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Capteurs de lumire

1
Photomtrie

* nergie rayonnante Q (J) = nergie mise, propage ou reue sous forme de


rayonnement.

le flux nergtique j (J.s-1 ou W) = puissance de rayonnement,

j = dQ / dt.

l'clairement nergtique E (J.s-1.m-2 ou Wm-2) = puissance reue par unit de s,

E = dj / dA

* photomtrie visuelle, grandeurs rapportes la sensibilit de l'oeil humain.

2
Les photocapteurs
1. Photorsistance

2. Cellule photolectrique

3. Photodiode / cellule photovoltaque

4. Photo transistor

3
Les dtecteurs photoniques
Photorsistance
et

4
Photorsistance
Certains semi-conducteurs comme CdS, SeCd, PbD, SbIn, SbAs ... ont une rsistance
qui varie avec l'clairement. Les photons incidents augmentent le nombre des
porteurs libres et diminuent la rsistance. L'efficacit est fonction de la longueur
d'onde de la lumire. Pour CdS, la courbe de sensibilit est voisine de celle de l'oeil
humain.

Proprites.
Avantages : Capteur sensible, de faible cot, facile mettre en uvre.

Inconvnients : Non linaire. La vitesse de variation de R avec l'clairement est


faible et non symtrique. (Temps de monte de l'ordre de 35 ms et temps de
descente de l'ordre de 10 ms).

Applications :
Dclenchement automatique d'clairage, dtecteur de prsence, relais optique ...

5
Figure 2. Efficacit quantique des principaux matriaux
utilis pour la photodtection.

6
Fig: Coefficients dabsorption a et profondeurs moyennes de pntration 1/ a''
des matriaux semi-conducteurs usuels en fonction de lnergie des photons
incidents et de la longueur donde.
Les dtecteurs photoniques
Photorsistance
et

. La rsistance vrifie les lois suivantes :

avec
R: la rsistance du matriau
s : la conductivit du matriau qui dpend de l'clairement reu
L: la largeur de la bande du semi-conducteur photo-sensible
A: la surface de la bande du semi-conducteur photo-sensible

E l'clairement
a constante dpendant du matriau, de la temprature et du spectre
du rayonnement
g constante gnralement comprise entre 0.5 et 1 Or, la grandeur
mesure dans le cas d'une

Or, la grandeur mesure dans le cas d'une photo-rsistance est


le courant de sortie. Il vrifie la loi dOhm U=RI d'o

8
Les dtecteurs photoniques
Photorsistance

les cellules photoconductrices ont des sensibilits


de 10-1 102 A.W-1.

9
Afin d'optimiser le capteur et que le courant I soit assez important pour tre mesur, la surface A
d'exposition du semi-conducteur doit tre grande vis--vis de sa largeur de bande. Cest pour
cette raison que le semi-conducteur est dispos en "serpentin".

10
Les dtecteurs photoniques
Photorsistance

11
Conditionneur dune photo-rsistance

Cest capteur passif qui ncessite une alimentation.


Afin de pouvoir dtecter leffet de la lumire sur la rsistance, on alimente la photorsistance
par une tension V fixe. A lobscurit, elle est traverse par un courant Iob.
Sous clairement, et sous la mme tension elle sera traverse par un courant Icl=Iob + DI
La grandeur utile de ce capteur est donc le courant. On utlise un circuit convertisseur
courant tension tel que Vsortie= K Ientre
K est la fonction de transfert homogne une rsistance. Dans le circuit ci-dessous K = -R.
Lentre du conditionneur est sous une ddp e zro. Cette condition est proche de celle
dun court-circuit, ce qui est favorable une attaque en courant (tirer le maximum de courant).

R
Ie

Ie
-

+
Vs = - R Ie

Circuit convertisseur courant tension


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R
Ie
Ie
Ie
-

+
V Vs = - R Ie

Photorsistance Convertisseur courant tension


Alimente par
Une tension V

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Caractristiques

Cot
Prix : 1 3 dinar

Principales caractristiques mtrologiques

Temps de rponse : lev (de l'ordre de quelques millisecondes).


