15/03/2017 Microscpio eletrnico de transmisso Wikipdia, a enciclopdia livre

Microscpio eletrnico de transmisso

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Um microscpio eletrnico de transmisso (MET) um microscpio

no qual um feixe de eltrons emitido em direo a uma amostra ultra
fina, interagindo com a amostra enquanto a atravessa. A interao dos
eltrons transmitidos atravs da amostra forma uma imagem que
ampliada e focada em um dispositivo de imagem, como uma tela
fluorescente em uma camada de filme fotogrfico, ou detectada por um
sensor como uma cmera CCD.[2]

Um MET capaz de exibir imagens a uma resoluo significativamente

maior em comparao com os microscpios ticos devido ao pequeno
comprimento de onda dos eltrons. Tal caracterstica permite ao usurio
examinar detalhes nfimos, at mesmo uma simples coluna de tomos, a
qual dezenas de milhares vezes menor do que o menor objeto
reconhecvel em um microscpio tico. O MET um dos principais
mtodos de anlise em uma vasta gama de campos cientficos, tanto em
cincias fsicas quanto biolgicas. O MET aplicado na pesquisa do
cncer, virologia e na cincia dos materiais, alm das pesquisas de
Uma imagem obtida a partir do MET.
poluio, nanotecnologia e semicondutores.[3]
O vrus da poliomelite mede 30 nm.[1]
A pequenas ampliaes, o (contraste) na imagem deve-se absoro de
eltrons pelo material, como consequncia da sua espessura e composio.[4] A ampliaes maiores, a
intensidade da imagem resultante de um conjunto complexo de interaes de ondas, o que requer a anlise das
imagens obtidas por parte de peritos. A alternncia entre estas formas de uso permite observar atravs do MET
modulaes na composio qumica, orientao de cristais, estrutura eletrnica e a induo da mudana da fase
eletrnica bem como as comuns imagens baseadas na absoro do material.[5]

O primeiro MET foi construdo por Max Knoll e Ernst Ruska em 1931, parte do grupo que desenvolveria o
primeiro MET com poder de resoluo superior ao da luz em 1933 e o primeiro TEM comercial em 1939.[6][7]

ndice
1 Histria
1.1 Desenvolvimento inicial
1.2 Aumento da resoluo
1.3 Outras pesquisas
2 Fundamentos
2.1 Eltrons
2.2 Formao da fonte
2.3 tica
2.4 Visor
3 Componentes
3.1 Sistema de vcuo
3.2 Porta-objetos do espcime
3.3 Canho de eltrons
3.4 Lentes eletrnicas
3.5 Aberturas
4 Mtodos de formao de imagem
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4.1 Formao do contraste

4.1.1 Luminosidade de campo
4.1.2 Contraste de difrao
4.1.3 Perda de energia dos eltrons
4.1.4 Contraste de fase
4.2 Difrao
4.3 Imagem em trs dimenses
5 Preparao da amostra
5.1 Seccionamento de tecido
5.2 Colorao da amostra
5.3 Fresagem mecnica
5.4 Fresagem qumica
5.5 Fresagem inica
6 Modificaes
6.1 Microscpio eletrnico de baixa voltagem
6.2 Microscopia crioeletrnica
6.3 Microscpio eletrnico de transmisso de alta velocidade
7 Limitaes
7.1 Limites de resoluo
8 Fabricantes
9 Ver tambm
10 Referncias
11 Ligaes externas

Histria
Desenvolvimento inicial

Foi Ernst Abbe quem originalmente postulou que a capacidade para

obteno de detalhe na visualizao de um objeto era limitada pelo
comprimento de onda da luz usada no processo, limitando assim a
ampliao mxima possvel de ser obtida atravs de um microscpio
ptico para alguns micrmetros.[8]

O desenvolvimento ocorrido nos microscpios de raios ultravioleta,

conduzido por Khler e Rohr, viria a permitir um aumento de ampliao
de cerca de um ou dois fatores.[9] Contudo, este tipo de luz implicava o
uso de componentes ticos de quartzo mais dispendiosos, devido sua
absoro dos raios UV. Na poca, acreditava-se que obter uma imagem
abaixo de um micrmetro seria simplesmente impossvel devido s
restries impostas pelo comprimento de onda da luz.[6]

J anteriormente, em 1858, tinha sido constatado por Plcker que o

O primeiro MET, originalmente
instalado no I.G. Farben-Werke e
agora em exposio no Deutsches
Museum em Munique, Alemanha.
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desvio de raios catdicos (eltrons) era possvel graas ao uso de
campos magnticos.[10] Este efeito foi usado na construo de
osciloscpios de raios catdicos (ORC) primitivos em 1897 por
Ferdinand Braun, concebidos como dispositivos de medio.[11] De
fato, em 1891, foi admitido por Riecke que os raios catdicos podiam
ser focados por esses campos magnticos, permitindo o uso de lentes
simples. Posteriormente esta teoria foi confirmada por Hans Busch no
seu trabalho publicado em 1926, que mostrou que as equaes aplicadas
tica podiam, mediante determinados pressupostos, ser tambm
aplicadas aos electres.[12][13][14][15]
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Em 1928, na Universidade de Tecnologia de Berlim, Adolf Matthias, professor de Tecnologia de alta tenso e
instalaes eltricas, nomeou Max Knoll para liderar um grupo de investigadores para aperfeioar o desenho do
ORC. Esse grupo era composto por diversos doutorandos incluindo Ruska e Bodo von Borries. A equipa
ocupou-se sobretudo com o desenho das lentes e o posicionamento da coluna do ORC, do qual tentaram obter
parmetros que poderiam ser otimizados para permitir a construo de melhores modelos de ORC, assim como
o desenvolvimento de componentes ticos para electres que pudessem ser usados na gerao de imagens em
ampliaes menores (prximas de 1:1). Em 1931 o grupo conseguiu a gerao de imagens ampliadas de malhas
colocadas sob a abertura do nodo. O dispositivo usava duas lentes magnticas para conseguir ampliaes
maiores sendo este, discutivelmente, o primeiro microscpio eletrnico. No mesmo ano Reinhold Rudenberg,
diretor cientfico da Siemens, um microscpio de electres com uma lente eletroesttica.[6][16]

Aumento da resoluo

Nesta poca, ainda no tinha sido completamente compreendido o comportamento em onda dos eltrons, que
ainda se considerava serem partculas carregadas de matria. Foi apenas em 1927 que se publicou De Brogle
Hypotesis, uma investigao sobre a onda natural de eltrons.[17] O grupo s teve conhecimento da publicao
em 1932, momento em que rapidamente compreendeu que o comprimento da onda de Broglie era muitas
ordens de magnitude menor que o comprimento da onda de luz, teoricamente permitindo imagens escala do
tomo. Em abril de 1932, Ruska sugeriu a construo de um novo microscpio de eletres para a visualizao
direta de amostras inseridas no microscpio, em vez de simples malhas ou imagens feitas a partir de
diafragmas. Com este dispositivo conseguiu-se tanto uma imagem difrativa como uma imagem normal de uma
folha de alumnio. Contudo, no foi possvel demonstrar ampliaes maiores do que as j possveis com
microscpios ticos, objetivo que apenas foi alcanado em setembro de 1933, com o registo de imagens de
fibras de algodo momentos antes de serem rapidamente desfeitas pelo feixe de eletres.[6]

