Se trata de pequeas tarjetas de memoria 100% electrnicas, basadas en el uso

de celdas de almacenamiento tipo NAND, las cuales permiten guardar datos por
largos periodos de tiempo sin necesidad de tener alimentacin elctrica durante
ese lapso.

Memorias de acceso aleatorio RAM

Las memorias de acceso aleatorio son conocidas como memoria RAM de la sigla
en ingls Random Access Memori.
Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y contienen un conjunto de
variables de direccin que permiten seleccionar cualquier direccin de memoria de
forma directa e independiente de la posicin en que se encuentre.
Estas memorias son voltiles, es decir, que se pierde la informacin cuando no
hay energa y se clasifican en dos categoras bsicas: la RAM esttica y la RAM
dinmica.
Memoria RAM esttica
Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memori) se
compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con
transistores MOSFET, a un que tambin existen algunas memorias pequeas
construidas con transistores bipolares.

La celda se activa mediante un nivel activo a la entrada superior y los datos se

cargan o se leen a travs de las lneas laterales.

La RAM esttica utiliza una tecnologa completamente diferente. Podemos

entenderlo como un circuito electrnico capaz de mantener un bit de memoria.
Puede llevar cuatro o seis transistores con algo de cableado, pero no tiene que ser
refrescado jams. Esto hace que la RAM esttica sea significativamente ms
rpida que la memoria dinmica. Sin embargo, al tener ms partes, una celda de
memoria esttica ocupa mucho ms espacio en un chip que una celda de memoria
dinmica. Por este motivo se consigue menos memoria por cada chip, y hace que
la memoria esttica sea ms cara.

Memoria RAM dinmica

Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dynamic Random Access Memory),
a diferencia de la memoria esttica se compone de celdas de memoria construidas
con condensadores. Las celdas de memoria sin de fabricacin ms sencillas en
comparacin a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir
memorias de gran capacidad.
La operacin de la celda es similar a la de un interruptor, cuando el estado en la
fila se encuentra en alto, el transistor entra en saturacin y el dato presente en el
bus interno de la memoria (columna) se almacena en el condensador, durante una
operacin de escritura y se extrae en una operacin de lectura. El inconveniente
que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que recargar la informacin
almacenada en las celdas, por lo cual estas celdas requieren de circuitera
adicional para cumplir esta funcin. A esta funcin especial se llama de refresco.
 Memorias de solo lectura
Las memorias de solo lectura son conocidas como memorias ROM (del ingls
Read Only Memory). Se caracterizan por ser memorias solo de lectura y contienen
celdas de memoria no voltiles, es decir que la informacin almacenada se
conserva sin necesidad de energa. Este tipo de memoria se emplea para
almacenar informacin de forma permanente o informacin que no cambie con
mucha frecuencia.
Memoria ROM de mscara
Este tipo de ROM se caracteriza por que la informacin contenida en si interior se
almacena durante su fabricacin y no se puede alterar.
La programacin se realiza mediante el diseo de un negativo fotogrfico llamado
mscara donde se especifican las conexiones internas de la memoria. Son ideales
para almacenar microprogramas, sistemas operativos, tablas de conversin y
caracteres.

.
Memoria PROM
ROM programable del ingls Programmable Read Only Memory. Este tipo de
memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el proceso de
fabricacin, si no que la efecta el usuario y se puede realizar una sola vez,
despus de la cual no se puede borrar o volver a almacenar otra informacin.
Para almacenar la informacin se emplean dos tcnicas: por destruccin de
fisibles o por destruccin de unin. Comnmente la informacin se programa o
quema en las diferentes celdas de memoria aplicando la direccin en el bus de
direcciones, los datos en los buffers de entrada de datos y un pulso de 10 a 30V,
en una terminal dedicada para fundir los fusibles correspondientes. Cuando se
aplica este pulso a un fisible de la celda, se almacena un cero lgico, de lo
contrario se almacena un uno lgico (estado por defecto), quedando de esta forma
la informacin almacenada de forma permanente.
 Memoria EPROM
Erasable Read Only Memory. Este tipo de memoria es similar a la PROM con la
diferencia que la informacin se puede borrar y volver a grabar varias veces. La
programacin se efecta aplicando a un pin especial de la memoria una tensin
entre 10 y 25 voltios durante aproximadamente 50 ms.
La EPROM se compone de un arreglo de transistores MOSFET de canal N de
compuerta aislada.

Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante

exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz
excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las
EPROM se reconocen fcilmente por una ventana transparente en la parte alta del
encapsulado, a travs de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz
ultravioleta durante el borrado.
Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips OTP
(One-Time Programmable, programables una sola vez). La nica diferencia con la
EPROM es la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada.
Las versiones OTP se fabrican para sustituir tanto a las EPROM normales como a
las EPROM incluidas en algunos microcontroladores. Estas ltimas fueron siendo
sustituidas progresivamente por EEPROMs (para fabricacin de pequeas
cantidades donde el coste no es lo importante) y por memoria flash (en las de
mayor utilizacin).
Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte aos, y se puede
leer un nmero ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del
sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta. Las antiguas BIOS de los
ordenadores personales eran frecuentemente EPROM y la ventana de borrado
estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que contena el nombre del
productor de la BIOS, su revisin y una advertencia de copyright.
 Memoria FLASH

La memoria Flash es un derivado de la memoria EEPROM. Es un dispositivo en

forma de tarjeta, que se encuentra orientado a realizar el almacenamiento de
grandes cantidades de datos en un espacio reducido, permitiendo la lectura y
escritura de mltiples posiciones de memoria en la misma operacin. Todo esto
gracias a impulsos elctricos, lo que adems le otorga una velocidad de
funcionamiento superior a la que presentaban las memorias del tipo EEPROM,
que actuaban sobre una celda nica de memoria por vez.
Este tipo de memoria, se basa en el uso de semiconductores. Adems, de ser no
voltil y re-escribible, lo que le otorga casi todas las caractersticas de una
memoria RAM, con la ventaja de que lo que se guarda en este tipo de memorias
flash, no se borra al desconectar el dispositivo del PC o del aparato en donde las
utilizamos a diferencia de la memoria RAM.
Tipos de memoria Flash
Existen varios tipos y modelos de memorias Flash actualmente en el mercado. Los
ms importantes son los siguientes:
 Tarjetas SD.
xD Picture Card.
Memory Stick.
Compact Flash.
SmartMedia.
Memoria Flash USB.

Memoria flash de tipo NOR

Cableado y estructura en silicio de la memoria flash NOR.

En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG
(Floating Gate), modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que
generara CG (control Gate) en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo
de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces,
cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente
elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La
presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0,
reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se
detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones
almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente.
Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite
el paso de la corriente desde la terminal fuente al terminal sumidero, entonces se
coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo
elctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrn injection. Para borrar
(poner a 1, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar
estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso
de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto
al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola
de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones
abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al
aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto.
Es necesario destacar que las memorias flash estn subdivididas en bloques (en
ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques
enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta
razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que
las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para
reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para despus reescribir
su contenido.
Memoria flash de tipo NAND

Cableado y estructura en silicio de la memoria flash NAND.

Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma
ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el
borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de
la evidente base en otro tipo de puertas, un costo bastante inferior, unas diez
veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial
(ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias
flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo,
han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya
que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por
bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de
dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o tambin
llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND.
Comparacin de memorias flash tipo NOR y NAND
Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de
las memorias tradicionalmente valorados.
La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante
mayor en las memorias NAND.
El costo de NOR es mucho mayor.

El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su

modificacin.
En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca
con la limitada reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o
palabras completas.
La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND
(10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte).
La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por
pgina en NAND.
La velocidad de borrado para NOR es de 1ms por bloque de 64 KB frente a
los 2ms por bloque de 16 KB en NAND.
La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es
relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene bloques
errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren
correccin de datos y existe la posibilidad de que queden bloques
marcados como errneos e inservibles.
En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos, pero carecen de
una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de
un buen sistema de ficheros. Dependiendo de qu sea lo que se busque,
merecer la pena decantarse por uno u otro tipo.