Puissance: De l'ordre d'une centaine de milliwatts.
Rsistance d'obscurit : De l'ordre du Mga-Ohms
Rsistance en mode clair : De l'ordre de la dizaine du kilo-Ohms
Temprature de fonctionnement: De -60 C +75 C

Utilisation

Les photorsistances sont gnralement employes dans les montages


permettant de dtecter des seuils d'clairement:
allumage de l'clairage public
flash automatique des appareils photos
Dtection d'intrusion
Jouets divers...

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Effet photo-lectrique

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L'effet photolectrique correspond l'mission d'lectrons par un
matriau lorsque celui-ci est expos la lumire ou un rayonnement
lectromagntique de frquence suffisamment leve.
Historiquement, la dcouverte de l'effet photolectrique par Planck et
son interprtation par Einstein sont l'origine de la mcanique
quantique. En effet, l'exprience lie mettait en vidence la ralit
des photons en tant que particules d'nergie lmentaires associs
une onde lectromagntique.

L'mission d'lectrons ne se produit que si la frquence du


rayonnement est suprieure une frquence seuils caractristique
du mtal. Elle est alors instantane.
Au cours de la collision, le mtal absorbe le photon dont l'nergie hv
est fournie un lectron. Cette nergie permet l'lectron de
valence de se librer des forces qui le maintiennent dans le mtal et
d'acqurir, une fois sorti du mtal, une nergie cintique. L'nergie
fournie pour cette sortie du mtal est souvent appele nergie
d'extraction.

16
-le photomultiplicateur
Effet photolectrique sur des lectrodes mtalliques de potentiels croissants.
Sensibilit 103 107 A.W-1

La tension totale HT est typiquement 1000 V.

17
Photomultiplicateur

Modle fonctionnel du
processus de mesure dun
signal de type lumineux
18
Le photomultiplicateur est bas sur le principe de la photo-multiplication.
Quand la lumire pntre dans le tube et frappe la photocathode, des
photolectrons sont arrachs et mis dans l'enceinte sous vide du tube.
Ces lectrons sont attirs vers des lectrodes secondaires (dynodes)
portes un potentiel suprieur. Le choc mcanique entre les lectrons et
chaque dynode cre des lectrons secondaires qui sont mis sur chacune
de ces dynodes. Le signal d'entre est ainsi amplifi et apparait en sortie
sur l'anode. Soit ik le courant de cathode et ia le courant d'anode.
ia est donn par la relation :

ia = G ik = n d ik
avec
G= n d est le gain du Photomultiplicateur.
est le coefficient d'mission secondaire sur chaque dynode
n est le nombre de dynodes

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Caractristiques dun photomultiplicateur

Cot
Prix : lev (A partir de 700 euros jusqu' plusieurs milliers d'euros
suivant les composants).

Principales caractristiques mtrologiques


Rapidit leve.
Bruit faible.
Sensibilit leve.
Domaine d'utilisation lev.

Utilisation
Spectroscopie uv, visible et infrarouge
Fluorescence X
Spectrophotomtrie Raman
Diffractomtrie X

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photomultiplicateur

21
PHOTODIODE

22
Silicon photodiodes are semiconductor devices responsive to high-energy particles
and photons.

Photodiodes operate by absorption of photons or charged particles and generate a


flow of current in an external circuit, proportional to the incident power.

Photodiodes can be used to detect the presence or absence of minute quantities of


light and can be calibrated for extremely accurate measurements from intensities
below 1 pW/cm2 to intensities above 100 mW/cm2.

Silicon photodiodes are utilized in such diverse applications as spectroscopy,


photography, analytical instrumentation, optical position sensors, beam alignment,
surface characterization, laser range finders, optical communications, and medical
imaging instruments.

