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PRACTICA 3

1. TEMA: EL BJT COMO INTERRUPTOR (EN CONMUTACION).

2. OBJETIVOS:
o Usar el BJT como interruptor en un circuito que comande un foco, a travs de la
existencia o no de claridad en el ambiente.

3. MATERIALES:
o Un transistor 2N 3904
o Una fuente de VCC (practica anterior)
o Cable multipar.
o Project board.
o Resistencias (1 k; 120)
o Potencimetro 50k
o 1 Diodo
o Una LDR
o Un rel de 12 VDC
o Boquilla
o Foco CA
o Multmetro.

4. MARCO TEORICO:

4.1. TRANSISTORES
El transistor, inventado en 1951, es el componente electrnico estrella, pues inici una
autntica revolucin en la electrnica que ha superado cualquier previsin inicial.
Con el transistor vino la miniaturizacin de los componentes y se lleg al descubrimiento
de los circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos milmetros cuadrados, miles de
transistores. Estos circuitos constituyen el origen de los microprocesadores y, por lo tanto,
de los ordenadores actuales.
Por otra parte, la sustitucin en los montajes electrnicos de las clsicas y antiguas
vlvulas de vaco por los transistores, reduce al mximo las prdidas de calor de los
equipos.

Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones:

o Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUEA seal de mando.
o Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de seales.

4.1.1. TIPOS DE TRANSISTORES:

a. Transistores Unipolares
b. Transistores Bipolares

a. Transistores bipolares: Consta de tres cristales semiconductores (usualmente de

silicio) unidos entre s. Segn como se coloquen los cristales hay dos tipos bsicos
de transistores bipolares.

o Transistor NPN: en este caso un cristal P est situado entre dos cristales N. Son los
ms comunes.

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Figura 1 Transistor NPN.

o Transistor PNP: en este caso un cristal N est situado entre dos cristales P. La capa
de en medio es mucho ms estrecha que las otras dos.

Figura 2 Transistor PNP.

En cada uno de estos cristales se realiza un contacto metlico, lo que da origen a tres
terminales:
o Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga.
o Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga.
o Base (B): Controla el paso de corriente a travs del transistor. Es el cristal de en
medio.

4.1.2. USO DEL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Segn sea un transistor NPN o PNP, varia la polaridad de las conexiones del emisor, del
colector, y de la base, detalle a tener en cuenta para utilizar correctamente el
transistor como interruptor o en cualquier otro uso.
En un transistor del tipo PNP, para que la base pueda aportar los huecos, debe tener
polaridad positiva y el emisor debe tener polaridad negativa para generar el flujo de
electrones (figuras 3a).
Cuando a la base del transistor se le corte la corriente o se la conecte al polo negativo,
el transistor NPN dejara de conducir (se bloquea) y no pasara la corriente de emisor
a colector.

En un transistor PNP la base debe tener una polaridad negativa respecto al emisor,
de la manera que pueda aportar los electrones necesarios para que el transistor
conduzca corriente desde el emisor al colector (figura 3b).
Cuando cortamos la corriente de base o invertimos su polaridad, el transistor PNP se
bloquea y no deja pasar corriente entre emisor y colector.

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Las inversiones de polaridad en la base de un transistor provocan un bloqueo ms
rpido; se corta de manera ms enrgica la corriente emisor-colector.

Figura 3. Transistores utilizados como interruptor:

a) Transistor NPN conduciendo por tener corriente positiva en su base a travs del interruptor I; es
la resistencia de carga que modula la corriente E-C; es la resistencia de base que limita la corriente
de base a valores pequeos.

B) Transistor PNP conduciendo al recibir corriente negativa en su base a travs del interruptor I. c)
Transistor PNP bloqueado por recibir corriente positiva en su base a travs del tiempo I.

4.2. LDR

Las LDR son componentes electrnicos que se utilizan como sensores de luz. Su nombre
proviene del ingls light dependent resistor, resistencia dependiente de la luz. Tambin se
denominan fotorresistencias.
Las LDR tienen una resistencia elctrica muy elevada cuando estn en la obscuridad o con
poca luz. Al oponer tanta resistencia al paso de la corriente elctrica, muy poca corriente
puede atravesarlas. En cambio, cuando estn expuestas a la luz sea natural o artificial, su
resistencia se reduce drsticamente y dejan pasar mucha corriente.
Se usan en farolas que se encienden automticamente cuando oscurece, en cmaras
fotogrficas como sensores de luz, en sistemas de alarma para detectar intrusos, en
sistemas antiincendios como detectores de humo, etc.

4.2.1. SMBOLO Y ESTRUCTURA DE UNA LDR.

Las LDR funcionan gracias a las propiedades de un material semiconductor, el sulfuro de

cadmio (CdS). Una fotorresistencia est formada por dos conductores metlicos separados
por una pelcula, en forma de zigzag, de este material sensible a la luz. En la figura 4 se
puede ver su estructura y el smbolo que se utiliza para representarlas.

Figura 4. Estructura y smbolo de una LDR.

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5. PROCEDIMIENTO:

1. Comprobamos que el transistor (o los transistores) a ser usado este en buenas

condiciones. Identificamos sus terminales y medimos su HFE (documentar y reportar
el proceso). Dibuje el transistor usado con el nombre de cada uno de sus terminales y
cite alguna otra caracterstica importante que se pueda obtener del catlogo o del
datasheet del fabricante.
PARAMETROS VALOR
HFE 234

APARIENCIA FISICA Y TERMINALES:

Figura 5. Medicin del HFE del transistor 2N3904

2. Disear y calcular un circuito que encienda un foco cuando haya oscuridad (LDR
tapado), y el foco se apague cuando haya claridad en el ambiente (LDR descubierto).
Todos los transistores que se usen deben estar en conmutacin: pasar de corte a
saturacin y viceversa, es decir funcionar como interruptores. Para mejorar la
sensibilidad y asegurar que el transistor trabaje en conmutacin puede usar un
potencimetro en la resistencia de base. Usar un RELE y un foco de 20W CA.