Nesta altura, o interesse no projeto do microscpio eletrnico aumentou, com outros grupos a contribuir para o
avano da tecnologia do MET, tal como o de Albert Prebus e James Hillier, ambos da Universidade de Toronto
e autores do primeiro MET dos Estados Unidos em 1938.[18]

A Siemens continuou a pesquisa em 1936, tendo como objetivo melhorar as propriedades de visualizao do
MET, principalmente no que diz respeito a amostras biolgicas. Naquela poca, os microscpios eletrnicos
eram fabricados para grupos especficos, tal como o dispositivo "EM1" utilizado no Laboratrio Nacional de
Fsica do Reino Unido.[19] Em 1939, o primeiro microscpio eletrnico comercial foi instalado no
departamento de fsica do I. G Farben-Werke. O avano na investigao sofreu um revs durante II Guerra
Mundial, quando um bombardeio areo destruiu os laboratrios da Siemens e causou a morte de dois dos
investigadores, Heins Mller e Friedrich Krause.[7]

Outras pesquisas

Depois da Segunda Guerra Mundial, Ruska retomou a pesquisa na Siemens, onde construiu o primeiro
microscpio capaz de ampliaes na ordem das 100 mil vezes.[7] Os princpios estruturais deste microscpio,
com vrios estgios de preparao tica, usado ainda hoje nos microscpios modernos. Comeam a ser
fabricados aparelhos em Manchester, no Reino Unido, nos Estados Unidos pela RCA, na Alemanha pela
Siemens, e no Japo. A primeira conferncia internacional sobre o tema foi organizada em Delft em 1942,
contando com mais de cem participantes.[19] De entre as conferncias que se seguiram, inclui-se a "Primeira"
conferncia internacional em Paris, em 1950, e a de Londres em 1954. [20]

Com o desenvolvimento do MET, iniciou-se a reinvestigao tecnolgica no campo do microscpio eletrnico

por varredura de transmisso (STEM), que apenas viria a ter resultados prticos no final da dcada de 1970,
quando Albert Crewe da Universidade de Chicago desenvolveu o canho de emisso de campo e adicionou
uma lente objetiva de alta qualidade na criao do primeiro STEM..[21] Com este desenho, Crewe demonstrou a

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capacidade de visualizao de tomos atravs da tcnica de imagem de campo escuro anular. Crewe, em
conjunto com colaboradores na Universidade de Chicago, desenvolveu tambm a emisso de eltrons por
campo a frio e construiu um STEM capaz de visualizar tomos nicos sobre finos substratos de carbono.[22][23]

Fundamentos
O objetivo de qualquer tipo de microscopia determinar a estrutura do objeto a partir do qual est se obtendo a
imagem observada. No caso da microscopia quantitativa tem-se de conhecer para este propsito no somente as
propriedades pticas do sistema de imagem mas tambm as caractersticas da iluminao do objeto sob
investigao (aqui, num sentido independente de luz visvel ou outro tipo de radiao).[24]

Pode-se mostrar que para a microscopia convencional suficiente conhecer-se as propriedades estatsticas de
segunda ordem da iluminao. No caso da microscopia com luz visvel as propriedades estatsticas de 2 ordem
so descritas pela teoria da coerncia parcial. O conhecimento que tem sido adquirido neste campo pode ser
transferido diretamente para o caso da microscopia eletrnica. Pode-se objetar que na microscopia eletrnica
tem-se de levar em conta o fato que eltrons so frmions enquanto ftons so bsons. Como efeitos de spin
so muito pequenos pode-se seguramente negligenciar os spins das partculas que tomam parte do processo de
obteno da imagem. Pode-se tambm ignorar a diferena em estatsticas, Fermi-Dirac para eltrons e Bose-
Einstein para ftons, porque os feixes usados em ambos os tipos de microscopia tem um baixo parmetro de
degenerao. Ento no existe uma diferena essencial entre microscopia com luz e eltrons.[24][25]

Eltrons

Em teoria, a resoluo mxima (d), que se pode obter com um microscpio tico limitada pelo comprimento
da onda dos ftons que so usados para varrer a amostra, (), e a abertura numrica do sistema NA (de
numerical aperture).[26]

Cientistas no incio do sculo XX teorizaram formas de contornar as limitaes impostas pelo comprimento de
onda relativamente grande do Espectro Visvel (comprimento da onda de 400 at 700 nanmetros) usando
eltrons. Como toda a matria, os eltrons tm tanto propriedade de ondas como de partculas (dualidade onda-
partcula, tal como defendeu Louis-Victor de Broglie), e as suas propriedades de onda significam que possa ser
feito um feixe de eletres de modo a que se comporte como um feixe de radiao eletromagntica. O
comprimento da onda dos eltrons calculado igualando a equao de Louis-Victor de Broglie com a energia
cintica de um eltron. Deve ser feita uma correo adicional que leve em conta efeitos da relatividade, j que
num MET a velocidade de um eltron se aproxima da velocidade da luz,(c).[27]

onde h a constante de Planck, m0 que a massa em repouso de um eltron e E a energia do eltron

acelerado. Num microscpio eletrnico os Eltrons so normalmente gerados atravs de um processo
designado por emisso terminica de um filamento, normalmente tungstnio, da mesma forma que uma
lmpada, ou em alternativa atravs da emisso de eltrons por campo.[28] Os eltrons so ento acelerados por
um potencial eltrico (medido em volts) e focados para a amostra por lente eltroesttica e eletromagnticas. O
feixe retransmitido contm informao sobre a densidade dos eletres, a fase e periodicidade, sendo usado para
formar a imagem.[29]

Formao da fonte
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Do topo para baixo, um MET consiste de uma fonte de emisso, a

qual pode ser um filamento de tungstnio, ou uma fonte de
hexaboreto de lantnio (LaB6).[30] Para tungstnio, esta ser da
forma de um filamento de um grampo de cabelo, ou um filamento
em forma de pequena espiga. Fontes de LaB6 utilizam pequenos
monocristais. Ao conectar este "canho" a uma fonte de alta tenso
(tipicamente ~100-300 kV) o canho ir, dada corrente suficiente,
iniciar a emitir eltrons seja por emisso termoinica ou emisso de
eltrons por campo no vcuo. Essa extrao normalmente
auxiliada pelo uso de um cilindro de Wehnelt. Aps a extrao, as
lentes superiores do MET permitem a formao da sonda eletrnica
com o tamanho e localizao desejada para a interao posterior
com a amostra.[31]

