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TEORIA PREVIA
El transistor de efecto de campo (JFET) tiene las siguientes ventajas y desventajas con
respecto del transistor bipolar
VENTAJAS
- su impedancia de entrada es extremadamente alta (tpicamente 100M o ms).
- Su tamao fsico es aproximadamente un 20 o 30% del espacio que ocupa un BJT.
Esto lo hace idneo para su integracin en gran escala, sobre el MOSFET que es
ms pequeo que el JFET.
- Su consumo de potencia es mucho ms pequea que la del BJT.
- Su velocidad de conmutacin es mucho mayor que la del BJT.
- Es menos ruidoso que el BJT, esto lo hace idneo para amplificadores de alta
fidelidad.
- Es afectado en menor grado por la temperatura.
DESVENTAJAS
CONSTRUCCIN
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Ing. Jos Manuel Glez. Rojas Notas de la Clase de Electrnica II
FUNCIONAMIENTO
El canal n se comporta como una resistencia cuyo valor depende del voltaje existente entre
D y S. Cuando VDS llega a ser lo suficientemente grande la corriente iDS comienza a ser
constante, VDS puede incrementarse hasta BVDS0 (punto en el que ocurre el rompimiento
por avalancha), la nomenclatura significa voltaje de ruptura entre D y S con VGS = 0.
La curva que se obtiene para cuando se mantiene en corto las terminales de Gate y Source,
mientras varia el voltaje entre Dren y Source, es la siguiente:
NOTA: Como el canal N se comporta como una resistencia a medida que se incrementa
VDS, entonces el mismo potencial presente en el canal hace que se forme una regin de
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agotamiento o campo elctrico que va incrementndose en intensidad hasta que se cierra
por completo en el punto A, cualquier aumento posterior en la tensin VDS mantendr al
potencial de A con respecto de tierra constante, razn por la cual la corriente iDS comienza
a ser constante.
El voltaje VGS es negativo en los FET`S de canal N, esto para controlar la anchura del
canal, a medida que se incrementa VGS negativamente se origina una regin de agotamiento
entre compuerta y fuente que va reduciendo la corriente iDS gradualmente:
Denotaremos por VPX a un voltaje cualquiera producido bajo la condicin de un voltaje VGS
de valor x y en el cual la corriente comienza a hacerse constante (saturarse). La relacin
existente entre el nuevo VPX y cualquier VGS es:
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VPX = Vpo + VGS
El canal se cierra por completo cuando VGS = VGsoff, en este momento la corriente iDS es
aproximadamente cero.
CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA
2
v
iDS = I D SS 1 GS
V
GSoff
2
iDS = IPO iDS = I PO 1 + vGS
VPO
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EJERCICIO:
2
v
iDS = 5mA 1 GS
6
2
v
iDS = 5mA 1 + GS
6
2.- Obtener la corriente entre drenador y fuente para los siguientes voltajes compuerta-
fuente.
VGS 0V -2 -4 -6 -8
iDS 5mA 2.22mA .555mA 0 .555mA
El resultado iDS = .555mA para VGS = -8 no existe ya que para el funcionamiento del FET
es solo media parbola.
3.- Calcular la impedancia de entrada de este dispositivo cuando VGS = -15V a temperatura
ambiente y a 100 C.
VGS 15V
Z i 25D C = =
I GSS 1nA
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Zi = 15G
T2-T1
I GSS 100 C = Zi ( 25D C ) =2 10
15V
Zi (100D C ) =
181nA
Zi (100D C ) = 83M
TRANSCONDUCTANCIA EN UN PUNTO
Si derivamos la ecuacin de la curva de transconductancia se obtendr el valor de la
conductancia en un punto en particular sobre la curva llamado gm:
2
V
I DSS 1 GS
iDS V
gm = = GSoff
VGS VGS
2 I DSS V
gm = 1 GS
VGSoff VGSoff
gm indica que tanto control tiene el voltaje de entrada VGS sobre la corriente de salida:
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En la figura se observa como para un mismo incremento de VGS se obtienen diferentes
amplitudes de corriente.
Q2 tiene mayor pendiente, es decir mayor conductancia, por lo tanto hay un mayor control
de iDS para el mismo VGS.
POLARIZACIN FIJA
Al igual que en el BJT, la malla de entrada es la que polariza al JFET, en este caso la malla
de compuerta. Cabe mencionar que para este dispositivo la corriente de reposo es fijada por
el voltaje de compuerta.
ANALISIS
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ANLISIS EN LA MALLA DE COMPUERTA
VGS = -VGG
Esta recta se muestra en la siguiente figura, la cual queda representada por una recta
vertical a lado izquierdo del eje de la corriente.
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VDD VDS
iDS =
RD
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SOLUCIN
1
2
IDSQmax = 20mA 1 = 13.89mA
6
1
2
IDSQmin = 8mA 1 = 2mA
2
IDSQ = 11.9mA
AUTOPOLARIZACIN
V RG + V GS + V RS = 0
VGS + RS iDS = 0
VGS
iDS =
RS
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A esta ecuacin se le conoce como ecuacin de la recta de polarizacin. Esta recta tiene
pendiente negativa y pasa por el origen, como se observa en la siguiente figura:
La recta ofrece las mejores condiciones tales que no compromete la inestabilidad y los
valores de transconductancia, es decir, no se sacrifican una u otra.
La recta produce buena estabilidad del punto de operacin, sin embargo produce
valores de g m bajos que se traducen en una baja ganancia de corriente.