23
Principe de fonctionnement dune cellule photovoltaque

Ei Charge R

24
Principe de fonctionnement dune cellule photovoltaque

- - - - - - - - - - - - - - - -

Ei Charge R

+ + + + + + + + + + + + +

Sous leffet des charges photognres + et accumules sur


les faces arrire et avant, la cellule est sous tension. On dit que
La cellule sauto-polarise
25
Principe de fonctionnement dune cellule photovoltaque

- - - - - - - - - - - - - - - -

Ei Charge R

+ + + + + + + + + + + + +

tant polarise, la jonction PN est traverse par un courant (de diode I(V))
I(V)= Is [exp (eV/kT) - 1]
Ce courant passe travers la jonction de P vers N, ce courant existe mme
lobscurit, on lappelle courant dobscurit Iob.
Lorsque le cellule est branche unecharge, le courant des porteurs photognrs
Passe travers la jonction de N vers P, donc dans le sens oppos au courant dobscurit
26
Principe de fonctionnement dune cellule photovoltaque

- - - - - - - - - - - - - - - -

Ei Charge R

+ + + + + + + + + + + + +

Le courant total sera I (V) = Iph Iob

Le sens du courant est celui de la photopile en mode gnrateur

27
Photographie dune cellule photovoltaque en silicium

Une cellule photovoltaque en silicium dlivre une tension de circuit ouvert voisine de 0,55 Volts.
Lorsquelle charge par une charge optimale, elle donne une tension Vn de lordre de 0,5 Volt.
Lintensit du courant dune cellule photovoltaque de 15 cm x15 cm est dans lintervalle de 6
8 ampres sous clairement de 1000 W/m2.
28
Photographie dune cellule solaire en silicium
Remarquer les doigts de contacts : principaux (verticaux) et
secondaires (horizontaux) 29
Photographie dun panneau solaire en silicium

Dans un panneau photovoltaque, toutes les cellules sont connectes en srie (Ns cellules).
La tension de sortie dun panneau est gale la somme des tensions de sortie des cellules le
constituant Vpanneau= Ns Vcellule.
Lintensit du courant dun panneau est la mme que celle qui traverse toutes les cellules 30
Photographie dun champ photovoltaque

31
Photographie dun champ photovoltaque avec systme suiveur du soleil

32
Photovoltaque sous concentration

Lentilles de
concentration

Cellules multi-
jonctions

Photographie dun panneau solaire en arsniure de gallium sous concentration


33
Cellule monte Cellules multi-
sur radiateur jonctions

34
Principe dune lentille de concentration de type Fresnel

35
Technologie de concentrateur utilisant les lentilles de Fresnel

Une lentille de Fresnel, du nom du physicien franais, comprend


plusieurs sections avec des angles diffrents, ce qui rduit le poids et
l'paisseur par rapport un objectif standard. Avec une lentille de
Fresnel, il est possible de parvenir une courte focale et grande
ouverture tout en ayant une faible masse de la lentille.
Les lentilles de Fresnel peuvent tre construites dans une forme de
cercle afin davoir un foyer ponctuel avec des rapport de
concentration de l'ordre de 500, ou de forme cylindrique pour fournir
une orientation en ligne avec les rapports de concentration infrieurs.
Avec une lentille de Fresnel de rapport de concentration lev, il est
possible d'utiliser une cellule photovoltaque jonction multiple
(multijonctions) avec une efficacit maximale.

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Caractristique I(V) dune photodiode en mode gnrateur photovoltaque

I Caractristique I(V)
lobscurit

Iph (F) Gnrateur de courant constant.

Lintensit Iph du gnrateur de courant constant


dpend de lclairement F incident.

Le courant total sera I (V) = Iph Iob

Le sens du courant est celui de la photopile en mode gnrateur 37


Caractristique I(V) dune cellule photovoltaque

I(V)= Id (V) Iph


en mode rcepteur I Caractristique I(V)
lobscurit

V
Caractristique I(V)
Sous clairement
Iph (F)
Gnrateur de courant constant Iph(F).