A manipulao dos eltrons no tubo causada por dois efeitos. A

interao dos eltrons com o campo magntico causa o movimento
dos eltrons na direo desejada, dessa forma permitindo o
eletrom manipular o feixe de eltrons. O uso de campos
magnticos permite a formao de lentes magnticas de diferentes
poderes de foco, a forma das lentes originais permitem a
distribuio do fluxo magntico, alm disso, o campo eletroesttico
pode usar os eltrons para desviar os eltrons do fluxo magntico.
Disposio de componentes ticos em um
Adicionalmente, campos eletrostticos podem causar a defleco
MET bsico.
dos eltrons atravs de um ngulo constante, devido a carga eltrica
viajar atravs de um campo eltrico.[32][33] O acoplamento de dois
desvios em direes opostas, com um pequeno espao intermedirio, permite a formao de uma mudana no
caminho do feixe, sendo utilizado em MET para o deslocamento do feixe. Posteriormente, isto extremamente
importante para microscpio eletrnico de varredura por transmisso (MEVT, scanning transmission electron
microscope, STEM). A partir desses dois efeitos, bem como do uso de um sistema de imagem eletrnica, o
controle suficiente sobre o trajeto do feixe possvel para a operao do MET.[34] A configurao tica do
MET pode ser rapidamente modificada, diferentemente do microscpio tico, cujo feixe de lentes devem ser
posicionadas, mudando sua ampliao. Para MET bastam ser totalmente desativadas por meio de um
chaveamento rpido (interruptores), cuja velocidade mxima limitada pelos efeitos como a histerese
magntica das lentes.[35]

tica

As lentes de um MET conduzem a convergncia do feixe, com o ngulo de convergncia como um parmetro
varivel, dando ao MET a habilidade de mudar a ampliao modificando simplesmente a quantidade de
corrente fluindo atravs da bobina, lentes magnticas quadripolares ou hexapolares. A lente quadripolar um
arranjo de bobinas eletromagnticas nos vrtices de um quadrado, permitindo a gerao de campos magnticos
que comportam-se como lentes, a configurao hexapolar simplesmente melhora a simetria da lente usando
seis, ao invs de quatro bobinas.[36] O uso de elementos ptica eletrnica hexapolar para corrigir as aberraes
esfricas das lentes objetivas de um microscpio eletrnico de varredura de baixa tenso tem sido investigado.
Comparado com os corretores convencionais quadripolares e octapolares, sistemas hexapolares so mais
simples no design, mais fceis de ajustar e menos sensveis s imperfeies de fabricao e as instabilidades da
fonte de alimentao.[37][38][39]

Tipicamente um MET consiste de trs estgios de lentes. Os estgios so as lentes do condensador, as lentes da
objetiva, e as lentes do projetor. As lentes do condensador so responsveis pela formao primria do feixe,
enquanto que as lentes objetivas focam o feixe para baixo na prpria amostra. As lentes do projetor so
utilizados para expandir o feixe sobre a tela de fsforo ou outro dispositivo de imagem, tal como um filme. A

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magnificao do MET devida razo das distncias entre o espcime e o plano da imagem das lentes da
objetiva.[40] Lentes adicionais quadri ou hexapolares permitem a correo de distores assimtricas do feixe,
conhecidas como astigmatismo.[41]

Note-se que as configuraes da ptica de um MET diferem significativamente com a implementao, com
fabricantes utilizando configuraes personalizadas de lentes, como na correo de aberrao esfrica de
instrumentos,[31] ou equipamentos do tipo MET utilizando filtragem de energia para corrigir a aberrao
cromtica de eltrons.[42]

Visor

Sistemas de imagens em um MET consistem de uma tela de fsforo, a qual pode ser feita de sulfeto de zinco
finamente particulado (10-100 m), para observao direta pelo operador. Opcionalmente, um sistema de
gravao de imagem tal como um filme baseado ou tela CCD acoplado dopada com granada de trio e alumnio
(YAG, yttrium aluminium garnet).[43] Normalmente, estes dispositivos podem ser removidos ou inseridos no
caminho do feixe pelo operador na medida do exigido.

Componentes
Um MET composto de diversos componentes, os quais incluem um
sistema de produo de vcuo no qual os eltrons viajam, uma fonte de
emisso de eltrons para a gerao da corrente de eltrons, uma srie de
lentes eletromagnticas, assim como placas eletrostticas. Os dois
ltimos permitem ao operador orientar e manipular o feixe, conforme
necessrio. Tambm necessrio um dispositivo para permitir a
insero, o movimento interno e a retirada de amostras do trajeto do
feixe. Dispositivos de imagens so posteriormente usados para criar
uma imagem dos eltrons que saem do sistema.[23]

Sistema de vcuo

Para aumentar o percurso livre mdio da interao do gs de eltrons,

um MET padro evacuado para baixas presses, tipicamente na ordem
de 104 Pa.[45] A necessidade para isso dupla: primeiro prover
subsdios para a diferena de tenso entre o catodo e o terra sem gerar
um arco, por outro, reduzir a frequncia de coliso dos eltrons com os
tomos de gs para nveis insignificantes, este efeito caracterizado
pelo percurso livre mdio. Componentes de um MET, tais como
suportes de amostras e os cartuchos de filme devem ser rotineiramente A fonte de eltrons do MET est no
inseridos ou substitudos exigindo um sistema com capacidade para topo, onde o sistema de lentes (4,7 e
evacuar novamente em uma base regular. Como tal, um MET 8) foca o feixe sobre o espcime e
equipado com vrios sistemas de bombeamento e cmaras pressurizadas ento projeta-o sobre a tela de
cisualizao (10). O controle do feixe
e no so permanentemente selados a vcuo.[46][47]
est direita (13 e 14).[44]
O sistema de vcuo para a evacuao de um MET em nvel de presso
de operao consiste de diversos estgios. Inicialmente um vcuo baixo ou grosseiro obtido por meio de uma
bomba de palhetas rotativas ou por bombas de diafragma trazendo o MET a uma presso suficientemente baixa
para permitir o funcionamento de bombas turbomoleculares ou de difuso, as quais conduzem o MET a su
nvel de alto vcuo necessrio para operao. Para permitir que no seja exigido o funcionamento contnuo da
bomba de baixo vcuo baixo, enquanto continuamente operando as bombas turbomoleculares, o lado do vcuo
de uma bomba de baixa presso pode ser conectado a cmaras que acomodam os gases de escape da bomba

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turbomolecular.[48] Sees do MET podem ser isolados pelo uso de vlvulas de gaveta, para permitir diferentes
nveis de vcuo em reas especficas, como o alto vcuo de 104 a 107 Pa ou mais alto no canho de eltrons,
como nos casos de MET de alta resoluo ou de emisso de campo.[46][47][49][50]

Um MET de alta voltagem requer vcuos ultra altos na faixa de 107 a 109 Pa para prevenir a gerao de arco
eltrico, particulamente no ctodo do MET.[51] Assim, para um MET de mais alta voltagem, um terceiro
sistema de vcuo pode operar, com o canho isolado da cmara principal, quer pelo uso de vlvulas de gaveta
ou pelo uso de bombeamento diferencial de abertura. O bombeamento diferencial de abertura um orifcio
pequeno que impede a difuso de molculas de gs na rea de vcuo mais alto do canho mais rpido do que
pode ser bombeado para fora. Para essas presses muito baixas, tanto uma bomba de on ou um material getter
(armadilha de gs) so usados.[52]

Vcuo pouco intenso em um MET pode causar diversos problemas, da deposio de g dentro do MET sobre o
espcime que esta sendo visto atravs de um processo conhecido como deposio induzida por feixe de
eltrons, ou em casos mais graves danos para o ctodo por uma descarga eltrica [51]. Problemas de vcuo
devidos a sublimao do espcime so limitados pelo uso de uma armadilha fria a adsoro de gases
sublimados na vizinhana do espcime.[48]

