Diodos

Semiconductores
Operacin, Modelado y
Rectificadores
 Teora de semiconductores
Los semiconductores son una clase especial de
elementos cuya conductividad se encuentra entre la
de un buen conductor y la de un aislante.

Los tres semiconductores ms frecuentemente

utilizados en la construccin de dispositivos
electrnicos son Ge (Germanio), Si(Silicio) y GaAs
(Arseniuro de Galio).
Teora de semiconductores
Material Ventajas Desventajas
Abundante, barato y
Si poco sensible a la Baja velocidad
temperatura
Fcil de refinar y Muy sensible a la
Ge abundante temperatura
Velocidad 5 veces Caro y difcil de
GaAs mayor que el Si. refinar
Teora de semiconductores
tomos
 Teora de semiconductores
Cristal de Silicio

Cada tomo comparte

sus cuatro electrones de
valencia con sus tomos
vecinos en la forma de
enlaces covalentes
 Teora de semiconductores
Los electrones estn firmemente ligados en la estructura
cristalina sin embargo, es posible que estos electrones
rompan su enlace y se muevan libremente en un modo de
conduccin.
La energa requerida para romper un enlace covalente es una
funcin del espaciamiento atmico en el cristal, cuanto ms
pequeo es el tomo ms estrecho el espaciamiento y mayor
la energa para romper los enlaces covalentes
Teora de semiconductores
Niveles de Energa
 Teora de semiconductores
La conductividad de un semiconductor aumenta
significativamente cuando se introducen pequeas
cantidades de impurezas dentro del cristal (Contaminacin o
Dopaje).

Los materiales contaminados son conocidos como

semiconductores extrnsecos y las sustancias puras como
semiconductores intrnsecos.
 Teora de semiconductores
Si la sustancia contaminadora tiene electrones adicionales en
la capa exterior, se conoce como donador y el
semiconductor contaminado se denomina de tipo n, siendo
los electrones los portadores mayoritarios.

Si la sustancia contaminador tiene un dficit de electrones

recibe el nombre de aceptor y el semiconductor
contaminado se denomina de tipo p, siendo los huecos los
portadores mayoritarios.
Teora de semiconductores

Impurezas donadoras
para el silicio: Fosforo,
arsnico y antimonio.
Generan silicio tipo n.
 Teora de semiconductores

Impurezas aceptoras
para el silicio: Boro,
Galio e Indio .Generan
silicio tipo p.
 Diodo semiconductor
Sin polarizacin los
electrones y los
huecos en la regin de
la unin se combinan
y provoca el
agotamiento de
portadores libres en la
regin prxima a la
unin.
 Diodo semiconductor
Con polarizacin inversa:
mayor apertura de la regin
de empobrecimiento.
Flujo de portadores
mayoritarios se reduce
efectivamente a cero.
Nmero de portadores
minoritarios que entran a la
regin de empobrecimiento
no cambia. La corriente en
condiciones de polarizacin
en inversa se llama
corriente de saturacin en
inversa y est representada
por Is.
 Diodo semiconductor
Con polarizacin
directa:
los electrones en el
material tipo n y los
huecos en el p son
repelidos y se
recombinan con los
iones prximos al
lmite reduciendo el
ancho de la regin de
empobrecimiento
 Diodo semiconductor
Ecuacin del diodo:

IS: corriente de saturacin en inversa.