Lintensit Iph du gnrateur de courant constant dpend de


lclairement F incident. 38
Schma quivalent et quation de la caractristique I(V)
dune cellule photovoltaque relle

Le courant dlivr sur une charge par une cellule solaire claire scrit :

Le courant de fuite travers la rsistance parallle (shunt):

Le courant qui traverse la diode:

39
Rseau de Caractristiques I(V) dune cellule photovoltaque
sous diffrents clairements

I(V)= Id (V) Iph (F)


I Caractristique I(V)
lobscurit

V
F1 Iph (F1)

F2 Iph (F2) Caractristiques I(V)


Sous diffrents
F3 Iph (F3) clairements

F4 Iph (F4)
40
Caractristiques lectriques dune cellule photovoltaque dbitant
sur une charge

Mode photovoltaque I

Droite de charge: Rg
I= V / Rcharge
Eg V Rcharge
Droite de pente 1/Rcharge

Point de Fonctionnement Gnrateur


Cest lintersection de la photovoltaque
carctriqtique I(V) de la cellule
avec la droite de charge

Puissance dbite par le


gnrateur photovoltaque
Puissance P= V I

41
Caractristiques lectriques dune cellule photovoltaque dbitant
sur une charge I

Mode photovoltaque
Rg
Eg V Rcharge
Droite de charge:
I= V / Rcharge

Droite de pente 1/Rcharge


I Caractristique I(V)
lobscurit

Point de Fonctionnement
Cest lintersection de la
carctriqtique I(V) de la cellule Caractristique I(V)
avec la droite de charge Sous clairement
VQ
V
Puissance dbite par le PQ=VQ IQ
gnrateur photovoltaque IQ 1/Rcharge
Puissance P= V I Q

Caractristique I(V) lobscurit et sous clairement dun cellule photovoltaque 42


Caractristiques lectriques dune cellule photovoltaque dbitant
sur une charge
I Caractristique I(V)
lobscurit

Recherche de la charge
optimale
Caractristique I(V)
Sous clairement
VQ
Puissance P= V I V
La puissance dbite par un PQ=VQ IQ
gnrateur dpend du point IQ 1/Rcharge
de Fonctionnement Q, Q
qui lui dpend de la valeur
Q
de la rsistance de charge Icc =Iph
1/Rcharge

43
Mode photovoltaque
I
Caractristique I(V)
Puissance maximale Pm= Vm Im lobscurit
Correspond au point de
fonctionnement M, donc une
charge optimale:
(Rcharge optimale = ?????)
Vm
V
Puissance Pm= Vm Im

Im M 1/Rcharge optimale

Icc =Iph
Droite de charge
Correspondant la charge
optimale

44
I
Mode photovoltaque Caractristique I(V)
lobscurit
Puissance maximale Pm= Vm Im
correspond au point de
fonctionnement M

Vm1 V
m2
V
P1m= Vm1 Im1 Caractristique I(V)
Sous clairement
clairement F1
Im1
M1
P2m= Vm2 Im2
Im2
clairement F2 M2

Le point de fonctionnement optimal, qui correspond une puissance dbite


maximale change lorsque lclairement F incident varie.
Il faut, chaque changement, trouver le point de fonctionnement optimal. 45
Ce qui revient changer la valeur de la charge.
Mode photovoltaque I
Caractristique I(V)
Puissance maximale Pm= Vm Im lobscurit
dpend du point de
Fonctionnement M

Vm1
Vm2
V
P1m= Vm1 Im1 Caractristique I(V)
Sous clairement
clairement F1 Im1 M1
P2m= Vm2 Im2
Im2
M2
clairement F2

Lintensit Iph du gnrateur de courant constant dpend de lclairement F


incident.
Le point de fonctionnement optimum change avec lclairement, la charge doit
tre change en consquence. Le rle du conditionneur cest de se positionner sur
le point de fonctionnement optimum : point de puissance maximum (cest un ond 46
??????)
Mode photovoltaque I
Caractristique I(V)
Puissance maximale Pm= Vm Im lobscurit
dpend du point de
Fonctionnement M