Porta-objetos do espcime

O projeto do porta-objetos do espcime de um MET (correspondente platina

dos microscpios ticos) incluem eclusas de ar para permitir a insero do
suporte da amostra no vcuo com um aumento mnimo na presso em outras
reas do microscpio. Os fixadores da amostra so adaptados para manter um
tamanho padro de grelha sobre a qual a amostra colocada ou um tamanho
padro de amostra auto-sustentvel. O tamanho padro da grelha de um MET
um anel de 3,05 mm de dimetro, com tamanho, espessura e malhas variando
de alguns a 100 m. A amostra colocada sobre a rea interna em malha com
um dimetro de cerca de 2,5 mm. Os materiais mais comuns da grelha so
cobre, molibdnio, ouro ou platina. Essa grelha colocada no porta-amostras
que est emparelhado com o porta-objeto da amostra. Existe uma grande Amostra de MET apoiada em
variedade de disposies de pota-objetos e de fixadores, dependendo do tipo de uma "grelha" malha, com
experimento a ser realizado. Alm das grelhas de 3,05 mm, por vezes, so
sees de ultramicrotomia.[53]
usadas grelhas de 2,3 mm, mesmo que raramente. Estas grelhas so
particularmente usadas nas cincias minerais, onde um grande grau de
inclinao pode ser necessria e onde o material amostra pode ser extremamente raro. Espcimes transparentes
aos eltrons podem ter uma espessura em torno de 100 nm, mas este valor depende da voltagem de
acelerao.[30]

Uma vez inseridos em um MET, a amostra geralmente tem que ser manipulado para apresentar a regio de
interesse para o feixe, como em uma nica difrao de gro (cristalito), em uma orientao especfica. Para
acomodar isso, o porta-objetos do MET inclui mecanismos para a translao da amostra no plano XY da
amostra, do ajuste da altura Z do fixador da amostra, e, normalmente, h pelo menos um grau de liberdade de
rotao para a amostra. Assim, um estgio de MET pode fornecer quatro graus de liberdade para o movimento
do espcime. A maioria dos modernos METs dispe da capacidade para dois ngulos ortogonais de movimento
de rotao ortogonal com disposies de fixadores especializados, chamados porta-amostras de inclinao
dupla. Note-se, porm, que alguns projetos do porta-objetos, como a entrada superior ou estgios de insero
vertical, uma vez comum para estudos de alta resoluo em um MET, podem simplesmente s ter translao
XY disponveis. Os critrios de projeto de porta-objetos de um MET so complexos, devido s exigncias
simultneas de restries mecnicas e de ptica de eltrons e, assim, gerar muitas implementaes nicas.[30]

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Um porta-objetos de MET requerido para ter-se a habilidade de fixar um espcime e manipul-lo para trazer a
regio de interesse para o trajeto do feixe de eltrons. Como o MET pode operar sobre uma ampla faixa de
magnificaes, o porta-objetos deve ser tambm altamente resistente deriva mecnica, com requisio de
deriva to baixos como poucos nm/minuto enquanto capaz de se mover vrios m/minuto, com exatido do
reposicionamento da ordem de nanmetros.[54] Os projetos iniciais de MET conseguiam isto com um complexo
conjunto de dispositivos por engrenagens mecnicas, permitindo ao operador controlar com preciso o
movimento do porta-objetos por diversas hastes de rotao. Os dispositivos modernos podem usar dispositivos
eltricos no porta-objetos, usando parafusos operando em conjunto com motores de passos, provendo o
operador com um controle computadorizado do porta-objetos, tais como um joystick ou trackball.[41]

Existem duas disposies principais para porta-objetos em um MET, a verso de entrada lateral e a de entrada
pelo topo.[43] Cada projeto deve acomodar o fixador correspondente para permitir a insero de espcimes sem
qualquer dano a delicada tica ou permitir gs nos sistemas do MET sob vcuo.[43]

O mais comum o fixador com entrada lateral, onde o

Um diagrama de um suporte de inclinao de eixo
nico para a insero de amostra em gonimetro de
MET. A inclinao do fixador obtida atravs da
rotao de todo o gonimetro.
pelos anis de vcuo.[43]
espcime colocado prximo de uma ponta de uma haste
de metal (lato ou ao inoxidvel), com a amostra colocada
no plano em uma pequena cavidade. Ao longo da haste
esto vrios anis de vcuo de polmero para permitir a
formao de um selo de vcuo de boa qualidade, quando
inseridos no porta-objetos. O porta-objetos concebido
assim para acomodar a haste, colocando o espcime no
meio ou perto da lente objetiva, depende do desenho da
objetiva. Quando inserido no porta-objetos, o fixador com
entrada lateral tem a sua ponta contidos no vcuo do MET,
e a base acessvel atmosfera, sendo a vedao formada

O procedimentos de insero para um MET com fixadores com entrada lateral normalmente envolvem a
rotao da amostra para provocar micro switch que inicia a evacuao da cmara antes que a amostra seja
introduzida na coluna do MET.[41][43]

A segunda disposio o fixador com entrada pelo topo de um cartucho que tem o comprimento de diversos
cm com uma avidade usinada pelo eixo do cartucho. O espcime carregado na cavidade, podendo se utilizar
um pequeno anel de fenda para manter o espcieme no lugar. O cartucho inserido em uma escotilha com a
cavidade perpendicular ao eixo tico do MET. Quando selado, a escotilha manipulada empurrando-se o
cartucho com o cartucho acomodando-se na posio, onde a abertura da cavidade fica alinhada com o eixo do
feixe, de tal forma que o feixe percorre a cavidade do cartucho e o espcime. Tais disposies normalmente so
incapazes de serem inclinadas sem bloquear o caminho do feixe ou interferir com a lente objetiva.[43]

Canho de eltrons

O canho de eltrons formado por vrios componentes: o filamento, um circuito de polarizao, uma capa
Wehnelt, e um nodo de extrao. Ao ligar o filamento para a o componente negativo da alimentao de
energia, os eltrons podem ser "bombeados" do canho de eltrons para a placa do nodo, e coluna do MET,
completando assim o circuito. O canho projetado para criar um feixe de eltrons saindo do dispositivo em
um determinado ngulo, conhecido como o semingulo de divergncia do canho, . Ao construir o cilindro
Wehnelt tal que tenha uma carga negativa maior do que o prprio filamento, os eltrons que saem do filamento
de uma maneira divergente so, quando em bom funcionamento, forados a um padro convergente de tamanho
mnimo que o dimetro cruzado do canho.[5]

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A densidade de corrente de emisso termoinica, J, pode ser relacionada funo trabalho do material emitente
e uma distribuio de Boltzmann dada abaixo, a equao de Richardson-Dushman, onde A uma constante,
a funo de trabalho e T a temperatura do material.[43][55][56][57]

Esta equao mostra que para atingir a densidade de corrente suficiente, necessrio aquecer o emissor,
tomando cuidado para no causar danos atravs da aplicao de calor excessivo, por esta razo materiais com
um alto ponto de fuso, como o tungstnio, ou aqueles com uma baixa funo de trabalho (LaB6) so
necessrios para o filamento do canho.[58] Alm disso, tanto as fontes de hexaboreto de lantnio e o tugstnio
devem ser aquecidos para alcanar a emisso terminica, este pode ser conseguida atravs da utilizao de uma
pequena fita de resistncia. Para evitar choques trmicos, muitas vezes h um retardo imposto na aplicao de
corrente para a ponta, para evitar gradientes trmicos que danificam o filamento, o retardo geralmente alguns
segundos para o LaB6, e significantemente mais baixo para o tungstnio.[30][55]

