Tecnolgico Nacional de Mxico

Instituto Tecnolgico de Mazatln

Transistores

Ensayo:

Ibarra Aguilar Joel Uriel

Realizado por:

Sistemas Electrnicos

Asignatura:

Ing. Mecnica

Carrera:

4 B

Grupo:

Ing. Edgar Mizard Nolazco Padilla

Docente:

Mazatln, Sin. A febrero del 2017.

 Introduccin

En el presente ensayo se abordara el tema de los transistores, un dispositivo

inventado por el hombre diseado para operar en circuitos electrnicos como
amplificadores, osciladores o conmutadores. Este es un dispositivo electrnico
semiconductor utilizado para entregar una seal de salida en respuesta a una
seal de entrada

La palabra transistor, es la contraccin en ingls de transfer resistor que significa:

resistor de transferencia.

En estos temas estudiaremos las principales caractersticas bsicas del transistor,

as como sus aspectos fsicos, sus estructuras bsicas y las simbologas utilizadas
para cada uno de ellos.

Desarrollo

Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de corriente o de tensin

actuando como un interruptor o amplificador para seales electrnicas.
El Transistor es un componente electrnico formado por materiales
semiconductores, de uso muy habitual, pues lo encontramos presente en
cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como las radios, alarmas,
automviles, ordenadores, etc.
Los transistores de potencia tienen caractersticas controladas de encendido y
apagado. Los transistores, que se utilizan como elementos de conmutacin, se
operan en la regin de saturacin, y producen una pequea cada de voltaje en el
estado de encendido
Los transistores de potencia se pueden clasificar, de manera general, en cinco
categoras:
Transistores bipolares de unin (BJT)
Transistores de efecto de campo de metal xido semiconductor (MOSFET)
Transistores de induccin esttica (SIT)
Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)
COOLMOS
Transistores bipolares de unin

Un transistor bipolar consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que

permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, adems de controlar el paso
de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a
que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran nmero de aplicaciones.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

Transistores de efecto de campo de metal xido semiconductor

Este es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es

el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos
analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms
popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores
comerciales estn basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source),
drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato
generalmente est conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo
se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.
Los primeros son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la
creacin de un canal entre el drenador y la fuente, al aplicar una tensin en la
puerta. La tensin de la puerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de
manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin con dopado
opuesto al que tena el sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento hace
referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la
cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal. El canal
puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un
nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un
transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n,
mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un
canal de tipo p.

Los MOSFET de empobrecimiento o deplexin tienen un canal conductor en su

estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la
tensin elctrica en la puerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de
portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad.

Transistores de induccin esttica

Este es un componente electrnico de recin creacin el cual es usado en

diferentes aplicaciones, es de alta potencia y frecuencia. El mismo es muy similar
a los JFET, excepto por su construccin vertical y su compuerta enterrada. Se los
utiliza en amplificadores de potencia lineal en audio, DHF, UHF y microondas. No
se los utiliza como conmutador por la alta cada de tensin en sus terminales.
El SIT es un dispositivo portador mayoritario (unipolar) en el que el flujo
de electrones de la fuente al drenaje es controlado por un potencial de barrera en
el semiconductor de dos dimensiones con forma de silla de montar entre las
compuertas metlicas. S el dopado y las dimensiones laterales son escogidas
adecuadamente, la altura del potencial de barrera ser modulado por la compuerta
y el drenaje. Debido a que la corriente se incrementa exponencialmente conforme
el potencial de barrera es disminuido, las caractersticas de la salida del SIT son
usualmente no saturadas o de manera de trodo, parecindose a un trodo de tubo
al vaco. Los electrones fluyen de la fuente al drenaje a travs de un punto
ensillado de potencial electrosttico entre los electrodos de compuerta. El mismo
cuenta con tres terminales la Puerta (G), Drenador (D) y Surtidor (S).
Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)

Componente electrnico diseado para controlar principalmente altas potencias,

en su diseo est compuesto por un transistor bipolar de unin BJT y transistor de
efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN)
que son controlados por un metal-xido-semiconductor (MOS), estructura de la
puerta sin una accin regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder
de la construccin, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de
colector, formando una lnea vertical del transistor de unin bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El
circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como las del BJT. En la figura II se observa la
estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor
(E) y Colector (C)
Este funciona cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT
enciende inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje
VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el
tiempo de encendido en que la seal en la puerta es aplicada. Para encender el
IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal
E. La seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.

COOLMOS

El COOLMOS, que es una nueva tecnologa de MOSFET de potencia para alto

voltaje, implementa una estructura de compensacin en la regin vertical de
desplazamiento de un MOSFET, para mejorar la resistencia en estado activo. Para
un mismo .encapsulado, tiene menor resistencia en estado activo en comparacin
con la de otros MOSFET. Las prdidas de conduccin son cinco veces menores,
cuando menos, en comparacin con las de la tecnologa MOSFET convencional.
El COOLMOS es capaz de manejar de dos a tres veces ms potencia de salida
que la de un MOSFET convencional en el mismo encapsulado. El rea activa de
microcircuito de un COOLMOS es unas cinco veces menor que la de un MOSFET
normal.
 Conclusin

En conclusin podemos decir que un transistor es un dispositivo que regula el flujo

de corriente o de tensin actuando como un interruptor o amplificador para
seales electrnicas. Estos se pueden clasificar en 5 categoras, las cuales son:
Transistores bipolares de unin (BJT), Transistores de efecto de campo de metal
xido semiconductor (MOSFET), Transistores de induccin esttica (SIT),
Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y COOLMOS.

El Transistor es un componente electrnico formado por

materiales semiconductores, de uso muy habitual, pues lo encontramos presente
en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como las radios, alarmas,
automviles, ordenadores, etc.

Otra conclusin que podemos dar es que los transistores son unos elementos que
han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido
tamao, gran versatilidad y facilidad de control.

Referencia

MUHAMMAD H. RASHID, Electrnica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

Electrnica de potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones

Electrnica fsica y modelos de circuitos de transistores, escrito por Paul E.
Gray

electronicafacil.net