Vm1
Vm2
V
P1m= Vm1 Im1 Caractristique I(V)
Sous clairement
clairement F1 Im1 M1
P2m= Vm2 Im2
Im2
M2
clairement F2

Le conditionneur dun gnrateur de puissance est un systme dont limpdance


dentre joue le rle de la charge au gnrateur. Il doit en consquence adapter
son impdance dentre au gnrateur chaque fois quil y a un changement de la
47
puissance disponible en sortie du gnrateur quelque soit la cause.
Mode photovoltaque
Puissance maximale Pm= Vm Im
dpond du point de
Fonctionnement M
I
Rg
Eg(F,T) V Rcharge
(Impdance qui sadapte
aux variations de
puissance du gnrateur
Gnrateur photovoltaque
photovoltaque

Le conditionneur dun gnrateur de puissance est un systme dont limpdance


dentre joue le rle de la charge au gnrateur. Il doit en consquence adapter
son impdance dentre au gnrateur chaque fois quil y a un changement de la
puissance disponible en sortie du gnrateur quelque soit la cause.

48
Puissance maximale Pm= Vm Im
dpend du point de Fonctionnement M

Rseau de caractristiques I(V) dune photopile en silicium diffrents clairement


La ligne en pointille correspond au points de puissance maximale.
49
Caractristiques I(V) et P(V) dun gnrateur photovoltaque

Puissance maximale Pm= Vm Im


dpend du point de fonctionnement M.
La caractristique P(V) prsente un maximum qui permet de se positionner
Sur le point de fonctionnement correspondant sur la caractristique I(V)

Point de puissance maximale

Coordonnes Vm et Im du point
de puissance maximale

50
Mode photovoltaque
Puissance maximale Pm= Vm Im
dpend du point de
Fonctionnement M

A chaque clairement, il correspond un point de puissance maximum et donc une


droite de charge de pente diffrente. Le conditionneur doit adapter son impdance
dentre au gnrateur. 51
Photodiode polarise en inverse
Mode Photoconducteur : Photodiode

Id

U R

la photodiode est polarise en inverse

Equation de la maille :
U = Vd + R Id

52
Mode Photoconducteur : Photodiode

Le courant dune photodiode est la somme du courant dobscurit


Iobs et du photo-courant Iph

Id = Iobs + Iph

53
Mode Photoconducteur : Photodiode

Caractristique I(V) de la photodiode I


Sous diffrents clairements

F1 Iph (F1)
V
F2 Iph (F2)

F3 Iph (F3)

F4 Iph (F4)

54
Mode Photoconducteur : Photodiode

Photodiode en court-circuit

Courant de court-circuit en fonction de lclairement


55
Mode Photoconducteur : Photodiode

Structure dune Photodiode

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Mode Photoconducteur : Photodiode

Zone active dune Photodiode

Il est important que les photons soient absorbs dans la rgion d'appauvrissement.
Ainsi, il est possible par exemple en diminuant le dopage dans la zone n dlargir la
largeur de la rgion d'appauvrissement de la photodiode (1-3 m).
Avec une tension inverse travers la jonction, la largeur de la zce slargit et la capacit
de jonction diminue.

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Mode photoconducteur : photodiode
Caractristiques optiques :

Rendement quantique :
On dfinit le rendement quantique par le rapport du nombre dlectrons photognrs
Par le nombre de photons incidents:

Sensibilit spectrale:
La sensibilit spectrale quantifie le rapport entre le courant produit par la photodiode
et l'intensit lumineuse qu'elle a reue.
Ce paramtre se mesure en A.W-1 et dpend fondamentalement de la longueur
d'onde.