Lentes eletrnicas

As lentes eletrnicas so projetadas para atuar de uma maneira que

emula as lentes ticas, por focar raios paralelos em uma distncia focal
constante. Lentes podem operar eletrostaticamente ou magneticamente.
A maioria das lentes eletrnicas para TEM utilizam bobinas
eletromagnticas para gerar uma lente convexa. Para estas lentes o
campo produzido pelas lentes deve ser radialmente simtrico, como o
desvio da simetria radial das lentes magnticas causa aberraes tais
como astigmatismo, e aberrao esfrica e cromtica. Lentes eletrnicas
so produzidas com ferro, ferro-cobalto ou ligas de nquel e cobalto,[59]
tais como permalloy. Estas so selecionadas por suas propriedades
Diagrama de uma lente de MET de magnticas, tal como a saturao, histerese e permeabilidade
disposio de peas de polos magntica.[30]
divididos.
Os componentes incluem o ncleo metlico, a bobina magntica, os
plos, os cabeotes e os circuitos de controle externo. Os cabeotes devem ser fabricados em uma maneira
muito simtrica, j que constituem as condies de contorno para o campo magntico que forma a lente.
Imperfeies no fabrico dos cabeotes podem induzir graves distores na simetria do campo magntico, que
induzem a distores que acabaro por limitar a capacidade das lentes para reproduzir o plano do objeto. As
dimenses exatas do intervalo, do dimetro interno do polo e adelgaamento, bem como a concepo total da
lente frequentemente realizada por anlise de elementos finitos do campo magntico, enquanto considerando
as limitaes trmicas e eltricas do projeto.[59]

As bobinas que produzem o campo magntico esto localizados dentro do ncleo da lente. As bobinas podem
conter uma corrente varivel, mas geralmente utilizam altas tenses e, portanto, requerem isolamento
significativo para evitar curto-circuito dos componentes da lente. Distribuidores trmicos so colocados para
garantir a extrao do calor gerado pela energia perdida com a resistncia dos enrolamentos da bobina. Os
enrolamentos podem ser refrigerados a gua, usando uma fonte de gua refrigerada, a fim de facilitar a remoo
do grande calor produzido na operao.[36]

Aberturas

Aberturas so placas metlicas anulares, atravs das quais os eltrons que esto a uma distncia fixa maior do
eixo ptico podem ser excludas. Estas so compostas por um pequeno disco metlico que suficientemente
espesso para impedir a passagem de eltrons atravs do disco, embora permita eltrons axiais. Esta permisso

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de eltrons centrais em um MET provoca dois efeitos simultneos: por um lado, aberturas diminuem a
intensidade do feixe pelos eltrons que so filtrados do feixe, o que pode ser desejvel, no caso das amostras
sensveis ao feixe. Em segundo lugar, essa filtragem remove eltrons que esto espalhados em ngulos
elevados, o que pode ser devido a processos indesejados, tais como a aberrao esfrica e cromtica, ou devido
difrao da interao dentro da amostra.[60]

As aberturas so tanto aberturas fixas dentro da coluna, tais como a lente do condensador, ou aberturas mveis,
que podem ser inseridas ou retiradas do caminho do feixe, ou movidas no plano perpendicular ao caminho do
feixe. Dispositivos de aberturas so dispositivos mecnicos que permitem a seleo de diferentes tamanhos de
abertura, que podem ser utilizada pelo operador para a troca de intensidade e o efeito de filtragem da abertura.
Dispositivos de aberturas so frequentemente equipados com micrmetros para mover a abertura, necessrios
durante a calibrao ptica.[61]

Mtodos de formao de imagem

Os mtodos de formao de imagem em um MET utilizam as informaes contidas na sada das ondas de
eltrons a partir da amostra para formar uma imagem. As lentes do projetor permitem o correto posicionamento
da distribuio eletrnica de onda para o sistema de visualizao. A intensidade da imagem, I, assumindo
grande qualidade do dispositivo de imagem, pode ser aproximada como proporcional ao tempo mdio de
amplitude da funo de onda eletrnica, onde a onda que forma o feixe de sada denotada por .[62]

Diferentes mtodos de formao de imagem, portanto, tentam modificar as ondas de eltrons que originam-se
da amostra de uma forma que seja til para obter informaes com relao amostra, ou o feixe em si. A partir
da equao anterior, pode-se deduzir que a imagem observada no depende apenas da amplitude do feixe, mas
tambm a fase dos eltrons, porm os efeitos de fase podem ser frequentemente ignorados nas menores
ampliaes. Imagens de maior resoluo necessitam amostras mais finas e altas energias dos eltrons incidente.
Portanto, a amostra no pode mais ser considerada absorvendo eltrons, atravs de um efeito da lei de Beer,
mas a amostra pode ser modelada como um objeto que no altera a amplitude da funo de onda eletrnica
recebida. Pelo contrrio, a amostra modifica a fase da onda de entrada, este modelo conhecido como um
objeto de fase pura, para amostras suficientemente finas os efeitos de fase dominam a imagem, dificultando a
anlise das intensidades observadas.[62] Por exemplo, para melhorar o contraste na imagem do MET pode ser
operada uma ligeira desfocagem para melhorar o contraste, devido convoluo pela funo de transferncia
de contraste do MET[63], a qual, normalmente, diminui o contraste, se a amostra no um objeto de fase fraco.

Formao do contraste

A formao do contraste num MET depende grandemente do modo de operao. Tcnicas complexas de
formao de imagem, as quais utilizam a nica habilidade de alterar-se as foras ou desativar-se as lentes,
permitem muitos modos de operao. Estes modos podem ser usados para discernir informao que seja de
interesse particular ao pesquisador.[64]

Luminosidade de campo

O modo mais comum de operao para um MET o modo de imagem de campo brilhante. Neste modo a
formao do contraste, quando considerada classicamente, formada diretamente pela ocluso e absoro de
eltrons na amostra. Regies mais espessas da amostra, ou regies com nmeros atmicos maiores aparecero
escuras, enquanto que as regies com nenhuma amostra no caminho do feixe iro aparecer brilhante - da o

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termo "campo brilhante". A imagem de fato assumida como uma projeo bi-dimensional simples da amostra
no eixo ptico, e uma primeira aproximao pode ser modelada atravs da lei de Beer[26], anlises mais
complexas requerem a modelagem para incluir informao de fase.[62]

Contraste de difrao

As amostras podem apresentar contraste de difrao, em que o feixe

de eltrons sofre disperso de Bragg, que no caso de uma amostra
cristalina, dispersa eltrons em posies discretas no plano focal de
fundo. Pela colocao de aberturas no plano focal de fundo, ou seja, a
abertura da objetiva, as reflexes de Bragg desejadas podem ser
selecionadas (ou excludas), assim, apenas partes da amostra que esto
causando espalhamento de eltrons para as reflexes selecionadas vo
acabar projetadas sobre o aparato de formao de imagem.[66]

Se as reflexes que so selecionados no incluem o feixe no disperso

Micrografia de transmisso de eltrons
(que vai aparecer at no ponto focal da lente), ento a imagem aparece
de deslocamentos, os quais so falhas
escura onde nenhuma disperso pela amostra do pico selecionado est
na estrutura do retculo cristalino na
presente, como uma regio sem um espcime apareceria escura. Isso
escala atmica.[65]
conhecido como uma imagem de campo escuro.[66]

METs modernos so frequentemente equipados com fixadores de espcime que permitem ao usurio inclinar o
espcime numa faixa de ngulos de maneira a obter condies de difrao especficas, e aberturas colocadas
acima do espcime permitem ao usurio selecionar eltrons que seriam difratados em uma particular direo
entrando no espcime.[66]