VD: Voltaje de polarizacin en directa aplicado a travs del diodo.
n: Factor de idealidad vara entre 1 y 2. Se tomar el valor de 1.
VT: Voltaje trmico es igual a KT/q (K=constante de Boltzman:
1.38x10-23J/K, T=Temp. absoluta en K y q= carga del electrn: 1.6x10-
19 J/V)
 Diodo semiconductor
Caracterstica del diodo
Von= voltaje mnimo requerido
para obtener una corriente Regin de
perceptible (Si=0.7V, Ge=0.3V y
GaAs=1.2V). polarizacin
en directa
Vz= Voltaje negativo que provoca
incremento abrupto de Is (regin
zener).
El mximo potencial de
polarizacin en inversa que se
puede aplicar antes de entrar a la Von
regin Zener se llama voltaje Regin de
inverso pico (conocido como valor polarizacin
PIV) o voltaje de reversa pico en inversa
(denotado como valor PRV).
 Diodo semiconductor
Efecto de la temperatura
En la regin de polarizacin en
directa las caractersticas de un
diodo de silicio se desplazan a la
izquierda a razn de 2.5 mV por
grado centgrado de incremento de
temperatura.

En la regin de polarizacin en
inversa la corriente de saturacin en
inversa de un diodo de silicio se
duplica por cada 10C de aumento
de la temperatura.
 Diodo semiconductor
Efecto de la temperatura
La relacin de temperatura se describe mediante la ecuacin:
VON(T1)-VON(T0)=kT(T1-T0) ; donde kT (coeficiente de temperatura)=-2.5mv/C para el Ge
y kT=-2.0 mv/C para el Si

Ej1. Cuando un diodo de silicio conduce a una

temperatura de 25C, una cada de 0.7V se produce
entre sus terminales Cul es el voltaje VON en el diodo
a 80C? V (T )=kT(T -T )+V (T )= -2m(80-25)+0.7= 0.59V
ON 1 1 0 ON 0
 Diodo semiconductor
Niveles de Resistencia
A medida que el punto de operacin de un diodo se mueve de
una regin a otra, su resistencia tambin cambia debido a la
forma no lineal de la curva de caractersticas.

Resistencia de CD o esttica
Se calcula en un
punto de operacin
particular
 Diodo semiconductor
Ej2. Encuentre los valores de
resistencia dc en los puntos
indicados en la grfica:

2mA y 0.5V = 250

20mA y 0.8V = 40
-1A y -10V= 10M
 Diodo semiconductor
Resistencia de AC o dinmica

La variacin de la entrada
desplazar el punto de
operacin instantneo hacia
arriba y hacia abajo
 Diodo semiconductor
Resistencia de AC o dinmica
 Diodo semiconductor
Resistencia de AC Promedio

la resistencia determinada
por una lnea recta trazada
entre las dos intersecciones
establecidas por los valores
mximo y mnimo del voltaje
de entrada.
 Diodo semiconductor
Anlisis por mdio de recta de carga
Las caractersticas del diodo se
colocan en el mismo sistema de
ejes como una lnea recta
definida por los parmetros de
la red (recta de carga), la
interseccin de las dos curvas
definir los niveles de corriente
y voltaje del punto de
operacin.
 Diodo semiconductor
Anlisis por mdio de recta de carga
 Diodo semiconductor
Para la configuracin del diodo en serie de la
figura 1, que emplea las caractersticas de la
figura 2, determine: VDQ, IDQ y VR

ID=10/0.5K = 20mA
VD=10V
Diodo semiconductor
ID=10/0.5K = 20mA
VD=10
Grficamente:
IDQ18.5mA
VDQ 0.78V

VR=18.5mA*0.5K = 9.25V o
VR=10-0.7=9.3V
Diodo semiconductor
Modelos del diodo
 Diodo semiconductor
Ej3. Tomando en cuenta el modelo simplificado para el circuito
de la figura determine VD, VR, e ID.

VD=0.7
VR=8-0.7= 7.3V
ID=IR=7.3/2.2K = 3.32mA
 Diodo semiconductor
Ej4. Realice el mismo ejercicio pero si el diodo est al revs.

ID=0A
VR=0V
VD=E-VR=8-0= 8V
 Diodo semiconductor
Ej5. Determine Vo e ID para el circuito de la Figura.