58
Mode photoconducteur : photodiode
Caractristiques optiques :

Sensibilit spectrale

Sensibilit spectrale du Sensibilit spectrale dune


Silicium et de lil photodiode en silicium

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Sensibilit spectrale dune photodiode en silicium

Sensibilit spectrale et rendement quantique des photodiodes en silicium, 60


germanium et arsniure indium gallium
Efficacit quantique des principaux matriaux utiliss pour la photo-dtection.

Plusieurs semi-conducteurs sont utiliss pour raliser de telles cellules. Chaque


type est spcialis dans une gamme de rayonnement : par exemple CdS est utilis
pour le visible, PbS pour le proche linfrarouge, lalliage ternaire Hgx Cd1-x Te pour
les longueurs donde suprieures 5m. 61
Mode Photoconducteur : Photodiode

Photocourant dune photodiode

Iph = Sd (l) F (l)

Courant total dune photodiode

Le courant dune photodiode est la somme du courant dobscurit


I0 et du photocourant Iph

Id = I0 + Iph = I0 + Sd F

62
Typical Spectral Responsivity of Several Different
Types of Planar Diffused Photodiodes

63
Mode Photoconducteur : Photodiode
Droite de charge

Equation de la maille: Droite de charge

U = R Id + Vd

Id = 1/R Vd + U / R
U
Cest lquation dune droite de pente -1/R

64
Mode Photoconducteur : Photodiode
Droite de charge

F1 Iph (F1)
V
F2 Iph (F2)

F3 Iph (F3)

F4 Iph (F4) Icc =U/R

droite de charge de la photodiode

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Mode Photoconducteur : Photodiode
Circuit quivalent dune photodiode
La photodiode se comporte comme un gnrateur de courant.
Son schma quivalent est donc celui dun gnrateur de courant rel (avec
Une impdance interne Zc).

La photodiode fonctionne en inverse, son impdance Zc est compose dune


rsistance Rc et une capacit de la jonction Cj, qui dpend de la tension inverse
Applique : Cc=e S/ W(Vapp)

Capteur

ic(F)
Rc Cc
vm

66
Mode Photoconducteur : Photodiode
Circuit quivalent dune photodiode

Capteur

Rc Cc
ic(F) vm

En rgime dynamique de frquence f, La photodiode prsente une


impdance Zc = Rc // Cc=e S/ W(Vapp).

La frquence de coupure de ce composant est :

fc= 1/2p R Cc w
67
Mode Photoconducteur : Photodiode
Circuit quivalent dune photodiode

Photodiode PIN:

xp P

I WI

xn
N

La zone I (intrinsque) dune jonction PIN est suppose isolante. Lpaisseur de la


zone de charge despace est gale : W = xn+ xp+ WI
ce qui correspond un largissement de la zce, do amlioration du rendement de
la conversion et diminution de la capacit de la diode et donc une augmentation de
la frquence de coupure.

68
Mode Photoconducteur : Photodiode
Circuit quivalent dune photodiode

Photodiode PIN:

La zone I (intrinsque) dune jonction PIN est suppose isolante. Lpaisseur de la


zone de charge despace est gale : W = xn+ xp+ WI
ce qui correspond un largissement de la zce, do amlioration du rendement de
la conversion et diminution de la capacit de la diode et donc une augmentation de
la frquence de coupure.

69
Mode Photoconducteur : Photodiode
Conditionneur dune source de courant

Quand le capteur actif est quivalent une source de courant ic (m) en parallle avec
une impdance interne Zc, il doit attaquer une charge (lment suivant de la chane de
mesure: dispositif de mesure) dimpdance dentre Zi ngligeable devant Zc.
Le courant im (mesur) est donn par (diviseur de courant):

Schma quivalent dune photodiode


sous clairement attaquant un appareil
de mesure de son courant

70
Mode Photoconducteur : Photodiode
Conditionneur dune source de courant

Remarque: La tension vm aux bornes de Zc peut dans certains


cas tre trs faible

Lemploi dun convertisseur courant-tension permet la fois de


rduire linfluence de Zc et dobtenir une tension vs importante

ic (m) vs= - R ic (m)