Aplicaes para este mtodo incluem a identificao de defeitos de retculo em cristais. Por seleo cuidadosa
da orientao da amostra, possvel no apenas determinar a posio dos defeitos, mas tambm determinar o
tipo de defeito presente. Se a amostra for orientada de modo que um plano particular seja apenas ligeiramente
inclinado para fora a partir do mais forte ngulo difrativo (conhecido como ngulo de Bragg), qualquer
distoro do plano de cristal que localmente inclina o plano para o ngulo de Bragg vai produzir variaes de
contraste muito fortes. Entretanto, os defeitos que produzem somente o deslocamento de tomos que no
inclinem o cristal para o ngulo de Bragg (i. e. deslocamentos paralelos ao plano do cristal) no iro produzir
um forte contraste.[66]

Perda de energia dos eltrons

Utilizando a tcnica avanada de EELS (do ingls Electron Energy Loss Spectroscopy, espectroscopia de perda
de energia de eltrons, tambm conhecida como espectroscopia de impacto de eltrons), para METs
devidamente equipados, eltrons pode ser rejeitados com base em sua voltagem (tenso) (a qual, devido carga
constante sua energia), usando-se dispositivos baseados em setor magntico conhecidos como espectrmetros
EELS. Estes dispositivos permitem a seleo de valores especficos de energia, que podem ser associados com
a maneira como os eltrons interagem com a amostra. Por exemplo, diferentes elementos em uma amostra
resultam em diferentes energias de eltrons no feixe aps a amostra. Isto normalmente resulta em aberrao
cromtica - no entanto este efeito pode, por exemplo, ser usado para gerar uma imagem que fornece
informaes sobre a composio elementar, baseado na transio atmica durante a interao eltron-
eltron.[32]

Espectrmetros EELS podem muitas vezes ser operados nos dois modos, de espectroscopia e de imagem,
permitindo o isolamento ou rejeio de feixes elasticamente dispersos. Como para muitas imagens o
espalhamento inelstico ir incluir informaes que no podem ser de interesse para o investigador, reduzindo
assim os sinais observveis de interesse, a imagem de EELS pode ser usada para realar o contraste das
imagens observadas, incluindo tanto o campo brilhante e a difrao, rejeitando componentes indesejveis.[67]
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Contraste de fase

A estrutura do cristal tambm pode ser analisada por microscopia eletrnica de transmisso de alta resoluo
(METAR, ou HRTEM, de High Resolution Transmission Electron Microscopy), tambm conhecida como
contraste de fase. Quando se utiliza uma fonte de emisso de campo, de espessura uniforme, as imagens so
formadas devido s diferenas de fase das ondas de eltrons, que causada pela interao com o espcime.[63]
A formao da imagem dada pelo mdulo complexo dos feixes de eltrons incidentes. Como tal, a imagem
no apenas dependente do nmero de eltrons que atingem a tela, fazendo interpretao direta de imagens de
contraste de fase mais complexa. No entanto, este efeito pode ser usado como uma vantagem, pois pode ser
manipulado para fornecer mais informaes sobre a amostra, como nas tcnicas complexas de recuperao de
fase.[63]

Difrao

Como anteriormente apresentado, por ajuste das lentes magnticas de maneira

que o plano focal posterior da lente e no o plano de imagem seja colocado
sobre o aparato de imagem, pode ser gerado um padro de difrao. Para
amostras cristalinas finas, este produz uma imagem que consiste em um padro
de pontos no caso de um nico cristal, ou uma srie de anis, no caso de um
material slido policristalino ou amorfo. Para o caso de um cristal nico, o
padro de difrao dependente da orientao do modelo e da estrutura da
amostra iluminada pelo feixe de eltrons. Esta imagem d ao pesquisador
informaes sobre as simetrias de grupo de espao no cristal e a orientao do
cristal para o trajeto do feixe. Isso geralmente feito sem a utilizao de
qualquer informao alm da posio em que os pontos de difrao aparecem e Padro de difrao cristalina
as simetrias da imagem observada.[68] de um gro geminado de ao
austentico FCC
Padres de difrao pode ter uma ampla faixa dinmica, e para as amostras
cristalinas, podem ter intensidades maiores do que aqueles registrveis CCD.
Como tal, METs ainda podem ser equipados com cartuchos de filme a fim de obter estas imagens, como o filme
um detector de uso nico.[69]

Anlise de padres de difrao alm da posio de ponto podem ser

complexas, devido a imagem ser sensvel a uma srie de fatores, tais como a
espessura das amostras e sua orientao, desfoque da lente objetiva, aberraes
esfrica e cromtica. Embora a interpretao quantitativa do contraste
mostrado em imagens de retculo seja possvel, inerentemente complicada e
pode exigir extensivas simulao computacional e anlise, como a anlise
multislice eletrnica.[43][70][71]

Comportamento mais complexo no plano de difrao tambm possvel, com Linhas de Kikuchi de feixe
fenmenos como as linhas de Kikuchi decorrentes de mltipla difrao dentro convergentes do silcio,
da rede cristalina. Em difrao de eltrons de feixe convergente (CBED, prximo a zona axial [100].
convergent beam electron diffraction) onde uma frente de onda de eltrons no
paralela, i.e. convergente, produzida por concentrar o feixe de eltrons em uma sonda fina na superfcie da
amostra, a interao do feixe convergente pode fornecer informaes alm dos dados estruturais tal como a
espessura da amostra.[72]

Imagem em trs dimenses

Como fixadores de amostras de METs geralmente permitem a rotao de uma amostra em um ngulo desejado,
mltiplas vises do mesmo espcime podem ser obtidas pela rotao do ngulo da amostra ao longo de um eixo
perpendicular ao feixe. Ao tomar vrias imagens MET de uma nica amostra em ngulos diferentes, geralmente
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em incrementos de 1, um conjunto de imagens conhecido como uma

"srie de inclinao" (tilt sries) podem ser recolhidas. Sob condies
puramente de contraste de absoro, esse conjunto de imagens pode ser
usado para construir uma representao tridimensional da amostra.[74]

A reconstruo realizada por um processo de duas etapas, primeiro as

imagens so alinhadas em funo dos erros no posicionamento de uma
amostra; tais erros podem ocorrer devido vibrao ou movimentao
mecnica. Mtodos de alinhamento usam algoritmos de registro de
imagem, tais como mtodos de autocorrelao para corrigir esses erros.
Secundariamente, usando uma tcnica conhecida como retroprojeo
Uma imagem tridimensional de MET filtrada (transformada de Radon), as fatias de imagem alinhadas podem
de um parapoxvrus[73] ser transformadas de um conjunto de imagens bidimensionais, Ij(x,y),
em uma nica imagem tridimensional, I'j(x,y,z). Esta imagem
tridimensional de particular interesse quando a informao morfolgica necessria, um estudo posterior
pode ser realizado utilizando algoritmos de computador, tais como isosuperfcies (isosurface) e fatiamento de
dados (data slicing) para analisar os dados.[74]