Vo=12-0.7-0.3= 11V
ID=11/5.6K= 1.96mA
 Diodo semiconductor
Ej5. La corriente nominal del diodo de silicio D1 es de 20mA
determine si su eleccin ha sido adecuada calculando la
corriente que circular por este.
I1(0.33K)= E-VD
I1=(10-0.7)/0.33K=28.2mA

No es adecuado!
 Diodo semiconductor
Ej6. Verifique si agregando otro diodo idntico en paralelo es
posible usar estos diodos sin que se daen

I1(0.33K)= E-VD
I1=(10-0.7)/0.33K=28.2mA
ID1+ID2=28.2mA
ID1=ID2= 28.2mA/2= 14.1mA
Si se pueden utilizar
 Rectificadores
Rectificacin es el proceso de convertir una seal alterna (ca)
en una que est restringida a una sola direccin (cd)

Media Onda
(tomando un
diodo ideal)
 Rectificadores

Media Onda
(tomando un diodo
ideal)
 Rectificadores

Media Onda (Diodo no ideal)

 Rectificadores
En un rectificador es muy importante tener en cuenta el PIV
(voltaje inverso pico) del diodo, para uno de media onda
PIVVm
 Rectificadores
Ej7. Si se tiene el siguiente circuito, alimentado con una onda
senoidal de 200V. Dibuje la forma de onda obtenida y calcule el
voltaje pico de la onda resultante

Vm=-(200-0.7)=-199.3V
 Rectificadores
Onda completa con
puente de diodos
(tomando diodos
ideales)

Parte Positiva
conducen D2
y D3
 Rectificadores
Onda completa con
puente de diodos
(tomando diodos
ideales)

Parte negativa
conducen D1
y D4
 Rectificadores
Onda completa
(tomando diodos
ideales)
 Rectificadores

Onda completa
(diodos no ideales)
 Rectificadores
Para un rectificador de onda completa con puente de diodos
PIVVm
 Rectificadores
Onda completa con
transformador con
derivacin central

Parte positiva
conduce D1
 Rectificadores
Onda completa con
transformador con
derivacin central

Parte negativa
conduce D2
 Rectificadores
Para un rectificador de onda completa con transformador con
derivacin central PIV 2Vm
 Rectificadores
Los circuitos rectificadores proporcionan un voltaje cd pulsante
a la salida, estas pulsaciones son conocidas como rizo de salida
y pueden reducirse por medio de filtrado.

Filtro ms simple: Capacitor

en paralelo a resistencia de
carga.
Rectificadores
Clculo del valor del
capacitor:

C=Vmax/VfpRL
V=Vmax-Vmin
fp= frecuencia a la salida
RL=resistencia de carga
Rectificadores
Clculo del voltaje de rizo

Clculo del factor de rizo

Factor de rizo= Vr(rms)/Vcd

 Rectificadores
Ej8. La entrada del circuito de la Figura es una onda senoidal de 100(V)
rms y 60Hz. El voltaje de salida mnimo no puede disminuir por debajo
de 70V. El transformador tiene una relacin 1:1 y la resistencia de carga
es de 2K. Qu valor de capacitor se debe de colocar?
Tenga en cuenta que:
C=Vmax/VfpRL
Rms no es lo mismo que Voltaje
pico
Un rectificador de onda
completa obtiene una salida con
el doble de frecuencia.
 Rectificadores
Ej8. La entrada del circuito de la Figura es una onda senoidal de 100(V)
rms y 60Hz. El voltaje de salida mnimo no puede disminuir por debajo
de 70V. El transformador tiene una relacin 1:1 y la resistencia de carga
es de 2K. Qu valor de capacitor se debe de colocar?

C=Vmax/VfpRL
C=(1002)/(((1002)-70)*120*2K)
C=8.25F
 Rectificadores
Ej9. En el circuito del ejercicio anterior, Habr algn inconveniente si se
coloca un capacitor electroltico de 8.2F y 120V?
Qu voltaje mximo llegar al capacitor?
Vmax=1002 = 141.4Vp
!El capacitor se daar!