71
Mode Photoconducteur : Photodiode
Conditionneur dune photodiode (source de courant)
Le capteur (photodiode) est une source de courant (caractristique I-V, I=cte qui ne dpend
que du mesurande F).
Le conditionneur est un convertisseur courant-tension.
Le courant de sortie du capteur est converti en courant par lampli op. La tension en sortie
du capteur est pratiquement nulle (capteur en court-circuit), il en rsulte quaucun courant
ne circule dans les lments en parallle du gnrateur de courant.

im R

Capteur Cble im
-

Rc Cc +
ic(F) vm
Vs = - R im

Photodiode alimente Convertisseur courant tension


par une tension inverse 72
Mode Photoconducteur : Photodiode
Conditionneur dune photodiode

Effet du cble de transport du signal

Constitution dun cble, circuit quivalent dun cble

73
Mode Photoconducteur : Photodiode
Conditionneur dune photodiode

Effet du cble de transport du signal

Constitution dun cble, circuit quivalent dun cble

74
75
Constitution dun cble, circuit quivalent dun cble
Cas : expressions des constantes
liniques d'une ligne idale

1. Capacit linique

(8.1)

capacit linique d'un cble coaxial

76
Constitution dun cble, circuit quivalent dun cble

Capacit linique dun cble coaxial

Capacit rpartie
On trouve dans les catalogues la capacit par mtre (en pF/m) pour un cble
coaxial mais on peut aussi la calculer l'aide de la formule suivante:

77
Constitution dun cble, circuit quivalent dun cble
Cas : expressions des constantes liniques d'une ligne idale
2. Inductance linique

inductance linique d'un cble coaxial

Le champ magntique H cr la distance r d'un conducteur parcouru par un courant


I a pour expression:

et le flux F correspondant, travers une surface


(8.1) S, est:

78
Constitution dun cble, circuit quivalent dun cble

Cas : expressions des constantes liniques d'une ligne idale

2. Inductance linique

Inductance rpartie

L'inductance par mtre (en H/m) d'un cble coaxial peut tre calcule avec :

79
Constitution dun cble, circuit quivalent dun cble

Cas : expressions des constantes liniques d'une ligne

3. Pertes mtalliques
Elles sont lies l'effet de peau : pntration sur une profondeur d de l'onde
lectromagntique dans les conducteurs mtalliques.
L'paisseur de peau pour un conducteur de conductivit s est :

et la rsistance d'un conducteur de longueur L et de section S est :

80
Constitution dun cble, circuit quivalent dun cble

R est la rsistance srie linique (en /m)


L est l'inductance srie linique (en H/m)
C est la capacit parallle linique (en F/m)
G est la conductance parallle linique (en S/m)

Dans une ligne suppose sans pertes :


R=0;G=

La ligne est suppose parfaite.


Le coefficient de rflexion en bout de ligne est
donn par : = (Rload Z0)/(Rload + Z0)
Z0 est l'impdance caractristique de la ligne.
81
R est la rsistance srie linique (en /m)
L est l'inductance srie linique (en H/m)
C est la capacit parallle linique (en F/m)
G est la conductance parallle linique (en S/m)

Dans une ligne suppose sans pertes :


R=0;G=

82
Ccble

83
Mode Photoconducteur : Photodiode
Conditionneur dune photodiode
Effet du cble de transport du signal, frquence de coupure
En amont du convertisseur, on trouve la photodiode avec son circuit quivalent (Rc,Cc)
Suivie du cble de transport avec son circuit quivalent (Ccble).

im R
Capteur
Photodiode Cble im
-

Rc Cc +
ic(F) vm
Ccble Vs = - R im

Convertisseur courant tension

La frquence de coupure du systme (capteur + cble) est donne par :


fc= 1/2p R (Ccapteur + Ccble ) w
84
Mesure de la frquence de coupure dune photodiode