Generalmente muchos diseadores optan por el tipo de polarizacin dado por la recta
Este tipo de polarizacin es mejor que la polarizacin fija ya que el punto de operacin es
ms estable.
En la recta la RS puede llamarse ptima ya que esta recta pasa por el centro de una de
las curvas de transconductancia.
V G S o ff
RS =
I D SS
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I DSQ = 0.382 I DSS
VGSQ = 0.382 VGSoff
2
V
iDS = I DSS 1 GS
V
GSoff
Normalizando:
2
iDS V
= 1 GS
I DSS VGSoff
iDS V
= GS = K
I DSS VGSoff
K = (1 K )
2
K = 1 2K + K 2
K 2 3K + 1 = 0
K1 = 0.382
K 2 = 2.48
i
Como: K = DS iDS = K1 I DSS
I DSS
K1 = 0.382 .
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ANLISIS EN LA MALLA DE DREN
VDD vDS
iDS =
RD + RS
EJERCICIO: Polarizar el FET de la figura de tal modo que el punto de operacin se ubique
a la mitad de la curva de transconductancia y a la mitad de la recta de polarizacin.
Calcular adems el valor de g m en el punto de operacin.
Solucin:
VGSoff
RS =
I DSS
RS = 214 220
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VRD
RD =
I DSQ
RD = 900
RG se propone de un valor de tal modo que se aproveche la alta impedancia del JFET.
En este caso se propone de:
RG = 1M
2 I DSS
gm = 1 VGS
V
VGSoff
GSoff
2(14mA) 1.5
gm = 1
( 3) 3
g m = 5768S
VGG vGS
iDS =
RS
VGG
Es una recta con pendiente negativa y con la ordenada en el origen a como se observa
RS
en la figura:
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De la figura puede observarse que este tipo de polarizacin es mejor que las dos anteriores
debido a que I DSQ es menor, sin embargo para conseguir esto es necesario aplicar valores
elevados de VDD para que VGG sea lo ms grande posible y asi el punto de operacin sea
ms estable.
EJERCICIO: Polarizar un JFET por divisor de tensin y de tal modo que se cumplan los
siguientes datos:
Punto de operacin a la mitad de la recta de carga y a la mitad de la curva de
transconductancia, el voltaje de alimentacin VDD = 12V y calcular el valor de g m en el
punto de operacin.
Solucin:
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Se elige arbitrariamente VGG = 2 V
I DSQ = 0.382 I DSS = 3.06mA
VGSQ = 0.382VGSoff = 1.91V
VGG VGSQ
I DSQ =
Rs
VGG VGSQ 3.91V
Rs = =
I DSQ 3.06mA
Rs = 1278
RG
R1 = Eligiendo RG = 1M
VGG
1
VDD
R1 = 1.2 M
VDD
R2 = RG
VGG
R2 = 6 M
EJERCICIO: Para cada uno de los circuitos de polarizacin con FET, determinar el punto
de operacin.
a)
Solucin:
El punto de operacin se obtiene analticamente a partir de la interseccin de la curva de
transconductancia con la recta de polarizacin.
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2
V
iDS = I DSS 1 GS
V
GSoff
V VGS
iDS = GG
Rs
2
VGG VGSQ V
= I DSS 1 GSQ
Rs V
GSoff
VGG VGSQ
2
2VGSQ VGSQ
= 1 + 2
RsI DSS VGSoff VGSoff
1 1 2
VGSQ + VGSQ + 1 = 0
2
2 RsI VGSoff
VGSoff DSS
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0.604 ( 0.604)2 4(0.0625)
VGSQ =
2(0.0625)
VGSQ1 = 7.546V
VGSQ 2 = 2.12V
Este ltimo valor de VGSQ es el correcto ya que para el otro, el canal estara cerrado por
completo e I DSQ = 0 .
VRS VGSQ
I DSQ = =
Rs Rs
I DSQ = 1.767mA
o de otra manera
212
2
I DSQ = 8mA1
4
I DSQ = 1.767mA
2 I DSS V
gm = 1 GSQ
VGSoff V
GSoff
g m = 1880S
VDSQ = 4.05V
b)
DATOS
VDD = 12V
I DSS = 6mA
VGS OFF = 3V
rds = 25K
R1 = 100 K
R2 = 1M
RS = 1K
RD = 1.6 K
rs = 50
RL = 1.2 K
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La curva de transconductancia es:
2
V
iDS = I DSS 1 GS
V
GSoff
2
VGG VGSQ VGSQ
= I DSS 1
Rs V
GSoff
VGG VGSQ
2
2VGSQ VGSQ
=1 + 2
I DSS Rs VGSoff VGSoff
Reacomodando:
1 1 2 VGG
V
2
+ V + 1 =0
2 GSQ
RsI GSQ
VGSoff DSS VGSoff I DSS RS
ax2 + bx + c
1 1
a= 2
=
VGSoff 9
1 2
b= = 0.833
RsI DSS VGSoff
VGG
c =1
I DSS Rs
R1
VGG = VDD
R1 + R2
VGG = 1.091
c = 0.818
VGSQ 2 = 1.16V
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VGG VGSQ
I DSQ =
Rs
1.091 ( 1.16)
I DSQ =
1000
I DSQ = 2.25mA
VDSQ = 6.15V
2 I DSS V
gm = 1 GSQ
VGSoff V
GSoff
g m = 2451S
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