Como amostras em METs no podem normalmente ser vistas em uma rotao completa de 180, as imagens
observadas normalmente sofrem de uma "cunha perdida" de dados, as quais quando usando-se mtodos de
retroprojeo baseada em Fourier diminui a faixa de freqncias resolvel na reconstruo tridimensional.[74]
Tcnicas mecnicas, tais como inclinao multi-eixos, bem como as tcnicas numricas existem para limitar o
impacto da falta de dados sobre a morfologia do espcime observado. Variantes desse mtodo, designado como
anlise de partcula nica, usa imagens de objetos idnticos mltiplos em diferentes orientaes para produzir
os dados de imagem requeridos para a reconstruo tridimensional. Assumindo que os objetos no tm
orientaes preferenciais significativas, este mtodo no sofre com a carga de dados em falta, no entanto,
pressupe que os diversos objetos com imagens podem ser tratadas como se os dados tivessem sido gerados a
partir de um nico objeto.[74]

Preparao da amostra
A preparao das amostras em um MET pode ser um processo complexo. Espcimes para METs so obrigados
a ter, no mximo, centenas de nanmetros de espessura, pois do contrrio radiao nutron ou de raios X do
feixe de eltrons interage rapidamente com a amostra, um efeito que aumenta aproximadamente com o
quadrado do nmero atmico (z2).[26] Amostras de alta qualidade tero uma espessura que comparvel com o
caminho livre mdio dos eltrons que viajam atravs das amostras, que pode ser apenas de umas poucas
dezenas de nanmetros. A preparao de espcimes de MET especfica para o material sob anlise e a
informaes desejadas a obter do espcime. Como tal, diversas tcnicas genricas tm sido utilizadas para a
preparao das sees finas necessrias.[74]

Materiais que tm dimenses suficientemente pequenas para serem transparentes a eltrons, tais como ps ou
nanotubos podem ser rapidamente preparados pela deposio de uma amostra diluda contendo o espcime em
grades de apoio ou filmes. Nas cincias biolgicas, a fim de suportar o vcuo do instrumento e facilitar o
tratamento, as amostras biolgicas podem ser fixadas usando um material de colorao negativa, tal como
acetato de uranilo ou pela incorporao em plsticos. Alternativamente amostras pode ser fixadas em
temperaturas de nitrognio lquido, aps a incorporao em gelo vtreo.[75] Em cincia dos materiais e
metalurgia as amostras tendem a ser naturalmente resistentes ao vcuo, mas ainda devem ser preparadas como
uma folha fina, ou gravadas de modo que parte da amostra seja fina o suficiente para o feixe penetrar.
Restries sobre a espessura do material pode ser limitadas pela seo transversal de disperso dos tomos a
partir do qual o material composto.[32]

Seccionamento de tecido
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Pela passagem de amostras sobre uma borda de vidro ou diamante, pequenas sees finas podem ser facilmente
obtidas atravs de um mtodo semi-automtico.[4] Este mtodo usado para obter amostras finas,
minimamente deformadas, que permitem a observao de amostras de tecido. Alm disso, amostras inorgnicos
tm sido estudadas, como o alumnio, embora este uso limitado devido a graves danos induzidos nas amostras
menos macias.[76] Para evitar acmulo de carga na superfcie da amostra, amostras de tecido devem ser
revestidas com uma fina camada de material condutor, como carbono, onde a espessura do revestimento de
vrios nanmetros. Isto pode ser conseguido atravs de um processo de deposio de arco eltrico usando um
dispositivo de revestimento por pulverizao catdica.[77]

Colorao da amostra

Detalhes em amostras submetidas a anlise em miscroscpios ticos

Uma seo de uma clula de Bacillus
subtilis, tomada de um TEM Tecnai T-
12. A barra de escala 200 nm.
podem ser realadas pelo uso de corantes que absorvem luz em
determinados comprimentos de onda; similarmente amostras de tecidos
biolgicos em METs podem utilizar pigmentos de alto nmero atmico
para realar contraste. O pigmento absorve eltrons ou dispersa parte do
feixe de eltrons que de outra forma seria projetado sobre o sistema de
imagem. Compostos de metais pesados tais como o smio, chumbo ou
urnio podem ser usados previamente observao no MET para
depositar seletivamente tomos densos em eltrons na ou sobre a
amostra em regies celulares ou proticas desejadas, requerendo uma
compreenso de como se ligam metais pesados em tecidos
biolgicos.[78]

Fresagem mecnica

Polimento mecnico pode ser usado para preparar amostras. O polimento necessita ser feito com alta qualidade,
para garantir espessura constante da amostra em toda a regio de interesse. Um composto para polimento com
diamante ou nitreto de boro cbico pode ser usado nos estgios finais do polimento para remover todos os
riscos que podem causar flutuaes do contraste devido variaes de espessura da amostra. Mesmo depois de
cuidadoso tratamento mecnico, mtodos finos adicionais tal como ataque de ons podem ser requeridos para
realizar estgios finais de adelgaamento.[79]

Fresagem qumica

Certas amostras podem ser preparados por fresagem qumica, particularmente espcimes metlicos. Estas
amostras so afiladas usando-se um decapante qumico, tal como um cido, para preparar a amostra para a
observao em um MET. Dispositivos para controlar o processo de afilamento podem permitir ao operador
controlar tanto a voltagem como a corrente passando atravs do espcime, e podem incluir istemas para
detectar quando a amostra est sendo afilada a um nvel suficiente de transparncia ptica.[80]

Fresagem inica

A fresagem inica um processo de pulverizao que pode remover quantidades muito finas de material.
usada para realizar um polimento dinal de espcimes polidos por outros meios. A fresagem inica usa um gs
inerte passando atravs de um campo eltrico para gerar uma corrente de plasma que direcionada para a
superfcie da amostra. As energias de acelerao para gases tais como o argnio so normalmente uns poucos
kilovolts. A amostra pode ser girada para promover ainda o polimento da superfcie da amostra. A taxa de
pulverizao de tais mtodos de uma ordem de dezenas de micrmetros por hora, limitando o mtodo a
somente polimento extremamente fino.[80]

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Mais recentemente mtodos de feixe de on focalizado (FIF, ou FIB, do

ingls focussed ion beam) tem sido usados para preparar amostras. FIF
uma tcnica relativamente nova para preparar amostras finas para
exame em MET a partir de espcimes maiores. Devido a FIF poder ser
usada para tratamento de amostras micromquinas (nanotecnologia)
muito precisamente, possvel usinar membranas muito finas de uma
rea especfica de interesse em uma amostra, tal como um semicondutor
ou metal. Diferentemente de pulverizao de on de gs inerte, FIF faz
uso de ons de glio significativamente mais energticos e pode alterar a
composio ou estrutura do material atravs da implantao de glio.[81]
Imagem de MEV uma fina amostra de
MET fresada por FIF. A membrana
Modificaes fina mostrada aqui adequada para
exame em MET, no entanto, a ~300
As capacidades dos METs podem ser posteriormente estendidas por nm de espessura, no seria adequado
estgios adicionais e detectores, algumas vezes incorporados no mesmo para MET de alta resoluo sem
microscpio. Um criomicroscpio eletrnico (CrioMET) um MET fresagem suplementar.[81]
com um fixador de espcime capaz de manter o espcime em
temperaturas de nitrognio lquido ou hlio lquido. Isto permite
imagens de espcimes preparados em gelo vtreo, a tcnica de preparao preferida para imagens de molculas
individuais ou arranjos de macromolculas.[82]