Le montage utilisant une photodiode polarise en


inverse comme photo dtecteur permet dtudier la
rapidit du capteur, c'est--dire sa bande passante.
On utilise une tension d'offset de manire ce que le
courant passe dans le bon sens dans la LED (sinon, Voffset
elle serait teinte au moins la moitie du temps).
Montage de mesure de la bande passante

Rponse en frquence de la diode Observation rapide du type de filtre

Exprimentalement, on obtient comme rsultat de la superposition de la tension


dlivre en entre (bleu) et de celle reue en sortie (rouge) :
85
Mesure de la frquence de coupure dune photodiode

En utilisant le balayage en frquence du GBF, on peut reprer rapidement la bande


passante. Le signal de sortie s'attenue pour les hautes frquences c'est donc un filtre
passe-bas. On regarde alors la valeur de la tension maximale en sortie pour une faible
frquence, puis on divise cette valeur par 2 et on augmente la frquence jusqu ce que
notre maximum atteigne cette valeur. On relve ainsi la valeur de la bande passante
-3 dB.
En rptant la manipulation avec des valeurs de RPhD, on remarque que la bande passante
diminue avec l'augmentation de la rsistance de charge.
On peut comprendre ce phnomne en modlisant la photodiode comme une source de
courant en parallle avec une capacit parasite Cp. On a alors :

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La frquence f0 est inversement proportionnelle a R.
La prsence d'un cble coaxial peut se modliser par le rajout d'une capacit Ccble en
drivation. On a alors :

f0 =1 / 2 p R(Cphotodiode + Ccble)

avec Ccble la capacit du cble coaxial

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Phototransistor:
Un phototransistor est un transistor bipolaire dont la base est accessible la lumire.
Cette base est flottante, figure(8), sont courant est donc nul. Lorsqu'on la soumet un
rayonnement, le courant de lmetteur scrit : Ie = (1+ b) Ic0 + Iph) = b Iph, I c0 est le
courant de saturation de la jonction collecteur-base et Iph est le photo-courant cr par
les photo-porteurs.
Le courant est ainsi multipli par le facteur b qui nest autre que le gain en metteur
commun du transistor. La sensibilit du phototransistor est situ entre celle de la
photodiode PIN et celle de la photodiode avalanche. Cependant ce dispositif admet
des inconvnients tel que sa linarit, sa termo-sensibilit et surtout sa constante de
temps qui trs leve ( de lordre de 10-5 s).

Coupe transversale dun phototransistor et circuit quivalent.


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Symbole dun photo-transistor

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Les applications les plus frquentes pour les phototransistors se trouv dans les
interrupteurs, les isolateurs, dtecteur de signaux faible, lecteurs de code.

Quelques circuits utilisant les phototransistors

Phototransistor en metteur commun : Le circuit ci-dessous dcrit un phototransistor


en mode metteur commun. Dans le noir, le transistor est bloqu donc la sortie Vs est
Vcc. En clairant le phototransistor par la base, le potentiel Vc dcrot au fur et
mesure que l'intensit de lumire augmente puisque le courant du collecteur est gal
b Ibase .

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Amplificateur utilisant un phototransistor

Pour amplifier le courant issu du phototransitor on peut utiliser le schma ci dessous :


Le courant de l'metteur du phototransistor contrle le courant de base du transistor. le
photo-courant est amplifi et la sortie Vs sera proportionnelle l'intensit de la lumire.

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Dtection d'un signal modul ou d'un pulse
soit le schma ci-dessous, La tension de la base du phototransistor est fix par les deux
rsistance R1 et R2 ( VB=R2/(R1+R1)Vcc ). Sans excitation du phototransistor, le montage
fonctionne comme un simple transistor en metteur commun polaris. ds qu'il y a
qu'on illumine la base du phototransistor avec une lumire alternative, le courant de
base se comporte comme une source de courant petits signaux, ce courant est
amplifi et la sortie Vs traduit cette variation en tension.

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