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a) CIRCUITO PROPUESTO:

b) CALCULOS:

Datos:
= 12
= 1
= 407
= 234
=5

Calculo de la ic

=

12
=
407

= 0.0294 = 29.48

Calculo de la i de base.

29.48
= 5
234

= 0.629

Calculo de la Rb.

Vcc 0,76
=
ib

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= 12

12 0,6
=
0.629

= 18.12

Calculo de parmetros del LDR.

0.6
=

12 0.6
=
0.629

= 18

= 12 0.6

= 11.4

2

=

(11.4 )2
=
18

= 7.22

Calculo de la Rc.

= 12

12
=
29.48

= 407

Punto de trabajo: ( ; )

= 0

= = 12

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1 (12; 0 )

= 0

0 12
= = = 0.029
407

= 29.48

2 (0 ; 29.48)

3. Explique tecnica y detalladamente el funcionamiento del circuito diseado. Explique

ademas: para que se coloca un diodo en antiparaleo a la bobina del rele?

o El circuito diseado con un transistor y con la ayuda de una LDR se hace que mientras
este reciba luz tenga un valor hmico muy alto y por lo tanto la va a ser muy baja
para abrir paso a y esta se desviara por el camino menos resistivo esto es cuando el
transistor est saturado ya que su = 0 y su = _ .

LDR ib Q1
Sin luz ibsat cerrado ON
Con luz 0 abierto OFF

o En cambio cuando se le oculta a la LDR de la luz el valor hmico de la misma va a bajar

y por lo tanto la aumenta y abre paso a , y esta activara la bobina aqu es cuando
el transistor est en corto ya que los valores Vce = Vcc y la ic=0, con esto al tener con
otra fuente AC y mediante los contactos NO del rel el foco se apagara cuando la LDR
se exponga a la luz y se prendera cuando la LDR se exponga a la oscuridad; se puede
poner un potencimetro para mejorar la sensibilidad a la luz de este circuito.

o Cuando un diodo se pone en anti paralelo (diodo volante) con el rel evita que la sobre
intensidad que se produce en la bobina del rel al cerrarse el circuito dae al transistor
es decir ayuda a descargar de forma segura a la bobina.

4. Armar lo diseado y comprobar su correcto funcionamiento. (Utilizar la fuente de la

practica anterior)

Como el transistor debe estar en conmutacin, el punto de trabajo del transistor de carga
que comanda la bobina del rel, debe cambiar de la zona de corte a la de saturacin.
Compruebe que eso suceda midiendo, llenando y comentando el siguiente cuadro de
resultados.

Vcc= 12 V

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BOBINA DEL RELE ACTIVADA O ENERGIZADA:

VCE (V) Ic (mA) Zona de trabajo

Transistor que comanda la 11.6 0 Corte
bobina del rel 0 21.2 Saturacin

Comprobacin de datos.

En corte. En saturacin.

UBICACIN DE LOS PUNTOS DE TRABAJO EN LA RECTA DE CARGA

ic [mA]

21.2

1 (0 ; 21.2)

Vce [V]
0
ic [mA]

2 (12; 0 )

Vce [V]
12

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5. Tomarle una fotografa a su circuito en sus diversas etapas de funcionamiento.

Figura 6. LDR expuesta a la luz, el foco no se enciende.

Figura 7. LDR expuesta a la obscuridad, el foco se enciende.

Figura 8. Ic = 0 A corte.

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Figura 9. V = 0 A saturacin.

6. CONCLUSIONES.
Adems de sus propias conclusiones. Diga: Qu aplicaciones puede tener este circuito?
Qu dificultades tuvo?, etc
En esta prctica se pudo notar la aplicacin del transistor 2N3904 como interruptor al pasar de
un estado de corte a un estado de saturacin, para lograr que nuestro circuito funcione fue
necesario la implementacin de un rel y un LDR (resistencia dependiente de la luz), para que
esta conmute se realiz clculos delas resistencias es decir para rb y rc, los cuales nos facilita
nuestro potencimetro, este potencimetro se debe ajustar a la cantidad de luz ya que la LDR
puede variar desde valores muy bajos hasta valores muy altos. Adems antes del
potencimetro y el LDR se coloc una resistencia para proteger al transistor ya que si la
resistencia del LDR baja el transistor se puede llegar a calentar demasiado por una excesiva
intensidad, una vez realizado todo estos clculos y aplicacin de la teora vista en clases se
logr el objetivo de la practica planteada

7. BIBLIOGRAFIA.
[1] BOYLESTAD, Robert. Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.
Pearson Educacin. Decima Ed.
[2] Mart Parera, Albert. Electrnica bsica en automocin. Barcelona (Espaa), 1991.
[3] el transistor.pdf Disponible en:
[http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/el%20transistor.pdf]. Accedido el 25 de
octubre del 2016.
[4] el transistor.pdf Disponible en:
[http://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2008/04/transistores.pdf]
Accedido el 25 de octubre del 2016.
[5] el transistor.pdf Disponible en: [http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/LDR-
termistor.pdf]. Accedido el 25 de octubre del 2016.
[6] Datasheet del transistor. SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR - 2N3904.pdf.
Accedido el 25 de octubre del 2016.

8. ANEXOS.

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a) Simulacin del circuito - foco apagado:

b) Simulacin del circuito - foco encendido:

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c) Datasheet del transistor.

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