Um MET pode ser modificado em um microscpio eletrnico de varredura por transmisso (STEM, de
scanning transmission electron microscope) pela adio de um sistema que faz o feixe percorrer (varrer) a
amostra para formar a imagem, combinado com detectores apropriados. Bobinas de varredura so usadas para
desviar o feixe, como por um deslocamento eletrosttico do feixe, onde o feixe ento coletado usando um
detector de corrente, como um copo de Faraday, o qual atua como um contador direto de eltrons. Por
correlao da contagem de eltrons posio do feixe de varredura (conhecida como a "prova"), o componente
transmitido do feixe pode ser medido. Os componentes no transmitidos podem ser obtidos tanto pela
inclinao do feixe como pelo uso de detectores de campo escuro anular.[83][84]

Experimentos in situ podem tambm ser conduzidos, tais como reaes in situ ou testes de deformao de
materiais.[85]

Pesquisas modernas com METS podem incluir corretores de aberraes,[31] para reduzir a quantidade de
distoro na imagem. Feixe incidente de monocromadores podem tambm ser usados, os quais reduzem a
amplitude da energia do feixe de eltrons incidentes para menos de 0,15 eV.[31]

Microscpio eletrnico de baixa voltagem

O microscpio eletrnico de baixa voltagem (MEBV, ou LVEM, de low voltage electron microscope) uma
combinao de MEV, MET e MEVT em um instrumento, o qual opera em voltagem de acelerao de eltrons
relativamente baixa, de kV. A baixa voltagem aumenta o contraste de imagem o que especialmente importante
para espcimes biolgicos. Este aumento no contraste reduz significativamente, ou at mesmo elimina, a
necessidade de colorao/pigmentao. Amostras em geral seccionadas precisam ser mais finas do que seriam
para MET convencionais (20-65 nm). Resolues de uns poucos nm so possveis nos modos MET, MEV e
MEVT.[86][87]

Microscopia crioeletrnica

Esta tcnica permite os METs serem usados oara visualizar estrutura molecular de protenas e molculas
grandes. Microscopia crioeletrnica envolve a viso inalterada de conjuntos macromoleculares por congel-los,
colocando-os em uma grade e obtendo as imagens por deteco de eltrons que transmitem atravs do

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espcime.[88][89]

Microscpio eletrnico de transm isso de alta velocidade

Muitos fenmenos em biologia, qumica e cincia dos materiais ocorrem a taxas que so significativamente
mais rpidas que aquelas que pdem ser capturadas com tcnicas padro de vdeos. Isto levou ao
desenvolvimento dos microscpios eletrnicos de transmisso de alta velocidade, tambm chamados de
microscpios eletrnicos de transmisso dinmica (DTEM, dynamic transmission electron microscopy).[90]

O microscpio eletrnicos de transmisso de alta velocidade foi desenvolvido para a anlise de processos no
peridicos rpidos induzidos por laser na escala de tempo de nanosegundos. Pulsos de eltrons de 7 a 11 ns so
produzidos por um fotoctodo estimulado a laser. O canho de ltron pode ser usado tanto para a exposio na
escala de nanosegundos como na operao estacionria convencional. Este microscpio operado em trs
diferentes modos: imagem de fundo blitlhante, para estudo de alteraes da textura e de tranporte de material
neutro; imagem de campo escuro, para plasmas transientes, e difrao da de rea selecionada para estudo de
rpidas transies de fase. Em 2003, sua resoluo se encontrava na faixa de aproximadamente 200 nm.[91]

Limitaes
H uma srie de inconvenientes para a tcnica de MET. Muitos materiais requerem extensa preparao da
amostra para produzir uma amostra fina o suficiente para ser transparente aos eltrons, o que torna anlise por
MET um processo relativamente demorado com um baixo volume de amostras. Sendo quase transparente aos
eltrons, um substrato de grafeno tem sido capaz de mostrar isolados tomos de hidrognio e molculas de
hidrocarbonetos.[92][93][94] A estrutura da amostra tambm pode ser alterada durante o processo de preparao.
Tambm o campo de viso relativamente pequeno, aumentando a possibilidade de que a regio analisada no
pode ser caracterstica de toda a amostra. H um potencial que a amostra possa ser danificada por um feixe de
eltrons, especialmente no caso de materiais biolgicos.[95]

Limites de resoluo

Ver tambm: Microscpio eletrnico de transmisso de aberrao corrigida

O limite de resoluo obtvel em um MET pode ser descrito de diversos modos, e tipicamente relacionado ao
limite de informao do microscpio. Um valor comumente utilizado um valor de corte da funo de
transferncia de contraste, uma funo que normalmente citada no domnio da frequncia para definir a
reproduo de freqncias espaciais de objetos no plano do objeto pela tica do microscpio. A freqncia de
corte, qmax, para a funo de transferncia pode ser aproximada com a seguinte equao, onde Cs o
coeficiente de aberrao esfrica e o comprimento de onda do eltron:[60]

Para um microscpio de 200 kV, com aberraes esfricas parcialmente corrigidas (" terceira ordem") e um
valor de Cs de 1 m,[96] um valor de corte terico pode ser 1/qmax = 42 pm [60]. O mesmo microscpio sem um
corretor teria Cs = 0.5 mm e ento um corte de 200-pm.[96] Praticamente, as aberraes esfricas so
suprimidas nos melhores, microscpios de "aberrao corrigida". Sua resoluo entretanto limitada pela
geometria da fonte de eltrons, aberraes de brilho e cromtica e sistema de lentes da objetiva.[31][97]

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Curiosamente, a representao do domnio da frequncia da funo de transferncia do contraste pode

frequentemente ter uma natureza oscilatria[98], que pode ser ajustado variando-se o valor focal da lente
objetiva. Esta natureza oscilatria implica que algumas frequncias espaciais formam imagens fiis pelo
microscpio, enquanto outras so reprimidas. Ao combinar vrias imagens com diferentes frequncias
espaciais, o uso de tcnicas como a reconstruo da srie focal pode ser utilizado para melhorar a resoluo do
MET, de forma limitada.[60] A funo de transferncia do contraste pode, em certa medida, ser aproximada
experimentalmente atravs de tcnicas como imagens de transformadas de Fourier de material amorfo, como o
carbono amorfo.[99]

Mais recentemente, avanos no projeto do corretor de aberraes tem sido hbeis em reduzir as aberraes
esfricas[100] e em obter resolution abaixo de 0,5 ngstrms (50 pm)[97] em magnificaes acima de 50
milhes de vezes.[101] Resoluo melhorada permite a imagem de tomos mais leves que a disperso eltrons
menos eficientemente, como os tomos de ltio em materiais de baterias de ltio.[102] A habilidade de
determinar a posio dos tomos dentro dos materiais fez com que o METAR (HRTEM) seja uma ferramenta
indispensvel para pesquisa em nanotecnologia e desenvolvimento em muitos campos, incluindo catlise
heterognea e o desenvolvimento de dispositivos semicondutores para eletrnica e fotnica.[103]

Fabricantes
Os principais fabricantes de METs incluem JEOL, Hitachi High-technologies, FEI Company (a partir da fuso
com Philips Electron Optics) e Carl Zeiss.[104]

Ver tambm
Microscpio eletrnico
Microscpio eletrnico de varredura
Deposio induzida por feixe de eltrons
Difrao de eltrons
Espectroscopia de perda de energia de eltrons
Microscopia eletrnica de transmisso por filtrao de energia
Microscopia eletrnica de transmisso de alta resoluo
Microscpio eletrnico de baixa voltagem
Microscpio eletrnico confocal de varredura
Microscpio eletrnico de varredura por transmisso
Microscpio eletrnico de transmisso de aberrao corrigida

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