I) But du TP :

Etude des caractristiques dune diode

II) Partie Thorique :

Diode, composant lectronique autorisant le passage dun courant lectrique dans un seul
sens. Les diodes sont utilises pour le redressement et la dtection dun courant.

TUBES VIDE

Les premires diodes taient des tubes vide constitus dune ampoule vide dair contenant
deux lectrodes une cathode et une anode. Comme les lectrons ne peuvent circuler que
dans un seul sens, de la cathode lanode, ce type de diode pouvait tre utilis pour le
redressement du courant lectrique.

DIODES SEMI-CONDUCTEUR

Aujourdhui, les diodes les plus courantes sont semi-conducteur, gnralement au

germanium ou au silicium. Ce type de diode autorise le passage du courant de la zone P vers
la zone N (voir Semi-conducteur). Les plus simples, les diodes au germanium datent des
dbuts de la radio : les signaux radio taient dtects au moyen dun cristal de germanium.

3.1 Diode Zener

Une diode Zener est une diode au silicium qui prsente ses bornes une tension indpendante
du courant qui la traverse. Cest pourquoi elle est utilise comme stabilisateur de tension.

3.2 Diode DEL

Une diode lectroluminescente, dite diode DEL, offre la particularit dmettre un signal
lumineux lorsquune tension est applique ses bornes. On lemploie sur la plupart des
appareils dots dun affichage numrique, comme les montres quartz et les calculatrices de
poche.

Une classification grossire fait apparatre les types suivants :

Diode classique (pour usages multiples)

Frquence maximale de fonctionnement qq 100 MHz,
Puissance maximale qq W,
courant direct maximum qq A.
tension inverse maximale qq 10V,
temps de commutation moyen qq 10 ns.

Diode de Puissance :
Frquence maximale de fonctionnement qq kHZ,
Puissance maximale qq kW,
tension inverse maximale qq 10 kV.
courant direct maximal qq 100 A.
 temps de commutation grand qq s.

Diode Hyperfrquences :
Frquence maximale de fonctionnement qq GHZ,
Puissance maximale qq 100 mW,
tension inverse maximale qq 100V.
courant direct maximal qq 10 A.
temps de commutation faible qq 100 ps.

Diode de commutation (en voie de disparition):

Frquence maximale de fonctionnement qq GHZ,
Puissance maximale qq mW,
tension inverse maximale qq 100V.
courant direct maximal qq 10 mA.
temps de commutation faible qq ns.

LES DIODES INVERSE :

Les diodes inverses (diodes Z) sont utilises en polarisation inverse dans la zone de claquage.
Pour cela, les caractristiques thermiques du composant (Rsistance thermique, capacit
thermique) sont tudies afin que le dgagement de chaleur provoqu par la puissance
dissipe importante ne soit pas destructif pour la structure.

Suivant les valeurs des dopages P et N, le claquage se fait par effet Zener ou effet
d'avalanche.

Pour des tensions de claquage de l'ordre de 6 V (diodes au silicium) l'effet Zener et

l'effet d'avalanche se produisent simultanment :

coude bien prononc;

rsistance dynamique plus faible;
coefficient de temprature relativement faible.

Utilisation des diodes Z : stabilisation de tension, (la tension inverse de la diode varie peu
lorsque le courant inverse qui la traverse volue notablement).
 Caractristiques et point de fonctionnement des diodes inverses.

Paramtres d'utilisation :

tension Zener pour un courant donn;(de 3.3 V 75 V)

tolrance une tension Zner donne (5 %, 10 % sont les plus courantes.
Puissance maximale supportable (power handling capability) (1/4, 1/2, 1, 5,
10, 50, W).

III) Partie Exprimentale :

1)
a- On ralise le montage suivant :

On fait varie la tension de 0 a 10 v et on note le courant et la tension,et il faut respect notre

remarque donc on a augment le nombre de mesure dans lintervalle [0-1] les rsultas sont
reprsent dans le tableau suivant
 E (v) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

I (m.a) 0 0 0.4 2.1 9 31 115 182

V (v) 0 0.1 0.2 0.2 0.4 0.44 0.56 0.6

Suite du tableau :

0.8 0.9 1 2 3 4 6 8 10

188 1.55 3.86 12.2 19.4 31.3 47.1 67.3 79.5

0.6 0.6 0.6 0.7 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8

Le passage du courant dans le circuit indique que notre diode est passante dans notre systme
donc la tension au borne de lanode a t suprieure a celle de la cathode Ve > Vs
La diode utiliser est une diode faite a la base du Silicium

b- Dans cette partie on va inverser le sens de la diode comme il est indiqu dans le circuit
suivant :

On fait varie E de 0 a 10 v et on note le courant et la tension dans le tableau suivant :

E (v) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

I (m.a) 0 0.09 0.19 0.28 0.4 0.49 0.58 0.71

V (v) 0 0.1 0.2 0.2 0.4 0.44 0.56 0.6

0.8 0.9 1 2 3 4 6 8 10

0.81 0.89 1 1.9 3.1 3.9 5.7 7.7 9.9

0.6 0.6 0.6 0.7 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8

 Pour la courbe de I en fonction de V regarder la feuille millimtrique.
On peut expliquer cette caractristique si on retour a la caractristique statique dune diode au
silicium

Polarisation directe : pour les faible valeurs de la tension le courant a un chemin exponentiel
puis il devient linaire a partir de 0.7 v la croissance linaire devienne trs nette a partir dune
certaine tension cette tension est nomme le seuil de redressement cette tension dans notre
cas est presque gale a 0.7 v (silicium) ce phnomne est due a la rsistance non ngligeable
du semi conducteur

Polarisation inverse : dans ce cas le courant augmente avec la tension on attribue cela a
lexistence dune rsistance de fuite Rf place en parallle sur la jonctions P-N.

2)
On ralise le montage suivant :

Ce schma reprsente une figure dun creteur positive a un seul seuil

Dans notre cas la diode est rel alors la diode conduit a partir de 0.7 v (silicium)
Au court de lalternance positive on a un cour circuit.
Au cours de lalternance ngative on a un circuit ouvert.

Vs = (R2 / R1+R2)*Ve
Et si
R2 >> R1 alors Vs=Ve=2V

Dans ce cas le Ve est un signal sinusodal

Ve(t) = 2v sin wt

Pour la courbe regarder la feuille millimtrique