboratoire Ampre / Institut Saint-Louis 55

avec une rsine de 4 m dpaisseur. De cette manire, on peut utiliser cette

1) Lithographie ngative 2) Dpt Rsine

3) Bain actone ou stripper 4) Rsultat

Figure 3. Process lift-off.

Ce procd permet dobtenir une meilleure rsolution des motifs puisque

56 Heu VANG / thse en gnie Electrique

3. Etat de lart de lpitaxie SiC

recherches ont port sur lintroduction dun prcurseur chlorhydrique (HCl)

INSA Lyon Laboratoire Ampre / Institut Saint-Louis 57

58 Heu VANG / thse en gnie Electrique

4.1. Origine des tats dinterface

INSA Lyon Laboratoire Ampre / Institut Saint-Louis 59

manire, dimportants travaux dans la filire SiC ont permis de rduire

4.2. Etat de lart

60 Heu VANG / thse en gnie Electrique

Tableau 1. Rcapitulatif de quelques procds doxydation thermique de la littrature.

Rfrence Polytype Orientation Process Epais. Dit Mobilit

[Sch 99] 4H Si(0001) Oxydation O2 35 1,21012 0,4

[Sch 99] 6H Si(0001) Oxydation O2 35 1,21011 24

[Sch 99] 15R Oxydation O2 35 21011 33

[Hara 02] 4H Si(0001) Oxydation O2 40 41011 7

[Hara 02] 6H Si(0001) Oxydation O2 40 1,21011 33

[Sch 02] 4H Si(0001) Oxydation NO + oxydation O2 43 31011 48

[Kosu 02] 4H Si(0001) Oxydation O2 + roxydation 42 ? 47

4.3. Dveloppement dun procd doxydation

INSA Lyon Laboratoire Ampre / Institut Saint-Louis 61

Les moyens technologiques que nous possdons ne nous permettent pas

62 Heu VANG / thse en gnie Electrique

5.2. Implantation ionique

INSA Lyon Laboratoire Ampre / Institut Saint-Louis 63

Pour raliser un profil dimplantation de type box-profile , il est

Pour raliser une implantation profonde, deux solutions sont possibles.

64 Heu VANG / thse en gnie Electrique

implantation est ncessaire pour rparer le matriau dans les zones

5.4. Masque dimplantation

5.5. Optimisation du recuit post-implantation

INSA Lyon Laboratoire Ampre / Institut Saint-Louis 65

diamtre de 13/8 (35 mm). Les chantillons sont encapsuls dans un

Figure 10. a) Photographie du four induction, b) description de lencapsulation de

A de telles tempratures, le SiC sublime. Cela a pour consquence

Dernirement, nous avons mis en place une nouvelle technique (trs

66 Heu VANG / thse en gnie Electrique

Pour une dose implante de 1,75 1015 cm-2 temprature ambiante et un

INSA Lyon Laboratoire Ampre / Institut Saint-Louis 67

6. La gravure plasma SiC

Breakdown Voltage (Volts) 1600

N+ 3.1018 cm-3 800

L'inertie chimique du SiC empche sa gravure par voie humide. Ceci

68 Heu VANG / thse en gnie Electrique

portera sur loptimisation de la configuration du racteur pour obtenir une

6.2.2. Proprit dun plasma